WO2004066685A1

WO2004066685A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number: WO2004066685A1
Application number: PCT/JP2004/000236
Authority: WO
Inventors: Takashi Arakane; Toshihiro Iwakuma; Chishio Hosokawa
Original assignee: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date: 2003-01-24
Filing date: 2004-01-15
Publication date: 2004-08-05
Also published as: KR20050098259A; KR101035818B1; JPWO2004066685A1; US20090072732A1; EP1589789B1; JP4580342B2; TWI357277B; TW200417279A; CN1762182A; CN100493286C; EP1589789A4; US20060180806A1; EP1589789A1

Abstract

本発明は、陰極と陽極間に、少なくとも正孔輸送層と燐光性の発光材料及びホスト材料からなる発光層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔輸送層を形成する正孔輸送材料の３重項エネルギーが２．５２～３．７０ｅＶであり、かつ電界強度０．１～０．６ＭＶ／ｃｍにおける正孔移動度が１０-6ｃｍ2 ／Ｖｓ以上である有機エレクトロルミネッセンス素子であり、燐光性の発光を用い、発光効率が高く、寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。

Description

明細書有機エレクトロルミネッセンス素子

技術分野

本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス素子に関し、特に、燐光性の発光を利用し、低い駆動電圧で、発光効率が高く、長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。背景技術

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスを ELと略記することがある）は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン 'コダック社の C. W. Tangらによる積層型素子による低電圧駆動有機 EL素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vansly ke，アプライドフィジックスレターズ (Applied Physics Letters), 5 1卷、 9 1 3頁、 1 98 7年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機 EL素子に関する研究が盛んに行われている。 Tan gらは、トリス（8—ヒドロキシキノリノールアルミニウム）を発光層に、トリフヱニルジァミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機 EL素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の 2層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の 3層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。有機 E L素子の発光材料としては卜リス（8—キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレ一ト錯体、クマリン誘導体、テトラフヱニルブタジエン誘導体、ビススチリルァリーレン誘導体、ォキサジァゾール誘導体等の発光材料が知られており、それらからは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている（例えば、特開平 8— 2 3 9 6 5 5号公報、特開平 7— 1 3 8 5 6 1号公報、特開平 3— 2 0 0 2 8 9号公報等参照）。

また、近年、有機 E L素子の発光層に、発光材料の他に有機燐光材料を利用することも提案されている（例えば、 D. F. O' Brien and M. A. Baldo et al " Improve d energy transferin e 1 ectrophosphorescent devices" Appl ied Phys ics lette rs Vol. 74 No. 3, pp442-444, January 18， 1999、 M. A. Baldo et al "Very high - eff iciencygreen organic 1 ight- emi tting devices based on e lectrophospho rescence Appl ied Physics letters Vo l. 75 No. 1, pp4_6， July 5， 1999参照) このように有機 E L素子の発光層において、有機燐光材料の励起状態の一重項状態と 3重項状態とを利用することにより、高い発光効率が達成されている。有機 E L素子内で電子と正孔が再結合する際にはスピン多重度の違しヽから一重項励起子と 3重項励起子とが 1 ： 3の割合で生成すると考えられているので、燐光性の発光材料を用いれば蛍光のみを使った素子の 3〜4倍の発光効率の達成が考えられる。

このような有機 E L素子においては、 3重項の励起状態又は 3重項の励起子が消光しないように順次、陽極、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層（正孔阻止層）、電子注入層、陰極のように層を積層する構成が用いられてきた。この正孔輸送層は、正孔注入のための効率を向上するためのものであり、正孔輸送層の材料としては、了リ一ルァミン系の正孔輸送材料が用いられてきた (例えば、米国特許第 6， 0 9 7， 1 4 7号明細書、国際公開 WO O 1 / 4 1 5 1 2号公報参照 ) 。

しかしながら、従来正孔輸送材料として用いられてきたァリールアミン系の化合物は、縮合芳香族環を含んでいるため、 3重項エネルギーが 2. 5 eVより小さいのに対し、発光層で生成する励起状態は 3重項関与性であり、そのエネルギ一が 2. 5 eVより大きい。このため、消光することが認められた。例えば、発光層にホスト化合物として用いられるビス力ルバゾ一ルは、 3重項エネルギーが 2. 8 1 eVであり、ドーパントとして用いられるフヱニルピリジルが I rに 3 配位した燐光材料は、励起エネルギーが 2. 5 5 e Vである。この消光現象は、励起工ネルギ一が大きいほど顕著であり、青色発光を高効率化する阻害因子となつていた。発明の開示

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、燐光性の発光を用いた有機 EL素子において、低い駆動電圧で、発光効率が高く、寿命が長い有機 E L素子を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ね、詳細に正孔輸送材料の検討を行った結果、消光現象を抑制するには正孔輸送材料の 3重項エネルギ一が 2. 5 2 eV以上、 ·好ましくは 2. 8 e V以上必要であることを見出した。し力、し、例えば正孔輸送材料として使用されるポリビニルカルバゾ一ルは、 2. 5 2 eV以上の 3重項エネルギーを有するため消光現象は抑制されるものの、正孔移動度が低いため、高抵抗であり、駆動電圧が高く実用的でない。このため、低い駆動電圧で、発光効率が高く、寿命が長い有機 EL素子を選るには、 3重項エネルギーが 2. 5 2 eV以上で、さらに電界強度 0. 1〜0. 6MV/cmにおける正孔移動度が 1 0— ⁶ c m²/V s以上という条件を備えた正孔輸送材料を用いることが必要であることを見出し本発明を完成するに至ったものである。すなわち、本発明は、陰極と陽極間に、少なくとも正孔輸送層と燐光性の発光材料及びホスト材料からなる発光層とを有する有機 EL素子.において、前記正孔輸送層を形成する正孔輸送材料の 3重項エネルギーが . 5 2〜 3. 7 0 e Vであり、かつ電界強度 0. 1〜0. 6 MV/cmにおける正孔移動度が 1 0— ⁶cm ²ZVs以上である有機 EL素子を提供するものである。発明を実施するための最良の形態

本発明の有機 EL素子は、陰極と陽極間に、少なくとも正孔輸送層と燐光性の発光材料及びホスト材料からなる発光層とを有する有機 EL素子において、前記正孔輸送層を形成する正孔輸送材料の 3重項エネルギーが 2. 5 2〜3. 7 0 e Vであり、かつ電界強度 0. 1〜0. 6 MV/cmにおける正孔移動度が 1 0一⁶ cm²/V s以上である。

本発明で用いる正孔輸送材料の 3重項エネルギーは、 2. 7 6〜 3. 70 e V であると好ましく、 1. 8 5〜3. 4 eVであるとさらに好ましい。前記正孔輸送材料の 3重項エネルギーが 2. 5 2 e V未満であると有機 E L素子が消光し、 3. 7 0 eVを超えると芳香族性を失うため正孔を輸送しにくくなるからである本発明で用いる正孔輸送材料のイオン化ポテンシャルは、 5. 8 eV以下であると電極又は正孔注入層より正孔が注入されやすく素子が安定化するという点で好ましく、 5. 6 eV以下であるとさらに好ましい。

本発明で使用する、 3重項エネルギーが 2. 5 2〜3. 7 0 eVであり、かつ電界強度 0. 1〜0. 6 MV/cmにおける正孔移動度が 1 0— ⁶cm²/Vs以上である正孔輸送材料の例としては、例えば、下記一般式（ 1 ) 〜（ 3 ) で表されるものが挙げられる。

(式中、 Ar ' 及び ΑΓ ² は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 1 8のァリール基であり、 Rは、置換もしくは無置換の炭素数 4〜 6のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基又は核炭素数 6〜 3 0のァリール基である。 Xは単結合、アルキレン基、フユ二レン基、 —〇一又は一 S—で表される連結基を示し、 Xはあってもなくてもよい。）で表されるジァミン化合物。

Ar

(式中、 Ar³ は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 1 8のァリール基、 Ar ⁴ 〜A r ⁷ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 1 8のァリ —レン基を示し、 X¹ は、単結合、 — 0—、一 S—、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 4のアルキレン基又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜 3 0のァリーレン基である連結基を示し、これらの連結基はあってもなくてもよく、 X² 及び X³ は、それぞれ独立に、単結合、一 0—、 — S—、置換もしくは無置換の炭素数 1 〜 4のアルキレン基又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜 3 0のァリーレン基を表し、それらは同一でも異なっていてもよい。）で表される卜リアミン化合物。

(式中、 R' ~R¹²は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 8のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 2 0のァラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜 3 0のアルケニル基、シァノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、ァシル基、置換もしくは無置換の炭素数 2〜 3 0のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜3 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 2〜 3 0のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 3 0のァラルキルアミノ基、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 3 0のァリ一ルォキシ基、置換もしくは無置換の置換もしくは無置換の炭素数 5〜 5 0のァリール基又は置換もしくは無置換の炭素数 3〜4 0の芳香族複素環基を表し、 R¹ と R² 、 R³ と R⁴ 、 R⁵ と R⁶ 、 R⁷ と R⁸ 、 R⁰ と R'°、 R¹'と R¹²は、それぞれ隣接する置換基同士で環を形成してもよい。

Xは以下に示す 3価の連結基を表し、

Ar⁸は、置換もしくは無置換の炭素数 5〜 50のァリ一ル基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜 40の芳香族複素環基、又は、以下に示す一般式（3' ) で表される基である。

(式中、 R'³〜R¹⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数 1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 30 のァラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜 30のアルケニル基、シァノ基、置換もしくは無置換のァミノ基、ァシル基、置換もしくは無置換の炭素数 2 〜30のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜3 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 3 0のアルキルァミノ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 3 0のァラルキルアミノ基、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 3 0のァリ一ルォキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 5〜 5 0のァリ一ル基又は置換もしくは無置換の炭素数 3〜 4 0の芳香族複素環基を表わし、 Rⁱ³と R"、 R¹⁵と R'⁶、 R¹⁷と R¹⁸は、それぞれ隣接する置換基同士で環を形成してもよい。）

(式中、 R' は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 3 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 7〜 3 0のァラルキル基、置換もしくは無置換のアミノ基、ァシル基、置換もしくは無置換の炭素数 2〜 3 0のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜3 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜3 0のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数 7〜 3 0のァラルキルアミノ基、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 3 0のァリ一ルォキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 5〜 5 0のァリール基又は置換もしくは無置換の炭素数 3〜 4 0の芳香族複素環基である。）

前記一般式（ 1 ) 〜（4 ) の Ar ' 〜Ar⁸、 X¹ 〜Χ³ 、 R' 〜R¹⁸、 R及び R' の示す各基の具体例は、下記に示すもののうち炭素数の適合するものがそれぞれ採用できる。

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。置換もしくは無置換のアミノ基は一 N X ⁴ X ⁵ と表され、 X ⁴ 及び X ⁵ の例としては、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプ口ピル基、 n _ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 t _ブチル基、 n—べンチル基、 n—へキシル基、 n—ヘプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1， 2—ジヒドロキシェチル基、 1， 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3—ジヒドロキシ一 t—ブチル基、 1 , 2， 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 一クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1， 2—ジクロロェチル基、 1， 3—ジクロ口イソプロピル基、 2， 3—ジクロ口一 t一ブチル基、 1， 2， 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1， 2—ジブロモェチル基、 1 , 3—ジブロモイソプロピル基、 2， 3 _ジブロモ _ t一ブチル基、 1， 2， 3—トリプロモプロピル基、ョードメチル基、 1 ーョ一ドエチル基、 2—ョ一ドエチル基、 2—ョ一ドイソブチル基、 1， 2—ジョ一ドエチル基、 1， 3—ジョードイソプロピル基、 2， 3—ジョードー t—ブチル基、 1， 2， 3—トリョ一ドプロピル基、アミノメチル基、 1 —アミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1， 2—ジアミノエチル基、 1， 3—ジァミノイソプロピル基、 2， 3—ジアミノー t一ブチル基、し 2， 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1 , 2 _ジシァノエチル基、 1 , 3— ジシァノイソプロピル基、 2， 3—ジシァノ一 t _ブチル基、 1， 2， 3—トリシァノプロピル基、ニトロメチル基、 1一二トロェチル基、 2—二トロェチル基、 2 _ニトロイソブチル基、 1 , 2—ジニトロェチル基、 1 , 3—ジニトロイソプロピル基、 2 , 3—ジニトロ一 t—ブチル基、 1 , 2 , 3—トリニトロプロピル基、フエニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1 —アントリル基、 1— アントリル基、 9—アントリル基、 1—フヱナントリル基、 2—フヱナン卜リル基、 3—フヱナントリル基、 4ーフヱナントリル基、 9—フヱナントリル基、 1 一ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9一ナフタセニル基、 4—スチリルフェニル基、 1—ピレニル基、 2—ピレニル基、 4—ピレニル基、 2—ビフヱニルィル基、 3—ビフエ二ルイル基、 4ービフエ二ルイル基、 p—ターフェニル一 4 ーィル基、 p—夕一フエ二ルー 3—ィル基、 p—ターフェ二ルー 2—ィル基、 m —タ一フヱニルー 4ーィル基、 m—ターフヱニルー 3—ィル基、 m—夕一フエ二ルーーィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t一ブチルフエニル基、 p— ( 2—フヱニルプロピル）フヱニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4ーメチルー 1 一ナフチル基、 4—メチルー 1 _アントリル基、 4 ' 一メチルビフエ二ルイル基、 4 " 一 t—ブチル一p—ターフヱニル一 4ーィル基、 2—ピロリル基、 3—ピロリル基、ビラジニル基、 2—ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4—ピリジニル基、 2—インドリル基、 3—インドリル基、 4 Tンドリル基、 5 _インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1 一イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4 _イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2—フリル基、 3 -フリル基、 2—ベンゾフラニル基、 3—ベンゾフラニル基、 4—ベンゾフラニル基、 5—べンゾフラニル基、 6—ベンゾフラニル基、 7—べンゾフラニル基、 1 _ イソべンゾフラニル基、 3—イソべンゾフラニル基、 4一イソベンゾフラニル基、 5—ィソベンゾフラニル基、 6—ィソベンゾフラニル基、 7—イソベンゾフラニル基、 2—キノリル基、 3—キノリル基、 4一キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8—キノリル基、 1—イソキノリル基、 3— イソキノリル基、 4一イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1—カルバゾリル基、 2—力ルバゾリル基、 3—力ルバゾリル基、 4—カルバゾリル基、 1—フヱナンスリジニル基、 2—フエナンスリジニル基、 3 _フエナンスリジニル基、 4—フエナンスリジ二ル基、 6—フヱナンスリジニル基、 7—フヱナンスリジニル基、 8—フエナンスリジニル基、 9一フエナンスリジニル基、 1 0—フエナンスリジニル基、 1 ーァクリジニル基、 2—アタリジニル基、 3—ァクリジニル基、 4一ァクリジニル基、 9一アタリジニル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1， 7 _フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 4ーィル基、 1 , 7— フエナンスロリン一 5—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 8—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 4 ーィル基、 1 , 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン — 6—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 7—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 9 _フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9ーフェナンスロリン一 4ーィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 5—ィル基、 1， 9 ーフヱナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 7—ィル基、 1 ， 9一フエナンスロリン一 8—ィル基、 1 , 9ーフヱナンスロリンー 1 0—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 1 0—フヱナンス πリン一 4ーィル基 1 1 0—フヱナンス口リン一 5—^ Tル基、 2， 9一フエナンスロリン一 1 —ィル基、 2 , 9一フエナンスロリン一 3—^ ίル基、 2， 9一フエナンスロリン一 4—ィル基、 2， 9ーフェナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2， 9 —フエナンスロリン一 7—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 8 —ィル基、， 9 _フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 1ーィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 4— ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 9—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 1—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 4—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 7 - フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 2 ' 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1—フエナジニル基、 2—フヱナジニル基、 1—フエノチアジニル基、 1一つエノチアジニル基、 3—フエノチアジニル基、 4—フヱノチアジニル基、 1 ーフエノキサジニル基、 2—フヱノキサジニル基、 3—フヱノキサジニル基、 4ーフエノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4—ォキサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3—チェニル基、 2—メチルピロ一ルー 1 —ィル基、 2—メチルピロ一ル一 3—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 4—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3—メチルピロール _ 1ーィル基、 3—メチルビロール一 2— ィル基、 3—メチルビロール一 4—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 2— tーブチルビロール— 4ーィル基、 3— （ 2—フヱニルプロピル）ピロール - 1—ィル基、 2ーメチルー 1 —インドリル基、 4ーメチルー 1 一インドリル基、 2 _メチル一 3—インドリル基、 4—メチル一 3—インドリル基、 2— tーブチル 1ーィンドリル基、 4一 t一ブチル 1ーィンドリル基、 1― t一ブチル 3— ィンドリル基、 4— t—ブチル 3—インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 t—ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—才クチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1， 2—ジヒドロキシェチル基、 1， 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3—ジヒドロキシ一 t—ブチル基、 1， I , 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 一クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1 , 2—ジクロ口ェチル基、 1 , 3—ジクロ口イソプロピル基、 2， 3—ジクロロー t—ブチル基、 1， 2， 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1， 2 _ジブロモェチル基、 1 , 3—ジブロモイソプロピル基、 2 , 3—ジブ口モー t一ブチル基、 1， 2， 3—トリブロモプロピル基、ョ一ドメチル基、 1ーョ一ドエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1， 2—ジョードエチル基、 1 , 3—ジョードイソプロピル基、 2， 3—ジョ一ドー t一ブチル基、 1 , 2， 3—トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1 —アミノエチル基、 2一アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1， 2—ジアミノエチル基、 1， 3 —ジアミノイソプロピル基、 2， 3—ジアミノー tーフ" チル基、 1， 2， 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1 , 2—ジシァノエチル基、 1， 3—ジシァノイソプロピル基、 2， 3—ジシァノ _ t—ブチル基、 1 , 2， 3 _トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1—ニトロェチル基、 2 _二トロェチル基、 2—ニトロイソブチル基、 1， 2—ジニトロェチル基、 1 , 3— ジニトロイソプロピル基、 2， 3—ジニトロ _ t—ブチル基、 1， 2， 3—トリニトロプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルケニル基の例としては、ビニル基、ァリル基、 1― ブテニル基、 2—ブテニル基、 3—ブテュル基、 1 , 3—ブタンジェニル基、 1 ーメチルビニル基、スチリル基、 2， 2—ジフヱ二ルビニル基、 1， 2—ジフエ二ルビニル基、 1ーメチルァリル基、 1 , 1ージメチルァリル基、 2—メチルァリル基、 1 一フヱニルァリル基、 2—フエニルァリル基、 3—フエニルァリル基、 3， 3—ジフエ二ルァリル基、 1， 2—ジメチルァリル基、 1—フヱニルー 1 ーブテニル基、 3—フヱニルー 1—ブテュル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルコキシ基は、一 O Yで表される基であり、 Yの例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s 一ブチル基、イソブチル基、 t一ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—ヘプチル基、 n—才クチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1， 2—ジヒドロキシェチル基、 1， 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3—ジヒドロキシ一 t—ブチル基、 1， 2， 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 一クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1 , 2—ジクロロェチル基、 1， 3—ジクロロイソプロピル基、 2 , 3—ジクロロー tーブチル基、 1， 2 , 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1 , 2—ジブロモェチル基、 1， 3—ジブロモイソプロピル基、 2， 3 _ジブロモ一 t一ブチル基、 1， 2 , 3—トリブロモプロピル基、ョードメチル基、 1ーョ一ドエチル基、 2—ョ一ドエチル基、 2—ョ一ドイソブチル基、 1， 2—ジョードエチル基、 1， 3—ジョ一ドイソプロピル基、 2 , 3—ジョードー t—ブチル基、 1 , 2， 3—トリヨ —ドプロピル基、アミノメチル基、 1 一アミノエチル基、 2 _アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1 , 2—ジアミノエチル基、 1， 3—ジァミノイソプ口ピル基、 2， 3—ジアミノー t—プチル基、 1 , 2 , 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノィソブチル基、 1， 2—ジシァノエチル基、 1， 3—ジシァノイソプロピル基、 2 ， 3—ジシァノ一 t—ブチル基、 1， 2， 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1—ニトロェチル基、 2—ニトロェチル基、 2—二トロイソブチル基、 1， 2—ジニトロェチル基、 1， 3—ジニトロイソプロピル基、 2， 3—ジニト口 _ t—プチル基、 1， 2， 3—卜リニトロフ。口ピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のァリ一ル基の例としては、フヱニル基、 1 一ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2—アントリル基、 9 _アントリル基、 1—フエナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3—フヱナントリル基、 4ーフェナントリル基、 9一フエナントリル基、 1—ナフタセニル基、 2一ナフ夕セニル基、 9一ナフタセニル基、 1ーピレニル基、 2—ピレニル基、 4—ピレニル基、 2 _ビフヱ二ルイル基、 3—ビフエ二ルイル基、 4—ビフヱ二ルイル基、 p _ 夕一フヱニルー 4ーィル基、 p—ターフェニル一 3—ィル基、 p—夕一フエニル一 2—ィル基、 m—ターフヱニル _ 4—ィル基、 m—夕ーフヱニル一 3—ィル基、 m—夕一フヱニルー 2—ィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t一ブチルフエニル基、 p— （ 2—フヱニルプロピル）フヱニル基、 3— メチルー 1一ナフチル基、 4ーメチルー 1—ナフチル基、 4ーメチルー 1 一アントリル基、 4，一メチルビフエ二ルイル基、 4 " 一 t—ブチル一p—ターフヱニル一 4一ィル基等が挙げられ、炭素数 6〜1 8のァリール基の例としては、フエニル基、ナフチル基、アン卜リル基、フヱナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基等が好ましく挙げられる。

置換もしくは無置換の芳香族複素環基の例としては、 1 _ピロリル基、 2—ピ口リル基、 3—ピロリル基、ビラジニル基、 2 —ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4ーピリジニル基、 1 _インドリル基、 2—インドリル基、 3—ィンドリル基、 4一インドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1 一イソィンドリル基、 2—イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4 —イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6 _イソインドリル基、 7 _イソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2 _ベンゾフラニル基、 3—ベンゾフラニル基、 4一ベンゾフラニル基、 5—ベンゾフラニル基、 6—ベンゾフラニル基、 7一べンゾフラニル基、 1ーィソベンゾフラニル基、 3ーィソベンゾフラニル基、 4一イソべンゾフラニル基、 5—イソべンゾフラニル基、 6—イソべンゾフラニル基、 7 _イソべンゾフラニル基、 2—キノリル基、 3—キノリル基、 4一キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8—キノリル基、 1 一イソキノリル基、 3—イソキノリル基、 4—イソキノリル基、 5 一イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8ーィソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1 —カルバゾリル基、 2—力ルノゾリル基、 3—カルバゾリル基、 4一力ルノゾリル基、 9—カルバゾリル基、 1ーフヱナンスリジニル基、 2—フヱナンスリジニル基、 3—フヱナンスリジニル基、 4一フエナンスリジニル基、 6—フヱナンスリジニル基、 7—フエナンスリジニル基、 8—フエナンスリジニル基、 9ーフェナンスリジニル基、 1 0—フエナンスリジニル基、 1 —アタリジニル基、 2 _ ァクリジニル基、 3—アタリジニル基、 4一アタリジニル基、 9—アタリジニル基、 1， 7—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 3— ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 4 —ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 1 , 7—フエナンス口リン一 1 0—ィル基、 1 ,' 8—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン 4ーィル基、 1 , 8— フエナンスロリン _ 5—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン _ 6—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1 , 8—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 2 r ル基、 1 , 9一フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 4 —ィル基、 1， 9 —フエナンスロリン一 5—ィル基、 1， 9 —フヱナンスロリン —6—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 7—ィル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 Iーィル基、 1， 1 0—フヱナンスロリン一 3—^ rル基、 1， 1

0—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 1 ーィル基、 2， 9ーフヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 4—ィル基、 2， 9—フエナンスロリン一 5 ーィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン —7—ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 1 —ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2， 8 —フエナンスロリン一 7—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 9 —ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 1ーィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 4 一ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 9ーィル基、 2 , 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1ーフヱナジニル基、 2—フエナジニル基、 1 一フヱノチアジニル基、 2—フヱノチアジニル基、 3—フヱノチアジニル基、 4 _フヱノチアジニル基、 1 0—フエノチアジニル基、 1 一フエノキサジニル基、 2—フヱノキサジニル基、 3—フヱノキサジニル基、 4ーフヱノキサジニル基、 1 0—フヱノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4一才キサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3—チェニル基、 2—メチルピロ一ルー 1ーィル基、 2 _メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 4ーィル基、 2—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3—メチルピロール一 1 —ィル基、 3—メチルピロ一ル一 2—^ Tル基、 3—メチルピロ一ルー 4一^ f ル基、 3—メチルピロ一ル一 5—ィル基、 2— t—ブチルピロ一ルー 4ーィル基、 3 一（ 2—フヱニルプロピル）ピロ一ルー 1ーィル基、 2—メチルー 1 一インドリル基、 4—メチル一 1 —インドリル基、 2—メチル一 3—インドリル基、 4—メチル— 3—ィンドリル基、 2― t—プチル 1ーィンドリル基、 4— t—プチル 1 一インドリル基、 2 - t一ブチル 3—ィンドリル基、 4一 t—プチル 3ーィンドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のァラルキル基の例としては、ベンジル基、 1—フヱニルェチル基、 2—フエニルェチル基、 1ーフヱニルイソプロピル基、 2—フエニルイソプロピル基、フエ二ルー t一ブチル基、 α—ナフチルメチル基、 1 一 α—ナフチルェチル基、 2— ct一ナフチルェチル基、 1—a—ナフチルイソプロピル基、 2— cc—ナフチルイソプロピル基、 ^一ナフチルメチル基、 1— 一ナフチルェチル基、 2— iS—ナフチルェチル基、 1 _ 一ナフチルイソプロピル基、 2— iS—ナフチルイソプロピル基、 1—ピロリルメチル基、 2— （ 1—ピロリル）ェチル基、 p—メチルベンジル基、 m—メチルベンジル基、 0—メチルベンジル基、 p—クロ口べンジル基、 m—クロ口べンジル基、 0—クロ口べンジル基、 - ブロモベンジル基、 m—ブロモベンジル基、 0 —ブロモベンジル基、 p—ョ一ドベンジル基、 m—ョードベンジル基、 0—ョ一ドベンジル基、 p—ヒドロキシべンジル基、 m—ヒドロキシベンジル基、 0—ヒドロキシベンジル基、 p—ァミノベンジル基、 m—ァミノべンジル基、 0—ァミノべンジル基、 p—ニトロべンジル基、 m—ニトロべンジル基、 0—ニトロべンジル基、 p—シァノベンジル基、 m _シァノベンジル基、 0 _シァノベンジル基、 1 —ヒドロキシー 2—フエニルィソプロピル基、 1 —クロ口— 2—フヱニルイソプロピル基等が挙げられる。置換もしくは無置換のァリールォキシ基は、一 0 Zと表され、 Zの例としてはフエニル基、 1—ナフチル基、 —ナフチル基、 1 —アントリル基、 2—アン卜リル基、 9 _アントリル基、 1—フヱナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3 —フヱナントリル基、 4一フエナントリル基、 9—フエナントリル基、 1 一ナフ夕セニル基、 2—ナフタセニル基、 9—ナフタセニル基、 1—ピレニル基、一ピレニル基、 4ーピレニル基、 2—ビフヱ二ルイル基、 3—ビフヱ二ルイル基、 4—ビフエ二ルイル基、 p—ターフェニル一 4—ィル基、 p—ターフェニル一 3 ーィル基、 p—夕一フエ二ルー 2—ィル基、 m—夕一フヱニル一 4ーィル基、 m 一夕一フヱニルー 3—ィル基、 m—ターフヱニル一 1ーィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t—ブチルフヱニル基、 p - ( 2—フヱニルプロピル）フヱニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4—メチルー 1 一ナフチル基、 4—メチル _ 1 _アン卜リル基、 4，ーメチルビフヱニルイル基、 4 " 一 tーブチルー ϋ—ターフヱニルー 4—ィル基、 2—ピロリル基、 3—ピロリル基、ビラジニル基、 2—ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4一ピリジニル基、 2 一インドリル基、 3—インドリル基、 4一インドリル基、 5—インドリル基、 6 —インドリル基、 7—インドリル基、 1 一イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4一イソインドリル基、 5 _イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2—ベンゾフラニル基、 3—べンゾフラニル基、 4—ベンゾフラニル基、 5—べンゾフラニル基、 6—べンゾフラニル基、 7—ベンゾフラニル基、 1 —イソべンゾフラニル基、 3—イソベンゾフラニル基、 4一イソべンゾフラニル基、 5—イソべンゾフラニル基、 6 ーィソベンゾフラニル基、 7—イソべンゾフラニル基、 2—キノリル基、 3—キノリル基、 4 _キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8 _キノリル基、 1—イソキノリル基、 3—イソキノリル基、 4—イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—ィソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1一力ルノゾリル基、 2—力ルノゾリル基、 3—カルノゾリル基、 4 _ 力ルバゾリル基、 1ーフヱナンスリジニル基、 2—フヱナンスリジニル基、 3― フエナンスリジニル基、 4一フエナンスリジニル基、 6 _フエナンスリジニル基、 7 _フエナンスリジニル基、 8—フヱナンスリジニル基、 9—フエナンスリジニル基、 1 0—フエナンスリジニル基、 1一アタリジニル基、 2—アタリジニル基、 3—アタリジニル基、 4—アタリジニル基、 9—ァクリジニル基、 1， 7— フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 4 —ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 1 0 —ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 4—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 7—ィル基、し 8—フヱナンスロリン一 9—ィル基、 1， 8 _フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 9 —フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1 , 9一フエナンスロリン一 5—ィル基、 1， 9ーフヱナンスロリン一 6—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 7—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 1 0—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1， 1 0 _フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9 - 7 ェナンスロリン一 1 ーィル基、 2， 9 —フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 9 —フエナンスロリン一 4—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 ， 9—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2， 9 一フエナンスロリン一 7—ィル基、 2， 9—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 1 0— ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 1—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 8 _フエナンスロリン一 4—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン— 5—ィル基、， 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 8—フエナンス口リン一 7—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 9—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 1 ーィル基、 2， 7 - フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 4—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリンー 6—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 9ーィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 一フエナジニル基、 2—フエナジニル基、 1 —フヱノチアジニル基、 2—フエノチアジニル基、 3—フエノチアジニル基、 4—フエノチアジニル基、 1ーフヱノキサジニル基、 2—フエノキサジニル基、 ₃—フヱノキサジニル基、 4—フヱノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4—ォキサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5 _ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2 _チェニル基、 3—チェニル基、 2—メチルビロール一 1—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 4—ィル基、 2—メチルビロール— 5—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3—メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 4 —ィル基、 3—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 2— t一ブチルピロ一ルー 4 —ィル基、 3— （ 2—フヱニルプロピル）ピロ一ルー 1—ィル基、 2—メチルー 1 一ィンドリル基、 4ーメチル一 1ーィンドリル基、 2—メチルー 3—ィンドリル基、 4—メチルー 3—インドリル基、 2— t一ブチル 1 ίンドリル基、 4一 t— ブチル 1 一インドリル基、 1― t一ブチル 3—インドリル基、 4一 t一ブチル 3 —インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルコキシカルボ二ル基は一 C O O Yと表され、 Yの例としてはメチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s 一ブチル基、イソブチル基、 t _ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1， 2—ジヒドロキシェチル基、し 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2 , 3—ジヒドロキシー t—ブチル基、 1， 2， 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 — クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1， 2—ジクロロェチル基、 1， 3—ジクロ口イソプロピル基、 2， 3—ジクロロー tーブチル基、 1， 2， 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 —ブロモェチル基、 2—ブロ乇ェチル基、 2 _ブロモイソブチル基、 1 , 2—ジブロモェチル基、 1 , 3—ジブロモイソプロピル基、 2 , 3—ジブ口モー t一ブチル基、 1， 1 , 3—トリブロモプロピル基、ョ一ドメチル基、 1ーョードエチル基、 2—ョ一ドエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1 , 2—ジョードエチル基、 1， 3—ジョードイソプロピル基、 2， 3—ジョ一ドー t—ブチル基、 1 , 2， 3—トリヨードプロピル基、アミノメチル基、 1 一アミノエチル基、 2 _アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1， 2—ジアミノエチル基、 1 , 3—ジァミノイソプ口ピル基、 1 , 3—ジァミノ一 t一ブチル基、 1， 2， 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノィソブチル基、 1 , 2 —ジシァノエチル基、 1， 3—ジシァノイソプロピル基、， 3—ジシァノー t一ブチル基、 1， 2， 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1一二トロェチル基、 2—二トロェチル基、 2 _ニトロイソブチル基、 1 , 2—ジニトロェチル基、 1 , 3—ジニトロイソプロピル基、 2， 3 _ジニト口 _ t一ブチル基、 1， 2， 3—トリニトロプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルキルアミノ基の例としては、前記アルキル基の具体例で置換されたアミノ基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のァラルキルアミノ基の例としては、前記ァラルキル基の具体例で置換されたァミノ基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルキレン基としては、前記アルキル基の例を 2価の基としたものが挙げられる。

置換もしくは無置換のァリーレン基としては、前記ァリール基の例を価の基としたものが挙げられる。

また、環を形成する場合の 2価基の例としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、へキサメチレン基、ジフヱニルメタン一 2， 2，一ジィル基、ジフエニルェタン _ 3， 3，一ジィル基、ジフエニルプロパン一 4， 4，一ジィル基等が挙げられる。

前記各基の置換基としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シァノ基、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ァリール基、芳香族複素環基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシル基等が挙げられ、具体例としては前記と同様のものが挙げられる。

本発明の有機 E L素子において，発光層のホス卜材料の 3重項エネルギ一が 2 . 5 2 e V以上であると赤色発光が可能であることから好ましい。また、発光層のホスト材料の 3重項エネルギーが 2 . 7 6 e V以上であると青色発光させる能力が高いため好ましく、 2 . 8 5 e V以上であるとさらに好ましい。さらに、発光層のホスト材料の 3重項ェネルギ一が 3 . 7 0以下であると、発光層のホスト材料に正孔又は電子が注入され易いことから好ましい。

また、前記発光層のホスト材料が電子輸送性であると好ましい。本発明において、ホスト材料が、電子輸送性であるとは、下記（ 1 ) 又は（ 1 ) のいずれかであることをいう。

( 1 ) 発光層中のホスト材料の電子移動度が 1 0— ⁶ c m² /V s以上である化合物であること。電子移動度に関しては飛行時間法（T O F ) 又は空間電荷制限電流の過渡測定により計測することができる。 T 0 F法については、シンセティックメタルズ (Synth. Met. ) 111/11.2, (2000) 331頁に記載され、空間電荷制限電流の過渡測定については、 Electrical Transport in Sol ids, Pergaraon Press, 19 81年、第 3 4 6〜 3 4 8頁の記載が参照できる。

( 2 ) 発光層の陽極側の領域における正孔と電子の再結合が陰極側における再結合より起こりやすいこと。これは発光層の領域を 2分して、（陰極/電子注入層 /陰極側発光層/陽極側発光層/正孔輸送層/陽極側）という層構成とした場合において、陽極側発光層のみに燐光発光性化合物を添加した素子 A Nと陰極側発光層のみに燐光発光性化合物を添加した素子 C Aを比較した場合、素子 ANの方が発光効率が大きい場合に相当する。その際、電子注入層ゃ正孔輸送層により発光層の励起状態が消光しない様に留意すベきである。

なお、前記電子輸送性とは正孔輸送性がないことを意味しない。したがって電子輸送性であるが、正孔移動度を計測した際、 1 0— ⁷ c m² /V sより大きい値でも電子輸送性といえる場合がある。

従来、発光層のホスト材料として用いられてきたポリビュルカルバゾールゃビスカルバゾールなどのポリ力ルバゾール化合物は、一般的に正孔輸送性であり、電子の輸送能力は小さい。このような正孔輸送性材料をホスト材料として用いると発光層の陰極側の界面付近が主たる再結合領域となる。この場合、発光層と陰極の間に電子注入層を介在させ、電子注入層にエネルギーギャップが発光層を形成するホスト材料のエネルギーギャップより小さし、電子輸送材料を含有させると、発光層の陰極側界面付近を中心どして生じた励起状態が、電子注入層により失活し、効率が極めて低なる。また、電子注入層を形成する電子輸送材料の 3重項エネルギ一が発光層を形成するホスト材料の 3重項ェネルギーより小さし、場合でも発光層の陰極側界面を中心として生じた励起状態が、電子注入層により失活し、効率の極めて低くなる。

これに対し、発光層を形成するホスト材料を電子輸送性であるか、又は発光層を電子輸送性とすることで、電子と正孔が再結合する領域が電子注入層と発光層との界面から離れ、失活を防ぐことができる。

さらに、本発明において、発光層のホスト材料が電子欠乏性の含窒素 5員環誘導体又は含窒素 6員環誘導体であると好ましい。ここで、電子欠乏性とは、例えば、 6 芳香族環の炭素を 1つ以上窒素に変えたものであることを言う。

前記含窒素 5員環誘導体は、ィミダゾール、ベンゾィミダゾ一ル、トリアゾ一ル、テトラゾ一ル、ォキサジァゾール、チアジアゾール、ォキサトリァゾ一ル及びチアトリアゾ一ルの中から選ばれる少なくとも 1種類の骨格を有するものであると好ましく、イミダゾール、ベンゾィミダゾ一ルの骨格を有するものであるとさらに好ましい。

前記含窒素 6員環誘導体は、トリアジン、キノキサリン、キノリン、ベンツピリミジン、ピリジン、ビラジン及びピリミジンの中から選ばれる少なくとも 1種類の骨格を有するものであると好ましく、トリァジン、ピリミジンの骨格を有するものであるとさらに好ましい。

特に、前記発光層中のホスト材料としては、下記一般式（ 5 ) 又は（ 6 ) で表されるものが好ましい。

( C z—） _m A ( 5 ) ' (式中、 C zは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、又は置換もしくは無置換のァザカルバゾリル基である。 Aは、ァリール置換含窒素環基、ジァリール置換含窒素環基、又はトリァリ一ル置換含窒素環基である。 mは 1 ~ 3の整数である。）

一般式（5) は、具体的には mの値により以下のように表される。

m= 1 C z— A

C z— A— C z

m= 3 C z— A— C z

I

C z

(式中、 C zは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、又は置換もしくは無置換のァザカルバゾリル基である。 Aは、ァリール置換含窒素環基、ジァリール置換含窒素環基、又はトリァリ一ル置換含窒素環基である。 nは 1 ~ 3の整数である。）

一般式（6) は、具体的には nの値により以下のように表される。

n= 1 ： C z— A

n= 2 ： A-C z-A

n= 3 ： A-C z-A

A

一般式（5) 及び（6 ) において、好ましい含窒素環としては、ピリジン、キノリン、ビラジン、ピリミジン、キノキサリン、トリアジン、イミダゾ一ル、ィミダゾピリジンなどである。

また、一般式（ 5 ) 及び（ 6 ) においては、 C zの部位でイオン化ポテンシャルの値が決まり、その値は 5. 6 eV〜5. 8 eVである。

好ましい一般式（ 5) 及び（6) の具体例を以下に示すが、何ら下記の化合物に限定されるものではない c

(Η-15) (Η-16) 本発明の有機 E L素子において、発光層中に含まれる燐光性の発光材料としては、素子の外部量子効率をより向上させることができる点で有機金属錯体が好ましく、パラジウム錯体、イリジウム錯体、オスミウム錯体および白金錯体が好ましく、ィリジゥム錯体および白金錯体がより好ましく、オルトメタル化イリジゥム錯体が最も好ましい。

好ましい有機金属錯体の具体例を以下に示すが、何ら下記の化合物に限定されるものではない。

8 I

(8"¾)

(οι-¾) (6 )

0う i) (ε-¾)

f/X3d S89990/1700Z OAV また、本発明の有機 E L素子は、電子注入層を有すると好ましく、電子注入層に含まれる電子輸送材料としては含窒素錯体が好ましく、含窒素錯体としては、単一の種類の含窒素環誘導体が配位した金属錯体であり、前記含窒素環が、キノリン、フエ二ルビリジン、ベンゾキノリン又はフエナン卜ロリンであると好ましい。また、前記金属錯体が、キノリノールの金属錯体又はその誘導体であると好ましい。具体的には 8—キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体、例えばトリス（ 8—キノリノール） A 1錯体、トリス（ 5， 7 —ジクロ口一 8 —キノリノール） A 1錯体、トリス（ 5 , 7 _ジブロモ一 8—キノリノール） A 1錯体、トリス（ 2—メチルー 8—キノリノール） A 1錯体、トリス（ 5 —メチルー 8—キノリノール） A 1錯体、トリス（ 8—キノリノール） Z n錯体、トリス（ 8—キノリノール） I n錯体、トリス（ 8—キノリノール） M g錯体、トリス（ 8—キノリノ一ル） C u錯体、トリス（ 8—キノリノール） C a錯体、トリス（ 8—キノリノール） S n錯体、トリス（ 8—キノリノール） G a錯体、トリス（ 8—キノリノール） P b錯体等の 1種単独または 2種以上の組み合わせが挙げられる。これらの金属錯体は、エネルギーギヤップが小さいので陰極からの電子注入性に優れ、電子輸送に対する耐久性も高く、長寿命の素子を与えることができる。これらの金属錯体の具体例としては、以下に示すものが挙げられる。

ο ε

(

9CZ000/l700Zdf/X3d S89990請 OAV

OAV

S89990請 OAV

OAV

本発明の有機 EL素子は、前記発光層と前記正孔輸送層との界面に、電子と正孔が再結合する領域又は発光する領域を有すると好ましい。この領域において、再結合又は発光するとは、界面領域に燐光性発光材料を添加した場合に、界面付近以外の領域に添加した場合に比べて発光効率が向上する場合をいう。

以下、本発明の有機 E L素子の一般的素子構成について説明する。

本発明の有機 EL素子の素子構成としては、陽極/正孔輸送層/発光層/陰極、陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極、陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極等の構造が挙げられる。

本発明の有機 E L素子は、電子注入層と陰極との間に絶縁体や半導体で構成される無機化合物層や電子輸送層を設けてもよい。これらの層は、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。

このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子輸送層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、 L i ₂ 〇、 L i◦、 Na₂ S 、 Na₂ Se、 N a 0等が挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、 CaO、 BaO、 Sr〇、 BeO、 BaS、 C a S eが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、 L i F 、 NaF、 KF、 L i C K KCし NaC 1等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、 CaF₂ 、 BaF₂ 、 S r F₂ 、 Mg F₂ 、 B e F₂ 等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。

半導体としては、 Ba、 Ca、 S r , Yb, A K Ga、 I n、 L i. N a, C d、 Mg、 S i、 Ta、 S b及び Z nの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及ぴァルカリ土類金属のハ口ゲン化物等が挙げられる。

また、本発明の有機 EL素子は、陰極に接する層が還元性ドーパントを含有すると好ましく、還元性ドーパントの仕事関数が、 1. 9 eV以下であると好ましい。この還元性ドーパントは、電子注入効率を上昇させる化合物と定義され。該還元性ドーパントは、含有される電子注入層又は界面領域の少なくとも一部を還元しァニオン化する。

界面領域への還元性ドーパントの添加形態としては、層状又は島状に形成すると好ましい。この還元性ド一パントとしては、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、希土類金属化合物から選ばれた少なくとも一種類を用いると好ましい。前記アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、及び希土類金属化合物としては、それぞれの酸化物やハロゲン化物が挙げられる。

前記アルカリ金属としては、 Na (仕事関数： . 3 6 eV) 、 K (仕事関数： 2. 2 8 e V) 、 Rb (仕事関数： 2. 1 6 e V) 、 C s (仕事関数： 1. .9 5 e V) 等が挙げられ、仕事関数が 2. 9 eV以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくは K、 Rb、 C s、さらに好ましくは Rb又は C sであり、最も好ましくは C sである。

前記アルカリ土類金属としては、 C a (仕事関数： 1. 9 e V) 、 S r (仕事関数： 2. 0〜 2. 5 e V) 、 B a (仕事関数： 2. 52 e V)等が挙げられ、仕事関数が 2. 9 eV以下のものが特に好ましい。

前記希土類金属としては、 Sc、丫、 Ce、 Tb、 Yb等が挙げられ、仕事関数が 2. 9 eV以下のものが特に好ましい。

以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機 E L素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。

前記アルカリ金属化合物としては、 L i ₂ 0、 Cs₂ 0、 K₂ ◦等のアルカリ酸化物、 L i F、 NaF、 CsF、 K F等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、 L i Fヽ L i 2 0、 N aFのアル力リ酸化物又はアル力リフッ化物が好ましい前記アルカリ土類金属化合物としては、 BaO、 S rO、 C a 0及びこれらを混合した Ba_x S r 0 (0<χ< 1)や、 Ba_x C a,-_x 0 ( 0 < x< 1 ) 等が挙げられ、 BaO、 SrO、 C a 0が好ましい。

前記希土類金属化合物としては、 Yb F₃ 、 S c F₃ 、 S c 0₃ 、 Y₂ 0₃ 、 Ce ₂ 0₃ 、 GdF₃ 、 Tb F₃ 等が挙げられ、 YbF₃ 、 ScF₃ 、 Tb F₃ が好ましい。

前記アル力リ金属錯体、アル力リ土類金属錯体、希土類金属錯体としては、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノ一ル、ァクリジノ一ル、フエナントリジノール、ヒドロキシフヱ二ルォキサゾ一ル、ヒドロキシフヱ二ルチアゾ一ル、ヒドロキシジァリール才キサジァゾール、ヒドロキシジァリールチアジアゾール、ヒドロキシフヱ二ルビリジン、ヒドロキシフヱニルベンゾイミダゾ一ル、ヒドロキシベンゾトリァゾ一ル、ヒドロキシフルボラン、ビビリジル、フエナント口リン、フタロシアニン、ボルフィリン、シクロペンタジェン、 iS—ジケトン類、ァゾメチン類、及びそれらの誘導体などが好ましいが、これらに限定されるものではない。

還元性ドーパントを有する層の形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により還元性ド一パントを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に還元ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度としてはモル比で有機物：還元性ドーパント = 1 0 0 ： 1〜 1 ： 1 0 0、好ましくは 5 ： 1〜 1 ： 5である。還元性ドーパントを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み 0. 1〜 1 5 n mで形成する。還元性ド一パントを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、還元ドーパン卜を単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み 0. 0 5〜 1 n mで形成する。本発明の有機 E L素子において、正子 L輸送層は前述の説明の通りである。また、本発明の有機 E L素子は、さらに、正孔注入層を有していてもよく、このような正孔注入層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば 1 0 ⁴ 〜 1 0 ⁶ V/ c mの電界印加時に、少なくとも 1 0— ⁴ c mW ·秒であれば好ましく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機 E L素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、才キサゾール、ォキサジァゾール、 .トリアゾール、ィミダゾール、ィミダゾロン、イミダゾ一ルチオン、ビラゾリン、ビラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、ォキサゾ一ル、ォキサジァゾ一ル、ヒドラゾン、ァシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフエニルアミン、スチリルアミン型トリフヱニルアミン、ジアミン型トリフエニルァミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾ一ル、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

これらの正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級ァミン誘導体又はフタロシアニン誘導体である。芳香族三級アミン誘導体の具体例としては、トリフエニルァミン、トリトリルァミン、トリルジフヱニルァミン、

N， N，ージフエ二ルー N, N' 一 (3—メチルフエニル）一 1， Γ ービフエ二ルー 4, 4 ' —ジァミン、 N， N， N，， N，一（4一メチルフエニル）一 1 ， Γ —フヱ二ルー 4， 4，一ジァミン、 N, N, Ν，， N， _ (4—メチルフェニル）一1 , Γ ービフエ二ルー 4， 4 ' —ジァミン、 N， N' ージフヱニル — N, N，ージナフチルー 1， 1' 一ビフヱ二ルー 4， 4 ' ージァミン、 N, N ， - (メチルフエニル）一 N， N， - ( 4—n—ブチルフエニル）一フエナントレン一 9， 1 0—ジアミン、 N， N—ビス（ 4ージ一 4一トリルアミノフエニル ) —4—フヱニルーシクロへキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したォリゴマ一もしくはポリマ一であるが、これらに限定されるものではない。フタロシアニン（p_c)誘導体の具体例は、 H₂ Pc、 CuPc、 CoPc、 N i Pc、 ZnPc、 PdPc、 F ePc、 MnPc、 C lAl Pc、 C 1 G a P c、 C 1 I nP c、 C 1 S nP c、 C 1₂ S i P c、（H〇） Al Pc、 (HO ) GaPc、 VOPc、 T i〇Pc、 Mo〇Pc、 GaPc—〇_GaPc等のフタロシア二ン誘導体及びナフタロシア二ン誘導体であるが、これらに限定されるものではない。

さらに、有機 EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、 4. 5 eV以上の仕事関数を有すると効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化ィンジゥム錫合金（ I TO) 、酸化錫（N E S A ) 、金、銀、白金、銅等が挙げられる。また、陰極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入するために、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極の材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシゥム、マグネシウム一インジウム合金、マグネシウム一アルミニウム合金、アルミニウム一リチウム合金、アルミニウム一スカンジウム一リチウム合金、マグネシウム一銀合金等が挙げられる。

本発明の有機 E L素子における各層の形成方法は特に限定されず、従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機 E L素子に用いる有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（M B E 法）あるいは溶媒に解かした溶液のデイツビング法、スピンコーティング法、キヤスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。

本発明の有機 E L素子における各有機薄膜層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数 n mから 1 mの範囲が好ましい。次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

測定例

実施例及び比較例で用いる正孔輸送材料の 3重項エネルギー、正孔移動度及びイオン化ポテンシャルは、以下のようにして測定した。それらの結果を表 1に示す。

( 1 ) 3重項エネルギーの測定

最低励起 3重項エネルギー準位 T 1 を測定した。すなわち、試料の燐光スぺクトルを測定し ( 1 0 u m o I /リツトル E P A (ジェチルエーテル：ィソペンタン：エタノール =5 ： 5 ： 2容積比）溶液、 77K、石英セル、 SPEX¾F LUOROLOGII) 、燐光スぺクトルの短波長側め立ち上がりに対して接線を引き横軸との交点である波長（発光端）を求めた。この波長をエネルギー値に換算した。

( 2 ) 正孔移動度の測定

飛行時間法（TOF) により正孔移動度を測定した。試料の正孔輸送材料を膜厚 2. 5 mで I TO基板上に成膜し、さらに対向する電極として A 1を設けた。両電極間に、電界強度 0. 1〜0. 6 MV/ cmで電圧を印可し、 N₂ レーザ —光（パルス幅 2 ns) を照射 'し、生じる電流をストレ一ジオシロスコープ（測定周波数帯域 300 MHz) にて測定した。通常の解析方法に従い光電流の肩が生じる時間（光電流が減衰する時間）てより、 = d/ (て · E) ( は正孔移動度、 Eは電界強度、 dは膜厚）の式で正孔移動度を測定した。理研計器社製、大気下光電子分光装置 AC— 1にて材料粉末を用い測定した。

^z ogog v丄： a

v丄：）丄 j a d丄

3Vdl ： DVd丄

ac [丄 adN

S89990/ 00Z OAV 二重項エネ

発光電界強度正孔移動度

測疋例化合物端イオン化ポテ

の種類 (nm) ルギ一（eV) (MV/cm²) (cmVVs) ンシャル（eV)

1 NPD 504 2.46 0.2 0.8 X 10— ³ 5.4

2 TPD 494 2.51 0.2 0.9x10一³ 5.4

3 TPAC 413 3.00 0.2 1.2X10一³ 5.6

4 TPAE 411 3.02 0.3 0.2 X 10— ³ 5.5

5 TPDF 413 3.00 0.3 0.8X10—³ 5.7

6 DCTA 420 2.95 0.25 0.7 X10"³ 5.4

7 TCTA 420 2.95 0.25 0.8 X 10 " 5.4

8 BCBCz 432 2.82 0.3 0.3X10 5.6 実施例 1

25mmx 75mmx 1. 1 mm厚の I T 0透明電極付きガラス基板（ジォマテイツク社製）をィソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 30分間行なった。洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極が形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚 1 0 nmの銅フタロシアニン膜（以下「CuPc 膜」と略記する。 ) を成膜した。この CuPc膜は、正孔注入層として機能する。 CuPc膜上に正孔輸送材料として膜厚 30 nmの上記 TPACを成膜した。この TP AC膜は正孔輸送層として機能する。さらに、 TPAC膜上に膜厚 30 nmの下記化合物 PB 1 02をホスト材料として蒸着し発光層を成膜した。同時に燐光性の I r金属錯体として上記（K一 3 ) を添加した。（K— 3 ) の濃度は発光層中 7重量％である。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚 1 0 nmの（ 1， 1，一ビスフヱニル）一 4—オラ一ト）ビス（2—メチルー 8一キノリノラート）アルミニウム（上記 (A- 7) ) を成膜した。この（A— 7) 膜は、電子注入層として機能する。この後、還元性ド一パントである L i (L i 源：サエスゲッタ一社製）と化合物（A—7) を二元蒸着させ、陰極側の電子注入層として（A— 7) ： L i膜を形成した。この（A—7) ： L i膜上に金属 A 1を蒸着させ金属陰極を形成し有機 EL素子を作製した。この素子の発光特性を測定したところ、直流電圧 8. 4 Vで発光輝度 93 c d /m² 、効率 1 2. 3 c d/Aの青緑色発光が得られた。また ELスペクトルを計測したところ発光ピーク波長は 477 nmであり、 I r金属錯体から発光が生じていることが示された。

PB 102 実施例 2〜 5

実施例 1において、正孔輸送材料として TP ACの代わりに、表 2に示す化合物を用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。実施例 1同様に、発光特性を測定した結果を表 2に示す。

比較例 1

実施例 1において、正孔輸送材料として TP ACの代わりに、 NPDを用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。実施例 1同様に、発光特性を測定した結果を表 2に示す。

同表に示したように、発光効率は 0. 75 c d/Aと極度に小さかった。これは、発光層で生成する励起状態が消光するためである。また、 ELスペクトルを計測したところ発光ピーク波長は 445 nmであり、 I r錯体からの発光以外に正孔輸送材である N P Dからの発光が生じていることが判明した。

比較例 2

実施例 1において、正孔輸送材料として TPACの代わりに、 TPDを用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。実施例 1同様に、発光特性を測定した結果を表 2に示す。

同表に示したように、発光効率は 1 · 2 3 c d /Aと極度に小さかったれは、発光層で生成する励起状態が消光するためである。表 2

表 2に示したように、正孔輸送材料の 3重項エネルギーが、 . 7 6 e Vより大きいと、発光層のホスト材料である I r金属錯体である（K一 3 ) の励起状態エネルギーは 2 . 7 6 e Vであり、励起状態が失活せず発光効率が極めて高い。なお、 I r金属錯体の励起状態エネルギーは、 3重項エネルギーと同様にして測定した。

実施例 6〜 7及び比較例 3〜 4

実施例 1において、正孔輸送材料として表 3に示す化合物を用い、発光層の（ K一 3 ) の代わりに上記（K一 1 0 ) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。実施例 1同様に、発光特性を測定した結果を表 3に示す。表 3

正孔輸送材料有機 EL素子の性能評価

正孔移動度電圧発光輝度発光効率

ネルギ一発光色

(eV) (cmVVs) (V) (cd/m²) (cd/A)

実施例 6 TPAC 3.00 1.2 X 10— ³ 5.8 150 38.5 緑実施例フ TPDF 3.00 0.8 X 10"³ 5.7 142 35.0 緑比較例 3 NPD 2.46 0.8 X 10一³ 5.4 100 22.5 緑比較例 4 TPD 2.51 0.9 X 10— ³ 5.7 106 23.5 緑表 3に示したように、正孔輸送材料の 3重項エネルギーが、 2 . 5 5 e Vより大きいと、発光層のホスト材料である I r金属錯体である（K一 1 0 ) の励起状態エネルギーは 2 . 5 5 e Vであり、励起状態が失活せず発光効率が極めて高い。なお、 I r金属錯体の励起状態エネルギーは、 3重項エネルギーと同様にして測定した。

実施例 8〜 1 0

実施例 1において、発光層のホスト材料として P B 1 0 2の代わりに、表 4に示す下記化合物を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。実施例 1同様に、発光特性を測定した結果を表 4に示す。

P B 1 1 5 比較例 5

比較例 1において、発光層のホスト材料として PB 1 02の代わりに、表 4 示す化合物を用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。実施例 1同様：、発光特性を測定した結果を表 4に示す。

表 4

表 4に示したように、実施例 1 0と 8， 9とを比較することにより、発光層のホスト材料として電子欠乏性の環であるピリミジン又はピリジノイミダゾールを保有するものを用いた場合、発光効率が特に高いことが判明した。これは、実施例 8， 9のホスト材料が電子輸送性であるので正孔輸送層との界面で電子と正孔が結合し、励起状態が生成しても正孔輸送材料により失活しないためである。比較例 6

2 5 mmx 7 5 mmx 1. 1 mm厚の I T 0透明電極付きガラス基板（ジォマテイツク社製）をィソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 3 0分間行なった。洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極が形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚 1 O nmの CuP c膜を成膜した。この CuP c 膜は、正孔注入層として機能する。ここで基板を取り出し、この正孔注入層上に、正孔輸送材料としてポリビニルカルバゾール（Mw= 6 3000、アルドリツチ製、正孔移動度'： 2 X 1 0- ⁷cm² /Vs) とオル卜メタル化錯体としてトリス（ 2—フヱニルビリジン）イリジウム錯体とを 40 ： 1の質量比でジクロロェタンに溶解して得た塗布液をスピンコーターを用いて塗布し、室温で乾燥させることにより厚みが 4 0 nmの正孔輸送層を形成した。その後、溶媒を除去するため、 1 50°Cで 1時間、加熱し乾燥した。ここで再び基板を真空蒸着装置の基板ホルダ一に装着し、正孔輸送層上に、膜厚 3 0 nmの上記化合物 PB 1 02を蒸着し発光層を成膜した。同時に燐光性の I r金属錯体として（K一 3) を添加した。（K— 3) の濃度は発光層中の 7重量⁰ /₀である。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚 1 O nmの上記 (A- 7 ) を成膜した。この（A— 7) は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントである L i (L i源：サエスゲッター社製) と（A— 7) を二元蒸着させ、陰極側の電子注入層として（A— 7) ： L i膜を形成した。この（A— 7) ： L i膜上に金属 A 1を蒸着させ金属陰極を形成し有機 E L素子を作製した。

この素子の発光特性を測定したところ、直流電圧 1 4. 5 Vで発光し、発光輝度 8 3 c d/m² 、発光効率 7. 8 c d/Aの青緑色発光が得られた。以上のように正孔移動度が 2 X I 0—⁷ cm² /Vsと小さいポリビニルカルバゾールを正孔輸送層の材料した有機 E L素子は、著しく高い電圧が必要となることが判明した。さらに、電圧が高いのみならず発光効率でも実施例に対して劣っている。したがって、正孔移動度が低くなると、特に発光効率面で移動度の影響が大きいことが判明した。産業上の利用可能性

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔輸送層を形成する正孔輸送材料の 3重項エネルギーが 2. 5 2〜3. 70 e Vであり、かつ電界強度 0. 1〜0. 6 MV/ cmにおける正孔移動度が 1 0— ⁶cm² /Vs以上であるため、燐光性の発光をし、発光効率が極めて高く、寿命が長い。このため、フルカラ一用の有機エレクト口ルミネッセンス素子として有用である。

Claims

請求の範囲

1 . 陰極と陽極間に、少なくとも正孔輸送層と燐光性の発光材料及びホスト材料からなる発光層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔輸送層を形成する正孔輸送材料の 3重項エネルギーが 2 . 5 2〜 3 . 7 0 e Vであり、かつ電界強度 0 . 1〜 0 . 6 MV / c mにおける正孔移動度が 1 0一⁶ c m ² / V s以上である有機ェレクトロルミネッセンス素子。

2 . 前記正孔輸送材料のイオン化ポテンシャルが 5 . 8 e V以下である請求項 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

3 . 前記正孔輸送材料の 3重項エネルギーが 2 . 7 6〜 3 . 7 0 e Vである請求項 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

4 . 前記発光層のホス卜材料の 3重項エネルギーが 2 . 5 2 e V以上である請求項 1に記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

5 . 前記発光層のホスト材料が電子輸送性である請求項 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

6 . 前記発光層のホスト材料が電子欠乏性の含窒素 5員環誘導体又は含窒素 6 員環誘導体である請求項 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

7 . 前記含窒素 5員環誘導体が、ィミダゾール、トリアゾ一ル、テトラゾール、ォキサジァゾール、チアジアゾール、ォキサトリアゾール及びチアトリアゾ一ルの中から選ばれる少なくとも 1種類の骨格を有するものである請求項 6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

8 . 前記含窒素 6員環誘導体が、キノキサリン、キノリン、ベンッピリミジン、ピリジン、ピラジン及びピリミジンの中から選ばれる少なくとも 1種類の骨格を有するものである請求項 6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

9 . 前記発光層と前記正孔輸送層との界面に、電子と正孔が再結合する領域又は発光する領域を有する請求項 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 ^{1 0} · 陰極に接する層が還元性ドーパントを含有する請求項 1に記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素。