JPH08109373A - 有機薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
有機薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH08109373A JPH08109373A JP24793094A JP24793094A JPH08109373A JP H08109373 A JPH08109373 A JP H08109373A JP 24793094 A JP24793094 A JP 24793094A JP 24793094 A JP24793094 A JP 24793094A JP H08109373 A JPH08109373 A JP H08109373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- hole transport
- organic thin
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 低電力性と駆動安定性を向上させた有機薄膜
ＥＬ素子とマトリクス型有機ＥＬデバイスの提供。 【構成】 正孔輸送帯が陽極に接する正孔輸送層と発光
層に接するブロッキング層又は陽極に接する正孔注入
層、正孔注入層に接する正孔輸送層、発光層に接するブ
ロッキング層からなる有機薄膜ＥＬ素子において、正孔
輸送層に下記一般式（ＡはＣ１０以下のアルキリデン
基、シクロアルキリデン基等を示し、Ａｒ1 〜Ａｒ6 は
アリーレン基又はアリール基を示し、Ｘ、Ｙは−ＣＲ1
＝Ｃ（Ａｒ7 ）（Ａｒ8 ）で示される置換基を示す。Ａ
ｒ7 、Ａｒ8 はアリール基を示す。）で示されるトリフ
ェニルアミン誘導体を少なくとも一種含む。
ＥＬ素子とマトリクス型有機ＥＬデバイスの提供。 【構成】 正孔輸送帯が陽極に接する正孔輸送層と発光
層に接するブロッキング層又は陽極に接する正孔注入
層、正孔注入層に接する正孔輸送層、発光層に接するブ
ロッキング層からなる有機薄膜ＥＬ素子において、正孔
輸送層に下記一般式（ＡはＣ１０以下のアルキリデン
基、シクロアルキリデン基等を示し、Ａｒ1 〜Ａｒ6 は
アリーレン基又はアリール基を示し、Ｘ、Ｙは−ＣＲ1
＝Ｃ（Ａｒ7 ）（Ａｒ8 ）で示される置換基を示す。Ａ
ｒ7 、Ａｒ8 はアリール基を示す。）で示されるトリフ
ェニルアミン誘導体を少なくとも一種含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機薄膜ＥＬ素子やマト
リクス状に発光画素が配置されてなる有機薄膜ＥＬデバ
イスに関する。
リクス状に発光画素が配置されてなる有機薄膜ＥＬデバ
イスに関する。
【０００２】
【従来の技術】有機薄膜ＥＬ素子は、陽極から注入され
た正孔と陰極から注入された電子が発光層内で再結合
し、励起状態を経て発光する現象を利用するものであ
る。従って、有機薄膜層は発光層の発光材料の性質によ
って種々の素子構成が検討されているが、基本的には強
い蛍光を発する有機発光層を陽極と陰極で挟むことで素
子が完成できる。更に、発光の高効率化や安定駆動のた
めには、正孔輸送帯、電子輸送帯を設けたり、有機発光
層へゲスト分子をドーピングすることが有効とされてい
る。特に、タング（Ｔａｎｇ）とバンスリィク（Ｖａｎ
Ｓｌｙｋｅ）らの新しい構成の有機薄膜ＥＬ素子（アプ
ライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、５１巻、９１３ペー
ジ、１９８７年）は、１０Ｖ以下の駆動電圧で、１００
０ｃｄ／ｍ2 以上の輝度、最高効率が１．５１ｍ／Ｗの
発光が得られている。これは、適切な材料と素子構成の
選択によって、有機薄膜ＥＬ素子を高効率・高輝度に発
光させることが可能であることを示唆するものである。
タングらが、開発した素子で特に重要であった点は、発
光層であるトリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミ
ニウム）（以下Ａｌｑと記す）を用い、発光層と陽極間
にトリフェニルジアミンの誘導体を正孔輸送層として適
用したことにある。トリフェニルジアミンの誘導体の正
孔輸送層への適用は、発光層への正孔の注入効率を向上
させること、陰極から注入された電子をブロックし、励
起子の生成効率を向上させること、また、発光層で生成
した励起子を発光層内に閉じ込める役目を担っている。
た正孔と陰極から注入された電子が発光層内で再結合
し、励起状態を経て発光する現象を利用するものであ
る。従って、有機薄膜層は発光層の発光材料の性質によ
って種々の素子構成が検討されているが、基本的には強
い蛍光を発する有機発光層を陽極と陰極で挟むことで素
子が完成できる。更に、発光の高効率化や安定駆動のた
めには、正孔輸送帯、電子輸送帯を設けたり、有機発光
層へゲスト分子をドーピングすることが有効とされてい
る。特に、タング（Ｔａｎｇ）とバンスリィク（Ｖａｎ
Ｓｌｙｋｅ）らの新しい構成の有機薄膜ＥＬ素子（アプ
ライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、５１巻、９１３ペー
ジ、１９８７年）は、１０Ｖ以下の駆動電圧で、１００
０ｃｄ／ｍ2 以上の輝度、最高効率が１．５１ｍ／Ｗの
発光が得られている。これは、適切な材料と素子構成の
選択によって、有機薄膜ＥＬ素子を高効率・高輝度に発
光させることが可能であることを示唆するものである。
タングらが、開発した素子で特に重要であった点は、発
光層であるトリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミ
ニウム）（以下Ａｌｑと記す）を用い、発光層と陽極間
にトリフェニルジアミンの誘導体を正孔輸送層として適
用したことにある。トリフェニルジアミンの誘導体の正
孔輸送層への適用は、発光層への正孔の注入効率を向上
させること、陰極から注入された電子をブロックし、励
起子の生成効率を向上させること、また、発光層で生成
した励起子を発光層内に閉じ込める役目を担っている。
【０００３】正孔輸送層の適用は、発光効率の向上の役
割を担うだけでなく、発光の安定駆動も担っている。中
でも、正孔輸送帯が２層の積層構造において、顕著に寿
命特性の改善が成されている。例えば、バンスリィクら
は、陽極上にポルフィリン系の正孔注入層を設け、その
上にトリフェニルジアミンの誘導体の正孔輸送層を形成
した系で、５ｍＡ／cm2 で５００時間程度の連続発光を
得ている。この時、電圧は６Ｖから７．２Ｖの増加で済
むと述べられている（特開昭６３−２９５６９５号公
報、米国特許第４，７２０，４３２号）。
割を担うだけでなく、発光の安定駆動も担っている。中
でも、正孔輸送帯が２層の積層構造において、顕著に寿
命特性の改善が成されている。例えば、バンスリィクら
は、陽極上にポルフィリン系の正孔注入層を設け、その
上にトリフェニルジアミンの誘導体の正孔輸送層を形成
した系で、５ｍＡ／cm2 で５００時間程度の連続発光を
得ている。この時、電圧は６Ｖから７．２Ｖの増加で済
むと述べられている（特開昭６３−２９５６９５号公
報、米国特許第４，７２０，４３２号）。
【０００４】城田（Ｓｈｉｒｏｔａ）らは、陽極に接す
る正孔輸送層として、スターバースト分子である４，
４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミ
ノ）トリフェニルアミン（以下ｍ−ＭＴＤＡＴＡと記
す）を用い、更に発光層に接する正孔輸送層として、従
来より知られているＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−
ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニ
ル］−４，４′−ジアミン（以下ＴＰＤと記す）を適用
し、発光層であるＡｌｑを従来の素子構造より高効率で
発光させている。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 での
輝度の半減は定電駆動で３００時間であると報告されて
いる（アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、６５巻、
８０７ページ、１９９４年）。城田らの系では、ＴＰＤ
を発光層とｍ−ＭＴＤＡＴＡの間に導入することで発光
層のＡｌｑへの正孔の注入障壁が段階的になり、正孔注
入効率が上がることによって発光効率が向上したものと
考えられている。大略すると、Ｍ−ＭＴＤＡＴＡの正孔
輸送層は薄膜の安定性に寄与し、一方ＴＰＤは、正孔注
入の高効率化に寄与している。
る正孔輸送層として、スターバースト分子である４，
４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミ
ノ）トリフェニルアミン（以下ｍ−ＭＴＤＡＴＡと記
す）を用い、更に発光層に接する正孔輸送層として、従
来より知られているＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−
ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニ
ル］−４，４′−ジアミン（以下ＴＰＤと記す）を適用
し、発光層であるＡｌｑを従来の素子構造より高効率で
発光させている。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 での
輝度の半減は定電駆動で３００時間であると報告されて
いる（アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、６５巻、
８０７ページ、１９９４年）。城田らの系では、ＴＰＤ
を発光層とｍ−ＭＴＤＡＴＡの間に導入することで発光
層のＡｌｑへの正孔の注入障壁が段階的になり、正孔注
入効率が上がることによって発光効率が向上したものと
考えられている。大略すると、Ｍ−ＭＴＤＡＴＡの正孔
輸送層は薄膜の安定性に寄与し、一方ＴＰＤは、正孔注
入の高効率化に寄与している。
【０００５】同じような系で、伊藤（Ｉｔｏ）らは、Ｉ
ＴＯ上に順次、銅フタロアシニンとトリフェニルアミン
を側鎖に有するポリフォスファゼンポリマーとＴＰＤと
からなる正孔輸送帯を設け、更にその上にキナクリドン
をドープしたＡｌｑの発光層を設けた素子を作成してい
る（ポリマー・プレプリンツ・ジャパン（Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ Ｊａｐａｎ）、４２巻、６１
５ページ、１９９３年）。この系では２ヶ月間室内放置
した後、素子を定電流で連続駆動すると、初期輝度５８
７ｃｄ／ｍ2 で、１６６時間後に半減すると報告されて
いる。
ＴＯ上に順次、銅フタロアシニンとトリフェニルアミン
を側鎖に有するポリフォスファゼンポリマーとＴＰＤと
からなる正孔輸送帯を設け、更にその上にキナクリドン
をドープしたＡｌｑの発光層を設けた素子を作成してい
る（ポリマー・プレプリンツ・ジャパン（Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ Ｊａｐａｎ）、４２巻、６１
５ページ、１９９３年）。この系では２ヶ月間室内放置
した後、素子を定電流で連続駆動すると、初期輝度５８
７ｃｄ／ｍ2 で、１６６時間後に半減すると報告されて
いる。
【０００６】有機薄膜ＥＬ素子の研究は基礎的な材料に
よる素子開発だけではない。タングらの報告以来、有機
薄膜ＥＬ素子の基本性能が向上し、安価なカラー表示デ
バイスを実現するものとして注目され、応用が検討され
ている。
よる素子開発だけではない。タングらの報告以来、有機
薄膜ＥＬ素子の基本性能が向上し、安価なカラー表示デ
バイスを実現するものとして注目され、応用が検討され
ている。
【０００７】例えば、有機薄膜ＥＬ素子を利用した高精
細なマトリクスディスプレイとその駆動方法の例が報告
されている（特願平０５−２５３８６６号公報）。前記
報告によると新規の電流制御用薄膜トランジスタ（以下
ＴＦＴと記す）を含む構成の駆動回路が有機薄膜ＥＬ素
子に適用された。単純マトリクス型の有機ＥＬデバイス
で課題とされた駆動パルスの高デューティ化に伴う輝度
低下が抑えられた。すなわち、画素が増加しても輝度低
下を伴わず有機薄膜ＥＬ素子を駆動できることが示され
た。
細なマトリクスディスプレイとその駆動方法の例が報告
されている（特願平０５−２５３８６６号公報）。前記
報告によると新規の電流制御用薄膜トランジスタ（以下
ＴＦＴと記す）を含む構成の駆動回路が有機薄膜ＥＬ素
子に適用された。単純マトリクス型の有機ＥＬデバイス
で課題とされた駆動パルスの高デューティ化に伴う輝度
低下が抑えられた。すなわち、画素が増加しても輝度低
下を伴わず有機薄膜ＥＬ素子を駆動できることが示され
た。
【０００８】このように、有機薄膜ＥＬ素子を高輝度、
高効率で発光表示させるために、有機薄膜ＥＬ素子の研
究開発は材料を含んだ素子の改良から駆動方法の改良に
到るデバイスの研究まで幅広く行われている。
高効率で発光表示させるために、有機薄膜ＥＬ素子の研
究開発は材料を含んだ素子の改良から駆動方法の改良に
到るデバイスの研究まで幅広く行われている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述した有機薄膜ＥＬ
素子やマトリクス型の有機薄膜ＥＬデバイスは他の発光
デバイスでは達成できなかった高輝度・高効率発光を示
す。しかし、素子に一定電流を流し、連続駆動すること
で発光輝度が経時に低下し、電圧上昇と効率低下を招
く。また、発光が経時に不均一となり、マトリクス型の
有機薄膜ＥＬデバイスにおいては、輝度むらを招いた。
これらの現象の原因の一つは、有機薄膜、特に正孔輸送
帯の薄膜層が駆動時に発生する熱によって結晶化を引き
起こしたり、あるいは保存経時による結晶化を引き起こ
し、結果として有機薄膜層に均一に電界印加ができなく
なるためと考えられている。
素子やマトリクス型の有機薄膜ＥＬデバイスは他の発光
デバイスでは達成できなかった高輝度・高効率発光を示
す。しかし、素子に一定電流を流し、連続駆動すること
で発光輝度が経時に低下し、電圧上昇と効率低下を招
く。また、発光が経時に不均一となり、マトリクス型の
有機薄膜ＥＬデバイスにおいては、輝度むらを招いた。
これらの現象の原因の一つは、有機薄膜、特に正孔輸送
帯の薄膜層が駆動時に発生する熱によって結晶化を引き
起こしたり、あるいは保存経時による結晶化を引き起こ
し、結果として有機薄膜層に均一に電界印加ができなく
なるためと考えられている。
【００１０】熱による正孔輸送層の結晶化を防ぐ目的
で、高ガラス転移点を有する正孔輸送材料が合成され有
機薄膜ＥＬ素子に適用されている。例えば、鶴岡（Ｔｓ
ｕｒｕｏｋａ）らは、高ガラス転移温度を有し、且つ高
正孔移動度のビストリフェニルアミンスチリル化合物を
合成し、有機薄膜ＥＬ素子の正孔輸送用に適用した（日
本化学会第６８回秋季年回予稿集、４９９ページ、１９
９４年）。この系では、素子は陽極／正孔輸送層／発光
層／陰極より構成されている。前記素子は、従来より知
られている正孔輸送材料、例えばＴＰＤを使用した系と
比較すると、定電流駆動による輝度の半減時間は同程度
であるが、電流密度当たりの輝度が半減する。鶴岡らの
系で、電流密度当たりの輝度が小さいのは、発光層内で
生成した励起子が正孔輸送層でブロックされずクエンチ
ングされることや、発光層内に注入された電子が再結合
せず陽極側に移動しているためである。
で、高ガラス転移点を有する正孔輸送材料が合成され有
機薄膜ＥＬ素子に適用されている。例えば、鶴岡（Ｔｓ
ｕｒｕｏｋａ）らは、高ガラス転移温度を有し、且つ高
正孔移動度のビストリフェニルアミンスチリル化合物を
合成し、有機薄膜ＥＬ素子の正孔輸送用に適用した（日
本化学会第６８回秋季年回予稿集、４９９ページ、１９
９４年）。この系では、素子は陽極／正孔輸送層／発光
層／陰極より構成されている。前記素子は、従来より知
られている正孔輸送材料、例えばＴＰＤを使用した系と
比較すると、定電流駆動による輝度の半減時間は同程度
であるが、電流密度当たりの輝度が半減する。鶴岡らの
系で、電流密度当たりの輝度が小さいのは、発光層内で
生成した励起子が正孔輸送層でブロックされずクエンチ
ングされることや、発光層内に注入された電子が再結合
せず陽極側に移動しているためである。
【００１１】従って、発光層への正孔注入特性や正孔輸
送帯における正孔の輸送効率を低減せず、更に、発光層
で生成した励起子や電子の閉じ込めが十分達成され、し
かも熱による結晶化を生じないための正孔輸送材料を適
切な構成の正孔輸送帯に導入することが重要である。
送帯における正孔の輸送効率を低減せず、更に、発光層
で生成した励起子や電子の閉じ込めが十分達成され、し
かも熱による結晶化を生じないための正孔輸送材料を適
切な構成の正孔輸送帯に導入することが重要である。
【００１２】本発明の目的は、有機薄膜ＥＬ素子やマト
リクス型有機ＥＬデバイスにおいて高発光効率の発光を
有効に生かしつつ、更に駆動安定性の向上のために、適
切な構成の正孔輸送帯を備えた有機薄膜ＥＬ素子を提供
することにある。
リクス型有機ＥＬデバイスにおいて高発光効率の発光を
有効に生かしつつ、更に駆動安定性の向上のために、適
切な構成の正孔輸送帯を備えた有機薄膜ＥＬ素子を提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、高効率発光を示し、且つ駆動安定性の向上をめざし
て、正孔輸送帯を探索した結果、前記特開平５−１９７
１７２号公報に示される正孔輸送材料を本発明に用いる
正孔輸送帯の正孔輸送層に適用することで特性の優れた
有機薄膜ＥＬ素子やマトリクス型有機薄膜ＥＬデバイス
が得られることを見いだし本発明に至った。
め、高効率発光を示し、且つ駆動安定性の向上をめざし
て、正孔輸送帯を探索した結果、前記特開平５−１９７
１７２号公報に示される正孔輸送材料を本発明に用いる
正孔輸送帯の正孔輸送層に適用することで特性の優れた
有機薄膜ＥＬ素子やマトリクス型有機薄膜ＥＬデバイス
が得られることを見いだし本発明に至った。
【００１４】すなわち、本発明を提供する手段は、少な
くとも一方が透明な一対の電極間に少なくとも正孔輸送
帯域を有する有機薄膜ＥＬ素子であって、正孔輸送帯が
陽極に接する正孔輸送層と発光層に接するブロッキング
層、あるいは陽極に接する正孔注入層と前記正孔注入層
に接する正孔輸送層と発光層に接するブロッキング層か
らなる有機薄膜ＥＬ素子において、前記正孔輸送層が下
記一般式（１）で示されるヒストリフェニルアミンスチ
リル誘導体を含有することを特徴とする有機薄膜ＥＬ素
子である。
くとも一方が透明な一対の電極間に少なくとも正孔輸送
帯域を有する有機薄膜ＥＬ素子であって、正孔輸送帯が
陽極に接する正孔輸送層と発光層に接するブロッキング
層、あるいは陽極に接する正孔注入層と前記正孔注入層
に接する正孔輸送層と発光層に接するブロッキング層か
らなる有機薄膜ＥＬ素子において、前記正孔輸送層が下
記一般式（１）で示されるヒストリフェニルアミンスチ
リル誘導体を含有することを特徴とする有機薄膜ＥＬ素
子である。
【００１５】
【化３】
【００１６】（式中、Ａは炭素数１０以下の置換又は非
置換のアルキリデン基、シクロアルキリデン基、あるい
は酸素原子、硫黄原子、あるいは置換または非置換のア
ミノ基を示す。Ａｒ1 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、Ａｒ5 は置換
又は非置換のアリーレン基を示す。Ａｒ2 、Ａｒ6 は置
換又は非置換のアリール基を示す。Ｘ、Ｙは下記一般式
（２）で示されるような置換基を示す。
置換のアルキリデン基、シクロアルキリデン基、あるい
は酸素原子、硫黄原子、あるいは置換または非置換のア
ミノ基を示す。Ａｒ1 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、Ａｒ5 は置換
又は非置換のアリーレン基を示す。Ａｒ2 、Ａｒ6 は置
換又は非置換のアリール基を示す。Ｘ、Ｙは下記一般式
（２）で示されるような置換基を示す。
【００１７】
【化４】
【００１８】ここで、Ａｒ7 、Ａｒ8 は置換又は非置換
のアリール基を示す。Ｒ1 は水素原子、ハロゲン原子、
水酸基、置換又は非置換のアミノ基、又は置換基を有し
ても良い炭素数１〜６の低級アルキル基を示す。） Ａｒ7 及びＡｒ8 のアリール基としては、フェニル基、
ナフチル基等が挙げられる。
のアリール基を示す。Ｒ1 は水素原子、ハロゲン原子、
水酸基、置換又は非置換のアミノ基、又は置換基を有し
ても良い炭素数１〜６の低級アルキル基を示す。） Ａｒ7 及びＡｒ8 のアリール基としては、フェニル基、
ナフチル基等が挙げられる。
【００１９】Ｒ1 のアミノ基としては、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等、アルコ
キシン基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、プトキシ基等、アルキル基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等、ハロゲン原子として
は、フッ素、塩素、臭素、沃素原子等が挙げられる。
基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等、アルコ
キシン基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、プトキシ基等、アルキル基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等、ハロゲン原子として
は、フッ素、塩素、臭素、沃素原子等が挙げられる。
【００２０】Ａのアルキリデン基としては、メチリデ
ン、２．２−プロピリデン、２−メチルプロピリデン
基、シクロアルキリデン基としては、シクロヘキシリデ
ン基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシリデン基等、
アミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、
フェニルアミノ基が挙げられる。
ン、２．２−プロピリデン、２−メチルプロピリデン
基、シクロアルキリデン基としては、シクロヘキシリデ
ン基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシリデン基等、
アミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、
フェニルアミノ基が挙げられる。
【００２１】Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、Ａ
ｒ5 、Ａｒ6 のアリール又はアリーレン基としては、フ
ェニル、ナフチル、アンスリル、フェニレン、ナフチレ
ン、アンスレン等が挙げられる。
ｒ5 、Ａｒ6 のアリール又はアリーレン基としては、フ
ェニル、ナフチル、アンスリル、フェニレン、ナフチレ
ン、アンスレン等が挙げられる。
【００２２】本発明の有機薄膜ＥＬ素子に適用できる一
般式（１）の化合物の例を表１〜表２６に示すが、本発
明はこれに限定されるものではない。
般式（１）の化合物の例を表１〜表２６に示すが、本発
明はこれに限定されるものではない。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】
【表３】
【００２６】
【表４】
【００２７】
【表５】
【００２８】
【表６】
【００２９】
【表７】
【００３０】
【表８】
【００３１】
【表９】
【００３２】
【表１０】
【００３３】
【表１１】
【００３４】
【表１２】
【００３５】
【表１３】
【００３６】
【表１４】
【００３７】
【表１５】
【００３８】
【表１６】
【００３９】
【表１７】
【００４０】
【表１８】
【００４１】
【表１９】
【００４２】
【表２０】
【００４３】
【表２１】
【００４４】
【表２２】
【００４５】
【表２３】
【００４６】
【表２４】
【００４７】
【表２５】
【００４８】
【表２６】
【００４９】本発明において、更に好ましくは、発光層
に接する前記ブロッキング層が、１０nm以下の膜厚であ
り、前記ブロッキング層の励起エネルギーは隣接する発
光層の励起エネルギーよりも大きいことが好ましい。更
に好ましくは、陽極に接する前記正孔注入層が、３０nm
以下の膜厚であることが好ましい。
に接する前記ブロッキング層が、１０nm以下の膜厚であ
り、前記ブロッキング層の励起エネルギーは隣接する発
光層の励起エネルギーよりも大きいことが好ましい。更
に好ましくは、陽極に接する前記正孔注入層が、３０nm
以下の膜厚であることが好ましい。
【００５０】本発明の有機薄膜ＥＬ素子に用いる、前記
一般式（１）で示される正孔輸送材料を含有する正孔輸
送層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるい
は溶媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーテ
ィング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコ
ート法等の塗布法による公知の方法で形成することがで
きる。また、本発明においては、正孔輸送層として、一
般式（１）で示される化合物に既知の正孔輸送材料を混
合することも可能である。既知の正孔輸送材料としては
特に限定されないが、例えばトリフェニルジアミン誘導
体、オキサジアゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、ス
チルベン誘導体、アリールアミン誘導体などを用いるこ
とができる。更に本発明においては、正孔輸送層として
一般式（１）で示される化合物を既知の高分子を媒体と
して、これに分散した層として用いることもできる。前
記高分子としては、正孔輸送性を極度に阻害しないもの
が望ましく、例えば、ポリ−（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリカーボネート、ポリメチルアクリレート、ポ
リメチルメタクリレート、ポリスチレン系重合体、ポリ
シリレン系重合体、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポ
リフェニレンビニレンなどが適用できる。
一般式（１）で示される正孔輸送材料を含有する正孔輸
送層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるい
は溶媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーテ
ィング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコ
ート法等の塗布法による公知の方法で形成することがで
きる。また、本発明においては、正孔輸送層として、一
般式（１）で示される化合物に既知の正孔輸送材料を混
合することも可能である。既知の正孔輸送材料としては
特に限定されないが、例えばトリフェニルジアミン誘導
体、オキサジアゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、ス
チルベン誘導体、アリールアミン誘導体などを用いるこ
とができる。更に本発明においては、正孔輸送層として
一般式（１）で示される化合物を既知の高分子を媒体と
して、これに分散した層として用いることもできる。前
記高分子としては、正孔輸送性を極度に阻害しないもの
が望ましく、例えば、ポリ−（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリカーボネート、ポリメチルアクリレート、ポ
リメチルメタクリレート、ポリスチレン系重合体、ポリ
シリレン系重合体、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポ
リフェニレンビニレンなどが適用できる。
【００５１】本発明では、発光効率を上げるため、前記
正孔輸送層と発光層の間にブロッキング層を設けること
が必要である。前記ブロッキング層は、ＴＰＤ等を用い
ることができるが、城田らの系ではＴＰＤは発光層への
正孔の注入効率の向上を達成するために用いられたが、
本発明で導入する前記ブロッキング層は、発光層内で生
成した励起子の閉じ込めと陰極から発光層に注入された
電子の閉じ込めを担っている。従って、本発明のブロッ
キング層は、城田らの系で導入された正孔輸送層（ＴＰ
Ｄ）とは、本質的に役割が異なるものである。
正孔輸送層と発光層の間にブロッキング層を設けること
が必要である。前記ブロッキング層は、ＴＰＤ等を用い
ることができるが、城田らの系ではＴＰＤは発光層への
正孔の注入効率の向上を達成するために用いられたが、
本発明で導入する前記ブロッキング層は、発光層内で生
成した励起子の閉じ込めと陰極から発光層に注入された
電子の閉じ込めを担っている。従って、本発明のブロッ
キング層は、城田らの系で導入された正孔輸送層（ＴＰ
Ｄ）とは、本質的に役割が異なるものである。
【００５２】前記ブロッキング層に接する化合物は、極
度に正孔の注入特性を阻害するものでなければ特に限定
されるものではないが、励起エネルギーが隣接する発光
層材料のそれよりも大きいことが望ましい。また、不必
要に膜厚を大きくすることは、発光の駆動電圧を大きく
するので、前記ブロッキング層の厚さは１０nm以下であ
ることが望ましい。本発明においてブロッキング層とし
て適用できる化合物としては、発光効率を低減させない
範囲で、例えば公知のトリフェニルジアミン誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、ブタジエン
誘導体、スチリル誘導体、ピラリゾン誘導体、ベンジジ
ン誘導体などが挙げられる。
度に正孔の注入特性を阻害するものでなければ特に限定
されるものではないが、励起エネルギーが隣接する発光
層材料のそれよりも大きいことが望ましい。また、不必
要に膜厚を大きくすることは、発光の駆動電圧を大きく
するので、前記ブロッキング層の厚さは１０nm以下であ
ることが望ましい。本発明においてブロッキング層とし
て適用できる化合物としては、発光効率を低減させない
範囲で、例えば公知のトリフェニルジアミン誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、ブタジエン
誘導体、スチリル誘導体、ピラリゾン誘導体、ベンジジ
ン誘導体などが挙げられる。
【００５３】更に、本発明においては正孔輸送層と陽極
の間に正孔注入層を設けることも有効である。正孔注入
層は陽極からの安定な正孔注入を達成すべく導入するも
のであるが、有機薄膜層と陽極の密着性を保持する役目
を担う必要がある。不必要に膜厚を大きくすることは、
発光の駆動電圧を大きくしたり、薄膜表面に不均一発光
を招く凹凸をもたらす可能性があり、前記正孔注入層は
３０nm以下の膜厚が望ましい。本発明において適用でき
る正孔注入層は例えば“色素ハンドブック：講談社’８
６年”に記載されているスピロ化合物、アゾ化合物、キ
ノン化合物、インジゴ化合物、ジフェニルメタン化合
物、キナクリドン化合物、ポリメチル化合物、アクリジ
ン化合物、ポルフィリン化合物等の縮合多環系の色素が
適用できる。また、芳香族アミン等の“オーガニック
セミコンダクターズ：フェルラックケミエ社’７４年
（ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳ：Ｖ
ＥＲＬＡＧ ＣＨＥＭＩＥ’７４）”に記載されている
低分子有機Ｐ型半導体も適用できる。
の間に正孔注入層を設けることも有効である。正孔注入
層は陽極からの安定な正孔注入を達成すべく導入するも
のであるが、有機薄膜層と陽極の密着性を保持する役目
を担う必要がある。不必要に膜厚を大きくすることは、
発光の駆動電圧を大きくしたり、薄膜表面に不均一発光
を招く凹凸をもたらす可能性があり、前記正孔注入層は
３０nm以下の膜厚が望ましい。本発明において適用でき
る正孔注入層は例えば“色素ハンドブック：講談社’８
６年”に記載されているスピロ化合物、アゾ化合物、キ
ノン化合物、インジゴ化合物、ジフェニルメタン化合
物、キナクリドン化合物、ポリメチル化合物、アクリジ
ン化合物、ポルフィリン化合物等の縮合多環系の色素が
適用できる。また、芳香族アミン等の“オーガニック
セミコンダクターズ：フェルラックケミエ社’７４年
（ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳ：Ｖ
ＥＲＬＡＧ ＣＨＥＭＩＥ’７４）”に記載されている
低分子有機Ｐ型半導体も適用できる。
【００５４】本発明において、有機薄膜ＥＬ素子の発光
層材料は特に限定されず、公知の発光材料を適用でき
る。例えば、８−ヒドロキシキノリノール及びその誘導
体の金属錯体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ジス
チリルアリール誘導体、クマリン系誘導体、キナクリド
ン誘導体、ペリレン系誘導体、ポリメチン系誘導体、ア
ントラセン誘導体、ポリビニルカルバゾールなどが挙げ
られる。
層材料は特に限定されず、公知の発光材料を適用でき
る。例えば、８−ヒドロキシキノリノール及びその誘導
体の金属錯体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ジス
チリルアリール誘導体、クマリン系誘導体、キナクリド
ン誘導体、ペリレン系誘導体、ポリメチン系誘導体、ア
ントラセン誘導体、ポリビニルカルバゾールなどが挙げ
られる。
【００５５】本発明においては必要に応じて電子輸送帯
を発光層と陰極の間に設けても良い。電子輸送材料は特
に限定されるものではないが、８−ヒドロキシキノリノ
ール及びその誘導体、オキシジアゾール誘導体、ジフェ
ニルキノン誘導体などの適用が可能である。
を発光層と陰極の間に設けても良い。電子輸送材料は特
に限定されるものではないが、８−ヒドロキシキノリノ
ール及びその誘導体、オキシジアゾール誘導体、ジフェ
ニルキノン誘導体などの適用が可能である。
【００５６】有機薄膜ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸
送帯に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上
の仕事関数を有することが効果的である。陽極材料の具
体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化
錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が適用できる。陰
極としては、電子輸送帯又は発光層に電子を注入する目
的で、仕事関数の小さい材料が好ましく、特に限定され
ないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネ
シウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム
−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、ア
ルミニウム−スカンジウム−リチウム合金等が使用でき
る。尚、素子を酸素や湿気から守る目的で、金属酸化
物、金属硫化物、金属沸化物等から形成される封止層を
設けることも有効である。
送帯に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上
の仕事関数を有することが効果的である。陽極材料の具
体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化
錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が適用できる。陰
極としては、電子輸送帯又は発光層に電子を注入する目
的で、仕事関数の小さい材料が好ましく、特に限定され
ないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネ
シウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム
−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、ア
ルミニウム−スカンジウム−リチウム合金等が使用でき
る。尚、素子を酸素や湿気から守る目的で、金属酸化
物、金属硫化物、金属沸化物等から形成される封止層を
設けることも有効である。
【００５７】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
【００５８】（実施例１）実施例１に用いた素子の断面
構造を図１に示す。以下に本発明の実施例１に用いる有
機薄膜ＥＬ素子の作成手順について説明する。素子は陽
極／正孔輸送層／ブロッキング層／発光層／陰極により
構成されている。ガラス基板上にＩＴＯをスパッタリン
グによってシート抵抗が２０Ω／□になるように製膜
し、陽極とした。その上に正孔輸送層として、化合物２
をＭＢＥ法を用いて５．８×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、３
０nm形成した。次に、ブロッキング層として、Ｎ，Ｎ′
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）
−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミンをＭ
ＢＥ法にて６．５×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、５nm形成し
た。更に、発光層として、トリス（８−ヒドロキシキノ
リノールアルミニウム）をＭＢＥ法にて９×１０-9Ｔｏ
ｒｒ真空下、７５nm形成した。
構造を図１に示す。以下に本発明の実施例１に用いる有
機薄膜ＥＬ素子の作成手順について説明する。素子は陽
極／正孔輸送層／ブロッキング層／発光層／陰極により
構成されている。ガラス基板上にＩＴＯをスパッタリン
グによってシート抵抗が２０Ω／□になるように製膜
し、陽極とした。その上に正孔輸送層として、化合物２
をＭＢＥ法を用いて５．８×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、３
０nm形成した。次に、ブロッキング層として、Ｎ，Ｎ′
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）
−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミンをＭ
ＢＥ法にて６．５×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、５nm形成し
た。更に、発光層として、トリス（８−ヒドロキシキノ
リノールアルミニウム）をＭＢＥ法にて９×１０-9Ｔｏ
ｒｒ真空下、７５nm形成した。
【００５９】次に陰極としてスカンジウムが１モル％含
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
【００６０】この素子の発光特性を乾燥空気中で測定し
た。図３に示すように、本実施例における電流密度−輝
度特性は、比較例１と比べて同じ輝度において電流密度
が小さい。これは、本発明の正孔輸送帯を適用したこと
で発光効率が向上したことを示唆するものである。図４
に示すように、定電流駆動で初期輝度３００ｃｄ／ｍ2
における、輝度の半減時間は３８０時間であり、比較例
１と比べ寿命特性が向上していることがわかる。これ
は、本発明の正孔輸送帯を適用したことで、駆動による
正孔輸送帯の安定性が向上したことを示唆するものであ
る。
た。図３に示すように、本実施例における電流密度−輝
度特性は、比較例１と比べて同じ輝度において電流密度
が小さい。これは、本発明の正孔輸送帯を適用したこと
で発光効率が向上したことを示唆するものである。図４
に示すように、定電流駆動で初期輝度３００ｃｄ／ｍ2
における、輝度の半減時間は３８０時間であり、比較例
１と比べ寿命特性が向上していることがわかる。これ
は、本発明の正孔輸送帯を適用したことで、駆動による
正孔輸送帯の安定性が向上したことを示唆するものであ
る。
【００６１】本実施例では、ブロッキング層を設けてあ
るが、ブロッキング層が存在しない比較例５の素子と比
較しても、発光効率及び寿命特性が大幅に改善されてい
る。
るが、ブロッキング層が存在しない比較例５の素子と比
較しても、発光効率及び寿命特性が大幅に改善されてい
る。
【００６２】結果を表２７に示す。比較例１及び比較例
５と比べ本発明の有機薄膜ＥＬ素子の正孔輸送帯の効果
による基本特性の向上がみられた。
５と比べ本発明の有機薄膜ＥＬ素子の正孔輸送帯の効果
による基本特性の向上がみられた。
【００６３】
【表２７】
【００６４】（実施例２〜２０）上記実施例１で使用し
た化合物Ｎｏ．２の代わりに下記表２８に示す化合物を
用いた以外は実施例１と同様にして有機薄膜ＥＬ素子を
作成し評価した。
た化合物Ｎｏ．２の代わりに下記表２８に示す化合物を
用いた以外は実施例１と同様にして有機薄膜ＥＬ素子を
作成し評価した。
【００６５】
【表２８】
【００６６】（比較例１）以下に比較例１の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子について説明する。ガラス基板上にＩＴＯをスパ
ッタリングによってシート抵抗が２０Ω／□になるよう
に製膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層として、
１，１−ビス−（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサンをＭＢＥ法にて４．５×１０-9Ｔｏ
ｒｒ真空下、３０nm形成した。次に、ブロッキング層と
して、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メ
チルフェニル）−［１，１′−ビフェニル］−４，４′
−ジアミンをＭＢＥ法にて５．６×１０-9Ｔｏｒｒ真空
下、５nm形成した。更に、発光層として、トリス（８−
ヒドロキシキノリノールアルミニウム）をＭＢＥ法にて
９×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、７５nm形成した。
Ｌ素子について説明する。ガラス基板上にＩＴＯをスパ
ッタリングによってシート抵抗が２０Ω／□になるよう
に製膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層として、
１，１−ビス−（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサンをＭＢＥ法にて４．５×１０-9Ｔｏ
ｒｒ真空下、３０nm形成した。次に、ブロッキング層と
して、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メ
チルフェニル）−［１，１′−ビフェニル］−４，４′
−ジアミンをＭＢＥ法にて５．６×１０-9Ｔｏｒｒ真空
下、５nm形成した。更に、発光層として、トリス（８−
ヒドロキシキノリノールアルミニウム）をＭＢＥ法にて
９×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、７５nm形成した。
【００６７】次に陰極としてスカンジウムが１モル％含
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
【００６８】この素子の発光特性を乾燥空気中で測定し
た。図３に示すように、本比較例における電流密度−輝
度特性は、実施例１と比べて同じ輝度において電流密度
が大きい。また、図４に示すように、本比較例における
寿命特性は、実施例１と比べて半減時間が短い。
た。図３に示すように、本比較例における電流密度−輝
度特性は、実施例１と比べて同じ輝度において電流密度
が大きい。また、図４に示すように、本比較例における
寿命特性は、実施例１と比べて半減時間が短い。
【００６９】結果を表２９に示す。
【００７０】
【表２９】
【００７１】（実施例２１）実施例２１に用いた素子の
断面構造を図２に示す。以下に実施例２１の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子について説明する。素子は陽極／正孔注入層／正
孔輸送層／ブロッキング層／発光層／陰極により構成さ
れている。ガラス基板上にＩＴＯをスパッタリングによ
ってシート抵抗が２０Ω／□になるように製膜し、陽極
とした。その上に正孔注入層として、チタニウムフタロ
シアニンオキシドをＭＢＥ法によって２×１０-8Ｔｏｒ
ｒ真空下、５nm形成した。次に、正孔輸送層として、化
合物２をＭＢＥ法を用いて５．８×１０-9Ｔｏｒｒ真空
下、３０nm形成した。次に、ブロッキング層として、
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフ
ェニル）−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジア
ミンをＭＢＥ法にて６．５×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、５
nm形成した。更に、発光層として、トリス（８−ヒドロ
キシキノリノールアルミニウム）をＭＢＥ法にて９×１
０-9Ｔｏｒｒ真空下、７５nm形成した。
断面構造を図２に示す。以下に実施例２１の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子について説明する。素子は陽極／正孔注入層／正
孔輸送層／ブロッキング層／発光層／陰極により構成さ
れている。ガラス基板上にＩＴＯをスパッタリングによ
ってシート抵抗が２０Ω／□になるように製膜し、陽極
とした。その上に正孔注入層として、チタニウムフタロ
シアニンオキシドをＭＢＥ法によって２×１０-8Ｔｏｒ
ｒ真空下、５nm形成した。次に、正孔輸送層として、化
合物２をＭＢＥ法を用いて５．８×１０-9Ｔｏｒｒ真空
下、３０nm形成した。次に、ブロッキング層として、
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフ
ェニル）−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジア
ミンをＭＢＥ法にて６．５×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、５
nm形成した。更に、発光層として、トリス（８−ヒドロ
キシキノリノールアルミニウム）をＭＢＥ法にて９×１
０-9Ｔｏｒｒ真空下、７５nm形成した。
【００７２】次に陰極としてスカンジウムが１モル％含
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
【００７３】この素子の発光特性を乾燥空気中で測定し
た。図５に示すように、本実施例における電流密度−輝
度特性は、比較例２と比べて同じ輝度において電流密度
が小さい。これは、本発明の正孔輸送帯を適用したこと
で発光効率が向上したことを示唆するものである。図６
に示すように、定電流駆動で初期輝度３００ｃｄ／ｍ2
における、輝度の半減時間は５１０時間であり、比較例
２と比べて寿命特性が向上していることがわかる。これ
は、本発明の正孔輸送帯を適用したことで、駆動による
正孔輸送帯の安定性が向上したことを示唆するものであ
る。
た。図５に示すように、本実施例における電流密度−輝
度特性は、比較例２と比べて同じ輝度において電流密度
が小さい。これは、本発明の正孔輸送帯を適用したこと
で発光効率が向上したことを示唆するものである。図６
に示すように、定電流駆動で初期輝度３００ｃｄ／ｍ2
における、輝度の半減時間は５１０時間であり、比較例
２と比べて寿命特性が向上していることがわかる。これ
は、本発明の正孔輸送帯を適用したことで、駆動による
正孔輸送帯の安定性が向上したことを示唆するものであ
る。
【００７４】結果を表３０に示す。比較例２と比べ本発
明の有機薄膜ＥＬ素子の正孔輸送帯の効果による基本特
性の向上がみられた。
明の有機薄膜ＥＬ素子の正孔輸送帯の効果による基本特
性の向上がみられた。
【００７５】
【表３０】
【００７６】（実施例２２〜４１）上記実施例２１で使
用した化合物Ｎｏ．２の代わりに下記表３１に示す化合
物を用いた以外は実施例２１と同様にして有機薄膜ＥＬ
素子を作成し評価した。
用した化合物Ｎｏ．２の代わりに下記表３１に示す化合
物を用いた以外は実施例２１と同様にして有機薄膜ＥＬ
素子を作成し評価した。
【００７７】
【表３１】
【００７８】（比較例２）以下に比較例２の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子について説明する。ガラス基板上にＩＴＯをスパ
ッタリングによってシート抵抗が２０Ω／□になるよう
に製膜し、陽極とした。その上に正孔注入層として、チ
タニウムフタロシアニンオキシドをＭＢＥ法によって２
×１０-8Ｔｏｒｒ真空下、５nm形成した。次に、正孔輸
送層として、１，１−ビス−（４−ジ−パラ−トリルア
ミノフェニル）シクロヘキサンをＭＢＥ法を用いて５．
８×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、３０nm形成した。次に、ブ
ロッキング層として、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′
−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニ
ル］−４，４′−ジアミンをＭＢＥ法にて６．５×１０
-9Ｔｏｒｒ真空下、５nm形成した。更に、発光層とし
て、トリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニウ
ム）をＭＢＥ法にて９×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、７５nm
形成した。
Ｌ素子について説明する。ガラス基板上にＩＴＯをスパ
ッタリングによってシート抵抗が２０Ω／□になるよう
に製膜し、陽極とした。その上に正孔注入層として、チ
タニウムフタロシアニンオキシドをＭＢＥ法によって２
×１０-8Ｔｏｒｒ真空下、５nm形成した。次に、正孔輸
送層として、１，１−ビス−（４−ジ−パラ−トリルア
ミノフェニル）シクロヘキサンをＭＢＥ法を用いて５．
８×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、３０nm形成した。次に、ブ
ロッキング層として、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′
−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニ
ル］−４，４′−ジアミンをＭＢＥ法にて６．５×１０
-9Ｔｏｒｒ真空下、５nm形成した。更に、発光層とし
て、トリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニウ
ム）をＭＢＥ法にて９×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、７５nm
形成した。
【００７９】次に陰極としてスカンジウムが１モル％含
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
【００８０】この素子の発光特性を乾燥空気中で測定し
た。図５に示すように、本比較例における電流密度−輝
度特性は、実施例２１と比べて同じ輝度において電流密
度が大きい。また、図６に示すように、本比較例におけ
る寿命特性は、実施例２１と比べて半減時間が短い。
た。図５に示すように、本比較例における電流密度−輝
度特性は、実施例２１と比べて同じ輝度において電流密
度が大きい。また、図６に示すように、本比較例におけ
る寿命特性は、実施例２１と比べて半減時間が短い。
【００８１】結果を表３２に示す。
【００８２】
【表３２】
【００８３】（実施例４２）実施例４２においては、本
発明の正孔輸送帯を適用した有機薄膜ＥＬ素子を用い
て、マトリクス型有機薄膜ＥＬデバイスを作成した。図
７及び図８は有機薄膜ＥＬ素子に逆スタガ型のａ−Ｓｉ
ＴＦＴを適用し、ガラス基板上に有機薄膜ＥＬ素子を駆
動する回路を作成した場合の実施例４２の平面図及び断
面図である。以下、図７及び図８を用いて実施例４２の
作成手順について述べる。
発明の正孔輸送帯を適用した有機薄膜ＥＬ素子を用い
て、マトリクス型有機薄膜ＥＬデバイスを作成した。図
７及び図８は有機薄膜ＥＬ素子に逆スタガ型のａ−Ｓｉ
ＴＦＴを適用し、ガラス基板上に有機薄膜ＥＬ素子を駆
動する回路を作成した場合の実施例４２の平面図及び断
面図である。以下、図７及び図８を用いて実施例４２の
作成手順について述べる。
【００８４】はじめに、ガラス基板上にＣｒを２００nm
成長し、走査電極線３N 及び３N+1、電荷保持容量Ｃの
一方の電極、スイッチングトランジスタのゲート電極Ｇ
QS、電流制御トランジスタのゲート電極ＧQIをパターニ
ングし、更にゲート絶縁膜としてＳｉＯ2 を４００nm成
長した後、第一コンタクトホール５６Ａを開ける。
成長し、走査電極線３N 及び３N+1、電荷保持容量Ｃの
一方の電極、スイッチングトランジスタのゲート電極Ｇ
QS、電流制御トランジスタのゲート電極ＧQIをパターニ
ングし、更にゲート絶縁膜としてＳｉＯ2 を４００nm成
長した後、第一コンタクトホール５６Ａを開ける。
【００８５】次にＳｉＯ2 上にＴＦＴのアイランドを形
成するためのイントリンジックアモルファスシリコン
（ｉ−ａ−Ｓｉ）、オーミックコンタクトを取るための
ｎ+ アモルファスシリコン（ｎ+ −ａ−Ｓｉ）をそれぞ
れ３００nm及び５０nm成長し、パターニングしてアイラ
ンドを形成する。このアイランドは、後にＴＦＴ（電流
制御用トランジスタＱI 及びスイッチングトランジスタ
ＱS ）のチャネル部が形成される部分である。
成するためのイントリンジックアモルファスシリコン
（ｉ−ａ−Ｓｉ）、オーミックコンタクトを取るための
ｎ+ アモルファスシリコン（ｎ+ −ａ−Ｓｉ）をそれぞ
れ３００nm及び５０nm成長し、パターニングしてアイラ
ンドを形成する。このアイランドは、後にＴＦＴ（電流
制御用トランジスタＱI 及びスイッチングトランジスタ
ＱS ）のチャネル部が形成される部分である。
【００８６】次にＣｒを１００nm堆積し、パターニング
して信号線１M 、電流制御用トランジスタＱI のソース
電極ＳQI及びドレイン電極ＤQI、スイッチングトランジ
スタＱS のドレイン電極及びソース電極、電荷保持容量
Ｃのもう一方の電極を形成する。更に、電流制御用及び
スイッチングの各ＴＦＴのアイランドのｉ−ａ−Ｓｉ及
びｎ+ −ａ−Ｓｉを、各ＴＦＴのソース電極及びドレイ
ン電極用のＣｒをマスクとしてｉ−ａーＳｉの途中まで
エッチングし、各ＴＦＴのチャネル部を形成する。
して信号線１M 、電流制御用トランジスタＱI のソース
電極ＳQI及びドレイン電極ＤQI、スイッチングトランジ
スタＱS のドレイン電極及びソース電極、電荷保持容量
Ｃのもう一方の電極を形成する。更に、電流制御用及び
スイッチングの各ＴＦＴのアイランドのｉ−ａ−Ｓｉ及
びｎ+ −ａ−Ｓｉを、各ＴＦＴのソース電極及びドレイ
ン電極用のＣｒをマスクとしてｉ−ａーＳｉの途中まで
エッチングし、各ＴＦＴのチャネル部を形成する。
【００８７】次に、ＳｉＯ2 を２００nm成長し、電流制
御用トランジスタＱI のソース電極ＳQIとこの後の工程
で成長される陰極（有機薄膜ＥＬ素子の一方の電極）５
５とを接続するための第２コンタクトホール５６Ｂをエ
ッチングして開ける。
御用トランジスタＱI のソース電極ＳQIとこの後の工程
で成長される陰極（有機薄膜ＥＬ素子の一方の電極）５
５とを接続するための第２コンタクトホール５６Ｂをエ
ッチングして開ける。
【００８８】次に、スパッタ法によってＩＴＯを１５０
nm形成する。ＩＴＯは更に、リフトオフ法によってパタ
ーニングして有機薄膜ＥＬ素子の陽極を形成する。この
ようにして１画素が１００×３００μm 2 サイズで４０
０×６４０画素数のパネルが作られる。
nm形成する。ＩＴＯは更に、リフトオフ法によってパタ
ーニングして有機薄膜ＥＬ素子の陽極を形成する。この
ようにして１画素が１００×３００μm 2 サイズで４０
０×６４０画素数のパネルが作られる。
【００８９】次にこのようにして作られたパネル上に有
機薄膜層を形成する。本実施例に用いる有機薄膜ＥＬ素
子の有機薄膜層５２は陽極側から正孔輸送帯である正孔
注入層５２Ａ、正孔輸送層５２Ｂ、ブロッキング層５２
Ｃ、及び発光層５２Ｄよりなっている。上記のパネル上
に正孔注入層５２Ａとして、チタニウムフタロシアニン
オキシドをＭＢＥ法によって２０nm形成した。次に、正
孔輸送層をディッピング法にて形成する。正孔輸送層の
材料は以下のようにして作成した。化合物２とポリ−
（Ｎ−ビニルカルバゾール）が重量比で１：１になるよ
うにジクロロメタンに溶解し、化合物２が１％含まれる
ジクロロメタン溶液を作成した。この溶液からディップ
コーターを用いて正孔輸送層を５５nm形成する。次に、
ブロッキング層として、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフ
ェニル］−４，４′−ジアミンをＭＢＥ法にて６．５×
１０-9Ｔｏｒｒ真空下、１０nm形成した。更に、発光層
として、トリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニ
ウム）と３，９−ペリレンジカルボン酸ジフェニルエス
テルとを各々別の蒸着源からの共蒸着法によって３，９
−ペリレンジカルボン酸ジフェニルエステルが発光層の
１．４モル％含まれるように９０nm形成した。
機薄膜層を形成する。本実施例に用いる有機薄膜ＥＬ素
子の有機薄膜層５２は陽極側から正孔輸送帯である正孔
注入層５２Ａ、正孔輸送層５２Ｂ、ブロッキング層５２
Ｃ、及び発光層５２Ｄよりなっている。上記のパネル上
に正孔注入層５２Ａとして、チタニウムフタロシアニン
オキシドをＭＢＥ法によって２０nm形成した。次に、正
孔輸送層をディッピング法にて形成する。正孔輸送層の
材料は以下のようにして作成した。化合物２とポリ−
（Ｎ−ビニルカルバゾール）が重量比で１：１になるよ
うにジクロロメタンに溶解し、化合物２が１％含まれる
ジクロロメタン溶液を作成した。この溶液からディップ
コーターを用いて正孔輸送層を５５nm形成する。次に、
ブロッキング層として、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフ
ェニル］−４，４′−ジアミンをＭＢＥ法にて６．５×
１０-9Ｔｏｒｒ真空下、１０nm形成した。更に、発光層
として、トリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニ
ウム）と３，９−ペリレンジカルボン酸ジフェニルエス
テルとを各々別の蒸着源からの共蒸着法によって３，９
−ペリレンジカルボン酸ジフェニルエステルが発光層の
１．４モル％含まれるように９０nm形成した。
【００９０】次に、陰極としてスカンジウムが１モル％
含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパ
ッタ法にて蒸発させ、リチウムを抵抗加熱源から蒸発さ
せる方法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるよう
に３０nm形成した。更に、シリコンが１モル％、更に銅
が１．５モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガ
ス中でＲＦスパッタ法にて陰極保護層として３００nm形
成した。
含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパ
ッタ法にて蒸発させ、リチウムを抵抗加熱源から蒸発さ
せる方法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるよう
に３０nm形成した。更に、シリコンが１モル％、更に銅
が１．５モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガ
ス中でＲＦスパッタ法にて陰極保護層として３００nm形
成した。
【００９１】このようにして、本発明の正孔輸送帯が含
まれるＴＦＴ駆動のマトリクス型有機ＥＬデバイスが完
成する。
まれるＴＦＴ駆動のマトリクス型有機ＥＬデバイスが完
成する。
【００９２】次に、上述したマトリクス型有機薄膜ＥＬ
デバイスの動作を図９を用いて説明する。図９におい
て、いま、走査電極線３N+1 が選択されスイッチングト
ランジスタＱS がオン状態になると、Ｍ列目の信号電極
線１M の電圧がスイッチングトランジスタＱS を通して
電荷保持用容量Ｃに供給される。走査電極線３N+1 が非
選択の状態になるとスイッチングトランジスタＱS がオ
フになって、信号線１Mの電圧が電荷保持用容量Ｃに保
持される。容量Ｃの端子電圧は電流制御用トランジスタ
ＱI のゲート・ソース間に印加され、トランジスタＱI
のゲート電圧・ドレイン電流特性に応じた電流が、電源
電極５→有機薄膜ＥＬ素子→トランジスタＱI →走査電
極線３N という経路で流れ、有機薄膜ＥＬ素子が発光す
る。この時、有機薄膜ＥＬ素子の輝度と容量Ｃに印加す
る電圧との関係が分かっていれば、所定の輝度で有機薄
膜ＥＬ素子を発光させることが可能である。
デバイスの動作を図９を用いて説明する。図９におい
て、いま、走査電極線３N+1 が選択されスイッチングト
ランジスタＱS がオン状態になると、Ｍ列目の信号電極
線１M の電圧がスイッチングトランジスタＱS を通して
電荷保持用容量Ｃに供給される。走査電極線３N+1 が非
選択の状態になるとスイッチングトランジスタＱS がオ
フになって、信号線１Mの電圧が電荷保持用容量Ｃに保
持される。容量Ｃの端子電圧は電流制御用トランジスタ
ＱI のゲート・ソース間に印加され、トランジスタＱI
のゲート電圧・ドレイン電流特性に応じた電流が、電源
電極５→有機薄膜ＥＬ素子→トランジスタＱI →走査電
極線３N という経路で流れ、有機薄膜ＥＬ素子が発光す
る。この時、有機薄膜ＥＬ素子の輝度と容量Ｃに印加す
る電圧との関係が分かっていれば、所定の輝度で有機薄
膜ＥＬ素子を発光させることが可能である。
【００９３】本実施例において、有機薄膜ＥＬ素子の両
端の電圧が８．５Ｖで駆動したところ、約３８０ｃｄ／
ｍ2 の輝度を示した。
端の電圧が８．５Ｖで駆動したところ、約３８０ｃｄ／
ｍ2 の輝度を示した。
【００９４】本実施例のマトリクス型有機薄膜ＥＬデバ
イスの全画素を発光させて、寿命試験を行った。平均輝
度１００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度に対する半減時間は４６
０時間であった。比較例３のマトリクス型有機薄膜ＥＬ
デバイスの場合が、２８０時間であるから約１．６倍寿
命特性が改善されている。画素欠陥部（非発光領域）の
割合は初期が約１０％であったが、４６０時間後には２
０％まで増加したが、比較例３における割合よりも大幅
に改善されている。
イスの全画素を発光させて、寿命試験を行った。平均輝
度１００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度に対する半減時間は４６
０時間であった。比較例３のマトリクス型有機薄膜ＥＬ
デバイスの場合が、２８０時間であるから約１．６倍寿
命特性が改善されている。画素欠陥部（非発光領域）の
割合は初期が約１０％であったが、４６０時間後には２
０％まで増加したが、比較例３における割合よりも大幅
に改善されている。
【００９５】以上の結果は、本発明の正孔注入帯を適用
することで、従来より駆動安定性に優れたマトリクス型
有機薄膜ＥＬデバイスが得られることを示唆するもので
ある。
することで、従来より駆動安定性に優れたマトリクス型
有機薄膜ＥＬデバイスが得られることを示唆するもので
ある。
【００９６】尚、本実施例４２においては、有機薄膜Ｅ
Ｌ素子はＴＦＴ上に陽極、正孔注入層、正孔輸送層、ブ
ロッキング層、発光層、陰極の順に形成し、光をＴＦＴ
のガラス基板を通して取り出す方法を用いたが、ＴＦＴ
上に陰極、発光層、ブロッキング層、正孔輸送層、正孔
注入層、陽極の順に形成し、光を陽極を通して取り出す
方法を用いても良い。
Ｌ素子はＴＦＴ上に陽極、正孔注入層、正孔輸送層、ブ
ロッキング層、発光層、陰極の順に形成し、光をＴＦＴ
のガラス基板を通して取り出す方法を用いたが、ＴＦＴ
上に陰極、発光層、ブロッキング層、正孔輸送層、正孔
注入層、陽極の順に形成し、光を陽極を通して取り出す
方法を用いても良い。
【００９７】（比較例３）化合物２の代わりに１，１−
ビス−（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサンとポリ−（Ｎ−ビニルカルバゾール）が重量比
で１：１になるようにジクロロメタンに溶解し、１，１
−ビス−（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シク
ロヘキサンが１％含まれるジクロロメタン溶液を作成
し、この溶液からディップコーターを用いて正孔輸送層
を５５nm形成する以外、実施例４２と同様のＴＦＴ駆動
のマトリクス型有機薄膜ＥＬデバイスを作成した。
ビス−（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサンとポリ−（Ｎ−ビニルカルバゾール）が重量比
で１：１になるようにジクロロメタンに溶解し、１，１
−ビス−（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シク
ロヘキサンが１％含まれるジクロロメタン溶液を作成
し、この溶液からディップコーターを用いて正孔輸送層
を５５nm形成する以外、実施例４２と同様のＴＦＴ駆動
のマトリクス型有機薄膜ＥＬデバイスを作成した。
【００９８】本比較例において、有機薄膜ＥＬ素子の両
端の電圧を８．５Ｖで駆動したところ、約２９０ｃｄ／
ｍ2 の輝度を示した。全画素を発光させて、寿命試験を
行ったところ、平均輝度１００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度に
対する半減時間は２８０時間であった。画素欠陥部（非
発光領域）の割合は初期が約１５％であったが、２８０
時間後には３５％まで増加した。
端の電圧を８．５Ｖで駆動したところ、約２９０ｃｄ／
ｍ2 の輝度を示した。全画素を発光させて、寿命試験を
行ったところ、平均輝度１００ｃｄ／ｍ2 の初期輝度に
対する半減時間は２８０時間であった。画素欠陥部（非
発光領域）の割合は初期が約１５％であったが、２８０
時間後には３５％まで増加した。
【００９９】（実施例４３）以下に本発明の実施例４３
に用いる有機薄膜ＥＬ素子の作成手順について説明す
る。素子は図２に示すように陽極／正孔注入層／正孔輸
送層／ブロッキング層／発光層／陰極により構成されて
いる。ガラス基板上にＩＴＯをスパッタリングによって
シート抵抗が２０Ω／□になるように製膜し、陽極とし
た。その上に正孔注入層としてキナクリドンをＭＢＥ法
を用いて、６．５×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、５nm形成し
た。次に、正孔輸送層をディッピング法にて形成する。
正孔輸送層の材料は以下のように作成した。化合物２と
ポリ−（Ｎ−ビニルカルバゾール）が重量比で１：１に
なるようにジクロロメタンに溶解し、化合物２が１％含
まれるジクロロメタン溶液を作成した。この溶液からデ
ィップコーターを用いて正孔輸送層を５５nm形成する。
次に、ブロッキング層として、１，１−ビス−（４−ジ
−パラ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサンをＭＢ
Ｅ法を用いて５．８×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、５nm形成
した。発光層として、トリス（８−ヒドロキシキノリノ
ールアルミニウム）をＭＢＥ法にて９×１０-9Ｔｏｒｒ
真空下、７５nm形成した。
に用いる有機薄膜ＥＬ素子の作成手順について説明す
る。素子は図２に示すように陽極／正孔注入層／正孔輸
送層／ブロッキング層／発光層／陰極により構成されて
いる。ガラス基板上にＩＴＯをスパッタリングによって
シート抵抗が２０Ω／□になるように製膜し、陽極とし
た。その上に正孔注入層としてキナクリドンをＭＢＥ法
を用いて、６．５×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、５nm形成し
た。次に、正孔輸送層をディッピング法にて形成する。
正孔輸送層の材料は以下のように作成した。化合物２と
ポリ−（Ｎ−ビニルカルバゾール）が重量比で１：１に
なるようにジクロロメタンに溶解し、化合物２が１％含
まれるジクロロメタン溶液を作成した。この溶液からデ
ィップコーターを用いて正孔輸送層を５５nm形成する。
次に、ブロッキング層として、１，１−ビス−（４−ジ
−パラ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサンをＭＢ
Ｅ法を用いて５．８×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、５nm形成
した。発光層として、トリス（８−ヒドロキシキノリノ
ールアルミニウム）をＭＢＥ法にて９×１０-9Ｔｏｒｒ
真空下、７５nm形成した。
【０１００】次に陰極としてスカンジウムが１モル％含
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
【０１０１】この素子の発光特性を乾燥空気中で測定し
た。本実施例において、１００ｃｄ／ｍ2 における電流
密度は、２．９４ｍＡ／cm2 であり、比較例４の場合よ
り、電流密度が小さい。これは、本発明の正孔輸送帯を
適用したことで発光効率が向上したことを示唆するもの
である。定電流駆動で初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 での輝
度の半減時間は、５８０時間であり、比較例４と比べて
２４０時間長い。これは、本発明の正孔輸送帯を適用し
たことで、駆動による正孔輸送帯の安定性が向上したこ
とを示唆するものである。
た。本実施例において、１００ｃｄ／ｍ2 における電流
密度は、２．９４ｍＡ／cm2 であり、比較例４の場合よ
り、電流密度が小さい。これは、本発明の正孔輸送帯を
適用したことで発光効率が向上したことを示唆するもの
である。定電流駆動で初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 での輝
度の半減時間は、５８０時間であり、比較例４と比べて
２４０時間長い。これは、本発明の正孔輸送帯を適用し
たことで、駆動による正孔輸送帯の安定性が向上したこ
とを示唆するものである。
【０１０２】（比較例４）化合物２の代わりに１，１−
ビス−（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサンとポリ−（Ｎ−ビニルカルバゾール）が重量比
で１：１になるようにジクロロメタンに溶解し、１，１
−ビス−（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シク
ロヘキサンが１％含まれるジクロロメタン溶液を作成
し、この溶液からディップコーターを用いて正孔輸送層
を５５nm形成する以外、実施例４２と同様の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子を作成した。
ビス−（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサンとポリ−（Ｎ−ビニルカルバゾール）が重量比
で１：１になるようにジクロロメタンに溶解し、１，１
−ビス−（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シク
ロヘキサンが１％含まれるジクロロメタン溶液を作成
し、この溶液からディップコーターを用いて正孔輸送層
を５５nm形成する以外、実施例４２と同様の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子を作成した。
【０１０３】この素子の発光特性を乾燥空気中で測定し
た。本比較例において、１００ｃｄ／ｍ2 における電流
密度は、３．１５ｍＡ／cm2 であり、実施例４３の場合
より、電流密度が大きい。定電流駆動で初期輝度３００
ｃｄ／ｍ2 での輝度の半減時間は、３４０時間であり、
実施例４３と比べて２４０時間短い。
た。本比較例において、１００ｃｄ／ｍ2 における電流
密度は、３．１５ｍＡ／cm2 であり、実施例４３の場合
より、電流密度が大きい。定電流駆動で初期輝度３００
ｃｄ／ｍ2 での輝度の半減時間は、３４０時間であり、
実施例４３と比べて２４０時間短い。
【０１０４】（比較例５）以下に比較例５の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子について説明する。本比較例ではブロッキング層
は設けられていない。素子は陽極／正孔輸送層／発光層
／陰極により構成されている。ガラス基板上にＩＴＯを
スパッタリングによってシート抵抗が２０Ω／□になる
ように製膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層とし
て、化合物２をＭＢＥ法を用いて５．８×１０-9Ｔｏｒ
ｒ真空下、３０nm形成した。更に、発光層として、トリ
ス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニウム）をＭＢ
Ｅ法によって９×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、７５nm形成し
た。
Ｌ素子について説明する。本比較例ではブロッキング層
は設けられていない。素子は陽極／正孔輸送層／発光層
／陰極により構成されている。ガラス基板上にＩＴＯを
スパッタリングによってシート抵抗が２０Ω／□になる
ように製膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層とし
て、化合物２をＭＢＥ法を用いて５．８×１０-9Ｔｏｒ
ｒ真空下、３０nm形成した。更に、発光層として、トリ
ス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニウム）をＭＢ
Ｅ法によって９×１０-9Ｔｏｒｒ真空下、７５nm形成し
た。
【０１０５】次に陰極としてスカンジウムが１モル％含
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でＲＦスパッ
タ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方
法でリチウムが陰極の０．３モル％を占めるように２０
nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが
１モル％含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中の
ＲＦスパッタ法により３００nm形成した。
【０１０６】この素子の発光特性を乾燥空気中で測定し
た。本比較例において、１００ｃｄ／ｍ2 における電流
密度は、５．６３ｍＡ／cm2 であり、実施例１の場合よ
り、電流密度が大きい。定電流駆動で初期輝度３００ｃ
ｄ／ｍ2 での輝度の半減時間は１７０時間であった。
た。本比較例において、１００ｃｄ／ｍ2 における電流
密度は、５．６３ｍＡ／cm2 であり、実施例１の場合よ
り、電流密度が大きい。定電流駆動で初期輝度３００ｃ
ｄ／ｍ2 での輝度の半減時間は１７０時間であった。
【０１０７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の正孔輸送帯
を有機薄膜ＥＬ素子に適用することで、有機薄膜ＥＬ素
子やマトリクス型有機ＥＬデバイスにおいて低電力性を
有効に発揮しながら寿命特性など素子の駆動安定性を従
来のものより高めることができる。
を有機薄膜ＥＬ素子に適用することで、有機薄膜ＥＬ素
子やマトリクス型有機ＥＬデバイスにおいて低電力性を
有効に発揮しながら寿命特性など素子の駆動安定性を従
来のものより高めることができる。
【図１】本発明の実施例１から実施例２０に用いた正孔
輸送帯を有する有機薄膜ＥＬ素子の断面図である。
輸送帯を有する有機薄膜ＥＬ素子の断面図である。
【図２】本発明の実施例２１から実施例４１及び実施例
４３に用いた正孔輸送帯を有する有機薄膜ＥＬ素子の説
明図である。
４３に用いた正孔輸送帯を有する有機薄膜ＥＬ素子の説
明図である。
【図３】本発明の実施例１及び比較例１の電流密度−輝
度特性を示すグラフである。
度特性を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例１及び比較例１の寿命特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】本発明の実施例２１及び比較例２の電流密度−
輝度特性を示すグラフである。
輝度特性を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例２１及び比較例２の寿命特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図７】本発明の実施例４２に用いたマトリクス型有機
薄膜ＥＬデバイスを構成する画素を示す平面レイアウト
図である。
薄膜ＥＬデバイスを構成する画素を示す平面レイアウト
図である。
【図８】図７の線Ａ−Ａに沿ったマトリクス型有機薄膜
ＥＬデバイスを構成する画素の断面図である。
ＥＬデバイスを構成する画素の断面図である。
【図９】本発明の実施例４２に用いたマトリクス型有機
薄膜ＥＬデバイスを駆動する回路図である。
薄膜ＥＬデバイスを駆動する回路図である。
１M ，１M+1 信号電極線 ３N-1 ，３N ，３N+1 走査電極線 ５ 電源電極 １０ 単位画素 １１ 基板 １２ 陽極 １３ 正孔輸送帯 １３Ａ 正孔注入層 １３Ｂ 正孔輸送層 １３Ｃ ブロッキング層 １４ 発光層 １５ 陰極 ５０ ガラス基板 ５２ 有機薄膜層 ５２Ａ 正孔注入層 ５２Ｂ 正孔輸送層 ５２Ｃ ブロッキング層 ５２Ｄ 発光層 ５４ 陽極 ５５ 陰極 ５６Ａ，５６Ｂ コンタクトホール ５７ 陰極保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 直康 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の電極間に少
なくとも正孔輸送帯域を有し、前記正孔輸送帯が陽極に
接する正孔輸送層と発光層に接するブロッキング層、あ
るいは陽極に接する正孔注入層と前記正孔注入層に接す
る正孔輸送層と発光層に接するブロッキング層からなる
有機薄膜ＥＬ素子において、前記正孔輸送層が下記一般
式（１）で示されるヒストリフェニルアミンスチリル誘
導体を含有することを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子。 【化１】 （式中、Ａは炭素数１０以下の置換又は非置換のアルキ
リデン基、シクロアルキリデン基、あるいは酸素原子、
硫黄原子、あるいは置換または非置換のアミノ基を示
す。Ａｒ1 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、Ａｒ5 は置換又は非置換
のアリーレン基を示す。Ａｒ2 、Ａｒ6 は置換又は非置
換のアリール基を示す。Ｘ、Ｙは下記一般式（２）で示
されるような置換基を示す。 【化２】 ここで、Ａｒ7 、Ａｒ8 は置換又は非置換のアリール基
を示す。Ｒ1 は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換
又は非置換のアミノ基、又は置換基を有しても良い炭素
数１〜６の低級アルキル基を示す。） - 【請求項２】発光層に接する前記ブロッキング層の膜厚
が、１０nm以下であり、前記ブロッキング層の励起エネ
ルギーは隣接する発光層の励起エネルギーよりも大きい
ことを特徴とする請求項１記載の有機薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項３】陽極に接する前記正孔注入層の膜厚が３０
nm以下であることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜
ＥＬ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24793094A JP3758694B2 (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| US08/542,624 US5858562A (en) | 1994-10-13 | 1995-10-13 | Organic thin film electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24793094A JP3758694B2 (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08109373A true JPH08109373A (ja) | 1996-04-30 |
| JP3758694B2 JP3758694B2 (ja) | 2006-03-22 |
Family
ID=17170674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24793094A Expired - Lifetime JP3758694B2 (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5858562A (ja) |
| JP (1) | JP3758694B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1079297A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-03-24 | Sony Corp | 電界発光素子 |
| JP2000068059A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6074734A (en) * | 1995-01-19 | 2000-06-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device, organic thin film, and triamine compound |
| EP1353388A2 (en) | 2002-04-12 | 2003-10-15 | Konica Corporation | Organic electroluminescence element |
| US6670051B2 (en) | 1998-10-23 | 2003-12-30 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device using hole-injectable, light-emitting material |
| EP1424381A2 (en) | 2002-11-26 | 2004-06-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| US6821644B2 (en) | 1999-12-15 | 2004-11-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| EP1536496A1 (en) * | 1997-10-09 | 2005-06-01 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting device |
| KR100682766B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 전자 래더층을 갖는 유기 전계 발광 소자 |
| JP2007515787A (ja) * | 2003-12-05 | 2007-06-14 | イーストマン コダック カンパニー | 有機エレクトロルミネセンスデバイス |
| JP2009221156A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Ricoh Co Ltd | α−フェニルスチルベン化合物及びその製造方法 |
| US7781072B2 (en) | 2002-03-29 | 2010-08-24 | Pioneer Corporation | Organic electroluminescence device |
| JP2011138136A (ja) * | 1999-10-26 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電子機器 |
| JP2013012456A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Samsung Display Co Ltd | 発光構造物、発光構造物を含む表示装置、及び表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6392341B2 (en) * | 1993-07-20 | 2002-05-21 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Resonant microcavity display with a light distribution element |
| JP3268993B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2002-03-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| JP3287344B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2002-06-04 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ素子 |
| JP2000196140A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
| JP3589960B2 (ja) | 1999-09-16 | 2004-11-17 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ素子 |
| GB0028436D0 (en) * | 2000-11-21 | 2001-01-10 | South Bank Univ Entpr Ltd | Electroluminescent device incorporating conjugated polymer |
| US6740429B2 (en) | 2001-11-08 | 2004-05-25 | Xerox Corporation | Organic light emitting devices |
| JP4310984B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2009-08-12 | 株式会社日立製作所 | 有機発光表示装置 |
| JP4017441B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2007-12-05 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
| US20040004433A1 (en) * | 2002-06-26 | 2004-01-08 | 3M Innovative Properties Company | Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use |
| JP2007528586A (ja) * | 2003-07-07 | 2007-10-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光取出しを改善するためのｌｅｄ用多フッ素化導体材料 |
| KR100565665B1 (ko) * | 2004-03-22 | 2006-03-30 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| US9530968B2 (en) * | 2005-02-15 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| DE112006001016T5 (de) * | 2005-04-28 | 2008-04-03 | Sumitomo Chemical Co. Ltd. | Polymerverbindung und polymere lichtemittierende Vorrichtung unter deren Verwendung |
| US7846391B2 (en) | 2006-05-22 | 2010-12-07 | Lumencor, Inc. | Bioanalytical instrumentation using a light source subsystem |
| US7709811B2 (en) * | 2007-07-03 | 2010-05-04 | Conner Arlie R | Light emitting diode illumination system |
| US8098375B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-01-17 | Lumencor, Inc. | Light emitting diode illumination system |
| US8242462B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-08-14 | Lumencor, Inc. | Lighting design of high quality biomedical devices |
| US8466436B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-06-18 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
| US8389957B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-03-05 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
| US9642515B2 (en) | 2012-01-20 | 2017-05-09 | Lumencor, Inc. | Solid state continuous white light source |
| US9217561B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-12-22 | Lumencor, Inc. | Solid state light source for photocuring |
| WO2014194372A1 (en) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Electroluminescent devices |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5338634A (en) * | 1991-07-31 | 1994-08-16 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising an amino compound |
| US5443922A (en) * | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
| JP3565870B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2004-09-15 | 株式会社リコー | 電界発光素子 |
| DE69332819T2 (de) * | 1992-08-28 | 2003-11-13 | Idemitsu Kosan Co | Ladungsinjektionshilfe und sie enhaltende organische elektrolumineszente vorrichtung. |
-
1994
- 1994-10-13 JP JP24793094A patent/JP3758694B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-10-13 US US08/542,624 patent/US5858562A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6074734A (en) * | 1995-01-19 | 2000-06-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device, organic thin film, and triamine compound |
| JPH1079297A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-03-24 | Sony Corp | 電界発光素子 |
| EP1536496A1 (en) * | 1997-10-09 | 2005-06-01 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting device |
| JP2000068059A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6670051B2 (en) | 1998-10-23 | 2003-12-30 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device using hole-injectable, light-emitting material |
| US9391132B2 (en) | 1999-10-26 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2011138136A (ja) * | 1999-10-26 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電子機器 |
| US8933624B2 (en) | 1999-10-26 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6821644B2 (en) | 1999-12-15 | 2004-11-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US7781072B2 (en) | 2002-03-29 | 2010-08-24 | Pioneer Corporation | Organic electroluminescence device |
| EP2192632A1 (en) | 2002-04-12 | 2010-06-02 | Konica Corporation | Organic Electroluminescence Element |
| EP1353388A2 (en) | 2002-04-12 | 2003-10-15 | Konica Corporation | Organic electroluminescence element |
| EP2248870A2 (en) | 2002-11-26 | 2010-11-10 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminscent element and display and illuminator |
| EP1424381A2 (en) | 2002-11-26 | 2004-06-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| EP2759585A1 (en) | 2002-11-26 | 2014-07-30 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| EP2762546A1 (en) | 2002-11-26 | 2014-08-06 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| EP2765174A1 (en) | 2002-11-26 | 2014-08-13 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| JP2007515787A (ja) * | 2003-12-05 | 2007-06-14 | イーストマン コダック カンパニー | 有機エレクトロルミネセンスデバイス |
| KR100682766B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 전자 래더층을 갖는 유기 전계 발광 소자 |
| JP2009221156A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Ricoh Co Ltd | α−フェニルスチルベン化合物及びその製造方法 |
| JP2013012456A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Samsung Display Co Ltd | 発光構造物、発光構造物を含む表示装置、及び表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3758694B2 (ja) | 2006-03-22 |
| US5858562A (en) | 1999-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3758694B2 (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| KR100903918B1 (ko) | 유기 전계발광 소자 및 표시 장치 | |
| JP4172172B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4483167B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置 | |
| JP2004022334A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP2004071380A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP2004031004A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JPH0797355A (ja) | トリスアリールアミノベンゼン誘導体、有機ｅｌ素子用化合物および有機ｅｌ素子 | |
| JP4631259B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JPH06212153A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004014334A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP4103442B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
| JP3227784B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH11273861A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004103401A (ja) | 素子および該素子の製造方法 | |
| JP2004311182A (ja) | 導電性液晶材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH10284252A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP3988196B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| Sato | Organic LED system considerations | |
| JPH0860144A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2003208988A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP3471910B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2004047329A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP3189376B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2000021571A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031205 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040113 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040206 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040310 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040316 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040316 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040316 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040430 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051227 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090113 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090113 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100113 Year of fee payment: 4 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100113 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110113 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110113 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120113 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |