JP2007045816A - カルバゾール誘導体、及びそれを用いて得られた発光素子用材料、発光素子、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】酸化反応の繰り返しに耐性を有する発光素子用材料を製造するための原料として有用なカルバゾール誘導体を提供することを課題とする。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体である。一般式（１）において、Ｒ^１は、水素、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の炭素数１以上４以下のアルキル基、フェニル、ビフェニル、ナフチル等の炭素数１以上１２以下のアリール基の中から選ばれるいずれか一を表す。

【選択図】なし

Description

本発明は、カルバゾール誘導体に関し、特に発光素子用材料を得る為の原料として用いることのできるカルバゾール誘導体に関する。また、そのカルバゾール誘導体を用いて得られた発光素子用材料および、その発光素子用材料を用いて作製された発光素子、電子機器に関する。

近年、ディスプレイ等の画素として発光素子が用いられるようになってきている。このような発光素子は、一般的に一対の電極間に発光物質を含む層が挟まれた構造を有する。

発光素子の分野では、発光効率、色度がよく、若しくは消光等を防ぐことができる発光素子を得るために、発光素子を作製するための材料となる物質についての様々な研究が行われている。中でも発光物質（発光素子を駆動させたときに発光を呈する物質）として用いられる物質は、一般にゲストと称され、より効率良く発光するようなゲストの開発が進められている。例えば、特許文献１では、発光効率が高く、発光寿命の長い有機ＥＬ素子用材料に関する技術が開示されている。
特開２００１−１３１５４１号公報

ところで、発光素子においては、正孔若しくは電子の授受によって電極間を電流が流れる。そして、発光層において、これらのキャリアはゲストにトラップされて再結合する。つまり、ゲストは酸化若しくは還元された状態を経て、励起状態になる。そして、励起状態になったゲストは基底状態へ戻るときに発光する。基底状態に戻ったゲストは、キャリアの再結合によって再び励起状態になった後、基底状態に戻るときに発光する。このような励起と発光とが繰り返されるゲストは、すなわち酸化若しくは還元が繰り返されるゲストは、酸化若しくは還元されるうちに性質の異なるものになってしまうことがある。励起と発光を繰り返すうちにゲストの性質が変化してしまうと、所望の発光が得られなくなったり、キャリアの輸送性が変化して素子の劣化の原因となりうる。したがって、ゲストには、効率良く発光するだけでなく、酸化若しくは還元に対して耐性を有することが求められる。

また、発光素子を効率良く発光させる為に、ゲストに効率良くキャリアをトラップさせ、キャリアの再結合効率を向上させることも求められる。多くの発光素子では、発光層は、ホストと称される基質にゲストが分散された構成を有しており、ホストのＨＯＭＯ準位よりもゲストのＨＯＭＯ準位が高く、若しくはホストのＬＵＭＯ準位よりもゲストのＬＵＭＯ準位が低くなるようにホストとゲストを組み合わせることで、キャリアをトラップさせ易くなる。しかし、キャリアをトラップさせ易くなる一方で、ＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ準位との間のエネルギーギャップが狭くなってしまい所望の色度の発光を呈するような発光素子が得られなくなる場合も生じる。このような問題は、特に青色の発光を呈する発光素子において顕著である。

そこで、本発明は、酸化反応の繰り返しに耐性を有する発光素子用材料を製造する原料として有用なカルバゾール誘導体を提供することを課題とする。

また、本発明は、酸化反応の繰り返しに耐性を有する発光素子用材料を提供することを課題とする。

本発明は、酸化反応の繰り返しに耐性を有し、長期間、良好な発光を得られる発光素子を提供することを課題とする。なお、本明細書における「酸化反応の繰り返し」とは、中性の物質を電気的に酸化した後、中性の状態に戻す過程の酸化プロセスを繰り返すことを意味している。

また、本発明は、色度の良好な青色の発光を呈する発光素子、発光装置、電子機器を提供することを課題とする。

本発明の一は、下記一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体である。

一般式（１）において、Ｒ^１は、水素、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の炭素数１以上４以下のアルキル基、フェニル、ビフェニル、ナフチル等の炭素数１以上１２以下のアリール基の中から選ばれるいずれか一を表す。

本発明の一は、下記一般式（２）で表される発光素子用材料である。

一般式（２）において、Ｒ^２は水素または下記一般式（３）で表される基を表す。また、Ｒ^４、Ｒ^５は、水素、メチルまたはｔｅｒｔ−ブチルのいずれかを表し、少なくとも一方は水素を表す。また、一般式（２）、（３）において、Ｒ^３は、水素、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の炭素数１以上４以下のアルキル基、フェニル、ビフェニル、ナフチル等の炭素数１以上１２以下のアリール基の中から選ばれるいずれか一を表す。

本発明の一は、電極間に発光層を有し、該発光層は、下記一般式（４）で表される発光物質と、該発光物質よりも大きいイオン化ポテンシャル及び該発光物質よりも大きいエネルギーギャップを有するホストとを含むことを特徴とする発光素子である。ホストは正孔の輸送性よりも電子の輸送性が高い物質であることが好ましい。

一般式（４）において、Ｒ^６は水素または下記一般式（５）で表される基を表す。また、Ｒ^８、Ｒ^９は、水素、メチルまたはｔｅｒｔ−ブチルのいずれかを表し、少なくとも一方は水素を表す。また、一般式（４）、（５）において、Ｒ^７は、水素、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の炭素数１以上４以下のアルキル基、フェニル、ビフェニル、ナフチル等の炭素数１以上１２以下のアリール基の中から選ばれるいずれか一を表す。

本発明の一は、電極間に発光層を有し、該発光層は、上記一般式（４）で表される発光物質と、該発光物質よりも大きいイオン化ポテンシャル及び該発光物質よりも大きいエネルギーギャップを有するホストとを含むことを特徴とする発光素子である。ホストは正孔の輸送性よりも電子の輸送性が高い物質であることが好ましい。

本発明の一は、本発明の発光装置を表示部または照明部に用いていることを特徴とする電子機器である。

本発明の実施によって、酸化反応の繰り返しに対し優れた耐性を有する発光素子用材料を製造するのに有用なカルバゾール誘導体を得られる。また、本発明の実施によって、酸化反応の繰り返しに対し優れた耐性を有する発光素子用材料を得られる。また、本発明の実施によって、酸化反応の繰り返しに耐性を有し、長期間、良好な状態で発光させることができる発光装置を得られる。また、本発明の実施によって、長期間、良好に、表示動作あるいは照明することができる電子機器を得られる。

本発明の実施によって、色度の良好な青色の発光を呈することができ、発光物質として用いる発光素子用材料を製造するのに有用なカルバゾール誘導体が得られる。また、本発明の実施によって、色度の良好な青色の発光を呈することができる発光素子用材料が得られる。本発明の実施によって、色度の良い青色の発光を呈し、色彩の優れた画像を映す発光装置を得ることができる。また、本発明の実施によって、色度の良い青色の発光を呈し、色彩の優れた画像を映す電子機器が得られる。

以下、本発明の一態様について説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本発明のカルバゾール誘導体、及びその製造方法の一態様について説明する。

本発明のカルバゾール誘導体の具体的態様として、下記構造式（１）〜（９）で表されるカルバゾール誘導体が挙げられる。

下記一般式（６）で表され、より具体的には構造式（１）〜（９）で表される本発明のカルバゾール誘導体は、合成スキーム（ａ−１）で表されるように、カルバゾールを骨格に含む化合物（化合物Ａ）と１，４−ジブロモベンゼンとを反応させて、Ｎ−（４−ブロモフェニル）カルバゾールを骨格に含む化合物Ｂを合成した後、さらにパラジウム触媒を用いたアニリンとのカップリング反応を行なうことによって得られる。

一般式（６）及び合成スキーム（ａ−１）において、Ｒ^１０は、水素、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の炭素数１〜４のアルキル基、フェニル、ビフェニル、ナフチル等の炭素数１〜１２のアリール基の中から選ばれるいずれか一の基を表す。なお、アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。

なお、本発明のカルバゾール誘導体の合成法は、合成スキーム（ａ−１）で表される合成法に限定されるものではなく、その他の合成法によって合成されていてもよい。

以上に説明した本発明のカルバゾール誘導体は、酸化反応の繰り返しに対し優れた耐性を有する発光素子用材料を製造する原料として非常に有用である。また、以上に説明した本発明のカルバゾール誘導体は、色度の良い青色の発光を呈する発光物質を製造する原料としても有用である。

（実施の形態２）
本発明のカルバゾール誘導体を用いたアントラセン誘導体の製造方法の一態様について説明する。

下記合成スキーム（ｂ−１）で表されるように、一般式（６）で表されるカルバゾール誘導体とジフェニルアントラセン骨格を有する化合物Ｃとをパラジウム触媒等の金属触媒を用いたカップリング反応させることによって、下記一般式（７）で表され、発光素子用材料として有用なアントラセン誘導体を得ることができる。

一般式（７）及び合成スキーム（ｂ−１）において、Ｒ^１０は、水素、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の炭素数１〜４のアルキル基、フェニル、ビフェニル、ナフチル等の炭素数１〜１２のアリール基の中から選ばれるいずれか一の基を表す。Ｒ^１１は水素、メチルまたはｔｅｒｔ−ブチルのいずれかを表す。

以上のようにして得られたアントラセン誘導体は、酸化反応の繰り返しに耐性を有し、また、青色の発光を呈することができる。その為、特に発光物質（ゲストとも称される）として機能する発光素子用材料として有用である。また、一般式（７）で表されるアントラセン誘導体は、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、ジフェニルアントラセン等の電子輸送性に優れ、エネルギーギャップが広く青色の発光を呈する発光物質に対するホストとして有効である有機化合物と組み合わせて用いるのに非常に適している。一般式（７）で表されるアントラセン誘導体と、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＣｚＰＡ、ジフェニルアントラセン等とを組み合わせて用いることによって、適度に正孔をトラップし、発光層からその他の層への正孔の突き抜けを低減すると共に、色度の良い青色の発光を呈することのできる発光素子を作製することができる。

なお、合成スキーム（ｂ−１）で用いられている化合物Ｃは、例えば、下記合成スキーム（ｂ−２）で表されるような合成によって得られる。

合成スキーム（ｂ−２）において、Ｒ^１１は水素またはｔｅｒｔ−ブチルを表す。

（実施の形態３）
本発明のカルバゾール誘導体を用いたアントラセン誘導体の合成の一態様について説明する。

下記合成スキーム（ｃ−１）で表されるように、一般式（６）で表されるカルバゾール誘導体とジフェニルアントラセン骨格を有する化合物Ｄとをパラジウム触媒等の金属触媒を用いたカップリング反応させることによって、下記一般式（８）で表され、発光素子用材料として有用なアントラセン誘導体を得ることができる。

一般式（８）及び合成スキーム（ｃ−１）において、Ｒ^１０は、水素、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の炭素数１〜４のアルキル基、フェニル、ビフェニル、ナフチル等の炭素数１〜１２のアリール基の中から選ばれるいずれか一の基を表す。Ｒ^１２、Ｒ^１３は、水素、メチルまたはｔｅｒｔ−ブチルのいずれかを表し、少なくとも一方は水素を表す。

以上のようにして得られたアントラセン誘導体は、酸化反応の繰り返しに耐性を有し、また、青色の発光を呈することができる。その為、特に発光物質として機能する発光素子用材料として有用である。また、一般式（８）で表されるアントラセン誘導体は、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＣｚＰＡ等の電子輸送性に優れ、エネルギーギャップが広く青色の発光を呈する発光物質に対するホストとして有効である有機化合物と組み合わせて用いるのに非常に適している。一般式（８）で表されるアントラセン誘導体と、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＣｚＰＡ、ジフェニルアントラセン等とを組み合わせて用いることによって、適度に正孔をトラップし、発光層からその他の層への正孔の突き抜けを低減すると共に、色度の良い青色の発光を呈することのできる発光素子を作製することができる。

なお、合成スキーム（ｃ−１）で用いられている化合物Ｄは、例えば、下記合成スキーム（ｃ−２）で表されるような合成によって得られる。

合成スキーム（ｃ−２）において、Ｒ^１２、Ｒ^１３は、水素、メチルまたはｔｅｒｔ−ブチルのいずれかを表し、少なくとも一方は水素を表す。

以上のように、実施の形態２、３では、本発明のカルバゾール誘導体と、アントラセン誘導体とをカップリング反応させて発光素子用材料を製造する態様について述べたが、アントラセン誘導体だけでなくペリレン誘導体、またはフェナントレン誘導体と本発明のカルバゾール誘導体とをカップリング反応させて発光素子用材料を製造してもよい。

（実施の形態４）
本発明のカルバゾール誘導体を用いて合成された発光素子用材料を用いて作製された発光素子の一態様について図１を用いて説明する。

図１には、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に発光層１１３を有する発光素子が表されている。そして、発光層１１３には、一般式（７）または（８）で表されるアントラセン誘導体が含まれている。また、図１の発光素子では、第１の電極１０１と発光層１１３との間に、正孔注入層１１１と正孔輸送層１１２とが順に積層されて設けられ、第２の電極１０２と発光層１１３との間に、電子注入層１１５と電子輸送層１１４とが順に積層されて設けられている。

このような発光素子において、第１の電極１０１側から注入された正孔と、第２の電極１０２側から注入された電子とは、発光層１１３において再結合し、一般式（７）または（８）で表されるアントラセン誘導体を励起状態にする。そして、励起状態となったアントラセン誘導体は基底状態に戻るときに発光する。このように、一般式（７）または（８）で表されるアントラセン誘導体は発光物質として機能する。

以下、第１の電極１０１、第２の電極１０２、及び第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に設けられた各層について具体的に説明する。

第１の電極１０１と第２の電極１０２とについて特に限定はなく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、２〜２０重量％の酸化亜鉛を含む酸化インジウムの他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等を用いて形成することができる。また、アルミニウムの他、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムとの合金等も第１の電極１０１を形成するのに用いることができる。なお、第１の電極１０１及び第２の電極１０２の形成方法について特に限定はなく、例えばスパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。なお、発光した光を外部に取り出すために、第１の電極１０１と第２の電極１０２のいずれか一または両方は、インジウム錫酸化物等を用いて、若しくは銀、アルミニウム等を数ｎｍ〜数十ｎｍの厚さとなるように成膜して、可視光が透過できるように、形成することが好ましい。

正孔注入層１１１は、第１の電極１０１から正孔輸送層１１２へ正孔の注入を補助する機能を有する層である。正孔注入層１１１を設けることによって、第１の電極１０１と正孔輸送層１１２との間のイオン化ポテンシャルの差が緩和され、正孔が注入され易くなる。正孔注入層１１１は、正孔輸送層１１２を形成している物質よりもイオン化ポテンシャルが小さく、第１の電極１０１を形成している物質よりもイオン化ポテンシャルが大きい物質、または正孔輸送層１１２と第１の電極１０１との間に１〜２ｎｍの薄膜として設けたときにエネルギーバンドが曲がるような物質を用いて形成することが好ましい。正孔注入層１１１を形成するのに用いることのできる物質の具体例として、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等が挙げられる。つまり、正孔注入層１１１におけるイオン化ポテンシャルが正孔輸送層１１２におけるイオン化ポテンシャルよりも相対的に小さくなるような物質を正孔輸送性物質の中から選択することによって、正孔注入層１１１を形成することができる。なお、正孔注入層１１１を設ける場合、第１の電極１０１は、インジウム錫酸化物等の仕事関数の高い物質を用いて形成することが好ましい。

正孔輸送層１１２とは、第１の電極１０１側から注入された正孔を発光層１１３へ輸送する機能を有する層である。このように、正孔輸送層１１２を設けることによって、第１の電極１０１と発光層１１３との距離を離すことができ、その結果、第１の電極１０１等に含まれている金属に起因して発光が消光することを防ぐことができる。正孔輸送層は、正孔輸送性物質を用いて形成することが好ましく、特に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質を用いて形成することが好ましい。なお、正孔輸送性物質とは、電子よりも正孔の移動度が高く、電子の移動度に対する正孔の移動度の比の値（＝正孔移動度／電子移動度）が好ましくは１００よりも大きい物質をいう。正孔輸送層１１２を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＢＰＢ）等が挙げられる。なお、正孔輸送性物質の中でも特にホストとして用いられる物質よりもエネルギーギャップの大きい物質を選択して正孔輸送層１１２を形成することがより好ましい。また、正孔輸送層１１２は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。

発光層１１３は、一般式（７）または（８）で表されるアントラセン誘導体が、該アントラセン誘導体の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有し、また該アントラセン誘導体の有するイオン化ポテンシャルよりも大きいイオン化ポテンシャルを有する物質（ホストと称される）からなる層中に、分散して含まれた層であることが好ましい。これによって、該アントラセン誘導体からの発光が、該アントラセン誘導体自体の濃度に起因して消光してしまうことを防ぐことができる。なお、エネルギーギャップとはＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位との間のエネルギーギャップをいう。

より具体的には、ホストとして用いる物質は、５．４ｅＶよりも大きいイオン化ポテンシャル及び２．８ｅＶよりも大きいエネルギーギャップを有し、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であることが好ましい。このような物質として、例えば、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＣｚＰＡ、及びジフェニルアントラセン等のアントラセン誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアジン誘導体が挙げられる。これらの物質の中から一または二以上の物質を選択して一般式（７）または（８）で表されるアントラセン誘導体が分散状態となるように混合すればよい。発光層１１３をこのような構成とすることによって、一般式（７）または（８）で表されるアントラセン誘導体に効率良く正孔をトラップさせることができ、その結果、発光効率の良い発光素子を得ることができる。また、電子輸送層１１４はエネルギーギャップの小さい物質で形成されることが多く、発光層１１３から励起エネルギーが移動し易いが、発光層１１３を以上のような構成とすることによって、発光層１１３における正孔と電子の再結合領域（発光領域）が正孔輸送層１１２側に形成されるようになり、電子輸送層１１４への励起エネルギーの移動を防ぐことができる。その結果、発光層１１３と異なる層において発光が生じることに起因した色度の低下を防ぐことができる。なお、発光層１１３のように複数の化合物が混合された層は、共蒸着法を用いて形成することができる。ここで、共蒸着とは、一つの処理室内に設けられた複数の蒸着源からそれぞれ原料を気化させ、気化した原料を気相状態で混合し、被処理物上に堆積させる蒸着法をいう。

電子輸送層とは、第２の電極１０２から注入された電子を発光層１１３へ輸送する機能を有する層である。このように、電子輸送層１１４を設けることによって、第２の電極１０２と発光層１１３との距離を離すことができ、その結果、第２の電極１０２等に含まれている金属に起因して発光が消光することを防ぐことができる。電子輸送層は、電子輸送性物質を用いて形成することが好ましく、特に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質を用いて形成することが好ましい。なお、電子輸送性物質とは、正孔よりも電子の移動度が高く、正孔の移動度に対する電子の移動度の比の値（＝電子移動度／正孔移動度）が好ましくは１００よりも大きい物質をいう。電子輸送層１１４を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）等の金属錯体の他、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４−ビス（５−メチルベンズオキサゾル−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）等が挙げられる。なお、電子輸送性物質の中でも特にホストとして用いられる物質よりもエネルギーギャップの大きい物質を選択して電子輸送層１１４を形成することがより好ましい。また、電子輸送層１１４は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。

電子注入層１１５は、第２の電極１０２から電子輸送層１１４へ電子の注入を補助する機能を有する層である。電子注入層１１５は、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＡＺ、ＢｚＯｓ等の電子輸送層１１４を形成するのに用いることのできる物質の中から、電子輸送層１１４の形成に用いる物質よりも電子親和力が相対的に大きい物質を選択して用いることによって形成することができる。このようにして電子注入層１１５を形成することによって第２の電極１０２と電子輸送層１１４との間の電子親和力の差が緩和され、電子が注入され易くなる。また、電子注入層１１５には、Ｌｉ、Ｃｓ等のアルカリ金属、リチウム酸化物（Ｌｉ_２Ｏ）、カリウム酸化物（Ｋ_２Ｏ）、ナトリウム酸化物（Ｎａ_２Ｏ）等のアルカリ金属の酸化物、カルシウム酸化物（ＣａＯ）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）等のアルカリ土類金属の酸化物、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）等のアルカリ金属のフッ化物、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のアルカリ土類金属のフッ化物、またはＭｇ、Ｃａ等のアルカリ土類金属等の無機物が含まれていてもよい。また、電子注入層１１５は以上に述べたような有機物を含む構成であってもよいし、または、ＬｉＦ等のアルカリ金属のフッ化物、またはＣａＦ_２等のアルカリ土類金属のフッ化物等の無機物からなる構成であってもよい。このようにＬｉＦ等のアルカリ金属のフッ化物、またはＣａＦ_２等のアルカリ土類金属のフッ化物等の無機物を用いて１〜２ｎｍの薄膜として電子注入層１１５が設けられることによって電子注入層１１５のエネルギーバンドが曲がる、或いは電子注入層１１５にトンネル電流が流れることにより、第２の電極１０２から電子輸送層１１４へ電子の注入が容易となる。

なお、正孔注入層１１１に換えて正孔発生層が設けられていてもよいし、または電子注入層１１５に換えて電子発生層を設けられていてもよい。

ここで、正孔発生層とは、正孔を発生する層である。正孔輸送性物質の中から選ばれた少なくとも一の物質と、正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質とを混合することによって正孔発生層を形成することができる。ここで、正孔輸送性物質としては、正孔輸送層１１２を形成するのに用いることのできる物質と同様の物質を用いることができる。また、電子受容性を示す物質としては、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物を用いることが好ましい。

また、電子発生層とは、電子を発生する層である。電子輸送性物質の中から選ばれた少なくとも一の物質と、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質とを混合することによって電子発生層を形成することができる。ここで、電子輸送性物質としては電子輸送層１１４を形成するのに用いることのできる物質と同様の物質を用いることができる。また、電子供与性を示す物質としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の中から選ばれた物質、具体的にはリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、マグネシウム（Ｍｇ）等を用いることができる。

以上のような態様の発光素子は、第１の電極１０１を形成後、その上に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５を順に積層させて形成した後、第２の電極１０２を形成する作製方法によって作製することもできるし、または、第２の電極１０２を形成後、その上に、電子注入層１１５、電子輸送層１１４、発光層１１３、正孔輸送層１１２、正孔注入層１１１を順に積層させて形成した後、第１の電極１０１を形成する作製方法によって作製することもできる。なお、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５は、それぞれ、蒸着法、またはインクジェット法、または塗布法等、いずれの方法で形成されていても構わない。また、第１の電極１０１または第２の電極１０２についても、スパッタリング法または蒸着法等、いずれの方法を用いて形成されていても構わない。

以上のような構成を有する本発明の発光素子は、本発明のアントラセン誘導体のようにアントラセン骨格およびアミン骨格を含む化合物を用いて作製されている為、酸化反応の繰り返しによる発光物質の性質の変化に伴った発光素子の特性変化が少なく、長期間、安定な発光を呈することができる。また、本発明のアントラセン誘導体を用いて作製されている為、色度の良い青色の発光を呈することができる。

（実施の形態５）
実施の形態４において説明した本発明の発光素子は、酸化反応の繰り返しに耐性を有し、長期間、良好な状態で発光させることができる為、本発明の発光素子を用いることによって、長期間に渡り、良好な表示画像等を提供することができる発光装置を得ることができる。また、実施の形態４において説明した本発明の発光素子は色度の良い青色の発光を呈することができる為、本発明の発光素子を用いることによって色度の良い青色の発光を呈し、色彩の優れた画像を映す発光装置を得ることができる。

本形態では、表示機能を有する発光装置の回路構成および駆動方法について図２〜５を用いて説明する。

図２は本発明を適用した発光装置を上面からみた模式図である。図２において、基板６５００上には、画素部６５１１と、ソース信号線駆動回路６５１２と、書込用ゲート信号線駆動回路６５１３と、消去用ゲート信号線駆動回路６５１４とが設けられている。ソース信号線駆動回路６５１２と、書込用ゲート信号線駆動回路６５１３と、消去用ゲート信号線駆動回路６５１４とは、それぞれ、配線群を介して、外部入力端子であるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６５０３と接続している。そして、ソース信号線駆動回路６５１２と、書込用ゲート信号線駆動回路６５１３と、消去用ゲート信号線駆動回路６５１４とは、それぞれ、ＦＰＣ６５０３からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。またＦＰＣ６５０３にはプリント配線基板（ＰＷＢ）６５０４が取り付けられている。なお、駆動回路部は、上記のように必ずしも画素部６５１１と同一基板上に設けられている必要はなく、例えば、配線パターンが形成されたＦＰＣ上にＩＣチップを実装したもの（ＴＣＰ）等を利用し、基板外部に設けられていてもよい。

画素部６５１１には、列方向に延びた複数のソース信号線が行方向に並んで配列している。また、電流供給線が行方向に並んで配列している。また、画素部６５１１には、行方向に延びた複数のゲート信号線が列方向に並んで配列している。また画素部６５１１には、発光素子を含む一組の回路が複数配列している。

図３は、一画素を動作するための回路を表した図である。図３に示す回路には、第１のトランジスタ９０１と第２のトランジスタ９０２と発光素子９０３とが含まれている。

第１のトランジスタ９０１と、第２のトランジスタ９０２とは、それぞれ、ゲート電極と、ドレイン領域と、ソース領域とを含む三端子の素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有する。ここで、ソース領域とドレイン領域とは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソース領域またはドレイン領域であるかを限定することが困難である。そこで、本形態においては、ソースまたはドレインとして機能する領域を、それぞれ第１電極、第２電極と表記する。

ゲート信号線９１１と、書込用ゲート信号線駆動回路９１３とはスイッチ９１８によって電気的に接続または非接続の状態になるように設けられている。また、ゲート信号線９１１と、消去用ゲート信号線駆動回路９１４とはスイッチ９１９によって電気的に接続または非接続の状態になるように設けられている。また、ソース信号線９１２は、スイッチ９２０によってソース信号線駆動回路９１５または電源９１６のいずれかに電気的に接続するように設けられている。そして、第１のトランジスタ９０１のゲートはゲート信号線９１１に電気的に接続している。また、第１のトランジスタの第１電極はソース信号線９１２に電気的に接続し、第２電極は第２のトランジスタ９０２のゲート電極と電気的に接続している。第２のトランジスタ９０２の第１電極は電流供給線９１７と電気的に接続し、第２電極は発光素子９０３に含まれる一の電極と電気的に接続している。なお、スイッチ９１８は、書込用ゲート信号線駆動回路９１３に含まれていてもよい。またスイッチ９１９についても消去用ゲート信号線駆動回路９１４の中に含まれていてもよい。また、スイッチ９２０についてもソース信号線駆動回路９１５の中に含まれていてもよい。

また画素部におけるトランジスタや発光素子等の配置について特に限定はないが、例えば図４の上面図に表すように配置することができる。図４において、第１のトランジスタ１００１の第１電極はソース信号線１００４に接続し、第２の電極は第２のトランジスタ１００２のゲート電極に接続している。また第２トランジスタ１００２の第１電極は電流供給線１００５に接続し、第２電極は発光素子の電極１００６に接続している。ゲート信号線１００３の一部は第１のトランジスタ１００１のゲート電極として機能する。

次に、駆動方法について説明する。図５は時間経過に伴ったフレームの動作について説明する図である。図５において、横方向は時間経過を表し、縦方向はゲート信号線の走査段数を表している。

本発明の発光装置を用いて画像表示を行うとき、表示期間においては、画面の書き換え動作と表示動作とが繰り返し行われる。この書き換え回数について特に限定はないが、画像をみる人がちらつき（フリッカ）を感じないように少なくとも１秒間に６０回程度とすることが好ましい。ここで、一画面（１フレーム）の書き換え動作と表示動作を行う期間を１フレーム期間という。

１フレーム期間は、図５に示すように、書き込み期間５０１ａ、５０２ａ、５０３ａ、５０４ａと保持期間５０１ｂ、５０２ｂ、５０３ｂ、５０４ｂとを含む４つのサブフレーム５０１、５０２、５０３、５０４に時分割されている。発光するための信号を与えられた発光素子は、保持期間において発光状態となっている。各々のサブフレームにおける保持期間の長さの比は、第１のサブフレーム５０１：第２のサブフレーム５０２：第３のサブフレーム５０３：第４のサブフレーム５０４＝２^３：２^２：２^１：２^０＝８：４：２：１となっている。これによって４ビット階調を表現することができる。但し、ビット数及び階調数はここに記すものに限定されず、例えば８つのサブフレームを設け８ビット階調を行えるようにしてもよい。

１フレーム期間における動作について説明する。まず、サブフレーム５０１において、１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。従って、行によって書き込み期間の開始時間が異なる。書き込み期間５０１ａが終了した行から順に保持期間５０１ｂへと移る。当該保持期間において、発光するための信号を与えられている発光素子は発光状態となっている。また、保持期間５０１ｂが終了した行から順に次のサブフレーム５０２へ移り、サブフレーム５０１の場合と同様に１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。以上のような動作を繰り返し、サブフレーム５０４の保持期間５０４ｂ迄終了する。サブフレーム５０４における動作を終了したら次のフレームへ移る。このように、各サブフレームにおいて発光した時間の積算時間が、１フレームにおける各々の発光素子の発光時間となる。この発光時間を発光素子ごとに変えて一画素内で様々に組み合わせることによって、明度および色度の異なる様々な表示色を形成することができる。

サブフレーム５０４のように、最終行目までの書込が終了する前に、既に書込を終え、保持期間に移行した行における保持期間を強制的に終了させたいときは、保持期間５０４ｂの後に消去期間５０４ｃを設け、強制的に非発光の状態となるように行を制御することが好ましい。そして、強制的に非発光状態にした行については、一定期間、非発光の状態を保つ（この期間を非発光期間５０４ｄとする）。そして、最終行目の書込期間が終了したら直ちに、一行目から順に次の（またはフレーム）の書込期間に移行する。これによって、サブフレーム５０４の書き込み期間と、その次のサブフレームの書き込み期間とが重畳することを防ぐことができる。

なお、本形態では、サブフレーム５０１乃至５０４は保持期間の長いものから順に並んでいるが、必ずしも本形態のような並びにする必要はなく、例えば保持期間の短いものから順に並べられていてもよいし、または保持期間の長いものと短いものとがランダムに並んでいてもよい。また、サブフレームは、さらに複数のフレームに分割されていてもよい。つまり、同じ映像信号を与えている期間、ゲート信号線の走査を複数回行ってもよい。

ここで、書込期間および消去期間における、図３で示す回路の動作について説明する。

まず書込期間における動作について説明する。書込期間において、ｎ行目（ｎは自然数）のゲート信号線９１１は、スイッチ９１８を介して書込用ゲート信号線駆動回路９１３と電気的に接続し、消去用ゲート信号線駆動回路９１４とは非接続である。また、ソース信号線９１２はスイッチ９２０を介してソース信号線駆動回路９１５と電気的に接続している。ここで、ｎ行目（ｎは自然数）のゲート信号線９１１に接続した第１のトランジスタ９０１のゲートに信号が入力され、第１のトランジスタ９０１はオンとなる。そして、この時、１列目から最終列目迄のソース信号線９１２に同時に映像信号が入力される。なお、各列のソース信号線９１２から入力される映像信号は互いに独立したものである。ソース信号線９１２から入力された映像信号は、各々のソース信号線９１２に接続した第１のトランジスタ９０１を介して第２のトランジスタ９０２のゲート電極に入力される。この時第２のトランジスタ９０２に入力された信号によって、発光素子９０３は発光または非発光が決まる。例えば、第２のトランジスタ９０２がＰチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＬｏｗ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３が発光する。一方、第２のトランジスタ９０２がＮチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＨｉｇｈ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３が発光する。

次に消去期間における動作について説明する。消去期間において、ｎ行目（ｎは自然数）のゲート信号線９１１は、スイッチ９１９を介して消去用ゲート信号線駆動回路９１４と電気的に接続し、書込用ゲート信号線駆動回路９１３とは非接続である。また、ソース信号線９１２はスイッチ９２０を介して電源９１６と電気的に接続している。ここで、ｎ行目のゲート信号線９１１に接続した第１のトランジスタ９０１のゲートに信号が入力され、第１のトランジスタ９０１はオンとなる。そして、この時、１列目から最終列目迄のソース信号線に同時に消去信号が入力される。ソース信号線９１２から入力された消去信号は、各々のソース信号線に接続した第１のトランジスタ９０１を介して第２のトランジスタ９０２のゲート電極に入力される。この時第２のトランジスタ９０２に入力された信号によって、電流供給線９１７から発光素子９０３への電流の供給が阻止される。そして、発光素子９０３は強制的に非発光となる。例えば、第２のトランジスタ９０２がＰチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＨｉｇｈ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３は非発光となる。一方、第２のトランジスタ９０２がＮチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＬｏｗ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３は非発光となる。

なお、消去期間では、ｎ行目（ｎは自然数）については、以上に説明したような動作によって消去する為の信号を入力する。しかし、前述のように、ｎ行目が消去期間であると共に、他の行（ｍ行目（ｍは自然数）とする）については書込期間となる場合がある。このような場合、同じ列のソース信号線を利用してｎ行目には消去の為の信号を、ｍ行目には書込の為の信号を入力する必要があるため、以下に説明するように動作させることが好ましい。

先に説明した消去期間における動作によって、ｎ行目の発光素子９０３が非発光となった後、直ちに、ゲート信号線９１１と消去用ゲート信号線駆動回路９１４とを非接続の状態とすると共に、スイッチ９２０を切り替えてソース信号線９１２とソース信号線駆動回路９１５と接続させる。そして、ソース信号線９１２とソース信号線駆動回路９１５とを接続させる共に、ゲート信号線と書込用ゲート信号線駆動回路９１３とを接続させる。そして、書込用ゲート信号線駆動回路９１３からｍ行目のゲート信号線９１１に選択的に信号が入力され、第１のトランジスタ９０１がオンすると共に、ソース信号線駆動回路９１５からは、１列目から最終列目迄のソース信号線９１２に書込の為の信号が入力される。この信号によって、ｍ行目の発光素子は、発光または非発光となる。

以上のようにしてｍ行目について書込期間を終えたら、直ちに、ｎ＋１行目の消去期間に移行する。その為に、ゲート信号線９１１と書込用ゲート信号線駆動回路９１３を非接続とすると共に、スイッチ９２０を切り替えてソース信号線９１２を電源９１６と接続する。また、ゲート信号線と書込用ゲート信号線駆動回路９１３を非接続とすると共に、ゲート信号線については、消去用ゲート信号線駆動回路９１４と接続状態にする。そして、消去用ゲート信号線駆動回路９１４からｎ＋１行目のゲート信号線に選択的に信号を入力して第１のトランジスタ９０１に信号をオンする共に、電源９１６から消去信号が入力される。このようにして、ｎ＋１行目の消去期間を終えたら、直ちに、ｍ＋１行目の書込期間に移行する。以下、同様に、消去期間と書込期間とを繰り返し、最終行目の消去期間まで動作させればよい。

なお、本形態では、ｎ行目の消去期間とｎ＋１行目の消去期間との間にｍ行目の書込期間を設ける態様について説明したが、これに限らず、ｎ−１行目の消去期間とｎ行目の消去期間との間にｍ行目の書込期間を設けてもよい。

また、本形態では、サブフレーム５０４のように非発光期間５０４ｄを設けるときにおいて、消去用ゲート信号線駆動回路９１４と或る一のゲート信号線とを非接続状態にすると共に、書込用ゲート信号線駆動回路９１３と他のゲート信号線とを接続状態にする動作を繰り返している。このような動作は、特に非発光期間を設けないフレームにおいて行っても構わない。

（実施の形態６）
本発明の発光素子を含む発光装置の一態様について、図６の断面図を用いて説明する。

図６において、点線で囲まれている四角の部分は、本発明の発光素子１２を駆動するために設けられているトランジスタ１１である。発光素子１２は、実施の形態４で説明したような、第１の電極１３と第２の電極１４との間に発光層１５を有し、該発光層１５において本発明のカルバゾール誘導体を用いて製造された本発明のアントラセン誘導体を発光物質として含む発光素子である。トランジスタ１１のドレインと第１の電極１３とは、第１層間絶縁膜１６（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ）を貫通している配線１７によって電気的に接続されている。また、発光素子１２は、隔壁層１８によって、隣接して設けられている別の発光素子と分離されている。このような構成を有する本発明の発光装置は、本形態において、基板１０上に設けられている。

なお、図６に示されたトランジスタ１１は、半導体層を中心として基板と逆側にゲート電極が設けられたトップゲート型のものである。但し、トランジスタ１１の構造については、特に限定はなく、例えばボトムゲート型のものでもよい。またボトムゲートの場合には、チャネルを形成する半導体層の上に保護膜が形成されたもの（チャネル保護型）でもよいし、或いはチャネルを形成する半導体層の一部が凹状になったもの（チャネルエッチ型）でもよい。

また、トランジスタ１１を構成する半導体層は、結晶性、非結晶性のいずれのものでもよい。また、セミアモルファス等でもよい。

なお、セミアモルファス半導体とは、次のようなものである。非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるものである。また少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶粒を含んでいる。ラマンスペクトルが５２０ｃｍ^−１よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。セミアモルファス半導体は、未結合手（ダングリングボンド）を終端するために水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。セミアモルファス半導体は、所謂微結晶半導体（マイクロクリスタル半導体）とも言われている。ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＦ_４の中から選ばれた気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。これらの気体をＨ_２、又は、Ｈ_２とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は２〜１０００倍の範囲とする。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚとする。基板加熱温度は３００℃以下でよく、好ましくは１００〜２５０℃とする。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０^２０／ｃｍ^３以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０^１９／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１９／ｃｍ^３以下とする。

また、半導体層が結晶性のものの具体例としては、単結晶または多結晶性の珪素、或いはシリコンゲルマニウム等から成るものが挙げられる。これらはレーザー結晶化によって形成されたものでもよいし、例えばニッケル等を用いた固相成長法による結晶化によって形成されたものでもよい。

なお、半導体層が非晶質の物質、例えばアモルファスシリコンで形成される場合には、トランジスタ１１およびその他のトランジスタ（発光素子を駆動するための回路を構成するトランジスタ）は全てＮチャネル型トランジスタで構成された回路を有する発光装置であることが好ましい。それ以外については、Ｎチャネル型またはＰチャネル型のいずれか一のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよいし、両方のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよい。

さらに、第１層間絶縁膜１６は、図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように多層でもよいし、または単層でもよい。なお、第１層間絶縁膜１６ａは酸化珪素や窒化珪素のような無機物から成り、第１層間絶縁膜１６ｂはアクリルやシロキサン（シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、フルオロ基または水素または有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）を有する）または塗布成膜可能な酸化珪素等の物質から成る。さらに、第１層間絶縁膜１６ｃはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第１層間絶縁膜１６は、無機膜または有機膜の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。

隔壁層１８は、エッジ部において、曲率半径が連続的に変化する形状であることが好ましい。また隔壁層１８は、アクリルやシロキサン、レジスト、酸化珪素等を用いて形成される。なお隔壁層１８は、無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよいし、または両方を用いて形成されたものでもよい。

なお、図６（Ａ）、（Ｃ）では、第１層間絶縁膜１６のみがトランジスタ１１と発光素子１２の間に設けられた構成であるが、図６（Ｂ）のように、第１層間絶縁膜１６（１６ａ、１６ｂ）の他、第２層間絶縁膜１９（１９ａ、１９ｂ）が設けられた構成のものであってもよい。図６（Ｂ）に示す発光装置においては、第１の電極１３は第２層間絶縁膜１９を貫通し、配線１７と接続している。

第２層間絶縁膜１９は、第１層間絶縁膜１６と同様に、多層でもよいし、または単層でもよい。第２層間絶縁膜１９ａはアクリルやシロキサン、または塗布成膜可能な酸化珪素等の物質から成る。さらに、第２層間絶縁膜１９ｂはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第２層間絶縁膜１９は、無機膜または有機膜の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。

発光素子１２において、第１の電極および第２の電極がいずれも透光性を有する物質で構成されている場合、図６（Ａ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側と第２の電極１４側の両方から発光を取り出すことができる。また、第２の電極１４のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図６（Ｂ）の白抜きの矢印で表されるように、第２の電極１４側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第１の電極１３は反射率の高い材料で構成されているか、または反射率の高い材料から成る膜（反射膜）が第１の電極１３の下方に設けられていることが好ましい。また、第１の電極１３のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図６（Ｃ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第２の電極１４は反射率の高い材料で構成されているか、または反射膜が第２の電極１４の上方に設けられていることが好ましい。

また、発光素子１２は、第１の電極１３の電位よりも第２の電極１４の電位が高くなるように電圧を印加したときに動作するように発光層１５が積層されたものであってもよいし、或いは、発光素子１２は、第１の電極１３の電位よりも第２の電極１４の電位が低くなるように電圧を印加したときに動作するように発光層１５が積層されたものであってもよい。前者の場合、トランジスタ１１はＮチャネル型トランジスタであり、後者の場合、トランジスタ１１はＰチャネル型トランジスタである。

以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブ型の発光装置について説明したが、この他、トランジスタ等の駆動用の素子を特に設けずに発光素子を駆動させるパッシブ型の発光装置であってもよい。図７には本発明を適用して作製したパッシブ型の発光装置の斜視図を示す。図７において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間に、芳香族炭化水素と金属酸化物とを含む層および発光層等を含む多層構造の層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブ型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する本発明の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。

（実施の形態７）
本発明の発光素子用材料用いて作製された発光素子を有する発光装置は、酸化反応の繰り返しに耐性を有し、長期間、良好な状態で発光動作させることができる。従って、そのような本発明の発光装置を表示部若しくは照明部に用いることで、長期間に渡り良好な表示画像を提供できる電子機器、あるいは長期間に渡り良好に照明させることのできる電子機器を得ることができる。

本発明を適用した発光装置を実装した電子機器の一実施例を図８に示す。

図８（Ａ）は、本発明を適用して作製したパーソナルコンピュータであり、本体５５２１、筐体５５２２、表示部５５２３、キーボード５５２４などによって構成されている。実施の形態１、２で説明したような本発明の発光素子を画素として用いた発光装置（例えば実施の形態３、４で説明したよう構成を含む発光装置）を表示部として組み込むことで、表示部における欠陥が少なく表示画像の誤認がなく、また色彩の優れた表示画像を提供できるパーソナルコンピュータを完成できる。また、本発明の発光素子を光源として用いた発光装置を、バックライトとして組み込んでもパーソナルコンピュータを完成させることができる。具体的には、図９に示すように、筐体５５１１と筐体５５１４とに液晶装置５５１２と発光装置５５１３とが嵌め込まれた照明装置を表示部として組み込めばよい。なお、図９において、液晶装置５５１２には外部入力端子５５１５が装着されており、発光装置５５１３には、外部入力端子５５１６が装着されている。

図８（Ｂ）は、本発明を適用して作製した電話機であり、本体５５５２には表示部５５５１と、音声出力部５５５４、音声入力部５５５５、操作スイッチ５５５６、５５５７、アンテナ５５５３等によって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことで、表示部における欠陥が少なく表示画像の誤認がなく、また色彩の優れた表示画像を提供できる電話機を完成できる。

図８（Ｃ）は、本発明を適用して作製したテレビ受像機であり、表示部５５３１、筐体５５３２、スピーカー５５３３などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことで、表示部における欠陥が少なく表示画像の誤認がなく、また色彩の優れた表示画像を提供できるテレビ受像機を完成できる。

以上のように本発明の発光装置は、各種電子機器の表示部として用いるのに非常に適している。なお、電子機器は、本形態で述べたものに限定されるものではなく、ナビゲーション装置等、その他の電子機器であってもよい。

以下に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。

本発明のカルバゾール誘導体の実施例の一として、構造式（１）で表されるカルバゾール誘導体の合成について説明する。

まず、Ｎ−（４−ブロモフェニル）カルバゾールの合成方法について説明する。１，４−ジブロモベンゼンを５６．３ｇ（０．２４ｍｏｌ）、カルバゾールを３１．３ｇ（０．１８ｍｏｌ）、よう化銅（Ｉ）を４．６ｇ（０．０２４ｍｏｌ）、炭酸カリウムを６６．３ｇ（０．４８ｍｏｌ）、１８−クラウン−６−エーテルを２．１ｇ（０．００８ｍｏｌ）、３００ｍＬの三口フラスコに入れ窒素置換し、ＤＭＰＵを８ｍＬ加え、１８０℃で６時間撹拌した。反応混合物を室温まで冷ましてから、吸引ろ過により沈殿物を除去し、ろ液を希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムにより乾燥した。乾燥後、反応混合物を自然ろ過濃縮し、得られた油状物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１）により精製し、クロロホルム、ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の淡褐色プレート状結晶を２０．７ｇ、収率３５％で得た。

この化合物の^１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）δｐｐｍ：８．１４（ｄ，δ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．７３（ｄ，δ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），７．４６（ｄ，δ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．４２−７．２６（ｍ，６Ｈ）。

また、Ｎ−（４−ブロモフェニル）カルバゾールの合成スキーム（ｄ−１）を次に示す。

次に、Ｎ−（４−ブロモフェニル）カルバゾールを５．４ｇ（１７．０ｍｍｏｌ）、アニリンを１．８ｍＬ（２０．０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（略称：Ｐｄ（ｄｂａ）_２）を１００ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（略称：ｔｅｒｔ−ＢｕＯＮａ）３．９ｇ（４０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬの三口フラスコに入れ窒素置換し、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１０％ヘキサン溶液）（略称：Ｐ（ｔｅｒｔ−Ｂｕ）_３）を０．１ｍＬ、トルエン５０ｍＬを加えて、８０℃、６時間撹拌した。反応混合物を、フロリジール、セライト、アルミナを通してろ過し、ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。反応混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１）により精製したところ目的物を４．１ｇ、収率７３％で得た。核磁気共鳴法（^１Ｈ−ＮＭＲ）によって、この化合物が９−［４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル］カルバゾール（略称：ＹＧＡ）であることを確認した。

この化合物の^１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。また、^１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）における６．７ｐｐｍ〜８．６ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）δｐｐｍ：８．４７（ｓ，１Ｈ），８．２２（ｄ，δ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．４４−７．１６（ｍ，１４Ｈ），６．９２−６．８７（ｍ，１Ｈ）。

また、９−［４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル］カルバゾールの合成スキーム（ｄ−２）を次に示す。

実施例１によって得られたカルバゾール誘導体を用いた本発明のアントラセン誘導体の合成について説明する。

［ステップ１：９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの合成］
窒素気流下、５．０ｇの１，４−ジブロモベンゼンの乾燥エーテル溶液（２００ｍＬ）に、−７８℃において、１．５８ｍｏｌ／Ｌのブチルリチウムヘキサン溶液（１３．４ｍＬ）を滴下した。滴下終了後、同温度にて１時間攪拌した。−７８℃にて２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン（２．８０ｇ）の乾燥エーテル溶液（４０ｍＬ）を滴下し、その後反応溶液をゆっくり室温まで昇温した。およそ１２時間程度室温で攪拌した後、水を加え、酢酸エチルで水層を抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、濾過、濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒、ヘキサン−酢酸エチル）によって精製し、化合物を５．５ｇの重量で得た。

得られた化合物を核磁気共鳴法（^１Ｈ−ＮＭＲ）によって測定したところ、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジヒドロキシ−９，１０−ジヒドロアントラセンであることが確認できた。

この化合物の^１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）；δ＝１．３１（ｓ，９Ｈ）、２．８１（ｓ，１Ｈ）、２．８６（ｓ，１Ｈ）、６．８２−６．８６（ｍ，４Ｈ）、７．１３−７．１６（ｍ，４Ｈ）、７．３６−７．４３（ｍ，３Ｈ）、７．５３−７．７０（ｍ，４Ｈ）。

また、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジヒドロキシ−９，１０−ジヒドロアントラセンの合成スキーム（ｅ−１）を次に示す。

大気下、上記のようにして合成した９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジヒドロキシ−９，１０−ジヒドロアントラセン９８７ｍｇ（１．５５ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム６６４ｍｇ（４ｍｍｏｌ）、ホスフィン酸ナトリウム一水和物を１．４８ｇ（１４ｍｍｏｌ）を、氷酢酸１２ｍＬにて懸濁し、２時間還流加熱撹拌した。室温まで冷ましたのち、生じた析出物を濾過し、メタノール約５０ｍＬで洗浄し、ろ物を得た。ろ物を乾燥させて淡黄色粉末の化合物７００ｍｇを得た。収率は８２％だった。この化合物を核磁気共鳴法（^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ）によって測定したところ、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンであることが確認できた。

この化合物の^１Ｈ−ＮＭＲと^１３Ｃ−ＮＭＲとを次に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）；δ＝１．２８（ｓ，９Ｈ）、７．２５−７．３７（ｍ，６Ｈ）、７．４４−７．４８（ｍ，１Ｈ）、７．５６−７．６５（ｍ，４Ｈ）、７．７１−７．７６（ｍ，４Ｈ）。

^１３Ｃ−ＮＭＲ（７４ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）；δ＝３０．８、３５．０、１２０．８、１２１．７、１２１．７、１２４．９、１２５．０、１２５．２、１２６．４、１２６．６、１２６．６、１２８．３、１２９．４、１２９．７、１２９．９、１３１．６、１３１．６、１３３．０、１３３．０、１３５．５、１３５．７、１３８．０、１３８．１、１４７．８。

また、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの合成スキーム（ｅ−２）を次に示す。

［ステップ２：ＹＧＡＢＰＡの合成］
窒素下で、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンを５４０ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、実施例１により合成した９−［４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル］カルバゾール（略称：ＹＧＡ）を６７０ｍｇ（２．０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を１２ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１１０ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド６００ｍｇ（６．２ｍｍｏｌ）の混合物に脱水トルエン１０ｍＬを加えた。これを窒素雰囲気下で９０℃、５時間加熱撹拌した。反応終了後、反応混合物にトルエン約１００ｍＬを加え、これをフロリジール、アルミナ、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：１）にて精製し、ジクロロメタン−ヘキサンで再結晶を行ったところ５００ｍｇの黄緑色粉末を得た（収率４８％）。核磁気共鳴法（^１Ｈ−ＮＭＲ）によって、この黄緑色粉末が９，１０−ビス（４−｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝フェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ＹＧＡＢＰＡ）であることを確認した。

この化合物の^１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。また、^１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）における７ｐｐｍ〜８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）δｐｐｍ：８．２５（ｓ，４Ｈ），７．８７−７．１６（ｍ，３５Ｈ），１．２８（ｓ，９Ｈ）。

また、ＹＧＡＢＰＡの合成スキーム（ｅ−３）を次に示す。

また、ＹＧＡＢＰＡの吸収スペクトルを図１２に示す。図１２において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。また、図１２において、（ａ）は単膜状態における吸収スペクトルであり、（ｂ）はトルエンに溶解させた状態における吸収スペクトルである。また、ＹＧＡＢＰＡの発光スペクトルを図１３に示す。図１３において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。また、（ａ）は、単膜状態における発光スペクトル（励起波長３５８ｎｍ）であり、（ｂ）はトルエンに溶解させた状態における発光スペクトル（励起波長３５８ｎｍ）である。図１３から、ＹＧＡＢＰＡからの発光は、単膜状態において４７４ｎｍにピークを有し、トルエン中において４６０ｎｍにピークを有することが分かる。そしてこれらの発光は、青色系の発光色として視認された。このように、ＹＧＡＢＰＡは、青色系の発光を呈する発光物質として適する物質であることが分かった。

また、得られたＹＧＡＢＰＡを蒸着法によって成膜し、薄膜状態におけるＹＧＡＢＰＡのイオン化ポテンシャルを、光電子分光装置（理研計器社製、ＡＣ−２）を用いて測定したところ、５．４４ｅＶであった。また、薄膜状態におけるＹＧＡＢＰＡの吸収スペクトルを、ＵＶ・可視光分光光度計（日本分光社製、Ｖ−５５０）を用いて測定し、吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長をエネルギーギャップ（２．８６ｅＶ）とし、ＬＵＭＯ準位を求めたところ、ＬＵＭＯ準位は−２．５８ｅＶであった。

さらに、得られたＹＧＡＢＰＡの分解温度Ｔ_ｄを示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）により測定したところ、Ｔ_ｄは５００℃以上であり、良好な耐熱性を示すことが分かった。

また、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定により、ＹＧＡＢＰＡの酸化還元反応特性について調べた。なお測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。

ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象であるＹＧＡＢＰＡを１ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、基準電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。

酸化反応特性については次のようにして調べた。
基準電極に対する作用電極の電位を０．２０Ｖから０．８０Ｖまで変化させた後、０．８０Ｖから０．２０Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

還元反応特性については次のようにして調べた。
基準電極に対する作用電極の電位を−０．９０Ｖから−２．６０Ｖまで変化させた後、−２．６０Ｖから−０．９０Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

ＹＧＡＢＰＡの酸化反応特性について調べた結果を図１４（Ａ）に示す。また、ＹＧＡＢＰＡの還元反応特性について調べた結果を図１４（Ｂ）に示す。図１４（Ａ）、（Ｂ）において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位（Ｖ）を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値（１×１０^−５Ａ）を表す。

図１４（Ａ）から酸化電位は０．６１Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋電極）であることが分かった。また、図１４（Ｂ）から還元電位は−２．３６Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋電極）であることが分かった。また、１００サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、酸化反応と還元反応のいずれについてもＣＶ曲線のピーク位置やピーク強度にほとんど変化が見られない。このことから、本発明のアントラセン誘導体は酸化還元反応に対して極めて安定であることが分かった。

実施例１によって得られたカルバゾール誘導体を用いたアントラセン誘導体の合成について説明する。

［ステップ１：９−フェニル−１０−（４−ブロモフェニル）アントラセン（略称：ＰＡ）の合成］
（ｉ）９−フェニルアントラセンの合成。
９−ブロモアントラセンを５．４ｇ（２１．１ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸を２．６ｇ（２１．１ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（０）を６０ｍｇ（０．２１ｍｍｏｌ）、２ＭのＫ_２ＣＯ_３水溶液を１０ｍＬ（２０ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｏ−ｔｏｌｙｌ）_３を２６３ｍｇ（０．８４ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（略称：ＤＭＥ）を２０ｍＬ混合し、８０℃、９時間撹拌した。反応後、析出した固体を吸引ろ過で回収してから、トルエンに溶かしフロリジール、セライト、アルミナを通してろ過をした。ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。自然ろ過後、ろ液を濃縮したところ目的物である９−フェニルアントラセンの淡褐色固体を２１．５ｇ、収率８５％で得た（合成スキーム（ｆ−１））。

（ｉｉ）９−ブロモ−１０−フェニルアントラセンの合成。
９−フェニルアントラセン６．０ｇ（２３．７ｍｍｏｌ）を四塩化炭素８０ｍＬに溶かし、その反応溶液へ、滴下ロートにより、臭素３．８０ｇ（２１．１ｍｍｏｌ）を四塩化炭素１０ｍＬに溶かした溶液を滴下した。滴下終了後、室温で１時間攪拌した。反応後、チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて反応をストップさせた。有機層をＮａＯＨ水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。自然ろ過後、ろ液を濃縮しトルエンに溶かしフロリジール、セライト、アルミナろ過を行なった。ろ液を濃縮し、ジクロロメタン、ヘキサンにより再結晶を行なったところ、目的物である９−ブロモ−１０−フェニルアントラセンの淡黄色固体を７．０ｇ、収率８９％で得た（合成スキーム（ｆ−２））。

（ｉｉｉ）９−ヨード−１０−フェニルアントラセンの合成。
９−ブロモ−１０−フェニルアントラセン３．３３ｇ（１０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（略称：ＴＨＦ）８０ｍＬに溶かし、−７８℃にしてから、その反応溶液へ滴下ロートにより、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍ）７．５ｍＬ（１２．０ｍｍｏｌ）を滴下し１時間攪拌した。ヨウ素５ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２０ｍＬに溶かした溶液を滴下し、−７８℃でさらに２時間攪拌した。反応後、チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて反応をストップした。有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥した。自然濾過後ろ液を濃縮し、エタノールにより再結晶したところ、目的物である９−ヨード−１０−フェニルアントラセンの淡黄色固体を３．１ｇ、収率８３％で得た（合成スキーム（ｆ−３））。

（ｉｖ）９−フェニル−１０−（４−ブロモフェニル）アントラセン（略称：ＰＡ）の合成。
９−ヨード−１０−フェニルアントラセン１．０ｇ（２．６３ｍｍｏｌ）、ｐ−ブロモフェニルボロン酸５４２ｍｇ（２．７０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（０）４６ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）、２ＭのＫ_２ＣＯ_３水溶液３ｍＬ（６ｍｍｏｌ）、トルエン１０ｍＬを８０℃、９時間撹拌した。反応後、トルエンを加えてからフロリジール、セライト、アルミナを通してろ過をした。ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。自然ろ過後、ろ液を濃縮し、クロロホルム、ヘキサンにより再結晶したところ目的物である９−フェニル−１０−（４−ブロモフェニル）アントラセンの淡褐色固体を５６２ｍｇ、収率４５％で得た（合成スキーム（ｆ−４））。

［ステップ２：ＹＧＡＰＡの合成］
９−フェニル−１０−（４−ブロモフェニル）アントラセン４０９ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、ＹＧＡ３３９ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｂａ）_２（０）６ｍｇ（０．０１ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ＢｕＯＮａ５００ｍｇ（５．２ｍｏｌ）、Ｐ（ｔｅｒｔ−Ｂｕ）_３０．１ｍＬ、トルエン１０ｍＬ、８０℃で４時間攪拌した。反応後、溶液を水で洗浄し、水層をトルエンで抽出し、有機層と併せて飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。自然ろ過後、濃縮し得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝７：３）により精製し、ジクロロメタン、ヘキサンにより再結晶したところ目的物であるＹＧＡＰＡの黄色粉末状固体を５３４ｍｇ、収率８１％で得た（合成スキーム（ｆ−５））。この化合物を核磁気共鳴法（^１Ｈ−ＮＭＲ）によって測定したところ、９−（４−｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝フェニル）−１０−フェニルアントラセンであることが確認できた。

この化合物の^１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。また、^１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１５（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）における６．５ｐｐｍ〜８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）；δ＝７．２２−７．３０（ｍ、４Ｈ）、７．３９−７．４７（ｍ、２１Ｈ）、７．５８−７．６８（ｍ、７Ｈ）、７．７８（ｄ、Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、８．２６（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）。

また、ＹＧＡＰＡの吸収スペクトルを図１６に示す。図１６において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。また、図１６において（ａ）は単膜状態における吸収スペクトルであり、（ｂ）はトルエンに溶解させた状態における吸収スペクトルである。また、ＹＧＡＰＡの発光スペクトルを図１７に示す。図１７において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。また、（ａ）は、単膜状態における発光スペクトル（励起波長３９０ｎｍ）であり、（ｂ）はトルエンに溶解させた状態における発光スペクトル（励起波長３７０ｎｍ）である。図１７から、ＹＧＡＰＡからの発光は、単膜状態において４６１ｎｍにピークを有し、トルエン中において４５４ｎｍにピークを有することが分かる。そしてこれらの発光は、青色系の発光色として視認された。このように、ＹＧＡＰＡは、青色系の発光を呈する発光物質として適する物質であることが分かった。

また、得られたＹＧＡＰＡを蒸着法によって成膜し、薄膜状態におけるＹＧＡＰＡのイオン化ポテンシャルを、光電子分光装置（理研計器社製、ＡＣ−２）を用いて測定したところ、５．５５ｅＶであった。また、薄膜状態におけるＹＧＡＰＡの吸収スペクトルを、ＵＶ・可視光分光光度計（日本分光社製、Ｖ−５５０）を用いて測定し、吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長をエネルギーギャップ（２．９５ｅＶ）とし、ＬＵＭＯ準位を求めたところ、ＬＵＭＯ準位は−２．６０ｅＶであった。

さらに、得られたＹＧＡＰＡの分解温度Ｔ_ｄを示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）により測定したところ、Ｔ_ｄは４０２℃以上であり、良好な耐熱性を示すことが分かった。

また、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定により、ＹＧＡＰＡの酸化還元反応特性について調べた。なお測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。

ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象であるＹＧＡＰＡを１ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、基準電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。

酸化反応特性については次のようにして調べた。
基準電極に対する作用電極の電位を−０．３５Ｖから０．７５Ｖまで変化させた後、０．７５Ｖから−０．３５Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

還元反応特性については次のようにして調べた。
基準電極に対する作用電極の電位を−０．５５Ｖから−２．４Ｖまで変化させた後、−２．４Ｖから−０．０５Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

ＹＧＡＰＡの酸化反応特性について調べた結果を図１８（Ａ）に示す。また、ＹＧＡＰＡの還元反応特性について調べた結果を図１８（Ｂ）に示す。図１８（Ａ）、（Ｂ）において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位（Ｖ）を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値（１×１０^−５Ａ）を表す。

図１８（Ａ）から酸化電位は０．６Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋電極）であることが分かった。また、図１８（Ｂ）から還元電位は−２．２９Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋電極）であることが分かった。また、１００サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、酸化反応と還元反応のいずれについてもＣＶ曲線のピークが明確に観測された。このことから、本発明のアントラセン誘導体は酸化還元反応に対して良好な可逆性を示す物質であり、特に、本発明のカルバゾール誘導体を含むため酸化反応について優れた可逆性を示すことが分かった。つまり、酸化反応の繰り返しに対して耐性があり、物質の変化が起こりにくいことがわかった。

本実施例では、実施例２において合成されたＹＧＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。

図１９に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、第１の電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。

次に、第１の電極３０２が形成された面が下方となるように、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。

次に、真空蒸着装置内を排気し、１０^−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、銅フタロシアニンからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。

次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。

次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＹＧＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＹＧＡＢＰＡとの質量比は１：０．０５＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＹＧＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＹＧＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＹＧＡＢＰＡは発光物質として機能する。

次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ_３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。

次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。

次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。

以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＹＧＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。

この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止した後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

測定結果を図２０、２１に示す。図２０は電圧−輝度特性について、図２１は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図２０において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、図２１において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。

また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図２２に示す。図２２において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図２２より、本実施例の発光素子は４６２ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２０）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。

本実施例では、実施例２において合成されたＹＧＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例４の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例４の説明に用いた図１９を参照して説明する。

図１９に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、第１の電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。

次に、第１の電極３０２が形成された面が下方となるように、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。

次に、真空蒸着装置内を排気し、１０^−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、銅フタロシアニンからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。

次に、第１の層３０３の上に、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＢＰＢ）から成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。

次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＹＧＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＹＧＡＢＰＡとの質量比は１：０．０５＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＹＧＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＹＧＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＹＧＡＢＰＡは発光物質として機能する。

次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ_３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。

次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。

次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。

以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＹＧＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。

この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止した後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

測定結果を図２３、２４に示す。図２３は電圧−輝度特性について、図２４は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図２３において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、図２４において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。

また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図２５に示す。図２５において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図２５より、本実施例の発光素子は４６５ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２２）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。

本実施例では、実施例２において合成されたＹＧＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例４の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例４の説明に用いた図１９を参照して説明する。

図１９に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、第１の電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。

次に、第１の電極３０２が形成された面が下方となるように、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。

次に、真空蒸着装置内を排気し、１０^−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。

次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。

次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＹＧＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＹＧＡＢＰＡとの質量比は１：０．１＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＹＧＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＹＧＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＹＧＡＢＰＡは発光物質として機能する。

次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ_３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。

次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。

次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。

以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＹＧＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。

この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止した後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

測定結果を図２６、２７に示す。図２６は電圧−輝度特性について、図２７は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図２６において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、図２７において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。

また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図２８に示す。図２８において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図２８より、本実施例の発光素子は４７５ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１８，０．２７）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。

本実施例では、実施例２において合成されたＹＧＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例４の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例４の説明に用いた図１９を参照して説明する。

図１９に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、第１の電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。

次に、第１の電極３０２が形成された面が下方となるように、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。

次に、真空蒸着装置内を排気し、１０^−４Ｐａとなるように減圧した後、第１の電極３０２上に、ＮＰＢとモリブデン酸化物とを含む第１の層３０３を共蒸着法によって形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにし、ＮＰＢとモリブデン酸化物との質量比は４：２＝ＮＰＢ：モリブデン酸化物となるようにした。なお、蒸着材料としては、特に三酸化モリブデンを用いた。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔発生層として機能する層である。

次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。

次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＹＧＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＹＧＡＢＰＡとの質量比は１：０．１＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＹＧＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＹＧＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＹＧＡＢＰＡは発光物質として機能する。

次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ_３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。

次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。

次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。

以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＹＧＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。

この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止した後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

測定結果を図２９、３０に示す。図２９は電圧−輝度特性について、図３０は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図２９において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、図３０において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。

また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３１に示す。図３１において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３１より、本実施例の発光素子は４６５ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１８，０．２２）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。

本実施例では、実施例２において合成されたＹＧＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例４の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例４の説明に用いた図１９を参照して説明する。

図１９に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。

次に、第１の電極３０２が形成された面が下方となるように、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。

次に、真空蒸着装置内を排気し、１０^−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、銅フタロシアニンからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。

次に、第１の層３０３の上に、ＢＳＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。

次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＹＧＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＹＧＡＢＰＡとの質量比は１：０．１＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＹＧＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＹＧＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＹＧＡＢＰＡは発光物質として機能する。

次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ_３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。

次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。

次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。

以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＹＧＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。

この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止した後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

測定結果を図３２、３３に示す。図３２は電圧−輝度特性について、図３３は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図３２において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、図３３において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。

また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３４に示す。図３４において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３４より、本実施例の発光素子は４５９ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．１５）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。

本実施例では、実施例２において合成されたＹＧＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例４の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例４の説明に用いた図１９を参照して説明する。

図１９に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。

次に、第１の電極３０２が形成された面が下方となるように、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。

次に、真空蒸着装置内を排気し、１０^−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。

次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。

次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＹＧＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＹＧＡＢＰＡとの質量比は１：０．１＝ＣｚＰＡ：ＹＧＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＹＧＡＢＰＡはＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＹＧＡＢＰＡは発光物質として機能する。また、ＣｚＰＡは、下記構造式（１０）で表される物質である。

次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ_３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。

次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。

次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。

以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＹＧＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。

この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止した後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

測定結果を図３５、３６に示す。図３５は電圧−輝度特性について、図３６は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図３５において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、図３６において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。

また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３７に示す。図３７において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３７より、本実施例の発光素子は４７４ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．２４）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。

本実施例では、実施例２において合成されたＹＧＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例４の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例４の説明に用いた図１９を参照して説明する。

図１９に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。

次に、第１の電極３０２が形成された面が下方となるように、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。

次に、真空蒸着装置内を排気し、１０^−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＮＰＢとモリブデン酸化物とを含む第１の層３０３を共蒸着法によって形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにし、ＮＰＢとモリブデン酸化物との質量比は４：２＝ＮＰＢ：モリブデン酸化物となるようにした。なお、蒸着材料としては、特に三酸化モリブデンを用いた。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔発生層として機能する層である。

次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。

次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＹＧＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＹＧＡＢＰＡとの質量比は１：０．１＝ＣｚＰＡ：ＹＧＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＹＧＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＹＧＡＢＰＡは発光物質として機能する。

次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ_３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。

次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。

次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。

以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＹＧＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。

この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止した後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

測定結果を図３８、３９に示す。図３８は電圧−輝度特性について、図３９は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図３８において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、図３９において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。

また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図４０に示す。図４０において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図４０より、本実施例の発光素子は４６６ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２１）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。

本実施例では、実施例３において合成されたＹＧＡＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例４の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例４の説明に用いた図１９を参照して説明する。

図１９に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。

次に、第１の電極３０２が形成された面が下方となるように、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。

次に、真空蒸着装置内を排気し、１０^−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。

次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。

次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＹＧＡＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＹＧＡＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＣｚＰＡ：ＹＧＡＰＡとなるようにした。これによって、ＹＧＡＰＡはＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＹＧＡＰＡは発光物質として機能する。

次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ_３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。

次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ_３とリチウム（Ｌｉ）とを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにし、Ａｌｑ_３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ_３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに電子発生層として機能する層である。

次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。

以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＹＧＡＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。

この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止した後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

測定結果を図４１、４２に示す。図４１は電圧−輝度特性について、図４２は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図４１において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、図４２において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。

また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図４３に示す。図４３において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図４３より、本実施例の発光素子は４５６ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．１７）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。

本実施例では、実施例２において合成されたＹＧＡＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例４の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例４の説明に用いた図１９を参照して説明する。

図１９に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。

次に、第１の電極３０２が形成された面が下方となるように、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。

次に、真空蒸着装置内を排気し、１０^−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＮＰＢとモリブデン酸化物とを含む第１の層３０３を共蒸着法によって形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにし、ＮＰＢとモリブデン酸化物との質量比は４：２＝ＮＰＢ：モリブデン酸化物となるようにした。なお、蒸着材料としては、特に三酸化モリブデンを用いた。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔発生層として機能する層である。

次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。

次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＹＧＡＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＹＧＡＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＣｚＰＡ：ＹＧＡＰＡとなるようにした。これによって、ＹＧＡＰＡはＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＹＧＡＰＡは発光物質として機能する。

次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ_３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。

次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ_３とリチウム（Ｌｉ）とを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにし、Ａｌｑ_３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ_３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに電子発生層として機能する層である。

次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。

以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＹＧＡＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。

この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止した後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

測定結果を図４４、４５に示す。図４４は電圧−輝度特性について、図４５は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図４４において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、図４５において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。

また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図４６に示す。図４６において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図４６より、本実施例の発光素子は４５２ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．１４）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。

本実施例では、実施例２において合成されたＹＧＡＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例４の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例４の説明に用いた図１９を参照して説明する。

図１９に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。

次に、第１の電極３０２が形成された面が下方となるように、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。

次に、真空蒸着装置内を排気し、１０^−４Ｐａとなるように減圧した後、第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤとモリブデン酸化物とを含む第１の層３０３を共蒸着法によって形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにし、ＤＮＴＰＤとモリブデン酸化物との質量比は４：２＝ＤＮＴＰＤ：モリブデン酸化物となるようにした。なお、蒸着材料としては、特に三酸化モリブデンを用いた。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔発生層として機能する層である。

次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。

次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＹＧＡＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＹＧＡＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＣｚＰＡ：ＹＧＡＰＡとなるようにした。これによって、ＹＧＡＰＡはＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＹＧＡＰＡは発光物質として機能する。

次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ_３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。

次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ_３とリチウム（Ｌｉ）とを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにし、Ａｌｑ_３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ_３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに電子発生層として機能する層である。

次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。

以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＹＧＡＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。

この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止した後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

測定結果を図４７、４８に示す。図４７は電圧−輝度特性について、図４８は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図４７において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、図４８において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。

また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図４９に示す。図４９において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図４９より、本実施例の発光素子は４５３ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．１６）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。

本発明の発光素子の態様について説明する図。 本発明の発光装置の態様について説明する図。 本発明の発光装置に含まれる回路について説明する図。 本発明の発光装置の態様について説明する上面図。 本発明の発光装置のフレーム動作の態様について説明する図。 本発明の発光装置に含まれる回路の態様について説明する図。 本発明の発光装置の態様について説明する断面図。 本発明の電子機器の態様について説明する図。 本発明の電子機器の態様について説明する図。 実施例１で製造した発光素子用材料の^１Ｈ−ＮＭＲチャート。 実施例２で製造した発光素子用材料の^１Ｈ−ＮＭＲチャート。 実施例２で製造した発光素子用材料の吸収スペクトル。 実施例２で製造した発光素子用材料の発光スペクトル。 実施例２で製造した発光素子用材料のＣＶ測定結果。 実施例３で製造した発光素子用材料の^１Ｈ−ＮＭＲチャート。 実施例３で製造した発光素子用材料の吸収スペクトル。 実施例３で製造した発光素子用材料の発光スペクトル。 実施例３で製造した発光素子用材料のＣＶ測定結果。 実施例で作製した発光素子について説明する図。 実施例４で作製した発光素子の電圧−輝度特性。 実施例４で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。 実施例４で作製した発光素子の発光スペクトル。 実施例５で作製した発光素子の電圧−輝度特性。 実施例５で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。 実施例５で作製した発光素子の発光スペクトル。 実施例６で作製した発光素子の電圧−輝度特性。 実施例６で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。 実施例６で作製した発光素子の発光スペクトル。 実施例７で作製した発光素子の電圧−輝度特性。 実施例７で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。 実施例７で作製した発光素子の発光スペクトル。 実施例８で作製した発光素子の電圧−輝度特性。 実施例８で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。 実施例８で作製した発光素子の発光スペクトル。 実施例９で作製した発光素子の電圧−輝度特性。 実施例９で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。 実施例９で作製した発光素子の発光スペクトル。 実施例１０で作製した発光素子の電圧−輝度特性。 実施例１０で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。 実施例１０で作製した発光素子の発光スペクトル。 実施例１１で作製した発光素子の電圧−輝度特性。 実施例１１で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。 実施例１１で作製した発光素子の発光スペクトル。 実施例１２で作製した発光素子の電圧−輝度特性。 実施例１２で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。 実施例１２で作製した発光素子の発光スペクトル。 実施例１３で作製した発光素子の電圧−輝度特性。 実施例１３で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。 実施例１３で作製した発光素子の発光スペクトル。

符号の説明

１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
３０１ ガラス基板
３０２ 第１の電極
３０３ 第１の層
３０４ 第２の層
３０５ 第３の層
３０６ 第４の層
３０７ 第５の層
３０８ 第２の電極
６５００ 基板
６５０３ ＦＰＣ
６５０４ プリント配線基盤（ＰＷＢ）
６５１１ 画素部
６５１２ ソース信号線駆動回路
６５１３ 書込用ゲート信号線駆動回路
６５１４ 消去用ゲート信号線駆動回路
９０１ 第１のトランジスタ
９０２ 第２のトランジスタ
９０３ 発光素子
９１１ ゲート信号線
９１２ ソース信号線
９１３ 書込用ゲート信号線駆動回路
９１４ 消去用ゲート信号線駆動回路
９１５ ソース信号線駆動回路
９１６ 電源
９１７ 電流供給線
９１８ スイッチ
９１９ スイッチ
９２０ スイッチ
１００１ 第１のトランジスタ
１００２ 第２のトランジスタ
１００３ ゲート信号線
１００４ ソース信号線
１００５ 電流供給線
１００６ 電極
５０１ サブフレーム
５０２ サブフレーム
５０３ サブフレーム
５０４ サブフレーム
５０１ａ 書き込み期間
５０１ｂ 保持期間
５０２ａ 書き込み期間
５０２ｂ 保持期間
５０３ａ 書き込み期間
５０３ｂ 保持期間
５０４ａ 書き込み期間
５０４ｂ 保持期間
５０４ｃ 消去期間
５０４ｄ 非発光期間
１０ 基板
１１ トランジスタ
１２ 発光素子
１３ 第１の電極
１４ 第２の電極
１５ 発光層
１６ 第１層間絶縁膜
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ 第１層間絶縁膜
１７ 配線
１８ 隔壁層
１９ 第２層間絶縁膜
１９ａ、１９ｂ 第２層間絶縁膜
５５２１ 本体
５５２２ 筐体
５５２３ 表示部
５５２４ キーボード
５５５１ 表示部
５５５２ 本体
５５５３ アンテナ
５５５４ 音声出力部
５５５５ 音声入力部
５５５６ 操作スイッチ
５５３１ 表示部
５５３２ 筐体
５５３３ スピーカー
５５１１ 筐体
５５１２ 液晶装置
５５１３ 発光装置
５５１４ 筐体
５５１５ 外部入力端子
５５１６ 外部入力端子
９５１ 基板
９５２ 電極
９５３ 絶縁層
９５４ 隔壁層
９５５ 層
９５６ 電極

Claims (9)

1. 一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体。
   

   

   （式中、Ｒ^１は、水素、および炭素数１以上４以下のアルキル基、および炭素数１以上１２以下のアリール基の中から選ばれるいずれか一を表す。）
2. 構造式（１）で表されるカルバゾール誘導体。
   

   
3. 一般式（２）で表される発光素子用材料。
   

   

   （式中、Ｒ^２は水素または一般式（３）で表される基を表す。
   

   

   また、Ｒ^４、Ｒ^５は、水素、メチルまたはｔｅｒｔ−ブチルのいずれかを表し、少なくとも一方は水素を表す。一般式（２）、（３）において、Ｒ^３は、水素、および炭素数１以上４以下のアルキル基、および炭素数１以上１２以下のアリール基の中から選ばれるいずれか一を表す。）
4. 構造式（２）または構造式（３）で表される発光素子用材料。
   

   

   
5. 電極間に発光層を有し、前記発光層は発光物質とホストとを含み、
   前記発光物質は、一般式（２）で表され、
   前記ホストは、前記発光物質よりも大きいイオン化ポテンシャル及び前記発光物質よりも大きいエネルギーギャップを有する物質である
   ことを特徴とする発光素子。
   

   

   （式中、Ｒ^２は水素または一般式（３）で表される基を表す。
   

   

   また、Ｒ^４、Ｒ^５は、水素、メチルまたはｔｅｒｔ−ブチルのいずれかを表し、少なくとも一方は水素を表す。一般式（２）、（３）において、Ｒ^３は、水素、および炭素数１以上４以下のアルキル基、および炭素数１以上１２以下のアリール基の中から選ばれるいずれか一を表す）。
6. 前記ホストは、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
7. 前記ホストは、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン、またはジフェニルアントラセンのいずれかであることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
8. 請求項５乃至請求項７に記載の発光素子を含むことを特徴とする発光装置。
9. 請求項８に記載の発光装置を表示部または照明部に用いていることを特徴とする電子機器。

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