JPH0790256A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH0790256A JPH0790256A JP5236729A JP23672993A JPH0790256A JP H0790256 A JPH0790256 A JP H0790256A JP 5236729 A JP5236729 A JP 5236729A JP 23672993 A JP23672993 A JP 23672993A JP H0790256 A JPH0790256 A JP H0790256A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機蛍光体を効率良く高輝度にて長期に渡っ
て発光させることができる耐熱性の優れた有機エレクト
ロルミネッセンス素子を提供する。 【構成】 陽極、有機化合物からなる正孔輸送層、有機
化合物からなる発光層及び陰極が順に積層された有機エ
レクトロルミネッセンス素子であって、前記正孔輸送層
が下記化学式で示されるトリフェニルベンゼン誘導体を
含有する。
て発光させることができる耐熱性の優れた有機エレクト
ロルミネッセンス素子を提供する。 【構成】 陽極、有機化合物からなる正孔輸送層、有機
化合物からなる発光層及び陰極が順に積層された有機エ
レクトロルミネッセンス素子であって、前記正孔輸送層
が下記化学式で示されるトリフェニルベンゼン誘導体を
含有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電流の注入によって発
光する物質のエレクトロルミネッセンスを利用して、か
かる物質を層状に形成した発光層を備えたエレクトロル
ミネッセンス素子に関し、特に発光層が有機化合物を発
光体として構成される有機エレクトロルミネッセンス素
子に関する。
光する物質のエレクトロルミネッセンスを利用して、か
かる物質を層状に形成した発光層を備えたエレクトロル
ミネッセンス素子に関し、特に発光層が有機化合物を発
光体として構成される有機エレクトロルミネッセンス素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の有機エレクトロルミネッセンス
素子として、図１に示すように、陰極である金属電極１
と陽極である透明電極２との間に、互いに積層された有
機蛍光体薄膜（発光層）３及び有機正孔輸送層４が配さ
れた２層構造のものが知られている。また、図２に示す
ように、金属電極１と透明電極２との間に互いに積層さ
れた有機電子輸送層５、発光層３及び有機正孔輸送層４
が配された３層構造のものも知られている。ここで、有
機正孔輸送層４は陽極から正孔を注入させ易くする機能
と電子をブロックする機能とを有し、有機電子輸送層５
は陰極から電子を注入させ易くする機能を有している。
素子として、図１に示すように、陰極である金属電極１
と陽極である透明電極２との間に、互いに積層された有
機蛍光体薄膜（発光層）３及び有機正孔輸送層４が配さ
れた２層構造のものが知られている。また、図２に示す
ように、金属電極１と透明電極２との間に互いに積層さ
れた有機電子輸送層５、発光層３及び有機正孔輸送層４
が配された３層構造のものも知られている。ここで、有
機正孔輸送層４は陽極から正孔を注入させ易くする機能
と電子をブロックする機能とを有し、有機電子輸送層５
は陰極から電子を注入させ易くする機能を有している。
【０００３】これら有機エレクトロルミネッセンス素子
において、透明電極２の外側にはガラス基板６が配され
ている。金属電極１から注入された電子と透明電極２か
ら注入された正孔との再結合によって、励起子が生じ、
この励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透
明電極２及びガラス基板６を介して外部に放出される。
において、透明電極２の外側にはガラス基板６が配され
ている。金属電極１から注入された電子と透明電極２か
ら注入された正孔との再結合によって、励起子が生じ、
この励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透
明電極２及びガラス基板６を介して外部に放出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、比較的
高い輝度で発光が得られる有機エレクトロルミネッセン
ス素子であっても、かかる有機エレクトロルミネッセン
ス素子を直流電流で駆動し続けると、素子が破壊されや
すくなる。また、耐熱性が劣っていた。本発明は、上述
した課題を解決すべくなされたものであって、有機蛍光
体を効率良く高輝度にて長期に渡って発光させることが
できる耐熱性の優れた有機エレクトロルミネッセンス素
子を提供することを目的とする。
高い輝度で発光が得られる有機エレクトロルミネッセン
ス素子であっても、かかる有機エレクトロルミネッセン
ス素子を直流電流で駆動し続けると、素子が破壊されや
すくなる。また、耐熱性が劣っていた。本発明は、上述
した課題を解決すべくなされたものであって、有機蛍光
体を効率良く高輝度にて長期に渡って発光させることが
できる耐熱性の優れた有機エレクトロルミネッセンス素
子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によるエレクトロ
ルミネッセンス素子は、陽極、有機化合物からなる正孔
輸送層、有機化合物からなる発光層及び陰極が順に積層
された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記正孔輸送層が下記化学式１で示されるトリフェニルベ
ンゼン誘導体
ルミネッセンス素子は、陽極、有機化合物からなる正孔
輸送層、有機化合物からなる発光層及び陰極が順に積層
された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記正孔輸送層が下記化学式１で示されるトリフェニルベ
ンゼン誘導体
【０００６】
【化２】
【０００７】を含有することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、効率良く高輝度で発光させる
ことができ経年変化の少ない有機エレクトロルミネッセ
ンス素子が得られる。
ことができ経年変化の少ない有機エレクトロルミネッセ
ンス素子が得られる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を図に基づいて詳細に説明す
る。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、図
１又は２に示した構造の有機エレクトロルミネッセンス
素子と同様であって、図１に示すように、一対の金属陰
極１と透明陽極２との間に発光層３及び正孔輸送層４を
順に成膜した構造、又は図２に示すように、一対の金属
陰極１と透明陽極２との間に電子輸送層５、発光層３及
び正孔輸送層４を順に成膜した構造を有する。いずれの
場合でも、電極１、２については一方が透明であればよ
い。例えば、陰極１には、アルミニウム、マグネシウ
ム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事関数が小さ
な金属からなり厚さが約 100〜5000Å程度のものを用い
得る。また、例えば陽極２には、インジウムすず酸化物
（以下、ＩＴＯともいう）等の仕事関数の大きな導電性
材料からなり厚さが1000〜3000Å程度で、又は金で厚さ
が 800〜1500Å程度のものを用い得る。なお、金を電極
材料として用いた場合には、電極は半透明の状態とな
る。
る。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、図
１又は２に示した構造の有機エレクトロルミネッセンス
素子と同様であって、図１に示すように、一対の金属陰
極１と透明陽極２との間に発光層３及び正孔輸送層４を
順に成膜した構造、又は図２に示すように、一対の金属
陰極１と透明陽極２との間に電子輸送層５、発光層３及
び正孔輸送層４を順に成膜した構造を有する。いずれの
場合でも、電極１、２については一方が透明であればよ
い。例えば、陰極１には、アルミニウム、マグネシウ
ム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事関数が小さ
な金属からなり厚さが約 100〜5000Å程度のものを用い
得る。また、例えば陽極２には、インジウムすず酸化物
（以下、ＩＴＯともいう）等の仕事関数の大きな導電性
材料からなり厚さが1000〜3000Å程度で、又は金で厚さ
が 800〜1500Å程度のものを用い得る。なお、金を電極
材料として用いた場合には、電極は半透明の状態とな
る。
【００１０】正孔輸送層４を形成する化合物は、上記化
学式１で示されるトリフェニルベンゼン誘導体である。
例えば、化学式１で示されるトリフェニルベンゼン誘導
体の代表例としては、下記の化学式２に示す1,3,5-トリ
ス［4-(3-メチルフェニルフェニルアミノ)フェニル]ベ
ンゼン(1,3,5-tris[4-(3-metylphenylphenylamino)phen
yl]benzene）(以下m-MTDAPBという)等がある。
学式１で示されるトリフェニルベンゼン誘導体である。
例えば、化学式１で示されるトリフェニルベンゼン誘導
体の代表例としては、下記の化学式２に示す1,3,5-トリ
ス［4-(3-メチルフェニルフェニルアミノ)フェニル]ベ
ンゼン(1,3,5-tris[4-(3-metylphenylphenylamino)phen
yl]benzene）(以下m-MTDAPBという)等がある。
【００１１】
【化３】
【００１２】発明者は、光・電子機能をもつアモルファ
ス分子材料の創製を目指して、これまでに4,4',4"-トリ
ス（N,N-ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ 4,
4',4"-tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine (以
下、TDATAという))及びそのメチル誘導の4,4',4"-トリ
ス｛N-(3-メチルフェニル）-N-フェニルアミノ｝トリフ
ェニルアミン（4,4',4"-tris{N-(3-metylphenyl)-N-phe
nylamino}triphenylamine(以下、MTDATAという))などを
合成し、それらのモルフォロジー変化、電子物性、光電
物性を検討してきた。
ス分子材料の創製を目指して、これまでに4,4',4"-トリ
ス（N,N-ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ 4,
4',4"-tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine (以
下、TDATAという))及びそのメチル誘導の4,4',4"-トリ
ス｛N-(3-メチルフェニル）-N-フェニルアミノ｝トリフ
ェニルアミン（4,4',4"-tris{N-(3-metylphenyl)-N-phe
nylamino}triphenylamine(以下、MTDATAという))などを
合成し、それらのモルフォロジー変化、電子物性、光電
物性を検討してきた。
【００１３】本発明では、より高いガラス転移温度(Tg)
を有する物質の創製を目指し、分子の剛直性を増すこと
を分子設計指針として、中心骨格をトリフェニルアミン
からトリフェニルベンゼンに換えたπ電子共役系starbu
rst分子のm-MTDAPBを合成した。さらに、化学式１で示
されるトリフェニルベンゼン誘導体のその他の代表例と
して、化学式３で示す1,3,5-トリス[4-(N-カルバゾリ
ル)フェニル]ベンゼン(以下、TCPBという)
を有する物質の創製を目指し、分子の剛直性を増すこと
を分子設計指針として、中心骨格をトリフェニルアミン
からトリフェニルベンゼンに換えたπ電子共役系starbu
rst分子のm-MTDAPBを合成した。さらに、化学式１で示
されるトリフェニルベンゼン誘導体のその他の代表例と
して、化学式３で示す1,3,5-トリス[4-(N-カルバゾリ
ル)フェニル]ベンゼン(以下、TCPBという)
【００１４】
【化４】
【００１５】並びに、化学式４で示す1,3,5-トリス[4-
(N-フェノチアジニル)フェニル]ベンゼン(以下、TPTPB
という)
(N-フェノチアジニル)フェニル]ベンゼン(以下、TPTPB
という)
【００１６】
【化５】
【００１７】を合成した。m-MTDAPBは、1,3,5-トリス(4
-ヨードフェニル)ベンゼンと3-メチルフェニルフェニル
アミンとのウルマン反応により合成した。TCPBは、1,3,
5-トリス(4-ヨードフェニル)ベンゼンとカルバゾールと
のウルマン反応により合成した。
-ヨードフェニル)ベンゼンと3-メチルフェニルフェニル
アミンとのウルマン反応により合成した。TCPBは、1,3,
5-トリス(4-ヨードフェニル)ベンゼンとカルバゾールと
のウルマン反応により合成した。
【００１８】TPTPBは、1,3,5-トリス(4-ヨードフェニ
ル)ベンゼンとフェノチアジンとのウルマン反応により
合成した。それぞれの同定は各種スペクトル及び元素分
析により行った。合成して得たm-MTDAPB等は、加熱融解
させて等方性液体とした後冷却すると、透明なガラスを
形成した。
ル)ベンゼンとフェノチアジンとのウルマン反応により
合成した。それぞれの同定は各種スペクトル及び元素分
析により行った。合成して得たm-MTDAPB等は、加熱融解
させて等方性液体とした後冷却すると、透明なガラスを
形成した。
【００１９】m-MTDAPBのＤＳＣ測定において、ガラス状
態のm-MTDAPB試料を昇温していくと105℃にガラス状態
から過冷却液体状態への転移現象が観測される。その
後、167℃付近に結晶化による発熱ピークが見られ、231
℃に融解による吸熱ピークが見られる。表１に示すよう
に、中心骨格がトリフェニルアミンであるMTDATAに比べ
て中心骨格がトリフェニルベンゼンであるm-MTDAPBが高
いガラス転移温度をもつことが示された。
態のm-MTDAPB試料を昇温していくと105℃にガラス状態
から過冷却液体状態への転移現象が観測される。その
後、167℃付近に結晶化による発熱ピークが見られ、231
℃に融解による吸熱ピークが見られる。表１に示すよう
に、中心骨格がトリフェニルアミンであるMTDATAに比べ
て中心骨格がトリフェニルベンゼンであるm-MTDAPBが高
いガラス転移温度をもつことが示された。
【００２０】
【表１】
【００２１】本研究結果は、中心骨格を変えることによ
ってstarburst分子のガラス転移温度を制御できるとい
うことを示唆している。m-MTDAPBなどのトリフェニルベ
ンゼン誘導体は、融点、ガラス転移点が高い耐熱性を有
している。また、これらは、星状分子がねじれて立体形
状をとるため結晶しにくく遮蔽性が優れ、数か月間以上
室温下で放置しても結晶化が起きないので薄膜形成性が
優れている。
ってstarburst分子のガラス転移温度を制御できるとい
うことを示唆している。m-MTDAPBなどのトリフェニルベ
ンゼン誘導体は、融点、ガラス転移点が高い耐熱性を有
している。また、これらは、星状分子がねじれて立体形
状をとるため結晶しにくく遮蔽性が優れ、数か月間以上
室温下で放置しても結晶化が起きないので薄膜形成性が
優れている。
【００２２】以下、本発明で用いられるトリフェニルベ
ンゼン誘導体の他の具体例として、化学式５で示す1,3,
5-トリス[4-(ジフェニルアミノ)フェニル]ベンゼン(1,
3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzene)、
ンゼン誘導体の他の具体例として、化学式５で示す1,3,
5-トリス[4-(ジフェニルアミノ)フェニル]ベンゼン(1,
3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzene)、
【００２３】
【化６】
【００２４】化学式６で示す1,3,5トリス[4-(N-フェノ
キサジニル)フェニル]ベンゼン(1,3,5-tris[4-(N-pheno
xazinyl)phenyl]benzene)
キサジニル)フェニル]ベンゼン(1,3,5-tris[4-(N-pheno
xazinyl)phenyl]benzene)
【００２５】
【化７】
【００２６】があるが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。本発明による有機エレクトロルミネッセン
ス素子の発光層３を形成する有機蛍光化合物の具体的な
例としては、下記化学式７で示されるＡｌオキシンキレ
ート（以下、Ａｌｑ3という）、下記化学式８〜１０で
示されるテトラフェニルブタジエン誘導体を含む蛍光体
薄膜が好ましく用いられ、ゲスト物質を含んでもよい。
のではない。本発明による有機エレクトロルミネッセン
ス素子の発光層３を形成する有機蛍光化合物の具体的な
例としては、下記化学式７で示されるＡｌオキシンキレ
ート（以下、Ａｌｑ3という）、下記化学式８〜１０で
示されるテトラフェニルブタジエン誘導体を含む蛍光体
薄膜が好ましく用いられ、ゲスト物質を含んでもよい。
【００２７】
【化８】
【００２８】かかる発光層３の膜厚は１μｍ以下に設定
される。また、発光層３としては、下記化学式１１〜１
５の化合物も用いられる。
される。また、発光層３としては、下記化学式１１〜１
５の化合物も用いられる。
【００２９】
【化９】
【００３０】つぎに、図２に示すように、陰極及び発光
層間に有機電子輸送層を配置した有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の場合、電子輸送層５としては、下記化学
式１６のBu-PBDや、
層間に有機電子輸送層を配置した有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の場合、電子輸送層５としては、下記化学
式１６のBu-PBDや、
【００３１】
【化１０】
【００３２】下記化学式１７〜２３で示される化合物が
好ましく用いられる。
好ましく用いられる。
【００３３】
【化１１】
【００３４】
【化１２】
【００３５】（実施例１）膜厚2000ÅのＩＴＯからなる
陽極が形成されたガラス基板を用いた。まず、ＩＴＯ陽
極上に、上記化学式１のm-MTDAPBを蒸着速度４Å／秒で
膜厚500Åまで蒸着し、正孔輸送層を形成した。次に、m
-MTDAPB正孔輸送層上に上記化学式５のＡlq3を蒸着速度
５Å／秒で膜厚500Åまで蒸着し、発光層を形成した。
次に、Ａlq 3発光層上にマグネシウムと銀とを原子比１
０：１（＝Ｍｇ：Ａｇ）で膜厚1500Åまで共蒸着し、陰
極を形成し、エレクトロルミネッセンス素子を作成し
た。各薄膜を真空蒸着法によって真空度1.0×10-5Torr
で積層した。
陽極が形成されたガラス基板を用いた。まず、ＩＴＯ陽
極上に、上記化学式１のm-MTDAPBを蒸着速度４Å／秒で
膜厚500Åまで蒸着し、正孔輸送層を形成した。次に、m
-MTDAPB正孔輸送層上に上記化学式５のＡlq3を蒸着速度
５Å／秒で膜厚500Åまで蒸着し、発光層を形成した。
次に、Ａlq 3発光層上にマグネシウムと銀とを原子比１
０：１（＝Ｍｇ：Ａｇ）で膜厚1500Åまで共蒸着し、陰
極を形成し、エレクトロルミネッセンス素子を作成し
た。各薄膜を真空蒸着法によって真空度1.0×10-5Torr
で積層した。
【００３６】この様にして作成した図１に示す構造のエ
レクトロルミネッセンス素子は、電流密度6.3mA／cm2で
電圧８Ｖ時、輝度284cd/m2を示した。この素子を真空下
にて７mA／cm2の一定電流で駆動させたところ、初期輝
度の半減期が３１３時間であった。実施例１で作成した
素子を真空下で９０℃の熱を７２時間かけて保存し、電
流−輝度特性を測定したところほとんど変化が認められ
なかった。
レクトロルミネッセンス素子は、電流密度6.3mA／cm2で
電圧８Ｖ時、輝度284cd/m2を示した。この素子を真空下
にて７mA／cm2の一定電流で駆動させたところ、初期輝
度の半減期が３１３時間であった。実施例１で作成した
素子を真空下で９０℃の熱を７２時間かけて保存し、電
流−輝度特性を測定したところほとんど変化が認められ
なかった。
【００３７】（実施例２）実施例１のＩＴＯの陽極とm-
MTDAPBの正孔輸送層との間に上記MTDATAからなる膜厚５
００Åの第２正孔輸送層４ａを形成し、m-MTDAPBの正孔
輸送層を膜厚１２０Åにした以外、実施例１と同様にし
て図３に示すエレクトロルミネッセンス素子を作成し
た。
MTDAPBの正孔輸送層との間に上記MTDATAからなる膜厚５
００Åの第２正孔輸送層４ａを形成し、m-MTDAPBの正孔
輸送層を膜厚１２０Åにした以外、実施例１と同様にし
て図３に示すエレクトロルミネッセンス素子を作成し
た。
【００３８】この様にして作成した素子は、電流密度6.
3mA／cm2で電圧８Ｖ時、輝度４１１cd/m2を示した。こ
の素子を真空下にて5.3mA／cm2の一定電流で駆動させた
ところ、初期輝度の半減期が５４０時間であった。この
ようにm-MTDAPBの正孔輸送層とMTDATAの第２正孔輸送層
との多層正孔輸送層を積層した素子は実施例１の素子に
比べ発光効率が向上し、駆動寿命が伸びる。
3mA／cm2で電圧８Ｖ時、輝度４１１cd/m2を示した。こ
の素子を真空下にて5.3mA／cm2の一定電流で駆動させた
ところ、初期輝度の半減期が５４０時間であった。この
ようにm-MTDAPBの正孔輸送層とMTDATAの第２正孔輸送層
との多層正孔輸送層を積層した素子は実施例１の素子に
比べ発光効率が向上し、駆動寿命が伸びる。
【００３９】（比較例）実施例１の正孔輸送物質m-MTDA
PBの代わりに、下記化学式２４で示されるトリフェニル
ジアミン誘導体（TPDという）
PBの代わりに、下記化学式２４で示されるトリフェニル
ジアミン誘導体（TPDという）
【００４０】
【化１３】
【００４１】を正孔輸送層に用いた以外、実施例１と同
様にして作成したエレクトロルミネッセンス素子は、電
流密度6.3mA／cm2、電圧６Ｖ時の輝度が258cd／m2であ
った。この素子を真空下にて7.5mA／cm2の一定電流で駆
動させたところ、初期輝度の半減期は１３１時間であっ
た。この素子を真空下で９０℃の熱を７２時間かけて保
存し、電流−輝度特性を測定したところ同じ電流に対し
上記実施例の素子に比べて輝度の劣化が速かった。
様にして作成したエレクトロルミネッセンス素子は、電
流密度6.3mA／cm2、電圧６Ｖ時の輝度が258cd／m2であ
った。この素子を真空下にて7.5mA／cm2の一定電流で駆
動させたところ、初期輝度の半減期は１３１時間であっ
た。この素子を真空下で９０℃の熱を７２時間かけて保
存し、電流−輝度特性を測定したところ同じ電流に対し
上記実施例の素子に比べて輝度の劣化が速かった。
【００４２】なお、正孔輸送層は三層以上であっても良
い。
い。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
有機化合物からなり互いに積層された発光層及び正孔輸
送層が陰極及び陽極間に配された構成の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、正孔輸送層が上記化学式
１により示された耐熱性が優れたトリフェニルベンゼン
誘導体からなるので、電流を流したときに発生する熱に
よる正孔輸送層への影響を軽減できる。このように、本
発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子にお
いて耐久性を向上させつつ低電圧にて効率良く高輝度で
発光させることができる。
有機化合物からなり互いに積層された発光層及び正孔輸
送層が陰極及び陽極間に配された構成の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、正孔輸送層が上記化学式
１により示された耐熱性が優れたトリフェニルベンゼン
誘導体からなるので、電流を流したときに発生する熱に
よる正孔輸送層への影響を軽減できる。このように、本
発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子にお
いて耐久性を向上させつつ低電圧にて効率良く高輝度で
発光させることができる。
【図１】 有機エレクトロルミネッセンス素子の概略構
造図である。
造図である。
【図２】 有機エレクトロルミネッセンス素子の概略構
造図である。
造図である。
【図３】 本発明による実施例２の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の概略構造図である。
ネッセンス素子の概略構造図である。
１ 金属電極（陰極） ２ 透明電極（陽極） ３ 光層 ４ 有機正孔輸送層 ４ａ 第２正孔輸送層 ５ 有機電子輸送層 ６ ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米本 圭伸 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 脇本 健夫 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 今井 邦男 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 陽極、有機化合物からなる正孔輸送層、
有機化合物からなる発光層及び陰極が順に積層された有
機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記正孔輸
送層が下記化学式１で示されるトリフェニルベンゼン誘
導体 【化１】 を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項２】 前記陰極及び前記発光層間に有機化合物
からなる電子輸送層が配されたことを特徴とする請求項
１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236729A JPH0790256A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US08/309,538 US5487953A (en) | 1993-09-22 | 1994-09-20 | Organic electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236729A JPH0790256A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790256A true JPH0790256A (ja) | 1995-04-04 |
Family
ID=17004926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5236729A Pending JPH0790256A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5487953A (ja) |
| JP (1) | JPH0790256A (ja) |
Cited By (13)
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| WO2008059943A1 (fr) | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Bando Chemical Industries, Ltd. | Dérivé inédit du carbazole et utilisation de celui-ci |
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