JP5041766B2 - アントラセン誘導体、アントラセン誘導体を用いた発光素子、発光装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明のアントラセン誘導体について説明する。
本実施の形態では、本発明のアントラセン誘導体を用いた発光素子について説明する。
本実施の形態では、本発明のアントラセン誘導体をホスト(発光物質と共に発光層に含ませ、発光物質を分散状態にするための物質)として用いた発光素子について、図2を用いて説明する。なお、発光層213以外は実施の形態2と同じ構造であるので、説明は省略する。
本実施の形態では、本発明の発光装置(EL発光装置)の一例について、図3、及び図4を用いて作製方法とともに説明する。なお、本実施の形態では、同一基板上に画素部と駆動回路部とが形成されたアクティブマトリクス型の発光装置の例について説明するが、本発明はこれに限らず、パッシブ型の発光装置に適用しても構わない。
本実施の形態では、本発明の発光装置(EL発光装置)にFPCや、駆動用の駆動ICを実装する例について、図6を用いて説明する。なお、この発光表示パネルに搭載されている発光素子の有する構成は、実施の形態2又は3に示したような構成である。
本実施の形態では、パッシブ型の発光装置の例について、図7を用いて説明する。図7(a)、(b)は、それぞれ、本発明を適用したパッシブ型の発光装置の斜視図と上面図である。特に、図7(a)は、図7(b)の点線758で囲まれた部分について斜視した図である。図7(a)、(b)のそれぞれにおいて、対応するものは同一の符号を用いて表している。図7(a)において、基板751上には、複数の第1の電極752が並列に設けられている。第1の電極752それぞれの端部は、隔壁層753で覆われている。なお、図7(a)では、第1の基板751上に設けられた第1の電極752と隔壁層753とが配置されている様子を分かり易くする為に最も手前に位置している第1の電極752を覆う隔壁層については図示していないが、実際には最も手前に位置している第1の電極752においても隔壁層によって端部は覆われている。第1の電極752の上方には複数の第2の電極755が、第1の電極752と交差するように並列に設けられている。第1の電極752と第2の電極755との間には層754が設けられている。なお、層754は、実施の形態2、又は実施の形態3において説明したような本発明のアントラセン誘導体を有する発光層が含まれている。また、層754には発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等が含まれていてもかまわない。第2の電極755の上には第2の基板759が設けられている。
本発明の発光装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図8及び図9に示す。
本発明のアントラセン誘導体の一例として構造式(17)で表される化合物、9−フェニル−10−[(4−[N−フェニル]−4−[3−(9−フェニルカルバゾリル)])アミノ]アントラセン(略称:PCAPA)の合成方法について説明する。
(1)9−フェニルアントラセンの合成。
9−ブロモアントラセン5.4g(21.1mmol)、フェニルボロン酸2.6g(21.1mmol)、酢酸パラジウム(II)(略称:Pd(OAc)2)60mg(0.21mmol)、炭酸カリウム水溶液(2mol/L)10mL(20mmol)、トリス(オルトートリル)ホスフィン(略称:P(o−tolyl)3)263mg(0.84mmol)、1,2−ジメトキシエタン(略称:DME)20mLを200mL三口フラスコに入れ、窒素気流下で、80℃、9時間撹拌した。反応後、析出した固体を吸引ろ過で回収してから、トルエンに溶かしフロリジル、セライト、アルミナを通してろ過をした。ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。混合溶液を自然ろ過し、ろ液を濃縮したところ目的物である9−フェニルアントラセンの淡褐色固体を21.5g、収率85%で得た(合成スキーム(b―1))。
9−フェニルアントラセン6.0g(23.7mmol)を四塩化炭素80mLに溶かし、その反応溶液へ滴下ロートより、臭素3.80g(21.1mmol)を四塩化炭素10mLに溶かした溶液を滴下した。滴下終了後、室温で1時間撹拌した。反応後、チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて撹拌してから、有機層を水酸化ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。混合溶液を自然ろ過し、ろ液を濃縮しトルエンに溶かしフロリジル、セライト、アルミナを通してろ過を行なった。ろ液を濃縮し、ジクロロメタン、ヘキサンの混合溶液により再結晶を行なったところ、目的物である9−ブロモ−10−フェニルアントラセンの淡黄色固体を7.0g、収率89%で得た。(合成スキーム(b―2))。
9−ブロモ−10−フェニルアントラセン3.33g(10mmol)をテトラヒドロフラン(略称:THF)80mLに溶かし、−78℃にしてから、その反応溶液へ滴下ロートより、n−ブチルリチウム(略称:n−BuLi)(1.6mol/L ヘキサン溶液)7.5mL(12.0mmol)を滴下し、1時間撹拌した。ヨウ素5g(20.0mmol)をTHF20mLに溶かした溶液を滴下し、−78℃でさらに2時間撹拌した。反応後、チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて撹拌してから、有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。混合溶液を自然ろ過し、ろ液を濃縮し、得られた固体をエタノールにより再結晶したところ目的物である9−ヨード−10−フェニルアントラセンの淡黄色固体を3.1g、収率83%で得た(合成スキーム(b―3))。
9−ヨード−10−フェニルアントラセン1.0g(2.63mmol)、p−ブロモフェニルボロン酸542mg(2.70mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(略称:Pd(PPh3)4)46mg(0.03mmol)、炭酸カリウム水溶液(2mol/L)3mL(6mmol)、トルエン10mLの混合物を80℃、9時間撹拌した。反応後、トルエンを加えてからフロリジル、セライト、アルミナを通してろ過をした。ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。混合溶液を自然ろ過し、ろ液を濃縮し、得られた固体をクロロホルム、ヘキサンの混合溶液により再結晶したところ目的物である9−フェニル−10−(4−ブロモフェニル)アントラセン(PA)の淡褐色固体を562mg、収率45%で得た(合成スキーム(b―4))。
(1)3−ブロモ−9−フェニルカルバゾールの合成。
N−フェニルカルバゾール24.3g(100mmol)を氷酢酸600mLに溶かし、N−ブロモコハク酸イミド17.8g(100mmol)をゆっくり加え、室温で約12時間撹拌した。この氷酢酸溶液を氷水1Lに撹拌しながら滴下した。析出した白色固体を水で3回洗浄した。この固体をジエチルエーテル150mLに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗浄した。この有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。混合溶液をろ過し、得られたろ液を濃縮した。得られた残渣をメタノールにより再結晶したところ、目的物である3−ブロモ−9−フェニルカルバゾールの白色粉末を28.4g、収率88%で得た(合成スキーム(c―1))。
500mL三口フラスコに、3−ブロモ−9−フェニルカルバゾール19g(60mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)(略称:Pd(dba)2)340mg(0.6mmol)、1,1−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン(略称:DPPF)1.6g(3.0mmol)、t−ブトキシナトリウム(略称:t−BuONa)13g(180mmol)を入れ、窒素置換してから、脱水キシレン110mL、アニリン7.0g(75mmol)を加え、90℃で7.5時間加熱撹拌した。反応終了後、反応溶液に50℃に温めたトルエンを約500mL加え、これをフロリジル、アルミナ、セライトを通してろ過した。ろ液を濃縮し、得られた固体をヘキサン、酢酸エチルの混合溶液により再結晶したところ、目的物である3−(N−フェニルアミノ)−9−フェニルカルバゾール(PCA)の淡黄色の粉末状固体を15g、収率75%で得た(合成スキーム(c−2))。
1H−NMR(300MHz、CDCl3);δ=6.84(t、J=6.9、1H)、6.97(d、J=7.8、2H)、7.20−7.61(m、13H)、7.90(s、1H)、8.04(d、J=7.8、1H)
1H−NMR(300MHz、DMSO−d6);δ=6.73(t、J=7.5、1H)、7.02(d、J=8.1、2H)、7.16−7.70(m、12H)、7.95(s、1H)、8.06(s、1H)、8.17(d、J=7.8、1H)
13C−NMR(75.5MHz、DMSO−d6):δ=109.55、110.30、110.49、114.71、118.22、119.70、120.14、120.61、122.58、123.35、126.18、126.48、127.37、129.15、130.14、135.71、136.27、137.11、140.41、145.61
100mL三口フラスコに、9−フェニル−10−(4−ブロモフェニル)アントラセン(PA)409mg(1.0mmol)、3−(N−フェニルアミノ)−9−フェニルカルバゾール(PCA)339mg(1.0mmol)、Pd(dba)26mg(0.01mmol)、t−ブトキシナトリウム(略称:t−BuONa)500mg(5.2mol)、トリ(t−ブチル)ホスフィン(10wt% ヘキサン溶液)(略称:P(tBu)3)0.1mL、トルエン10mLを入れ、80℃で4時間撹拌した。反応後、溶液を水で洗浄し、水層をトルエンで抽出し、有機層と併せて飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。混合溶液を自然ろ過し、濃縮し得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:トルエン=7:3)により精製し、ジクロロメタン、ヘキサンの混合溶液により再結晶したところ目的物の黄色粉末状固体を534mg、収率81%で得た(合成スキーム(d―1))。この化合物を、核磁気共鳴法(NMR)によって測定し、9−フェニル−10−[(4−[N−フェニル]−4−[3−(9−フェニルカルバゾリル)])アミノ]アントラセン(PCAPA)であることを確認した。
1H−NMR(300MHz、CDCl3);δ=8.11−8.08(m、2H)、7.91−7.88(m、2H)、7.70−7.67(m、2H)、7.63−7.30(m、28H)
本発明のアントラセン誘導体の一例として構造式(20)で表される化合物、9−フェニル−10−{4’−[N−フェニル−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]ビフェニル−4−イル}アントラセン(略称:PCAPBA)の合成方法について説明する。
(1)4−(4−ブロモフェニル)フェニルボロン酸の合成。
4,4’−ジブロモビフェニル10.0g(0.032mol)を500mL三口フラスコに入れ窒素置換してから、テトラヒドロフラン200mLを加えて−80℃で攪拌した。反応溶液へn−ブチルリチウム (1.60M ヘキサン溶液)を20mL(0.032mol)を滴下し、−80℃のまま1時間攪拌してから、ホウ酸トリメチル40mL(0.060mol)を加え、室温に戻しながら1時間攪拌した。反応溶液へ塩化水素水(1.0mol/L)200mLを加えて約12時間攪拌した後、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。反応溶液を自然濾過後、濃縮して得られた固体を酢酸エチル、ヘキサンの混合溶液により再結晶したところ、目的物である4−(4−ブロモフェニル)フェニルボロン酸の白色固体を、3.7g、収率41%で得た(合成スキーム(e―1))。
9−ヨード−10−フェニルアントラセン1.0g(2.63mmol)、4−(4−ブロモフェニル)フェニルボロン酸542mg(2.70mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)46mg(0.03mmol)、炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L)3mL(6mmol)、トルエン10mLを80℃、9時間撹拌した。反応後、トルエンを加えてからフロリジル、セライト、アルミナを通してろ過をした。ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。自然ろ過後、ろ液を濃縮し、クロロホルム、ヘキサンの混合溶液により再結晶したところ目的物である9−[4−(4−ブロモフェニル)フェニル]−10−フェニルアントラセン(PBA)の淡褐色固体を562mg、収率45%で得た(合成スキーム(e―2))。
9−[4−(4−ブロモフェニル)フェニル]−10−フェニルアントラセン(PBA)730mg(1.5mmol)、3−(N−フェニルアミノ)−9−フェニルカルバゾール(PCA)500mg(1.5mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)58mg(0.1mmol)、トリ(t−ブチル)ホスフィン(10wt% ヘキサン溶液)1mL(0.5mmol)、t−ブトキシナトリウム(t−BuONa)400mg(4.0mmol)の混合物に脱水キシレン15mLを加えた。これを窒素雰囲気下で110℃、5.5時間加熱撹拌した。反応終了後、この懸濁液にトルエン約200mLを加え、これをフロリジル、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮し、再結晶を行い、目的物である9−フェニル−10−{4’−[N−フェニル−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]ビフェニル−4−イル}アントラセン(略称:PCAPBA)の淡黄色粉末状固体を得た。さらに、再結晶のろ液を濃縮して得た混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエン:ヘキサン=1:1)にて精製した。得られた化合物をヘキサンにより再結晶を行ったところ、目的物であるPCAPBAの淡黄色粉末状固体を得た。最初に得た目的物と合わせて700mgのPCAPBAを得て、収率は63%であった(合成スキーム(f−1))。この化合物を、核磁気共鳴法(NMR)によって測定し、9−フェニル−10−{4’−[N−フェニル−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]ビフェニル−4−イル}アントラセンであることを確認した。
1H−NMR(300MHz、CDCl3);δ=8.51−8.00(m、2H)、7.83−7.78(m、4H)、7.72−7.48(m、16H)、7.41−7.23(m、16H)
本発明のアントラセン誘導体の一例として、構造式(30)で表される化合物、9−{4−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]フェニル}−10−フェニルアントラセン(略称:PCNPA)の合成方法について説明する。
窒素下で、3−ヨード−9−フェニルカルバゾール3.7g(10mmol)、1−アミノナフタレン1.6g(5 mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)60mg(0.1mmol)、トリ(t−ブチル)ホスフィン(49wt% ヘキサン溶液)200μL(0.5mmol)、t−ブトキシナトリウム(略称:t−BuONa)3g(30mmol)の混合物に、脱水キシレン12mLを加えた。これを窒素雰囲気下にて90℃、7時間加熱撹拌した。反応終了後、この懸濁液に温めたトルエン約200mLを加え、これをフロリジル、アルミナ、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮し、この残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエン:ヘキサン=1:1)にて分取した。得られた固体を酢酸エチル、ヘキサンの混合溶液で再結晶を行い、目的物である3−[N−(1−ナフチル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(PCN)のクリーム色粉末を1.5g、収率79%で得た(合成スキーム(g−1))。
1H−NMR(300MHz、DMSO−d6);δ=7.13−7.71(m、15H)、7.85−7.88(m、1H)、8.03(s、1H)、8.15(d、J=7.8、1H)、8.24(s、1H)、8.36−8.39(m、1H)
9−フェニル−10−(4−ブロモフェニル)アントラセン(PA)2.0g(5.0mmol)、3−[N−(1−ナフチル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(PCN)1.9g(5.0mmol)、t−ブトキシナトリウム(略称:t−BuONa)2.1g(20mmol)を100mL三口フラスコへ入れ、窒素置換した後、トルエン40mL、トリ(t−ブチル)ホスフィン(10wt% ヘキサン溶液)(略称:P(tBu)3)0.1mLを加えて減圧脱気した。脱気後、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)30mg(0.05mmol)を加えてから、80℃で3時間撹拌した。反応後、反応溶液を、水、飽和食塩水の順に洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。自然濾過後、ろ液を濃縮して得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:トルエン=7:3)により精製し、目的物をジクロロメタンヘキサンにより再結晶したところ、目的物の黄色固体を1.5g、収率43%で得た(合成スキーム(g−2))。この化合物を、核磁気共鳴法(NMR)によって測定し、PCNPAであることを確認した。
1H−NMR(300MHz,CDCl3);δ=7.13(d、J=8.7Hz、2H)、7.21−7.23(m、1H)、7.30−7.69(m、26H)、7.80−7.83(m、1H)、7.87−7.96(m、3H)、8.04(d、J=7.5Hz,1H)、8.09(d、J=2.4Hz,1H)、8.28−8.31(m、1H)
102 第2の電極
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
201 第1の電極
202 第2の電極
211 正孔注入層
212 正孔輸送層
213 発光層
214 電子輸送層
215 電子注入層
300 基板
301 下地絶縁膜
302 ゲート絶縁膜
310 トランジスタ
320 トランジスタ
330 トランジスタ
340 トランジスタ
350 発光素子
351 第1の電極
352 層
353 第2の電極
360 隔壁層
370 シール材
380 封止基板
390 端子部
391 端子電極
392 異方性導電層
393 FPC
500 カソード側電源線
510 トランジスタ
520 トランジスタ
751 基板
752 第1の電極
753 隔壁層
754 層
755 第2の電極
756 第1の駆動回路
757 第2の駆動回路
758 点線
759 基板
2101 本体
2102 表示部
2104 操作キー
2106 シャッター
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部
2204 キーボード
2205 外部接続ポート
2206 ポインティングマウス
2301 本体
2302 筐体
2303 表示部A
2304 表示部B
2305 記録媒体(DVD等)読み込み部
2306 操作キー
2307 スピーカー部
2401 筐体
2402 支持台
2403 表示部
2404 スピーカ
2405 ビデオ入力端子
3000 携帯電話機
3001 本体(a)
3002 本体(b)
3003 筐体
3004 操作スイッチ類
3005 マイクロフォン
3006 スピーカ
3007 回路基板
3008 表示パネル(a)
3009 表示パネル(b)
3010 蝶番
3011 アンテナ
303a 層間絶縁膜
303b 層間絶縁膜
503B アノード側電源線(B)
503G アノード側電源線(G)
503R アノード側電源線(R)
550B 発光素子
550G 発光素子
550R 発光素子
6001 第1の駆動回路
6002 画素部
6003 ゲート側駆動回路
6004 封止基板
6005 シール材
6007 接続領域
6008 端子部
6009 FPC
6010 基板
6601 駆動IC
6602 画素部
6604 封止基板
6605 シール材
6607 接続領域
6608 端子部
6609 FPC
6610 基板
Claims (21)
- 請求項1乃至請求項16のいずれか一に記載のアントラセン誘導体を含む層を、一対の電極間に有する発光素子。
- 請求項1乃至請求項16のいずれか一に記載のアントラセン誘導体と、ホストとを含む層を、一対の電極間に有し、
前記ホストは前記アントラセン誘導体のエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有し、また前記アントラセン誘導体の有するイオン化ポテンシャルよりも大きいイオン化ポテンシャルを有する物質であることを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項16のいずれか一に記載のアントラセン誘導体と、発光物質とを含む層を、一対の電極間に有し、
前記発光物質は前記アントラセン誘導体のエネルギーギャップよりも小さなエネルギーギャップを有し、また前記アントラセン誘導体の有するイオン化ポテンシャルよりも小さいイオン化ポテンシャルを有する物質であることを特徴とする発光素子。 - 請求項17乃至請求項19のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
- 請求項17乃至請求項19のいずれか一に記載の発光素子を有する電子機器。
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