JP2003243178A

JP2003243178A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置

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Publication number: JP2003243178A
Application number: JP2002043131A
Authority: JP
Inventors: Mitsuyoshi Matsuura; 光宜松浦; Taketoshi Yamada; 岳俊山田; Hiroshi Kita; 弘志北
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2002-02-20
Filing date: 2002-02-20
Publication date: 2003-08-29
Anticipated expiration: 2022-02-20
Also published as: JP4048792B2

Abstract

(57)【要約】【課題】発光輝度及び耐久性の高い有機エレクトロル
ミネッセンス素子、及び該有機エレクトロルミネッセン
ス素子を用いた発光輝度及び耐久性の高い表示装置を提
供すること。【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物の少
なくとも１種を含有することを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子。【化１】（式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ｘ₁及びＹ₁は水素原
子または一価の置換基を表し、Ｚ₁はＣＲ₁₅Ｒ₁₆、Ｏ、
Ｓ、ＳｉＲ₁₇Ｒ₁₈を表す。Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇及びＲ₁₈は
水素原子または一価の置換基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス（以下有機ＥＬとも略記する）素子及びそ
れを有する表示装置に関し、詳しくは、発光輝度に優れ
た有機ＥＬ素子及びそれを有する表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】発光型の電子ディスプレイデバイスとし
て、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）
がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロル
ミネッセンス素子や有機ＥＬ素子が挙げられる。無機エ
レクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用さ
れてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電
圧が必要である。有機ＥＬ素子は、発光する化合物を含
有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成で、発光層に
電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起
子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活す
る際の光の放出（蛍光、りん光）を利用して発光する素
子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であ
り、さらに、自己発光型であるために視野角に富み、視
認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために、省ス
ペース、携帯性等の観点から注目されている。

【０００３】しかしながら、今後の実用化に向けた有機
ＥＬ素子には、さらなる低消費電力で効率よく高輝度に
発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。

【０００４】これまで、様々な有機ＥＬ素子が報告され
ている。たとえば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
Ｖｏｌ．５１、９１３頁あるいは特開昭５９−１９４３
９３号に記載の正孔注入層と有機発光体層とを組み合わ
せたもの、特開昭６３−２９５６９５号に記載の正孔注
入層と電子注入輸送層とを組み合わせたもの、Ｊｐｎ．
ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｉｓｙｃ
ｓ，ｖｏｌ．１２７，Ｎｏ．２，２６９〜２７１頁に記
載の正孔移動層と発光層と電子移動層とを組み合わせた
ものがそれぞれ開示されている。しかしながら、より高
輝度な素子が求められており、エネルギー変換効率、発
光量子効率の更なる向上が期待されている。

【０００５】また、発光寿命が短いという問題点も指摘
されている。こうした経時での輝度劣化の要因は完全に
は解明されていないが、発光中の有機ＥＬ素子は自ら発
する光、及びその時に発生する熱等によって薄膜を構成
する有機化合物自体の分解、薄膜中での有機化合物の結
晶化等、有機ＥＬ素子の材料である有機化合物に由来す
る要因も指摘されている。

【０００６】また、電子輸送材料は、現在のところ知見
が少なく、反結合軌道を利用することも相俟って、実用
に耐える有用な高性能な電子輸送材料は見い出されてい
ない。例えば、九州大学の研究グループは、オキサジア
ゾール系誘導体である２−（４−ビフェニル）−５−
（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジア
ゾール（ｔ−ＢｕＰＢＤ）をはじめ、薄膜安定性を向上
させたオキサジアゾール２量体系誘導体の１，３−ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾ
ジル）−ビフェニレン（ＯＸＤ−１）、１，３−ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾ
ジル）−フェニレン（ＯＸＤ−７）（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ．３１（１９９２），ｐ．１８
１２）を提案している。また、山形大学の研究グループ
は、電子ブロック性に優れたトリアゾール系電子輸送材
料を用いる白色発光の素子を作製している（Ｓｃｉｅｎ
ｃｅ，３Ｍａｒｃｈ１９９５，Ｖｏｌ．２６７，
ｐ．１３３２）。さらに、特開平５−３３１４５９号公
報には、フェナントロリン誘導体が電子輸送材料として
有用であることが記載されている。

【０００７】しかし、従来の電子輸送材料では、薄膜形
成能が低く、容易に結晶化が起こるため、発光素子が破
壊されてしまう問題があり、実用に耐える素子性能を発
現できなかった。

【０００８】これらの問題を解決する有機ＥＬ材料とし
て、特開平９−８７６１６、特開平９−１９４４８７、
特開２０００−１８６０９４には、分子内にけい素原子
を含む化合物を発光材料または電子輸送材料として用い
る例が記載されているが、発光効率及び発光寿命の両立
については十分ではなかった。

【０００９】また、発光層をホスト化合物及び微量の蛍
光体で構成することにより、発光効率の向上を達成する
という手法が報告されている。例えば、特許第３０９３
７９６号では、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレ
ン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微
量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命
化を達成している。

【００１０】また、８−ヒドロキシキノリンアルミニウ
ム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をド
ープした有機発光層を有する素子（特開昭６３−２６４
６９２号公報）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素
をドープした有機発光層を有する素子（特開平３−２５
５１９０号公報）が知られている。以上のように、蛍光
量子収率の高い蛍光体をドープすることによって、従来
の素子に比べて発光輝度を向上させている。

【００１１】しかし、上記のドープされる微量の蛍光体
からの発光は、励起一重項からの発光であり、励起一重
項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起
子の生成比が１：３であるため、発光性励起種の生成確
率が２５％であることと、光の取り出し効率が約２０％
であるため、外部取り出し量子効率（ηｅｘｔ）の限界
は５％とされている。ところが、プリンストン大から励
起三重項からのりん光発光を用いる有機ＥＬ素子が報告
され（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏｅｔａｌ．，Ｎａｔｕｒ
ｅ、３９５巻、１５１−１５４ページ（１９９８
年））、以来、室温でりん光を示す材料の研究が活発に
なってきている（例えば、Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏｅｔａ
ｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０−７５
３ページ（２０００年）、米国特許６，０９７，１４７
号等）。励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限
が１００％となるため、励起一重項の場合に比べて原理
的に発光効率が最大４倍となり、冷陰極管とほぼ同等の
性能が得られ照明用にも応用可能であり注目されてい
る。

【００１２】りん光性化合物をドーパントとして用いる
ときのホストは、りん光性化合物の発光極大波長よりも
短波な領域に発光極大波長を有することが必要であるこ
とはもちろんであるが、その他にも満たすべき条件があ
ることが分かってきた。

【００１３】Ｔｈｅ１０ｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏ
ｎａｌＷｏｒｋｓｈｏｐｏｎＩｎｏｒｇａｎｉｃ
ａｎｄＯｒｇａｎｉｃＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅ
ｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ ’００、浜松）では、りん光性化
合物についていくつかの報告がなされている。例えば、
Ｉｋａｉ等はホール輸送性の化合物をりん光性化合物の
ホストとして用いている。また、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏ
ｎ等は、各種電子輸送材料をりん光性化合物のホストと
して、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用い
ている。さらに、Ｔｓｕｔｓｕｉ等はホールブロック層
の導入により高い発光効率を得ている。

【００１４】りん光性化合物のホスト化合物について
は、例えば、Ｃ．Ａｄａｃｈｉｅｔａｌ．，Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７７巻、９０４ページ（２
０００年）等に詳しく記載されているが、高輝度の有機
ＥＬ素子を得るためにホスト化合物に必要とされる性質
について、より新しい観点からのアプローチが必要であ
る。

【００１５】しかし、いずれの報告も、有機ＥＬ素子の
発光輝度と耐久性を両立しうる構成は得られていない。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
輝度及び耐久性の高い有機ＥＬ素子、及び該有機ＥＬ素
子を用いた発光輝度及び耐久性の高い表示装置を提供す
ることである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、下
記手段により達成される。

【００１８】１．前記一般式（１）で表される化合物の
少なくとも１種を含有することを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス素子。

【００１９】２．前記一般式（１）で表される化合物の
少なくとも１種を発光層に含有することを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。

【００２０】３．前記一般式（１）で表される化合物の
少なくとも１種を電子輸送層に含有することを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００２１】４．ホスト化合物及びりん光性化合物を含
有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該ホスト化合物がけい素原子を含有する化
合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。

【００２２】５．けい素原子を含有する化合物が前記一
般式（２）で表される繰り返し構造単位を有するポリシ
ランであることを特徴とする上記４に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。

【００２３】６．けい素原子を含有する化合物が前記一
般式（３）で表される繰り返し構造単位を有するポリシ
ランであることを特徴とする上記４に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。

【００２４】７．けい素原子を含有する化合物が前記一
般式（４）で表される化合物であることを特徴とする上
記４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００２５】８．前記一般式（４）において、Ｒ₄₁、Ｒ
₄₂、Ｒ₄₃及びＲ₄₄の全てが芳香族基であることを特徴と
する上記７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。

【００２６】９．前記一般式（４）において、Ｒ₄₁、Ｒ
₄₂、Ｒ₄₃及びＲ₄₄の少なくとも１つが縮合芳香族基であ
ることを特徴とする上記７に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。

【００２７】１０．ホスト化合物が前記一般式（５）で
表される化合物であることを特徴とする上記４に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００２８】１１．ホスト化合物が前記一般式（６）で
表される化合物であることを特徴とする上記４に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００２９】１２．ホスト化合物が前記一般式（７）で
表される化合物であることを特徴とする上記４に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００３０】１３．前記一般式（７）において、Ｚ₇が
ＣＲ₇₅Ｒ₇₆、Ｏ、ＳｉＲ₇₈Ｒ₇₉であることを特徴とする
上記１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００３１】１４．りん光性化合物がイリジウム化合
物、オスミウム化合物または白金化合物であることを特
徴とする上記４〜１３のいずれか１項に記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。

【００３２】１５．りん光性化合物がイリジウム化合物
であることを特徴とする上記１４に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。

【００３３】１６．上記１〜１５のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特
徴とする表示装置。

【００３４】以下に本発明を詳細に説明する。本発明
は、特定構造のけい素化合物を用いて有機ＥＬ素子の発
光輝度の向上及び耐久性の向上を目的になされたもので
あり、また、本発明は、けい素化合物をりん光発光用の
ホスト化合物として用いることにより、発光輝度の向上
及び耐久性の向上を達成した有機ＥＬ素子、及び該有機
ＥＬ素子を用いた発光輝度の高い、長寿命な表示装置を
提供するものである。

【００３５】まず、一般式（１）で表される化合物につ
いて説明する。一般式（１）において、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ
₁₃、Ｒ₁₄、Ｘ₁及びＹ₁は水素原子または一価の置換基を
表し、Ｚ₁はＣＲ₁₅Ｒ₁₆、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲ₁₇Ｒ₁₈を表
す。Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇及びＲ₁₈は水素原子または一価の
置換基を表す。

【００３６】Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ｘ₁、Ｙ₁、
Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈の一価の置換基としては、アル
キル基（メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ヒドロ
キシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル
基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、ベンジル基等）、アリール基（フェニル基、ナフチ
ル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル基等）、アル
キルオキシ基（メトキシ基、エトキシ基、ｉ−プロポキ
シ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（フェノキシ
基等）、アルキルチオ基（メチルチオ基、エチルチオ
基、ｉ−プロピルチオ基等）、アリールチオ基（フェニ
ルチオ基等）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子等）、シアノ基、ニトロ基、複素
環基（ピロール基、ピロリジル基、ピラゾリル基、イミ
ダゾリル基、ピリジル基、ベンズイミダゾリル基、ベン
ゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基等）、芳香族基
等が挙げられる。芳香族基としては上記アリール基及び
ヘテロアリール基（ピロール基、ピラゾリル基、イミダ
ゾリル基、ピリジル基等）が挙げられる。隣接する置換
基同士は環を形成してもよい。好ましくは、Ｚ₁がＯま
たはＳｉＲ₁₇Ｒ₁₈のときであり、一価の置換基の好まし
い例としては、アルキル基または芳香族基である。

【００３７】本発明の化合物は、固体状態において強い
蛍光を持つ化合物であり、電場発光性にも優れており、
発光材料として有効に使用できる。また、金属電極から
の優れた電子注入性及び電子輸送性に非常に優れている
ため、他の発光材料を用いた有機ＥＬ素子に電子輸送材
料として使用した場合、優れた発光効率を示す。

【００３８】以下に具体的な化合物の例を挙げるが、本
発明は、これらに限定されるものではない。

【００３９】

【化８】

【００４０】

【化９】

【００４１】

【化１０】

【００４２】また、本発明者等はりん光性化合物のホス
ト化合物について鋭意検討を重ねた結果、分子内にけい
素原子を有する化合物をホスト化合物として用いて、有
機ＥＬ素子を作製した場合に、有機ＥＬ素子の発光輝度
及び寿命が改善されることを見出した。

【００４３】本発明でホスト化合物とは、２種以上の化
合物で構成される発光層において、混合比（質量）の最
も多い化合物であり、それ以外の化合物はドーパント化
合物という。例えば、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂとい
う２種で構成し、その混合比が化合物Ａ：化合物Ｂ＝１
０：９０であれば化合物Ａがドーパント化合物であり、
化合物Ｂがホスト化合物である。更に、発光層を化合物
Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃの３種から構成し、その混合比
が化合物Ａ：化合物Ｂ：化合物Ｃ＝５：１０：８５であ
れば、化合物Ａ、化合物Ｂがドーパント化合物であり、
化合物Ｃがホスト化合物である。本発明におけるりん光
性化合物は、ドーパント化合物の一種である。

【００４４】本発明でりん光性化合物とは、励起三重項
からの発光が観測される化合物であり、りん光量子収率
が２５℃において０．００１以上の化合物である。りん
光量子収率は好ましくは０．０１以上、更に好ましくは
０．１以上である。

【００４５】上記りん光量子収率は、第４版実験化学講
座７の分光IIの３９８ページ（１９９２年版、丸善）に
記載の方法により測定できる。溶液中でのりん光量子収
率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いら
れるりん光性化合物は、任意の溶媒のいずれかにおいて
上記りん光量子収率が達成されればよい。

【００４６】本発明で用いられるりん光性化合物として
は、好ましくは周期律表でVIII属の金属を含有する錯体
系化合物であり、さらに好ましくは、イリジウム、オス
ミウムまたは白金錯体系化合物である。より好ましくは
イリジウム錯体系化合物である。

【００４７】以下に、本発明で用いられるりん光性化合
物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃ
ｈｅｍ．４０巻、１７０４−１７１１頁に記載の方法等
により合成できる。

【００４８】

【化１１】

【００４９】

【化１２】

【００５０】

【化１３】

【００５１】また、別の形態では、ホスト化合物とりん
光性化合物の他に、りん光性化合物からの発光の極大波
長よりも長い波長領域に、蛍光極大波長を有する蛍光性
化合物を少なくとも１種含有する場合もある。この場
合、ホスト化合物とりん光性化合物からのエネルギー移
動で、有機ＥＬ素子としての電界発光は蛍光性化合物か
らの発光が得られる。蛍光性化合物として好ましいの
は、溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。蛍光量
子収率は１０％以上、特に３０％以上が好ましい。具体
的な蛍光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系
色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリ
ウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオ
レセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色
素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェ
ン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

【００５２】ここでの蛍光量子収率も、前記第４版実験
化学講座７の分光IIの３６２ページ（１９９２年版、丸
善）に記載の方法により測定することができる。

【００５３】以下，本発明に用いられるホスト化合物に
ついて説明する。本発明のホスト化合物は分子内にけい
素原子を含有する化合物であり、好ましくは一般式
（２）〜（７）で表される化合物である。

【００５４】一般式（２）において、Ｒ₂₁及びＲ₂₂はア
ルキル基、芳香族基、アルコキシ基またはアリールオキ
シ基である。Ｒ₂₁及びＲ₂₂で表されるアルキル基の例と
しては、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ヒドロ
キシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル
基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、ベンジル基等が挙げられ、芳香族基の例としては、
フェニル基、ナフチル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフ
ェニル基、ピロール基、ピラゾリル基、イミダゾリル
基、ピリジル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾ
リル基、ベンゾオキサゾリル等が挙げられる。アルコキ
シ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｉ−プロ
ポキシ基、ブトキシ基等が挙げられ、アリールオキシ基
としてはフェノキシ基等が挙げられる。ｎは３以上の整
数を表す。

【００５５】また、一般式（３）においてＲ₃₁は一般式
（２）中のＲ₂₁と同義であり、Ａｒ ₃₁はアリーレン基を
表す。Ａｒ₃₁で表されるアリーレン基の例としては、例
えば１，４−フェニレン、１，５−ナフチレン基が挙げ
られ、Ｒ₃₂、Ｒ₃₃はそれぞれ独立に、アルキル基、芳香
族基を表す。Ｒ₃₂、Ｒ₃₃で表されるアルキル基及び芳香
族基は、前記Ｒ₂₁で表されるアルキル基及び芳香族基と
同義である。

【００５６】次に一般式（４）で表される化合物につい
て説明する。一般式（４）においてＲ₄₁、Ｒ₄₂、Ｒ₄₃及
びＲ₄₄は一価の置換基であり、少なくとも１個は芳香族
基を表す。一価の置換基としては、アルキル基（メチル
基、エチル基、ｉ−プロピル基、ヒドロキシエチル基、
メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基
等）、アリール基（フェニル基、ナフチル基、ｐ−トリ
ル基、ｐ−クロロフェニル基等）、アルキルオキシ基
（メトキシ基、エトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ブトキ
シ基等）、アリールオキシ基（フェノキシ基等）、アル
キルチオ基（メチルチオ基、エチルチオ基、ｉ−プロピ
ルチオ基等）、アリールチオ基（フェニルチオ基等）、
ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ
素原子等）、シアノ基、ニトロ基、複素環基（ピロール
基、ピロリジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ピ
リジル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル
基、ベンゾオキサゾリル基等）等が挙げられる。芳香族
基としては、上記アリール基及びヘテロアリール基（ピ
ロール基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ピリジル基
等）が挙げられる。好ましくは、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂、Ｒ₄₃及び
Ｒ₄₄がすべて芳香族基である時である。一般式（４）に
おいて好ましくは全てが芳香族基である時であり、より
好ましくはＲ₄₁、Ｒ₄₂、Ｒ₄₃及びＲ₄₄の少なくとも１つ
が縮合芳香族基であるときである。

【００５７】次に一般式（５）について説明する。
Ｒ₅₁、Ｒ₅₂、Ｘ₅及びＹ₅はそれぞれ独立に水素原子また
は一価の置換基を表す。Ｚ₅₁、Ｚ₅₂はそれぞれ独立に窒
素原子またはＣＲ₅₃を表し、Ｒ₅₃は水素原子または一価
の置換基を表す。一価の置換基の例としてはＲ₄₁で表さ
れる置換基と同様の置換基が挙げられる。隣接する置換
基同士は環を形成してもよい。

【００５８】また、一般式（６）においてＲ₆₁、Ｒ₆₂、
Ｒ₆₃、Ｒ₆₄、Ｒ₆₅、Ｒ₆₆、Ｒ₆₇、Ｒ ₆₈、Ｘ₆及びＹ₆は水
素原子または一価の置換基を表し、一価の置換基の例と
してはＲ₆₁で表される置換基と同様の置換基が挙げられ
る。

【００５９】次に一般式（７）について説明する。
Ｒ₇₁、Ｒ₇₂、Ｒ₇₃、Ｒ₇₄、Ｘ₇及びＹ₇は水素原子または
一価の置換基を表す。一価の置換基の例としてはＲ₄₁で
表された置換基と同様の置換基が挙げられる。Ｚ₇はＣ
Ｒ₇₅Ｒ₇₆、ＮＲ₇₇、Ｏ、ＳまたはＳｉＲ₇₈Ｒ₇₉を表す。
Ｒ₇₅、Ｒ₇₆、Ｒ₇₇、Ｒ₇₈及びＲ₇₉は水素原子または一価
の置換基を表す。一価の置換基の例としてはＲ₄₁で表さ
れる置換基と同様の置換基が挙げられる。好ましくはＺ
₇がＣＲ₇₅Ｒ₇₆、ＯまたはＳｉＲ₇₈Ｒ₇₉である。

【００６０】以下に、具体的化合物例を示すが、本発明
のホスト化合物はこれらに限定されるものではない。

【００６１】

【化１４】

【００６２】

【化１５】

【００６３】

【化１６】

【００６４】

【化１７】

【００６５】

【化１８】

【００６６】

【化１９】

【００６７】

【化２０】

【００６８】

【化２１】

【００６９】

【化２２】

【００７０】一般式（７）で表される化合物の例として
は、上記化合物７−１〜７−４以外に前記化合物１−１
〜１−２２が含まれる。

【００７１】本発明の有機ＥＬ素子は、必要に応じ発光
層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、陽極バッファー層
及び陰極バッファー層等を有し、陰極と陽極で狭持され
た構造を取る。

【００７２】具体的には、（ｉ）陽極／発光層／陰極（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極（iii）陽極／発光層／電子輸送層／陰極（iv）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／
電子輸送層／陰極バッファー層／陰極等の構造がある。

【００７３】本発明の化合物は、いずれの層中に含有さ
れていてもかまわないが、発光層、電子輸送層に含有さ
れていることが好ましい。

【００７４】上記発光層は、電極または電子輸送層、正
孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して
発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっ
ても発光層と隣接層との界面であってもよい。

【００７５】発光材料は、発光性能の他に正孔輸送機能
や電子輸送機能を併せ持っていてもよく、正孔輸送材料
や電子輸送材料の殆どが発光材料としても使用できる。

【００７６】この発光層は、例えば真空蒸着法、スピン
コート法、キャスト法、Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇ
ｅｔｔ法（ＬＢ法）等の公知の薄膜化法により製膜して
形成することができる。発光層としての膜厚は特に制限
はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。こ
の発光層は、これらの発光材料１種または２種以上から
なる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成ま
たは異種組成の複数層からなる積層構造であってもよ
い。

【００７７】また、この発光層は、特開昭５７−５１７
８１号公報に記載されているように、樹脂等の結着材と
共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液とした後、これ
をスピンコート法等により薄膜化して形成することがで
きる。このようにして形成された発光層の膜厚について
は特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することがで
きるが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲である。

【００７８】次に正孔注入層、正孔輸送層及び電子注入
層、電子輸送層について説明する。正孔注入層、正孔輸
送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機
能を有し、この正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在さ
せることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に
注入され、その上、発光層に、陰極、陰極バッファー
層、電子注入層または電子輸送層より注入された電子
は、発光層と正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁に
より、発光層内の界面に累積され、発光効率が向上する
等発光性能の優れた素子となる。この正孔輸送層の材料
（以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という）について
は、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限
はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸
送材料として慣用されているものやＥＬ素子の正孔輸送
層に使用される公知のものの中から任意のものを選択し
て用いることができる。

【００７９】上記正孔注入材料、正孔輸送材料は、正孔
の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有する
ものであり、有機物，無機物のいずれであってもよい。
この正孔輸送材料としては、例えばトリアゾール誘導
体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポ
リアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラ
ゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールア
ミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール
誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘
導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン
誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリ
ゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正
孔輸送材料としては、上記のものを使用することができ
るが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物
及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化
合物を用いることが好ましい。

【００８０】上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリ
ルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′
−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン
（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノ
フェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，
Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェ
ニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタ
ン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキ
シフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノ
ジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミ
ノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリ
ル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−
〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベ
ン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニル
ビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾー
ル、さらには、米国特許第５０６１５６９号明細書に記
載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するも
の、例えば４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ
−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−
３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミ
ンユニットが３つスターバースト型に連結された４，
４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴ
Ａ）等が挙げられる。

【００８１】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。

【００８２】また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機
化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用するこ
とができる。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記正孔
注入材料、正孔正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、ス
ピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の薄膜化法
により製膜して形成することができる。正孔注入層、正
孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５
ｎｍ〜５μｍ程度である。この正孔注入層、正孔輸送層
は、上記材料の１種または２種以上からなる一層構造で
あってもよく、同一組成または異種組成の複数層からな
る積層構造であってもよい。さらに、必要に応じて用い
られる電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層
に伝達する機能を有していればよく、その材料としては
従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いる
ことができる。

【００８３】この電子注入層、電子輸送層に用いられる
材料（以下、電子注入材料、電子輸送材料という）の例
としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキ
ノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレン
ペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジ
イミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノ
ジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導
体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等が
挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体にお
いて、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換
したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られて
いるキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電
子注入材料、電子輸送材料として用いることができる。

【００８４】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。

【００８５】また、８−キノリノール誘導体の金属錯
体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム
（Ａｌｑ₃）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリ
ノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８
−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−
８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル
−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリ
ノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中
心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰ
ｂに置き換わった金属錯体も、電子注入材料、電子輸送
材料として用いることができる。その他、メタルフリー
若しくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端が
アルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、
電子注入材料、電子輸送材料として好ましく用いること
ができる。また、発光層の材料として用いられるジスチ
リルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いること
ができ、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓ
ｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として
用いることができる。

【００８６】この電子注入層、電子輸送層は、上記化合
物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト
法、ＬＢ法等の公知の薄膜化法により製膜して形成する
ことができる。電子注入層、電子輸送層としての膜厚
は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で
選ばれる。この電子注入層、電子輸送層は、これらの電
子注入材料、電子輸送材料１種または２種以上からなる
一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成または
異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。

【００８７】さらに、陽極と発光層または正孔注入層の
間、及び、陰極と発光層または電子注入層との間にはバ
ッファー層（電極界面層）を存在させてもよい。

【００８８】バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効
率向上のために電極と有機層間に設けられる層のこと
で、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１
１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第
２章「電極材料」（第１２３頁〜第１６６頁）に詳細に
記載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層
とがある。

【００８９】陽極バッファー層は、特開平９−４５４７
９号、同９−２６００６２号、同８−２８８０６９号等
にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタ
ロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、
酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモ
ルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラ
ルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた
高分子バッファー層等が挙げられる。

【００９０】陰極バッファー層は、特開平６−３２５８
７１号、同９−１７５７４号、同１０−７４５８６号等
にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチ
ウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、
フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッフ
ァー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類
金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表され
る酸化物バッファー層等が挙げられる。

【００９１】特に、本発明の有機ＥＬ素子において、陰
極バッファー層が存在した場合、駆動電圧低下や発光効
率向上が大きく得られた。

【００９２】上記バッファー層はごく薄い膜であること
が望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１〜１０
０ｎｍの範囲が好ましい。

【００９３】さらに上記基本構成層の他に必要に応じて
その他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開
平１１−２０４２５８号、同１１−２０４３５９号、及
び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１
月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２３７頁
等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層等の
ような機能層を有していてもよい。

【００９４】次に有機ＥＬ素子の電極について説明す
る。有機ＥＬ素子の電極は、陰極と陽極からなる。

【００９５】この有機ＥＬ素子における陽極としては、
仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導
性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好
ましく用いられる。このような電極物質の具体例として
はＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（Ｉ
ＴＯ）、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げら
れる。

【００９６】上記陽極は、これらの電極物質を蒸着やス
パッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォト
リソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成しても
よく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合
は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパ
ッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを
形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合に
は、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、ま
た、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好まし
い。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μ
ｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれ
る。

【００９７】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネ
シウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合
物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／
酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、インジウム、リ
チウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられ
る。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久
性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が
大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマ
グネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混
合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム
／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、リチウム／ア
ルミニウム混合物等が好適である。

【００９８】更に本発明の有機ＥＬ素子に用いる陰極と
しては、アルミニウム合金が好ましく、特にアルミニウ
ム含有量が９０質量％以上１００質量％未満であること
が好ましく、最も好ましくは９５質量％以上１００質量
％未満である。これにより、有機ＥＬ素子の発光寿命
や、最高到達輝度を非常に向上させることができる。

【００９９】上記陰極は、これらの電極物質を蒸着やス
パッタリング等の方法により、薄膜を形成させることに
より作製することができる。また、陰極としてのシート
抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ
〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれ
る。なお、発光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極
または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれ
ば発光効率が向上し好都合である。

【０１００】本発明の有機ＥＬ素子に好ましく用いられ
る基板は、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定
はなく、また、透明のものであれば特に制限はない。本
発明の有機ＥＬ素子に好ましく用いられる基板として
は、例えばガラス、石英、光透過性プラスチックフィル
ムを挙げることができる。

【０１０１】光透過性プラスチックフィルムとしては、
例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエ
チレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン
（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレー
ト、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルロー
ストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプ
ロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げら
れる。

【０１０２】次に、有機ＥＬ素子を作製する好適な例を
説明する。例として、前記の陽極／陽極バッファー層／
正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極バッファー層／
陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。
まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極用物
質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２０
０ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリン
グ等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、こ
の上に陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、電子輸
送層、陰極バッファー層の材料からなる薄膜を形成させ
る。

【０１０３】この有機薄膜層の製膜法としては、前記の
如くスピンコート法、キャスト法、蒸着法等があるが、
均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにく
い等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に
好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよ
い。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使
用する化合物の種類、分子堆積膜の目的とする結晶構
造、会合構造等により異なるが、一般にボート加熱温度
５０〜４５０℃、真空度１０^-6〜１０^-2Ｐａ、蒸着速度
０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、
膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。

【０１０４】これらの層の形成後、その上に陰極用物質
からなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎ
ｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリ
ング等の方法により形成させ、陰極を設けることによ
り、所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子
の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰
極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異な
る製膜法を施してもかまわないが、その際には作業を乾
燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

【０１０５】また作製順序を逆にして、陰極、陰極バッ
ファー層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極バッ
ファー層、陽極の順に作製することも可能である。この
ようにして得られた有機ＥＬ素子に、直流電圧を印加す
る場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧５〜
４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の
極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じ
ない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が
＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、
印加する交流の波形は任意でよい。

【０１０６】本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光
源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像
を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像
や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレ
イ）として使用してもよい。動画再生用の表示装置とし
て使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシ
ブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でも
よい。また、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素
子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置
を作製することが可能である。

【０１０７】本発明の有機ＥＬ素子から構成される表示
装置の一例を図面に基づいて以下に説明する。

【０１０８】図１は、有機ＥＬ素子から構成される表示
装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光
により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のデ
ィスプレイの模式図である。

【０１０９】ディスプレイ１は、複数の画素を有する表
示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う
制御部Ｂ等からなる。

【０１１０】制御部Ｂは、表示部Ａと電気的に接続さ
れ、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づい
て走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走
査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画
像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。

【０１１１】図２は、表示部Ａの模式図である。表示部
Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配
線部と、複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な
部材の説明を以下に行う。

【０１１２】図においては、画素３の発光した光が、白
矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。

【０１１３】配線部の走査線５及び複数のデータ線６
は、それぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６
は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続して
いる（詳細は図示せず）。

【０１１４】画素３は、走査線５から走査信号が印加さ
れると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受
け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領
域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一
基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能
となる。

【０１１５】次に、画素の発光プロセスを説明する。図
３は、画素の模式図である。

【０１１６】画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチング
トランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ
１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０と
して、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、こ
れらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行
うことができる。

【０１１７】図３において、制御部Ｂからデータ線６を
介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像
データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線
５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走
査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１
の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号
がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝
達される。

【０１１８】画像データ信号の伝達により、コンデンサ
１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるととも
に、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トラ
ンジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、
ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲ
ートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ラ
イン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。

【０１１９】制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の
走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆
動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１
の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像デ
ータ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２
の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行
われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走
査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同
期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジ
スタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。

【０１２０】すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複
数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクテ
ィブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動ト
ランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機
ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法
をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。

【０１２１】ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数
の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階
調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定
の発光量のオン、オフでもよい。

【０１２２】また、コンデンサ１３の電位の保持は、次
の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の
走査信号が印加される直前に放電させてもよい。

【０１２３】本発明においては、上述したアクティブマ
トリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみ
データ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブ
マトリクス方式の発光駆動でもよい。

【０１２４】図４は、パッシブマトリクス方式による表
示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５
と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子
状に設けられている。

【０１２５】順次走査により走査線５の走査信号が印加
されたとき、印加された走査線５に接続している画素３
が画像データ信号に応じて発光する。

【０１２６】パッシブマトリクス方式では画素３にアク
ティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。

【０１２７】

【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されない。

【０１２８】実施例１陽極としてガラス上にＩＴＯ（インジウムチンオキシ
ド）を１５０ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社
製：ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴ
Ｏ透明電極を設けた透明支持基板をｉ−プロピルアルコ
ールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾ
ン洗浄を５分間行った。この透明支持基板を、市販の真
空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン
製抵抗加熱ボートにα―ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別の
モリブデン製抵抗加熱ボートに比較化合物１を２００ｍ
ｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプ
ロイン（ＢＣＰ）を２００ｍｇ入れ、さらに別のモリブ
デン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ ₃を２００ｍｇ入れ、真
空蒸着装置に取付けた。

【０１２９】次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧
した後、α―ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して
加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで透明支
持基板に膜厚５０ｎｍで蒸着し、正孔輸送層を設けた。
蒸着時の基板温度は室温であった。

【０１３０】ついで、比較化合物１の入った前記加熱ボ
ートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／
ｓｅｃで３０ｎｍの発光層を設けた。更に、ＢＣＰの入
った前記加熱ボートを通電して加熱し、膜厚１０ｎｍの
正孔阻止層を設けた。更に、Ａｌｑ₃の入った前記加熱
ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ
／ｓｅｃで膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。

【０１３１】次に、真空槽を開け、電子注入層の上にス
テンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、モ
リブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウムを３ｇを入
れ、タングステン製の蒸着用バスケットに銀を０．５ｇ
入れ、再び真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減圧した後、マ
グネシウム入りのボートに通電して蒸着速度１．５〜
２．０ｎｍ／ｓｅｃでマグネシウムを蒸着し、この際、
同時に銀のバスケットを加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／
ｓｅｃで銀を蒸着し、マグネシウムと銀との混合物から
なる陰極とすることにより、比較用の有機ＥＬ素子１−
１を作製した。なお、図５に有機ＥＬ素子１−１の断面
図を示す。

【０１３２】上記有機ＥＬ素子１−１の発光層に用いた
比較化合物１を表１に記載の化合物に置き換えた以外は
有機ＥＬ素子１−１と同様にして、有機ＥＬ素子１−２
〜９を作製した。これらの有機ＥＬ素子の発光色は青色
から緑色であった。

【０１３３】次に、これらの有機ＥＬ素子を２３℃、乾
燥窒素ガス雰囲気下で１０Ｖ直流電圧を印可して連続点
灯を行い、点灯開始時の発光輝度（ｃｄ／ｍ²）及び輝
度の半減時間を測定した。発光輝度は有機ＥＬ素子１−
１の発光輝度を１００とする相対値で表し、輝度の半減
時間は有機ＥＬ素子１−１の輝度の半減時間を１００と
した相対値で表した。その結果を表１に示す。なお、発
光輝度はミノルタ製ＣＳ−１０００を用いて測定した。

【０１３４】

【化２３】

【０１３５】

【表１】

【０１３６】表１より、発光層に本発明の化合物を用い
た有機ＥＬ素子１−２〜９は、点灯開始時の発光輝度及
び輝度の半減時間が改善されているのが分かる。

【０１３７】実施例２本発明の化合物１−１３とＤＣＭ２を１００：１の質量
比で蒸着した膜厚３０ｎｍの発光層を使用する以外は、
実施例１と同様の方法で有機ＥＬ素子２−１を作製し
た。

【０１３８】この有機ＥＬ素子２−１を２３℃、乾燥窒
素ガス雰囲気下で１０Ｖ直流電圧を印可すると、赤色の
発光が得られた。

【０１３９】上記有機ＥＬ素子２−１の発光層のドーパ
ント化合物に用いたＤＣＭ２をＱｄ−２またはＢＣｚＶ
Ｂｉに置き換えた以外は有機ＥＬ素子２−１と同様にし
て、それぞれ有機ＥＬ素子２−２、２−３を作製した。
これらの本発明の化合物１−１３をホスト化合物に用い
た有機ＥＬ素子の発光色はそれぞれ青色、緑色であっ
た。

【０１４０】

【化２４】

【０１４１】実施例３陽極としてガラス上にＩＴＯを１５０ｎｍ製膜した基板
（ＮＨテクノグラス社製：ＮＡ−４５）にパターニング
を行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板
をｉ−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガ
スで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。この透明
支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定
し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに、ｍ―ＭＴＤ
ＡＴＡを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボ
ートにＤＰＶＢｉを２００ｍｇ入れ、また別のモリブデ
ン製抵抗加熱ボートにＢＣＰを２００ｍｇ入れ真空蒸着
装置に取付けた。

【０１４２】次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧
した後、ｍ―ＭＴＤＡＴＡの入った前記加熱ボートに通
電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで
透明支持基板に膜厚２５ｎｍで蒸着し、さらに、ＤＰＶ
Ｂｉの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速
度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで膜厚２０ｎｍで蒸着
し、発光層を設けた。蒸着時の基板温度は室温であっ
た。

【０１４３】ついで、ＢＣＰの入った前記加熱ボートに
通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃ
で３０ｎｍの電子輸送層を設けた。

【０１４４】次に、真空槽を開け、電子輸送層の上にス
テンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、モ
リブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウムを３ｇ入れ、
タングステン製の蒸着用バスケットに銀を０．５ｇ入
れ、再び真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減圧した後、マグ
ネシウム入りのボートに通電して蒸着速度１．５〜２．
０ｎｍ／ｓｅｃでマグネシウムを蒸着し、この際、同時
に銀のバスケットを加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅ
ｃで銀を蒸着し、マグネシウムと銀との混合物からなる
陰極とすることにより、表２に示す有機ＥＬ素子３−１
を作製した。

【０１４５】上記有機ＥＬ素子３−１の電子輸送材料に
用いたＢＣＰを表２に記載の化合物に置き換えた以外は
有機ＥＬ素子３−１と同様にして、有機ＥＬ素子３−２
〜１４を作製した。

【０１４６】これらの有機ＥＬ素子を２３℃、乾燥窒素
ガス雰囲気下で１０Ｖの直流電圧を印可して連続点灯を
行い、点灯開始時の発光輝度（ｃｄ／ｍ²）、発光効率
（ｌｎ／Ｗ）及び輝度の半減時間を測定した。発光輝度
は有機ＥＬ素子３−１の発光輝度を１００とした時の相
対値で表し、輝度の半減時間は有機ＥＬ素子３−１の輝
度の半減時間を１００とした相対値で表した。その結果
を表２に示す。発光色は青色だった。

【０１４７】

【化２５】

【０１４８】

【表２】

【０１４９】表２より、電子輸送材料として本発明の化
合物を用いた有機ＥＬ素子は、点灯開始時の発光輝度及
び輝度の半減時間が改善されているのが分かる。特に、
輝度の半減時間が改善されているのが分かる。

【０１５０】実施例４実施例３で作製した有機ＥＬ素子３−１１の陰極をＡｌ
に置き換え、電子輸送層と陰極の間にフッ化リチウムを
膜厚０．５ｎｍ蒸着して陰極バッファー層を設けた以外
は同様にして有機ＥＬ素子４−１を作製した。

【０１５１】実施例３と同様に点灯開始時の発光輝度
（ｃｄ／ｍ²）及び輝度の半減時間を測定したところ、
有機ＥＬ素子３−１との相対比較で、発光輝度２５５、
輝度の半減時間５２５となった。また、電子輸送材料と
して本発明の化合物を用いた有機ＥＬ素子３−３〜１
０、３−１２〜１４についても、同様に、陰極バッファ
ー層を導入するとさらに効果的であった。

【０１５２】実施例５実施例３で用いた有機ＥＬ素子の発光層をＤＰＶＢｉか
らそれぞれＡｌｑ₃またはＡｌｑ₃とＤＣＭ２を１００：
１の質量比で蒸着した発光層に置き替えた以外は同様に
して、有機ＥＬ素子を作製し、点灯開始時の発光輝度
（ｃｄ／ｍ²）及び輝度の半減時間を測定した。その結
果、実施例３と同様に、本発明の化合物を用いた有機Ｅ
Ｌ素子は、点灯開始時の発光輝度（ｃｄ／ｍ²）及び輝
度の半減時間の改善が確認された。

【０１５３】なお、Ａｌｑ₃を発光層として用いた場合
は緑色の発光が得られ、Ａｌｑ₃とＤＣＭ２を１００：
１とした発光層からは赤色の発光が得られた。実施例３
で作製した青色発光の有機ＥＬ素子と合わせると、本発
明の化合物を用いて青、緑、赤の三色発光の有機ＥＬ素
子が得られた。

【０１５４】実施例６陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラ
ス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍ製膜した基板（ＮＨテク
ノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、
このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、
ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。

【０１５５】ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェ
ン）−ポリスチレンスルホネート〔Ｐｏｌｙ（３，４）
ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎ−ｐｏｌ
ｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｐｈｏｎａｔｅ（ＰＥＤＯＴ／
ＰＳＳ）〕をＩＴＯ基板上にスピンコー卜法により５０
ｎｍ製膜した後、１１０℃にて１時間真空乾燥し、ホー
ル注入電極を作製した。正孔輸送材料であるポリビニル
カルバゾール〔Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ
（ＰＶＫ）〕に電子輸送材料としてＰＢＤを３０質量％
の割合で添加し、さらにりん光性化合物であるイリジウ
ム錯体Ｉｒ−１を１ｍｏｌ％の割合でドーピングし、ト
ルエンに２０ｍｇ／ｍｌの濃度となるように溶解させ
た。この溶液をＰＥＤＯＴを製膜したＩＴＯ基板上にス
ピンコー卜法により１００ｎｍ製膜し、５０℃にて１時
間真空乾燥し、発光層とした。

【０１５６】次に、ＬｉＦを０．５ｎｍ及びＡｌを１１
０ｎｍ蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子６−１を作
製した。

【０１５７】有機ＥＬ素子６−１のホストに用いたＰＶ
Ｋを表３に記載の化合物に置き換えた以外は同様にして
有機ＥＬ素子６−２〜８を作製した。

【０１５８】〈有機ＥＬ素子６−１〜８の発光輝度及び
発光寿命の評価〉有機ＥＬ素子６−１では、初期駆動電
圧５Ｖで電流が流れ始め、発光層のドーパントであるり
ん光性化合物からの緑色の発光を示した。これらの有機
ＥＬ素子に２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で９Ｖの直流
電圧を印加した時の発光輝度及び輝度の半減時間を測定
した。発光輝度は有機ＥＬ素子６−１を１００とした時
の相対値で表し、輝度の半減時間も有機ＥＬ素子６−１
を１００とした時の相対値で表した。発光輝度について
は、ミノルタ製ＣＳ−１０００を用いて測定した。その
結果を表３に示す。

【０１５９】

【化２６】

【０１６０】

【表３】

【０１６１】表３から明らかなように、本発明の化合物
をホストに用いた有機ＥＬ素子は、発光輝度が高く、発
光寿命が長いことから、有機ＥＬ素子として非常に有用
であることがわかった。

【０１６２】有機ＥＬ素子６−１のりん光性化合物に用
いたＩｒ−１をＩｒ−９またはＩｒ−１２に置き換えた
以外は有機ＥＬ素子６−１と同様にして作製した有機Ｅ
Ｌ素子においても同様の効果が得られた。なお、Ｉｒ−
９を用いた有機ＥＬ素子からは赤色の発光が、Ｉｒ−１
２を用いた有機ＥＬ素子からは青色の発光が得られた。

【０１６３】実施例７陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラ
ス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍ製膜した基板（ＮＨテク
ノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、
このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、
ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。

【０１６４】この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置
の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱
ボートに、α−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデ
ン製抵抗加熱ボートにＣＢＰを２００ｍｇ入れ、別のモ
リブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロイン（ＢＣ
Ｐ）を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボー
トにりん光性化合物Ｉｒ−１を１００ｍｇ入れ、さらに
別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ₃を２００ｍ
ｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を４
×１０^-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記
加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓ
ｅｃで透明支持基板に蒸着し、膜厚４５ｎｍの正孔輸送
層を設けた。さらに、ＣＢＰとＩｒ−１の入った前記加
熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎ
ｍ／ｓｅｃ、０．０１ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上
に共蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸
着時の基板温度は室温であった。さらに、ＢＣＰの入っ
た前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎ
ｍ／ｓｅｃで前記発光層の上に蒸着して膜厚１０ｎｍの
正孔阻止の役割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上
に、さらに、Ａｌｑ₃の入った前記加熱ボートに通電し
て加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記電子輸送
層の上に蒸着して更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設け
た。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。

【０１６５】次に、次に、ＬｉＦを０．５ｎｍ及びＡｌ
を１１０ｎｍ蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子７−
１を作製した。

【０１６６】有機ＥＬ素子７−１の発光層に用いたＣＢ
Ｐを表４に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、
有機ＥＬ素子７−２〜２７を作製した。

【０１６７】

【化２７】

【０１６８】〈有機ＥＬ素子７−１〜２７の発光輝度及
び発光寿命の評価〉有機ＥＬ素子７−１では、初期駆動
電圧３Ｖで電流が流れ始め、発光層のドーパントである
りん光性化合物からの緑色の発光を示した。これらの有
機ＥＬ素子を２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で９Ｖの直
流電圧を印加した時の発光輝度及び輝度の半減時間を測
定した。発光輝度は有機ＥＬ素子７−１の発光輝度を１
００とした時の相対値で表し、輝度の半減時間も有機Ｅ
Ｌ素子７−１の輝度の半減時間を１００とした時の相対
値で表した。発光輝度については、ミノルタ製ＣＳ−１
０００を用いて測定した。測定結果を表４に示す。

【０１６９】

【表４】

【０１７０】表４から明らかなように、本発明の化合物
をホストに用いた有機ＥＬ素子は、発光輝度が高く、発
光寿命が長いことから、有機ＥＬ素子として非常に有用
であることがわかった。

【０１７１】りん光性化合物Ｉｒ−１をＩｒ−９または
Ｉｒ−１２に変更した以外は有機ＥＬ素子７−１〜２７
と同様にして作製した有機ＥＬ素子においても同様の効
果が得られた。なお、Ｉｒ−９を用いた素子からは赤色
の発光が、Ｉｒ−１２を用いた素子からは青色の発光が
得られた。

【０１７２】実施例８実施例７で作製したそれぞれ赤色、緑色、青色発光の有
機ＥＬ素子を同一基板上に並置し、図１に示すアクティ
ブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。

【０１７３】図２には作製したフルカラー表示装置の表
示部の模式図のみを示した。即ち同一基板上に、複数の
走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数
の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青
領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数の
データ線６は、それぞれ導電材料からなり、走査線５と
データ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３
に接続している（詳細は図示せず）。前記複数の画素３
は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクテ
ィブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トラン
ジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式
で駆動されており、走査線５から走査信号が印加される
と、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取
った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、
青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表
示が可能となった。

【０１７４】このフルカラー表示装置を駆動することに
より、輝度の高い鮮明なフルカラー動画表示が得られ
た。

【０１７５】

【発明の効果】本発明により、発光輝度及び耐久性の高
い有機ＥＬ素子、及び該有機ＥＬ素子を用いた発光輝度
及び耐久性の高い表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を
示した模式図である。

【図２】表示部の模式図である。

【図３】画素の模式図である。

【図４】パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の
模式図である。

【図５】有機ＥＬ素子１−１の断面図である。

【符号の説明】

１ディスプレイ３画素５走査線６データ線７電源ライン１０有機ＥＬ素子１１スイッチングトランジスタ１２駆動トランジスタ１３コンデンサＡ表示部Ｂ制御部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（１）で表される化合物の少
なくとも１種を含有することを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子。【化１】（式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ｘ₁及びＹ₁は水素原
子または一価の置換基を表し、Ｚ₁はＣＲ₁₅Ｒ₁₆、Ｏ、
Ｓ、ＳｉＲ₁₇Ｒ₁₈を表す。Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇及びＲ₁₈は
水素原子または一価の置換基を表す。）
【請求項２】前記一般式（１）で表される化合物の少
なくとも１種を発光層に含有することを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】前記一般式（１）で表される化合物の少
なくとも１種を電子輸送層に含有することを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】ホスト化合物及びりん光性化合物を含有
する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
において、該ホスト化合物がけい素原子を含有する化合
物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
【請求項５】けい素原子を含有する化合物が下記一般
式（２）で表される繰り返し構造単位を有するポリシラ
ンであることを特徴とする請求項４に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。【化２】（式中、Ｒ₂₁、Ｒ₂₂はそれぞれ独立に、アルキル基、芳
香族基、アルコキシ基またはアリールオキシ基を表し、
ｎは３以上の整数を表す。）
【請求項６】けい素原子を含有する化合物が下記一般
式（３）で表される繰り返し構造単位を有するポリシラ
ンであることを特徴とする請求項４に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。【化３】（式中、Ｒ₃₁はアルキル基、芳香族基、アルコキシ基ま
たはアリールオキシ基を表し、Ｒ₃₂、Ｒ₃₃はそれぞれ独
立にアルキル基、芳香族基を表し、Ａｒ₃₁はアリーレン
基を表し、ｎは３以上の整数を表す。）
【請求項７】けい素原子を含有する化合物が下記一般
式（４）で表される化合物であることを特徴とする請求
項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【化４】（式中、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂、Ｒ₄₃及びＲ₄₄は一価の置換基であ
り、少なくとも１個は芳香族基を表す）
【請求項８】前記一般式（４）において、Ｒ₄₁、
Ｒ₄₂、Ｒ₄₃及びＲ₄₄の全てが芳香族基であることを特徴
とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
【請求項９】前記一般式（４）において、Ｒ₄₁、
Ｒ₄₂、Ｒ₄₃及びＲ₄₄の少なくとも１つが縮合芳香族基で
あることを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
【請求項１０】ホスト化合物が下記一般式（５）で表
される化合物であることを特徴とする請求項４に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。【化５】（式中、Ｒ₅₁、Ｒ₅₂、Ｘ₅及びＹ₅は水素原子または一価
の置換基を表す。Ｚ₅₁及びＺ₅₂は窒素原子またはＣＲ₅₃
を表し、Ｒ₅₃は水素原子または一価の置換基を表す。）
【請求項１１】ホスト化合物が下記一般式（６）で表
される化合物であることを特徴とする請求項４に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。【化６】（式中、Ｒ₆₁、Ｒ₆₂、Ｒ₆₃、Ｒ₆₄、Ｒ₆₅、Ｒ₆₆、Ｒ₆₇、
Ｒ₆₈、Ｘ₆及びＹ₆は水素原子または一価の置換基を表
す。）
【請求項１２】ホスト化合物が下記一般式（７）で表
される化合物であることを特徴とする請求項４に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。【化７】（式中、Ｒ₇₁、Ｒ₇₂、Ｒ₇₃、Ｒ₇₄、Ｘ₇及びＹ₇は水素原
子または一価の置換基を表し、Ｚ₇はＣＲ₇₅Ｒ₇₆、ＮＲ
₇₇、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲ₇₈Ｒ₇₉を表す。Ｒ₇₅、Ｒ₇₆、Ｒ₇₇、
Ｒ₇₈及びＲ₇₉は水素原子または一価の置換基を表す。）
【請求項１３】前記一般式（７）において、Ｚ₇がＣ
Ｒ₇₅Ｒ₇₆、Ｏ、ＳｉＲ₇₈Ｒ₇₉であることを特徴とする請
求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】りん光性化合物がイリジウム化合物、
オスミウム化合物または白金化合物であることを特徴と
する請求項４〜１３のいずれか１項に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
【請求項１５】りん光性化合物がイリジウム化合物で
あることを特徴とする請求項１４に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。
【請求項１６】請求項１〜１５のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特
徴とする表示装置。