JP2003234192A - 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置

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JP2003234192A JP2002334907A JP2002334907A JP2003234192A JP 2003234192 A JP2003234192 A JP 2003234192A JP 2002334907 A JP2002334907 A JP 2002334907A JP 2002334907 A JP2002334907 A JP 2002334907A JP 2003234192 A JP2003234192 A JP 2003234192A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、発光輝度の向上および耐久
性の両立を達成した有機エレクトロルミネッセンス素
子、および有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた
発光輝度の高い、長寿命な表示装置を提供することにあ
る。 【解決手段】 ホスト化合物およびリン光性化合物を含
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物がホウ素原子を含有する化合
物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス(以下有機ELとも略記する)素子および
表示装置に関するものである。詳しくいえば、本発明は
発光輝度に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、
および該有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表
示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】発光型の電子ディスプレイデバイスとし
て、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(ELD)
がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロル
ミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子
が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平
面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させ
るためには交流の高電圧が必要である。有機エレクトロ
ルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光
層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及
び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エ
キシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の
光の放出(蛍光・リン光)を利用して発光する素子であ
り、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、さら
に、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高
く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携
帯性等の観点から注目されている。
【0003】しかしながら、今後の実用化に向けた有機
EL素子には、さらなる低消費電力で効率よく高輝度に
発光する有機EL素子の開発が望まれている。
【0004】特許第3093796号では、スチルベン
誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はトリススチリ
ルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光
輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。
【0005】また、8−ヒドロキシキノリンアルミニウ
ム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をド
ープした有機発光層を有する素子(特開昭63−264
692号公報)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム
錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素
をドープした有機発光層を有する素子(特開平3−25
5190号公報)が知られている。以上のように、蛍光
量子収率の高い蛍光体をドープすることによって、従来
の素子に比べて発光輝度を向上させている。
【0006】しかし、上記のドープされる微量の蛍光体
からの発光は、励起一重項からの発光であり、励起一重
項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起
子の生成比が1:3であるため発光性励起種の生成確率
が25%であることと、光の取り出し効率が約20%で
あるため、外部取り出し量子効率(ηext)の限界は5
%とされている。ところが、プリンストン大学から励起
三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子が報告が
されて以来(M.A.Baldo et al.,na
ture、395巻、151−154ページ(1998
年))、室温でリン光を示す材料の研究が活発になって
きている(例えば、M.A.Baldoet al.,
nature、403巻、17号、750−753ペー
ジ(2000年)、米国特許第6,097,147号な
ど)。
【0007】励起三重項を使用すると、内部量子効率の
上限が100%となるため、励起一重項の場合に比べて
原理的に発光効率が最大4倍となり、冷陰極管とほぼ同
等の性能が得られ照明用にも応用可能であり注目されて
いる。
【0008】リン光性化合物をドーパントとして用いる
ときのホストは、リン光性化合物の発光極大波長よりも
短波な領域に発光極大波長を有することが必要であるこ
とはもちろんであるが、その他にも満たすべき条件があ
ることが分かってきた。
【0009】The 10th Internatio
nal Workshop onInorganic
and Organic Electrolumine
scence(EL ’00、浜松)では、リン光性化
合物についていくつかの報告がなされており、例えば、
Ikaiらはホール輸送性の化合物をリン光性化合物の
ホストとして用いている。また、M.E.Tompso
nらは、各種電子輸送性材料をリン光性化合物のホスト
として、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用
いている。さらに、Tsutsuiらは、ホールブロッ
ク層の導入により高い発光効率を得ている。
【0010】リン光性化合物のホスト化合物について
は、例えば、C.Adachi etal.,App
l.Phys.Lett.,77巻、904ページ(2
000年)等に詳しく記載されているが、高輝度の有機
エレクトロルミネッセンス素子を得るためにホスト化合
物に必要とされる性質について、より新しい観点からの
アプローチが必要である。しかし、いずれの報告におい
ても、素子の発光輝度の向上および耐久性の両者を満足
しうる構成は得られていない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は素子
の発光輝度の向上および耐久性の両立を目的になされた
ものであり、本発明の目的は、発光輝度の向上および耐
久性の両立を達成した有機エレクトロルミネッセンス素
子、および有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた
発光輝度の高い、長寿命な表示装置を提供することにあ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は以下に示
す特許請求の範囲の各請求項に記載の発明より達成され
る。
【0013】1.ホスト化合物およびリン光性化合物を
含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス
素子において、ホスト化合物がホウ素原子を含有する化
合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
【0014】2.ホスト化合物がホウ素原子および窒素
原子を含有する化合物であることを特徴とする前記1に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0015】3.ホスト化合物が前記一般式(1)で表
される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0016】4.前記一般式(1)において、R11、R
12およびR13が芳香族基であることを特徴とする前記3
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0017】5.ホスト化合物が前記一般式(2)で表
される化合物であることを特徴とする前記1に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。
【0018】6.ホスト化合物が前記一般式(3)で表
される化合物であることを特徴とする前記1に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。
【0019】7.ホスト化合物が前記一般式(4)で表
される化合物であることを特徴とする前記6に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。
【0020】8.ホスト化合物が前記一般式(5)で表
される化合物であることを特徴とする前記4に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。
【0021】9.一般式(5)において、R51〜R56
全て一価の置換基であることを特徴とする前記8に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0022】10.一般式(5)において、R51〜R56
がそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アリール
オキシ基またはハロゲン原子であることを特徴とする前
記8または9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
【0023】11.ホスト化合物が前記一般式(6)で
表される化合物であることを特徴とする前記2に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0024】12.ホスト化合物の分子量が420〜2
000であることを特徴とする前記1〜11のいずれか
1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0025】13.ホスト化合物の分子量が600〜2
000であることを特徴とする前記1〜11のいずれか
1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0026】14.ホスト化合物の分子量が800〜2
000であることを特徴とする前記1〜13のいずれか
1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0027】15.リン光性化合物がイリジウム、オス
ミウムまたは白金錯体系化合物であることを特徴とする
前記1〜14のいずれか1項に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
【0028】16.リン光性化合物がイリジウム錯体系
化合物であることを特徴とする前記15に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
【0029】17.前記1〜16のいずれか1項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装
置。
【0030】以下に本発明を詳細に説明する。本発明者
等は、リン光性化合物をドーパントとして用い、励起三
重項からのリン光発光を用いた有機EL素子のホスト化
合物について鋭意検討を重ねた結果、分子内にホウ素原
子を有する化合物をホスト化合物として用い有機エレク
トロルミネッセンス素子を作成した場合に、素子の発光
輝度および寿命が改善されることを見出した。
【0031】本発明のホスト化合物とは、2種以上の化
合物で構成される発光層中において、混合比(質量)の
最も多い化合物であり、それ以外の化合物はドーパント
化合物という。例えば、発光層を化合物A、化合物Bと
いう2種で構成しその混合比がA:B=10:90であ
れば化合物Aがドーパント化合物であり、化合物Bがホ
スト化合物である。更に、発光層を化合物A、化合物
B、化合物Cの3種から構成し、その混合比がA:B:
C=5:10:85であれば、化合物A、化合物Bがド
ーパント化合物であり、化合物Cがホスト化合物であ
る。本発明におけるリン光性化合物は、ドーパント化合
物の一種である。
【0032】本発明のリン光性化合物とは励起三重項か
らの発光が観測される化合物であり、リン光量子収率
が、25℃において0.001以上の化合物である。好
ましくは0.01以上である。更に好ましくは0.1以
上である。
【0033】上記リン光量子収率は、第4版実験化学講
座7の分光IIの398ページ(1992年版、丸善)に
記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収
率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いら
れるリン光性化合物とは、任意の溶媒のいずれかにおい
て上記リン光量子収率が達成されれば良い。
【0034】好ましくは、元素の周期律表でVIII属の金
属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくは、
イリジウム、オウミウム、または白金錯体系化合物であ
る。
【0035】以下に、本発明で用いられるリン光性化合
物であるイリジウム、オスミウム、または白金錯体系化
合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではな
い。これらの化合物は、例えば、Inorg.Che
m.40巻、1704−1711に記載の方法等により
合成できる。
【0036】
【化7】
【0037】
【化8】
【0038】
【化9】
【0039】また、別の形態では、ホスト化合物とリン
光性化合物の他に、リン光性化合物からの発光の極大波
長よりも長波な領域に、蛍光極大波長を有する蛍光性化
合物を少なくとも1種含有する場合もある。この場合、
ホスト化合物とリン光性化合物からのエネルギー移動
で、有機EL素子としての電界発光は蛍光性化合物から
得られる。蛍光性化合物として好ましいのは、溶液状態
で蛍光量子収率が高いものである。ここで、蛍光量子収
率は10%以上、特に30%以上が好ましい。具体的に
は、クマリン系色素,ピラン系色素,シアニン系色素,
クロコニウム系色素,スクアリリウム系色素,オキソベ
ンツアントラセン系色素,フルオレセイン系色素,ロー
ダミン系色素,ピリリウム系色素,ペリレン系色素,ス
チルベン系色素,ポリチオフェン系色素、または、希土
類錯体系蛍光体などが挙げられる。
【0040】ここでの蛍光量子収率も、前記第4版実験
化学講座7の分光IIの362ページ(1992年版、丸
善)に記載の方法により測定することが出来、本発明に
おいては、テトラヒドロフラン中で測定する。
【0041】以下、本発明に用いられるホスト化合物に
ついて説明する。本発明のホスト化合物は分子内にホウ
素原子を含有している化合物であり、好ましくは一般式
(1)で表される化合物である。一般式(1)におい
て、Bはホウ素原子を表し、R11、R12およびR13は一
価の置換基を表す。但し、R11、R 12およびR13の少な
くとも1つは芳香族基を表す。R11、R12、R13で表さ
れる一価の置換基としては、アルキル基(メチル基、エ
チル基、i−プロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキ
シメチル基、トリフルオロメチル基、t−ブチル基、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基等)、
アリール基(フェニル基、ナフチル基、p−トリル基、
p−クロロフェニル基等)、アルコキシ基(メトキシ
基、エトキシ基、i−プロポキシ基、ブトキシ基等)、
アリールオキシ基(フェノキシ基等)、アルキルチオ基
(メチルチオ基、エチルチオ基、i−プロピルキオ基
等)、アリールチオ基(フェニルチオ基等)、ハロゲン
原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
等)、シアノ基、ニトロ基、複素環基(ピロリル基、ピ
ロリジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ピリジル
基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベン
ゾオキサゾリル基等)等が挙げられる。芳香族基として
は上記アリール基およびヘテロアリール基(ピロリル
基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ピリジル基、ベン
ズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサ
ゾリル等)が挙げられる。好ましくは、R11、R12およ
びR13がすべて芳香族基である時である。
【0042】次に一般式(2)について説明する。一般
式(2)においてBはホウ素原子を表し、Ar21および
Ar22は芳香族基を表し、Aは2〜15価の基を表し、
nは2〜15を表す。Ar21およびAr22で表される芳
香族基は一般式(1)と同様のものが挙げられる。ま
た。Aで表される2〜15価の基とは、好ましくは、単
環基、縮合多環基、または、単環もしくは縮合多環を含
む芳香族単位が連結した基である、また、これらの環は
炭素、酸素、窒素、イオウ原子からなる原子で連結され
た2〜15価の基でも良い。
【0043】Aの具体例としては、ベンゼン、トルエ
ン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フル
オレン、ピレン、ペリレン、トリフェニレン、アズレ
ン、フルオレノン、フラン、チオフェン、ピロール、ピ
リジン、オキサゾール、ピラジン、ピリミジン、オキサ
ジアゾール、トリアゾール、インドール、キノリン、イ
ソキノリン、カルバゾール、アクリジン、ベンゾチアゾ
ール、フェナントロリン、キナクリドン等の置換もしく
は未置換の芳香族環もしくは縮合芳香環の残基、さらに
は、ビフェニル、ターフェニル、ビナフチル、トリフェ
ニルベンゼン、ジフェニルアントラセン、ルブレン、ビ
ピリジン、ビキノリン、ビチオフェン、などの芳香環構
造単位同士が直接連結した残基、スチルベン、ジフェニ
ルメタン、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、ジフ
ェニルスルフィド、トリフェニルアミン等の芳香環構造
単位同士が、非芳香環構造単位を介して連結した骨格を
有する化合物の残基である。
【0044】次に、一般式(3)について説明する。一
般式(3)において、Bはホウ素原子を表し、Ar31
単環の芳香族環を表し、R31、R32、R33およびR34
一価の置換基を表す。nは1〜5を表す。Ar31で表さ
れる単環の芳香族基の具体例としてはベンゼン、フラ
ン、チオフェン、ピロール、オキサゾール、イミダゾー
ル、チアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリダジ
ン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン等が挙げられ
る。また、これらの単環の芳香族基は更に置換されてい
てもよい。R41、R42、R43およびR44で表される一価
の置換基としては一般式(1)と同様のものが挙げられ
る。
【0045】一般式(3)の化合物は、好ましくは一般
式(4)で表され、Ar41、Ar42、Ar43およびAr
44で表される芳香族基は、一般式(2)のAr21と同様
のものが挙げられ、R45が一価の置換基の場合の例とし
ては、一般式(1)で例示した置換基と同様のものが挙
げられる。
【0046】次に、一般式(5)について説明する。B
はホウ素原子を表し、Cは炭素原子を表し、A51
52、A53、A54、A55およびA56は炭素原子または窒
素原子を表し、Z51、Z52およびZ53は芳香族環を形成
するのに必要な原子群を表し、R 51、R52、R53
54、R55およびR56はそれぞれ独立に水素原子または
一価の置換基を表し、R51〜R56のうち、少なくとも4
つは置換基を表す。R57、R58およびR59はそれぞれ独
立に水素原子または一価の置換基を表し、l3、n3お
よびm3はそれぞれ独立に0〜7を表す。Z51、Z52
よびZ53で形成される芳香族環とは、一般式(2)のA
で例示した芳香族環もしくは縮合芳香環が挙げられる。
また、R51〜R59で表される一価の置換基の例として
は、一般式(1)で例示した置換基と同様のものが挙げ
られる。
【0047】好ましくは、R51〜R56が全て一価の置換
基である時であり、より好ましくは、R51〜R56がそれ
ぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ
基またはハロゲン原子である時である。
【0048】次に一般式(6)について説明する。Ar
61、Ar62、Ar63およびAr64は各々独立に置換又は
無置換の芳香族基を表し、Q61は芳香族基を表し、n4
は1〜5を表す。Ar61、Ar62、Ar63およびAr64
で表される芳香族基は、一般式(2)のAr21と同様の
ものが挙げられ、Q61で表される芳香族基は、一般式
(3)のAr31と同様のものが挙げられる。
【0049】また、ホスト化合物の分子量は600〜2
000であることが好ましい。分子量が600〜200
0であると、Tg(ガラス転移温度)が上昇し、熱安定
性が向上し、素子寿命が改善される。より好ましくは分
子量が800〜2000である。
【0050】以下に、具体的化合物例を示すが、本発明
のホスト化合物が、これらに限定されるものではない。
【0051】
【化10】
【0052】
【化11】
【0053】
【化12】
【0054】
【化13】
【0055】
【化14】
【0056】
【化15】
【0057】
【化16】
【0058】
【化17】
【0059】
【化18】
【0060】
【化19】
【0061】
【化20】
【0062】
【化21】
【0063】
【化22】
【0064】
【化23】
【0065】
【化24】
【0066】これらの化合物は公知の方法によって製造
が可能であるが、例えば特開2001−93670等に
記載された方法を用いることができる。
【0067】以下、エレクトロルミネッセンス素子(E
L素子)について説明する。EL素子における発光層
は、広義の意味では、陰極と陽極からなる電極に電流を
流した際に発光する層のことを指す。具体的には、陰極
と陽極からなる電極に電流を流した際に発光する蛍光性
化合物を含有する層のことを指す。通常、エレクトロル
ミネッセンス素子(EL素子)は一対の電極の間に発光
層を挟持した構造をとる。本発明の有機EL素子は、必
要に応じ発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、陽極
バッファー層および陰極バッファー層等を有し、陰極と
陽極で挟持された構造をとる。
【0068】具体的には、 (i)陽極/発光層/陰極 (ii)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極 (iii)陽極/発光層/電子輸送層/陰極 (iv)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極 (v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/
電子輸送層/陰極バッファー層/陰極などで示される構
造がある。
【0069】上記化合物を用いて発光層を形成する方法
としては、例えば蒸着法、スピンコート法、キャスト
法、LB法などの公知の方法により薄膜を形成する方法
があるが、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここ
で、分子堆積膜とは、上記化合物の気相状態から沈着さ
れ形成された薄膜や、該化合物の溶融状態又は液相状態
から固体化され形成された膜のことである。通常、この
分子堆積膜はLB法により形成された薄膜(分子累積
膜)と、凝集構造、高次構造の相違やそれに起因する機
能的な相違により区別することができる。
【0070】また、この発光層は、特開昭57−517
81号に記載されているように、樹脂などの結着材と共
に発光材料として上記化合物を溶剤に溶かして溶液とし
たのち、これをスピンコート法などにより塗布して薄膜
形成することにより得ることができる。
【0071】このようにして形成された発光層の膜厚に
ついては特に制限はなく、状況に応じて適宜選択するこ
とができるが、通常は5nm〜5μmの範囲である。
【0072】ここで、本発明に記載のリン光性化合物
は、具体的には、前述のように、重金属錯体系化合物で
あり、好ましくは元素の周期律表でVIII属の金属を中心
金属とする錯体系化合物であり、さらに好ましくは、オ
スミウム、イリジウムまたは白金錯体系化合物である。
【0073】これらのリン光性化合物としては、前記の
ようなリン光量子収率が、25℃において0.001以
上である他、前記ホストとなる蛍光性化合物の蛍光極大
波長よりも長いリン光発光極大波長を有するものであ
り、これにより、例えば、ホストとなる蛍光性化合物の
発光極大波長より長波のリン光性化合物をもちいてリン
光性化合物の発光、即ち三重項状態を利用した、ホスト
化合物の蛍光極大波長よりも長波において電界発光する
EL素子を得ることができる。従って、用いられるリン
光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限され
るものではなく、原理的には、中心金属、配位子、配位
子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化
させることができる。
【0074】例えば、350nm〜440nmの領域に
蛍光極大波長を有する蛍光性化合物をホスト化合物とし
て用い、例えば、緑の領域にリン光をもったイリジウム
錯体を用いる事で緑領域に電界発光する有機EL素子を
得ることが出来る。
【0075】また、別の形態では、前記のように、ホス
ト化合物としての蛍光性化合物Aとリン光性化合物の他
に、リン光性化合物からの発光の極大波長よりも長波な
領域に、蛍光極大波長を有するもう一つの蛍光性化合物
Bを少なくとも1種含有する場合もあり、蛍光性化合物
Aとリン光性化合物からのエネルギー移動で、有機EL
素子としての電界発光は蛍光性化合物Bからの発光を得
ることも出来る。
【0076】本明細書の蛍光性化合物が発光する色は、
「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京
大学出版会、1985)の108頁の図4.16におい
て、分光放射輝度計CS−1000(ミノルタ製)で測
定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決
定される。
【0077】一般式(1)〜(6)で表されるホスト化
合物の分子量は600〜2000であることが好まし
く、この分子量範囲にあると、Tg(ガラス転移温度)
が上昇し、熱安定性が向上し、素子寿命が改善される。
より好ましくは分子量が800〜2000である。又、
Tgは100度以上であることが好ましい。又、この範
囲内の分子量であると発光層を真空蒸着法により容易に
作製することができ、有機EL素子の製造が容易にな
る。さらに、有機EL素子中における蛍光性化合物の熱
安定性もよくなる。
【0078】次に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入
層、電子輸送層等発光層と組み合わせてEL素子を構成
するその他の層について説明する。
【0079】正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入
された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注
入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、そのうえ、発光層に陰極、電子注入層又は電子輸送
層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは
正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層
内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の
優れた素子となる。この正孔注入層、正孔輸送層の材料
(以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という)について
は、前記の陽極より注入された正孔を発光層に伝達する
機能を有する性質をもつものであれば特に制限はなく、
従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料と
して慣用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔
輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選
択して用いることができる。
【0080】上記正孔注入材料、正孔輸送材料は、正孔
の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有する
ものであり、有機物,無機物のいずれであってもよい。
この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリ
アゾール誘導体,オキサジアゾール誘導体,イミダゾー
ル誘導体,ポリアリールアルカン誘導体,ピラゾリン誘
導体及びピラゾロン誘導体,フェニレンジアミン誘導
体,アリールアミン誘導体,アミノ置換カルコン誘導
体,オキサゾール誘導体,スチリルアントラセン誘導
体,フルオレノン誘導体,ヒドラゾン誘導体,スチルベ
ン誘導体,シラザン誘導体,アニリン系共重合体、ま
た、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマ
ーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料とし
ては、上記のものを使用することができるが、ポルフィ
リン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルア
ミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いるこ
とが好ましい。
【0081】上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリ
ルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′
−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,
N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニ
ル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン
(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノ
フェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリ
ルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,
N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェ
ニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス
(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタ
ン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキ
シフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,
N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミ
ノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリ
ル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−
〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベ
ン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニル
ビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフ
ェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾー
ル、さらには、米国特許第5,061,569号明細書
に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する
もの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4
−308688号公報に記載されているトリフェニルア
ミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,
4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N
−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDAT
A)などが挙げられる。
【0082】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
【0083】また、p型−Si、p型−SiCなどの無
機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用する
ことができる。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記正
孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピ
ンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法によ
り、薄膜化することにより形成することができる。正孔
注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はない
が、通常は5nm〜5μm程度である。この正孔注入
層、正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からな
る一層構造であってもよく、同一組成又は異種組成の複
数層からなる積層構造であってもよい。
【0084】さらに、必要に応じて用いられる電子輸送
層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能
を有していればよく、その材料としては従来公知の化合
物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【0085】この電子輸送層に用いられる材料(以下、
電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオ
レン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、ナフタレンペリレンなどのテトラカルボ
ン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン
誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、
オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上
記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール
環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導
体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有
するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いる
ことができる。
【0086】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
【0087】また、8−キノリノール誘導体の金属錯
体、例えばトリス(8−キノリノラート)アルミニウム
(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノ
ラート)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8
−キノリノラート)アルミニウム、トリス(2−メチル
−8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(5−メ
チル−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(8−
キノリノラート)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金
属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、G
a又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料と
して用いることができる。その他、メタルフリー若しく
はメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル
基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子輸
送材料として好ましく用いることができる。また、発光
層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、
電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入
層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiCな
どの無機半導体も電子輸送材料として用いることができ
る。
【0088】この電子輸送層は、上記化合物を、例えば
真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法など
の公知の薄膜形成法により製膜して形成することができ
る。電子輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通
常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。この電子輸送層
は、これらの電子輸送材料一種又は二種以上からなる一
層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種
組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【0089】又、本発明においては、蛍光性化合物は発
光層のみに限定することはなく、発光層に隣接した正孔
輸送層、または電子輸送層に前記リン光性化合物のホス
ト化合物となる蛍光性化合物と同じ領域に蛍光極大波長
を有する蛍光性化合物を少なくとも1種含有させてもよ
く、それにより更にEL素子の発光効率を高めることが
できる。これらの正孔輸送層や電子輸送層に含有される
蛍光性化合物としては、発光層に含有されるものと同様
に蛍光極大波長が350nmから440nm、更に好ま
しくは390nm〜410nmの範囲にある蛍光性化合
物が用いられる。
【0090】本発明の有機EL素子に好ましく用いられ
る基盤は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限
定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない。
本発明のエレクトロルミネッセンス素子に好ましく用い
られる基盤としては例えばガラス、石英、光透過性プラ
スチックフィルムを挙げることができる。
【0091】光透過性プラスチックフィルムとしては、
例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエ
チレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン
(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレー
ト、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルロー
ストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプ
ロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げら
れる。
【0092】次に、該有機EL素子を作製する好適な例
を説明する。例として、前記の陽極/正孔注入層/正孔
輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からな
るEL素子の作製法について説明する。
【0093】まず適当な基板上に、所望の電極用物質、
例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好まし
くは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着
やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作
製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正
孔輸送層、発光層、電子輸送層/電子注入層からなる薄
膜を形成させる。
【0094】さらに、陽極と発光層または正孔注入層の
間、および、陰極と発光層または電子注入層との間には
バッファー層(電極界面層)を存在させてもよい。
【0095】バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効
率向上のために電極と有機層間に設けられる層のこと
で、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年1
1月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2
章「電極材料」(第123頁〜第166頁)に詳細に記
載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層と
がある。
【0096】陽極バッファー層は、特開平9−4547
9号、同9−260062号、同8−288069号等
にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタ
ロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、
酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモ
ルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラ
ルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた
高分子バッファー層等が挙げられる。
【0097】陰極バッファー層は、特開平6−3258
71号、同9−17574号、同10−74586号等
にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチ
ウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、
フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッフ
ァー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類
金属化合物バッファー層、酸化アルミニウム、酸化リチ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
【0098】上記バッファー層はごく薄い膜であること
が望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1〜10
0nmの範囲が好ましい。
【0099】さらに上記基本構成層の他に必要に応じて
その他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開
平11−204258号、同11−204359号、お
よび「有機EL素子とその工業化最前線(1998年1
1月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第237頁
等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層など
のような機能層を有していても良い。
【0100】バッファー層は、陰極バッファー層または
陽極バッファー層の少なくとも何れか1つの層内に本発
明の化合物の少なくとも1種が存在して、発光層として
機能してもよい。
【0101】次に有機EL素子の電極について説明す
る。有機EL素子の電極は、陰極と陽極からなる。
【0102】この有機EL素子における陽極としては、
仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導
性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好
ましく用いられる。このような電極物質の具体例として
はAuなどの金属、CuI、インジウムチンオキシド
(ITO)、SnO2、ZnOなどの導電性透明材料が
挙げられる。
【0103】上記陽極は、蒸着やスパッタリングなどの
方法により、これらの電極物質の薄膜を形成させ、フォ
トリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成して
もよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場
合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やス
パッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターン
を形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合に
は、透過率を10%より大きくすることが望ましく、ま
た、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好まし
い。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μ
m、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれ
る。
【0104】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネ
シウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合
物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/
酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リ
チウム/アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げら
れる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する
耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の
値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例え
ばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウ
ム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニ
ウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム
/アルミニウム混合物などが好適である。上記陰極は、
これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させることにより、作製することがで
きる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下
が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは
50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過
させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一
方が、透明又は半透明であれば発光効率が向上するので
好都合である。
【0105】次に有機EL素子の作製方法について説明
する。薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート
法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得ら
れやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点か
ら、真空蒸着法が好ましい。薄膜化に、真空蒸着法を採
用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類、
分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより
異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空
度10-6〜10-3Pa、蒸着速度0.01〜50nm/
秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの
範囲で適宜選ぶことが望ましい。
【0106】前記の様に、適当な基板上に、所望の電極
用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以
下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるよ
うに、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ
て陽極を作製した後、該陽極上に前記の通り正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層/電子注入層から
なる各層薄膜を形成させた後、その上に陰極用物質から
なる薄膜を1μm以下、好ましくは50〜200nmの
範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング
などの方法により形成させ、陰極を設けることにより、
所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作
製は、一回の真空引きで一貫してこの様に正孔注入層か
ら陰極まで作製するのが好ましいが、作製順序を逆にし
て、陰極、電子注入層、発光層、正孔注入層、陽極の順
に作製することも可能である。このようにして得られた
有機EL素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を
+、陰極を−の極性として電圧5〜40V程度を印加す
ると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加
しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交
流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態
になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形
は任意でよい。
【0107】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。
【0108】実施例1 エレクトロルミネッセンス素子No.1〜28を以下の
ように作製した。
【0109】〈有機EL素子の作製〉陽極として100
mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO
(インジウムチンオキシド)を150nm成膜した基板
(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを
行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板を
イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガス
で乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。
【0110】この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置
の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱
ボートに、α−NPDを200mg入れ、別のモリブデ
ン製抵抗加熱ボートにCBPを200mg入れ、別のモ
リブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロイン(BC
P)を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボー
トにIr−1(リン光性化合物)を100mg入れ、さ
らに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を20
0mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽
を4×10-4Paまで減圧した後、α−NPDの入った
前記加熱ボートに通電して、220℃まで加熱し、蒸着
速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し、膜厚
45nmの正孔輸送層を設けた。さらに、CBPとIr
−1の入った前記加熱ボートに通電して220℃まで加
熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.01
nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚20
nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温
であった。さらに、BCPの入った前記加熱ボートに通
電して250℃まで加熱し、蒸着速度0.1nm/se
cで前記発光層の上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止
の役割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さら
に、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して250
℃まで加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記電子
輸送層の上に蒸着して更に膜厚40nmの電子輸送層を
設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
【0111】次に、真空槽をあけ、電子輸送層の上にス
テンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、モ
リブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウム3gを入れ、
タングステン製の蒸着用バスケットに銀を0.5g入
れ、再び真空槽を2×10-4Paまで減圧した後、マグ
ネシウム入りのボートに通電して蒸着速度1.5〜2.
0nm/secでマグネシウムを蒸着し、この際、同時
に銀のバスケットを加熱し、蒸着速度0.1nm/se
cで銀を蒸着し、前記マグネシウムと銀との混合物から
なる対向電極とすることにより、有機EL素子No.1
(比較用)を作製した。
【0112】上記において、発光層のCBPを表1に示
す化合物に置き換えた以外は全く同じ方法で、有機EL
素子No.2〜28を作製した。
【0113】上記で使用した化合物の構造を以下に示
す。
【0114】
【化25】
【0115】〈有機EL素子No.1〜28の発光輝度
および発光寿命の評価〉有機EL素子No.1では、初
期駆動電圧3Vで電流が流れ始め、発光層のドーパント
であるリン光性化合物からの緑色の発光を示した。有機
EL素子No.1の温度23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下
で9V直流電圧を印加した時の発光輝度および発光寿命
として輝度の半減する時間を測定した。次いで各有機E
L素子の温度23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で9V直流
電圧を印加した時の発光輝度および輝度の半減する時間
(発光寿命)を測定し発光輝度は有機EL素子No.1
を100とした時の相対値で表し、輝度の半減する時間
(発光寿命)も有機EL素子No.1を100とした時
の相対値で表した。発光輝度[cd/m2]について
は、ミノルタ製CS−1000を用いて測定した。
【0116】
【表1】
【0117】表1から明らかなように、本発明の化合物
をホストに用いたエレクトロルミネッセンス素子は、発
光輝度が高く、発光寿命が長いことから、有機EL素子
として非常に有用であることがわかった。
【0118】また、表1の結果から、請求項7〜10に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、発
光輝度および寿命が向上しているのがわかる。
【0119】特に、請求項8〜10に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子においては、一般式(5)にお
いてR51〜R56がすべて一価の置換基であり、分子量が
420以上であるものが、発光輝度および寿命が向上し
ているのがわかる。
【0120】リン光性化合物をIr−12またはIr−
9に変更した以外は有機EL素子No.1〜28と同様
にして作成した有機EL素子においても同様の効果が得
られた。なお、Ir−12を用いた素子からは青色の発
光が、Ir−9を用いた素子からは赤色の発光が得られ
た。
【0121】実施例2 実施例1で作製したそれぞれ赤色、緑色、青色発光有機
エレクトロルミネッセンス素子を同一基板上に並置し、
図1に示すアクティブマトリクス方式フルカラー表示装
置を作製した。
【0122】図1には作製したフルカラー表示装置の表
示部Aの模式図を示した。即ち同一基板上に、複数の走
査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数の
画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領
域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数のデ
ータ線6は、それぞれ導電材料からなり、走査線5とデ
ータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に
接続している(詳細は図示せず)。前記複数画素3は、
それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ
素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジス
タそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆
動されており、走査線5から走査信号が印加されると、
データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った
画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、青の
画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示が
可能となる。
【0123】該フルカラー表示装置を駆動することによ
り、輝度の高い鮮明なフルカラー動画表示が得られた。
【0124】
【発明の効果】発光輝度の向上した、耐久性の高い有機
エレクトロルミネッセンス素子、および有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を用いた表示装置が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】作製したフルカラー表示装置の表示部の模式
図。
【符号の説明】
A 表示部 3 画素 5 走査線 6 データ線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松浦 光宜 東京都日野市さくら町1番地コニカ株式会 社内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB11 BA06 DB03

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ホスト化合物およびリン光性化合物を含
    有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
    子において、ホスト化合物がホウ素原子を含有する化合
    物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
    ス素子。
  2. 【請求項2】 ホスト化合物がホウ素原子および窒素原
    子を含有する化合物であることを特徴とする請求項1に
    記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 【請求項3】 ホスト化合物が下記一般式(1)で表さ
    れる化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有
    機エレクトロルミネッセンス素子。 【化1】 (式中、Bはホウ素原子を表し、R11、R12およびR13
    は一価の置換基を表す。但し、R11、R12およびR13
    少なくとも1つは芳香族基を表す。)
  4. 【請求項4】 一般式(1)において、R11、R12およ
    びR13が芳香族基であることを特徴とする請求項3に記
    載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 【請求項5】 ホスト化合物が下記一般式(2)で表さ
    れる化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有
    機エレクトロルミネッセンス素子。 【化2】 (式中、Bはホウ素原子を表し、Ar21およびAr22
    芳香族基を表し、Aは2〜15価の基を表し、nは2〜
    15の整数を表す。)
  6. 【請求項6】 ホスト化合物が下記一般式(3)で表さ
    れる化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有
    機エレクトロルミネッセンス素子。 【化3】 (式中、Bはホウ素原子を表し、Ar31は単環の芳香族
    基を表し、R31、R32、R33およびR34は一価の置換基
    を表す。nは1〜5の整数を表す。)
  7. 【請求項7】 ホスト化合物が下記一般式(4)で表さ
    れる化合物であることを特徴とする請求項6に記載の有
    機エレクトロルミネッセンス素子。 【化4】 (式中、Bはホウ素原子を表し、Ar41、Ar42、Ar
    43およびAr44は芳香族基を表し、R45は水素原子また
    は一価の置換基を表す。n2は2〜5の整数を表し、m
    2は0〜4の整数を表す。)
  8. 【請求項8】 ホスト化合物が下記一般式(5)で表さ
    れる化合物であることを特徴とする請求項4に記載の有
    機エレクトロルミネッセンス素子。 【化5】 (式中、Bはホウ素原子を表し、Cは炭素原子を表し、
    51、A52、A53、A54、A55およびA56は炭素原子ま
    たは窒素原子を表し、Z51、Z52およびZ53は芳香族環
    を形成するのに必要な原子群を表し、R51、R52
    53、R54、R55およびR56はそれぞれ独立に水素原子
    または一価の置換基を表し、R51〜R56のうち、少なく
    とも4つは置換基を表す。R57、R58およびR59はそれ
    ぞれ独立に水素原子または一価の置換基を表し、l3、
    n3およびm3はそれぞれ独立に0〜7の整数を表
    す。)
  9. 【請求項9】 一般式(5)において、R51〜R56が全
    て一価の置換基であることを特徴とする請求項8に記載
    の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 【請求項10】 一般式(5)において、R51〜R56
    それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アリールオ
    キシ基またはハロゲン原子であることを特徴とする請求
    項8または9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
    子。
  11. 【請求項11】 ホスト化合物が下記一般式(6)で表
    される化合物であることを特徴とする請求項2に記載の
    有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化6】 (式中、Ar61、Ar62、Ar63およびAr64は各々独
    立に置換又は無置換の芳香族基を表し、Q61は芳香族基
    を表し、n4は1〜5の整数を表す。)
  12. 【請求項12】 ホスト化合物の分子量が420〜20
    00であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか
    1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 【請求項13】 ホスト化合物の分子量が600〜20
    00であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか
    1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  14. 【請求項14】 ホスト化合物の分子量が800〜20
    00であることを特徴とする請求項1〜13のいずれか
    1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 【請求項15】 リン光性化合物がイリジウム、オスミ
    ウムまたは白金錯体系化合物であることを特徴とする請
    求項1〜14のいずれか1項に記載の有機エレクトロル
    ミネッセンス素子。
  16. 【請求項16】 リン光性化合物がイリジウム錯体系化
    合物であることを特徴とする請求項15に記載の有機エ
    レクトロルミネッセンス素子。
  17. 【請求項17】 請求項1〜16のいずれか1項に記載
    の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装
    置。
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