JP4975648B2 - 正孔注入／輸送層組成物およびデバイス - Google Patents
正孔注入／輸送層組成物およびデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4975648B2 JP4975648B2 JP2007555192A JP2007555192A JP4975648B2 JP 4975648 B2 JP4975648 B2 JP 4975648B2 JP 2007555192 A JP2007555192 A JP 2007555192A JP 2007555192 A JP2007555192 A JP 2007555192A JP 4975648 B2 JP4975648 B2 JP 4975648B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ether
- poly
- copolymer
- composition
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 120
- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims description 62
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims description 62
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 118
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 76
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 74
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 67
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 40
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims description 32
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 23
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 19
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 17
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 17
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 6
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- -1 poly (p-phenylene) Polymers 0.000 description 28
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 12
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 11
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 11
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 8
- 229920000412 polyarylene Chemical class 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- 125000005055 alkyl alkoxy group Chemical group 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 5
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(C#N)=C(C#N)C1=O HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003570 air Substances 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 4
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 4
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 4
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 4
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 4
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 4
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 4
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 101710141544 Allatotropin-related peptide Proteins 0.000 description 3
- 229910003803 Gold(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- KEJOCWOXCDWNID-UHFFFAOYSA-N Nitrilooxonium Chemical class [O+]#N KEJOCWOXCDWNID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 3
- YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N arsenic pentafluoride Chemical compound F[As](F)(F)(F)F YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010560 atom transfer radical polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 3
- RJHLTVSLYWWTEF-UHFFFAOYSA-K gold trichloride Chemical compound Cl[Au](Cl)Cl RJHLTVSLYWWTEF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229940076131 gold trichloride Drugs 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 3
- LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-1-ol Chemical compound CCC(O)OC LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNGDCMHTNXRQQD-UHFFFAOYSA-N 3,6-dioxocyclohexa-1,4-diene-1,2,4,5-tetracarbonitrile Chemical compound O=C1C(C#N)=C(C#N)C(=O)C(C#N)=C1C#N JNGDCMHTNXRQQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 2
- 229920000028 Gradient copolymer Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZBIKORITPGTTGI-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(phenyl)-$l^{3}-iodanyl] acetate Chemical compound CC(=O)OI(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ZBIKORITPGTTGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 229920001109 fluorescent polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000732 glass refractive index measurement Methods 0.000 description 2
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYJVVHFRSFVEJM-UHFFFAOYSA-N iodosobenzene Chemical compound O=IC1=CC=CC=C1 JYJVVHFRSFVEJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- WCZAXBXVDLKQGV-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-2-(7-oxobenzo[c]fluoren-5-yl)oxyethanamine oxide Chemical compound C12=CC=CC=C2C(OCC[N+](C)([O-])C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C2=O WCZAXBXVDLKQGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001485 poly(butyl acrylate) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- LVEYOSJUKRVCCF-UHFFFAOYSA-N 1,3-Bis(diphenylphosphino)propane Substances C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LVEYOSJUKRVCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXQUXQXBHTXUMJ-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-n-[4-[4-(n-(2-naphthalen-1-ylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 FXQUXQXBHTXUMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 241001082241 Lythrum hyssopifolia Species 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001054 Poly(ethylene‐co‐vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- OVUJFYLDKRZVME-UHFFFAOYSA-N [I].C=CN1CCCC1=O Chemical compound [I].C=CN1CCCC1=O OVUJFYLDKRZVME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;dodecane Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCC LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Chemical class 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920006030 multiblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012457 nonaqueous media Substances 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000698 poly(1-vinylpyrrolidone-co-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000075 poly(4-vinylpyridine) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical group COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 150000005839 radical cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004583 scanning Hall probe microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
- H01B1/127—Intrinsically conductive polymers comprising five-membered aromatic rings in the main chain, e.g. polypyrroles, polythiophenes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/14—Side-groups
- C08G2261/141—Side-chains having aliphatic units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/21—Stereochemical aspects
- C08G2261/212—Regioregularity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/312—Non-condensed aromatic systems, e.g. benzene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/322—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed
- C08G2261/3223—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed containing one or more sulfur atoms as the only heteroatom, e.g. thiophene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/50—Physical properties
- C08G2261/51—Charge transport
- C08G2261/512—Hole transport
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
関連出願
本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み入れられる2005年2月10日に提出された米国仮特許出願60/651,211号の優先権を主張する。
本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み入れられる2005年2月10日に提出された米国仮特許出願60/651,211号の優先権を主張する。
本発明は、一般に、外部電源によりその励起状態へと転移するときに光を生成する有機小分子またはポリマーを利用する有機エレクトロルミネセントデバイスおよびその組成物に関する。励起状態は、プラスおよびマイナス電荷が対向電極からエレクトロルミネセント材料へと流れるときに形成される。1つの電極とエレクトロルミネセント材料との間に1つの層を形成する正孔注入材料および/または正孔輸送材料は、デバイス(HIL層またはHTL層)の効率を高めることができる。これらのデバイスおよび材料は、例えば、白黒またはカラーフラットパネルディスプレイ、有機系発光ダイオード(OLEDS)、看板、白色照明において関心対象である。
デバイスの効率、寿命、同調性および非腐食性、構成要素の良好なプロセス可能性を向上させることを含めて、現存するデバイスの性能を向上させることは非常に重要である。特に、材料においては、有機溶媒から簡単に処理できるとともに、電極上にスピンキャストして滑らかで平坦な表面を有する非常に薄い膜を形成できることが求められる。さらに、寿命安定性、バッチ間再現性、抵抗力制御、これらの特性の組み合わせも非常に重要である。
OLED材料および用途は一般にKraft et al., Angew. Chem. Int. Ed., 1998, 37, 402-428(非特許文献1)に記載されている。1つの報告は、導電性ポリマー系、PEDOTとHIL用途における他のポリマーとの混合において不満足な結果を示した。Elschner et al. (Bayer AG), Asia Display, IDW’01, pages 1427-1430(非特許文献2)を参照されたい。1つの文献は、同様のシステムにおける酸性度に関連する問題について記載している。Gong et al., Applied Physics Letters, 83, no. 1, July 7, 2003, pages 183-185(非特許文献3)を参照されたい。ポリマー発光デバイスはPLEDと呼ばれている。
Kraft et al., Angew. Chem. Int. Ed., 1998, 37, 402-428
Elschner et al. (Bayer AG), Asia Display, IDW’01, pages 1427-1430
Gong et al., Applied Physics Letters, 83, no. 1, July 7, 2003, pages 183-185
概要
本発明は、特に、有機エレクトロルミネセントデバイスにおける正孔注入層または正孔輸送層として機能することができる組成物について記載する。提供される利点としては、OLEDデバイスにおける良好な寿命および良好な効率が挙げられる。本出願は、組成物、組成物を形成する方法、組成物を使用する方法、および組成物から形成されるデバイスを含んだ。組成物は湿式または乾式であってもよい。コーティングまたは印刷することができ、特定の用途に適した乾燥状態まで乾燥させることができるインク配合物が提供される。
本発明は、特に、有機エレクトロルミネセントデバイスにおける正孔注入層または正孔輸送層として機能することができる組成物について記載する。提供される利点としては、OLEDデバイスにおける良好な寿命および良好な効率が挙げられる。本出願は、組成物、組成物を形成する方法、組成物を使用する方法、および組成物から形成されるデバイスを含んだ。組成物は湿式または乾式であってもよい。コーティングまたは印刷することができ、特定の用途に適した乾燥状態まで乾燥させることができるインク配合物が提供される。
1つの態様は、以下の構成要素、すなわち、(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマーと、(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパントと、(iii)合成ポリマーである少なくとも1つの平坦化剤とを含む、正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物であって、該構成要素が、非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約200nm厚未満の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに適合混合物を形成するように配合される、混合組成物を提供する。
他の態様は、以下の構成要素、すなわち、(i)非水溶媒に溶けることができる少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマーと、(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパントと、(iii)非水溶媒に溶けることができる合成ポリマーである少なくとも1つの平坦化剤とを含む正孔注入層または正孔輸送層を含むエレクトロルミネセントデバイスであって、正孔注入層または正孔輸送層が約200nm厚未満である、エレクトロルミネセントデバイスを提供する。
1つの態様は、以下の構成要素、すなわち、(i)レジオレギュラー(regioregular)3-置換ポリチオフェンである少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマーと、(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパントと、(iii)合成ポリマーである少なくとも1つの平坦化剤とを含む正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物であって、該構成要素が、非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約100nm厚未満の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに適合混合物を形成するように配合される、混合組成物を提供する。
非水性材料、非酸性材料、調整可能材料は、良好な性能を与えるように配合することができる。材料のpHは、ほぼ中性となることができ、発光ポリマーおよび標準的なITO材料に対して実質的に非腐食性である。有機溶媒系インクは、実質的に水を含有していなくても、向上したプロセス可能性を有することがある。同調性は、異なる色のエミッタおよびエミッタの混合を含む異なる光エミッタと共に必要に応じて使用するために調整できる。酸は使用できるが少量であり、そのため、大きな腐食影響を与えず、酸の腐食作用を高める水の使用を伴なわない。
詳細な説明
2005年2月10日に提出された優先権仮出願第60/651,211号は、要約部分、特許請求の範囲、図面、および実施例を含めて、参照により本明細書に組み入れられる。1つの態様は、正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物であって、以下の構成要素のうちの少なくとも1つを含む混合組成物を提供する：(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、(ii)導電性ポリマーまたはコポリマーのための0、1または複数の酸化的あるいは還元的ドーピング材料、および(iii)構成要素が非水溶媒中で溶解でき、かつ組成物が約200nm厚未満、好ましくは100nm厚未満の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに構成要素が適合混合物を形成するように配合される0、1または複数のマトリクス要素。
2005年2月10日に提出された優先権仮出願第60/651,211号は、要約部分、特許請求の範囲、図面、および実施例を含めて、参照により本明細書に組み入れられる。1つの態様は、正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物であって、以下の構成要素のうちの少なくとも1つを含む混合組成物を提供する：(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、(ii)導電性ポリマーまたはコポリマーのための0、1または複数の酸化的あるいは還元的ドーピング材料、および(iii)構成要素が非水溶媒中で溶解でき、かつ組成物が約200nm厚未満、好ましくは100nm厚未満の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに構成要素が適合混合物を形成するように配合される0、1または複数のマトリクス要素。
他の態様は、正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物であって、以下の構成要素のうちの少なくとも1つを含む混合組成物を提供する：(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための0、1または複数の酸化的あるいは還元的ドーピング材料、および(iii)構成要素が非水溶媒中で溶解でき、かつ組成物が約200nm厚未満、好ましくは100nm厚未満の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに構成要素が適合混合物を形成するように配合される0、1または複数の緩衝剤または平坦化剤。
本発明は、1つの態様において、導電性のポリマーまたはコポリマー、ドーパント系、および平坦化剤からなり、これらの全てが非水溶媒として形成されかつエレクトロルミネセントデバイスの層として適用されるHIL/HTLシステムも提供する。本発明は、エレクトロルミネセントデバイスを形成する方法およびエレクトロルミネセントデバイスを使用する方法も提供する。非水溶媒の混合物を使用することができる。非導電要素の混合物を使用することができる。
1つの態様において、本発明の基本的で新規の特徴は、実質的に水が無く、実質的に酸が無く、実質的に残留イオンまたは金属不純物が無く、あるいは実質的に前述した全てのものが無いように正孔注入層が形成されているという点である。
本発明をその様々な態様において実施する際には、以下の技術文献および様々な構成要素の説明を使用できる。最後のリストを含む本明細書の全体にわたって挙げられた参考文献は、その全体が参照により本明細書に組み入れられる。
Williamsらの2004年9月24日に提出された仮特許出願第60/612,640号(「HETEROATOMIC REGIOREGULAR POLY(3-SUBSTITUTEDTHIOPHENES)FOR ELECTROLUMINESCENT DEVICES」)および2005年9月26日に提出された米国の通常出願第11/234,374号は、ポリマーの説明、図面、および特許請求の範囲を含むそれらの全体が参照により本明細書に組み入れられる。
Williamsらの2004年9月24日に提出された仮特許出願第60/612,641号(「HETEROATOMIC REGIOREGULAR POLY(3-SUBSTITUTEDTHIOPHENES)FOR PHOTOVOLTAIC CELLS」)および2005年9月26日に提出された米国の通常出願第11/234,373号は、ポリマーの説明、図面、および特許請求の範囲を含むそれらの全体が参照により本明細書に組み入れられる。
Williamsらの2004年11月17日に提出された仮特許出願第60/628,202号(「HETEROATOMIC REGIOREGULAR POLY(3-SUBSTITUTEDTHIOPHENES)AS THIN FILM CONDUCTORS IN DIODES WHICH ARE NOT LIGHT EMITTING」)および2005年11月16日に提出された米国の通常出願第11/274,918号は、ポリマーの説明、図面、および特許請求の範囲を含むそれらの全体が参照により本明細書に組み入れられる。
合成方法、ドーピング、および側基を有するレジオレギュラーポリチオフェンを含むポリマー特性は、例えば、参照によりその全体が本明細書に組み入れられる、McCulloughらに対して付与された米国特許第6,602,974号およびMcCulloughらに対して付与された米国特許第6,166,172号において提供されている。更なる説明は、参照によりその全体が本明細書に組み入れられる、Richard D. McCulloughによる論文「The Chemistry of Conducting Polythiophenes」(Adv. Mater. 1998, 10, No.2, pages 93-116)およびこの論文で挙げられている参考文献において見出すことができる。当業者が使用できる他の参考文献は、参照によりその全体が本明細書に組み入れられるMcCulloughらによるHandbook of Conducting Polymers(2nd Ed. 1998, Chapter 9)、「Regioregular, Head-to-Tail Coupled Poly(3-alkylthiophene) and its Derivatives」pages 225-258である。この参考文献はまた、29章、823〜846ページで、「Electroluminescence in Conjugated Polymers」を記載しており、これは参照によりその全体が本明細書に組み入れられる。
さらに、参照によりその全体が本明細書に組み入れられるThe Encyclopedia of Polymer Science and Engineering, Wiley, 1990, pages 298-300には、ポリアセチレン、ポリ(p-フェニレン)、ポリ(p-フェニレン硫化物)、ポリピロール、およびポリチオフェンを含む導電性高分子が記載されている。この参考文献はまた、ブロックコポリマー形成を含むポリマーの共重合および混合についても記載している。
ポリチオフェンは、例えば、Roncali, J., Chem. Rev. 1992, 92, 711；Schopf et al., Polythiophenes：Electrically Conductive Polymers, Springer：Berlin, 1997に記載されている。
高分子半導体は、例えば、参照によりその全体が本明細書に組み入れられる、Katzらによる「Organic Transistor Semiconductors」(Accounts of Chemical Research, vol. 34,no. 5, 2001, pages 365-367を含む第359頁)に記載されている。
ブロックコポリマーは、例えば、NoshayおよびMcGrathによるBlock Copolymers, Overview and Critical Survey(Academic Press, 1977)に記載されている。例えば、この教科書は、A-Bジブロックコポリマー(第5章)、A-B-Aトリブロックコポリマー(第6章)、および、(AB)n-マルチブロックコポリマー(第7章)について記載しており、これらは、本発明におけるブロックコポリマータイプの基本となり得る。
ポリチオフェンを含む更なるブロックコポリマーは、例えば、参照によりその全体が本明細書に組み入れられるFrancois et. al., Synth. Met. 1995, 69, 463-466；Yang et al., Macromolecules 1993, 26, 1188-1190；Widawski et al., Nature(London), vol. 369, June 2, 1994, 387-389；Jenekhe et al., Science, 279, March 20, 1998, 1903-1907；Wang et al., J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 6855-6861；Li et al., Macromolecules 1999, 32,3034-3044；Hempenius et al., J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 2798-2804に記載されている。
一般的なエレクトロルミネセントデバイスおよび共役ポリマー
本発明は、特に、固有導電性ポリマーまたはコポリマー、ドーパント系、および平坦化剤からなり、これらの全てが非水溶液として形成できかつエレクトロルミネセントデバイスの層として適用できる正孔注入層または正孔輸送層(HILまたはHTLが置き換え可能に使用される)システムを提供する。本発明は、エレクトロルミネセントデバイスを形成する方法およびエレクトロルミネセントデバイスを使用する方法も提供する。
本発明は、特に、固有導電性ポリマーまたはコポリマー、ドーパント系、および平坦化剤からなり、これらの全てが非水溶液として形成できかつエレクトロルミネセントデバイスの層として適用できる正孔注入層または正孔輸送層(HILまたはHTLが置き換え可能に使用される)システムを提供する。本発明は、エレクトロルミネセントデバイスを形成する方法およびエレクトロルミネセントデバイスを使用する方法も提供する。
エレクトロルミネセントデバイスにおけるこのシステムの使用は、例えば、デバイスのルミネセンスの増大；低い閾値電圧；長い寿命；デバイス製造中における材料および構成要素の容易なプロセス可能性；エレクトロルミネセントデバイスにおいて正孔注入層または正孔輸送層を適用するためにスピンキャスティング技術、ドロップキャスティング技術および印刷技術を使用できる能力；より柔軟なエレクトロルミネセントデバイスを作ることができる能力；軽量なエレクトロルミネセントデバイスを作ることができる能力；および低コストなエレクトロルミネセントデバイスを作ることができる能力などの幾つかの望ましい特性を与える。
本発明の目的のため、エレクトロルミネセントデバイスは、電流を電磁放射線に変換する電気化学デバイスであってもよい。そのようなデバイスの価値は、それが低い電圧および最小の放射熱で光を生成する効率的な方法であるという点である。これらのデバイスは、現在、多くの家庭用電化製品において使用されている。一般的に言えば、これらのデバイスは有機発光ダイオードまたはOLEDと呼ぶことができる。
OLEDは、最初、1990年代の初期に設計され、比較的簡単な構造に基づいており、エレクトロルミネセント(EL)ポリマーの薄層は一対の電極の間に封入されていた((a)Burroughes, J. H.；Bradley, D. D. C.；Brown, A. R.；Marks, R. N.；MacCay, K.；K. Friend, R. H.；Burn, P. L.；Holmes, A. B. Nature 1990, 347, 539. (b)Friend, R. H.；Bradley, D. D. C.；Holmes, A. B. Physics World 1992, 5, 42)1。本発明は理論によって制限されないが、電圧が電極に印加されるときに、プラス(アノード)電極およびマイナス(カソード)電極は、正孔および電子のそれぞれのEL共役ポリマー中への注入を行なうことができる。ELポリマー層において、電子および正孔は、印加された電界内で互いの方に向かって移動するとともに、組み合わさって、光子(一般に、可視範囲の波長を伴う)を発することにより発光して基底状態へと緩和することができる束縛励起状態である励起子を形成する。このプロセスはエレクトロルミネセンスとも呼ばれている。しかしながら、これらの初期の比較的簡単なデバイスは特に効率的ではない。すなわち、これらのデバイスは、注入される多数の電荷に対して僅かな数の光子しか発しない。OLED技術が発達するにつれて、電極/ポリマー界面のよりよい理解が、新たな更に高性能でかつ効率的なデバイスの開発をもたらしてきた。
現在のELデバイスは、一般に、図1に示されるように5つの構成要素、すなわち、アノードと、正孔注入/輸送層と、ELポリマーを含む電子輸送層(ETL)と、調整層と、カソードとを含む。典型的な材料が図1に示されている。
例えば、アノード、一般的には約100nm厚の高仕事関数材料は、プラスチック基板上またはガラス基板上にコーティングされたインジウム酸化スズ(ITO)によって形成することができる。ITO基板組成物は、光学的に透明であり、したがって、デバイスからの光の放射を可能にする。基板に対してITOを付加するために使用される蒸着方法により、デバイスの性能を制限するかまたは悪化させることになりかねない粗い不均一な表面が得られる。
カソードは、電子を簡単に注入できるようにカルシウムやアルミニウムのような低仕事関数材料によって形成することができる。カソードは少なくとも100〜200nm厚にすることができる。
カソードは、数オングストローム厚の調整層、例えばカソードの寿命および性能を高めるアルカリ金属フッ化物(例えば0.3〜0.7nmのLiF)でコーティングすることができる。幾つかの場合では、カソードをプラスチック基板またはガラス基板などの支持面上にコーティングすることもできる。
従来のOLEDは、アノード面を平坦化しかつアノードからELポリマーへの正電荷(すなわち「正孔」)の移送を容易にする1つの層をITOとELポリマーとの間に含む。この層は、一般的には約60〜100nmの厚さであり、正孔注入層(HIL)または正孔輸送層(HTL)と称され得、共役導電性ポリマーまたは小さな有機分子によって形成することができる。
EL層またはETL層は、約100nmの厚さにすることができ、多くの場合、ポリ(フェニレンビニレン)、ポリ(フルオレン)材料、または小さな分子と有機遷移金属の複合体を含む。正孔と電子とが組み合わさると、これらは、一般的には光子を発することにより基底状態へと緩和して戻る励起子をELポリマー中に形成する。これらの材料は1.5〜3.0eVの伝導帯エネルギを有する。そのため、光は、一般的には可視範囲のスペクトルにある。したがって、これらの材料は、効率性に関して、および印加された電界内で電子と正孔とが結合するときにこれらの材料が光子を発する波長に関して選択される。
有機エレクトロルミネセントデバイスは様々な形態をとることができ、各形態は、積極的に先端研究および/または商品化が行なわれている。有機発光ダイオードの広範な技術について触れるためにしばしば使用される用語であるOLEDは、具体的には、一般に真空蒸着されるETLとして小さい有機分子を組み込むLEDにおいても使用される。一般に溶解処理される(インクに類似している)エレクトロルミネセントポリマーを含むLEDは、通常、PLED(ポリマー発光ダイオード)と称される。どの説明にも都合よく該当しない他の新規のデバイスも設計されている。例えば、EL材料と固体電解質との混合物は発光電気化学セル(LEEC)を形成する。用途の大部分において、EL層は、赤、緑、および青などの特定の色を発するように設計することができ、これらの色は、その後、組み合わせられ、ヒトの眼で見える色のフルスペクトルを形成することができる。さらに、EL層は、白色照明用途のために、またはフルカラーディスプレイ用途においてカラーフィルタ処理されるべく、白色光を発するように設計することができる。
OLEDは、フルカラーまたはモノクロのフラットパネルディスプレイを形成するために組み合わせることができる。これらは、互いに直角に堆積されるアノード材料とカソード材料とのストリップ間にHILおよびETLが挟まれるパッシブマトリクスディスプレイであってもよい。1つのアノードストリップと1つのカソードストリップを通じて流れる電流は、その交点に、ディスプレイ中の1つのピクセルとして光を発せさせる。OLEDは、各ピクセルにトランジスタを有する回路のバックプレーンがピクセル電流にしたがってそれぞれの個々のピクセルの輝度を制御するアクティブマトリクスディスプレイであってもよい。アクティブマトリクスディスプレイは、パッシブマトリクスディスプレイと同様、一般に、光が基板を通じて下方へ抜け出る「ボトム発光」デバイスである。アクティブマトリクスディスプレイにおいて、光はまた、トランジスタ回路を通過するか、またはトランジスタ回路の傍を通らなければならない。光がデバイスのカソードを通じて抜け出る、すなわち、トランジスタ回路を含む層および基板の反対方向で抜け出る、代わりの「トップ発光」構造も開発されている。
OLED性能測定
エレクトロルミネセントデバイスの性能は、発せられる光エネルギの強度(例えば、1平方メートル当たりのカンデラ、Cd/m2)、電流が光に変換される効率(例えば、1ワット入力当たりのルーメン出力、lumens/W)の測定によって、およびデバイスの寿命(例えば数千時間)によって決定することができる。発せられる光の色は、これらのデバイスの設計において重要な検討材料ともなり得る。
エレクトロルミネセントデバイスの性能は、発せられる光エネルギの強度(例えば、1平方メートル当たりのカンデラ、Cd/m2)、電流が光に変換される効率(例えば、1ワット入力当たりのルーメン出力、lumens/W)の測定によって、およびデバイスの寿命(例えば数千時間)によって決定することができる。発せられる光の色は、これらのデバイスの設計において重要な検討材料ともなり得る。
外部量子効率(ηEL)、すなわち、OLEDの1注入電子または正孔当たりで発せられる光子の数は、幾つかの要因、すなわち、光ルミネセンス(PL)効率、光アウトカップリング(ξ)、一重項-三重項比(rST)、再結合効率(γ)、および荷電平衡によって影響される。例えば、標準的なデバイス構造および黄色発光ポリ(フェニレンビニレン)(PPV)ポリマーは、4％の外部効率をもってこれらの要因を生み出すことが分かってきている。高い効率を得るためにこれらの要因を最適化することは、OLED製造メーカにおける主要目的である。
最近の研究は、発光π共役ポリマーを用いて構成される理想的な高輝度ELデバイスにおいて高いEL効率(ηEL)を得ることができる(25％より多いエネルギから光への変換)ことを示唆している。長いポリマー鎖を有するポリマー(高分子量)は、50％程度までパーセンテージを増大させることができた(Shuai, Z.；Beljonne, D.；Silbey, R. J.；Bredas, J. L. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 131)2。OLEDの外部量子効率ηELを決定するための理論的な方程式は以下の通りである。
ηEL＝ξγrSTηPL (方程式1)
ここで、ξはアウトカップリング効率であり、γは再結合効率であり、rSTは再結合荷電粒子から形成される三重項励起子(TE)に対する一重項励起子(SE)の比率であり、ηPLは光ルミネセンス(PL)量子収量である。この方程式を更に解明するため、次に、各パラメータについて簡単に説明する(Shinar, J. Organic Light-Emitting Devices, Springer-Verlag New-York, Inc. 2004, 30)3。
ηEL＝ξγrSTηPL (方程式1)
ここで、ξはアウトカップリング効率であり、γは再結合効率であり、rSTは再結合荷電粒子から形成される三重項励起子(TE)に対する一重項励起子(SE)の比率であり、ηPLは光ルミネセンス(PL)量子収量である。この方程式を更に解明するため、次に、各パラメータについて簡単に説明する(Shinar, J. Organic Light-Emitting Devices, Springer-Verlag New-York, Inc. 2004, 30)3。
アウトカップリング効率ξ(すなわち、デバイスの前面から発せられる光子の割合)は、エミッタ層nの屈折率に依存しており、A/n2に等しい。ここで、等方性ダイポールおよび面内ダイポールのそれぞれにおいて、A?0.75±0.1および1.2±0.1である。大きな屈折率のエミッタにおいて、およびカソードリフレクタの光学干渉に供されない等方性ダイポールにおいて、ξは約0.5/n2である(Kim, J.-S.；Ho, P. K. H.；Greenham, N. C.；Friend, R. H. J. Appl. Phys. 2000, 88, 1073)4。
再結合効率γは、単に、互いに組み合わさる電子および正孔の割合の指標である。再結合効率は、正孔および電子注入間のバランスの指標として説明することもでき、≦1の値を有する。これまで研究された比較的効率のよいOLEDにおいては再結合効率が1に近いということが論じられてきた(Kim, J.-S.；Ho, P. K. H.；Greenham, N. C.；Friend, R. H. J. Appl. Phys. 2000, 88, 1073)4。この要因は、様々な層の組成および厚さを変えることにより、およびこれらの変化に対するI(V)曲線およびIEL(V)曲線の応答をモニタすることにより最適化される。大部分のキャリア(通常は正孔)の強い注入により、効率が低下する。したがって、注入制限電流方式で作動するデバイスは非常に効率が高いと見なされる。
蛍光発光ポリマーは光放射において1つのSEを必要とする。ポラロン対の再結合から形成されるTEに対するSEのrST比率は、スピン統計から決定され、0.25に等しい。しかしながら、前述したように、最近の研究は、比率が理論的に予測されたものよりもかなり高くなる可能性があることを示唆している(Shuai, Z.；Beljonne, D.；Silbey, R. J.；Bredas, J. L. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 131)2。
各SEは、蛍光を発することができるか、または非放射性プロセスによって減衰する可能性がある。これは、非放射性減衰経路が多く存在する際には低いPL量子収量ηPLによって捕らえられる。多くの発光材料において、PL量子収量ηPLは、溶液中でほぼ100％に達するが、濃度が増大するにつれて降下する。これは「濃度消光」として公知のプロセスである。PPV等の発光(LE)ポリマーにおいては、ηPLが20％を越え、ジフェニル置換ポリアセチレンでは60％程度になる場合がある(Gontia, I.；Frolov, S. V.；Liess, M.；Ehrenfreund, E.；Vardeny, Z. V.；Tada, K.；Kajii, H.；Hidayat, R.；Fujii, A.；Yoshino, K.；Teraguchi, M.；Masuda, T. Phys. Rev. Lett. 1999, 82, 4058)5。
効率は重要であるが、PLEDの商品化のための他の重要な問題は、それらの長期にわたる安定性または寿命である。これは、発光材料、デバイスの安定性を向上させることにより(例えば、寿命は、カソードのタイプに大きく依存する)、および/または処理条件を向上させることにより高めることができる。
正孔注入技術
将来有望な進歩はあるものの、市販のLEDの性能は、様々な市場で広範囲に及ぶ商品化を引き起こすレベルには未だ達していない。効率向上、寿命の延長、および閾値電圧の低下におけるHILの役割は、商業上のの飛躍的進歩における重要な要因となり得る。OLEDの機能におけるHILの目的は、特に、(a)アノードから発光層への正孔の効率的な注入および輸送をこれらの2つの層間のエネルギギャップを埋めることにより可能にすること(Shinar, J. Organic Light-Emitting Devices, Springer-Verlag New-York, Inc. 2004, 9)3、(b)再結合(γ)を伴うことなくアノードへ電子が流入しないようにすることおよび発光層から電子が流出しないようにすること(Kraft, A.；Grimsdale, A. C.；Holmes, A. B. Angew. Chem. Int. Ed. 1998, 37, 403)6、(c)ITOアノードからELポリマーへの酸素拡散をブロックするとともに、分解酸化を防止すること(Shinar, J. Organic Light-Emitting Devices, Springer-Verlag New-York, Inc. 2004)3、ならびに(d)アノード表面を平坦化して、デバイス寿命および効率を低下させる層間の短絡を防止すること(de Kok, M.M.；Buechel, M.；Vulto, S. I. E.；van de Weijer, P.；Meulenkamp, E. A.；de Winter, S. H. P. M.；Mank, A. J. G.；Vorstenbosch, H. J. M.；Weijtens, C. H. L.；van Elsbergen, V. Phys. Stat. Sol. 2004, 201, 1342)7である。
将来有望な進歩はあるものの、市販のLEDの性能は、様々な市場で広範囲に及ぶ商品化を引き起こすレベルには未だ達していない。効率向上、寿命の延長、および閾値電圧の低下におけるHILの役割は、商業上のの飛躍的進歩における重要な要因となり得る。OLEDの機能におけるHILの目的は、特に、(a)アノードから発光層への正孔の効率的な注入および輸送をこれらの2つの層間のエネルギギャップを埋めることにより可能にすること(Shinar, J. Organic Light-Emitting Devices, Springer-Verlag New-York, Inc. 2004, 9)3、(b)再結合(γ)を伴うことなくアノードへ電子が流入しないようにすることおよび発光層から電子が流出しないようにすること(Kraft, A.；Grimsdale, A. C.；Holmes, A. B. Angew. Chem. Int. Ed. 1998, 37, 403)6、(c)ITOアノードからELポリマーへの酸素拡散をブロックするとともに、分解酸化を防止すること(Shinar, J. Organic Light-Emitting Devices, Springer-Verlag New-York, Inc. 2004)3、ならびに(d)アノード表面を平坦化して、デバイス寿命および効率を低下させる層間の短絡を防止すること(de Kok, M.M.；Buechel, M.；Vulto, S. I. E.；van de Weijer, P.；Meulenkamp, E. A.；de Winter, S. H. P. M.；Mank, A. J. G.；Vorstenbosch, H. J. M.；Weijtens, C. H. L.；van Elsbergen, V. Phys. Stat. Sol. 2004, 201, 1342)7である。
したがって、効率的なHILは、正孔および電子を更に均一に発光層中に凝縮させることができ、低い電力入力レベルでEL層における再結合を最大にするとともに、前述した殆どのカテゴリーにおいてあるいは全てのカテゴリーにおいてデバイス性能を高める。良好に付加された膜の高密度膜構造および形態は、EL/HIL界面への正孔移動の均一な伝導経路を提供し、これにより、ターンオン電圧を減少させることができるとともに、優れた発光性能を得ることができる(Chen, S.；Wang, C. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 765)8。
市販のHILは、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)：ポリスチレンスルホン酸塩(PEDOT-PSS)(de Kok, M.M.；Buechel, M.；Vulto, S. I. E.；van de Weijer, P.；Meulenkamp, E. A.；de Winter, S. H. P. M.；Mank, A. J. G.；Vorstenbosch, H. J. M.；Weijtens, C. H. L.；van Elsbergen, V. Phys. Stat. Sol. 2004, 201, 1342)7およびポリ(アニリン)：ポリスチレンスルホン酸塩(PANI-PSS)および小分子アリールアミン(Shirota, Y. K., Y.；Inada, H.；Wakimoto, T.；Nakada, H.；Yonemoto, Y.；Kawami, S.；Imai, K.；Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 807)9(例えば、N, N’-ジフェニル-N, N’-ビス(1-ナフチルフェニル)-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン(NPB))を含む。これらの技術は、OLEDデバイス性能および寿命に対して何らかのプラスの影響を与える。これは、限られた時間において、これらの技術がITOからの偶発的な酸素拡散による酸化からEL層を保護するからである。さらに、これらの技術はITO表面を平坦化し、それにより、デバイスの短絡が排除される。しかしながら、これらをHILとして使用することに対しては、最終的に性能、寿命を制限しかつOLEDの広範囲に及ぶ商品化を妨げる著しい欠点がある。これらの制限としては以下を挙げることができる：(a)PEDOT-PSSおよびPANI-PSSは、溶媒系プロセスのタクトタイムの15倍タクトタイムを増大させるゆっくりとした乾燥プロセスを必要とする水分散液である(Book, K. B.；Elschener, A.；Kirchmeyer, S. Organic Electronics 2003, 4, 227)10。さらに、ELポリマーおよびカソードの酸化により残留水がOLED劣化を促進させる場合がある(Kugler, T. ；Salaneck, W. R. ；Rost, H.；Holmes, A. B. Chem. Phys. Lett. 1999, 310, 391)11。(b)PEDOT-PSSは、OLEDデバイス中に堆積される際にガラス基板を湿らせるためにバインダを必要とする(Book, K. B.；Elschener, A.；Kirchmeyer, S. Organic Electronics 2003, 4, 227)10。(c)PEDOT-PSSおよびPANI-PSSの両方は、本質的にドープされ、酸化状態の非常に限られた維持可能性を与える。(d)加えて、PEDOT-PSSおよびPANI-PSSなどの従来のHILは本質的に酸性であり、それにより、ITOが劣化してインジウムを正孔輸送層中へ浸出させる((a)de Jong, M. P.；de Voigt, M. J. A.；Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 2255.(b)Schlatmann, A. R. ；Floet, D. W.；Hilberer, A.；Garten, F.；Smulders, P. J. M.；Klapwijk, T. M.；Hadziioannou, G. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 1764)12。(e)高価な真空蒸着プロセスによってアリールアミンを材料に対して付加しなければならない(Shirota, Y. K., Y.；Inada, H.；Wakimoto, T.；Nakada, H.；Yonemoto, Y.；Kawami, S.；Imai, K.；Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 807)9。(f)N, N’-ジフェニル-N, N’-ビス(3-メチルフェニル)-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン(TPD)などのアリールアミンは、形態安定性が乏しい傾向があり、ITO表面を適切に平坦化しない。(g)ポリカーボネートなどのポリマー中でアリールアミンを分散させて形態安定性を高めかつ膜形成を促進させることができるが、正孔輸送効率が大幅に減少される(Redecker, M. B.；Inbasekaran, M.；Wu, W, W.；Woo, E. P. Adv. Mater. 1999, 11, 241)13。これは、本質的に有効な正孔導体である高分子材料が、正孔輸送材料として小分子を使用する場合に対し劇的な向上であることを示している。
エレクトロルミネセントデバイスにおける次世代のp型ポリマー系HILは、向上した特性を示す必要がある。これらのシステムは、中性状態においてこれらのシステムが一般的な有機溶媒中に溶けることができかつスピンコーティング技術、ドロップキャスティング技術、浸漬コーティング技術、溶射技術、および印刷技術(インクジェット、オフセット、および転写コーティングなど)により短いタクトタイムで簡単に処理できるという点で利点をもたらすことができる。これらのHILシステムは、フレキシブルコンピュータスクリーン、フラットスクリーンディスプレイ、および屋外広告として有機エレクトロルミネセントデバイスにおける新たな用途を開く広域フォーマットで処理することができる。これらの材料は、中性状態で製造されるため、処理した後に用途に適するレベルまで酸化することができる。これは、デバイス設計において更に大きな自由度を与える。ポリマー系材料は、本明細書において更に説明する性能における幾つかの他の利点も与える。
HILシステム
本発明においては、システムの正孔注入要素として機能するICPセグメントを含む固有導電性ポリマー(ICP)またはオリゴマーまたはコポリマーと、正孔注入要素を希釈してHILのバルクを形成する平坦化剤と、正孔注入要素を酸化して、システムにおける正孔注入を抑えること(および、隣接するデバイス間で電流フローまたは「クロストーク」を防止すること)が最適となるように正孔注入要素の導電性を調整するドーピング物質とを含むHILシステムが提供される(Gong, X. M. D.；Moses, D.；Heeger, A. J.；Liu, S.；Jen, K. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 183)14。平坦化剤は、HILの光吸収度を減少させるのに役立つこともでき、それにより、それが適用されるOLEDの効率が高められる。更に、前述したHILシステムは、ITO表面を滑らかにする組織化マトリクスまたは超分子骨格として機能することができ、それにより、図2に典型的に示されるようにデバイス短絡が排除される。これらの構成要素の全ては、HILシステムをOLEDデバイスで適用できるようにする非水溶媒中に溶けることができる。
本発明においては、システムの正孔注入要素として機能するICPセグメントを含む固有導電性ポリマー(ICP)またはオリゴマーまたはコポリマーと、正孔注入要素を希釈してHILのバルクを形成する平坦化剤と、正孔注入要素を酸化して、システムにおける正孔注入を抑えること(および、隣接するデバイス間で電流フローまたは「クロストーク」を防止すること)が最適となるように正孔注入要素の導電性を調整するドーピング物質とを含むHILシステムが提供される(Gong, X. M. D.；Moses, D.；Heeger, A. J.；Liu, S.；Jen, K. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 183)14。平坦化剤は、HILの光吸収度を減少させるのに役立つこともでき、それにより、それが適用されるOLEDの効率が高められる。更に、前述したHILシステムは、ITO表面を滑らかにする組織化マトリクスまたは超分子骨格として機能することができ、それにより、図2に典型的に示されるようにデバイス短絡が排除される。これらの構成要素の全ては、HILシステムをOLEDデバイスで適用できるようにする非水溶媒中に溶けることができる。
特に、1つの態様は、少なくとも1つの以下の構成要素を含む正孔注入層または正孔輸送層において使用するための混合組成物を提供する：
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)少なくとも1つの平坦化剤、
ここで、構成要素は、非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約100nm厚未満、特に約2nm〜約100nm厚の正孔注入層の形態を成すときに適合混合物を形成するように配合される。
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)少なくとも1つの平坦化剤、
ここで、構成要素は、非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約100nm厚未満、特に約2nm〜約100nm厚の正孔注入層の形態を成すときに適合混合物を形成するように配合される。
組成物は、例えば、構成要素の量を変えること、異なる構造タイプの組み合わせを変えること、異なる混合条件を使用すること、異なる溶媒を使用すること、異なる膜形成条件を適用すること、異なる浄化方法を使用することなどを含めて、当技術分野において公知の方法により配合物へと配合することができる。
混合物は、それが過度の相分離によって特徴付けられないときに適合している可能性があり、正孔注入層として機能できる機能的に有用で機械的に安定した膜を形成する。適合混合物は当技術分野において公知である。例えば、米国特許第4,387,187号；第4,415,706号；第4,485,031号；4,898,912号；4,929,388号；第4,935,164号；および第4,990,557号を参照されたい。適合混合物は、混和性混合物である必要はないが、有用な機能を与えるために十分に混合されて安定しており、特に例えば約2nm〜約100nmの薄膜形態を成している。混合方法は、超音波処理または攪拌による、ナノサイズ粒子(一般的には、数十〜数百ナノメートル)へと分解される中性形態または酸化形態の予め溶解された導電ポリマーの、従来のポリマー(例えば、ポリスチレン(PS)、ポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)、ポリ(ビニルアセテート)(PVA))との溶液混合を含んでいてもよい。そのような混合物は、安定したポリマーマトリクス溶液の膜形成サブミクロン粒子の細かい分散を提供する。膜を調製し、スピンコーティングにより、適合性について解析することができる。
本発明において、ICPおよび平坦化剤は、ブロックコポリマーを含むコポリマーとして共有結合により結合させることができる。コポリマー構造の幾つかの例が図3に示されている。この態様においては、正孔注入層における使用のために、以下の構成要素のうちの少なくとも1つを含む組成物が提供される：
(i)平坦化剤に対して共有結合する、少なくとも1つの固有導電性ポリマー、および
(ii)導電性ポリマーのための少なくとも1つのドーパント、
ここで、構成要素は非水溶媒中で溶けることができ、組成物は、約2nm〜約100nm厚の正孔注入層の形態を成している。
(i)平坦化剤に対して共有結合する、少なくとも1つの固有導電性ポリマー、および
(ii)導電性ポリマーのための少なくとも1つのドーパント、
ここで、構成要素は非水溶媒中で溶けることができ、組成物は、約2nm〜約100nm厚の正孔注入層の形態を成している。
本発明において、HILシステムは、スピンコーティング、ドロップコーティング、浸漬コーティング、スプレーコーティングによって、またはインクジェット印刷、オフセット印刷などの印刷方法によって、あるいは、転写プロセスによって付加することができる。例えば、インクジェット印刷は、OtsukaおよびHebnerらに対して付与された米国特許第6,682,175号(Applied Physics Letters, 72, no.5, February 2, 1998, pages 519-521)に記載されている。
本発明においては、厚さが約10nm〜約50μm、典型的には厚さが約50nm〜約1μmの範囲であるHILシステムの膜としてのHILを提供することができる。他の態様においては、厚さを約10nm〜約500nmにすることができ、特に約10nm〜約100nmにすることができる。
本質的導電性ポリマー
本質的または固有導電性ポリマー(ICP)は、それらの共役骨格構造に起因して幾つかの条件下で高い導電性を示す有機ポリマーである(従来の高分子材料の導電性に対して)。正孔または電子の導体としてのこれらの材料の性能は、それらが酸化されるかまたは還元されるときに高まる。ICPの酸化(または還元)が低いと、プロセスはしばしばドーピングと称され、電子は、ラジカルカチオン(またはポラロン)を形成する価電子帯の最上位から除去される(あるいは、伝導帯の最下位に加えられる)。ポラロンの形成は、幾つかの単量体単位にわたって部分的な非局在化を形作る。更なる酸化時には、他の電子を別個のポリマーセグメントから除去することができ、それにより、2つの独立したポラロンが生じる。あるいは、不対電子を除去して、ジカチオン(またはバイポラロン)を形成することができる。印加磁場内において、ポラロンおよびバイポラロンの両方は、移動可能であるとともに、二重結合および単結合の再配列によってポリマー鎖に沿って移動できる。さらに、酸化状態におけるこの変化により、新たなエネルギ状態が形成される。このエネルギレベルは価電子帯中の残存電子の一部にアクセスでき、ポリマーが導体として機能できる。この共役構造の度合いは、半導体の平面構造を形成できるポリマー鎖の能力に依存している。これは、リング間からの共役がπ軌道の重なりに依存しているからである。特定のリングが平面性からねじられる場合には、重なり合いを生じることができず、共役バンド構造が乱される可能性がある。何らかの小さなねじれは、チオフェンリング間の重なり度合いがそれらの間のねじれ角のコサインとして変化するため、有害ではない。
本質的または固有導電性ポリマー(ICP)は、それらの共役骨格構造に起因して幾つかの条件下で高い導電性を示す有機ポリマーである(従来の高分子材料の導電性に対して)。正孔または電子の導体としてのこれらの材料の性能は、それらが酸化されるかまたは還元されるときに高まる。ICPの酸化(または還元)が低いと、プロセスはしばしばドーピングと称され、電子は、ラジカルカチオン(またはポラロン)を形成する価電子帯の最上位から除去される(あるいは、伝導帯の最下位に加えられる)。ポラロンの形成は、幾つかの単量体単位にわたって部分的な非局在化を形作る。更なる酸化時には、他の電子を別個のポリマーセグメントから除去することができ、それにより、2つの独立したポラロンが生じる。あるいは、不対電子を除去して、ジカチオン(またはバイポラロン)を形成することができる。印加磁場内において、ポラロンおよびバイポラロンの両方は、移動可能であるとともに、二重結合および単結合の再配列によってポリマー鎖に沿って移動できる。さらに、酸化状態におけるこの変化により、新たなエネルギ状態が形成される。このエネルギレベルは価電子帯中の残存電子の一部にアクセスでき、ポリマーが導体として機能できる。この共役構造の度合いは、半導体の平面構造を形成できるポリマー鎖の能力に依存している。これは、リング間からの共役がπ軌道の重なりに依存しているからである。特定のリングが平面性からねじられる場合には、重なり合いを生じることができず、共役バンド構造が乱される可能性がある。何らかの小さなねじれは、チオフェンリング間の重なり度合いがそれらの間のねじれ角のコサインとして変化するため、有害ではない。
有機導体としての共役ポリマーの性能は、半導体のポリマーの形態にも依存し得る。電子特性は、導電性およびポリマー鎖同士の鎖間電荷輸送に依存し得る。電荷輸送のための経路は、ポリマー鎖に沿うことができるか、または隣接する鎖間に存在することができる。鎖に沿う輸送は、リング間の二重結合性の大きさに対する電荷輸送部分の依存性に起因して平面骨格構造により促進させることができる。鎖間のこの伝導メカニズムは、π積層と呼ばれる平面のポリマーセグメントの積層、または励起子あるいは電子が脱離している鎖に近接する他の鎖への空間または他のマトリクスを通り抜けるあるいは「飛び越える」ことができる鎖間ホッピングメカニズムを伴うことができる。したがって、半導体のポリマー鎖の順序付けを促すことができるプロセスは、導電ポリマーの性能を高めるのに役立つことができる。ICPの薄膜の吸光特性が半導体で生じるπ積層の増大を反映することは周知である。
本発明においては、OLEDまたはPLED中にHIL材料としてICPを含むHILシステムが提供される。この用途におけるICPの適した例としては、レジオレギュラーポリ(3-置換チオフェン)およびその誘導体、ポリ(チオフェン)またはポリ(チオフェン)誘導体、ポリ(ピロール)またはポリ(ピロール)誘導体、ポリ(アニリン)またはポリ(アニリン)誘導体、ポリ(フェニレンビニレン)またはポリ(フェニレンビニレン)誘導体、ポリ(チエニレンビニレン)またはポリ(チエニレンビニレン)誘導体、ポリ(ビス-チエニレンビニレン)またはポリ(ビス-チエニレンビニレン)誘導体、ポリ(アセチレン)またはポリ(アセチレン)誘導体、ポリ(フルオレン)またはポリ(フルオレン)誘導体、ポリ(アリレン)またはポリ(アリレン)誘導体、あるいは、ポリ(イソチアナフタレン)またはポリ(イソチアナフタレン)誘導体が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
ポリマーの誘導体は、基本ポリマーの本質的な骨格構造を保持するが基本ポリマーにわたって構造的に修飾されるポリ(3-置換チオフェン)などの修飾ポリマーであってもよい。誘導体は、基本ポリマーと共にグループ化して、ポリマーの関連ファミリーを形成することができる。誘導体は、一般に、基本ポリマーの導電性などの特性を保持する。
米国特許第6,824,706号および米国特許出願第2004/0119049号(Merck)は、本発明で使用できる電荷輸送材料についても記載しており、これらの文献はそれらの全体が参照により本明細書に組み入れられる。
本発明において、これらの材料のコポリマーは、レジオレギュラーポリ(3-置換チオフェン)またはその誘導体、ポリ(チオフェン)またはポリ(チオフェン)誘導体、ポリ(ピロール)またはポリ(ピロール)誘導体、ポリ(アニリン)またはポリ(アニリン)誘導体、ポリ(フェニレンビニレン)またはポリ(フェニレンビニレン)誘導体、ポリ(チエニレンビニレン)またはポリ(チエニレンビニレン)誘導体、ポリ(ビス-チエニレンビニレン)またはポリ(ビス-チエニレンビニレン)誘導体、ポリ(アセチレン)またはポリ(アセチレン)誘導体、ポリ(フルオレン)またはポリ(フルオレン)誘導体、ポリ(アリレン)またはポリ(アリレン)誘導体、あるいは、ポリ(イソチアナフタレン)またはポリ(イソチアナフタレン)誘導体、および、CH2CHAr(Ar＝任意のアリールまたは官能基を有するアリール基)、イソシアン酸塩、エチレンオキシド、共役ジエン、CH2CHR1R(R1＝アルキル、アリール、またはアルキル/アリール官能基、およびR＝H、アルキル、Cl、Br、F、OH、エステル、酸またはエーテル)、ラクタム、ラクトン、シロキサン、およびATRPマクロイニシエータなどのモノマーから形成されるポリマーからなるセグメントなどの固有導電性ポリマー(ICP)として規定される材料のうちの一つまたは複数を組み込むブロックコポリマー、交互コポリマー、グラフトコポリマー、グラジエントコポリマー、およびランダムコポリマーであってもよい。
本発明において、コポリマーは、レジオレギュラーポリ(3-置換チオフェン)またはその誘導体、ポリ(チオフェン)またはポリ(チオフェン)誘導体、ポリ(ピロール)またはポリ(ピロール)誘導体、ポリ(アニリン)またはポリ(アニリン)誘導体、ポリ(フェニレンビニレン)またはポリ(フェニレンビニレン)誘導体、ポリ(チエニレンビニレン)またはポリ(チエニレンビニレン)誘導体、ポリ(アセチレン)またはポリ(アセチレン)誘導体、ポリ(フルオレン)またはポリ(フルオレン)誘導体、ポリ(アリレン)またはポリ(アリレン)誘導体、あるいは、ポリ(イソチアナフタレン)またはポリ(イソチアナフタレン)誘導体、ならびに一つまたは複数の共役単位を含むランダムなあるいは明確に定義されているコポリマーとの一つまたは複数の官能基を有するICPポリマーまたはオリゴマーのコポリマーを含むブロックなどの固有導電性ポリマー(ICP)のランダムなあるいは明確に定義されているコポリマーとして提供することができる。チオフェン誘導体のレジオレギュラーコポリマーの場合、コモノマーは、アルキル、アリール、アルキル-アリール、フルオロ、シアノ、または置換アルキル、アリールあるいはアルキル-アリール官能基をチオフェンリングの3-または4-位置のいずれかに含んでいてもよい。
レジオレギュラリティの度合いは、例えば、約90％以上、あるいは、約95％以上、あるいは、約98％以上、あるいは、約99％以上であり得る。レジオレギュラリティの度合いを測定するために、例えばNMRなどの当技術分野において公知の方法を使用できる。
マトリクス要素または平坦化剤
本発明では、正孔注入層または正孔輸送層のための平坦化などの必要とされる特性を与えるのに役立つマトリクス要素を使用することができる。平坦化剤を含むマトリクス要素は、正孔注入要素と混合されると、OLEDデバイス内のHILまたはHTL層の形成を容易にする。マトリクス要素はまた、HILシステムを適用するために使用される溶媒に溶けることができる。平坦化剤は、例えば、ポリ(スチレン)またはポリ(スチレン)誘導体、ポリ(ビニルアセテート)またはその誘導体、ポリ(エチレングリコール)またはその誘導体、ポリ(エチレンコビニルアセテート)、ポリ(ピロリドン)またはその誘導体(例えば、ポリ(1-ビニルピロリドンコビニルアセテート))、ポリ(ビニルピリジン)またはその誘導体、ポリ(メチルメタクリレート)またはその誘導体、ポリ(ブチルアクリレート)またはその誘導体などの有機ポリマー等のポリマーまたはオリゴマーを含んでいてもよい。より一般的には、平坦化剤は、CH2CHAr(Ar＝任意のアリールまたは官能基を有するアリール基)、イソシアン酸塩、エチレンオキシド、共役ジエン、CH2CHR1R(R1＝アルキル、アリール、またはアルキル/アリール官能基、およびR＝H、アルキル、Cl、Br、F、OH、エステル、酸またはエーテル)、ラクタム、ラクトン、シロキサン、およびATRPマクロイニシエータなどのモノマーから形成されるポリマーまたはオリゴマーを含み得る。
本発明では、正孔注入層または正孔輸送層のための平坦化などの必要とされる特性を与えるのに役立つマトリクス要素を使用することができる。平坦化剤を含むマトリクス要素は、正孔注入要素と混合されると、OLEDデバイス内のHILまたはHTL層の形成を容易にする。マトリクス要素はまた、HILシステムを適用するために使用される溶媒に溶けることができる。平坦化剤は、例えば、ポリ(スチレン)またはポリ(スチレン)誘導体、ポリ(ビニルアセテート)またはその誘導体、ポリ(エチレングリコール)またはその誘導体、ポリ(エチレンコビニルアセテート)、ポリ(ピロリドン)またはその誘導体(例えば、ポリ(1-ビニルピロリドンコビニルアセテート))、ポリ(ビニルピリジン)またはその誘導体、ポリ(メチルメタクリレート)またはその誘導体、ポリ(ブチルアクリレート)またはその誘導体などの有機ポリマー等のポリマーまたはオリゴマーを含んでいてもよい。より一般的には、平坦化剤は、CH2CHAr(Ar＝任意のアリールまたは官能基を有するアリール基)、イソシアン酸塩、エチレンオキシド、共役ジエン、CH2CHR1R(R1＝アルキル、アリール、またはアルキル/アリール官能基、およびR＝H、アルキル、Cl、Br、F、OH、エステル、酸またはエーテル)、ラクタム、ラクトン、シロキサン、およびATRPマクロイニシエータなどのモノマーから形成されるポリマーまたはオリゴマーを含み得る。
複数の非導電性ポリマーを配合物中に使用することができる。
本発明において、平坦化剤および正孔注入要素は、本明細書において説明した組成に類似する組成を有する非共役セグメントおよびICPセグメントを含むコポリマーによって表わすことができる(描かれた構造例について図3を参照されたい)。
本発明において、平坦化剤はまた、適用溶媒に溶けることができるが溶媒の除去時に蒸発しない「一過性でない」小分子であってもよい。平坦化剤は、アルキル、アリール、または官能基を有するアルキル、アリール特徴を有していてもよい。
HIL層に対する滑らかな表面の付与を容易にすることに加えて、マトリクス要素または平坦化剤は、抵抗性制御および透明性制御などの他の有用な機能を与えることもできる。平面性は、AFM測定を含む当技術分野において公知の方法によって決定できる。
ドーピング
HIL用途における固有導電性ポリマーの使用は、性能を高めることができる所望の導電状態を得るためにポリマーの制御された酸化すなわち「ドーピング」を伴う。酸化時、電子が価電子帯から除去される。酸化状態におけるこの変化により、新たなエネルギ状態が形成される。このエネルギレベルは価電子帯中の残存電子の一部にアクセスでき、ポリマーが導体として機能できる。
HIL用途における固有導電性ポリマーの使用は、性能を高めることができる所望の導電状態を得るためにポリマーの制御された酸化すなわち「ドーピング」を伴う。酸化時、電子が価電子帯から除去される。酸化状態におけるこの変化により、新たなエネルギ状態が形成される。このエネルギレベルは価電子帯中の残存電子の一部にアクセスでき、ポリマーが導体として機能できる。
導電性薄膜用途において、導電率は約1×10-8S/cm〜約104S/cmの範囲をとることができるが、最も一般的には、導電率は約1S/cm〜約500S/cmの範囲をとる。導電性薄膜の重要な特徴は、導電性薄膜が通常の使用条件下で数千時間にわたってそれらの導電率を保持しかつ高い温度および/または湿度で適切なデバイス応力試験を満たすという点である。これにより、活発な電荷移動性の動作範囲が促進され、ドーピング種の量および同一性を制御することにより特性を調整でき、ICPの一次構造の変化によりこれらの特性を調整できる能力が補完される。
導電特性を調整するために使用されてもよい多くの酸化剤が存在する。臭素、ヨウ素、および塩素などのハロゲン分子は幾つかの利点を与える。ポリマー膜をドーパントに対して曝す量を制御することにより、結果として得られる薄膜の導電率を制御できる。ハロゲンは、有機溶媒中でのそれらの高い蒸気圧および溶解度により、気相内または溶液中で適用されてもよい。ポリマーの酸化は、中性状態の溶解度に比べて材料の溶解度を著しく減少させる。それにもかかわらず、調製されてデバイス上にコーティングされる溶液もある。
他の例としては、鉄三塩化物、金三塩化物、ヒ素ペンタフッ化物、次亜鉛素酸塩のアルカリ金属塩、ベンゼンスルホン酸およびその誘導体、プロピオン酸、および他の有機カルボン酸およびスルホン酸などのプロトン酸、NOPF6またはNOBF4などのニトロソニウム塩、またはテトラシアノキノン、ジクロロジシアノキノンなどの有機酸化剤、およびヨードシルベンゼンおよびヨードベンゼンジアセテートなどの超原子価ヨウ素酸化剤が挙げられる。ポリマーはまた、ポリ(スチレンスルホン酸)などの酸または酸化力のあるあるいは酸性の機能を含むポリマーの付加によって酸化されてもよい。
酸化還元反応によってICPをドープするために、鉄三塩化物、金三塩化物、およびヒ素ペンタフッ化物などの幾つかのルイス酸酸化剤が使用されてきた。これらのドーパントは、結果として安定した導電膜を形成すると報告されてきた。これは、主に、金属塩化物の溶液に対するキャスト膜の処理によって達成されるが、ドープされた膜のキャスティングが可能であるにもかかわらず殆ど報告されていない。
ベンゼンスルホン酸およびその誘導体、プロピオン酸、他の有機カルボン酸およびスルホン酸などのプロトン性の有機酸および無機酸、ならびに硝酸、硫酸、および塩酸などの鉱酸は、ICPをドープするために使用できる。
NOPF6およびNOBF4などのニトロソニウム塩は、不可逆酸化還元反応で安定した一酸化窒素分子を生成する反応によりICPをドープするために使用できる。
テトラシアノキノン、ジクロロジシアノキノンなどの有機酸化剤、ならびにヨードシルベンゼンおよびヨードベンゼンジアセテートなどの超原子価ヨウ素酸化剤もICPをドープするために使用できる。
これらのドーパントは、それらの固有の化学的特性に応じて、固体、液体、気体であってもよい。ある場合には、これらのドーパントは、HIL配合物またはコーティングの熱可塑性成分との複合体を形成してもよくあるいは当該複合体として加えられてもよい。
他の態様は外気ドーピングである。この場合、ドーピング剤は、酸素、二酸化炭素、蒸気、浮遊酸、浮遊塩基または大気中の何らかの他の物質または周囲のポリマーから生じる。外気ドーピングは、例えば溶媒の存在や不純物の量などの要因に依存し得る。
非水性ドーピング
非水溶媒は特に制限されず、当技術分野において公知の溶媒を使用できる。ハロゲン化溶媒、ケトン、エーテル、アルカン、芳香族化合物、アルコール、エステルなどを含む有機溶媒を使用することができる。溶媒の混合物も使用できる。例えば、1つの溶媒が1つの構成要素の溶解を促進させてもよく、他の溶媒が異なる構成要素の溶解を促進させてもよい。さらに、共通の有機溶媒からの構成物質の処理により、有機試薬を劣化させてそれによりデバイス性能に大きな影響を及ぼすとともにその寿命を低下させるおそれがある望ましくない水依存性の副反応が抑制される。水は一般に好ましくはないが、ある場合には、望ましいドーパント特性を安定化させるために限られた量の水が存在してもよい。例えば、5wt％以下、1wt％以下、または0.1wt％以下の量で水を存在してもよい。これらの濃度での水の影響を決定するために組成物を検査することができる。加えて、OLED劣化を促進させるカソードおよびELポリマーを酸化させるための酸性成分の能力のために、それらの使用は一般に非常に望ましくない(Kugler, T. ；Salaneck, W. R. ；Rost, H.；Holmes, A. B. Chem. Phys. Lett. 1999, 310, 391)11。
非水溶媒は特に制限されず、当技術分野において公知の溶媒を使用できる。ハロゲン化溶媒、ケトン、エーテル、アルカン、芳香族化合物、アルコール、エステルなどを含む有機溶媒を使用することができる。溶媒の混合物も使用できる。例えば、1つの溶媒が1つの構成要素の溶解を促進させてもよく、他の溶媒が異なる構成要素の溶解を促進させてもよい。さらに、共通の有機溶媒からの構成物質の処理により、有機試薬を劣化させてそれによりデバイス性能に大きな影響を及ぼすとともにその寿命を低下させるおそれがある望ましくない水依存性の副反応が抑制される。水は一般に好ましくはないが、ある場合には、望ましいドーパント特性を安定化させるために限られた量の水が存在してもよい。例えば、5wt％以下、1wt％以下、または0.1wt％以下の量で水を存在してもよい。これらの濃度での水の影響を決定するために組成物を検査することができる。加えて、OLED劣化を促進させるカソードおよびELポリマーを酸化させるための酸性成分の能力のために、それらの使用は一般に非常に望ましくない(Kugler, T. ；Salaneck, W. R. ；Rost, H.；Holmes, A. B. Chem. Phys. Lett. 1999, 310, 391)11。
本発明において、利用される多くのポリマー溶解溶媒は、非常に親水性であり、極性があり、プロトン性である。しかしながら、幾つかの場合では、非水溶媒中に構成物質を溶かすことに加え(本発明は理論によって制限されないが)、後者は構成要素のうちの1つまたは全てを大きく分散させるだけでよい。例えば、固有導電性ポリマーは、非水溶媒中で真溶液を形成するのとは対照的に、大きく分散されるだけでよい。平坦化剤およびドーパントと混合されあるいは重合された均質に浮遊されるICPの固体は、容易に処理できかつOLEDにおける新規のHILの製造に適用できる非水システムを形成する。水-有機溶媒界面の欠如に起因して、基板およびOLED構成物質の両方の拡散限界が排除される。さらに、それにより、構成物質の濃度を制御しあるいは範囲を操作/調整することができ、または混合実験のデータベースを構築して最良のOLED性能を得ることができる。例えば、ICPは0.5％〜25wt％の量で存在することができ、平坦化剤は0.5％〜70wt％の量で存在することができ、ドーパントは、有機溶媒中における固体含有量が1.5％〜5wt％の状態で、0.5％〜5wt％の量で存在することができる。あるいは、ICPは0.5％〜25wt％の量で存在することができ、平坦化剤は0.5％〜80wt％の量で存在することができ、ドーパントは、有機溶媒中における固体含有量が1.5％〜5wt％の状態で、0.5％〜5wt％の量で存在することができる。
インクジェット印刷を含む配合および堆積方法については、例えば、LyonらのWO/02/069,119に記載されている。インク粘度は、例えば約10〜約20cpsなどのインクジェット印刷を可能にするように定めることができる。
デバイスおよび製造
OLEDデバイスを製造するために当技術分野において公知の方法を使用することができる。例えば、実施例に記載された方法を使用できる。輝度、効率、および寿命を測定するために、当技術分野において公知の方法を使用できる。
OLEDデバイスを製造するために当技術分野において公知の方法を使用することができる。例えば、実施例に記載された方法を使用できる。輝度、効率、および寿命を測定するために、当技術分野において公知の方法を使用できる。
輝度は、例えば、少なくとも250cd/m2、または少なくとも500cd/m2、または少なくとも750cd/m2、または少なくとも1000cd/m2にすることができる。
効率は、例えば、少なくとも0.25Cd/A、または少なくとも0.45Cd/A、または少なくとも0.60Cd/A、または少なくとも0.70Cd/A、または少なくとも1.00Cd/Aにすることができる。
寿命は、50mA/cm2において時間で測定することができ、例えば、少なくとも900時間、または少なくとも1,000時間、または少なくとも1,100時間、または少なくとも2,000時間、または少なくとも5,000時間にすることができる。
輝度、効率、および寿命の組み合わせを達成することができる。例えば、輝度を少なくとも1,000cd/m2にすることができ、効率を少なくとも1.00Cd/Aにすることができ、寿命を少なくとも1,000時間、少なくとも2,500時間、または少なくとも5,000時間にすることができる。
Jonasらに対して付与された米国特許第4,959,430号に記載されたPEDOT材料などの制御材料を配合することができる。例えばBrunnerらのWO2004/072205にはカルバゾール化合物が記載されている。
以下の非限定的な実施例の使用をもって本発明を更に説明する。
実施例
実施例A：
PLED HTLの製造のために使用されるHILシステムを形成する一般的な手続きは以下の通りである：
1)使用前に、ピリジンが乾燥されて窒素下で水素化カルシウムから蒸留された。市販の化学物質、ポリ(ビニルピロリドン)ヨウ素複合体(PVP-I)がAldrich Chemical Co. ,Incから購入されて更なる浄化を伴うことなく使用された。これは、平坦化剤として使用されるとともに、ドーピング剤すなわちヨウ素分子のキャリアとしての機能も果たした。
2)Plexcore MP、可溶性レジオレギュラー3-置換ポリチオフェン(Plextronics,ピッツバーグ、ペンシルベニア州)がグリニャール転換(GRIM)法を使用して重合された(Lowe, R. S.；Khersonsky, S. M.；McCullough, R. D. Adv. Mater. 1999, 11, 250)15。一般に、使用される反応条件は、レジオレギュラーポリ(3-置換チオフェン)の重合において適用された反応条件と同じである。この場合、合成経路は、等モル量のグリニャール試薬 R’MgX(XはBrまたはClであってもよい)を用いた2,5-ジブロモ-3-置換チオフェンの処理を伴っている。Ni(dppp)Cl2の付加時、ポリマーは、濃紫色/青色の固体として非常にレジオレギュラーな(98％頭-尾結合より多い)ポリマーを与えるようにモノブロモ-ハロマグネシオ-3-置換チオフェンの選択結合によって形成される。一般に、GRIM重合は、比較的高い分子量(例えば、Mn＝18,000Da；Mw/Mn＝1.6)のPlexcore MPを生じる。重合は鎖成長メカニズムによって進行するため((a)Sheina, E. E.；Liu, J.；Iovu, M. C. ；Laird, D. W.；McCullough, R. D. Macromolecules 2004, 37, 3526.(b)Yokoyama, A.；Miyakoshi, R.；Yokozawa, T. Macromolecules 2004, 37, 1169)16、様々な分子量のポリマーを簡単に合成することができる。さらに、ポリマー骨格中に異なる置換基を組み込むことにより、多くの一般的な有機溶媒に容易に溶けることができかつ優れた膜形成能力を有するポリマーが得られる。
3)平坦な底部を有する乾燥した500mLのワンネックフラスコにN2が浴びせかけられるとともにPlexcore MP(2.95g)およびピリジン(441mL)が充填された。これにはメスシリンダを介して溶媒が加えられた。
4)40分〜1時間にわたってポリマー溶液が超音波分解された。この場合、超音波分解槽が約62℃まで予熱された。溶解されたポリマーはポリテトラフルオロエチレン(PTFE)0.45μmフィルタにより濾過された。
5)PVP-I(8.85g、3ポーション〜1ポーションのPlexcore MPがポーションに加えられた)(注記：構成要素は、付加間で1分間にわたり「渦流ミキサ」を使用してかき混ぜられた)。
6)乾燥した4オンス(125mL)琥珀色ガラス容器にN2が浴びせかけられて100mLの濾過されたHIL溶液が加えられた。
7)容器は、電気的なテープでシールされるとともに、62℃で更に10分間にわたり超音波分解された。
実施例A：
PLED HTLの製造のために使用されるHILシステムを形成する一般的な手続きは以下の通りである：
1)使用前に、ピリジンが乾燥されて窒素下で水素化カルシウムから蒸留された。市販の化学物質、ポリ(ビニルピロリドン)ヨウ素複合体(PVP-I)がAldrich Chemical Co. ,Incから購入されて更なる浄化を伴うことなく使用された。これは、平坦化剤として使用されるとともに、ドーピング剤すなわちヨウ素分子のキャリアとしての機能も果たした。
2)Plexcore MP、可溶性レジオレギュラー3-置換ポリチオフェン(Plextronics,ピッツバーグ、ペンシルベニア州)がグリニャール転換(GRIM)法を使用して重合された(Lowe, R. S.；Khersonsky, S. M.；McCullough, R. D. Adv. Mater. 1999, 11, 250)15。一般に、使用される反応条件は、レジオレギュラーポリ(3-置換チオフェン)の重合において適用された反応条件と同じである。この場合、合成経路は、等モル量のグリニャール試薬 R’MgX(XはBrまたはClであってもよい)を用いた2,5-ジブロモ-3-置換チオフェンの処理を伴っている。Ni(dppp)Cl2の付加時、ポリマーは、濃紫色/青色の固体として非常にレジオレギュラーな(98％頭-尾結合より多い)ポリマーを与えるようにモノブロモ-ハロマグネシオ-3-置換チオフェンの選択結合によって形成される。一般に、GRIM重合は、比較的高い分子量(例えば、Mn＝18,000Da；Mw/Mn＝1.6)のPlexcore MPを生じる。重合は鎖成長メカニズムによって進行するため((a)Sheina, E. E.；Liu, J.；Iovu, M. C. ；Laird, D. W.；McCullough, R. D. Macromolecules 2004, 37, 3526.(b)Yokoyama, A.；Miyakoshi, R.；Yokozawa, T. Macromolecules 2004, 37, 1169)16、様々な分子量のポリマーを簡単に合成することができる。さらに、ポリマー骨格中に異なる置換基を組み込むことにより、多くの一般的な有機溶媒に容易に溶けることができかつ優れた膜形成能力を有するポリマーが得られる。
3)平坦な底部を有する乾燥した500mLのワンネックフラスコにN2が浴びせかけられるとともにPlexcore MP(2.95g)およびピリジン(441mL)が充填された。これにはメスシリンダを介して溶媒が加えられた。
4)40分〜1時間にわたってポリマー溶液が超音波分解された。この場合、超音波分解槽が約62℃まで予熱された。溶解されたポリマーはポリテトラフルオロエチレン(PTFE)0.45μmフィルタにより濾過された。
5)PVP-I(8.85g、3ポーション〜1ポーションのPlexcore MPがポーションに加えられた)(注記：構成要素は、付加間で1分間にわたり「渦流ミキサ」を使用してかき混ぜられた)。
6)乾燥した4オンス(125mL)琥珀色ガラス容器にN2が浴びせかけられて100mLの濾過されたHIL溶液が加えられた。
7)容器は、電気的なテープでシールされるとともに、62℃で更に10分間にわたり超音波分解された。
実施例B：
PLED HTLの製造のためにHILシステムを回転させる一般的な手続き
なお、この実施例で与えられている全ての工程は、好ましくはクリーンルーム雰囲気中で行なわれるべきである。
PLED HTLの製造のためにHILシステムを回転させる一般的な手続き
なお、この実施例で与えられている全ての工程は、好ましくはクリーンルーム雰囲気中で行なわれるべきである。
ポリマー混合溶液がITO表面上に堆積される前に、以下の手続き(注記：各工程は20分の長さである)にしたがってITO表面の事前調整が行なわれる：
1)洗浄力のあるDI水を用いた基板の超音波(US)攪拌。
2)DI水を用いた基板のUS攪拌。
3)アセトンを用いた基板のUS攪拌。
4)イソプロピルアルコールを用いた基板のUS攪拌。
5)乾燥窒素を用いて各基板を1つずつブロー乾燥させる。
6)120℃に設定された真空オーブンへ基板を移動させ、実験のために使用されるまで不完全真空下に維持する(窒素流がオーブンをパージする)。
7)実験前の20分間にわたるオゾン処理。
1)洗浄力のあるDI水を用いた基板の超音波(US)攪拌。
2)DI水を用いた基板のUS攪拌。
3)アセトンを用いた基板のUS攪拌。
4)イソプロピルアルコールを用いた基板のUS攪拌。
5)乾燥窒素を用いて各基板を1つずつブロー乾燥させる。
6)120℃に設定された真空オーブンへ基板を移動させ、実験のために使用されるまで不完全真空下に維持する(窒素流がオーブンをパージする)。
7)実験前の20分間にわたるオゾン処理。
さらに、ポリマー混合溶液がITO表面上に堆積される前に、PTFE0.45μmフィルタによるポリマー溶液の濾過が行なわれる。ポリマー混合溶液をフィルタに通過させるために圧力の増大が必要とされる場合には、フィルタを交換しなければならない。
一般に、ITOパターン基板上に対するスピンコーティング後におけるHILの厚さは、回転速度、回転時間、基板サイズ、基板表面の質、およびスピンコータのデザインなどの幾つかのパラメータによって決定される。したがって、特定の層厚を得るための一般規則を設けることが省かれる。一例として、均一に分散されるポリマー混合溶液の膜を得るために以下の条件が適用され、それに応じて、得られた結果が示されている。
1)基板サイズは、前述したように事前調整された2×2インチITOパターンガラス基板(Polytronics)であった。
2)約1〜2mLのポリマー混合溶液が殆どの基板表面を覆うように基板に対して塗布された。
3)スピンコーティング中に基板を4つの角部で保持する基板のための全周支持を行なうことを可能にした特注の受けチャックを有するスピンコータを使用して回転結果が得られた。
4)回転が2つの連続したサイクルに分割された。最初のサイクルは、基板表面全体にわたって溶液を均一に広げることができるように低い毎分回転数(RPM)で行なわれた(例えば、300RPMで1.2秒)。2番目の回転サイクルは、基板にわたって均一の層厚を得るために2600RPMで40秒間にわたり設定された。
5)スピンコーティング後、HIL層が100〜120℃で10分間にわたって空中のホットプレート上で乾燥される。
6)60〜65nmの層厚は、DekTak表面形状測定装置により測定され、基板の縁部で僅かな増大を伴って基板にわたり均一であることが分かった。
7)一般に、膜は透明であり(例えば、透過率(％T)は83％を越えた)かつ均質であった。
1)基板サイズは、前述したように事前調整された2×2インチITOパターンガラス基板(Polytronics)であった。
2)約1〜2mLのポリマー混合溶液が殆どの基板表面を覆うように基板に対して塗布された。
3)スピンコーティング中に基板を4つの角部で保持する基板のための全周支持を行なうことを可能にした特注の受けチャックを有するスピンコータを使用して回転結果が得られた。
4)回転が2つの連続したサイクルに分割された。最初のサイクルは、基板表面全体にわたって溶液を均一に広げることができるように低い毎分回転数(RPM)で行なわれた(例えば、300RPMで1.2秒)。2番目の回転サイクルは、基板にわたって均一の層厚を得るために2600RPMで40秒間にわたり設定された。
5)スピンコーティング後、HIL層が100〜120℃で10分間にわたって空中のホットプレート上で乾燥される。
6)60〜65nmの層厚は、DekTak表面形状測定装置により測定され、基板の縁部で僅かな増大を伴って基板にわたり均一であることが分かった。
7)一般に、膜は透明であり(例えば、透過率(％T)は83％を越えた)かつ均質であった。
更なる実施例
実施例1〜5における単一成分HILインクのための代表的な手順
DMF中のPlexcore MPの原液(0.8重量％)が用意された。この原液は、窒素雰囲気下で3時間にわたって110℃まで加熱された後、室温まで冷まして置かれた。この原液の7.5gが取り除かれて超音波槽内に30分間にわたって置かれた。その後、p-トルエンスルホン酸(またはDDBSA)が加えられ、溶液が超音波槽に30分間にわたって戻された。ポリ(4-ビニルピリジン)(またはポリ(4-ビニルフェノール))がDMF(またはDMF/Dowanol PMアセテート混合物)中で溶解されて超音波槽内に30分間置かれた。その後、2つの溶液が組み合わされて超音波槽内に30分間にわたって戻された。その後、溶液は0.45ミクロンPTFEシリンジフィルタに通された。その後、ジクロロジシアノキノンの溶液が濾過された溶液に対して加えられた(170mgのDDQが1.0mLのDMFに対して加えられた；0.1mLのこの溶液はシリンジを介して加えられた)。
Dowanol PMアセテートは1―メトキシ-2-プロパノールアセテートである。
実施例1〜5における単一成分HILインクのための代表的な手順
DMF中のPlexcore MPの原液(0.8重量％)が用意された。この原液は、窒素雰囲気下で3時間にわたって110℃まで加熱された後、室温まで冷まして置かれた。この原液の7.5gが取り除かれて超音波槽内に30分間にわたって置かれた。その後、p-トルエンスルホン酸(またはDDBSA)が加えられ、溶液が超音波槽に30分間にわたって戻された。ポリ(4-ビニルピリジン)(またはポリ(4-ビニルフェノール))がDMF(またはDMF/Dowanol PMアセテート混合物)中で溶解されて超音波槽内に30分間置かれた。その後、2つの溶液が組み合わされて超音波槽内に30分間にわたって戻された。その後、溶液は0.45ミクロンPTFEシリンジフィルタに通された。その後、ジクロロジシアノキノンの溶液が濾過された溶液に対して加えられた(170mgのDDQが1.0mLのDMFに対して加えられた；0.1mLのこの溶液はシリンジを介して加えられた)。
デバイス製造：
下記のデバイス製造は、一例として意図されており、決して該製造プロセス、デバイス構造(層の順序、数など)あるいは本発明で主張されるHIL材料以外の材料に対する本発明の限定を示唆するものではない。
下記のデバイス製造は、一例として意図されており、決して該製造プロセス、デバイス構造(層の順序、数など)あるいは本発明で主張されるHIL材料以外の材料に対する本発明の限定を示唆するものではない。
本明細書において説明したOLEDデバイスは、ガラス基板上に堆積されたインジウムスズ酸化物(ITO)表面上に形成された。0.9cm2のピクセル領域を画定するためにITO表面が予めパターニングされた。デバイス基板は、石鹸中で超音波処理により洗浄された後、それぞれ20分間蒸留水により洗浄された。この後、イソプロパノールのビーカー内で超音波処理が行なわれた。基板は、窒素流下で乾燥された後、300Wで動作するUV-オゾンチャンバにより20分間にわたって処理された。
洗浄された基板は、その後、正孔注入層でコーティングされた。コーティングプロセスは、スピンコータ上で行なわれたが、スプレーコーティング、インクジェット、密着焼付け、または結果として所望の厚さのHIL膜を得ることができる任意の他の堆積方法を用いて同様にかつ簡単に達成することができる。この後、本実施例では市販のポリ(p-フェニレンビニレン)(PPV)系蛍光ポリマーである発光層のスピンコーティングが行なわれた。ポリマー層は約70nm厚であると測定された。
その後、基板が真空チャンバへと移送され、この真空チャンバ内で物理蒸着法によりカソード層が堆積された。この実施例では、カソード層が2つの金属層の連続的な堆積により形成された。すなわち、5×10-7Torrのベース圧をもって、最初にCaからなる5nm層が堆積され(0.1nm/秒)、その後、Alからなる200nm層が堆積された(0.5nm/秒)。
このようにして得られたデバイスは、80W/cm2UV露光4分で硬化されたUV光硬化エポキシ樹脂により周囲状態に曝されることを防止するためにガラスカバースリップで密閉された。このようにして得られたデバイスが検査され、そのデータが表Iに示されている。
（表Ｉ）本発明で説明した異なる実施例のHIL材料からの寿命データ
＊加速寿命値、70℃で50mA/cm2
＊＊寿命は、初期値から推定され、したがって概算値である。
＊＊寿命は、初期値から推定され、したがって概算値である。
一連の、好ましい、番号が付された態様が与えられている。
態様
以下は、当業者により実施できる本発明の更なる好ましい態様を示している。
以下は、当業者により実施できる本発明の更なる好ましい態様を示している。
1)ICPと、平坦化剤と、非水溶媒に溶けることができるドーパントとを含むHILシステム。
2)ICPがレジオレギュラーポリ(3-置換チオフェン)またはその誘導体のうちの1つである態様＃1。
3)ICPがポリ(チオフェン)またはポリ(チオフェン)誘導体である態様＃1。
4)ICPがポリ(ピロール)またはポリ(ピロール)誘導体である態様＃1。
5)ICPがポリ(アニリン)またはポリ(アニリン)誘導体である態様＃1。
ICPがポリ(フェニレンビニレン)またはポリ(フェニレンビニレン)誘導体である態様＃1。
ICPがポリ(フェニレンビニレン)またはポリ(フェニレンビニレン)誘導体である態様＃1。
6)ICPがポリ(チエニレンビニレン)またはポリ(チエニレンビニレン)誘導体である態様＃1。
7)ICPがポリ(ビス-チエニレンビニレン)またはポリ(ビス-チエニレンビニレン)誘導体である態様＃1。
8)ICPがポリ(アセチレン)またはポリ(アセチレン)誘導体である態様＃1。
9)ICPがポリ(フルオレン)またはポリ(フルオレン)誘導体である態様＃1。
10)ICPがポリ(アリレン)またはポリ(アリレン)誘導体である態様＃1。
11)ICPがポリ(イソチアナフタレン)またはポリ(イソチアナフタレン)誘導体である態様＃1。
12)ICPが、モノマーCH2CHAr(Ar＝任意のアリールまたは官能基を有するアリール基)、イソシアン酸塩、エチレンオキシド、共役ジエンから形成されるポリマーからなるポリマーまたはオリゴマーセグメントとICPセグメントとのコポリマーである態様＃1〜11。
13)ICPが、CH2CHR1R(R1＝アルキル、アリール、またはアルキル/アリール官能基、R＝H、アルキル、Cl、Br、F、OH、エステル、酸またはエーテル)、ラクタム、ラクトン、シロキサン、およびATRPマクロイニシエータから形成されるポリマーからなるポリマーまたはオリゴマーセグメントとICPセグメントとのコポリマーである態様＃1〜11。
14)コポリマーがブロックコポリマーまたはオリゴマーである態様＃12〜13。
15)コポリマーが交互コポリマーまたはオリゴマーである態様＃12〜13。
16)コポリマーがグラフトコポリマーである態様＃12〜13。
17)コポリマーがグラジエントコポリマーである態様＃12〜13。
18)コポリマーがランダムコポリマーである態様＃12〜13。
19)平坦化剤がポリマーまたはオリゴマーを含む態様＃1〜18。
20)平坦化剤がポリ(スチレン)またはポリ(スチレン)誘導体である態様＃1〜18。
21)平坦化剤がポリ(ビニルアセテート)またはその誘導体である態様＃1〜18。
22)平坦化剤がポリ(エチレンコビニルアセテート)である態様＃21。
23)平坦化剤がポリ(エチレングリコール)またはその誘導体である態様＃1〜18。
24)平坦化剤はポリ(ピロリドン)またはその誘導体である態様＃1〜18。
25)平坦化剤がポリ(1-ビニルピロリドンコビニルアセテート)である態様＃24。
26)平坦化剤がポリ(ビニルピリジン)またはその誘導体である態様＃1〜18。
27)平坦化剤がポリ(メチルメタクリレート)またはその誘導体である態様＃1〜18。
28)平坦化剤がポリ(ブチルアクリレート)またはその誘導体である態様＃1〜18。
29)平坦化剤がCH2CHAr(Ar＝任意のアリールまたは官能基を有するアリール基)などのモノマーから形成されるポリマーまたはオリゴマーを含む態様＃1〜18。
30)平坦化剤がイソシアン酸塩である態様＃1〜18。
31)平坦化剤がエチレンオキシドである態様＃1〜18。
32)平坦化剤が共役ジエンである態様＃1〜18。
33)平坦化剤がCH2CHR1R(R1＝アルキル、アリール、またはアルキル/アリール官能基、およびR＝H、アルキル、Cl、Br、F、OH、エステル、酸またはエーテル)である態様＃1〜18。
34)平坦化剤がラクタムから誘導されるポリマーである態様＃1〜18。
35)平坦化剤がラクトンから誘導されるポリマーである態様＃1〜18。
36)平坦化剤がシロキサンから誘導されるポリマーである態様＃1〜18。
37)平坦化剤が小分子である態様＃1〜18。
38)ドーパントがハロゲン分子である態様＃1〜18。
39)ドーパントが鉄三塩化物または金三塩化物である態様＃1〜18。
40)ドーパントがヒ素ペンタフッ化物である態様＃1〜18。
41)ドーパントが次亜鉛素酸塩のアルカリ金属塩である態様＃1〜18。
42)ドーパントがプロトン酸である態様＃1〜18。
43)ドーパントが有機酸またはカルボン酸である態様＃1〜18。
44)ドーパントがニトロソニウム塩である態様＃1〜18。
45)ドーパントが有機酸化剤である態様＃1〜18。
46)ドーパントが超原子価ヨウ素酸化剤である態様＃1〜18。
47)ドーパントが高分子酸化剤である態様＃1〜18。
48)平坦化がドーパントと錯体を形成する態様＃1〜47。
49)平坦化剤およびICPがコポリマーとして結合される態様＃1〜48。
50)HILシステムが平坦化剤のための架橋剤を含む態様＃1〜49。
51)HILシステムがICPのための架橋剤を含む態様＃1〜50。
52)HIL膜が態様＃1〜51からキャスティングされる。
53)膜がスピンキャスティングによって形成される態様＃52。
54)膜がドロップキャスティングによって形成される態様＃52。
55)膜が浸漬コーティングによって形成される態様＃52。
56)膜がスプレーコーティングによって形成される態様＃52。
57)膜が印刷法によって形成される態様＃52。
58)印刷方法がインクジェット印刷である態様＃57。
59)印刷方法がオフセット印刷である態様＃57。
60)印刷方法が転写プロセスである態様＃57。
61)態様＃52〜60を組み込むデバイス。
62)態様＃1〜61を形成するための方法。
63)態様＃61の使用。
以下の33個の態様は、2005年2月10日に提出された優先権仮出願第60/651,211号に記載された。
態様1.
以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)少なくとも1つの平坦化剤
を含む、正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物であって、
該構成要素は、非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約100nm厚未満の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに適合混合物を形成するように配合される、混合組成物。
以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)少なくとも1つの平坦化剤
を含む、正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物であって、
該構成要素は、非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約100nm厚未満の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに適合混合物を形成するように配合される、混合組成物。
態様2.
固有導電性ポリマーがポリチオフェンである態様1に係る組成物。
固有導電性ポリマーがポリチオフェンである態様1に係る組成物。
態様3.
固有導電性ポリマーがレジオレギュラー3-置換ポリチオフェンである態様1に係る組成物。
固有導電性ポリマーがレジオレギュラー3-置換ポリチオフェンである態様1に係る組成物。
態様4.
固有導電性ポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーである態様1に係る組成物。
固有導電性ポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーである態様1に係る組成物。
態様5.
平坦化剤が合成ポリマーである態様1に係る組成物。
平坦化剤が合成ポリマーである態様1に係る組成物。
態様6.
組成物が約2nm〜約100nm厚の膜の形態を成している態様1に係る組成物。
組成物が約2nm〜約100nm厚の膜の形態を成している態様1に係る組成物。
態様7.
固有導電性ポリマーまたはコポリマー、平坦化剤、およびドーパントの量がそれぞれ、約0.5wt％〜約25wt％、約0.5wt％〜約70wt％、および約0.5wt％〜約5wt％である態様1に係る組成物。
固有導電性ポリマーまたはコポリマー、平坦化剤、およびドーパントの量がそれぞれ、約0.5wt％〜約25wt％、約0.5wt％〜約70wt％、および約0.5wt％〜約5wt％である態様1に係る組成物。
態様8.
固有導電性ポリマーまたはコポリマー、平坦化剤、およびドーパントの量がそれぞれ、約25wt％、約70wt％、および約5wt％である態様1に係る組成物。
固有導電性ポリマーまたはコポリマー、平坦化剤、およびドーパントの量がそれぞれ、約25wt％、約70wt％、および約5wt％である態様1に係る組成物。
態様9.
組成物が非水溶媒を更に含み、固有導電性ポリマーがレジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンであり、平坦化剤が合成ポリマーであり、構成物質は、非水溶媒中に固体含有量全体として約1.5wt％〜約5wt％の量で存在している態様1に係る組成物。
組成物が非水溶媒を更に含み、固有導電性ポリマーがレジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンであり、平坦化剤が合成ポリマーであり、構成物質は、非水溶媒中に固体含有量全体として約1.5wt％〜約5wt％の量で存在している態様1に係る組成物。
態様10.
固有導電性ポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーであり、非ポリチオフェンブロックが平坦化剤と実質的に類似している態様1に係る組成物。
固有導電性ポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーであり、非ポリチオフェンブロックが平坦化剤と実質的に類似している態様1に係る組成物。
態様11.
ドーパントが外気ドーパントとして存在している態様1に係る組成物。
ドーパントが外気ドーパントとして存在している態様1に係る組成物。
態様12.
アノードと、カソードと、正孔注入層または正孔輸送層とを含むエレクトロルミネセント(EL)デバイスであって、正孔注入層または正孔輸送層が、以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)少なくとも1つの平坦化剤
のうちの少なくとも1つを含む正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物を含み、
該構成要素は、非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約2nm〜約100nm厚の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに適合混合物を形成するように配合される、エレクトロルミネセント(EL)デバイス。
アノードと、カソードと、正孔注入層または正孔輸送層とを含むエレクトロルミネセント(EL)デバイスであって、正孔注入層または正孔輸送層が、以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)少なくとも1つの平坦化剤
のうちの少なくとも1つを含む正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物を含み、
該構成要素は、非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約2nm〜約100nm厚の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに適合混合物を形成するように配合される、エレクトロルミネセント(EL)デバイス。
態様13.
デバイスが調整層を更に含む態様12に係るELデバイス。
デバイスが調整層を更に含む態様12に係るELデバイス。
態様14.
固有導電性ポリマーまたはコポリマーがポリチオフェンである態様12に係るELデバイス。
固有導電性ポリマーまたはコポリマーがポリチオフェンである態様12に係るELデバイス。
態様15.
固有導電性ポリマーまたはコポリマーがレジオレギュラー置換ポリチオフェンである態様12に係るELデバイス。
固有導電性ポリマーまたはコポリマーがレジオレギュラー置換ポリチオフェンである態様12に係るELデバイス。
態様16.
固有導電性ポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーである態様12に係るELデバイス。
固有導電性ポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーである態様12に係るELデバイス。
態様17.
平坦化剤が合成ポリマーである態様12に係るELデバイス。
平坦化剤が合成ポリマーである態様12に係るELデバイス。
態様18.
以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)少なくとも1つの平坦化剤
のうちの少なくとも1つを含み、組み合わせることを含む、正孔注入層で使用するための組成物を形成する方法であって、構成要素(i)、(ii)および(iii)が非水溶媒に溶けることができる方法。
以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)少なくとも1つの平坦化剤
のうちの少なくとも1つを含み、組み合わせることを含む、正孔注入層で使用するための組成物を形成する方法であって、構成要素(i)、(ii)および(iii)が非水溶媒に溶けることができる方法。
態様19.
以下の構成要素、すなわち、
(i)平坦化剤に対して共有結合される少なくとも1つの固有導電性ポリマー、および
(ii)導電性のポリマーのための少なくとも1つのドーパント
のうちの少なくとも1つを含む、正孔注入層または正孔輸送層で使用するための組成物であって、
該構成要素が非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約2nm〜約100nm厚の正孔注入層の形態を成している、組成物。
以下の構成要素、すなわち、
(i)平坦化剤に対して共有結合される少なくとも1つの固有導電性ポリマー、および
(ii)導電性のポリマーのための少なくとも1つのドーパント
のうちの少なくとも1つを含む、正孔注入層または正孔輸送層で使用するための組成物であって、
該構成要素が非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約2nm〜約100nm厚の正孔注入層の形態を成している、組成物。
態様20.
以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)少なくとも1つの平坦化剤
から本質的になる、水の実質的存在を伴うことなく正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物であって、
該構成要素は、非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約100nm厚未満の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに適合混合物を形成するように水の実質的使用を伴うことなく配合される、混合組成物。
以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)少なくとも1つの平坦化剤
から本質的になる、水の実質的存在を伴うことなく正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物であって、
該構成要素は、非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約100nm厚未満の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに適合混合物を形成するように水の実質的使用を伴うことなく配合される、混合組成物。
態様21.
以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)ポリマーまたはコポリマーおよびドーパントとの混合物を形成するためのマトリクス要素
を含む、混合組成物を正孔注入層または正孔輸送層として含むエレクトロルミネセントデバイスであって、
構成要素が非水溶媒に溶けることができる、エレクトロルミネセントデバイス。
以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)ポリマーまたはコポリマーおよびドーパントとの混合物を形成するためのマトリクス要素
を含む、混合組成物を正孔注入層または正孔輸送層として含むエレクトロルミネセントデバイスであって、
構成要素が非水溶媒に溶けることができる、エレクトロルミネセントデバイス。
態様22.
以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)ポリマーまたはコポリマーおよびドーパントとの混合物を形成するためのマトリクス要素
を含む、エレクトロルミネセントデバイスで正孔注入層または正孔輸送層として使用するための組成物であって、
構成要素が非水溶媒に溶けることができる、組成物。
以下の構成要素、すなわち、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマー、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパント、および
(iii)ポリマーまたはコポリマーおよびドーパントとの混合物を形成するためのマトリクス要素
を含む、エレクトロルミネセントデバイスで正孔注入層または正孔輸送層として使用するための組成物であって、
構成要素が非水溶媒に溶けることができる、組成物。
態様23.
固有導電性ポリマーまたはコポリマーがポリチオフェンである態様22に係る組成物。
固有導電性ポリマーまたはコポリマーがポリチオフェンである態様22に係る組成物。
態様24.
固有導電性ポリマーまたはコポリマーがレジオレギュラー3-置換ポリチオフェンである態様22に係る組成物。
固有導電性ポリマーまたはコポリマーがレジオレギュラー3-置換ポリチオフェンである態様22に係る組成物。
態様25.
固有導電性ポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーである態様22に係る組成物。
固有導電性ポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーである態様22に係る組成物。
態様26.
マトリクス要素が合成ポリマーである態様22に係る組成物。
マトリクス要素が合成ポリマーである態様22に係る組成物。
態様27.
約2nm〜約100nm厚の膜の形態を成している態様22に係る組成物。
約2nm〜約100nm厚の膜の形態を成している態様22に係る組成物。
態様28.
固有導電性ポリマーまたはコポリマー、マトリクス要素、およびドーパントの量がそれぞれ、約0.5wt％〜約25wt％、約0.5wt％〜約70wt％、および約0.5wt％〜約5wt％である態様22に係る組成物。
固有導電性ポリマーまたはコポリマー、マトリクス要素、およびドーパントの量がそれぞれ、約0.5wt％〜約25wt％、約0.5wt％〜約70wt％、および約0.5wt％〜約5wt％である態様22に係る組成物。
態様29.
固有導電性ポリマーまたはコポリマー、マトリクス要素、およびドーパントの量がそれぞれ、約25wt％、約70wt％、約5wt％である態様22に係る組成物。
固有導電性ポリマーまたはコポリマー、マトリクス要素、およびドーパントの量がそれぞれ、約25wt％、約70wt％、約5wt％である態様22に係る組成物。
態様30.
非水溶媒を更に含み、固有導電性ポリマーがレジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンであり、マトリクスが合成ポリマーであり、構成物質は、非水溶媒中に固体含有量全体として約1.5wt％〜約5wt％の量で存在している態様22に係る組成物。
非水溶媒を更に含み、固有導電性ポリマーがレジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンであり、マトリクスが合成ポリマーであり、構成物質は、非水溶媒中に固体含有量全体として約1.5wt％〜約5wt％の量で存在している態様22に係る組成物。
態様31.
固有導電性ポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーであり、非ポリチオフェンブロックがマトリクス要素と実質的に類似している態様22に係る組成物。
固有導電性ポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルキル/アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーであり、非ポリチオフェンブロックがマトリクス要素と実質的に類似している態様22に係る組成物。
態様32.
ドーパントが外気ドーパントとして存在している態様22に係る組成物。
ドーパントが外気ドーパントとして存在している態様22に係る組成物。
態様33.
態様22〜32に係る任意の組成物を含む正孔注入層または正孔輸送層を含むエレクトロルミネセントデバイス。
態様22〜32に係る任意の組成物を含む正孔注入層または正孔輸送層を含むエレクトロルミネセントデバイス。
以下の巻末注の文献1〜16は先に引用されている。
Claims (33)
- 非水溶媒中で溶けることができ、組成物が約200nm厚未満の正孔注入層または正孔輸送層の形態を成すときに適合混合物を形成するように配合される、以下の構成要素、
(i)少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマーと、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパントと、
(iii)合成ポリマーである少なくとも1つの平坦化剤とを含む、
正孔注入層または正孔輸送層で使用するための混合組成物であって、固有導電性ポリマーまたはコポリマーがレジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンである、混合組成物。 - 固有導電性ポリマーまたはコポリマーがホモポリマーである、請求項1記載の組成物。
- 固有導電性ポリマーまたはコポリマーがコポリマーである、請求項1記載の組成物。
- 固有導電性ポリマーまたはコポリマーがブロックコポリマーである、請求項1記載の組成物。
- 固有導電性ポリマーまたはコポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーである、請求項1記載の組成物。
- 固有導電性ポリマーまたはコポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーであり、非ポリチオフェンブロックが平坦化剤と実質的に類似している、請求項1記載の組成物。
- 層が約100nm厚未満である、請求項1記載の混合組成物。
- 約2nm〜約100nm厚の膜の形態を成している、請求項1記載の組成物。
- レジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンおよび平坦化剤の量がそれぞれ約0.5wt％〜約25wt％および約0.5wt％〜約70wt％である、請求項1記載の組成物。
- レジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンおよび平坦化剤の量がそれぞれ約0.5wt％〜約25wt％および約0.5wt％〜約80wt％である、請求項1記載の組成物。
- 平坦化剤が有機ポリマーである、請求項1記載の組成物。
- ドーパントが有機酸化剤を含む、請求項1記載の組成物。
- ドーパントが酸性ドーパントである、請求項1記載の組成物。
- ドーパントが有機酸化剤を含み、平坦化剤が有機ポリマーであり、レジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンおよび平坦化剤の量がそれぞれ約0.5wt％〜約25wt％および約0.5wt％〜約70wt％である、請求項1記載の組成物。
- ドーパントが有機酸化剤を含み、平坦化剤が有機ポリマーであり、レジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンおよび平坦化剤の量がそれぞれ約0.5wt％〜約25wt％および約0.5wt％〜約80wt％である、請求項1記載の組成物。
- アノードと、カソードと、正孔注入層または正孔輸送層とを含み、正孔注入層または正孔輸送層が請求項1記載の混合組成物を含む、エレクトロルミネセント(EL)デバイス。
- 請求項1記載の組成物をインクジェット印刷する工程を含む方法であって、組成物が有機溶媒を更に含む、方法。
- 以下の構成要素、
(i)非水溶媒に溶けることができる少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマーと、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパントと、
(iii)非水溶媒に溶けることができる合成ポリマーである少なくとも1つの平坦化剤とを含み、
固有導電性ポリマーまたはコポリマーが非水溶媒に溶けることができるレジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンである、約200nm厚未満である正孔注入層または正孔輸送層を含む、エレクトロルミネセントデバイス。 - 導電性ポリマーまたはコポリマーがホモポリマーである、請求項18記載のデバイス。
- 導電性ポリマーまたはコポリマーがコポリマーである、請求項18記載のデバイス。
- 固有導電性ポリマーまたはコポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーである、請求項18記載のデバイス。
- 固有導電性ポリマーまたはコポリマーは、ポリチオフェンブロックおよび非ポリチオフェンブロックを含む、レジオレギュラーアルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)、またはアリール-置換ポリチオフェンブロックコポリマーであり、非ポリチオフェンブロックが平坦化剤と実質的に類似している、請求項18記載のデバイス。
- 正孔注入層または正孔輸送層が約2nm〜約100nmの厚さである、請求項18記載のデバイス。
- レジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンおよび平坦化剤の量がそれぞれ約0.5wt％〜約25wt％および約0.5wt％〜約80wt％である、請求項18記載のデバイス。
- 平坦化剤が有機ポリマーである、請求項18記載のデバイス。
- ドーパントが有機酸化剤を含む、請求項18記載のデバイス。
- ドーパントが酸性ドーパントである、請求項18記載のデバイス。
- ドーパントが有機酸化剤を含み、平坦化剤が有機ポリマーであり、レジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンおよび平坦化剤の量がそれぞれ約0.5wt％〜約25wt％および約0.5wt％〜約70wt％である、請求項18記載のデバイス。
- ドーパントが有機酸化剤を含み、平坦化剤が有機ポリマーであり、レジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンおよび平坦化剤の量がそれぞれ約0.5wt％〜約25wt％および約0.5wt％〜約80wt％である、請求項18記載のデバイス。
- 以下の構成要素、
(i)非水溶媒に溶けることができるレジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンである少なくとも1つの固有導電性ポリマーまたはコポリマーと、
(ii)導電性のポリマーまたはコポリマーのための少なくとも1つのドーパントと、
(iii)非水溶媒に溶けることができる少なくとも1つの合成ポリマーとを含み、約200nm厚未満である正孔注入層または正孔輸送層を含む、エレクトロルミネセントデバイス。 - ドーパントが有機ドーパントである、請求項30記載のデバイス。
- 有機溶媒に溶けることができる約0.5wt.％〜約25wt.％の可溶性レジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンと、
有機溶媒に溶けることができる約0.5wt.％〜約70wt.％の有機ポリマーと、
有機酸化剤と、
有機溶媒とを含む、
正孔注入層または正孔輸送層用途のためのインク配合物。 - 有機溶媒に溶けることができる約0.5wt.％〜約25wt.％の可溶性レジオレギュラー3-置換アルコキシ-、エーテル、ポリ(エーテル)またはアリール-置換ポリチオフェンと、
有機溶媒に溶けることができる約0.5wt.％〜約80wt.％の有機ポリマーと、
有機酸化剤と、
有機溶媒とを含む、
正孔注入層または正孔輸送層用途のためのインク配合物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US65121105P | 2005-02-10 | 2005-02-10 | |
| US60/651,211 | 2005-02-10 | ||
| PCT/US2006/004446 WO2006086480A2 (en) | 2005-02-10 | 2006-02-09 | Hole injection/transport layer compositions and devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008533701A JP2008533701A (ja) | 2008-08-21 |
| JP4975648B2 true JP4975648B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=36793683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007555192A Active JP4975648B2 (ja) | 2005-02-10 | 2006-02-09 | 正孔注入／輸送層組成物およびデバイス |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7569159B2 (ja) |
| EP (1) | EP1851048B1 (ja) |
| JP (1) | JP4975648B2 (ja) |
| KR (2) | KR101314877B1 (ja) |
| CN (1) | CN101679714B (ja) |
| MY (1) | MY140651A (ja) |
| TW (1) | TWI388432B (ja) |
| WO (1) | WO2006086480A2 (ja) |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG155966A1 (en) * | 2004-09-24 | 2009-10-29 | Plextronics Inc | Heteroatomic regioregular poly(3-substitutedthiophenes) in electroluminescent devices |
| JP4311380B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2009-08-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器 |
| JP2009523632A (ja) * | 2006-01-20 | 2009-06-25 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | ポリチオフェンを含む、静電気コーティングおよび物品 |
| EP2038940B1 (en) | 2006-06-13 | 2017-03-15 | Solvay USA Inc. | Organic photovoltaic devices comprising fullerenes and derivatives thereof |
| MY148477A (en) * | 2006-07-21 | 2013-04-30 | Plextronics Inc | Sulfonation of conducting polymers and oled, photovoltaic, and esd devices |
| TWI461457B (zh) * | 2006-09-01 | 2014-11-21 | Univ Carnegie Mellon | 通用格林納（ｇｒｉｎｇｎａｒｄ）易位聚合反應 |
| KR20090085051A (ko) * | 2006-10-02 | 2009-08-06 | 플렉스트로닉스, 인크 | 초-저비용 ｏｐｖ 모듈을 가지는 솔라 팜 |
| US20080216894A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-09-11 | Plextronics, Inc. | Quantum dot photovoltaic device |
| EP2201622B1 (en) * | 2007-10-18 | 2021-05-12 | Raynergy Tek Inc. | Conducting formulation |
| US8715606B2 (en) * | 2007-12-21 | 2014-05-06 | Plextronics, Inc. | Organic photovoltaic devices comprising fullerenes and derivatives thereof and improved methods of making fullerene derivatives |
| US20090221740A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-09-03 | Plextronics, Inc. | Novel compositions, methods, and polymers |
| JP5686341B2 (ja) | 2008-02-29 | 2015-03-18 | ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド | 組成物およびデバイス |
| JP5691029B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2015-04-01 | ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド | 改質平坦化剤およびデバイス |
| CN102850728B (zh) | 2008-04-11 | 2015-07-22 | 索尔维美国有限公司 | 掺杂共轭聚合物、器件及器件的制造方法 |
| WO2009152275A1 (en) | 2008-06-11 | 2009-12-17 | Plextronics, Inc. | Encapsulation for organic optoelectronic devices |
| GB2461527B (en) * | 2008-07-01 | 2011-08-03 | Limited Cambridge Display Technology | Organic electronic device |
| JP2012500500A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | 有機太陽電池の製造のための改善された溶媒システム |
| JP4604128B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2010-12-22 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子及び撮像素子 |
| US8828274B2 (en) * | 2008-10-27 | 2014-09-09 | Solvay Usa, Inc. | Polyarylamine ketones |
| KR101762964B1 (ko) | 2008-10-27 | 2017-07-28 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 전하 주입 및 수송 층 |
| WO2010059646A2 (en) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Plextronics, Inc. | Aminobenzene compositions and related devices and methods |
| US20100147386A1 (en) * | 2008-11-21 | 2010-06-17 | Plextronics, Inc. | Doped interfacial modification layers for stability enhancement for bulk heterojunction organic solar cells |
| KR20110118646A (ko) * | 2009-01-05 | 2011-10-31 | 플렉스트로닉스, 인크 | 유기 발광 다이오드 광선치료 조명 시스템 |
| CN102421858A (zh) | 2009-06-22 | 2012-04-18 | 默克专利有限公司 | 导电制剂 |
| EP2449561A2 (en) | 2009-06-30 | 2012-05-09 | Plextronics, Inc. | Polymers comprising at least one bithiophene repeat unit, methods synthetising said polymers and compositions comprising the same |
| JP5685778B2 (ja) | 2009-09-04 | 2015-03-18 | ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド | 光電池およびジケトンベースのポリマーを含む、有機電子素子およびポリマー |
| EP2471117B1 (en) * | 2009-09-29 | 2017-11-15 | Solvay USA Inc. | Organic electronic devices |
| JP5720671B2 (ja) | 2010-03-17 | 2015-05-20 | コニカミノルタ株式会社 | 有機電子デバイスおよびその製造方法 |
| JP5770268B2 (ja) | 2010-05-11 | 2015-08-26 | ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド | 共役ポリマーおよびデバイスのドーピング |
| KR101925157B1 (ko) | 2010-07-02 | 2018-12-04 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 정공 수송 조성물 및 관련 소자 및 방법 （ｉ） |
| WO2012058209A1 (en) | 2010-10-27 | 2012-05-03 | Plextronics, Inc. | Organic electronic devices, including organic photovoltaic devices, polymers, and monomers |
| WO2012078517A1 (en) | 2010-12-06 | 2012-06-14 | Plextronics, Inc. | Inks for solar cell inverted structures |
| US9376529B2 (en) | 2010-12-15 | 2016-06-28 | Solvay Usa Inc. | Fluoro monomers, oligomers, and polymers for inks and organic electronic devices |
| DE102011003192B4 (de) * | 2011-01-26 | 2015-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| KR101936978B1 (ko) | 2011-07-05 | 2019-01-09 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 수직 상-분리 반도체 유기 물질 층 |
| CN103959392B (zh) * | 2011-10-04 | 2016-12-07 | 索尔维美国有限公司 | 用于空穴注入和传输层的经改善的掺杂方法 |
| TWI555772B (zh) | 2011-10-21 | 2016-11-01 | 索爾維美國有限公司 | 經由氧化聚合之共軛聚合物之改良合成法及相關組合物 |
| WO2013078590A1 (zh) * | 2011-11-28 | 2013-06-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种聚合物电致发光器件及其制备方法 |
| US9112157B2 (en) | 2012-05-15 | 2015-08-18 | Solvay Usa, Inc. | Hole transport materials including OLED applications |
| US9083006B2 (en) | 2012-09-06 | 2015-07-14 | Solvay Usa, Inc. | Electroluminescent devices comprising insulator-free metal grids |
| CN104662062B (zh) * | 2012-09-25 | 2017-09-08 | 默克专利有限公司 | 包含导电聚合物的制剂及其在有机电子器件中的用途 |
| CN104218159A (zh) * | 2013-05-30 | 2014-12-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| WO2015041440A1 (ko) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 전남대학교산학협력단 | 일체형 전도성고분자 바인더조성물, 상기 바인더조성물 제조방법, 상기 바인더조성물을 포함하는 에너지 저장장치, 상기 바인더조성물로 형성된 감지부를 포함하는 센서, 및 상기 바인더조성물을 유효성분으로 포함하는 부식방지용 코팅조성물 |
| US20170362451A1 (en) * | 2014-12-15 | 2017-12-21 | Nissan Chemical Industries, Ltd., | Compositions containing hole carrier materials and poly(aryl ether sulfone)s, and uses thereof |
| US10435579B2 (en) | 2014-12-15 | 2019-10-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Compositions containing hole carrier materials and fluoropolymers, and uses thereof |
| KR102499662B1 (ko) | 2015-03-03 | 2023-02-15 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 정공 캐리어 화합물 및 중합체 산을 함유하는 조성물, 및 그의 용도 |
| WO2016171935A1 (en) | 2015-04-22 | 2016-10-27 | Solvay Usa Inc. | Non-aqueous compositions suitable for use in organic electronics |
| EP3325560A4 (en) | 2015-07-17 | 2019-03-27 | Nissan Chemical Corporation | NON-AQUEOUS INK COMPOSITIONS CONTAINING METALLIC NANOPARTICLES SUITABLE FOR USE IN ORGANIC ELECTRONICS |
| CN108463517B (zh) | 2016-01-20 | 2021-09-28 | 日产化学工业株式会社 | 包含过渡金属络合物的非水性油墨组合物及其在有机电子学中的用途 |
| WO2018000179A1 (en) * | 2016-06-28 | 2018-01-04 | Dow Global Technologies Llc | Process for making an organic charge transporting film |
| US20190330485A1 (en) | 2017-01-18 | 2019-10-31 | Nissan Chemical Corporation | Ink composition |
| TWI821170B (zh) | 2017-01-18 | 2023-11-11 | 日商日產化學工業股份有限公司 | 含有磺化共軛聚合物之非水系塗料組成物 |
| CN110770307A (zh) | 2017-06-20 | 2020-02-07 | 日产化学株式会社 | 非水性墨液组合物 |
| EP3858927A1 (en) | 2018-09-25 | 2021-08-04 | Nissan Chemical Corporation | Ink composition |
| CN110484058A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-11-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 墨水组合物 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0037181A1 (en) | 1980-03-25 | 1981-10-07 | Imperial Chemical Industries Plc | Compatible polymer blend compositions in the form of films comprising polyalkylene oxide and aromatic polyethersulphone |
| US4415706A (en) | 1982-11-10 | 1983-11-15 | Rohm And Haas Company | Compatible blends of polyglutarimides and polyamides |
| US4485031A (en) | 1983-09-12 | 1984-11-27 | The Dow Chemical Company | Compatible mixtures of aminated polyether polyols and low molecular weight glycols |
| DE3422316C2 (de) | 1984-06-15 | 1986-11-20 | Zipperling Kessler & Co (Gmbh & Co), 2070 Ahrensburg | Verfahren zur Herstellung von verformbaren Polymerblends aus elektrisch leitfähigen organischen Polymeren und/oder organischen Leitern, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie Verwendung der Polymerblends |
| DE3440617C1 (de) | 1984-11-07 | 1986-06-26 | Zipperling Kessler & Co (Gmbh & Co), 2070 Ahrensburg | Antistatische bzw. elektrisch halbleitende thermoplastische Polymerblends,Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
| DE3632369A1 (de) | 1986-09-24 | 1988-03-31 | Roehm Gmbh | Vertraegliche polymermischungen (i) |
| DE3843412A1 (de) | 1988-04-22 | 1990-06-28 | Bayer Ag | Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
| US4990557A (en) | 1988-08-01 | 1991-02-05 | The B. F. Goodrich Company | Mechanically compatible polyurethane/polyolefin thermoplastic polymeric blends |
| CA2152922A1 (en) * | 1992-12-29 | 1994-07-07 | Georges Hadziioannou | Multi-bloc copolymer based tunable light emitting diode, polymers suitable therefor and oligomers |
| US6107117A (en) * | 1996-12-20 | 2000-08-22 | Lucent Technologies Inc. | Method of making an organic thin film transistor |
| US6497969B2 (en) * | 1997-09-05 | 2002-12-24 | Nessdisplay Co., Ltd. | Electroluminescent device having an organic layer including polyimide |
| WO1999012989A1 (en) * | 1997-09-05 | 1999-03-18 | Cambridge Display Technology Ltd. | Compounds for electronic devices |
| RU2123773C1 (ru) * | 1998-04-20 | 1998-12-20 | Некоммерческое партнерство "Полимерная электроника" | Электролюминесцентное устройство и способ его изготовления |
| US6166172A (en) | 1999-02-10 | 2000-12-26 | Carnegie Mellon University | Method of forming poly-(3-substituted) thiophenes |
| US6372154B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-04-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Luminescent ink for printing of organic luminescent devices |
| GB0024294D0 (en) * | 2000-10-04 | 2000-11-15 | Univ Cambridge Tech | Solid state embossing of polymer devices |
| EP1364420B1 (en) | 2001-02-27 | 2012-10-10 | Cambridge Display Technology Limited | Formulation for depositing a material on a substrate using ink jet printing |
| US6824706B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-11-30 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrank Haftung | Mono-, Oligo- and poly-difluorovinyl-(hetero)arylenes, their synthesis and their use as charge transport materials |
| JP2003072068A (ja) | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Fuji Xerox Co Ltd | インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置 |
| US6602974B1 (en) | 2001-12-04 | 2003-08-05 | Carnegie Mellon University | Polythiophenes, block copolymers made therefrom, and methods of forming the same |
| JP4363050B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2009-11-11 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2003261654A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 導電性高分子及びその製造方法，並びに導電性高分子を含有する電気−光変換素子，電気・電子素子，光−電気変換素子及び電気配線板 |
| US7081210B2 (en) * | 2002-04-22 | 2006-07-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic semiconductor composition |
| JP2004161892A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 新規化合物およびこれを用いた有機電界発光素子 |
| US20040119049A1 (en) | 2002-12-04 | 2004-06-24 | Martin Heeney | Mono-, oligo- and poly-bis(thienyl) arylenes and their use as charge transport materials |
| CN1826840B (zh) * | 2002-12-19 | 2010-06-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其制造方法 |
| CN1748017A (zh) | 2003-02-12 | 2006-03-15 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 咔唑化合物及其在有机电致发光器件中的应用 |
| US7250461B2 (en) * | 2004-03-17 | 2007-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic formulations of conductive polymers made with polymeric acid colloids for electronics applications, and methods for making such formulations |
| US7455793B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-11-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Non-aqueous dispersions comprising electrically doped conductive polymers and colloid-forming polymeric acids |
| SG155966A1 (en) * | 2004-09-24 | 2009-10-29 | Plextronics Inc | Heteroatomic regioregular poly(3-substitutedthiophenes) in electroluminescent devices |
-
2006
- 2006-02-09 EP EP06720500.5A patent/EP1851048B1/en not_active Not-in-force
- 2006-02-09 CN CN2006800075641A patent/CN101679714B/zh active Active
- 2006-02-09 KR KR1020077020585A patent/KR101314877B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-09 JP JP2007555192A patent/JP4975648B2/ja active Active
- 2006-02-09 US US11/350,271 patent/US7569159B2/en active Active
- 2006-02-09 KR KR1020137007223A patent/KR101314985B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-09 WO PCT/US2006/004446 patent/WO2006086480A2/en active Application Filing
- 2006-02-10 MY MYPI20060573A patent/MY140651A/en unknown
- 2006-02-10 TW TW95104614A patent/TWI388432B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130057473A (ko) | 2013-05-31 |
| KR20070110343A (ko) | 2007-11-16 |
| CN101679714A (zh) | 2010-03-24 |
| CN101679714B (zh) | 2013-03-06 |
| EP1851048A4 (en) | 2010-06-02 |
| WO2006086480A3 (en) | 2009-04-30 |
| JP2008533701A (ja) | 2008-08-21 |
| TWI388432B (zh) | 2013-03-11 |
| KR101314985B1 (ko) | 2013-10-04 |
| MY140651A (en) | 2010-01-15 |
| WO2006086480A2 (en) | 2006-08-17 |
| TW200642847A (en) | 2006-12-16 |
| US7569159B2 (en) | 2009-08-04 |
| EP1851048A2 (en) | 2007-11-07 |
| EP1851048B1 (en) | 2016-06-29 |
| KR101314877B1 (ko) | 2013-10-04 |
| US20060175582A1 (en) | 2006-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4975648B2 (ja) | 正孔注入／輸送層組成物およびデバイス | |
| JP5041535B2 (ja) | エレクトロルミネセンス装置におけるヘテロ原子位置規則性ポリ（３−置換チオフェン） | |
| JP4122338B2 (ja) | 導電性ポリマーを含む分散液及びフィルム、並びにオプトエレクトロニックデバイス | |
| EP2350216B1 (en) | Charge injection and transport layers | |
| KR101516813B1 (ko) | 유기 전자 디바이스 | |
| Jiang et al. | Perfluorocyclobutane‐Based Arylamine Hole‐Transporting Materials for Organic and Polymer Light‐Emitting Diodes | |
| JP5770268B2 (ja) | 共役ポリマーおよびデバイスのドーピング | |
| CN107406714B (zh) | 含有空穴载体材料以及含氟聚合物的组合物及其用途 | |
| TWI375483B (en) | Organic material with a region including a guest material and organic electronic devices incorporating the same | |
| TW200829647A (en) | Sulfonation of conducting polymers and OLED, photovoltaic, and ESD devices | |
| KR20110099115A (ko) | 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| Ananthakrishnan et al. | Tuning polymer light-emitting device emission colors in ternary blends composed of conjugated and nonconjugated polymers | |
| CN107531887B (zh) | 含有空穴载体材料以及聚(芳基醚砜)的组合物及其用途 | |
| Gu et al. | Dual electroluminescence from a single‐component light‐emitting electrochemical cell, based on water‐soluble conjugated polymer | |
| Chen et al. | Connector Effect in Electroluminescent Properties of Poly (p‐phenylene vinylene) Derivatives Containing Triazole Chromophores | |
| GB2535698A (en) | Organic light-emitting polymer and device | |
| Mori et al. | Effect of Low-Molecular Component on Electroluminescent Properties of Polyfluorene Derivative | |
| Saowsupa | Synthesis and characterization of new poly (phenylene vinylene), polyfluorene, and poly (naphthalene vinylene) derivatives for use in organic light-emitting diode (OLED) devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110302 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110601 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110608 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110818 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111116 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120220 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120319 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120411 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4975648 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |