JP5856483B2 - 陽極バッファ層用組成物、陽極バッファ層用高分子化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法およびその用途 - Google Patents

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス（以下「有機ＥＬ」ともいう。）素子を構成する陽極バッファ層用の材料、ならびにこれを用いた有機ＥＬ素子、その製造方法およびその用途に関し、より詳細には、特定のポリマー系ホスト材料を含む陽極バッファ層用組成物または特定の構成単位を含む陽極バッファ層用高分子化合物、ならびにこれを用いた有機ＥＬ素子等に関する。

１９８７年にコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらにより有機ＥＬ素子の高輝度の発光が示されて（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１巻，９１３頁，１９８７年）以来、有機ＥＬ素子の材料開発、素子構造の改良が急速に進み、最近になってカーオーディオや携帯電話用のディスプレイなどから有機ＥＬ素子実用化が始まった。この有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）の用途を更に拡大するために、発光効率向上、耐久性向上のための材料開発、フルカラー表示の開発などが現在活発に行われている。

有機ＥＬ素子には、一対の電極とこれらに挟持された発光層が必須であるが、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下させる、電流効率を向上させる、正孔注入を安定化させて有機ＥＬ素子の電力効率（∝発光効率／駆動電圧）を向上させ、有機ＥＬ素子を長寿命化させる、陽極の突起などを被覆して素子欠陥を減少させるなどの目的で、陽極と発光層との間には、陽極に隣接して陽極バッファ層（正孔注入層などともいう。）をさらに設けることがある。

この陽極バッファ層の材料としては、ポリマー系材料、オリゴマー系材料などが挙げられ、それぞれ種々のものが知られている。

前記ポリマー系材料としては、ポリアニリン、ポリチオフェン（ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）など）、アリールアミンを主鎖または側鎖に持つポリマーに酸化剤を混入し導電化した材料などが知られている（非特許文献１）。

たとえば、特許文献１（特開２０００−３６３９０号公報）、特許文献２（特開２００１−２２３０８４号公報）および特許文献３（特開２００２−２５２０８５号公報）には、特定のアリールアミン構造を含むポリマーと電子受容性化合物（酸化剤）とを含有する正孔注入層が記載されている。これらの正孔注入層形成方法としては、特定のアリールアミン構造を含む前記ポリマーおよび前記電子受容性化合物を含む塗布溶液を調製し、スピンコート法やディップコート法などの方法により陽極上に塗布し、乾燥させる方法が記載されている。

特開２０００−３６３９０号公報 特開２００１−２２３０８４号公報 特開２００２−２５２０８５号公報

内田龍男、内池平樹監修、「フラットパネルディスプレイ大事典」、初版、株式会社工業調査会、２００１年、４２３−４２６頁

しかしながら、有機溶剤を溶媒とするポリマー系材料の溶液を用いて陽極バッファ層を形成した場合には、その上に発光層形成材料等の溶液を塗布して発光層を形成しようとすると、発光層等形成の際の溶媒（有機溶剤）によって陽極バッファ層が溶けてしまう場合があった。

陽極バッファ層（正孔注入層）上に蒸着法により発光層等を形成する技術を開示する特許文献１〜３には、このような問題点について、何ら示唆されていない。

一方、ポリマー系材料の水溶液を用いて陽極バッファ層を形成した場合には、上記のような問題は生じないが、ポリマー材料がイオン性基等を有することが多く、電力効率を向上させることができる反面、有機ＥＬ素子を駆動した際のイオン拡散などにより有機ＥＬ素子の劣化を促進させることが多かった。

従来技術における上述のような問題点の解決を課題とする本発明は、陽極バッファ層形成用溶液の溶媒として有機溶剤を使用でき、有機溶剤を溶媒とする発光層形成材料溶液の塗布によっても溶解しない陽極バッファ層を形成でき、しかも電力効率が高く寿命が長い有機ＥＬ素子を製造することのできる、陽極バッファ層用材料を提供することを目的としている。

本発明は、たとえば以下の［１］〜［１０］に関する。

［１］
下記式（１）または下記式（２）で表される構成単位を有し、ＧＰＣにより測定される重量平均分子量が２０，０００〜１，０００，０００である高分子化合物、および
電子受容性化合物
を含有することを特徴とする陽極バッファ層用組成物。

〔式（１）、（２）のそれぞれにおいて、
複数個あるＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、少なくとも１つのＲ^aは炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
複数個あるＲ^bは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
複数個あるＲ^cは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、同一のフェニル基の中の隣接する炭素原子にそれぞれ結合しているＲ^cは、互いに結合して縮合環を形成してもよく、
Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹−（ただし、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ²−（ただし、Ｒ²は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）を表し、
Ｙ−Ｘ−は、

（Ｒ³は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
で表される基を表し、
ｐは、０、１または２を表す。〕
［２］
下記式（１）または下記式（２）で表される構成単位、および重合性官能基を有する電子受容性化合物から誘導される構成単位を有し、ＧＰＣにより測定される重量平均分子量が２０,０００〜１，０００，０００であることを特徴とする陽極バッファ層用高分子化合物。

〔式（１）、（２）のそれぞれにおいて、
複数個あるＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、少なくとも１つのＲ^aは炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
複数個あるＲ^bは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
複数個あるＲ^cは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、同一のフェニル基の中の隣接する炭素原子にそれぞれ結合しているＲ^cは、互いに結合して縮合環を形成してもよく、
Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹−（ただし、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ²−（ただし、Ｒ²は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）を表し、
Ｙ−Ｘ−は、

（Ｒ³は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
で表される基を表し、
ｐは、０、１または２を表す。〕
［３］
有機溶剤をさらに含有することを特徴とする上記［１］に記載の陽極バッファ層用組成物。

［４］
上記［２］に記載の陽極バッファ層用高分子化合物および有機溶剤を含有することを特徴とする陽極バッファ層用組成物。

［５］
陽極、陽極バッファ層、発光層および陰極がこの順序で積層されてなり、
該陽極バッファ層が、上記［１］，［３］もしくは［４］に記載の陽極バッファ層用組成物または上記［２］に記載の陽極バッファ層用高分子化合物を加熱して形成されたものである
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

［６］
陰極バッファ層をさらに有することを特徴とする上記［５］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

［７］
陽極上に上記［３］または［４］に記載の陽極バッファ層用組成物を、塗布し、次いで加熱して、陽極バッファ層を形成する第一工程、
該陽極バッファ層上に発光層を形成する第二工程、および
該発光層上に陰極を形成する第三工程
を含み、
前記第二工程が、
前記陽極バッファ層表面に正孔輸送層形成材料および有機溶剤を含む正孔輸送層形成用溶液を塗布し、次いで該有機溶剤を除去して、前記陽極バッファ層に接する正孔輸送層を形成し、該正孔輸送層上に前記発光層を形成する工程２Ａであるか、または
前記陽極バッファ層表面に発光層形成材料および有機溶剤を含む発光層形成用溶液を塗布し、次いで該有機溶剤を除去して、前記陽極バッファ層に接する前記発光層を形成する工程２Ｂである
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

［８］
前記第二工程が前記工程２Ａであって、前記正孔輸送層形成用溶液に含まれる有機溶剤が、その構成成分として、前記陽極バッファ層用組成物に含まれる有機溶剤の構成成分の少なくとも１つを含んでいることを特徴とする上記［７］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

［９］
前記第二工程が前記工程２Ｂであって、記発光層形成用溶液に含まれる有機溶剤が、その構成成分として、前記陽極バッファ層用組成物に含まれる有機溶剤の構成成分の少なくとも１つを含んでいることを特徴とする上記［７］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

［１０］
前記加熱を１００〜３５０℃で１０〜１８０分間行うことを特徴とする上記［７］〜［９］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

［１１］
上記［５］または［６］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置。

［１２］
上記［５］または［６］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える光照射装置。

本発明の陽極バッファ層用組成物または陽極バッファ層用高分子化合物を用いれば、陽極バッファ層形成用溶液の溶媒として有機溶剤を使用でき、有機溶剤を溶媒とする発光層形成材料溶液の塗布によっても溶解しない陽極バッファ層を形成でき、しかも電力効率が高く寿命が長い有機ＥＬ素子を製造することができる。

図１は、本発明に係る有機ＥＬ素子の一例の断面図である。 図２は、実施例における陽極バッファ層の厚さの測定方法を模式的に示す。

［陽極バッファ層用組成物］
本発明の陽極バッファ層用組成物は、ホスト材料である特定の高分子化合物（以下「ホスト用高分子化合物」ともいう。）、およびドーパントである電子受容性化合物を含む。

＜ホスト用高分子化合物＞
（特定構成単位）
前記ホスト用高分子化合物は、下記式（１）または下記式（２）で表される構成単位（以下「特定構成単位」ともいう。）を有する。

〔式（１）、（２）のそれぞれにおいて、
複数個あるＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、少なくとも１つのＲ^aは炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
複数個あるＲ^bは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
複数個あるＲ^cは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、同一のフェニル基の中の隣接する炭素原子にそれぞれ結合しているＲ^cは、互いに結合して縮合環を形成してもよく、
Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹−（ただし、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ²−（ただし、Ｒ²は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）を表し、
Ｙ−Ｘ−は、

（Ｒ³は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
で表される基を表し、
ｐは、０、１または２を表し、好ましくは０または１を表す。〕
前記式（１）〜（２）のそれぞれにおける少なくとも１つのＲ^aが炭素数１〜１０のアルキル基であることにより、後述する有機ＥＬ素子の製造において、陽極バッファ層形成用溶液の溶媒として有機溶剤を使用でき、有機溶剤を溶媒とする発光層形成材料溶液の塗布によっても溶解しない陽極バッファ層を形成でき（以下、有機溶剤を溶媒とする発光層形成材料溶液の塗布によっても陽極バッファ層が溶解しないことを「陽極バッファ層の不溶化」ともいう。）、しかも電力効率が高く寿命が長い有機ＥＬ素子を製造することができる。

前記式（１）および（２）におけるＲ^aを有するベンゼン環においては、Ｎ（窒素原子）に対してオルト位にある少なくとも１つのＲ^aがアルキル基であることが好ましい。

Ｒ^bを有する各ベンゼン環においても、Ｎ（窒素原子）に対してオルト位にある少なくとも１つのＲ^bがアルキル基であることが好ましい。

このように、Ｎ（窒素原子）に対してオルト位にアルキル基が存在すると、前記特定構成単位中のトリフェニルアミン骨格のねじれが大きくなり、陽極バッファ層の不溶化がより促進される、と推測される。

したがって、前記式（１）で表される特定構成単位における

で表される部分構造の好ましい例としては、以下の構造が挙げられ、

〔ただし、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基を表す。以下も同様である。〕
特に好ましい例としては、以下の構造が挙げられる。

同様に、前記式（２）で表される特定構成単位における

で表される部分構造の好ましい例としては、以下の構造が挙げられ、

特に好ましい例としては、以下の構造が挙げられる。

前記Ｒ^aにおけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、アミル基、ヘキシル基等が挙げられ、特定構成単位を誘導する単量体の合成容易性の観点からは、メチル基、エチル基、イソプロピル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。

前記Ｒ^bにおけるアルキル基としては、上述したＲ^aにおけるアルキル基の具体例が挙げられ、特定構成単位を誘導する単量体の合成容易性の観点からは、メチル基、エチル基、イソプロピル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。

前記ホスト用高分子化合物の、有機溶剤への溶解性および溶液の均質化の観点からは、１つのベンセン環当り少なくとも１つ（例：１つ）のＲ^cがアルキル基またはアルコキシ基であることが好ましい。

前記Ｒ^cにおけるアルキル基としては、上述したＲ^aにおけるアルキル基の具体例が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ターシャリーブチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。

前記Ｒ^cにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。

前記Ｒ^cにおけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、およびターシャルブトキシ基等が挙げられメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基が好ましく、メトキシ基が特に好ましい。前記縮合環としては、ナフチレン基等が挙げられる。

Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹−（ただし、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ²−（ただし、Ｒ²は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）を表す。これらの中でも、単結合、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−および炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）が好ましい。

前記Ｙ−Ｘ−で表される構造としては、Ｙ−（Ｘは単結合である。）、Ｙ−Ｏ−、Ｙ−ＣＯＯ−および下記式（Ｓ１）〜（Ｓ３）のいずれかで表される基（下記式（Ｓ１）、（Ｓ３）中、ｎは、０〜５の整数を示す。）が好ましい。

Ｙを誘導する重合性官能基ｙは、ビニル基、イソプロペニル基などのＣＨ₂＝ＣＲ³−で表される基（Ｒ³は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）である。これらのうちで、ビニル基が好ましい。

Ｙ−Ｘ−で表される構造を誘導する重合性官能基を含む部分構造としては、具体的には、下記式（Ａ１）〜（Ａ１３）で表される部分構造が好ましい。これらのうちで、下記式（Ａ１）、（Ａ５）、（Ａ８）、（Ａ１２）で表される部分構造は、特定構成単位を誘導する単量体に容易に導入できるためさらに好ましい。

（特定構成単位の具体例）
前記特定構成単位の具体例としては、以下の式（Ｂ−１）〜（Ｂ−２１）のいずれかで表される構成単位が挙げられる。

これらの中では、式（Ｂ-１１）〜（Ｂ−２１）のいずれかで表される構成単位が好ましい。

前記特定構成単位のより好ましい具体例としては、以下の式（Ｂ−２２）〜（Ｂ−３２）のいずれかで表される構成単位が挙げられる。

これらの中では、式（Ｂ−２２）、（Ｂ−２６）、（Ｂ−２７）、（Ｂ−３０）のいずれかで表される構成単位が特に好ましい。

前記ホスト用高分子化合物には、１種の前記特定構成単位が含まれていてもよく、２種以上の前記特定構成単位が含まれていてもよい。

（前記特定構成単位を誘導する単量体の製造方法）
前記特定構成単位を誘導する単量体は、従来公知の方法、たとえば以下の方法により製造することができる。

＜式（１）で表される構成単位を誘導する単量体の製法の例＞
下図のように、ビフェニルジアミン誘導体（ｍ−１）と、ハロゲン化アリール誘導体（ｍ−３）とを、溶媒（たとえば、トルエン、キシレン）中で、通常のパラジウム触媒を用いてカップリング反応させることにより、（ｍ−４）および（ｍ−４′）を誘導する。

次に、下図のように、（ｍ−４）および（ｍ−４′）と、重合性置換基を有したハロゲン化アリール（ｍ−６）とを、通常のパラジウム触媒を用いてカップリング反応させることにより、式（１）で表される構成単位を誘導する単量体の１つである（ｍ−７）が（ｍ−７′）と共に製造される。

また下図のように、フェニルジアミン誘導体（ｍ−２）と、ハロゲン化アリール誘導体（ｍ−３）とを、溶媒（たとえば、トルエン、キシレン）中で、通常のパラジウム触媒を用いてカップリング反応させることにより、（ｍ−５）を誘導し、（ｍ−５）と重合性置換基を有するハロゲン化アリール（ｍ−６）とを、通常のパラジウム触媒を用いてカップリング反応させることにより、式（１）で表される構成単位を誘導する単量体の１つである（ｍ−８）が製造される。

＜式（２）で表される構成単位を誘導する単量体の製法の例＞
下図のように、（ｍ−９）とジアリールアミン（ｍ−１０）とを、溶媒（たとえば、トルエン、キシレン）中で、通常のパラジウム触媒を用いてカップリング反応させることにより、式（２）で表される構成単位を誘導する単量体の１つである（ｍ−１１）が製造される。

また、（ｍ−９）と（ｍ−１０）との１：１カップリング体である（ｍ−１２）と、ハロゲンとのカップリング性を有した反応基Ｑ（−Ｂ（ＯＨ）₂、ハロゲン原子等）を有するトリフェニルアミン化合物（ｍ−１３）とを反応させることにより、式（２）で表される構成単位を誘導する単量体の１つである（ｍ−１４）が製造される。

なお、式（ｍ−１）〜（ｍ−１４）中のＲ^a、Ｒ^b、Ｒ^cおよびＸは、それぞれ式（１）、（２）中のＲ^a、Ｒ^b、Ｒ^cおよびＸと同義であり、ｙは式（１）、（２）の中のＹを誘導する重合性置換基である。

（他の構成単位）
前記ホスト用高分子化合物は、前記特定構成単位のみからなる単独重合体であってもよく前記特定構成単位以外の構成単位（以下「他の構成単位」ともいう。）を含む共重合体であってもよい。

前記他の構成単位の具体例としては、下記式（３）で表される構成単位および下記式（４）で表される構成単位が挙げられる。

〔式（３）、（４）のそれぞれにおいて、
複数個あるＲ^cは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、同一のフェニル基の中の隣接する炭素原子にそれぞれ結合しているＲ^cは、互いに結合して縮合環を形成してもよく、
Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹−（ただし、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ²−（ただし、Ｒ²は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）を表し、
Ｙ−Ｘ−は、

（Ｒ³は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
で表される基を表し、
ｐは、０、１または２を表し、好ましくは０または１を表す。〕
式（３）におけるＲ^cの具体例および好ましい態様としては、前記式（１）および（２）におけるＲ^cの具体例および好ましい態様が挙げられる。

式（３）におけるＸの具体例および好ましい態様としては、それぞれ、前記式（１）および（２）におけるＸの具体例および好ましい態様が挙げられる。

式（３）におけるＹ−Ｘ−の具体例および好ましい態様としては、それぞれ、前記式（１）および（２）におけるＹ−Ｘ−の具体例および好ましい態様が挙げられ、Ｙを誘導する重合性官能基ｙとしてはビニル基が好ましい。

同様に、式（４）におけるＲ^cの具体例および好ましい態様としては、前記式（１）および（２）におけるＲ^cの具体例および好ましい態様が挙げられる。

式（４）におけるＸの具体例および好ましい態様としては、それぞれ、前記式（１）および（２）におけるＸの具体例および好ましい態様が挙げられる。

式（４）におけるＹ−Ｘ−の具体例および好ましい態様としては、それぞれ、前記式（１）および（２）におけるＹ−Ｘ−の具体例および好ましい態様が挙げられ、Ｙを誘導する重合性官能基ｙとしてはビニル基が好ましい。

前記他の構成単位の具体例としては、以下の構成単位が挙げられる。

前記他の構成単位の好ましい具体例としては、以下の構成単位が挙げられる。

（ホスト用高分子化合物）
前記ホスト用高分子化合物は、前記特定構成単位のみからなる単独重合体であってもよく、前記他の構成単位をさらに含む共重合体であってもよい。この共重合体は、ランダム共重合体であってもよくブロック共重合体であってもよい。

前記ホスト用高分子化合物は、陽極バッファ層の不溶化の観点から、前記特定構成単位を好ましくは８０モル％以上、より好ましくは９０モル％以上、さらに好ましくは９５モル％以上含む。

前記ホスト用高分子化合物の、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）による重量平均分子量は、陽極バッファ層の不溶化の観点から、通常２０，０００以上、より好ましくは５０，０００以上、さらに好ましくは１００，０００以上である。その上限値は、ホスト用高分子化合物自体の溶解性の観点から、１，０００，０００程度である。この重量平均分子量の値は、後述する実施例における測定方法によって測定された場合の値である。

前記ホスト用高分子化合物は、その原料として、前記特定構成単位を誘導する単量体および、必要に応じて、前記他の構成単位を誘導する単量体を用いる点を除けば、重合体製造における常法により製造することができる。その重合方法は、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、付加重合のいずれでもよいが、ラジカル重合が好ましい。

＜ホスト用低分子化合物＞
本発明の陽極バッファ層用組成物は、ホスト用低分子化合物を含んでいても良い。このホスト用低分子化合物の具体例としては、下記式（５）で表される化合物および下記式（６）で表される化合物が挙げられる。

〔式（５）、（６）のそれぞれにおいて、
複数個あるＲ^cは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、同一のフェニル基の隣接する炭素原子にそれぞれ結合しているＲ^cは、互いに結合して縮合環を形成してもよく、
ｐは、０、１または２を表し、好ましくは０または１を表す。〕
式（５）におけるＲ^cの具体例および好ましい態様としては、前記式（３）におけるＲ^cの具体例および好ましい態様が挙げられる。

同様に、式（６）におけるＲ^cの具体例および好ましい態様としては、前記式（４）におけるＲ^cの具体例および好ましい態様が挙げられる。

前記ホスト用低分子化合物としては、たとえば以下の化合物が挙げられる。

＜電子受容性化合物＞
前記電子受容性化合物（ドーパント）としては、公知の化合物、たとえば、Ｎ，Ｎ'−ジシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロ−１，４−キノンジイミン（Ｆ４ＤＣＮＱＩ）、Ｎ，Ｎ'−ジシアノ−２，５−ジクロロ−１，４−キノンジイミン（Ｃ１２ＤＣＮＱＩ）、Ｎ，Ｎ'−ジシアノ−２，５−ジクロロ−３，６−ジフルオロ−１，４−キノンジイミン（Ｃ１２Ｆ２ＤＣＮＱＩ）、Ｎ，Ｎ'−ジシアノ−２，３，５，６，７，８−ヘキサフルオロ−１，４−ナフトキノンジイミン（Ｆ６ＤＣＮＮＯＩ）、１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラチア−２，３，６，７−テトラシアノアントラキノン（ＣＮ４ＴＴＡＱ）、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）、２，５−ビス（２−ヒドロキシエトキシ）−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２，５−ジフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ビス（テトラブチルアンモニウム）テトラシアノジフェノキノジメタニド、２，５−ジメチル−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２−フルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタンなどが挙げられる。

これらの中でも、有機溶剤（たとえば、トルエン）への溶解性が高く、均一性の高い陽極バッファ層を形成できる点で、ＴＣＮＱおよびＦ４ＴＣＮＱが好ましい。

＜陽極バッファ層用組成物＞
本発明の陽極バッファ層用組成物は、前記ホスト用高分子化合物および電子受容性化合物を含んでいる。

前記電子受容性化合物は、前記ホスト用高分子化合物および任意成分である前記ホスト用低分子化合物の合計１００質量部に対して、通常０．１〜２０質量部、好ましくは０．５〜１０質量部、さらに好ましくは１〜５質量部含まれる。含有量が上記範囲にあると、陽極バッファ層は十分な電荷注入能を発揮する。一方、含有量が上記範囲よりも過大であると、電子受容性化合物の結晶化などにより有機ＥＬ素子の劣化を引き起こす場合がある。

前記ホスト用高分子化合物１００質量部に対する前記ホスト用低分子化合物の割合は、好ましくは３〜２０質量部、さらに好ましくは５〜１０質量部である。

前記組成物は、有機溶剤をさらに含んでいても良い。

有機溶剤を含む前記組成物は、陽極バッファ層形成用塗布液として使用することができる。

前記有機溶剤としては、種々の有機溶媒を用いることができ、たとえばトルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒やクロロホルムやジクロロエタン等のハロゲン化アルキル溶媒などが挙げられる。前記有機溶剤は、２種以上の成分（たとえば、トルエンおよびキシレン）から構成されていてもよい。

前記組成物中の前記有機溶剤の含量は、形成しようとする陽極バッファ層の膜厚や製膜の条件等を考慮して適宜設定することができるが、目安としては、前記組成物中の固形分含量（有機溶剤を除く成分の合計量）が好ましくは０．１〜４質量％、さらに好ましくは０．４〜２質量％となるように調製される。

［陽極バッファ層用高分子化合物］
本発明の陽極バッファ層用高分子化合物は、上述した特定構成単位、および重合性官能基を有する電子受容性化合物から誘導される構成単位（以下「電子受容性構成単位」ともいう。）を有する。

前記陽極バッファ層用高分子化合物を用いて陽極バッファ層を形成すると、有機ＥＬ素子の発光寿命がより一層延びる。

（特定構成単位）
前記特定構成単位の詳細（構造、好ましい態様、製造方法等）は、上述のとおりである。

（電子受容性構成単位）
前記電子受容性構成単位は、重合性官能基を有する電子受容性化合物から誘導される。

この重合性官能基を有する電子受容性化合物としては、上述のように列挙した電子受容性化合物が有する水素原子の１つ(もしくはフッ素原子、またはシアノ基)を重合性官能基で置換してなる化合物が挙げられる。

この重合性置換基としては、上述の式（Ａ１）〜（Ａ１３）で表される重合性置換基が挙げられる。

（他の構成単位）
前記陽極バッファ層用高分子化合物は、上述の「他の構成単位」を含んでいてもよい。

（陽極バッファ層用高分子化合物）
前記陽極バッファ層用高分子化合物は、前記電子受容性構成単位を０．１〜２０モル％、好ましくは０．５〜１０モル％、さらに好ましくは１〜５モル％含む（ただし、前記陽極バッファ層用高分子化合物の全量が１００モル％である）。含有量が上記範囲にあると、陽極バッファ層は十分な電荷注入能を発揮する。

また、陽極バッファ層の不溶化の観点から、残部のうち、好ましくは８０モル％以上、より好ましくは９０モル％以上、さらに好ましくは９５モル％以上は前記特定構成単位である（ただし、残部の量（すなわち、前記陽極バッファ層用高分子化合物中の前記電子受容性構成単位以外の構成単位の全量）が１００モル％である）。

前記陽極バッファ層用高分子化合物の、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）による重量平均分子量は、陽極バッファ層の不溶化の観点から、通常２０，０００以上、より好ましくは５０，０００以上、さらに好ましくは１００，０００以上である。その上限値は、ホスト用高分子化合物自体の溶解性の観点から、１，０００，０００程度である。この重量平均分子量の値は、後述する実施例における測定方法によって測定された場合の値である。

前記陽極バッファ層用高分子化合物は、その原料として、前記特定構成単位を誘導する単量体および前記の重合性官能基を有する電子受容性化合物、ならびに必要に応じて、前記他の構成単位を誘導する単量体を用いる点を除けば、重合体製造における常法により製造することができる。その重合方法は、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、付加重合のいずれでもよいが、ラジカル重合が好ましい。

（陽極バッファ層用高分子化合物を含む組成物）
本発明の陽極バッファ層用高分子化合物は、他の成分との組成物の形態であってもよい。

この他の成分の例としては、上述したホスト用低分子化合物および溶媒が挙げられる。

前記陽極バッファ層用高分子化合物１００質量部に対する前記ホスト用低分子化合物の割合は、好ましくは３〜２０質量部、さらに好ましくは５〜１０質量部である。

また前記組成物中の前記有機溶剤の含量は、形成しようとする陽極バッファ層の膜厚や製膜の条件等を考慮して適宜設定することができるが、目安としては、前記組成物中の固形分含量（有機溶剤を除く成分の合計量）が好ましくは０．１〜４質量％、さらに好ましくは０．４〜２質量％となるように調製される。

［有機ＥＬ素子およびその製造方法］
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極、陽極バッファ層、発光層および陰極がこの順序で積層されてなり、該陽極バッファ層は、該陽極上に本発明の陽極バッファ層用組成物または本発明の陽極バッファ層用高分子化合物を塗布し、次いで加熱して形成される。

以下、本発明の有機ＥＬ素子の構成を説明する。

＜１．素子構成＞
図１は、本発明の有機ＥＬ素子構成の一例を示す断面図であり、透明基板１上に設けた陽極２と陰極５の間に陽極バッファ層３、発光層４を順次設けたものである。

本発明の有機ＥＬ素子の構成は図１の例に限定されず、陽極と陰極の間に順次、１）陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層、２）陽極バッファ層／発光層／電子輸送層、３）陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、４）陽極バッファ層／正孔輸送性化合物、発光性化合物および電子輸送性化合物を含む層、５）陽極バッファ層／正孔輸送性化合物および発光性化合物を含む層、６）陽極バッファ層／発光性化合物および電子輸送性化合物を含む層、７）陽極バッファ層／正孔電子輸送性化合物および発光性化合物を含む層、８）陽極バッファ層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層を設けた素子構成などを挙げることができる。また、図１に示した発光層は１層であるが、発光層を２層以上有していてもよい。

なお、本明細書中においては、電子輸送性化合物、正孔輸送性化合物、発光性化合物の全てあるいは一種類以上からなる化合物および層を、それぞれ「有機ＥＬ化合物」、「有機ＥＬ化合物層」ともいう。

＜２．陽極＞
前記陽極としては、−５〜８０℃の温度範囲で面抵抗が好ましくは１０００オーム□以下、より好ましくは１００オーム□以下である物質を用いることができる。

有機ＥＬ素子の陽極側から光を取り出す場合（ボトムエミッション）には、陽極は可視光に対して透明（３８０〜６８０ｎｍの光に対する平均透過率が５０％以上）であることが必要であるから、陽極の材料としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などが挙げられ、有機ＥＬ素子の陽極として入手が容易であることを考慮すると、これらの中でもＩＴＯが好ましい。

また、有機ＥＬ素子の陰極側から光を取り出す場合（トップエミッション）には、陽極の光透過度は制限されず、陽極の材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ステンレス、あるいは銅、銀、金、白金、タングステン、チタン、タンタルもしくはニオブの単体、またはこれらの合金を使用できる。

陽極の厚さは、ボトムエミッションの場合には、高い光透過率を実現するために、好ましくは２〜３００ｎｍであり、トップエミッションの場合には、好ましくは２ｎｍ〜２ｍｍである。

＜３．陽極バッファ層＞
前記陽極バッファ層は、陽極上に本発明の陽極バッファ層用組成物または陽極バッファ層用高分子化合物を塗布し、さらに加熱することによって形成される。

この塗布操作においては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の公知の塗布法を適用することがきできる。

また、前記塗布操作に続く加熱操作において、加熱温度は、後述する有機ＥＬ化合物層形成の際に陽極バッファ層が溶解するのを防ぐ観点、および陽極バッファ層が熱分解するのを防ぐ観点から、目安としては、たとえば７０℃以上、好ましくは１００〜３５０℃、さらに好ましくは１５０〜２５０℃である。

また加熱時間は、後述する有機ＥＬ化合物層形成の際に陽極バッファ層が溶解するのを防ぐ観点から、好ましくは１０〜１８０分、さらに好ましくは３０〜１２０分である。

本発明の陽極バッファ層用組成物または陽極バッファ層用高分子化合物を塗布し、さらに加熱することによって形成された陽極バッファ層は、有機溶剤に対する耐性が高いため、この陽極バッファ層上に有機溶剤を溶媒とする発光層等形成材料の溶液を塗布しても、溶解し難い。したがって、陽極バッファ層上に陽極バッファ層に接する発光層等（たとえば、発光層、正孔輸送層）を形成するための発光層等形成材料の溶液が、陽極バッファ層組成物に含まれる有機溶剤と同じ溶剤を含んでいても、陽極バッファ層はほとんど溶解せず、陽極バッファ層上に、陽極バッファ層に接する発光層等を塗布により積層することができる。

陽極バッファ層の不溶化の程度を、たとえば陽極バッファ層に下記の処理を施した際の陽極バッファ層の厚さの減少率（（１−処理後の厚さ／処理前の厚さ）×１００［％］）として評価すると、この減少率はたとえば３０％以下、好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下である。

〔処理〕：厚さ２０ｎｍの陽極バッファ層を表面に備えた基板（２５ｍｍ角、板厚１．１ｍｍ、青板ガラス）を、スピンコーターにセットし、陽極バッファ層上に０．１０ｍｌのトルエンを滴下した後、３０００ｒｐｍで３０秒間の条件で回転させる。この回転はトルエンの滴下後５秒以内に開始する。その後、陽極バッファ層を窒素雰囲気下に１４０℃で１時間放置する。

陽極バッファ層の厚さは、バッファ層としての効果を十分に発揮させ、また有機ＥＬ素子の駆動電圧の上昇を防ぐ観点から、好ましくは５〜５０ｎｍ、さらに好ましくは１０〜３０ｎｍである。

＜４．有機ＥＬ化合物層＞
本発明の有機ＥＬ素子における有機ＥＬ化合物層、すなわち発光層、正孔輸送層、及び電子輸送層に使用する化合物としては、低分子化合物及び高分子化合物のいずれをも使用することができる。

本発明の有機ＥＬ素子の発光層を形成するための有機ＥＬ化合物としては、大森裕：応用物理、第７０巻、第１２号、１４１９−１４２５頁（２００１年）に記載されている発光性低分子化合物及び発光性高分子化合物などを例示することができる。この中でも、素子作製プロセスが簡素化されるという点で発光性高分子化合物が好ましく、発光効率が高い点で燐光発光性化合物が好ましい。従って、特に燐光発光性高分子化合物が好ましい。

また、発光性高分子化合物は、共役発光性高分子化合物と非共役発光性高分子化合物とに分類することもできるが、中でも非共役発光性高分子化合物が好ましい。

上記の理由から、本発明で用いられる発光材料としては、燐光発光性非共役高分子化合物（前記燐光発光性高分子であり、かつ前記非共役発光性高分子化合物でもある発光材料）が特に好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子における発光層は、好ましくは、燐光を発光する燐光発光性単位とキャリアを輸送するキャリア輸送性単位とを一つの分子内に備えた、燐光発光性高分子を少なくとも含む。前記燐光発光性高分子は、重合性置換基を有する燐光発光性化合物と、重合性置換基を有するキャリア輸送性化合物とを共重合することによって得られる。燐光発光性化合物はイリジウム、白金および金の中から一つ選ばれる金属元素を含む金属錯体であり、中でもイリジウム錯体が好ましい。

燐光発光性高分子のさらに具体的な例と合成法は、例えば特開２００３−３４２３２５号公報、特開２００３−１１９１７９号公報、特開２００３−１１３２４６号公報、特開２００３−２０６３２０号公報、特開２００３−１４７０２１号公報、特開２００３−１７１３９１号公報、特開２００４−３４６３１２号公報、特開２００５−９７５８９号公報に開示されている。

本発明の方法により製造される有機ＥＬ素子における発光層は、好ましくは前記燐光発光性化合物を含む層であるが、発光層のキャリア輸送性を補う目的で正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物が含まれていてもよい。これらの目的で用いられる正孔輸送性化合物としては、例えば、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジメチル−Ｎ，Ｎ'−（３−メチルフェニル）−１，１'−ビフェニル−４，４'ジアミン）、α−ＮＰＤ（４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４'，４''−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）などの低分子トリフェニルアミン誘導体や、ポリビニルカルバゾール、前記トリフェニルアミン誘導体に重合性官能基を導入して高分子化したもの、例えば特開平８−１５７５７５号公報に開示されているトリフェニルアミン骨格の高分子化合物、ポリパラフェニレンビニレン、ポリジアルキルフルオレンなどが挙げられ、また、電子輸送性化合物としては、例えば、Ａｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（III））などのキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、トリアリールボラン誘導体などの低分子材料や、上記の低分子電子輸送性化合物に重合性官能基を導入して高分子化したもの、例えば特開平１０−１６６５号公報に開示されているポリＰＢＤなどの既知の電子輸送性化合物が使用できる。

（有機ＥＬ化合物層の形成方法）
上記の有機ＥＬ化合物層は、有機ＥＬ化合物が発光性高分子化合物である場合には、主にスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法により形成することができる。

上述したように、本発明の陽極バッファ層用組成物または本発明の陽極バッファ層用高分子化合物から形成された陽極バッファ層は、有機溶剤に対する耐性が高いため、その表面に有機溶剤を溶媒とする有機ＥＬ化合物溶液を塗布しても、有機溶剤に溶解し難い。

一方、有機ＥＬ化合物が発光性低分子化合物の場合には、主として抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法により有機ＥＬ化合物層を形成することができる。

＜５．正孔ブロック層＞
正孔が発光層を通過することを抑え、発光層内で電子と効率よく再結合させる目的で、発光層の陰極側に隣接して正孔ブロック層を設けてもよい。この正孔ブロック層には発光性化合物より最高占有分子軌道（Highest Occupied Molecular Orbital；ＨＯＭＯ）準位の深い化合物を用いることができ、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミニウム錯体などを例示することができる。

さらに、励起子（エキシトン）が陰極金属で失活することを防ぐ目的で、発光層の陰極側に隣接してエキシトンブロック層を設けてもよい。このエキシトンブロック層には発光性化合物より励起三重項エネルギーの大きな化合物を用いることができ、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミニウム錯体などを例示することができる。

＜６．陰極＞
本発明の有機ＥＬ光素子の陰極材料としては、仕事関数が低く、かつ化学的に安定なものが使用され、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、ＡｌＬｉやＡｌＣａなどのＡｌとアルカリ金属の合金などの既知の陰極材料を例示することができるが、化学的安定性を考慮すると仕事関数は−２．９ｅＶ以下であることが好ましい。これらの陰極材料の成膜方法としては、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などを用いることができる。陰極の厚さは１０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０〜５００ｎｍがより好ましい。

また、陰極から有機層への電子注入障壁を下げて電子の注入効率を上げる目的で、陰極バッファ層として、陰極より仕事関数の低い金属層を陰極と陰極に隣接する有機層の間に挿入してもよい。このような目的に使用できる低仕事関数の金属としては、アルカリ金属（Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ）、希土類金属（Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ）等を挙げることができる。また、陰極より仕事関数の低いものであれば、合金または金属化合物も使用することができる。これらの陰極バッファ層の成膜方法としては、蒸着法やスパッタ法などを用いることができる。陰極バッファ層の厚さは０．０５〜５０ｎｍが好ましく、０．１〜２０ｎｍがより好ましく、０．５〜１０ｎｍがより一層好ましい。

さらに、陰極バッファ層は、上記の低仕事関数の物質と電子輸送性化合物の混合物として形成することもできる。なお、ここで用いられる電子輸送性化合物としては前述の電子輸送層に用いられる有機化合物を用いることができる。この場合の成膜方法としては共蒸着法を用いることができる。また、溶液による塗布成膜が可能な場合は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法などの既述の成膜方法を用いることができる。この場合の陰極バッファ層の厚さは０．１〜１００ｎｍが好ましく、０．５〜５０ｎｍがより好ましく、１〜２０ｎｍがより一層好ましい。陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

＜７．封止＞
陰極作製後、該有機ＥＬ素子を保護する保護層を装着していてもよい。該有機ＥＬ素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板、金属などを用いることができ、該カバーを熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

＜８．基板＞
本発明に係る有機ＥＬ素子の基板には、有機ＥＬ素子に要求される機械的強度を満たす材料が用いられる。

ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子には、可視光に対して透明な基板が用いられ、具体的には、ソーダガラス、無アルカリガラスなどのガラス；アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ナイロン樹脂などの透明プラスチック；シリコンなどからなる基板を使用できる。

トップエミッション型の有機ＥＬ素子においては、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子に用いられる基板に加えて、銅、銀、金、白金、タングステン、チタン、タンタルもしくはニオブの単体、またはこれらの合金、あるいはステンレスなどからなる基板を使用できる。

基板の厚さは、要求される機械的強度にもよるが、好ましくは０．１〜１０ｍｍ、より好ましくは０．２５〜２ｍｍである。

［用途］
本発明の有機ＥＬ素子は、マトリックス方式またはセグメント方式による画素として画像表示装置に好適に用いられる。また、上記有機ＥＬ素子は、画素を形成せずに、面発光光源としても好適に用いられる。

本発明の有機ＥＬ素子は、具体的には、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、標識、看板、ビデオカメラのビューファインダー等における表示装置、バックライト、電子写真、照明、レジスト露光、読み取り装置、インテリア照明、光通信システム等における光照射装置に好適に用いられる。

以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［測定方法］
＜ホスト用高分子化合物の分子量等＞
ホスト用高分子化合物の重量平均分子量（スチレン換算）および分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、下記条件で測定した。

装置：昭和電工（株）製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ−１０１
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ−Ｇ＋ＫＦ８０４Ｌ＋ＫＦ８０２＋ＫＦ８０１
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
流速：１ｍｌ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
＜陽極バッファ層の厚さの減少率＞
（陽極バッファ層付き基板の作製）
基板（後述する各実施例および比較例で用いられたＩＴＯ膜付ガラス基板を構成するガラス基板と同じもの）上に、後述する各実施例および比較例で用いた陽極バッファ層用組成物をスピンコート法（条件：３０００ｒｐｍ−３０秒）によって塗布し、得られた塗膜を窒素雰囲気下に２１０℃（ただし、実施例３のみは８０℃）で１時間放置し、陽極バッファ層付き基板ａを作製した。さらに、同様の方法で陽極バッファ層付き基板ｂを作製した。

（陽極バッファ層の厚さの測定）
陽極バッファ層付き基板ａの陽極バッファ層の一部を針で切削して基板を露出させ（以下、こうして露出された基板表面を「基板露出部」ともいう。）、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて、陽極バッファ層付き基板ａの陽極バッファ層側表面を、図２に示すように基板露出部を横断するように観測することにより、陽極バッファ層（以下「溶解試験処理前の陽極バッファ層」ともいう。）の厚さを測定した。

（減少率の算出）
陽極バッファ層付き基板ｂの陽極バッファ層に下記の溶解試験処理を施した。

〔溶解試験処理〕：前記試料を、陽極バッファ層上に０．１０ｍｌの有機溶剤を滴下した後、３０００ｒｐｍで３０秒間の条件で回転させた。この回転は有機溶剤の滴下後５秒以内に開始した。次いで、試料を窒素雰囲気下に１４０℃で１時間放置した。なお、この有機溶剤として、実施例１−（ａ）〜（ｃ）、２、３および４−（ａ）〜（ｃ）、ならびに比較例１〜３ではトルエンを使用し、実施例５−（ａ）〜（ｄ）および６、ならびに比較例４−（ａ）〜（ｃ）および５ではキシレンを使用した。

その後、陽極バッファ層付き基板ｂの陽極バッファ層（以下「溶解試験処理後の陽極バッファ層」ともいう。）の厚さを、陽極バッファ層付き基板ａの場合と同様の方法で測定し、下式で定義される、陽極バッファ層の厚さの「減少率（％）」を算出した。

［合成例１］
＜ｐＨＭＴＰＤの合成＞
特開２００５−２００６３８号公報（［０１１２］）に記載の方法に従い、下式で表される化合物（以下「ｖｉＨＭＴＰＤ」という。）を合成した。

密閉容器に、ｖｉＨＭＴＰＤ（５００ｍｇ）を入れ、脱水トルエン（９．９ｍＬ）を加えた後、重合開始剤（商品名：Ｖ−６０１、和光純薬（株）製）のトルエン溶液（０．１Ｍ、１９８μＬ）を加えた。これらを、凍結脱気操作を５回繰り返した後に真空のまま密閉し、６０℃で６０時間攪拌し反応させた。反応液をアセトン５００ｍＬ中に滴下し、沈殿物を得た。さらにトルエン−アセトンでの再沈殿精製を２回繰り返した後、沈殿物を５０℃で一晩真空乾燥して、ホスト用高分子化合物（ｐＨＭＴＰＤ）を得た。ホスト用高分子化合物（ｐＨＭＴＰＤ）の重量平均分子量は６８０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．９６であった。

［合成例２］
＜ｐＨＭＴＰＤ−２の合成＞
重合開始剤（商品名：Ｖ−６０１）のトルエン溶液の濃度を０．２Ｍした他は、合成例１と同様にしてホスト用高分子化合物（ｐＨＭＴＰＤ−２）を得た。ホスト用高分子化合物（ｐＨＭＴＰＤ−２）の重量平均分子量は２２０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８６であった。

［合成例３］
＜ｐＴｍＴＤＭＰＤの合成＞
N,N,N'-トリ-m-トリル-2,5-ジメチル-1,4-フェニレンジアミンの合成

冷却管を備えた１００ｍｌ三口フラスコに2,5-ジメチル-1,4-フェニレンジアミン（１．３６２ｇ（１０ｍｍｏｌ））を入れ、窒素置換した。ここに脱水キシレン（６０ｍＬ）および3-ヨードトルエン（５．２３３ｇ（２４ｍｍｏｌ））を加え撹拌した後、酢酸パラジウム（３３７ｍｇ（１．５ｍｍｏｌ））、カリウム-t-ブトキシド（４．０４０ｇ（３６ｍｍｏｌ））、トリ-t-ブチルホスフィン／キシレン１：１溶液（１．８ｍｌ（４．５ｍｍｏｌ））を加え、２時間還流した。ここに3-ヨードトルエン（１．３０８ｇ（６ｍｍｏｌ））を加え２時間還流し、さらに3-ヨードトルエン（１．３０８ｇ（６ｍｍｏｌ））を加えて３時間還流を行った。

反応後、室温まで冷却した後、ジクロロメタン溶媒でセライトろ過を行い、ろ液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝１：１）で精製し、N,N,N'-トリ-m-トリル-2,5-ジメチル-1,4-フェニレンジアミンを１．８８ｇ（収率４６％）得た。

ｖＴｍＴＤＭＰＤの合成

冷却管を備えた５０ｍｌ三口フラスコにN,N,N'-トリ-m-トリル-2,5-ジメチル-1,4-フェニレンジアミン（６１０ｍｇ（１．５ｍｍｏｌ））と2,6-ジ-t-ブチル-p-クレゾール（DBC）（２０ｍｇ）を入れ、窒素置換した。ここに3-ブロモスチレン（３６６ｍｇ(２ｍｍｏｌ)）、脱水キシレン（２０ｍｌ）、酢酸パラジウム（２３ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ））、カリウム-t-ブトキシド（１９１ｍｇ（１．７ｍｍｏｌ））、トリ-t-ブチルホスフィン／キシレン１：１溶液（０．１２ｍｌ（０．３ｍｍｏｌ））を加え、撹拌しながら６時間還流した。

反応後、室温まで冷却した後、ジクロロメタン溶媒でセライトろ過を行い、ろ液を減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：クロロホルム＝１００：０→４８：５２）で精製し、得られた精製物をジクロロメタン‐メタノールで再結晶することで、目的物であるｖＴｍＴＤＭＰＤを６４０ｍｇ（収率８４％）で得られた。

ｐＴｍＴＤＭＰＤの合成
密閉容器に、ｖＴｍＴＤＭＰＤ（５００ｍｇ）を入れ、脱水トルエン（５．０ｍＬ）を加えた後、重合開始剤（商品名：Ｖ−６０１、和光純薬（株）製）のトルエン溶液（０．１Ｍ、５０μＬ）を加えた。この後の操作は合成例１と同様にしてホスト用高分子化合物（ｐＴｍＴＤＭＰＤ）を得た。ホスト用高分子化合物（ｐＴｍＴＤＭＰＤ）の重量平均分子量は１１００００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．２３であった。

［合成例４］
ｐＨＭＴＰＤ−ＴＰＤの合成
密閉容器に、ｖｉＨＭＴＰＤ（４７５ｍｇ）および後述する合成例５で得られたｖｉＴＰＤ（２５ｍｇ）を入れ、脱水トルエン（５．０ｍＬ）を加えた後、重合開始剤（商品名：Ｖ−６０１、和光純薬（株）製）のトルエン溶液（０．１Ｍ、５０μＬ）を加えた。この後の操作は合成例１と同様にしてホスト用高分子化合物（ｐＨＭＴＰＤ−ＴＰＤ）を得た。ホスト用高分子化合物（ｐＨＭＴＰＤ−ＴＰＤ）の重量平均分子量は１０００００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．３０、ｖｉＨＭＴＰＤ由来の構成単位：ｖｉＴＰＤ由来の構成単位＝９４：６（モル比）であった。

［合成例５］
＜ｐＴＰＤの合成＞
特開２００５−９７５８９号公報（実施例１）に記載の方法に従い、モノマー（ｖｉＴＰＤ、下式で表される化合物の混合物）を合成した。

ｖｉＨＭＴＰＤ（５００ｍｇ）をｖｉＴＰＤ（４５０ｍｇ）に変更した以外は合成例１と同様の方法により、重合および精製を行い、ホスト用高分子化合物（ｐＴＰＤ）を得た。ホスト用高分子化合物（ｐＴＰＤ）の重量平均分子量は６４０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８７であった。

［合成例６］
＜ｐＨＭＴＰＤ−３の合成＞
重合開始剤（商品名：Ｖ−６０１）のトルエン溶液の濃度を０．５Ｍとした他は、合成例１と同様にしてホスト用高分子化合物（ｐＨＭＴＰＤ−３）を得た。ホスト用高分子化合物（ｐＨＭＴＰＤ−３）の重量平均分子量は１００００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８０であった。

［合成例７］
＜ｐＨＭＴＰＤ−ｐＰｈＴＣＮＱの合成＞
ｖｉｐＰｈＴＣＮＱの合成
電子受容性化合物であるＴＣＮＱに以下の方法で重合性置換基を導入し、重合性置換基を有する電子受容性化合物であるｖｉｐＰｈＴＣＮＱを得た。

出発物質である２−ブロモ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンは文献記載（Chemistry Letters, pp689-690, 1985）の方法で合成した。

温度計及びリフラックスコンデンサーを取り付けた１００ｍｌの三つ口フラスコに、２−ブロモ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン２．８３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、p-ビニルフェニルホウ酸１．６３ｇ（１１．００ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム４．１５ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、トルエン２０ｍｌ、ジエトキシエタン２０ｍｌおよび水２０ｍｌを加え、窒素気流下１１０℃で１時間撹拌した。この反応混合物にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）５８０ｍｇ（０．５０ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下１１０℃で４時間撹拌した。反応後、不溶物をろ過し、ろ液を分液操作し、有機層を抽出、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒；ヘキサン／ジクロロメタン＝１０／９０）により精製しｖｉｐＰｈＴＣＮＱを２．４５ｇ得た。

ｐＨＭＴＰＤ−ｐＰｈＴＣＮＱの合成
原料として合成例１で合成したｖｉＨＭＴＰＤ（１００質量部）、および上記ｖｉｐＰｈＴＣＮＱ（５質量部）を用いた以外は［合成例４］と同様の重合操作を行い、陽極バッファ層用化合物（ｐＨＭＴＰＤ−ｐＰｈＴＣＮＱ、以下「陽極バッファ層用高分子化合物１」ともいう。）を合成した。陽極バッファ層用高分子化合物１の重量平均分子量は６９０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．４５、ｖｉＨＭＴＰＤ由来の構成単位：ｖｉｐＰｈＴＣＮＱ由来の構成単位＝９６：４（モル比）であった。

［合成例８］
＜ｐＨＭＴＰＤ−ｐＰｈＦ３ＴＣＮＱの合成＞
ｖｉｐＰｈＦ３ＴＣＮＱの合成

出発物質として２−ブロモ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンに換えて１．７７ｇの化合物１を用いた以外は合成例７におけるｖｉｐＰｈＴＣＮＱの合成と同様の操作を行い、ｖｉｐＰｈＦ３ＴＣＮＱを１．５１ｇ合成した。

ｐＨＭＴＰＤ−ｐＰｈＦ３ＴＣＮＱの合成
原料として合成例１で合成したviＨＭＴＰＤ（１００質量部）、および上記ｖｉｐＰｈＦ３ＴＣＮＱ（５質量部）を原料として用いた以外は［合成例４］と同様の重合操作を行い、陽極バッファ層用化合物（ｐＨＭＴＰＤ−ｐＰｈＦ３ＴＣＮＱ、以下「陽極バッファ層用高分子化合物２」ともいう。）を合成した。陽極バッファ層用高分子化合物２の重量平均分子量は６７０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．４７、ｖｉＨＭＴＰＤ由来の構成単位：ｖｉｐＰｈＦ３ＴＣＮＱ由来の構成単位＝９５：５（モル比）であった。

［合成例９］
＜ｐＨＭＴＰＤ−ｐＰｈＤＣＮＱＩの合成＞
ｖｉｐＰｈＤＣＮＱＩの合成

出発物質として２−ブロモ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンに換えて１．７７ｇの化合物２を用いた以外は合成例７におけるｖｉｐＰｈＴＣＮＱの合成と同様の操作を行い、ｖｉｐＰｈＤＣＮＱＩを４７９ｍｇ(１．７６ｍｍｏｌ)合成した。

ｐＨＭＴＰＤ-ｐＰｈＤＣＮＱＩの合成
原料として合成例１で合成したｖｉＨＭＴＰＤ（１００質量部）、および上記ｖｉｐＰｈＤＣＮＱＩ（５質量部）を原料として用いた以外は［合成例４］と同様の重合操作を行い、陽極バッファ層用化合物（ｐＨＭＴＰＤ−ｐＰｈＤＣＮＱＩ、以下「陽極バッファ層用高分子化合物３」ともいう。）を合成した。陽極バッファ層用高分子化合物３の重量平均分子量は６６０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．３８、ｖｉＨＭＴＰＤ由来の構成単位：ｖｉｐＰｈＤＣＮＱ由来の構成単位＝９５：５モル比）であった。

［合成例１０］
＜ｐＭＰＤＡの合成＞
化合物３の合成

冷却管を備えた１００ｍｌ三口フラスコに、２．０ｇのｏ−トルイジン（１９ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換した。ここに脱水キシレン（６０ｍｌ）および２−ブロモ−ｐ−キシレン（３．５ｇ（１９ｍｍｏｌ））を加えて撹拌した後、酢酸パラジウム（０．３５ｇ（１．６ｍｍｏｌ））、カリウム−ｔ−ブトキシド（４．０ｇ（３６ｍｍｏｌ））、トリ−ｔ−ブチルホスフィン／キシレン１：１溶液（１．８ｍｌ（４．５ｍｍｏｌ））を加え、２時間加熱還流した。得られた反応混合物を室温にまで冷却した後、ジクロロメタン溶媒でセライトろ過を行い、ろ液から減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝１：１）で精製し、化合物３を３．１ｇ（１５ｍｍｏｌ）得た（収率８０％）。

ｖＭＰＤＡの合成

冷却管を備えた１００ｍｌ三口フラスコに、３，５−ジブロモ−４−メチルスチレン（１．０ｇ（３．６ｍｍｏｌ））を入れ、窒素置換した。ここに脱水キシレン（６０ｍｌ）および化合物３（３．１ｇ（１５ｍｍｏｌ））を加えて撹拌した後、酢酸パラジウム（０．３５ｇ（１．６ｍｍｏｌ））、カリウム−ｔ−ブトキシド（４．０ｇ（３６ｍｍｏｌ））、トリ−ｔ−ブチルホスフィン／キシレン１：１溶液（１．８ｍｌ（４．５ｍｍｏｌ））を加え、４時間加熱還流した。得られた反応混合物を室温にまで冷却した後、ジクロロメタン溶媒でセライトろ過を行った。ろ液から減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝４：１）で精製し、ジクロロメタン−メタノールで再結晶することで、ｖＭＰＤＡを１．８ｇ（３．４ｍｍｏｌ）得た（収率９５％）。

ｖＭＰＤＡの同定データは以下の通りである。

元素分析：計算値（Ｃ₃₉Ｈ₄₀Ｎ₂）Ｃ，８７．２７；Ｈ，７．５１；Ｎ，５．２２．：測定値 Ｃ，８７．７７；Ｈ，７．６０；Ｎ，４．９９．
質量分析(ＦＡＢ＋)：５３６ （Ｍ⁺）．
ｐＭＰＤＡの合成
密閉容器にｖＭＰＤＡ（５００ｍｇ）を入れ、脱水トルエン（５．０ｍｌ）を加えた後、重合開始剤（商品名：Ｖ−６０１、和光純薬（株）製）のトルエン溶液（０．１Ｍ、５０μｌ）を加えた。この後の操作は合成例１と同様にしてホスト用高分子化合物（ｐＭＰＤＡ）を得た。ホスト用高分子化合物（ｐＭＰＤＡ）の重量平均分子量は９５０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．３０であった。

［合成例１１］
＜ｐＭＰＤＡＡの合成＞
化合物４の合成

冷却管を備えた１００ｍｌ三口フラスコに、合成例３で得られたＮ，Ｎ，Ｎ’−トリ−ｍ−トリル−２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン（２．０ｇ（４．９ｍｍｏｌ））を入れ、窒素置換した。ここに脱水キシレン（６０ｍｌ）および４−ブロモ−２−メチルフェノール（１．５ｇ（８．０ｍｍｏｌ））を加えて撹拌した後、酢酸パラジウム（０．３５ｇ（１．６ｍｍｏｌ））、カリウム−ｔ−ブトキシド（４．０ｇ（３６ｍｍｏｌ））、トリ−ｔ−ブチルホスフィン／キシレン１：１溶液（１．８ｍｌ（４．５ｍｍｏｌ））を加え、６時間加熱還流した。得られた反応混合物を室温にまで冷却した後、ジクロロメタン溶媒でセライトろ過を行った。ろ液から減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ジクロロメタン＝１：１）で精製し、化合物４を１．０ｇ（２．０ｍｍｏｌ）得た（収率４０％）。

ＭＰＤＡＡの合成

窒素置換した１００ｍｌの三口フラスコに、化合物４（１．０ｇ（２．０ｍｍｏｌ））、ジクロロメタン（２０ｍｌ）およびトリエチルアミン（０．５０ｇ（４．９ｍｍｏｌ））を入れ、氷浴で冷却した。この溶液に塩化アクリロイル（０．３０ｇ（３．３ｍｍｏｌ））を少しずつ加えた後、室温で１時間撹拌した。得られた反応混合物から減圧下で溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝１：１）で精製して、ＭＰＤＡＡを１．０ｇ（１．８ｍｍｏｌ）得た（収率９０％）。

ＭＰＤＡＡの同定データは以下の通りである。

元素分析：計算値（Ｃ₃₉Ｈ₃₈Ｎ₂Ｏ₂）Ｃ，８２．６５；Ｈ，６．７６；Ｎ，４．９４．：測定値 Ｃ，８２．５３；Ｈ，６．８１；Ｎ，５．０８．
質量分析(ＦＡＢ＋)：５６６ （Ｍ⁺）．
ｐＭＰＤＡＡの合成
密閉容器にＭＰＤＡＡ（５００ｍｇ）を入れ、脱水トルエン（５．０ｍｌ）を加えた後、重合開始剤（商品名：Ｖ−６０１、和光純薬（株）製）のトルエン溶液（０．１Ｍ、５０μｌ）を加えた。この後の操作は合成例１と同様にしてホスト用高分子化合物（ｐＭＰＤＡＡ）を得た。ホスト用高分子化合物（ｐＭＰＤＡＡ）の重量平均分子量は６７０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．２５であった。

［合成例１２］
＜ｐＭＰＤＡＢの合成＞
ＭＰＤＡＢの合成

冷却管を備えた１００ｍｌ三口フラスコに、合成例１１で得られた化合物４（１．０ｇ（２．０ｍｍｏｌ））を入れ、窒素置換した。ここに脱水アセトン（２５ｍｌ）および塩化−４−ビニルベンジル（０．５０ｇ（３．３ｍｍｏｌ））を加えて撹拌した後、炭酸カリウム（２．０ｇ（１４ｍｍｏｌ））を加え、８時間加熱還流した。得られた反応混合物を室温にまで冷却した後、セライトろ過を行った。ろ液から減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝２：１）で精製し、ジクロロメタン−メタノールで再結晶することで、ＭＰＤＡＢを１．０ｇ（１．６ｍｍｏｌ）得た（収率８０％）。

ＭＰＤＡＢの同定データは以下の通りである。

元素分析：計算値（Ｃ₄₅Ｈ₄₄Ｎ₂Ｏ）Ｃ，８５．９５；Ｈ，７．０５；Ｎ，４．４５．：測定値 Ｃ，８６．３７；Ｈ，７．４０；Ｎ，４．１６．
質量分析(ＦＡＢ＋)：６２８ （Ｍ⁺）．
ｐＭＰＤＡＢの合成
密閉容器にＭＰＤＡＢ（５００ｍｇ）を入れ、脱水トルエン（５．０ｍｌ）を加えた後、重合開始剤（商品名：Ｖ−６０１、和光純薬（株）製）のトルエン溶液（０．１Ｍ、５０μｌ）を加えた。この後の操作は合成例１と同様にしてホスト用高分子化合物（ｐＭＰＤＡＢ）を得た。ホスト用高分子化合物（ｐＭＰＤＡＢ）の重量平均分子量は９５０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．４１であった。
（合成例１３）
＜ｐＤＢＤＭＰＤの合成＞
化合物５の合成

冷却管を備えた１００ｍｌ三口フラスコに、２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン（２．０ｇ（１５ｍｍｏｌ））を入れ、窒素置換した。ここに脱水キシレン（６０ｍｌ）および３−ブロモ−（２−メチルプロピル）ベンゼン（６．０ｇ（２８ｍｍｏｌ））を加えて撹拌した後、酢酸パラジウム（０．３５ｇ（１．６ｍｍｏｌ））、カリウム−ｔ−ブトキシド（４．０ｇ（３６ｍｍｏｌ））、トリ−ｔ−ブチルホスフィン／キシレン１：１溶液（１．８ｍｌ（４．５ｍｍｏｌ））を加え、２時間加熱還流した。ここに４−ブロモトルエン（２．５ｇ（１５ｍｍｏｌ））をさらに加えて２時間加熱還流した。得られた反応混合物を室温にまで冷却した後、ジクロロメタン溶媒でセライトろ過を行った。ろ液から減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝１：１）で精製し、化合物５を３．５ｇ（７．１ｍｍｏｌ）得た（収率５０％）。
ｖＤＢＤＭＰＤの合成

冷却管を備えた１００ｍｌ三口フラスコに、化合物５（３．５ｇ（７．１ｍｍｏｌ））を入れ、窒素置換した。ここに３−ブロモスチレン（２．０ｇ（１１ｍｍｏｌ））、脱水キシレン（６０ｍｌ）、酢酸パラジウム（０．３５ｇ（１．６ｍｍｏｌ））、カリウム−ｔ−ブトキシド（４．０ｇ（３６ｍｍｏｌ））およびトリ−ｔ−ブチルホスフィン／キシレン１：１溶液（１．８ｍｌ（４．５ｍｍｏｌ））を加え、２時間加熱還流した。得られた反応混合物を室温にまで冷却した後、セライトろ過を行った。ろ液から減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝５：１）で精製し、ジクロロメタン−メタノールで再結晶することで、ｖＤＢＤＭＰＤを３．０ｇ（５．１ｍｍｏｌ）得た（収率７０％）。

ｖＤＢＤＭＰＤの同定データは以下の通りである。

元素分析：計算値（Ｃ₄₃Ｈ₄₈Ｎ₂）Ｃ，８７．１１；Ｈ，８．１６；Ｎ，４．７３．
：測定値 Ｃ，８６．７９；Ｈ，８．２６；Ｎ，４．９１．
質量分析(ＦＡＢ＋)：５９２ （Ｍ⁺）．
ｐＤＢＤＭＰＤの合成
密閉容器にｖＤＢＤＭＰＤ（５００ｍｇ）を入れ、脱水トルエン（５．０ｍｌ）を加えた後、重合開始剤（商品名：Ｖ−６０１、和光純薬（株）製）のトルエン溶液（０．１Ｍ、５０μｌ）を加えた。この後の操作は合成例１と同様にしてホスト用高分子化合物（ｐＤＢＤＭＰＤ）を得た。ホスト用高分子化合物（ｐＤＢＤＭＰＤ）の重量平均分子量は１７００００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．０６であった。

［実施例１-(a)］
＜陽極バッファ層用組成物の調製＞
合成例１で製造した電荷輸送ポリマーであるｐＨＭＴＰＤ（１００質量部）、電子受容性化合物であるＦ４ＴＣＮＱ（５質量部）、およびトルエンを混合して、陽極バッファ層用組成物（固形分濃度が０．８質量％のトルエン溶液、以下「陽極バッファ層用組成物１」ともいう。）を調製した。

＜有機ＥＬ素子の製造＞
ＩＴＯ膜付ガラス基板上に、陽極バッファ層用組成物１を、スピンコート法（条件：３０００ｒｐｍ−３０秒）によって塗布し、得られた塗膜を窒素雰囲気下に２１０℃で１時間放置し、陽極バッファ層を形成した。

室温で十分に放冷した陽極バッファ層付き基板の陽極バッファ層側表面に、発光層用材料（キャリア輸送性化合物である、下記式（Ｅ−１）で表される化合物と下記式（Ｅ−２）で表される化合物とのコポリマー（モル比５：５）９５質量％と、りん光発光性化合物である下記式（Ｅ−３）で表される化合物５質量％との混合粉末）のトルエン溶液（「発光層塗布溶液１」ともいう。）をスピンコート法によって塗布し、窒素雰囲気下に１４０℃で１時間放置して、発光層を形成した。真空蒸着装置により、発光層の表面に陰極バッファ層として厚さ０．５ｎｍのＬｉＦ層を形成し、続いて陰極として厚さ１５０ｎｍのＡｌ層を形成し、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子１」ともいう。）を作製した。

有機ＥＬ素子１に電源（Keithley製、SM2400）を用いて段階的に電圧を印加し、有機ＥＬ素子１の輝度を輝度計（トプコン製、BM-9）で定量した。電流密度に対する輝度の比から発光効率を決定した。発光効率、駆動電圧および電力効率を表１に示す。

また、有機ＥＬ素子１に、同装置を用いて定電流を印加し続け、一定時間おきに輝度を測定することで、発光寿命測定を行った。表１に初期輝度が半減するまでの時間を示す。

［実施例１-(b)］
ｐＨＭＴＰＤを合成例２で製造されたｐＨＭＴＰＤ−２に変更した以外は実施例１-(a)と同様の方法により、陽極バッファ層用組成物２を調製し、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子２」ともいう。）を作製した。有機ＥＬ素子２の陽極バッファ層および発光層の合計膜厚およびその発光効率等を表１に示す。

［実施例１-(c)］
ｐＨＭＴＰＤを合成例３で製造されたｐＴｍＴＤＭＰＤに変更した以外は実施例１-(a)と同様の方法により、陽極バッファ層用組成物３を調製し、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子３」ともいう。）を作製した。有機ＥＬ素子３の陽極バッファ層および発光層の合計膜厚およびその発光効率等を表１に示す。

［実施例２］
ｐＨＭＴＰＤを合成例４で製造されたｐＨＭＴＰＤ−ＴＰＤに変更した以外は実施例１-(a)と同様の方法により、陽極バッファ層用組成物４を調製し、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子４」ともいう。）を作製した。有機ＥＬ素子４の陽極バッファ層および発光層の合計膜厚およびその発光効率等を表１に示す。

［実施例３］
ＩＴＯ膜付ガラス基板上に、前記陽極バッファ層用組成物１を、スピンコート法によって塗布し（３０００ｒｐｍ−３０秒）、得られた塗膜を窒素雰囲気下に８０℃で１時間放置して陽極バッファ層を形成した以外は実施例１と同様の方法により、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子５」ともいう。）を作製した。有機ＥＬ素子５の陽極バッファ層および発光層の合計膜厚およびその発光効率等を表１に示す。

［比較例１］
ｐＨＭＴＰＤを合成例５で製造されたｐＴＰＤに変更した以外は実施例１-(a)と同様の方法により、陽極バッファ層用組成物５を調製し、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子６」ともいう。）を作製した。有機ＥＬ素子６の陽極バッファ層および発光層の合計膜厚および発光効率等を表１に示す。

有機ＥＬ素子６においては、実施例の何れの有機ＥＬ素子よりも、陽極バッファ層および発光層の合計膜厚が薄かった。この要因は、発光層を形成する際に、陽極バッファ層の一部が、発光層用材料のトルエン溶液に溶解したことにあると考えられ、減少率の値からもそれが裏付けられている。

［比較例２］
ｐＨＭＴＰＤを合成例６で製造されたｐＨＭＴＰＤ−３に変更した以外は実施例１-(a)と同様の方法により、陽極バッファ層用組成物６を調製し、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子７」ともいう。）を作製した。有機ＥＬ素子７の陽極バッファ層および発光層の合計膜厚および発光効率等を表１に示す。

有機ＥＬ素子７においては、実施例の何れの有機ＥＬ素子よりも、陽極バッファ層および発光層の合計膜厚が薄かった。この要因は、発光層を形成する際に、陽極バッファ層の一部が、発光層用材料のトルエン溶液に溶解したことにあると考えられ、減少率の値からもそれが裏付けられている。

［比較例３］
ＩＴＯ膜付ガラス基板上に、陽極バッファ層用組成物１を、スピンコート法（条件：３０００ｒｐｍ−３０秒）によって塗布し、得られた塗膜を窒素雰囲気下に室温で１時間放置し、陽極バッファ層を形成した以外は実施例１−(ａ)と同様の方法により、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子８」ともいう。）を作製した。有機ＥＬ素子８の陽極バッファ層および発光層の合計膜厚およびその発光効率等を表１に示す。

有機ＥＬ素子８においては、ｐＨＭＴＰＤが用いられた有機ＥＬ素子１および有機ＥＬ素子５よりも、陽極バッファ層の厚さの減少率が大きかった。これらの有機ＥＬ素子を比較すると、陽極バッファ層の不溶化には、特定の材料の使用だけでなく、陽極バッファ層形成の際の加熱も重要であることがわかる。

［実施例４-(a)］
合成例７で製造した陽極バッファ層用高分子化合物１およびトルエンを混合して、陽極バッファ層用組成物（固形分濃度が０．８質量％のトルエン溶液、以下「陽極バッファ層用組成物７」ともいう。）を調製した。

陽極バッファ層用組成物１に換えて陽極バッファ層用組成物７を用いた以外は実施例１-(a)と同様の方法により、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子９」ともいう。）を作製した。有機ＥＬ素子９の陽極バッファ層および発光層の合計膜厚およびその発光効率等を表１に示す。

［実施例４-(b)］
陽極バッファ層用高分子化合物１に換えて陽極バッファ層用高分子化合物２を用いた以外は実施例４-(a)と同様の方法により、陽極バッファ層用組成物８を調製し、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子１０」ともいう。）を作製した。有機ＥＬ素子１０の陽極バッファ層および発光層の合計膜厚およびその発光効率等を表１に示す。

［実施例４-(c)］
陽極バッファ層用高分子化合物１に換えて陽極バッファ層用高分子化合物３を用いた以外は実施例４-(a)と同様の方法により、陽極バッファ層用組成物９を調製し、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子１１」ともいう。）を作製した。有機ＥＬ素子１１の陽極バッファ層および発光層の合計膜厚およびその発光効率等を表１に示す。

［実施例５−（ａ）］
＜発光層塗布成膜用の溶液調製＞
国際公開ＷＯ２０１０／１６５１２号公報に記載された方法に従って下記の燐光発光性高分子化合物（Ｅ−４）を合成した。高分子化合物（Ｅ−４）の重量平均分子量は５２０００、各繰り返し単位のモル比はｋ：ｍ：ｎ＝６：４２：５２であった。

この燐光発光性高分子化合物（Ｅ−４）３重量部を９７重量部のキシレンに溶解させ、発光層塗布成膜用の溶液（以下「発光層塗布溶液２」ともいう。）を調製した。

＜有機ＥＬ素子の製造＞
合成例１０で製造したホスト用高分子化合物であるｐＭＰＤＡ（１００質量部）、電子受容性化合物であるＴＣＮＱ（５質量部）、およびキシレンを混合して陽極バッファ層用組成物（固形分濃度が１．０質量％のキシレン溶液）を調製した。これをＩＴＯ膜付きガラス基板上に、スピンコート法（条件：３０００ｒｐｍ−３０秒）によって塗布し、得られた塗膜を窒素雰囲気下に１７０℃で１時間放置し、陽極バッファ層を形成した。

室温で十分に法令した陽極バッファ層つき基板の陽極バッファ層側表面に、上記の発光層塗布溶液２を、スピンコート法（条件：３０００ｒｐｍ−３０秒）によって塗布し、得られた塗膜を窒素雰囲気下に１４０℃で１時間放置し、発光層を形成した。真空蒸着装置により、発光層の表面に陰極バッファ層として厚さ０．５ｎｍのＬｉＦ層を形成し、続いて陰極として厚さ１５０ｎｍのＡｌ層を形成し、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子１２」ともいう。）を作製した。

実施例１−（ａ）と同様にして測定した発光効率、駆動電圧、電力効率および発光寿命を表２に示した。

［実施例５−（ｂ）〜（ｄ）］
ｐＭＰＤＡを合成例１１〜１３で製造されたｐＭＰＤＡＡ、ｐＭＰＤＡＢおよびｐＤＢＤＭＰＤにそれぞれ変更した以外は実施例５−（ａ）と同様の方法により、有機ＥＬ素子（以下それぞれ「有機ＥＬ素子１３」、「有機ＥＬ素子１４」および「有機ＥＬ素子１５」ともいう。）を作製した。

実施例１−（ａ）と同様にして測定した発光効率、駆動電圧、電力効率および発光寿命を表２に示した。

［比較例４−（ａ）〜（ｃ）］
特許文献１〜３に記載の方法に従い、下式で表される化合物Ｒ１、Ｒ２およびＲ３をそれぞれ合成し、これらの化合物をｐＭＰＤＡの代わりに用いた以外は実施例５−（ａ）と同様の方法により、有機ＥＬ素子（以下それぞれ「有機ＥＬ素子１６」、「有機ＥＬ素子１７」および「有機ＥＬ素子１８」ともいう。）を作製した。

実施例１−（ａ）と同様にして測定した発光効率、駆動電圧、電力効率および発光寿命を表２に示した。

［実施例６］
実施例１−（ｃ）と同様にしてＩＴＯ膜付きガラス基板上に陽極バッファ層を形成した後、真空蒸着装置により下記化合物（Ｅ−５）および（Ｅ−６）を、質量比が９：１となるように共蒸着して、３０ｎｍの厚さの発光層を形成し、続いて電子注入層として厚さ２０ｎｍの化合物（Ｅ−７）の層を形成した。さらに実施例１−（ｃ）と同様にしてＬｉＦ層およびＡｌ層を形成し、有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子１９」ともいう。）を作製した。

実施例１−（ａ）と同様にして測定した発光効率、駆動電圧、電力効率および発光寿命を表２に示した。

［比較例５］
ｐＴｍＴＤＭＰＤを上記の化合物Ｒ１に変更した以外は実施例６と同様の方法により有機ＥＬ素子（以下「有機ＥＬ素子２０」ともいう。）を作製した。

実施例１−（ａ）と同様にして測定した発光効率、駆動電圧、電力効率および発光寿命を表２に示した。

１・・・基板
２・・・陽極
３・・・陽極バッファ層
４・・・発光層
５・・・陰極

Claims (12)

1. 下記式（１）または下記式（２）で表される構成単位を有し、ＧＰＣにより測定される重量平均分子量が２０，０００乃至１，０００，０００である高分子化合物、および
   電子受容性化合物を含有することを特徴とする陽極バッファ層用組成物。
   

   

   〔式（１）、（２）のそれぞれにおいて、
   複数個あるＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、少なくとも１つのＲ^ａは炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、
   式（１）および（２）におけるＲ ^ａ を有するベンゼン環においては、Ｎ（窒素原子）に対してオルト位にある少なくとも１つのＲ ^ａ がアルキル基であり、
   複数個あるＲ^ｂは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１乃至１０のアルキル基を表し、
   複数個あるＲ^ｃは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１乃至１０のアルキル基または炭素数１乃至１０のアルコキシ基を表し、同一のフェニル基の中の隣接する炭素原子にそれぞれ結合しているＲ^ｃは、互いに結合して縮合環を形成してもよく、
   前記複数個あるＲ ^ｃ のうちの少なくとも１つのＲ ^ｃ がアルキル基又はアルコキシ基であり、
   Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＮＲ^１−（ただし、Ｒ^１は水素原子、炭素数１乃至４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、または炭素数１乃至２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＮＲ^２−（ただし、Ｒ^２は水素原子、炭素数１乃至４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）を表し、
   Ｙ−Ｘ−は、
   

   

   （Ｒ^３は、水素原子または炭素数１乃至４のアルキル基を表す。）
   で表される基を表し、
   ｐは、０、１または２を表す。〕
2. 下記式（１）または下記式（２）で表される構成単位、および重合性官能基を有する電子受容性化合物から誘導される構成単位を有し、ＧＰＣにより測定される重量平均分子量が２０，０００〜１，０００，０００であることを特徴とする陽極バッファ層用高分子化合物。
   

   

   〔式（１）、（２）のそれぞれにおいて、
   複数個あるＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、少なくとも１つのＲ^ａは炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
   式（１）および（２）におけるＲ ^ａ を有するベンゼン環においては、Ｎ（窒素原子）に対してオルト位にある少なくとも１つのＲ ^ａ がアルキル基であり、
   複数個あるＲ^ｂは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
   複数個あるＲ^ｃは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、同一のフェニル基の中の隣接する炭素原子にそれぞれ結合しているＲ^ｃは、互いに結合して縮合環を形成してもよく、
   前記複数個あるＲ ^ｃ のうちの少なくとも１つのＲ ^ｃ がアルキル基又はアルコキシ基であり、
   Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＮＲ^１−（ただし、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＮＲ^２−（ただし、Ｒ^２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）を表し、
   Ｙ−Ｘ−は、
   

   

   （Ｒ^３は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
   で表される基を表し、
   ｐは、０、１または２を表す。〕
3. 有機溶剤をさらに含有することを特徴とする請求項１に記載の陽極バッファ層用組成物。
4. 請求項２に記載の陽極バッファ層用高分子化合物および有機溶剤を含有することを特徴とする陽極バッファ層用組成物。
5. 陽極、陽極バッファ層、発光層および陰極がこの順序で積層されてなり、
   該陽極バッファ層が、請求項１，３もしくは４に記載の陽極バッファ層用組成物または請求項２に記載の陽極バッファ層用高分子化合物を加熱して形成されたものである
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 陰極バッファ層をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 陽極上に請求項３または４に記載の陽極バッファ層用組成物を、塗布し、次いで加熱して、陽極バッファ層を形成する第一工程、
   該陽極バッファ層上に発光層を形成する第二工程、および
   該発光層上に陰極を形成する第三工程
   を含み、
   前記第二工程が、
   前記陽極バッファ層表面に正孔輸送層形成材料および有機溶剤を含む正孔輸送層形成用溶液を塗布し、次いで該有機溶剤を除去して、前記陽極バッファ層に接する正孔輸送層を形成し、該正孔輸送層上に前記発光層を形成する工程２Ａであるか、または
   前記陽極バッファ層表面に発光層形成材料および有機溶剤を含む発光層形成用溶液を塗布し、次いで該有機溶剤を除去して、前記陽極バッファ層に接する前記発光層を形成する工程２Ｂである
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
8. 前記第二工程が前記工程２Ａであって、前記正孔輸送層形成用溶液に含まれる有機溶剤が、その構成成分として、前記陽極バッファ層用組成物に含まれる有機溶剤の構成成分の少なくとも１つを含んでいることを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
9. 前記第二工程が前記工程２Ｂであって、記発光層形成用溶液に含まれる有機溶剤が、その構成成分として、前記陽極バッファ層用組成物に含まれる有機溶剤の構成成分の少なくとも１つを含んでいることを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
10. 前記加熱を１００〜３５０℃で１０〜１８０分間行うことを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
11. 請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置。
12. 請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える光照射装置。

Images