JP2003197374A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置Info
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Abstract
きる燐光ホスト化合物を含有する高輝度で長寿命な有機
エレクトロルミネッセンス素子、および該有機エレクト
ロルミネッセンス素子を用いた低消費電力、高輝度な表
示装置を提供する。 【解決手段】 ホスト化合物および燐光性化合物を含有
する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
において、ホスト化合物が分子内の部分構造としてオレ
フィンを含有する化合物であることを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
Description
ミネッセンス(以下有機ELとも略記する)素子および
表示装置に関するものである。詳しくいえば、本発明は
発光輝度に優れ、駆動電圧の低下した長寿命の有機エレ
クトロルミネッセンス素子、および該有機エレクトロル
ミネッセンス素子を有する表示装置に関するものであ
る。
て、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(ELD)
がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロル
ミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子
が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平
面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させ
るためには交流の高電圧が必要である。有機エレクトロ
ルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光
層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及
び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エ
キシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の
光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光する素子であ
り、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、さら
に、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高
く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携
帯性等の観点から注目されている。
EL素子においては、さらに低消費電力で効率よく高輝
度に発光する有機EL素子の開発が望まれている。
誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はトリススチリ
ルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光
輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。
ム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をド
ープした有機発光層を有する素子(特開昭63−264
692号公報)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム
錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素
をドープした有機発光層を有する素子(特開平3−25
5190号公報)が知られている。
いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が1:
3であるため発光性励起種の生成確率が25%であるこ
とと、光の取り出し効率が約20%であるため、外部取
り出し量子効率(ηext)の限界は5%とされてい
る。ところが、プリンストン大より、励起三重項からの
燐光発光を用いる有機EL素子の報告(M.A.Bal
do et al.,nature、395巻、151
〜154ページ(1998年))がされて以来、室温で
燐光を示す材料の研究が活発になってきている。例え
ば、M.A.Baldo et al.,natur
e、403巻、17号、750〜753ページ(200
0年)、米国特許第6,097,147号など。励起三
重項を使用すると、内部量子効率の上限が100%とな
るため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が
4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用
にも応用可能であり注目されている。
の発光色は、赤色、緑色では内部量子効率としてほぼ1
00%、寿命についても2万時間が達成されている一方
(例えば、第62回応用物理学会学術講演会予稿集12
−a−M7、パイオニア技術情報誌、第11巻、第1
号)で、青〜青緑色の燐光性化合物をドーパントとして
用いた場合、カルバゾール誘導体であるCBPをホスト
化合物として使用した例があるが、その外部取り出し量
子効率が6%であり、燐光性化合物を使用している割に
は不十分な結果である(例えば、第62回応用物理学会
学術講演会予稿集12−a−M8)。これは、ホスト化
合物としてCBPが青〜青緑色の燐光性化合物と相性が
悪いために、十分な効率が得られていないものと考えら
れる。
きのホストは、例えば、C.Adachi et a
l.,Appl.Phys.Lett.,77巻、90
4ページ(2000年)、The 10th Inte
rnational Workshop on Ino
rganic and Organic Electr
oluminescence(EL2000、浜松)等
に詳しく記載されており、燐光性化合物の発光極大波長
よりも短波な領域に発光極大波長を有することが必要で
ある。一方、最近になって注目されている青〜青緑色発
光のイリジウム錯体のホスト化合物には、従来のCBP
や電子輸送性のホストとは異なる新しい観点からの分子
設計が必要であり、それによって高輝度なホスト化合物
が達成されるものと考えられる。
ら、有機EL素子に対する低駆動電圧化の要望が高まっ
ている。このため、正孔注入層や正孔輸送層の改良によ
り駆動電圧を低下させる試みが行われているが、満足な
結果が得られていない。
輝度の向上および低駆動電圧化を実現できる燐光ホスト
化合物を含有する高輝度で長寿命な有機エレクトロルミ
ネッセンス素子、および該有機エレクトロルミネッセン
ス素子を用いた低消費電力、高輝度な表示装置を提供す
ることにある。
下の構成によって達成された。
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が分子内の部分構造としてオ
レフィンを含有する化合物であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が前記一般式(1−1)であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が前記一般式(1−2)であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が前記一般式(1−3)であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が前記一般式(2−1)であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が前記一般式(2−3)であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
23が、ヘテロ原子を2個以上有する複素環であることを
特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が前記一般式(3)で表され
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
36の少なくとも一つは脂環式炭化水素の残基、ハロゲン
原子、アルキルチオ基、アリールチオ基又はアリールオ
キシ基であることを特徴とする前記8に記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。
R36の少なくとも一つはフッ素原子であることを特徴と
する前記8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス
素子において、ホスト化合物が前記一般式(4)である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス
素子において、ホスト化合物が前記一般式(5)である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
なくとも1つが、フッ素原子であることを特徴とする前
記12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス
素子において、ホスト化合物が前記一般式(6)である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス
素子において、ホスト化合物が前記一般式(7)である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
R73、R74の全ての置換基は、芳香族基、または、複素
環基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス
素子において、ホスト化合物が前記一般式(8−1)で
あることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス
素子において、ホスト化合物が前記一般式(8−2)で
あることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
の、Z1、Z2、Z3はへテロ原子を少なくとも一つ含む
ことを特徴とする前記17又は18に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
構造として有する化合物を含有するとことを特徴とする
前記1〜19のいずれか1項に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
オスミウム化合物または白金化合物であることを特徴と
する前記1〜20のいずれか1項に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。
の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特
徴とする表示装置。
いて、燐光性化合物は光励起により2個の電子スピンが
平行の状態である励起三重項からの発光が観測される化
合物である。ここで、本発明に記載の燐光性化合物で
は、前記蛍光性化合物の励起一重項状態、または、励起
三重項状態からのエネルギー移動で、室温(15から3
0度)で励起三重項状態が形成されると考えられてい
る。通常、燐光発光は77Kの低温でしか観測不能と考
えられていたが、近年室温で燐光発光を観測できる化合
物が見出されてからは、多くの化合物がイリジウム錯体
系など重金属錯体を中心に合成検討されている(例え
ば、S.Lamansky et al.,J.Am.
Chem.Soc.,123巻、4304ページ、20
01年)。
光のイリジウム錯体のホスト化合物には、従来のCBP
や電子輸送性のホストを用いても、十分な外部取り出し
量子効率が得られないのは、それらのホストが何らかの
原因でイリジウム錯体にエネルギー移動する効率が悪い
ためと推定される。
果、分子内の部分構造として、オレフィン又はスチリル
基を導入することにより、輝度の向上、寿命の改善が見
られることが分かり、この周辺で燐光性化合物へ十分な
エネルギー移動の効率を有するホスト化合物を見出し、
本発明を完成するに至った。
合物で構成される発光層中において、混合比(質量)の
最も多い化合物であり、それ以外の化合物はドーパント
化合物という。例えば、発光層を化合物A、化合物Bと
いう2種で構成しその混合比がA:B=10:90であ
れば化合物Aがドーパント化合物であり、化合物Bがホ
スト化合物である。更に、発光層を化合物A、化合物
B、化合物Cの3種から構成し、その混合比がA:B:
C=5:10:85であれば、化合物A、化合物Bがド
ーパント化合物であり、化合物Cがホスト化合物であ
る。本発明における燐光性化合物は、ドーパント化合物
の一種である。
の発光が観測される化合物であり、燐光量子収率が、2
5℃において0.001以上の化合物である。好ましく
は0.01以上である。更に好ましくは0.1以上であ
る。
7の分光IIの398ページ(1992年版、丸善)に記
載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は
種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられる
燐光性化合物とは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記
燐光量子収率が達成されれば良い。
属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくは、
イリジウム、オスミウム、または白金錯体系化合物であ
る。
の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.4
0巻、1704−1711に記載の方法等により合成で
きる。
性化合物の他に、燐光性化合物からの発光の極大波長よ
りも長波な領域に、蛍光極大波長を有する蛍光性化合物
を少なくとも1種含有する場合もある。この場合、ホス
ト化合物と燐光性化合物からのエネルギー移動で、有機
EL素子としての電界発光は蛍光性化合物からの発光が
得られる。蛍光性化合物として好ましいのは、溶液状態
で蛍光量子収率が高いものである。ここで、蛍光量子収
率は10%以上、特に30%以上が好ましい。具体的に
は、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、
クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベン
ツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダ
ミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチ
ルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または、希土類
錯体系蛍光体などが挙げられる。
ついて説明する。本発明のホスト化合物は分子内にオレ
フィンを含有している化合物であり、好ましくは一般式
(1−1)〜一般式(8−2)に示される化合物であ
る。
は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール
基、複素環基又はシアノ基を表す。
チル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキ
シメチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロプロ
ピル基、パーフルオロ−n−ブチル基、パーフルオロ−
t−ブチル基、t―ブチル基、ベンジル基等がある。
基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等があ
る。
ナフチル基、p―トリル基、p―クロロフェニル基等が
ある。
ル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ピリジル基、ト
リアゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリ
ル基、ベンゾオキサゾリル基、フリル基、チエニル基、
チアゾリル基等がある。
く、置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホ
ニル基、アリールスルホニル基、アルコキシカルボニル
基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アシルオ
キシ基、アミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド
基、カルバモイル基、スルファモイル基、ウレイド基、
アルコキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ
基等が挙げられる。
のうち、少なくとも一つは、アリール基、または、複素
環基である。
2つがアリール基又はすべてアリール基の時である。
基または、複素環基を表し、R5、R6はアリール基、複
素環基、または、脂環式炭化水素の残基を表し、かつ、
R5、R6のいずれか一方は脂環式炭化水素の残基を表
す。R5、R6は脂環式の環を形成してもよい。脂環式炭
化水素の残基としては、シクロアルキル基、シクロアル
ケニル基等の残基がある。脂環式炭化水素の残基とし
て、特に好ましくは、シクロアルキル基(例えば、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基等)である。これらの
基は、さらに置換されていても良い。
基、または、複素環基を表し、R7、R8はアリール基、
複素環基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、または、ハロゲン原子を表し、かつ、R7、
R8のいずれか一方はアリールオキシ基、アルキルチオ
基、アリールチオ基、または、ハロゲン原子を表す。ハ
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子等がある。好ましくは、フッ素原子であ
る。
A21、A22、A23、A24、A25及び一般式(5)中、A
51、A52、A53、A54は、それぞれ独立に単環の芳香族
環または複素環を表す。単環の芳香族環または複素環の
具体例としてはベンゼン、フラン、チオフェン、ピロー
ル、オキサゾール、イミダゾール、チアゾール、トリア
ゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジ
ン、トリアジン等が挙げられる。
基であり、R21からR24で表される置換基としては、ア
ルキル基(例えばメチル基、エチル基、イソプロピル
基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフル
オロメチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロ
−n−ブチル基、パーフルオロ−t−ブチル基、t−ブ
チル基、ベンジル基等)、シクロアルキル基(例えばシ
クロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アラルキル基
(例えばベンジル基、2−フェネチル基等)、アリール
基(例えばフェニル基、ナフチル基、p−トリル基、p
−クロロフェニル基、フルオレニル基等)、アルコキシ
基(例えばエトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基
等)、アリールオキシ基(例えばフェノキシ基等)、ヒ
ドロキシル基、アミノ基(ジメチルアミノ基、ジアリー
ルアミノ基)、アルケニル基(例えばアリル基、1−エ
テニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、1−オ
クタデセニル基等)、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子等)等が挙げられる。これ
らの基はさらに置換されていてもよく、前記置換基とし
ては、一般式(1−1)で挙げたものが挙げられる。
複素環の場合、ヘテロ原子が2個以上の場合が好まし
い。
41、A42は、芳香族環、または、複素環を表す。これら
の芳香族環、または、複素環は、単環基、縮合多環基、
または、単環もしくは縮合多環を含む芳香族単位が連結
した基である。具体的には、ベンゼン、トルエン、ナフ
タレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン、
ピレン、ペリレン、トリフェニレン、アズレン、フルオ
レノン、フラン、チオフェン、ピロール、ピリジン、オ
キサゾール、ピラジン、ピリミジン、オキサジアゾー
ル、トリアゾール、インドール、キノリン、イソキノリ
ン、カルバゾール、アクリジン、ベンゾチアゾール、フ
ェナントロリン、キナクリドン等の置換もしくは未置換
の芳香族環もしくは縮合芳香環の残基、さらには、ビフ
ェニル、ターフェニル、ビナフチル、トリフェニルベン
ゼン、ジフェニルアントラセン、ルブレン、ビピリジ
ン、ビキノリン、ビチオフェン、等の芳香環構造単位同
士が直接連結した残基である。
スチリル基が置換基として導入された場合が最も好まし
い。
基、または、複素環基を表す。芳香族環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリ
ル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフ
ェニル基、フルオレニル基、フラニル基、チエニル基、
ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベ
ンズイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イミダゾ
リル基、等が挙げられる。
(7)、(8−1)、(8−2)において、R31〜
R36、R41〜R48、R51〜R56、R61〜R63、R71〜R
76、R81〜R92は、水素原子、または、置換基を表す。
R31〜R36、R41〜R48、R51〜R56、R61〜R63、R
71〜R76、R81〜R92が置換基の場合、その具体例とし
ては、一般式(2−1)〜(2−3)の中で挙げたもの
と同義である。R35、R36が置換基を表す場合、好まし
くは、脂環系炭化水素の残基、ハロゲン原子、アルキル
チオ基、アリールチオ基、または、アリールオキシ基で
あり、さらに、好ましくは、フッ素原子である。R41、
R42は、水素原子が好ましい。R52、R53が置換基を表
す場合、好ましくはフッ素原子である。
X5、X6、X7は、−O−,−S−,−NRa−を表
す。ここで、Raは置換基である。Z1、Z2、Z3は、
5員環と共に縮合環を形成するのに必要な原子群であ
る。具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセ
ン、複素環等が挙げられる。
は、分子内の部分構造としてトリアリールアミンを含有
しても良い。また、素子の寿命に関しては,5配位のア
ルミニウム錯体を電子輸送層に導入いた場合、大きく改
善され好ましい。
のホスト化合物が、これらに限定されるものではない。
蛍光を持つ化合物であり、電場発光性にも優れており、
発光材料として有効に使用できる。
できる。例えば、登録特許第3086272号や登録特
許第3214674号等に詳しい。
層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、陽極バッファー層
および陰極バッファー層等を有し、陰極と陽極で狭持さ
れた構造をとる。
電子輸送層/陰極バッファー層/陰極などの構造があ
る。
れていてもかまわないが、発光層に含有されていること
が好ましい。
孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合し
て発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であ
っても発光層と隣接層との界面であっても良い。
能や電子輸送機能を併せ持っていても良く、正孔輸送材
料や電子輸送材料の殆どが、発光材料としても使用でき
る。
コート法、キャスト法、LB法などの公知の薄膜化法に
より製膜して形成することができる。発光層としての膜
厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲
で選ばれる。この発光層は、これらの発光材料一種又は
二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるい
は、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造で
あってもよい。
81号公報に記載されているように、樹脂などの結着材
と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、
これをスピンコート法などにより薄膜化して形成するこ
とができる。このようにして形成された発光層の膜厚に
ついては、特に制限はなく、状況に応じて適宜選択する
ことができるが、通常は5nm〜5μmの範囲である。
説明する。正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発
光層に伝達する機能を有し、この正孔輸送層を陽極と発
光層の間に介在させることにより、より低い電界で多く
の正孔が発光層に注入され、そのうえ、発光層に陰極、
陰極バッファー層又は電子輸送層より注入された電子
は、発光層と正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁に
より、発光層内の界面に累積され発光効率が向上するな
ど発光性能の優れた素子となる。この正孔輸送層の材料
(以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という)について
は、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限
はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸
送材料として慣用されているものやEL素子の正孔輸送
層に使用される公知のものの中から任意のものを選択し
て用いることができる。
輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有
機物、無機物のいずれであってもよい。この正孔輸送材
料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカ
ン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フ
ェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミ
ノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリル
アントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン
誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン
系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオ
フェンオリゴマーなどが挙げられる。正孔輸送材料とし
ては、上記のものを使用することができるが、ポルフィ
リン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルア
ミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いるこ
とが好ましい。
ルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′
−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,
N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニ
ル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン
(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノ
フェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリ
ルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,
N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェ
ニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス
(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタ
ン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキ
シフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,
N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミ
ノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリ
ル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−
〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベ
ン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニル
ビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフ
ェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾー
ル、さらには、米国特許第5,061,569号明細書
に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する
もの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4
−308688号公報に記載されているトリフェニルア
ミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,
4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N
−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDAT
A)などが挙げられる。
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
機化合物も正孔輸送材料として使用することができる。
この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸
着法,スピンコート法,キャスト法,LB法などの公知
の方法により、薄膜化することにより形成することがで
きる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、
通常は5nm〜5μm程度である。この正孔輸送層は、
上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であって
もよく、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構
造であってもよい。さらに、必要に応じて用いられる電
子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達す
る機能を有していればよく、その材料としては従来公知
の化合物の中から任意のものを選択して用いることがで
きる。
電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオ
レン誘導体,ジフェニルキノン誘導体,チオピランジオ
キシド誘導体,ナフタレンペリレンなどの複素環テトラ
カルボン酸無水物,カルボジイミド,フレオレニリデン
メタン誘導体,アントラキノジメタン及びアントロン誘
導体,オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、
フェナントロリン誘導体などが挙げられる。さらに、上
記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール
環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導
体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有
するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いる
ことができる。
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム
(Alq),トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノ
ール)アルミニウム,トリス(5,7−ジブロモ−8−
キノリノール)アルミニウム,トリス(2−メチル−8
−キノリノール)アルミニウム,トリス(5−メチル−
8−キノリノール)アルミニウム,ビス(8−キノリノ
ール)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金属錯体の中
心金属がIn,Mg,Cu,Ca,Sn,Ga又はPb
に置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いる
ことができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフ
タロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホ
ン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料とし
て好ましく用いることができる。また、発光層の材料と
して用いられるジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送
材料として用いることができるし、正孔輸送層と同様
に、n型−Si,n型−SiCなどの無機半導体も電子
輸送材料として用いることができる。
真空蒸着法,スピンコート法,キャスト法,LB法など
の公知の薄膜化法により製膜して形成することができ
る。電子輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通
常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。この電子輸送層
は、これらの電子輸送材料一種又は二種以上からなる一
層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種
組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
間、および、陰極と発光層または電子注入層との間には
バッファー層(電極界面層)を存在させてもよい。
率向上のために電極と有機層間に設けられる層のこと
で、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年1
1月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第
2章「電極材料」(第123頁〜第166頁)に詳細に
記載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層
とがある。
9号、同9−260062号、同8−288069号等
にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタ
ロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、
酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモ
ルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラ
ルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた
高分子バッファー層等が挙げられる。
71号、同9−17574号、同10−74586号等
にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチ
ウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、
フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッフ
ァー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類
金属化合物バッファー層、酸化アルミニウム、酸化リチ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
極バッファー層が存在した場合、駆動電圧低下や発光効
率向上が大きく得られた。
が望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1〜10
0nmの範囲が好ましい。
その他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開
平11−204258号、同11−204359号、お
よび「有機EL素子とその工業化最前線(1998年1
1月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の第237
頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層な
どのような機能層を有していても良い。
る。有機EL素子の電極は、陰極と陽極からなる。
仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導
性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好
ましく用いられる。このような電極物質の具体例として
はAuなどの金属、CuI、インジウムチンオキシド
(ITO)、SnO2、ZnOなどの導電性透明材料が
挙げられる。
パッタリングなどの方法により、薄膜を形成させ、フォ
トリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成して
もよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場
合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やス
パッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターン
を形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合に
は、透過率を10%より大きくすることが望ましく、ま
た、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好まし
い。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μ
m、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれ
る。
(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウムーカリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネ
シウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合
物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/
酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リ
チウム/アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げら
れる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する
耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の
値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例え
ばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウ
ム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニ
ウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム
/アルミニウム混合物などが好適である。
しては、アルミニウム合金が好ましく、特にアルミニウ
ム含有量が90質量%以上100質量%未満であること
が好ましく、最も好ましくは95質量%以上100質量
%未満である。これにより、有機EL素子の発光寿命
や、最高到達輝度を非常に向上させることができる。
パッタリングなどの方法により、薄膜を形成させること
により、作製することができる。また、陰極としてのシ
ート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10
nm〜1μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選
ばれる。なお、発光を透過させるため、有機EL素子の
陽極又は陰極のいずれか一方が、透明又は半透明であれ
ば発光効率が向上し好都合である。
る基板は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限
定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない。
本発明のエレクトロルミネッセンス素子に好ましく用い
られる基板としては例えばガラス、石英、光透過性プラ
スチックフィルムを挙げることができる。
例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエ
チレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン
(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレー
ト、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルロー
ストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプ
ロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げら
れる。
を説明する。例として、前記の陽極/陽極バッファー層
/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層
/陰極からなるEL素子の作製法について説明すると、
まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極用物
質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10〜20
0nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリン
グなどの方法により形成させ、陽極を作製する。次に、
この上に陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、電子
輸送層、陰極バッファー層の材料からなる薄膜を形成さ
せる。
前記の如くスピンコート法、キャスト法、蒸着法などが
あるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生
成しにくいなどの点から、真空蒸着法またはスピンコー
ト法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適
用しても良い。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着
条件は、使用する化合物の種類、分子堆積膜の目的とす
る結晶構造、会合構造などにより異なるが、一般にボー
ト加熱温度50〜450℃、真空度10-6〜10-2P
a、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50
〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選ぶこと
が望ましい。
からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50〜200n
mの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリ
ングなどの方法により形成させ、陰極を設けることによ
り、所望のEL素子が得られる。この有機EL素子の作
製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極ま
で作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製
膜法を施してもかまわないが、その際には作業を乾燥不
活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
ファー層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極バッ
ファー層、陽極の順に作製することも可能である。この
ようにして得られたEL素子に、直流電圧を印加する場
合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧5〜40
V程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極
性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じな
い。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が+、
陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加
する交流の波形は任意でよい。
源のような一種のランプとして使用しても良いし、画像
を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像
や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレ
イ)として使用しても良い。動画再生用の表示装置とし
て使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブ
マトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもど
ちらでも良い。また、異なる発光色を有する本発明の有
機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー
表示装置を作製することが可能である。
るが、本発明の態様はこれに限定されない。
用) 陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板
(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニング
を行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板
をi−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガ
スで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明
支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定
し、一方、5つのモリブデン製抵抗加熱ボートに、α−
NPD、CBP、Ir−10、BC、Alq3をそれぞ
れ入れ真空蒸着装置に取付けた。
した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して
加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/secで透明支
持基板に膜厚50nmの厚さになるように蒸着し、正孔
注入/輸送層を設けた。さらに、CBPの入った前記加
熱ボートとIr−10の入ったボートをそれぞれ独立に
通電してCBPとIr−10の蒸着速度が100:7に
なるように調節し膜厚30nmの厚さになるように蒸着
し、発光層を設けた。
電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/secで
厚さ10nmの正孔阻止の役割もかねた電子輸送層を設
けた。更に、Alq3の入った前記加熱ボートを通電し
て加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/secで膜厚
50nmの電子輸送層を設けた。
テンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、モ
リブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウム3gを入れ、
タングステン製の蒸着用バスケットに銀を0.5g入
れ、再び真空槽を2×10-4Paまで減圧した後、マグ
ネシウム入りのボートに通電して蒸着速度1.5〜2.
0nm/secでマグネシウムを蒸着し、この際、同時
に銀のバスケットを加熱し、蒸着速度0.1nm/se
cで銀を蒸着し、前記マグネシウムと銀との混合物から
成る陰極(200nm)とすることにより、比較用有機
EL素子OLED1−1を作製した。
化合物であるCBPを表1に記載の化合物に替えた以外
は有機エレクトロルミネッセンス素子OLED1−1と
同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子OLE
D1−2〜24を作製した。
度、乾燥窒素ガス雰囲気下で、光り始めの電圧の測定を
行い発光開始電圧とした。次に、9V直流電圧を印加し
た時の発光輝度(L)[cd/m2]を測定した。発光
輝度は有機エレクトロルミネッセンス素子OLED1−
1を100とした時の相対値で表した。なお、発光開始
電圧は、輝度が50[cd/m2]となった場合とし
た。発光輝度はミノルタ製CS−1000を用いて測定
した。結果を表1に示す。
L素子は、発光輝度、発光開始時の電圧が改善されてい
るのが分かる。上記で使用した化合物の構造を以下に示
す。なお、発光色は青色だった。
に代えた以外は、OLED1−1からOLED1−24
と同様にして作製した有機EL素子においても同様の効
果が得られた。なお、Ir−1を用いた素子からは緑色
の発光が、Ir−9を用いた素子からは赤色の発光が得
られた。
OLED1−6の陰極をAlに置き換え、電子輸送層と
陰極の間に酸化リチウムを膜厚1.5nm蒸着して陰極
バッファー層を設け、正孔阻止の役割も兼ねた電子輸送
層であるBCをBAlqに代えた以外は同様にして有機
エレクトロルミネッセンス素子(OLED2−1)を作
製した。
3度、乾燥窒素ガス雰囲気下で、9V直流電圧を印可し
た時の発光輝度(L)[cd/m2]を測定した。ま
た、輝度の半減する時間(τ)を測定した。有機エレク
トロルミネッセンス素子OLED1−6との相対比較
で、発光輝度109、輝度の半減する時間188とな
り、特に、輝度の半減する時間に大きな改善効果が見ら
れた。また、有機エレクトロルミネッセンス素子OLE
D1−7〜24についても、同様に、陰極バッファー層
とBAlqを導入すると輝度の半減寿命に大きな効果が
見られた。
エレクトロルミネッセンス素子を同一基板上に並置し、
特願2001−181543に示すアクティブマトリク
ス方式フルカラー表示装置を作製した。
り、輝度の高い鮮明なフルカラー動画表示が得られた。
駆動電圧化を実現できる燐光ホスト化合物を含有する高
輝度で長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子、お
よび該有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた低消
費電力、高輝度な表示装置を得た。
Claims (22)
- 【請求項1】 ホスト化合物および燐光性化合物を含有
する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
において、ホスト化合物が分子内の部分構造としてオレ
フィンを含有する化合物であることを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項2】 ホスト化合物および燐光性化合物を含有
する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
において、ホスト化合物が下記一般式(1−1)である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化1】 〔式中、R1、R2、R3、R4は、水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、アリール基、複素環基又はシアノ基
を表し、R1、R2、R3、R4の少なくとも一つの置換基
は、アリール基、または、複素環基を表す。〕 - 【請求項3】 ホスト化合物および燐光性化合物を含有
する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
において、ホスト化合物が下記一般式(1−2)である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化2】 〔式中、X1、X2はアリール基または、複素環基を表
し、R5、R6はアリール基、複素環基、または、脂環式
炭化水素の残基を表し、かつ、R5、R6のいずれか一方
は脂環式炭化水素の残基を表す。R5、R6は脂環式の環
を形成してもよい。〕 - 【請求項4】 ホスト化合物および燐光性化合物を含有
する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
において、ホスト化合物が下記一般式(1−3)である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化3】 〔式中、X3、X4はアリール基、または、複素環基を表
し、R7、R8はアリール基、複素環基、アリールオキシ
基、アルキルチオ基、アリールチオ基、または、ハロゲ
ン原子を表し、かつ、R7、R8のいずれか一方はアリー
ルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、また
は、ハロゲン原子を表す。〕 - 【請求項5】 ホスト化合物および燐光性化合物を含有
する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
において、ホスト化合物が下記一般式(2−1)である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化4】 〔式中、R9、R10、R11、R12は、水素原子、また
は、置換基を表し、R9、R 10、R11、R12の少なくと
も一つの置換基は、下記一般式(2−2)で表され
る。〕 一般式(2−2)*−A20−A21−R20 〔式中、A20、A21は単環の芳香族環、または、複素環
を表し、R20は水素原子、または、置換基を表し、*は
結合部位を表す。〕 - 【請求項6】 ホスト化合物および燐光性化合物を含有
する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
において、ホスト化合物が下記一般式(2−3)である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化5】 〔式中、A22、A23、A24、A25は単環の芳香族環、ま
たは、複素環を表し、R 21、R22、R23、R24は水素原
子、または、置換基を表す。〕 - 【請求項7】 上記一般式(2−3)のA22、A23が、
ヘテロ原子を2個以上有する複素環であることを特徴と
する請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項8】 ホスト化合物および燐光性化合物を含有
する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
において、ホスト化合物が下記一般式(3)で表される
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化6】 〔式中、A31は芳香族環、または、複素環を表し、
R31、R32、R33、R34、R 35、R36は水素原子、また
は、置換基を表す。〕 - 【請求項9】 前記一般式(3)において、R35、R36
の少なくとも一つは脂環式炭化水素の残基、ハロゲン原
子、アルキルチオ基、アリールチオ基又はアリールオキ
シ基であることを特徴とする請求項8に記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 - 【請求項10】 前記一般式(3)において、R35、R
36の少なくとも一つはフッ素原子であることを特徴とす
る請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項11】 ホスト化合物および燐光性化合物を含
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が下記一般式(4)であるこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化7】 〔式中、A41、A42は芳香族環、または、複素環を表
し、R41、R42、R43、R 44、R45、R46、R47、R48
は水素原子または置換基を表す。〕 - 【請求項12】 ホスト化合物および燐光性化合物を含
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が下記一般式(5)であるこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化8】 〔式中、A51、A52、A53、A54は単環の芳香族環、ま
たは、複素環を表し、R 51、R52、R53、R54、R55、
R56は水素原子、または、置換基を表す。〕 - 【請求項13】 上記一般式(5)のR52、R53の少な
くとも1つが、フッ素原子であることを特徴とする請求
項12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項14】 ホスト化合物および燐光性化合物を含
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が下記一般式(6)であるこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化9】 〔式中、A61は芳香族基、または、複素環基を表し、R
61、R62、R63は水素原子または置換基を表す。nは3
〜6の整数を表す。〕 - 【請求項15】 ホスト化合物および燐光性化合物を含
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が下記一般式(7)であるこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化10】 〔式中、R71、R72、R73、R74、R75、R76は水素原
子または置換基を表す。〕 - 【請求項16】 前記一般式(7)のR71、R72、
R73、R74の全ての置換基は、芳香族基、または、複素
環基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項17】 ホスト化合物および燐光性化合物を含
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が下記一般式(8−1)であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。 【化11】 〔式中、Z1、Z2は5員環と縮合環を形成する原子群で
あり、X5、X6は、−S−、−O−、−NR85−を表
す。R81、R82、R83、R84、R85は水素原子または置
換基を表す。〕 - 【請求項18】 ホスト化合物および燐光性化合物を含
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、ホスト化合物が下記一般式(8−2)であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。 【化12】 〔式中、Z3は5員環と縮合環を形成する原子群であ
り、X7は、−S−、−O−、−NR92−を表す。
R86、R87、R88、R89、R90、R91、R92は水素原子
または置換基を表す。〕 - 【請求項19】 前記一般式(8−1)、(8−2)
の、Z1、Z2、Z3はへテロ原子を少なくとも一つ含む
ことを特徴とする請求項17又は18に記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 - 【請求項20】 分子内にトリアリールアミンを部分構
造として有する化合物を含有するとことを特徴とする請
求項1〜19のいずれか1項に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。 - 【請求項21】 燐光性化合物がイリジウム化合物、オ
スミウム化合物または白金化合物であることを特徴とす
る請求項1〜20のいずれか1項に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。 - 【請求項22】 請求項1〜21のいずれか1項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特
徴とする表示装置。
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