KR101936978B1 - 수직 상-분리 반도체 유기 물질 층 - Google Patents
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Abstract
본원은 개선된 OLED 소자, 및 공정을 간소화시키기 위해 수직 상 분리를 이용한 개선된 OLED 소자의 제조 방법을 제공한다. 수직 상 분리된 물질은 전극 상에 배치된 하나 이상의 하부 제1 층, 및 제1 층과 상이하고 전극, 또는 임의로, 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나의 층 상으로부터 떨어져 배치된 하나 이상의 상부 제2 층을 포함할 수 있다. 제1 층은 1종 이상의 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1)로 농축될 수 있고, 제2 층은 SOM 1과 상이한 1종 이상의 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)로 농축될 수 있다. 잉크 조성물은 필름 수직 상이 제1 및 제2 층으로 분리되도록 적용될 수 있다. 조성물 및 소자는 또한 본원에서 실시된다.
Description
<관련 출원>
본원은 2011년 7월 5일에 출원된 미국 가출원 61/504,653을 우선권 주장하며, 이는 그 전문이 본원에 참조로 포함된다.
유기물질-기반 유기 발광 다이오드 (OLED), 중합체 발광 다이오드 (PLED), 인광성 유기 발광 다이오드 (PHOLED), 및 유기 광기전력 소자 (OPV)와 같은 에너지 절약형 소자에서 유용한 발전이 이루어지고 있다 할지라도, 보다 우수한 가공성 및 성능을 제공함에 있어서는 여전히 추가의 개선이 필요하다. 예를 들어, 한 유망한 유형의 물질은, 예를 들어 폴리티오펜을 비롯한 공액 전도성 중합체이다. 그러나, 문제는 도핑, 순도, 용해도, 및 특히 복합 아키텍처가 용액 가공에 의해 제작될 필요가 있을 경우에 가공에서 발생할 수 있다. 특히, 중합체의 교호 층의 용해도 (예컨대, 인접 층 간의 직교 또는 교호 용해도 특성)에 대해 매우 우수한 제어력을 갖는 것은 용액 가공에 중요하다.
특히, 예를 들어, 정공 주입 층 및 정공 수송 층은, 상충되는 요구사항과 매우 얇지만 높은 품질의 필름에 대한 필요성을 감안할 때, 상이한 문제들을 제시할 수 있다.
물질을, 다양한 응용을 위해, 및 다양한 물질, 예컨대 발광 층, 광활성 층 및 전극과 함께 기능하게 적합화시킬 수 있도록, 정공 주입 층 및 정공 수송 층의 특성, 예컨대 용해성, 열안정성 및 전자 에너지 준위, 예컨대 HOMO 및 LUMO를 제어하는 우수한 플랫폼 시스템이 필요하다. 특히, 우수한 용해도 및 불응성 특성이 중요하다. 특정한 응용을 위한 시스템을 조성하고 요구되는 특성의 균형을 제공하는 능력도 또한 중요하다. 계면 영향은 중요하다.
또한, OLED를 비롯한 전자 소자를 제작하기 위한 더 간단하고 덜 비싼 방법을 찾을 필요가 있다.
본원에 기재된 실시양태는, 예를 들어 조성물, 조성물의 제조 방법, 조성물의 사용 방법, 및 조성물로부터 제작된 소자 및 물품을 포함한다. 조성물은 예를 들어 중합체, 단량체, 블렌드, 필름, 분산액, 용액 및 잉크 제제를 포함한다.
한 실시양태는 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1); SOM 1과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2); 1종 이상의 용매계를 포함하며, 여기서 SOM 1 및 SOM 2는 각각 (a) 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM), (b) 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 제1 정공 수송 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2), 또는 (c) 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 SOM 2는, 용매계가 제거되고 필름이 기판 상에 형성될 때, 기판으로부터 떨어진 SOM 2의 표면 농축을 촉진하기 위해 관능화된 것인 조성물을 제공한다. 한 실시양태에서, SOM 2는 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화된다. 또 다른 실시양태에서, SOM 2는 약 2,000 g/mol 이하의 분자량을 갖는다. 또 다른 실시양태에서, SOM 2는 가교성 물질이다. 또 다른 실시양태에서, SOM 1 및 SOM 2는 혼합시 전하 이동을 겪지 않는다. 또 다른 실시양태에서, 용매계는 2종 이상의 상이한 용매를 포함하고, SOM 1, SOM 2 및 용매계는 용매계의 제거시 SOM 1이 SOM 2보다 더 빨리 침전하도록 적합화된다.
또 다른 실시양태에서, 용매계는 1종 이상의 극성 용매 및 1종 이상의 방향족 용매를 포함한다. 또 다른 실시양태에서, 용매계는 2종 이상의 상이한 용매를 포함하고, SOM 1, SOM 2 및 용매계는 용매계의 제거시 SOM 1이 SOM 2보다 더 빨리 침전하도록 적합화되고, 여기서 SOM 2는 극성 모이어티로 관능화된다. 또 다른 실시양태에서, 용매계는 2종 이상의 상이한 용매를 포함하고, SOM 1, SOM 2 및 용매계는 용매계의 제거시 SOM 1이 SOM 2보다 더 빨리 침전하도록 적합화되고, 여기서 SOM 2는 염 모이어티로 관능화된다. 또 다른 실시양태에서, 기판은 가요성 기판이다.
또 다른 실시양태에서, SOM 1은 정공 주입 물질 (HIM)이고, SOM 2는 정공 주입 물질과 상이한 정공 수송 물질 (HTM)이다.
일부 실시양태는 정공 수송 물질이 아릴아민이고/거나, 1개 이상의 플루오린화 기, 1개 이상의 알킬 기 및/또는 1개 이상의 실록실 기로 관능화되고/거나, 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화된 것을 포함한다. 한 실시양태에서, 조성물은 N4,N4'-비스(4-트리데카플루오로노닐옥시페닐)-N4,N4'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민; 또는 N4,N4'-비스(4-비닐페닐)-N4,N4'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민; 또는 폴리(9,9-디옥틸-플루오렌-코-N-(4-부틸페닐)-디페닐아민을 포함한다.
또 다른 실시양태에서, 정공 주입 물질은 공액 중합체 및/또는 1종 이상의 아릴아민 중합체 및/또는 1종 이상의 폴리티오펜 및/또는 1종 이상의 위치규칙성 폴리티오펜 및/또는 1종 이상의 3-치환된 알콕시폴리티오펜 또는 3,4-치환된 디알콕시폴리티오펜을 포함한다.
한 실시양태에서, SOM 1 및 SOM 2는 각각 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 제1 정공 수송 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)이다. 한 실시양태에서, HTM 2는 HTM 1보다 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 한 실시양태에서, HTM 2는 2.7 eV 초과의 삼중항 에너지를 갖고, HTM 1은 2.7 eV 이하의 삼중항 에너지를 갖는다. 한 실시양태에서, HTM 1은 아릴아민이다. 한 실시양태에서, HTM 2는 아릴아민이다. 한 실시양태에서, HTM 2는 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화된다. 한 실시양태에서, HTM 2는 하기로 이루어진 군으로부터의 1종 이상의 화합물을 포함한다.
한 실시양태에서, SOM 1 및 SOM 2는 각각 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)이다. 한 실시양태에서, ETM은 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화된다. 한 실시양태에서, ETM은 임의로 치환된 페난트롤린이다.
한 실시양태에서, ETM은 하기로 이루어진 군으로부터의 1종 이상의 화합물을 포함한다.
또 다른 실시양태는, 하나 이상의 베이스 기판, 하나 이상의 전도성 전극, 및 임의로 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층을 포함하는 하나 이상의 기판을 제공하는 단계; 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1) 및 SOM 1과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 포함하는 액체 잉크 조성물을 제공하는 단계; 하나 이상의 전극, 또는 임의로, 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층 상에 잉크 조성물을 코팅하는 단계; 잉크 조성물을 건조시켜 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 층 상에 하나 이상의 필름을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 잉크는 그것이 건조될 때 필름이 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 층 상에 배치된 하나 이상의 하부 제1 층, 및 제1 층과 상이하고 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 층으로부터 떨어져 배치된 하나 이상의 상부 제2 층을 포함하도록 적합화되고, 여기서 제1 층은 SOM 1로 농축되고, 제2 층은 SOM 2로 농축되고, 여기서 SOM 1 및 SOM 2는 각각 (a) 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM), (b) 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 제1 정공 수송 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2), 또는 (c) 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법을 제공한다. 한 실시양태에서, SOM 2는 SAG가 표면-활성 기인 SOM 2-SAG에 의해 나타내어지는 구조 및/또는 SAG가 1개 이상의 플루오로 치환기를 포함하는 표면-활성 기인 SOM 2-SAG에 의해 나타내어지는 구조 및/또는 SAG가 1개 이상의 알킬 치환기를 포함하는 표면-활성 기인 SOM 2-SAG에 의해 나타내어지는 구조 및/또는 SAG가 1개 이상의 실록실 치환기를 포함하는 표면-활성 기인 SOM 2-SAG에 의해 나타내어지는 구조를 포함한다. 한 실시양태에서, SOM 2는 1개 이상의 플루오린화 알킬 기를 포함한다. 한 실시양태에서, SOM 2는 2개 이상의 플루오린화 알킬 기를 포함한다. 한 실시양태에서, SOM 2는 1개 이상의 트리플루오로메틸 기를 포함한다. 한 실시양태에서, SOM 2는 1개 이상의 수소-결합 기 및/또는 1개 이상의 히드록실 기 및/또는 1개 이상의 이온성 또는 산성 기를 포함하고/거나, SOM 2는 약 2,000 g/mol 미만의 분자량을 갖고/거나, SOM 2는 약 1,000 g/mol 미만의 분자량을 갖는다. 한 실시양태에서, 제2 층은 50% 초과의 SOM 2를 포함한다. 한 실시양태에서, 제1 층은 50% 초과의 SOM 1을 포함한다.
또 다른 실시양태는, 1종 이상의 용매를 제공하는 단계; 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1)을 용매에 제공하는 단계; 임의로 SOM 1과 상이한 1종 이상의 매트릭스 물질을 용매에 제공하는 단계; 임의로 SOM 1에 대한 1종 이상의 도펀트를 용매에 제공하며, 여기서 도펀트는 임의적인 매트릭스 물질을 실질적으로 도핑하지 않고, 도펀트는 이온성 화합물을 포함하는 것인 단계; 및 SOM 1 및 매트릭스 물질과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 용매에 제공하며, 여기서 SOM 2는 SOM 2-SAG에 의해 나타내어지는 구조를 갖고, 여기서 SAG는 표면 활성 기 또는 극성 기인 단계를 포함하며, 여기서 SOM 1 및 SOM 2는 각각 (a) 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM), (b) 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2), 또는 (c) 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 액체 잉크 조성물의 제조 방법을 제공한다.
또 다른 실시양태는 본원의 임의의 실시양태의 조성물을 사용하여 제조된 소자, 또는 본원에서 실시된 방법에 의해 제조된 조성물을 제공한다.
또 다른 실시양태는, 하나 이상의 기판; 기판 상에 배치된 하나 이상의 전도성 전극; 임의로, 전도성 전극 상에 배치된 하나 이상의 반전도성 층; 1종 이상의 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1) 및 SOM 1과 상이한 1종 이상의 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 포함하는, 전도성 전극 또는 임의적인 반전도성 층 상에 배치된 상부 및 하부 경계를 갖는 유기 반전도성 층을 포함하며, 여기서 SOM 2는 하부 경계보다 상부 경계에 더 높은 중량%로 존재하는 것인 소자를 제공한다.
또 다른 실시양태는, 하나 이상의 기판을 제공하는 단계; 1종 이상의 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1) 및 SOM 1과 상이한 1종 이상의 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 포함하는 액체 잉크 조성물을 제공하는 단계; 기판 상에 잉크 조성물을 코팅하는 단계; 잉크 조성물을 건조시켜 기판 상에 하나 이상의 필름을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 잉크는 그것이 건조될 때 필름이 기판 상에 배치된 하나 이상의 하부 제1 층, 및 제1 층과 상이하고 기판으로부터 떨어져 배치된 하나 이상의 상부 제2 층을 포함하도록 적합화되고, 여기서 제1 층은 1종 이상의 SOM 1로 농축되고, 제2 층은 1종 이상의 SOM 2로 농축되고, 여기서 SOM 1 및 SOM 2는 각각 (a) 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM), (b) 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 제1 정공 수송 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2), 또는 (c) 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법을 제공한다. 한 실시양태에서, SOM 1 및 SOM 2는 각각 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM)이다. 한 실시양태에서, SOM 1 및 SOM 2는 각각 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)이다. 한 실시양태에서, SOM 1 및 SOM 2는 각각 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)이다.
본원에 기재된 하나 이상의 실시양태로부터의 하나 이상의 이점은, 예를 들어, 유기 전자 소자, 예컨대 예를 들어 OLED, PHOLED 또는 OPV 소자의 장기 안정성 및 증가된 전체 수명을 포함하는 작동 안정성에서의 개선을 포함한다. 특히, PEDOT/PSS 제어의 사용에 비해 개선을 실현할 수 있다. 특히, 전류 밀도 및 휘도와 같은 특성을 개선할 수 있다.
하나 이상의 실시양태의 하나 이상의 추가 이점은, 유기 전자 소자, 예컨대 예를 들어 LED, OLED, PHOLED, OPV, 전기 변색 장치, 슈퍼커패시터, 작동기, 박막 트랜지스터 또는 배터리의 제제화 및 빌딩에서의 보다 큰 가요성을 포함한다. 특히, 본원에 기재된 조성물은, 바람직한 경우에, 발광 층의 후속 층들을 캐스팅하는데 사용될 수 있다.
하나 이상의 실시양태의 하나 이상의 추가 이점은 단위 조작, 예를 들어 정공 주입 층 상에 형성된 정공 수송 층의 코팅 또는 건조 단계의 제거를 포함한다.
하나 이상의 실시양태의 하나 이상의 추가 이점은 전자 소자에서의 층 사이의 계면 수를 감소시켜, 그로 인해 보다 우수한 정공 수송, 주입 및 수명을 가능하게 하는 것을 포함한다.
하나 이상의 실시양태의 하나 이상의 추가 이점은 등급화된 계면 및/또는 보다 낮은 제조 비용을 포함한다.
하나 이상의 실시양태의 하나 이상의 추가 이점은 둘 이상의 유기 층에 대한 용매 직교성의 필요성을 제거하는 것을 포함한다.
도 1A-1D는 (A) HIL 및 HTL에 대해 2회 코팅 단계를 갖는 전통적인 2개 층 코팅 방법으로, (B) 단일 코팅 단계를 사용한 수직 상 분리된 HIL 및 HTL 배열로, (C) 단일 코팅 단계를 사용한 수직 상 분리된 HTL 1 및 HTL 2 배열로, 및 (D) 단일 코팅 단계를 사용한 수직 상 분리된 EML 및 ETL 배열로 제작된 OLED 소자에 대한 실시양태를 설명한다.
도입
본원에 인용되는 모든 참고문헌은 그 전문이 참조로 포함된다.
2011년 7월 5일에 출원된 우선권 미국 가출원 61/504,653은 그 전문이 본원에 참조로 포함된다.
2009년 4월 10일에 출원된 미국 특허 공개 2009/0256117 (양수인: 플렉스트로닉스, 인크.(Plextronics, Inc.))에는 일련의 중합체, 도핑 시스템 및 장치가 기재되어 있고, 이는 그의 실시예, 도면, 공액 중합체, 도펀트 및 특허청구범위를 포함하여 본원에 참조로 포함된다.
미국 특허 공개 2008/0248313 (2007년 7월 13일에 출원됨)에는 정공 주입 층 및 정공 수송 층 및 관련 소자에서 사용되는 술폰화 물질이 기재되어 있다.
미국 특허 번호 7,569,159에는 정공 주입 층 및 정공 수송 층 및 관련 소자가 기재되어 있다.
미국 특허 공개 2006/0078761 및 2006/0076050 (2005년 9월 26일에 출원됨)에는 전계발광 및 광기전 소자에서 사용되는 공액 중합체가 기재되어 있다.
하기 미국 특허 공개 번호에는 또한 평탄화제, 도펀트 및 용매계를 포함하여 정공 주입 물질 및 조성물이 기재되어 있다: 2009/0230361 (평탄화제); 2010/0072462 (평탄화제); 2010/0108954 (폴리아릴아민 케톤); 2010/0109000 (전하 주입); 2010/0292399 (아미노벤젠); 및 2011/0147725 (융합된 고리계).
유기 전자 소자에서 사용되는 공액 중합체는, 또한 예를 들어, WO 2009/152,165 (2009년 12월 17일에 공개됨); WO 2009/111,675 (2009년 9월 11일에 공개됨); WO 2009/111,339 (2009년 9월 11일에 공개됨)에 기재되어 있다.
OLED 디스플레이 및 물질은, 예를 들어, 문헌 [Organic Light-Emitting Materials and Devices, Li and Meng (Eds.), 2006]에 기재되어 있다. 예를 들어, 이 참고문헌에는 정공 주입 물질과 정공 수송 물질이 기재되어 있다 (예를 들어, 제3장 참조).
유기 물질 및/또는 도펀트의 다른 예는 하기를 포함한다: EP 1725079; US 2007/0207341; WO 2009/102027; WO 2009/158069; 미국 특허 번호 5,853,906; 미국 특허 번호 5,999,780; 및 문헌 [Nielsen et al., J Am. Chem. Soc, 2008, 130, 9734-9746].
하기 미국 특허, 공개 번호 및 간행물에는 발광 물질 및 조성물이 기재되어 있으며, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다: 문헌 [Youtian et al., Chemical Society Reviews, 2011, 40(5), 2943-2970; Ulbricht et al., Advanced Materials, 2009, 21(44), 4418-4441; Duan et al. Journal of Materials Chemistry, 2010, 20(31), 6392-6407; Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials, 2008, Edited by Yersin, Hartmut; Zhou et al. Journal of Photochemistry and Photobiology, C: Photochemistry Reviews, 2010, 11(4), 133-156; Kido et al., Chemistry of Materials, 2011, 23(3), 621-630]; US2011/02409874 A1.
하기 미국 특허, 공개 번호 및 간행물에는 높은 삼중항 에너지를 갖는 정공 수송 물질 및 조성물이 기재되어 있으며, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다: 문헌 [Shirota, et al., Chem. Rev., 2007, 107, 953 - 1010; Yeob et al., Organic Electronics, 2012, 13, 1245; Yeob et al., Organic Electronicsm, 2012, 13, 1044; Yeob et al., J. Mat. Chem., 2012, 22, 3099; Yeob et al., Adv. Mat., 2011; Yeob et al., Chemistry of Materials (2011), 23(19), 4338-4343; Vygintas, Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2011, 536, 200-207; Gu, Applied Physics Letters, 2008, 93(6), 063306/1-063306/3]; WO2011049953, WO2011049904; 문헌 [Kondakova et al. Journal of Applied Phys., 104, 2010, 094501/1]; US2011/02409874 A1.
하기 미국 특허, 공개 번호 및 간행물에는 전자 수송 물질 및 조성물이 기재되어 있으며, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다: 문헌 [Shirota, et al., Chem. Rev., 2007, 107, 953 - 1010; Jenekhe et al. Advanced Functional Materials, 3889-3899, October 21, 2011; Organic Electronics: Materials, Processing, Devices and Applications, 2009, Ed. Franky So]; US2011/02409874 A1.
소자 구조
다양한 OLED 소자 구조가 당업계에 공지되어 있으며, 이용될 수 있다. 이들은 예를 들어 반전된, 배면 발광, 전면 발광, 투명한 또는 적층된 것을 포함한다.
기판 및 코팅된 기판
다양한 기판은 상이한 소자 구조를 지지하기 위해 당업계에 공지된 바와 같이 사용될 수 있다.
다양한 종류의 코팅된 기판이 제조될 수 있다. 일부 실시양태에서, 방법은 하나 이상의 베이스 기판, 하나 이상의 투명한 (또는 다른) 전도성 전극, 및 임의로 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층을 포함하는 하나 이상의 기판을 제공하는 단계; 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1) 및 SOM 1과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 포함하는 액체 잉크 조성물을 제공하는 단계; 하나 이상의 전극, 또는 임의로, 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층 상에 잉크 조성물을 코팅하는 단계; 잉크 조성물을 건조시켜 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 층 상에 하나 이상의 필름을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 잉크는 그것이 건조될 때 필름이 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 층 상에 배치된 하나 이상의 하부 제1 층, 및 제1 층과 상이하고 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 층으로부터 떨어져 배치된 하나 이상의 상부 제2 층을 포함하도록 적합화되고, 여기서 제1 층은 SOM 1로 농축되고, 제2 층은 SOM 2로 농축되고, 여기서 SOM 1 및 SOM 2는 각각 (a) 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM), (b) 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2), 또는 (c) 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)로 이루어진 군으로부터 선택된다. 한 실시양태에서, 예를 들어, 방법은 하나 이상의 기판을 제공하는 단계; 1종 이상의 정공 주입 물질 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질을 포함하는 액체 잉크 조성물을 제공하는 단계; 기판 상에 잉크 조성물을 코팅하는 단계; 잉크 조성물을 건조시켜 기판 상에 하나 이상의 필름을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 잉크는 그것이 건조될 때 필름이 전극 상에 배치된 하나 이상의 하부 제1 층, 및 제1 층과 상이하고 전극으로부터 떨어져 배치된 하나 이상의 상부 제2 층을 포함하도록 적합화되고, 여기서 제1 층은 1종 이상의 정공 주입 물질로 농축되고, 제2 층은 1종 이상의 정공 수송 물질로 농축된다.
하나의 추가 실시양태는 하나 이상의 베이스 기판, 및 하나 이상의 투명한 (또는 다른) 전도성 전극을 비롯한 하나 이상의 전극을 포함하는 하나 이상의 기판을 제공한다.
전자 소자에 사용된 기판은 당업계에 공지되어 있고, 가요성 기판 및 강성 기판을 포함할 수 있다. 기판은 롤-투-롤(roll-to-roll) 가공에 적용될 수 있다. 기판은 자기-지지형일 수 있다. 기판은 베이스 기판, 및 그 위에, 예를 들어, 투명 전도성 전극 (TCO)을 비롯한 전극을 포함할 수 있다. TCO을 비롯한 전극은 패턴화될 수 있다.
베이스 기판
베이스 기판은, 예를 들어 가요성 기판 또는 강성 기판일 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판은 합성 중합체 또는 무기 물질, 예컨대 유리 또는 금속 호일일 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판은 유리, 알루미늄, 스테인레스 스틸, PET 또는 PEN을 포함할 수 있다. 본원에 기재된 조성물은 기판 상에 또는 기판 상에 미리 증착된 층, 예컨대 1종 이상의 반도체 유기 물질 (예를 들어, 정공 수송 층 또는 정공 주입 층) 또는 유기 전자 소자에 일상적으로 사용되는 다른 물질 (예를 들어, 매트릭스 물질 또는 평탄화 물질) 상에 형성될 수 있다.
전도성 전극
전극은 베이스 기판 상에 형성될 수 있다. 유기 전자 소자에 사용되는 전극은 일반적으로 당업계에 공지되어 있으며, 예를 들어 하기 전극 유형을 포함한다.
투명 (또는 다른) 전도성 전극은 베이스 기판 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 투명 전도체, 예컨대 ITO는 기판, 예컨대 금속 호일, 유리, 알루미늄, 스테인레스 스틸, PET 또는 PEN 상에 형성될 수 있다. 본원에 기재된 조성물은 투명 (또는 다른) 전도성 전극 상에 형성될 수 있다. ITO 대체 물질이 또한 사용될 수 있다. ITO 대체 물질은 당업계에 공지되어 있으며, 예를 들어 문헌 ["Indium Tin Oxide and Alternative Transport Conductors Markets, NanoMarkets, 2009]에 개시된 것들을 포함한다. 추가로, 금속 그리드-유형 전극이 사용될 수 있고, 당업계에 공지되어 있으며, 예를 들어 문헌 [Appl. Phys. Lett. 96, 203301]에 개시된 것들을 포함한다.
액체 잉크
액체 잉크는 용매계를 사용하여 제조될 수 있다. 용매계는 1종의 용매 또는 2종 이상의 용매를 포함할 수 있다.
방법 단계는 1종 이상의 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1)을 포함하는 1종 이상의 액체 잉크 조성물을 제공하는 것; 임의로 SOM 1과 상이한 1종 이상의 매트릭스 물질을 제공하는 것; 임의로 SOM 1에 대한 1종 이상의 도펀트를 제공하는 것, SOM 1 및 매트릭스 물질과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 제공하는 것일 수 있다. 일부 실시양태에서, 도펀트는 임의의 매트릭스 물질을 실질적으로 도핑하지 않고/거나, 도펀트는 이온성 화합물을 포함한다. 일부 실시양태에서, 방법은 SOM 1과 상이한 1종 이상의 매트릭스 물질을 제공하는 것을 포함하지 않는다. 또 다른 실시양태에서, 방법은 SOM 1과 상이한 1종 이상의 매트릭스 물질을 제공하는 것을 포함한다. 일부 실시양태에서, 방법은 SOM 1에 대한 1종 이상의 도펀트를 제공하는 것을 포함하지 않는다. 또 다른 실시양태에서, 방법은 SOM 1에 대한 1종 이상의 도펀트를 제공하는 것을 포함한다. 예를 들어, 방법 단계는 1종 이상의 정공 주입 물질, 예컨대 공액 중합체 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질을 포함하는 1종 이상의 액체 잉크 조성물을 제공하는 것일 수 있다. 또 다른 실시양태에서, SOM 1 및 SOM 2는 각각 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM)이다. 또 다른 실시양태에서, SOM 1 및 SOM 2는 각각 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)이다. 또 다른 실시양태에서, SOM 1 및 SOM 2는 각각 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)이다.
액체 잉크 조성물은, 예를 들어 (i) 1종 이상의 정공 주입 물질, 예컨대 예를 들어 공액 중합체; (ii) 임의로, (i)과 상이한 1종 이상의 매트릭스 물질; (iii) 정공 주입 물질, 예컨대 공액 중합체 (i)에 대한 1종 이상의 도펀트 (여기서, 도펀트는 임의의 매트릭스 물질 (ii)를 실질적으로 도핑하지 않으며, 도펀트는 이온성 화합물을 포함함); (iv) 공액 중합체 및 매트릭스 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 화합물; 및 (v) 1종 이상의 용매를 포함할 수 있다.
액체 잉크 조성물은 전극, 예를 들어 전도성 전극 상에, 또는 기판 상에 미리 증착된 층, 예컨대 1종 이상의 반도체 유기 물질 (예를 들어, 정공 수송 층 또는 정공 주입 층) 또는 유기 전자 소자에 일상적으로 사용되는 다른 물질 (예를 들어, 매트릭스 물질 또는 평탄화 물질) 상에 코팅될 수 있다. 잉크 조성물은, 예를 들어 용매의 일부 또는 전부를 제거함으로써 건조되어, 전극 상에 하나 이상의 필름, 예를 들어 380-800 nm 사이의 파장의 방사선에 대해 약 90 nm의 두께에서 90% 초과의 투과율을 갖는 필름을 형성할 수 있다. 잉크 조성물은 2개 이상의 층으로 수직 상 분리되도록 제제화될 수 있다.
공액 중합체를 비롯한 정공 주입 물질
정공 주입 물질의 광범위한 예는 당업계에 공지되어 있고, 이것은 소분자 또는 중합체일 수 있으며, 중성이거나 또는 도핑될 수 있다. 중합체는 고도 공액 상태일 수 있거나, 또는 이산 정공 수송 물질, 예컨대 예를 들어 트리아릴아민, 치환된 벤지딘, 치환된 카르바졸 등을 함유할 수 있다. 중합체는 주쇄 또는 측쇄에서 관능화될 수 있다. 예를 들어, 미국 특허 공개 2010/0108954 및 2010/0292399를 비롯한 도입 섹션에 인용된 참고문헌을 참조한다.
조성물은, 예를 들어 1종 이상의 공액 중합체를 포함할 수 있다. 공액 중합체는 유기 전자 소자에서의 그의 용도를 포함하여 당업계에 공지되어 있다. 예를 들어, 문헌 [Friend, "Polymer LEDs," Physics World, November 1992, 5, 11, 42-46]을 참조하고; 예를 들어 문헌 [Kraft et al., "Electroluminescent Conjugated Polymers-Seeing Polymers in a New Light," Angew. Chem. Int. Ed., 1998, 37, 402-428]을 참조한다. 또한, 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리(p-페닐렌 술피드), 폴리피롤 및 폴리티오펜을 포함하고, 이들 중합체 및 이들 중합체 시스템에서의 유도체의 패밀리를 포함하는 전기 전도성 또는 공액 중합체는 문헌 [The Encyclopedia of Polymer Science and Engineering, Wiley, 1990, pages 298-300]에 기재되어 있고, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다. 상기 참고문헌은 또한 블록 공중합체 형성을 포함하는 중합체의 블렌딩 및 공중합을 기재한다.
공액 중합체는 폴리티오펜을 포함하는 임의의 공액 중합체일 수 있고, 단독중합체, 공중합체 또는 블록 공중합체일 수 있다. 측기를 갖는 위치규칙성 폴리티오펜을 포함하는 합성 방법, 도핑 및 중합체 특성화는, 예를 들어 미국 특허 번호 6,602,974 (McCullough et al.) 및 6,166,172 (McCullough et al.)에 제공되어 있고, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다. 추가의 기재는 논문 ["The Chemistry of Conducting Polythiophenes," by Richard D. McCullough, Adv. Mater., 1998, 10, No. 2, pages 93-116] 및 그에 인용된 참고문헌에서 찾아볼 수 있고, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다. 당업자가 사용할 수 있는 또 다른 참고문헌은 문헌 [Handbook of Conducting Polymers, 2nd Ed., 1998, Chapter 9, by McCullough et al., "Regioregular, Head-to-Tail Coupled Poly(3-alkylthiophene) and its Derivatives," pages 225-258]이고, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다. 상기 참고문헌은 또한 제29장의 823-846 페이지에 "공액 중합체에서의 전계발광 (Electroluminescence in Conjugated Polymers)"을 기재하며, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다.
폴리티오펜은, 예를 들어 문헌 [Roncali, J., Chem. Rev. 1992,92, 711; Schopf et al., Polythiophenes: Electrically Conductive Polymers, Springer: Berlin, 1997]에 추가로 기재되어 있다. 또한, 예를 들어 미국 특허 번호 4,737,557 및 4,909,959를 참조한다.
중합체 반도체는, 예를 들어 문헌 ["Organic Transistor Semiconductors" by Katz et al., Accounts of Chemical Research, vol. 34, no. 5, 2001, page 359 including pages 365-367]에 기재되어 있고, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다.
공액 중합체는, 예를 들어 블록 공중합체를 포함하는 공중합체일 수 있다. 블록 공중합체는, 예를 들어 문헌 [Block Copolymers, Overview and Critical Survey, by Noshay and McGrath, Academic Press, 1977]에 기재되어 있다. 예를 들어, 상기 문헌은 본 발명에서 블록 공중합체 유형의 기반을 형성할 수 있는 A-B 디블록 공중합체 (제5장), A-B-A 트리블록 공중합체 (제6장) 및 -(AB)n- 멀티블록 공중합체 (제7장)를 기재한다.
폴리티오펜을 포함하는 추가의 블록 공중합체는, 예를 들어 문헌 [Francois et al., Syhth. Met., 1995, 69, 463-466 (그 전문이 참조로 포함됨); Yang et al., Macromolecules 1993, 26, 1188-1190; Widawski et al., Nature (London), vol. 369, June 2, 1994, 387-389; Jenekhe et al., Science, 279, March 20, 1998, 1903-1907; Wang et al., J Am. Chem. Soc., 2000, 122, 6855-6861; Li et al., Macromolecules, 1999, 32, 3034-3044; Hempenius et al., J Am. Chem. Soc., 1998, 120, 2798-2804]에 기재되어 있다.
측쇄를 갖는 전도성 중합체를 가용화시키는데 사용될 수 있는 치환기는, 예를 들어 C1 내지 C25 기를 포함하는 알콕시 및 알킬, 뿐만 아니라 예를 들어 산소 및 질소를 포함하는 헤테로원자 시스템을 포함한다. 특히, 3개 이상의 탄소 원자 또는 5개 이상의 탄소 원자를 갖는 치환기가 사용될 수 있다. 혼합된 치환기가 사용될 수 있다. 치환기는 비극성, 극성 또는 관능성 유기 치환기일 수 있다. 측기는 치환기 R로 불릴 수 있고, 이것은 예를 들어 알킬, 퍼할로알킬, 비닐, 아세틸렌계, 알콕시, 아릴옥시, 비닐옥시, 티오알킬, 티오아릴, 케틸, 티오케틸일 수 있고, 임의로 수소 이외의 원자로 치환될 수 있다.
공액 중합체는 헤테로시클릭 단량체 반복 단위를 포함할 수 있고, 헤테로시클릭 중합체가 특히 바람직하다. 특히 바람직한 시스템은 폴리티오펜 시스템, 위치규칙성 폴리티오펜 시스템, 3-치환된 폴리티오펜 시스템 및 3,4-이치환된 폴리티오펜 시스템이다. 중합체는, 예를 들어 폴리티오펜-기재의 중합체, 예컨대 예를 들어 플렉스코어(PLEXCORE), 플렉스코트(Plexcoat) 및 유사한 물질을 비롯하여, 플렉스트로닉스, 인크.(Plextronics, Inc., 펜실베니아주 피츠버그)로부터 입수될 수 있다.
공액 중합체는 1종 이상의 3-치환된 알콕시폴리티오펜 또는 3,4-치환된 디알콕시폴리티오펜을 포함할 수 있다.
공액 중합체, 및 상기 중합체를 사용하는 제제 및 소자의 한 중요한 예는 3-치환된 폴리티오펜이다. 바람직하게는, 3-치환된 폴리티오펜은 폴리(3-알콕시티오펜)일 수 있다.
공액 중합체, 및 상기 중합체를 사용하는 제제 및 소자의 또 다른 중요한 예는 위치규칙성 폴리티오펜이다. 바람직하게는, 폴리티오펜의 위치규칙성은, 예를 들어 약 85%, 또는 약 95% 이상, 또는 약 98% 이상일 수 있다. 일부 실시양태에서, 위치규칙도는 약 70% 이상, 또는 약 80% 이상일 수 있다. 또 다른 실시양태에서, 위치규칙성 폴리티오펜은 약 90% 이상의 위치규칙도, 또는 약 98% 이상의 위치규칙도를 갖는다.
공액 중합체, 및 상기 중합체를 사용하는 제제 및 소자의 한 중요한 예는 3,4-이치환된 폴리티오펜이다. 바람직하게는, 3,4-이치환된 폴리티오펜은 폴리(3,4-디알콕시티오펜) 또는 폴리(3,4-디-폴리에테르)-티오펜일 수 있다. 폴리에테르는 1개 초과의 에테르 기를 갖는 분자이다. 알콕시 및 폴리에테르 측기는 중합체 백본 쇄에 전자를 공여할 수 있다.
3,4-이치환된 폴리티오펜은 대칭성 단량체 반복 단위를 가질 수 있다. 종종, 3,4-이치환된 폴리티오펜은 반복 단위로서 3,4-치환된 티오펜을 포함하고, 여기서 이치환된 티오펜의 3- 및 4- 위치에 산소 원자가 직접적으로 부착되고, 2- 및 5- 위치를 통해 중합된다. 치환기는, 예를 들어 직쇄형 또는 분지형 탄소 쇄, 예를 들어 C1 내지 C25 기를 포함하는 알콕시 및 폴리에테르를 포함할 수 있는 측쇄를 갖는 3,4-치환된 티오펜을 가용화시키는데 사용될 수 있고, 여기서 쇄에서 탄소 원자 중 1, 2, 3, 4, 5 또는 6개는 헤테로원자, 예컨대 산소 및/또는 질소에 의해 대체될 수 있다.
공액 중합체는 단량체 단위, 예컨대 2,5-디브로모-3,4-비스(2-(2-부톡시에톡시)에톡시)티오펜, 또는 2,5-디브로모-3,4-비스(2-(2-에톡시에톡시)에톡시)티오펜; 2,5-디브로모-3,4-비스(2-(2-메톡시에톡시)에톡시)티오펜; 2,5-디브로모-3,4-비스(2-(2-부톡시에톡시)에톡시)티오펜; 2,5-디브로모-3,4-비스(2-(2-부톡시부톡시)부톡시)티오펜; 및 2,5-디브로모-3,4-비스(2-(2-메톡시메톡시)메톡시)티오펜의 중합에 의해 제조될 수 있다.
중합의 임의의 공지된 방법을 이용하여 3,4-이치환된 폴리티오펜을 수득할 수 있다. 전형적으로, 중합체 그 자신은 니켈 촉매를 사용하는 디알콕시티오펜 또는 디폴리에테르티오펜의 2,5-디브로모 유도체의 GRIM 중합에 의해 수득될 수 있다.
대칭성 단량체의 GRIM 중합은, 예를 들어 문헌 [Campos et al., Photovoltaic Activity of a PolyProDOT Derivative in a Bulk Heterojunction Solar Cell, Solar Energy Materials & Solar Cells, August 2006]에 기재되어 있다.
공액 중합체는 3,4-이치환된 폴리티오펜, 예컨대 폴리(3,4-비스(2-(2-부톡시에톡시)에톡시)티오펜)-2,5-디일, 폴리(3,4-비스(2-(2-에톡시에톡시)에톡시)티오펜)-2,5-디일; 폴리(3,4-비스(2-(2-메톡시에톡시)에톡시)티오펜)-2,5-디일; 폴리(3,4-비스(2-(2-부톡시에톡시)에톡시)티오펜)-2,5-디일; 폴리(3,4-비스(2-(2-부톡시부톡시)부톡시)티오펜)-2,5-디일; 및 폴리(3,4-비스(2-(2-메톡시메톡시)메톡시)티오펜)-2,5-디일일 수 있다.
전형적으로, 공액 중합체는 하기에 나타내어지는 3,4-이치환된 폴리티오펜일 수 있다.
상기 식에서, 독립적으로 R1은 임의로 치환된 알콕시 기 또는 알콕시 헤테로원자 기, 예컨대 예를 들어 알콕시알콕시알콕시 모이어티일 수 있고, 독립적으로 R2는 임의로 치환된 알콕시 기 알콕시 헤테로원자 기, 예컨대 예를 들어 알콕시알콕시알콕시 모이어티일 수 있거나; 또는
상기 식에서, 독립적으로 R1은 임의로 치환된 알킬 및 임의로 치환된 아릴옥시일 수 있고, 독립적으로 R2는 임의로 치환된 알킬 및 임의로 치환된 아릴옥시일 수 있다. 임의의 치환에 대한 치환기의 예는 히드록실, 페닐 및 추가의 임의로 치환된 알콕시 기를 포함한다. 알콕시 기는 차례로 히드록실, 페닐 또는 알콕시 기로 임의로 치환될 수 있거나; 또는
상기 식에서, 독립적으로 R1은 임의로 치환된 알킬렌 옥시드일 수 있고, 독립적으로 R2는 임의로 치환된 알킬렌 옥시드일 수 있다. 치환기는, 예를 들어 히드록실, 페닐 또는 알콕시 기일 수 있거나; 또는
상기 식에서, 독립적으로 R1은 임의로 치환된 에틸렌 옥시드 또는 임의로 치환된 프로필렌 옥시드 또는 기타 저급 알킬렌옥시 단위일 수 있고, 독립적으로 R2는 임의로 치환된 에틸렌 옥시드 또는 임의로 치환된 프로필렌 옥시드 또는 기타 저급 알킬렌옥시 단위일 수 있다. 치환기는, 예를 들어 히드록실, 페닐 또는 알콕시 기일 수 있거나; 또는
상기 식에서, 독립적으로 R1은 임의로 치환된 알킬렌, 예컨대 예를 들어 메틸렌 또는 에틸렌일 수 있고, 여기서 치환기는 예를 들어 임의로 치환된 알킬렌옥시, 예컨대 에틸렌옥시 또는 프로필렌옥시이고; 치환기는, 예를 들어 히드록실, 페닐 또는 알콕시일 수 있고, 독립적으로 R2는 임의로 치환된 알킬렌, 예컨대 예를 들어 메틸렌 또는 에틸렌일 수 있고, 여기서 치환기는 예를 들어 임의로 치환된 알킬렌옥시, 예컨대 에틸렌옥시 또는 프로필렌옥시이고; 치환기는, 예를 들어 히드록실, 페닐 또는 알콕시일 수 있다.
또한, 치환기 R1 및 R2는 산소 원자, 예컨대 알콕시 또는 페녹시에 의해 티오펜에 연결될 수 있고, 여기서 치환기는 각각 상응하는 알콜 또는 페놀에 의해 특성화될 수 있다. 알콜은, 예를 들어 선형 또는 분지형일 수 있고, C2 - C20, 또는 C4 - C18, 또는 C6 내지 C14 탄소 원자를 가질 수 있다. 알콜은, 예를 들어 알킬 알콜 또는 에틸렌 글리콜 또는 프로필렌 글리콜 또는 디에틸렌 글리콜 또는 디프로필렌 글리콜 또는 트리프로필렌 글리콜일 수 있다. 추가의 예는 모노에틸렌 글리콜 에테르 및 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 에테르 및 아세테이트, 트리에틸렌 글리콜 에테르 및 아세테이트 등일 수 있다. 산소 원자를 통해 티오펜 고리에 연결될 수 있는 알콜의 예는 헥실 셀로솔브(cellosolve), 도와놀(Dowanol) PnB, 에틸 카르비톨, 도와놀 DPnB, 페닐 카르비톨, 부틸 셀로솔브, 부틸 카르비톨, 도와놀 DPM, 디이소부틸 카르비놀, 2-에틸헥실 알콜, 메틸 이소부틸 카르비놀, 도와놀 Eph, 도와놀 PnP, 도와놀 PPh, 프로필 카르비톨, 헥실 카르비톨, 2-에틸헥실 카르비톨, 도와놀 DPnP, 도와놀 TPM, 메틸 카르비톨, 도와놀 TPnB를 포함한다. 상표명은 당업계에 널리 공지되어 있다. 다양한 알콕시 및 폴리에테르 치환기를 포함하는 폴리티오펜 치환기, 및 제제는, 예를 들어 2007년 7월 13일에 출원된 미국 특허 출원 11/826,394 (미국 공개 2008/0248313)에 기재되어 있다.
중합도 n은 특히 제한되지는 않지만, 예를 들어 2 내지 500,000 또는 5 내지 100,000 또는 10 내지 10,000, 또는 10 내지 1,000, 10 내지 500, 또는 10 내지 100일 수 있다. 다수의 경우에서, 중합체는 대략 5,000 내지 100,000 g/mol의 평균 분자량 수를 갖는다. 일부 실시양태에서, R은 모노알콕시, 디알콕시, 트리알콕시 또는 테트라알콕시 기일 수 있고, 공액 중합체는 폴리(3,4-디알콕시티오펜) 또는 폴리(3,4-디폴리에테르티오펜)이다.
측기의 예는 부톡시에톡시(에톡시) 기이고, 중합체는 폴리-3,4-비스(2-(2-부톡시에톡시)에톡시)티오펜-2,5-디일)일 수 있다.
도펀트
예를 들어, 공액 중합체를 포함하는 정공 주입 물질은 도펀트와 혼합될 수 있다. 반응은 혼합시에 일어날 수 있다. 특히, 공액 중합체는 도펀트로 도핑될 수 있다. 예를 들어 도펀트는, 예를 들어 공액 중합체와 1종 이상의 전자 전달 반응(들)을 겪음으로써 도핑된 공액 중합체를 생성할 물질일 수 있다. 도펀트는 적합한 전하 균형을 맞추는 반대-음이온을 제공하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 도펀트는 중합체로부터 양이온-음이온 도펀트, 예컨대 금속 염으로의 자발적인 전자 전달을 겪음으로써, 결합된 음이온 및 자유 금속과 함께 산화된 형태의 공액 중합체를 남길 수 있다. 본원에서 논의된 바와 같이, 공액 중합체 및 도펀트, 또는 도펀트는 도핑된 중합체를 형성하도록 반응할 성분을 지칭할 수 있다. 도핑 반응은 전하 이동 반응일 수 있고, 여기서 전하 캐리어가 생성되고, 반응은 가역적이거나 비가역적일 수 있다. 도펀트는 당업계에 공지되어 있다. 예를 들어, 미국 특허 번호 또는 공개 번호 7,070,867; 2005/0123793; 2004/0113127을 참조한다.
음이온 TPFB는 당업계에 공지되어 있다. 예를 들어, 문헌 [Hijazi et al., European J. Inorganic Chemistry, 2008, 18,2892-2898; Ogawa et al., Organometallics, 2005, 24(20), 48424844; Kuprat et al., Organometallics, 2010, 29(6), 1421-1427] (AgTPFB가 LiTPFB에 비해 덜 안정적임을 시사함)을 참조한다. TPFB는 1가 및 2가 양이온을 포함하는 다양한 양이온과의 착물일 수 있고, 또한 극성 및 비극성 리간드, 예컨대 아세토니트릴, 메틸렌 클로라이드, 디에틸 에테르, 펜탄, 벤젠 또는 톨루엔과 배위결합 또는 착화될 수 있다.
정공 수송 물질 또는 화합물
잉크 조성물은 정공 수송 물질 또는 정공 수송 화합물을 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 잉크 조성물은 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 또는 정공 수송 화합물 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 또는 정공 수송 화합물 (HTM 2)을 포함할 수 있다. 정공 수송 화합물은 중합체일 수 있다. 정공 수송 화합물은 소분자일 수 있다. 정공 수송 화합물은, 예를 들어 5,000 g/mol 미만 또는 2,000 g/mol 미만의 분자량을 가질 수 있다. 정공 수송 화합물은 플루오린화 또는 부분 플루오린화 정공 수송 화합물을 포함할 수 있다. 정공 수송 화합물은 비도핑될 수 있다. 정공 수송 화합물은 수소 결합될 수 있다. 정공 수송 화합물은 가교될 수 있다. 정공 수송 화합물은 자기-표면형성될 수 있다. 정공 수송 화합물은 임의로 치환된 알킬 또는 아릴 기 뿐만 아니라 헤테로알킬 및 헤테로아릴 기를 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 정공 수송 화합물은 가교를 포함하는 금속 유기 프레임워크를 포함할 수 있다.
정공 수송 화합물은, 예를 들어 N4,N4'-비스(4-트리데카플루오로노닐옥시-페닐)-N4,N4'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민을 포함할 수 있다.
정공 수송 화합물은, 예를 들어 N4,N4'-비스(4-비닐페닐)-N4,N4'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민을 포함할 수 있다.
정공 수송 화합물은, 예를 들어 폴리(9,9-디옥틸-플루오렌-코-N-(4-부틸페닐)-디페닐아민을 포함할 수 있다.
정공 수송 화합물은 N7-디(나프탈렌-1-일)-N2,N7-디페닐-9H-플루오렌-2,7-디아민 (DMFL-NPD)을 포함할 수 있다.
적합한 정공 수송 화합물은, 예를 들어 공기 중에서의 광전자 분광분석법 (PESA)에 의해 측정시 ≥ -5.1eV, 예를 들어 -5.1eV보다 더 깊은, 예를 들어 약 -5.3eV의 HOMO를 가질 수 있다.
다른 정공 수송 물질은, 예를 들어 각각 2011년 7월 1일에 출원된 미국 일련 번호 13/175,710 (미국 특허 공개 2012/0001127) 및 13/175,714 (양수인: 플렉스트로닉스)에 기재되어 있다. 또한, 정공 수송 물질은, 예를 들어 2012년 5월 15일에 출원된 미국 일련 번호 61/647,428에 기재되어 있다. 각각의 이들 참고문헌은 그 전문이 참조로 포함된다. 정공 수송 물질은 가교성 화합물일 수 있다.
적합한 정공 수송 화합물은, 예를 들어 구조 HTM-SMG (여기서, HTM은 정공 수송 기이고, SMG는 표면 활성 기임)에 의해 나타내어지는 것들을 포함할 수 있다. 적합한 정공 수송 화합물은 하기 구조 중 1종 이상에 의해 나타내어지는 것들을 포함할 수 있다:
상기 식에서, R 기는 알킬 쇄, 퍼플루오로 또는 세미플루오로 알킬 쇄 또는 실록산으로부터 선택되고, 하기 표 1에 나타낸 목록으로부터 선택된 관능기를 포함할 수 있다.
<표 1> 관능기 및 그를 달성하기 위한 출발 합성단위체의 목록
다른 적합한 정공 수송 화합물은 플루오린화 정공 수송 화합물, 예컨대 하기 구조에 의해 나타내어지는 것들을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 잉크 조성물은 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 또는 정공 수송 화합물 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 또는 정공 수송 화합물 (HTM 2)을 포함한다. 한 실시양태에서, HTM 2는 HTM 1보다 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 예를 들어, 한 실시양태에서, 인광 스펙트럼으로부터 측정시 HTM 2는 2.7 eV 초과의 삼중항 에너지를 갖고, HTM 1은 2.7 eV 이하의 삼중항 에너지를 갖는다 (문헌 [Mikhnenko, et al., Phys. Rev. Lett. 108, 2012, 137401; Baldo et al. Phys. Rev. B 62, 2000, 10958-10966; Leo et al. Physical Review B, 2010, Volume: 81, Issue: 24, Murov et al. Handbook of Photochemistry, 3rd edition. Turro N. J., Modern Molecular Photochemistry, 1991]).
HTM 1은 아릴아민일 수 있고/거나, 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화될 수 있다. 예는 플루오린화 메틸 및 에틸을 보여주지만, 바람직한 실시양태는 특정 구조에 제한되지는 않는다. 반복적 합성 뿐만 아니라 널리 공지된 핸슨(Hanson) 용해도 파라미터를 이용한 용해도 특성의 반복적 설계가 본원에 대한 이상적 구조를 확인하기 위해 이용될 것이다. 한 실시양태에서, HTM 1은 본원에 나열된 임의의 선행 정공 수송 물질 중 1종 이상이다. 또 다른 실시양태에서,
HTM 2는 HTM 1과 상이한 정공 수송 물질일 수 있다. 일부 실시양태에서, HTM 2는 2.7 eV 초과의 삼중항 에너지를 갖는다. HTM 2의 보다 높은 3중항 에너지는, 예를 들어 녹색 또는 청색 발광 PHOLED에 사용될 수 있다. 한 실시양태에서, HTM 2는 아릴아민 및/또는 플루오린화 정공 수송 화합물, 예컨대 하기 구조에 의해 나타내어지는 것들이다. HTM 2의 구체적 실시양태는 하기 실시예 화합물을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
한 실시양태에서, HTM 2 물질은 하기 일반적 구조에 의해 나타내어질 수 있다:
상기 식에서, n은 1 내지 20의 임의의 정수 또는 그 안의 정수의 임의의 조합이다. 점선 원형은 아릴 또는 헤테로아릴 모이어티일 수 있고, 동일하거나 상이할 수 있다. 알킬렌 모이어티는 파라 결합된 것으로 도시되어 있지만, 메타 또는 오르토일 수 있고, 각각의 페닐에 결합된 1개 이상의 알켄 모이어티가 존재할 수 있다. 알켄 모이어티는 효과적 가교 또는 어닐링 모이어티로 공지된 다른 모이어티에 의해 대체될 수 있다. 또 다른 실시양태에서, 페닐은 또 다른 아릴 또는 헤테로아릴 모이어티에 의해 대체될 수 있다. 또 다른 실시양태에서, CF3은 점선 원형당 1회 초과로 치환될 수 있다. 또 다른 실시양태에서, CF3은 하나 이상의 플루오로 치환기를 포함하는 또 다른 알킬렌, 예컨대 C1-C10 퍼플루오로알킬에 의해 대체될 수 있다. 우리는 화합물로부터 플루오로 모이어티를 첨가하거나 또는 제거하는 표면형성 능력을 조정할 수 있다. 한 실시양태에서, >2.7 삼중항 eV 코어는 이러한 수준의 eV를 갖는 것으로 당업계에 공지된 모이어티일 수 있거나, 또는 이것은 화합물이 전반적으로 이러한 eV 값을 갖도록 유도하는 아릴아민 또는 헤테로아릴 화합물일 수 있다. 당업자는 공지된 방법에 의해 eV 값을 결정하기 위해 화합물을 쉽게 시험할 수 있다.
발광 물질 또는 화합물
잉크 조성물은 발광 물질 또는 화합물 (EM)을 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 잉크 조성물은 1종 이상의 EM 및 1종 이상의 전자 수송 물질 또는 화합물 (ETM)을 포함할 수 있다.
EM은 중합체일 수 있다. EM은 소분자일 수 있다. EM은, 예를 들어 5,000 g/mol 미만 또는 2,000 g/mol 미만의 분자량을 가질 수 있다. EM은 플루오린화 또는 부분 플루오린화 EM을 포함할 수 있다. EM은 비도핑될 수 있다. EM은 수소 결합될 수 있다. EM은 가교될 수 있다. EM은 임의로 치환된 알킬 또는 아릴 기 뿐만 아니라 헤테로알킬 및 헤테로아릴 기를 포함할 수 있다. EM은 플루오린화 또는 부분 플루오린화 측쇄를 포함할 수 있다.
전자 수송 물질 또는 화합물
잉크 조성물은 발광 물질 또는 화합물 (EM)을 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 잉크 조성물은 1종 이상의 EM 및 1종 이상의 전자 수송 물질 또는 화합물 (ETM)을 포함할 수 있다.
ETM은 중합체일 수 있다. ETM은 소분자일 수 있다. ETM은, 예를 들어 5,000 g/mol 미만 또는 2,000 g/mol 미만의 분자량을 가질 수 있다. ETM은 플루오린화 또는 부분 플루오린화 정공 수송 화합물을 포함할 수 있다. ETM은 비도핑될 수 있다. ETM은 수소 결합될 수 있다. ETM은 가교될 수 있다. ETM은 자기-표면형성될 수 있다. ETM은 임의로 치환된 알킬 또는 아릴 기 뿐만 아니라 헤테로알킬 및 헤테로아릴 기를 포함할 수 있다. ETM은 플루오린화 측쇄를 포함할 수 있다.
ETM의 일부 실시양태에 대한 한 대표적인 구조는 다음 구조를 갖는다:
상기 식에서, n은 정수 1-10 또는 그 안의 임의의 개별 정수일 수 있고; m은 2n+1 일 수 있거나, 또는 탄소 구조 내에 1개 이상의 알켄 또는 알킨 모이어티가 존재하는 경우에, m은 탄소 Cn이 플루오로 기에 의해 완전히 치환되는 수이다. 점선 원형은 아릴 또는 헤테로아릴 모이어티일 수 있고, 동일하거나 상이할 수 있다. 피리딘 모이어티는 다양한 헤테로아릴 화합물, 예컨대 질소 함유 헤테로아릴 화합물로 대체될 수 있다.
한 실시양태에서, ETM은 임의로 치환된 페난트롤린이다. 한 실시양태에서, ETM은 하기 화학식 중 하나에 의해 나타내어지는 1종 이상의 화합물을 포함한다.
용매
잉크가 소자에서 필름을 형성하는데 사용되는 경우에, 용매는 다른 층, 예컨대 애노드 또는 발광 층과 함께 사용 및 가공하기에 적합화된 1종 이상의 용매일 수 있다.
본 발명의 용매계에 사용되는 통상의 용매는 중성 및 산화된 형태의 방향족 탄화수소를 포함한다. 테트라히드로푸란, 클로로포름, 또는 중성 및 산화된 형태의 방향족 탄화수소와 같은 용매가 사용된다. 추가의 용매는 테트라히드로푸란, 클로로포름, 알킬화 벤젠, 할로겐화 벤젠, NMP, DMF, DMAc, DMSO, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥사논, 클로로포름, 디클로로메탄, 아세톤, THF, 디옥산, 에틸 아세테이트, 에틸 벤조에이트, 에틸렌 카르보네이트, 프로필렌 카르보네이트, 또는 그의 조합을 포함한다. 공액 중합체는 전형적으로 이들 용매 중에서 고도로 가용성이고 고도로 가공성이다.
환경규제 준수를 위해, 하나 이상의 비할로겐화 용매를 선택할 수 있다. 할로겐화 용매를 실질적으로 또는 완전히 배제할 수 있다 (예를 들어, 총 용매 캐리어의 부피를 기준으로 10% 미만, 또는 5% 미만, 또는 1% 미만, 또는 0.1% 미만으로 사용함). 이러한 추가의 요소의 칭량시, 참고문헌, 예컨대 예를 들어 문헌 [Cheremisnoff, N.P., Industrial Solvents Handbook, 2nd Ed. (Marcel Dekker, New York, 2003); Ash, M, Handbook of Solvents, 2nd Ed. (Syapse Information Resources, 2003); Wypych, G., Handbook of Solvents (Chemical) (Noyes Publications, 2000); Hansen, C.M., Durkee, J. and Kontogeorgis, G, Hanson Solubility Parameters: A User's Handbook (Taylor and Francis, 2007)] (이들 모두는 그 전문이 참조로 포함됨)을 참고하는 것이 도움이 될 수 있다. 2종 이상의 용매를 포함하는 용매계의 선택과 관련된 보다 상세한 논의에 대해서는, 2008년 8월 20일에 출원된 US 61/090,464 (043419-0256) (그 전문이 참조로 포함됨)를 참조한다.
고려할 용매는 에테르 (C1-C10 알킬 쇄로 임의로 치환됨), 예컨대 아니솔, 에톡시벤젠, 디메톡시 벤젠 및 글리콜 에테르, 예컨대: 에틸렌 글리콜 디에테르, 예컨대 1,2-디메톡시 에탄, 1,2-디에톡시 에탄, 1,2-디부톡시 에탄; 디에틸렌 글리콜 디에테르, 예컨대 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르; 프로필렌 글리콜 디에테르, 예컨대 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디부틸 에테르; 디프로필렌 글리콜 디에테르, 예컨대 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디부틸 에테르; 또한, 상기 언급된 에틸렌 글리콜 및 프로필렌 글리콜 에테르의 고급 유사체 (트리- 및 테트라-)를 포함할 수 있다.
또 다른 용매, 예컨대 에틸렌 글리콜 모노에테르 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노에테르 아세테이트가 고려될 수 있고, 여기서 에테르는 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸, 시클로헥실로부터 선택될 수 있다. 또한, 상기 목록의 고급 글리콜 에테르 유사체, 예컨대 디-, 트리- 및 테트라-. 예는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 2-에톡시에틸 아세테이트, 2-부톡시에틸 아세테이트를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
또 다른 가능한 용매는 지방족 및 방향족 케톤, 예컨대 아세토닐 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 이소부테닐 케톤, 2-헥사논, 2-펜타논, 아세토페논, 에틸 페닐 케톤, 시클로헥사논, 시클로펜타논을 포함한다.
추가의 가능한 용매는 N,N-디메틸 포름아미드, N,N-디메틸 아세트아미드, N-메틸 피롤리돈, 디메틸 술폭시드, 테트라메틸렌 술폭시드, 아세토니트릴, 벤조니트릴, 에틸렌 카르보네이트, 프로필렌 카르보네이트 등을 포함한다.
다른 예는 시클릭 에테르, 예컨대 예를 들어 테트라히드로피란 (THP)을 포함한다. 용매는 용매의 중합이 회피될 수 있도록 사용될 수 있다. 또 다른 예는 메톡시프로피오니트릴이다.
잉크 특징, 예컨대 기판 습윤성, 용매 제거의 용이성, 점도, 표면 장력 및 습윤성을 개선하기 위해 1종 이상의 용매가 다양한 비율로 사용될 수 있다.
다르게는, 1종 초과의 용매, 예를 들어 제1 용매 및 제2 용매를 선택하는 것이 유용할 수 있다. 한 예에서, HIL/HTL 잉크 시스템에서, 공액 중합체는 제2 용매 중에서보다 제1 용매 중에서 더 높은 용해도를 가질 수 있다. 정공 수송 화합물은 또한 제1 용매 중에서보다 제2 용매 중에서 더 높은 용해도를 가질 수 있다. 용매는 제1 용매가 건조 단계에서 제2 용매보다 더 빠른 속도로 제거될 수 있도록 선택될 수 있다. 마찬가지로, HTL 1/HTL 2 잉크 시스템에서, HTM 1은 제2 용매 중에서보다 제1 용매 중에서 더 높은 용해도를 가질 수 있다. HTM 2는 또한 제1 용매 중에서보다 제2 용매 중에서 더 높은 용해도를 가질 수 있다. 용매는 제1 용매가 건조 단계에서 제2 용매보다 더 빠른 속도로 제거될 수 있도록 선택될 수 있다. 마찬가지로, ETL/EML 잉크 시스템에서, EM은 제2 용매 중에서보다 제1 용매 중에서 더 높은 용해도를 가질 수 있다. ETM은 또한 제1 용매 중에서보다 제2 용매 중에서 더 높은 용해도를 가질 수 있다. 용매는 제1 용매가 건조 단계에서 제2 용매보다 더 빠른 속도로 제거될 수 있도록 선택될 수 있다.
수직 상 분리
잉크 조성물은 전극 상에서, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층, 예컨대 예를 들어 기판/전극 상에 미리 증착된 정공 주입 층 또는 정공 수송 층, 또는 다른 미리 증착된 반도체 유기 물질 층 상에서 코팅 및 건조될 수 있다.
잉크 조성물은 최종 소자의 전기적 특성을 개선하기 위해 사용된 전극 또는 추가의 층을 임의로 함유하는 기판 상의 필름으로서 형성될 수 있다. 예를 들어, 조성물은 이것이 상 분리되도록 제제화될 수 있다. 일반적으로 상 분리, 구체적으로 수직 상 분리는 당업계에 공지되어 있다. 예를 들어: 문헌 [Arias, A.C., et al., "Photovoltaic Performance and Morphology of Polyfluorene Blends: A combined Microscopic and Photovoltaic Investigation," Macromolecules, 2001, 34, 6005-6013; Walheim, S., et al. "Structure Formation via Polymer Demixing in Spin-Cast Films," Macromolecules, 1997, 30, 4995-5003; Coe-Sullivan, S., et al., "Large-Area Ordered Quantum-Dot Monolayers via Phase Separation During Spin-Casting," Adv. Func. Mater., 2005, 15, 1117-1124; Arias, A.C., "Vertically Segregated Polymer Blends: Their Use in Organic Electronics," Journal of Macromolecular Science, Part C: Polymer Reviews, 46:103-125, 2006; Corcoran, N., et al., "Increased efficiency in vertically segregated thin-film conjugated polymer blends for light-emitting diodes," App. Phys. Lett., Vol. 82, No. 2, 2003; Heriot, SY., et al., "An interfacial instability in a transient wetting layer leads to lateral phase separation in thin spin-cast polymer blend films," Nature, Vol. 4, October 2005; Kim, Y, et al., "Mixing effect of hole-injecting and hole transporting materials on the performance and lifetime of organic light-emitting devices," App. Phys. Lett., 88, 043504 (2006); Sun, 8., et al., "Vertically segregated hybrid blends for photovoltaic devices with improved efficiency," J Appl. Phys., 97, 014914 (2005); Arias, A.C., et al., "Vertically segregated polymer-blend photovoltaic thin-film structures through surface-mediated solution processing," Appl. Phys. Lett., Vol. 80, No. 10, March 2002, Greczynski, G., et al., "Characterization of the PEDOT-PSS system by means of X-ray and Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy," Thin Solid Films, Vol. 354, Nos. 1-2, October 1999, 및 Hwang, J., "Spectroscopic study on sputtered PEDOT-PSS: Role of surface PSS layer," Org. Electronics, Vol. 7, No. 5, October 2006]을 참조한다.
따라서, 잉크 조성물은 하나 이상의 하부 제1 층, 및 제1 층과 상이하고 제1 층 상에 배치된 하나 이상의 상부 제2 층을 포함하는 상-분리 필름을 형성하는데 사용될 수 있다.
하나 이상의 하부 제1 층은 기판, 예컨대 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층, 예컨대 예를 들어 기판/전극 상에 미리 증착된 정공 주입 층 또는 정공 수송 층, 또는 다른 미리 증착된 반도체 유기 물질 층 상에 배치될 수 있다. 제1 층은 1종 이상의 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1), 예컨대 1종 이상의 정공 주입 물질, 예컨대 예를 들어 공액 중합체, 또는 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 또는 1종 이상의 발광 물질 (EM)로 농축될 수 있다. 예를 들어, 제1 층은 30 중량% 이상, 또는 50 중량% 이상, 또는 70 중량% 이상, 또는 90 중량% 이상의 SOM 1을 포함할 수 있다.
하나 이상의 상부 제2 층은 제1 층과 상이할 수 있고, 기판, 예컨대 전극으로부터 떨어지게 배치될 수 있다. 제2 층은 SOM 1과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)에 의해 농축될 수 있다. 제2 층은 소자의 정공 수송 층 또는 HTM 1과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 또는 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)일 수 있다. 제2 층은 30 중량% 이상, 또는 50 중량% 이상, 또는 70 중량% 이상, 또는 90 중량% 이상, 또는 95 중량% 이상, 또는 99 중량% 이상의 SOM 2를 포함할 수 있다. 제2 층은 정공 수송 층의 경우에 10-3 내지 10-6 cm2 V-1S-1의 정공 이동도를 가질 수 있다. 제2 층은 2.0 내지 1.8 eV의 LUMO를 가질 수 있다. 제2 층은 바람직하게는 약 200℃ 미만, 또는 약 150℃ 미만, 또는 약 100℃ 미만의 온도에서 어떠한 열 전이 (즉, 용융, 유리 전이 또는 분해)도 경험하지 않는다. 제2 층은 어떠한 수축도 경험하지 않는다.
제2 층은 바람직하게는 SOM 2, 예컨대 비도핑된 정공 수송 층을 형성하기 위한 잉크 조성물의 건조 단계 동안 자기-표면형성할 수 있는 SOM 2를 포함한다. 제2 층은 바람직하게는, 예를 들어 톨루엔 또는 크실렌 중에 용해된 발광체 및 호스트를 포함하는 발광 층에 의해 후속적으로 코팅될 수 있는 SOM 2, 예컨대 정공 수송 화합물을 포함한다. 예를 들어, 정공 수송 화합물로 농축되는 경우에, 제2 층은 그 위에 발광체 층 (EML)이 형성되는 매끄럽고 습윤가능한 표면을 제공할 수 있어야 한다. 따라서, 톨루엔 및 크실렌 중에 용해된 발광체에 의한 후속 코팅은 제2 층의 초기 표면 조도에 영향을 미치지 않아야 한다. 정공 수송 층이 (예를 들어) 톨루엔 또는 크실렌으로부터의 발광 층으로 코팅되는 경우에 100% 유지될 것이 바람직하다. 적어도, 90% 초과, 또는 95% 초과의 HTL이 유지되는 것이 바람직하다. 정공 수송 화합물은 코팅된 기판 상에서의 톨루엔 세척 후에 초기 필름 두께의 90% 이상을 유지할 수 있으며, 여기서 톨루엔 세척 단계는 톨루엔을 기판 상에서 1분 동안 회전시키는 것 및 기판을 100℃에서 5분 동안 어닐링시켜 기판을 건조시키는 것을 포함할 수 있다. 인광 OLED 소자에서 정공 수송 층으로서 사용되는 경우에, 제2 층은 또한 삼중항 여기자 차단에 적합화될 수 있다.
상 분리의 과정에 대한 어떠한 특정한 이론에 의해서도 제한되지 않지만, 상 분리는 예를 들어 건조 단계 동안 발생할 수 있다. 상 분리는 잉크 성분 중 하나 이상이 침전하도록 용매의 제거에 의해 개시될 수 있다. 상 분리에 대한 유도자는 자기-표면형성 반도체 유기 물질 (즉, SOM 2) (예를 들어, 정공 수송 화합물), 저증기압 용매 중에서, 예를 들어 1종 이상의 용매, 예컨대 제1 용매 및 제2 용매를 포함하는 용매계 중에서 부분적 용해도를 갖는 반도체 유기 물질 (즉, SOM 2)의 사용을 포함하며, 여기서 제2 용매의 증기압은 제1 용매보다 더 낮다. 예를 들어, 반도체 유기 물질 (즉, SOM 2)의 부분적 플루오린화 및 수소 결합은 수직 상 분리 필름의 자기-표면형성 층을 제공하는 특징이다. 수소 결합 기, 예컨대 히드록실은 당업계에 공지되어 있다. 추가로, 잉크 조성물의 성분 사이의 이온성/산성 상호작용은 수직 상 분리 필름을 형성함에 있어서 잉크를 보조할 수 있다. 암모늄 기는 이온성 기의 예이다.
또한 상 분리를 제어할 수 있는 물질 파라미터는 표면 에너지, 차등 용해도, 용매 휘발성, 용매 점도 및 기판, 잉크 및 대기 사이의 특정 상호작용이다.
추가로, 실시양태의 잉크 조성물이 필름, 예컨대 수직 상 분리 필름을 형성하기 위해 증착되는 기판 표면은 수직 상 분리를 촉진시키도록 관능화될 수 있다. 예를 들어, 유리 기판 상에 형성된 ITO 전극은 표면이 바람직하게는 예를 들어 HIM 제1 층의 공액 중합체에 결합하도록 관능화될 수 있으며, 이는 정공 수송 화합물이 상부에 표면형성함으로써 상기 기재된 바와 같은 상부 제2 층을 형성하게 한다.
상 분리 필름을 특성화하기 위한 여러 방법, 예컨대 광학 현미경검사, X선 광전자 분광분석법 (XPS), 푸리에 변환 분광분석법 (FTIR), 원자력 현미경검사 (AFM) 및 전도성 AFM이 이용가능하다. 상 분리는 이들 특성화 방법을 이용하여 반도체 유기 물질 (즉, SOM 2)만을 포함하는 조성물로부터 형성된 필름의 측정치를 실시양태의 잉크 조성물에 의해 형성된 필름의 측정치에 비교함으로써 검증될 수 있다.
양
잉크 조성물은 하기 표 2에 나타낸 양으로 제공될 수 있다. 각각의 성분에 대한 양은 나타낸 특정한 레시피로부터 최대 25% 변할 수 있다. 양은 중량%로 개시되어 있다.
<표 2> (HIL/HTL)
잉크 조성물은 이중 HTL에 대해 하기 표 3에 나타낸 양으로 제공될 수 있다. 각각의 성분에 대한 양은 나타낸 특정한 레시피로부터 최대 25% 변할 수 있다. 양은 중량%로 개시되어 있다.
<표 3> (HTL1/HTL2)
잉크 조성물은 블루밍 ETL EML에 대해 하기 표 4에 나타낸 양으로 제공될 수 있다. 각각의 성분에 대한 양은 나타낸 특정한 레시피로부터 최대 25% 변할 수 있다. 양은 중량%로 개시되어 있다.
<표 4> EML/ETL
제조 방법
한 실시양태에서, 액체 잉크 조성물을 제조하는 방법이 제공된다.
방법의 한 실시양태는 1종 이상의 용매를 제공하는 단계, 1종 이상의 정공 주입 물질 (예컨대 예를 들어, 공액 중합체)을 용매에 제공하는 단계, 임의로 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 매트릭스 물질을 용매에 제공하는 단계, 공액 중합체에 대한 1종 이상의 도펀트를 용매에 제공하며, 여기서 도펀트는 임의의 매트릭스 물질을 실질적으로 도핑하지 않으며, 도펀트는 이온성 화합물을 포함하는 것인 단계, 및 정공 주입 물질 및 매트릭스 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 화합물을 용매에 제공하는 단계를 포함한다.
방법의 또 다른 실시양태는 1종 이상의 용매를 제공하는 단계, 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1)을 용매에 제공하는 단계, 임의로 HTM 1과 상이한 1종 이상의 매트릭스 물질을 용매에 제공하는 단계, 및 HTM 1 및 매트릭스 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)을 용매에 제공하는 단계를 포함한다.
방법의 또 다른 실시양태는 1종 이상의 용매를 제공하는 단계, 1종 이상의 발광 물질 (EM)을 제공하는 단계, 및 EM과 상이한 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)을 용매에 제공하는 단계를 포함한다.
소자 (사용 방법)
당업계에 공지된 방법을 이용하여, 예를 들어 OLED 및 OPV 소자를 포함하는 유기 전자 소자를 제작할 수 있다. 당업계에 공지된 방법을 이용하여 밝기, 효율 및 수명을 측정할 수 있다. OLED 특허는, 예를 들어 미국 특허 번호 4,356,429 및 4,539,507 (코닥(Kodak))을 포함한다. 발광하는 전도성 중합체는, 예를 들어 미국 특허 번호 5,247,190 및 5,401,827 (캠브리지 디스플레이 테크놀로지스(Cambridge Display Technologies))에 기재되어 있다. 또한, 소자 아키텍처, 물리적 원리, 용액 가공, 다중층화, 블렌드, 및 물질 합성 및 제제화를 포함하는 문헌 [Kraft et al., "Electroluminescent Conjugated Polymers - Seeing Polymers in a New Light," Angew. Chem. Int. Ed., 1998, 37, 402-428]을 참조하고, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다.
본원에 포함된 실시양태 중 일부의 대표적인 다이어그램은 도 1(B) 내지 1(D)에서 찾아볼 수 있다.
한 실시양태에서, 소자는 본원에서 실시된 조성물 중 하나 이상으로 구성된 층을 가질 수 있다. 또 다른 실시양태에서, 소자는 하나 이상의 기판; 기판 상에 배치된 하나 이상의 전도성 전극; 임의로, 전도성 전극 상에 배치된 하나 이상의 반전도성 층; 전도성 전극 상에 배치된 상부 및 하부 표면을 갖는 유기 반전도성 층, 또는 1종 이상의 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1) 및 SOM 1과 상이한 1종 이상의 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 포함하는 임의의 반전도성 층을 포함하며, 여기서 하부 경계는 전도성 전극 또는 임의의 반전도성 층과 적어도 부분적으로 접촉되어 있는 표면이고, 상부 표면은 하부 경계로부터 최원거리이고, SOM 2는 하부 표면에서보다 상부 표면에서 더 높은 중량%로 존재한다. 본원에 사용된 바와 같이 하부 표면을 추가로 명확화하는 수단은, 예를 들어 도 1B에서 ITO와 접촉되어 있는 HTL/HIL 층의 표면, 또는 도 1C에서 HIL과 접촉되어 있는 HTL 1/HTL 2 표면, 또는 1D에서 HTL 층과 접촉되어 있는 ETL/EM 층일 수 있다. 마찬가지로, 상부 표면은, 예를 들어 도 1B에서 EM과 접촉되어 있는 HTL/HIL 층의 표면, 또는 도 1C에서 EM과 접촉되어 있는 HTL 1/HTL 2 표면, 또는 1D에서 캐소드 층과 접촉되어 있는 ETL/EM 층일 수 있다. 도면은 단지 일부 실시양태를 대표하는 것으로 이해되며, 상부 표면은 일반적으로 표면형성 화합물로 농축된다. 일부 실시양태에서, 상부 및 하부 표면을 갖는 유기 반전도성 층은 본원에서 실시된 화합물 중 1종 이상으로 구성된다. 유기 반전도성 층은 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1) 및 SOM 1과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 포함할 수 있다.
발광체
발광체를 포함하는 층은 상기 기재된 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM) 또는 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2) 필름 상에 형성될 수 있다. 당업계에 공지되어 있고 상업적으로 입수가능한 발광체, 예컨대 다양한 전도성 중합체 뿐만 아니라 유기 분자, 예컨대 수마티온(Sumation), 머크 옐로우(Merck Yellow), 머크 블루(Merck Blue), 아메리칸 다이 소시즈(American Dye Sources (ADS)), 코닥 (예를 들어, AlQ3 등) 및 심지어 알드리치(Aldrich) (예컨대, BERP-PPV)로부터 입수가능한 물질이 사용될 수 있다. 이러한 유기 전계발광 물질의 예는 (i) 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및 페닐렌 모이어티 상의 다양한 위치에서 치환된 그의 유도체; (ii) 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및 비닐렌 모이어티 상의 다양한 위치에서 치환된 그의 유도체; (iii) 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및 페닐렌 모이어티 상의 다양한 위치에서 치환되고 또한 비닐렌 모이어티 상의 다양한 위치에서 치환된 그의 유도체; (iv) 폴리(아릴렌 비닐렌) (여기서, 아릴렌은 나프탈렌, 안트라센, 푸릴렌, 티에닐렌, 옥사디아졸 등과 같은 모이어티일 수 있음); (v) 폴리(아릴렌 비닐렌)의 유도체 (여기서, 아릴렌은 상기 (iv)에서와 같을 수 있고, 추가로 아릴렌 상의 다양한 위치에 치환기를 가짐); (vi) 폴리(아릴렌 비닐렌)의 유도체 (여기서, 아릴렌은 상기 (iv)에서와 같을 수 있고, 추가로 비닐렌 상의 다양한 위치에 치환기를 가짐); (vii) 폴리(아릴렌 비닐렌)의 유도체 (여기서, 아릴렌은 상기 (iv)에서와 같을 수 있고, 추가로 아릴렌 상의 다양한 위치에 치환기를 갖고, 비닐렌 상의 다양한 위치에 치환기를 가짐); (viii) 아릴렌 비닐렌 올리고머, 예컨대 (iv), (v), (vi) 및 (vii)에서의 것들과 비-공액 올리고머의 공중합체; (ix) 폴리p-페닐렌 및 페닐렌 모이어티 상의 다양한 위치에서 치환된 그의 유도체, 예컨대 래더 중합체 유도체, 예컨대 폴리(9,9-디알킬 플루오렌) 등; (x) 폴리(아릴렌) (여기서, 아릴렌은 나프탈렌, 안트라센, 푸릴렌, 티에닐렌, 옥사디아졸 등과 같은 모이어티일 수 있음); 및 아릴렌 모이어티 상의 다양한 위치에서 치환된 그의 유도체; (xi) 올리고아릴렌, 예컨대 (x)에서의 것들과 비-공액 올리고머의 공중합체; (xii) 폴리퀴놀린 및 그의 유도체; (xiii) 폴리퀴놀린과 페닐렌 상에서 예를 들어 알킬 또는 알콕시 기로 치환 (용해도를 제공하기 위함)된 p-페닐렌의 공중합체; (xiv) 강성 로드 중합체, 예컨대 폴리(p-페닐렌-2,6-벤조비스티아졸), 폴리(p-페닐렌-2,6-벤조비스옥사졸), 폴리(p-페닐렌-2,6-벤즈이미다졸), 및 그의 유도체; (xv) 폴리플루오렌 중합체 및 폴리플루오렌 단위를 갖는 공중합체.
바람직한 유기 발광 중합체는 녹색, 적색, 청색 또는 백색 광을 발광하는 수마티온 발광 중합체 ("LEP") 또는 그의 패밀리, 공중합체, 유도체, 또는 그의 혼합물을 포함하고; 수마티온 LEP는 수마티온 KK로부터 입수가능하다. 다른 중합체는 코비온 오가닉 세미컨덕터즈 게엠베하(Covion Organic Semiconductors GmbH, 독일 프랑크푸르트 (현재, 머크®가 소유함))로부터 입수가능한 폴리스피로플루오렌-유사 중합체를 포함한다.
다르게는, 중합체보다는 오히려 형광 또는 인광을 발광하는 유기 소분자가 유기 전계발광 층으로서의 역할을 할 수 있다. 소분자 유기 전계발광 물질의 예는 (i) 트리스(8-히드록시퀴놀리네이토) 알루미늄 (Alq); (ii) 1,3-비스(N,N-디메틸아미노페닐)-1,3,4-옥사디아졸 (OXD-8); (iii) -옥소-비스(2-메틸-8-퀴놀리네이토)알루미늄; (iv) 비스(2-메틸-8-히드록시퀴놀리네이토)알루미늄; (v) 비스(히드록시벤조퀴놀리네이토)베릴륨 (BeQ2); (vi) 비스(디페닐비닐)비페닐렌 (DPVBI); 및 (vii) 아릴아민-치환된 디스티릴아릴렌 (DSA 아민)을 포함한다.
이러한 중합체 및 소분자 물질은 당업계에 널리 공지되어 있고, 예를 들어 밴슬라이크(VanSlyke)에게 허여된 미국 특허 번호 5,047,687; 및 문헌 [Bredas, J.-L., Silbey, R., eds., Conjugated Polymers, Kluwer Academic Press, Dordrecht (1991)]에 기재되어 있다.
소자에서의 HIL의 예는 다음을 포함한다:
(1) PLED 및 SMOLED를 포함하는 OLED에서의 정공 주입 (예를 들어, PLED에서의 HIL에 대해서는, 공액이 탄소 또는 규소 원자에 관여하는 모든 부류의 공액 중합체 발광체가 사용될 수 있음. SMOLED에서의 HIL에 대해서는, 하기 예가 있음: 형광 발광체 함유 SMOLED; 인광성 발광체 함유 SMOLED; HIL 층에 추가로 하나 이상의 유기 층을 포함하는 SMOLED; 및 소분자 층이 용액 또는 에어로졸 스프레이 또는 임의의 다른 가공 방법으로부터 처리된 SMOLED. 또한, 기타 예는 덴드리머 또는 올리고머 유기 반도체 기판의 OLED 내의 HIL; HIL이 전하 주입을 개질하는데 사용되거나 전극으로서 사용되는 양극성 발광 FET 내의 HIL을 포함함);
(2) OPV에서의 정공 추출 층;
(3) 트랜지스터에서의 채널 물질;
(4) 트랜지스터의 조합, 예를 들어 논리 게이트를 포함하는 회로에서의 채널 물질
(5) 트랜지스터에서의 전극 물질;
(6) 커패시터에서의 게이트 층;
(7) 전도성 중합체와 함께 감지되는 종과의 연관으로 인해 도핑 수준의 변형이 달성된 화학 센서.
다양한 광활성 층이 OPV 소자에 사용될 수 있다. 광기전력 소자는, 예를 들어 미국 특허 번호 5,454,880 (캘리포니아 대학교); 6,812,399; 및 6,933,436에 기재된 바와 같은 전도성 중합체와 혼합된 풀러렌 유도체를 포함하는 광활성 층을 사용하여 제조될 수 있다. 또한, 예를 들어 문헌 [Wienk et al., Applied Physics Letters, 88, 153511 (2006); Campos et al., Solar Energy Materials & Solar Cells, 90 (2006) 3531-3546]을 참조한다. 또한, 광활성 층은 전도성 중합체의 블렌드, 전도성 중합체 및 반도체 나노입자의 블렌드, 및 소분자, 예컨대 프탈로시아닌, 풀러렌 및 포르피린의 이중층을 포함할 수 있다.
통상의 전극 물질 및 기판, 예컨대 상기 기재된 것들, 뿐만 아니라 예를 들어 캡슐화 물질이 사용될 수 있다.
계면 개질 층 및 광학 스페이서 층이 사용될 수 있다.
전자 수송 층이 사용될 수 있다.
도 1A에 나타낸 바와 같이, 통상의 OLED 소자는 2개의 분리 코팅 사건 (즉, 2-단계 공정) 동안 HIL 및 HTL을 형성하는 것을 요구한다. 예를 들어, HIL은 ITO 상에 형성되고, 이어서 건조된다. 후속적으로, HTL이 형성되고, 건조된다. 그러나, 본원에 기재된 실시양태에서, 도 18에 나타낸 바와 같이 단일 코팅 사건이 HTL 및 HIL을 제공한다. 한 실시양태에서, HTL 및 HIL은 계면에 의해 분리된 별개의 층으로 상 분리된다. 다른 실시양태에서, 나뉜 HIL-HTL 층은 HTL 밑에 형성될 수 있다.
I-V 측정
OLED는 픽셀의 발광 부분을 함유하는 소자의 캡슐화된 영역 외부로 전극이 연장된 유리 기판 상에 픽셀을 포함할 수 있다. 각 픽셀의 전형적인 면적은 0.05 cm2이다. 알루미늄 전극을 접지시킨 상태로 산화인듐주석 전극에 바이어스를 인가하면서 상기 전극을 키슬리 2400 소스 미터(Keithley 2400 source meter)와 같은 전류 소스 미터에 접촉시켰다. 이는 양으로 하전된 캐리어 (정공) 및 음으로 하전된 캐리어가 소자로 주입되고, 이것이 여기자를 형성하여 광을 생성하는 결과를 가져온다. 이와 같은 예에서, HIL은 발광 층으로의 전하 캐리어의 주입을 돕는다. 이는 소자의 낮은 작동 전압 (특정 전류 밀도가 픽셀을 통해 흐르도록 하는데 요구되는 전압으로서 정의됨)을 생성한다.
동시에, 또 다른 키슬리 2400 소스 미터를 사용하여 넓은 영역의 규소 포토다이오드를 주소화하였다. 이러한 포토다이오드를 2400 소스 미터에 의해 0 볼트 바이어스로 유지시켰다. 그것을 OLED 픽셀 조명 영역 바로 아래의 유리 기판 영역과 직접적으로 접촉시켜 위치시켰다. 상기 포토다이오드는 OLED에 의해 생성되는 광을 수집하여, 그것을 광전류로 전환시켰으며, 이것은 다시 소스 미터에 의해 해독되었다. 발생된 포토다이오드 전류를 미놀타 CS-200 크로모미터(Minolta CS-200 Chromometer)로 보정하여 광도 단위 (칸델라/제곱미터)로 정량화하였다.
소자를 시험하는 동안, OLED 픽셀을 주소화하는 키슬리 2400가 픽셀에 전압 스위프를 인가하였다. 픽셀을 통과하는 생성 전류가 측정된다. 동시에 OLED 픽셀을 통과하는 전류가 빛을 발생시켰고, 이어서 이 빛은 포토다이오드에 연결된 다른 키슬리 2400에 의해 기록되는 광전류를 생성한다. 따라서 픽셀에 대한 전압-전류-빛 또는 IVL 데이터가 생성되었다. 이것은 다시 픽셀에의 전기적 투입 전력 와트당 루멘, 및 픽셀 전류의 암페어당 칸델라와 같은 다른 소자 특성들의 측정을 가능케 하였다.
다양한 OLED 유형의 실시예에서의 다양한 HIL의 성능이 기재되어 있다. 전형적으로 성능은 작동 전압 (낮아야 함), 니트 단위의 휘도 (밝아야 함), cd/A 단위의 발광 효율 (소자로부터 광을 얻는데에 얼마나 많은 전기 전하가 필요한지를 반영함), 및 작동시의 수명 (시험 개시시 최초 휘도 값의 절반에 도달하는 데에 걸리는 시간)과 같은 상이한 파라미터들의 조합에 의해 정량된다는 것에 유의한다. 따라서, HIL 성능의 비교 평가에 있어서 총체적인 성능은 매우 중요하다.
필름 특성화 연구
산화된 폴리티오펜 잉크 (CE1)의 제조
폴리(3,4-(디부톡시에톡시에톡시)티오펜))의 원액을 테트라히드로피란 중에서 30-60분 동안 실온에서 교반함으로써 0.5% 고체로 제조하였다. 은 분말 (5 - 8 마이크로미터) 약 0.5 g을 용액 20 mL당 첨가하였다. 상기 용액의 요구량을 깨끗한 플라스크 중에 칭량하고, 테트라히드로피란 중에 0.5% 고체로 용해된 적절한 양의 은 테트라키스(펜타플루오로페닐)-보레이트를 교반하면서 적가하였다. 혼합물을 실온에서 추가로 30분 동안 교반하고, 2개 이상의 0.5 마이크로미터 유리 섬유 필터를 통해 여과하였다. 용액을 추가로 2일 동안 정치시켜 유지함으로써 산화 공정을 완결시키고, 0.5 마이크로미터 유리 섬유 필터를 통해 다시 한번 여과하였다. 잉크의 고체 함량을 측정한 다음, 잉크를 낮은 압력에서 25-40℃ 사이의 온도를 유지하면서 목적하는 농도 (예를 들어, 1.5%)로 농축시켰다.
실시예 1 - 잉크 조성물
N4,N4'-비스(4-트리데카플루오로노닐옥시페닐)-N4,N4'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민 (C9f13-TPD)의 원액을 테트라히드로피란 중에 1.5%로 제조하였다. 상기 기재된 산화된 폴리티오펜 잉크의 미리 칭량된 양에, C9f13-TPD 용액을 교반하면서 또는 교반 없이 첨가하였다. 이어서, 용액을 진탕기에서 또는 교반기를 이용하여 단순 교반에 의해 완전히 혼합하였다. C9f13-TPD의 중량 백분율은 잉크 중 총 고체의 5, 10, 25, 50, 75 또는 90%일 수 있다. 생성된 조성물을 스핀-코팅에 의해 기판 상에 형성시키고, 건조되도록 하였다. 필름을 175℃에서 어닐링시켰다.
실시예 2 - 잉크 조성물
N4,N4'-비스(4-비닐페닐)-N4,N4'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'디아민 (Sty-TPD)의 원액을 테트라히드로피란 중에 1.5%로 제조하였다. 산화된 폴리티오펜 잉크의 미리 칭량된 양에, C9f13-TPD 용액을 교반하면서 또는 교반 없이 첨가하였다. 이어서, 용액을 진탕기에서 또는 교반기를 이용하여 단순 교반에 의해 완전히 혼합하였다. C9f13-TPD의 중량 백분율은 잉크 중 총 고체의 5, 10, 25, 50, 75 또는 90%일 수 있다. 생성된 조성물을 기판 상에 형성시키고, 건조되도록 하였다. 생성된 조성물을 스핀-코팅에 의해 기판 상에 형성시키고, 건조되도록 하였다. 필름을 175℃에서 어닐링시켰다.
실시예 3 - 잉크 조성물
폴리(9,9-디옥틸-플루오렌-코-N-(4-부틸페닐)-디페닐아민) (TFB)의 원액을 테트라히드로피란 중에 1.5%로 제조하였다. 산화된 폴리티오펜 잉크의 미리 칭량된 양에, TFB 용액을 교반하면서 또는 교반 없이 첨가하였다. 이어서, 용액을 진탕기에서 또는 교반기를 이용하여 단순 교반에 의해 완전히 혼합하였다. TFB의 중량 백분율은 잉크 중 총 고체의 5, 10, 25, 50, 75 또는 90%일 수 있다. 생성된 조성물을 기판 상에 형성시키고, 건조되도록 하였다. 생성된 조성물을 스핀-코팅에 의해 기판 상에 형성시키고, 건조되도록 하였다. 필름을 175℃에서 어닐링시켰다.
비교 실시예 1
산화된 공액 중합체 잉크를 기판 상에 스핀-코팅하고, 건조되도록 하고, 175℃에서 어닐링시켰다.
비교 실시예 2
C9f13-TPD의 원액을 테트라히드로피란 중에 1.5%로 제조하고, 기판 상에 스핀-코팅하고, 건조되도록 하고, 175℃에서 어닐링시켰다.
비교 실시예 3
Sty-TPD의 원액을 테트라히드로피란 중에 1.5%로 제조하고, 기판 상에 스핀-코팅하고, 건조되도록 하고, 175℃에서 어닐링시켰다.
비교 실시예 4
TFB의 원액을 테트라히드로피란 중에 1.5%로 제조하고, 기판 상에 스핀-코팅하고, 건조되도록 하고, 175℃에서 어닐링시켰다.
특성화 실시예 1: FTIR
공액 중합체와 정공 수송 화합물 사이의 수직 상 분리의 정도를 평가하기 위해, FTIR 스펙트럼을 실시예 1-3의 필름에 대해 수집하였다. FTIR 스펙트럼을 또한 비교 실시예 1-4의 각각의 필름에 대해 수집하였다.
이들 3개의 샘플로부터 얻은 스펙트럼을 비교하였다. 바람직하게는, 수직 상 분리는 예를 들어 스펙트럼 1-3이 각각 비교 실시예 2-4의 스펙트럼과 매칭되는 경우에 적당한 것으로 밝혀졌다.
다양한 어닐링 온도 및 시간이 실시예 1-3 및 비교 실시예 1-4에 대한 필름의 제조에 이용될 수 있다.
스펙트럼은 가변 각도, 예를 들어 표면을 탐색하기 위한 작은 각도 및 상부 제2 층이 정공 수송 층으로서의 역할을 하기에 충분히 두꺼운지 결정하기 위한 보다 큰 각도에서 측정될 수 있다.
특성화 실시예 2: XPS
실시예 1-3에서 형성된 필름의 XPS 스펙트럼을 측정하였다. 원소 분석을 수행하여 표면에서 황 및 질소의 피크를 추적하였다. 상 분리는 황이 표면에 산화된 폴리티오펜 이외의 물질이 풍부하다는 것을 암시하는 것처럼 검출되지 않는 경우에 적당하다.
또한, FTIR과 유사한 가변 각도 분석을 이용하여 심도 및 표면 분석을 할 수 있다.
특성화 실시예 3: AFM
실시예 1-3의 3개의 필름의 형태학을 AFM을 이용하여 특성화 및 비교하였다. 다양한 어닐링 온도에서 및 다양한 어닐링 시간 동안 형성된 것을 제외하고는 실시예 1-3의 제제를 사용하는 추가의 필름이 제공될 수 있다.
AFM 형태학에서의 변화는 상 분리를 나타낸다. 예를 들어, 바람직하지 않은 어닐링 시간 및 온도에서, 정공 수송 화합물의 섬들이 표면에 나타나지만, 완전한 커버리지를 제공하지는 않는다. 바람직하게는, 적당한 상 분리는 정공 수송 화합물이 동질적이고 균일한 표면으로서 나타나는 경우에 존재한다.
특성화 실시예 4: 전도성 AFM
공액 중합체를 포함하는 제1 층 및 정공 수송 화합물을 포함하는 상부 제2 층의 전도성은 매우 상이하다. 전도성-AFM (CAFM)은 이들 수직 상 분리를 특성화하는데 유용한 도구이다. 실시예 1-3에서 형성된 필름의 C-AFM 측정치를 기록하였다. 상 분리는 실시예 1-3의 C-AFM 측정치가 비교 실시예 2-4의 C-AFM 측정치와 실질적으로 유사한 C-AFM 맵을 생성하는 경우에 적당한 것으로 결정된다. 최소한, 실시예 1-3의 적당한 상 분리는 C-AFM 측정치가 비교 실시예 1의 CAFM 측정치와 실질적으로 상이한 경우에 존재한다.
특성화 실시예 5: AC2
AC2는 실시예 1-3 및 비교 실시예 1-4의 필름의 HOMO 에너지를 측정하는데 사용될 수 있다. 표면 HOMO 에너지는 상부 필름을 특성화하는데 사용될 것이다.
실시예 4-6: OLED 소자 제작
각각 하나씩 실시예 4-6에 대한 3개의 상이한 OLED 소자를 제조하였다.
OLED 소자는 유리 기판 상에 증착된 산화인듐주석 (ITO) 전극을 포함한다. 픽셀 영역이 0.05 cm2로 한정되도록 ITO 표면을 예비-패턴화하였다. 소자 기판을 각각 묽은 비누 용액 중에서 20분 동안 초음파처리에 의해 세척하고, 이어서 증류수로 세척하였다. 이어서, 이소프로판올 중에서 20분 동안 초음파처리하였다. 기판을 질소 흐름 하에서 건조시키고, 이어서 300 W에서 작동하는 UV-오존 챔버에서 20분 동안 처리하였다.
이어서, 세척한 기판을 HIL 및 HTL 잉크 조성물로 코팅하고, 90-170℃에서 5-15분 동안 건조시켜 HIL 층 (즉, 공액 중합체로 농축된 제1 층) 및 HTL 층 (즉, 정공 수송 화합물로 농축된 상부 제2 층)을 포함하는 상 분리 필름을 형성하였다. 예를 들어, 실시예 1-3의 잉크 조성물을 사용하여 상 분리 필름을 형성할 수 있다.
건조 필름 두께는 대략 5 nm 내지 100 nm, 또는 5 nm 내지 70 nm, 또는 10 nm 내지 100 nm, 또는 10 nm 내지 70 nm 범위였다. 코팅 공정은 스핀 코팅기 상에서 수행하였지만, 스프레이 코팅, 잉크-분사, 접촉 프린팅 또는 목적하는 두께의 HIL 필름을 생성할 수 있는 임의의 다른 증착 방법으로 유사하게 달성될 수 있다. 이어서, 기판을 진공 챔버로 이동시켜 소자 적층체의 나머지 층을 물리적 기상 증착에 의해 증착시켰다.
한 예에서, 상-분리 필름의 상부에 증착되는 층은 발광 층 (EML), 정공 차단 층 (HBL), 전자 수송 층 (ETL) 및 금속 캐소드를 포함한다. 본 실시예에서 사용된 물질은 EML을 위한 트리스-(1-페닐이소퀴놀린)이리듐 III (Ir(piq)3)으로 도핑된 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토-N1,O8)-(1,1'-비페닐-4-올레이토)알루미늄 (BAlq), HBL로서의 BAlq, 및 ETL로서의 트리스 (8-히드록시퀴놀린)알루미늄 (Alq3)이었다. 이들 물질 모두는 상업적으로 입수가능하고, 당업계에서 OLED 구조에서 전형적으로 발견된다.
또한, 본 실시예에서, 5 x 10-7 토르에서의 기본 압력을 이용하여 첫 번째 것은 Ca의 3 nm 내지 5 nm 층이고 (0.1 nm/초), 후속하는 것은 A1의 200 nm 층인 (0.5 nm/초) 2개의 금속 층의 순차적인 증착에 의해 캐소드 층을 제조하였다.
이에 따라 수득한 소자가 대기 조건에 노출되는 것을 방지하기 위해, 4분 동안 80 W/cm2에서 UV 노출하여 경화시킨 UV-광 경화 에폭시 수지를 사용하여 유리 커버 슬립으로 소자를 캡슐화하였다.
실시예 7-9: 비교 실시예 5-8: 정공 유일 소자
각각 실시예 1-3의 잉크 제제를 사용하여 각각의 실시예 7-9에서의 정공 유일 소자의 필름을 형성하였다. 각각 비교 실시예 1-4의 잉크 제제를 사용하여 각각의 비교 실시예 5-8에서의 정공 유일 소자의 필름을 형성하였다. 정공 유일 소자는 소자 아키텍처: 유리/ITO/필름/Au를 갖는다.
비교 실시예 5의 정공 유일 소자는 매우 높은 전류 밀도를 가졌으며, 다이오드 거동을 보이지 않았다. 비교 실시예 6-8의 정공 유일 소자는 불량한 전하 주입을 갖는 다이오드 거동을 보였다. 실시예 7-9의 정공 유일 소자는 크게 개선된 정공 주입을 갖는 2개의 다이오드 거동의 조합을 나타내었다. 수명 연구를 수행하여 실시예 7-9의 상 분리 필름의 계면의 안정성을 평가하였다.
실시예 10-12: 정공 유일 소자 시험의 임피던스 분광분석법
정공 유일 소자의 임피던스 분광분석법 측정을 수행하여 HTL 층의 두께를 추정하였다. 이는 HIL이 사실상 전도되고 있을 시에 전체 전압 강하가 HTL 층을 가로질러 존재해야 하기 때문에 가능하다. 임피던스 분광분석법은 주파수 및 전압의 함수로서 물질/필름의 유전 특성을 측정하는데 사용될 수 있다. 임피던스 측정을 위해, HIL/HTL 코팅된 샘플을 상부 금/은 전극으로 증착시켜 단일 캐리어 소자를 제작할 수 있다 (전자 주입을 차단하기 위함). 상부에서의 얇은 반도체 층 표면형성의 경우에, 한정된 기하학적 정전용량은 전하 캐리어가 주입될 시에 사라질 소자로부터 측정될 것이다. 예정된 유전 상수를 갖는 공지된 물질의 경우에, 두께는 정전용량 주파수 측정으로부터 계산될 수 있다 (특히 20-30 nm 초과의 두께의 필름의 경우). 임피던스 분광분석법에 의해 결정된 바와 같은 두께는 제2 방법, 예컨대 예를 들어 XPS에 의해 확증될 수 있다.
추가의 비교 실시예:
OLED를 최적화된 HIL/HTL 조합으로 제작하여 HIL 및 HTL이 개별 단계에서 코팅되는 소자와 성능을 비교할 수 있다.
추가의 HIL/HTL 실시양태
하기 64항의 청구항은 2011년 7월 5일에 출원된 우선권 미국 가출원 61/504,653에 기재되어 있으며, 64항의 실시양태로서 그 전문이 참조로 포함된다.
1. 1종 이상의 정공 주입 물질; 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질; 1종 이상의 용매계를 포함하며, 여기서 정공 수송 물질은, 용매계가 제거되고 필름이 기판 상에 형성될 때, 기판으로부터 떨어진 정공 수송 물질의 표면 농축을 촉진하기 위해 관능화된 것인 조성물.
2. 실시양태 1에 있어서, 정공 수송 물질이 아릴아민인 조성물.
3. 실시양태 1에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 플루오린화 기, 1개 이상의 알킬 기 및/또는 1개 이상의 실록실 기로 관능화된 것인 조성물.
4. 실시양태 1에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화된 것인 조성물.
5. 실시양태 1에 있어서, 정공 수송 물질이 약 2,000 g/mol 이하의 분자량을 갖는 것인 조성물.
6. 실시양태 1에 있어서, 정공 수송 물질이 가교성 정공 수송 물질인 조성물.
7. 실시양태 1에 있어서, 2종 이상의 정공 수송 물질을 포함하는 조성물.
8. 실시양태 1에 있어서, 정공 수송 물질 및 정공 주입 물질이 혼합시 전하 이동을 겪지 않는 것인 조성물.
9. 실시양태 1에 있어서, 정공 주입 물질이 공액 중합체를 포함하는 것인 조성물.
10. 실시양태 1에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 아릴아민 중합체를 포함하는 것인 조성물.
11. 실시양태 1에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 폴리티오펜을 포함하는 것인 조성물.
12. 실시양태 1에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 위치규칙성 폴리티오펜을 포함하는 것인 조성물.
13. 실시양태 1에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 3-치환된 알콕시폴리티오펜 또는 3,4-치환된 디알콕시폴리티오펜을 포함하는 것인 조성물.
14. 실시양태 1에 있어서, 정공 주입 물질이 알콕시 측기를 포함하는 1종 이상의 폴리티오펜을 포함하는 것인 조성물.
15. 실시양태 1에 있어서, 정공 주입 물질이 폴리(3,4-(디부톡시에톡시에톡시)티오펜을 포함하는 것인 조성물.
16. 실시양태 1에 있어서, 용매계가 2종 이상의 상이한 용매를 포함하고, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질 및 용매계는 용매계의 제거시 정공 주입 물질이 정공 수송 물질보다 더 빨리 침전하도록 적합화된 것인 조성물.
17. 실시양태 1에 있어서, 용매계가 1종 이상의 극성 용매 및 1종 이상의 방향족 용매를 포함하는 것인 조성물.
18. 실시양태 1에 있어서, 용매계가 2종 이상의 상이한 용매를 포함하고, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질 및 용매계는 용매계의 제거시 정공 주입 물질이 정공 수송 물질보다 더 빨리 침전하도록 적합화되고, 여기서 정공 수송 물질은 극성 모이어티로 관능화된 것인 조성물.
19. 실시양태 1에 있어서, 용매계가 2종 이상의 상이한 용매를 포함하고, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질 및 용매계는 용매계의 제거시 정공 주입 물질이 정공 수송 물질보다 더 빨리 침전하도록 적합화되고, 여기서 정공 수송 물질은 염 모이어티로 관능화된 것인 조성물.
20. 실시양태 1에 있어서, 기판이 가요성 기판인 조성물.
21. 하나 이상의 베이스 기판, 및 하나 이상의 투명한 (또는 다른) 전도성 전극을 포함하는 하나 이상의 기판을 제공하는 단계; 1종 이상의 정공 주입 물질 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질을 포함하는 액체 잉크 조성물을 제공하는 단계; 하나 이상의 전극 상에 잉크 조성물을 코팅하는 단계; 잉크 조성물을 건조시켜 전극 상에 하나 이상의 필름을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 잉크는 그것이 건조될 때 필름이 전극 상에 배치된 하나 이상의 하부 제1 층, 및 제1 층과 상이하고 전극으로부터 떨어져 배치된 하나 이상의 상부 제2 층을 포함하도록 적합화되고, 여기서 제1 층은 1종 이상의 정공 주입 물질로 농축되고, 제2 층은 1종 이상의 정공 수송 물질로 농축된 것인 방법.
22. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 HTG-SAG로 나타내어지는 구조를 포함하고, 여기서 HTG가 정공 수송 기이고, SAG가 표면 활성 기인 방법.
23. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 HTG-SAG로 나타내어지는 구조를 포함하고, 여기서 HTG가 정공 수송 기이고, SAG가 1개 이상의 플루오로 치환기를 포함하는 표면 활성 기인 방법.
24. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 HTG-SAG로 나타내어지는 구조를 포함하고, 여기서 HTG가 정공 수송 기이고, SAG가 1개 이상의 알킬 치환기를 포함하는 표면 활성 기인 방법.
25. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 HTG-SAG로 나타내어지는 구조를 포함하고, 여기서 HTG가 정공 수송 기이고, SAG가 1개 이상의 실록실 치환기를 포함하는 표면 활성 기인 방법.
26. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 플루오린화 알킬 기를 포함하는 것인 방법.
27. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 2개 이상의 플루오린화 알킬 기를 포함하는 것인 방법.
28. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 트리플루오로메틸 기를 포함하는 것인 방법.
29. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 수소 결합 기를 포함하는 것인 방법.
30. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 히드록실 기를 포함하는 것인 방법.
31. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 이온성 또는 산성 기를 포함하는 것인 방법.
32. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 암모늄 기를 포함하는 것인 방법.
33. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 아릴아민 화합물을 포함하는 것인 방법.
34. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 티오펜 고리를 포함하는 것인 방법.
35. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 약 5,000 g/mol 미만의 분자량을 갖는 것인 방법.
36. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 약 2,000 g/mol 미만의 분자량을 갖는 것인 방법.
37. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 약 1,000 g/mol 미만의 분자량을 갖는 것인 방법.
38. 실시양태 21에 있어서, 잉크가 제1 용매 및 제2 용매를 추가로 포함하고, 공액 중합체가 제2 용매에서보다 제1 용매에서 더 높은 용해도를 갖고, 정공 수송 화합물이 제1 용매에서보다 제2 용매에서 더 높은 용해도를 갖고, 제1 용매가 건조 단계 동안 제2 용매보다 더 빠른 속도로 제거되는 것인 방법.
39. 실시양태 21에 있어서, 필름이 100 nm의 두께에서 380-800 nm 파장 사이의 방사선에 대해 90% 초과의 투과율을 갖는 것인 방법.
40. 실시양태 21에 있어서, 제2 층이 10-3 cm2V-1s-1 내지 10-6 cm2V-1s-1의 이동도를 갖는 것인 방법.
41. 실시양태 21에 있어서, 제2 층이 50% 이상의 정공 수송 화합물을 포함하는 것인 방법.
42. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 N4,N4'-비스(4-트리데카플루오로노닐옥시페닐)-N4,N4'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민; 또는 N4,N4'-비스(4-비닐페닐)-N4,N4'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민; 또는 폴리(9,9-디옥틸-플루오렌-코-N-(4-부틸페닐)-디페닐아민을 포함하는 것인 방법.
43. 실시양태 21에 있어서, 제1 층이 50% 이상의 1종 이상의 정공 주입 물질을 포함하는 것인 방법.
44. 실시양태 21에 있어서, 정공 주입 물질이 공액 중합체를 포함하는 것인 방법.
45. 실시양태 21에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 3-치환된 알콕시폴리티오펜 또는 3,4-치환된 디알콕시폴리티오펜을 포함하는 것인 방법.
46. 실시양태 21에 있어서, 건조 단계가 필름을 어닐링하는 것을 포함하는 것인 방법.
47. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 화합물이 비도핑된 것인 방법.
48. 실시양태 21에 있어서, 필름 상에 발광 층을 형성하는 단계; 및 발광 층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
49. 실시양태 21에 있어서, 제2 층이 발광 층을 포함하지 않는 것인 방법.
50. 실시양태 21에 있어서, 정공 수송 물질이 중합체인 방법.
51. 1종 이상의 용매를 제공하는 단계; 1종 이상의 정공 주입 물질을 용매에 제공하는 단계; 임의로 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 매트릭스 물질을 용매에 제공하는 단계; 정공 주입 물질에 대한 1종 이상의 도펀트를 용매에 제공하며, 여기서 도펀트는 임의적인 매트릭스 물질을 실질적으로 도핑하지 않고, 도펀트는 이온성 화합물을 포함하는 것인 단계; 및 정공 주입 물질 및 매트릭스 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 화합물을 용매에 제공하며, 여기서 정공 수송 화합물은 HTG-SAG에 의해 나타내어지는 구조를 갖고, 여기서 HTG는 정공 수송 기이고, SAG는 표면 활성 기 또는 극성 기인 단계를 포함하는, 액체 잉크 조성물의 제조 방법.
52. 실시양태 51에 있어서, 정공 수송 화합물이 중합체인 방법.
53. 실시양태 51에 있어서, 정공 수송 화합물이 5,000 g/mol 미만의 분자량을 갖는 것인 방법.
54. 실시양태 51에 있어서, SAG가 표면 활성 기인 방법.
55. 실시양태 51에 있어서, 정공 수송 화합물이 플루오린화 정공 수송 화합물을 포함하는 것인 방법.
56. 실시양태 51에 있어서, 정공 주입 물질이 공액 중합체를 포함하는 것인 방법.
57. 실시양태 51에 있어서, 정공 주입 물질이 공액 폴리티오펜 중합체를 포함하는 것인 방법.
58. 실시양태 51에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 3-치환된 알콕시폴리티오펜 또는 3,4-치환된 디알콕시폴리티오펜을 포함하는 것인 방법.
59. 실시양태 51에 있어서, 정공 수송 화합물이 비도핑된 것인 방법.
60. 실시양태 51에 있어서, 정공 수송 화합물이 중합체인 방법.
61. 실시양태 51에 있어서, 용매가 제1 용매 및 제2 용매를 포함하고, 정공 주입 물질이 제2 용매에서보다 제1 용매에서 더 높은 용해도를 갖고, 정공 수송 화합물이 제1 용매에서보다 제2 용매에서 더 높은 용해도를 갖는 것인 방법.
62. 실시양태 51에 있어서, 조성물이 수직적으로 상 분리가 가능하도록 제제화된 것인 방법.
63. 실시양태 1의 조성물을 사용하여 제조된 소자.
64. 하나 이상의 기판을 제공하는 단계; 1종 이상의 정공 주입 물질 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질을 포함하는 액체 잉크 조성물을 제공하는 단계; 기판 상에 잉크 조성물을 코팅하는 단계; 잉크 조성물을 건조시켜 기판 상에 하나 이상의 필름을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 잉크는 그것이 건조될 때 필름이 전극 상에 배치된 하나 이상의 하부 제1 층, 및 제1 층과 상이하고 전극으로부터 떨어져 배치된 하나 이상의 상부 제2 층을 포함하도록 적합화되고, 여기서 제1 층은 1종 이상의 정공 주입 물질로 농축되고, 제2 층은 1종 이상의 정공 수송 물질로 농축된 것인 방법.
추가 실시양태는 예를 들어 하기를 포함한다:
1a. 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1); SOM 1과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2); 1종 이상의 용매계를 포함하는 조성물로서, 여기서 SOM 1 및 SOM 2는 각각 (a) 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM), (b) 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 제1 정공 수송 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2), 또는 (c) 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 SOM 2는, 용매계가 제거되고 필름이 기판 상에 형성될 때, 기판으로부터 떨어진 SOM 2의 표면 농축을 촉진하기 위해 관능화된 것인 조성물.
2a. 실시양태 1a에 있어서, SOM 2가 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화된 것인 조성물.
3a. 실시양태 1a에 있어서, SOM 2가 약 2,000 g/mol 이하의 분자량을 갖는 것인 조성물.
4a. 실시양태 1a에 있어서, SOM 2가 가교성 물질인 조성물.
5a. 실시양태 1a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2는 혼합시 전하 이동을 겪지 않는 것인 조성물.
6a. 실시양태 1a에 있어서, 용매계가 2종 이상의 상이한 용매를 포함하고, SOM 1, SOM 2 및 용매계는 용매계의 제거시 SOM 1이 SOM 2보다 더 빨리 침전하도록 적합화된 것인 조성물.
7a. 실시양태 1a에 있어서, 용매계가 1종 이상의 극성 용매 및 1종 이상의 방향족 용매를 포함하는 것인 조성물.
8a. 실시양태 1a에 있어서, 용매계가 2종 이상의 상이한 용매를 포함하고, SOM 1, SOM 2 및 용매계는 용매계의 제거시 SOM 1이 SOM 2보다 더 빨리 침전하도록 적합화되고, 여기서 SOM 2는 극성 모이어티로 관능화된 것인 조성물.
9a. 실시양태 1a에 있어서, 용매계가 2종 이상의 상이한 용매를 포함하고, SOM 1, SOM 2 및 용매계는 용매계의 제거시 SOM 1이 SOM 2보다 더 빨리 침전하도록 적합화되고, 여기서 SOM 2는 염 모이어티로 관능화된 것인 조성물.
10a. 실시양태 1a에 있어서, 기판이 가요성 기판인 조성물.
11a. 실시양태 1a에 있어서, SOM 1이 정공 주입 물질 (HIM)이고, SOM 2가 정공 주입 물질과 상이한 정공 수송 물질 (HTM)인 조성물.
12a. 실시양태 11a에 있어서, 정공 수송 물질이 아릴아민인 조성물.
13a. 실시양태 11a에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 플루오린화 기, 1개 이상의 알킬 기, 및/또는 1개 이상의 실록실 기로 관능화된 것인 조성물.
14a. 실시양태 11a에 있어서, 정공 수송 물질이 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화된 것인 조성물.
15a. 실시양태 11a에 있어서, N4,N4'-비스(4-트리데카플루오로노닐옥시페닐)-N4,N4'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민; 또는 N4,N4'-비스(4-비닐페닐)- N4,N4'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민; 또는 폴리(9,9-디옥틸-플루오렌-코-N-(4-부틸페닐)-디페닐아민을 포함하는 조성물.
16a. 실시양태 11a에 있어서, 정공 주입 물질이 공액 중합체를 포함하는 것인 조성물.
17a. 실시양태 11a에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 아릴아민 중합체를 포함하는 것인 조성물.
18a. 실시양태 11a에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 폴리티오펜을 포함하는 것인 조성물.
19a. 실시양태 11a에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 위치규칙성 폴리티오펜을 포함하는 것인 조성물.
20a. 실시양태 11a에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 3-치환된 알콕시폴리티오펜 또는 3,4-치환된 디알콕시폴리티오펜을 포함하는 것인 조성물.
21a. 실시양태 1a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 제1 정공 수송 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)인 조성물.
22a. 실시양태 21a에 있어서, HTM 2가 HTM 1보다 높은 삼중항 에너지를 갖는 것인 조성물.
23a. 실시양태 21a에 있어서, HTM 2가 2.7 eV 초과의 삼중항 에너지를 갖고, HTM 1이 2.7 eV 이하의 삼중항 에너지를 갖는 것인 조성물.
24a. 실시양태 21a에 있어서, HTM 1이 아릴아민인 조성물.
25a. 실시양태 21a에 있어서, HTM 2가 아릴아민인 조성물.
26a. 실시양태 21a에 있어서, HTM 1이 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화된 것인 조성물.
31a. 실시양태 1a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)인 조성물.
32a. 실시양태 31a에 있어서, ETM이 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화된 것인 조성물.
33a. 실시양태 31a에 있어서, ETM이 임의로 치환된 페난트롤린인 조성물.
41a. 하나 이상의 베이스 기판, 하나 이상의 전도성 전극, 및 임의로 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층을 포함하는 하나 이상의 기판을 제공하는 단계; 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1) 및 SOM 1과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 포함하는 액체 잉크 조성물을 제공하는 단계; 하나 이상의 전극, 또는 임의로, 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층 상에 잉크 조성물을 코팅하는 단계; 잉크 조성물을 건조시켜 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 층 상에 하나 이상의 필름을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 잉크는 그것이 건조될 때 필름이 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 층 상에 배치된 하나 이상의 하부 제1 층, 및 제1 층과 상이하고 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 층으로부터 떨어져 배치된 하나 이상의 상부 제2 층을 포함하도록 적합화되고, 여기서 제1 층은 SOM 1로 농축되고, 제2 층은 SOM 2로 농축되고, 여기서 SOM 1 및 SOM 2는 각각 (a) 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM), (b) 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 제1 정공 수송 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2), 또는 (c) 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
42a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 SOM 2-SAG로 나타내어지는 구조를 포함하고, 여기서 SAG가 표면-활성 기인 방법.
43a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 SOM 2-SAG로 나타내어지는 구조를 포함하고, 여기서 SAG가 1개 이상의 플루오로 치환기를 포함하는 표면-활성 기인 방법.
44a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 SOM 2-SAG로 나타내어지는 구조를 포함하고, 여기서 SAG가 1개 이상의 알킬 치환기를 포함하는 표면-활성 기인 방법.
45a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 SOM 2-SAG로 나타내어지는 구조를 포함하고, 여기서 SAG가 1개 이상의 실록실 치환기를 포함하는 표면-활성 기인 방법.
46a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 1개 이상의 플루오린화 알킬 기를 포함하는 것인 방법.
47a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 2개 이상의 플루오린화 알킬 기를 포함하는 것인 방법.
48a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 1개 이상의 트리플루오로메틸 기를 포함하는 것인 방법.
49a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 1개 이상의 수소-결합 기를 포함하는 것인 방법.
50a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 1개 이상의 히드록실 기를 포함하는 것인 방법.
51a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 1개 이상의 이온성 또는 산성 기를 포함하는 것인 방법.
52a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 1개 이상의 암모늄 기를 포함하는 것인 방법.
53a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 아릴아민 또는 페난트롤린 화합물을 포함하는 것인 방법.
54a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 약 5,000 g/mol 미만의 분자량을 갖는 것인 방법.
55a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 약 2,000 g/mol 미만의 분자량을 갖는 것인 방법.
56a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 2가 약 1,000 g/mol 미만의 분자량을 갖는 것인 방법.
57a. 실시양태 41a에 있어서, 잉크가 제1 용매 및 제2 용매를 추가로 포함하고, SOM 1이 제2 용매에서보다 제1 용매에서 더 높은 용해도를 갖고, SOM 2가 제1 용매에서보다 제2 용매에서 더 높은 용해도를 갖고, 제1 용매가 건조 단계 동안 제2 용매보다 더 빠른 속도로 제거되는 것인 방법.
58a. 실시양태 41a에 있어서, 필름이 100 nm의 두께에서 380-800 nm 파장 사이의 방사선에 대해 90% 초과의 투과율을 갖는 것인 방법.
59a. 실시양태 41a에 있어서, 제2 층이 50% 초과의 SOM 2를 포함하는 것인 방법.
60a. 실시양태 41a에 있어서, 제1 층이 50% 초과의 SOM 1을 포함하는 것인 방법.
61a. 실시양태 41a에 있어서, 건조 단계가 필름을 어닐링하는 것을 포함하는 것인 방법.
62a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM)이고, 필름 상에 발광 층을 형성하는 단계; 및 발광 층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
63a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM)이고, 제2 층이 발광 층을 포함하지 않는 것인 방법.
64a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM)이고, 정공 주입 물질은 1종 이상의 3-치환된 알콕시폴리티오펜 또는 3,4-치환된 디알콕시폴리티오펜을 포함하는 것인 방법.
65a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)이고, HTM 2가 2.7 eV 초과의 삼중항 에너지를 갖고, HTM 1이 2.7 eV 이하의 삼중항 에너지를 갖는 것인 방법.
66a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)이고, 기판이 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층을 포함하는 것인 방법.
67a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)이고, 제1 및 제2 정공 수송 물질이 아릴아민인 방법.
68a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)이고, 기판이 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층을 포함하는 것인 방법.
69a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)이고, ETM이 페난트롤린인 방법.
70a. 실시양태 41a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)이고, EM이 정공 수송 물질을 포함하지 않는 것인 방법.
71a. 1종 이상의 용매를 제공하는 단계; 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1)을 용매에 제공하는 단계; 임의로 SOM 1과 상이한 1종 이상의 매트릭스 물질을 용매에 제공하는 단계; 임의로 SOM 1에 대한 1종 이상의 도펀트를 용매에 제공하며, 여기서 도펀트는 임의적인 매트릭스 물질을 실질적으로 도핑하지 않고, 도펀트는 이온성 화합물을 포함하는 것인 단계; 및 SOM 1 및 매트릭스 물질과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 용매에 제공하며, 여기서 SOM 2는 SOM 2-SAG에 의해 나타내어지는 구조를 갖고, 여기서 SAG는 표면 활성 기 또는 극성 기인 단계를 포함하며, 여기서 SOM 1 및 SOM 2는 각각 (a) 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM), (b) 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2), 또는 (c) 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 액체 잉크 조성물의 제조 방법.
72a. 실시양태 71a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM)인 방법.
73a. 실시양태 71a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)인 방법.
74a. 실시양태 71a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)인 방법.
75a. 실시양태 72a에 있어서, 정공-수송 화합물이 플루오린화 정공-수송 화합물을 포함하는 것인 방법.
76a. 실시양태 72a에 있어서, 정공 주입 물질이 1종 이상의 3-치환된 알콕시폴리티오펜 또는 3,4-치환된 디알콕시폴리티오펜을 포함하는 것인 방법.
77a. 실시양태 72a에 있어서, 정공 수송 물질이 아릴아민인 방법.
78a. 실시양태 73a에 있어서, HTM 2가 2.7 eV 초과의 삼중항 에너지를 갖고, HTM 1이 2.7 eV 이하의 삼중항 에너지를 갖는 것인 방법.
79a. 실시양태 73a에 있어서, 제1 및 제2 정공 수송 물질이 아릴아민인 방법.
80a. 실시양태 74a에 있어서, ETM이 페난트롤린인 방법.
81a. 실시양태 71a에 있어서, 조성물이 수직적으로 상 분리가 가능하도록 제제화된 것인 방법.
82a. 실시양태 1a 내지 33a 중 어느 한 실시양태의 조성물을 사용하여 제조된 소자.
83a. 하나 이상의 기판을 제공하는 단계; 1종 이상의 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1) 및 SOM 1과 상이한 1종 이상의 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 포함하는 액체 잉크 조성물을 제공하는 단계; 기판 상에 잉크 조성물을 코팅하는 단계; 잉크 조성물을 건조시켜 기판 상에 하나 이상의 필름을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 잉크는 그것이 건조될 때 필름이 기판 상에 배치된 하나 이상의 하부 제1 층, 및 제1 층과 상이하고 기판으로부터 떨어져 배치된 하나 이상의 상부 제2 층을 포함하도록 적합화되고, 여기서 제1 층은 1종 이상의 SOM 1로 농축되고, 제2 층은 1종 이상의 SOM 2로 농축되고, 여기서 SOM 1 및 SOM 2는 각각 (a) 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM), (b) 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 제1 정공 수송 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2), 또는 (c) 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
84a. 실시양태 83a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM)인 방법.
85a. 실시양태 83a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)인 방법.
86a. 실시양태 83a에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)인 방법.
Claims (56)
- 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1);
SOM 1과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2);
1종 이상의 용매계
를 포함하며,
여기서, SOM 1 및 SOM 2는 각각 (a) 1종 이상의 정공 주입 물질 (HIM) 및 정공 주입 물질과 상이한 1종 이상의 정공 수송 물질 (HTM), (b) 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 제1 정공 수송 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2), 또는 (c) 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)로 이루어진 군으로부터 선택되고,
여기서, SOM 2는, 용매계가 제거되고 필름이 기판 상에 형성될 때, 기판으로부터 떨어진 SOM 2의 표면 농축을 촉진하기 위해 관능화된 것이고,
여기서, 용매계는 2종 이상의 상이한 용매를 포함하고, SOM 1, SOM 2 및 용매계는 용매계의 제거시 SOM 1이 SOM 2보다 더 빨리 침전하도록 적합화된 것인 조성물. - 제1항에 있어서, SOM 2가 1개 이상의 퍼플루오로 또는 1개 이상의 세미-플루오로 알킬 쇄 또는 아릴 기로 관능화된 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, SOM 2가 2,000 g/mol 이하의 분자량을 갖는 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, SOM 2가 가교성 물질인 조성물.
- 제1항에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 혼합시 전하 이동을 겪지 않는 것인 조성물.
- 삭제
- 제1항에 있어서, SOM 1이 정공 주입 물질 (HIM)이고, SOM 2가 정공 주입 물질과 상이한 정공 수송 물질 (HTM)인 조성물.
- 제1항에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 제1 정공 수송 물질 (HTM 1) 및 제1 정공 수송 물질과 상이한 1종 이상의 제2 정공 수송 물질 (HTM 2)인 조성물.
- 제1항에 있어서, SOM 1 및 SOM 2가 각각 1종 이상의 발광 물질 (EM) 및 1종 이상의 전자 수송 물질 (ETM)인 조성물.
- 하나 이상의 베이스 기판, 하나 이상의 전도성 전극, 및 임의로 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층을 포함하는 하나 이상의 기판을 제공하는 단계;
제1항에 따른 조성물을 제공하는 단계;
하나 이상의 전극, 또는 임의로, 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 하나 이상의 층 상에 조성물을 코팅하는 단계;
조성물을 건조시켜 전극, 또는 1종 이상의 반도체 유기 물질을 포함하는 층 상에 하나 이상의 필름을 형성하는 단계
를 포함하는 방법. - 제10항에 있어서, SOM 2가 SOM 2-SAG에 의해 나타내어지는 구조를 포함하고, 여기서 SAG가 표면-활성 기인 방법.
- 1종 이상의 용매를 제공하는 단계;
제1 반도체 유기 물질 (SOM 1)을 용매에 제공하는 단계;
임의로 SOM 1과 상이한 1종 이상의 매트릭스 물질을 용매에 제공하는 단계;
임의로 SOM 1에 대한 1종 이상의 도펀트를 용매에 제공하며, 여기서 도펀트는 임의적인 매트릭스 물질을 실질적으로 도핑하지 않고, 도펀트는 이온성 화합물을 포함하는 것인 단계; 및
SOM 1 및 매트릭스 물질과 상이한 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 용매에 제공하며, 여기서 SOM 2는 SOM 2-SAG에 의해 나타내어지는 구조를 갖고, 여기서 SAG는 표면 활성 기 또는 극성 기인 단계
를 포함하는,
제1항에 따른 조성물의 제조 방법. - 제1항의 조성물을 사용하여 제조된 소자.
- 제13항에 있어서,
하나 이상의 기판;
기판 상에 배치된 하나 이상의 전도성 전극;
임의로, 전도성 전극 상에 배치된 하나 이상의 반전도성 층;
1종 이상의 제1 반도체 유기 물질 (SOM 1) 및 SOM 1과 상이한 1종 이상의 제2 반도체 유기 물질 (SOM 2)을 포함하는, 전도성 전극 또는 임의적인 반전도성 층 상에 배치된 상부 및 하부 경계를 갖는 유기 반전도성 층
을 포함하며,
여기서, 하부 경계는 전도성 전극 또는 임의적인 반전도성 층과 적어도 부분적으로 접촉한 경계이고, 상부 경계는 하부 경계에서 가장 멀리 떨어져 있고, SOM 2는 하부 경계보다 상부 경계에 더 높은 중량%로 존재하는 것인
소자. - 하나 이상의 기판을 제공하는 단계;
제1항에 따른 조성물을 제공하는 단계;
기판 상에 조성물을 코팅하는 단계;
조성물을 건조시켜 기판 상에 하나 이상의 필름을 형성하는 단계
를 포함하는 방법. - 삭제
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| KR20150094127A (ko) * | 2014-02-10 | 2015-08-19 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| JP2015165529A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器 |
| KR101725224B1 (ko) * | 2014-10-06 | 2017-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| EP3251128B1 (en) * | 2015-01-30 | 2023-06-14 | Merck Patent GmbH | Formulations with a low particle content |
| KR102466300B1 (ko) * | 2015-02-27 | 2022-11-14 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 불소 원자 함유 중합체 및 그 이용 |
| KR102370354B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US9859503B2 (en) * | 2015-04-30 | 2018-01-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
| JP6433852B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2018-12-05 | 株式会社東芝 | 化合物、有機光電変換素子、及び固体撮像素子 |
| KR102601600B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2023-11-14 | 삼성전자주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| EP3457449A4 (en) * | 2016-05-10 | 2020-01-22 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | CHARGE TRANSPORTATION MATERIAL, ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT |
| KR102637121B1 (ko) * | 2016-12-29 | 2024-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
| CN107665949A (zh) * | 2017-03-15 | 2018-02-06 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| DE102017111425A1 (de) * | 2017-05-24 | 2018-11-29 | Osram Oled Gmbh | Organisches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements |
| CN110423243B (zh) * | 2018-09-10 | 2022-06-10 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 电子传输材料及其制备方法和有机电致发光器件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000048959A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4356429A (en) | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
| US4539507A (en) | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
| US4737557A (en) | 1986-03-20 | 1988-04-12 | Agency Of Industrial Science And Technology | 3-N-higher alkylthiophene polymer and composition thereof |
| FR2596566B1 (fr) | 1986-04-01 | 1989-03-10 | Solvay | Polymeres conducteurs derives de 3-alkylthiophenes, procede pour leur fabrication et dispositifs electroconducteurs les contenant |
| GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
| US5047687A (en) | 1990-07-26 | 1991-09-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilized cathode |
| GB9018698D0 (en) | 1990-08-24 | 1990-10-10 | Lynxvale Ltd | Semiconductive copolymers for use in electroluminescent devices |
| US5331183A (en) | 1992-08-17 | 1994-07-19 | The Regents Of The University Of California | Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells |
| US5834080A (en) | 1994-10-18 | 1998-11-10 | Xerox Corporation | Controllably conductive polymer compositions for development systems |
| US5853906A (en) | 1997-10-14 | 1998-12-29 | Xerox Corporation | Conductive polymer compositions and processes thereof |
| US6166172A (en) | 1999-02-10 | 2000-12-26 | Carnegie Mellon University | Method of forming poly-(3-substituted) thiophenes |
| ATE410791T1 (de) * | 1999-04-06 | 2008-10-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Verfahren zur dotierung von polymeren |
| AT411306B (de) | 2000-04-27 | 2003-11-25 | Qsel Quantum Solar Energy Linz | Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten |
| AT410729B (de) | 2000-04-27 | 2003-07-25 | Qsel Quantum Solar Energy Linz | Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten |
| US6602974B1 (en) | 2001-12-04 | 2003-08-05 | Carnegie Mellon University | Polythiophenes, block copolymers made therefrom, and methods of forming the same |
| JP4325185B2 (ja) * | 2002-12-17 | 2009-09-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US20040113127A1 (en) | 2002-12-17 | 2004-06-17 | Min Gary Yonggang | Resistor compositions having a substantially neutral temperature coefficient of resistance and methods and compositions relating thereto |
| WO2005049689A2 (en) * | 2003-11-17 | 2005-06-02 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Crosslinkable substituted fluorene compounds and conjugated oligomers or polymers based thereon |
| US7070867B2 (en) | 2003-12-05 | 2006-07-04 | The University Of Southern California | OLEDs having n-type doping |
| WO2005060624A2 (en) * | 2003-12-10 | 2005-07-07 | Northwestern University | Hole transport layer compositions and related diode devices |
| US20050175861A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-11 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophene compositions for improving organic light-emitting diodes |
| KR100882172B1 (ko) | 2004-03-11 | 2009-02-06 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 전하 수송막용 조성물 및 이온 화합물, 이를 이용한 전하수송막 및 유기 전계 발광 장치, 및 유기 전계 발광 장치의제조 방법 및 전하 수송막의 제조 방법 |
| WO2006036755A1 (en) | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Plextronics, Inc. | Heteroatomic regioregular poly(3-substitutedthiophenes) in electroluminescent devices |
| KR20070102661A (ko) | 2004-09-24 | 2007-10-19 | 플렉스트로닉스, 인크 | 광기전 전지에서의 헤테로 원자를 갖는 위치 규칙적폴리(3-치환 티오펜) |
| DE112005003872A5 (de) * | 2004-12-29 | 2016-03-03 | Cambridge Display Technology Ltd. | Starre Amine |
| JP4450207B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2010-04-14 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JP4548121B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JP4975648B2 (ja) | 2005-02-10 | 2012-07-11 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | 正孔注入／輸送層組成物およびデバイス |
| KR20070081623A (ko) * | 2006-02-13 | 2007-08-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US8017241B2 (en) | 2006-07-21 | 2011-09-13 | Plextronics, Inc. | Sulfonation of conducting polymers and OLED, photovoltaic, and ESD devices |
| JP2008140620A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Optrex Corp | 有機ｅｌ発光装置の製造方法及びその有機ｅｌ発光装置 |
| JPWO2009084413A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2011-05-19 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| KR101323557B1 (ko) | 2008-02-15 | 2013-10-29 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 공액 폴리머, 불용화 폴리머, 유기 전계 발광 소자 재료, 유기 전계 발광 소자용 조성물, 폴리머의 제조 방법, 유기 전계 발광 소자, 유기 ｅｌ 디스플레이, 및 유기 ｅｌ 조명 |
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| EP2851383A1 (en) | 2008-04-11 | 2015-03-25 | Solvay USA Inc. | Doped conjugated polymers, devices, and methods of making devices |
| US8906520B2 (en) | 2008-06-09 | 2014-12-09 | Solvay Usa, Inc. | Sulfonated polythiophenes comprising fused ring repeat units |
| CN102077381B (zh) | 2008-06-27 | 2014-10-22 | 通用显示公司 | 可交联的离子掺杂剂 |
| US20110084601A1 (en) * | 2008-07-01 | 2011-04-14 | Konica Minolta Holdings, Inc. | White light emission organic electroluminescent element, illuminating device and display |
| JP2012500500A (ja) | 2008-08-20 | 2012-01-05 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | 有機太陽電池の製造のための改善された溶媒システム |
| KR101653801B1 (ko) | 2008-10-27 | 2016-09-05 | 솔베이 유에스에이 인크. | 폴리아릴아민 케톤 |
| US8097876B2 (en) | 2008-10-27 | 2012-01-17 | Plextronics, Inc. | Charge injection and transport layers |
| US8283002B2 (en) | 2008-11-18 | 2012-10-09 | Plextronics, Inc. | Aminobenzene compositions and related devices and methods |
| JP2012511833A (ja) | 2008-12-12 | 2012-05-24 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | ドープ正孔輸送層を介して改善されたｏｌｅｄ安定性 |
| CN102596893A (zh) | 2009-10-19 | 2012-07-18 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 用于电子应用的三芳基胺化合物 |
| EP2491003A4 (en) | 2009-10-19 | 2015-06-03 | Du Pont | TRIARYLAMINE COMPOUNDS FOR ELECTRONIC APPLICATIONS |
| US8455042B2 (en) * | 2009-11-17 | 2013-06-04 | General Electric Company | Method for making material useful in optoelectronic device, the material and the optoelectronic device |
| CN102959008B (zh) | 2010-07-02 | 2016-03-16 | 索尔维美国有限公司 | 空穴传输组合物及相关器件和方法(ii) |
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