JP4407102B2 - アントラセン系化合物、その製造方法および有機電界発光素子 - Google Patents
アントラセン系化合物、その製造方法および有機電界発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4407102B2 JP4407102B2 JP2002224576A JP2002224576A JP4407102B2 JP 4407102 B2 JP4407102 B2 JP 4407102B2 JP 2002224576 A JP2002224576 A JP 2002224576A JP 2002224576 A JP2002224576 A JP 2002224576A JP 4407102 B2 JP4407102 B2 JP 4407102B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- ring
- carbon atoms
- aromatic hydrocarbon
- aromatic heterocyclic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- -1 Anthracene compound Chemical class 0.000 title claims description 52
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 54
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 27
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 19
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 8
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 125000006574 non-aromatic ring group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 5
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 3
- VPRYGSKSLDELAY-UHFFFAOYSA-N 2,6-dibromo-9,10-diphenylanthracene Chemical compound C=12C=C(Br)C=CC2=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC(Br)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1 VPRYGSKSLDELAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IFFLQFPLASPLND-UHFFFAOYSA-N 2,6-diiodo-9,10-diphenylanthracene Chemical compound C=12C=C(I)C=CC2=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC(I)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1 IFFLQFPLASPLND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 3
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-10-one Chemical compound C1=CNC2=C3C(=O)C=CC=C3C=CC2=C1 ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJZOYUGBYOKFHS-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracen-1-amine Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C2C(N)=CC=CC2=C1C1=CC=CC=C1 BJZOYUGBYOKFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N N-bromosuccinimide Chemical compound BrN1C(=O)CCC1=O PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 2
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N flavonol Natural products O1C2=CC=CC=C2C(=O)C(O)=C1C1=CC=CC=C1 HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000002140 halogenating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229960002317 succinimide Drugs 0.000 description 2
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OURODNXVJUWPMZ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 OURODNXVJUWPMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKEWBOPVULFSFJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroperimidin-2-one Chemical class C1=CC(NC(O)=N2)=C3C2=CC=CC3=C1 NKEWBOPVULFSFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEBQUUKDSJCPIX-UHFFFAOYSA-N 12h-benzo[a]thioxanthene Chemical class C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4SC3=CC=C21 YEBQUUKDSJCPIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVVGSPCXHRFDDR-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzothiazol-2-yl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1 MVVGSPCXHRFDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQAGLGYWWGYMCA-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C(C=C1)C2=C3C=C(C=CC3=C(C4=C2C=CC=C4N)C5=CC=CC=C5)C6=CC=C(C=C6)N(C7=CC=CC=C7)C8=CC=CC9=CC=CC=C98 Chemical compound C1=CC=C(C=C1)C2=C3C=C(C=CC3=C(C4=C2C=CC=C4N)C5=CC=CC=C5)C6=CC=C(C=C6)N(C7=CC=CC=C7)C8=CC=CC9=CC=CC=C98 QQAGLGYWWGYMCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQVWYOYUZDUNRW-UHFFFAOYSA-N N-Phenyl-1-naphthylamine Chemical compound C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1NC1=CC=CC=C1 XQVWYOYUZDUNRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ISZWRZGKEWQACU-UHFFFAOYSA-N Primuletin Natural products OC1=CC=CC(C=2OC3=CC=CC=C3C(=O)C=2)=C1 ISZWRZGKEWQACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006887 Ullmann reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 150000001562 benzopyrans Chemical class 0.000 description 1
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N benzopyrazine Natural products N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N cyclobenzothiazole Natural products C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical class O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000005415 substituted alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910000404 tripotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019798 tripotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子に関するものであり、詳しくは、有機化合物からなる発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスにおいて、特定構造のアントラセン系化合物を含む層を有する有機電界発光素子、および該アントラセン系化合物とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、薄膜型の電界発光(EL)素子としては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZnS、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子は、
1)交流駆動が必要(一般に50〜1000Hz)、
2)駆動電圧が高い(一般に〜200V程度)、
3)フルカラー化が困難(特に青色に問題がある)、
4)周辺駆動回路のコストが高い、
という問題点を有している。
【0003】
しかし、近年、上記問題点の改良のため、有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになった。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリアー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行い、芳香族ジアミンからなる正孔輸送層と8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体からなる発光層とを設けた有機電界発光素子の開発(Appl.Phys.Lett.,51巻,913頁,1987年)により、従来のアントラセン等の単結晶を用いたEL素子と比較して発光効率の大幅な改善がなされている。また、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープすること(J.Appl.Phys.,65巻,3610頁,1989年)で、発光効率の向上や発光波長の変換等も行われている。
【0004】
上記の様な低分子材料を用いた電界発光素子の他にも、発光層の材料として、ポリ(p-フェニレンビニレン)、ポリ[2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ(3-アルキルチオフェン)等の高分子材料を用いた電界発光素子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発光材料と電子移動材料を混合した素子の開発も行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
有機電界発光素子をフラットパネル・ディスプレイ等の表示素子に応用するためには、優れた耐熱性、低駆動電圧、高発光効率などが要求される。その中で、本発明者らは発光効率の向上につき鋭意検討した結果、特定構造のアントラセン系化合物が有効であることを見出し、本発明に至った。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ね、9、10−位に芳香族基を有し、かつ2、6−位に特定の置換基を導入した新規なアントラセン系化合物が、優れた性能を有することを見出し本発明を達成した。
即ち、本発明の要旨は、下記一般式(I)で表されるアントラセン系化合物
【0007】
【化7】
【0008】
(式中、Ar1およびAr2は、それぞれ独立して置換基を有していてもよい5または6員環の、芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基又は2〜5の縮合環基を示す。
R1およびR2のうち、一方は5または6員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または2〜5の縮合環基を表し、他方は、5または6員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または2〜5の縮合環基を表すか、または3級アミノ基、即ち、二つの水素原子が共に置換されているアミノ基を表す。なお、R1および/またはR2が3級アミノ基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を示す場合、これらは更に置換されていてもよい。)この製造方法およびこれを含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の化合物は前記一般式(I)で示される構造を有するものであって、2、6位および9、10位が置換されていることに特徴がある。
一般式(I)においてAr1及びAr2は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい5又は6員環の、芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基又は2〜5の縮合環基を示す。好ましくは5または6員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の、単環基または2〜3の縮合環基であり、中でもフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、チエニル基、カルバゾリル基が好ましい。特に好ましくは、フェニル基、ナフチル基またはカルバゾリル基である。
【0010】
Ar1およびAr2が有しうる置換基としては、ハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基等のジアリールアミノ基;ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基等が挙げられる。
R1およびR2は各々独立に、3級アミノ基、あるいは5又は6員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の、単環基又は2〜5の縮合環基を示す。但しR1およびR2のうち少なくとも一方は、上記単環基又は2〜5の縮合環基である。
【0011】
3級アミノ基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基など炭素数1〜7のアルキル基やアリール基を有するものが挙げられ、特に好ましくはアリールアミノ基が挙げられる。
芳香族炭化水素基として、好ましくは5または6員環の芳香族炭化水素環の単環基または2〜3の縮合環基が挙げられ、中でも特にフェニル基、ナフチル基、アントリル基などが好ましい。
【0012】
芳香族複素環基として、好ましくは5または6員環の芳香族複素環の、単環基または2〜3の縮合環基が挙げられ、中でも特にピリジル基、キノリル基、チエニル基、カルバゾリル基などが好ましい。
上記のR1およびR2が3級アミノ基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である場合、これらは更に置換されていてもよい。
【0013】
このような置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
該アリールアミノ基においては、窒素原子に結合する2つのアリール基が互いに結合し、非芳香族性の環を形成していても良く、このような例としては、例えば
【0014】
【化8】
【0015】
等が挙げられる。
一般式(I)で表される化合物として、より具体的には下記一般式(II)または(III)のいずれかで表される化合物が挙げられる。
【0016】
【化9】
【0017】
(式中、Ar1からAr4は、各々独立して、置換基を有していても良い5又は6員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基又は2〜5の縮合環基を表す)
【0018】
【化10】
【0019】
(式中、Ar1からAr7は、各々独立して、置換基を有していても良い5又は6員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基又は2〜5の縮合環基を表す)
【0020】
一般式(II)におけるAr3およびAr4としては、一般式(I)におけるAr1およびAr2と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。
一般式(III)におけるAr5〜Ar7としては、一般式(I)におけるAr1およびAr2と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。よって、−NAr5Ar6)はジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基など3級アリールアミノ基を表す。該アリールアミノ基においては、窒素原子に結合する2つのアリール基が互いに結合し、非芳香族性の環を形成していても良く、このような例としては、例えば
【0021】
【化11】
【0022】
等があげられる。
【0023】
一般式(II)におけるAr3およびAr4、並びに一般式(III)におけるAr7が有しうる置換基として、最も好ましくは、アリールアミノ基またはN−カルバゾリル基である。
一般式(II)および(III)で表されるこれらの化合物は、イオン化ポテンシャルが低く、正孔輸送材料として良い特性を示す。特に、高いガラス転移温度や融点を有することは有機電界発光素子における耐熱性という重要な課題を満足する。
また、一般式(III)で表される化合物は異なった型の置換基を有する非対称な化合物であり、これにより、3級アリールアミノ基と芳香族炭化水素基の両方の特性を有する化合物を得ることが出来、所望する特性を制御することが出来る。
【0024】
本発明の化合物は、例えば下記に従って製造することができる。
下記一般式(VII)
【0025】
【化12】
【0026】
(式中、Ar1およびAr2は前記一般式(I)におけると同義。)
で表されるアントラセン系化合物と、所望のハロゲン原子を含むハロゲン化剤を用いて下記一般式(VI)
【0027】
【化13】
【0028】
(式中、X1およびX2は各々独立にハロゲン原子を表し、Ar1およびAr2は前記一般式(I)におけると同義である。)
で表されるハロゲン原子含有アントラセン系化合物を得る。ハロゲン化剤としては特に限定されるものではないが、所望の置換基X(Xはハロゲン原子を表す)を有するN−コハク酸イミド(J. Org. Chem. , vol. 44, No.25, 4733 (1979))が好適に使用される。ハロゲン化剤の使用量は、前記一般式(VII)で表される化合物に対し、2〜10倍モル、好ましくは2〜5倍モル程度である。
【0029】
反応は通常、乾燥窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行われる。また、反応は通常、不活性溶媒中で実施される。使用される不活性溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブまたは水などが挙げられるが、これらのうち、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドンが好適である。溶媒の使用量は、一般式(VII)の化合物に対して、通常、5〜50重量倍、好ましくは、10〜20重量倍が適当である。
【0030】
反応温度は50℃から200℃の範囲、好ましくは50℃から100℃、反応時間は0.5〜48時間程度である。
反応終了後、反応液を冷却し、析出した結晶を濾過し、メタノール、アセトンまたは水で洗浄し乾燥すれば目的物が得られる。また、冷却しても晶出しない場合には、反応液をメタノールか水に放出し、析出した結晶を濾過し、メタノールまたは水で洗浄し乾燥すれば目的物が得られる。メタノールか水に放出しても析出しない場合には、酢酸エチル、ジクロロメタン等で抽出し、洗浄、乾燥、濃縮すれば良い。生成物は必要に応じて再結晶またはカラムクロマトグラフィーにより精製することができる。この場合、精製溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トルエン、酢酸エチル、クロロホルム、塩化メチレンなどが好適である。
【0031】
必要に応じて、前記文献におけるN−コハク酸イミドのN−置換基Xは、別のハロゲン原子に置き換えて良い。例えば臭素原子をヨウ素原子に置換する反応(Chemistry Letters, 411(1985))が挙げられる。
続いて、得られたハロゲン化合物を下記一般式(IV)および(V)
【0032】
【化14】
【0033】
【化15】
【0034】
(式中、Ar3およびAr4は式(II)におけると同義、R3〜R6は水酸基または置換基を有していてもよいアルコキシ基を示し、R3とR4、R5とR6は結合して環を形成しても良い。)
で表される芳香族ホウ素誘導体と鈴木カップリング法(Chem. Rev., Vol.95, 2457 (1995))にて反応させることにより、前記一般式(II)で表されるアントラセン系化合物を得る。
【0035】
また一般式(III)のように異なった型の置換基を非対称に設ける場合は、例えば前記式(VI)で表されるハロゲン化アントラセン化合物において、ハロゲン原子X1およびX2のうち一方を、下記一般式(VII)
【0036】
【化16】
【0037】
(式中、Ar5およびAr6は前記式(III)におけると同義)
で表される芳香族アミン誘導体と Ullmann反応(Organic Synthesis,1巻,544頁)、或いはPd法(Tetrahedron Letters, vol.39, 2367 (1998))により置換し、他方のハロゲン原子を上述の鈴木カップリング法などによりAr7に対応する芳香族環で置換すればよい。なお、−NAr5Ar6を導入する前に−Ar7を導入してもよい。また、原料とする前記一般式(VI)で表わされる化合物において、ハロゲン原子X1およびX2を異なる原子(例えばBrとI)とすることにより、反応性の差を利用して、より収率よく、非対称化合物を得ることができる。
本発明における一般式(I)で表される化合物の代表例を、下記の表−1に示すが、本発明化合物はこれに限定されるものではない。
【0038】
【表1】
【0039】
【表2】
【0040】
【表3】
【0041】
【表4】
【0042】
【表5】
【0043】
【表6】
【0044】
【表7】
【0045】
【表8】
【0046】
【表9】
【0047】
【表10】
【0048】
【表11】
【0049】
【表12】
【0050】
【表13】
【0051】
【表14】
【0052】
【表15】
【0053】
【表16】
【0054】
【表17】
【0055】
【表20】
【0056】
【表19】
【0057】
【表20】
【0058】
【表21】
【0059】
【表22】
【0060】
【表23】
【0061】
【表24】
【0062】
【表25】
【0063】
【表26】
【0064】
【表27】
【0065】
【表28】
【0066】
【表29】
【0067】
【表30】
【0068】
【表31】
【0069】
【表32】
【0070】
【表33】
【0071】
【表34】
【0072】
【表35】
【0073】
【表36】
【0074】
【表37】
【0075】
【表38】
【0076】
【表39】
【0077】
【表40】
【0078】
【表41】
【0079】
【表42】
【0080】
【表43】
【0081】
【表44】
【0082】
【表45】
【0083】
【表46】
【0084】
【表47】
【0085】
【表48】
【0086】
【表49】
【0087】
【表50】
【0088】
【表51】
【0089】
【表52】
【0090】
【表53】
【0091】
【表54】
【0092】
【表55】
【0093】
【表56】
【0094】
【表57】
【0095】
【表58】
【0096】
【表59】
【0097】
次に、添付図面を参照して、本発明の有機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明する。
図1は本発明に用いられる有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図であるが、これに限定されるものではない。1は基板、2は陽極、4は正孔輸送層、5は発光層、7は陰極を各々表わす。
【0098】
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【0099】
基板1上には陽極2が設けられるが、陽極2は正孔輸送層への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ(3-メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。陽極2は異なる物質で積層して形成することも可能である。陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常、60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常、5〜1000nm、好ましくは10〜500nm程度である。不透明でよい場合は陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【0100】
陽極2の上には正孔輸送層4が設けられる。
図1に示す構成の素子の場合、本発明の特徴である一般式(I)で表される化合物を含む層は、この正孔輸送層4として設けられる。なお、一般式(I)で表される化合物を含む層は、陽極と後述する発光層との間に存在すればよく、該層と陽極の間、または該層と発光層との間に任意の層を有していてもよい。
【0101】
一般に正孔輸送層の材料に要求される条件としては、陽極からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層5に接するために発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないことが求められる。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が要求される。従って、Tgとして85℃以上の値を有する材料が望ましい。
【0102】
一般式(I)で表される化合物は、上記条件の多くを満たすため好ましい。
なお、正孔輸送層4は一般式(I)で表される化合物に加えて、公知の正孔輸送材料を含有していても良い。
正孔輸送層4は塗布法または真空蒸着法などで形成することができる。
塗布法の場合は、一般式(I)で表される化合物を少なくとも1種以上と、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤、とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極2上に塗布し、乾燥して正孔輸送層4を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、50重量%以下が好ましい。
【0103】
真空蒸着法の場合には、一般式(I)で表される化合物を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度にまで排気した後、ルツボを加熱して該化合物を蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた、陽極が形成された基板1上に正孔輸送層4を形成させる。
正孔輸送層4の膜厚は、通常、5〜300nm、好ましくは10〜100nmである。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【0104】
正孔輸送層4の上には発光層5が設けられる。発光層5は、電界を与えられた電極間において、陽極から注入されて正孔輸送層を移動する正孔と、陰極から注入されて電子輸送層6を移動する電子との再結合により励起されて強い発光を示す蛍光性化合物より形成される。
発光層5に用いられる蛍光性化合物としては、安定な薄膜形状を有し、固体状態で高い蛍光収率を示し、正孔および/または電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。さらに電気化学的かつ化学的に安定であり、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。
【0105】
このような条件を満たす材料としては、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59-194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体(特開平6-322362号公報)、ビススチリルベンゼン誘導体(特開平1-245087号公報、同2-222484号公報)、ビススチリルアリーレン誘導体(特開平2-247278号公報)、(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの金属錯体(特開平8-315983号公報)、シロール誘導体等が挙げられる。これらの発光層材料は、通常は真空蒸着法により正孔輸送層上に積層される。
【0106】
また、前述の正孔輸送層材料のうち、蛍光性を有する芳香族アミン系化合物も発光層材料として用いることが出来る。
発光層5の膜厚は、通常、3〜200 nm、好ましくは5〜100 nmである。
発光層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
【0107】
素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例えば、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザー用蛍光色素をドープすること(J. Appl. Phys., 65巻, 3610頁, 1989年)等が行われている。このドーピング手法は、発光層5にも適用でき、ドープ用材料としては、クマリン以外にも各種の蛍光色素が使用できる。青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【0108】
上記のドープ用蛍光色素以外にも、ホスト材料に応じて、レーザー研究,8巻,694頁,803頁,958頁(1980年);同9巻,85頁(1981年)、に列挙されている蛍光色素が発光層用のドープ材料として使用することができる。
ホスト材料に対して上記蛍光色素がドープされる量は、10-3〜10重量%が好ましい。
【0109】
上述の蛍光色素を発光層のホスト材料にドープする方法を以下に説明する。
塗布の場合は、前記発光層ホスト材料と、ドープ用蛍光色素、さらに必要により、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整し、スピンコート法などの方法により正孔輸送層4上に塗布し、乾燥して発光層5を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔/電子移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、50重量%以下が好ましい。
【0110】
真空蒸着法の場合には、前記ホスト材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、ドープする蛍光色素を別のるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10-6Torr程度にまで排気した後、各々のるつぼを同時に加熱して蒸発させ、るつぼと向かい合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合したものを同一のるつぼを用いて蒸発させてもよい。
【0111】
上記各ドーパントが発光層中にドープされる場合、発光層の膜厚方向において均一にドープされるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。例えば、正孔輸送層側の界面近傍にのみドープしたり、逆に、陰極側の界面近傍にドープしてもよい。
陰極7は、発光層5に電子を注入する役割を果たす。陰極7として用いられる材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。さらに、陰極と発光層または電子輸送層の界面にLiF、MgF2、Li2O等の極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl. Phys. Lett., 70巻,152頁,1997年;特開平10-74586号公報;IEEE Trans. Electron. Devices,44巻,1245頁,1997年)。陰極7の膜厚は通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【0112】
正孔注入の効率をさらに向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、正孔輸送層4と陽極2との間に陽極バッファ層3を挿入することも行われている(図2参照)。陽極バッファ層3を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。陽極バッファ層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、すなわち、融点及びガラス転移温度が高く、融点としては 300℃以上、ガラス転移温度としては 100℃以上が要求される。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【0113】
この目的のために、これまでに銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物(特開昭63-295695号公報)、ポリアニリン(Appl. Phys. Lett., 64巻、1245頁,1994年)、ポリチオフェン(Optical Materials, 9巻、125頁、1998年)等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜(Synth. Met., 91巻、73頁、1997年)や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物(J. Phys. D, 29巻、2750頁、1996年)が報告されている。
【0114】
陽極バッファ層の場合も、正孔輸送層と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さらに、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法が用いられる。
以上の様にして形成される陽極バッファ層3の膜厚は、通常、3〜100nm、好ましくは 5〜50nmである。
【0115】
素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、発光層5と陰極7の間に電子輸送層6を設けてもよい。電子輸送層6は、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。
電子輸送層6に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極7からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
【0116】
このような条件を満たす材料としては、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59-194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-または5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第 5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6-207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5-331459号公報)、2-t-ブチル-9,10-N,N'-ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。電子輸送層6の膜厚は、通常、5〜200nm、好ましくは10〜100 nmである。
【0117】
電子輸送層6は、正孔輸送層4と同様にして塗布法あるいは真空蒸着法により発光層5上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
尚、図1とは逆の構造、すなわち、基板上に陰極7、発光層5、正孔輸送層4、陽極2の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図2または図3に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
【0118】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX-Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【0119】
【実施例】
以下に実施例及び試験例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限りこれらの例に限定されるものではない。なお、以下の実施例における化合物のNo.は表−1の化合物のNo.に対応する。
合成例1(2,6−ジブロモ−9,10−ジフェニルアントラセンの合成)
9,10−ジフェニルアントラセン8.58g(26mmol)と、N−ブロモコハク酸イミド23.13g(130mmol)を177mlのN,N−ジメチルホルムアミドに加え、窒素下、 80℃で36.5時間反応させた。反応終了後、沈殿を濾別し、メタノール洗浄、アセトン洗浄を行い、5.18gの黄褐色粉末状の2,6−ジブロモ−9,10−ジフェニルアントラセンを得た(収率41%)。質量分析値MS=486で目的物と一致した。融点310℃。1H−NMRにより、臭素の置換位置が2位と6位であることを確認した。
【0120】
1H−NMR(CDCl3 (δ=ppm)):7.37(dd,2H),7.42(m,4H),7.53(d,2H),7.58(m,2H),7.61(m,4H),7.82(d,2H)
【0121】
【化17】
【0122】
合成例2(2,6−ジヨード−9,10−ジフェニルアントラセンの合成)
合成例1で得られた2,6−ジブロモー9,10−ジフェニルアントラセン4.98g(10mmol)と、ヨウ化カリウム41.73g(251mmol)、ヨウ化銅15.86g(83mmol)を30mlのヘキサメチルリン酸トリアミドに加え、窒素下、 145℃で8時間反応させた。反応終了後、1規定塩酸水溶液中に放出し、生じた沈殿を濾別、水洗した。その後メタノール洗浄し、クロロホルムに可溶分のみ回収した。溶媒留去後、4.93gの黄色粉末状の2,6−ジヨード−9,10−ジフェニルアントラセンを得た(収率83%)。MS=582で目的物と一致した。融点301℃。
【0123】
【化18】
【0124】
実施例1(化合物C−209の合成)
合成例1で得られた2,6−ジブロモ−9,10−ジフェニルアントラセン0.82g(1.7mmol)と、下記芳香族ホウ素誘導体(B-1)
【0125】
【化19】
【0126】
1.32g(3.6mmol)、リン酸三カリウム1.50g(7.1mmol)、テトラキス(トリフェニルフォスフィノ)パラジウム0.09g(0.08mmol)を12mlの乾燥N,N-ジメチルホルムアミドに加え、窒素下、 100℃で6時間反応させた。反応終了後、生成した沈殿を濾別し、水洗浄、熱アセトン懸洗し、1.18gの黄色粉末状の2,6−ビス{4−(N,N−ジフェニルアミノ)フェニル}−9,10−ジフェニルアントラセンを得た(収率86%)。MS=816で目的物と一致した。またセイコー電子社製DSC−20により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度(Tg)は171℃、融点440℃と大変高い値を示した。
【0127】
【化20】
【0128】
次に、ガラス基板をアセトンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコールで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が3×10-6Torr以下になるまで油拡散ポンプを用いて排気した。
化合物(C−209)をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は7.0×10-7Torr(約9.3x10-5Pa)で、蒸着速度 0.1nm/秒で膜厚98nmの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを理研計器(株)製の紫外線電子分析装置(AC−1)を用いて測定したところ、5.27eVの値を示した。また、この薄膜試料の蛍光を測定したところ、励起波長363nmで486、536nmの発光ピークを示した。
実施例2(化合物C−309の合成)
(B-1)の代わりに下記芳香族ホウ素誘導体(B-2)
【0129】
【化21】
【0130】
を用いた以外は実施例1と同様に合成し、1.32gの橙色粉末状の2,6−ビス{4−(N,N−ジ(p−トリル)アミノ)フェニル}−9,10−ジフェニルアントラセンを得た(収率79%)。MS=872で目的物と一致した。またセイコー電子社製DSC−20により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度(Tg)は162℃と大変高い値を示した。融点353℃。
【0131】
【化22】
【0132】
化合物(C−209)と同様に、化合物(C−309)をセラミックるつぼに入れ、ガラス基板上に膜厚78nmの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを測定したところ5.05eVの値を示した。
実施例3(化合物C−229の合成)
(B-1)の代わりに下記芳香族ホウ素誘導体(B-3)
【0133】
【化23】
【0134】
を用いた以外は実施例1と同様に合成し、0.54gの黄色粉末状の2,6−ビス{4−(N−(1−ナフチル)−N―フェニルアミノ)フェニル}−9,10−ジフェニルアントラセンを得た(収率55%)。MS=916で目的物と一致した。またセイコー電子社製DSC−20により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度(Tg)は170℃、融点436℃と大変高い値を示した。
【0135】
【化24】
【0136】
化合物(C−209)と同様に、化合物(C−229)をセラミックるつぼに入れ、ガラス基板上に膜厚84nmの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを測定したところ5.31eVの値を示した。
実施例4(化合物R−71の合成)
合成例2にて得られた2,6−ジヨード−9,10−ジフェニルアントラセン3.1g(5.3mmol)と、N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミン1.2g(5.3mmol)、炭酸カリウム1.7g(12.3mmol)、銅粉1.1g(16.7mmol)を20mlのテトラエチレングリコールジメチルエーテルに加え、窒素下、180℃で11時間反応させた。反応終了後、メタノールを添加、濾液を回収した。その後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、0.94gの2−ヨード−6−(N−(1−ナフチル)−N−フェニル)アミノ−9,10−ジフェニルアントラセンを得た(収率26%)。
得られた2−ヨード−6−(N−(1−ナフチル)−N−フェニル)アミノ−9,10−ジフェニルアントラセン0.94g(1.4mmol)、下記芳香族ホウ素誘導体(B−4)0.66g(1.9mmol)、
【0137】
【化25】
【0138】
テトラキス(トリフェニルフォスフィノ)パラジウム0.03g(0.03mmol)を10mlのトルエンと3mlの2規定炭酸ナトリウム水溶液の混合溶液に加え、窒素下、 90℃で5時間反応させた。反応終了後、生成した沈殿を濾別し、トルエン可溶分を得た。溶媒留去後、熱メタノール懸洗し、0.94gの黄土色粉末状の2−(N-(1-ナフチル)-N−フェニル)アミノ−6-{4−(N−(1−ナフチル)−N―フェニルアミノ)フェニル}-9,10−ジフェニルアントラセンを得た(収率80%)。
【0139】
【化26】
【0140】
MS=840で目的物と一致した。またセイコー電子社製DSC−20により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度(Tg)は158℃と大変高い値を示した。化合物(C−229)から芳香族連結基を一つ抜いた非対称形だが、Tgはあまり下がらず、耐熱性が維持された。
化合物(C−209)と同様に、化合物(R−71)をセラミックるつぼに入れ、ガラス基板上に膜厚67.5nmの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを測定したところ5.12eVの値を示した。
【0141】
実施例5
図3に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板1上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を120nm堆積したもの(ジオマテック社製;電子ビーム成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板をアセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。次に陽極バッファ層3として芳香族ジアミン含有ポリエーテル(G−1);重量平均分子量25000;ガラス転移温度 199℃)
【0142】
【化27】
【0143】
及び、その10重量%のアクセプタ−(J−1)
【0144】
【化28】
【0145】
を下記の条件で、上記ガラス基板上にスピンコートした:
溶媒 1,2−ジクロロエタン
塗布液濃度 30[mg/ml]
スピナ回転数 2500[rpm]
スピナ回転時間 25[秒]
乾燥条件 90分間自然乾燥
【0146】
上記のスピンコートにより30nmの膜厚の均一な薄膜が形成された。
次に上記ポリエーテルを塗布成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が2×10-6Torr以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。
上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、下記構造式(C−209)で表される化合物をるつぼの周囲のTa線ヒーターで加熱して真空容器内で蒸発させた。蒸発時の真空度は1.3×10-6Torrであった。このようにして、膜厚40nmの正孔輸送層4を蒸着した。蒸着時間は5分1秒であった。
【0147】
【化29】
【0148】
引き続き、同様の操作にて、発光層5の材料として、以下の構造式に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E−1)
【0149】
【化30】
【0150】
を温度270〜276℃、真空度1.1×10-6Torr、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒で、2分53秒蒸着して、膜厚30nmで発光層5が得られた。 その際、下記に示す構造のルブレン(D−1)
【0151】
【化31】
【0152】
を発光層5中に化合物(E−1)に対して2.15重量%の濃度で膜厚方向で均一にドープした。
引き続き、電子輸送層6の材料として、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E−1)を蒸着した。このときのるつぼの温度は284〜287℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は8.0×10-7Torr、蒸着時間は2分19秒であった。結果として膜厚30nmの電子輸送層6が得られた。
上記の正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【0153】
ここで、電子輸送層6までの蒸着を行った素子を、一度真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプと直交する様に素子と密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、有機層と同様にして装置内の真空度が2×10-6Torr以下となるまで排気した。続いて陰極界面層としてフッ化リチウムをモリブデンボードを用いて膜厚0.3nmとなるように蒸着した。蒸着時の真空度は4.5×10-6Torrであった。
次いで、陰極7として、アルミニウムをモリブデンボードを用いて100nmの膜厚で蒸着した。アルミニウム蒸着時の真空度は4.7×10-6Torr、蒸着時間は3分12秒であった。
【0154】
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子は、発光開始電圧が2.8Vと低く、250mA/cm2 の定電流で連続駆動したところ、40秒後での輝度は初期輝度の96%であった。輝度−電流密度特性の傾きである輝度/電流特性は6.19cd/Aであった。化合物(C−209)の導入により、発光効率が向上された。
【0155】
実施例6
正孔輸送層4に化合物(C−309)を用いる以外は、実施例5と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子は、発光開始電圧が2.4Vと大変低く、250mA/cm2 の定電流で連続駆動したところ、40秒後での輝度は初期輝度の99%であった。輝度−電流密度特性の傾きである輝度/電流特性は6.53cd/Aであった。化合物(C−309)の導入により、駆動電圧の低下が達成された。
【0156】
実施例7
正孔輸送層4に化合物(C−229)を用いる以外は、実施例5と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子は、発光開始電圧が3Vと低く、250mA/cm2 の定電流で連続駆動したところ、40秒後での輝度は初期輝度の98%であった。輝度−電流密度特性の傾きである輝度/電流特性は5.97cd/Aであった。化合物(C−229)の導入により、駆動電圧の低下が達成された。
【0157】
比較例1
正孔輸送層4に、一般式(I)においてR1=R2=ジアリールアミン基とした下記化合物(F−1)(ガラス転移温度135℃)
【0158】
【化32】
【0159】
を用いる以外は、実施例5と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子は、発光開始電圧が3V、250mA/cm2 の定電流で連続駆動した時の、40秒後での輝度は初期輝度の97%であったが、輝度−電流密度特性の傾きである輝度/電流特性は3.90cd/Aと低かった。
化合物(F−1)は化合物(C−229)に類似しているが、アントラセン骨格に直接アミノ基が2置換していることにより、発光効率が低下した。
【0160】
実施例8
正孔輸送層4に化合物(R−71)を用いる以外は、実施例5と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子は、発光開始電圧が2.4Vと大変低く、250mA/cm2 の定電流で連続駆動したところ、40秒後での輝度は初期輝度の98%であった。輝度−電流密度特性の傾きである輝度/電流特性は7.52cd/Aであった。
芳香族基が、一般式(I)におけるR1およびR2の一方に導入されただけで、化合物(F−1)より2倍近く効率が向上した。
【0161】
【化33】
【0162】
【発明の効果】
本発明のアントラセン系化合物は耐熱性が高く、極めて有用である。また、種々の置換基を有することが出来るため、要望される種種の特性を発揮できる。
また本発明にて得られる有機電界発光素子は、特定のアントラセン系化合物を含有することにより、発光開始電圧や素子の耐熱性など、いずれの点についても従来公知のアントラセン系化合物を含む素子より優れた性能を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】有機電界発光素子の実施の形態の一例を示した模式断面図である。
【図2】有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【図3】有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 陽極
3 陽極バッファ層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 陰極
Claims (8)
- 下記一般式(I)で表されるアントラセン系化合物
R1およびR2のうち一方は、5または6員環の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の単環基または2〜5の縮合環基を表し、他方は、5または6員環の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の単環基または2〜5の縮合環基、あるいは二つの水素原子が共に炭素数1〜7のアルキル基あるいは5または6員環の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の単環基または2〜5の縮合環基で置換されているアミノ基を表し、
前記5または6員環の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の単環基または2〜5の縮合環基および前記アミノ基の置換基は更にそれぞれハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基から選ばれた置換基により置換されていてもよく、前記アリールアミノ基においては、窒素原子に縮合する二つのアリール基が互いに結合し、非芳香族性の環を形成していてもよい。) - 前記一般式(I)において、Ar1およびAr2がそれぞれ独立してハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基およびジアラルキルアミノ基から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、カルバゾリル基、チエニル基およびピリジル基から選ばれることを特徴とする請求項1記載のアントラセン系化合物。
- 前記一般式(I)においてR1およびR2 の相方または一方が表す5または6員環の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の単環基又は2〜5の縮合環基がフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基およびカルバゾリル基から選ばれる基である請求項1または2記載のアントラセン系化合物。
- 上記一般式(I)で表される化合物が、下記一般式(II)または(III)のいずれかで表されることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載のアン
トラセン系化合物。
- 下記一般式(VI)で表されるアントラセン誘導体
を形成しても良い。Ar3及びAr4はそれぞれ独立してハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基から選ばれる置換基を有していてもよい5または6員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または2〜5の縮合環基を表す。)
と反応させることを特徴とする下記一般式(II)
で示されるアントラセン化合物の製造方法。 - 少なくとも、請求項1ないし4のいずれかに記載のアントラセン系化合物を含有する層を有することを特徴とする、有機電界発光素子。
- 有機電界発光素子が、対向する陽極と陰極との間に発光層を有し、請求項1ないし4のいいずれかに記載のアントラセン系化合物を含有する層を、該発光層と陽極との間に有することを特徴とする、請求項6に記載の有機電界発光素子。
- 有機電界発光素子が、対向する陽極と陰極との間に発光層を有し、請求項1ないし4のいずれかに記載のアントラセン系化合物を含有する層を、該発光層として有することを特徴とする、請求項6に記載の有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002224576A JP4407102B2 (ja) | 2001-08-06 | 2002-08-01 | アントラセン系化合物、その製造方法および有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001238013 | 2001-08-06 | ||
JP2001-238013 | 2001-08-06 | ||
JP2002224576A JP4407102B2 (ja) | 2001-08-06 | 2002-08-01 | アントラセン系化合物、その製造方法および有機電界発光素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003146951A JP2003146951A (ja) | 2003-05-21 |
JP2003146951A5 JP2003146951A5 (ja) | 2005-09-29 |
JP4407102B2 true JP4407102B2 (ja) | 2010-02-03 |
Family
ID=26620021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002224576A Expired - Lifetime JP4407102B2 (ja) | 2001-08-06 | 2002-08-01 | アントラセン系化合物、その製造方法および有機電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4407102B2 (ja) |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100721656B1 (ko) | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
US6998068B2 (en) * | 2003-08-15 | 2006-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Acene-thiophene semiconductors |
JP2005170911A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 芳香族化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN1914293B (zh) | 2003-12-19 | 2010-12-01 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光器件用发光材料、使用该材料的有机电致发光器件以及有机电致发光器件用材料 |
KR101169812B1 (ko) * | 2004-02-19 | 2012-07-30 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 백색계 유기 전기발광 소자 |
TWI373506B (en) | 2004-05-21 | 2012-10-01 | Toray Industries | Light-emitting element material and light-emitting material |
JP4677221B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
KR100660001B1 (ko) | 2004-12-22 | 2006-12-21 | 엘지전자 주식회사 | 전자 래더층을 갖는 유기 전계 발광 소자 |
JP2006190759A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006248900A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Sony Corp | アントラセン誘導体、アントラセン誘導体の合成方法、有機電界発光素子、および表示装置 |
JP5072271B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2012-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、及びそれを用いた電子機器 |
US8017252B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance using the same |
JP2007015933A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sony Corp | アントラセン誘導体の合成方法、有機電界発光素子、および表示装置 |
KR100788254B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2007-12-27 | (주)그라쎌 | 녹색 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는발광소자 |
KR20130115397A (ko) | 2005-09-02 | 2013-10-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 안트라센 유도체 |
JP5041766B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2012-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アントラセン誘導体、アントラセン誘導体を用いた発光素子、発光装置及び電子機器 |
JP5089947B2 (ja) | 2005-09-23 | 2012-12-05 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光化合物及びこれを備えた有機発光素子 |
JP4029897B2 (ja) | 2005-10-19 | 2008-01-09 | ソニー株式会社 | ジベンゾアントラセン誘導体、有機電界発光素子、および表示装置 |
US7553558B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-06-30 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device containing an anthracene derivative |
US9666826B2 (en) | 2005-11-30 | 2017-05-30 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device including an anthracene derivative |
JP2009524189A (ja) | 2006-01-18 | 2009-06-25 | エルジー・ケム・リミテッド | 積層型有機発光素子 |
KR101415018B1 (ko) | 2006-04-28 | 2014-07-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 안트라센 유도체, 및 안트라센 유도체를 사용하는 발광 소자, 발광 장치 및 전자 기기 |
KR101320382B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2013-10-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 화합물 및 이를 구비한 유기 발광 소자 |
DE602007008337D1 (de) | 2006-10-24 | 2010-09-23 | Semiconductor Energy Lab | Anthrazenderivat und lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung und elektronische Vorrichtung mit Anthrazenderivat |
KR100841417B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-06-25 | 주식회사 대림화학 | 2,6-치환기를 갖는 9,10-디페닐안트라센 발광 화합물 및이를 발광재료로서 채용하고 있는 발광소자 |
KR100903203B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2009-06-18 | 에스에프씨 주식회사 | 안트라센 유도체 및 이를 채용한 유기전계발광소자 |
TWI502049B (zh) * | 2006-12-28 | 2015-10-01 | Semiconductor Energy Lab | 有機化合物及合成有機化合物與蒽衍生物之方法 |
US8795855B2 (en) | 2007-01-30 | 2014-08-05 | Global Oled Technology Llc | OLEDs having high efficiency and excellent lifetime |
CN101679150B (zh) * | 2007-05-17 | 2013-05-15 | Lg化学株式会社 | 蒽衍生物和使用该蒽衍生物的有机电子器件 |
US20090053559A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Spindler Jeffrey P | High-performance broadband oled device |
EP2444470B1 (en) | 2007-08-31 | 2016-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
KR100940938B1 (ko) | 2007-12-04 | 2010-02-08 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자 |
KR101092005B1 (ko) | 2008-02-11 | 2011-12-09 | 에스에프씨 주식회사 | 유기전계발광소자 및 이에 사용되는 화합물 |
KR101001384B1 (ko) | 2008-02-29 | 2010-12-14 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자 |
KR20090098585A (ko) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | (주)그라쎌 | 유기발광화합물을 발광재료로서 채용하고 있는유기전기발광소자 |
KR100989815B1 (ko) | 2008-03-20 | 2010-10-29 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자 |
KR20090105495A (ko) | 2008-04-02 | 2009-10-07 | (주)그라쎌 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자 |
JP5352304B2 (ja) | 2008-04-02 | 2013-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アントラセン誘導体、発光材料、発光素子用材料、塗布用組成物、発光素子、及び発光装置 |
CN104910064A (zh) * | 2008-04-24 | 2015-09-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 蒽衍生物、发光元件、发光器件及电子设备 |
EP2112212B1 (en) | 2008-04-24 | 2013-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anthracene derivative, light-emitting material, material for light-emitting element, composition for coating light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
JP5501656B2 (ja) | 2008-05-16 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 組成物、薄膜の作製方法、及び発光素子の作製方法 |
EP2141214A3 (en) | 2008-06-25 | 2010-02-24 | Gracel Display Inc. | Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same |
KR101507166B1 (ko) * | 2008-12-08 | 2015-04-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 청색 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
US8147989B2 (en) * | 2009-02-27 | 2012-04-03 | Global Oled Technology Llc | OLED device with stabilized green light-emitting layer |
US8877356B2 (en) | 2009-07-22 | 2014-11-04 | Global Oled Technology Llc | OLED device with stabilized yellow light-emitting layer |
TWI491602B (zh) * | 2009-12-03 | 2015-07-11 | Jnc Corp | 具有含吡啶取代基的苯并[c]咔唑化合物及有機電激發光元件 |
CN102918037B (zh) | 2010-06-02 | 2015-05-13 | 捷恩智株式会社 | 咔唑化合物、电子传输材料、有机电激发光元件、显示装置以及照明装置 |
GB2485001A (en) | 2010-10-19 | 2012-05-02 | Cambridge Display Tech Ltd | OLEDs |
JP6094490B2 (ja) | 2012-02-03 | 2017-03-15 | Jnc株式会社 | アントラセン誘導体およびこれを用いた有機電界発光素子 |
CN107266481B (zh) | 2012-09-11 | 2020-04-14 | 捷恩智株式会社 | 有机电场发光元件用材料、有机电场发光元件、显示装置、以及照明装置 |
JP6638517B2 (ja) | 2016-03-30 | 2020-01-29 | Jnc株式会社 | 自己組織化し得る多環式芳香族化合物およびそれを用いた有機el素子 |
JP6610447B2 (ja) | 2016-06-22 | 2019-11-27 | Jnc株式会社 | 自己組織化し得る多環式芳香族化合物およびそれを用いた有機el素子 |
CN111423426A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-07-17 | 江西科技师范大学 | 非对称9-(n-叔丁基氧羰基-2-吡咯基)-10-五元杂环基蒽化合物及其应用 |
-
2002
- 2002-08-01 JP JP2002224576A patent/JP4407102B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003146951A (ja) | 2003-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4407102B2 (ja) | アントラセン系化合物、その製造方法および有機電界発光素子 | |
JP4003299B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4325197B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4186758B2 (ja) | 高分子化合物、正孔注入・輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 | |
JP2003031371A (ja) | 有機電界発光素子及び青色発光素子 | |
JP2002056985A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP2004002740A (ja) | 高分子化合物、1,4−フェニレンジアミン誘導体、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 | |
JP3988539B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4082297B2 (ja) | 有機化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 | |
JP4066619B2 (ja) | ビナフチル系化合物及びその製造方法並びに有機電界発光素子 | |
JPH10316658A (ja) | 4,4’−ビス(n−カルバゾリル)ジフェニルアミン誘導体及びそれを用いた有機電界発光素子 | |
JP2004103467A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4424026B2 (ja) | 2,7−ジアミノナフタレン化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料、および有機電界発光素子 | |
JP4734849B2 (ja) | アルミニウム混合配位子錯体化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 | |
JP4906810B2 (ja) | ベンゾピロール化合物を用いた有機電界発光素子 | |
JP2004362930A (ja) | 有機電界発光素子、電荷輸送材料、及び有機電界発光素子材料 | |
JPH10294179A (ja) | 有機電界発光素子及び蛍光材料 | |
JP2004307380A (ja) | 新規化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 | |
JP3757583B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2000003790A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP3772506B2 (ja) | キノリノール誘導体、その金属錯体およびそれを用いた有機電界発光素子 | |
JP4201917B2 (ja) | 金属錯体化合物およびそれを用いた有機電界発光素子 | |
JPH11302639A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH11312587A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH11312586A (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050512 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080422 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080620 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091020 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4407102 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131120 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |