KR20080077615A - 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 이용한 유기전기발광 소자 - Google Patents

질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 이용한 유기전기발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20080077615A
KR20080077615A KR1020087013142A KR20087013142A KR20080077615A KR 20080077615 A KR20080077615 A KR 20080077615A KR 1020087013142 A KR1020087013142 A KR 1020087013142A KR 20087013142 A KR20087013142 A KR 20087013142A KR 20080077615 A KR20080077615 A KR 20080077615A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
carbon atoms
organic
Prior art date
Application number
KR1020087013142A
Other languages
English (en)
Inventor
히로시 야마모토
마사히데 마츠우라
미네유키 구보타
마사히로 가와무라
Original Assignee
이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 filed Critical 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Publication of KR20080077615A publication Critical patent/KR20080077615A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B

Abstract

특정 구조를 갖는 신규한 질소 함유 헤테로환 유도체, 및 음극과 양극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 전기발광 소자에 있어서, 상기 유기 박막층의 적어도 1층이, 상기 질소 함유 헤테로환 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유함으로써, 유기 EL 소자의 구성 성분으로서 유용한 신규한 질소 함유 헤테로환 유도체를 제공하고, 이 질소 함유 헤테로환 유도체를 유기 화합물층의 적어도 1층에 이용함으로써, 저전압이면서 발광 휘도 및 발광 효율이 높은 유기 EL 소자를 실현한다.

Description

질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자{NITROGENOUS HETEROCYCLIC DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE MAKING USE OF THE SAME}
본 발명은 신규한 질소 함유 헤테로환 유도체, 그것을 이용한 유기 전기발광(EL) 소자용 재료, 유기 EL 소자에 관한 것으로, 특히 유기 EL 소자의 구성 성분으로서 유용한 질소 함유 헤테로환 유도체를 유기 화합물층의 적어도 1층에 이용함으로써, 저전압이면서 발광 효율이 높은 유기 EL 소자에 관한 것이다.
유기 물질을 사용한 유기 전기발광(EL) 소자는 고체 발광형의 저렴한 대면적 풀 컬러 표시소자로서의 용도가 유망시되어, 많은 개발이 행해지고 있다. 일반적으로 EL 소자는 발광층 및 이 층을 사이에 끼운 1쌍의 대향 전극으로 구성되어 있다. 발광은 양 전극 사이에 전계가 인가되면, 음극측으로부터 전자가 주입되고, 양극측으로부터 정공이 주입된다. 또한, 이 전자가 발광층에서 정공과 재결합하여, 여기 상태를 생성하고, 여기 상태가 기저 상태로 되돌아올 때에 에너지를 빛으로 방출하는 현상이다.
종래의 유기 EL 소자는 무기 발광 다이오드에 비해 구동 전압이 높고, 발광 휘도나 발광 효율도 낮았다. 또, 특성 열화도 현저하여 실용화에는 이르지 못하고 있었다. 최근의 유기 EL 소자는 서서히 개량되고 있지만, 더욱 저전압에서의 고발광 휘도 및 고발광 효율이 요구되고 있다.
이들을 해결하는 것으로서, 예컨대 특허문헌 1에, 벤즈이미다졸 구조를 갖는 화합물을 발광 재료로서 사용한 소자가 개시되고, 이 소자가 전압 9V에서 200cd/m2의 휘도로 발광하는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 벤즈이미다졸환 및 안트라센 골격을 갖는 화합물이 기재되어 있다. 그러나, 이들 화합물을 이용한 유기 EL 소자보다도 한층 더한 발광 휘도 및 발광 효율인 것이 요구되고 있다.
특허문헌 1: 미국 특허 제5,645,948호 명세서
특허문헌 2: 일본 특허공개 제2002-38141호 공보
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 유기 EL 소자의 구성 성분으로서 유용한 신규한 질소 함유 헤테로환 유도체를 제공하고, 이 질소 함유 헤테로환 유도체를 유기 화합물층의 적어도 1층에 이용함으로써, 저전압이면서 발광 휘도 및 발광 효율이 높은 유기 EL 소자를 실현하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 특정 구조를 갖는 신규한 질소 함유 헤테로환 유도체를, 유기 EL 소자의 유기 화합물층의 적어도 1층에 이용함으로써, 유기 EL 소자의 저전압화와 고효율화를 달성할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 질소 함유 헤테로환 유도체를 제공하는 것이다.
Figure 112008038973585-PCT00001
{상기 화학식 1에서, R1 내지 R5는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 60의 아릴기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 피리딜기, 치환 또는 비치환의 퀴놀릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 50의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아 릴기로 치환된 아미노기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 또는 카복실기이며,
Ra는 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기이며,
R2 내지 R5의 이웃이 되는 기가 서로 결합하여 방향환을 형성하고 있을 수도 있고,
R1 내지 R5 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 치환기이다.
Figure 112008038973585-PCT00002
(L은 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 피리디닐렌기, 치환 또는 비치환의 퀴놀리닐렌기, 또는 치환 또는 비치환의 플루오렌일렌기이며,
Ar1은 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 피리디닐렌기 또는 치환 또는 비치환의 퀴놀리닐렌기이며,
Ar2는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 6O의 아릴기, 치환 또는 비치환의 피리딜기, 치환 또는 비치환의 퀴놀릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 50의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴기로 치환된 아미노기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 또는 카복실기이다.)}
또한, 본 발명은 음극과 양극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 EL 소자에 있어서, 상기 유기 박막층의 적어도 1층이, 상기 질소 함유 헤테로환 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유하는 유기 EL 소자를 제공하는 것이다.
발명의 효과
본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 이용한 유기 EL 소자는 저전압이면서 발광 효율이 높고, 전자 수송성이 우수하며, 고발광 효율인 것이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
즉, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 질소 함유 헤테로환 유도체를 제공하는 것이다.
화학식 1
Figure 112008038973585-PCT00003
상기 화학식 1에서, R1 내지 R5는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 60의 아릴기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치 환 또는 비치환의 피리딜기, 치환 또는 비치환의 퀴놀릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 50의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴기로 치환된 아미노기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 또는 카복실기이며,
Ra는 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기이며,
R2 내지 R5의 이웃이 되는 기가 서로 결합하여 방향환을 형성하고 있을 수도 있고,
R1 내지 R5 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 치환기이다.
화학식 2
Figure 112008038973585-PCT00004
화학식 2에서, L은 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 피리디닐렌기, 치환 또는 비치환의 퀴놀리닐렌기, 또는 치환 또는 비치환의 플루오렌일렌기이며,
Ar1은 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 피리디닐렌기 또는 치환 또는 비치환의 퀴놀리닐렌기이며,
Ar2는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 6O의 아릴기, 치환 또는 비치환의 피리딜기, 치환 또는 비치환의 퀴놀릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 50의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴기로 치환된 아미노기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 또는 카복실기이다.
본 발명은 화학식 1로 표시되는 화합물이, 하기 화학식 1a 또는 1b로 표시되는 화합물인 질소 함유 헤테로환 유도체를 제공한다.
Figure 112008038973585-PCT00005
Figure 112008038973585-PCT00006
상기 화학식 1a 및 1b에서, R1 내지 R5, Ra, L, Ar1, 및 Ar2는 각각 상기 화학식 1에서의 것과 같다. 상기 화학식 1a 및 1b에서, R2 내지 R5의 이웃이 되는 기의 1조가 서로 결합하여 방향환을 형성하고 있을 수도 있다.
상기 R1 내지 R5, 및 Ar2의 아릴기 및 헤테로아릴기로서는, 예컨대 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐일기, 3-바이페닐일기, 4-바이페닐일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐일기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 플루오란텐일기, 플루오렌일기, 1-피롤릴기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 2-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴 놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 9-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린- 9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 10-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 10-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸-1-인돌릴기, 4-t-뷰틸-1-인돌릴기, 2-t-뷰틸-3-인돌릴기, 4-t-뷰틸-3-인돌릴기 등을 들 수 있다.
이들 중에서, 바람직하게는 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 안트라센일기, 페난트릴기, 피렌일기, 크라이센일기, 플루오란텐일기, 플루오렌일기이다.
상기 R1 내지 R5, Ar2, 및 Ra의 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하 이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 2-나이트로아이소뷰틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 1,3-다이나이트로아이소프로필기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 4-메틸사이클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기 등을 들 수 있다.
상기 R1 내지 R5, 및 Ar2의 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 50의 사이클로 알킬기의 구체예로서는, 예컨대 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 4-메틸사이클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기 등을 들 수 있다.
상기 R1 내지 R5, 및 Ar2의 치환 또는 비치환의 핵 원자수 6 내지 50의 아르알킬기의 예로서는, 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐아이소프로필기, 2-페닐아이소프로필기, 페닐-t-뷰틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸아이소프로필기, 2-α-나프틸아이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸에틸기, 2-β-나프틸에틸기, 1-β-나프틸아이소프로필기, 2-β-나프틸아이소프로필기, 1-피롤릴메틸기, 2-(1-피롤릴)에틸기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기, m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기, m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-아이오도벤질기, m-아이오도벤질기, o-아이오도벤질기, p-하이드록시벤질기, m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-나이트로벤질기, m-나이트로벤질기, o-나이트로벤질기, p-사이아노벤질기, m-사이아노벤질기, o-사이아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐아이소프로필기, 1-클로로-2-페닐아이소프로필기 등을 들 수 있다.
상기 R1 내지 R5, 및 Ar2의 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시기는 -OY로 표시되는 기이며, Y의 예로서는, 상기 알킬기에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
상기 R1 내지 R5, 및 Ar2의 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴옥시기는 -OY'로 표시되고, Y'의 예로서는 상기 아릴기에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
상기 R1 내지 R5, 및 Ar2의 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기는 -SY'로 표시되고, Y'의 예로서는 상기 아릴기에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
상기 R1 내지 R5, 및 Ar2의 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기는 -COOY로 표시되는 기이며, Y의 예로서는, 상기 알킬기에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
상기 R1 내지 R5, 및 Ar2의 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴기로 치환된 아미노기에서의 아릴기의 예로서는 상기 아릴기에서 설명한 것과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
상기 R1 내지 R5, 및 Ar2의 할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
화학식 1, 1a, 및 1b에서, R2 내지 R5의 이웃이 되는 기의 1조는 서로 결합하여 방향환을 형성하고 있을 수도 있다. 이 때 형성된 환은 5원환 및 6원환이 바람직하고, 특히 6원환이 바람직하다.
L, 및 Ar1의 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기는, R1 내지 R5, 및 Ar2의 아릴기에서 설명한 치환기로부터, 추가로 하나의 수소 원자를 제외함으로써 되는 2가의 치환기이며, 바람직하게는 페닐렌기, 나프틸렌기, 바이페닐렌기, 안트라닐렌기, 페난트릴렌기, 피레닐렌기, 크리세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 플루오렌일렌기이다.
L, 및 Ar1의 피리디닐렌기 및 퀴놀리닐렌기는, 상기 피리딘일기 또는 퀴놀린일기로부터, 추가로 하나의 수소 원자를 제외함으로써 되는 2가의 치환기이다.
L의 플루오렌일렌기는, 상기 플루오렌기로부터, 추가로 하나의 수소 원자를 제외함으로써 되는 2가의 치환기이다.
본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체는, 유기 EL 소자용 재료이면 바람직하고, 유기 EL 소자용 발광 재료, 유기 EL 소자용 전자 주입 재료 또는 유기 EL 소자용 전자 수송 재료이면 더욱 바람직하다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 질소 함유 헤테로환 유도체의 구체예를 이하에 나타내지만, 이들 예시 화합물에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112008038973585-PCT00007
Figure 112008038973585-PCT00008
Figure 112008038973585-PCT00009
Figure 112008038973585-PCT00010
다음으로, 본 발명의 유기 EL 소자에 대하여 설명한다.
본 발명의 유기 EL 소자는, 음극과 양극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 EL 소자에 있어서, 상기 유기 박막층의 적어도 1층이, 상기 질소 함유 헤테로환 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유한다.
본 발명의 유기 EL 소자는, 상기 유기 박막층이 전자 수송층을 갖고, 상기 전자 수송층이 본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유하면 바람직하다. 또한, 상기 전자 수송층이 주성분으로서 질소 함유 헤테로환 유도체를 함유하면 바람직하다.
또한, 본 발명의 유기 EL 소자는, 발광층이 질소 함유 헤테로환 유도체, 아릴아민 화합물 및/또는 스타이릴아민 화합물을 함유하면 바람직하다.
아릴아민 화합물로서는 하기 화학식 A로 표시되는 화합물 등을 들 수 있고, 스타이릴아민 화합물로서는 하기 화학식 B로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다.
Figure 112008038973585-PCT00011
[화학식 A 중, Ar8은 페닐, 바이페닐, 터페닐, 스틸벤, 다이스타이릴아릴로부터 선택되는 기이며, Ar9 및 Ar10은 각각 수소 원자 또는 탄소수가 6 내지 20인 방향족기이고, Ar9 및 Ar10은 치환되어 있을 수도 있다. p'는 1 내지 4의 정수이다. 더욱 바람직하게는 Ar9 및/또는 Ar10은 스타이릴기가 치환되어 있다.]
여기에서, 탄소수가 6 내지 20인 방향족기로서는 페닐기, 나프틸기, 안트라센일기, 페난트릴기, 터페닐기 등이 바람직하다.
Figure 112008038973585-PCT00012
[화학식 B 중, Ar11 내지 Ar13은 치환되어 있을 수도 있는 핵 탄소수 5 내지 40의 아릴기이다. q'는 1 내지 4의 정수이다.]
여기에서, 핵 원자수가 5 내지 40인 아릴기로서는 페닐, 나프틸, 안트라센 일, 페난트릴, 피렌일, 코로닐, 바이페닐, 터페닐, 피롤릴, 퓨란일, 싸이오페닐, 벤조싸이오페닐, 옥사다이아졸릴, 다이페닐안트라센일, 인돌릴, 카바졸릴, 피리딜, 벤조퀴놀릴, 플루오란텐일, 아세나프토플루오란텐일, 스틸벤 등이 바람직하다. 또한, 핵 원자수가 5 내지 40인 아릴기는 치환기에 의해 더 치환되어 있을 수도 있고, 바람직한 치환기로서는 탄소수 1 내지 6의 알킬기(에틸기, 메틸기, i-프로필기, n-프로필기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등), 탄소수 1 내지 6의 알콕시기(에톡시기, 메톡시기, i-프로폭시기, n-프로폭시기, s-뷰톡시기, t-뷰톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기, 사이클로펜톡시기, 사이클로헥실옥시기 등), 핵 원자수 5 내지 40의 아릴기, 핵 원자수 5 내지 40의 아릴기로 치환된 아미노기, 핵 원자수 5 내지 40의 아릴기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 사이아노기, 나이트로기, 할로젠 원자(염소, 브롬, 요오드 등)를 들 수 있다.
이하, 본 발명의 유기 EL 소자의 소자 구성에 대하여 설명한다.
(1) 유기 EL 소자의 구성
본 발명의 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는,
(1) 양극/발광층/음극
(2) 양극/정공 주입층/발광층/음극
(3) 양극/발광층/전자 주입층/음극
(4) 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극
(5) 양극/유기 반도체층/발광층/음극
(6) 양극/유기 반도체층/전자 장벽층/발광층/음극
(7) 양극/유기 반도체층/발광층/부착 개선층/음극
(8) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극
(9) 양극/절연층/발광층/절연층/음극
(10) 양극/무기 반도체층/절연층/발광층/절연층/음극
(11) 양극/유기 반도체층/절연층/발광층/절연층/음극
(12) 양극/절연층/정공 주입층/정공 수송층/발광층/절연층/음극
(13) 양극/절연층/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극
등의 구조를 들 수 있다.
이들 중에서 통상 (8)의 구성이 바람직하게 사용되지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체는 유기 EL 소자의 어느 유기 박막층에도 사용할 수 있는데, 바람직하게는 발광 대역 또는 전자 수송 대역에 사용할 수 있고, 특히 바람직하게는 전자 주입층, 전자 수송층 및 발광층에 사용한다.
(2) 투광성 기판
본 발명의 유기 EL 소자는 투광성의 기판 상에 제작한다. 여기에서 말하는 투광성 기판은 유기 EL 소자를 지지하는 기판으로, 400 내지 700nm의 가시 영역의 빛의 투과율이 50% 이상이고 평활한 기판이 바람직하다.
구체적으로는, 유리판, 폴리머판 등을 들 수 있다. 유리판으로서는 특히 소다석회 유리, 바륨·스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노실리케이트 유리, 붕규 산 유리, 바륨붕규산 유리, 석영 등을 들 수 있다. 또한 폴리머판으로서는 폴리카보네이트, 아크릴, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에터 설파이드, 폴리설폰 등을 들 수 있다.
(3) 양극
본 발명의 유기 EL 소자의 양극은 정공을 정공 수송층 또는 발광층에 주입하는 기능을 갖는 것으로, 4.5eV 이상의 일함수를 갖는 것이 효과적이다. 본 발명에 사용되는 양극 재료의 구체예로서는 산화인듐주석 합금(ITO), 산화주석(NESA), 인듐-아연 산화물(IZO), 금, 은, 백금, 구리 등을 들 수 있다.
양극은 이들 전극 물질을 증착법이나 스퍼터링법 등의 방법으로 박막을 형성시킴으로써 제작할 수 있다.
이와 같이 발광층으로부터의 발광을 양극으로부터 취출하는 경우, 양극의 발광에 대한 투과율이 10%보다 크게 하는 것이 바람직하다. 또, 양극의 시트 저항은 수백 Ω/□ 이하가 바람직하다. 양극의 막 두께는 재료에 따라 다르지만, 통상 10nm 내지 1㎛, 바람직하게는 10 내지 200nm의 범위에서 선택된다.
(4) 발광층
유기 EL 소자의 발광층은 이하 (1) 내지 (3)의 기능을 아울러 갖는 것이다.
(1) 주입 기능; 전계 인가시에 양극 또는 정공 주입층으로부터 정공을 주입할 수 있고, 음극 또는 전자 주입층으로부터 전자를 주입할 수 있는 기능
(2) 수송 기능; 주입한 전하(전자와 정공)를 전계의 힘으로 이동시키는 기능
(3) 발광 기능; 전자와 정공의 재결합의 장소를 제공하고, 이것을 발광으로 이어지 게 하는 기능
단, 정공의 주입 용이성과 전자의 주입 용이성에 차이가 있을 수도 있고, 또한 정공과 전자의 이동도로 표시되는 수송능에 대소가 있을 수도 있지만, 어느 한쪽의 전하를 이동하는 것이 바람직하다.
이 발광층을 형성하는 방법으로서는, 예컨대 증착법, 스핀 코팅법, LB법 등의 공지의 방법을 적용할 수 있다. 발광층은 특히 분자 퇴적막인 것이 바람직하다. 여기에서 분자 퇴적막이란, 기상 상태의 재료 화합물로부터 침착되어 형성된 박막이나, 용액 상태 또는 액상 상태의 재료 화합물로부터 고체화되어 형성된 막인 것이며, 통상 이 분자 퇴적막은 LB법에 의해 형성된 박막(분자 누적막)과는 응집 구조, 고차 구조의 차이나, 그것에 기인하는 기능적인 차이에 의해 구분할 수 있다.
또, 일본 특허공개 제1982-51781호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 수지 등의 결착제와 재료 화합물을 용제에 녹여 용액으로 만든 후, 이것을 스핀 코팅법 등에 의해 박막화하는 것에 의해서도 발광층을 형성할 수 있다.
본 발명에서는, 본 발명의 목적이 손상되지 않는 범위에서, 소망에 따라 발광층에 본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체로 이루어지는 발광 재료 이외의 다른 공지의 발광 재료를 함유시킬 수도 있고, 또한 본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체로 이루어지는 발광 재료를 포함하는 발광층에 다른 공지의 발광 재료를 포함하는 발광층을 적층할 수도 있다.
본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체와 함께 발광층에 사용할 수 있는 발광 재료 또는 도핑 재료로서는, 예컨대 안트라센, 나프탈렌, 페난트렌, 피렌, 테트라센, 코로넨, 크라이센, 플루오레세인, 페릴렌, 프탈로페릴렌, 나프탈로페릴렌, 페리논, 프탈로페리논, 나프탈로페리논, 다이페닐뷰타다이엔, 테트라페닐뷰타다이엔, 쿠마린, 옥사다이아졸, 알다진, 비스벤즈옥사졸린, 비스스타이릴, 피라진, 사이클로펜타다이엔, 퀴놀린 금속 착체, 아미노퀴놀린 금속 착체, 벤조퀴놀린 금속 착체, 이민, 다이페닐에틸렌, 바이닐안트라센, 다이아미노카바졸, 피란, 싸이오피란, 폴리메틴, 멜로사이아닌, 이미다졸 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 퀴나크리돈, 루브렌 및 형광 색소 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체와 함께 발광층에 사용할 수 있는 호스트 재료로서는 하기 i 내지 ix로 표시되는 화합물이 바람직하다.
하기 화학식 i로 표시되는 비대칭 안트라센.
Figure 112008038973585-PCT00013
(식 중, Ar은 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 10 내지 50의 축합 방향족기이다.
Ar'는 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 50의 방향족기이다.
X는 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 50의 방향족기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 방향족 헤테로환기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기이다.
a, b 및 c는 각각 0 내지 4의 정수이다.
n은 1 내지 3의 정수이다. 또, n이 2 이상인 경우에는, [ ] 안은 동일하거나 상이할 수 있다.)
하기 화학식 ii로 표시되는 비대칭 모노안트라센 유도체.
Figure 112008038973585-PCT00014
(식 중, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 50의 방향족환기이며, m 및 n은 각각 1 내지 4의 정수이다. 단, m=n=1이고 또한 Ar1과 Ar2의 벤젠환에 대한 결합 위치가 좌우 대칭형인 경우에는, Ar1과 Ar2는 동일하지 않고, m 또는 n이 2 내지 4의 정수인 경우에는 m과 n은 상이한 정수이다.
R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 50의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 방향족 헤테로환기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환의 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기이다.)
하기 화학식 iii으로 표시되는 비대칭 피렌 유도체.
Figure 112008038973585-PCT00015
[식 중, Ar 및 Ar'는 각각 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 50의 방향족기이다.
L 및 L'는 각각 치환 또는 비치환의 페닐렌기, 치환 또는 비치환의 나프탈렌일렌기, 치환 또는 비치환의 플루오렌일렌기 또는 치환 또는 비치환의 다이벤조실롤릴 렌기이다.
m은 0 내지 2의 정수, n은 1 내지 4의 정수, s는 0 내지 2의 정수, t는 0 내지 4의 정수이다.
또한, L 또는 Ar은 피렌의 1 내지 5 위치 중 어느 하나에 결합하고, L' 또는 Ar'는 피렌의 6 내지 10 위치 중 어느 하나에 결합한다.
단, n+t가 짝수일 때, Ar, Ar', L, L'는 하기 (1) 또는 (2)를 충족시킨다.
(1) Ar≠Ar' 및/또는 L≠L'(여기에서 ≠은 상이한 구조의 기인 것을 나타낸다.)
(2) Ar=Ar'이면서 L=L'일 때
(2-1) m≠s 및/또는 n≠t, 또는
(2-2) m=s이면서 n=t일 때,
(2-2-1) L 및 L', 또는 피렌이 각각 Ar 및 Ar' 상의 상이한 결합 위치에 결합하고 있거나, (2-2-2) L 및 L', 또는 피렌이 Ar 및 Ar' 상의 동일한 결합 위치에서 결합하고 있는 경우, L 및 L' 또는 Ar 및 Ar'의 피렌에 있어서의 치환 위치가 1 위치와 6 위치, 또는 2 위치와 7 위치인 경우는 없다.]
하기 화학식 iv로 표시되는 비대칭 안트라센 유도체.
Figure 112008038973585-PCT00016
(식 중, A1 및 A2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 10 내지 20의 축합 방향족환기이다.
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 50의 방향족환기이다.
R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환의 핵 탄소수 6 내지 50의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 방향족 헤테로환기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환의 실릴기, 카르복실기, 할로 젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 또는 하이드록실기이다.
Ar1, Ar2, R9 및 R10은 각각 복수일 수도 있고, 인접하는 것끼리 포화 또는 불포화 의 환상 구조를 형성하고 있을 수도 있다.
단, 화학식 1에서, 중심의 안트라센의 9 위치 및 10 위치에, 이 안트라센 상에 나타내는 X-Y축에 대하여 대칭형으로 되는 기가 결합하는 경우는 없다.)
하기 화학식 v로 표시되는 안트라센 유도체.
Figure 112008038973585-PCT00017
(식 중, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 사이클로알킬기, 치환될 수도 있는 아릴기, 알콕실기, 아릴옥시기, 알킬아미노기, 알켄일기, 아릴아미노기 또는 치환될 수도 있는 헤테로환식 기를 나타내고, a 및 b는 각각 1 내지 5의 정수를 나타내고, 그것들이 2 이상인 경우, R1끼리 또는 R2끼리는 각각에 있어서 동일하거나 상이할 수 있고, 또 R1끼리 또는 R2끼리가 결합하여 환을 형성하고 있을 수도 있으며, R3과 R4, R5와 R6, R7과 R8, R9와 R10이 서로 결합하여 환을 형성하고 있을 수도 있다. L1은 단일 결합, -O-, -S-, -N(R)-(R은 알킬기 또는 치환될 수도 있 는 아릴기임), 알킬렌기 또는 아릴렌기를 나타낸다.)
하기 화학식 vi으로 표시되는 안트라센 유도체.
Figure 112008038973585-PCT00018
(식 중, R11 내지 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기, 알콕실기, 아릴옥시기, 알킬아미노기, 아릴아미노기 또는 치환될 수도 있는 복소환식 기를 나타내고, c, d, e 및 f는 각각 1 내지 5의 정수를 나타내고, 그것들이 2 이상인 경우, R11끼리, R12끼리, R16끼리 또는 R17끼리는 각각에 있어서 동일하거나 상이할 수 있고, 또 R11끼리, R12끼리, R16끼리 또는 R17끼리가 결합하여 환을 형성하고 있을 수도 있으며, R13과 R14, R18과 R19가 서로 결합하여 환을 형성하고 있을 수도 있다. L2는 단일 결합, -O-, -S-, -N(R)-(R은 알킬기 또는 치환될 수도 있는 아릴기임), 알킬렌기 또는 아릴렌기를 나타낸다.)
하기 화학식 vii로 표시되는 스피로플루오렌 유도체.
Figure 112008038973585-PCT00019
(식 중, A5 내지 A8은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 바이페닐기 또는 치환 또는 비치환의 나프틸기이다.)
하기 화학식 viii로 표시되는 축합환 함유 화합물.
Figure 112008038973585-PCT00020
(식 중, A9 내지 A14는 상기와 동일하며, R21 내지 R23은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 3 내지 6의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕실기, 탄소수 5 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 7 내지 18의 아르알킬옥시기, 탄소수 5 내지 16의 아릴아미노기, 나이트로기, 사이아노기, 탄소수 1 내지 6의 에스터기 또는 할로젠 원자를 나타내고, A9 내지 A14 중 적어도 1개는 3환 이상의 축합 방향족환을 갖는 기이다.)
하기 화학식 ix로 표시되는 플루오렌 화합물.
Figure 112008038973585-PCT00021
(식 중, R1 및 R2는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로환기, 치환 아미노기, 사이아노기 또는 할로젠 원자를 나타낸다. 상이한 플루오렌기에 결합하는 R1끼리, R2끼리는 동일하거나 상이할 수 있고, 동일한 플루오렌기에 결합하는 R1 및 R2는 동일하거나 상이할 수 있다. R3 및 R4는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 아릴기 또는 치환 또는 비치환의 헤테로환기를 나타내고, 상이한 플루오렌기에 결합하는 R3끼리, R4끼리는 동일하거나 상이할 수 있고, 동일한 플루오렌기에 결합하는 R3 및 R4는 동일하거나 상이할 수 있다. Ar1 및 Ar2는 벤젠환의 합계가 3개 이상인 치환 또는 비치환의 축합 다환 방향족기 또는 벤젠환과 헤테로환의 합계가 3개 이상인 치환 또는 비치환의 탄소로 플루오렌기에 결합하는 축합 다환 헤테로환기를 나타내며, Ar1 및 Ar2는 동일하거나 상이할 수 있다. n은 1 내지 10의 정수를 나타낸다.)
이상의 호스트 재료 중에서도, 바람직하게는 안트라센 유도체, 더욱 바람직하게는 모노안트라센 유도체, 특히 바람직하게는 비대칭 안트라센이다.
또한, 도펀트의 발광 재료로서는 인광 발광성의 화합물을 사용할 수도 있다. 인광 발광성의 화합물로서는 호스트 재료에 카바졸환을 포함하는 화합물이 바람직하다. 도펀트로서는 삼중항 여기자로부터 발광할 수 있는 화합물이고, 삼중항 여기자로부터 발광하는 한 특별히 한정되지 않지만, Ir, Ru, Pd, Pt, Os 및 Re로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속 착체인 것이 바람직하다.
카바졸환을 포함하는 화합물로 이루어지는 인광 발광에 적합한 호스트는 그 여기 상태로부터 인광 발광성 화합물로 에너지 이동이 일어나는 결과, 인광 발광성 화합물을 발광시키는 기능을 갖는 화합물이다. 호스트 화합물로서는 여기자 에너지를 인광 발광성 화합물로 에너지 이동할 수 있는 화합물이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적당하게 선택할 수 있다. 카바졸환 이외에 임의의 헤테로환 등을 가지고 있을 수도 있다.
이러한 호스트 화합물의 구체예로서는 카바졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알케인 유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸론 유도체, 페닐렌다이아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 스타이릴안트라센 유도체, 플루오렌온 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라잔 유도체, 방향족 제3급 아민 화합물, 스타이릴아민 화합물, 방향족 다이메틸리덴계 화합물, 포르피린계 화합물, 안트라퀴노다이메테인 유도체, 안트론 유도체, 다이페닐퀴논 유도체, 싸이오피란 다이옥사이드 유도체, 카보다이이미드 유도체, 플루오렌일리덴 메테인 유도체, 다이스타이릴피라진 유도체, 나프탈렌 페릴렌 등의 헤테로환 테트라카복실산 무수 물, 프탈로사이아닌 유도체, 8-퀴놀린올 유도체의 금속 착체나 메탈프탈로사이아닌, 벤즈옥사졸이나 벤조싸이아졸을 배위자로 하는 금속 착체로 대표되는 각종 금속 착체, 폴리실레인계 화합물, 폴리(N-바이닐카바졸) 유도체, 아닐린계 공중합체, 싸이오펜 올리고머, 폴리싸이오펜 등의 도전성 고분자 올리고머, 폴리싸이오펜 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리페닐렌 바이닐렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체 등의 고분자 화합물 등을 들 수 있다. 호스트 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
구체예로서는 이하와 같은 화합물을 들 수 있다.
Figure 112008038973585-PCT00022
인광 발광성의 도펀트는 삼중항 여기자로부터 발광할 수 있는 화합물이다. 삼중항 여기자로부터 발광하는 한 특별히 한정되지 않지만, Ir, Ru, Pd, Pt, Os 및 Re로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속 착체인 것이 바람직하고, 포르피린 금속 착체 또는 오쏘메탈화 금속 착체가 바람직하다. 포르피린 금속 착체로서는 포르피린 백금 착체가 바람직하다. 인광 발광성 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
오쏘메탈화 금속 착체를 형성하는 배위자로서는 여러 가지의 것이 있지만, 바람직한 배위자로서는 2-페닐피리딘 유도체, 7,8-벤조퀴놀린 유도체, 2-(2-싸이엔일)피리딘 유도체, 2-(1-나프틸)피리딘 유도체, 2-페닐퀴놀린 유도체 등을 들 수 있다. 이들 유도체는 필요에 따라 치환기를 가질 수도 있다. 특히, 불소화물, 트라이플루오로메틸기를 도입한 것이 청색계 도펀트로서는 바람직하다. 또한 보조 배위자로서 아세틸아세토네이트, 피크르산 등의 상기 배위자 이외의 배위자를 가지고 있을 수도 있다.
인광 발광성의 도펀트의 발광층에서의 함유량으로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적당하게 선택할 수 있지만, 예컨대 0.1 내지 70질량%이며, 1 내지 30질량%가 바람직하다. 인광 발광성 화합물의 함유량이 0.1질량% 미만이면 발광이 미약하여 그 함유 효과가 충분히 발휘되지 않고, 70질량%를 초과하는 경우에는 농도 소광이라 일컬어지는 현상이 현저하게 되어 소자 성능이 저하된다.
또한, 발광층은 필요에 따라 정공 수송재, 전자 수송재, 폴리머 바인더를 함유할 수도 있다.
또한, 발광층의 막 두께는 바람직하게는 5 내지 50nm, 보다 바람직하게는 7 내지 50nm, 가장 바람직하게는 10 내지 50nm이다. 5nm 미만에서는 발광층 형성이 곤란하게 되어, 색도의 조정이 곤란하게 될 우려가 있고, 50nm를 초과하면 구동 전 압이 상승할 우려가 있다.
(5) 정공 주입·수송층(정공 수송 대역)
정공 주입·수송층은 발광층으로의 정공 주입을 도와, 발광 영역까지 수송하는 층으로서, 정공 이동도가 크며, 이온화 에너지가 통상 5.5eV 이하로 작다. 이러한 정공 주입·수송층으로서는, 보다 낮은 전계 강도에서 정공을 발광층으로 수송하는 재료가 바람직하고, 또한 정공의 이동도가, 예컨대 104 내지 106V/cm의 전계 인가시에, 적어도 10-4cm2/V·초이면 바람직하다.
본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체를 정공 수송 대역에 사용하는 경우, 본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체 단독으로 정공 주입, 수송층을 형성할 수도 있고, 다른 재료와 혼합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체와 혼합하여 정공 주입·수송층을 형성하는 재료로서는 상기의 바람직한 성질을 갖는 것이면 특별히 제한은 없고, 종래, 광도전 재료에서 정공의 전하 수송 재료로서 관용되고 있는 것이나, 유기 EL 소자의 정공 주입·수송층에 사용되는 공지의 것 중에서 임의의 것을 선택하여 사용할 수 있다.
구체예로서는, 트라이아졸 유도체(미국 특허 3,112,197호 명세서 등 참조), 옥사다이아졸 유도체(미국 특허 3,189,447호 명세서 등 참조), 이미다졸 유도체(일본 특허공고 제1962-16096호 공보 등 참조), 폴리아릴알케인 유도체(미국 특허 3,615,402호 명세서, 동 제3,820,989호 명세서, 동 제3,542,544호 명세서, 일본 특 허공고 제1970-555호 공보, 동 제1976-10983호 공보, 일본 특허공개 제1976-93224호 공보, 동 제1980-17105호 공보, 동 제1981-4148호 공보, 동 제1980-108667호 공보, 동 제1980-156953호 공보, 동 제1981-36656호 공보 등 참조), 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체(미국 특허 제3,180,729호 명세서, 동 제4,278,746호 명세서, 일본 특허공개 제1980-88064호 공보, 동 제1980-88065호 공보, 동 제1974-105537호 공보, 동 제1980-51086호 공보, 동 제1981-80051호 공보, 동 제1981-88141호 공보, 동 제1982-45545호 공보, 동 제1979-112637호 공보, 동 제1980-74546호 공보 등 참조), 페닐렌다이아민 유도체(미국 특허 제3,615,404호 명세서, 일본 특허공고 제1976-10105호 공보, 동 제1971-3712호 공보, 동 제1972-25336호 공보, 일본 특허공개 제1979-53435호 공보, 동 제1979-110536호 공보, 동 제1979-119925호 공보 등 참조), 아릴아민 유도체(미국 특허 제3,567,450호 명세서, 동 제3,180,703호 명세서, 동 제3,240,597호 명세서, 동 제3,658,520호 명세서, 동 제4,232,103호 명세서, 동 제4,175,961호 명세서, 동 제4,012,376호 명세서, 일본 특허공고 제1974-35702호 공보, 동 제1964-27577호 공보, 일본 특허공개 제1980-144250호 공보, 동 1981-119132호 공보, 동 제1981-22437호 공보, 서독 특허 제1,110,518호 명세서 등 참조), 아미노 치환 칼콘 유도체(미국 특허 제3,526,501호 명세서 등 참조), 옥사졸 유도체(미국 특허 제3,257,203호 명세서 등에 개시된 것), 스타이릴안트라센 유도체(일본 특허공개 제1981-46234호 공보 등 참조), 플루오레논 유도체(일본 특허공개 제1979-110837호 공보 등 참조), 하이드라존 유도체(미국 특허 제3,717,462호 명세서, 일본 특허공개 제1979-59143호 공보, 동 제1980-52063호 공보, 동 제1980- 52064호 공보, 동 제1980-46760호 공보, 동 제1980-85495호 공보, 동 제1982-11350호 공보, 동 제1982-148749호 공보, 일본 특허공개 제1990-311591호 공보 등 참조), 스틸벤 유도체(일본 특허공개 제1986-210363호 공보, 동 제1986-228451호 공보, 동 제1986-14642호 공보, 동 1986-72255호 공보, 동 제1987-47646호 공보, 동 제1987-36674호 공보, 동 제1987-10652호 공보, 동 제1987-30255호 공보, 동 제1985-93455호 공보, 동 제1985-94462호 공보, 동 제1985-174749호 공보, 동 제1985-175052호 공보 등 참조), 실라잔 유도체(미국 특허 제4,950,950호 명세서), 폴리실레인계(일본 특허공개 제1990-204996호 공보), 아닐린계 공중합체(일본 특허공개 제1990-282263호 공보), 일본 특허공개 제1989-211399호 공보에 개시되어 있는 도전성 고분자 올리고머(특히 싸이오페논 올리고머) 등을 들 수 있다.
정공 주입·수송층의 재료로서는, 상기한 것을 사용할 수 있지만, 포르피린 화합물(일본 특허공개 제1988-2956965호 공보 등에 개시된 것), 방향족 제3급 아민 화합물 및 스타이릴아민 화합물(미국 특허 제4,127,412호 명세서, 일본 특허공개 제1978-27033호 공보, 동 제1979-58445호 공보, 동 제1979-149634호 공보, 동 제1979-64299호 공보, 동 제1980-79450호 공보, 동 제1980-144250호 공보, 동 제1981-119132호 공보, 동 제1986-295558호 공보, 동 제1986-98353호 공보, 동 제1988-295695호 공보 등 참조), 특히 방향족 제3급 아민 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
또, 미국 특허 제5,061,569호에 기재되어 있는 2개의 축합 방향족환을 분자내에 갖는, 예컨대 4,4'-비스(N-(1-나프틸)-N-페닐아미노)바이페닐(이하 NPD로 약 기함), 또 일본 특허공개 제1992-308688호 공보에 기재되어 있는 트라이페닐아민 유닛이 3개의 스타 버스트형으로 연결된 4,4',4"-트리스(N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노)트라이페닐아민(이하 MTDATA로 약기함) 등을 들 수 있다.
또한, 발광층 재료로서 제시한 전술한 방향족 다이메틸리딘계 화합물 외에, p형 Si, p형 SiC 등의 무기 화합물도 정공 주입·수송층의 재료로서 사용할 수 있다.
정공 주입·수송층은 본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체를, 예컨대 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, LB법 등의 공지의 방법에 의해 박막화함으로써 형성할 수 있다. 정공 주입·수송층으로서의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 통상은 5㎚ 내지 5㎛이다. 이 정공 주입·수송층은, 정공 수송 대역에 본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체를 함유하고 있으면, 전술한 재료의 1종 또는 2종 이상으로 이루어진 1층으로 구성될 수도 있고, 상기 정공 주입·수송층과는 별종의 화합물로 이루어진 정공 주입·수송층을 적층한 것일 수도 있다.
또한, 발광층으로의 정공 주입 또는 전자 주입을 돕는 층으로서 유기 반도체층을 설치할 수도 있고, 10-10S/cm 이상의 도전율을 갖는 것이 적합하다. 이러한 유기 반도체층의 재료로서는 싸이오펜 함유 올리고머나 일본 특허공개 제1996-193191호 공보에 개시되어 있는 아릴아민 함유 올리고머 등의 도전성 올리고머, 아릴아민 함유 덴드리머 등의 도전성 덴드리머 등을 사용할 수 있다.
(6) 전자 주입·수송층(전자 수송 대역)
전자 주입층·수송층은 발광층으로의 전자의 주입을 도와, 발광 영역까지 수송하는 층으로서, 전자 이동도가 크고, 전자 친화력이 통상 2.5eV 이상으로 크다. 이러한 전자 주입·수송층으로서는 보다 낮은 전계 강도에서 전자를 발광층으로 수송하는 재료가 바람직하고, 또한 전자의 이동도가, 예컨대 104 내지 106V/cm의 전계 인가시에, 적어도 10-6cm2/V·초이면 바람직하다.
본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체를 전자 수송 대역에 사용하는 경우, 본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체 단독으로 전자 주입·수송층을 형성할 수도 있고, 다른 재료와 혼합할 수도 있다.
본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체와 혼합하여 전자 주입·수송층을 형성하는 재료로서는, 상기의 바람직한 성질을 갖는 것이면 특별히 제한은 없고, 종래, 광도전 재료에서 전자의 전하 수송 재료로서 관용되고 있는 것이나, 유기 EL 소자의 전자 주입·수송층에 사용되는 공지의 것 중에서 임의의 것을 선택하여 사용할 수 있다.
또한 부착 개선층은 이 전자 주입층 중에서 특히 음극과의 부착이 좋은 재료로 이루어지는 층이다. 본 발명의 유기 EL 소자에서는, 상기 본 발명 화합물을 전자 주입층·수송층, 부착 개선층으로서 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 소자의 바람직한 형태로, 전자를 수송하는 영역 또는 음극과 유기층의 계면 영역에 환원성 도펀트를 함유하는 소자가 있다. 본 발명에서는, 본 발명 화합물에 환원성 도펀트를 함유하는 유기 EL 소자가 바람직하다. 여 기에서, 환원성 도펀트란 전자 수송성 화합물을 환원할 수 있는 물질로 정의된다. 따라서, 일정한 환원성을 갖는 것이면, 여러 가지의 것을 사용할 수 있고, 예컨대 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로젠화물, 알칼리 토류 금속의 산화물, 알칼리 토류 금속의 할로젠화물, 희토류 금속의 산화물 또는 희토류 금속의 할로젠화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리 토류 금속의 유기 착체, 희토류 금속의 유기 착체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 적합하게 사용할 수 있다.
또한, 보다 구체적으로, 바람직한 환원성 도펀트로서는 Na(일함수: 2.36eV), K(일함수: 2.28eV), Rb(일함수: 2.16eV) 및 Cs(일함수: 1.95eV)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 알칼리 금속이나, Ca(일함수: 2.9eV), Sr(일함수: 2.0 내지 2.5eV), 및 Ba(일함수: 2.52eV)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 알칼리 토류 금속을 들 수 있고, 일함수가 2.9eV 이하인 것이 특히 바람직하다. 이들 중, 보다 바람직한 환원성 도펀트는 K, Rb 및 Cs로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 알칼리 금속이며, 더욱 바람직하게는 Rb 또는 Cs이며, 가장 바람직한 것은 Cs이다. 이들 알칼리 금속은 특히 환원능력이 높고, 전자 주입 영역으로의 비교적 소량의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다. 또, 일함수가 2.9eV 이하인 환원성 도펀트로서 이들 2종 이상의 알칼리 금속의 조합도 바람직하고, 특히, Cs를 포함한 조합, 예컨대 Cs와 Na, Cs와 K, Cs와 Rb 또는 Cs와 Na와 K의 조합인 것이 바람직하다. Cs를 조합하여 포함함으로써, 환원 능력을 효율적으로 발휘할 수 있고, 전자 주입 영역으로 의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다.
본 발명에서는 음극과 유기층 사이에 절연체나 반도체로 구성되는 전자 주입층을 더 설치할 수도 있다. 이 때, 전류의 누설을 유효하게 방지하여, 전자 주입성을 향상시킬 수 있다. 이러한 절연체로서는 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토류 금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알칼리 토류 금속의 할로젠화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입층이 이들 알칼리 금속 칼코게나이드 등으로 구성되어 있으면, 전자 주입성을 더욱 향상시킬 수 있다는 점에서 바람직하다. 구체적으로는, 바람직한 알칼리 금속 칼코게나이드로서는, 예컨대 Li2O, K2O, Na2S, Na2Se 및 Na2O를 들 수 있으며, 바람직한 알칼리 토류 금속 칼코게나이드로서는, 예컨대 CaO, BaO, SrO, BeO, BaS 및 CaSe를 들 수 있다. 또, 바람직한 알칼리 금속의 할로젠화물로서는, 예컨대 LiF, NaF, KF, LiCl, KCl 및 NaCl 등을 들 수 있다. 또, 바람직한 알칼리 토류 금속의 할로젠화물로서는, 예컨대 CaF2, BaF2, SrF2, MgF2 및 BeF2와 같은 불화물이나, 불화물 이외의 할로젠화물을 들 수 있다.
또한, 전자 수송층을 구성하는 반도체로서는 Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb 및 Zn 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 산화물, 질화물 또는 산질화물 등의 1종 단독 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다. 또한, 전자 수송층을 구성하는 무기 화합물이 미세결정 또는 비정질의 절연성 박막인 것이 바람직하다. 전자 수송층이 이들 절연성 박막으로 구성되어 있으면, 보다 균질한 박막이 형성되기 때문에 다크 스폿 등의 화소 결함을 감소시킬 수 있다. 또한, 이러한 무기 화합물로서는 전술한 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토류 금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알칼리 토류 금속의 할로젠화물 등을 들 수 있다.
(7) 음극
음극으로서는 전자 주입·수송층 또는 발광층에 전자를 주입하기 위하여, 일함수가 작은(4eV 이하) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 전극 물질로 하는 것이 사용된다. 이러한 전극 물질의 구체예로서는 나트륨, 나트륨·칼륨 합금, 마그네슘, 리튬, 마그네슘·은 합금, 알루미늄/산화 알루미늄, 알루미늄·리튬 합금, 인듐, 희토류 금속 등을 들 수 있다.
이 음극은 이들 전극 물질을 증착이나 스퍼터링 등의 방법에 의해 박막을 형성시킴으로써 제작할 수 있다.
여기에서, 발광층으로부터의 발광을 음극으로부터 취출하는 경우, 음극의 발광에 대한 투과율은 10%보다 크게 하는 것이 바람직하다.
또, 음극으로서의 시트 저항은 수백 Ω/□ 이하가 바람직하며, 막 두께는 통상 10㎚ 내지 1㎛, 바람직하게는 50 내지 200㎚이다.
(8) 절연층
유기 EL 소자는 초박막에 전계를 인가하기 때문에, 누설이나 쇼트에 의한 화소 결함이 생기기 쉽다. 이를 방지하기 위해서, 1쌍의 전극 사이에 절연성 박막층을 삽입하는 것이 바람직하다.
절연층에 사용되는 재료로서는, 예컨대 산화 알루미늄, 불화 리튬, 산화 리튬, 불화 세슘, 산화 세슘, 산화 마그네슘, 불화 마그네슘, 산화 칼슘, 불화 칼슘, 질화 알루미늄, 산화 타이타늄, 산화 규소, 산화 게르마늄, 질화 규소, 질화 붕소, 산화 몰리브덴, 산화 루테늄, 산화 바나듐 등을 들 수 있으며, 이들의 혼합물이나 적층물을 사용할 수도 있다.
(9) 유기 EL 소자의 제조방법
이상 예시한 재료 및 형성 방법에 의해 양극, 발광층, 필요에 따라 정공 주입·수송층, 및 필요에 따라 전자 주입·수송층을 형성하고, 또한 음극을 형성함으로써 유기 EL 소자를 제작할 수 있다. 또 음극으로부터 양극으로, 상기와 반대의 순서로 유기 EL 소자를 제작할 수도 있다.
이하, 투광성 기판 상에 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극이 차례로 설치된 구성의 유기 EL 소자의 제작예를 기재한다.
먼저, 적당한 투광성 기판 상에 양극 재료로 이루어진 박막을 1㎛ 이하, 바람직하게는 10 내지 200㎚의 범위의 막 두께가 되도록 증착이나 스퍼터링 등의 방법에 의해 형성하여 양극을 제작한다. 다음으로, 이 양극 상에 정공 주입층을 설치한다. 정공 주입층의 형성은 전술한 바와 같이 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, LB법 등의 방법에 의해 행할 수 있지만, 균질한 막이 얻어지기 쉽고, 또한 핀홀이 발생하기 어렵다는 등의 점에서 진공 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 진공 증착법에 의해 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 사용하는 화합물(정공 주입층의 재료), 목적으로 하는 정공 주입층의 결정 구조나 재결합 구조 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착원 온도 50 내지 450℃, 진공도 10-7 내지 10-3Torr, 증착 속도 0.01 내지 50㎚/초, 기판 온도 -50 내지 300℃, 막 두께 5㎚ 내지 5㎛의 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
다음으로, 정공 주입층 상에 발광층을 설치하는 발광층의 형성도, 원하는 유기 발광 재료를 사용하여 진공 증착법, 스퍼터링, 스핀 코팅법, 캐스팅법 등의 방법에 의해 유기 발광 재료를 박막화함으로써 형성할 수 있지만, 균질한 막이 얻어지기 쉽고, 또한 핀홀이 발생하기 어렵다는 등의 점에서 진공 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 진공 증착법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층과 동일한 조건 범위 중에서 선택할 수 있다.
다음으로, 이 발광층 상에 전자 주입층을 설치한다. 정공 주입층, 발광층과 마찬가지로 균질한 막을 얻을 필요가 있기 때문에 진공 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 증착 조건은 정공 주입층, 발광층과 동일한 조건 범위로부터 선택할 수 있다.
본 발명의 질소 함유 헤테로환 유도체는 발광 대역이나 정공 수송 대역의 어느 층에 함유시키는가에 따라 다르지만, 진공 증착법을 사용하는 경우는 다른 재료와의 공증착을 할 수 있다. 또, 스핀 코팅법을 사용하는 경우는, 다른 재료와 혼합함으로써 함유시킬 수 있다.
마지막으로 음극을 적층하여 유기 EL 소자를 얻을 수 있다.
음극은 금속으로 구성되는 것으로, 증착법, 스퍼터링을 사용할 수 있다. 그러나, 베이스 유기물층을 제막시의 손상으로부터 지키기 위해서는 진공 증착법이 바람직하다.
이 유기 EL 소자의 제작은 1회의 진공 흡인으로 일괄적으로 양극에서 음극까지 제작하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 소자의 각 층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 종래 공지된 진공 증착법, 스핀 코팅법 등에 의한 형성 방법을 사용할 수 있다. 본 발명의 유기 EL 소자에 사용하는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 유기 박막층은, 진공 증착법, 분자선 증착법(MBE법) 또는 용매에 녹인 용액의 디핑법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법 등의 도포법에 의한 공지의 방법으로 형성할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 각 유기층의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 막 두께가 지나치게 얇으면 핀홀 등의 결함이 생기기 쉽고, 반대로 지나치게 두꺼우면 높은 인가 전압이 필요하게 되어 효율이 나빠지기 때문에, 통상은 수 ㎚에서 1㎛의 범위가 바람직하다.
또한, 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가하는 경우, 양극을 +, 음극을 -의 극성으로 하여, 5 내지 40V의 전압을 인가하면 발광을 관측할 수 있다. 또, 역의 극성으로 전압을 인가하더라도 전류는 흐르지 않아, 발광은 전혀 생기지 않는다. 또한 교류 전압을 인가한 경우에는 양극이 +, 음극이 -의 극성으로 되었을 때만 균일한 발광이 관측된다. 인가하는 교류의 파형은 임의일 수 있다.
(1-1) 중간체 A1의 합성
Figure 112008038973585-PCT00023
2-플루오로나이트로벤젠 39g(0.27mol), 아세트산나트륨 90g(1.1mol), 4-브로모아닐린 47g(0.27mol)을 가하고, 8시간 120℃에서 가열 교반한 후, 다이클로로메테인 300mL에 녹여, 물, 포화 식염수로 순차적으로 세정했다. 무수 황산나트륨으로 건조하고, 용매를 감압 증류 제거했다. 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(전개 용매: 다이클로로메테인)로써 정제하고, 수득된 결정을 메탄올로 세정하여, 중간체 A1 41g을 수득했다. 수율 50%.
(1-3) 중간체 A3의 합성
Figure 112008038973585-PCT00024
중간체 A3 13.5g(51mmol)을 N-메틸피롤리돈 100mL에 녹이고, 또한 무수 아세트산 7.8g(76mmol)을 적하하여, 실온에서 3시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 물 500mL에 넣어, 석출한 고체를 여과하고, 감압 건조함으로써, 중간체 A3 9.6g을 수득했다. 수율 61%.
(1-4) 중간체 A4의 합성
Figure 112008038973585-PCT00025
중간체 A3 9.6g(31mmol)을 자일렌 100mL에 용해시키고, p-톨루엔설폰산 1수화물 0.6g(3.2mmol)을 가하여, 질소 분위기하, 8시간 가열 환류하면서 공비 탈수를 행했다. 반응액을 실온까지 냉각한 후, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(전개 용매: 다이클로로메테인)로써 정제하고, 수득된 결정을, 중간체 A4 5.8g을 수득했다. 수율 64%.
(1-5) 중간체 A5의 합성
Figure 112008038973585-PCT00026
중간체 A2 4.5g(17mmol)을 아세트산에틸 50mL에 녹이고, 또한 트라이에틸아민 2.6g(26mmol), 염화프로피오닐 2.4g(25mmol)을 적하하여, 실온에서 3시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 물 200mL에 넣고, 다이클로로메테인으로 추출 하고, 유기층을 5% 염산, 포화 식염수로 세정하고, 황산나트륨으로 건조했다. 회전식 증발기로 용매를 증류 제거하여, 중간체 A5 5.5g을 수득했다. 수율 100%.
(1-6) 중간체 A6의 합성
Figure 112008038973585-PCT00027
중간체 A3 대신에 중간체 A5를 이용한 것 이외에는, 중간체 A4의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 중간체 A6을 백색 결정으로서 수득했다. 수량 1.6g(수율 31%)을 수득했다.
(1-7) 중간체 A7의 합성
Figure 112008038973585-PCT00028
염화프로피오닐 대신에 염화아이소뷰티릴을 이용한 것 이외에는, 중간체 A5의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 중간체 A7을 백색 결정으로서 수득했다. 수량 5.0g(수율 90%)을 수득했다.
(1-8) 중간체 A8의 합성
Figure 112008038973585-PCT00029
중간체 A3 대신에 중간체 A7을 이용한 것 이외에는, 중간체 A4의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 중간체 A8을 백색 결정으로서 수득했다. 수량 2.0g(수율 42%)을 수득했다.
(1-9) 화합물 (1)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00030
아르곤 기류하 300mL 3구 플라스크에, 중간체 A4 5.8g(20mmol), 10-나프탈렌-2-일-안트라센-9-보론산 8.1g(23mmol), 테트라키스트라이페닐포스핀 팔라듐(0) 0.47g(0.4mmol), 1,2-다이메톡시에테인 70mL, 2M 탄산나트륨 수용액 35mL(70mmol)를 가하여, 8시간 가열 환류했다. 반응 종료 후, 유기층을 수세하여, 황산마그네슘으로 건조 후, 회전식 증발기로 용매를 증류 제거했다. 수득된 조결정을 톨루엔 50mL, 메탄올 100mL로써 세정하여, 담황색 분말 6.9g을 수득했다. 이것은 FD- MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (1)로 동정되었다(수율 66%).
(1-10) 화합물 (2)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00031
10-나프탈렌-2-일-안트라센-9-보론산 대신에 10-나프탈렌-1-일-안트라센-9-보론산을 이용한 것 이외에는, 화합물 (1)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합물 (2)를 담황색 분말로서 수득했다. 수량 3.1g(수율 58%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (2)로 동정되었다.
(1-11) 화합물 (3)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00032
10-나프탈렌-2-일-안트라센-9-보론산 대신에 4-바이페닐-안트라센-9-보론산을 이용한 것 이외에는, 화합물 (1)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합 물 (3)을 담황색 분말로서 수득했다. 수량 2.8g(수율 50%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (3)으로 동정되었다.
(1-12) 화합물 (4)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00033
10-나프탈렌-2-일-안트라센-9-보론산 대신에 2-바이페닐-안트라센-9-보론산을 이용한 것 이외에는, 화합물 (1)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합물 (4)를 담황색 분말로서 수득했다. 수량 2.5g(수율 45%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (4)로 동정되었다.
(1-13) 화합물 (5)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00034
10-나프탈렌-2-일-안트라센-9-보론산 대신에 4-(1-나프틸)페닐-안트라센-9- 보론산을 이용한 것 이외에는, 화합물 (1)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합물 (4)를 담황색 분말로서 수득했다. 수량 3.0g(수율 49%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (5)로 동정되었다.
(1-14) 화합물 (6)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00035
중간체 A4 대신에 중간체 A6을 이용한 것 이외에는, 화합물 (1)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합물 (6)을 담황색 분말로서 수득했다. 수량 1.7g(수율 61%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (6)으로 동정되었다.
(1-15) 화합물 (7)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00036
중간체 A4 대신에 중간체 A8을 이용한 것 이외에는, 화합물 (1)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합물 (7)을 담황색 분말로서 수득했다. 수량 2.3g(수율 67%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (7)로 동정되었다.
(2-1) 중간체 B1의 합성
Figure 112008038973585-PCT00037
2,5-다이브로모나이트로벤젠 50g(0.18mol), 아세트산나트륨 59g(0.72mol), 아닐린 17g(0.18mol)을 가하여, 8시간 120℃에서 가열 교반한 후, 다이클로로메테인 300mL에 녹여, 물, 포화 식염수로 순차적으로 세정했다. 무수 황산나트륨으로 건조하고, 용매를 감압 증류 제거했다. 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(전개 용매: 다이클로로메테인)로써 정제하고, 수득된 결정을 메탄올로 세정하여, 중간체 B1 24g을 수득했다. 수율 45%.
(2-2) 중간체 B2의 합성
Figure 112008038973585-PCT00038
중간체 B1 20g(68mmol)을 테트라하이드로퓨란 200mL에 용해시켜, 아르곤 분위기하, 실온에서 교반하고 있는 시점에서, 하이드로설파이트 나트륨 60g(0.35mol)/물 200mL의 용액을 적하했다. 또한 메탄올 10mL를 가하여, 3시간 교 반했다. 반응 용액이 투명하게 되어 반응이 종료된 후, 아세트산에틸 200mL를 가하고, 또한 탄산수소나트륨 수용액을 가하여 중화했다. 이어서, 유기층을 분리하여, 포화 식염수로 세정한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조하고, 용매를 감압 증류 제거하여, 중간체 B2 18g을 수득했다. 수율 100%.
(2-3) 중간체 B3의 합성
Figure 112008038973585-PCT00039
중간체 B2 18g(68mmol)을 N-메틸피롤리돈 200mL에 녹이고, 또한 무수 아세트산 10g(98mmol)을 적하하여, 실온에서 3시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 물 500mL에 넣고, 석출한 고체를 여과하고, 감압 건조함으로써, 중간체 B3 9.7g을 수득했다. 수율 47%.
(2-4) 중간체 B4의 합성
Figure 112008038973585-PCT00040
중간체 B3 9.7g(32mmol)을 자일렌 100mL에 용해시키고, p-톨루엔설폰산 1수 화물 0.6g(3.2mmol)을 가하여, 질소 분위기하, 8시간 가열 환류하면서 공비 탈수를 행했다. 반응액을 실온까지 냉각한 후, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(전개 용매: 다이클로로메테인)로써 정제하고, 수득된 결정을, 중간체 B4 6.7g을 수득했다. 수율 74%.
(2-5) 중간체 B5의 합성
Figure 112008038973585-PCT00041
중간체 B2 7.0g(27mmol)을 아세트산에틸 80mL에 녹이고, 또한 트라이에틸아민 4.0g(39mmol), 염화프로피오닐 3.7g(40mmol)을 적하하여, 실온에서 3시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 물 300mL에 넣고, 다이클로로메테인으로 추출하여, 유기층을 5% 염산, 포화 식염수로 세정하고, 황산나트륨으로 건조했다. 회전식 증발기로 용매를 증류 제거하여, 중간체 B5 6.2g을 수득했다. 수율 74%.
(2-6) 중간체 B6의 합성
Figure 112008038973585-PCT00042
중간체 B3 대신에 중간체 B5를 이용한 것 이외에는, 중간체 B4의 합성과 마 찬가지의 조작을 행함으로써 중간체 B6을 백색 결정으로서 수득했다. 수량 2.8g(수율 47%)을 수득했다.
(2-7) 중간체 B7의 합성
Figure 112008038973585-PCT00043
염화프로피오닐 대신에 염화아이소뷰티릴을 이용한 것 이외에는, 중간체 B5의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 중간체 B7을 백색 결정으로서 수득했다. 수량 8.2g(수율 92%)을 수득했다.
(2-8) 중간체 B8의 합성
Figure 112008038973585-PCT00044
중간체 B3 대신에 중간체 B7을 이용한 것 이외에는, 중간체 B4의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 중간체 B8을 백색 결정으로서 수득했다. 수량 1.1g(수율 14%)을 수득했다.
(2-9) 화합물 (8)의 합성
아르곤 기류하 300mL 3구 플라스크에, 중간체 B4 6.7g(23mmol), 10-나프탈렌-2-일-안트라센-9-보론산 9.3g(27mmol), 테트라키스트라이페닐포스핀 팔라듐(0) 0.54g(0.5mmol), 1,2-다이메톡시에테인 80mL, 2M 탄산나트륨 수용액 40mL(80mmol)를 가하여, 8시간 가열 환류했다. 반응 종료 후, 유기층을 수세하고, 황산마그네슘으로 건조 후, 회전식 증발기로 용매를 증류 제거했다. 수득된 조결정을 톨루엔 50mL, 메탄올 100mL로써 세정하여, 담황색 분말 8.2g을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (8)로 동정되었다(수율 69%).
(2-10) 화합물 (9)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00046
10-나프탈렌-2-일-안트라센-9-보론산 대신에 10-나프탈렌-1-일-안트라센-9-보론산을 이용한 것 이외에는, 화합물 (8)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합물 (9)를 담황색 분말로서 수득했다. 수량 2.5g(수율 47%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (9)로 동정되었다.
(2-11) 화합물 (10)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00047
10-나프탈렌-2-일-안트라센-9-보론산 대신에 4-바이페닐-안트라센-9-보론산을 이용한 것 이외에는, 화합물 (8)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합 물 (10)을 담황색 분말로서 수득했다. 수량 2.2g(수율 39%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (10)으로 동정되었다.
(2-12) 화합물 (11)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00048
10-나프탈렌-2-일-안트라센-9-보론산 대신에 2-바이페닐-안트라센-9-보론산을 이용한 것 이외에는, 화합물 (8)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합물 (11)을 담황색 분말로서 수득했다. 수량 2.8g(수율 36%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (11)로 동정되었다.
(2-13) 화합물 (12)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00049
10-나프탈렌-2-일-안트라센-9-보론산 대신에 4-(1-나프틸)페닐-안트라센-9-보론산을 이용한 것 이외에는, 화합물 (8)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합물 (12)를 담황색 분말로서 수득했다. 수량 2.8g(수율 46%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (12)로 동정되었다.
(2-14) 화합물 (13)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00050
중간체 B4 대신에 중간체 B6을 이용한 것 이외에는, 화합물 (8)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합물 (13)을 담황색 분말로서 수득했다. 수량 2.7g(수율 55%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (13)으로 동정되었다.
(2-15) 화합물 (14)의 합성
Figure 112008038973585-PCT00051
중간체 B4 대신에 중간체 B8을 이용한 것 이외에는, 화합물 (8)의 합성과 마찬가지의 조작을 행함으로써 화합물 (14)를 담황색 분말로서 수득했다. 수량 1.3g(수율 69%)을 수득했다. 이것은 FD-MS(필드 디솝션 매스 스펙트럼)의 측정에 의해 화합물 (14)로 동정되었다.
실시예 1(본 발명 화합물을 전자 수송층에 이용한 유기 EL 소자의 제작)
25mm×75mm×1.1mm 두께의 ITO 투명 전극(양극) 부착 유리 기판(지오마텍사 제품)을 아이소프로필 알코올 중에서 초음파 세정을 5분간 행한 후, UV 오존 세정을 30분간 행했다. 세정 후의 투명 전극 라인 부착 유리 기판을 진공 증착장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극 라인이 형성되어 있는 측의 면 상에 상기 투명 전극을 덮도록 하여 막 두께 60nm의 N,N,N',N'-테트라(-다이아미노-1,1'-바이페닐)다이아미노바이페닐렌막(이하 「TPD232막」이라고 약기한다)을 성막했다. 이 TPD232막은 정공 주입층으로서 기능한다. TPD232막의 성막에 계속하여, 이 TPD232막 상에 막 두께 20nm의 테트라키스-N-(4-바이페닐)벤지딘막(이하 「TBB막」이라고 약기한다)을 성막했다. 이 TBB 막은 정공 수송층으로서 기능한다.
또한, 이 TBB막 상에 막 두께 40nm로 하기 화학식으로 표시되는 스타이릴 유도체 DPVDPAN과 하기 화학식으로 표시되는 스타이릴아민 유도체 S1을 40:2의 막 두께비로 성막하여 청색계 발광층으로 했다.
이 막 상에 전자 수송층으로서 막 두께 20nm로 화합물 (1)을 증착에 의해 성막했다. 이 후, LiF를 막 두께 1nm로 성막했다. 이 LiF막 상에 금속 Al을 150nm 증착시켜 금속 음극을 형성하여 유기 EL 발광 소자를 형성했다.
Figure 112008038973585-PCT00052
실시예 2
실시예 1에 있어서, 화합물 (1) 대신에 화합물 (2)를 이용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작했다.
Figure 112008038973585-PCT00053
실시예 3
실시예 1에 있어서, 화합물 (1) 대신에 화합물 (3)을 이용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작했다.
Figure 112008038973585-PCT00054
실시예 4
실시예 1에 있어서, 화합물 (1) 대신에 화합물 (4)를 이용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작했다.
Figure 112008038973585-PCT00055
실시예 5
실시예 1에 있어서, 화합물 (1) 대신에 화합물 (5)를 이용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작했다.
Figure 112008038973585-PCT00056
비교예 1
실시예 1에 있어서, 화합물 (1) 대신에 국제공개 WO 04/080975 A1호 공보에 기재된 하기 화합물 A를 이용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작했다.
Figure 112008038973585-PCT00057
비교예 2
실시예 1에 있어서, 화합물 (1) 대신에 국제공개 WO 04/080975 A1호 공보에 기재된 하기 화합물 B를 이용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작했다.
Figure 112008038973585-PCT00058
비교예 3
실시예 1에 있어서, 화합물 (1) 대신에 Alq(8-하이드록시퀴놀린의 알루미늄 착체)를 이용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작했다.
(유기 EL 소자의 평가)
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3에서 수득된 유기 EL 소자에 대하여, 하기 표 1에 기재된 직류 전압을 인가한 조건에서, 발광 휘도, 발광 효율 및 색도를 측정하고, 발광색을 관찰했다. 그들의 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112008038973585-PCT00059
상기 표 1의 결과로부터, 상기의 화합물을 전자 주입층에 이용함으로써, 매우 높은 발광 휘도 및 발광 효율의 소자를 제조할 수 있음을 알 수 있다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 질소 함유 헤테로환 유도체.
    화학식 1
    Figure 112008038973585-PCT00060
    {상기 화학식 1에서, R1 내지 R5는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 60의 아릴기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 피리딜기, 치환 또는 비치환의 퀴놀릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 50의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴기로 치환된 아미노기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 또는 카복실기이며,
    Ra는 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기이며,
    R2 내지 R5의 이웃이 되는 기가 서로 결합하여 방향환을 형성하고 있을 수도 있고,
    R1 내지 R5 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 치환기이다.
    화학식 2
    Figure 112008038973585-PCT00061
    (L은 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 피리디닐렌기, 치환 또는 비치환의 퀴놀리닐렌기, 또는 치환 또는 비치환의 플루오렌일렌기이며,
    Ar1은 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 피리디닐렌기 또는 치환 또는 비치환의 퀴놀리닐렌기이며,
    Ar2는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 6O의 아릴기, 치환 또는 비치환의 피리딜기, 치환 또는 비치환의 퀴놀릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 50의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환의 핵 원자수 5 내지 50의 아릴기로 치환된 아미노기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 또는 카복실기이다.)}
  2. 제 1 항에 있어서,
    화학식 1로 표시되는 화합물이, 하기 화학식 1a 또는 1b로 표시되는 화합물인 질소 함유 헤테로환 유도체.
    화학식 1a
    Figure 112008038973585-PCT00062
    화학식 1b
    Figure 112008038973585-PCT00063
    {상기 화학식 1a 및 1b에서, R1 내지 R5, Ra, L, Ar1, 및 Ar2는 각각 상기 화학식 1에서의 것과 같다.
    상기 화학식 1a 및 1b에서, R2 내지 R5의 이웃이 되는 기의 1조가 서로 결합하여 방향환을 형성하고 있을 수도 있다.}
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    유기 전기발광 소자용 재료인 질소 함유 헤테로환 유도체.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    유기 전기발광 소자용 전자 주입 재료 또는 전자 수송 재료인 질소 함유 헤테로환 유도체.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    유기 전기발광 소자용 발광 재료인 질소 함유 헤테로환 유도체.
  6. 음극과 양극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 전기발광 소자에 있어서, 상기 유기 박막층의 적어도 1층이, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 질소 함유 헤테로환 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유하는 유기 전기발광 소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 유기 박막층이 전자 주입층 또는 전자 수송층을 갖고, 상기 전자 주입층 또는 상기 전자 수송층이, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 질소 함유 헤테로환 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유하는 유기 전기발광 소자.
  8. 제 6 항에 있어서,
    음극과 양극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 1층 또는 2층 이상으로 이루 어지는 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 전기발광 소자에 있어서, 발광층에 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 질소 함유 헤테로환 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유하는 유기 전기발광 소자.
  9. 제 7 항에 있어서,
    전자 주입 재료 또는 전자 수송 재료인 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 질소 함유 헤테로환 유도체에 환원성 도펀트를 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 전기발광 소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    환원성 도펀트가, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로젠화물, 알칼리 토류 금속의 산화물, 알칼리 토류 금속의 할로젠화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로젠화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리 토류 금속의 유기 착체 및 희토류 금속의 유기 착체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기 전기발광 소자.
KR1020087013142A 2005-12-02 2006-12-01 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 이용한 유기전기발광 소자 KR20080077615A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00349170 2005-12-02
JP2005349170A JP2007153778A (ja) 2005-12-02 2005-12-02 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080077615A true KR20080077615A (ko) 2008-08-25

Family

ID=38092325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087013142A KR20080077615A (ko) 2005-12-02 2006-12-01 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 이용한 유기전기발광 소자

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20070138950A1 (ko)
EP (1) EP1956007A1 (ko)
JP (1) JP2007153778A (ko)
KR (1) KR20080077615A (ko)
CN (1) CN101321735A (ko)
TW (1) TW200735711A (ko)
WO (1) WO2007063993A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140090036A (ko) * 2013-01-08 2014-07-16 에스에프씨 주식회사 헤테로아릴 치환기를 갖는 페닐기를 포함하는 안트라센 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20140090410A (ko) * 2013-01-09 2014-07-17 에스에프씨 주식회사 두 개의 페닐기를 포함하는 비대칭 안트라센 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004063159A1 (ja) * 2003-01-10 2004-07-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8759819B2 (en) 2007-11-22 2014-06-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
WO2009084543A1 (ja) * 2007-12-27 2009-07-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
MX2011003239A (es) 2008-09-26 2011-04-28 Merck Sharp & Dohme Nuevos derivados de bencimidazol ciclicos utiles como agentes anti-diabeticos.
CA2741125A1 (en) 2008-10-22 2010-04-29 Merck Sharp & Dohme Corp. Novel cyclic benzimidazole derivatives useful anti-diabetic agents
WO2010051176A1 (en) 2008-10-29 2010-05-06 Merck Sharp & Dohme Corp. Novel cyclic benzimidazole derivatives useful anti-diabetic agents
WO2010051206A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Merck Sharp & Dohme Corp. Novel cyclic benzimidazole derivatives useful anti-diabetic agents
JP5629970B2 (ja) * 2008-11-14 2014-11-26 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5722238B2 (ja) * 2010-01-15 2015-05-20 出光興産株式会社 含窒素複素環誘導体及びそれを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子
US8895596B2 (en) 2010-02-25 2014-11-25 Merck Sharp & Dohme Corp Cyclic benzimidazole derivatives useful as anti-diabetic agents
EP2452946B1 (en) * 2010-11-16 2014-05-07 Novaled AG Pyridylphosphinoxides for organic electronic device and organic electronic device
EP2463927B1 (en) 2010-12-08 2013-08-21 Novaled AG Material for organic electronic device and organic electronic device
JP2012195054A (ja) 2011-03-14 2012-10-11 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2013079676A1 (en) 2011-11-30 2013-06-06 Novaled Ag Organic electronic device
TWI558711B (zh) * 2011-11-30 2016-11-21 諾瓦發光二極體有限公司 有機電子裝置
KR102028940B1 (ko) * 2012-03-26 2019-10-07 도레이 카부시키가이샤 발광 소자 재료 및 발광 소자
TW201420584A (zh) * 2012-07-25 2014-06-01 Idemitsu Kosan Co 有機電激發光元件
US9419231B2 (en) 2012-07-25 2016-08-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US9828348B2 (en) 2013-11-08 2017-11-28 Purdue Pharma L.P. Benzimidazole derivatives and use thereof
EP3002801B1 (en) 2014-09-30 2018-07-18 Novaled GmbH Organic electronic device
US9929361B2 (en) 2015-02-16 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056657B2 (en) 2015-02-27 2021-07-06 University Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9859510B2 (en) 2015-05-15 2018-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418568B2 (en) 2015-06-01 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11127905B2 (en) 2015-07-29 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10361381B2 (en) 2015-09-03 2019-07-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20170229663A1 (en) 2016-02-09 2017-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10236456B2 (en) 2016-04-11 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672997B2 (en) 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11482683B2 (en) 2016-06-20 2022-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862054B2 (en) 2016-06-20 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN107778249B (zh) * 2016-08-25 2020-10-16 武汉尚赛光电科技有限公司 苯并咪唑桥联蒽类的衍生物及其制备方法和应用
US10608186B2 (en) 2016-09-14 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680187B2 (en) 2016-09-23 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11196010B2 (en) 2016-10-03 2021-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11011709B2 (en) 2016-10-07 2021-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20180130956A1 (en) 2016-11-09 2018-05-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680188B2 (en) 2016-11-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11780865B2 (en) 2017-01-09 2023-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11744142B2 (en) 2017-08-10 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20190161504A1 (en) 2017-11-28 2019-05-30 University Of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
EP3492480B1 (en) 2017-11-29 2021-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11937503B2 (en) 2017-11-30 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN112823434A (zh) * 2018-10-16 2021-05-18 出光兴产株式会社 有机电致发光元件和电子设备

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99369C (ko) 1956-06-04
NL100993C (ko) 1956-06-27
US3180729A (en) 1956-12-22 1965-04-27 Azoplate Corp Material for electrophotographic reproduction
NL242505A (ko) 1958-08-20
DE1110515B (de) 1960-04-14 1961-07-06 Agfa Ag Fotografische Rollfilmkamera
US3240597A (en) 1961-08-21 1966-03-15 Eastman Kodak Co Photoconducting polymers for preparing electrophotographic materials
US3180703A (en) 1963-01-15 1965-04-27 Kerr Mc Gee Oil Ind Inc Recovery process
JPS45555B1 (ko) 1966-03-24 1970-01-09
JPS463712B1 (ko) 1966-04-14 1971-01-29
US3526501A (en) 1967-02-03 1970-09-01 Eastman Kodak Co 4-diarylamino-substituted chalcone containing photoconductive compositions for use in electrophotography
US3542544A (en) 1967-04-03 1970-11-24 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing organic photoconductors of the triarylalkane and tetraarylmethane types
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
CA917980A (en) 1969-06-20 1973-01-02 J. Fox Charles Alkylaminoaromatic organic photoconductors
US3717462A (en) 1969-07-28 1973-02-20 Canon Kk Heat treatment of an electrophotographic photosensitive member
BE756375A (fr) 1969-09-30 1971-03-01 Eastman Kodak Co Nouvelle composition photoconductrice et produit la contenant utilisables en electrophotographie
BE756943A (fr) 1969-10-01 1971-03-16 Eastman Kodak Co Nouvelles compositions photoconductrices et produits les contenant, utilisables notamment en electrophotographie
JPS4725336B1 (ko) 1969-11-26 1972-07-11
JPS5110983B2 (ko) 1971-09-10 1976-04-08
GB1413352A (en) 1972-02-09 1975-11-12 Scott Paper Co Electrophotographic material
JPS5522737B2 (ko) 1973-02-08 1980-06-18
GB1505409A (en) 1974-12-20 1978-03-30 Eastman Kodak Co Photoconductive compositions
US4127412A (en) 1975-12-09 1978-11-28 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements
US4012376A (en) 1975-12-29 1977-03-15 Eastman Kodak Company Photosensitive colorant materials
CA1104866A (en) 1976-08-23 1981-07-14 Milan Stolka Imaging member containing a substituted n,n,n',n',- tetraphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine in the chargge transport layer
US4175961A (en) 1976-12-22 1979-11-27 Eastman Kodak Company Multi-active photoconductive elements
US4123269A (en) 1977-09-29 1978-10-31 Xerox Corporation Electrostatographic photosensitive device comprising hole injecting and hole transport layers
JPS5453435A (en) 1977-10-01 1979-04-26 Yoshikatsu Kume Portable bicycle equipped with foldable type triangle frame
US4150987A (en) 1977-10-17 1979-04-24 International Business Machines Corporation Hydrazone containing charge transport element and photoconductive process of using same
JPS5464299A (en) 1977-10-29 1979-05-23 Toshiba Corp Beam deflector for charged particles
JPS54112637A (en) 1978-02-06 1979-09-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110837A (en) 1978-02-17 1979-08-30 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110536A (en) 1978-02-20 1979-08-30 Ichikoh Ind Ltd Device for time-lag putting out room lamp for motorcar
JPS54119925A (en) 1978-03-10 1979-09-18 Ricoh Co Ltd Photosensitive material for electrophotography
US4251612A (en) 1978-05-12 1981-02-17 Xerox Corporation Dielectric overcoated photoresponsive imaging member
JPS6028342B2 (ja) 1978-06-21 1985-07-04 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS6060052B2 (ja) 1978-07-21 1985-12-27 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS5551086A (en) 1978-09-04 1980-04-14 Copyer Co Ltd Novel pyrazoline compound, its preparation, and electrophotographic photosensitive substance comprising it
JPS5546760A (en) 1978-09-29 1980-04-02 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5552063A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5552064A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5574546A (en) 1978-11-30 1980-06-05 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
US4306008A (en) 1978-12-04 1981-12-15 Xerox Corporation Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin
JPS5588064A (en) 1978-12-05 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5588065A (en) 1978-12-12 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS55108667A (en) 1979-02-13 1980-08-21 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4233384A (en) 1979-04-30 1980-11-11 Xerox Corporation Imaging system using novel charge transport layer
JPS6035058B2 (ja) 1979-05-17 1985-08-12 三菱製紙株式会社 有機光半導体電子写真材料
JPS564148A (en) 1979-06-21 1981-01-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5622437A (en) 1979-08-01 1981-03-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4232103A (en) 1979-08-27 1980-11-04 Xerox Corporation Phenyl benzotriazole stabilized photosensitive device
JPS5636656A (en) 1979-09-03 1981-04-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd Electrophotographic material
JPS5646234A (en) 1979-09-21 1981-04-27 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4273846A (en) 1979-11-23 1981-06-16 Xerox Corporation Imaging member having a charge transport layer of a terphenyl diamine and a polycarbonate resin
JPS5680051A (en) 1979-12-04 1981-07-01 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5688141A (en) 1979-12-20 1981-07-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6034099B2 (ja) 1980-06-24 1985-08-07 富士写真フイルム株式会社 電子写真感光体
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
JPS6059590B2 (ja) 1980-09-03 1985-12-25 三菱製紙株式会社 電子写真感光体
JPS57148749A (en) 1981-03-11 1982-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6094462A (ja) 1983-10-28 1985-05-27 Ricoh Co Ltd スチルベン誘導体及びその製造法
JPS6093455A (ja) 1983-10-28 1985-05-25 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用現像剤
JPS60175052A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS60174749A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd スチリル化合物及びその製造法
JPS6114642A (ja) 1984-06-29 1986-01-22 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPS6172255A (ja) 1984-09-14 1986-04-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
US4665000A (en) 1984-10-19 1987-05-12 Xerox Corporation Photoresponsive devices containing aromatic ether hole transport layers
JPS61210363A (ja) 1985-03-15 1986-09-18 Canon Inc 電子写真感光体
JPS61228451A (ja) 1985-04-03 1986-10-11 Canon Inc 電子写真感光体
US4588666A (en) 1985-06-24 1986-05-13 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with alkoxy amine charge transport molecules
JPS6210652A (ja) 1985-07-08 1987-01-19 Minolta Camera Co Ltd 感光体
JPS6230255A (ja) 1985-07-31 1987-02-09 Minolta Camera Co Ltd 電子写真感光体
JPS6236674A (ja) 1985-08-05 1987-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd 電子写真感光体
JPS6247646A (ja) 1985-08-27 1987-03-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光体
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPS63256965A (ja) 1987-04-15 1988-10-24 Canon Inc 静電荷像現像用トナ−
JPH01211399A (ja) 1988-02-19 1989-08-24 Toshiba Corp スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ
JPH02282263A (ja) 1988-12-09 1990-11-19 Nippon Oil Co Ltd ホール輸送材料
JP2727620B2 (ja) 1989-02-01 1998-03-11 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
US5653713A (en) 1989-04-24 1997-08-05 Michelson; Gary Karlin Surgical rongeur
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH02311591A (ja) 1989-05-25 1990-12-27 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JP3306735B2 (ja) 1995-01-19 2002-07-24 出光興産株式会社 有機電界発光素子及び有機薄膜
US5645948A (en) 1996-08-20 1997-07-08 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices
JP3716096B2 (ja) 1998-04-02 2005-11-16 三菱重工業株式会社 微粉炭セパレータ装置
JP2002038141A (ja) 2000-07-28 2002-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd 新規縮合へテロ環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
KR100998838B1 (ko) * 2003-03-13 2010-12-06 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 신규한 질소 함유 헤테로환 유도체 및 이를 이용한 유기전기발광 소자
JP4481930B2 (ja) * 2003-07-11 2010-06-16 出光興産株式会社 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20120101558A (ko) * 2004-04-07 2012-09-13 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 질소함유 헤테로환 유도체 및 이를 이용한 유기 전기 발광 소자

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140090036A (ko) * 2013-01-08 2014-07-16 에스에프씨 주식회사 헤테로아릴 치환기를 갖는 페닐기를 포함하는 안트라센 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20140090410A (ko) * 2013-01-09 2014-07-17 에스에프씨 주식회사 두 개의 페닐기를 포함하는 비대칭 안트라센 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
CN101321735A (zh) 2008-12-10
US20070138950A1 (en) 2007-06-21
TW200735711A (en) 2007-09-16
JP2007153778A (ja) 2007-06-21
WO2007063993A1 (ja) 2007-06-07
EP1956007A1 (en) 2008-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11751472B2 (en) Aromatic amine derivative and elecroluminescence device using the same
KR101290027B1 (ko) 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 사용한 유기전기발광 소자
KR101239462B1 (ko) 방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자
US8129038B2 (en) Aromatic amine derivative and electroluminescence device using the same
KR20080077615A (ko) 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 이용한 유기전기발광 소자
JP6318273B2 (ja) 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20080028425A (ko) 전자흡인성 치환기를 갖는 질소 함유 헤테로환 유도체 및그것을 사용한 유기 전기발광 소자
KR20080028424A (ko) 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 사용한 유기전기발광 소자
KR20080031931A (ko) 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 사용한 유기전기발광 소자
KR20080068860A (ko) 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
KR20070091183A (ko) 방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자
KR20070033947A (ko) 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
EP2042481A1 (en) Aromatic amine derivative, and organic electroluminescence device using the same
KR20060009932A (ko) 스파이로 결합 함유 화합물, 발광성 도막 형성용 재료 및이를 이용한 유기 전기발광 소자
KR20080067344A (ko) 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application