JP2003308979A - 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置Info
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Abstract
ミネッセンス素子、及び該有機エレクトロルミネッセン
ス素子を用いた発光輝度及び耐久性の高い表示装置を提
供する。 【解決手段】 下記一般式(1)で表される化合物を含
有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子。 【化1】 〔式中、R1、R2およびR3はそれぞれ一価の置換基を
表す。〕
Description
ミネッセンス(以下有機ELとも略記する)素子および
表示装置に関するものである。詳しくいえば、本発明は
発光輝度、発光効率および寿命に優れた有機エレクトロ
ルミネッセンス素子、およびその有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を有する表示装置に関する。
て、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(ELD)
がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロル
ミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子
が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平
面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させ
るためには交流の高電圧が必要である。有機エレクトロ
ルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光
層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及
び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エ
キシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の
光の放出(蛍光・リン光)を利用して発光する素子であ
り、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、さら
に、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高
く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携
帯性等の観点から注目されている。
EL素子には、さらなる低消費電力で効率よく高輝度に
発光する有機EL素子の開発が望まれている。
ている。たとえば、Appl.Phys.Lett.,
Vol.51、913頁あるいは特開昭59−1943
93号に記載の正孔注入層と有機発光体層とを組み合わ
せたもの、特開昭63−295695号に記載の正孔注
入層と電子注入輸送層とを組み合わせたもの、Jpn.
Journal of Applied Phisyc
s,vol.127,No.2第269〜271頁に記
載の正孔移動層と発光層と電子移動層とを組み合わせた
ものがそれぞれ開示されている。しかしながら、より高
輝度な素子が求められており、エネルギー変換効率、発
光量子効率の更なる向上が期待されている。
されている。こうした経時での輝度劣化の要因は完全に
は解明されていないが発光中のエレクトロルミネッセン
ス素子は自ら発する光、及びその時に発生する熱などに
よって薄膜を構成する有機化合物自体の分解、薄膜中で
の有機化合物の結晶化等、有機EL素子材料である有機
化合物に由来する要因も指摘されている。
蛍光体で構成することにより、発光効率の向上を達成す
るという手法が報告されている。例えば、特許第309
3796号では、スチルベン誘導体、ジスチリルアリー
レン誘導体又はトリススチリルアリーレン誘導体に、微
量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命
化を達成している。
ム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をド
ープした有機発光層を有する素子(特開昭63−264
692号公報)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム
錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素
をドープした有機発光層を有する素子(特開平3−25
5190号公報)が知られている。以上のように、蛍光
量子収率の高い蛍光体をドープすることによって、従来
の素子に比べて発光輝度を向上させている。
からの発光は、励起一重項からの発光であり、励起一重
項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起
子の生成比が1:3であるため発光性励起種の生成確率
が25%であることと、光の取り出し効率が約20%で
あるため、外部取り出し量子効率(ηext)の限界は
5%とされている。ところが、プリンストン大から励起
三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子が報告が
されて以来(M.A.Baldo et al.,Na
ture、395巻、151−154ページ(1998
年))、室温でリン光を示す材料の研究が活発になって
きている(例えば、M.A.Baldoet al.,
Nature、403巻、17号、750−753ペー
ジ(2000年)、US特許6,097、147号な
ど)。励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が
100%となるため、励起一重項の場合に比べて原理的
に発光効率が最大4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性
能が得られ照明用にも応用可能であり注目されている。
ときのホストは、リン光性化合物の発光極大波長よりも
短波な領域に発光極大波長を有することが必要であるこ
とはもちろんであるが、その他にも満たすべき条件があ
ることが分かってきた。
nal Workshop onInorganic
and Organic Electrolumine
scence(EL2000、浜松)では、リン光性化
合物についていくつかの報告がなされている。例えば、
Ikaiらはホール輸送性の化合物をリン光性化合物の
ホストとして用いている。また、M.E.Tompso
nらは、各種電子輸送性材料をリン光性化合物のホスト
として、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用
いている。さらに、Tsutsuiらは、ホールブロッ
ク層の導入により高い発光効率を得ている。
は、例えば、C.Adachi etal.,App
l.Phys.Lett.,77巻、904ページ(2
000年)等に詳しく記載されているが、高輝度の有機
エレクトロルミネッセンス素子を得るためにホスト化合
物に必要とされる性質について、より新しい観点からの
アプローチが必要である。
の向上および耐久性を両立しうる構成は得られていな
い。
−オキシド化合物を用いて素子の発光輝度の向上および
耐久性の両立を目的になされたものであり、また、本発
明は、N−オキシド化合物をリン光発光用の材料として
用いることにより、発光輝度の向上および耐久性の両立
を達成した有機エレクトロルミネッセンス素子、および
該有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた発光輝度
の高い、長寿命な表示装置を提供するものである。
下の構成によって達成された。
含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
が芳香族基で表されることを特徴とする前記1に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。
含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
窒素原子を含有することを特徴とする前記2に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。
れる化合物から選ばれる少なくとも1種を発光層に含有
することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
れる化合物から選ばれる少なくとも1種を電子輸送層に
含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
とを特徴とする前記1〜6のいずれか1項に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
オスミウム化合物または白金化合物であることを特徴と
する前記7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
ることを特徴とする前記8に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴
とする表示装置。
式(1)で表される化合物について説明する。
3で表される一価の置換基としては、アルキル基(メチ
ル基、エチル基、i−プロピル基、ヒドロキシエチル
基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、t−ブ
チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ベンジ
ル基等)、アリール基(フェニル基、ナフチル基、p−
トリル基、p−クロロフェニル基等)、アルケニル基
(ビニル基、プロペニル基、スチリル基等)、アルキニ
ル基(エチニル基等)、アルキルオキシ基(メトキシ
基、エトキシ基、i−プロポキシ基、ブトキシ基等)、
アリールオキシ基(フェノキシ基等)、アルキルチオ基
(メチルチオ基、エチルチオ基、i−プロピルキオ基
等)、アリールチオ基(フェニルチオ基等)、アミノ
基、アルキルアミノ基(ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基、エチルメチルアミノ基等)、アリールアミノ基
(アニリノ基、ジフェニルアミノ基等)、ハロゲン原子
(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)、
シアノ基、ニトロ基、複素環基(ピロール基、ピロリジ
ル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ピリジル基、ベ
ンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキ
サゾリル基等)等が挙げられる。隣接する置換基同士は
環を形成しても良い。好ましくは、R1、R2およびR3
のうち、少なくとも1個が芳香族基の時である。芳香族
基としては上記アリール基およびヘテロアリール基(ピ
ロール基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ピリジル
基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベン
ゾオキサゾリル等)が挙げられる。
般式(2)において、好ましくは、Z2で形成される芳
香環が2個以上の窒素原子を含有する芳香環の時であ
り、より好ましくは、Z2で形成される芳香環が6員芳
香環の時である。なお、Z2により形成される芳香環は
更に置換基を有しても良く、複数の置換基を有する場
合、それぞれの置換基が結合して環を形成しても良い。
一価の置換基としては一般式(1)中のR1〜R3と同様
の置換基が挙げられる。Z2により形成される芳香環の
具体例としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジ
ン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピ
ラゾール環、トリアゾール環、キノリン環、プリン環等
が挙げられる。
ッセンス素子のいずれの層に用いても良いが、固体状態
において強い蛍光を持つ化合物であり、電場発光性にも
優れており、発光材料として有効に使用できる。また、
金属電極からの優れた電子注入性および電子輸送性に非
常に優れているため、他の発光材料を用いた素子におい
て、電子輸送材料として使用した場合、優れた発光効率
を示す。
発明は、これらに限定されるものではない。
Soc.;75,1953,2256や、J.Ame
r.Chem.Soc.;108,1986,8109
−8111に記載のように、有機過酸化物を用いること
により合成できる。
について鋭意検討を重ねた結果、分子内にN−オキシド
基を有する化合物をリン光発光用のいずれかの層に含有
させて有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した場
合に、素子の発光輝度および寿命が改善されることを見
出した。
合物について説明する。本発明において、ホスト化合物
とは、2種以上の化合物で構成される発光層中におい
て、混合比(質量)の最も多い化合物であり、それ以外
の化合物はドーパント化合物という。例えば、発光層を
化合物A、化合物Bという2種で構成しその混合比が
A:B=10:90であれば化合物Aがドーパント化合
物であり、化合物Bがホスト化合物である。更に、発光
層を化合物A、化合物B、化合物Cの3種から構成し、
その混合比がA:B:C=5:10:85であれば、化
合物A、化合物Bがドーパント化合物であり、化合物C
がホスト化合物である。本発明におけるリン光性化合物
は、ドーパント化合物の一種である。
の発光が観測される化合物であり、リン光量子収率が、
25℃において0.001以上の化合物である。好まし
くは0.01以上である。更に好ましくは0.1以上で
ある。
座7の分光IIの398ページ(1992年版、丸善)に
記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収
率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いら
れるリン光性化合物とは、任意の溶媒のいずれかにおい
て上記リン光量子収率が達成されれば良い。
属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくは、
イリジウム、オウミウム、または白金錯体系化合物であ
る。より好ましくはイリジウム錯体系化合物である。
物の具体例を示すが、これらに限定されるものではな
い。これらの化合物は、例えば、Inorg.Che
m.40巻、1704−1711に記載の方法等により
合成できる。
光性化合物の他に、リン光性化合物からの発光の極大波
長よりも長波な領域に、蛍光極大波長を有する蛍光性化
合物を少なくとも1種含有する場合もある。この場合、
ホスト化合物とリン光性化合物からのエネルギー移動
で、有機EL素子としての電界発光は蛍光性化合物から
の発光が得られる。蛍光性化合物として好ましいのは、
溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。ここで、蛍
光量子収率は10%以上、特に30%以上が好ましい。
具体的には、クマリン系色素,ピラン系色素,シアニン
系色素,クロコニウム系色素,スクアリウム系色素,オ
キソベンツアントラセン系色素,フルオレセイン系色
素,ローダミン系色素,ピリリウム系色素,ペリレン系
色素,スチルベン系色素,ポリチオフェン系色素、また
は、希土類錯体系蛍光体などが挙げられる。
化学講座7の分光IIの362ページ(1992年版、丸
善)に記載の方法により測定することが出来る。
層に含有することが好ましい。以下、エレクトロルミネ
ッセンス素子(EL素子)について説明する。
は、陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光す
る層のことを指す。具体的には、陰極と陽極からなる電
極に電流を流した際に発光する蛍光性化合物を含有する
層のことを指す。通常、エレクトロルミネッセンス素子
(EL素子)は一対の電極の間に発光層を挟持した構造
をとる。本発明の有機EL素子は、必要に応じ発光層の
他に、正孔輸送層、電子輸送層、陽極バッファー層およ
び陰極バッファー層等を有し、陰極と陽極で挟持された
構造をとる。
電子輸送層/陰極バッファー層/陰極などで示される構
造がある。
としては、例えば蒸着法、スピンコート法、キャスト
法、LB法などの公知の方法により薄膜を形成する方法
があるが、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここ
で、分子堆積膜とは、上記化合物の気相状態から沈着さ
れ形成された薄膜や、該化合物の溶融状態又は液相状態
から固体化され形成された膜のことである。通常、この
分子堆積膜はLB法により形成された薄膜(分子累積
膜)と、凝集構造、高次構造の相違やそれに起因する機
能的な相違により区別することができる。
81号に記載されているように、樹脂などの結着材と共
に発光材料として上記化合物を溶剤に溶かして溶液とし
たのち、これをスピンコート法などにより塗布して薄膜
形成することにより得ることができる。
ついては特に制限はなく、状況に応じて適宜選択するこ
とができるが、通常は5nm〜5μmの範囲である。
は、具体的には、重金属錯体系化合物であり、好ましく
は元素の周期律表でVIII属の金属を中心金属とする錯体
系化合物であり、さらに好ましくは、オスミウム、イリ
ジウムまたは白金錯体系化合物である。
ようなリン光量子収率が、25℃において0.001以
上である他、前記ホストとなる蛍光性化合物の蛍光極大
波長よりも長いリン光発光極大波長を有するものであ
り、これにより、例えば、ホストとなる蛍光性化合物の
発光極大波長より長波のリン光性化合物をもちいてリン
光性化合物の発光、即ち三重項状態を利用した、ホスト
化合物の蛍光極大波長よりも長波において電界発光する
EL素子を得ることができる。従って、用いられるリン
光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限され
るものではなく、原理的には、中心金属、配位子、配位
子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化
させることができる。
蛍光極大波長を有する蛍光性化合物をホスト化合物とし
て用い、更に、緑の領域にリン光をもったイリジウム錯
体を用いる事で緑領域に電界発光する有機EL素子を得
ることが出来る。
ト化合物としての蛍光性化合物Aとリン光性化合物の他
に、リン光性化合物からの発光の極大波長よりも長波な
領域に、蛍光極大波長を有するもう一つの蛍光性化合物
Bを少なくとも1種含有する場合もあり、蛍光性化合物
Aとリン光性化合物からのエネルギー移動で、有機EL
素子としての電界発光は蛍光性化合物Bからの発光を得
ることも出来る。
「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京
大学出版会、1985)の108頁の図4.16におい
て、分光放射輝度計CS−1000(ミノルタ製)で測
定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決
定される。
層、電子輸送層等発光層と組み合わせてEL素子を構成
するその他の層について説明する。
された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注
入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、そのうえ、発光層に陰極、電子注入層又は電子輸送
層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは
正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層
内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の
優れた素子となる。この正孔注入層、正孔輸送層の材料
(以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という)について
は、前記の陽極より注入された正孔を発光層に伝達する
機能を有する性質をもつものであれば特に制限はなく、
従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料と
して慣用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔
輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選
択して用いることができる。
の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有する
ものであり、有機物,無機物のいずれであってもよい。
この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリ
アゾール誘導体,オキサジアゾール誘導体,イミダゾー
ル誘導体,ポリアリールアルカン誘導体,ピラゾリン誘
導体及びピラゾロン誘導体,フェニレンジアミン誘導
体,アリールアミン誘導体,アミノ置換カルコン誘導
体,オキサゾール誘導体,スチリルアントラセン誘導
体,フルオレノン誘導体,ヒドラゾン誘導体,スチルベ
ン誘導体,シラザン誘導体,アニリン系共重合体、ま
た、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマ
ーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料とし
ては、上記のものを使用することができるが、ポルフィ
リン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルア
ミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いるこ
とが好ましい。
ルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′
−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,
N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニ
ル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン
(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノ
フェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリ
ルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,
N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェ
ニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス
(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタ
ン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキ
シフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,
N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミ
ノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリ
ル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−
〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベ
ン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニル
ビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフ
ェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾー
ル、さらには、米国特許第5,061,569号明細書
に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する
もの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4
−308688号公報に記載されているトリフェニルア
ミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,
4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N
−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDAT
A)などが挙げられる。
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用する
ことができる。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記正
孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピ
ンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法によ
り、薄膜化することにより形成することができる。正孔
注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はない
が、通常は5nm〜5μm程度である。この正孔注入
層、正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からな
る一層構造であってもよく、同一組成又は異種組成の複
数層からなる積層構造であってもよい。
層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能
を有していればよく、その材料としては従来公知の化合
物の中から任意のものを選択して用いることができる。
電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオ
レン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラ
カルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデン
メタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘
導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さら
に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジア
ゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾー
ル誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン
環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として
用いることができる。
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム
(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノ
ール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−
キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8
−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−
8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノ
ール)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金属錯体の中
心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPb
に置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いる
ことができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフ
タロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホ
ン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料とし
て好ましく用いることができる。また、発光層の材料と
して例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材
料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送
層と同様に、n型−Si、n型−SiCなどの無機半導
体も電子輸送材料として用いることができる。
真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法など
の公知の薄膜形成法により製膜して形成することができ
る。電子輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通
常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。この電子輸送層
は、これらの電子輸送材料一種又は二種以上からなる一
層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種
組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
光層のみに限定することはなく、発光層に隣接した正孔
輸送層、または電子輸送層に前記リン光性化合物のホス
ト化合物となる蛍光性化合物と同じ領域に蛍光極大波長
を有する蛍光性化合物を少なくとも1種含有させてもよ
く、それにより更にEL素子の発光効率を高めることが
できる。これらの正孔輸送層や電子輸送層に含有される
蛍光性化合物としては、発光層に含有されるものと同様
に蛍光極大波長が350nmから440nm、更に好ま
しくは390nm〜410nmの範囲にある蛍光性化合
物が用いられる。
る基盤は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限
定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない。
本発明のエレクトロルミネッセンス素子に好ましく用い
られる基盤としては例えばガラス、石英、光透過性プラ
スチックフィルムを挙げることができる。
例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエ
チレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン
(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレー
ト、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルロー
ストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプ
ロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げら
れる。
を説明する。例として、前記の陽極/正孔注入層/正孔
輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からな
るEL素子の作製法について説明する。
例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好まし
くは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着
やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作
製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正
孔輸送層、発光層、電子輸送層/電子注入層からなる薄
膜を形成させる。
間、および、陰極と発光層または電子注入層との間には
バッファー層(電極界面層)を存在させてもよい。
率向上のために電極と有機層間に設けられる層のこと
で、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年1
1月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2
章「電極材料」(第123頁〜第166頁)に詳細に記
載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層と
がある。
9号、同9−260062号、同8−288069号等
にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタ
ロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、
酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモ
ルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラ
ルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた
高分子バッファー層等が挙げられる。
71号、同9−17574号、同10−74586号等
にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチ
ウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、
フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッフ
ァー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類
金属化合物バッファー層、酸化アルミニウム、酸化リチ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
が望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1〜10
0nmの範囲が好ましい。
その他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開
平11−204258号、同11−204359号、お
よび「有機EL素子とその工業化最前線(1998年1
1月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第237頁
等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層など
のような機能層を有していても良い。
陽極バッファー層の少なくとも何れか1つの層内に本発
明の化合物の少なくとも1種が存在して、発光層として
機能してもよい。
る。有機EL素子の電極は、陰極と陽極からなる。
仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導
性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好
ましく用いられる。このような電極物質の具体例として
はAuなどの金属、CuI、インジウムチンオキシド
(ITO)、SnO2、ZnOなどの導電性透明材料が
挙げられる。
方法により、これらの電極物質の薄膜を形成させ、フォ
トリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成して
もよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場
合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やス
パッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターン
を形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合に
は、透過率を10%より大きくすることが望ましく、ま
た、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好まし
い。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μ
m、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれ
る。
(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネ
シウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合
物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/
酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リ
チウム/アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げら
れる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する
耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の
値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例え
ばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウ
ム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニ
ウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム
/アルミニウム混合物などが好適である。上記陰極は、
これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させることにより、作製することがで
きる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下
が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは
50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過
させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一
方が、透明又は半透明であれば発光効率が向上するので
好都合である。
する。薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート
法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得ら
れやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点か
ら、真空蒸着法が好ましい。薄膜化に、真空蒸着法を採
用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類、
分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより
異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空
度10-6〜10-3Pa、蒸着速度0.01〜50nm/
秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの
範囲で適宜選ぶことが望ましい。
用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以
下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるよ
うに、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ
て陽極を作製した後、該陽極上に前記の通り正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層/電子注入層から
なる各層薄膜を形成させた後、その上に陰極用物質から
なる薄膜を1μm以下、好ましくは50〜200nmの
範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング
などの方法により形成させ、陰極を設けることにより、
所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作
製は、一回の真空引きで一貫してこの様に正孔注入層か
ら陰極まで作製するのが好ましいが、作製順序を逆にし
て、陰極、電子注入層、発光層、正孔注入層、陽極の順
に作製することも可能である。このようにして得られた
有機EL素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を
+、陰極を−の極性として電圧5〜40V程度を印加す
ると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加
しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交
流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態
になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形
は任意でよい。
るが、本発明の態様はこれに限定されない。
ド)を150nm成膜した基板(NHテクノグラス社
製:NA−45)にパターニングを行った後、このIT
O透明電極を設けた透明支持基板をi−プロピルアルコ
ールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾ
ン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を、市販の真
空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン
製抵抗加熱ボートに、m−MTDATAを200mg入
れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにDPVBiを2
00mg入れ、また別のモリブデン製抵抗加熱ボートに
BCPの200mgを入れ真空蒸着装置に取付けた。
した後、m−MTDATAの入った前記加熱ボートに通
電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/secで
透明支持基板に膜厚25nmで蒸着し、さらに、DPV
Biの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速
度0.1〜0.3nm/secで膜厚20nmで蒸着
し、発光層を設けた。蒸着時の基板温度は室温であっ
た。
通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/sec
で30nmの電子輸送層を設けた。
ルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、表1に
示す比較用有機EL素子OLED1−1を作製した。
を表1に記載の化合物に替えた以外は有機エレクトロル
ミネッセンス素子OLED1−1と同様にして、有機エ
レクトロルミネッセンス素子OLED1−2〜1−10
を作製した。
雰囲気下で10V直流電圧印可による連続点灯を行い、
点灯開始時の発光輝度(cd/m2)、発光効率(ln
/W)および輝度の半減する時間を測定した。発光輝度
及び発光効率は有機エレクトロルミネッセンス素子OL
ED1−1を100とした時の相対値で表し、輝度の半
減する時間は有機エレクトロルミネッセンス素子OLE
D1−1の輝度が半減する時間を100とした相対値で
表した。結果を表1に示す。なお全ての素子において発
光色は青色だった。
L素子は、点灯開始時の発光輝度、発光効率及び輝度の
半減する時間が改善されているのが分かる。特に、輝度
の半減する時間が改善されているのが分かる。
−1〜2−10を以下のように作製した。
mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO
(インジウムチンオキシド)を150nm成膜した基板
(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを
行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板を
イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガス
で乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。
の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱
ボートに、α−NPDを200mg入れ、別のモリブデ
ン製抵抗加熱ボートにCBPを200mg入れ、別のモ
リブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロイン(BC
P)を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボー
トにIr−1(リン光性化合物)を100mg入れ、さ
らに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を20
0mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽
を4×10-4Paまで減圧した後、α−NPDの入った
前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm
/secで透明支持基板に蒸着し、膜厚45nmの正孔
輸送層を設けた。さらに、CBPとIr−1の入った前
記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.
1nm/sec、0.01nm/secで前記正孔輸送
層上に共蒸着して膜厚20nmの発光層を設けた。な
お、蒸着時の基板温度は室温であった。さらに、BCP
の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度
0.1nm/secで前記発光層の上に蒸着して膜厚1
0nmの正孔阻止の役割も兼ねた電子輸送層を設けた。
その上に、さらに、Alq 3の入った前記加熱ボートに
通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記電
子輸送層の上に蒸着して更に膜厚40nmの電子注入層
を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
ルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、有機E
L素子OLED2−1を作製した。
めす化合物に置き換えた以外は全く同じ方法で、有機E
L素子OLED2−2〜2−10を作製した。
す。
の発光輝度、発光効率および発光寿命の評価〉有機EL
素子OLED2−1では、初期駆動電圧3Vで電流が流
れ始め、発光層のドーパントであるリン光性化合物から
の緑色の発光を示した。有機EL素子OLED2−1〜
2−10の温度23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で9V直
流電圧を印加した時の発光輝度(cd/m2)、発光効
率(ln/W)および輝度の半減する時間を測定した。
発光輝度、発光効率は有機エレクトロルミネッセンス素
子OLED2−1を100とした時の相対値で表し、輝
度の半減する時間も有機エレクトロルミネッセンス素子
OLED2−1を100とした時の相対値で表した。発
光輝度(cd/m2)については、ミノルタ製CS−1
000を用いて測定した。
をホストに用いたエレクトロルミネッセンス素子は、発
光輝度が高く、発光寿命が長いことから、有機EL素子
として非常に有用であることがわかった。
変更した以外は有機EL素子OLED2−1〜2−10
と同様にして作製した有機EL素子においても同様の効
果が得られた。なお、Ir−12を用いた素子からは青
色の発光が、Ir−9を用いた素子からは赤色の発光が
えられた。
に示す化合物に置き換えた以外は全く同じ方法で、有機
EL素子OLED3−1〜3−9を作製した。実施例2
と同様の方法で発光輝度、発光効率および輝度の半減す
る時間を測定した。
を電子輸送層に用いたエレクトロルミネッセンス素子
は、発光輝度、発光効率及び輝度の半減する時間が改善
されているのが分かる。特に、輝度の半減する時間が改
善されているのが分かる。
エレクトロルミネッセンス素子を同一基板上に並置し、
有機EL素子から構成されるアクティブマトリクス方式
フルカラー表示装置を作製した。
示部の模式図のみを示した。即ち同一基板上に、複数の
走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数
の画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青
領域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数の
データ線6は、それぞれ導電材料からなり、走査線5と
データ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3
に接続している(詳細は図示せず)。前記複数の画素3
は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクテ
ィブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トラン
ジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式
で駆動されており、走査線5から走査信号が印加される
と、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取
った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、
青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表
示が可能となる。
り、輝度の高い鮮明なフルカラー動画表示が得られた。
い有機EL素子、及び該有機EL素子を用いた発光輝度
及び耐久性の高い表示装置を提供することができる。
置の表示部の模式図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 下記一般式(1)で表される化合物を含
有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子。 【化1】 〔式中、R1、R2およびR3はそれぞれ一価の置換基を
表す。〕 - 【請求項2】 R1、R2およびR3の少なくとも1つが
芳香族基で表されることを特徴とする請求項1に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】 下記一般式(2)で表される化合物を含
有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子。 【化2】 〔式中、Z2は窒素原子とともに芳香環を形成するのに
必要な原子群を表す。〕 - 【請求項4】 Z2で形成される芳香環が2個以上の窒
素原子を含有することを特徴とする請求項2に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項5】 一般式(1)及び一般式(2)で表され
る化合物から選ばれる少なくとも1種を発光層に含有す
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項6】 一般式(1)及び一般式(2)で表され
る化合物から選ばれる少なくとも1種を電子輸送層に含
有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子。 - 【請求項7】 発光層にリン光性化合物を含有すること
を特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項8】 リン光性化合物がイリジウム化合物、オ
スミウム化合物または白金化合物であることを特徴とす
る請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項9】 リン光化合物がイリジウム化合物である
ことを特徴とする請求項8に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。 - 【請求項10】 請求項1〜9のいずれか1項に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴
とする表示装置。
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---|---|---|---|---|
JP2007015993A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 新規な1,3,5−トリフェニルベンゼン誘導体およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2012074711A (ja) * | 2011-10-24 | 2012-04-12 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 1,3,5−トリフェニルベンゼン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN104356131A (zh) * | 2014-10-29 | 2015-02-18 | 上海应用技术学院 | 一种1,10-菲罗琳-n-一氧化物衍生物配体及其应用 |
KR101883770B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2018-07-31 | 율촌화학 주식회사 | 유기 전계 발광 소자용 화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
CN110079305A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 深蓝色热活化延迟荧光材料和其制作方法、电致发光器件 |
CN112745261A (zh) * | 2020-02-27 | 2021-05-04 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 电子传输材料及其制备方法、电子器件和显示装置 |
-
2002
- 2002-04-18 JP JP2002115979A patent/JP4726384B2/ja not_active Expired - Lifetime
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