JP2005531915A - 有機エレクトロルミネセンス・デバイス用のバッファ層、並びに製造および使用方法 - Google Patents
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Abstract
Description
式中、Ar1、Ar2、およびAr3は、置換もしくは非置換のアリールまたはアリーレン官能基であり、場合により、トリアリールアミン部分は、1個もしくはそれ以上のアリーレン官能基が存在する場合それを通じて、その化合物の他の部分に結合している。適切な材料の例には、例えば、N,N’−ビス(ナフタリン−2−イル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン(NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン(TPD)、および4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CPB)などのトリフェニルアミンおよびビフェニルジアミンが含まれる。
式中、それぞれのR1は、トリアリールアミン部分(R1が結合するフェニル基と共に、トリアリールアミン構造を形成する部分を含む)から独立して選択される(すなわち、それぞれのR1は、式中の他のR1置換基と同じでも異なってもよい)。R1用の適切なトリアリールアミン部分の例には、式5、6、7、および8が含まれる。
式中、R2は、アルキルまたはアリールであり、それぞれのR3、R4、およびR5は、独立してH、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、ハロ、アルキルチオ、アリールチオ、または−NRaRbであり、ここで、RaおよびRbは、アリールまたはアルキルである。式8に関して、いくつかの実施形態では、全てのR3は同じものであり、全てのR4は同じものであり、全てのR5は同じものであり、または、このいずれかの組合せ(例えば、全てのR3およびR4が同じものである)である。これらの置換基のいずれかのそれぞれのアリールまたはアルキル部分は、例えばフッ化およびペルフルオロ化アルキルを含めて、置換することができ、あるいは非置換でもよい。
式中、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、およびAr8は、置換もしくは非置換のアリールまたはアリーレン基であり、場合により、1個もしくはそれ以上のアリーレン官能基が存在する場合それを通じて、アリーレンジアミン結合が、その化合物の他の部分に結合されている。好ましい一つのアリーレンジアミン結合は、Ar8がフェニレン基であるフェニレンジアミン結合である。このタイプの適切な化合物の例には、式10〜12に示した化合物が含まれる。
式中、それぞれのR2は、独立してアルキルまたはアリールであり、それぞれのR3およびR4は、独立してH、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールチオ、アルキルチオ、ハロ、または−NRaRbであり、ここで、RaおよびRbは、アリールまたはアルキルである。これらの置換基のいずれかのそれぞれのアリールまたはアルキル部分は、置換することができ、あるいは、非置換でもよい。いくつかの実施形態では、次の条件のうちの一つが適用される。R3およびR4置換基の全てが同じものである;R3置換基の全てが同じものである;R4置換基の全てが同じものである;または、R3置換基の全て、およびR4置換基の全ては同じものであり、しかし、R3とR4は異なる。
別の例は、式17である。式中、それぞれのXは、独立してOまたはSである(X置換基の全てが同じものであることが好ましい)。
式中、R3およびR4は、独立してH、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールチオ、アルキルチオ、ハロ、または−NRaRbであり、ここで、RaおよびRbはアリールまたはアルキルであり、Ar9はアリールまたはアリーレンであり、CMは、1個もしくはそれ以上のコモノマーであり、nは3以上の整数であり、好ましくは10以上であり、mは0以上の整数である。これらの置換基のいずれかのそれぞれのアリールまたはアルキル部分は、置換することができ、あるいは、非置換でもよい。適切なコモノマーCMには、例えば、以下の式18〜21または33〜34に示したものなどのもう一つのトリアリールアミンを含有したモノマー、アリーレン(置換もしくは非置換のパラまたはメタフェニレンを含む)、置換もしくは非置換のスチレン・コモノマー、誘導体化したカルバゾール・コモノマー(N−アルキル・カルバゾールまたはN−アリール・カルバゾールなど、例えば、式29および32に示したようなコモノマー)、エーテルおよびポリエーテルに結合したコモノマー、カルボナート・コモノマー、ウレタンに結合したコモノマー、チオエーテルに結合したコモノマー、エステルに結合したコモノマー、並びに、イミドおよびアミドに結合したコモノマーが含まれる。この種のコモノマーの例には、−O−(CnH2nO)−、および、−Ar10−O−(CnH2nO)−Ar11−が含まれるが、これに限定されるものではない。ここで、Ar10およびAr11はアリーレンである。
架橋可能な部分の他の例は、例えばPCT国際公開第97/33193号パンフレットに記載されている。これは参照により本明細書に援用される。いくつかの実施形態では、そのような架橋可能な部分を含むポリマーは、比較的マイルドな光化学的または熱的条件の下で架橋するように選択される。例えば、熱的架橋は、100〜150℃で起こり得る。これに替えて、ポリマーを架橋するために、300〜700nmの範囲のUV−可視光線を使用してもよい。
式29〜32では、コモノマー・ユニットは、2種のモノマー・ユニットがポリマー中において交互になるような方法でトリアリールアミン部分含有モノマー・ユニットに結合される。
式中、R3、R4、およびR5は、独立してH、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールチオ、アルキルチオ、ハロ、または−NRaRbであり、ここで、RaおよびRbはアリールまたはアルキルであり、CMは1種もしくはそれ以上のコモノマーであり、nは3以上の整数であり、好ましくは10以上であり、mは0以上の整数である。これらの置換基のいずれかのそれぞれのアリールまたはアルキル部分は、置換することができ、または、非置換でもよい。適切なコモノマーCMには、例えば、1種もしくはそれ以上の連鎖重合可能な部分を含みもう一つのトリアリールアミンを含有するモノマー、1種もしくはそれ以上の連鎖重合可能な部分を有するアリーレン(置換もしくは非置換のパラまたはメタフェニレンを含む)、誘導体化したカルバゾール・コモノマー(例えばN−ビニルカルバゾール)、カルボナート・コモノマー、ウレタンに結合したコモノマー、チオエーテルに結合したコモノマー、エステルに結合したコモノマー、イミドおよびアミドに結合したコモノマー、置換もしくは非置換のスチレン・コモノマー、例えばC1〜C12アルコールの(メタ)アクリル酸コモノマー、例えばブタジエン、イソプレン、および1,3シクロヘキサジエンなどのジエン・コモノマー、および他の連鎖重合可能なコモノマーが含まれる。
式中、それぞれのR3、R4、R5、R6、およびR7は、独立してH、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールチオ、アルキルチオ、ハロ、または−NRaRbであり、ここで、RaおよびRbはアリールまたはアルキルである。これらの置換基のいずれかのそれぞれのアリールまたはアルキル部分は、置換することができ、または、非置換でもよい。いくつかの実施形態では、次の条件のうちの1つもしくはそれ以上が適用される:R3、R4、およびR5置換基の全てが同じものである;R3置換基の全てが同じものである;R4置換基の全てが同じものである;R5置換基の全てが同じものである;R7置換基の全てが同じものである;または、R3置換基の全て、およびR4置換基の全ては同じものであり、しかし、R3とR4は異なる。例えば、式36〜38のいずれかにおいて、R3、R5、R6、およびR7は、Hであり得て、R4は、メチルであり得る。
電子受容体材料は、好ましくは1種もしくはそれ以上の有機溶媒に、より好ましくはトリアリールアミン材料もまた可溶である1種もしくはそれ以上の有機溶媒に可溶である。通常、電子供与体材料は、トリアリールアミン材料の0.5〜20重量%の範囲でバッファ層に存在する。いくつかの実施形態では、電子供与体材料は、トリアリールアミン材料の1〜5重量%の範囲でバッファ層に存在する。
実施例1〜13の場合、ITO基板を以下のように調製した。ITO(インジウムスズ酸化物)ガラス基板(アプライド・フィルム社(Applied Films Corporation)、CO;約25オーム/スクエア)を、アセトン(アルドリッチ・ケミカル社)中で洗浄し、窒素で乾燥させ、TX1010ベクトラ・シールド・ボーダー・ワイパー(Vectra Sealed−Border Wipers)(ITW テックスワイプ(Texwipe)(ニュージャージー州アッパー・サドル・リバー(Upper Saddle River)))でラビングし、メタノール(アルドリッチ・ケミカル社(ウィスコンシン州ミルウォーキー))中に浸漬した。その後、テクニクス・マイクロ・リアクティブ・イオン・エッチャ・シリーズ80(Technics Micro Reactive Ion Etcher,Series 80)(K&M社(K&M Company)、カリフォルニア州)中で、200mT(約27Pa)のベース酸素圧力および50Wの出力パワーで、それらに酸素プラズマ処理を4分間施した。後述のOLEDは、一般にサイズ1〜1.5cm2であった。
電気的に不活性なポリマーを有するトリアリールアミン材料を含有するバッファ層
この実施例では、トリアリールアミン材料としての4,4’,4’’−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)、電気的に不活性な高分子バインダとしてのポリスチレン(PS)、および、電子受容ドーパント材料としてのテトラフルオロ−テトラシアノキノジメタン(F4−TCNQ)またはテトラシアノキノジメタン(TCNQ)を組み込んだ、溶液処理した正孔注入バッファ層を有するOLEDの形成を記載する。
比較例1:PPY
実施例1:31重量%のPS、62重量%のMTDATA、および7重量%のTCNQ
実施例2:47重量%のPS、46重量%のMTDATA、および7重量%のTCNQ
実施例3:62重量%のPS、31重量%のMTDATA、および7重量%のTCNQ
調べたエレクトロルミネセンス・ランプのいずれにおいても短絡は全く観察されなかった。実施例1〜3の場合、OLEDは、高い動作効率および低い動作電圧を示し、トリアリールアミン濃度の増加に伴い動作電圧が低下した。
トリアリールアミンおよび電気活性高分子バインダを含むバッファ層
比較的高い酸化電位(約1V対SCE)および低い正孔移動度(約10−6〜10−5cm2/V*s(約10−10〜10−9m2/Vs))を有する、高バンドギャップ正孔輸送のポリ(N−ビニルカルバゾール)(PVK,ポリマー・ソース社(Polymer Source Inc.)ケベック、ドーバル(Dorval))を、次のバッファ組成物中の電気活性バインダとして使用した。a)60重量%のPVKおよび40重量%のMTDATA、b)56重量%のPVK、37重量%のMTDATA、および7重量%のF4−TCNQ。これらのバッファ層を、トルエン中のそれらの約1.5%重量溶液から2000RPM(約33s−1)のスピン速度でスピン・コートし、ITOコートした基板上に厚さ約90nmのフィルムを形成した。
実施例5:60重量%のPVK、および40重量%のMTDATA
実施例6:56重量%のPVK、37重量%のMTDATA、および7重量%のF4−TCNQ。
ポリオレフィン主鎖にトリアリールアミン部分ペンダントを有する共重合体を含むバッファ層
この実施例では、ポリオレフィン主鎖に官能性ペンダントとしてトリアリールアミン部分を組み込んだ共重合体をベースにした、ドープされたトリアリールアミン・バッファ層を、OLEDの中に組み込んだ。
窒素下で、4−(ジフェニルアミノ)ベンズアルデヒド(20.06g、73mmol、 フルカ・ケミカル社(Fluka Chemical Co.)、ウィスコンシン州ミルウォーキー)、メチルトリフェニル臭化ホスホニウム(26.22g、73mmol)、および乾燥テトラヒドロフラン(450mL)の混合物に、テトラヒドロフラン(80mL、80mmol)中の1Mカリウムt−ブトキシド溶液を5分間かけて加えた。混合物を、室温で17時間撹拌した。水(400mL)を加え、テトラヒドロフランを減圧下で取り除いた。混合物をエーテルで抽出し、化合した有機層をMgSO4上で乾燥させ、真空下で濃縮した。粗固体を、カラムクロマトグラフィによって、ジクロロメタンおよびヘキサンの50/50混合物を使用してシリカゲル上で精製し、黄色の固体が得られ、それをさらにヘキサンから一回再結晶した(15.37g、78%)。
丸底ガラス反応器を、真空下で200℃で2時間ベークアウト(baked out)し、次に、冷却させた。反応器を乾燥窒素で充満させた。次に、71.8gのシクロヘキサンおよび4.4mLのテトラヒドロフラン(THF)を、シリンジで反応器に加えた。THFは、水および酸素を取り除くために、使用前に、窒素下でナトリウム/ベンゾフェノン溶液から蒸留した。シクロヘキサンを、活性化された塩基性アルミナを介して通過させることによって乾燥させ、続けて使用前に窒素ガスで30分間噴霧した。その溶媒を加えた後、反応フラスコを、氷水浴中で3℃に冷却させ、その後、0.02mLのスチレンを反応器に加えた。スチレンは、予め、活性化された塩基性アルミナを介して通過させてインヒビターおよび水を取り除き、窒素ガスで噴霧して酸素を取り除いてあった。次に、シクロヘキサン中のs−ブチルリチウム溶液(0.4mL、1.3mol/L)を反応器に加えた。溶液は、ポリスチリル・アニオン形成の特徴であるオレンジ色に直ちに変化した。3℃で2時間撹拌した後、シクロヘキサン(20mL)中のp−ジフェニルアミノスチレン溶液(1.61g)を、カニューレで反応器に加えた。この溶液は、それを繰り返し液体窒素で凍結させ、それを真空にさらすことによって、予め脱ガスされていた。室温に加温しながら溶液を一晩撹拌した。次に、反応を、メタノールの添加によって終了させ、メタノールとイソプロパノールの混合物中に沈澱させ、真空オーブン中で一晩乾燥させ、3.2gのポリマーを得た。得られたPS−pDPASブロックポリマーは、13CNMRに基づき、74.1mol%のスチレンおよび25.9mol%のp−ジフェニルアミノスチレンを含んでいた。ブロック共重合体の分子量は、ポリスチレン基準に対してTHF中のゲルパーミエーションクロマトグラフィに基づき、7700g/molであった。
OLEDを、比較例1および実施例1〜3に記載したように形成した。ただし、バッファ層が以下であったことを除く。
実施例7:PS−pDPAS
実施例8:93重量%のPS−pDPAS、および7重量%のF4−TCNQ
主鎖中にトリアリールアミン部分を有する共役共重合体を含むバッファ層
これは、ドープされた共重合体ベースのトリアリールアミンの正孔注入バッファ層を有するOLEDの調製およびキャラクタリゼーションを記載する。バッファ層には、PEDT(バイエル社(Bayer AG)(ドイツ、レーヴァークセン(Leverkusen)からCH8000として入手できるポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン))、無ドープのポリ{(9−フェニル−9H−カルバゾール−3,6−ジイル)[N,N’−ビス(フェニル−4−イル)−N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)ベンゼン−1,4−ジアミン]}(Cz−トリアリールアミン)、および、F4−TCNQをドープしたCz−トリアリールアミンが含まれる。正孔注入バッファ層用のトリアリールアミン含有共重合体として、Cz−トリアリールアミンを使用する利点は、フェニレンジアミン結合の存在にあり、それは、一般に低いイオン化ポテンシャル(最高被占分子軌道のより高いエネルギー)の原因になる。これは、電子受容体(例えばF4−TCNQ)をドープしたことに起因して、導電率の増加に好適な条件を与える。
2Lフラスコに、600mLの乾燥THFおよび3,6−ジブリモ(dibrimo)−9−フェニルカルバゾール(60g、0.15モル)を仕込んだ。これを、アセトン−ドライアイス浴で−78℃に冷却した。n−ブチルリチウム(ヘキサン中2.5M溶液138mL、0.34モル)をシリンジを介して滴下した。反応物を、20分間撹拌し、次いで−50℃に暖めた。その温度を−78℃下げ、2−イソプロポキシ−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(64g、0.34モル)を、−60℃未満の温度に維持されるような速度でシリンジを介して加えた。反応を−78℃で2時間維持し、次いで酢酸アンモニウムの水溶液(2100mL水中90g)の中へ注いだ。層が相分離し、水相をメチルtert−ブチルエーテルで抽出した(2×200mL)。化合した有機相および抽出物を、ブラインで洗浄し(2×200mL)、硫酸マグネシウム上で乾燥させた。固体の濃縮およびアセトンから得られる再結晶により、純粋な9−フェニル−3,6−ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9H−カルバゾールが得られた(12g、収率16%)。
ゴム・セプタムおよび還流凝縮器を取り付けた50mLの丸底フラスコに、9−フェニル−3,6−ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9H−カルバゾール(0.79g、1.59mmole、5当量)、N,N’−ビス(4−ブロモフェニル)−N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)ベンゼン−1,4−ジアミン(0.65g、0.952mmol、3当量)、アリクァット(登録商標)336(0.16g、0.405mmole、1.28当量)、2M炭酸ナトリウム溶液(5.4mL、10.8mmol、34当量)、および、20mLのトルエンを導入した。これを、窒素の流れで30分間パージした。窒素パージ下で、テトラキストリフェニルホスフィン・パラジウム(0)(10mg、0.0.0068mmole、0.02当量)を加えた。次に反応混合物を16時間還流した。パージされたトルエン5mL中の0.5gブロムベンゼン溶液を加え、続けてさらにテトラキストリフェニルホスフィン・パラジウム(paladium)(0)(10mg)を仕込み、次に還流をさらに16時間続けた。次に反応を室温まで冷却させ、30mLの水を加えた。有機層が分離し、水で続けてブラインで洗浄した。このようにして得られた固体のメタノール中への沈殿、ろ過、および真空乾燥により、必要とされる正孔輸送ポリマー0.62gが得られた。ポリスチレン基準に対するゲルパーミエーションクロマトグラフィによる分子量測定では、Mw2.39×103、Mn1.49×103、および多分散度1.67が得られた。
OLEDを、比較例1および実施例1〜3に記載したように形成した。ただし、バッファ層が以下であったことを除く。
比較例2:PEDT
実施例9:Cz−トリアリールアミン
実施例10:93重量%のCz−トリアリールアミン、および7重量%のF4−TCNQ
これらのバッファ層を、トルエン中のそれらの約1.5重量%溶液から2000RPM(約33s−1)のスピン速度でスピン・コートし、ITOコートした基板上に厚さ約90nmのフィルムを形成した。
吸収性の色素をドープした色変換バッファ層
この実施例は、このようなバッファ層を組み込んだOLEDのエレクトロルミネセンス・エネルギーおよびCIE色度座標を調整するために、電気活性高分子バインダをブレンドし、かつ、色変換有機色素材料をブレンドした、ドープされたトリアリールアミンをベースにした、正孔注入溶液処理バッファ層の製作を記載する。
実施例11:58重量%のPVK、38重量%のMTDATA、および4重量%のF4−TCNQに対応する溶液a)、
実施例12:24重量%のPVK、16重量%のMTDATA、2重量%のF4−TCNQ、および58重量%の色素に対応する溶液b)、
実施例13:18重量%のPVK、12重量%のMTDATA、1重量%のF4−TCNQ、および69重量%の色素に対応する溶液c)
転写層のないドナー・シートの調製
熱転写ドナー・シートを、次の方法で調製した。表IIに与えられているLTHC溶液を、厚さ0.1mmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム基板(帝人(Teijin)(日本、大阪)からのM7)上にコートした。コーティングを、ヤスイ・セイキ・ラボ・コーター(Yasui Seiki Lab Coater)モデルCAG−150を使用し、1インチあたり150個のらせん形セルを有するマイクログラビア(microgravure)・ローラーを使用して行った。LTHCコーティングは、80℃でインライン乾燥させ、紫外線(UV)照射下で硬化させた。
(1)コロンビアン・ケミカル社(Columbian Chemicals Co.)(ジョージア州アトランタ(Atlanta))から市販
(2)ソルーチア社(Solutia Inc.)(ミズーリ州セントルイス(St. Louis))から市販
(3) S.C.ジョンソン・アンド・サン社(Johnson & Son,Inc.)(ウィスコンシン州ラシーヌ(Racine))から市販
(4)ビィック・ケミーUSA(Byk-Chemie USA)(コネティカット州ウォーリングフォード(Wallingford))から市販
(5)ミネソタ・マイニング・アンド・マニファクチャリング社(Minnesota Mining and Manufacturing Co.)(ミネソタ州セントポール(St. Paul))から市販
(6) UCBラドキュア社(Radcure Inc.)(サウスカロライナ州N.オーガスタ(N. Augusta))から市販
(7) ICIアクリクス社(Acrylics Inc.)(テネシー州メンフィス(Memphis))から市販
(8)チバ・ガイギー社(Ciba-Geigi Corp.)(ニューヨーク州タリータウン(Tarrytown))から市販
次の溶液を調製し、レセプタ基板上への層の調製の際に使用した。
トルエン中1.0%(w/w)の(4,4’,4’’−トリス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン)(OSA 3939、H.W.サンド社、フロリダ州ジュピター)をろ過し、0.45μmのポリプロピレン(PP)シリンジ・フィルタのワットマン・プラディスク(Whatman Puradisc)(登録商標)を介して調剤した。
トルエン中1.0%(w/w)のポリ(9−ビニルカルバゾール)(アルドリッチ・ケミカル社、ウィスコンシン州ミルウォーキー)をろ過し、0.45μmのポリプロピレン(PP)シリンジ・フィルタのワットマン・プラディスク(登録商標)を介して調剤した。
トルエン中0.25%(w/w)のテトラフルオロテトラシアノキノジメタン(東京化成工業社(Tokyo Kasei Kogyo Co.)、日本、東京)をろ過し、0.45μmのポリプロピレン(PP)シリンジ・フィルタのワットマン・プラディスク(登録商標)を介して調剤した。
MTDATA/F4−TCNQの98/2 w/w%混合物
MTDATA/PVKの65/35 w/w%混合物
MTDATA/PVK/F4−TCNQの64/35/1 w/w/w%混合物
レセプタを以下のように形成した。ITO(インジウムスズ酸化物)ガラス(デルタ・テクノロジ(Delta Technologies)、ミネソタ州スチルウォータ(Stillwater)、100オーム/スクエア未満、厚さ1.1mm)を、フォトリトグラフィを使用して処理し、エレクトロルミネセンス・デバイスを製造できる、パターン形成したITO構造を形成した。基板を、デコネックス(Deconex)12NS(ボーラ・ケミー社(Borer Chemie AG)、スイス、チュービル(Zuchwil))の3%ホット溶液中で超音波洗浄した。次に、基板を、表面処理のために、次の条件下でプラズマ・サイエンス(Plasma Science)のプラズマ処理器の中に置いた。
時間:2分
電力:500ワット(165W/cm2)
酸素流れ:100sccm
次の溶液を調製した。
コビオン・オルガノ・セミコンダクタ社(Covion Organic Semiconductors GmbH)(ドイツ、フランクフルト)からのコビオンPPVポリマーPDY132「スーパー・イエロー」(75mg)を、PTFEキャップで琥珀色のバイアルに秤量した。これに、トルエン9.925g(アルドリッチ・ケミカル(ウィスコンシン州ミルウォーキー)から得たHPLC等級)を加えた。溶液を一晩撹拌した。溶液を、5μmのミリポア・マイレックス(Millipore Millex)シリンジ・フィルタを介してろ過した。
アルドリッチ・ケミカル(ウィスコンシン州ミルウォーキー)からのポリスチレン(250mg)(Mw=2,430)を、トルエン9.75g(アルドリッチ・ケミカル(ウィスコンシン州ミルウォーキー)から得たHPLC等級)に溶解した。溶液を、0.45μmのポリプロピレン(PP)シリンジ・フィルタを介してろ過した。
転写層を、前節のコビオン・スーパー・イエローとポリスチレンの溶液の33/67 w/w%ブレンドを使用して、ドナー・シート上に形成した。このブレンドを得るために、上記溶液を適切な比で混合し、得られたブレンド溶液を室温で20分間撹拌した。
上記節で転写したLEP(コビオン・スーパー・イエロー/PS)の上にカルシウム/銀カソードを堆積させることによって、エレクトロルミネセンス・デバイスを調製した。LEPの上に、0.11nm/sの速度で約40nmのカルシウムを、続けて0.5nm/sの速度で約400nmの銀を蒸着した。全ての場合において、ダイオードの振る舞いおよび黄色発光が観察された。
Claims (29)
- 電極、
発光材料を含んでなる発光層、並びに、
前記電極と前記発光層との間に配置され、かつ前記電極および前記発光層と電気的に通じているバッファ層、
を含んでなるエレクトロルミネセンス・デバイスであって、前記バッファ層が、高分子バインダ、前記高分子バインダ中に配置されたトリアリールアミン正孔輸送材料、および、前記高分子バインダ中に配置された電子受容体材料を含んでなる、エレクトロルミネセンス・デバイス。 - 前記バッファ層が、前記高分子バインダ中に配置された色変換材料をさらに含んでなる、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記バッファ層が、前記高分子バインダ中に配置された複数の光散乱粒子をさらに含んでなる、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記トリアリールアミン正孔輸送材料が、ポリマーを含んでなる、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記バッファ層の前記高分子バインダが、架橋されている、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記バッファ層が、架橋剤をさらに含んでなる、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記高分子バインダが、電荷輸送ポリマーを含んでなる、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記高分子バインダが、イオン性部分を含んでなる、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記電極がアノードであり、前記エレクトロルミネセンス・デバイスが、前記発光層と電気的に通じているカソードをさらに含んでなる、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記バッファ層と前記発光層の間に配置された正孔輸送層をさらに含んでなる、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 電極、
発光材料を含んでなる発光層、並びに、
前記電極と前記発光層との間に配置され、かつ前記電極および前記発光層と電気的に通じているバッファ層、
を含んでなるエレクトロルミネセンス・デバイスであって、前記バッファ層が、(a)複数のトリアリールアミン部分を含んでなる高分子正孔輸送材料、および、(b)前記高分子正孔輸送材料中に配置された電子受容体材料を含んでなる、エレクトロルミネセンス・デバイス。 - 前記バッファ層が、前記高分子バインダ中に配置された色変換材料をさらに含んでなる、請求項11に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記バッファ層が、前記高分子バインダ中に配置された複数の光散乱粒子をさらに含んでなる、請求項11に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記高分子正孔輸送材料が、複数のトリアリールアミン部分の少なくとも一部が主鎖中に配置された状態で主鎖を含んでなる、請求項11に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記高分子正孔輸送材料が主鎖を含んでなり、前記複数のトリアリールアミン部分が、前記主鎖から延在している側基である、請求項11に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記バッファ層の前記高分子正孔輸送材料が、架橋されている、請求項11に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記バッファ層が、架橋剤をさらに含んでなる、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 電極、
発光材料を含んでなる発光層、並びに、
前記電極と前記発光層との間に配置され、かつ前記電極および前記発光層と電気的に通じているバッファ層、
を含んでなるエレクトロルミネセンス・デバイスであって、前記バッファ層が、トリアリールアミン正孔輸送材料、前記トリアリールアミン正孔輸送材料中に配置された色変換材料、および、前記トリアリールアミン正孔輸送材料中に配置された電子受容体材料を含んでなる、エレクトロルミネセンス・デバイス。 - 前記バッファ層が、前記高分子バインダ中に配置された複数の光散乱粒子をさらに含んでなる、請求項18に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記トリアリールアミン正孔輸送材料が、ポリマーである、請求項18に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記色変換材料が、色素材料を含んでなる、請求項18に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記色変換材料が、前記発光層の前記発光材料から発生した光を吸収するように構成され、かつ配列された、請求項18に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記色変換材料が、前記発光層の前記発光材料から発生した光を吸収した後に再発光するように構成され、かつ配列された、請求項18に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 前記色変換材料が、無機または有機金属の材料を含んでなる、請求項18に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- 電極、
発光材料を含んでなる発光層、並びに、
前記電極と前記発光層との間に配置され、かつ前記電極および前記発光層と電気的に通じているバッファ層、
を含んでなるエレクトロルミネセンス・デバイスであって、前記バッファ層が、トリアリールアミン正孔輸送材料、前記トリアリールアミン正孔輸送材料中に配置された複数の光散乱粒子、および、前記トリアリールアミン正孔輸送材料中に配置された電子受容体材料を含んでなる、エレクトロルミネセンス・デバイス。 - 前記複数の光散乱エレクトロルミネセンス・デバイスが、無機材料を含んでなる、請求項25に記載のエレクトロルミネセンス・デバイス。
- エレクトロルミネセンス・デバイスを製造する方法であって、
電極を形成するステップと、
高分子バインダ、トリアリールアミン正孔輸送材料、および電子受容体材料を含んでなるバッファ層を、溶液から前記電極の上にコーティングするステップと、
前記バッファ層の上に発光層を配置するステップと、
を含んでなり、前記電極、バッファ層、および発光層が電気的に通じており、前記発光層が発光材料を含んでなる、方法。 - 前記バッファ層の上に前記発光層を配置するステップの前に、前記バッファ層の上に正孔輸送層を配置するステップをさらに含んでなる、請求項27に記載の方法。
- エレクトロルミネセンス・デバイスを製造する方法であって、
ドナー基板上に正孔注入転写層を形成するステップであって、前記バッファ層がトリアリールアミン正孔輸送材料および電子受容体材料を含んでなるステップと、
レセプタ基板上に電極を形成するステップと、
前記バッファ層の一部を前記レセプタ基板の上に、前記電極と電気的に通じた状態に選択的に熱転写するステップと、
前記レセプタ基板の上に選択的に熱転写された前記バッファ層の前記部分の上に発光層を配置するステップと、
を含んでなる、方法。
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