WO2004034751A1

WO2004034751A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number: WO2004034751A1
Application number: PCT/JP2003/012598
Authority: WO
Inventors: Takashi Arakane; Toshihiro Iwakuma; Chishio Hosokawa
Original assignee: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date: 2002-10-09
Filing date: 2003-10-01
Publication date: 2004-04-22
Also published as: EP1551206A1; US8623524B2; EP1551206A4; KR20050074478A; US20130126849A1; CN1703937B; CN1703937A; JP5121873B2; TW200421903A; JP2010161410A; JPWO2004034751A1; KR101016164B1; US20060257684A1; TWI360363B

Abstract

陰極と陽極間に、少なくとも燐光性の発光材料とホスト材料からなる発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層と陰極との間に、発光層と接合した電子注入層を有し、発光層が電子輸送性で、前記ホスト材料のイオン化ポテンシャルが５．９ｅＶ以下であり、電子注入層中の電子輸送材料のエネルギーギャップが、発光層中のホスト材料のエネルギーギャップより小さいか、又は電子注入層中の電子輸送材料の三重項エネルギーが、発光層中のホスト材料の三重項エネルギーより小さい有機エレクトロルミネッセンス素子であり、燐光性の発光を用い、発光効率が高い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。

Description

. 有機エレクトロルミネッセンス素子

技術分野

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、燐光性の発光を利用し、低い駆動電圧で、発光効率が高い有機エレクト口ルミネッセンス素子に関するものである。明田

背景技術

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスを ELと略記することがある）は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン ' コダック社の C. W. Tangらによる積層型素子による低電圧駆動有機 EL素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vansly ke，アプライドフィジックスレターズ (Applied Physics Letters), 5 1卷、 9 1 3頁、 1 9 87年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機 EL素子に関する研究が盛んに行われている。 Tangらは、トリス（8—ヒドロキシキノリノールアルミニウム）を発光層に、トリフヱニルジァミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機 EL素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の 2層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の 3層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。有機 E L素子の発光材料としてはトリス（ 8—キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレ一ト錯体、クマリン誘導体、テトラフヱニルブタジエン誘導体、ビススチリルァリ一レン誘導体、ォキサジァゾ一ル誘導体等の発光材料が知られており、それらからは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている（例えば、特開平 8— 2 3 9 6 5 5号公報、特開平 7— 1 3 8 5 6 1号公報等参照）。

また、近年、有機 E L素子の発光層に、発光材料の他に有機リン光材料を利用することも提案されている（例えば、 D. F. O' Brien and M. A. Baldo et al " Impro ved energy transferin e 1 ec trophosphorescent devices" Appl ied Physics let ters Vol. 74 No. 3， pp442-444, Januar 18, 1999 ; M. A. Baldo et al "Very hi gh - eff iciencygreen organic 1 ight-emi tt ing devices based on electrophosp horescence" Appl ied Physics letters Vol. 75 No. 1, pp4-6, July 5, 1999等参照）。

このように有機 E L素子の発光層において、有機リン光材料の励起状態の一重項状態と三重項状態とを利用することにより、高い発光効率が達成されている。有機 E L素子内で電子と正孔が再結合する際にはスピン多重度の違いから一重項励起子と三重項励起子とが 1 ： 3の割合で生成すると考えられているので、 ^光性の発光材料を用いれば蛍光のみを使った素子の 3〜 4倍の発光効率の達成が考えられる。

このような有機 E L素子においては、 3重項の励起状態又は 3重項の励起子が消光しないように順次、陽極、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層（正孔阻止層）、電子注入層、陰極のように層を積層する構成が用いられてきた（例えば、米国特許第 6 , 0 9 7， 1 4 7号明細書、国際特許公報 W0 0 1 / 4 1 5 1 2号明細書参照）。この構成を有する有機 E L素子には、以下のような特徴があった

①電子注入層と発光層を接合すると、励起状態が消光する'ため、発光層よりエネルギ一ギヤップが広いか又は発光層の Ξ重項エネルギーより大きな三重項ェネルギーを保有する正孔阻止層を用いた。

②正孔阻止層は有機発光層からの正孔の移動を制限し、正孔を発光層中に効率よく蓄積することによって、電子との再結合確率を向上させることが可能であった

③正孔阻止層と陰極金属を直接接合すると寿命や効率などの性能が著しく低くなるため正孔阻止層と陰極の間にエネルギーギヤップが正孔阻止層より小さい電子注入層を設ける必要があった。

しかしながら、 iれら従来の電子注入構成には問題があることが判明した。すなわち、正孔阻止層はエネルギーギヤップが広く他層からの電荷注入輸送に対してはエネルギー障壁として働き抵抗が大きいため、駆動電圧が上昇した。さらに正孔阻止層に用いられる多くの化合物は、高い正孔阻止能を保有していたが劣化しゃすく長寿命な素子を与えることができなかつた。

また、従来の素子として、電子注入層と発光層を直接接合し、電子注入層を形成する電子輸送材料の三重項ェネルギ一を発光層を形成するホスト材料の三重項エネルギーより大きくするようにした素子も知られている（例えば、特開 2 0 0 2 - 1 0 0 4 7 6号公報）。しかしながら、電子輸送材料の三重項エネルギーを大きくした素子は、消光を免れるものの一重項エネルギーが三重項エネルギーより一般的に 0 . 3 e V以上大きいため、結果として電子輸送材料のエネルギーギヤップが極めて大きく 3 e V以上となる。このような場合、陰極からの電子注入のエネルギー障壁は極めて大きく駆動電圧の高電圧化が生じ、またエネルギー障壁が大きいと場合には、電流を注入しつづけると劣化が生じ易く、素子の寿命が短いなどの問題があった。

さらに、発光層のホスト材料を電子輸送材料で形成した素子も知られている。 (例えば、国際特許公報 WO 0 1 / 9 3 6 4 2号明細書）。しかしながら、この素子に用いられたホスト材料はイオン化ポテンシャル 5 . 9 e V以上であつたため、ホスト材料に正孔を注入することができず、ホスト材料が正孔を輸送せず駆勳電圧が高くなるという問題があつた。発明の開示

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、燐光性の発光を用いた有機 E L素子において、低い駆動電圧で、発光効率が高い有機 E L素子を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、第一の発明では、少なくとも燐光性の発光材料とホスト材料からなる発光層と陰極との間に、発光層と接合した電子注入層を設けて正孔阻止層は省略し、さらに、電子注入層中の電子輸送材料のエネルギーギャップを、発光層中のホスト材料のエネルギ

—ギャップより小さくした。当業者の従来の理解では、このようにすることで、発光層で生じた励起状態が電子注入層により失活し、効率の極めて低い素子しか得られない。しかし、本発明ではさらに、発光層を電子輸送性とすることにより、電子と正孔が再結合する領域が電子注入層と発光層との界面から離れ失活が免れる。さらには、発光層中のホスト材料に良好に正孔が注入できるようにホスト材料のイオン化ポテンシャルを 5 . 9 e V以下としたことにより、従来の有機 E L素子のように正孔阻止層を用いずに高効率な素子が得られ、さらに発光層中のホスト材料に正孔が注入でき輸送できるので駆動電圧を低下させることができ、劣化しやすい正孔阻止層を用いないので長寿命の素子を得ることができる。また、有機 E L素子の構成が簡素になったため容易に作製可能となった。さらに、ェネルギ一ギャップが発光層中のホスト材料のエネルギーギャップより小さい電子輸送材料を含有させたため、陰極からの電子注入が促進される効果もあり、低電圧化の効果もあることが確認された。

また、第二の発明では、少なくとも燐光性の発光材料とホスト材料からなる発光層と陰極との間に、発光層と接合した電子注入層を設け、電子注入層中の電子輸送材料の三重項エネルギーを、発光層中のホスト材料の三重項エネルギーより小さくした。これにより、電子輸送材料のエネルギーギャップを狭くし、陰極からの電子注入を良好とすることが可能となる。当業者の従来の理解では、このようにすることで、発光層で生じた励起状態が電子注入層により失活し、効率の極めて低い素子しか得られない。しかし、本発明ではさらに、発光層を電子輸送性とすることにより、電子と正孔が再結合する領域が電子注入層と発光層との界面から離れ失活が免れる。さらには、発光層中のホスト材料に良好に正孔が注入できるようにホスト材料のィ才ン化ポテンシャルを 5 . 9 e V以下としたことにより、従来の有機 E L素子と異なり、エネルギーギャップが広い電子注入層を用いずに高効率な素子を得ることが可能になり、電子注入のエネルギー障壁を小さくした効果として素子の寿命が改善された。さらに発光層中のホスト材料に正孔が注入でき輸送できるので駆動電圧を低下させることができる。また、有機 E L素子の構成が簡素になつたため容易に作製可能となった。

すなわち、本第一発明は、陰極と陽極間に、少なくとも燐光性の発光材料とホスト材料からなる発光層を有する有機 E L素子において、発光層と陰極との間に、発光層と接合した電子注入層を有し、発光層が電子輸送性で、前記ホスト材料のィォン化ポテンシャルが 5 . 9 e V以下であり、電子注入層中の電子輸送材料のエネルギーギヤップが、発光層中のホスト材料のエネルギーギヤップょり小さいことを特徴とする有機 E L素子を提供するものである。

また、本第二発明は、陰極と陽極間に、少なくとも燐光性の発光材料とホスト材料からなる発光層を有する有機 E L素子において、発光層と陰極との間に、発光層と接合した電子注入層を有し、発光層が電子輸送性で、前記ホスト材料のィオン化ポテンシャルが 5 . 9 e V以下であり、電子注入層中の電子輸送材料の三重項エネルギーが、発光層中のホスト材料の三重項エネルギーより小さいことを特徴とする有機 E L素子を提供するものである。

前述のように、本第一発明及び本第二発明（以下、本発明）においては、発光層が電子輸送性であることが必須であるが、本発明で電子輸送性であるとは、下記（ 1 ) 又は（ 2 ) のいずれかであることをいう。

( 1 ) ·発光層中のホスト材料の電子移動度が 1 0—⁶ cm² /Vs以上（好ましくは、 1 0— ⁵cm² /Vs以上）である化合物である。電子移動度に関しては飛行時間法（TOF) 又は空間電荷制限電流の過渡測定により計測することができる。 T OF法については、シンセテイツクメタルズ (Synth. Met. ) 111/112, (200 0) 331頁に記載され、空間電荷制限電流の過渡測定については、 Electrical' Tra nsport in Solids, Pergamon Press,應年、第 346〜34 8頁の記載がある。

( 2 ) 発光層の陽極側の領域における正孔と電子の再結合が陰極側における再結合より多い。これは発光層の領域を 2分して、（陰極/電子注入層/陰極側発光層/陽極側発光層/正孔輸送層/陽極側）という層構成とした場合において、陽極側発光層のみに燐光発光性化合物を添加した素子 ANと陰極側発光層のみに燐光発光性化合物を添加した素子 C Aを比較した場合、素子 ANの方が再結合が大きい場合に相当する。その際、電子注入層ゃ正孔輸送層により発光層の励起状態が消光しない様に留意すべきである。また、発光層の陽極側界面のみに燐光発光性化合物を添加した素子 A N ' と陰極側界面のみに燐光発光性化合物を添加した素子 CA' の効率を比較して素子 AN' の効率が大きい場合に発光層は電子輸送性であると言える。

なお、本発明における電子輸送性とは正孔輸送性がないことを意味しない。したがって電子輸送性であるが、正孔移動度を計測した際、 1 0— ⁷cm² /V sより大きい値を保有していても問題ない。

本発明の有機 EL素子において、還元性ド一パントが、電子注入層に添加されているか、又は陰極と該陰極と接合する層との界面領域に添加されていると好ましい。このようにすることで素子の電圧を低くすることができる。

本発明の有機 EL素子において、陰極と陽極間に、燐光性の発光材料が添加されている正孔輸送層を有すると好ましい。このようにすることで正孔輸送層で生じた励起状態も発光につながり一段と発光効率が高くなる。

また、前記正孔輸送層中の正孔輸送材料の三重項エネルギーが、前記発光層中の燐光性の発光材料の励起エネルギーより大きいと好ましい。このようにすることで、正孔輸送材料により発光層の励起状態が消光しなくなり一段と発光効率が高くなる。発明を実施するための最良の形態

本第一発明の有機 E L素子は、陰極と陽極間に、少なくとも燐光性の発光材料とホスト材料からなる発光層を有する有機 E L素子において、発光層と陰極との間に、発光層と接合した電子注入層を有し、発光層が電子輸送性で、前記ホスト材料のイオン化ポテンシャルが 5 . 9 e V以下（好ましくは、 5 . 8 e V以下であり）であり、電子注入層中の電子輸送材料のエネルギーギャップが、発光層中のホスト材料のエネルギーギヤップょり小さい。

本第二発明の有機 E L素子は、陰極と陽極間に、少なくとも燐光性の発光材料とホス卜材料からなる発光層を有する有機 E L素子において、発光層と陰極との間に、発光層と接合した電子注入層を有し、発光層が電子輸送性で、前記ホスト材料のィォン化ボテンシャルが 5 . 9 e V以下であり (好ましくは、 5 . 8 e V 以下であり）、電子注入層中の電子輸送材料の三重項エネルギーが、発光層中のホス卜材料の三重項エネルギーより小さい。

前記発光層中のホス卜材料が電子輸送性であると好ましく、このホスト材料の電子輸送度は 1 0— ⁶ c m ² /V s以上であると好ましい。

発光層中のホスト材料については、従来から用いられてきたポリビュル力ルバゾールやビス力ルバゾゾールなどのポリ力ルバゾール化合物は、例外的な場合を除き正孔輸送性でありかつ電子の輸送能力は小さい。このような正孔輸送性材料をホス卜材料として用いた際には、発光層の陰極側界面が主たる再結合領域となる。この時、発光層と陰極の間に電子注入層を介在させる共に電子注入層と発光層を接合させ、電子注入層にエネルギーギヤップが発光層を形成するエネルギーギヤップょり小さい電子輸送材料を含有させると、発光層の陰極側界面を中心として生じた励起状態が電子注入層により失活し、効率の極めて低い素子しか得られない。また、電子注入層を形成する電子輸送材料の三重項エネルギーは発光層を形成するホスト材料の三重項エネルギーより小さい場合でも発光層の陰極側界面を中心として生じた励起状態が電子注入層により失活し、効率の極めて低い素子しか得られない。

一方、本発明では発光層が電子輸送性であるため、電子と正孔が再結合する領域が電子注入層と発光層との界面から離れ、生じた励起状態の失活を免れる。また、本発明の発光層中のホスト材料は、ィォン化ポテンシャルが 5 . 9 e V 以下のものである。このようにすることにより、正孔輸送材料のイオン化ポテンシャルが 5 . 3〜 5 . 7 e Vであることから、エネルギー障壁を一 0 . 2 ~ 0 . 6 e Vとすることができホス卜材料へ正孔が注入できるようになる。さらに、ホスト材料間で正孔が輸送されるようになるので、駆動電圧が低くなるような化合物を使用することもできる。

前記発光層中のホスト材料としては、力ルバゾリル基もしくはァザカルバゾリル基が含窒素環に連結した化合物、又はカルバゾリル基もしくはァザカルバゾリル基がァリーレン基を介して含窒素環に連結した化合物であると好ましい。このカルノゾリル基、ァザ力ルノゾリル基、含窒素環及びァリーレン基は、それぞれ置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シァノ基、アルキル基、ァルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、アルコシキカルボニル基、カルボキシル基等が挙げられる。

また、前記発光層中のホス卜材料としてさらに好ましくは、下記一般式（ 1 ) 又は ( 2 ) で表される化合物である。 (C z -） _m A ( 1 )

(式中、 C zは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、又は置換もしくは無置換のァザカルバゾリル基である。 Aは、ァリール置換含窒素環基、ジァリール置換含窒素環基、又はトリァリール置換含窒素環基である。 mは 1〜 3の整数である。）

(式中、 C zは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、又は置換もしくは無置換のァザカルバゾリル基である。 Aは、ァリール置換含窒素環基、ジァリール置換含窒素環基、又はトリァリール置換含窒素環基である。 nは 1〜 3の整数である。）

前記ホスト材料における好ましい含窒素環としては、ピリジン、キノリン、ピラジン、ピリミジン、キノキサリン、トリアジン、ィミダゾ一ル、ィミダゾピリジン、ピリダジン、ベンズィミダゾ一ル等が挙げられる。

また、一般式 ( 1 ) 及び ( 2 ) においては、 C zの部位でィォン化ボテンシャルの値は 5. 6 eV〜5. 8 eVであることが判明している。

本発明の有機 EL素子において、発光層中に含まれる燐光性の発光材料としては、素子の外部量子効率をより向上させることができる点で有機金属錯体が好ましく、有機金属錯体の金属原子として、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金を含有するものが挙げられる。これらの有機金属錯体は下記一般式（ 3 ) で表される有機金属錯体であるのが好ましい。

(3)

(式中、 A ^l は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表し、好ましくは、フエニル基、ビフエ二ル基、ナフチル基、アントリル基、チェニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基であり、前記置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、ェチル基等の炭素数 1 ~ 3 0のアルキル基；ビュル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数 1〜3 0のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数 1〜 3 0のアルコキシ基；フヱノキシ基、ベンジルォキシ基などのァリールォキシ基；ジメチルアミノ基、ジェチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、ァセチル基等のァシル基、トリフルォロメチル基等のハロアルキル基、シァノ基を表す。

A ² は、窒素を複素環を形成する原子として含有する置換もしくは無置換の芳香族複素環基を表し、好ましくは、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジン基、トリアジン基、ベンゾチアゾ一ル基、ベンゾォキサゾ一ル基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリン基、フヱナントリジン基であり、前記置換基としては、 A ¹ と同様のものが挙げられる。

A ¹ を含む環と A ² を含む環は一つの縮合環を形成してもよく、このようなものとしては、例えば、 7, 8-ベンゾキノリン基等が挙げられる。

Qは、周期表 7〜 1 1族から選ばれる金属であり、好まじくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、ィリジゥム、白金、金を表す。

Lは、 2座型の配子を表し、好ましくは、ァセチルァセトナート等の S—ジケト型の配位子又はピロメリット酸から選ばれる。

m及び nは整数を表し、 Qが二価金属の場合は、 n = 2、 m= 0であり、 Qが三価金属の場合は、 n = 3かつ m= 0、又は n = 2かつ m= 1である。）前記一般式（ 3 ) で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、何ら下記の化合物に限定されるものではない。 (K-l) (K-2)

(Κ-3) (Κ-4)

( -5) (Κ-6)

(K-7) (K-8)

(Κ-9)

(Κ-10) (Κ-11)

.

(K-13) (K-14)

(Κ-15) ( -16)

( -17)

2

本発明の電子注入層に用いる電子輸送材料は、前述したように、電子輸送材料のェ.ネルギーギヤップが発光層中のホスト材料より小さいか、又は電子輸送材料の三重項エネルギーが発光層中のホスト材料より小さくしたことにより、電子注入性が向上している。

電子注入層中の電子輸送材料のエネルギーギヤップは、 2. 8 e V以下であると好ましく、 2. 7 5 e V以下であるとさらに好ましい。好ましい電子輸送材料としては、含窒素複素環化合物が挙げられる。これは、窒素原子を有する複素環を有する化合物と定義され、例えば、含窒素錯体ゃ含窒素環化合物が挙げられる含窒素錯体としては下記（4) 〜（6) のいずれかで表される化合物が好ましい。

(4) M+ Q又は M⁺ Q' (式中、 M⁺ は一価金属イオン）

( 5) M^{2 +} Q₂ 、 M ⁺ QQ' 又は M^{2 +} Q'₂ (式中、 M^{2 +}は二価金属イオン）

(6) M^{3 +} Q₃ 、 M^{3 +} Q_z Q，、 M^{3 +} QQ，₂又は M^{3 +} Q'₃ (式中、 M^{3 +}は三価金属イオン）

ここで、 Q及び Q' は、それぞれ独立に、下記一般式（7) 及び（8 a) 〜（ 8 c) で表される配位子である。

(7)

(式中、 A¹ 及び A² は、置換もしくは無置換の芳香族環である） 0 Ar^a

I I a

— Ο—ΑΓ⁷ (8a) -O— C— Ar⁸ (8b) -〇一 Z― Ar 10

(8c)

Ar ,11

(式中、 Zは S i、 G e又は S nのいずれかの原子を表わし、 A r ⁷ 〜A r ^{1 Q}は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す） '

また、 Q及び Q' は、それぞれベンゾァゾ一ルであってもよく、例えば、ベンゾィミダゾ一ル、ベンゾチアゾール、ベンゾォキサゾール誘導体等があげられるこれらのうち、特に好ましい Q及び Q' は、下記一般式（9 ) で表されるものである。

(式中、 R ₂ 〜： R ₇ は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のァミノ基、二卜口基、シァノ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、.置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換のァラルキル基、置換もしくは無置換のァリールォキシ基、置換もしくは無置換のアルコシキカルボニル基、又はカルボキシル基を表す。 R ₂ ~R ₇ は、それらのうちの 2つで環を形成していてもよい。）前記 R ₂ 〜： R ₇ の示す各基の具体例としては、以下に示すようなものが挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。

置換もしくは無置換のアミノ基は— N X ¹ X ² と表され、 X ¹ 及び X ² の例としては、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプ口ピル基、 n—ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 t _ブチル基、 n—ぺンチル基、 n—へキシル基、 n—ヘプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1 , 2—ジヒドロキシェチル基、 1， 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3—ジヒドロキシ一 t一ブチル基、 1， 2， 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 _クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1 , 2—ジクロロェチル基、 1， 3—ジクロ口イソプロピル基、 2， 3—ジクロ口一 t—ブチル基、 1 , 2， 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 —ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1， 2—ジブロモェチル基、 1 , 3—ジブロモイソプロピル基、 2， 3—ジブロモ— t一ブチル基、 1 , 2， 3—トリブロモプロピル基、ョ一ドメチル基、 1 ーョ一ドエチル基、 2—ョ一ドエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1 , 2 _ジョ一ドエチル基、 1， 3 _ジョ一ドイソプロピル基、 2， 3—ジョード _ t—ブチル基、 1， 2， 3 _トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1 一アミノエチル基、 —ァミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1， 2—ジアミノエチル基、 1 , 3—ジァミノイソプロピル基、 2， 3—ジアミノー t—ブチル基、 1， 2 , 3—卜リアミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1， 2一ジシァノエチル基、 1 , 3 - ジシァノイソプロピル基、 2 , 3—ジシァノ一 t—ブチル基、 1， 2， 3—トリシァノプロピル基、ニトロメチル基、 1 _ニトロェチル基、 2—二トロェチル基、 2—ニトロイソブチル基、 1， 2—ジニトロェチル基、 1 , 3—ジニトロイソプロピル基、 2， 3—ジニトロ— t—ブチル基、 1 , 2， 3 _トリニトロプロピル基、フヱニル基、 1 一ナフチル基、 2—ナフチル基、 1 _アントリル基、 2— アントリル基、 9 —アントリル基、 1〜フヱナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3—フエナントリル基、 4ーフヱナントリル基、 9ーフヱナントリル基、 1 一ナフ夕セニル基、 2一ナフ夕セニル基、 9—ナフタセニル基、 4—スチリルフェニル基、 1ーピレニル基、 2—ピレニル基、 4ーピレニル基、 2—ビフエニルィル基、 3—ビフヱ二ルイル基、 4—ビフヱ二ルイル基、 p—ターフヱニルー 4 ーィル基、 p—ターフェニル _ 3—ィル基、 p—ターフェ二ルー 2—ィル基、 m —ターフェニル一 4ーィル基、 m—ターフヱニルー 3—ィル基、 m—ターフェ二ルー 2—ィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p― t一ブチルフエニル基、 p _ ( 2—フヱニルプロピル）フエニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4—メチル一 1 _ナフチル基、 4—メチルー 1 一アントリル基、 4 ' 一メチルビフヱニルイル基、 4 " — tーブチルー p—夕一フエ二ルー 4—ィル基、 2—ピロリル基、 3—ピロリル基、ビラジニル基、 2—ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4一ピリジニル基、 2—インドリル基、 3 _インドリル基、 4一インドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1 一イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4—イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2—フリル基、 3一フリル基、 2—べンゾフラニル基、 3—ベンゾフラニル基、 4一ベンゾフラニル基、 5—べンゾフラニル基、 6—ベンゾフラニル基、 7—ベンゾフラニル基、 1 _ ィソベンゾフラニル基、 3一イソべンゾフラニル基、 4一イソベンゾフラニル基、 5—イソべンゾフラニル基、 6—イソべンゾフラニル基、 7—イソベンゾフラニル基、 2—キノリル基、 3—キノリル基、 4 _キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8—キノリル基、 1—イソキノリル基、 3— イソキノリル基、 4—イソキノリル基、 5—^ Tソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8 _イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1一力ルバゾリル基、 2 _力ルバゾリル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルノくゾリル基、 1 —フヱナンスリジニル基、 2—フヱナンスリジニル基、 3—フエナンスリジニル基、 4—フエナンスリジ二ル基、 6 _フエナンスリジニル基、 7—フエナンスリジニル基、 8—フヱナンスリジニル基、 9一フエナンスリジニル基、 1 0—フエナンスリジニル基、 1 ーァクリジニル基、 2—アタリジニル基、 3—アタリジニル基、 4一アタリジニル基、 9 _ァクリジニル基、 1， 7—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 4ーィル基、 1 , 7— フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン _ 4 ーィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン —6—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 7—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 9 —フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 9 - 7 ヱナンスロリン一 4ーィル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1， 9 —フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 7—ィル基、 1 , 9一フエナンスロリン一 8—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 3ーィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 4—ィル基、 1， 1 0—フヱナンス口リン一 5—ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 1 ーィル基、 2， 9一フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 4ーィル基、 2， 9—フェナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2， 9 一フエナンスロリン _ 7—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1 ， 9 _フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 1 ーィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 4— ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一

6—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 9—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 1ーィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 4—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 7 - フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 2 ,

7—フエナンスロリン一 9—ィル基、 2 , 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 —フヱナジニル基、 2—フヱナジニル基、 1ーフエノチアジニル基、 2—フエノチアジニル基、 3ーフノチアジニル基、 4—フヱノチアジニル基、 1—フエノキサジニル基、 2—フヱノキサジニル基、 3—フヱノキサジニル基、 4 - 7 エノキサジニル基、 2—才キサゾリル基、 4一ォキサゾリル基、 5—才キサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5ーォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2一チェニル基、 3—チェニル基、 2—メチルビロール一 1ーィル基、 2—メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2—メチルビロール一 4ーィル基、 2—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3一メチルピロ一ルー 1—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 1一ィル基、 3—メチルビロール一 4ーィル基、 3—メチルビロール一 5—ィル基、

2— t—ブチルピロ一ルー 4—ィル基、 3— （ 2—フヱニルプロピル）ピロール一 1ーィル基、 2ーメチル一 1—ィンドリル基、 4—メチル一 1 一インドリル基、 2—メチル一 3—インドリル基、 4ーメチル一 3—インドリル基、 2— tーブチル 1 —インドリル基、 4 - t一ブチル 1 —インドリル基、 2 - t—ブチル 3一ィンドリル基、 4一 t一ブチル 3—インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 tーブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1， 2—ジヒドロキシェチル基、 1 , 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2 , 3—ジヒドロキシ一 t一ブチル基、 1 , 2 , 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 一クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1， 2—ジクロ口ェチル基、 1， 3—ジクロロイソプロピル基、 2， 3—ジクロ口一 t一ブチル基、 1 , 2， 3 _トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2 _ブロモイソブチル基、 1 , 2 _ジブロモェチル基、 1， 3—ジブロモイソプロピル基、 2， 3—ジブロモ— t _ブチル基、 1， 2， 3—トリブロモプロピル基、ョ一ドメチル基、 1—ョ一ドエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1 , 2—ジョードエチル基、 1 , 3—ジョ一ドイソプロピル基、 2， 3—ジョ —ド一 t一ブチル基、 1 , 2 , 3 _トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1 一アミノエチル基、 —アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1， 2—ジァミノエチル基、 1 , 3—ジアミノイソプロピル基、 , 3—ジァミノ一 tーブチル基、 1 , 2 , 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2一シァノイソブチル基、 1， 2 _ジシァノエチル基、 1， 3—ジシァノイソプロピル基、 2， 3—ジシァノー t—ブチル基、 1， 2， 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1一二トロェチル基、 2—二トロェチル基、 2—二トロイソブチル基、 1， 2—ジニトロェチル基、 1， 3— ジニトロイソプロピル基、 2， 3—ジニトロ一 t—ブチル基、 1 , 2 , 3 _トリニトロプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルケニル基の例としては、ビュル基、ァリル基、 1 一ブテュル基、 2—ブテニル基、 3—ブテュル基、 1 , 3—ブタンジェニル基、 1 ーメチルビニル基、スチリル基、 2， 2—ジフヱ二ルビニル基、 1， 2—ジフエ二ルビニル基、 1ーメチルァリル基、 1， 1ージメチルァリル基、 2—メチルァリル基、 1 _フエニルァリル基、 2—フヱニルァリル基、 3—フエニルァリル基、 3 , 3—ジフヱニルァリル基、 1 , 2—ジメチルァリル基、 1—フエ二ルー 1 ーブテュル基、 3—フヱニルー 1ーブテニル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のシクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、 4ーメチルシクロへキシル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルコキシ基は、一 O Yで表される基であり、 Yの例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s 一ブチル基、イソブチル基、 t一ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—ヘプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1 , 2—ジヒドロキシェチル基、 1， 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2 , 3—ジヒドロキシ一 t一ブチル基、 1 ， 2 , 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1— クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2 _クロ口イソブチル基、 1 , 2—ジクロロェチル基、 1 , 3—ジクロロイソプロピル基、 2 , 3—ジクロロ一 t—ブチル基、 1， 2， 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1 ， 2—ジブロモェチル基、 1 , 3—ジブロモイソプロピル基、 2 , 3—ジブロモ一 t—ブチル基、 1 , 1 , 3—トリプロモプロピル基、ョードメチル基、 1 ーョ一ドエチル基、 2—ョ一ドエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1， 2—ジョードエチル基、 1 ， 3—ジョードイソプロピル基、 2 , 3 _ジョードー t一ブチル基、 1 ， 2， 3—トリヨードプロピル基、アミノメチル基、 1—アミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1 , 2—ジアミノエチル基、 1 , 3—ジァミノイソプ口ピル基、 2， 3—ジァミノ一 t—プチル基、 1 , 2， 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノィソブチル基、 1 , 2—ジシァノエチル基、 1 ， 3—ジシァノイソプロピル基、 2 ， 3—ジシァノ一 t一ブチル基、 1 ， 2 , 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1一二トロェチル基、 2—二トロェチル基、 2 _ニトロイソブチル基、 1 , 2—ジニトロェチル基、 1 , 3—ジニトロイソプロピル基、 1 , 3 —ジニトロー t—ブチル基、 1 , 2 , 3—トリニトロプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基の例としては、フヱニル基、 1 一ナフチル基、 2—ナフチル基、 1 一アントリル基、 2—アントリル基、 9一アントリル基、 1ーフヱナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3—フヱナントリル基、 4 _フエナントリル基、 9—フヱナントリル基、 1 _ナフタセニル基、 2—ナフ夕セニル基、 9—ナフタセニル基、 1—ピレニル基、 2—ピレニル基、 4—ピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3—ビフエ二ルイル基、 4—ビフエ二ルイル基、 p—夕一フヱニルー 4—ィル基、 p—夕ーフヱニル一 3—ィル基、 p—ターフェニルー 2—ィル基、 m—夕一フヱニル一 4ーィル基、 m—ターフヱニル一 3— ィル基、 m—タ一フヱニルー 2—ィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 ρ—トリル基、 p— tーブチルフヱニル基、 p— ( 2—フヱニルプロピル）フヱニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4—メチルー 1 一ナフチル基、 4ーメチルー 1 —アントリル基、 4，一メチルビフエ二ルイル基、 4 " 一 t一ブチル一p—夕一フヱニル _ 4—ィル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の芳香族複素環基の例としては、 1 一ピロリル基、 2—ピ口リル基、 3—ピロリル基、ビラジニル基、 2 —ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4ーピリジニル基、 1 —インドリル基、 2 _インドリル基、 3—インドリル基、 4—インドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1 一イソインドリル基、 2—イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4 一イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2—べンゾフラニル基、 3—ベンゾフラニル基、 4一べンゾフラニル基、 5—べンゾフラニル基、 6—ベンゾフラニル基、 7—べンゾフラニル基、 1—イソべンゾフラニル基、 3 _イソべンゾフラニル基、 4一イソべンゾフラニル基、 5—イソべンゾフラニル基、 6—イソべンゾフラエル基、 7—イソべンゾフラニル基、 2—キノリル基、 3—キノリル基、 4一キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8—キノリル基、 1 一イソキノリル基、 3—イソキノリル基、 4 _イソキノリル基、 5 一イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1 —カルノゾリル基、一カル/ ゾリル基、 3—力ルノゾリル基、一力ルノゾリル基、 9一力ルバゾリル基、 1 一フエナンスリジニル基、 2—フエナンスリジニル基、 3—フヱナンスリジニル基、 4 _フエナンスリジニル基、 6—フエナンスリジニル基、 7—フエナンスリジニル基、 8—フエナンスリジニル基、 9—フェナンスリジニル基、 1 0—フエナンスリジニル基、 1—ァクリジニル基、 2― ァクリジニル基、 3—アタリジニル基、 4一ァクリジニル基、 9—ァクリジニル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 3— ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 5一^ f ル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリンー 8—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1 , 7—フヱナンス口リン一 1 0—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1， 8 _ フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 7—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 4 —ィル基、 1， 9 —フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1， 9ーフヱナンスロリン —6—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 7—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1， 9ーフヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 4—ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9ーフヱナンスロリン一 1 —ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 3 —ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 4ーィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 5 ーィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 6 —ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン —7—ィル基、 2， 9ーフヱナンスロリン一 8—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 1 0 Tル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 1 ーィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 4ーィル基、 2 , 8—フェナンスロリン一 5 Tル基、 2， 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 8 一フエナンスロリン一 7—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 1 ーィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 4— ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン _ 5—ィル基、 2 , 7—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2， 7—フエナンスロリンー 9—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 _フエナジニル基、 2—フエナジニル基、 1 一フヱノチアジニル基、 2—フエノチアジニル基、

3—フヱノチアジニル基、 4一フヱノチアジニル基、 1 0一フヱノチアジニル基、 1 一フエノキサジニル基、 2—フヱノキサジニル基、 3 _フヱノキサジニル基、 4—フヱノキサジニル基、 1 0—フヱノキサジニル基、 2—才キサゾリル基、

4—ォキサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3—チェニル基、 2—メチルピロール一 1ーィル基、 2—メチルビロール一 3—ィル基、 2—メチルピロ —ルー 4—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 1 —ィル基、 3—メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3 —メチルピロ一ルー 4—ィル基ヽ 3—メチルピロール一 5—ィル基、 2— t—ブチルピロ一ルー 4—ィル基、 3 一（ 2—フエニルプロピル）ピロ一ルー 1—ィル基、 2—メチル一 1—インドリル基、ーメチルー 1 —インドリル基、 2 _メチル _ 3 _インドリル基、 4—メチル— 3—インドリル基、 2— t一ブチル 1—インドリル基、 4 _ t—プチル 1 一^ (ンドリル基、 2— t一ブチル 3—ィンドリル基、 4 _ t一ブチル 3—ィンドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のァラルキル基の例としては、ベンジル基、 1—フユニルェチル基、 2—フヱニルェチル基、 1 一フエニルイソプロピル基、 2—フエニルイソプロピル基、フエ二ルー t一ブチル基、 α—ナフチルメチル基、 1 一 α—ナフチルェチル基、 2 _ α—ナフチルェチル基、 1 一 α—ナフチルイソプロピル基、 2—ひ一ナフチルイソプロピル基、 —ナフチルメチル基、 1一一ナフチルェチル基、 2— S—ナフチルェチル基、 1 一 —ナフチルイソプロピル基、 2— )3—ナフチルイソプロピル基、 1 一ピロリルメチル基、 2— （ 1—ピロリル）ェチル基、 p—メチルベンジル基、 m—メチルベンジル基、 0—メチルベンジル基、 p—クロ口べンジル基、 m—クロ口べンジル基、 0—クロ口べンジル基、 p - ブロモベンジル基、 m—ブロモベンジル基、 0—ブロモベンジル基、 p—ョードベンジル基、 m—ョードベンジル基、 0—ョードベンジル基、 p—ヒドロキシべンジル基、 m—ヒドロキシベンジル基、 0—ヒドロキシベンジル基、 p—ァミノベンジル基、 m—ァミノべンジル基、 0—ァミノべンジル基、 p—ニトロべンジル基、 m—ニトロべンジル基、 0—二トロべンジル基、 p—シァノベンジル基、 m _シァノベンジル基、 0—シァノベンジル基、 1ーヒドロキシ一 2 _フエニルィソプロピル基、 1 _クロロー 2—フヱ二ルイソプロピル基等が挙げられる。置換もしくは無置換のァリールォキシ基は、一 O Z，と表され、 Z，の例としてはフエニル基、 1 一ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2—ァントリル基、 9—アントリル基、 1ーフヱナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3—フヱナントリル基、 4—フヱナントリル基、 9ーフヱナントリル基、 1 一ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9一ナフタセニル基、 1ーピレニル基、 2—ピレニル基、 4ーピレニル基、 2—ビフヱ二ルイル基、 3—ビフヱ二ルイル基、 4ービフエ二ルイル基、 p—夕一フエニル一 4ーィル基、 p—ターフェニル — 3—ィル基、 p _ターフヱニルー 2—ィル基、 m—ターフヱニルー 4—ィル基、 m—タ一フヱニルー 3—ィル基、 m—夕一フヱニルー 2—ィル基、 o—卜リル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t—ブチルフエニル基、 p— （ 2—フエニルプロピル）フヱニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4ーメチルー 1ーナフチル基、 4ーメチルー 1 一アントリル基、 4，ーメチルビフヱニルイル基、 4 " 一 t _ブチル一p—ターフヱニルー 4—ィル基、 2—ピロリル基、 3 _ピロリル基、ビラジニル基、 2—ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4一ピリジニル基、 2—インドリル基、 3 _インドリル基、 4一インドリル基、 5 _インドリル基、 6 _インドリル基、 7—インドリル基、 1 一イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4一^ f ソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6一^ f ソインドリル基、 7 _イソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2—ベンゾフラニル基、 3一べンゾフラニル基、 4—ベンゾフラニル基、 5—ベンゾフラニル基、 6 一べンゾフラニル基、 7—ベンゾフラニル基、 1—ィソベンゾフラニル基、 3 - ィソベンゾフラニル基、 4一イソべンゾフラニル基、 5—イソベンゾフラニル基、 6 —ィソベンゾフラニル基、 7—ィソベンゾフラニル基、 2 _キノリル基、 3 —キノリル基、 4—キノリル基、 5 _キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8 _キノリル基、 1—イソキノリル基、 3 _イソキノリル基、 4一イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7 _イソキノリル基、 8 —イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5一キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1一力ルノゾリル基、 2—カルノくゾリル基、 3—力ルノゾリル基、 4—力ルバゾリル基、 1—フエナンスリジニル基、 2—フヱナンスリジニル基、 3—フヱナンスリジニル基、 4ーフヱナンスリジニル基、 6—フヱナンスリジニル基、 7—フエナンスリジニル基、 8—フエナンスリジニル基、 9—フエナンスリジニル基、 1 0—フヱナンスリジニル基、 1 一ァクリジニル基、 2—アタリジニル基、 3—アタリジニル基、 4—アタリジニル基、 9一アタリジニル基.、 1 , 7—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 4—ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 8— ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 9—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン _ 7—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン _ 9ーィル基、 1， 8— フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 ， 9—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 4一ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 9—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 9一フエナンスロリン _ 7—ィル基、 1 , 9 _フエナンスロリン _ 8 —ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 4—ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9 —フヱナンスロリン一 1—ィル基、 2， 9 _フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 ， 9—フエナンスロリン一 4—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 9ーフヱナンスロリン一 6—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 7—ィル基、 2， 9—フエナンスロリン _ 8—ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 1—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 2， 8—フヱナンス口リン一 5—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン _ 7—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 9—ィル基、 2， 8—フェナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 1—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 4—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 9一ィル基、 2 , 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1ーフヱナジニル基、 2— フエナジニル基、 1—フヱノチアジニル基、 2 _フヱノチアジニル基、 3—フエノチアジニル基、 4一フヱノチアジニル基、 1 一フエノキサジニル基、 2—フエノキサジニル基、 3—フヱノキサジニル基、 4ーフヱノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4一才キサゾリル基、 5—才キサゾリル基、 2 —ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3 _チェ二ル基、 2—メチルピロール— 1ーィル基、 2—メチルピロ一ル一 3—ィル基、 1 一メチルピロ一ルー 4ーィル基、 2—メチルピロ一ル一 5—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3—メチルビロール一 2—ィル基、 3—メチルビロール —4—ィル基、 3—メチルピロ一ル一 5 —ィル基、 2— t一ブチルピロ一ルー 4 ーィル基、 3— ( 2—フヱニルプロピル）ピロ一ルー 1—ィル基、 2—メチルー 1—ィンドリル基、 4—メチル一 1—ィンドリル基、ーメチルー 3—ィンドリル基、 4ーメチルー 3—インドリル基、 2— t—ブチル 1—ィンドリル基、 4― t一ブチル 1 一インドリル基、 2 _ t—ブチル 3 _インドリル基、 4— t—プチル 3—インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルコキシカルボ二ル基は一 C O O Yと表され、 Yの例としてはメチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s 一ブチル基、イソブチル基、 t一ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—ヘプチル基、 n—才クチル基、ヒドロキシメチル基、 1—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1， 2—ジヒドロキシェチル基、し 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3—ジヒドロキシー t—ブチル基、 1 , 2 , 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1— クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1， 2—ジクロロェチル基、 1， 3—ジクロ口イソプロピル基、 2， 3—ジクロロ一 tーブチル基、 1 , 2 , 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 —ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1， 2—ジブロモェチル基、 1 , 3—ジブロモイソプロピル基、 2， 3—ジブ口モー t一ブチル基、 1， 1 , 3—トリブロモプロピル基、ョ一ドメチル基、 1—ョ一ドエチル基、 2—ョ一ドエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1 , 2—ジョ一ドエチル基、 1， 3—ジョードイソプロピル基、 2， 3—ジョ一ドー t—ブチル基、 1 , 2 , 3 —卜リヨ —ドプロピル基、アミノメチル基、 1 一アミノエチル基、 2 —アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1 , 2—ジアミノエチル基、 1， 3—ジァミノイソプ口ピル基、 2， 3—ジァミノ一 t—ブチル基、 1， 1， 3—卜リアミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノィソブチル基、 1， 2一ジシァノエチル基、 1， 3—ジシァノイソプロピル基、 2 , 3 —ジシァノ一 t—ブチル基、 1 , 1 , 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1 _ニトロェチル基、 2—ニトロェチル基、 2—ニトロイソブチル基、 1， 2—ジニトロェチル基、 1， 3—ジニトロイソプロピル基、 2， 3—ジニトロー t _ブチル基、 1， 2， 3—トリニトロプロピル基等が挙げられる。

また、環を形成する場合の 2価基の例としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、へキサメチレン基、ジフエニルメタン一 2， 2 ' 一ジィル基、ジフエニルェタン一 3 , 3，一ジィル基、ジフエニルプロパン一 4， 4，一ジィル基等が挙げられる。

前記各置換基としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シァノ基、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ァラルキル基、ァリール才キシ基、アルコシキカルボニル基、又はカルボキシル基等が挙げられ、具体例としては前記と同様のものが挙げられる。

以上のうち、特に好ましい電子輸送材料の含窒素錯体としては、単一の種類の含窒素環誘導体が配位した金属錯体であり、前記含窒素環が、キノリン、フユ二ルビリジン、ベンゾキノリン又はフヱナント口リンであると好ましい。また、前記金属錯体が、キノリノールの金属錯体又はその誘導体であると好ましい。具体的には 8—キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体、例えばトリス（ 8—キノリノール） A 1錯体、トリス（ 5， 7—ジクロ口一 8—キノリノール） A 1錯体、トリス（ 5， 7 —ジブ口モー 8 —キノリノ一ル） A 1錯体、トリス（ 2—メチルー 8—キノリノール） A 1錯体、トリス（ 5—メチルー 8—キノリノール） A 1錯体、トリス（ 8—キノリノール） Z n錯体、トリス（ 8—キノリノール） I n錯体、トリス（ 8—キノリノール） M g錯体、トリス（ 8—キノリノール） . C u錯体、トリス（ 8—キノリノール） C a錯体、トリス（ 8—キノリノール） S n錯体、トリス（ 8—キノリノール） G a錯体、トリス（ 8—キノリノ一)レ） P b錯体等の 1種単独または 2種以上の組み合わせが挙げられる。

これらの金属錯体は、エネルギーギヤップが小さいので陰極からの電子注入性に優れ、電子輸送に対する耐久性も高く、長寿命の素子を与えることができる。また、好ましい電子輸送材料の含窒素環化合物としては、.含窒素環としてピリジン、キノリ >、ビラジン、ピリミジン、キノキサリン、トリアジン、ィミダゾ —ル、イミダゾピリジン等を有する化合物が挙げられ、特にエネルギーギャップを小さくできることから含窒素環と縮合芳香族環が連結した化合物、又は含窒素環がァリーレン基を介して縮合芳香族環と連結した化合物が好ましい。この含窒素環、縮合芳香族環及びァリーレン基は、それぞれ置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シァノ基、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素'基、芳香族複素環基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、アルコシキカルボニル基、カルボキシル基等が挙げられる。

また、好ましい前記縮合芳香族環としては、ナフタレン、アントラセン、ピレン、フエナントレン、フルオランテン、クリセン、ペリレン、ナフ夕セン又はべン夕セン等が挙げられる。

さらに好ましい電子輸送材料の含窒素環化合物としては、含窒素環が、イミダゾ一ルや、これを縮環させたイミダゾピリジン，ベンゾィミダゾール等の 6員環と 5員環の縮合環であって、 1 ~ 4個の窒素原子を有するものであり、例えば、ベンゾイミダゾール構造を有するものとして、例えば下記一般式（A ) 〜（B ) で表されるものが挙げられる。

一般式（A) 及び（B ) 中、 Lは一価又は二価の連結基を表し、例えば、炭素、ゲイ素、窒素、ホウ素、酸素、硫黄、金属（例えば、バリゥム、ベリリウム）、芳香族炭化水素環、芳香族複素環等が挙げられ、これらのうち炭素原子、窒素原子、ゲイ素原子、ホウ素原子、酸素原子、硫黄原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素基が好ましく、炭素原子、ゲイ素原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素基がさらに好ましい。

Lの芳香族炭化水素基及び芳香族複素基は置換基を有していてもよく、置換基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、アミノ基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ァシル基、アルコキシカルボ二ル基、ァリールォキシカルボニル基、ァシルォキシ基、ァシルァミノ基、アルコキシカルボニルァミノ基、ァリールォキシカルボニルァミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、力ルバモイル基、アルキルチオ基、ァリ一ルチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シァノ基、芳香族複素環基であり、より好ましくはアルキル基、了リール基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ハロゲン原子、シァノ基、芳香族複素環基であり、さらに好ましくはアルキル基、ァリ一ル基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、芳香族複素環基であり、特に好ましくはアルキル基、ァリール基、アルコキシ基、芳香族複素環基である。

また、一般式（A) 及び（B ) において、 Lがー価の場合、 Lは一 L ' - A r ¹ - A r ² で表され、 L ' 、 A r ¹ 、 A r ² としては、縮合芳香族環であるアントラセン、ナフ夕レン、クリセン、フエナントレン、フルオランテン、ピレン、ペリレンゃ、芳香族へテロ環であるピリジン、ピリミジン、トリァジン、さらに縮環していない芳香族環として、ベンゼン、ビフヱニル、ターフヱニル等の残基が好ましく挙げられる。これらの残基は置換されていてもよく、 L，は単結合を表してもよい。 A r ¹ として特に好ましくは、アントラセン残基、ナフタレン残基、クリセン残基であり、 A r ² として特に好ましくは、ナフタレン残基、ビフヱニル残基、ベンゼン残基である。

一般式（A) 及び（B ) で表される化合物の具体例としては、以下の例示化合物等が挙げられるがこれら例示化合物に限定されるものではない。なお、下記例示において、一般式（A) 及び（B ) における（）内の含窒素環残基の部分は HA rと記載している。

HA r一 L'-A r -A r ²

HAr L, Ar¹ Ar²

(A— 14)

HA r -L'-A r ¹ —A

HA r ― L'— A r ¹ — A r

HA r— L'— A r ¹ 一 A r

HAr Ar'

(A - 36)

(A- 37)

Lが二価の場合、一般式（A ) 及び（B ) は H A r— L， - A r ¹ —じ - H A rで表されるものが好ましい。 L，及び A r ¹ の例は及ぴ好ましい例は前記と同様であり、置換基を有していてもよく， L ' は単結合でもよい。

R及び R ' は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は

R及び R ' の脂肪族炭化水素基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基（好ましくは炭素数 1〜2 0、より好ましくは炭素数 1〜 1 2、特に好ましくは炭素数 1 ~ 8のアルキル基であり、例えば、メチル、ェチル、 i s 0—プロピル、 t e r tーブチル、 n—才クチル、 n—デシル、 n—へキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロへキシル等が挙げられる。 ) 、アルケニル基 (好ましくは炭素数 2〜 2 0、より好ましくは炭素数 2〜 1 2、特に好ましくは炭素数 1〜 8のアルケニル基であり、例えば、ビュル、ァリル、 2—ブテュル、 3—ペンテニル等が挙げられる。 ) 、アルキニル基 (好ましくは炭素数 2〜 2 0、より好ましくは炭素数 2〜 1 2、特に好ましくは炭素数 2〜 8のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル、 3—ペンチュル等が挙げられる。 ) であり、アルキル基であると好ましい。

R及び R ' の芳香族炭化水素基は、単環又は縮合環であり、好ましくは炭素数 6 - 3 0 , より好ましくは炭素数 6〜 2 0、さらに好ましくは炭素数 6〜 1 2の芳香族炭化水素基であり、例えば、フエニル、 2—メチルフヱニル、 3一メチルフエニル、 4ーメチルフヱニル、 2—メトキシフヱニル、 3 _ 卜リフル才ロメチルフヱニル、ペンタフルオロフヱニル、 1一ナフチル、 2一ナフチル等が挙げられる。

R及び R ' の複素環基は、単環又は縮合環であり、好ましくは炭素数 1〜 2 0 、より好ましくは炭素数 1〜 1 2、さらに好ましくは炭素数 2〜 1 0の複素環基であり、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の少なくとも一つを含む芳香族へテロ環基である。この複素環基の例としては、例えば、ピロリジン、ピぺリジン、ピぺラジン、モルフォリン、チォフェン、セレノフェン、フラン、ピロール、ィミダゾール、ビラゾール、ピリジン、ビラジン、ピリダジン、ピリミジン、卜リァゾ一ル、卜リアジン、ィンドール、ィンダゾ一ル、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、ォキサゾリン、ォキサゾール、ォキサジァゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、ァクリジン、フヱナント口リン、フヱナジン、テトラゾール、ベンゾィミダゾール、ベンゾォキサゾ一ル、ベンゾチアゾール、ベンゾトリァゾ一ル、テ卜ラザインデン、カルバゾ一ル、ァゼピン等が挙げられ、好ましくは、フラン、チォフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリァジン、キノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリンであり、より好ましくはフラン、チオフヱン、ピリジン、キノリンであり、さらに好ましくはキノリンである。

R及び R ' で表される脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及び複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては前記 Lで表される基の置換基として挙げたものと同様であり、また好ましい置換基も同様である。

R及び R ' として好ましくは、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は複素環基であり、より好ましぐは脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数 6〜 3 0、より好ましくは炭素数 6〜 2 0、さらに好ましくは炭素数 6〜 1 2のもの）又は芳香族炭化水素基であり、さらに好ましくは脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数 1〜 2 0、より好ましくは炭素数 1〜 1 2、さらに好ましくは炭素数 2〜 1 0のもの）である。

nは、 1〜 2の整数である。

また、電子輸送材料の含窒素環化合物におけるィミダゾピリジン構造を有するものとして、例えば下記一般式（C ) で表されるものが挙げられる。

一般式（C ) において、 A r ¹，は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 6 0の (好ましくは核炭素数 6〜 4 0 ) ァリール基、又は置換もしくは無置換の核炭素数 3〜6 0 (好ましくは核炭素数 3〜4 0 ) のへテロァリール基である。

A r の置換もしくは無置換のァリール基の例としては、フユ二ル基、 1ーナフチル基、 2—ナフチル基、 1一アントリル基、 2—アントリル基、 9 一アントリル基、 1ーフヱナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3—フヱナントリル基、 4ーフヱナントリル基、 9—フヱナントリル基、 1 一ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9一ナフタセニル基、 1—クリセ二ル基、 2—クリセ二ル基、 6 —クリセニル基、 1—ピレニル基、 2—ピレニル基、 4—ピレニル基、 2—ビフェニルイル基、 3—ビフヱ二ルイル基、 4一ビフヱ二ルイル基、 p—ターフェ二ル一 4ーィル基、 p—夕一フヱニルー 3—ィル基、 p—夕一フエ二ルー 2—ィル基、 m—夕一フヱニルー 4ーィル基、 m—夕一フヱニル一 3—^ f ル基、 m—夕一フエニル— 2 f ル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t— ブチルフヱニル基、 p— （ 2—フヱニルプロピル）フヱニル基、 3—メチルー 2 一ナフチル基、 4ーメチルー 1—ナフチル基、 4一メチル一 1 _アントリル基、 4 ' —メチル'ビフヱ二ルイル基、 4 " — tーブチルー p—ターフェ二ルー 4一ィル基、フルオランテニル基、フル才レニル基、スピロビフルオレンからなる 1 価の基、パーフルオロフヱニル基、パーフルォロナフチル基、パーフルォロアン卜リル基、パーフルォロビフエ二ルイル基、 9—フエ二ルアントラセンからなる 1価の基、 9— ( 1，一ナフチル）アントラセンからなる 1価の基、 9一（2 ， —ナフチル）アントラセンからなる 1価の基、 6—フエユルクリセンからなる 1 価の基、 9一 [ 4— (ジフヱニルァミノ）フヱニル] アントラセンからなる 1価の基等が挙げられ、フヱニル基、ナフチル基、ビフヱニル基、ターフヱニル基、

9一（ 1 0—フエニル）アントリル基、 9一 [ 1 0 - （ Γ 一ナフチル) ] アントリル基、 9一 [ 1 0— （ 2，一ナフチル） ] アントリル基等が好ましい。

A r の置換もしくは無置換のへテロァリール基の例としては、ピローリル基、フリル基、チェニル基、シロ一リル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフリル基、ィミダゾリル基、ピリミジル基、力ルバゾリル基、セレノフヱニル基、ォキサジァゾリル基、トリアゾーリル基等が挙げられ、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基が好ましい。

一般式（C ) において、 A r ²'は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 6 0 (好ましくは核炭素数 6〜 4 0 ) のァリール基、置換もしくは無置換の核炭素数 3〜 6 0 (好ましくは核炭素数 3〜 4 0 ) のへテロァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 2 0 (好ましくは炭素数 1 ~ 6 ) のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜2 0 (好ましくは炭素数 1〜6 ) のアルコキシ基である。

A r ²'の置換もしくは無置換のァリール基の例としては、前記 A r と同様のものが挙げられる。

A r ²'の置換もしくは無置換のへテロアリール基の例としては、前記 A r と同様のものが挙げられる。

A r ²'の置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n _ブチル基、 s _ブチル基、イソブチル基、 t一ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—才クチル基、ヒドロキシメチル基、 1—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1， 2—ジヒドロキシェチル基、 1， 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2 , 3—ジヒドロキシ一 t—ブチル基、 1， 2， 3 - トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1—クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2 _クロ口イソブチル基、 1， 2—ジクロ口ェチル基、 1， 3—ジクロロイソプロピル基、 1 , 3—ジクロ口一 t一ブチル基、 1 , 2， 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2 —ブロモイソブチル基、 1 , 2—ジブロモェチル基、 1， 3 —ジブロモイソプロピル基、 2， 3—ジブロモ— t一ブチル基、 1 , 2 , 3—トリブロモプロピル基、ョ一ドメチル基、 1ーョードエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1， 2—ジョ一ドエチル基、 1， 3—ジョ一ドイソプロピル基、 2， 3—ジョードー t一ブチル基、 1， 2 , 3—トリョ一ドプロピル基、アミノメチル基、 1ーァミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1 ， 2—ジアミノエチル基、 1， 3—ジァミノイソプロピル基、 2 , 3—ジァミノ _ t一ブチル基、 1 , 2， 3—卜リアミノプロピル基、シァノメチル基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1 , 2—ジシァノエチル基、 1 , 3—ジシァノイソプロピル基、 2， 3—ジシァノ一 t _ブチル基、 1， 2 , 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1一二トロェチル基、 2—二トロェチル基、 2 _ニトロイソブチル基、 1， 2— ニトロェチル基、 1， 3—ジニトロイソプロピル基、 2 , 3—ジニトロ一 t一ブチル基、 1， 2， 3—トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、 4—メチルシクロへキシル基、 1ーァダマンチル基、 2—ァダマンチル基、 1 一ノルボルニル基、 2一ノルボルニル基等が挙げられ、、メチル基、ェチル基、 t—ブチル基が好ましい。

A r ²'の置換もしくは無置換のアルコキシ基は一 O Yで表される基であり、 Y の例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 t—ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2 —ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1 , 2—ジヒドロキシェチル基、 1 , 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3—ジヒドロキシー t一ブチル基、 1， 2， 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 一クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1， 2 ージクロ口ェチル基、 1， 3—ジクロロイソプロピル基、 2， 3—ジクロロー t 一ブチル基、 1， 2， 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 _ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1 , 2—ジブロモェチル基、 1， 3 —ジブロモイソプロピル基、 2 , 3—ジブ口モー t一ブチル基、 1， , 3—トリブロモプロピル基、ョードメチル基、 1ーョ一ドエチル基、 2—ョードエチル基、 2 —ョードイソブチル基、 1， 2—ジョードエチル基、 1 ， 3—ジョードイソプロピル基、 2 , 3—ジョードー t一ブチル基、 1， 2， 3 —トリョ一ドプロピル基、アミノメチル基、 1—アミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1， 2—ジアミノエチル基、 1， 3—ジアミノイソプロピル基、 2， 3—ジァミノ一 t一ブチル基、 1 , 2， 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2— シァノイソブチル基、 1， 2—ジシァノエチル基、 1， 3—ジシァノイソプロピル基、 2 , 3—ジシァノ一 t—ブチル基、 1 , 2， 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1一二トロェチル基、 2—二トロェチル基、 2—ニトロイソブチル基、 1， 2—ジニトロェチル基、 1， 3—ジニトロイソプロピル基、 2 , 3 —ジニトロ _ t—プチル基、 1 , 2， 3—トリニトロプロピル基等が挙げられ、、メチル基、ェチル基、 t一ブチル基が好ましい。

ただし、一般式（C ) において、 A r 及び A r ²'のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数 1 0〜 6 0の縮合環基、又は置換もしくは無置換の核炭素数 3〜6 0のモノへテロ縮合環基である。

一般式（C ) のし¹ 及び L ² は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 6 0 (好ましくは核炭素数 6〜 4 0 ) のァリーレン基、置換もしくは無置換の核炭素数 3〜 6 0 (好ましくは核炭素数 3〜 4 0 ) のへテロァリ —レン基、又は置換もしくは無置換のフルォレニレン基である。

L ¹ 及び L ² の置換もしくは無置換のァリ一レン基の例としては、前記 A r ¹' と同様のァリール基からさらに水素原子を除き 2価の基としたものが挙げられる

L ¹ 及び L² の置換もしくは無置換のへテロァリ一レン基の例としては、前記 Ar と同様のへテロアリール基からさらに水素原子を除き 2価の基としたものが挙げられる。

また、一般式 (C) において、 L¹ 及び/又は L ² が、

からなる群から選ばれる基であると好ましい。

さらに、一般式（C) において、前記 A r が、下記一般式（a)

表される基であると好ましい。

J ■ で

(b) (c)

(i)

(式中、式中、 R¹ 〜R⁹²は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数

〜 20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数

〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数〜 40のァリ一ル才キシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 12〜80のジァリールアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数 40のァリ一ル基、置換もしくは無置換の核炭素数 3〜40のへテロァリール基、又は置換もしくは無置換の核炭素数 1 ·8〜 1 2 0のジァリ一ルァミノァリ一ル基、 L ³ が、単結合及び

からなる群から選ばれる基である。）

一般式（C) の R''は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 6 0のァリール基、置換もしくは無置換の核炭素数 3〜 6 0のへテロァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 2 0のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1 ~2 0のアルコキシ基である。

R' 'の置換もしくは無置換のァリ一ル基の例としては、前記 A r と同様のものが挙げられる。

R''の置換もしくは無置換のへテロアリール基の例としては、前記 Ar と同様のものが挙げられる。

R' 'の置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、前記 A r ²'と同様のものが挙げられる。

の置換もしくは無置換のアルコキシ基の例としては、前記 Ar ²'と同様のものが挙げられる。

一般式（C) で表される化合物の具体例としては、以下の例示化合物等が挙げられるがこれら例示化合物に限定されるものではない。 L

86SZT0/C00Zdf/X3d IS o請 OAV

： dr

0\

/

\ \ \

()c03- また、一般式（C ) で表される含窒素環化合物は置換基を有していてもよく、置換基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、アミノ基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ァシル基、アルコキシ力ルボニル基、ァリールォキシカルボニル基、ァシルォキシ基、ァシルァミノ基、アルコキシカルボニルァミノ基、ァリールォキシカルボニルァミノ基、スルホ二ルァミノ基、スルファモイル基、力ルバモイル基、アルキルチオ基、ァリ一ルチォ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シァノ基、芳香族複素環基であり、より好ましくはアルキル基、ァリ一ル基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ハロゲン原子、シァノ基、芳香族複素環基であり、さらに好ましくはアルキル基、ァリール基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、芳香族複素環基であり、特に好ましくはアルキル基、ァリール基、アルコキシ基、芳香族複素環基である。

これらの含窒素環化合物は、エネルギーギャップが小さいので陰極からの電子注入性に優れ、電子輸送に対する耐久性も高く、長寿命の素子を与えることができる。

本発明においては、還元性ドーパントが、前記電子注入層に添加されているか、又は陰極と該陰極と接合する層との界面領域に添加されていると好ましく、還元性ドーパントの仕事関数が、 2 . 9 e V以下であると好ましい。この電子注入効率を上昇させる化合物と定義され。該還元性ド一パントは、含有される電子注入層又は界面領域の少なくとも一部を還元しァニオン化する。

界面領域への還元性ドーパントの添加形態としては、層状又は島状に形成すると好ましい。

この還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、希土類金属化合物から選ばれた少なくとも一種類を用いると好ましい。前記アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、及び希土類金属化合物としては、それぞれの酸化物やハロゲン化物が挙げられる前記アルカリ金属としては、 Na (仕事関数： 2. 3 6 eV) 、 K (仕事関数： 2. 2 8 eV) 、 Rb (仕事関数： 2. 1 6 eV) 、 C s (仕事関数： 1. 9 5 e V) 等が挙げられ、仕事関数が 2. 9 eV以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくは K：、 Rb、 C s、さらに好ましくは Rb又は C sであり、最も好ましくは C sである。

前記アルカリ土類金属としては、 C a (仕事関数： . 9 eV) 、 S r (仕事関数： 2. 0〜 2. 5 e V) 、 B a (仕事関数： 2. 5 2 e V) 等が挙げられ、仕事関数が 2. 9 eV以下のものが特に好ましい。

前記、希土類金属としては、 S c、 Y、 C e、 Tb、. Yb等が挙げられ、仕事関数が 2. 9 eV以下のものが特に好ましい。

以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機 E L素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。

前記アルカリ金属化合物としては、 L i ₂ 0、 C s₂ 0、 K₂ 0等のアルカリ酸化物、 L i F、 NaF、 C s F、 K F等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、 L i F、 L i 2 0、 N aFのアル力リ酸化物又はアル力リフッ化物が好ましい前記アルカリ土類金属化合物としては、 B aO、 S r O、 C a 0及びこれらを混合した B a_x S r ! -x 0 (0く xく 1 ) や、 B a_x C a .-_x 〇 ( 0 < x< 1 ) 等が挙げられ、 B aO、 S r O、 C a 0が好ましい。

前記希土類金属化合物としては、 YbF₃ 、 S c F₃ 、 S c〇₃ 、 Y₂ 0₃ 、 C e ₂ 0₃ 、 GdF₃ 、 TbF₃ 等が挙げられ、 YbF₃ 、 S c F₃ 、 Tb F₃ が好ましい。

前記アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、ァクリジノール、フヱナントリジノール、ヒドロキシフヱニルォキサゾール、ヒドロキシフヱ二ルチアゾ一ル、ヒドロキシジァリールォキサジァゾ一ル、ヒドロキシジァリ一ルチアジァゾール、ヒドロキシフヱニルピリジン、ヒドロキシフヱニルべンゾィミダゾ一ル、ヒドロキシべンゾトリァゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フヱナント口リン

、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジェン、 S—ジケトン類、ァゾメチン類、及びそれらの誘導体などが好ましいが、これらに限定されるものではない。

形成方法としては、抵钪加熱蒸着法により還元性ド一パントを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に還元ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度としてはモル比で有機物：還元性ドーパント = 1 0 0 ： 1〜 1 ： 1 0 0、好ましくは 5 ： 1〜 1 ： 5である。

還元性ドーパントを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料ゃ電子注入材料を層状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み 0. 1〜 1 5 n mで形成する。

還元性ドーパントを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料ゃ電子注入材料を島状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み 0. 0 5〜 1 n mで形成する。

また、本発明の有機 E L素子の電子注入層における、主成分と還元性ド一パン卜の割合としては、モル比で主成分：還元性ドーパント = 5 ： 1〜 1 ： 5であると好ましく、 2 ： 1〜 1 ： 2であるとさらに好ましい。

本発明の有機 E L素子において、陰極と陽極間に、燐光性の発光材料が添加されている正孔輸送層を有すると好ましい。この正孔輸送層に用いる正孔輸送材料は、その三重項エネルギーが、前記発光層中の燐光性の発光材料の励起エネルギ —より大きいと好ましい。

また、従来用いられてきた下記 TPDや NPD

T PD NPD は、三重項エネルギーがそれぞ 2. 4 6 e V, 2. 5 1 e Vであり、これに対し、本発明で用いる発光層中の燐光性の発光材料は、例えば前記した（K— 1 0) の三重: ¾エネルギーは 2. 5 5 eVであるので、発光層の励起^！犬態を失活してしまう。すなわち、正孔輸送材料の三重項エネルギーが 2. 5 5 eVより大きいものが失活程度が小さく発光効率が高くなる。

本発明で用いる三重項エネルギーが 2. 5 5 e Vより大きい正孔輸送材料の具体例としては、以下に示す一般式（ 1 0 ) 、（ 1 2) 、（ 1 4 ) 〜（ 1 7 ) 及び ( 1 9 ) のものが好ましく、それらは縮合芳香族環を有しないことが好ましい。

[式中、 nは 0〜3の整数であり、 R¹ 〜R³ は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数 1〜 3 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 3 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 3 0のァリール基、置換もしくは無置換の核炭素数 6 ~ 3 0のァリールアルキル基である。 Bは、シクロへキシレン、ァダマンチルなどの脂肪族環残基であるが、好ましくは下記一般式（ 1 1 ) で示される脂肪族環残基を表す _c

(式中、 Yは、置換もしくは未置換のアルキル基又は置換もしくは無置換のァリ —ル基である。 nは 2〜 7の整数、 mは 0〜2の整数を表す。） ]

A - B - A ( 1 2)

[式中、 Aは下記一般式（ 1 3) で表されるジァミン誘導体残基、 Bはァダマンチル脂肪族環状基であり、好ましくは前記一般式（ 1 1 ) で示される脂肪族環残基をそれぞれ表す。 ]

[ (式中、 R¹ 〜R⁹ は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のチォアルコキシ基、シァノ基、アミノ基、モノ又はジ置換アミノ基、水酸基、メルカプト基、置換もしくは無置換のァリールォキシ基、置換もしくは無置換のァリ一ルチオ基、置換もしくは無置換の芳香族環基、置換もしくは無置換の複素環基を表し（ただし、 R¹ 〜R³ 、 R⁴ 〜R⁶ 及び R⁷ 〜R⁹ のうち少なくとも 1個は水素原子ではない。また、隣接した置換基同士で置換もしくは無置換の脂肪族式環、置換もしくは無置換の炭素環式芳香族環、置換もしくは無置換の複素環式芳香族環基、置換もしくは無置換の複素環を形成しても良い。 ) 、 Xはフエニル、ビフユ二ルイル、又は夕一フヱニルイルである。 1

Ar⁶— —( jV-X—0/~ ^N― Ar。 (14)

Ar' A

(Ar ⁵ '〜Ar ⁹ は、それぞれ無置換又はアルキル基，アルコキシ基で置換された炭素数 6〜 1 8の芳香族基を表し、互いに同一でも異なっていてもよいが、 A r ⁵ 〜Ar⁹ のうち少なくとも一つはビフエニル又はタ一フエニル基であることが好ましく、 Xは単結合、フエ二レン、ビフヱ二ルイル、 Ν—アルキル又は Ν— ァリール力ルバゾールからなる 2価の基である。）

(式中、 A r ¹ 、 A r ² は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 1 8のァリ一ル基であり、 Rは、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 3 0のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基または核炭素数 6〜 1 8のァリール基である。 Xは単結合、アルキレン、一 0_又は一 S—で表される連結基を示し、 Xはあってもなくてもよい。）で表されるジァミン化合物。

(式中、 A r ¹ は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 1 8のァリール基、 A r ² 〜A r ⁵ は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 1 8のァリーレン基を示し、 X¹ は、単結合，一 0—、一 S—、アルキレンである連^ ¾基を示し、これらの連結基はあってもなくてもよく、 X² 及び X³ は、それぞれ単結合、一 0— 、一 S―、アルキレン基を表し、それらは同一でも異なっていてもよい。〕で表されるトリアミン化合物。

(式中、 R¹ 〜R¹²は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ァラルキル基、アルケニル基、シァノ基、アミノ基、ァシル基、アルコキシカルボ二ル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ァラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、ァリールォキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表し、 R¹ と R² 、 R³ と R⁴ 、 R⁵ と R⁶ 、 R⁷ と R⁸ 、 R⁹ と R^{1 Q}、 R¹¹と R¹²は、それぞれ隣接する置換基同士で環を形成してもよい。

Xは以下に示す 3価の連結基を表し、

Ar¹は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、又は、以下に示す一般式（1 8) で表される基である。

(式中、 R¹³〜R¹⁸は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ァラルキル基、アルケニル基、シァノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、ァシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ァラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、ァリールォキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表わし、 Rⁱ³と R"、 R ¹⁵と R¹⁶、 R¹⁷と R¹⁸は、それぞれ隣接する置換基同士で環を形成してもよい。

(19)

(式中、 Rは、アルキル基、ァラルキル基、置換もしくは無置換のアミノ基、ァシル基、アルコキシ力ルボニル基、力ルポキシル基、アルコキシ基、アルキルァミノ基、ァラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、ァリ一ルォキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基である。）

本発明の有機 E L素子の素子構成としては、陽極/発光層/電子注入層/陰極、陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極、陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極等の構造が挙げられる。

本発明の有機 E L素子は、電子注入層と陰極との間に絶縁体や半導体で構成される無機化合物層や電子輸送層を設けてもよい。これらの層は、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。

このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子輸送層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアル力リ金厲カルコゲナイドとしては、例えば、 L i ₂ 0、 L i 0、 N a ₂ S 、 N a ₂ S e、 N a O等が挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、 C a O、 B a〇、 S r〇、 B e O、 B a S、 C a S eが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、 L i F 、 NaF、 KF、 L i C l、 KC 1、 N aC 1等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、 CaF₂ 、 B aF₂ 、 S r F₂ 、 MgF₂ 、 BeF₂ 等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。

電子輸送層を構成する半導体としては、 Ba、 Ca、 Sr、 Yb、 Aし Ga 、 I n、 L i、 Na、 Cd、 Mg、 S i、 Ta、及び！！の少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びァルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。

正孔注入，輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常 5. 5 eV以下と小さい。このような正孔注入 ·輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば 10⁴ 〜10⁶ V/cm の電界印加時に、 10— ⁶cm² /V ·秒以上であるものが好ましく、 10—5 cm ² /V '秒以上であるものがさらに好ましい。

さらに、有機 EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、 4. 5 eV以上の仕事関数を有すると効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（I TO) 、酸化錫（NESA) 、金、銀、白金、銅等が挙げられる。また、陰極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入するために、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極の材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシゥム、マグネシウム一インジウム合金、マグネシウム一アルミニウム合金、アルミニウム一リチウム合金、アルミニウム一スカンジゥム一リチウム合金、マグネシウム一銀合金等が挙げられる。

本発明の有機 E L素子における各層の形成方法は特に限定されず、従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機 EL素子に用いる有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（MBE 法）あるいは溶媒に解かした溶液のデイツビング法、スピンコーティング法、キヤスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。

本発明の有機 E L素子における各有機薄膜層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数 nmから 1 mの範囲が好ましい。次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

なお、化合物の三重項エネルギー、一重項エネルギー及びイオン化ポテンシャルは、以下のようにして測定した。

( 1 ) 三重項エネルギーの測定

最低励起三重項エネルギー準位 T1 を測定した。すなわち、試料の燐光スぺクトルを測定し ( 1 0 m 0 1 /リットル E PA (ジェチルエーテル：ィソペンタン：エタノール = 5 ： 5 ： 2容積比）溶液、 77K：、石英セル、 SPEX社 F LUOROLOGII) 、燐光スぺクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き横軸との交点である波長（発光端）を求めた。この波長をエネルギー値に換算した。

(2) —重項エネルギー（エネルギーギャップ）の測定励起一重項エネルギーの値を測定した。すなわち、試料のトルエン溶液（10

-⁵モル/リットル）を用い日立社製紫外可視吸光計を用い吸収スぺクトルを測定した。スぺクトルの長波長側の立ち上りに対し接線を引き横軸との交点である波長（吸収端）を求めた。この波長をエネルギー値に換算した。理研計器社製、大気下光電子分光装置 AC— 1にて材料粉末を用い測定した。実施例 1

25 mmx 75mmX 1. 1 mm厚の I T 0透明電極付きガラス基板（ジォマティック社製）をイソプロピルアルコ一ル中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 30分間行なった。洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極が形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚 1 0 nmの銅フタロシアニン膜（以下「CuPc 膜」と略記する。）を成膜した。この CuPc膜は、正孔注入層として機能する。 CuP c膜上に膜厚 30 nmの下記 TPACを成膜した。この TPAC膜は正孔輸送層として機能する。さらに、 TP AC膜上に膜厚 30 nmの下記化合物 P B 1 02を蒸着し発光層を成膜した。同時に燐光性の I r金属錯体として前記（ K-3) を添加した。（K一 3) の濃度は発光層中 7重量⁰ /₀である。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚 2 Onmのトリス（8—キノリノール） A1錯体（以下、 Al qという）を設けた。この Al q膜は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントである L i (L i源：サエスゲッタ一社製 ) と A 1 qとを、モル比で A 1 q： L i = 1 ： 1で二元蒸着させ、陰極側の電子注入層として A 1 q： L i膜を 1 0 nm形成した。この A 1 q： L i膜上に金属 A 1を蒸着させ金属陰極を形成し有機 EL素子を作製した。

発光層中のホスト材料の種類、イオン化ポテンシャル、エネルギーギャップ（一重項エネルギー）及び三重項エネルギー、発光層中の燐光性の発光材料（金属錯体）の種類及び三重項エネルギー、電子注入層中の電子輸送材料の種類、エネルギーギャップ及び三重項エネルギーの値、並びに正孔輸送層の材料を表 1に示す。

また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 6. 6Vで発光輝度 89 c d/m² 、発光効率 1 5. 0 c d/Aの青緑色発光が得られた。また、 ELスペクトルを計測したところ発光ピーク波長は 477 nmであり、 I r 金属錯体から発光が生じていることが示された。これらの結果を表 1に示す。なお、後述するように電子注入層に用いた A 1 qのエネルギーギャップは発光層のホスト材料及び I r錯体のエネルギーギャップより小さく、電子注入層に用いる A 1 qの三重項エネルギーは、発光層のホスト化合物及び三重項エネルギーより小さいにもかかわらず、低電圧で高効率な青緑色発光が得られた。

比較例 1 (正孔輸送性発光層と正孔阻止層を用いた比較例）

25mmx 75mmX 1. 1 mm厚の I T 0透明電極付きガラス基板（ジォマテイツク社製）をィソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 30分間行なった。洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極が形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚 1 0 nmの銅フタロシアニン膜（以下「CuPc 膜」と略記する。）を成膜した。この CuPc膜は、正孔注入層として機能する。 CuPc膜の成膜に続けて、この膜上に膜厚 30 nmの前記 NPDを成膜した。この NPD膜は正孔輸送層として機能する。さらに、 NPD膜の成膜に続けて膜上に膜厚 30 nmの正孔輸送性の下記 C BPをホス卜材料として蒸着し発光層を成膜した。同時に燐光性の I r金属錯体として前記 (K-.3) を添加した。（ K-3) の濃度は発光層中 7重量⁰ /₀であった。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚 1 0 nmの（ 1 , Γ —ビスフエニル）一 4—ォラート）ビス

(2—メチルー 8—キノリノラート）アルミニウム（以下、 BA 1 qという）を設けた。この B A 1 Q膜は正孔阻止層として機能する。この後、還元性ドーパントである L i (L i源：サエスゲッ夕一社製）と A 1 qとを、モル比で A 1 q：

L i = 1 ： 1で二元蒸着させ、陰極側の電子注入層として A 1 Q ： L i膜を 1 0 nm形成した。この A 1 q： L i膜上に金属 A 1を蒸着させ金属陰極を形成し有機 EL素子を作製した。

また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 7. 2Vで発光輝度 98 c d/m² 、発光効率 3. 2 c d/Aの青緑色発光が得られたが、実施例に比較して非常に低い発光効率であった。これは、発光層に正孔輸送性の化合物をホスト材料として用いたため、発光層の励起状態が失活し、消光しているためである。これらの結果を表 1に示す。

比較例 1 (正孔輸送性発光層を用いた比較例）

実施例 1において、発光層のホスト材料として、化合物 P B 1 0 2の代わりに正孔輸送性の前記 C B Pを用いたこと以外は同様にして有機 E L素子を作製した発光層中のホスト材料の種類、イオン化ポテンシャル、エネルギーギャップ（一重項エネルギー）及び三重項エネルギー、発光層中の燐光性の発光材料（金属錯体）の種類及び三重項エネルギー、電子注入層中の電子輸送材料の種類、エネルギーギャップ及び三重項エネルギーの値、並びに正孔輸送層の材料を表 1に示す。

また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 6 . 8 Vで発光輝度 1 . 1 c d /m² 、発光効率 0 . 3 c d /Aの青緑色発光しか得られず、発光効率が非常に低かった。これは、発光層に正孔輸送性の化合物をホス卜材料として用いたため、発光層の励起状態が失活し、消光しているためである。また、比較例 1と比較して、ある程度の発光効率を得るためには、正孔阻止層が必要であることも判明した。これらの結果を表 1に示す。

実施例 2

実施例 1において、発光層のホス卜材料として、化合物 P B 1 0 2の代わりに電子輸送性の下記 PB 1 1 5を用いたこと以外は同様にして有機 EL素子を作製した。

発光層中のホスト材料の種類、イオン化ポテンシャル、エネルギーギャップ（一重項エネルギー）及び三重項エネルギー、発光層中の燐光性の発光材料（金属錯体）の種類及び三重項エネルギー、電子注入層中の電子輸送材料の種類、エネルギーギヤップ及び三重項エネルギーの値、並びに正孔輸送層の材料を表 1に示す。

また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 6. 5Vで発光輝度 1 0 c d/m² 、発光効率 1 4. 8 c d/Aの青緑色発光という極めて高い効率が得られた。これらの結果を表 1に示す。

P B 1 1 5 実施例 3

実施例 1において、電子注入層を形成する A 1 q及び A 1 q： L iの代わりに前記 BA 1 qを用い、 BA 1 qの陰極側 2 011]11にはし iを添加したこと以外は同様にして有機 EL素子を作製した。この場合、発光層は電子注入層に直接接合し、さらに BA 1 q層に陰極が接合している。

発光層中のホスト材料の種類、イオン化ポテンシャル、エネルギーギャップ（一重項エネルギー）及び三重項エネルギー、発光層中の燐光性の発光材料（金属錯体）の種類及び三重項エネルギー、電子注入層中の電子輸送材料の種類、エネルギーギャップ及び三重項エネルギーの値、並びに正孔輸送層の材料を表 1に示す。また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 7. 8Vで発光輝度 93 c d/m² 、発光効率 1 2. 3 c d/ Aの青緑色発光という極めて高い効率が得られた。これらの結果を表 1に示す。

実施例 4

25 mmx 75mmX 1. 1 mm厚の I T 0透明電極付きガラス基板（ジォマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なつた後、 UVオゾン洗浄を 30分間行なった。洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極が形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚 50 nmの前記 NPDを成膜した。この NPD膜は正孔輸送層として機能する。さらに、 NPD膜上に膜厚 30 nmの電子輸送性の前記 PB 1 1 5をホスト材料として蒸着し発光層を成膜した。同時に燐光性の I r金属錯体として前記（K一 10) を添加した。（K— 10) の濃度は発光層中 5重量⁰ /₀である。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚 1 Onm の Al Qを電子注入層として蒸着した。この後、還元性ド一パントである L i ( L i源：サエスゲッター社製）と A 1 qとを、モル比で A 1 q： L i = 1 ： 1で二元蒸着させ、陰極側の電子注入層として A 1 q： L i膜を 30 nm形成した。この A 1 q： L i膜上に金属 A 1を蒸着させ金属陰極を形成し有機 EL素子を作製した。

また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 4. 5Vで発光輝度 620 c d/m² 、発光効率 32. 5 c d/Aの緑色発光が得られた。これらの結果を表 1に示す。比較例 3 (正孔輸送性発光層を用いた比較例）

実施例 4において、発光層のホスト材料として、化合物 P B 1 1 5の代わりに正孔輸送性の前記 C B Pを用いたこと以外は同様にして有機 E L素子を作製した発光層中のホスト材料の種類、イオン化ポテンシャル、エネルギーギャップ（一重項エネルギー）及び三重項エネルギー、発光層中の燐光性の発光材料（金属錯体）の種類及び三重項エネルギー、電子注入層中の電子輸送材料の種類、エネルギーギヤップ及び三重項エネルギーの値、並びに正孔輸送層の材料を表 1に示す。

また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 5 . I Vで発光輝度 1 0 1 c d /m² 、発光効率 5 . 7 c d /Aの緑色発光しか得られず、発光効率が低かった。これは、発光層に正孔輸送性の化合物をホスト材料として用いたため、発光層の励起状態が失活し、消光しているためである。これらの結果を表 1に示す。

比較例 4 (イオン化ポテンシャルが 5 . 9 e Vより大きいホスト材料を含む電子輸送性発光層を用いた比較例） '

実施例 4において、発光層のホスト材料として、化合物 P B 1 1 5の代わりに電子輸送性の下記 B C Pを用いたこと以外は同様にして有機 E L素子を作製した発光層中のホスト材料の種類、イオン化ポテンシャル、エネルギーギャップ（一重項エネルギー）及び三重項エネルギー、発光層中の燐光性の発光材料（金属錯体）の種類及び三重項エネルギー、電子注入層中の電子輸送材料の種類、エネルギーギャップ及び三重項エネルギーの値、並びに正孔輸送層の材料を表 1に示す。

また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 6 . 2 Vで発光輝度 3 2 0 c d /m² 、発光効率 3 0 . 2 c d /Aの緑色発光が得られ、発光層の消光は免れている。しかし、実施例 4の有機 EL素子と同程度の発光効率を得るために、 1. 7 V高い電圧が必要であった。これは、 BCPのイオン化ポテンシャルが高いため、正孔が注入できないためである。これらの結果を表 1に示す。

B C P 実施例 5

実施例 2において、正孔輸送層の材料として、 TP ACの代わりに下記 TCT Aを用い、燐光性の I r金属錯体として（K— 3) を添加したかわりに前記（K — 2 3) を用い、電子注入層中の電子輸送材料として A 1 qの代わりに前記（A 一 7 ) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 6. 0Vで発光輝度 1 04 c d/m² 、発光効率 20. 8 c d/Aの青緑色発光という極めて高い効率が得られた。これらの結果を表 1に示す。

実施例 6

実施例 5において、電子注入層中の電子輸送材料として（A— 7) の代わりに前記 (C- 1 5) を用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。

発光層中のホスト材料の種類、イオン化ポテンシャル、エネルギーギャップ（一重項エネルギー）及び三重項エネルギー、発光層中の燐光性の発光材料（金属錯体）の種類及び三重項エネルギー、電子注入層中の電子輸送材料の種類、エネルギ—ギャップ及び三重項エネルギーの値、並びに正孔輸送層の材料を表 1に示す。

また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 6. I Vで発光輝度 1 0 5 c d/m² 、発光効率 23. 1 c d/Aの青緑色発光という極めて高い効率が得られた。これらの結果を表 1に示す。

比較例 5 (正孔輸送性発光層を用いた比較例）

実施例 5において、発光層のホスト材料として、化合物 PB 1 1 5の代わりに正孔輸送性の前記 C B Pを用いたこと以外は同様にして有機 E L素子を作製した発光層中のホスト材料の種類、イオン化ポテンシャル、エネルギーギャップ（一重項エネルギー）及び三重項エネルギー、発光層中の燐光性の発光材料（金属錯体）の種類及び三重項エネルギー、電子注入層中の電子輸送材料の種類、エネルギーギャップ及び三重項エネルギーの値、並びに正孔輸送層の材料を表 1に示す。また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 6. 3 Vで発光輝度 1 0 2 c d/m² 、発光効率 9. 2 c d /Aの青緑色発光しか得られず、実施例 5に比べ著しく発光効率が低かった。これは、発光層に正孔輸送性の化合物をホスト材料として用いたため、発光層の励起状態が失活し、消光しているためである。これらの結果を表 1に示す。

比較例 6 (イオン化ポテンシャルが 5. 9 e Vより大きいホスト材料を含む電子輸送性発光層を用いた比較例）

実施例 5において、発光層のホスト材料として、化合物 PB 1 1 5の代わりに電子輸送性の下記 TP B I (2, 2', 2'，-（1,3， 5 -フヱニレン）卜リス [卜フヱニル - 1H-ベンズィミダゾール]：特開平 1 0— 1 0 6 7 4 9号公報に合成法記載）を用いたこと以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

また、得られた素子について、特性を評価したところ、直流電圧 7. 6 Vで発光輝度 1 0 2 c d/m² 、発光効率 1 4. 6 c d/Aの青緑色発光が得られ、発光層の消光は免れている。し力、し、実施例 5の有機 E L素子と同程度の発光効率を得るために、 1. 6 Vも高い電圧が必要であった。これは、 TPB Iのイオン化ポテンシャルが高いため、正孔が注入されにくいためである。これらの結果を表 1に示す。

表 1

C

1の BAIq 正孔阻止

表 1に示したように、実施例 1〜6の有機 E L素子において、発光層中のホスト材料のエネルギーギヤップは電子注入層中の電子輸送材料のエネルギーギヤップより大きいのでエネルギー移動が生じ、励起状態が消光する可能性がある。また、発光層中のホスト材料の三重項エネルギー及び金属錯体の三重項エネルギーは、電子注入層中の電子輸送材料の三重項エネルギーより大きいのでエネルギー移動が生じ、励起状態が消光する可能性もある。しかし、電子輸送性の発光層を用いたことにより、高発光効率が可能になった。

また、実施例 4と比較例 4、及び実施例 5と比較例 6をそれぞれ比べると、発光層中のホスト材料のイオン化ポテンシャルが小さいので、低電圧駆動が可能になることが判明した。

これらに対し、比較例 1〜 3及び比較例 5の素子は励起状態が消光していることを示し、発光効率が低い。産業上の利用可能性

以上詳細に説明したように、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子を構成する発光層及び電子注入層が特定の条件を満たし、電子輸送性の発光層を用いているため、燐光性の発光を用い、発光効率が高い。このため、フル力ラ一用の有機エレクトロルミネッセンス素子として有用である。

Claims

請求の範囲

1 . 陰極と陽極間に、少なくとも燐光性の発光材料とホスト材料からなる発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層と陰極との間に、発光層と接合した電子注入層を有し、

発光層が電子輸送性で、前記ホスト材料のィ才ン化ポテンシャルが 5 . 9 e V 以下であり、

電子注入層中の電子輸送材料のエネルギーギャップが、発光層中のホスト材料のエネルギーギヤップょり小さいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

2 . 陰極と陽極間に、少なくとも燐光性の発光材料とホスト材料からなる発光層を有する有機エレクト口ルミネッセンス素子において、発光層と陰極との間に、発光層と接合した電子注入層を有し、

発光層が電子輸送性で、前記ホスト材料のィォン化ポテンシャルが 5 . 9 e V 以下であり、

電子注入層中の電子輸送材料の三重項エネルギーが、発光層中のホス卜材料の三重項エネルギーより小さいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

3 . 還元性ドーパントが、電子注入層に添加されているか、又は陰極と該陰極と接合する層との界面領域に添加されていることを特徴とする請求項 1又は 2に記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

4 . 陰極と陽極間に、燐光性の発光材料が添加されている正孔輸送層を有することを特徴とする請求項 1又は 2に記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

5 . 前記正孔輸送層中の正孔輸送材料の三重項エネルギーが、発光層中の燐光性の発光材料の励起エネルギーより大きいことを特徴とする請求項 4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

6 . 前記発光層中のホスト材料が電子輸送性である請求項 1又は 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

7 . 前記発光層中のホスト材料の電子輸送度が 1 0—⁶ c m ² /V s以上である請求項 6に記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

8 . 前記電子輸送材料が、単一種の含窒素環誘導体が配位した金属錯体である請求項 1又は 2のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

9 . 前記含窒素環が、キノリン、フエ二ルビリジン、ベンゾキノリン又はフエナントロリンである請求項 8に記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

1 0 . 前記金属錯体が、キノリノールの金属錯体又はその誘導体である請求項 8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 1 . 前記電子輸送材料が、含窒素環と縮合芳香族環が連結した化合物、又は含窒素環がァリーレン基を介して縮合芳香族環と連結した化合物（含窒素環、縮合芳香族環及びァリーレン基は、それぞれ置換基を有していてもよい）である請求項 1又は 2に記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

1 2 . 前記縮合芳香族環が、ナフタレン、アントラセン、ピレン、フヱナントレン、フルオランテン、クリセン、ペリレン、ナフ夕セン又はべン夕センである請求項 1 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 3 . 前記含窒素環が、 6員環と 5員環の縮合環であり、 1〜 4個の窒素原子を有する請求項 1 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 4 . 前記ホスト材料が、力ルバゾリル基もしくはァザカルバゾリル基が含窒素環に連結した化合物、又は力ルバゾリル基もしくはァザカルバゾリル基がァリ一レン基を介して含窒素環に連結した化合物（カルバゾリル基、ァザカルバゾリル基、含窒素環及びァリーレン基は、それぞれ置換基を有していてもよい）である請求項 1又は 2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 5 . 前記含窒素環が、ピリジン、キノリン、ビラジン、ピリミジン、キノキサリン、トリァジン、イミダゾール、ィミダゾピリジン、ピリダジン又はべンズィミダゾールである請求項 1 4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子