JP2007063220A - 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子の構成成分として有用な新規な含窒素複素環誘導体を提供し、この含窒素複素環誘導体を有機化合物層の少なくとも一層に用いることにより、低電圧でありながら発光輝度及び発光効率が高い有機ＥＬ素子を実現すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される含窒素複素環誘導体。

（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基、ヘテロアリール基、炭素数１〜５０のアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、などを示しＲ¹〜Ｒ⁶のうちで隣接するものは、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
【選択図】なし

Description

本発明は、新規な含窒素複素環誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子用材料、それを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、有機ＥＬ素子の構成成分として有用な含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機ＥＬ素子用材料、この含窒素複素環誘導体を有機化合物層の少なくとも１層に用いることにより、低電圧でありながら発光輝度及び発光効率が高い有機ＥＬ素子に関するものである。

有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらに低電圧での、高発光輝度及び高発光効率が要求されている。

これらを解決するものとして、例えば、特許文献１には、電子注入材料として特定のヘキサアザトリフェニレン構造を有する化合物を用いているが、良好な電子注入性を示すものの、長時間の通電により結晶化し、耐久性が著しく短い問題がある。また、特許文献２には、特許文献１で用いられている骨格に特定の置換基を入れることでｐ型半導体としての性質を持たせ、正孔注入領域に用いることで良好な正孔注入性を示し、低電圧化を図っているが、やはり長時間の通電により結晶化し、耐久性が著しく短い問題がある。したがって、これらの化合物を用いた有機ＥＬ素子よりもさらに高い発光輝度及び発光効率で、高耐久性の材料が求められている。

特許第３５７１９７７号公報 特許第３６１４４０５号公報

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、有機ＥＬ素子の構成成分として有用な新規な含窒素複素環誘導体を提供し、この含窒素複素環誘導体を有機化合物層の少なくとも一層に用いることにより、低電圧でありながら発光輝度及び発光効率が高い有機ＥＬ素子を実現することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、特定の構造を有する新規な含窒素複素環誘導体を、有機ＥＬ素子の有機化合物層の少なくとも一層に用いることにより、有機ＥＬ素子の低電圧化と高輝度化及び高効率化を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は下記一般式（１）で表される含窒素複素環誘導体を提供する。

（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、置換もしくは無置換のカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基であり、
Ｒ¹〜Ｒ⁶のうちで隣接するものは、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）

一般式（１）で表される含窒素複素環誘導体のうち、下記一般式（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）、（１−ｄ）、（１−ｅ）で表される含窒素複素環誘導体が好ましい。

（１−ａ）

（１−ｂ）

（１−ｃ）

（１−ｄ）

（１−ｅ）

（式中、Ｒ^1'〜Ｒ^6'は、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基又は置換もしくは無置換の核原子数１〜５０のアルキル基であり、Ｒ^1''〜Ｒ^6''は、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基又は置換もしくは無置換の核原子数１〜５０のアルキル基である。）

また、本発明は下記一般式（２）で表される含窒素複素環誘導体を提供する。

（２）

（式中、Ｑ¹〜Ｑ³は、それぞれ独立にヘテロアリールを形成するのに必要な原子群を表し、形成されたそれぞれのヘテロアリールは、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、置換もしくは無置換のカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基によって置換されていてもよい。）

一般式（２）で表される化合物のうち、下記一般式（２−ａ）〜（２−ｇ）で表される化合物が好ましい。

（２−ａ）

（２−ｂ）

（２−ｃ）

（２−ｄ）

（２−ｅ）

（２−ｆ）

（式中、Ｒ^1a〜Ｒ^6fは、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、置換もしくは無置換のカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基であり、
Ｒ^1a〜Ｒ^6bのうちで隣接するものは、それぞれ互いに結合して環構造を形成していてもよい。）

また、本発明は、本発明の前記含窒素複素環誘導体を含む有機ＥＬ素子用材料、有機ＥＬ素子用正孔注入材料又は正孔輸送材料、有機ＥＬ素子用発光材料、及び有機ＥＬ素子用電子注入材料又は電子輸送材料を提供する。
また、本発明は、陰極と陽極との間に１層又は複数層の有機層が挟持されている有機ＥＬ素子のおいて、該有機層のうち少なくとも１層が、本発明の前記含窒素複素環誘導体を含有する有機ＥＬ素子を提供する。
さらに、本発明は、前記有機ＥＬ素子を有する装置を提供する。

（含窒素複素環誘導体）
一般式（１）、一般式（２）及び一般式（２−ａ）〜（２−ｇ）の含窒素複素環誘導体においてＲ¹〜Ｒ⁶及びＲ^1a〜Ｒ^6fで表される置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基及びヘテロアリール基は単環式又は多環式のいずれであってもよい。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子などが挙げられる。前記アリール基及びヘテロアリール基は前記置換基を１個又は複数個有していてもよい。具体的には、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−テルフェニル４−イル基、ｐ−テルフェニル３−イル基、ｐ−テルフェニル２−イル基、ｍ−テルフェニル４−イル基、ｍ−テルフェニル３−イル基、ｍ−テルフェニル２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−テルフェニル４−イル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
これらの中で、好ましくは置換もしくは無置換の核原子数５〜１８のアリール基及びヘテロアリール基であり、例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニルイル基、アントラニル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、ピリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、フェナントリル基などが挙げられる。これらの基は前述の置換基で置換されていてもよい。

一般式（１）、一般式（１−ａ）〜（１−ｅ）、一般式（２）及び一般式（２−ａ）〜（２−ｇ）の含窒素複素環誘導体においてＲ¹〜Ｒ⁶、Ｒ^1'〜Ｒ^6'、Ｒ^1''〜Ｒ^6''及びＲ^1a〜Ｒ^6fで表される置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基は直鎖又は分岐鎖のいずれであってもよい。また、置換基としてはヒドロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子などが挙げられる。前記アルキル基は前記置換基を１個又は複数個有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基などの置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のハロアルキル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
これらの中で、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基などが挙げられる。

一般式（１）、一般式（２）及び一般式（２−ａ）〜（２−ｇ）の含窒素複素環誘導体においてＲ¹〜Ｒ⁶及びＲ^1a〜Ｒ^6fで表される置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基は単環式又は多環式のいずれであってもよい。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子などが挙げられる。前記シクロアルキル基は前記置換基を１個又は複数個有していてもよい。具体的には、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。
これらの中で、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数３〜９のシクロアルキル基であり、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基などが挙げられる。

一般式（１）、一般式（２）及び一般式（２−ａ）〜（２−ｇ）の含窒素複素環誘導体においてＲ¹〜Ｒ⁶及びＲ^1a〜Ｒ^6fで表される置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアラルキル基のアリール基は単環式又は多環式のいずれであってもよい。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子などが挙げられる。前記アラルキル基は前記置換基を１個又は複数個有していてもよい。具体的には、例えばベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
これらの中で、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数６〜２０のアラルキル基であり、例えばベンジル基、メチルベンジル基、シアノベンジル基、ナフチルメチル基などが挙げられる。

一般式（１）、一般式（２）及び一般式（２−ａ）〜（２−ｇ）の含窒素複素環誘導体においてＲ¹〜Ｒ⁶及びＲ^1a〜Ｒ^6fで表される上記以外の基としては、例えば以下のものが挙げられる：
置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基は−ＯＹで表される基であり、Ｙ及び置換基の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる；
置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基は−ＯＹ’と表され、Ｙ’及び置換基の例としては前記アリール基で説明したものと同様の例が挙げられる；
置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基は−ＳＹ’と表され、Ｙ’及び置換基の例としては前記アリール基で説明したものと同様の例が挙げられる；
置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基は−ＣＯＯＹで表される基であり、Ｙの及び置換基例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられ、またＹは水素であってもよい；
置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基におけるアリール基及び置換基の例としては前記アリール基で説明したものと同様の例が挙げられる；
置換もしくは無置換のカルバモイル基は−ＣＯＮＹ”₂で表される基であり、Ｙ”及び置換基の例としては前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられ、またＹ”は水素であってもよい；
ハロゲン原子として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる；
その他の基として、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基が挙げられる。
これらの中で、好ましくはシアノ、ニトロ、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のカルバモイル基などである。

なお、Ｒ¹〜Ｒ⁶のうちで隣接するものは、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。好ましくは、Ｒ¹〜Ｒ⁶のうちで隣接するものは、それぞれ互いに結合して芳香環を形成し、より好ましくは５員芳香環又は６員芳香環を形成し、特に６員芳香環を形成するのが好ましい。
また、Ｒ^1a〜Ｒ^6bのうちで隣接するものは、それぞれ互いに結合して環構造を形成していてもよい。

一般式（２）の含窒素複素環誘導体においてＱ¹〜Ｑ³で表されるヘテロアリールとしては、例えばピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、キノキサリン環、キナルジン環などがあげられる。

一般式（１）及び（２）で表される含窒素複素環誘導体の具体例を以下に示す。

（含窒素複素環誘導体の合成方法）
本発明の含窒素複素環誘導体の合成は、J. Org. Chem.、６１巻、６６６６頁、１９９６年、およびJ. Org. Chem.、４４巻、４２４３頁、１９７９年、Chem.Ber.,１０６巻、１６２８頁、１９７３年を参考に行うことができる。例えば、２位がハロゲン化された各種のイミダゾール誘導体を、加熱下で反応させることにより、合成することが可能である。
具体的には、一般式（１）及び一般式（２）で表される含窒素複素環誘導体は、それぞれ下記の一般式（３）及び一般式（４）で表される中間体を窒素雰囲気下で加熱分解することにより得ることができる。さらに、適当な溶液から再結晶することなどによって精製してもよい。加熱分解条件は、用いる中間体に応じて適宜選択されるが、一般的には室温〜３００℃で１〜２４時間である。

（３）
（式中、Ｒ¹及びＲ²は一般式（１）で定義されるものと同じであり、Ｘはハロゲン原子を表す。）

（４）
（式中、Ｑ¹は一般式（２）で定義されるものと同じであり、Ｘはハロゲン原子を表す。）

また、一般式（３）及び一般式（４）で表される中間体は、対応する２−ハロゲン化イミダゾールを適切な溶媒、例えば０．１Ｍ水酸化ナトリウム中で一塩化ヨウ素などと反応させることによって得ることができる。

（有機ＥＬ素子）
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に１層又は複数層の有機層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層のうち少なくとも１層は前記の本発明の含窒素複素環誘導体を含有する。
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
（１） 陽極／発光層／陰極
（２） 陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３） 陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４） 陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５） 陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６） 陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７） 陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８） 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９） 陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
これらの中で（８）の構成が好ましい。
本発明の含窒素複素環誘導体は、上記有機ＥＬ素子において、いずれの有機層に用いてもよい。例えば、本発明の含窒素複素環誘導体の発光特性を利用して、有機ＥＬ素子用発光材料として発光層に含有させてもよく、また正孔注入又は輸送特性を利用して、有機ＥＬ素子用正孔注入材料又は正孔輸送材料として、正孔注入層又は正孔輸送層に含有させてもよく、さらに電子注入又は輸送特性を利用して、有機ＥＬ素子用電子注入材料又は電子輸送材料として、電子注入層又は電子輸送層に含有させてもよい。

（透光性基板）
発光光が基板側から出射される下面発光型又はボトムエミッション型の有機ＥＬ素子とする場合、本発明の有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。透光性基板としては、有機ＥＬ素子を支持する基板であって、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリスルホン等を挙げることができる。また、駆動用のＴＦＴが形成されているＴＦＴ基板であってもよい。
また、発光光が素子の上部から出射される上面発光型又はトップエミッション型の有機ＥＬ素子とする場合、上述の基板上にアルミニウムなどの適当な金属の光反射層を設ける必要がある。

（陽極）
本発明の有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能を有するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
下面発光型又はボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、陽極の発光に対する透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。

（発光層）
有機ＥＬ素子の発光層は以下（１）〜（３）の機能を併せ持つものである。
（１）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
（２）輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
（３）発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層は、本発明の含窒素複素環誘導体を含む有機ＥＬ素子用発光材料から作製してもよい。また、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層に本発明の含窒素複素環誘導体以外の他の公知の発光材料を含有させてもよく、さらに本発明の含窒素複素環誘導体から作製される発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。

また、本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層は、本発明の含窒素複素環誘導体、アリールアミン化合物及び／又はスチリルアミン化合物を含有することが好ましい。この場合、本発明の含窒素複素環誘導体の含有量は、０．１〜２０質量％の範囲が好ましく、より好ましくは０．１〜１０質量％の範囲である。
アリールアミン化合物としては下記一般式（Ａ）で表される化合物などが挙げられる。

式中、Ａｒ₈は、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、スチルベン、ジスチリルアリールから選ばれる基であり、Ａｒ₉及びＡｒ₁₀は、それぞれ水素原子又は炭素数が６〜２０の芳香族基であり、前記芳香族基は置換されいてもよい。ｐ’は、１〜４の整数である。さらに好ましくはＡｒ₉及び／又はＡｒ₁₀はスチリル基が置換されている。
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、テルフェニル基等が好ましい。

また、スチリルアミン化合物としては下記一般式（Ｂ）で表される化合物などが挙げられる。

式中、Ａｒ₁₁〜Ａｒ₁₃は、置換されていてもよい核炭素数５〜４０のアリール基である。ｑ’は、１〜４の整数である。
ここで、核原子数が５〜４０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントラニル、フェナントリル、ピレニル、コロニル、ビフェニル、テルフェニル、ピローリル、フラニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、オキサジアゾリル、ジフェニルアントラニル、インドリル、カルバゾリル、ピリジル、ベンゾキノリル、フルオランテニル、アセナフトフルオランテニル、スチルベン等が好ましい。なお、核原子数が５〜４０のアリール基は、さらに置換基により置換されていてもよく、好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核原子数５〜４０のアリール基、核原子数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核原子数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子（塩素、臭素、ヨウ素等）が挙げられる。

他の公知の発光材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及び蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の有機ＥＬ素子の発光層において、本発明の含窒素複素環化合物及び／又は下記（ｉ）〜（ix）で表される化合物をホスト材料として用い、前記他の公知の発光材料をドーパントとして用いることもできる。この場合、有機ＥＬ素子からの発光光は、他の公知の発光材料に特有の波長を有することとなる。本発明の含窒素複素環化合物を用いる場合のその含有量は、０．１〜２０質量％の範囲が好ましく、より好ましくは０．１〜１０質量％の範囲である。

下記一般式（ｉ）で表される非対称アントラセン。

（式中、Ａｒは置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合芳香族基である。
Ａｒ’は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。
Ｘは、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。
ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０〜４の整数である。
ｎは１〜３の整数である。また、ｎが２以上の場合は、［ ］内は、同じでも異なっていてもよい。）

下記一般式（ii）で表される非対称モノアントラセン誘導体。

（式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基であり、ｍ及びｎは、それぞれ１〜４の整数である。ただし、ｍ＝ｎ＝１でかつＡｒ¹とＡｒ²のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、Ａｒ¹とＡｒ²は同一ではなく、ｍ又はｎが２〜４の整数の場合にはｍとｎは異なる整数である。
Ｒ¹〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。）

下記一般式(iii) で表される非対称ピレン誘導体。

(iii)

［式中、Ａｒ及びＡｒ’は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。
Ｌ及びＬ’は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
また、Ｌ又はＡｒは、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ’又はＡｒ’は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｎ＋ｔが偶数の時、Ａｒ，Ａｒ’，Ｌ，Ｌ’は下記(1) 又は(2) を満たす。
(1) Ａｒ≠Ａｒ’及び／又はＬ≠Ｌ’（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
(2) Ａｒ＝Ａｒ’かつＬ＝Ｌ’の時
(2-1) ｍ≠ｓ及び／又はｎ≠ｔ、又は
(2-2) ｍ＝ｓかつｎ＝ｔの時、
(2-2-1) Ｌ及びＬ’、又はピレンが、それぞれＡｒ及びＡｒ’上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) Ｌ及びＬ’、又はピレンが、Ａｒ及びＡｒ’上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ及びＬ’又はＡｒ及びＡｒ’のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。］

下記一般式(iv)で表される非対称アントラセン誘導体。

（式中、Ａ¹及びＡ²は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環基である。
Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基である。
Ｒ¹〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基である。
Ａｒ¹、Ａｒ²、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、一般式（１）において、中心のアントラセンの９位及び１０位に、該アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。）

下記一般式（ｖ）で表されるアントラセン誘導体。

（ｖ）

（式中、Ｒ¹〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，置換しても良いアリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アルケニル基，アリールアミノ基又は置換しても良い複素環式基を示し、ａ及びｂは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ¹同士又はＲ²同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ¹同士またはＲ²同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ³とＲ⁴，Ｒ⁵とＲ⁶，Ｒ⁷とＲ⁸，Ｒ⁹とＲ¹⁰がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ１は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）

下記一般式（vi）で表されるアントラセン誘導体。

（ｖｉ）

（式中、Ｒ¹¹〜Ｒ²⁰は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アリールアミノ基又は置換しても良い複数環式基を示し、ｃ，ｄ，ｅ及びｆは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ¹¹同士，Ｒ¹²同士，Ｒ¹⁶同士又はＲ¹⁷同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ¹¹同士，Ｒ¹²同士，Ｒ¹⁶同士又はＲ¹⁷同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ¹³とＲ¹⁴，Ｒ¹⁸とＲ¹⁹がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ²は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）

下記一般式(vii) で表されるスピロフルオレン誘導体。

(vii)

（式中、Ａ⁵〜Ａ⁸は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニル基又は置換もしくは無置換のナフチル基である。）

下記一般式(viii)で表される縮合環含有化合物。

(viii)

（式中、Ａ⁹〜Ａ¹⁴は前記と同じ、Ｒ²¹〜Ｒ²³は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基又はハロゲン原子を示し、Ａ⁹〜Ａ¹⁴のうち少なくとも１つは３環以上の縮合芳香族環を有する基である。）

下記一般式（ix）で表されるフルオレン化合物。

（式中、Ｒ₁およびＲ₂は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ₁同士、Ｒ₂同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ₁およびＲ₂は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ₃およびＲ₄は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ₃同士、Ｒ₄同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ₃およびＲ₄は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ₁およびＡｒ₂は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、Ａｒ₁およびＡｒ₂は、同じであっても異なっていてもよい。ｎは、１乃至１０の整数を表す。）

以上の（ｉ）〜（ix）のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセンである。
また、ドーパントの発光材料としては、りん光発光性の化合物を用いることもできる。りん光発光性の化合物としては、ホスト材料に本発明の含窒素複素環化合物及び／又はカルバゾール環を含む化合物が好ましい。ドーパントとしては三重項励起子から発光することのできる化合物であり、三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。
カルバゾール環を含む化合物からなるりん光発光に好適なホストは、その励起状態からりん光発光性化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発光させる機能を有する化合物である。ホスト化合物としては励起子エネルギーをりん光発光性化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。カルバゾール環以外に任意の複素環などを有していても良い。

このようなホスト化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。ホスト化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。

具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。

りん光発光性のドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、２−フェニルピリジン誘導体、7，８−ベンゾキノリン誘導体、２−(２−チエニル)ピリジン誘導体、２−(１−ナフチル)ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有しても良い。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していても良い。
りん光発光性のドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％であり、１〜３０質量％が好ましい。りん光発光性化合物の含有量が０．１質量％未満では発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮されず、７０質量％を超える場合は、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下する。

また、発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有しても良い。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。

（正孔注入・輸送層（正孔輸送帯域））
正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０⁴〜１０⁶Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０^-4ｃｍ²／Ｖ・秒であれば好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子の正孔注入・輸送層を形成する材料として、本発明の含窒素複素環誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔注入材料又は正孔輸送材料を用いることができる。また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔注入材料又は正孔輸送材料と組み合わせて、又はこれに代えて、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入・輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることもできる。

公知の材料の具体例としては、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同 ５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。

正孔注入・輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入・輸送層の材料として使用することができる。

正孔注入・輸送層は前記正孔注入・輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入・輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入・輸送層は、正孔輸送帯域に前記正孔注入・輸送材料を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよく、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入・輸送層を積層したものであってもよい。
また、発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層として有機半導体層を設けてもよく、１０^-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。

（電子注入・輸送層（電子輸送帯域））
発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。本発明の有機ＥＬ素子においては、本発明の含窒素複素環誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用電子注入材料又は電子輸送材料を電子注入層・輸送層、付着改善層として用いることが好ましい。
本発明の含窒素複素環誘導体を電子輸送帯域に用いる場合、本発明の含窒素複素環誘導体単独で電子注入、輸送層を形成してもよく、他の材料と混合または積層して用いてもよい。
本発明の含窒素複素環誘導体と混合または積層して電子注入・輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において電子の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の電子注入・輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域または陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。本発明では、本発明化合物に還元性ドーパントを含有する有機ＥＬ素子が好ましい。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、およびＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、ＲｂまたはＣｓであり、最も好ましのは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。

本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｓ、Ｎａ₂ＳｅおよびＮａ₂Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ₂、ＢａＦ₂、ＳｒＦ₂、ＭｇＦ₂およびＢｅＦ₂といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。

（陰極）
陰極としては、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで、上面発光型又はトップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。

（絶縁層）
有機ＥＬ素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セ シウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられ、これらの混合物や積層物を用いてもよい。

（有機ＥＬ素子の製造方法）
以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入・輸送層、及び必要に応じて電子注入・輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機ＥＬ素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を記載する。
まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０^-7〜１０^-3Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。

次に、正孔注入層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
本発明の含窒素複素環誘導体は、発光帯域、電子注入帯域又は電子輸送帯域のいずれの層に含有させるかによって異なるが、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をすることができる。また、スピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによって含有させることができる。
最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
この有機ＥＬ素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。

（有機ＥＬ素子の応用）
本発明の有機ＥＬ素子は、低電圧であっても高輝度及び高発光効率が求められる製品に応用が可能である。応用例としては、表示装置、照明装置、プリンター光源、液晶表示装置のバックライトなどが挙げられる。表示装置としては、省エネルギーや高視認性のフラットパネルディスプレイが挙げられる。また、プリンター光源としては、レーザービームプリンタの光源として使用することができる。また、本発明の素子を用いることで、装置体積を大幅に減少することもできる。照明装置やバックライトに関しては、本発明の有機ＥＬ素子を用いることで省エネルギー効果が期待できる。
また、本発明の含窒素複素環誘導体は、有機半導体用材料としての応用も可能である。
次に、本発明を実施例を用いてさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。

（合成例１）
中間体（１-ａ-１）の合成

２−ブロモー１Ｈ−４，５−ジシアノイミダゾール ２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を０．１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液１００ｍＬに加え、さらに一塩化ヨウ素１．８ｇを加え室温で攪拌した。析出した固体をろ過し、水、エーテルで洗浄し、中間体（１-ａ-１）２．６ｇを得た。収率８０％。

化合物（１-ａ）の合成

中間体（１-ａ-１）２．６ｇ（８ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下で３００℃で５時間加熱分解した。冷却後、得られた固体を１０％亜硫酸ナトリウム水溶液で処理し、更にアセトン/エタノール溶液から再結晶することにより、化合物（１-ａ）０．３ｇを得た。収率３２％。このものは、ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソプーションマススペクトル）の測定により、化合物（１-ａ）と同定した。

（合成例２）
中間体（１-ｆ-１）の合成

２−ブロモー１Ｈ−４，５−ジフェニルイミダゾール ２ｇ（８ｍｍｏｌ）を０．１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液８０ｍＬに加え、さらに一塩化ヨウ素１．３ｇを加え室温で攪拌した。析出した固体をろ過し、水、エーテルで洗浄し、中間体（１-ｆ-１）２．０ｇを得た。収率７０％。

化合物（１-ｆ）の合成

中間体（１-ｆ-１）２．０ｇ（４．７ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下で３００℃で５時間加熱分解した。冷却後、得られた固体を１０％亜硫酸ナトリウム水溶液で処理し、更にエタノール溶液から再結晶することにより、化合物（１-ｆ）０．２ｇを得た。収率２０％。このものは、ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソプーションマススペクトル）の測定により、化合物（１-ｆ）と同定した。

（合成例３）
化合物（２−ｃ-１）の合成

２−ブロモー１Ｈ−４，５−ジフェニルイミダゾールの代わりに８−ブロモプリンを用いる以外は、化合物（１-ｆ）の合成と同様の操作を行うことにより、化合物（２−ｃ-１）を得た。０．２ｇ（収率２０％）。このものは、ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソプーションマススペクトル）の測定により、化合物（２−ｃ-１）と同定した。

（有機ＥＬ素子の作製）
実施例１（本発明の含窒素複素環誘導体を正孔注入層に用いた有機ＥＬ素子の作製）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして化合物（１-ａ）で示される含窒素複素環誘導体を膜厚６０ｎｍで成膜し正孔注入層とした。続けてこの膜上に膜厚２０ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル膜（以下「ＮＰＤ膜」と略記する）を成膜した。このＮＰＤ膜は正孔輸送層として機能する。
さらに、このＮＰＤ膜上に膜厚４０ｎｍで下記式で示されるアントラセン誘導体Ａ１と下記式で示されるスチリルアミン誘導体Ｓ１を４０：２の膜厚比で成膜し青色系発光層とした。
この膜上に電子輸送層として膜厚２０ｎｍで化合物（１-ａ）を蒸着により成膜した。この後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを１５０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。

化合物（１-ａ）

Ａ１

Ｓ１

実施例２
実施例１において、化合物（１-ａ）の代わりに、化合物（１-ｄ-１）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

化合物（１-ｄ-１）

比較例１
実施例１において、化合物（１-ａ）の代わりに、特許番号第３６１４４０５号記載の下記化合物Ａを用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

化合物Ａ

比較例２
実施例１において、化合物（１-ａ）の代わりに、Ｎ，Ｎ’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル膜（以下、ＴＰＤ２３２膜）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

（有機ＥＬ素子の評価）
上記実施例１〜２及び比較例１〜３で得られた有機ＥＬ素子について、下記表１に記載された電流密度の時の、電圧、発光輝度、発光効率及び色度を測定し、発光色を観察した。それらの結果を表１に示す。

表１

上記表１の結果から、上記の化合物を正孔注入層に用いることで、極めて低い駆動電圧の素子を製造できることがわかる。

実施例３（本発明化合物を発光層に用いた有機ＥＬ素子の作製）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚６０ｎｍのＮ，Ｎ’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル膜（以下「ＴＰＤ２３２膜」と略記する）を成膜した。このＴＰＤ２３２膜は、正孔注入層として機能する。ＴＰＤ２３２膜の成膜に続けて、このＴＰＤ２３２膜上に膜厚２０ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル膜（以下「ＮＰＤ膜」と略記する）を成膜した。このＮＰＤ膜は正孔輸送層として機能する。
さらに、このＮＰＤ膜上に膜厚４０ｎｍで化合物（１-ｆ）で示される含窒素複素環誘導体と下記式で示されるイリジウム錯体Ｃ１を４０：２の膜厚比で成膜し緑色系発光層とした。
次いで、この発光層膜上に正孔障壁層として膜厚１０ｎｍでバソクプロインを蒸着により成膜した。
この膜上に電子輸送層として膜厚２０ｎｍでＡｌｑ（８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体）を蒸着により成膜した。この後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを１５０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。

化合物（１-ｆ）

Ｃ１

実施例４
実施例３において、化合物（１-ｆ）の代わりに、化合物（１-ｇ）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

化合物（１-ｇ）

比較例３
実施例３において、化合物（１-ｆ）の代わりに、特開２００５−８２６４４号記載の下記化合物Ｂを用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

化合物Ｂ

比較例４
実施例３において、化合物（１-ｆ）の代わりにＣＢＰ（４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

（有機ＥＬ素子の評価）
上記実施例３〜４及び比較例３〜４で得られた有機ＥＬ素子について、下記表２に記載された電流密度の時の、電圧、発光輝度、発光効率及び色度を測定し、発光色を観察した。それらの結果を表２に示す。

表２

上記表２の結果から、上記の化合物を発光層に用いることで、極めて低駆動電圧、高効率の素子を製造できることがわかる。

実施例５（本発明化合物を電子輸送層に用いた有機ＥＬ素子の作製）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚６０ｎｍのＮ，Ｎ’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル膜（以下「ＴＰＤ２３２膜」と略記する）を成膜した。このＴＰＤ２３２膜は、正孔注入層として機能する。ＴＰＤ２３２膜の成膜に続けて、このＴＰＤ２３２膜上に膜厚２０ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル膜（以下「ＮＰＤ膜」と略記する）を成膜した。このＮＰＤ膜は正孔輸送層として機能する。
さらに、このＮＰＤ膜上に膜厚４０ｎｍで下記式で示されるスチリル誘導体ＤＰＶＤＰＡＮと下記式で示されるスチリルアミン誘導体Ｓ１を４０：２の膜厚比で成膜し青色系発光層とした。
この膜上に電子輸送層として膜厚２０ｎｍで化合物（２-ａ-１）を蒸着により成膜した。この後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを１５０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。

ＤＰＶＤＰ

Ｓ１

化合物（２-ａ-１）

実施例６
実施例５において、化合物（２-ａ-１）の代わりに、化合物（２-ｂ-１）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

化合物（２-ｂ-１）

比較例５
実施例５において、化合物（２-ａ-１）の代わりにＡｌｑ（８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

（有機ＥＬ素子の評価）
上記実施例５〜６及び比較例５で得られた有機ＥＬ素子について、下記表３に記載された電流密度の時の、電圧、発光輝度、発光効率及び色度を測定し、発光色を観察した。それらの結果を表３に示す。

表３

上記表３の結果から、上記の化合物を電子注入層に用いることで、極めて高い発光輝度及び発光効率の素子を製造できることがわかる。

Claims (16)

1. 下記一般式（１）で表される含窒素複素環誘導体。
   

   

   （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、置換もしくは無置換のカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基であり、
   Ｒ¹〜Ｒ⁶のうちで隣接するものは、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
2. 一般式（１）で表される含窒素複素環誘導体が、下記一般式（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）、（１−ｄ）、（１−ｅ）である請求項１記載の含窒素複素環誘導体。
   

   

   （１−ａ）
   

   

   （１−ｂ）
   

   

   （１−ｃ）
   

   

   （１−ｄ）
   

   

   （１−ｅ）
   （式中、Ｒ^1'〜Ｒ^6'は、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基又は置換もしくは無置換の核原子数１〜５０のアルキル基であり、Ｒ^1''〜Ｒ^6''は、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基又は置換もしくは無置換の核原子数１〜５０のアルキル基である。）
3. 下記一般式（２）で表される含窒素複素環誘導体。
   

   

   （２）
   （式中、Ｑ¹〜Ｑ³は、それぞれ独立にヘテロアリールを形成するのに必要な原子群を表し、形成されたそれぞれのヘテロアリールは、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、置換もしくは無置換のカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基によって置換されていてもよい。）
4. 一般式（２）で表される含窒素複素環誘導体が、下記一般式（２−ａ）〜（２−ｇ）である請求項３記載の含窒素複素環誘導体。
   

   

   （２−ａ）
   

   

   （２−ｂ）
   

   

   （２−ｃ）
   

   

   （２−ｄ）
   

   

   （２−ｅ）
   

   

   （２−ｆ）
   （式中、Ｒ^1a〜Ｒ^6fは、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核原子数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、置換もしくは無置換のカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基であり、
   Ｒ^1a〜Ｒ^6bのうちで隣接するものは、それぞれ互いに結合して環構造を形成していてもよい。）
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の含窒素複素環誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
6. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の含窒素複素環誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔注入材料又は正孔輸送材料。
7. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の含窒素複素環誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料。
8. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の含窒素複素環誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用電子注入材料又は電子輸送材料。
9. 陰極と陽極との間に１層又は複数層の有機層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機層のうち少なくとも１層が、請求項１〜４のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 請求項１〜４のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を含有する有機層が正孔注入層又は正孔輸送層である、請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. フタロシアニン銅錯体化合物、オリゴチオフェン、アリールアミン系化合物、多環式芳香族化合物からなる群から選択される正孔注入物質をさらに含む請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 請求項１〜４のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を含有する有機層が発光層である、請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. 請求項１〜４のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を含有する有機層が電子注入層又は電子輸送層である、請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
14. 前記電子注入層又は電子輸送層がさらに還元性ドーパントを含有する請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
15. 還元性ドーパントが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯体からなる群から選択される１種又は２種以上の物質である請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
16. 請求項９〜１５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する装置。