WO2004074399A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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WO2004074399A1
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organic
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Seiji Tomita
Toshihiro Iwakuma
Takashi Arakane
Keiko Yamamichi
Chishio Hosokawa
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Idemitsu Kosan Co., Ltd.
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    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO

Definitions

  • the present invention relates to a material for an organic electroluminescence device and an organic electroluminescence device (organic EL device) using the same, and particularly to a material for an organic EL device having high luminous efficiency, no pixel defects, and excellent heat resistance. And organic EL devices.
  • Organic EL devices are self-luminous devices that use the principle that a fluorescent substance emits light by the recombination energy of holes injected from the anode and electrons injected from the cathode when an electric field is applied. is there.
  • Tan et al Used tris (8-hydroxyquinolinol aluminum) for the light-emitting layer and triphenyldimine derivative for the hole transport layer.
  • the stacked structure include increasing the efficiency of hole injection into the light-emitting layer and increasing the efficiency of exciton generation by blocking electrons injected from the cathode and recombining them This includes confining excitons generated in the light emitting layer.
  • the element structure of the organic EL element includes a hole transport (injection) layer, a two-layered electron transport / emission layer, or a hole transport (injection) layer, an emission layer, and an electron transport ( note The three-layer type is well known.
  • the device structure and the forming method are devised.
  • Light emitting materials for organic EL devices include chelate complexes such as tris (8-quinolinolate) aluminum dimethyl complex, coumarin derivatives, tetraphenylenylbutadiene derivatives, distyrylarylene derivatives, and the like.
  • Luminescent materials such as oxadiazole derivatives are known, and it has been reported that they can emit light in the visible region from blue to red, and it is expected that a light-emitting element will be realized (for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. H8-239695, Hei 7-13859, Hei 3-20289, etc.).
  • an anode, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer (hole blocking layer), a triplet excited state or a triplet exciton are sequentially arranged so as not to be quenched.
  • a configuration in which layers are stacked like an electron injection layer and a cathode is used.
  • host compounds and phosphorescent compounds have been used in organic light-emitting layers.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a material for an organic EL device having high luminous efficiency, no pixel defects, and excellent heat resistance, and an organic EL device using the same. With the goal.
  • the present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problem, and as a result, have found that the above object is achieved by using a compound having low symmetry as a material for an organic EL device.
  • the invention has been solved.
  • the present invention provides an organic EL device material comprising a compound represented by the following general formula (1).
  • C z represents a carpazolyl group, a C18-C60 arylarylcarpazolyl group, an azacarbazolyl group, a C18-C60 arylazalyl benzoylyl group, an ataridinyl group
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms or a substituted or unsubstituted phenoxazinyl group or dibenzoazepinyl group.
  • Ar 3 is an aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 60 carbon atoms.
  • Ar 4 is a substituted or unsubstituted benzene residue, a substituted or unsubstituted thiophene residue, a substituted or unsubstituted triazole residue, a substituted or unsubstituted Fluorene residue or substituted or unsubstituted spirobifluorene A group.
  • a 0-1 integer
  • b an integer of 0 to 4
  • c is an integer of 1 to 3
  • C z and A r 4 is plural, each may be the same or different.
  • a l
  • the present invention provides an organic EL device in which one or more organic thin film layers having at least a light emitting layer are sandwiched between a cathode and an anode, wherein at least one of the organic thin film layers is formed by the general method described above.
  • An object of the present invention is to provide an organic EL device containing an organic EL device material comprising a compound represented by the formula (1).
  • the material for an organic EL device of the present invention comprises a compound represented by the following general formula (1).
  • C z represents a carbazolyl group, a C18-C60 arylarylcarbazoleyl group, an azacarbazolyl group, a C18-C60 arylarylcarbazolyl group, or an ataridinyl group. Or a phenoxazinyl group or a dibenzoazepinyl group, which may be substituted.
  • the aryl moiety in the arylcarbazolyl group and arylazacarbazolyl group includes, for example, phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 1-anthryl, 2-anthryl Ryl group, 91-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2 —Naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenyl-norylene group, p-terphenylinole 4-yl group, p-terphenyl 2-inole group, p-terphenyl 2-inole group, m-terphenyl group 4-
  • a r 1 and A r 2 are each independently, Ariru group or a substituted or a substituted or unsubstituted carbon atoms 6-6 0 unsubstituted carbon number 3-6 0
  • aryl group examples include phenyl, 1-naphthyl, 2_naphthyl, 1-anthryl, 2-anthryl, 9_anthryl, and 1-phenylene Tolyl group, 2-phenyl; c-nanthryl group, 3_phenanthryl group, 4_phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1—pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4—pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3—biphenyl / reyl group, 4—biphenylinolenole group, p—terphenylinole 4 monoinole group, p—terfe Ninole — 3 —inole group, p —ta-phenyl-1 2 —yl group, m-terphenyl
  • heterocyclic group examples include 1-pyrrolyl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, virazinyl group, 2-pyridinyl group, 3-pyridinyl group, 4-pyridinyl group, 1—In drill base, 2—In drill base, 3—In drill Group, 4-in drill group, 5-in drill group, 6-in 'drill group, 7-in drill group, 1 1-in-drill group, 2 1-in-drill group, 2-in-drill group, 3-iso-in drill Group, 4-isole-dyl group, 5-isoled-yl group, 6-isodrill group, 7-isodyl group, 21-furyl, 3-furyl, 2-benzofuranyl group, 3 —Benzofuranyl group, 4-benzofuraninole group, 5-benzobenzofuranyl group, 6—vesisofuranyl group, —benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzo
  • Carpazolyl group arylcarbazolyl group, azacarbazolyl group, arylazacarbazolyl group, acrylidinyl group, phenoxazinyl group, dibenzazebul group, benzimidazole group, benzothiazole group, henzo- N-arylimidazole groups and the like are preferred.
  • Ar 3 is an aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 60 carbon atoms, and is substituted or unsubstituted.
  • a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms is preferable, and benzene, biphenyl, naphthalene, phenanthrene, pyridine, and pyrimidene are preferred. Gins and triazine residues are more preferred, and benzene residues are most preferred.
  • Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include divalent or trivalent ones obtained by removing hydrogen from the specific examples of the aryl groups represented by Ar 1 and Ar 2 , and preferable examples are also the same.
  • heterocyclic group examples include divalent or trivalent ones, excluding hydrogen, from the specific examples of the heterocyclic group of Ar 1 and Ar 2 described above, and preferable examples are also the same.
  • Ar 4 represents a substituted or unsubstituted benzene residue, a substituted or unsubstituted thiophene residue, a substituted or unsubstituted triazole residue, and a substituted or unsubstituted triazole residue.
  • the substituents may be bonded to form a ring structure.
  • — (A r 4 ) b — has the following structure.
  • Ar 5 and Ar 6 are each independently the same as Ar 4 , and d is an integer of 0 to 3. When there are a plurality of Ar 5 , It may be.
  • a is 0 to an integer of L
  • b is an integer of 0 to 4
  • c is an integer of 1 to 3
  • C z and Ar 4 are plural, they are the same as each other But it may be different.
  • halogen atom examples include fluorine, chlorine, bromine, and iodine.
  • the amino group is represented as NX 1 X 2, and X 1 and X 2 each independently represent, for example, a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and an n— Butyl, s-butyl, isoptyl, t-butyl, n-pentyl, n-hexyl, n-heptyl, n-octyl, hydroxymethyl, 1-hydroxyxethyl, 2-hydroxyl, 2-hydroxyl-butyl, 1,2-dihydroxyl, 1,3-dihydroxyl-propyl, 2,3-dihydroxyl-t-butyl, 1,2,3-tol Hydroxypropyl group, Chloromethyl group, 1-Monoethyl group, 2-Chloroethyl group, 2-Chloroisobutyl group,
  • alkyl group examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, an isoptyl group, a t-butyl group n —a pentyl group, and n— Hexinole group, n — heptinole group, n-octynole group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyxethyl group, 2-hydroxyxyl group, 2 —hydroxyisoptyl group, 1,2-dihydroxyxyl group, 1,3 — Dihydroxy isopropyl group, 2,3-dihydroxy-t-butyl group, 1,2,3_trihydroxypropyl group, chloromethyl group, 1-chloroethyl group, 2-chloroethyl group, 2 —Chloro-isobutyl group, 1,2-dichloroethyl group, 1,3-dichlorois
  • Examples include 3-dinitro-t-butyl group and 1,2,3-trinitropropyl group.
  • alkenyl group examples include a butyl group, an aryl group, a 1-butyl group, a 2-butenyl group, a 3-butyl group, a 1,3-butanenyl group, a 1-methylvinyl group, a styryl group, and a 2,2- Diphenylvinyl group, 1,2-diphenylvinyl group, 1-methylaryl group, 1,1-dimethylaryl group, 2-methylaryl group, 1-phenylaryl group, 2-phenyl; nylaryl group, 3-phenyl Nylaryl group, 3,3-diphenylaryl group, 1,2-dimethylaryl group, 1-phenyl-1-butenyl group, 3-phenyl i-butenyl group and the like.
  • cycloalkyl group examples include a cyclopropyl group and a cyclobutyl group.
  • An alkoxy group is a group represented by OY, and Y is, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, an isobutyl group, t Monobutyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyxethyl group, 2-hydroxyisobutyl Group, 1,
  • aromatic hydrocarbon group examples include a phenyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a 2-anthryl group, a 9-anthryl group, and a 1-phenylene group.
  • aromatic heterocyclic group examples include 1-piruyl group, 2-piruyl group,
  • aralkyl group examples include a benzyl group, a 1-phenylethyl group, a 2-phenylenyl group, a 1-phenylisopropyl group, a 2-phenylphenylisopropyl group, a phenyl-t-butyl group, and an ⁇ -naphthylmethyl group.
  • An aryloxy group is represented as 1 OZ, where Z is, for example, phenyl Group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 91-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phthyl; c-anthryl group , 3_phenanthryl, 4-phenyltrenyl, 9-phenanthryl, 1-naphthacenyl, 2_naphthacenyl, 9-naphthacenyl, 1-pyreninole, 2-pyrenyl, 4-pyreninole Group, 2—biphenylinoleno, 3-biphenylinoleno, 4—biphenylinoleno, ⁇ —terfeninole 4 —yl, p—terfenyl 3 —yl, p —Terphenyl-12-yl group, m-ter
  • An alkoxycarbonyl group is represented as _COOY, and Y is, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, an isobutyl group, a t —Butyl, n-pentyl, n-hexyl, n-heptyl, n-octyl, hydroxymethyl, 1 —hydroxyxethyl, 2-hydroxyxyl, 2-hydroxyxy Soptinole tomb, 1 , 2-Dihydroxylshethyl, 1,3-Dihydroxylsopropyl, 2,3—Dihydroxyl-t-butyl, 1,2,3-Trihydroxylpropynole, chloromethinole, 1-chloroethyl , 2-chloroethyl, 2-chloroisobutyl, 1,2-dichloroethyl
  • the above substituents may be combined with each other to form a ring.
  • the divalent group forming a ring include a tetramethylene group, a pentamethylene group, a hexamethylene group, And diphenylmethane-1,2,1'-diyl group, diphenylethane-3,3, -diyl group, diphenylpropane-1,4,4, -diyl group and the like.
  • Specific structures of the organic EL device comprising the compound represented by the general formula (1) of the present invention include the following structures. Although there is a structure in which there is a C z to sites equivalent to A r 1, A r 2, A r 1 and A r 2 is a order to contain the C z.
  • the phenyl moiety and the thiophene moiety may be substituted with an alkyl group or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.
  • the body of the material for an organic EL device comprising the compound represented by the general formula (1) of the present invention is not limited to these exemplified compounds.
  • the compound represented by the general formula (1) is preferably a host material for an organic EL device, transports electric charge, and has a glass transition temperature of 110 ° C. or higher.
  • a triplet energy of 2.76 eV or more is preferable because it has the ability to excite green and red light-emitting complexes.
  • the compound has a glass transition temperature of 110 ° C. or higher and a triplet energy of 2.8 eV or more, and more than 2.85 eV.
  • the luminous efficiency of the green light emitting device can be improved as compared with CBP.
  • the triplet energy is particularly preferably from 282 to 2.92 eV. If it exceeds 2.92 eV, the luminous efficiency may not be improved.
  • the organic EL device of the present invention is an organic EL device in which at least one organic thin film layer having at least a light emitting layer is sandwiched between a cathode and an anode, wherein at least one of the organic thin film layers is It contains the material for an organic EL device of the present invention.
  • the structure of the multi-layer organic EL device is, for example, anode / hole transport layer (hole injection layer) / light-emitting layer cathode, anode / light-emitting layer Z electron transport layer (electron injection layer) / cathode, anode positive Hole transport layer (hole injection layer) Emission layer Electron transport layer (electron injection layer) Cathode, anode Hole transport layer (hole injection layer) Emission layer Hole barrier layer Z electron transport layer (electron injection layer) Z cathode And those laminated in a multilayer structure such as.
  • the light emitting layer is preferably composed of a host material and a phosphorescent light emitting material, and the host material is preferably composed of the material for an organic EL device.
  • Examples of the phosphorescent light-emitting material include an iridium complex, an osmium complex, and a platinum complex because the phosphorescent quantum yield is high and the external quantum efficiency of the light-emitting element can be further improved.
  • Metal complexes are preferred, iridium complexes and platinum complexes
  • the body is more preferred and the orthometallated iridium complex is most preferred.
  • a more preferred form of the orthometalated metal complex is a compound represented by the following general formulas (2) to (4), wherein the compound represented by the general formula (2) or (3) is Especially preferred.
  • R 11 and R 12 are an alkyl group, an aryl group, a fluorinated alkyl group, or a fluorinated aryl group, preferably an alkyl group, a fluorinated alkyl group, or an aryl group. And a fluorinated alkyl group is more preferred.
  • q 11 represents an integer of 0 to 2, 0, 1 laid preferred, 0 Gayo Ri preferred arbitrariness.
  • q 12 represents an integer of 0-4, 0, 1 laid preferred, 0 Gayo Ri preferred arbitrariness.
  • a plurality of RRs 12 may be the same or different from each other, or may be linked to form a condensed ring.
  • L 1 represents a ligand.
  • the above orthometalated iridium complex is used.
  • Ligands necessary for forming an isomer such as a ligand necessary for forming an orthometallated pyridium complex and a nitrogen-containing heterocyclic ligand, a diketone ligand, and a halogen.
  • the ligand is preferably a bipyridyl ligand, more preferably a bipyridyl ligand necessary for forming an orthometallated pyridium complex.
  • n 1 represents an integer of 0-5, preferably 0.
  • m 1 represents 1, 2 or 3, and is preferably 3.
  • the combination of the numbers n 1 and m 1 the combination of the numbers at which the metal complex represented by the general formula '(2) becomes a neutral complex is preferable.
  • R 21, n 2, m 2, L 2 are each same as the R 1 1, n 1, m 1, L 1.
  • q 21 represents an integer from 0 to 8, with 0 being the good or arbitrary. If q 21 is 2 or more, it may be the same or different, and may form a condensed ring.
  • R 31 , R 32 , q 31 , q 32 , n 3 , m 3 , and L 3 are the aforementioned R 11 , R 12 , q 11 , q 12 , n 1 , m 1 , L Same as 1 .
  • the following iridium complexes are preferable.
  • a reducing dopant is added to an interface region between the cathode and the organic thin film layer.
  • Reducing dopants include alkaline metals, alkaline metal complexes, alkaline metal compounds, alkaline earth metals, alkaline earth metal complexes, alkaline earth metal compounds, rare earth metals, rare earth metal complexes , And at least one selected from rare earth metal compounds and the like.
  • the alkali metals include Na (work function: 2.36 eV), K (work function: 2.28 eV), and Rb (work function: 2.16 eV). ), C s (work function: 1.95 eV), etc., and those having a work function of 2.9 eV or less are particularly preferable.
  • the alkaline earth metals include Ca (work function: 2.9 eV), Sr (work function: 2.0 to 2.5 eV), and Ba (work function: 2.5 eV). 2 e V), and those with a work function of 2.9 eV or less are particularly preferred.
  • rare earth metal examples include Sc, Y, Ce, Tb, and Yb, and those having a work function of 2.9 eV or less are particularly preferable.
  • preferred metals have particularly high reducing ability, and the addition of a relatively small amount to the electron injection region can improve the emission luminance and extend the life of the organic EL device.
  • alkali metal compound examples include alkali oxides such as Li 20 , Cs 20 , and K 20 , and alkali halides such as LiF, NaF, CsF, and KF.
  • alkali oxides such as Li 20 , Cs 20 , and K 20
  • alkali halides such as LiF, NaF, CsF, and KF.
  • L i F, L i a O, alkaline oxides N a F or alkali fluoride is preferred.
  • B a O, S r O , C a O ⁇ Pico B were mixed these a x S r i- (0 rather x rather 1) or, B a x C a ⁇ - ⁇ O (0 ⁇ x ⁇ 1) , and the like, B a O, S r O , C a O is preferred.
  • the rare earth metal compound Y b F 3, S c F 3, S c 0 3, Y 2 0 3, C e 2 0 3, G d F 3, T b F 3 and the like
  • Y b F 3, S c F 3 , T b F is favored arbitrariness.
  • the alkali metal complex, the alkaline earth metal complex, and the rare earth metal complex each contain at least one of an alkali metal ion, an alkali earth metal ion, and a rare earth metal ion as a metal ion.
  • the ligands include quinolinol, benzoquinolinol, ataridinole, phenanthrinol, hydroxypheninoleoxazoline, hydroxyphenylinolethiazole ⁇ / re, and hydroxydiary.
  • Norexaziazo, hydroxydiaryl thiadiazole, hydroxyphenidyridine, hydroxyphenylbenzimidazole, hydroxyxintriazole / hydroxy, hydroxyfuranol, vibili Preferred are, but not limited to, jill, phenanthine-containing phosphorus, phthalocyanine, porphyrin, cyclopentadiene, diketones, azomethines, and derivatives thereof.
  • a reducing dopant is deposited by a resistance heating evaporation method, and at the same time, a luminescent material forming an interface region and an organic substance as an electron injecting material are simultaneously deposited, and the reduced dopant is formed in the organic substance.
  • the method of dispersing the is preferred.
  • the reducing dopant When the reducing dopant is formed in a layer, the light emitting material or the electron injecting material, which is an organic layer at the interface, is formed in a layer, and then the reducing dopant is deposited by a resistance heating evaporation method alone. Alternatively, it is formed with a layer thickness of 0.1 to 15 nm.
  • the reducing dopant When the reducing dopant is formed in an island shape, the light emitting material and the electron injecting material, which are the organic layers at the interface, are formed in the shape of an island, and then the reduced dopant alone is formed by resistance heating evaporation. Vapor deposition, preferably with an island thickness of 0.05 to 1 nm.
  • the organic EL device of the present invention preferably has an electron injection layer between the light emitting layer and the cathode, and the electron injection layer preferably contains a nitrogen-containing ring derivative as a main component.
  • an aromatic heterocyclic compound containing one or more heteroatoms in the molecule is preferably used, and a nitrogen-containing ring derivative is particularly preferable.
  • a specific compound of the nitrogen-containing ring derivative a compound having an azole skeleton that is a 5-membered ring is preferable.
  • the aromatic heterocyclic compound is a compound having two or more atoms other than a carbon atom and a hydrogen atom in the basic skeleton, and may be a single ring or a condensed ring.
  • the nitrogen-containing ring derivative preferably has one or more atoms selected from nitrogen, oxygen and sulfur atoms in addition to one nitrogen atom, and more preferably has two or more nitrogen atoms in the skeleton.
  • the heteroatom may be at the condensed or non-condensed position. Examples of heterocyclic skeletons containing two or more heteroatoms include pyrazolyl, imidazole, pyrazine, pyrimidine, indazole, purine, phthalazine, naphthyridine, quinoxaline, quinazoline, cinnoline, and pteriline.
  • imidazopyridazine imidazopyridine
  • imidazopyrazine imidazopyrazine
  • benzimidazole naphtomidamide
  • compounds having a condensed azole skeleton such as sol or compounds having a triazine skeleton are preferable, and condensed imidazopyridines are more preferable.
  • the compound having an azole skeleton is preferably a compound represented by the following general formula (5).
  • R represents an aromatic group
  • X represents 0, S, or N—Ra
  • Ra represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aryl group, or a heterocyclic group.
  • R and X, and R and Q when possible, may combine with each other to form a ring.
  • the following compounds are preferred as the nitrogen-containing ring derivative.
  • an insulator or a semiconductor as an inorganic compound in addition to the nitrogen-containing ring derivative as a component of the electron injection layer. If the electron injection layer is made of an insulator or a semiconductor, current leakage can be effectively prevented and electron injection properties can be improved.
  • Such an insulator is selected from the group consisting of alkaline metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, halogenated metal halides, and alkaline earth metal halides. At least one metal compound I prefer to use things. It is preferable that the electron injecting layer is composed of such an alkali metal chalcogenide or the like, since the electron injecting property can be further improved.
  • alkali metal chalcogenide de correct preferred, for example, L i 2 ⁇ , L i O, N a 2 S, include N a 2 S e ⁇ Pi N a O
  • preferred correct alkaline examples include CaO, BaO, SrO, BeO, BaS and CaSe.
  • Preferred alkali metal halides include, for example, LiF, NaF, KF, LiC1, KC1, and NaC1.
  • a trick gap Gen products of preferred alkaline earth metals for example, a fluoride or the like C a F 2, B a F 2, S r F 2, M g F 2 and B e F 2, Halides other than fluorides may be mentioned.
  • the inorganic compound constituting the electron injection layer is a microcrystalline or amorphous insulating thin film. If the electron injection layer is composed of these insulating thin films, a more uniform thin film is formed, so that pixel defects such as dark spots can be reduced. Examples of such inorganic compounds include the above-mentioned alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, halides of alkali metals, and haptic compounds of alkaline earth metals. .
  • the electron injection layer in the present invention preferably contains the above-mentioned reducing dopant.
  • the organic EL device of the present invention preferably has a hole transport layer between the light emitting layer and the anode, and the hole transport layer preferably contains an arylamine derivative as a main component.
  • the hole transport material contained in the hole transport layer is triplet energy Is preferably from 2.52 to 3.7 eV, and more preferably from 2.8 to 3.7 eV. By using the hole transporting material in such a range, the excitation energy of the light emitting layer can be prevented from being deactivated.
  • hole transport material those represented by the following general formulas (6) and (7) are preferable.
  • a r 7 is an aromatic group having a carbon number of 6 to 4 0, A r s and A r 9 is a hydrogen atom or a carbon atoms respectively 6-4 0 aromatic group, m is an integer of 1 to 6.
  • Ar 10 and Ar 16 are aromatic groups having 6 to 40 carbon atoms, and Ar 1 to Ar 15 are each a hydrogen atom or an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms. And the condensed numbers P, q, r, and s are each 0 or 1.
  • aryl groups having 5 to 40 nuclear atoms include phenyl and naphthyl.
  • Preferred arylene groups having 5 to 40 nuclear atoms include phenylene, naphthylene, anthranylene, phenanthylene, pyrenylene, collonilen, biphenylene, and terylene.
  • the aromatic group having 6 to 40 carbon atoms may be further substituted with a substituent.
  • an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms ethyl group, Methyl group, i-propyl group, n-propyl group, s-butynole group, t-butynole group, pentynole group, hexyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.
  • having 1 to 1 carbon atoms 6 alkoxy groups ethoxy tomb, methoxy group, i—propoxy group, n—propoxy group, s—butoxy group, t—butoxy group, pentoxy group, hexyloxy group, cyclopentoxy group, Cyclohexyloxy group, etc.
  • an aryl group having 5 to 40 nuclear atoms an amino group substituted with an aryl group having 5 to 40 nuclear atoms, an aryl group having 5 to 40 nuclear atoms.
  • An ester group having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms ethy
  • a hole transporting material having a triplet energy of 2.8 eV or more those represented by the following general formulas (8) and (10) are preferable.
  • Ar and Ar 2 ′ are an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 18 nuclear carbon atoms which may be substituted by an alkoxy group or a phenyl group, and R is It is an alkyl group or an alkoxy group having 4 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 core carbon atoms.
  • X represents a linking group represented by a single bond, 1 O— or 1 S—. , X may or may not be present.
  • Ar 3 ′ is an aryl group having 6 to 18 nuclear carbon atoms having or not having a substituent
  • Ar 4 ′ to Ar 7 ′ is an aryl group having a substituent.
  • X 1 represents a single bond, one O—, one S—, — (CH 2 ) n one (n is ;!
  • An integer of 1) or 1 C (CH 3 ) 2 — represents a linking group, and these linking groups may or may not be present, and X 2 and X 3 each represent a single bond, — O—, — S—, — (CH 2 ) n — (n is an integer of 1 to 6) or _C (CH 3 ) 2 — represents a linking group which may be the same or different.
  • R 1 to R 12 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group , Alkynoleamino, aralkylamino, haloalkyl, hydroxyl, aryloxy, Represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, wherein R 1 and R 2 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , R 7 and R Q And R 10 , R 11 and R 12 may form a ring with adjacent substituents.
  • X represents a trivalent linking group shown below,
  • R 13 to R 18 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, A kill group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group which may have a substituent, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, Represents a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group, wherein R 13 and R 14 , R 15 and R 16 , R 17 and R 1S are adjacent substituents, respectively.
  • the groups may form a ring.
  • a r 1 'in' is a specific example of each group and substituent shown by R 1 to R 18, wherein C z and A r 1 also similar to Moto cited in to A r 6 Is included.
  • the anode of the organic EL element plays a role of injecting holes into the hole transport layer or the light emitting layer, and it is effective that the anode has a work function of 4.5 eV or more.
  • Specific examples of the anode material used in the present invention include indium tin oxide alloy (ITO), tin oxide (NESA), gold, silver, platinum, and copper.
  • ITO indium tin oxide alloy
  • NESA tin oxide
  • gold silver
  • platinum platinum
  • copper copper
  • the cathode a material having a small work function is preferable for the purpose of injecting electrons into the electron injection layer or the light emitting layer.
  • the cathode material is not particularly limited, but specifically, indium, aluminum, magnesium, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, aluminum-lithium alloy, aluminum-scandium-lithium alloy, magnesium silver alloy, etc. are used. it can.
  • the method for forming each layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited.
  • a conventionally known formation method such as a vacuum deposition method and a spin coating method can be used.
  • the organic thin film layer containing the compound represented by the general formula (1) used in the organic EL device of the present invention may be formed by vacuum evaporation, molecular beam evaporation (MBE), or a solution dissolved in a solvent. It can be formed by a known method such as a coating method such as a date coating method, a spin coating method, a casting method, a bar coating method, and a mouth coating method.
  • each organic layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited, it is possible to prevent defects such as pinholes due to being too thin, and to require a high applied voltage due to being too thick, thereby increasing efficiency.
  • the range of 3 ⁇ 4 nm to 1 ⁇ m is preferable to prevent deterioration.
  • the compound represented by the general formula (a) and the compound represented by the general formula (b) are mixed in an organic solvent.
  • m, n, p, and q are integers appropriately selected so as to satisfy the general formula (1).
  • the organic solvent used in this reaction may be any solvent that does not participate in the reaction, for example, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene; Examples include ether solvents such as 2-dimethoxetane and tetrahydrofuran.
  • Examples of the base used in this reaction include sodium carbonate, sodium carbonate, sodium hydrogencarbonate, potassium hydrogencarbonate, sodium hydroxide, sodium hydroxide, and the like.
  • Examples include inorganic bases, organic bases such as triethylamine, and pyridine.
  • sodium carbonate is used.
  • water may coexist to dissolve the inorganic base.
  • Examples of the palladium catalyst used here include tetrakis (triphenylphosphine). Radium, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, palladium acetate-triphenylphosphine and the like. Preferable is tetrakis (triphenylphosphine) palladium.
  • the triplet energy gap and singlet energy gap of the compound were measured as follows.
  • the value of the singlet energy gap was measured. That is, the sample torque
  • the absorption spectrum was measured using a UV-visible absorption spectrometer manufactured by Hitachi, Ltd., using an enzyme solution (10 to 15 mol / liter). A tangent was drawn to the rise of the spectrum on the long wavelength side, and the wavelength (absorption edge) at the intersection with the horizontal axis was determined. This wavelength was converted to a single energy value.
  • the organic layer was washed successively with a 5% aqueous hydrochloric acid solution and water, and dried over anhydrous sodium sulfate. After evaporating the organic solvent under reduced pressure, 50 milliliters of ethanol was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with ethanol and normal hexane in that order, and 17.8 g of the synthetic intermediate (A) (92% yield) Got.
  • Synthetic intermediate (B) 2.0 g (7. Ommol), bromo-3,5-diphenylbenzene 2.2 g (7. Ommol), tetrax (triphenylphosphine) noradium 0.16 g (0.14 mmol) in toluene 21
  • a solution of 2.2 g (21 mmol) of sodium carbonate dissolved in 11 milliliters of water was added to the suspension, and the mixture was heated under reflux in an argon atmosphere for 9 hours. After separating the reaction solution into two layers, the organic layer was washed with a saturated saline solution and dried over anhydrous sodium sulfate.
  • Synthetic intermediate (E) 1.8 g (4.5 mmol), the synthetic intermediate (D) 2.5g (9. Omraol ), Te bets Rakisu (g Li Fueniruhosufi down) Nono 0 radium 0.16g of (0.13 mmol) 1, 2- A solution of 2.9 g (lira mol) of sodium carbonate dissolved in 14 milliliters of water was added to the suspension in 27 milliliters of dimethoxetane, and the mixture was heated and refluxed for 18 hours under an argon atmosphere.
  • reaction solution was allowed to cool to room temperature, and the precipitated crystals were collected by filtration. This was dissolved in toluene by heating, filtered by heating, the mother liquor was concentrated, and the precipitated crystals were collected by filtration. This was further recrystallized from toluene to obtain 5.6 g (yield 56%) of white powder.
  • Synthetic intermediate (C) 9.lg, 1-naphthaleneboronic acid, 3.5 g (Aldrich) manufactured in Synthesis Example 4 (1) under a stream of argon in a 500-milliliter flask under an argon stream.
  • 0.4 g of tetrakistriphenylphosphine palladium (0) manufactured by NE CHEMCAT
  • 120 mil of dimethoxyethane manufactured by Wako Pure Chemical Industries
  • 6.0 g of sodium carbonate was dissolved in 27 milliliters of water. The dissolved aqueous solution was added, and the mixture was stirred at 78 ° C for 14 hours.
  • the obtained powder was analyzed by FD-MS to find that it was C 4 .
  • Synthetic intermediate (C) 9.lg, 2-lgnaphthaleneboronic acid, 3.5 g (manufactured by Aldrich), obtained in (1) of Synthesis Example 4, under a stream of argon in a 500-milliliter flask. , 0.4 g of tetrakistriphenylphosphine palladium (0) (manufactured by NEC HEMC AT), 120 mm of dimethoxetane (manufactured by Wako Pure Chemical), 6.0 g of sodium carbonate An aqueous solution prepared by dissolving Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) in 27 milliliters of water was added, and the mixture was stirred at 78 ° C for 15 hours.
  • the obtained powder was analyzed by FD-MS to find that C 6 was obtained .
  • a glass substrate with an ITO transparent electrode having a thickness of 25 mm X 75 mm X 0.7 mm was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then to UV ozone cleaning for 30 minutes.
  • the washed glass substrate with a transparent electrode is mounted on a substrate holder of a vacuum evaporation apparatus, and a 1-nm-thick film is first placed on the surface where the transparent electrode is formed so as to cover the transparent electrode.
  • a copper phthalocyanine film (CuPC film) was formed. This CuPc film functions as a hole injection layer.
  • a 30 nm thick 4,4'-bis [N— (4-biphenyl) -N— (4-biphenyl) amino] biphenyl film (TBAB film) with a thickness of 30 nm is formed on this CuPc film.
  • a film was formed.
  • This TBAB film functions as a hole transport layer.
  • a light-emitting layer is formed on the TBAB film by using the compound (1) having a thickness of 40 nm as a host material, and at the same time, the above-mentioned tris is formed as a phosphorescent Ir metal complex dopant. (2-phenylvinylidine) Ir (I-11) was added for vapor deposition. This film functions as a light emitting layer.
  • the concentration of (1-1) in the light emitting layer is 5 weight. / 0 .
  • the following (1,1,1'-bisphenyl) 141-olate) bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum (BA1q film) with a film thickness of 1 O nm is formed on this film. did.
  • This BA1q film functions as a hole barrier layer.
  • More A 20 nm-thick aluminum-dum complex of 8-hydroxyquinoline (Alq film) with a thickness of 20 nm was formed on this film.
  • This A1q film functions as an electron injection layer.
  • LiF which is a metal halide, was deposited to a thickness of 0.2 nm, and then aluminum was deposited to a thickness of 15 Onr.
  • This Al / LiF functions as a cathode.
  • an organic EL device was manufactured.
  • Table 1 shows the results of measurement of the triplet energy gap, singlet energy gap, and glass transition temperature of the host material of the light emitting layer.
  • An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the compounds shown in Table 1 were used instead of the compound (1) as the host material of the light emitting layer.
  • the triplet energy gap, singlet energy gap, glass transition temperature, voltage, current density, light emission luminance, light emission efficiency, and chromaticity were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1 and Table 2. Further, the light emitting surfaces of all the organic EL devices of Examples 2 to 5 were even after storage at 105 ° C for 500 hours. A and defects are not caused foremost, rectification ratio (forward current reverse current) was IX 1 0 5 or more.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, except that CBP (4,4-N, N-dicarbazolylbiphenyl) was used instead of the compound (1) as the host material for the light emitting layer, the organic EL was used. An element was manufactured. For the obtained device, the triplet energy gap, singlet energy gap, glass transition temperature, voltage, current density, light emission luminance, light emission efficiency, and chromaticity were measured in the same manner and shown in Tables 1 and 2. Was. In addition, although this device was manufactured as a 10-element device, the light-emitting surface was likely to have defects from the beginning, and a large amount of leak current indicating a short-circuit phenomenon was observed. The rectification ratio (forward current, reverse current) force S 1 X 10 4 or less.
  • the triplet energy of the light-emitting layer is the highest temperature.
  • the singlet energy is higher than the dislocation temperature.
  • the host material (eV) (eV) (° C) Example 1 (1) 2.9 3.7 128 Example 2 (4) 2.9 3.7 125 Example 3 (38) 2.7 3.57 123.4 Example 4 (42) 2.64 3.57 130.5 Example 5 (43) 2.88 3.57 181.9 Comparative Example 1 CBP 2.81 3.6 105
  • the organic EL device using the material for an organic EL device of the present invention can emit green light with high efficiency even after storage at a high temperature. Further, since the material for an organic EL device of the present invention has a high glass transition temperature and reduced symmetry, there is almost no decrease in efficiency due to high-temperature storage, and the rectification ratio is 1 ⁇ 10 5 or more even after high-temperature storage. And it was extremely nice. Further, in a compound such as CBP in which rigid carbazolyl groups are arranged with good symmetry as in Comparative Example 1, defects are easily generated on the light-emitting surface, and the luminous efficiency is reduced after high-temperature holding. Thus, it was found that reducing the symmetry and retaining the m-phenyl structure is effective in suppressing defects on the light emitting surface. Industrial applicability
  • the use of the material for an organic electroluminescence device comprising the compound represented by the general formula (1) of the present invention provides high luminous efficiency, no pixel defects, and low heat resistance. An excellent organic electroluminescent device can be obtained. Therefore, the organic electroluminescence device of the present invention is extremely useful as a light source for various electronic devices.

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Abstract

対称性が低い特定構造の化合物からなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及び、陰極と陽極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、発光効率が高く、画素欠陥が無く、耐熱性に優れる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供可能な有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。

Description

明 細 書
有機エレク トロルミネッセンス素子用材料及ぴそれを用いた有機エレク ト ロノレミネッセンス素子
技術分野
本発明は、 有機エレク トロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた 有機エレク トロルミネッセンス素子 （有機 E L素子） .に関し、 特に、 発光 効率が高く 、 画素欠陥が無く、 耐熱性に優れる有機 E L素子用材料及び有 機 E L素子に関するものである。
背景技術
有機 E L素子は、 電界を印加することよ り、 陽極よ り注入された正孔と 陰極よ り注入された電子の再結合エネルギーによ り蛍光性物質が発光する 原理を利用した自発光素子である。 イース トマン ' コダック社の C . W. T a n g らによる積層型素子による低電圧駆動有機 E L素子の報告 （C.W. Tang, S. A. Vanslyke, アプライ ドフィ ジックス レターズ（Applied Physi cs Letters), 5 1卷、 9 1 3頁、 1 9 8 7年等） がなされて以来、 有機材 料を構成材料とする有機 E L素子に関する研究が盛んに行われている。 T a n g らは、 ト リ ス （ 8—ヒ ドロキシキノ リ ノールアルミニウム） を発光 層に、 ト リ フエ二ルジ ミ ン誘導体を正孔輸送層に用いている。 積層構造 の利点と しては、 発光層への正孔の注入効率を高めること、 陰極よ り注入 された電子をブロ ック して再結合によ り生成する励起子の生成効率を高め るこ と、 発光層内で生成した励起子を閉じ込めるこ と等が挙げられる。 こ の例のよ うに有機 E L素子の素子構造と しては、 正孔輸送 （注入） 層、 電 子輸送発光層の 2層型、 又は正孔輸送 （注入） 層、 発光層、 電子輸送 （注 入） 層の 3層型等がよく知られている。 こう した積層型構造素子では注入 された正孔と電子の再結合効率を高めるため、 素子構造や形成方法の工夫 がなされている。
有機 E L素子の発光材料と してはト リス （ 8 —キノ リ ノ ラー ト） アルミ 二ゥム錯体等のキレー ト錯体、 クマリ ン誘導体、 テ トラフエニルブタジェ ン誘導体、 ジスチリルァリーレン誘導体、 ォキサジァゾール誘導体等の発 光材料が知られており、 それらからは青色から赤色までの可視領域の発光 が得られることが報告されており、 力ラ一表示素子の実現が期待されてい る （例えば、 特開平 8 - 2 3 9 6 5 5号公報、 特開平 7— 1 3 8 5 6 1号 公報、 特開平 3 — 2 0 0 2 8 9号公報等参照） 。
また、 近年、 有機 E L素子の発光層に、 発光材料の他に有機リ ン光材料 を利用すること も提案されている （例えば、 D.F. O'Brien and M.A.Baldo et al Improved energy transf er in e丄 ectrophosphorescent devices A pplied Physics letters Vol. 74 No.3, pp442-444, January 18, 1999； M.A.Baldo et al "Very nigh- ef f iciencygreen organic light-emitting devices based on electrophos horescence" Applied Physics letters Vol.75 No.1, p4-6, July 5, 1999参照） 0
このよ うに有機 E L素子の発光層において、 有機燐光材料の励起状態の 1重項状態と 3重項状態とを利用することによ り、 高い発光効率が達成さ れている。 有機 E L素子内で電子と正孔が再結合する際にはスピン多重度 の違いから 1重項励起子と 3重項励起子とが 3 ： 1の割合で生成する と考 えられているので、 燐光性の発光材料を用いれば蛍光のみを使った素子の 3〜 4倍の発光効率の達成が考えちれる。
このよ うな有機 E L素子においては、 3重項の励起状態又は 3重項の励 起子が消光しないよ うに順次、 陽極、 正孔輸送層、 有機発光層、 電子輸送 層 （正孔阻止層） 、 電子注入層、 陰極のよ うに層を積層する構成が用いら れ、 有機発光層にホス ト化合物と燐光発光性の化合物が用いられてきた
(例えば、 米国特許第 6， 0 9 7 , 1 4 7号明細書、 国際公開 W O 0 1 4 1 5 1 2号公報参照） 。 これらの特許文献では、 ホス ト化合物と して、 4 , 4 - N , Nジカルバゾールビフエニルが用いられてきたが、 この化合 物はガラス転移温度が 1 1 0 °C以下であり、 さ らに対称性がよすぎるため、 結晶化しやすく 、 また、 素子の耐熱試験を行った場合、 短絡や画素欠陥が 生じる とレヽ ぅ問題があった。
また、 その蒸着した際、 異物や電極の突起が存在する箇所などで結晶成 長が生じ、 耐熱試験前の初期の状態よ り欠陥が生じることも見出された。 また、 3回対称性を保有する力ルバゾール誘導体もホス ト と して用いられ ている。 しかしながら、 対称性がよいため、 蒸着した際、 異物や電極の突 起が存在する箇所などで結晶成長が生じ、 耐熱試験前の初期の状態よ り欠 陥が生じるこ とは免れていない。 発明の開示
本発明は、 前記の課題を解決するためになされたもので、 発光効率が高 く 、 画素欠陥が無く、 耐熱性に優れる有機 E L素子用材料及びそれを用い た有機 E L素子を提供するこ とを目的とする。
本発明者らは、 前記課題'を解決するために鋭意検討した結果、 対称性の 低い化合物を有機 E L素子用材料と して用いることによ り、 前記目的を達 成するこ とを見出し本発明を解決するに至った。
すなわち、 本発明は、 下記一般式 （ 1 ) で表される化合物からなる有機 E L素子用材料を提供するものである。
Figure imgf000005_0001
(式中、 C z は、 カルパゾリル基、 炭素数 1 8 ~ 6 0ァリールカルパゾ一 ルイル基、 ァザカルバゾリル基、 炭素数 1 8〜6 0のァリ一ルァザ力ルバ ゾ一ルイル基、 アタ リ ジニル基、 フエノキサジニル基又はジベンゾァゼピ ニル基であり置換されていてもよい。 A r 1 及び A r 2 は、 それぞれ独立 に、 置換も しく は無置換の炭素数 6〜 6 0のァリール基又は置換も しく は 無置換の炭素数 3〜 6 0の複素環基である。 A r 3 は、 炭素数 6〜6 0の 芳香族炭化水素基又は置換も しく は無置換の炭素数 3〜 6 0の複素環基で ある。 A r 4 は、 置換も しく は無置換のベンゼン残基、 置換も しく は無置 換のチォフェン残基、 置換も しく は無置換の ト リァゾール残基、 置換も し く は無置換のフルオレン残基又は置換も しく は無置換のスピロビフルォレ ン残基である。
a は 0〜1 の整数、 b は 0〜4の整数、 c は 1〜3の整数であり、 C z 及び A r 4 が複数の時は、 それぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。 ただし、 a = 0かつ c = l のときは、 A r 3 及び A r 4 がベンゼン残基 であり、 かつ A r 2 がフエ二ルカルバゾリル基又はカルバゾリル基である 場合を除く。 また、 a = l , b = 0かつ c = 1 のときは、 A r 3 がべンゼ ン残基であり、 かつ A r 1 及び A r 2 がフエ二ルカルパゾリル基である場 合を除く。 さ らに、 b = 0かつ c = l のときは、 A r 3 がベンゼン残基で あり、 かつ A r 1 , A r 2 及び ς zがカルバゾリル基又はフェニルカルバ ゾリル基である場合を除く。 ）
また、 本発明は、 陰極と陽極間に少なく とも発光層を有する一層又は複 数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 E L素子において、 該有機 薄膜層の少なく と も一層が、 前記一般式 （ 1 ) で表される化合物からなる 有機 E L素子用材料を含有する有機 E L素子を提供するものである。 発明を実施するための最良の形態
本発明の有機 E L素子用材料は、 下記一般式 （ 1 ) で表される化合物か らなる。
Figure imgf000006_0001
一般式 （ 1 ) において、 C z は、 カルバゾリル基、 炭素数 1 8〜 6 0ァ リールカルバゾールイル基、 ァザカルバゾリル基、 炭素数 1 8〜 6 0のァ リールァザカルバゾールイル基、 アタ リ ジニル基、 フエノキサジニル基又 はジベンゾァゼピニル基であり置換されていてもよい。
前記ァリ一ルカルバゾールイル基及びァリ一ルァザカルバゾ—ルイル基 におけるァリール部位と しては、 例えば、 フエニル基、 1 —ナフチル基、 2 _ナフチル基、 1 —アン ト リル基、 2—アン ト リル基、 9一アン ト リル 基、 1 _フエナン ト リル基、 2—フエナント リル基、 3—フエナント リル 基、 4ーフ ナン ト リル基、 9 —フエナン ト リル基、 1一ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9—ナフタセニル基、 1 ーピレニル基、 2—ピレニ ル基、 4ーピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3—ビフエ二ルイル基、 4ー ビフ エ -ノレイ ノレ基、 p—ターフ ェニノレー 4—ィ ル基、 p—ターフ ェ 二 ルー 3—ィノレ基、 p—ターフェ二ルー 2—イノレ基、 m—ターフェ二ルー 4 —ィ ノレ基、 m—ターフェニノレー 3—ィ/レ基、 m—ターフェニノレー 2—ィノレ 基、 o—ト リル基、 m— ト リル基、 p—ト リル基、 p— t —プチルフエ二 ル基、 p — ( 2—フエニルプロ ピル） フエニル基、 3—メチル— 2—ナフ チル基、 4—メチル一 1一ナフチル基、 4ーメチルー 1.—アン ト リル基、 4 ' ーメチノレビフエニノレイ ノレ基、 4 " 一 t —プチノレ一 p—ターフェ二ノレ一 4—ィル基等が挙げられ、 フエニル基、 ビフエニル基、 ト リル基、 イ ソプ 口 ピルフエニル基、 t —ブチルフエニル基等が好ま しい。
一般式 （ 1 ) において、 A r 1 及び A r 2 は、 それぞれ独立に、 置換も しく は無置換の炭素数 6〜 6 0のァリール基又は置換も しく は無置換の炭 素数 3〜 6 0の複素環基であり、 置換もしく は無置換の炭素数 6〜 2 0の ァ リール基又は置換も しく は無置換の炭素数 3〜 2 0の複素環基が好ま し く 、 フエニル基、 ビフエニル基、 ナフチル基、 フ； ナンス リ ル基、 ピリ ジ ル基、 ピリ ミジニル基、 ト リアジニル基がさらに好ま しい。
前記ァリ ール基と しては、 例えば、 フエニル基、 1 —ナフチル基、 2 _ ナフチル基、 1 —アン ト リル基、 2 —アン ト リル基、 9 _アン ト リル基、 1 —フエナン ト リル基、 2 —フ； cナン ト リル基、 3 _フエナン ト リル基、 4 _フエナン ト リル基、 9—フエナン ト リル基、 1 一ナフタセニル基、 2 一ナフタセニル基、 9—ナフタセニル基、 1 —ピレニル基、 2—ピレニル 基、 4 —ピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3 —ビフエ二/レイル基、 4 — ビフエニノレイノレ基、 p —ターフェニノレー 4 一イノレ基、 p —ターフェ二ノレ — 3 —イノレ基、 p —タ一フエニル一 2 —ィル基、 m—ターフェニノレー 4— イノレ基、 m—ターフ ェニル一 3 —ィル基、 m—ターフ ェ 二ノレ一 2 —イノレ基 o — ト リ ノレ基、 m— ト リ ル基、 p — ト リ ノレ基、 p — t —プチノレフエ二ノレ基 p — （ 2 —フエニルプロ ピル） フエニル基、 3 —メチルー 2 —ナフチル基 4 一メチル一 1 _ナフチル基、 4 —メチルー 1 一アン ト リル基、 4 ' —メ チ レビフエ二ルイノレ基、 4 " — t 一プチノレ一 p —ターフ ェニノレー 4 —ィノレ 基等が挙げられ、 フエニル基、 ナフチル基、 ピレニル基、 ビフ； cニル基、 ターフェニル基、 ト リル基、 イ ソプロ ピルフ； cニル基等が好ま しい。
前記複素環基と しては、 例えば、 1 —ピロ リル基、 2 —ピロ リル基、 3 一ピロ リル基、 ビラジニル基、 2 —ピリ ジニル基、 3 —ピリ ジニル基、 4 一ピリ ジニル基、 1 —イン ドリル基、 2—イン ドリル基、 3—イン ドリル 基、 4ーィン ドリル基、 5― ン ドリル 、 6―ィン ド'リル基、 7—イン ドリル基、 1 一イ ソィン ド Vル基 、 2 一イソィン ド、 yル基、 3 ―イ ソイン ドリル基、 4 一イ ソィン ド Vル基 、 5―ィソィン ド、 yル基、 6 ―イ ソイン ドリル基、 7 —イ ソィン ドジル基 、 2 一フリル 、 3 ―フ リル 、 2 —ベ ンゾフラニル基、 3—ベンゾフラニル基 、 4 ―ベンゾフラニノレ基 、 5—べ ンゾブラ二ル基、 6 —ベシゾフラニル基 、 ―ベンゾフラニル基 、 1 ーィ ソベンゾフラニル基、 3 -ィ ソベンゾフラ二ル基 、 4 ―イ ソべンゾフラ二 ル基、 5―ィ ソベンゾフラ二ル基 、 6 一ィソベンゾフラニル基 、 7 —イ ソ ベンゾフラニル基、 2 一キノ Vル基、 3 ーキノ yル 、 4—キノ リル基、
5 —キノ リル基、 6—キノ yル基 、 7 -キノ Vル基 、 8 —キノ ル基、 1 一イ ソキノ リノレ基、 3ーィ ソキノ リル基 、 4 ―ィソキノ リル基 、 5—イ ソ キノ リル基 、 6 _イソキノ yル基 、 一ィソキノ ジル基 、 8 一ィソキノ リ ル基、 2—キノキサリニル基 、 5 一キノキサ 二ル基 、 6 —キノキサリニ ル基、 1 —力ノレノ ゾリル基 2 ―力ルパゾリル基 、 3 ―力ノレノ ゾリル基、
4一力ノレノ ゾリル基、 9 一力ルバゾリル基、 1 フェナンス リ ジニル基、
2 —フエナンス リ ジニル基 、 3 フ； ナンス y ジ二ル基 、 4 一フェナンス リ ジニル基 、 6 —フエナンス y ジニル基 、 フェナンス リ ジ二ル基、 8 一フエナンス リ ジニル基、 9 ―フェナンスリ ジ二ル基 、 1 0—フェナンス リ ジニノレ基 、 1 —ァク リ ジ二ル基 、 2 一ァク y ジ二ル基 、 3 -ァク リ ジ二 ノレ基、 4 一アタ リ ジニル基ヽ 9 アタ リ ジニル基 、 1 7—フェナンスロ リ ン一 2—ィル基、 1 , ―フェナンス口 y ン ― 3 ―ィル基、 1 , 7—フ ェナンスロ リ ン _ 4 一ィル 、 1 ， -フェナンス ンー 5 ―ィル基、
1 , 7 —フェナンスロ リ ン ― 6 ―ィル基 、 ' 1 ， 7 ―フェナンス リ ン— 8
-ィル基、 1 , 7—フェナンス口 リ ン— 9一ィル基 、 1 , 7 一フェナンス 口 リ ン一 1 0—ィル基 、 1 ， 8 ―フヱナンス口 リ ン ― 2 —ィル基 、 1 , 8 一フエナンスロ リ ン一 3 一ィル基 、 1 , 8 一フェナンス口 リ ン一 4ーィル 基、 1 8 一フ工ナンスロ リ ン一 5—ィル基、 1， 8 —フエナンスロ リ ン 一 6 —ィル基、 1 ， 8—フエナンスロ リ ン一 7—ィル基、 1 , 8—フエナ ンス ロ Vン ― 9 ―ィル基、 1 ， 8 —フエナンス ロ リ ン一 1 0—ィル基、 1
9 ーフェナンス y ンー 2—ィル基、 1 , 9一フエナンスロ リ ン一 3 —ィ ル基、 1 ， 9一フェナンスロ リ ン一 4ーィル基、 1 , 9 —フエナンスロ リ ン一 5 ―ィル基 、 1 , 9ーフェナンスロ リ ン一 6—ィノレ基、 1 , 9—フエ ナンス 口 Vン一 7 ―ィル基、 1 , 9一フエナンス ロ リ ン一 8 —ィル基、 1
9 ーフェナンス π リ ンー 1 0 —ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロ リ ン一 2
—ィル基 、 1， 1 0 —フエナンス ロ リ ン一 3—イノレ基、 1 , 1 0—フエナ ンス ロ リ ン一 4 ―ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロ リ ン一 5 —ィル基、 2
9ーフェナンス リ ン一 1 一ィル基、 2 , 9—フエナンスロ リ ン一 3 —ィ ル基、 2 ， 9 一フェナンスロ リ ン一 4—イノレ基、 2， 9 —フエナンスロ リ ンー 5 ―ィル基 、 2 ， 9 ーフェナンスロ リ ン一 6—ィル基、 2， 9 一フエ ナンス ジ ン一 7 ―ィル基、 2 , 9—フエナンスロ リ ン一 8 —ィル基、 2
9 ーフェナンス y ンー 1 0 —ィル基、 2 , 8 —フエナンスロ リ ン一 1 — ィル基 、 2 , 8 ―フ ナンス口 リ ン一 3—ィル基、 2 , 8—フエナンスロ リ ン一 4 ―ィル基 、 2 , 8 -フエナンス ロ リ ン一 5 —ィル基、 2., 8 —フ ェナンス リ ン ― 6 一ィル基 、 2 , 8 —フエナンスロ リ ン一 7—ィル基、
2 , 8 ―フェナンス口 リ ンー 9—ィル基、 2 , 8—フエナンスロ リ ン一 1
0—ィル基 、 2 7一フエナンスロ リ ン一 1 —ィル基、 2 , 7—フエナン スロ リ ン ― 3一ィル基、 2 , 7—フエナンスロ リ ン一 4ーィル基、 2 , 7
—フエナンス 口 リ ン一 5 —ィル基、 2 , 7—フエナンス ロ リ ン一 6 —ィル 基、 2 7 一フェナンス ロ リ ン一 8—ィル基、 2 , 7—フエナンスロ リ ン
- 9 -ィル基、 2 7—フエナンスロ リ ン一 1 0—ィル基、 1 一フエナジ ニル基ヽ 2一フェナジニル基 、 1 —フエノチアジニル基、 2—フエノ チア ジニノレ基 、 3 一フェノチアジニル基、 4—フエノチアジニル基、 1 0—フ エノチアジニル基、 1一フエノキサジニル基、 2—フエノキサジニル基、 3—フエノキサジニル基、 4一フエノキサジニル基、 1 0—フエノキサジ ニル基、 2—ォキサゾリル基、 4—ォキサゾリル基、 5 —ォキサゾリル基 2—ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3 _チェ二ノレ基、 2—メチノレピロ一ルー 1 —ィル基、 2 —メチルビロール一 3—ィル基、 2—メチルビロール一 4ーィル基、 2— メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3—メチルビロール一 1—ィル基、 3 —メ チルピロール— 2—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 4ーィル基、 3—メチ ルビローノレ一 5 —ィノレ基、 2— t一プチノレピロ一ノレ一 4—イノレ基、 3 — ( 2—フエニルプロ ピル） ピロール一 1 ーィル基、 2—メチノレー 1一イン ドリル基、 4一メチル— 1—インドリル基、 2 _メチル _ 3—イン ドリル 基、 4—メチル _ 3 _イン ドリル基、 2— t—プチル 1一イン ドリル基、 4— t一ブチル 1—イン ドリル基、 2— t—プチル 3—イン ドリル基、 4 — t—プチル 3—イン ドリル基、 ァリールカルバゾールイル基、 ァザカル バゾリル基、 ァリ一ルァザカルパゾ一ルイル基、 フエノキサジニル基、 ジ ベンゾァゼビュル基等が挙げられ、 カルパゾリル基、 ァリ一ルカルバゾ一 ルイル基、 ァザカルバゾリル基、 ァリ一ルァザカルパゾ—ルイル基、 ァク リ ジニル基、 フエノキサジニル基、 ジベンゾァゼビュル基、 ベンゾイ ミダ ゾール基、 ベンゾチアゾール基、 ヘンゾ— N—ァリルイ ミダゾール基等が 好ましい。
一般式 （ 1 ) において、 A r 3 は、 炭素数 6〜 6 0の芳香族炭化水素基 又は置換も しく は無置換の炭素数 3〜 6 0の複素環基であり、 置換も しく は無置換の炭素数 6〜 2 0の芳香族炭化水素基又は置換も しく は無置換の 炭素数 3 ~ 2 0の複素環基が好ましく、 ベンゼン、 ビフエニル、 ナフタ レ ン、 フエナンスレン、 ピリ ジン、 ピリ ミ ジン、 ト リアジンの残基がさ らに 好ましく 、 ベンゼンの残基が最も好ま しい。 芳香族炭化水素基の具体例と しては、 前記 A r 1 及び A r 2 のァリール 基の具体例から水素を除き 2価又は 3価と したものが挙げられ、 好ましい 例も同様である。
複素環基の例と しては、 前記 A r 1 及び A r 2 の複素環基の具体例から 水素を除き 2価又は 3価と したものが挙げられ、 好ま しい例も同様である。 一般式 （ 1 ) において、 A r 4 は、 置換もしく は無置換のベンゼン残基、 置換も しく は無置換のチォフェン残基、 置換も しく は無置換の ト リ ァゾー ル残基、 置換も しく は無置換のフルオレン残基又は置換も しく は無置換の スピロ ビフルオレン残基である。 なお、 フルオレン残基、 チォフェン残基、 スピロ ビフルオレン残基が複数の置換基を有する場合には、 その置換基同 士が結合し環構造を形成していてもよい。
また、 —（A r 4)b—と しては、 下記の構造が挙げられる。
又は
Figure imgf000011_0001
(式中、 A r 5 及ぴ A r 6 は、 それぞれ独立に、 A r 4 と同じであり、 dは 0〜 3の整数である。 A r 5 が複数の時は、 互いに同一でも異なって いたもよい。 ）
一般式 （ 1 ) において、 a は 0〜 ： L の整数、 b は 0〜 4の整数、 c は 1 〜 3の整数であ、 C z及ぴ A r 4 が複数の時は、 それぞれ互いに同一でも 異なっていてもよレ、。
ただし、 一般式 （ 1 ) において、 a = 0かつ c = l のときは、 A r 3 及 び A r 4 がベンゼン残基であり、 かつ A r 2 がフエ二ルカルバゾリル基又 はカルバゾリル基である場合を除く。 また、 a = l， b = 0かつ c = l の ときは、 A r 3 がベンゼン残基であり、 かつ A r 1 及ぴ A r 2 がフエ二 ルカルバゾリル基である場合を除く。 さ らに、 b = 0かつ c = l のときは、 A r 3 がベンゼン残基であり、 かつ A r 1 , A T 2 及び C zがカルバゾ リル基又はフエ二ルカルバゾリル基である場合を除く。
一般式 （ 1 ) において、 a = 0であると好ま しく 、 3 = 0かっ 13 = 0、 又は a = 0かつ b = 0であり、 c = 2 ~ 3の整数である と好ましい。
前記 C z及び A r 1 〜A r 6 の置換基と しては、 それぞれ独立に、 ハロ ゲン原子、 ヒ ドロキシル基、 アミ ノ基、 ニ ト ロ基、 シァノ基、 アルキル基、 アルケニル基、 シク ロアルキル基、 アルコキシ基、 芳香族炭化水素基、 芳 香族複素環基、 ァラルキル基、 ァリールォキシ基、 アルコシキカルボニル 基、 フッ素かアルキル基、 フッ素化ァリール基又はカルボキシル基等が挙 げられる。
ハロゲン原子と しては、 フッ素、 塩素、 臭素、 ヨ ウ素等が挙げられる。 アミ ノ基は一 NX 1 X2 と表され、 X 1 、 X2 と しては、 それぞれ独 立に、 例えば、 水素原子、 メチル基、 ェチル基、 プロ ピル基、 イソプロ ピ ノレ基、 n—プチル基、 s —プチル基、 イ ソプチル基、 t 一プチル基、 n - ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、 ヒ ドロ キシメチル基、 1—ヒ ドロキシェチル基、 2—ヒ ドロキシェチル基、 2— ヒ ドロキシイ ソブチル基、 1 , 2—ジヒ ドロキシェチル基、 1 , 3—ジヒ ドロキシイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジヒ ドロキシ一 t —プチル基、 1 , 2 , 3— ト リ ヒ ドロキシプロ ピル基、 クロロメチル基、 1 一ク ロ口ェチル基、 2—ク ロ口ェチル基、 2—ク ロ 口イソプチル基、 1， 2—ジク ロロェチノレ 基、 1 , 3 —ジクロ ロイ ソプロ ピル基、 2， 3—ジク ロ ロ ー t —プチル基、 1 , 2 , 3— ト リ クロ口プロ ピノレ基、 プロモメチル基、 1 —プロモェチ レ 基、 2 —ブロモェチル基、 2—ブロモイ ソプチル基、 1 , 2—ジブロモェ チル基、 1 , 3—ジブロモイ ソプロピル基、 2 , 3—ジプロモー t —プチ ル基、 1 , 2， 3— ト リブロモプロピル基、 ョードメチル基、 1 —ョー ド ェチル基、 2—ョー ドエチル基、 2—ョ一 ドイ ソプチル基、 1 , 2—ジョ 一ドエチル基、 1 ， 3—ジョー ドイソプロピル基、 2 , 3—ジョー ドー t 一プチル基、 1 ， 2 , 3—ト リ ョードプロピル基、 アミノメチル基、 1一 アミ ノエチル基、 2 —アミ ノエチル基、 2—ァミ ノイ ソプチル基、 1 , 2 ージアミ ノエチル墓、 1， 3—ジァミ ノイ ソプロピル基、 2 , 3—ジアミ ノ _ t —プチル基、 1 ， 2， 3— ト リアミ ノプロ ピル基、 シァノメチル基、
1 —シァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2 —シァノイ ソブチル基、 1 ,
2—ジシァノエチル基、 1 , 3—ジシァノイ ソプロ ピル基、 2， 3 —ジシ ァノー t —プチル基、 1 , 2 , 3 _ ト リ シアノプロ ピル基、 ニ トロメチル 基、 1 一二 ト ロェチノレ基、 2 —二 ト ロェチノレ基、 2 —ニ ト ロイ ソプチノレ基、 1 ， 2—ジニ トロェチル基、 1 ， 3—ジニ トロイ ソプロピル基、 2， 3 - ジニ ト ロ— t —プチル基、 1 ， 2 , 3 _ ト リニ トロプロピル基、 フエニル 基、 1 —ナフチル基、 2—ナフチル基、 1一アン ト リル基、 2—アン ト リ ル基、 9 —アン ト リル基、 1 —フエナン ト リル基、 2—フ rcナン ト リル基、
3 —フエナン ト リル基、 4一フエナン ト リル基、 9 _フエナン ト リル基、 1 _ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9—ナフタセニノレ基、 4—ス チリルフエニル基、 1 ーピレニル基、 2—ピレニル基、 4—ピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3—ビフエ二ルイル基、 4—ビフエ二ルイル基、 p—ターフ ェ二ルー 4 ーィル基、 p—ターフェニル _ 3 —ィノレ基、 p—タ 一フエニル一 2 —イノレ基、 m—ターフェ二ノレ一 4—ィル基、 m—ターフ ェ ニズレー 3 —ィル基、 m—ターフ ェ二ルー 2—ィノレ基、 o — ト リ ル基、 m— ト リ ノレ基、 P — ト リ ノレ基、 p — t—プチノレフエ二ル基、 p - ( 2 — フエ二 ルプロ ピル） フエニル基、 3—メチル一 2 _ナフチル基、 4一メチル一 1 一ナフチル基、 4 —メ チルー 1 一アン ト リル基、 4 ' —メ チルビフエニル ィル基、 4 " _ t 一プチルー p —ターフェニル— 4 ーィル基、 2 — ピロ リ ル基、 3 —ピロ リル基、 ピラジュル基、 2 —ピリ ジニル基、 3 —ピリ ジニ ル基、 4 一ピリ ジニル基、 2 —イ ン ドリル基、 3 —イン ドリル基、 4 ーィ ン ドリル基、 5 —イン ドリル基、 6—イ ン ドリル基、 7 —イン ドリル基、 1 —イ ソイ ン ドリル基、 3 —イ ソイン ドリル基、 4 一イ ソイ ン ドリル基、
5 _イ ソイ ン ドリル基、 6 —イ ソイン ドリル基、 7 —イ ソイ ン ドリル基、 2 _フ リル基、 3 _フ リル基、 2—ベンゾフラニル基、 3 —ベンゾフラ二 ル基、 4 一べンゾフラニル基、 5 —べンゾフラニル基、 6 —ベンゾフラ二 ル基、 7 _ベンゾフラニル基、 1 —イ ソべンゾフラニル基、 3 —イ ソベン ゾフラニル基、 4 —イ ソべンゾフラニル基、 5 —イ ソべンゾフラニル基、
6 _イ ソべンゾフラニル基、 7 —イ ソべンゾフラニル基、 2 —キノ リル基、 3 —キノ リル基、 4—キノ リル基、 5 —キノ リル基、 6 —キノ リル基、 7 —キノ リル基、 8 —キノ リル基、 1 _イ ソキノ リル基、 3 —イ ソキノ リル 基、 4—イ ソキノ リル基、 5—イ ソキノ リル基、 6 —イ ソキノ リル基、 7 一イ ソキノ リル¾、 8 —ィ ソキノ リル基、 2 _キノ キサリ ニル基、 5 —キ ノ キサリ ニル基、 6 一キノ キサリ ニル基、 1 —カノレバゾリノレ基、 2 —力ノレ パゾリル基、 3 —力ルノ ゾ リル基 、 4 —力ルバゾリル基、 1 —フエナンス リ ジニル基、 2 —フ ¾ナンス リ ジニル基、 3 —フエナンス リ ジニル基、 4
—フエナンス リ ジニル基、 6 —フヱナンス リ ジ二ノレ基、 7 —フエナンス リ ジニノレ基、 8 一フ エナンス リ ジニル基、 9 —フエナンス リ ジニル基、 1 0 一 フエナンス リ ジニル基、 1 ーァク リ ジ二ル基、 2 —アタ リ ジニル基、 3 一アタ リ ジニル基、 4 ーァク リ ジニル基、 9 —アタ リ ジニル基、 1 , 7 — フエナンス ロ リ ン— 2 —ィル基、 1 , 7 - -フエナンス ロ リ ン一 3 —ィノレ基、
1 , 7 —フエナンスロ リ ン一 4 一ィル基、 1 , 7 —フエナンスロ リ ン一 5
—ィル基、 1 , 7―フヱナンス ロ リ ン一 6 —ィル基、 1 , 7 —フエナンス 口 リ ン一 8 —ィル 、 1， 7 -フェナンスロ リ ン一 9 ーィル基、 1 , 7— フエナンスロ V ン一 1 0—ィル基、 1， 8—フエナンス ロ リ ン一 2—ィゾレ 基、 1 , 8一フェナンスロ リ ン一 3—ィル基、 1 , 8 — 7ェナンスロ リ ン
— 4一ィル基 、 1， 8 —フエナンスロ リ ン一 5 —ィル基、 1 , 8—フエナ ンスロ リ ンー 6 ーィル基、 1 , 8—フエナンスロ リ ン一 7 —ィル基、 1 ,
8—フェナンス π ジ ン一 9—ィル基、 1 , 8 —フエナンス ロ リ ン一 1 0— ル基 、 1 , 9一フ ； ナンス ロ リ ン一 2—イノレ基、 1 , 9—フエナンスロ リ ン一 3—ィル基、 1 , 9一フエナンス ロ リ ン一 4—ィル基、 1 , 9 —フ ェナンスロ リ ン - 5 ーィル基、 1 , 9一フエナンスロ リ ン一 6 —イノレ基、
1 , 9 一フエナンス口 リ ン一 7 —ィル基、 1 , 9—フエナンス ロ リ ン一 8
—ィル基、 1 9一フエナンスロ リ ン一 1 0—ィル基、 1 , 1 0—フエナ ンスロ リ ン一 2ーィル基、 1 , 1 0—フエナンスロ リ ン一 3—ィル基、 1 ,
1 0 -フエナンス口 リ ン一 4ーィル基、 1 , 1 0—フエナンスロ リ ン一 5 ーィル基、 2 9一フエナンスロ リ ン一 1 —ィル基、 2 , 9—フエナンス 口 リ ン - 3 -ィル基 、 2 , 9—フェナンス ロ リ ン一 4ーィル基、 2， 9— フヱナンス ロ ジ ン一 5—ィル基、 2 , 9 —フエナンス ロ リ ン一 6—ィノレ基、
2 , 9 —フエナンス口 リ ン一 7—ィル基、 2 , 9—フエナンス ロ リ ン一 8 ーィル基、 2 ， 9一フエナンスロ リ ン一 1 0—ィル基、 2 , 8 _フエナン スロ リ ンー 1 一ィル基、 2 , 8 -フエナンス ロ リ ン一 3 —ィル基、 2， 8 一フエナンス リ ン — 4一ィル基、 2 , 8—フエナンスロ リ ン一 5—ィノレ 基、 2 , 8 一フェナンスロ リ ン一 6—ィル基、 2 , 8 —フエナンスロ リ ン
- 7 -ィル基 、 2， 8 —フエナンスロ リ ン _ 9ーィル基、 2 , 8—フエナ ンスロ リ ン一 1 0 一ィル基、 2 , 7—フエナンス ロ リ ン一 1 ーィル基、 2 ,
7—フェナンス ジ ン一 3—ィル基、 2 , 7—フエナンスロ リ ン一 4—ィ ル基、 2 , 7一フェナンスロ リ ン一 5—ィル基、 2 , 7—フエナンスロ リ ンー 6 ーィル 、 2 ， 7—フエナンスロ リ ン一 8 —ィル基、 2， 7—フエ ナンスロ リ ン一 9 ーィル 、 2 , 7 —フエナンスロ リ ン一 1 0 —ィル基、
1 一フエナジニル基、 2 一フヱナジニル基、 1 ーフエノチアジニル基、 2
—フエノチアジニノレ基 、 3 ―フエノチアジニル基、 4—フエノチアジニル 基、 1 _フエノキサジニル基 、 2 —フエノキサジニル基、 3 —フエノキサ ジニル基、 4ーフエノキサジニル基、 2 —ォキサゾリル基、 4ーォキサゾ リル基、 5 -ォキサゾリル基 、 2 —ォキサジァゾリル基、 5 —ォキサジァ ゾリノレ基、 3 一フラザニル基 、 2 —チェニル基、 3 _チェニノレ基、 2—メ チノレピローノレ一 1 ーィル基 2 —メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2 —メチ ルピロール一 4ーィル基、 2 —メチルビロール一 5—ィル基、 3 —メチル ピロ一ルー 1 一ィル基 、 3 ―メチルビロール一 2 —イノレ基、 3 —メチノレビ ロール一 4一ィル基、 3 -メチルピロ一ノレ一 5 —ィル基、 2 _ t —ブチル ピロ一ルー 4 一ィル基 、 3 ( 2—フエニルプロピル） ピロール一 1 —ィ ル基、 2 —メチルー 1 ーィン ドリル基、 4ーメチルー 1 一イン ドリル基、
2 —メチルー 3 —イン ド、 ル基、 4—メチル一 3 _イン ドリル基、 2 _ t 一プチル 1 一イン ドリル基 、 4 一 t 一ブチル 1 —イン ドリル基、 2 - t - プチル 3 —ィ ン ドリル基 4 一 t 一プチル 3 _イ ン ドリル基等が挙げられ る。
アルキル基と しては、 例えば、 メチル基、 ェチル基、 プロ ピル基、 イ ソ プロ ピル基、 n —プチル基、 s —プチル基、 イ ソプチル基、 t —プチル基 n—ペンチル基、 n — へキシノレ基、 n — へプチノレ基、 n—ォクチノレ基、 ヒ ドロキシメチル基、 1 ーヒ ドロキシェチル基、 2—ヒ ドロキシェチル基、 2 —ヒ ドロキシイ ソプチル基、 1 , 2—ジヒ ドロキシェチル基、 1 ， 3 — ジヒ ドロキシイ ソプロ ピル基、 2 ， 3 —ジヒ ドロキシ一 t 一ブチル基、 1 2 ， 3 _ ト リ ヒ ドロキシプロ ピル基、 クロロメチル基、 1 一ク ロ口ェチル 基、 2 _クロ口ェチル基、 2—クロ口イ ソプチル基、 1 , 2—ジク ロ ロェ チル基、 1 ， 3—ジク ロ 口イ ソプロピル基、 2 , 3 —ジクロロ一 t —プチ ル基、 1 , 2， 3 — ト リ クロ口プロピル基、 プロモメチル基、 1 一プロモ ェチル基、 2—プロモェチル基、 2—プロモイ ソブチル基、 1， 2—ジブ ロモェチル基、 1 , 3—ジプロモイ ソプロピル基、 2， 3—ジブ口モー t 一ブチル基、 1 , 2 , 3 — ト リ プロモプロピル基、 ョー ドメチル基、 1 一 ョ一 ドエチル基、 2—ョー ドエチル基、 2—ョー ドイ ソプチル基、 1 ， 2 一ジョードエチル基、 1 , 3—ジョー ドイソプロピル基、 2 , 3—ジョー ドー t —ブチル基、 1， 2， 3 — ト リ ョー ドプロ ピル基、 ア ミ ノメチル基、 1 一ア ミ ノエチル基、 2—アミ ノエチル基、 2 —ァミ ノイ ソブチル基、 1 ，
2—ジアミ ノエチル基、 1， 3 —ジァミ ノイソプロピル基、 2 , 3—ジァ ミ ノー t 一プチル基、 1， 2， 3— ト リアミ ノプロピル基、 シァノメチル 基、 1 —シァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2 _シァノイ ソプチル基、 1 , 2—ジシァノエチル基、 1 , 3—ジシァノイソプロ ピル基、 2 , 3 - ジシァノー t —プチル基、 1 , 2 , 3— ト リ シアノプロ ピル基、 ニ トロメ チノレ基、 1 —ニ トロェチノレ基、 2—二 トロェチル基、 2—二 トロイ ソプチ ル基、 1 , 2—ジニ トロェチル基、 1 , 3—ジニ トロイ ソプロ ピル基、 2 ,
3—ジニ トロ一 t 一プチル基、 1 , 2 , 3— ト リニ トロプロ ピル基等が挙 げられる。
アルケニル基と しては、 例えば、 ビュル基、 ァリル基、 1 —プテュル基、 2—ブテニル基、 3—プテュル基、 1 , 3—ブタンジェニル基、 1 —メチ ルビニル基、 スチリル基、 2 , 2—ジフエ二ルビニル基、 1， 2—ジフエ 二ルビニル基、 1 —メチルァリル基、 1 , 1 —ジメチルァリル基、 2—メ チルァ リル基、 1 一フエニルァ リル基、 2—フ； ニルァ リル基、 3—フエ ニルァ リル基、 3， 3—ジフエニルァ リル基、 1 , 2—ジメ チルァ リル基、 1 —フエ二ルー 1 ーブテュル基、 3—フエ二ルー i ーブテニル基等が挙げ られる。
シク ロアルキル基と しては、 例えば、 シクロプロピル基、 シクロブチル 基、 シクロペンチノレ基、 シク ロへキシノレ基、 4ーメチノレシク ロへキシ /レ基 等が挙げられる。
アルコキシ基は一 O Yで表される基であり、 Yと しては、 例えば、 メチ ル基、 ェチル基、 プロ ピル基、 イ ソプロピル基、 n—プチル基、 s —プチ ル基、 イソプチル基、 t 一ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—ヘプチル基、 n—ォクチル基、 ヒ ドロキシメチル基、 1 —ヒ ドロキシ ェチル基、 2—ヒ ドロキシェチル基、 2—ヒ ドロキシイソプチル基、 1 ,
2—ジヒ ドロキシェチル基、 1 , 3—ジヒ ドロキシイ ソプロ ピル基、 2， 3 —ジヒ ドロキシ一 t 一プチル基、 1 , 2 , 3— ト リ ヒ ドロキシプロ ピル 基、 ク ロロメチル基、 1 一ク ロ口ェチル基、 2—クロ ロェチノレ基、 2—ク ロ ロイ ソブチル基、 1， 2—ジク ロロェチル基、 1 , 3—ジク ロロイ ソプ 口 ピル基、 2 , 3—ジクロ 口一 t —ブチル基、 1 , 2 , 3— ト リ ク ロロプ 口 ピル基、 プロモメチル基、 1 一プロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2 _ブロモイ ソプチル基、 1 , 2—ジプロモェチル基、 1 , 3—ジブロモ イ ソプロピル基、 2 , 3—ジブ口モー t —プチル基、 1， 2， 3— ト リブ ロモプロ ピル基、 ョー ドメチル基、 1 —ョー ドエチル基、 2 —ョー ドエチ ル基、 2—ョー ドイソブチル基、 1 , 2—ジョー ドエチル基、 1 , 3 —ジ ョー ドイ ソプロピル基、 2 , 3—ジョー ド— t —ブチル基、 1 , 2 , 3 — ト リ ョー ドプロピル基、 アミ ノメチル基、 1 —アミ ノエチル基、 2—アミ ノエチル基、 2—ァミ ノイソブチル基、 1 , 2—ジアミ ノエチル基、 1 ,
3 —ジァミ ノイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジァミ ノ ー t 一ブチル基、 1 , 2
3— ト リアミ ノプロピル基、 シァノメチル基、 1 ーシァノエチル基、 2— シァノエチル基、 2—シァノイ ソブチル基、 1， 2—ジシァノエチル基、
1， 3 —ジシァノイ ソプロ ピル基、 2， 3—ジシァノ — t —ブチル基、 1 2 , 3 — ト リ シアノプロピル基、 ニ トロメチル基、 1一二トロェチル基、 2—二 トロェチル基、 2—ニ トロイソブチル基、 1 , 2—ジニ トロェチル 基、 i , 3 —ジニ ト ロイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジニ ト ロ一 t —プチル基、 1 , 2 , 3 — ト リ ニ ト ロプロ ピル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基と しては、 例えば、 フエニル基、 1 一ナフチル基、 2 一ナフチル基、 1 一アン ト リル基、 2 —アン ト リル基、 9 _アン ト リル基、 1 一フエナン ト リル基 2—フヱナン ト リル基、 3 —フエナン ト リル基、 4 —フ； ナン ト リル基、 9 —フエナン ト リル基、 1 _ナフタセニル基、 2 一ナフタセニル基、 9 一ナフタセニル基、 1 —ピレニル基、 2 —ピレニル 基、 4 ー ピレニル基、 2 —ビフエ二ルイル基、 3 —ビフエ二ルイル基、 4 'ービフエニノレイノレ基、 p —ターフェニノレー 4 一イノレ基、 p —ターフェニノレ 一 3 —ィル基、 p —ターフェニル一 2 —ィノレ基、 m—ターフ ェ二ノレ一 4 — イノレ基、 m—ターフェニル _ 3 —イノレ基、 m—ターフェニノレ一 2 —イノレ基、 o — ト リル基、 m— ト リル基、 p — ト リ ル基、 p — t —ブチルフエニル基、 p - ( 2 —フエ二ノレプロ ピ /レ） フエ二ノレ基、 3 —メ チル一 2 —ナフチノレ基、
4 ーメ チル一 1 一ナフチル基 、 4 —メチル一 1 —アン 卜 リル基 、 4 ' —メ チルビフ ； C二ルイノレ基、 4 " - t—ブチルー p 一ターフェニノレ一 4 —ィル 基等が挙げられる。
芳香族複素環基と しては、 例えば、 1 —ピ口 リル基 、 2—ピ口 リル基、
3 — ピロ リル基、 ピラジニル基、 2 —ピリ ジニル基、 3 一 ピリ ジニル基、
4 — ピリ ジニル基、 1 —ィン ドリル基、 2—イ ン ドリル基、 3 一イ ン ドリ ル基、 4 一イ ン ドリル基 、 5 一イン ドリル基 、 6 —ィ ン ドリル基、 7—ィ ン ドリル基、 1 —イ ソィ ン ドリル基、 2 —ィ ソイ ン ド Vル基、 3 —イ ソィ ン ドリル基、 4 一イ ソィ ン ドリル基、 5 —ィ ソイ ン ド yル基、 6 —イ ソィ ン ドリル基、 7 —イ ソィ ン ドリル基、 2 —フ リル基、 3 ーフ リル基、 2 一 ベンゾフラ二ノレ基、 3 —ベンゾフラニル基、 4 一ベンゾフラニル基、 5 — ベンゾフラニノレ基、 6 —ベンゾフラニル基、 7 —ベンゾフラニル基、 1 一 ィ ソベンゾフラ二ノレ基、 3 一ィ ソベンゾフラニル基、 4 一イ ソベンゾフラ ニル基、 5—イ ソべンゾブラ二ル基、 6—イ ソべンゾフラニル基、 7—ィ ソベンゾフラニル基、 2 _キノ リル基、 3 _キノ リル基、 4 一キノ リル基、 5—キノ リル基、 6 —キノ リル基、 7—キノ リル基、 8 —キノ リル基、 1 —イ ソキノ リル基、 3 —イ ソキノ リル基、 4—イ ソキノ リル基、 5 —イ ソ キノ リル基、 6 _イ ソキノ リル基、 7—イ ソキノ リル基、 8 _イソキノ リ ル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6 —キノキサリニ ル基、 1 —カルバゾリル基、 2—カルバゾリル基、 3—カルパゾリル基、 4—カルバゾリル基、 9一力ルバゾリル基、 1 —フエナンス リ ジニル基、
2—フェナンス y ンニル基、 3 フエナンス リ ジ二ノレ基、 4 一フエナンス リ ジニル基、 6 ―フェナンス y ジニル基、 7 —フエナンス リ ジニル基、 8 一フエナンス リ ジ二ル基、 9 ―フェナンス リ ジニル基、 1 0 -フエナンス リ ジニル基、 1 ―ァク リ ジ二ル基 、 2—アタ リ ジニル基、 3—ァク リ ジニ ル基、 4ーァク ジ ジニル基、 9 ―アタ リ ジニル基、 1， 7—フェナンスロ リ ン一 2 —ィル基 、 1 , 7 -フェナンスロ リ ン一 3 —ィノレ基、 1 , 7 —フ ェナンス口 リ ン 4 -ィル基 、 1 , 7 —フエナンスロ リ ン一 5 ーィル基、
1 , ―フヱナンス口 リ ン一 6 ―ィル基、 1， 7 —フエナンス口 リ ン一 8 ーィル基 、 1， 7 ―フエナンス リ ン— 9 —ィル基、 1 , 7—フエナンス 口 リ ン ― 1 0 -ィル基、 1 , 8 ―フエナンスロ リ ン一 2 —ィル基、 1 , 8
—フエナンスロ ン一 3 —ィル基 、 1 , 8 _フエナンスロ リ ン一 4 ーィル 基、 1 8 —フェナンスロ リ ン 5 —ィル基、 1， 8 —フエナンス ロ リ ン
- 6 -ィル基、 1 8 —フエナンスロ リ ン一 7 —ィル基、 1 , 8 —フエナ ンス ロ リ ンー 9 ―ィル基、 1 8 —フエナンス ロ リ ン一 1 0 - -ィル基、 1
9 ーフェナンス ジ ンー 2—ィル基、 1 , 9 一フエナンスロ リ ン一 3 —ィ ル基、 1 ， 9 -フェナンスロ y ン — 4 —ィル基、 1， 9 一フエナンスロ リ ン一 5 ―ィル基 、 1 , 9 —フェナンスロ リ ン一 6 —ィル基、 1 ， 9 一フエ ナンス リ ン一 7 一ィル基、 1 9 —フエナンス ロ リ ン一 8 - -ィル基、 1 9 一フエナンス u ジ ン— 1 0 一ィル 、 1 , 1 0 —フエナンスロ リ ン一 2 一ィル基 、 1 , 1 0 一フエナンス口 リ ン — 3—ィル基、 1， 1 0—フエナ ンスロ リ ン - 4 ―ィル基、 1 1 0 —フ 'ェナンスロ リ ン一 5 —ィル基、 2 ,
9 _フエナンス y ン一 1 一ィル基、 2 ， ' 9 一フエナンスロ リ ン一 3 —ィ ル基、 2 9 一フェナンスロ y ン一 4—ィル基、 2， 9 _フエナンスロ リ ンー 5—ィル基 、 2 , 9 —フェナンスロ リ ン一 6 —ィル基、 2 , 9 —フエ ナンス ロ V ン一 7 ―ィル基、 2 ) 9 —フ ェナンス ロ リ ン一 8 —ィル基、 2，
9 一フエナンス V ンー 1 0 ―ィル基、 2， 8 _フエナンスロ リ ン一 1 — ィル基、 2 ， 8 ―フ ； ナンス ジ ンー 3 —ィル基、 2 , 8 —フエナンスロ リ ン一 4 ―ィル 、 2 , 8—フェナンス 口 リ ン _ 5 —ィル基、 2 , 8 —フ ェナンス リ ン ― 6 —ィル基 、 2 , 8 一フエナンスロ リ ン一 7 —イソレ基、
2， 8 -フ ナンス口 リ ン一 9 ―ィル基 、 2 , 8 —フエナンスロ リ ン _ 1
0 —ィル 、 2 ， 7 一フエナンス口 リ ン一 1 —ィル基、 2 , 7 —フエナン スロ リ ン一 3 一ィル基、 2 , 7 ―フエナンスロ リ ン一 4 —ィル基、 2， 7 一フエナンス口 y ン一 5 —ィル基 、 2， 7—フエナンスロ リ ン一 6 —ィノレ 基、 2 , 7 一フェナンスロ リ ン 8 —ィノレ基、 2， 7—フエナンスロ リ ン 一 9 ーィル基、 2 7 —フエナンスロ リ ンー 1 0 —ィル基、 1 —フエナジ ニル基、 2 一フェナジニル基 、 1 一フエノチアジニル基、 2 一フエノチア ジニル基 、 3 一フェノチアジ二ル基、 4 ーフエノチアジニル基、 1 0—フ エノチアジニル基 、 1 一フエノ キサジニノレ基、 2—フエノ キサジニル基、
3 —フエノ キサジ ル基、 4 一フエ ノ キサジニル基、 1 0 —フエノキサジ ニル基、 2 —ォキサゾリ ル基、 4ーォキサゾリル基、 5 —ォキサゾリル基 2—ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3 —フラザニル基、 2—チェニル基、 3 _チェニル基、 2—メチルビロール一 1 —ィル基、 2 —メチルビローノレ一 3 —ィル基、 2—メ チルピロ一ノレ一 4 ーィル基、 2— メ チルピロ一ルー 5—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 1 ーィル基、 3 —メ チルピロ一ル一 2—ィル基、 3 _メチルピロ一ルー 4 ーィノレ基、 3—メチ ノレピロ一ルー 5—ィル基、 2 — t—プチルビロール一 4 ーィル基、 3 — ( 2 —フエニルプロ ピル） ピロ一ルー 1 ーィル基、 2 —メ チルー 1一イ ン ドリル基、 4—メ チルー 1一イ ン ドリル基、 2 _メチル _ 3—イン ドリル 基、 4ーメチルー 3—イ ン ドリル基、 2— t —プチル 1一イ ン ドリル基、 4 _ t _ブチル 1一イン ドリル基、 2— t —プチル 3—イ ン ドリル基、 4 一 t _プチル 3 —イン ドリル基等が挙げられる。
ァラルキル基と しては、 例えば、 ベンジル基、 1 —フエニルェチル基、 2 —フエニルェチル基、 1一フエニルイ ソプロ ピル基、 2 —フエ二ルイ ソ プロ ピル基、 フエニル— t —プチル基、 α—ナフチルメ チル基、 1 — α — ナフチルェチル基、 2— α _ナフチルェチル基、 1 — α —ナフチルイ ソプ 口 ピル基、 2— α—ナフチルイ ソプロ ピル基、 ）3 —ナフチルメ チル基、 1 _ |3 —ナフチルェチル基、 2— ]3 —ナフチルェチル基、 1 — j3 —ナフチル イ ソプロ ピル基、 2 — β—ナフチルイ ソプロ ピル基、 1 —ピロ リルメ チル 基、 2 — （ 1 —ピロ リル） ェチル基、 ρ _メ チルベンジル基、 m—メ チル ベンジ'ル基、 o —メチルベンジノレ基、 p —ク ロ 口べンジル基、 m—ク ロ 口 ベンジノレ基、 o—ク ロ 口べンジノレ基、 p—ブロモベンジル基、 m—プロモ ベンジノレ基、 o _ブロモベンジ レ基、 p—ョー ドベンジル基、 m—ョー ド ベンジル基、 o _ ョ一 ドベンジノレ基、 p—ヒ ドロキシベンジル基、 m—ヒ ドロキシベンジル基、 o—ヒ ドロキシベンジル基、 p —ァ ミ ノベンジル基 m—ァ ミ ノべンジル基、 o —ァ ミ ノべンジル基、 p —ニ ト ロべンジル基、 m—二 ト ロべンジノレ基、 o —二 ト ロべンジル基、 p—シァノベンジノレ基、 m—シァノベンジル基、 o—シァノベンジル基、 1 ーヒ ドロキシー 2 —フ ェニルイ ソプロ ピル基、 1一ク ロ口一 2 —フエニルイ ソプロ ピル基等が挙 げられる。
ァ リ ールォキシ基は一 O Z と表され、 Zのと しては、 例えば、 フエニル 基、 1 一ナフチル基、 2 —ナフチル基、 1 —アン ト リル基、 2 —アン ト リ ル基、 9 一アン ト リル基、 1 —フエナン ト リル基、 2 —フ； cナン ト リル基、 3 _フエナン ト リル基、 4 ーフヱナン ト リル基、 9 —フエナン ト リル基、 1 一ナフタセニル基、 2 _ナフタセニル基、 9—ナフタセニル基、 1 —ピ レニノレ基、 2 —ピレニル基、 4 —ピレニノレ基、 2 —ビフエ二ルイノレ基、 3 ー ビフ エ -ノレイノレ基、 4 — ビフエニノレイノレ基、 ρ —ターフェ二ノレ一 4 —ィ ル基、 p —ターフェ二ルー 3 —ィル基、 p —ターフェニル一 2—ィル基、 m—ターフェニノレー 4 一イノレ基、 m—タ一フエ二ノレ一 3 —ィノレ基、 m—タ 一フエニル— 2—ィル基、 o — ト リル基、 m— ト リル基、 p— ト リル基、 p — t —ブチルフエニル基、 p— ( 2—フエニルプロ ピル） フヱニル基、 3 —メ チル一 2 _ナフチル基、 4 —メチル _ 1 一ナフチル基、 4 —メチル 一 1 —アン ト リル基、 4 ' —メ チルビフエ二ルイル基、 4 " 一 t 一ブチル — p —ターフェニル一 4 —ィル基、 2 _ピロ リル基、 3 —ピロ リル基、 ピ ラジュル基、 2 _ピリ ジニル基、 3 —ピリ ジニル基、 4 —ピリ ジニル基、 2—イ ン ドリル基、 3 —イン ドリル基、 4 一イ ン ドリル基、 5 —イン ドリ ル基、 6 —イ ン ドリル基、 7 —イ ン ドリル基、 1 —イ ソイン ドリル基、 3 一イ ソイ ン ドリ ル基、 4 _イ ソイ ン ドリル基、 5—イ ソイ ン ドリル基、 6 —イ ソイ ン ドリル基、 7 _イ ソイ ン ドリル基、 2 —フ リル基、 3 —フ リル 基、 2 —べンゾフラニル基、 3 —べンゾフラニル基、 4—ベンゾフラニル 基、 5 —べンゾフラニル基、 6 _ベンゾフラニル基、 7—ベンゾフラ二ノレ 基、 1 _イ ソべンゾフラニル基、 3 —イ ソべンゾフラニル基、 4 一イ ソべ ンゾフラニル基、 5 _イ ソべンゾフラニル基、 6 —イ ソべンゾフラニル基、 7 —イ ソべンゾフラニル基、 2 —キノ リル基、 3—キノ リル基、 4 _キノ リル基、 5 —キノ リル基、 6—キノ リル基、 7 —キノ リル基、 8 —キノ リ ル基、 1 一イ ソキノ リル基、 3 —イ ソキノ リル基、 4—イ ソキノ リル基、 5 _イ ソキノ リル基、 6 _イ ソキノ リル基、 7—イ ソキノ リル基、 8—ィ ソキノ リル基、 2 一キノキサジ ニル基、 5 —キノキサリニル基、 6—キノ キサリニル基、 1 力ノレバゾリル基、 2—カルノ ゾリル基、 3—カルノ ゾ リル基 、 4 一力ルバゾリル基 、 1 一フエナンス リ ジニル基、 2 —フエナン ス リ ジニル基、 3 フエナンス リ ジニル基、 4 一フエナンス リ ジニル基、
6 —フェナンスリ ジニル基、 7 —フエナンス リ ジ二ノレ基、 8 —フエナンス リ ジニル基、 9 -フェナンス リ ジニノレ基、 1 0 —フエナンス リ ジニノレ基、
1 —ァク リ ジニル基 、 2 —ァク リ ジニル基、 3 —アタ リ ジニル基、 4 ーァ ク リ ジニル基、 9 ―アタ リ ジ ノレ基、 1 , 7—フエナンスロ リ ン一 2 —ィ ル基、 1 , 7 —フェナンスロ V ン一 3 —ィル基、 1， 7 —フエナンスロ リ ンー 4 一ィル基、 1 , 7 -フ工ナンス ロ リ ン一 5 —ィル基、 1 , 7 —フエ ナンス 口 リ ン一 6 ィル基、 1 , 7 —フエナンス ロ リ ン一 8 —ィル基、 1
7 —フェナンスロ y ン一 9—ィノレ基、 1 , 7 —フエナンスロ リ ン一 1 0— ィル基 、 1 , 8 —フ工ナンス リ ン一 2 —ィノレ基、 1， 8 — フ エナンス ロ リ ンー 3 —ィル基 、 1， 8 -フェナンスロ リ ン一 4 ーィル基、 1 , 8 —フ
； ナンスロ リ ン一 5 一ィル基 、 1 , 8 —フエナンスロ リ ン一 6 —ィル基、
1 , 8 —フエナンス口 リ ン一 7 ーィル基、 1 , 8 —フエナンスロ リ ン一 9
—ィル基、 1 , 8 ―フエナンス口 リ ン一 1 0—ィル基、 1， 9—フエナン スロ リ ン一 2—ィル基、 1， 9 一フエナンスロ リ ン一 3 —ィル基、 1， 9 一フエナンスロ リ ン一 4 ーィル基、 1 , 9 —フエナンスロ リ ン一 5 —ィル 基、 1 , 9 一フエナンスロ リ ン _ 6 —ィル基、 1， 9 _フエナンスロ リ ン
- 7 -ィル基、 1 9 一フエナンスロ リ ン一 8 —ィノレ基、 1， 9 一フエナ ンスロ リ ン— 1 0 ―ィル基、 1 , 1 0 —フエナンスロ リ ン一 2 —ィル基、
1 , 1 0 —フエナンスロ リ ン ― 3 —ィル基、 1 , 1 0 —フエナンスロ リ ン 一 4—ィル基、 1 1 0 —フェナンス ロ リ ン一 5 —ィル基、 2， 9 一フエ ナンス 口 リ ン一 1 ―ィル基、 2 , 9 一フエナンスロ リ ン一 3 —ィル基、 2
9 ーフェナンスロ y ン一 4—ィル基、 2 , 9 —フエナンスロ リ ン一 5 —ィ ル基、 2， 9—フエナンスロ リ ン一 6 —ィル基、 2， 9一フエナンスロ リ ン一 7 —ィル基、 2 , 9 _フエナンスロ リ ン一 8—ィル基、 2， 9一フエ ナンス ロ リ ン一 1 0—ィル基、 2 , 8 —フエナンスロ リ ン一 1 —ィル基、 2 , 8 —フエナンスロ リ ン一 3—ィル基、 2 , 8—フエナンスロ リ ン _ 4 ーィル基、 2 , 8 —フエナンスロ リ ン一 5—ィル基、 2， 8 _フエナンス 口 リ ン一 6 —ィル基、 2 , 8—フエナンスロ リ ン一 7—ィル基、 2， 8— フエナンスロ リ ン一 9—イノレ基、 2， 8 —フエナンスロ リ ン一 1 0—ィル 基、 2 , 7—フエナンスロ リ ン一 1 —ィル基、 2， 7—フエナンスロ リ ン — 3—ィル基、 2 , 7—フエナンスロ リ ン一 4ーィル基、 2 , 7 _フエナ ンスロ リ ン一 5 —ィル基、 2 , 7—フエナンスロ リ ン一 6 —ィル基、 2 , 7—フエナンスロ リ ン一 8 —ィル基、 2 , 7 —フエナンスロ リ ン一 9—ィ ル基、 2 , 7 —フエナンスロ リ ン— 1 0—ィル基、 1 —フエナジニル基、
2—フエナジニル基、 1 —フエノチアジニル基、 2—フエノ チアジニル基
3—フエノチアジニル基、 4ーフエノチアジニル基、 1 —フエノキサジニ ル基、 2—フエノ キサジニル基、 3—フエノ キサジニル基、 4一フエノ キ サジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4—ォキサゾリル基、 5—ォキサゾリ ル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザ二 ル基、 2—チェ二ノレ基、 3 —チェニル基、 2—メチノレピロ一ノレ一 1 —ィル 基、 2 —メ チルビロール— 3—ィル基、 2—メ チルビロール一 4 _ィル基 2—メ チルピロ一ルー 5 —ィル基、 3—メチルビロール— 1 ーィル基、 3 ーメチルビロール— 2—ィル基、 3—メ チルビロール— 4ーィル基、 3— メチルピロ一ルー 5—ィノレ基、 2— t —プチルビロール一 4—ィル基、 3 一 （ 2 —フエニルプロ ピル） ピロール一 1 —ィル基、 2—メ チル一 1 ーィ ン ドリル基、 4—メ チル _ 1 —イン ドリル基、 2—メ チル一 3—イ ン ドリ ル基、 4一メ チル— 3 —イ ン ドリル基、 2— t —プチル 1 —イ ン ドリル基 4— t —ブチル 1 —イ ン ドリル基、 2— t一プチル 3—イ ン ドリル基、 4 一 t —プチル 3 —イ ン ド リ ル基等が挙げられる。
アルコキシカルボ二ル基は _ C O O Yと表され、 Yと しては、 例えば、 メチル基、 ェチル基、 プロ ピル基、 イ ソプロ ピル基、 n—ブチル基、 s — プチル基、 イ ソブチル基、 t —プチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル 基、 n—ヘプチル基、 n—ォクチル基、 ヒ ドロキシメチル基、 1 —ヒ ドロ キシェチル基、 2—ヒ ドロキシェチル基、 2—ヒ ドロキシイ ソプチノレ墓、 1 , 2—ジヒ ドロキシェチル基、 1 , 3—ジヒ ドロキシイ ソプロピル基、 2 , 3 —ジヒ ドロキシ一 t 一プチル基、 1 , 2 , 3— ト リ ヒ ドロキシプロ ピノレ基、 クロロメチノレ基、 1 一クロ口ェチル基、 2—クロ ロェチ レ基、 2 一ク ロ 口イ ソブチル基、 1 , 2—ジクロ口ェチル基、 1， 3 —ジク ロロイ ソプロ ピル基、 2 , 3—ジク ロ ロー t 一ブチル基、 1， 2 , 3 _ ト リ クロ 口プロ ピル基、 ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2—ブロモェチル 基、 2—ブロモイソブチル基、 1 , 2—ジプロモェチル基、 1， 3—ジブ 口 ¾イ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジプロモー t —プチル基、 1 , 2 , 3— ト リブロモプロ ピル基、 ョー ドメチル基、 1 —ョードエチル基、 2—ョー ド ェチル基、 2—ョ一 ドイ ソブチル基、 1 , 2 _ジョー ドエチル基、 1 , 3 —ジョー ドイ ソプロ ピル基、 2， 3—ジョー ド— t 一プチル基、 1 , 2 , 3— ト リ ョー ドプロ ピル基、 アミ ノメチル基、 1 —アミ ノエチル基、 2— アミ ノエチル基、 2—ァミ ノイ ソプチル基、 1 , 2—ジアミ ノエチル基、 1 , 3 —ジァ ミ ノイ ソプロ ピル基、 2 , 3—ジアミ ノー t —プチル基、 1 , 2 , 3 — ト リアミ ノプロピル基、 シァノメチル基、 1 ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイ ソプチル基、 1 , 2—ジシァノエチル 基、 1 , 3 —ジシァノイ ソプロ ピル基、 2 , 3—ジシァノー t —ブチル基、 1 , 2 , 3— ト リ シアノプロ ピル基、 ニ トロメチル基、 1 —ニ トロェチル 基、 2—ニ ト ロェチル基、 2—ニ トロイ ソブチル基、 1 , 2—ジニ ト ロェ チル基、 1， 3 —ジニ トロイ ソプロピル基、 2 , 3—ジニ トロ一 t 一プチ ル基、 1 , 2， 3 — ト リニ トロプロピル基等が挙げられる。
また、 以上の置換基は、 置換基同士が結合して環を形成していてもよく 、 環を形成する 2価基の例と しては、 テ トラメチレン基、 ペンタメチレン基、 へキサメチレン基、 ジフエ-ルメ タン一 2 , 2 ' 一ジィル基、 ジフエニル エタンー 3 , 3 ， —ジィル基、 ジフエニルプロパン一 4 , 4 ， —ジィル基 等が挙げられる。
本発明の一般式 （ 1 ) で表される化合物からなる有機 E L素子の具体的 構造と しては、 下記の様な構造が挙げられる。 なお、 A r 1 、 A r 2 に相 当する部位に C zがある構造があるが、 A r 1 及び A r 2 は C z を含むた めである。 また、 下記構造において、 フエニル部位及ぴチォフェン部位は、 アルキル基又は炭素数 6〜 1 0のァリ一ル基によ り置換されているものも 挙げられる。
Figure imgf000028_0001
96.T00/l700Zdf/I3d 66 / ·0/1"00Ζ O 2004/001796
本発明の一般式 （ 1 ) で表される化合物からなる有機 E L素子用材料の 体 、 これら例示化合物に限定されるものではない。
Figure imgf000029_0001
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96LlOO/ OOZdT/13d 66£1^o請 OAV
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Figure imgf000032_0004
96LlOO/ OOZdT/13d 66£1^o請 OAV また、 一般式 （ 1 ) で表される化合物は、 有機 E L素子のホス ト材料で あると好ま しく 、 電荷を輸送し、 ガラス転移温度が 1 1 0 °C以上である。 また、 3重項エネルギーが 2 . 7 6 e V以上あれば、 緑色、 赤色発光の錯 体を励起する能力を保有するので好ま しい。 さ らに、 前記化合物はガラス 転移温度が 1 1 0 °C以上であり、 3重項エネルギーが 2 . 8 2 e V以上、 さ らには 2 . 8 5 e V以上も可能なので、 高温保存に優れ、 C B Pに比し て緑色発光素子の発光効率も向上できる。 なお、 緑色、 赤色発光する錯体 を励起するためには、 3重項エネルギーが 2 · 8 2〜 2 . 9 2 e Vが特に 好ましい。 2 . 9 2 e Vを超えると、 発光効率が向上しない場合もある力 らである。
次に、 本発明の有機 E L素子について説明する。
本発明の有機 E L素子は、 陰極と陽極間に少なく と も発光層を有する一 層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 E L素子において、 該有機薄膜層の少なく とも一層が、 本発明の有機 E L素子用材料を含有す る。
多層型の有機 E L素子の構造と しては、 例えば、 陽極/正孔輸送層 （正 孔注入層） /発光層 陰極、 陽極/発光層 Z電子輸送層 （電子注入層） / 陰極、 陽極 正孔輸送層 （正孔注入層） 発光層 電子輸送層 （電子注入 層） 陰極、 陽極 正孔輸送層 （正孔注入層） 発光層 正孔障壁層 Z電 子輸送層 （電子注入層） Z陰極、 等の多層構成で積層したものが挙げられ る。
前記発光層は、 ホス ト材料と燐光性の発光材料からなり、 該ホス ト材料 が前記有機 E L素子用材料からなると好ましい。
燐光性の発光材料と しては、 燐光量子収率が高く、 発光素子の外部量子 効率をよ り 向上させることができるという点で、 イ リ ジウム錯体、 ォス ミ ゥム錯体、 白金錯体等の金属錯体が好ま しく、 イ リ ジウム錯体及び白金錯 体がよ り好ま しく 、 オルトメ タル化イ リ ジウム錯体が最も好ましい。 オル トメタル化金属錯体のさ らに好ましい形態と しては、 下記一般式 （ 2 ) 〜 ( 4 ) で表される化合物であり、 一般式 （ 2 ) 又は （ 3 ) で表される化合 物が特に好ま しい。
Figure imgf000034_0001
一般式 （ 2 ) において、 R11, R 12は、 アルキル基、 ァリール基、 フッ 素化アルキル基、 フッ素化ァリール基であり、 アルキル基、 フッ素化アル キル基、 ァリール基が好ま しく、 アルキル基、 フッ素化アルキル基がよ り 好ましい。 q 11は 0 ~ 2の整数を表し、 0 , 1 が好ま しく 、 0がよ り好ま しい。 q 12は 0〜 4の整数を表し、 0， 1 が好ま しく 、 0がよ り好ま しい。 q 11, q 12が 2以上の場合、 複数個の R R 12はそれぞれ同一または 互いに異なっても良く 、 また、 連結して縮環を形成してもよい。
L 1 は配位子を表す。 配位子と しては前記オルトメ タル化イ リ ジウム錯 体を形成するに必要な配位子等が挙げられ、 オルトメ タル化ィ リ ジゥム錯 体を形成するに必要な配位子及び含窒素へテ口環配位子、 ジケ トン配位子、 ハロゲン配位子、 ビビリ ジル配位子が好ましく、 よ り好ま しく はオルトメ タル化ィ リ ジゥム錯体を形成するに必要な配位子、 ビピリ ジル配位子であ る。 n 1 は 0〜 5の整数を表し、 0が好ましい。 m1 は 1， 2又は 3を表 し、 好ましく は 3である。 n 1 , m1 の数の組み合わせは、 一般式 '（ 2 ) で表される金属錯体が中性錯体となる数の組み合わせが好ま しい。
一般式 （ 3 ) において、 R21, n 2 , m2 , L 2 は、 それぞれ前記 R 1 1, n 1 , m 1 , L 1 と同様である。 q 21は 0〜 8の整数を表し、 0が好 ま しい。 q 21が 2以上の場合は、 互いに同一でも異なってもよく 、 また、 連結して縮合環を形成してもよい。
一般式 （ 4 ) において、 R31, R32, q 31, q 32, n 3 , m3 , L 3 は、 それぞれ前記 R 11, R 12, q 11, q 12, n 1 , m1 , L 1 同様で ある。
前記燐光性の発光材料と しては、 以下に示すイ リ ジウム錯体が好ま しい。
( I一 1 ) (1 -2)
Figure imgf000035_0001
Figure imgf000035_0002
Figure imgf000036_0001
(91- 1)
Figure imgf000036_0002
(ει— i ) (u- i )
Figure imgf000036_0003
(OL— I ) (6- 1)
Figure imgf000036_0004
(8- 1) 一 I) (9-D
96LlOO/ OOZdT/13d 66£1^o請 OAV
Figure imgf000037_0001
Figure imgf000037_0002
(13- I) (02- I ) (61- 1)
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(91- I)
96LlOO/ OOZdT/13d 66£1^o請 OAV
())33 () (32II 1—
Figure imgf000038_0001
本発明の有機 E L素子は、 陰極と有機薄膜層との界面領域に、 還元性ド —パン トが添加されてなると好ま しい。
還元性ドーパン ト と しては、 アルカ リ金属、 アルカ リ金属錯体、 アル力 リ金属化合物、 アルカ リ土類金属、 アルカ リ土類金属錯体、 アルカ リ土類 金属化合物、 希土類金属、 希土類金属錯体、 及び希土類金属化合物等から 選ばれた少なく とも一種類が挙げられる。
前記アルカ リ金属と しては、 N a (仕事関数 ： 2. 3 6 e V) 、 K (仕 事関数 ：.2. 2 8 e V) 、 R b (仕事関数 ： 2. 1 6 e V) 、 C s (仕事 関数 ： 1. 9 5 e V) 等が挙げられ、 仕事関数が 2. 9 e V以下のものが 特に好ましい。 これらのうち好ましく は K、 R b、 C s 、 さ らに好ま しく は R b又は C s であり、 最も好ま しく は C s である。
前記アルカ リ土類金属と しては、 C a (仕事関数 ： 2. 9 e V) 、 S r (仕事関数 ： 2. 0〜 2. 5 e V) , B a (仕事関数 ： 2. 5 2 e V) 等 が挙げられ、 仕事関数が 2. 9 e V以下のものが特に好ま しい。
前記、 希土類金属と しては、 S c、 Y、 C e、 T b、 Y b等が挙げられ、 仕事関数が 2. 9 e V以下のものが特に好ましい。
以上の金属のう ち好ま しい金属は、 特に還元能力が高く 、 電子注入域へ の比較的少量の添加によ り、 有機 E L素子における発光輝度の向上や長寿 命化が可能である。
前記アルカ リ金属化合物と しては、 L i 2 0、 C s 2 0、 K2 0等のァ ルカ リ酸化物、 L i F、 N a F、 C s F、 K F等のアルカ リハロゲン化物 等が挙げられ、 L i F、 L i a O、 N a Fのアルカ リ酸化物又はアルカ リ フッ化物が好ましい。
前記アルカ リ土類金属化合物と しては、 B a O、 S r O、 C a O及ぴこ れらを混合した B a x S r i- ( 0 く xく 1 ) や、 B a x C a ι-χ O ( 0 < x < 1 ) 等が挙げられ、 B a O、 S r O、 C a Oが好ましい。 前記希土類金属化合物と しては、 Y b F3 、 S c F3 、 S c 03 、 Y2 03 、 C e 2 03 、 G d F3 、 T b F3 等が挙げられ、 Y b F3 、 S c F3 、 T b F が好ま しい。
前記アルカ リ金属錯体、 アルカ リ土類金属錯体、 希土類金属錯体と して は、 それぞれ金属イオンと してアルカ リ金属イオン、 アルカ リ土類金属ィ オン、 希土類金属イオンの少なく とも一つ含有するものであれば特に限定 はない。 また、 配位子にはキノ リ ノ一ル、 ベンゾキノ リ ノール、 アタ リ ジ ノーノレ、 フエナン ト リ.ジノール、 ヒ ドロキシフエニノレオキサゾ一ノレ、 ヒ ド ロキシフエ二ノレチアゾー ^ /レ、 ヒ ドロキシジァリ ーノレォキサジァゾ一 、 ヒ ドロキシジァ リ ールチアジアゾール、 ヒ ドロキシフエ二 ピリ ジン、 ヒ ド ロキシフエニルベンゾイ ミ ダゾール、 ヒ ドロキシ ンゾ ト リ ァゾ一 /レ、 ヒ ドロキシフノレボラン、 ビビリ ジル、 フエナン ト 口 リ ン、 フタ ロシアニン、 ポルフィ リ ン、 シク ロペンタジェン、 —ジケ トン類、 ァゾメ チン類、 及 びそれらの誘導体などが好ま しいが、 これらに限定されるものではない。 還元性ドーパン トの添加形態と しては、 前記界面領域に層状又は島状に 形成すると好ま しい。 形成方法と しては、 抵抗加熱蒸着法によ り還元性ド —パン トを蒸着しながら、 界面領域を形成する発光材料や電子注入材料で ある有機物を同時に蒸着させ、 有機物中に還元 ドーパン トを分散する方法 が好ま しい。 分散濃度と してはモル比で有機物 ： 還元性ドーパン ト = 1 0 0 ： 1〜1 ： 1 0 0、 好ま しく は 5 ： 1〜1 ： 5である。
還元性ドーパン トを層状に形成する場合は、 界面の有機層である発光材 料や電子注入材料を層状に形成した後に、 還元 ドーパン トを単独で抵抗加 熱蒸着法によ り蒸着し、 好ま しく は層の厚み 0. 1〜 1 5 n mで形成する。 還元性ドーパン トを島状に形成する場合は、 界面の有機層である発光材 料や電子注入材料を島状に形成した後に、 還元 ド一パ トを単独で抵抗加 熱蒸着法によ り蒸着し、 好ま しく は島の厚み 0. 0 5〜 1 n mで形成する。 また、 本発明の有機 E L素子における、 主成分と還元性ドーパン トの割 合と しては、 モル比で主成分 ： 還元性ドーパン ト = 5 ： 1〜 1 ： 5である と好ましく 、 2 ： ：!〜 1 ： 2であると さ らに好ましい。
本発明の有機 E L素子は、 前記発光層と陰極との間に電子注入層を有し、 該電子注入層が含窒素環誘導体を主成分と して含有する と好ましい。
前記電子注入層に用いる電子輸送材料と しては、 分子内にヘテロ原子を 1個以上含有する芳香族へテ口環化合物が好ま しく用いられ、 特に含窒素 環誘導体が好ましい。 含窒素環誘導体の具体的な化合物と しては、 5員環 であるァゾ一ル骨格を有するものが好ま しい。 芳香族へテ口環化合物と し ては、 炭素原子、 水素原子以外の原子を基本骨格内に 2つ以上有する化合 物であり、 単環または縮環であってもよい。 含窒素環誘導体と しては、 1 つの窒素原子以外に、 窒素、 酸素、 硫黄原子から選ばれる原子を 1つ以上 有するものが好ましく 、 さ らに好ましく は窒素原子を骨格内に 2つ以上有 する芳香族へテロ環である。 ヘテロ原子は縮合位置にあっても、 非縮合位 置にあってもよい。 ヘテロ原子を 2つ以上含むヘテロ環骨格と しては、 例 えばピラゾ一ル、 イ ミダゾール、 ピラジン、 ピリ ミジン、 インダゾール、 プリ ン、 フタラジン、 ナフチリ ジン、 キノキサリ ン、 キナゾリ ン、 シンノ リ ン、 プテリ ジン、 ペリ ミ ジン、 フエナン ト 口 リ ン、 ピロロイ ミダゾール、 ピロ ロ ト リアゾール、 ピラゾロイ ミダゾール、 ピラゾロ ト リアゾール、 ピ ラゾロピリ ミジン、 ピラゾロ ト リアジン、 イ ミダゾイ ミダゾール、 イ ミダ ゾピリ ダジン、 イ ミダゾピリ ジン、 イ ミダゾピラジン、 ト リ アゾ口 ピリ ジ ン、 ベンゾイ ミダゾール、 ナフ トイ ミダゾール、 ベンゾォキサゾール、 ナ フ トォキサゾール、 ベンゾチアゾール、 ナフ トチアゾール、 ベンゾ ト リ ア ゾール、 テ トラザインデン、 ト リアジンなどが好ま しく挙げられる。
上記の中でも、 該電子輸送性ホス ト材と して、 ィ ミダゾピリ ダジン、 ィ ミダゾピリ ジン、 イ ミダゾピラジン、 ベンゾイ ミダゾ一ル、 ナフ トイ ミダ ゾール等の縮合ァゾール骨格を有する化合物又は ト リアジン骨格を有する 化合物が好ま しく、 縮合ィ ミダゾピリ ジンであると さ らに好ま しい。
ァゾール骨格を有する化合物と して好ましく は下記一般式 （ 5 ) で表さ れる化合物である。
Figure imgf000042_0001
(式中、 Rは芳香族基を表す。 Xは 0、 S又は N— R a ( R a は水素原子、 脂肪族炭化水素基、 ァリール基又はへテロ環基を表す。 ） を表す。 Qは、 N及び Xと結合してヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。 また、 Rと X、 R と Qは可能な場合には結合して環を形成してもよい。 ）
前記含窒素環誘導体と しては、 以下に示す化合物が好ま しい。
Figure imgf000043_0001
また、 前記電子注入層の構成成分と して、 前記含窒素環誘導体の他に無 機化合物と して、 絶縁体または半導体を使用することが好ましい。 電子注 入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、 電流のリークを有効に防止し て、 電子注入性を向上させることができる。
このよ う な絶縁体と しては、 アルカ リ金属カルコゲナイ ド、 アルカ リ土 塁金属カルコゲナイ ド、 アル力 リ金属のハ口ゲン化物およぴァルカ リ土塁 金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なく とも一つの金属化合 物を使用するのが好ま しい。 電子注入層がこれらのアル力 リ金属カルコゲ ナイ ド等で構成されていれば、 電子注入性をさ らに向上させることができ る点で好ま しい。 具体的に、 好ま しいアルカ リ金属カルコゲナイ ドと して は、 例えば、 L i 2〇、 L i O、 N a 2S、 N a 2S e及ぴ N a Oが挙げられ、 好ま しいアルカ リ土類金属カルコゲナイ ドと しては、 例えば、 C a O、 B a O、 S r O、 B e O、 B a S及ぴ C a S eが挙げられる。 また、 好ま し いアルカ リ金属のハロゲン化物と しては、 例えば、 L i F、 N a F、 K F、 L i C 1 、 K C 1 及び N a C 1 等が挙げられる。 また、 好ましいアルカ リ 土類金属のハ口ゲン化物と しては、 例えば、 C a F 2 、 B a F 2 、 S r F2 、 M g F 2 及び B e F 2 等のフッ化物や、 フッ化物以外のハロゲン化物が 挙げられる。
また、 半導体と しては、 B a、 C a、 S r 、 Y b、 A l 、 G a、 I n、 L i 、 N a、 C d、 M g、 S i 、 T a、 S b及び Z nの少なく とも一つの 元素を含む酸化物、 窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組 み合わせが挙げられる。 また、 電子注入層を構成する無機化合物が、 微結 晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ま しい。 電子注入層がこれらの 絶縁性薄膜で構成されていれば、 よ り均質な薄膜が形成されるために、 ダ —クスポッ ト等の画素欠陥を減少させることができる。 なお、 このよ うな 無機化合物と しては、 前記アルカ リ金属カルコゲナイ ド、 アルカ リ土類金 属カルコゲナイ ド、 アルカ リ金属のハロゲン化物及ぴアルカ リ土類金属の ハ口ゲン化物等が挙げられる。
また、 本発明における電子注入層は、 前述の還元性ドーパン トを含有し ていても好ま しい。
本発明の有機 E L素子は、 前記発光層と陽極との間に正孔輸送層を有し、 該正孔輸送層がァ リ ールアミ ン誘導体を主成分と して含有すると好ま しレ、。 また、 正孔輸送層に含有される正孔輸送材料と しては、 3重項エネルギー が 2. 5 2〜 3. 7 e Vである と好ましく、 2. 8〜3. 7 e Vである と さ らに好ましい。 このよ うな範囲の正孔輸送材料を用いることで、 発光層 の励起エネルギーが失活するこ とを防ぐことができる。
前記正孔輸送材料と しては、 下記一般式 （ 6 ) 及び （ 7 ) で表されるも のが好ま しい。
Figure imgf000045_0001
(式中、 A r 7 は、 炭素数が 6〜4 0の芳香族基であり、 A r s 及び A r 9 は、 それぞれ水素原子又は炭素数が 6 ~ 4 0の芳香族基であり、 mは 1 〜 6 の整数である。 ）
Figure imgf000045_0002
(式中、 A r 10及び A r 16は、 炭素数が 6〜 4 0の芳香族基であり、 A r ェ1〜 A r 15は、 それぞれ水素原子又は炭素数が 6〜 4 0の芳香族基であり、 縮合数 P、 q、 r、 s は、 それぞれ 0又は 1である。 ）
前記一般式 （ 7 ) 及ぴ （ 8 ) において、 炭素数が 6〜 4 0の芳香族基の う ち、 好ましい核原子数 5〜 4 0のァリ ール基と しては、 フエニル、 ナフ チノレ、 ア ン トラニノレ、 フ エナンス リ ノレ、 ピレニノレ、 コ ロ ニノレ、 ビフ エ二ノレ、 ターフェニル、 ピロ一リル、 フラニル、 チォフエニル、 ベンゾチォフエ二 ル、 ォキサジァゾリル、 ジフエ二ルアン トラニル、 イン ドリル、 カルバゾ リル、 ピリ ジル、 ベンゾキノ リル、 フルオランテュル、 ァセナフ トフルォ ランテュル等が挙げられる。 また、 好ま しい核原子数 5〜 4 0のァリ一レ ン基と しては、 フエ二レン、 ナフチレン、 アン トラニレン、 フエナンス リ レン、 ピ レニ レン、 コ ロ ニ レン、 ビフエ二 レン、 タ一フエ二 レン、 ピロ一 リ レン、 フラニレン、 チォフエ二レン、 ベンゾチォフエ二レン、 ォキサジ ァゾリ レン、 ジブヱ二ノレアン トラニレン、 イン ドリ レン、 力 バゾリ レン ピリ ジレン、 ベンゾキノ リ レン、 フルオランテニレン、 ァセナブ トフルォ ランテニレン等が挙げられる。 なお、 炭素数が 6〜 4 0 の芳香族基は、 さ らに置換基によ り置換されていてもよく 、 好ま しい置換基と して、 炭素数 1〜 6 のアルキル基 （ェチル基、 メチル基、 i —プロ ピル基、 n —プロピ ズレ基、 s —ブチノレ基、 t —プチノレ基、 ペンチノレ基、 へキシル基、 シク ロべ ンチル基、 シク ロへキシル基等） 、 炭素数 1〜 6 のアルコキシ基 （エ トキ シ墓、 メ トキシ基、 i —プロポキシ基、 n —プロポキシ基、 s —ブ トキシ 基、 t —ブ トキシ基、 ペン トキシ基、 へキシルォキシ基、 シク ロペン トキ シ基、 シクロへキシルォキシ基等） 、 核原子数 5〜 4 0のァリ一ル基、 核 原子数 5〜 4 0のァリール基で置換されたァミ ノ基、 核原子数 5〜 4 0の ァリール基を有するエステル基、 炭素数 1〜 6のアルキル基を有するエス テル基、 シァノ基、 ニ トロ基、 ハロゲン原子が挙げられる。
さ らに、 3重項エネルギーが 2 . 8 e V以上の正孔輸送材料と しては、 下記一般式 （ 8 ) 及び （ 1 0 ) で表されるものが好ま しい。
Figure imgf000046_0001
(式中、 A r 、 A r 2 'は、 炭素数 1〜 6 のアルキル基、 アルコキシ基又 はフエニル基によって置換されていてもよい核炭素数 6 ~ 1 8のァリール 基であり、 Rは炭素数 4〜 6のアルキル基又はアルコキシ基または核炭素 数 6〜 1 8 のア リ ^ "ル基である。 Xは、 単結合， 一 O—又は一 S—で表さ れる連結基を示し、 Xはあっても、 なく てもよい。 ）
Figure imgf000047_0001
(式中、 A r 3' は、 置換基を有する若しく は有しない核炭素数 6〜 1 8 の ァリ ール基、 A r 4'〜A r 7' は、 それぞれ置換基を有する若しく は有しな い核炭素数 6〜 1 8のァ リ ーレン基を示し、 X 1 は、 単結合， 一 O—， 一 S - , - ( C H2)n 一 （nは；！〜 6の整数） 又は一 C (C H3)2 —である 連結基を示し、 これらの連結基はあってもよく 、 なく てもよく 、 X2 及ぴ X3 は、 それぞれ単結合， — O—， — S— , ― (C H2)n ― ( nは 1 ~ 6 の整数） 又は _ C (C H3)2 —である連結基を示し、 それらは同一でも異 なっていてもよい。 )
一般式 （ 8 ) 及び （ 9 ) における ！： ^〜八！： 7'、 R、 X及ぴ X 1 〜 X 3 の示す各基並びに置換基の具体例と しては、 前記 C z及び A r 1 ~ A r e で挙げたも と同様のものが挙げられる。
A r 1
Figure imgf000047_0002
[式中、 R 1 〜R 12は、 それぞれ独立に、 水素原子、 ハロゲン原子、 アル キル基、 ァラルキル基、 アルケニル基、 シァノ基、 アミ ノ基、 ァシル基、 アルコキシカルボニル基、 カルボキシル基、 アルコキシ基、 アルキノレア ミ ノ基、 ァラルキルアミ ノ基、 ハロアルキル基、 水酸基、 ァリールォキシ基、 置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表わ し、 R 1 と R2 、 R 3 と R4 、 R5 と R6 、 R7 と 、 RQ と R 10、 R11と R 12はそれぞれ隣接する置換基同士で環を形成してもよい。 Xは以 下に示す 3価の連結基を示し、
Figure imgf000048_0001
(式中、 R 13〜R 18は、 それぞれ独立に、 水素原子、 ハロゲン原子、 アル キル基、 ァラルキル基、 アルケニル基、 シァノ基、 置換基を有していても よいアミ ノ基、 ァシル基、 アルコキシカルボニル基、 カルボキシル基、 ァ ルコキシ基、 アルキルアミ ノ基、 ァラルキルアミ ノ基、 ハロアルキル基、 水酸基、 ァリールォキシ基、 置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基 又は芳香族複素環基を表わし、 R13と R 14、 R 15と R 16、 R 17と R 1Sは それぞれ隣接する置換基同士で環を形成してもよい。 ） ]
一般式 （ 1 0 ) における A r 1' ' 、 R 1 〜R 18の示す各基並びに置換 基の具体例と しては、 前記 C z及び A r 1 〜A r 6 で挙げたもと同様のも のが挙げられる。
本発明において、 有機 E L素子の陽極は、 正孔を正孔輸送層または発光 層に注入する役割を担う ものであり、 4. 5 e V以上の仕事関数を有する こ とが効果的である。 本発明に用いられる陽極材料の具体例と しては、 酸 化インジウム錫合金 （ I T O) 、 酸化錫 （N E S A) 、 金、 銀、 白金、 銅 等が適用できる。 また陰極'と しては、 電子注入層又は発光層に電子を注入 する目的で、 仕事関数の小さい材料が好ましい。 陰極材料は特に限定され ないが、 具体的にはインジウム、 アルミニウム、 マグネシウム、 マグネシ ゥム—インジウム合金、 マグネシウム—アルミニウム合金、 アルミニウム — リチウム合金、 アルミニウム—スカンジウム一 リチウム合金、 マグネシ ゥムー銀合金等が使用できる。
本発明の有機 E L素子の各層の形成方法は特に限定されない。 従来公知 の真空蒸着法、 スピンコ ーティ ング法等による形成方法を用いることがで きる。 本発明の有機 E L素子に用いる、 前記一般式 （ 1 ) で示される化合 物を含有する有機薄膜層は、 真空蒸着法、 分子線蒸着法 （MB E法） ある いは溶媒に解かした溶液のデイ ツビング法、 スピンコーティ ング法、 キヤ スティング法、 バーコー ト法、 口一ルコート法等の塗布法による公知の方 法で形成することができる。 本発明の有機 E L素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、 膜厚が 薄すぎるこ とによるピンホール等の欠陥が生じるのを防ぎ、 厚すぎること による高い印加電圧が必要となり効率が悪く なるのを防ぐため、 通常は ¾ n mから 1 μ mの範囲が好ましい。
なお、 本発明の一般式 （ 1 ) で表される化合物の合成方法と しては、 一 般式 （ a ) で表される化合物と一般式 （b ) で表される化合物を有機溶媒 中、 塩基存在下、 パラジウム触媒を用いて反応させる方法、 一般式 （ c ) で表される化合物と一般式 （ d ) で表される化合物を有機溶媒中、 塩基存 在下、 パラジウム触媒を用いて反応させる方法などが挙げられる。 下記一 般式 （ a ) 〜 （ d ) における、 し m, n , p及び qは、 一般式 （ 1 ) を 満たすよ う に適宜選択される整数である。
Figure imgf000050_0001
この反応で用いる有機溶媒と しては反応に関与しない溶媒であれば良く 、 例えば、 ベンゼン、 トルエン、 キシレン等の芳香族系炭化水素系溶媒、 1 , 2—ジメ トキシェタン、 テ トラ ヒ ドロフラン等のエーテル系溶媒が挙げら れる。
この反応で用いる塩基と しては、 例えば、 炭酸ナ ト リ ウム、 炭酸力 リ ウ ム、 炭酸水素ナ ト リ ウム、 炭酸水素カ リ ウム、 水酸化ナト リ ウム、 水酸化 カ リ ウム等の無機塩基、 ト リェチルァミン、 ピリ ジン等の有機塩基が挙げ られる。 好ま しく は炭酸ナ ト リ ウムが挙げられる。 また、 無機塩基を溶解 するために水を共存してもよい。
ここで用いるパラジウム触媒と しては、 例えば、 テ トラキス （ト リ フエ ニルホスフィ ン） ノ、。ラジウム、 ジクロ ロ ビス （ ト リ フエニルホスフィ ン） パラジウム、 酢酸パラジウム一 ト リ フエニルホスフィ ン等が挙げられる。 好ましく はテ トラキス （ト リ フエニルホスフィ ン） パラジウムが挙げられ る。 ， 次に、 合成例及ぴ実施例を用いて本発明をさ らに詳しく説明するが、 本 発明はこれらに限定されるものではない。
なお、 化合物の 3重項エネルギーギヤ ップ及び 1重項エネルギーギヤ ッ プは、 以下の う にして測定した。
( 1 ) 3重項エネルギーギャ ップの測定
最低励起 3重項エネルギー準位 T 1 を測定した。 すなわち、 試料の燐光 スぺク トルを測定し （ 1 0 μ πι ο 1 リ ッ トル Ε Ρ Α (ジェチルエーテ ル ： ィ ソペンタン ： ィ ソプロ ピルアルコール = 5 : 5 : 2容積比） 溶液、 7 7 Κ：、 石英セル、 S P E X社 F L U O RO L O GII) 、 燐光スペク トル の短波長側の立ち上がりに対して接線を引き横軸との交点である波長 （発 光端） を求めた。 この波長をエネルギー値に換算した。
( 2 ) 1重項エネルギーギャ ップの測定
励起 1重項エネルギーギャップの値を測定した。 すなわち、 試料の トル ェン溶液 （ 1 0一5モル/リ ッ トル） を用い日立社製紫外可視吸光計を用い 吸収スぺク トルを測定した。 スぺク トルの長波長側の立ち上りに対し接線 を引き横軸との交点である波長 （吸収端） を求めた。 この波長をエネルギ 一値に換算した。
合成例 1 (化合物 （ 3 0 ) の合成）
化合物 （ 3 0 ) の合成経路を以下に示す。
Figure imgf000052_0001
( 1 ) 合成中間体 （A) の合成
4一プロモヨー ドベンゼン 25.4g(90tnmol) 、 力ノレ/ 、ノ、一ノレ 10. Og (60mmo 1) 、 よ う化銅 0. lg(0.5mmol) 、 リ ン酸カ リ ウム 26.7g (126tnmol)を 1 , 4 一ジォキサン 70ミ リ リ ッ トルに懸濁し、 トランス一 1 , 2—シク ロへキサ ンジァ ミ ン 0.7 ミ リ リ ッ トル（6mmol) を加え、 アルゴン雰囲気下、 15時間 加熱環流した。 反応溶液を室温まで冷却し、 塩化メチレン、 水を加え、 二 層分離した後、 有機層を 5 %塩酸水溶液、 水で順次洗浄し、 無水硫酸ナ ト リ ウムで乾燥した。 有機溶媒を減圧留去後、 エタノール 50ミ リ リ ッ トルを 加え、 析出した結晶を滤過し、 エタノール、 ノルマルへキサンで順次洗浄 し、 合成中間体 （A) 17.8g (収率 92%) を得た。
( 2 ) 合成中間体 （B) の合成
合成中間体 （A) 8.0g(25mmol)を トルエン 50ミ リ リ ッ トル、 エーテル 50 ミ リ リ ッ トルに溶解し、 アルゴン雰囲気下一 40°Cでノルマルブチルリ チウ ムへキサン溶液（1.6M) 21ミ リ リ ッ トル（32mmol)をカ卩え、 一40^ から 0 °Cで 1時間撹拌した。 次に反応溶液を一 70°Cまで冷却し、 ホウ酸 ト リイ ソプロ ピル 17ミ リ リ ツ トル（74mmol)をェ一テル 25ミ リ リ ツ トルに希釈した溶液を 滴下し、 一 70°Cで 1時間撹拌した後、 室温まで昇温して 6時間攪拌した。 更に反応溶液に 5 %塩酸 70ミ リ リ ツ トルを滴下した後、 室温で 45分間攪拌 した。 反応溶液を二層分離した後、 有機層を飽和食塩水で洗浄し、 無水硫 酸ナ ト リ ウムで乾燥した。 有機溶媒を 5分の 1程度まで減圧留去後、 析出 した結晶を濾過し、 トルエン一ノルマルへキサン混合溶媒、 ノルマルへキ サンで順次洗浄し、 合成中間体 （B) 4.0g (収率 56%) を得た。
( 3 ) 目的化合物 （ 3 0 ) の合成
合成中間体 （B) 2.0g(7. Ommol) 、 ブロモー 3， 5—ジフヱニルベンゼ ン 2.2g(7. Ommol) 、 テ トラキス （ ト リ フエニルホスフィ ン） ノ ラジウム 0. 16g(0.14mmol) を トルエン 21ミ リ リ ッ トルに懸濁し、 炭酸ナト リ ゥム 2.2g (21mmol)を水 11ミ リ リ ツ トルに溶解した溶液を加え、 アルゴン雰囲気下、 9時間加熱環流した。 反応溶液を二層分離した後、 有機層を飽和食塩水で 洗浄し、 無水硫酸ナ ト リ ウムで乾燥した。 有機溶媒を減圧留去後、 酢酸ェ チル 12ミ リ リ ッ トルをカ卩え、 析出した結晶を濾過し、 酢酸ェチルで洗浄し、 結晶 2.6g (収率 78%) を得た。
得られた結晶は、 90MHz XH-NMR, FD-MS (フィール ドディ ソープシヨ ン マス分析） によ り 目的物であることを確認した。 また、 FD-MS の測定結果 を以下に示す。
FDMS, calcd for C36H25N=471, found, m/z=471 (M+ , 100)
合成例 2 (化合物 （ 1 ) の合成）
化合物 （ 1 ) の合成経路を以下に示す。
Figure imgf000054_0001
(C)
( 1 ) 合成中間体 （c) の合成
1， 3 , 5— ト リ ブロモベンゼン 5.0g(16mmol)、 カルバゾーノレ 8.8g (52m mol)、 よ う化銅 0.3g(1.6mmol) 、 リ ン酸カ リ ウム 13· 8g (65mmol) を 1， 4 一ジォキサン 50ミ リ リ ッ トルに懸濁し、 トランス一 1 , 2—シクロへキサ ンジァミ ン 1.9 ミ リ リ ッ トル（16mmol)を加え、 アルゴン雰囲気下、 19時間 加熱環流した。 反応溶液を室温まで冷却し、 塩化メチレン、 水を加え、 二 層分離した後、 水で洗浄し、 無水硫酸ナ ト リ ウムで乾燥した。 有機溶媒を 5分の 1程度まで減圧留去後、 析出した結晶を濾過し、 酢酸ェチルで洗浄 し、 濾液をシリカゲル力ラムク ロマ トグラフィ一で精製し、 合成中間体
(C) を 1.8g (収率 23%) を得た。
( 2 ) 合成中間体 （D) の合成
プロモー 3， 5—ジフエニルベンゼン 10.0g(32mmol) を トルエン 50ミ リ リ ッ トノレ、 エーテル 50ミ リ リ ッ トルに溶解し、 アルゴン雰囲気下一 16
42°Cでノルマルブチルリチウムへキサン溶液（1.6M)27ミ リ リ ッ トル（42mrao 1)を加え、 —42でから 0 °Cで 1時間撹拌した。 次に反応溶液を _70°Cまで 冷却し、 ホゥ酸ト リイソプロピル 22ミ リ リ ツ トノレ（97mtnol)をエーテノレ 25ミ リ リ ッ トルに希釈した溶液を滴下し、 一 70でで 1時間撹拌した後、 室温ま で昇温して 6時間攪拌した。 更に反応溶液に 5 %塩酸 70ミ リ リ ツ トルを滴 下した後、 室温で 45分間傥拌した。 反応溶液を二層分離した後、 有機層を 3 %塩酸、 飽和食塩水で順次洗浄し、 無水硫酸ナト リ ウムで乾燥した。 有 機溶媒を 5分の 1程度まで減圧留去後、 ノルマルへキサン 10ミ リ リ ッ トル を加え、 析出した結晶を濾過し、 トルエン一ノルマルへキサン混合溶媒、 ノルマルへキサンで順次洗浄し、 合成中間体 （D) 7.0g (収率 78%) を得 た。
( 3 ) 目的化合物 （ 1 ) の合成
合成中間体 （C) 1.8g(3.6mmol) 、 合成中間体 （D) 0.99g (3.6mmol )、 テ ト ラキス （ ト リ フエニルホスフィ ン） パラジウム 0.08g(0.07mmol) を 1， 2—ジメ トキシェタン 22ミ リ リ ッ トルに懸濁し、 炭酸ナ ト リ ゥム l. lg(llm mol)を水 5 ミ リ リ ッ トルに溶解した溶液を加え、 アルゴン雰囲気下、 9時 間加熱環流した。 反応溶液を室温まで冷却後、 析出した結晶を濾過し、 水、 メ タノール、 酢酸ェチルで順次洗浄し、 粗結晶 1.9gを得た。 得られた結晶 を減圧下昇華精製して、 精製結晶 1.6g (収率 68%) を得た。
得られた結晶は、 90MHz XH-NMR, FD-MS によ り 目的物であることを確認 した。 また、 FD- MS の測定結果を以下に示す。
FDMS, calcd for C48H32N2=636, found, m/z=636(M+ ， 100)
合成例 3 (化合物 （ 4 ) の合成）
化合物 （ 4 ) の合成経路を以下に示す。
Figure imgf000055_0001
( 1 ) 合成中間体 （E) の合成 1 , 3 , 5—ト リ プロモべンゼン 5.0g(16mmol)、 カノレバゾール 5.3g (32m mol)、 よ う化銅 0.3g(l.6mraol) 、 リ ン酸カ リ ウム 13.8g (65mmol) を 1， 4 —ジォキサン 50ミ リ リ ッ トルに懸濁し、 トランス一 1， 2 —シク ロへキサ ンジァミ ン 1.9 ミ リ リ ッ トル（16mmol)を加え、 アルゴン雰囲気下、 9時間 加熱環流した。 反応溶液を室温まで冷却し、 塩化メチレン、 水を加え、 二 層分離した後、 水で洗浄し、 無水硫酸ナ ト リ ウムで乾燥した。 有機溶媒を 5分の 1程度まで減圧留去後、 析出した結晶を濾過し、 酢酸ェチルで洗浄 し、 濾液をシリカゲルカラムク ロマ トグラフィーで精製し、 合成中間体
(E ) を 2.0g (収率 31%) を得た。
( 2 ) 目的化合物 （ 4 ) の合成
合成中間体 （E ) 1.8g(4.5mmol) 、 合成中間体 （D) 2.5g(9. Omraol) 、 テ ト ラキス （ ト リ フエニルホスフィ ン） ノヽ0ラジウム 0.16g(0.13mmol) を 1 , 2—ジメ トキシェタン 27ミ リ リ ッ トルに懸濁し、 炭酸ナト リ ゥム 2.9g (lira mol)を水 14ミ リ リ ッ トルに溶解した溶液を加え、 アルゴン雰囲気下、 1 8 時間加熱環流した。 反応溶液を室温まで冷却後、 析出した結晶を濾過し、 水、 メ タノール、 酢酸ェチルで順次洗浄し、 粗結晶 3.3gを得た。 得られた 結晶を減圧下昇華精製して、 精製結晶 2.9g (収率 92%) を得た。
得られた結晶は、 90MHz XH-NMR, FD-MS によ り 目的物であることを確認 した。 また、 FD-MS の測定結果を以下に示す。
FDMS, calcd for
Figure imgf000056_0001
found, m/z=699 (M+ , 100)
合成例 4 (化合物 （ 3 7 ) の合成）
( 1 ) 合成中間体 （C ) の合成
3 リ ッ トノレのフラスコにァゾレゴン気流下、 1. , 3 , 5—ト リ ブロモベン ゼン 118g (東京化成社製） 、 カルパゾール 125g (シグマアルドリ ツチ社 製） 、 ヨ ウ化銅 7 g (和光純薬社製） 、 りん酸三カ リ ウム 317g (和光純薬 社製） 、 ト ランス一 1， 2 —シク ロへキサンジァミ ン 43g (東京化成社 製） 、 1， 4—ジォキサン 1.2リ ッ トル （和光純薬社製） を入れ、 104°C で 15時間攪拌した。
反応後室温まで放冷し、 水 1 リ ツ トルを加え、 塩化メチレン 3 リ ッ トル を加え抽出を行った。 無水硫酸マグネシウムで乾燥後、 減圧濃縮し、 得ら れた残渣を減圧濾過し、 母液をシリ力ゲル力ラムクロマ トグラフィ一で精 製したと ころ、 3， 5 —ビス （力ルバゾリルー 9一ィル） 一 1 —プロモべ ンゼン （中間体 （C) ) 92g を得た。
( 2 ) 目的化合物 （ 3 7 ) の合成
500ミ リ リ ッ トルのフラスコにアルゴン気流下、 前記 （ 1 ) で得られた 合成中間体 （C) 10g 、 フエニルボロン酸 2.8g (アル ドリ ッチ社製） 、 テ トラキス ト リ フエ二ノレホスフィ ンパラジウム （ 0 ) 0.5g (N. E . CHE MC AT社製） 、 ジメ トキシェタン 130ミ リ リ ッ トル （和光純薬社製） 、 炭酸ナト リ ゥム 6.5g (和光純薬社製） を水 30ミ リ リ ツ トルに溶解した水溶 液を入れ、 78°Cで 26時間攪拌した。
反応後、 室温まで放冷し析出晶を濾取した。 これを トルエンに加熱溶解 し、 熱濾過を行い、 母液を濃縮し、 析出晶を濾取した。 これをさらに トル ェンで再結晶を行い、 4.7g (収率 47%) の白色粉末を得た。
得られた粉末について、 FD- MS を測定したと ころ、
Figure imgf000057_0001
に対し、 の主ピークが得られたので、 これを目的化合物 （ 3 7 ) と同定し た。
合成例 5 (化合物 （ 3 8 ) の合成）
500ミ リ リ ツ トノレのフラスコにアルゴン気流下、 合成例 4の （ 1 ) で得 られた合成中間体 （C) 8.7g、 4—ビフエ二ルボロン酸 3.9g (アル ドリ ツ チ社製） 、 テ ト ラキス ト リ フェニルホスフィ ンパラジウム （ 0 ) 0.4g (N . E . C H EMC AT社製） 、 ジメ トキシエタン 110ミ リ リ ッ トル （和光純 薬社製） 、 炭酸ナ ト リ ゥム 5.7g (和光純薬社製） を水 27ミ リ リ ツ トルに溶 解した水溶液を入れ、 78°Cで 15時間攪拌した。
反応後、 室温まで放冷し析出晶を濾取した。 これを トルエンに加熱溶解 し、 熱濾過を行い、 母液を濃縮し、 析出晶を濾取した。 これをさらに トル ェンで再結晶を行い、 6.3g (収率 63%) の白色粉末を得た。
得られた粉末について、 FD-MS を測定したと ころ、 C42H 2=560に対し、 m/z=560 の主ピークが得られたので、 これを目的化合物 （ 3 8 ) と同定し た。
合成例 6 (化合物 （ 3 9 ) の合成）
500ミ リ リ ッ トルのフラスコにアルゴン気流下、 合成例 4の （ 1 ) で得 られた合成中間体 （C) 8.7g、 2— ビフエニルボロ ン酸 3.9g (アル ドリ ツ チ社製） 、 テ ト ラキス ト リ フエニルホスフィ ンパラジウム （ 0 ) 0.4g (N. E . C HEMC AT社製） 、 ジメ トキシェタン 110ミ リ リ ッ トル （和光純 薬社製） 、 炭酸ナ ト リ ゥム 5.7g (和光純薬社製） を水 27ミ リ リ ツ トルに溶 解した水溶液を入れ、 78でで 14時間攪拌した。
反応後、 室温まで放冷し析出晶を濾取した。 これを トルエンに加熱溶解 し、 熱濾過を行い、 母液を濃縮し、 析出晶を濾取した。 これをさらに トル ェンで再結晶を行い、 5.6g (収率 56%) の白色粉末を得た。
得られた粉末について、 FD- MS を測定したと ころ、 C42H28N2=560に対し、 m/Z=560 の主ピークが得られたので、 これを目的化合物 （ 3 9 ) と同定し た。
合成例 7 (化合物 （ 4 0 ) の合成）
500ミ リ リ ッ トルのフラスコにアルゴン気流下、 合成例 4の （ 1 ) で得 られた合成中間体 （ C ) 9. lg、 1一ナフタ レンボロ ン酸 3.5g (アル ドリ ツ チ社製） 、 テ ト ラキス ト リ フエニルホスフィ ンパラジウム （ 0 ) 0.4g (N. E . C H E M C A T社製） 、 ジメ トキシエタン 120ミ リ リ ッ トル （和光純 薬社製） 、 炭酸ナ ト リ ゥム 6.0g (和光純薬社製） を水 27ミ リ リ ツ トルに溶 解した水溶液を入れ、 78°Cで ·14時間攪拌した。
反応後、 室温まで放冷し析出晶を濾取した。 これを トルエンに加熱溶解 し、 熱濾過を行い、 母液を濃縮し、 析出晶を濾取した。 これをさらに トル ェンで再結晶を行い、 6.3g (収率 63%) の白色粉末を得た。
得られた粉末について、 FD- MS を測定したと ころ、 C4。H26N2=534に対し、 m/z=534 の主ピークが得られたので、 これを目的化合物 （ 4 0 ) と同定し た。
合成例 8 (化合物 （ 4 1 ) の合成）
500ミ リ リ ツ トルのフラスコにアルゴン気流下、 合成例 4の （ 1 ) で得 られた合成中間体 （ C ) 9. lg、 2—ナフタ レンボロ ン酸 3.5g (アル ドリ ツ チ社製） 、 テ ト ラキス ト リ フエニルホスフィ ンパラジウム （ 0 ) 0.4g (N. E . C HEMC AT社製） 、 ジメ トキシェタン 120ミ リ リ ッ トル （和光純 薬社製） 、 炭酸ナ ト リ ウム 6.0g (和光純薬社製） を水 27ミ リ リ ッ トルに溶 解した水溶液を入れ、 78°Cで 15時間攪拌した。
反応後、 室温まで放冷し析出晶を濾取した。 これを ト.ルェンに加熱溶解 し、 熱濾過を行い、 母液を濃縮し、 析出晶を濾取した。 これをさらに トル ェンで再結晶を行い、 5.3g (収率 53%) の自色粉末を得た。
得られた粉末について、 FD- MS を測定したと ころ、 C40H26N2=534に対し、 m/z=534 の主ピークが得られたので、 これを目的化合物 （ 4 1 ) と同定し た。
合成例 9 (化合物 （ 4 2 ) の合成）
500ミ リ リ ツ トノレのフラスコにアルゴン気流下、 合成例 4の （ 1 ) で得 られた合成中間体 （C) 9.1g、 9一フエナンス レンボロ ン酸 4.2g (アル ド リ ッチ社製） 、 テ ト ラキス ト リ フエニルホスフィ ンパラジウム （ 0 ) 0.4g (N. E . C H EMC AT社製） 、 ジメ トキシエタン 110ミ リ リ ッ トル (和光純薬社製） 、 炭酸ナト リ ウム 5.5g (和光純薬社製） を水 26ミ リ リ ッ トルに溶解した水溶液を入れ、 78°Cで 14時間攪拌した。
反応後、 室温まで放冷し析出晶を濾取した。 これを トルエンに加熱溶解 し、 熱濾過を行い、 母液を濃縮し、 析出晶を濾取した。 これをさ らに トル ユンで再結晶を行い、 6.8g (収率 68%) の白色粉末を得た。
得られた粉末について、 FD-MS を測定したと ころ、 C44H28N2=584に対し、 m/z=584 の主ピークが得られたので、 これを目的化合物 （ 4 2 ) と同定し た。
合成例 1 0 (化合物 （4 3 ) の合成）
( 1 ) 合成中間体 （F) の合成
300ミ リ リ ッ トルのフラスコにアルゴン気流下、 合成例 4の （ 1 ) で得 られた合成中間体 （C) 9.0g、 脱水 トルエン 100ミ リ リ ッ トル （和光純薬 社製） 、 脱水エーテル 100ミ リ リ ッ トル （和光純薬社製） を入れ、 _ 10°C に氷冷し、 1.6M—プチルリチウム 14.8ミ リ リ ッ トル （関東化学社製） を滴 下し、 2時間攪拌した。
これにボロン酸ト リイ ソプロ ピルエステル 10.4g (東京化成社製） を加 え、 室温に戻し、 12時間攪拌した。
その後、 氷冷し、 10°C以下で濃塩酸 14ミ リ リ ツ トルを水 100ミ リ リ ッ ト ルに加えた希塩酸を加え、 有機層を分液し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥 後、 減圧濃縮した。 得られた粘性物をテ トラ ヒ ドロフラン （T H F) 30ミ リ リ ッ トルに溶解し、 これにへキサンを加えて結晶を析出させた。
これを濾取したと ころ、 3 , 5—ビス （カルバゾリル _ 9—ィル） ベン ゼンボロン酸 （中間体 （ F ) ) 5.9gを得た。
( 2 ) 目的化合物 （ 4 3 ) の合成
500ミ リ リ ッ トルのフラスコにアルゴン気流下、 合成例 4の （ 1 ) で得 られた合成中間体 （C) 5.6g、 前記 （ 1 ) で得られた中間体 （F) 5.7g、 テ トラキス ト リ フエニルホスフィ ンパラジウム （ 0 ) 0.3g (N. E . C H E MC AT社製） 、 ジメ トキシェタン 110 ミ リ リ ッ トル （和光純薬社製） 、 炭酸ナ ト リ ウム 3.6g (和光純薬社製） を水 17ミ リ リ ツ トルに溶解した水溶 液を入れ、 78 で 15時間撩拌した。
反応後室温まで放冷し析出晶を濾取した。 これを トルエンに加熱溶解し、 熱濾過を行い、 母液を濃縮し、 析出晶を濾取した。 これをさ らに トルエン で再結晶を行い、 4.5g (収率 48%) の白色粉末を得た。
得られた粉末について、 FD- MS を測定したと ころ、 C6。H3SN4=815に対し、 m/z=815 の主ピークが得られたので、 これを目的化合物 （ 4 3 ) と同定し た。
実施例 1 (有機 E L素子の製造）
2 5 mm X 7 5 m m X 0. 7 mm厚の I T O透明電極付きガラス基板を イ ソプロ ピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 U Vオゾン 洗浄を 3 0分間行なった。 洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装 置の基板ホルダ一に装着し、 まず透明電極が形成されている側の面上に前 記透明電極を覆う よ う にして膜厚 1 O n mの銅フタロシアニン膜 （C u P c膜） を成膜した。 この C u P c膜は、 正孔注入層と して機能する。 この C u P c膜上に、 膜厚 3 0 n mの 4 , 4 ' —ビス [N— ( 4—ビフエ二 ル） 一N— （ 4—ビフヱニル） ァミ ノ ] ビフエニル膜 （T B A B膜） を成 膜した。 この T B A B膜は正孔輸送層と して機能する。 さ らに、 T B A B 膜上に膜厚 4 0 n mの化合物 （ 1 ) をホス ト材料と して発光層を成膜し、 同時に燐光発光性の I r金属錯体ドーパン ト と して上記ト リ ス （ 2—フエ 二ルビリ ジン） I r ( I 一 1 ) を添加して蒸着した。 この膜は、 発光層と して機能する。 発光層中における （ 1 — 1 ) の濃度は 5重量。 /0と した。 こ の膜上に膜厚 1 O n mの下記 （ 1， 1 ' —ビスフエニル） 一 4一オラー ト） ビス （ 2—メ チルー 8—キノ リ ノ ラー ト） アルミニウム （B A 1 q 膜） を成膜した。 この B A 1 q膜は正孔障壁層と して機能する。 さ らにこ の膜上に膜厚 2 0 n mの下記 8 —ヒ ドロキシキノ リ ンのアルミ -ゥム錯体 (A l q膜） を成膜した。 この A 1 q膜は電子注入層と して機能する。 こ の後ハロゲン化アル力 リ金属である L i Fを 0. 2 n mの厚さに蒸着し、 次いで、 アルミニウムを 1 5 O n r の厚さに蒸着した。 この A l / L i F は陰極と して機能する。 このよ うにして有機 E L素子を作製した。
発光層のホス ト材料の 3重項エネルギーギヤップ、 1重項エネルギーギ ャ ップ及ぴガラス転移温度を測定した結果を表 1 に示す。
また、 この素子について、 通電試験を行なったところ、 電圧 5. 2 V, 電流密度 0. 2 4 mA/ c m2 にて、 1 0 4 c d /m2 の緑色発光が得ら れ、 色度座標は （ 0. 3 2， 0. 6 1 ) 、 効率は 4 2. 6 c d ZAであつ た。 また、 1 0 5 °Cで 5 0 0時間保存後の発光効率は 4 1 . 6 c dZAで あり、 発光面は均一であり欠陥は生じておらず、 整流比 （順方向電流/逆 方向電流） が 1 X 1 05 以上であった。 以上の結果を表 2に示す。
Figure imgf000062_0001
実施例 2〜 5
実施例 1 において、 発光層のホス ト材料と して化合物 （ 1 ) の代わり に、 表 1 に記載の化合物を使用する以外は同様の方法で有機 E L素子を作製し た。 得られた素子について、 実施例 1 と同様に、 3重項エネルギーギヤ ッ プ、 1重項エネルギーギャ ップ、 ガラス転移温度、 電圧、 電流密度、 発光 輝度、 発光効率、 色度を測定し表 1及び表 2に示した。 また、 実施例 2〜 5全ての有機 E L素子について 1 0 5 °Cで 5 0 0時間保存後も発光面は均 一であり欠陥は生じておらず、 整流比 （順方向電流 逆方向電流） が I X 1 0 5 以上であった。
比較例 1
実施例 1 において、 発光層のホス ト材料と して化合物 （ 1 ) の代わり に、 C B P ( 4 , 4 - N , N —ジカルバゾリルビフエニル） を使用する以外は 同様の方法で有機 E L素子を作製した。 得られた素子について、 同様に 3 重項エネルギーギャ ップ、 1重項エネルギーギャップ、 ガラス転移温度、 電圧、 電流密度、 発光輝度、 発光効率、 色度を測定し表 1及ぴ表 2に示し た。 また、 この素子を 1 0素子作製したが、 全て初期よ り発光面に欠陥が 生じ易く短絡的な症状を示すリーク電流が多く整流比 （順方向電流 逆方 向電流） 力 S 1 X 1 0 4 以下であった。 さ らに、 1 0 5 °Cで 5 0 0時間保存 したと ころ、 発光面に欠陥が生じ整流比は 1 X 1 0 3 以下となった。 また、 発光輝度は、 数 c d / m 2 しかなく著しく低下した。 表 1
発光層の 3重項エネルキ"ーキ'ャツフ。 1重項エネルキ' -キ'ヤップ がラス転位温度 ホスト材料 (eV) (eV) (°C) 実施例 1 (1 ) 2.9 3.7 128 実施例 2 (4) 2.9 3.7 125 実施例 3 (38) 2.7 3.57 123.4 実施例 4 (42) 2.64 3.57 130.5 実施例 5 (43) 2.88 3.57 181.9 比較例 1 CBP 2.81 3.6 105
表 2
Figure imgf000064_0001
表 2に示したよ うに、 本発明の有機 E L素子用材料を用いた有機 E L素 子は、 高温保存後にも高効率の緑色発光が得られる。 また、 本発明の有機 E L素子用材料は、 ガラス転位温度が高く かつ対称性を落と しているので、 高温保存による効率の低下がほとんどなく、 高温保存後でも整流比は 1 X 1 0 5 以上と極めて髙かった。 また、 比較例 1 のよ う に、 C B Pのよ うな 剛直なカルバゾリル基を対称性良く配置した化合物では、 発光面に欠陥が 生じ易安く 、 高温保持後は発光効率の低下し、 本発明のよ うに対称性を落 と し m—タ一フエニル構造を保有させることによ り、 発光面の欠陥を抑制 する点で効果的であるこ とが判明した。 産業上の利用可能性
以上詳細に説明したよ うに、 本発明の一般式 （ 1 ) で表される化合物か らなる有機ェレク ト ロルミネッセンス素子用材料を利用する と、 発光効率 が高く 、 画素欠陥が無く 、 耐熱性に優れた有機ェレク トロルミネッセンス 素子が得られる。 このため、 本発明の有機エレク ト ロルミネッセンス素子 は、 各種電子機器の光源等と して極めて有用である。

Claims

請求の範囲
1. 下記一般式 （ 1 ) で表される化合物からなる有機エレク トロルミネ ッセンス素子用材料。
Figure imgf000065_0001
(式中、 C z は、 カルパゾリル基、 炭素数 1 8〜 6 0ァリ一ルカルバゾ一 ルイル基、 ァザカルバゾリル基、 炭素数 1 8〜 6 0のァリールァザカルバ ゾ—ルイル基、 アタ リ ジニル基、 フ； ノキサジニル基又はジベンゾァゼピ ニル基であり置換されていてもよい。 A r 1 及び A r 2 は、 それぞれ独立 に、 置換も しく は無置換の炭素数 6 ~ 6 0のァリ一ル基又は置換も しく は 無置換の炭素数 3〜 6 0の複素環基である。 A r 3 は、 炭素数 6〜6 0の 芳香族炭化水素基又は置換も しく は無置換の炭素数 3〜6 0の複素環基で ある。 A r 4 は、 置換も しく は無置換のベンゼン残基、 置換も しく は無置 換のチオフヱン残基、 置換も しく は無置換の ト リァゾール残基、 置換も し く は無置換のフルオレン残基又は置換も しく は無置換のスピロビフルォレ ン残基である。
aは 0〜1 の整数、 b は 0〜4の整数、 c は 1〜3の整数であり、 C z 及び A r 4 が複数の時は、 それぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。 ただし、 a = 0かつ c = l のときは、 A r 3 及び A r 4 がベンゼン残基 であり、 かつ A r 2 がフエ二ルカルパゾリル基又はカルバゾリル基である 場合を除く。 また、 a = l , b = 0かつ c = l のときは、 A r 3 がべンゼ ン残基であり、 かつ A r 1 及び A r 2 がフエ二ルカルバゾリル基である場 合を除く。 さ らに、 b = 0かつ c = 1 のときは、 A r 3 がベンゼン残基で あり、 かつ A r 1 , A r 2 及び C zがカルバゾリル基又はフエュルカルバ ゾリル基である場合を除く。 ）
2. —般式 （ 1 ) において、 A r 4 が、 下記式で表される請求項 1 に記 載の有機工レク トロルミネ ッセンス素子用材料。
又は
Figure imgf000066_0001
(式中、 A r 5 及ぴ A r 6 は、 それぞれ独立に、 A r 4 と同じであり、 dは 0〜 3の整数である。 A r 5 が複数の時は、 互いに同一でも異なって いてもよい。 ）
3. —般式 （ 1 ) において、 a =◦である請求項 1 に記載の有機エレク ト ロルミネッセンス素子用材料。
4. 一般式 （ 1 ) において、 a = 0かつ b = 0である請求項 1 に記載の 有機ェレク ト ロルミネッセンス素子用材料。
5. —般式 （ 1 ) において、 a = 0かつ b = 0であり、 c = 2 ~ 3の整 数である請求項 1 に記載の有機エレク トロルミネッセンス素子用材料。
6. 前記一般式 （ 1 ) で表される化合物が、 有機エレク トロルミネッセ ンス素子のホス ト材料である請求項 1 に記載の有機ェレク トロルミネッセ ンス素子用材料。
7. 陰極と陽極間に少なく とも発光層を有する一層又は複数層からなる 有機薄膜層が挟持されている有機エレク ト口ルミネッセンス素子において、 該有機薄膜層の少なく とも一層が、 請求項 1 に記載の一般式 （ 1 ) で表さ れる化合物からなる有機エレク ト口ルミネッセンス素子用材料を含有する 有機エレク トロルミネ ッセンス素子。
8 . —般式 （ 1 ) において、 a = 0である請求項 7に記載の有機エレク ト ロノレミネッセンス素子。
9 . 一般式 （ 1 ) において、 a = 0かつ b = 0である請求項 7に記載の 有機工レク トロルミネ ッセンス素子。
1 0 . 一般式 （ 1 ) において、 a =◦かつ b = 0であり、 c = 2〜 3の 整数である請求項 7に記載の有機ェレク トロルミネッセンス素子。
1 1 . 前記発光層がホス ト材料と燐光性の発光材料からなり、 該ホス ト 材料が請求項 1 に記載の有機エレク ト 口ルミネッセンス素子用材料からな る請求項 7に記載の有機エレク ト ロルミネッセンス素子。
1 2 . 陰極と有機薄膜層との界面領域に、 還元性ドーパン トが添加され てなる請求項 7に記載の有機ェレク トロルミネッセンス素子。
1 3 . 前記発光層と陰極との間に電子注入層を有し、 該電子注入層が含 窒素環誘導体を主成分と して含有する請求項 7に記載の有機エレク トロル ミネッセンス素子。
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