KR101302279B1 - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

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KR101302279B1
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마사히데 마쯔우라
히데아끼 나가시마
히데쯔구 이께다
히로아끼 나까무라
다다시 구스모또
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이데미쓰 고산 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 양극 (2) 및 음극 (6)과, 양극 (2) 및 음극 (6) 사이에, 적어도 제1층 (3), 제2층 (4) 및 제3층 (5)를 양극측으로부터 순서대로 구비하고, 제1 내지 제3층 (3), (4), (5) 중 적어도 1층에 인광 발광성 화합물을 포함하며, 제1 내지 제3층 (3), (4), (5) 중 적어도 1층이 발광층이고, 제1층(3)을 형성하는 화합물, 제2층 (4)를 형성하는 화합물 및 제3층 (5)를 형성하는 화합물이며 인광 발광성 화합물이 아닌 적어도 3종의 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 유기 전계 발광 소자 (1)을 제공한다.
<화학식 1>
Figure 112008016860249-pct00024
(식 중, R1 내지 R7은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 인접하는 치환기끼리는 함께 환을 형성할 수도 있음)
유기 전계 발광 소자, 인광 발광성 화합물

Description

유기 전계 발광 소자 {ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}
본 발명은 유기 전계 발광 소자, 특히 인광 발광성 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
유기 물질을 사용한 유기 전계 발광 소자(유기 EL 소자)는, 고체 발광형의 저렴한 대면적 풀컬러 표시 소자로의 용도가 유망시되어 많은 개발이 행해지고 있다.
일반적으로, 유기 EL 소자는 양 전극 사이에 전계가 인가되면 음극측으로부터 전자가 주입되고 양극측으로부터 정공이 주입된다. 또한, 이 전자가 발광층에서 정공과 재결합하여 여기 상태를 생성하고, 여기 상태가 기저 상태로 되돌아갈 때에 에너지를 빛으로서 방출한다.
유기 EL 소자는 발광층, 발광층을 사이에 둔 한쌍의 대향 전극 및 정공 또는 전자를 발광층으로 수송하는 층으로 구성되어 있다. 구체적인 예로서 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극의 구성이 알려져 있다. 여기서 정공 수송층은 양극에서 발생한 정공을 발광층으로 수송하는 것을 돕고, 전자 수송층은 음극으로부터 발생한 전자를 발광층으로 수송하는 것을 돕는다.
특허 문헌 1에는, 정공 수송층(전자 수송층) 및 발광층의 호스트 재료로서 카르바졸기를 갖는 화합물을 이용하는 것이 기재되어 있다. 그러나 정공 수송층에 비공액계 고분자 화합물을 이용하고, 녹색 발광으로 37 lm/W의 소자가 얻어지지만 발광 효율로는 부족하다.
특허 문헌 2에서는 정공 수송층(전자 수송층)으로서 카르바졸기를 갖는 화합물을 이용하고 있다. 또한 특허 문헌 3에서는 정공 수송층 및 발광층에 카르바졸기를 갖는 화합물을 이용하고 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허 공개 제2004-220931호 공보
특허 문헌 2: 일본 특허 공개 제2002-203683호 공보
특허 문헌 3: 미국 특허 6,863,997
본 발명은 저전압, 고효율, 긴 수명의 유기 EL 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
<발명의 개시>
본 발명에 따르면, 이하의 유기 EL 소자가 제공된다.
1. 양극 및 음극과,
상기 양극과 음극 사이에, 적어도 제1층, 제2층, 제3층을 양극측으로부터 순서대로 구비하고, 상기 제1 내지 제3층의 적어도 1층에 인광 발광성 화합물을 포함하고, 제1 내지 제3층의 적어도 1층이 발광층이고,
상기 제1층을 형성하는 화합물, 상기 제2층을 형성하는 화합물 및 상기 제3층을 형성하는 화합물이며 인광 발광성 화합물이 아닌 적어도 3종의 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 유기 전계 발광 소자.
Figure 112008016860249-pct00001
(식 중, R1 내지 R7은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 인접하는 치환기끼리는 함께 환을 형성할 수도 있음)
2. 상기 1에 있어서, 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 유기 전계 발광 소자.
Figure 112008016860249-pct00002
(식 중, R1 내지 R5는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, A는 치환 또는 비치환된 지방족 또는 질소를 포함할 수도 있는 방향족의 6 내지 8원환을 나타내며, 또한 인접하는 치환기는 환을 형성할 수도 있음)
3. 상기 1 또는 2에 있어서, 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물이 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 화합물인 유기 전계 발광 소자.
Figure 112008016860249-pct00003
Figure 112008016860249-pct00004
(식 중, R1 내지 R5 및 R8 내지 R11은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 또한 인접하는 치환기는 환을 형성할 수도 있음)
4. 상기 3에 있어서, 상기 제1층을 형성하는 화합물 및 상기 제2층을 형성하는 화합물이 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 방향족 골격을 갖는 치환기인 유기 전계 발광 소자.
5. 상기 4에 있어서, 상기 제1층을 형성하는 화합물이 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 방향족기 치환 아미노 골격을 가지며,
상기 제3층을 형성하는 화합물이 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 질소 함유 방향족 5원환, 질소 함유 방향족 6원환 또는 이들의 축합환을 갖는 것인 유기 전계 발광 소자.
6. 상기 5에 있어서, 상기 제3층을 형성하는 화합물이 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 질소 함유 방향족 6원환을 갖는 것인 유기 전계 발광 소자.
7. 상기 1 내지 6 중 어느 하나에 있어서, 화학식 1 내지 4로 표시되는 화합물이 분자량 분포를 갖지 않는 화합물인 유기 전계 발광 소자.
8. 상기 1 내지 7 중 어느 하나에 있어서, 상기 3종의 화합물 중 적어도 2종의 화합물의 단일항(singlet) 에너지 수준이 3.3 eV 이상인 유기 전계 발광 소자.
9. 상기 1 내지 8 중 어느 하나에 있어서, 상기 3종의 화합물 중 적어도 2종의 화합물의 최저 삼중항(triplet) 에너지 수준이 2.7 eV 이상인 유기 전계 발광 소자.
10. 상기 1 내지 9 중 어느 하나에 있어서, 상기 인광 발광성 화합물의 최저 삼중항 에너지 수준이 2.5 eV 이상인 유기 전계 발광 소자.
11. 상기 1 내지 10 중 어느 하나에 있어서, 상기 제2층이 발광층이고, 상기 제1층과 상기 제3층이 각각 상기 발광층에 접하고 있는 유기 전계 발광 소자.
본 발명에 따르면, 저전압, 고효율 또한 긴 수명의 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.
구체적으로는, 제1층, 발광층, 제2층에 공통의 분자기를 도입함으로써, 유기층간의 이질적인 상호 작용을 경감할 수 있기 때문에 각 유기층간의 캐리어 이동장 벽을 낮출 수 있다. 이 때문에 현저한 소자의 저전압화를 실현할 수 있어 고효율의 소자가 얻어진다.
[도 1] 본 발명의 유기 EL 소자의 한 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명의 유기 EL 소자는 양극 및 음극과, 양극과 음극 사이에 적어도 제1층, 제2층 및 제3층을 양극측으로부터 순서대로 구비한다.
도 1은 본 발명의 한 실시 형태에 관한 유기 EL 소자의 구성을 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 유기 EL 소자 (1)은 양극 (2), 제1층 (3), 제2층 (4), 제3층 (5) 및 음극 (6)을 적층한 구조를 가지고 있다.
제1층 (3), 제2층 (4) 및 제3층 (5) 중 적어도 1층이 인광 발광성 화합물을 포함한다.
또한, 제1층 (3), 제2층 (4) 및 제3층 (5) 중 적어도 1층이 발광층이다. 예를 들면 제1층 (3), 제2층 (4) 및 제3층 (5) 중 어느 한층이 발광층일 수 있다. 바람직하게는 제2층 (4)가 발광층이고, 이 발광층이 인광 발광성 화합물을 포함한다. 또한, 제1층 (3), 제2층 (4) 및 제3층 (5) 중 어느 2층 이상이 발광층일 수도 있다. 발광층이 복수개일 때, 바람직하게는 하나 이상의 발광층이 인광 발광성 화합물을 포함한다.
바람직하게는 도 1에 도시한 바와 같이, 제1층 (3) 및 제3층 (5)가 제2층 (4)에 접하고 있다. 그러나 제1층 (3)과 제2층 (4) 사이, 제3층 (5)와 제2층 (4) 사이에 개재층이 있을 수도 있다. 또한, 양극 (2)와 제1층 (3) 사이, 또는 음극 (6)과 제3층 (5) 사이에도 개재층이 있을 수도 있다.
또한, 제1층 (3), 제2층 (4) 또는 제3층 (5)가 발광층이 아닐 때, 양극 (2)측의 제1층 (3) 및/또는 제2층 (4)가 정공 주입층, 정공 수송층 등의 정공 수송성의 층일 수도 있고, 음극 (6)측의 제2층 (4) 및/또는 제3층 (5)가 전자 주입층, 전자 수송층 등의 전자 수송성의 층일 수도 있다.
정공 수송성층, 전자 수송성층 또는 발광층 모두 인광 발광성 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명에서 제1층을 형성하는 화합물, 제2층을 형성하는 화합물 및 제3층을 형성하는 것이며, 인광 발광성 화합물이 아닌 적어도 3종의 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이다.
<화학식 1>
Figure 112008016860249-pct00005
(식 중, R1 내지 R7은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 인접하는 치환기끼리는 함께 환을 형성할 수도 있음)
R6과 R7은 환을 형성하여, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물이 된다.
<화학식 2>
Figure 112008016860249-pct00006
(식 중, R1 내지 R5는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, A는 치환 또는 비치환된 지방족 또는 질소를 포함할 수도 있는 방향족의 6 내지 8원환을 나타내며, 인접하는 치환기는 환을 형성할 수도 있음)
바람직하게는 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물이다.
<화학식 3>
Figure 112008016860249-pct00007
<화학식 4>
Figure 112008016860249-pct00008
(식 중, R1 내지 R5 및 R8 내지 R11은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 또한 인접하는 치환기는 환을 형성할 수도 있음)
상기 화학식 2 내지 4에서, 바람직하게는 R1 내지 R4 및 R8 내지 R11이 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 시아노기, 탄소 수 6 내지 12의 아릴기, 또는 탄소수 1 내지 10의 할로겐화 알킬기, 보다 바람직하게는 수소 원자이고, R5가 질소 함유 방향족 골격을 갖는 기이다. R5는 바람직하게는 방향족기 치환 3급 아미노 골격, 카르바졸기, 트리아진환 및/또는 피리미딘환을 갖는 기이고, 보다 바람직하게는 방향족기 치환 3급 아미노 골격, 카르바졸기 및/또는 피리미딘환을 갖는 기이다.
바람직하게는 제1층을 형성하는 화합물은 화학식 3으로 표시되는 화합물이고, R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 질소 함유 방향족 골격을 갖는다.
질소 함유 방향족 골격은 방향족기 치환 아미노 골격이나, 질소 함유 방향족환 골격 등을 포함한다. 질소 함유 방향족환 골격에는 질소 함유 방향족 5원환, 질소 함유 방향족 6원환 및 이들 축합환이 포함된다.
방향족기 치환 아미노 골격과 질소 함유 방향족 6원환의 일례를 각각 이하에 나타낸다.
Figure 112008016860249-pct00009
바람직하게는 제1층을 형성하는 화합물은 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R4 및 R8 내지 R11이 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 시아노기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 또는 탄소수 1 내지 10의 할로겐화 알킬기, 보다 바람직하게는 수소 원자이고, R5가 카르바졸기 및 방향족기 치환 3급 아미노 골격을 갖는다.
바람직하게는 제3층을 형성하는 화합물이 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 질소 함유 방향족 골격을 갖는다.
상술한 바와 같이, 질소 함유 방향족 골격은 질소 함유 방향족 5원환, 질소 함유 방향족 6원환 또는 이들의 축합환을 포함하고, 바람직하게는 질소 함유 방향족 6원환이다.
바람직하게는 제3층을 형성하는 화합물은 화학식 3으로 표시되는 화합물이고, R1 내지 R4 및 R8 내지 R11이 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 시아노기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 또는 탄소수 1 내지 10의 할로겐화 알킬기, 보다 바람직하게는 수소 원자이고, R5가 피리미딘환, 피리딘환, 트리아진환 또는 질소 함유 방향족 축합 5, 6원환, 보다 바람직하게는 피리미딘환을 갖는다.
바람직하게는 제2층을 형성하는 화합물이 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 질소 함유 방향족 골격을 갖는다.
질소 함유 방향족 골격은 질소 함유 방향족 5원환, 질소 함유 방향족 6원환 또는 이들의 축합환을 포함하고, 바람직하게는 축합환이다.
바람직하게는 제2층을 형성하는 화합물은, 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R4 및 R8 내지 R11이 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 시아노기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 또는 탄소수 1 내지 10의 할로겐화 알킬기, 보다 바람직하게는 수소 원자이고, R5가 카르바졸기, 아릴렌기 또는 질소 함유 헤테로환, 보다 바람직하게는 카르바졸기를 갖는다.
바람직하게는 제1층 및 제2층, 또는 제1층 내지 제3층을 형성하는 각각의 화합물이 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 방향족 골격을 갖는다. 특히 바람직하게는 질소 함유 방향족 골격을 갖는다.
또한, 제1층을 형성하는 화합물이 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 방향족기 치환 아미노 골격을 가지며, 제3층을 형성하는 화합물이 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 질소 함유 방향족 5원환, 질소 함유 방향족 6원환 또는 이들의 축합환을 갖는 것이 바람직하다. 특히, 제3층을 형성하는 화합물의 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 질소 함유 방향족 6원환을 갖는 것이 바람직하다.
보다 바람직하게는 제1층, 제2층 및 제3층을 형성하는 3 화합물이 화학식 3으로 표시되는 화합물이고, R1 내지 R4 및 R8 내지 R11이 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 시아노기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 또는 탄소수 1 내지 10의 할로겐화 알킬기, 보다 바람직하게는 수소 원자이고, R5가 질소 함유 방향족 골격을 갖는다. R5는 바람직하게는 방향족기 치환 아미노 골격, 카르바졸기 및/또는 피리미딘환을 갖는 기이다. 제1층의 화합물, 제2층의 화합물, 제3층의 화합물의 구체적인 적합예는 상술한 바와 같다.
상기 화학식 1 내지 4로 표시되는 화합물은 분자량 분포를 갖지 않는 화합물인 것이 바람직하다.
바람직하게는 제1층을 구성하는 화합물, 제2층을 구성하는 화합물, 제3층을 구성하는 화합물이며 인광 발광성 화합물이 아닌 적어도 2종의 화합물의 단일항 에너지 수준이 3.3 eV 이상이고, 보다 바람직하게는 3.4 eV 이상이다. 이 경우, 보다 효율적으로 청색의 인광 소자를 빛나게 할 수 있다.
바람직하게는 제1층을 구성하는 화합물, 제2층을 구성하는 화합물, 제3층을 화합물이며 인광 발광성 화합물이 아닌 적어도 2종의 화합물의 최저 삼중항 에너지 수준이 2.7 eV 이상이고, 보다 바람직하게는 2.8 eV 이상이다. 이 경우, 보다 효율적으로 청색의 인광 소자를 발광시킬 수 있다.
바람직하게는 인광 발광성 화합물의 최저 여기 에너지 수준이 2.5 eV 이상이고, 보다 바람직하게는 2.6 eV 이상이다. 이 경우, 보다 에너지가 높은 청색계의 빛을 효율적으로 취출할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 소자 구조는 전극 사이에 3층 이상 적층한 구조이다. 그 예로서, 이하에 나타내는 구조를 들 수 있다.
1. 양극, 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층, 전자 수송층, 음극
2. 양극, 정공 수송층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층, 음극
3. 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 음극
4. 양극, 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 음극
5. 양극, 정공 수송층, 발광층, 발광층, 음극
6. 양극, 발광층, 발광층, 전자 수송층, 음극
7. 양극, 정공 수송층, 발광층, 발광층, 전자 수송층, 음극
8. 양극, 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층, 음극
9. 양극, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 음극
이하에, 본 발명의 유기 EL 소자의 각 층에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
발광층은 전계 인가시에 양극 또는 정공 주입층으로부터 정공을 주입할 수 있는 기능, 음극 또는 전자 주입층으로부터 전자를 주입할 수 있는 기능, 주입한 전하(전자와 정공)를 전계의 힘으로 이동시키는 기능, 전자와 정공의 재결합의 장소를 제공하고, 이것을 발광으로 연결하는 기능을 갖는 것이다. 본 발명의 유기 EL 소자의 발광층은, 바람직하게는 인광 발광성 화합물과, 인광성 발광성 화합물을 게스트 화합물로 하는 호스트 화합물을 함유한다.
인광 발광성 화합물은, 소자가 기능하는 온도 범위에서 인광 발광하는 화합물이면 어느 것도 관계없지만, 최저 삼중항 에너지 수준이 2.5 eV 이상의 화합물을 선택하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, Ir, Pt, Os, Pd, Au 착체 등의 금속 착 체를 들 수 있다. 그 중에서도 특히 Ir, Pt가 바람직하다. 구체적인 예를 하기에 나타낸다.
Figure 112008016860249-pct00010
Figure 112008016860249-pct00011
상기 화학식 중, Me는 메틸기이다.
상기 화학식 1로 표시되는 호스트 화합물은, 예를 들면 치환 또는 비치환된 인돌기를 갖는 것, 치환 또는 비치환된 카르바졸기를 갖는 것, 치환 또는 비치환된 아자카르바졸기를 갖는 것 등을 들 수 있다. 호스트 화합물의 구체적인 예를 하기에 나타낸다.
Figure 112008016860249-pct00012
호스트 화합물의 T1(최저 삼중항 여기 상태의 에너지 수준)은 게스트 화합물의 T1 수준보다 큰 것이 바람직하다.
발광층을 형성하는 방법으로서, 예를 들면 호스트 화합물과 인광 발광성 화 합물의 공증착 등을 들 수 있다. 이에 따라, 인광 발광성 화합물이 호스트 화합물에 도핑된 발광층을 형성할 수 있다.
정공 주입층 및 정공 수송층은 양극에서 정공을 주입하는 기능, 정공을 수송하는 기능, 음극으로부터 주입된 전자를 장벽하는 기능 중 어느 하나를 가지고 있으면 된다.
정공 주입층 및 정공 수송층을 구성하는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 구체적인 예로는, 치환 또는 비치환된 인돌 골격, 치환 또는 비치환된 카르바졸 골격, 치환 또는 비치환된 아자카르바졸 골격을 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 바람직한 치환기가 포함하는 질소 함유 방향족 골격의 구체적인 예로는, 카르바졸, 트리아졸, 피라졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 퀴녹살린, 이미다졸 골격 및, 이들이 상호 축합한 분자 골격이나, 페닐렌디아민, 아릴아민, 아미노 치환 칼콘, 방향족 3급 아민 골격, 스티릴아민 골격 등을 들 수 있다. 이들은 치환되거나 비치환일 수도 있다.
정공 수송성 화합물의 구체적인 예를 하기에 나타낸다.
Figure 112008016860249-pct00013
Figure 112008016860249-pct00014
정공 주입층 및 상기 정공 수송층은 상기 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 층만의 단층 구조일 수도 있고, 상기 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 층을 포함하는 적층 구조일 수도 있다.
전자 주입층 및 전자 수송층은 음극으로부터 전자를 주입하는 기능, 전자를 수송하는 기능을 가질 수도 있다.
전자 주입층 및 전자 수송층을 구성하는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 구체적인 예로는, 치환 또는 비치환된 인돌 골격, 치환 또는 비치환된 카르바졸 골격, 치환 또는 비치환된 아자카르바졸 골격을 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 바람직한 치환기가 포함하는 질소 함유 방향족 골격으로는, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 트리아졸, 옥사디아졸, 피라졸, 이미다졸, 카르바졸, 인돌, 아자카르바졸, 퀴녹살린, 피롤 골격 및, 이들이 상호 축합한 벤즈이미다졸, 이미다조피리딘 등의 분자 골격을 들 수 있다. 그 중에서 바람직하게는 피리딘, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 카르바졸, 인돌, 아자카르바졸, 퀴녹살린 골격을 들 수 있다. 상술한 골격은 치환되거나 비치환될 수도 있다.
전자 수송성 화합물의 구체적인 예를 이하에 나타낸다.
Figure 112008016860249-pct00015
Figure 112008016860249-pct00016
전자 주입층 및 전자 수송층은 상기 재료의 1종 또는 2종 이상을 포함하는 단층 구조일 수도 있고, 동일 조성 또는 이종 조성의 복수층을 포함하는 다층 구조일 수도 있다.
이들은 π전자 결핍성 질소 함유 헤테로환기인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 유기 EL 소자에서 전자 주입ㆍ수송층을 구성하는 물질로서, 절연체 또는 반도체인 무기 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입ㆍ수송층이 절연체나 반도체로 구성되어 있으면, 전류의 누설을 유효하게 방지하며 전자 주입성을 향상시킬 수 있다. 이러한 절연체로는 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로겐화물 및 알칼리 토금속의 할로겐화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입ㆍ수송층이 이들 알칼리 금속 칼코게나이드 등으로 구성되어 있으면, 전자 주입성을 더욱 향상시킬 수 있다는 점에서 바람직하다.
바람직한 알칼리 금속 칼코게나이드로는, 예를 들면 Li2O, Na2S, Na2Se 및 Na2O를 들 수 있고, 바람직한 알칼리 토금속 칼코게나이드로는, 예를 들면 CaO, BaO, SrO, BeO, BaS 및 CaSe를 들 수 있다. 바람직한 알칼리 금속의 할로겐화물로는, 예를 들면 LiF, NaF, KF, LiCl, KCl 및 NaCl 등을 들 수 있다. 바람직한 알칼리 토금속의 할로겐화물로는, 예를 들면 CaF2, BaF2, SrF2, MgF2 및 BeF2라는 불화물이나, 불화물 이외의 할로겐화물을 들 수 있다.
전자 주입층 및 전자 수송층을 구성하는 반도체로는, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb 및 Zn 중 하나 이상의 원소를 포함하는 산화물, 질화물 또는 산화질화물 등의 1종 단독 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다. 또한, 전자 수송층을 구성하는 무기 화합물이 미결정 또는 비정질의 절연성 박막인 것이 바람직하다. 전자 수송층이 이들 절연성 박막으로 구성되어 있으면, 보다 균질한 박막이 형성되기 때문에, 다크 스폿 등의 화소 결함을 저감시킬 수 있다. 또한, 이러한 무기 화합물로는 상술한 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로겐화물 및 알칼리 토금속의 할로겐화물 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 소자에서 전자 주입층 및/또는 전자 수송층은 일함수가 2.9 eV 이하의 환원성 도펀트를 함유할 수도 있다. 본 발명에서 환원성 도펀트는 전자 주입 효율을 상승시키는 화합물이다.
또한, 본 발명에서는 음극과 유기 박막층과의 계면 영역에 환원성 도펀트가 첨가되어 있으면 바람직하고, 계면 영역에 함유되는 유기층의 적어도 일부를 환원하여 음이온화한다. 바람직한 환원성 도펀트로는 알칼리 금속, 알칼리 토금속의 산화물, 알칼리 토금속, 희토금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토금속의 산화물, 알칼리 토금속의 할로겐화물, 희토금속의 산화물 또는 할로겐화물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토금속 착체의 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물이다.
바람직한 환원성 도펀트로는, Na(일함수: 2.36 eV), K(일함수: 2.28 eV), Rb(일함수: 2.16 eV) 및 Cs(일함수: 1.95 eV)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 알칼리 금속이나, Ca(일함수: 2.9 eV), Sr(일함수: 2.0 내지 2.5 eV) 및 Ba(일함수: 2.52 eV)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 알칼리 토금속을 들 수 있고, 일함수가 2.9 eV인 것이 특히 바람직하다. 이들 중에서, 보다 바람직한 환원성 도펀트는 K, Rb 및 Cs로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 알칼리 금속이고, 더욱 바람직하게는 Rb 또는 Cs이며, 가장 바람직하게는 Cs이다. 이들 알칼리 금속은 특히 환원 능력이 높고, 전자 주입 영역에의 비교적 소량의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에서의 발광 휘도의 향상이나 장기 수명화가 도모된다.
알칼리 토금속 산화물로는, 예를 들면 BaO, SrO, CaO 및 이들을 혼합한 BaxSr1-xO(0<x<1)나, BaxCa1 -xO(0<x<1)가 바람직한 것으로서 들 수 있다. 알칼리 산화물 또는 알칼리 불화물로는 LiF, Li2O, NaF 등을 들 수 있다. 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토금속 착체로는 금속 이온으로서 알칼리 금속 이온, 알칼리 토금속 이온, 희토금속 이온 중 하나 이상 함유하는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
배위자로는, 예를 들면 퀴놀리놀, 벤조퀴놀리놀, 아크리디놀, 페난트리디놀, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시디아릴옥사디아졸, 히드록시디아릴티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시벤조트리아졸, 히드록시플루보란, 비피리딜, 페난트롤린, 프탈로시아닌, 포르피린, 시클로펜타디엔, β-디케톤류, 아조메틴류, 및 이들의 유도체 등을 들 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.
환원성 도펀트의 바람직한 형태로는, 층상 또는 섬 형상으로 형성한다. 층형으로 이용할 때의 바람직한 막 두께로는 0.05 내지 8 nm이다.
환원성 도펀트를 포함하는 전자 주입층 및 전자 수송층의 형성 방법으로는, 저항 가열 증착법에 의해 환원성 도펀트를 증착하면서, 계면 영역을 형성하는 발광 재료 또는 전자 주입 재료인 유기물을 동시에 증착시키고, 유기물 중에 환원성 도펀트를 분산하는 방법이 바람직하다. 분산 농도로는 몰비로서 100:1 내지 1:100, 바람직하게는 5:1 내지 1:5이다. 환원성 도펀트를 층상으로 형성할 때는, 계면의 유기층인 발광 재료 또는 전자 주입 재료를 층상으로 형성한 후에, 환원성 도펀트를 단독으로 저항 가열 증착법에 의해 증착시키고, 바람직하게는 막 두께 0.5 nm 내지 15 nm로 형성한다. 환원성 도펀트를 섬 형상으로 형성할 때는, 계면의 유기층인 발광 재료 또는 전자 주입 재료를 형성한 후에, 환원성 도펀트를 단독으로 저 항 가열 증착법에 의해 증착시키고, 바람직하게는 막 두께 0.05 내지 1 nm로 형성한다.
양극은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 등에 정공을 공급하는 것이고, 4.5 eV 이상의 일함수를 갖는 것이 효과적이다. 양극용 화합물로는, 금속, 합금, 금속 산화물, 전기 전도성 화합물, 또는 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 양극용 화합물의 구체적인 예로는, 산화주석, 산화아연, 산화인듐, 주석도핑 산화인듐(ITO) 등의 도전성 금속 산화물, 또는 금, 은, 크롬, 니켈 등의 금속, 또한 이들 도전성 금속 산화물과 금속과의 혼합물 또는 적층물, 요오드화구리, 황화구리 등의 무기 도전성 물질, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등의 유기 도전성 재료, 및 이들과 ITO와의 적층물 등을 들 수 있고, 바람직하게는 도전성 금속 산화물이고, 특히 생산성, 고도전성, 투명성 등의 점에서 ITO를 이용하는 것이 바람직하다. 양극의 막 두께는 적절하게 선택 가능하다.
음극은 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층 등에 전자를 공급하는 것이고, 음극용 화합물로는 금속, 합금, 금속 할로겐화물, 금속 산화물, 전기 전도성 화합물, 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 음극의 재료의 구체적인 예로는, 알칼리 금속(예를 들면 Li, Na, K 등) 및 그 불화물 또는 산화물, 알칼리 토금속(예를 들면 Mg, Ca 등) 및 그 불화물 또는 산화물, 금, 은, 납, 알루미늄, 나트륨-칼륨 합금 또는 나트륨-칼륨 혼합 금속, 리튬-알루미늄 합금 또는 리튬-알루미늄 혼합 금속, 마그네슘 은 합금 또는 마그네슘-은 혼합 금속, 또는 인듐, 이테르븀 등의 희토금속 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 바람직하게는 알루미늄, 리튬-알루미늄 합금 또는 리튬-알루미늄 혼합 금속, 마그네슘-은 합금 또는 마그네슘 은 혼합 금속 등이다. 음극은 상기 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 층만의 단층 구조일 수도 있고, 상기 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 층을 포함하는 적층 구조일 수도 있다. 예를 들면 알루미늄/불화리튬, 알루미늄/산화리튬의 적층 구조가 바람직하다. 음극의 막 두께는 적절하게 선택 가능하다.
본 발명의 유기 EL 소자에서 각 층의 형성 방법으로는 특별히 한정되지 않지만, 진공 증착법, LB법, 저항 가열 증착법, 전자빔법, 스퍼터링법, 분자 적층법, 코팅법(스핀 코팅법, 캐스팅법, 딥 코팅법 등), 잉크젯법, 인쇄법 등의 여러 가지 방법을 이용할 수 있다.
금속 착체 화합물을 함유하는 유기 박막층은 진공 증착법, 분자선 증착법(MBE법) 또는 용매에 녹인 용액의 디핑법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법 등의 도포법에 의한 공지된 방법으로 형성할 수 있다.
상기 코팅법으로는, 금속 착체 화합물을 용매에 용해하여 도포액을 제조하고, 상기 도포액을 원하는 층(또는 전극) 상에 도포ㆍ건조함으로써 형성할 수 있다. 도포액 중에는 수지를 함유시킬 수도 있고, 수지는 용매에 용해 상태로 하거나, 분산 상태로 할 수도 있다. 수지로는, 비공액계 고분자(예를 들면 폴리비닐카르바졸), 공액계 고분자(예를 들면 폴리올레핀계 고분자)를 사용할 수 있다. 예를 들면 폴리염화비닐, 폴리카르보네이트, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리부타디엔, 폴리(N-비닐카르바졸), 탄화수소 수지, 케톤 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드, 에틸셀룰로오스, 아세트산비닐, ABS 수지, 폴리우레탄, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 소자의 각 유기층의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 막 두께가 지나치게 얇으면 핀홀 등의 결함이 생기기 쉽고, 반대로 지나치게 두꺼우면 높은 인가 전압이 필요해져 효율이 나빠지기 때문에, 통상은 수 nm 내지 1 μm의 범위가 바람직하다.
실시예 및 비교예에서 하기 화학식에 나타낸 화합물을 사용하였다. 이들 화합물의 특성을 하기에 기재하는 방법으로 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
Figure 112008016860249-pct00017
식 중, Me는 메틸이고, Ph는 페닐이다.
(1) 이온화 포텐셜
각 재료의 이온화 포텐셜은 리켄(理硏) AC-1을 이용하여 재료의 박막을 제조하여 측정하였다.
유리 기판을 이소프로필알코올 → 물 → 이소프로필알코올의 순서로 각 5 분간 초음파 세정하고, 추가로 30 분간 UV 세정하였다. 그 위에, 진공 증착 장치를 이용하여 피측정 물질을 성막하였다. 성막에는 쇼와 덴꼬(주) 제조, SGC-8MII를 이용하고, 도달 진공도 5.3×10-4 pa 이하, 증착 속도 2 Å/s에서 막 두께 2000 Å가 되도록 제조하였다.
이온화 포텐셜은 대기 중 광전자 분광 장치(사용 기기: 리켄 게이끼(주) 제조, AC-1)를 이용하여 측정하였다. 상기 기기에서 중수소 램프의 자외선을 분광기로 분광한 빛을 박막 시료에 조사하고, 방출되는 광전자를 오픈카운터에서 계측하였다. 종축을 양자 수율의 제곱근, 횡축을 조사광의 에너지로 하고 플로팅한 광전자 스펙트럼에 대하여 백 그라운드와 양자 수율의 제곱근과의 교점을 이온화 포텐셜로 하였다.
(2) 단일항 에너지 수준
화합물을 톨루엔에 용해시키고, 10-5 mol/ℓ의 용액으로 하였다. 분광 광도계(히타치사 제조 U3410)로 흡수 스펙트럼을 계측하고, 자외 흡수 스펙트럼의 광파장측의 개시에 대하여 접선을 긋고 횡축과의 교점인 파장(흡수단)을 구하였다. 이 파장을 에너지값으로 환산하여 에너지 수준의 값을 구하였다.
(3) 삼중항 에너지 수준
최저 삼중항 에너지 준위 T1은 이하와 같이 측정하였다. 농도 10 μmol/ℓ, 용매: EPA(디에틸에테르:이소펜탄:이소프로필알코올=5:5:2 용적비), 온도 77 K, 석영 셀을 이용하고, SPEX사 FLUOROLOGII를 이용하여 측정하였다. 얻어진 인광 스렉트럼의 단파장측의 개시에 대하여 접선을 긋고 횡축과의 교점인 파장(발광단)을 구 하였다. 이 파장을 에너지값으로 환산하였다.
Figure 112008016860249-pct00018
<실시예 1>
25 mm×75 mm×0.7 mm 두께의 ITO 투명 전극이 장착된 유리 기판을 이소프로필알코올 중에서 초음파 세정을 5 분간 행한 후, UV 오존 세정을 30 분간 행하였다. 세정 후, 투명 전극 장착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극이 형성되어 있는 측의 면 상에 투명 전극을 덮도록 하여 막 두께 95 nm로 TCTA를 성막하였다. 이 TCTA막은 정공 수송층으로서 기능한다. 이어서, TCTA막 상에, 막 두께 30 nm에서 화합물 (A)를 호스트 화합물로서 증착하고 발광층을 성막하였다. 동시에 인광 발광성의 Ir 금속 착체 도펀트로서 Ir 금속 착체 화합물 (B)를 첨가하였다. 발광층 중에서의 금속 착체 화합물 (B)의 농도는 7.5 중량％로 하였다. 이 막은 발광층으로서 기능한다. 이 막 상에 막 두께 25 nm의 화합물 (C)를 성막하였다. 이 막은 전자 수송층으로서 기능한다. 또한 이 막 상에 막 두께 5 nm의 Alq3를 성막하였다. 이 막은 전자 수송층으로서 기능한다. 이 후 불화리튬을 0.1 nm의 두께에 증착시키고, 이어서 알루미늄을 150 nm의 두께에 증착하였다. 이 Al/LiF는 음극으로서 기능한다. 이와 같이 하여 유기 EL 소자를 제조하였다.
얻어진 소자를 밀봉 후, 통전 시험을 행한 결과 전압 5.5 V, 전류 밀도 0.28 mA/㎠로 발광 휘도 114 cd/㎡의 청색 녹색 발광이 얻어지고, 발광 효율은 41 cd/A였다. 또한, 이 소자를 초기 휘도 200 cd/㎡로 정전류 구동시키고, 휘도 100 cd/㎡까지 반감하는 시간을 측정한 결과 2050 시간이었다.
<실시예 2>
실시예 1에서, 화합물 (B) 대신에 화합물 (D)를 이용한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제조하였다. 얻어진 소자를 밀봉 후, 실시예 1과 동일하게 통전 시험을 행하였다.
전압 5.5 V, 전류 밀도 0.35 mA/㎠로 발광 휘도 113 cd/㎡의 청색 녹색 발광이 얻어지고, 발광 효율은 32 cd/A였다. 또한, 이 소자를 초기 휘도 200 cd/㎡로 정전류 구동시키고, 휘도 100 cd/㎡까지 반감하는 시간을 측정한 결과 730 시간이었다.
<실시예 3>
실시예 1에서, 화합물 (B) 대신에 화합물 (E)를 이용한 것 이외에는 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제조하였다. 얻어진 소자를 밀봉 후, 실시예 1과 동일하게 통전 시험을 행하였다.
전압 5.5 V, 전류 밀도 0.14 mA/㎠로 발광 휘도 108 cd/㎡의 녹색 발광이 얻어지고, 발광 효율은 77 cd/A, 44 lm/W였다. 또한, 이 소자를 초기 휘도 1500 cd/㎡로 정전류 구동시키고, 휘도 750 cd/㎡까지 반감하는 시간을 측정한 결과 3210 시간이었다.
<비교예 1>
TCTA 대신에 HMTPD를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제조하였다.
얻어진 소자를 밀봉 후, 실시예 1과 동일하게 통전 시험을 행하였다.
전압 7.4 V, 전류 밀도 0.92 mA/㎠로 발광 휘도 106 cd/㎡의 청색 녹색 발광이 얻어지고, 발광 효율은 12 cd/A였다. 또한, 이 소자를 초기 휘도 200 cd/㎡로 정전류 구동시키고, 휘도 100 cd/㎡까지 반감하는 시간을 측정한 결과 298 시간이었다.
<비교예 2>
TCTA 대신에 NPD를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제조하였다.
얻어진 소자를 밀봉 후, 실시예 1과 동일하게 통전 시험을 행하였다.
전압 7.3 V, 전류 밀도 1.50 mA/㎠로 발광 휘도 100 cd/㎡의 청색 녹색 발광이 얻어지고, 발광 효율은 6 cd/A였다. 또한, 이 소자를 초기 휘도 200 cd/㎡로 정전류 구동시키고, 휘도 100 cd/㎡까지 반감하는 시간을 측정한 결과 380 시간이었다.
<비교예 3>
화합물 (A) 대신에 화합물 (F)를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제조하였다.
얻어진 소자를 밀봉 후, 실시예 1과 동일하게 통전 시험을 행하였다.
전압 8.3 V, 전류 밀도 1.80 mA/㎠로 발광 휘도 100 cd/㎡의 청색 녹색 발광이 얻어지고, 발광 효율은 6 cd/A였다. 또한, 이 소자를 초기 휘도 200 cd/㎡로 정전류 구동시키고, 휘도 100 cd/㎡까지 반감하는 시간을 측정한 결과 180 시간이었다.
<비교예 4>
화합물 (A) 대신에 화합물 (F)를 이용한 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제조하였다.
얻어진 소자를 밀봉 후, 실시예 1과 동일하게 통전 시험을 행하였다.
전압 6.8 V, 전류 밀도 0.65 mA/㎠로 발광 휘도 110 cd/㎡의 녹색 발광이 얻어지고, 발광 효율은 17 cd/A였다. 또한, 이 소자를 초기 휘도 1500 cd/㎡로써 정전류 구동시키고, 휘도 750 cd/㎡까지 반감하는 시간을 측정한 결과 1060 시간이었다.
<비교예 5>
화합물 (C) 대신에 화합물 (G)를 이용한 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제조하였다.
얻어진 소자를 밀봉 후, 실시예 1과 동일하게 통전 시험을 행하였다.
전압 6.2 V, 전류 밀도 0.43 mA/㎠로 발광 휘도 101 cd/㎡의 녹색 발광이 얻어지고, 발광 효율은 23 cd/A였다. 또한, 이 소자를 초기 휘도 1500 cd/㎡로 정전류 구동시키고, 휘도 750 cd/㎡까지 반감하는 시간을 측정한 결과 1840 시간이었다.
Figure 112008016860249-pct00019
표 2에 의하면, 실시예 1 내지 3의 유기 EL 소자는 비교예 1 내지 5의 유기 EL 소자에 대하여 저전압이고, 발광 효율이 높으며, 수명이 길다.
이상 상세하게 설명한 바와 같이, 본 발명의 유기 EL 소자는 발광 효율이 높고, 긴 수명이며, 청색을 비롯한 각색 유기 EL용 재료로서 사용 가능하다. 또한, 본 발명의 유기 EL 소자는 각종 표시 소자, 디스플레이, 백 라이트, 조명 광원, 표지, 간판, 인테리어 등의 분야에 적용할 수 있고, 특히 컬러 디스플레이의 표시 소자로서 적합하다.

Claims (12)

  1. 양극 및 음극과, 상기 양극과 음극 사이에 적어도 정공 수송층, 발광층, 및전자 수송층을 양극측으로부터 순서대로 구비하고, 상기 정공 수송층, 발광층, 및전자 수송층 중 적어도 1층이 인광 발광성 화합물을 포함하며,
    상기 정공 수송층을 형성하는 화합물, 상기 발광층을 형성하는 화합물 및 상기 전자 수송층을 형성하는 화합물로서, 인광 발광성 화합물 이외의 적어도 3종의 화합물이 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물이고,
    <화학식 3>
    Figure 112013025141832-pct00026
    (식 중, R1 내지 R5 및 R8 내지 R11은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 또한 인접하는 치환기는 환을 형성할 수도 있음)
    상기 정공 수송층을 형성하는 화합물은 화학식 3에서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 방향족 골격을 갖는 치환기인 화합물이고,
    상기 발광층을 형성하는 화합물은 화학식 3에서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 방향족 골격을 갖는 치환기인 화합물이고,
    상기 전자 수송층을 형성하는 화합물은 화학식 3에서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 질소 함유 방향족 5원환, 질소 함유 방향족 6원환 또는 이들의 축합환을 갖는 화합물인, 유기 전계 발광 소자.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 정공 수송층을 형성하는 화합물이 화학식 3에서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 방향족기 치환 아미노 골격을 갖는 것인 유기 전계 발광 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전자 수송층을 형성하는 화합물이 화학식 3에서 R1 내지 R5 및 R8 내지 R11 중 하나 이상이 질소 함유 방향족 6원환을 갖는 것인 유기 전계 발광 소자.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 상기 3종의 화합물 중 적어도 2종의 화합물의 단일항(singlet) 에너지 수준이 3.3 eV 이상인 유기 전계 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 3종의 화합물 중 적어도 2종의 화합물의 최저 삼중항(triplet) 에너지 수준이 2.7 eV 이상인 유기 전계 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서, 상기 인광 발광성 화합물의 최저 삼중항 에너지 수준이 2.5 eV 이상인 유기 전계 발광 소자.
  12. 제1항에 있어서, 상기 정공 수송층과 상기 전자 수송층이 각각 상기 발광층에 접하고 있는 유기 전계 발광 소자.
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