TWI393283B - 有機光電元件 - Google Patents

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Guan Cheng Li
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Description

有機光電元件
本發明係有關於一種有機光電元件,更詳而言之,係關於一種具有聚合物和有機小分子之混合物的中間層之有機光電元件。
光電元件,如發光二極體、太陽能電池以及光偵測器,皆係利用材料本身之光學或電學性質產生電磁輻射或電流。
以有機光偵測器為例,有機光偵測器是利用光敏元件將光訊號轉換為電訊號的偵測器。具體而言,有機光偵測器中之有機光敏材料吸收電磁輻射後,產生一被激發之分子狀態,亦即具有電子電洞對(electron-hole pair)之激子(exciton),當該電子電洞對分離時即產生所謂的光電流。
為達到較佳的元件特性,通常需要具有不同功能之層幫助傳輸載子或阻擋載子,如WO9820565A1揭露一種以聚合物材料作為電子傳輸層或電洞阻擋層。然而,由於聚合物係包含複數個不同鏈長度之經聚合分子,故可視為具有相同結構重複單元(repeating unit)的混合物,當以該聚合物本身用於,例如,載子傳輸或甚至是作為主動層時,會因為化合物之結構的複雜度,不容易控制元件的性能。又,如Advanced Functional Materials,16,611(2006)揭露一種包含聚合物和小分子所構成的主動層,該聚合物係用於轉s能量,故亦存有前述的問題,此外,該期刊所揭露之載 子傳輸層係藉由蒸鍍小分子而得,也不利於製作大面積的元件,且更耗費成本。
因此,業界亟需一種製程簡單且便於製作大尺寸之光電元件之方法以及提升元件效率之有機光電元件,並降低成本。
鑒於上述習知技術之缺點,本發明之一目的在於提供具有聚合物和有機小分子之混合物的中間層之有機光電元件。
本發明之另一目的係在於提供一種提升元件效率之有機光電元件。
本發明之又一目的係在於提供一種有機發光元件。
本發明之再一目的係在於提供一種有機光偵測裝置。
本發明之又一目的係在於提供一種有機太陽能電池。
為達上述目的及其他相關目的,本發明提供一種有機光電元件,包括第一電極;主動層,係形成於該第一電極上;第二中間層,係形成於該主動層上,使該主動層夾置於該第一電極和該第二中間層之間;以及第二電極,係形成於該第二中間層上,使該第二中間層夾置於該主動層和第二電極之間;其中,該第二中間層包括含有第二聚合物和第二有機小分子的第二混合物,且該第二有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
於一態樣,本發明復提供一種有機發光元件,其係使 用本發明之有機光電元件。
於另一態樣,本發明提供一種有機光偵測裝置,包括如本發明之有機光電元件,以及電性連接至該光電元件之電流偵測元件。
於本發明之又一態樣,係提供一種有機太陽能電池,其係使用本發明之有機光電元件,用以吸收電磁輻射產生電流。
此外,本發明復提供一種製造有機光電元件之方法,包括提供第一電極;將溶解於第一溶劑之包括第一聚合物和第一有機小分子的第一混合物施用於該第一電極上以形成第一中間層;移除該第一溶劑後,於該第一中間層之表面形成主動層;於該主動層之表面形成第二電極,使該主動層夾置於該第一中間層和第二電極之間;其中,該第一有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
根據此一方法所形成的有機光電元件,包括第一電極;形成於第一電極上之第一中間層;形成於第一中間層上之主動層,俾使第一中間層夾置於第一電極和主動層之間;以及第二電極形成於主動層上,俾使主動層夾置於第一中間層和第二電極之間,其中,該第一中間層包括含有第一聚合物和第一有機小分子的第一混合物,且該第一有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
本發明之另一態樣中,復提供一種製造有機光電元件 之方法,包括:提供第一電極;於該第一電極之表面形成主動層;將溶解於第二溶劑之包括第二聚合物和第二有機小分子的第二混合物施用於該主動層上以形成第二中間層,使該主動層夾置於該第二中間層和第一電極之間;移除該第二溶劑後,於該第二中間層之表面形成第二電極,使該第二中間層夾置於該主動層和第二電極之間;其中,該第二有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
本發明結合有機小分子之光電特性與聚合物之成膜性,以溶液製程製作本發明之有機光電元件,簡化製程之繁瑣和條件並提升元件之效率。
以下係藉由特定的具體實例說明本發明之實施方式,熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點與功效。
習知有機光電元件係藉由真空蒸鍍所欲的層,例如載子傳輸層,因此,在製作大尺寸之元件上有其困難。為解決此問題,本發明提供一種製造有機光電元件之方法,包括提供第一電極;將溶解於第一溶劑之包括第一聚合物和第一有機小分子的第一混合物施用於該第一電極上以形成第一中間層;移除該第一溶劑後,於該第一中間層之表面形成主動層;於該主動層之表面形成第二電極,使該主動層夾置於該第一中間層和第二電極之間;其中,且該第一有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電 子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
或者,於另一態樣中,本發明復提供一種製造有機光電元件之方法,包括:提供第一電極;於該第一電極之表面形成主動層;將溶解於第二溶劑之包括第二聚合物和第二有機小分子的第二混合物施用於該主動層上以形成第二中間層,使該主動層夾置於該第二中間層和第一電極之間;移除該第二溶劑後,於該第二中間層之表面形成第二電極,使該第二中間層夾置於該主動層和第二電極之間;其中,且該第二有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
在本發明中,第一溶劑係選自可溶解第一聚合物及/或第一有機小分子之溶劑,較佳地,第一溶劑係選自可溶解第一聚合物及第一有機小分子之溶劑,更佳地,第一聚合物與第一有機小分子可互溶。或者,可選擇溶解有機小分子之溶劑,再依溶劑的特質,選擇溶於該溶劑的聚合物。
在本發明之方法中,若第一電極為陽極、第二電極為陰極,第一中間層係作為電洞傳輸層或電子阻擋層,且本發明之聚合物係用以提供成膜性質,而有機小分子則貢獻所欲的光電性質,是以,當第一中間層作為電洞傳輸層時,則有機小分子係選自電洞傳輸材料用的化合物;若第一中間層作為電子阻擋層時,有機小分子係選自電子阻擋材料用的化合物。
同樣地,第二中間層係作為電子傳輸層或電洞阻擋層,且有機小分子分別選自電子傳輸材料或電洞阻擋材料 用的化合物。
本發明之主動層可使用任何適當材料和方法製備,例如,當使用小分子時,可運用真空蒸鍍法形成薄膜層,或者,當使用聚合物材料時,則可利用溶液製程製作大面積的薄膜。於本發明中,較佳地係使用聚合物材料製備主動層。此外,當運用溶液製程時,係選擇不會破壞第一中間層之溶劑,或選擇不會破壞第一中間層之製程方法。
於本發明製造有機光電元件之方法之另一態樣,可復包括於形成第二電極之前,將溶解於第二溶劑之包括第二聚合物和第二有機小分子的第二混合物施用於該主動層表面以形成第二中間層,俾在移除該第二溶劑後,於該第二中間層表面形成第二電極,使該第二中間層夾置於該主動層和該第二電極之間,其中,且該第二有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。該第二溶劑係選自與該主動層之材質不互溶之溶劑,以避免破壞主動層之薄膜而影響了所欲的光電性能。舉例而言,某些電洞阻擋層可溶於醇類溶劑,而主動層又不溶於醇類溶劑時,則可選擇與醇類溶劑互溶的聚合物,例如,但不限於,聚乙烯基吡咯啶酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚氧化乙烯(PEO)、聚乙二醇(PEG)等,使得作為電洞阻擋層之有機小分子和提供成膜性之聚合物形成互溶之溶液。此外,由於主動層不溶於醇類溶劑,故於形成中間層時不會破壞已先形成的主動層或其他層。除此之外,亦可藉由獨特之製程方式,如刮刀製程,可利用任 意溶劑形成中間層且不會破壞主動層。
在本發明之方法中,係藉由塗佈方式將第一混合物塗佈於該第一電極上以形成第一中間層。同樣地,第二中間層亦係藉由塗佈方式將第二混合物塗佈於該主動層表面以形成所欲的薄膜。塗佈的實例包括,但不限於旋轉塗佈或刮刀塗佈等。
如第1A圖所示,根據本發明之方法,本發明提供一種有機光電元件10,包括第一電極110;形成於該第一電極110上之第一中間層130;形成於該第一中間層130上之主動層150,使該第一中間層130夾置於該第一電極110和該主動層150之間;形成於該主動層150上之第二電極170,使該主動層150夾置於該第一中間層130和第二電極170之間;其中,該第一中間層130包括含有第一聚合物和第一有機小分子的第一混合物,且該第一有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
復參閱第1B圖,本發明之另一有機光電元件10’,包括第一電極110;主動層150,係形成於該第一電極110上;第二中間層190,係形成於該主動層150上,使該主動層150夾置於該第一電極110和該第二中間層190之間;以及第二電極170,係形成於該第二中間層190上,使該第二中間層190夾置於該主動層150和第二電極170之間;其中,該第二中間層190包括含有第二聚合物和第二有機小分子的第二混合物,且該第二有機小分子係選自 作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
第2圖係顯示本發明另一態樣之有機光電元件20,除第一中間層外130,該有機光電元件20復包括形成於該主動層150和第二電極170之間的第二中間層290,其中,該第二中間層290包括含有第二聚合物和第二有機小分子的第二混合物,且該第二有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物,並令該第二有機小分子不同於該第一有機小分子。
在本發明中,電極可包含金屬或金屬替代物。金屬係指包含除金屬元素的材料或包含金屬合金之材料,其中,金屬合金為包含兩種或兩種以上金屬之材料。金屬替代物係指具有類金屬性質材料,但非一般習知定義的金屬,諸如經摻雜的半導體或透明的導電氧化物,如氧化銦錫(ITO)。通常,氧化銦錫係作為陽極。陰極則通常可利用一層金屬或如鈣/鋁、鈣/銀、鋇/銀等之兩層金屬所構成,當然亦可利用兩層或兩層以上金屬鹽類與金屬搭配,如氟化鋰/鋁、氟化鋰/鈣/鋁、氟化銫/鋁等,並使該金屬鹽介於主動層或中間層與陰極之間。
在本發明具有第一中間層和第二中間層之具體實例中,該第一中間層為電洞傳輸層,則該第二中間層為電子傳輸層或電洞阻擋層;或者,該第一中間層為電子阻擋層,則該第二中間層為電子傳輸層或電洞阻擋層。在該具體實例中,第一中間層若作為電洞傳輸層或電子阻擋層或者第 二中間層為電子傳輸層或電洞阻擋層時,則第一電極為陽極、第二電極為陰極。另一方面,第一中間層可同時包括電洞傳輸層和電子阻擋層等二子層(sub-layers),或同時包括電子傳輸層和電洞阻擋層。舉例而言,在具有複數子層的態樣中,第一中間層可包括一層聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)做為輔助電洞傳輸和修飾表面之用且與陽極接觸,其他的子層則可為如本發明所述之具有聚合物和有機小分子的電洞傳輸層或電子阻擋層。
本發明之有機光電元件之具體實例中,並未特別限制聚合物的實例,只要是具有成膜性質的聚合物皆為適合的材料,通常,聚合物(包括第一聚合物和第二聚合物)之數量平均分子量介於1000至5,000,000。另一方面,該有機小分子之分子量介於50至1000。在具有第一和第二中間層之有機光電元件中,第一和第二有機小分子的分子量皆介於50至1000。
此外,雖然,通常本發明之聚合物僅係使用具有成膜性而不具有光電性質的材料,但所屬技術領域具有通常知識者在參酌本發明後,亦可選擇具有光電性質的聚合物,具體而言,該第一聚合物係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。或者,在具有第二中間層之有機光電元件中,該第一聚合物係選自電洞傳輸材料或電子阻擋材料用的化合物,該第二聚合物則係選自電子傳輸材料或電洞阻擋材料用的化合物。
為使本發明之有機光電元件之中間層產生所欲的性 能,該中間層所含的有機小分子的含量亦相當重要,舉例而言,在具有一層中間層之有機光電元件中,以包括第一聚合物和第一有機小分子的第一混合物的重量計,該第一有機小分子的含量為30至95wt%。較佳地,該第一有機小分子的含量為50至90 wt%。同樣地,在具有第二層中間層之有機光電元件中,以該第二混合物的重量計,該第二有機小分子的含量為30至95 wt%。較佳地,該第二有機小分子的含量為50至90 wt%。
更具體地,如第3圖所示,於一具體實施例中,以2-(4-二苯基)-5-4-(第三丁基苯基-1,3,4-噁二唑2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)作為有機小分子,並以聚乙烯基吡咯啶酮(PVP)的聚合物作為基質,藉由塗佈法將含有該有機小分子的基質成膜於陽極和陰極之間,製成元件並測試其電流密度。當本發明使用約30 wt%的PBD即可達到所欲的電流密度。較佳地,有機小分子的含量為50 wt%以上,或以70 wt%為更佳。另一方面若考慮成膜性質,有機小分子的含量則小於95 wt%,並以90 wt%以下為佳。再者,雖然第3圖係以PBD作為有機小分子的示例性實例,然而在使用不同有機小分子的實施例中,皆具有相似之電流密度和成膜性,此外,本文所提及之數值範圍皆包含上下限端的數值,且可任意組合數值範圍。
以下藉由有機發光元件之實施例說明本發明,但各層所使用之材料、厚度以及濃度,並非用以限制本發明之範 圍。
在本發明之一實施例中,將以不同濃度比例之電洞傳輸材料來測試元件之操作電壓、電流密度以及電流效率。
實施例1
在本發明之第一實施例中,第一電極為陽極;有機小分子係選用1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene,TPBi)作為電洞阻擋材料和第二中間層、第二中間層之聚合物係選用數量平均分子量約為1,000,000之甲基丙烯酸甲酯(PMMA);主動層係選用聚(9,9-雙辛基茀)(PFO);第二電極為陰極。實施之步驟如下: 於厚度0.7 nm之玻璃基板上形成150 nm之銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)作為第一電極(陽極)後,於該第一電極上以熱蒸鍍方式(亦可選用其他聚合物材料以溶液製程形成薄膜),鍍上厚度80 nm之PFO作為主動層,接著,分別將重量30 mg和70mg之甲基丙烯酸甲酯和TPBi溶解於甲苯中,再以刮刀塗佈之方式將溶有甲基丙烯酸甲酯和TPBi之第二混合物塗佈於該主動層上,由於該溶劑與主動層之材料不互溶,故該第二混合物不會破壞主動層。之後,於50℃之真空環境烘乾移除溶劑1小時以得到第二中間層,最後以熱蒸鍍方式,形成厚度為100 nm之鋁第二電極(陰極)。
比較例1
重複實施例1之方法,但該第二中間層係以蒸鍍法單獨將TPBi蒸鍍至主動層上以形成第二中間層。
於厚度0.7 nm之玻璃基板上形成150 nm之銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)作為第一電極(陽極)後,於該第一電極上以熱蒸鍍方式(亦可選用其他聚合物材料以溶液製程形成薄膜),旋轉塗佈上厚度60 nm之聚(9,9-雙辛基茀)作為主動層,接著,將TPBi蒸鍍至主動層上以形成第二中間層,最後以熱蒸鍍方式,形成厚度為2nm的氟化銫及100 nm之鋁第二電極(陰極)。
如第4圖所示,包含聚合物和有機小分子的本發明發光元件具有與蒸鍍法形成電洞阻擋層的比較例1的元件相當的電流效率,此外,相較於不含電洞阻擋層的元件,本發明實施例1之發光元件更具有較高的電流效率。
實施例2
重複實施例1之方法,但該第二中間層之有機小分子係改以2-(4-二苯基)-5-4-(第三丁基苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)作為電洞阻擋材料,第二中間層之聚合物係選用數量平均分子量為360,000之聚乙烯基吡咯啶酮(PVP)且使用聚茀(Polyfluorene,PFO)作為主動層之材料。
於厚度0.7 nm之玻璃基板上形成150 nm之銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)作為第一電極(陽極)後,於該第一電極上以旋轉塗佈方式(亦可選用其他聚合物材料以 溶液製程形成薄膜),鍍上厚度60 nm之PFO作為主動層,接著,將重量分別為50 mg和50 mg之PVP和PBD溶解於10 ml之正丁醇中,再以旋轉塗佈之方式將溶有PVP和PBD之第二混合物塗佈於該主動層上,由於該溶劑與主動層之材料不互溶,故該第二混合物不會破壞主動層。之後,於50℃之真空環境烘乾移除溶劑30分鐘以得到第二中間層,最後以熱蒸鍍方式,形成厚度為2nm的氟化銫及100 nm之鋁第二電極(陰極)。
比較例2
於厚度0.7 nm之玻璃基板上形成150 nm之銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)作為第一電極(陽極)後,於該第一電極上以旋轉塗佈方式,鍍上厚度60 nm之PFO作為主動層,最後再以熱蒸鍍方式,形成厚度為100 nm之鋁第二電極(陰極)。
比較例3
重複實施例2之方法,但該第二中間層係以蒸鍍法單獨將PBD蒸鍍至主動層上以形成第二中間層。
於厚度0.7 nm之玻璃基板上形成150 nm之銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)作為第一電極(陽極)後,於該第一電極上以旋轉塗佈方式,鍍上厚度60 nm之PFO作為主動層,接著,將PBD蒸鍍至主動層上以形成第二中間層,最後以熱蒸鍍方式,形成厚度為100 nm之鋁第二電 極(陰極)。
如第5圖所示,相較於比較例2之單層之有機發光元件,本發明之具有聚合物和有機小分子之有機發光元件之電流效率提升了2倍。另一方面,如第6圖所示,本發明之具有聚合物和有機小分子之有機發光元件之電流效率亦與比較例3之單純由PBD作為第一中間層之有機發光元件相當。
上述實施例僅例示性說明本發明之原理及其功效,而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下,對上述實施例進行修飾與改變。因此,舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發明所揭示之精神與技術思想下所完成之一切等效修飾或改變,仍應由後述之申請專利範圍所涵蓋。
10、10’、20‧‧‧有機光電元件
110‧‧‧第一電極
130‧‧‧第一中間層
150‧‧‧主動層
170‧‧‧第二電極
190、290‧‧‧第二中間層
第1A圖係顯示本發明之有機光電元件的剖面示意圖;第1B圖係顯示本發明另一有機光電元件的剖面示意圖;第2圖係顯示本發明又一有機光電元件的剖面示意圖;第3圖係顯示有機發光元件之電壓和電流密度圖;第4圖係顯示具有TPBi作為電洞阻擋材料之有機發光元件之電壓和電流效率比較圖;第5圖係顯示具有PBD作為電洞阻擋材料之有機發 光元件之電壓和電流效率圖;以及第6圖係顯示塗佈成膜所製得之元件與蒸鍍成膜所製得之元件的電流效率比較圖。
10’‧‧‧有機光電元件
110‧‧‧第一電極
190‧‧‧第二中間層
150‧‧‧主動層
170‧‧‧第二電極

Claims (25)

  1. 一種有機光電元件,包括:第一電極;主動層,係形成於該第一電極上;第二中間層,係形成於該主動層上,使該主動層夾置於該第一電極和該第二中間層之間;以及第二電極,係形成於該第二中間層上,使該第二中間層夾置於該主動層和第二電極之間;其中,該第二中間層包括含有第二聚合物和第二有機小分子的第二混合物,且該第二有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機光電元件,復包括形成於該主動層和第一電極之間的第一中間層,其中,該第一中間層包括含有第一聚合物和第一有機小分子的第一混合物,且該第一有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物,並令該第二有機小分子不同於該第一有機小分子。
  3. 如申請專利範圍第2項之有機光電元件,其中,該第一中間層為電洞傳輸層,且該第二中間層為電子傳輸層或電洞阻擋層。
  4. 如申請專利範圍第2項之有機光電元件,其中,該第一中間層為電子阻擋層,且該第二中間層為電子傳輸 層或電洞阻擋層。
  5. 如申請專利範圍第1項之有機光電元件,其中,該第一聚合物之數量平均分子量介於1000至5,000,000。
  6. 如申請專利範圍第2項之有機光電元件,其中,該第一聚合物和第二聚合物之數量平均分子量皆介於1000至5,000,000。
  7. 如申請專利範圍第1項之有機光電元件,其中,該第一有機小分子之分子量介於50至1000。
  8. 如申請專利範圍第2項之有機光電元件,其中,該第一有機小分子和第二有機小分子之分子量皆介於50至1000。
  9. 如申請專利範圍第1項之有機光電元件,其中,該第一聚合物係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
  10. 如申請專利範圍第2項之有機光電元件,其中,該第一聚合物係選自作為電洞傳輸材料或電子阻擋材料的化合物,該第二聚合物則係選自作為電洞阻擋材料或電子傳輸材料的化合物。
  11. 如申請專利範圍第3或4項之有機光電元件,其中,該第一電極為陽極而該第二電極為陰極。
  12. 如申請專利範圍第1項之有機光電元件,其中,以該第一混合物的重量計,該第一有機小分子的含量為30至95 wt%。
  13. 如申請專利範圍第2項之有機光電元件,其中,以該 第二混合物的重量計,該第二有機小分子的含量為30至95 wt%。
  14. 一種有機光電元件,包括:第一電極;第一中間層,係形成於該第一電極上;主動層,係形成於該第一中間層上,俾使該第一中間層夾置於該第一電極和主動層之間;以及第二電極,係形成於該主動層上,俾使該主動層夾置於該第一中間層和第二電極之間,其中,該第一中間層包括含有第一聚合物和第一有機小分子的第一混合物,且該第一有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物且以該第一混合物的重量計,該第一有機小分子的含量為30至95 wt%。
  15. 一種如申請專利範圍第1項之有機光電元件之用途,其係用於有機發光元件。
  16. 一種如申請專利範圍第1項之有機光電元件之用途,其係用於光偵測裝置。
  17. 一種如申請專利範圍第1項之有機光電元件之用途,其係用於太陽能電池。
  18. 一種製造有機光電元件之方法,包括:提供第一電極;將溶解於第一溶劑之包括第一聚合物和第一有機小分子的第一混合物施用於該第一電極上以形成第一 中間層;移除該第一溶劑後,於該第一中間層之表面形成主動層;於該主動層之表面形成第二電極,使該主動層夾置於該第一中間層和第二電極之間;其中,且該第一有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
  19. 如申請專利範圍第18項之製造有機光電元件之方法,復包括於形成第二電極之前,將溶解於第二溶劑之包括第二聚合物和第二有機小分子的第二混合物施用於該主動層表面以形成第二中間層,俾在移除該第二溶劑後,於該第二中間層表面形成第二電極,使該第二中間層夾置於該主動層和該第二電極之間,其中,該第二有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
  20. 如申請專利範圍第19項之製造有機光電元件之方法,其中,該第二溶劑係與該主動層之材質不互溶。
  21. 如申請專利範圍第18項之製造有機光電元件之方法,其中,係藉由塗佈方式將第一混合物塗佈於該第一電極上以形成第一中間層。
  22. 如申請專利範圍第19項之製造有機光電元件之方法,其中,係藉由塗佈方式將第二混合物塗佈於該主動層表面以形成第二中間層。
  23. 一種製造有機光電元件之方法,包括:提供第一電極;於該第一電極之表面形成主動層;將溶解於第二溶劑之包括第二聚合物和第二有機小分子的第二混合物施用於該主動層上以形成第二中間層,使該主動層夾置於該第二中間層和第一電極之間;移除該第二溶劑後,於該第二中間層之表面形成第二電極,使該第二中間層夾置於該主動層和第二電極之間;其中,且該第二有機小分子係選自作為電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料或電洞阻擋材料的化合物。
  24. 如申請專利範圍第23項之製造有機光電元件之方法,其中,該第二溶劑係與該主動層之材質不互溶。
  25. 如申請專利範圍第24項之製造有機光電元件之方法,其中,係藉由塗佈方式將第二混合物塗佈於該主動層表面以形成第二中間層。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101181228B1 (ko) 2010-10-11 2012-09-10 포항공과대학교 산학협력단 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101181227B1 (ko) * 2010-10-11 2012-09-10 포항공과대학교 산학협력단 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP5699524B2 (ja) * 2010-10-21 2015-04-15 コニカミノルタ株式会社 有機光電変換素子および太陽電池
DE102011077961A1 (de) * 2011-06-22 2012-12-27 Siemens Aktiengesellschaft Schwachlichtdetektion mit organischem fotosensitivem Bauteil
KR101945930B1 (ko) * 2012-01-05 2019-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2013136667A1 (ja) * 2012-03-15 2013-09-19 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネセンスデバイス及びその製造方法
TWI616058B (zh) * 2016-11-29 2018-02-21 國立勤益科技大學 混摻pvp提升鈣鈦礦太陽能電池光電轉換效率之結構及其方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080017852A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Cheil Industries Inc. Conductive Polymer Composition Comprising Organic Ionic Salt and Optoelectronic Device Using the Same
US20080105854A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-08 Cheil Industries Inc. Conductive Copolymer, Conductive Copolymer Composition, Film and Opto-Electronic Device Using the Same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9623204D0 (en) 1996-11-07 1997-01-08 Univ Durham Polymer light emitting diode
JP2002299061A (ja) * 2001-04-02 2002-10-11 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
US6982179B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
JP4688424B2 (ja) * 2003-03-31 2011-05-25 三洋電機株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2005158972A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 有機太陽電池
WO2006049261A1 (ja) * 2004-11-08 2006-05-11 Waseda University メモリー素子及びその製造方法
US7576356B2 (en) * 2005-08-08 2009-08-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Solution processed crosslinkable hole injection and hole transport polymers for OLEDs
JP5151111B2 (ja) * 2005-10-12 2013-02-27 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007311752A (ja) * 2006-01-13 2007-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
US7799990B2 (en) * 2007-03-12 2010-09-21 Northwestern University Electron-blocking layer / hole-transport layer for organic photovoltaics and applications of same
US20090183769A1 (en) * 2008-01-17 2009-07-23 National Taiwan University Solar Cell Having Nanostructure and Method for Preparing the Same
JP5214284B2 (ja) * 2008-03-10 2013-06-19 株式会社東芝 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080017852A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Cheil Industries Inc. Conductive Polymer Composition Comprising Organic Ionic Salt and Optoelectronic Device Using the Same
TW200806703A (en) * 2006-07-24 2008-02-01 Cheil Ind Inc Conductive polymer composition comprising organic ionic salt and optoelectronic device using the same
US20080105854A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-08 Cheil Industries Inc. Conductive Copolymer, Conductive Copolymer Composition, Film and Opto-Electronic Device Using the Same

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