JP2002241352A - 新規化合物、それを用いる有機エレクトロルミネッセンス素子材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
新規化合物、それを用いる有機エレクトロルミネッセンス素子材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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Abstract
発光、長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子材料
および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 一般式Iの新規化合物およびそれを用い
る有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 〔R1〜R8は各々Hまたは置換基を、Ar1〜Ar4
は各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表
す。〕
Description
を用いる有機エレクトロルミネッセンス(有機ELとも
いう)素子材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
に関する。
素子は、蛍光性有機化合物を含む薄膜を陰極と陽極で挟
んだ構成を有し、薄膜に電子及び正孔を注入して再結合
させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、こ
のエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を
利用して発光する素子であるが、数V〜数十V程度の低
電圧で面発光が可能であり、自己発光型であるために視
野角依存性に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素
子であるので省スペース、携帯性等の観点から注目され
ている。
子を光源として用いた有機ELディスプレイは、低電圧
駆動、視野角が広い等優れた特性を有し、次世代フルカ
ラーディスプレーとして期待されている。このようなフ
ルカラーディスプレーを実現するためにはなお解決すべ
き問題があり、これを解決するための提案が種々なされ
ている。
は、赤(R)、緑(G)、青(B)の三原色で発光する
エレクトロルミネッセンス材料をマトリックス状に配置
する方法が提案されているが、この場合各色を独立に発
光させるのでエネルギーロスは小さいが、パターニング
が行い難い上に、R、G、B各色高輝度に発光する色純
度の高い素子開発が必要であり、特に赤色発光素子に関
してはまだまだ開発の余地がある。
は白色発光する有機EL(エレクトロルミネッセンス)
素子とカラーフィルターを組み合わせてRGBの3原色
を取り出す方法が提案されているが、この場合はパター
ニングは容易であるが、EL光の利用効率、すなわち変
換効率が低いという欠点を有する。例えば、白色EL光
が単純に強度の等しいRGB三原色からなっていて、こ
れから赤色をカラーフィルターを用いて取り出すものと
すると、最高で33%の変換効率しか得られない。実際
には、発光スペクトルや視感度などを考慮すると、これ
よりもかなり低い変換効率しか得られない。
において提案されている、光源として青色発光する有機
EL(エレクトロルミネッセンス)素子を用い、これに
よって励起された色素の蛍光変換により緑色や赤色の発
光を得る方法は、上記カラーフィルターを用いる場合に
比べて輝度の損失が少ない点で優れた方法であるが、使
用されている蛍光変換膜の青色から赤色への変換効率が
十分でないという難点がある。
は、この蛍光変換膜にローダミン系化合物を用いた高効
率な青色から赤色への変換が提案されているが、色純度
に関してはまだ開発の余地がある。
L(エレクトロルミネッセンス)素子が得られれば、こ
れを光源として、ユーロピウム錯体のようなストークス
シフトの大きな蛍光体を用いることにより色純度の良い
赤色に高効率で変換できる。
光ディスクの高密度化を目的として小型短波長光源の開
発が活発に行われている。有機材料による青紫色〜近紫
外の面発光レーザが実現されると、DVDディスクの読
み書き光源以外にも、光造形など情報・半導体産業、化
学分析、医療の様々な分野でおもしろい応用が生まれ
る。
ミネッセンス)素子が報告されているが、青紫色〜近紫
外の発光を示すものについては、発光輝度、及び、発光
寿命などの諸性能において、十分な性能を満たすものは
いまだに報告された例がない。たとえば、特開平3−1
52897号では、p−クオーターフェニルを含有する
有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子が、420
nmに発光することが報告されているが、発光輝度が低
く十分なものではなかった。
されているポリシラン系化合物を使用すると比較的容易
に紫外から近紫外の発光を得ることができるが、ポリシ
ラン系化合物は一般に不安定であり、室温でこの発光を
維持するのは難しく、有機EL(エレクトロルミネッセ
ンス)素子として用いた場合には、発光寿命が極めて短
いという欠点を有していた。
いるジフェニルアミン誘導体を含有する有機EL(エレ
クトロルミネッセンス)素子は、発光輝度が低く十分な
ものではなかった。しかも、熱安定性の観点からも不十
分であり、素子の寿命が短いという欠点を有していた。
フチル基を有するジアミン誘導体が熱安定性に優れてい
ることが明細書に開示されているが、長時間連続駆動さ
せると発光輝度が低下する等の問題があり、実用化の大
きな障害となっていた。
て、N,N’―ジフェニル―N,N’―ビス(3―メチ
ルフェニル)[1,1’―ビフェニル]―4,4’―ジ
アミン(TPD)はEL発光極大波長が420nmであ
ることが知られているが、色変換フィルターにより赤色
を出そうとすると、その色純度が悪いという欠点を有し
ていた。
から近紫外に発光するポリマーが開示されているが、輝
度、発光効率の点でまだまだ満足のできるものではな
い。
する有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子として
は、より高輝度で長寿命のものが求められており、エネ
ルギー変換効率、発光量子効率の更なる向上が期待され
ている。
化合物、それを用いて作製された高輝度に発光し、且
つ、長寿命の有機EL(エレクトロルミネッセンス)素
子材料および有機EL(エレクトロルミネッセンス)素
子、更に詳しくは、青紫色の発光を可能にする発光輝度
・寿命に優れた有機EL(エレクトロルミネッセンス)
素子材料および有機EL(エレクトロルミネッセンス)
素子を提供することである。
表される化合物。
の少なくとも一つが置換基であることを特徴とする前記
1に記載の化合物。
も一つが置換基であることを特徴とする前記3に記載の
化合物。
物。 6.前記一般式(III)において、R31〜R44の少なく
とも一つが置換基であることを特徴とする前記5に記載
の化合物。
合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子材料。
を挟持した有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子
において、該有機EL(エレクトロルミネッセンス)素
子が、単層または複数層の有機化合物薄膜を有し、且
つ、該有機化合物薄膜の少なくとも1層が、前記1〜5
のいずれか1項に記載の化合物を含有することを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンス素子。
合物が発光層に含有されることを特徴とする前記8に記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
化合物が正孔輸送層に含有されることを特徴とする前記
8記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
紫の領域で発光することを特徴とする前記8〜10のい
ずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
記載の一般式(I)〜(III)で表される有機化合物が
各々、新規化合物であるが、それらを有機エレクトロル
ミネッセンス素子材料として用いる場合、各々の化合物
の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本
色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の
図4.16において、分光放射輝度計CS−1000
(ミノルタ製)で測定した結果をCIE色度座標に当て
はめたときの色で決定され、測定結果がCIE色度座標
の紫青の領域である「Purplish Blue」、
青紫の領域である「Bluish Purple」また
は紫の領域である「Purple」に入ることを言い、
特に「Bluish Purple」から「Purpl
e」の領域であることが好ましい。
は、ガラス転位温度(Tg)が高いことから、有機EL
(エレクトロルミネッセンス)素子の材料として用いる
場合、優れた熱安定性を示すが、更に熱安定性を向上さ
せるためには、Tgは100度以上であることが好まし
い。
は、高輝度に発光する化合物であることから、有機EL
(エレクトロルミネッセンス)素子の発光層に含有させ
る発光する化合物として有用であることはもちろんのこ
と、他にも上記性質を利用して、蛍光発光を利用した医
薬品用の標識化合物等の材料としても用いることができ
る。
で表される化合物を有機エレクトロルミネッセンス素子
材料としても用いる場合の構造的特徴について詳しく説
明する。
8、R11〜R18及びR21〜R44は各々水素原子または置
換基を表し、それぞれ異なっていても同一でも良いが、
本発明に記載の効果を好ましく得る観点から、前記一般
式(I)においては、R1〜R8のうち少なくとも一つが
置換基であることが好ましく、前記一般式(II)におい
ては、R11〜R18のうち少なくとも一つが置換基である
ことが好ましく、前記一般式(III)においては、R21
〜R44のうち少なくとも一つが置換基であることが好ま
しい。
換基』としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基、ハロゲン原子、アルコキシ基から選
ばれる置換基が好ましい置換基として挙げられる。
ましく用いられる置換基としては、メチル基、エチル
基、i−プロピル基、トリフルオロメチル基、t−ブチ
ル基、シクロヘキシル基、フッ素原子、塩素原子、メト
キシ基、エトキシ基、i−プロポキシ基、ブトキシ基等
が挙げられる。
々Ar1〜Ar4、Ar11〜Ar14及びAr21〜Ar26で
表される各々置換基を有していても良い芳香族炭化水素
基または芳香族複素環基は、それぞれ異なっていても同
一でも良い。
〜Ar26として好ましく用いられる芳香族炭化水素基と
しては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ビナ
フチル基、アントリル基、フェナンスリル基等が挙げら
れる。これらは更に置換基を有していてもよい。
〜Ar26として好ましく用いられる芳香族複素環基とし
ては、ピロリル基、ピロリジル基、ピラゾリル基、イミ
ダゾリル基、ピリジル基、ベンズイミダゾリル基、ベン
ズチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基等が挙げられ、
これらはさらに置換基を有していても良い。
11とAr12、Ar13とAr14、Ar 21とAr22、Ar23
とAr26の置換基は互いに結合し縮合環を形成できる。
(例えば下記に示すカルバゾリル基のように縮合環を形
成できる。)
I)で表される化合物の具体例を示すが、これらに限定
されない。
子は、基本的には一対の電極の間に発光層を挾持し、必
要に応じ正孔輸送層や電子輸送層を有する。
ミネッセンス)素子の有機層の層構成は単層でも多層積
層でもよく、例えば、多層構成の場合には有機物以外の
層(例えばフッ化リチウム層や無機金属塩の層、または
それらを含有する層など)が任意の位置に配置されてい
てもよい。
い。 (I)陽極/発光層/陰極 (II)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極 (III)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極 (IV)陽極/正孔注入層/発光層/正孔阻止層/電子輸
送層/電子注入層/陰極 (V)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸
送層/電子注入層/陰極 ここで、正孔注入層と正孔輸送層、電子注入層と電子輸
送層及び正孔阻止層は、特に明確な定義があるわけでは
なく、便宜上記載しているものであり、必要に応じて使
用できる。
ンス)素子に好ましく用いられる基盤は、ガラス、プラ
スチックなどの種類には特に限定はなく、また、透明の
ものであれば特に制限はない。本発明のエレクトロルミ
ネッセンス素子に好ましく用いられる基盤としては例え
ばガラス、石英、光透過性プラスチックフィルムを挙げ
ることができる。
例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエ
チレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン
(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレー
ト、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルロー
ストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプ
ロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げら
れる。
正孔注入層または、正孔輸送層により正孔を注入するこ
とができ、かつ陰極、電子輸送層または電子注入層より
電子を注入することができる注入機能、(2)注入した
電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる輸送機能、
(3)電子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、
これを発光につなげる発光機能などを有している。ただ
し、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違
いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表され
る輸送機能に大小があってもよいが、どちらか一方の電
荷を移動させる機能を有するものが好ましい。この発光
層に用いられる発光材料の種類については特に制限はな
く、従来有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子に
おける発光材料として公知のものを用いることができ
る。このような発光材料は主に有機化合物であり、所望
の色調により、例えば、Macromol.Symp.
125巻17頁から26頁に記載の化合物が挙げられ
る。
ポリフルオレンのような高分子材料でも良く、さらに前
記発光材料を高分子鎖に導入した、または前記発光材料
を高分子の主鎖とした高分子材料を使用しても良い。
質)を併用してもよく、EL(エレクトロルミネッセン
ス)素子のドーパントとして使用される公知のものの中
から任意のものを選択して用いることができる。
クリドン、DCM、クマリン誘導体、ローダミン、ルブ
レン、デカシクレン、ピラゾリン誘導体、スクアリリウ
ム誘導体、ユーロピウム錯体等がその代表例として挙げ
られる。
蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公
知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発
光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm
〜5μmの範囲で選ばれる。この発光層は、これらの発
光材料一種または二種以上からなる一層構造であっても
よいし、あるいは、同一組成または異種組成の複数層か
らなる積層構造であってもよい。
81号公報に記載されているように、樹脂などの結着材
と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、
これをスピンコート法などにより薄膜化して形成するこ
とができる。このようにして形成された発光層の膜厚に
ついては特に制限はなく、状況に応じて適宜選択するこ
とができるが、通常は5nm〜5μmの範囲である。
間、および、陰極と発光層または電子輸送層との間には
電荷注入層(バッファー層、電極界面層)を存在させて
もよい。
向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、
「有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子とその工
業化最前線(1998年11月30日、エヌ・ティー・
エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(第123
頁〜第166頁)に詳細に記載されており、陽極バッフ
ァー層(正孔注入層)と陰極バッファー層(電子注入
層)とがある。
平9−45479号、同9−260062号、同8−2
88069号等にもその詳細が記載されており、具体例
として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン
バッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッ
ファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリア
ニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性
高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
平6−325871号、同9−17574号、同10−
74586号等にもその詳細が記載されており、具体的
にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属
バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金
属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表され
るアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚
は0.1〜100nmの範囲が好ましい。
その他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開
平11−204258号、同11−204359号、お
よび「有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子とそ
の工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティ
ー・エス社発行)」の第237頁等に記載されている正
孔阻止(ホールブロック)層などのような機能層を有し
ていても良い。
ンス)素子においては、上記発光層、正孔輸送層、電子
輸送層、正孔阻止層、陰極バッファー層(電子注入層)
または陽極バッファー層(正孔注入層)の少なくとも何
れか1つの層内に本発明の化合物の少なくとも1種が存
在するものである。
子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以
上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物
を電極物質とするものが好ましく用いられる。このよう
な電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、イ
ンジウムティンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO
等の導電性透明材料が挙げられる。
ッタリングなどの方法により、薄膜を形成させ、フォト
リソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成しても
よく、あるいはパターン精度を余り必要としない場合
(100μm以上程度)は、上記電極物質の蒸着やスパ
ッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを
形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合に
は、透過率を10%より大きくすることが望ましく、
又、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好まし
い。更に、膜厚は、材料にもよるが、通常10nm〜1
μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネ
シウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合
物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/
酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リ
チウム/アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げら
れる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する
耐久性の点から、電子注入性金属と、これより仕事関数
の値が大きく安定な金属である第2金属との混合物、例
えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニ
ウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミ
ニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウ
ム/アルミニウム混合物などが好適である。
パッタリングなどの方法により薄膜を形成させることに
より作製することができる。又、陰極としてのシート抵
抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜
1μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれ
る。尚、発光を透過させるため、有機EL(エレクトロ
ルミネッセンス)素子の陽極または陰極の何れか一方が
透明または半透明であれば、発光効率が向上し好都合で
ある。
または正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層
に伝達する機能を有し、この正孔注入層または正孔輸送
層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低
い電界で多くの正孔が発光層に注入され、その上、発光
層に陰極、電子注入層または電子輸送層より注入された
電子は、発光層と正孔注入層または正孔輸送層の界面に
存在する電子の障壁により発光層内の界面に累積され、
発光効率が向上するなど、発光性能の優れた素子とな
る。
いては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に
制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注
入輸送材料として慣用されているものや、EL(エレク
トロルミネッセンス)素子の正孔注入層及び正孔輸送層
に使用される公知のものの中から任意のものを選択して
用いることができる。
る材料は、正孔の注入、電子の障壁性の何れかを有する
ものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。こ
の材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジ
アゾール誘導、イミダゾール誘導、ポリアリールアルカ
ン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フ
ェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミ
ノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリル
アントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン
誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン
系共重合体、又、導電性高分子オリゴマー、特にチオフ
ェンオリゴマー等が挙げられる。
記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合
物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ま
しい。上記芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミ
ン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テト
ラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−
ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−
〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TP
D);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミ
ノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テ
トラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;
1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−
4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミ
ノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−
ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,
N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニ
ル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,
N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオー
ドリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミ
ン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ
−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,
N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベン
ゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノ
スチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には、
米国特許5,061,569号に記載されている2個の
縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′−
ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビ
フェニル(NPD)、特開平4−308688号に記載
されるトリフェニルアミンユニットが三つスターバース
ト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−
メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニル
アミン(MTDATA)等が挙げられる。
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
合物も正孔注入材料または正孔輸送材料として使用する
ことができる。この正孔注入層及び正孔輸送層は、上記
材料を、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、L
B法など、公知の方法により薄膜化することにより形成
できる。正孔注入層及び正孔輸送層の膜厚については特
に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度である。
料の1種または2種以上からなる1層構造であってもよ
く、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造
であってもよい。
及び電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に
伝達する機能を有していればよく、その材料としては、
従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いる
ことができる。
る材料の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジ
フェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、
ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水
物、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、
アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジ
アゾール誘導体などが挙げられる。又、特開昭59−1
94393号に記載される一連の電子伝達性化合物は、
該公報では発光層を形成する材料として開示されている
が、本発明者らが検討の結果、電子注入材料または電子
輸送材料として用い得ることが判った。更に、上記オキ
サジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸
素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電
子吸引性基として知られているキノキサリン環を有する
キノキザリン誘導体なども、電子注入材料または電子輸
送材料として用いることができる。
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Al
q)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)
アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリ
ノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノ
リノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キ
ノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)
亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属が
In、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き
替わった金属錯体も電子注入材料または電子輸送材料と
して用いることができる。その他、メタルフリーもしく
はメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキ
ル基やスルホ基などで置換されているものも、電子注入
材料または電子輸送材料として好ましく用いることがで
きる。又、発光層の材料として例示したジスチリルピラ
ジン誘導体も、電子注入材料または電子輸送材料として
用いることができるし、正孔注入層及び正孔輸送層と同
様に、n型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子
注入材料または電子輸送材料として用いることができ
る。
合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト
法、LB法などの公知の薄膜化法により製膜して形成す
ることができる。電子注入層及び電子輸送層としての膜
厚は特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲で
選ばれる。
の電子注入材料または電子輸送材料1種または2種以上
からなる1層構造でもよいし、同一組成または異種組成
の複数層から成る積層構造でもよい。
ンス)素子を作製する好適な例を説明する。例として、
前記の陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸
送層/電子注入層/陰極からなるEL(エレクトロルミ
ネッセンス)素子の作製法について説明すると、まず適
当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質から
なる薄膜を、1μm以下、好ましくは10〜200nm
の範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなど
の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上
に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電
子輸送層/電子注入層、正孔阻止層、陰極バッファー層
または陽極バッファー層等の有機または無機の材料から
なる薄膜を形成させる。
前記の如くスピンコート法、キャスト法、蒸着法などが
あるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生
成しにくいなどの点から、真空蒸着法またはスピンコー
ト法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適
用しても良い。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着
条件は、使用する化合物の種類、分子堆積膜の目的とす
る結晶構造、会合構造などにより異なるが、一般にボー
ト加熱温度50〜450℃、真空度10−6〜10−2
Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−5
0〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選ぶこ
とが望ましい。
からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50〜200n
mの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリ
ングなどの方法により形成させ、陰極を設けることによ
り、所望のEL(エレクトロルミネッセンス)素子が得
られる。この有機EL(エレクトロルミネッセンス)素
子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から
陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異
なる製膜法を施してもかまわないが、その際には作業を
乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送
層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製
することも可能である。このようにして得られたEL
(エレクトロルミネッセンス)素子に、直流電圧を印加
する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧5
〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また、
逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く
生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極
が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。な
お、印加する交流の波形は任意でよい。
ネッセンス)素子は、蛍光物質等を含有した色変換層ま
たは色変換フィルターを素子の内部または外部に有して
いても良く、また、カラーフィルター等の色相改良フィ
ルターを有していても良い。
ネッセンス)素子は、照明用や露光光源のような一種の
ランプとして使用しても良いし、静止画像や動画像を再
生する表示装置として使用しても良い。特に、動画再生
用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マト
リックス(パッシブマトリックス)方式でもアクティブ
マトリックス方式でもどちらでも良い。
本発明はこれらに限定されない。
トリ−tert−ブチルホスフィン0.32mLを脱水
キシレン30mLに加え、そこにブロモベンゼン6.9
gと、3−ブロモ−4−メチルアニリン3.7g、ナト
リウム−tert−ブトキシド5.1gを添加し、3時
間加熱還流した。その後、抽出処理、乾燥、カラムクロ
マトグラフィーで精製、再結晶することで、(3−ブロ
モ−4−メチルフェニル)ジフェニルアミン2.0gを
得た。次にこれを窒素下テトラヒドロフラン30mLに
溶解し、−78度でn−ブチルリチウム−ヘキサン
(1.5M)溶液を4.4mL滴下し、30分撹拌後、
トリメトキシボラン1.5mLのテトラヒドロフラン1
0mL溶液を滴下した後、反応溶液に酸を加え、pH=
2にした。反応溶液を抽出、乾燥、濃縮、再結晶するこ
とで化合物(A)を1.3g得た。(収率70%) 別に、窒素雰囲気下、酢酸パラジウム72mgとトリ−
tert−ブチルホスフィン0.32mLを脱水キシレ
ン30mLに加え、そこにブロモベンゼン6.9gと、
4−ブロモアニリン3.4g、ナトリウム−tert−
ブトキシド5.1gを添加し、3時間加熱還流した。そ
の後、抽出処理、乾燥、カラムクロマトグラフィーで精
製、再結晶することで、化合物(B)を2.5g得た。
(収率39%) 化合物(A)1.00gと化合物(B)972mgをテ
トラヒドロフラン−水2層系の溶媒中、炭酸カリウム8
28mg、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウ
ム(0)173mgの存在下、20時間還流することで
化合物(I)−9を663mg得た。(収率44%) 化合物(I)−9の物性データは、融点76〜78℃;
MS(FAB(高速原子衝撃質量分析法))は、m/z
(502(M+))であった。
(III)121.6gを4度に分けて加え、室温で5時
間撹拌し、反応溶液を酢酸エチルで抽出し、硫酸マグネ
シウムで乾燥し、濃縮したものを減圧蒸留した。(18
5度、1.33kPa(10mmHg))蒸留したもの
をアセトニトリルで再結晶することで、7.2gのビメ
シチルが得られた。(収率72%) 次に、ビメシチル7.15gを塩化メチレン70mLに
溶解し、氷冷下臭素3.1mLを塩化メチレン30mL
に溶解した溶液を2時間かけて滴下した後、反応溶液を
濃縮し、アセトニトリルで2度再結晶することで化合物
(C)を3.82g得た。(収率32%) 窒素雰囲気下、酢酸パラジウム101mgとトリ−te
rt−ブチルホスフィン370mgを脱水キシレン15
mLに加え、そこに化合物(C)1.0gと、3−メチ
ルジフェニルアミン1.1g、ナトリウム−tert−
ブトキシド550mgを添加し、5時間加熱還流した。
その後、抽出処理、乾燥、カラムクロマトグラフィーで
精製、再結晶することで、目的の化合物(II)−40を
800mg得た。(収率53%) 化合物(II)−40の物性データは、融点82−84
℃;MS(FAB)m/zは、600(M+)であっ
た。
合物(II)−40の吸収、蛍光及び励起スペクトルのチ
ャートを図1に示す。尚、蛍光量子収率は0.12。
ジブロモベンゼン14.3gと、銅粉1.5gと、炭酸
カリウム5.6gを撹拌しながら200度で10時間加
熱することで化合物(D)を1.3g得た。(収率29
%) 続いて、化合物(D)578mgと、実施例1で合成し
た化合物(A)1.2gをテトラヒドロフラン−水2層
系の溶媒中、炭酸カリウム264mg、テトラキストリ
フェニルホスフィンパラジウム(0)55mgの存在
下、15時間還流することで化合物(III)−28を得
た。
点122−125℃;MS(FAB)m/zは1016
(M+)であった。
行った。
の表面にITOを100nm成膜した透明ガラス基板
(ミクロ技術研究所製、表面抵抗30Ω)を、市販の真
空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、タンタル製
抵抗加熱ボートに、化合物H−1を200mg入れ、別
のタンタル製抵抗加熱ボートに比較化合物L−1を20
0mg入れ、別のタンタル製抵抗加熱ボートに化合物E
−1を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
した後、化合物H−1の入った前記加熱ボートに通電し
て、膜厚30nmの正孔輸送層を設けた。更に、前記の
比較化合物L−1の入った前記加熱ボートに通電して前
記正孔輸送層上に蒸着して、膜厚40nmの発光層を設
けた。更に、化合物E−1の入った前記加熱ボートに通
電して前記発光層上に蒸着して、膜厚30nmの電子輸
送層を設けた。
テンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、タ
ンタル製抵抗加熱ボートにマグネシウム3gを入れ、タ
ングステン製の蒸着用バスケットに銀を0.5g入れ、
再び真空槽を2×10-4Paまで減圧した後、マグネシ
ウム入りのボートに通電してマグネシウムを蒸着し、こ
の際、同時に銀のバスケットを加熱し、銀を蒸着し、膜
厚110nmにして、前記マグネシウムと銀との混合物
から成る対向電極を形成し、表1に示す比較用有機EL
(エレクトロルミネッセンス)素子OLED−01を作
製した。
ッセンス)素子OLED−01の発光材料である化合物
L−1のみを表1に示す化合物に置き換えた有機EL
(エレクトロルミネッセンス)素子OLED−02〜O
LED−19を作製した。
シウムと銀からなる対向電極として温度23度、乾燥窒
素ガス雰囲気下で12V直流電圧印加による連続点灯を
行い、点灯開始時の発光輝度(cd/m2)および輝度
の半減する時間を測定した発光輝度は100とした時の
相対値で表し、輝度の半減する時間は有機EL(エレク
トロルミネッセンス)素子OLED−01の輝度が半減
する時間を100とした相対値で表した。結果を表1に
示す。
−1、L−2、L−3及びL−4)を発光材料として用
いた試料に比べて、本発明の化合物を有機EL(エレク
トロルミネッセンス)素子の発光材料として使用した試
料(OLED−05〜OLED−19)は、CIE色度
座標から、いずれも発光色が青紫〜紫色の範囲にあり、
高い発光輝度を示し、また連続発光後の輝度が高いこと
から有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命が長
いことが明らかである。
評価を行った。
一方の表面にITOを100nm成膜した透明ガラス基
板(ミクロ技術研究所製、表面抵抗30Ω)を、市販の
真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、タンタル
製抵抗加熱ボートに、比較化合物H−2を200mg入
れ、別のタンタル製抵抗加熱ボートに化合物L−5を2
00mg入れ、別のタンタル製抵抗加熱ボートに化合物
E−2を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
した後、比較化合物H−2の入った前記加熱ボートに通
電して、膜厚40nmの正孔輸送層を設けた。更に、化
合物L−5の入った前記加熱ボートに通電して前記正孔
輸送層上に蒸着して、膜厚40nmの発光層を設けた。
更に、化合物E−2の入った前記加熱ボートに通電して
前記発光層上に蒸着して、膜厚20nmの正孔阻止層を
設けた。
テンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、タ
ンタル製抵抗加熱ボートにマグネシウム3gを入れ、タ
ングステン製の蒸着用バスケットに銀を0.5g入れ、
再び真空槽を2×10−4Paまで減圧した後、マグネ
シウム入りのボートに通電してマグネシウムを蒸着し、
この際、同時に銀のバスケットを加熱し、銀を蒸着し、
膜厚110nmにして、前記マグネシウムと銀との混合
物から成る対向電極とすることにより、表2に示す比較
用有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子OLED
−20を作製した。
ネッセンス)素子OLED−35の正孔輸送材料である
比較化合物H−2のみを表2に示す化合物に置き換えた
有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子OLED−
21〜OLED−38を作製した。
シウムと銀からなる対向電極を陰極として温度23度、
乾燥窒素ガス雰囲気下で15V直流電圧印可による連続
点灯を行い、点灯開始時の発光輝度(cd/m2)およ
び輝度の半減する時間を測定した。発光輝度はOLED
−20の発光輝度を100としたときの相対値で表し、
輝度の半減する時間は試料OLED−20の輝度が半減
する時間を100とした相対値で表した。結果を表2に
示す。
−2、H−3、H−4、H−5)を各々、正孔輸送材料
として用いた比較試料に比べて、本発明の化合物を有機
EL(エレクトロルミネッセンス)素子の正孔輸送材料
として使用した試料(OLED−24〜OLED−3
8)は、従来公知の材料を正孔輸送層に用いた場合は低
輝度でしか発光させることのできなかった短波長の有機
エレクトロルミネッセンス素子を高輝度に発光させるこ
とができ、また素子の発光寿命も長いことが明らかであ
る。
て作製した高輝度に発光し、且つ、長寿命の有機EL
(エレクトロルミネッセンス)素子材料および有機EL
(エレクトロルミネッセンス)素子を提供することが出
来た。
励起スペクトルを示す。
Claims (11)
- 【請求項1】 下記一般式(I)で表される化合物。 【化1】 〔式中、R1〜R8は各々、水素原子または置換基を表
し、Ar1〜Ar4は各々、芳香族炭化水素基または芳香
族複素環基を表す。〕 - 【請求項2】 前記一般式(I)において、R1〜R8の
少なくとも一つが置換基であることを特徴とする請求項
1に記載の化合物。 - 【請求項3】 下記一般式(II)で表される化合物。 【化2】 〔式中、R11〜R18は各々水素原子または置換基を表
し、Ar11〜Ar14は各々、芳香族炭化水素基または芳
香族複素環基を表す。〕 - 【請求項4】 前記一般式(II)において、R11〜R18
の少なくとも一つが置換基であることを特徴とする請求
項3に記載の化合物。 - 【請求項5】 下記一般式(III)で表される化合物。 【化3】 〔式中、R21〜R44は各々、水素原子または置換基を表
し、Ar21〜Ar26は各々、芳香族炭化水素基または芳
香族複素環基を表す。〕 - 【請求項6】 前記一般式(III)において、R31〜R
44の少なくとも一つが置換基であることを特徴とする請
求項5に記載の化合物。 - 【請求項7】 請求項1〜6のいずれか1項に記載の化
合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子材料。 - 【請求項8】 互いに対向する2つの電極間に発光層を
挟持した有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子に
おいて、該有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子
が、単層または複数層の有機化合物薄膜を有し、且つ、
該有機化合物薄膜の少なくとも1層が、請求項1〜5の
いずれか1項に記載の化合物を含有することを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項9】 請求項1〜5のいずれか1項に記載の化
合物が発光層に含有されることを特徴とする請求項8に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項10】 請求項1〜5のいずれか1項に記載の
化合物が正孔輸送層に含有されることを特徴とする請求
項8記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項11】 CIE色度座標の紫青、青紫または紫
の領域で発光することを特徴とする請求項8〜10のい
ずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
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