TWI388432B - 電洞注入／傳送層組合物及裝置 - Google Patents

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Description

電洞注入/傳送層組合物及裝置
本發明係關於電洞注入/傳送層組合物及裝置。
本發明大體而言係關於有機電致發光裝置及其組份，其利用當藉由外部電源轉移至其激發態而發光之有機小分子或聚合物。當正電荷及負電荷自相反電極流入電致發光材料中時產生激發態。在一電極與電致發光材料之間形成一層之電洞注入及/或電洞傳送材料可改良該裝置(HIL層或HTL層)之效率。該等裝置及材料多見於(例如)單色/有色平板顯示器、有機基發光二極體(OLEDS)、標誌牌及白熾燈。
改良當前現有裝置之效能具有極大的重要性，其包括提高該等裝置之效率、使用壽命、可調性以及組份之無腐蝕性及更佳的可處理性。特定言之，存在對於可容易地由有機溶劑處理而成且旋轉澆鑄至電極上以形成具有光滑的、平坦的表面之非常薄的膜之材料的要求。此外，壽命穩定性、批次至批次再現性(batch－to－batch reproducibility)、電阻率控制及此等特性之組合亦具有極其重要性。
大體而言，OLED材料及應用描述於Kraft等人之Angew.Chem.Int.Ed.,1998,37,402－428中。一篇報導展示在HIL應用中將導電性聚合物系統、PEDOT與另一種聚合物摻合之不令人滿意的結果。見Elschner等人(Bayer AG)之Asia Display,IDW '01，第1427－1430頁。一篇參考文獻描述關於類似系統中的酸度問題。見Gong等人，Applied Physics Letters,83,no.1,2003年7月7日，第183－185頁。聚合物發光裝置稱作PLED。
本發明描述可於有機電致發光裝置中作為電洞注入或電洞傳送層起作用之組合物。所提供之一優勢包括對於OLED裝置之更佳的壽命以及更佳的效率。本申請案包括組合物、製備組合物之方法、使用組合物之方法及由組合物製成之裝置。該等組合物可為濕潤的或乾燥的。提供可經塗布或印刷且乾燥至適宜之乾燥度而用於特定應用的墨水調配物。
一實施例提供一種用於電洞注入層或電洞傳送層中使用之摻合組合物，其包括下列組份：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物；(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑；及(iii)至少一種平坦劑，其中該平坦劑為合成聚合物；其中該等組份可溶於非水性溶劑且經調配以當該組合物為少於約200 nm厚之電洞注入層或電洞傳送層之形式時可形成一相容性摻合物。
另一實施例提供一種包括一電洞注入層或電洞傳送層之電致發光裝置，其包括下列組份：(i)至少一種可溶於非水性溶劑之本質導電性聚合物或共聚物；(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑；及(iii)至少一種平坦劑，其中該平坦劑為一種可溶於非水性溶劑之合成聚合物；其中該電洞注入層或電洞傳送層具有少於約200 nm之厚度。
一實施例提供一種用於一電洞注入層或電洞傳送層中使用之摻合組合物，其包括下列組份：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物，其中該本質導電性聚合物或共聚物為立體規則性3－取代聚噻吩；(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑；及(iii)至少一種平坦劑，其中該平坦劑為一種合成聚合物；其中該等組份可溶於非水性溶劑且經調配以當該組合物為少於約100 nm厚之電洞注入層或電洞傳送層時形成相容性摻合物。
非水性材料、非酸性材料及可調性材料可經調配以提供更佳的效能。該等材料之pH值可近乎中性且對發光聚合物及標準ITO材料幾乎無腐蝕性。無實質性水含量之有機溶劑基墨水可具有經改良之可處理性。可根據不同光發射體之使用需要來調整該可調性，該等不同光發射體包括不同色彩之發光體及發光體之摻合。可使用酸，但以不提供強腐蝕性效果之小劑量使用且不使用增加酸之腐蝕作用之水。
將2005年2月10日申請之先前臨時申請案60/651,211以引用的方式併入本文中，包括該臨時申請案60/651,211之概要部分、申請專利範圍、圖式及工作實例。一實施例提供一種用於在電洞注入或電洞傳送層中使用之摻合組合物，其包括下列組份中之至少一種：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物；(ii)零、一或多種用於該導電性聚合物或共聚物之氧化或還原摻雜材料；及(iii)零、一或多種基質組份，其中該等組份可溶於非水性溶劑且經調配以當該組合物為少於約200 nm厚及較佳地為少於100 nm厚之電洞注入或電洞傳送層之形式時，形成相容性摻合物。
另一實施例提供一種用於在電洞注入或電洞傳送層中使用之摻合組合物，其包括下列組份中之至少一種：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物；(ii)零、一或多種用於該導電性聚合物或共聚物之氧化或還原摻雜物；及(iii)零、一或多種緩衝劑或平坦劑，其中該等組份可溶於非水性溶劑且經調配以當該組合物為少於約200 nm厚及較佳地為少於100 nm厚之電洞注入或電洞傳送層之形式時形成相容性摻合物。
在一實施例中，本發明亦提供一種HIL/HTL系統，該系統包括導電性聚合物或共聚物、摻雜劑系統及平坦劑，該等所有皆經調配為非水性溶液及用作電致發光裝置之層。本發明亦提供製備電致發光裝置之方法及使用電致發光裝置之方法。可使用非水性溶劑之混合物。可使用非導電性組份之混合物。
在一實施例中，本發明之一基本的及新穎的特徵為：將電洞注入層調配為大體上無水、大體上無酸、大體上無殘留離子雜質或金屬雜質或大體上無上述之全部。
在以本發明之各種實施例實踐本發明中，可使用下列技術文獻之說明及各種組份。在該說明書之全文中所引用之參考(包括末文之列表)之全部內容以引用的方式併入本文中。
頒予Williams等人之於2004年9月24日申請之臨時專利申請案第60/612,640號("HETEROATOMIC REGIOREGULAR POLY(3－SUBSTITUTEDTHIOPHENES)FOR ELECTROLUMINESCENT DEVICES")及2005年9月26日申請之美國常規申請案第11/234,374號之全部內容(包括聚合物、圖式及申請專利範圍之描述)以引用的方式併入本文中。
頒予Williams等人之於2004年9月24日申請之臨時專利申請案第60/612,641號("HETEROATOMIC REGIOREGULAR POLY(3－SUBSTITUTEDTHIOPHENES)FOR PHOTOVOLTAIC CELLS")及2005年9月26日申請之美國常規申請案第11/234,373號之全部內容(包括聚合物、圖式及申請專利範圍之描述)以引用的方式併入本文中。
頒予Williams等人之於2004年11月17日申請之臨時專利申請案第60/628,202號("HETEROATOMIC REGIOREGULAR POLY(3－SUBSTITUTEDTHIOPHENES)AS THIN FILM CONDUCTORS IN DIODES WHICH ARE NOTLIGHT EMITTING")及2005年11月16日申請之美國常規申請案第11/274,918號之全部內容(包括聚合物、圖式及申請專利範圍之描述)以引用的方式併入本文中。
在(例如)頒予McCullough等人之美國專利第6,602,974號及頒予McCullough等人之第6,166,172號中提供合成方法、摻雜劑及聚合物特徵(包括具有側基之立體規則性聚噻吩)，該等專利之全部內容以引用的方式併入本文中。在Richard D.McCullough之文章"The Chemistry of Conducting Polythiophenes."(Adv.Mater.1998,10,No.2，第93－116頁)及其所引用之參考中可找到額外之描述，該文章之全部內容以引用的方式併入本文中。熟悉此項技術者可使用之另一參考為McCullough等人之Handbook of ConduCting Poly mers，第二版，1998，第9章，"Regioregular,Head－to－Tail Coupled Poly(3－alkylthiophene)and its Derivatives,"第225－258頁，其全部內容以引用的方式併入本文中。此參考亦描述於第823－846頁之第29章中，"Electroluminescence in Conjugated Polymers"，其全部內容以引用的方式併入本文中。
另外，包括聚乙炔、聚(對伸苯))、聚(對伸苯硫醚))、聚吡咯及聚噻吩之導電性聚合物亦描述於The Encyclopedia of Polymer Science and Engineering,Wiley,1990，第298－300頁中，其全部內容以引用的方式併入本文中。此參考亦描述包括嵌段共聚物形成之聚合物之摻合及共聚合。
例如在Roncali,J.,Chem.Rev.1992,92,711及Schopf等人之Polythiophenes：Electrically Conductive Polymers,Springer：Berlin,1997中描述聚噻吩。
在(例如)Katz等人之"Organic Transistor Semiconductors"(Accounts of Chemical Research,第34卷,no.5,2001，第359頁，包括第365－367頁)中描述聚合半導體，其全部內容以引用的方式併入本文中。
在(例如)Noshay及McGrath之Block Copolymers,Overview and Critical Survey，(Academic Press,1977)中描述嵌段共聚物。例如，此文章描述A－B雙嵌段共聚物(第5章)、A－B－A三嵌段共聚物(第6章)及－(AB)n －多嵌段共聚物(第7章)，其可形成本發明中之嵌段共聚物類型之基礎。
包括聚噻吩之額外嵌段共聚物描述於(例如)：Francois等人之Synth.Met.1995,69,463－466(其全部內容以引用的方式併入本文中)；Yang等人之Macromolecules 1993,26,1188－1190；Widawski等人之Nature(London)，第369卷，1994年6月2日,387－389；Jenekhe等人之Science,279,1998年3月20日,1903－1907；Wang等人之J.Am.Chem.Soc.2000,122,6855－6861；Li等人之Macromolecules 1999,32,3034－3044；Hempenius等人之J.Am.Chem.Soc.1998,120,2798－2804中。
電致發光裝置及共軛型聚合物概述
本發明提供一種電洞注入層或電洞傳送層(HIL或HTL，可交替地使用)系統，其包括本質導電性聚合物或共聚物、摻雜劑系統及平坦劑，此等所有皆可調配為非水性溶液且用作電致發光裝置之層。本發明亦提供製備電致發光裝置之方法及使用電致發光裝置之方法。
於電致發光裝置中使用此系統提供若干所需之特性，諸如(：裝置之增加的發光度；較低的臨限電壓；較長的使用壽命；在裝置製作期間材料及組份之易於可處理性；使用旋轉澆鑄法、墬落式澆鑄法(drop casting)及印刷技術以將電洞注入或電洞傳送層應用於電致發光裝置之能力；製備更具可撓性之電致發光裝置之能力；製備輕量電致發光裝置之能力；及製備低成本之電致發光裝置之能力。
出於本發明之目的，電致發光裝置可為將電流轉化成電磁輻射之電化學裝置。此裝置之價值在於：此為於低電壓及最小輻射熱下產生光之有效方法。目前發現此等裝置應用於許多消費性電子中。大體而言，此等裝置可稱作有機發光二極體或OLED。
OLED首次設計於20世紀90年代初期且基於相對簡單的結構，其中在一對電極之間封圍一電致發光(EL)聚合物薄層((a)Burroughes,J.H.；Bradley,D.D.C.；Brown,A.R.；Marks,R.N.；MacCay,K.；Friend,R.H.；Burn,P.L.；Holmes,A.B.Nature 1990,347,539.(b)Friend,R.H.；Bradley,D.D.C.；Holmes,A.B.Physics World 1992,5,42)1 。雖然本發明不由理論所限制，但當於電極上施加電壓時，正電極(陽極)及負電極(陰極)可分別提供將電洞及電子注入EL共軛聚合物中。在EL聚合物層中，電子與電洞在所施加之電場中朝向彼此移動且組合以形成激子，其為有限激發態，可藉由輻射地發出光子(通常具有可見光範圍內之波長)而衰減返回至基態。此過程亦稱作電致發光。然而，此等早期相對簡單之裝置不特定有效；其相對於所注入之電荷數發出很少的光子。隨著OLED技術發展，對於電極/聚合物界面之更好的理解已導致新的、更先進且有效之裝置之發展。
當前EL裝置一般包括如圖1中所述之五種元件：陽極、電洞注入/傳送層、包含EL聚合物之電子傳送層(EL)、調整層及陰極。圖1中註釋實例性材料。
例如，陽極，通常為約100 nm厚之高功函數材料，其可藉由銦錫氧化物(ITO)製成，可塗布於塑膠或玻璃基板上。ITO基板組合物視覺上為透明的且因此允許來自該裝置的光發射。將ITO塗覆於基板所使用之沉積方法導致可潛在地限制或削弱裝置之效能的粗糙、不均勻表面。
陰極可由諸如鈣或鋁低功函數金屬製成以便可容易地注入電子。陰極可為至少100－200 nm厚。
可用諸如鹼金屬氟化物(例如0.3－0.7 nm之LiF)之若干埃厚度調整層塗布陰極，其增加陰極之使用壽命及效能。在一些情況中，亦可將陰極塗布在一諸如塑膠或玻璃基板之支撐表面上。
習知之OLED在ITO與EL聚合物之間包括一層，其可使陽極表面平坦化及便於正電荷(或"電洞")自陽極轉移至EL聚合物。此層，通常為約60至100 nm厚，可稱作電洞注入層(HIL)或電洞傳送層(HTL)且可由共軛型導電性聚合物或有機小分子製成。
EL層或ETL可為約100 nm厚且一般包含聚(伸苯基乙烯)、聚(茀)材料或有機過渡金屬與小分子之錯合物。當電洞與電子組合時，其於EL聚合物中形成一激子，該激子通常藉由釋放出光子而衰減返回至基態。此等材料具有1.5－3.0 eV之導帶能量。因此，光一般在光譜之可見範圍內。因此，根據效率及當電子與電洞在所施加之電場中組合時發射光子之波長來選擇此等材料。
有機電致發光裝置可採用多種形式，各形式均有效地經歷先進研究及/或商品化。OLED，一通常用於指有機發光二極體之廣泛技術之術語，亦特定地用於併入有機小分子作為ETL(一般為真空沉積)之LED。包括通常經溶液處理(類似於墨水)之電致發光聚合物之LED共同稱作PLED(聚合物發光二極體)。存在正在設計之其它新穎的裝置，不便於一一說明。例如，EL材料與固體電解質之混合物形成發光電化學電池(LEEC)。為大多數之應用，可將EL層設計成能夠發出特定色彩(例如紅、綠及藍)，然後其可組合以產生如人眼所見之全部色譜。另外，亦可將EL層設計成發出白色光，或用於白熾燈應用或用於全色顯示器應用之色彩過濾。
OLED可經組裝以製造全色或單色平板顯示器。其可為被動矩陣顯示器，其中HIL與ETL夾在彼此正交沉積之陽極與陰極材料帶之間。流經一陽極及一陰極帶之電流導致交叉點作為顯示器中之一單個像素發光。OLED亦可為主動矩陣顯示器，其中存在一在各像素處具有電晶體之電路底板控制像素電流且因此控制各個別像素之明亮度。主動矩陣顯示器，如同被動矩陣顯示器，通常為"底部發射"裝置，其中光經由基板向下發出。在一主動矩陣顯示器中，光亦必須穿過電晶體電路或於電晶體電路旁邊通過。正在研究替代"頂部發射"結構，其中光經由裝置陰極發出，意即，在基板與含有電晶體電路之層的相反方向上發出。
量測OLED效能
藉由量測所發出之光能之強度(例如，每平方米燭光(candelas)，Cd/m2 )、電流轉化成光之效率(例如，每瓦特輸入流明(lumens)，lumens/W)及裝置之使用壽命(例如，數千小時)可測定電致發光裝置之效能。所發出之光的色彩亦為在設計該等裝置中之一重要的考慮因素。
外部量子效率(ηE L )，OLED之每注入電子或電洞所發出之光子之數目，係受若干因素影響：光致發光(PL)效率、光外耦合(light outcoupling)(ξ)、單態－三態比率(rS T )、重組效率(γ)及電荷平衡。例如，已顯示一標準裝置結構及發黃光聚(伸苯基乙烯)(PPV)聚合物給出具有4%外部效率之此等因素之產物。使此等因素最優化以獲得更高效率為OLED製造商之一主要目標。
近來研究提出在使用發光π－共軛型聚合物建構之理想的高亮度EL裝置中可達成高EL效率(ηE L )(能量轉化成光之轉化率大於25%)。具有更長聚合物鏈之聚合物(高分子量)可使百分比增加至高達50%(Shuai,Z.；Beljonne,D.；Silbey,R.J.；Bredas,J.L.Phys.Rev.Lett.2000,84,131)2 。用於測定OLED之外部量子效率ηE L 之理論等式為：ηE L ＝ξ γ rS T ηP L 等式1其中，ξ為外耦合效率，γ為重組效率，rS T 為自重組電荷載流子所形成之單態激子(SE)與三態激子(TE)之比率及ηP L 為光致發光(PL)量子產率。為進一步闡明此等式，將依次地簡要論述各參數(Shinar,J.Organic Light－Emitting Devices,Springer－Verlag New－York,Inc.2004,30)3 。
外耦合效率ξ(意即，自裝置之前表面所發出之光子一部分)係視發射層n之折射率而定且等於A/n2 ，其中對於各向同性偶極及平面內偶極(in－plane dipole)，A分別約等於0.75±0.1及1.2±0.1。對於具有大折射率之發射體及對於不經受陰極反射體光學干擾之各向同性偶極而言，ξ為約0.5/n2 (Kim,J.－S.；Ho,P.K.H.；Greenham,N.C.；Friend,R.H.J.Appl.Phys.2000,88,1073)4 。
重組效率γ為彼此組合之電子與電洞之一部分的簡單量測。亦可將其描述為電洞與電子注入之間的平衡之量測且具有小於等於1的值。在迄今所研究之相對有效之OLED中，重組效率接近於1已有爭論(Kim,J.－S.；Ho，P.K.H.；Greenham,N.C.；Friend,R.H.J.Appl.Phys.2000,88,1073)4 。藉由改變組合物及各層之厚度且監控I(V)及IE L (V)曲線對此等變化之響應來優化此因素。多數載流子(通常為電洞)之強烈注入導致效率降低。因此，將運作於有限注入電流體中的裝置視為高度有效。
螢光發射聚合物需要SE來發光。由極化子對之重組所形成之SE與TE的rS T 比率是由自旋統計學測定且等於0.25。然而，如以上所述，近來研究提出該比率可比理論預測值更高(Shuai,Z.；Beljonne,D.；Silbey,R.J.；Bredas,J.L.Phys.Rev.Lett.2000,84,131)2 。
各SE可或發螢光或經由非輻射過程衰變。此藉由PL量子產率ηP L 所捕獲，當有更多非輻射衰變路徑時，ηP L 值更低。在許多發光材料中，PL量子產率ηP L 於溶液中幾乎達到100%，但是其隨濃度增加而下降，稱作"濃度淬滅"過程。在發光(EL)聚合物中，諸如PPV，ηP L 超過20%及於經二苯基取代之聚乙炔中可高達60%(Gontia,I.；Frolov,S.V.；Liess,M.；Ehrenfreund,E.；Vardeny,Z.V.；Tada,K.；Kajii,H.；Hidayat,R.；Fujii,A.；Yoshino,K.；Teraguchi,M.；Masuda,T.Phys.Rev.Lett.1999,82,4058)5 。
雖然效率為重要的，但對於PLED之商品化之另一重要問題為其長期穩定性或使用壽命。此藉由改良發光材料、裝置(例如，使用壽命強烈地取決於陰極類型)之穩定性及/或藉由改良處理條件而得以增強。
電洞注入技術
雖然存在有希望之先進性，但商品化LED之效能尚未達到將觸發在變化多異的市場中廣泛商業化之水平。HIL在增加效率、延長使用壽命及降低臨限電壓上之角色對於商業突破可為一重要因素。HIL於OLED之作用中之目的為：(a)允許藉由橋接兩發光層之間的能隙將電洞自陽極有效地注入且傳送至發光層(Shinar,J.Organic Light－Emitting DeVices,Springer－Verlag New－York,Inc.2004,9)3 ；(b)阻止電子流出發射層且未重組(γ)而流入陽極中(Kraft,A.；Grimsdale,A.C.；Holmes,A.B.Angew.Chem.Int.Ed.l998,37,403)6 ；(c)阻止氧自ITO陽極擴散入EL聚合物且防止降解氧化作用(Shinar,J.Organic Light－Emitting Devices,Springer－Verlag New－York,Inc.2004)3 ；及(d)使陽極表面平坦以防止層之間降低裝置使用壽命及效率的缺陷(deKok,M.M.；Buechel,M.；Vulto,S.I.E.；van de Weijer,P.；Meulenkamp,E.A.；de Winter,S.H.P.M.；Mank,A.J.G.；Vorstenbosch,H.J.M.；Weijtens,C.H.L.；van Elsbergen,V.Phys.Stat.Sol.2004,201,1342)7 。
因此，一有效HIL使電洞及電子能夠更均勻地集中於發射層上，從而優化EL層中以低功率輸入位準之重組且增強裝置在以上所列之種類中之多數或全部種類中的效能。緻密膜結構及良好施用膜之形態為電洞遷移至EL/HIL界面提供一均勻的傳導路徑，其可導致接通電壓降低且導致發光效能更高(Chen,S.；Wang,C.Appl.Phys.Lett.2004,85,765)8 。
市售HIL包括聚(伸乙二氧基噻吩)：聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT－PSS)(de Kok,M.M.；Buechel,M.；Vulto,S.I.E.；van de Weijer,P.；Meulenkamp,E.A.；de Winter,S.H.P.M.；Mank,A.J.G.；Vorstenbosch,H.J.M.；Weijtens,C.H.L.；van Elsbergen,V.Phys.Stat.Sol.2004,201,1342)7 及聚(苯胺)：聚苯乙烯磺酸酯(PANI－PSS)及小分子芳基胺(Shirota,Y.K.,Y.；Inada,H.；Wakimoto,T.；Nakada,H.；Yonemoto,Y.；Kawami,S.；Imai,K.Appl.Phys.Lett.1994,65,807)9 (例如，N,N'－二苯基－N,N'－雙(1－萘苯基)－1,1'－雙苯基－4,4'－二胺(NPB))。此等方法對於OLED裝置效能及使用壽命產生一些積極的影響，因為對於有限時間，其保護EL層不受自ITO散發出來的外來氧之氧化作用，由此消除裝置缺陷。然而，使用此等材料作為HIL具有顯著之缺點：其最終限制效能、使用壽命及阻止OLED普遍商品化。此等限制性包括：(a)PEDOT－PSS及PANI－PSS為需要緩慢乾燥過程之水性分散液，緩慢乾燥過程比溶劑基過程之間歇時間增加15倍(Bppk,K.B.；Elschener,A.；Kirchmeyer,S.Organic Electronics 2003,4,227)1 0 。而且，殘留水可促進EL聚合物及陰極之氧化作用而使OLED降級(Kugler,T.；Salaneck,W.R.；Rost,H.；Holmes,A.B.Chem.Phys.Lett.1999,310,391)1 1 。(b)當將PEDOT－PSS沉積至OLED裝置時,需要一種黏合劑來使玻璃表面濕潤(Book,K.B.；Elschener,A.；Kirchmeyer,S.Organic Electronics 2003,4,227)1 0 。(c)PEDOT－PSS及PANI－PSS均為本質摻雜的且提供非常有限之氧化態持久性。(d)另外，習知之HIL(諸如PEDOT－PSS及PANI－PSS之HIL)本質上具有酸性，其導致ITO降解及將銦濾出進入電洞傳送層中((a)de Jong,M.P.；de Voigt,M.J.A.；Appl.Phys.Lett.2000,77,2255.(b)Schlatmann,A.R.；Floet,D.W.；Hilberer,A.；Garten,F.；Smulders,P.J.M.；Klapwijk,T.M.；Hadziioannou,G.Appl.Phys.Lett.1996,69,1764)1 2 。(e)必須藉由昂貴的真空沉積法將芳基胺應用於該材料(Shirota,Y.K.,Y.；Inada,H.；Wakimoto,T.；Nakada,H.；Yonemoto,Y.；Kawami,S.；Imai,K.Appl.Phys.Lett.1994,65,807)9 。(f)諸如N,N’－二苯基－N,N'－雙(3－甲基苯基)－1,1'－雙苯基－4,4'－二胺(TPD)之芳基胺趨於具有差的形態學穩定性且無法充分地使ITO表面平坦化。(g)可將芳基胺分散於諸如聚碳酸酯之聚合物中以改良形態學穩定性且促進膜形成，但電洞傳送效率急劇地降低(Redecker,M.B.；Inbasekaran,M.；Wu,W.W.；Woo,E.P.Adv.Mater.1999,14,241)1 3 。此說明經由將小分子用作電洞傳送材料，將極大地改良本質上為有效電洞導體之聚合材料。
用於電致發光裝置之下一代P型、聚合物基HIL需要顯示經改良之特性。此等系統可提供優勢為：在中性狀態中，其可溶解於一般有機溶劑中且可容易地藉由旋塗技術、墬落式澆鑄技術、浸漬塗布技術、噴霧技術及印刷技術(諸如噴墨、平版及轉移塗布法)以短間隔時間處理。此等HIL系統可在大面積格式中處理，從而開闊了有機電致發光裝置之新應用，例如可撓性電腦螢幕、平面螢幕顯示器及室外廣告。因為此等材料以中性狀態製造，所以可將其處理且隨後氧化至一適於應用之程度。此於裝置設計中提供更高的可撓性。該等聚合物基材料於本文進一步所描述之效能中亦提供若干其它優勢。
HIL系統
在本發明中，提供一種HIL系統，其包括含有充當該系統之電洞注入組份之ICP段之本質導電性聚合物(ICP)或寡聚物或共聚物、稀釋電洞注入組份且提供HIL本體之平坦劑及氧化電洞注入組份、調諧其導電性以便使得於該系統中適度之電洞注入最佳化(且防止相鄰裝置之間的電流流動或"串擾"(GOng,X.M.D.；Moses,D.；Heeger,A.J.；Liu,S.；Jen,K.Appl.Phys.Lett.2003,83,183))1 4 的摻雜劑。平坦劑亦可有助於減少HIL之吸光率，藉此增加其中應用HIL之OLED的效率。此外，所述之HIL系統可充當組織基質或超分子骨架使得ITO表面平滑，藉此消除如圖2中所實例性說明之裝置缺陷。此等組份中之全部組份可溶於非水性溶劑，其允許HIL系統應用於OLED裝置中。
特定言之，一實施例提供一種用於在電洞注入層或電洞傳送層中使用之摻合組合物，其包括下列組份中之至少一種組份：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物，(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑，及(iii)至少一種平坦劑，其中，該等組份可溶於非水性溶劑中且經調配以當該組合物為低於約100 nm厚且特定言之為約2 nm至約100 nm厚之電洞注入層的形式時，形成相容性摻合物。
可曲調配師於此項技術中已知之方法調配該組合物，包括(例如)：改變該等組份之量、改變不同結構類型之組合、使用不同混合條件、使用不同溶劑、應用不同膜製備條件、使用不同純化方法及其類似方法。
當該摻合物不以過多相分離為特徵時其可具有相容性且形成機能上有用的、機械上穩定之膜，該膜可充當電洞注入層。此項技術中已知相容性摻合物。例如，參見美國專利第4,387,187號、第4,415,706號、第4,485,031號、第4,898,912號、第4,929,388號、第4,935,164號及第4,990,557號。相容性摻合物不必一定為互溶摻合物，但可充分地混合且可穩定地提供有用之功能，特言之為呈諸如約2 nm至約100 nm之薄膜形式。摻合方法可包括分解成奈米尺寸顆粒(通常為幾十至數百奈米)之呈中性或氧化形式之預溶解導電性聚合物與習知聚合物(例如，聚苯乙烯(PS)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚(乙酸乙烯酯)(PVA))藉由超聲波或攪動之溶液摻合。該摻合物提供穩定聚合物基質溶液之形成膜超微顆粒之精細分散。藉由旋塗法可製備該等膜且分析其相容性。
在本發明中，經由共價結合可將ICP與平坦劑結合在一起作為一種包括嵌段共聚物之共聚物。圖3中顯示共聚物結構之一些實例。在此實施例中，提供一種用於在電洞注入層中使用之組合物，其包括下列組份中之至少一種：(i)至少一種本質導電性聚合物，其中該本質導電性聚合物共價結合至平坦劑，及(ii)至少一種用於該導電性聚合物之摻雜劑，其中，該等組份可溶於非水性溶劑且該組合物為約2 nm至約100 nm厚之電洞注入層形式。
在本發明中，可藉由旋塗法、墜落式澆鑄法、浸漬塗布法、噴塗法或藉由印刷法(諸如噴墨印刷法、平版印刷法)或藉由轉移法塗覆HIL系統。例如在頒予Otsuka之美國專利第6,682,175號中及在Hebner等人之Applied Physics Letters,72,no.5,1998年2月2日，第519－521頁中描述噴墨印刷法。
在本發明中，可提供一種作為HIL系統之膜的HIL，其厚度為約10 nm至約50 μm，其中典型厚度在約50 nm至約1 μm之範圍內。在另一實施例中，厚度可為約10 nm至約500 nm，且及更特定言之為約10 nm至約100 nm。
本質導電性聚合物
本質或內在型導電性聚合物(ICP)為有機聚合物，由於其共軛主鏈結構，在一些條件下其顯示高導電性(相對於傳統聚合材料之導電性)。當將此等材料氧化或還原時，此等材料作為電洞或電子之導體之效能增加。在ICP之低氧化作用(或還原作用)下，該過程常常稱作摻雜，將電子自價帶頂部移除(或將其添加至導帶的底部)，從而產生一自由基陽離子(或極化子)。極化子之形成於若干單體單元上產生部分離域作用。在進一步氧化作用下，可自一獨立聚合物鏈段移除另一電子，因此產生兩個獨立的極化子。另外，可移除不成對電子以產生一雙陽離子(或雙極化子)。在所施加之電場中，極化子與雙極化子兩者均為可移動的且可藉由雙鍵及單鍵之重新配置而沿聚合物鏈移動。而且，氧化態上的此變化導致新能態之形成。該等能量位準為價帶中之殘留電子中的某些電子可接近的，從而允許聚合物充當導體。此共軛結構之範圍係視聚合物鏈於固態形成平面構造之能力而定。此係因為環至環的共軛取決於π－軌道交迭。若一特定環扭曲出平面，則不會發生交迭且共軛鍵結構可分裂。一些微小之扭曲不具危害性，因為噻吩環之間的交迭程度隨環之間的兩面角之餘弦而改變。
共軛型聚合物作為有機導體之效能亦可依賴於固態中之聚合物之形態學。電子特性可取決於聚合物鏈之間的電子連通性及內鏈電荷傳送。用於電荷傳送之路徑可沿聚合物鏈或在相鄰鏈之間。平面主鏈構造可便於沿鏈傳送，此歸因於電荷攜帶基對環之間的雙鍵特徵之數量的依賴性。鏈之間的此傳導機制可包括稱之為π－堆疊之平面、聚合物鏈段堆疊或鏈內跳躍機制(inter－chain hopping mechanism)(其中激子或電子可經由空間或其它基質穿隧至或"跳至"緊鄰其所離開之鏈的另一鏈上)中的任一者。因此，能夠驅使聚合物鏈在固態中排序之方法可有助於改良導電性聚合物之效能。已知ICP薄膜之吸收特徵反應發生於固態中之π－堆疊的增強。
在本發明中，提供HIL系統，其包括一ICP用作OLED或PLED中之HIL材料。ICP用於此應用之適宜的實例包括(但不限於)：立體規則性聚(3－取代噻吩)及其衍生物、聚(噻吩)或聚(噻吩)衍生物、聚(吡咯)或聚(吡咯)衍生物、聚(苯胺)或聚(苯胺)衍生物、聚(伸苯基伸乙烯)或聚(伸苯基伸乙烯)衍生物、聚(伸噻吩基伸乙烯)或聚(伸噻吩基伸乙烯)衍生物、聚(雙伸噻吩基伸乙烯)或聚(雙伸噻吩基伸乙烯)衍生物、聚(乙炔)或聚(乙炔)衍生物、聚(茀)或聚(茀)衍生物、聚(伸芳)或聚(伸芳)衍生物，或聚(異噻萘)或聚(異噻萘)衍生物。
聚合物之衍生物可為經修飾之聚合物，諸如聚(3－取代噻吩)，其保留基礎聚合物之主要主鏈結構但於基礎聚合物上進行結構修飾。衍生物可與基礎聚合物集合在一起以形成相關之聚合物族。該等衍生物大體而言保留諸如導電性之基礎聚合物特性。
美國專利第6,824,706號及美國專利公開案第2004/0119049(Merck)號亦描述可用在本發明中之電荷傳送材料且此等參考之全部內容以引用的方式併入本文中。
在本發明中，此等材料之共聚物可為嵌段、交替、接枝、梯度及無規共聚物，其併入定義為本質導電性聚合物(ICP)之材料中的一或多種材料諸如：立體規則性聚(3－取代噻吩)或其衍生物、聚(噻吩)或聚(噻吩)衍生物、聚(吡咯)或聚(吡咯)衍生物、聚(苯胺)或聚(苯胺)衍生物、聚(伸苯基伸乙烯)或聚(伸苯基伸乙烯)衍生物、聚(伸噻吩基伸乙烯)或聚(伸噻吩基伸乙烯)衍生物、聚(雙伸噻吩基伸乙烯)或聚(雙伸噻吩基伸乙烯)衍生物、聚(乙炔)或聚(乙炔)衍生物、聚(茀)或聚(茀)衍生物、聚(伸芳)或聚(伸芳)衍生物或聚(異硫萘)或聚(異硫萘)衍生物以及包含建自諸如CH2 CHAr(其中，Ar等於任何芳基或官能化芳基、異氰酸酯、氧化乙烯、共軛二烯)、CH2 CHR1 R(R1 等於烷基、芳基或烷基/芳基官能團及R等於H、烷基、Cl、Br、F、OH、酯、酸或醚)、內醯胺、內酯、矽氧烷及ATRP巨引發劑之單體之聚合物的區段。
在本發明中，共聚物亦可提供為本質導電性聚合物(ICP)之無規或定義明確的共聚物，諸如立體規則性聚(3－取代噻吩)及其衍生物、聚(噻吩)或聚(噻吩)衍生物、聚(吡咯)或聚(吡咯)衍生物、聚(苯胺)或聚(苯胺)衍生物、聚(伸苯基伸乙烯)或聚(伸苯基伸乙烯)衍生物、聚(伸噻吩基伸乙烯)或聚(伸噻吩基伸乙烯)衍生物、聚(乙炔)或聚(乙炔)衍生物、聚(茀)或聚(茀)衍生物、聚(伸芳基)或聚(伸芳基)衍生物或聚(異硫萘)或聚(異硫萘)衍生物以及包含一或多個官能化ICP聚合物之嵌段或具有包含一或多個共軛單元之無規或定義明確的共聚物之寡聚物共聚物。在噻吩衍生物之立體規則性共聚物之情況中，該等共聚用單體可含有烷基、芳基、烷基－芳基、氟基、氰基或於噻吩環之3－或4－位中之任一者上經取代之烷基、芳基或烷基－芳基官能團。
立體規則度可為(例如)約90%或大於約90%、或約95%或大於約95%、或約98%或大於約98%，或約99%或大於99%。此項技術中已知之方法諸如NMR可用於測定立體規則度。
基質組份或平坦劑
在本發明中，可使用基質組份，其有助於為電洞注入或電洞傳送層提供所需之特性，諸如平坦性。包括平坦劑在內的基質組份，當與電洞注入組份摻合時，將便於在OLED裝置中形成HIL或HTL層。其亦將可溶於用於應用HIL系統之溶劑。該平坦劑可舉例而言包括諸如有機聚合物之聚合物或寡聚物，例如聚(苯乙烯)或聚(苯乙烯)衍生物、聚(乙酸乙烯酯)或其衍生物、聚(乙二醇)或其衍生物、聚(乙烯－共－乙酸乙烯酯)、聚(吡咯啶酮))或其衍生物(例如聚(1－乙烯基吡咯啶酮－共聚－乙酸乙烯酯)、聚(乙烯基吡啶)或其衍生物、聚(甲基丙烯酸甲酯)或其衍生物、聚(丙烯酸丁酯)或其衍生物。更大體而言，其可包含建自諸如CH2 CHAr(其中Ar等於任何芳基或官能化芳基、異氰酸酯、氧化乙烯、共軛二烯)、CH2 CHR1 R(其中R1 等於烷基、芳基或烷基/芳基官能團且R等於H、烷基、Cl、Br、F、OH、酯、酸或醚)、內醯胺、內酯、矽氧烷及ATRP巨引發劑之單體的聚合物或寡聚物。
於該調配物中可使用一種以上之非導電性聚合物。
在本發明中，可藉由含有一具有類似於本文所述之組合物之ICP段及非共軛段之共聚物表示平坦劑及電洞注入組份(見圖3所描述之實例結構)。
在本發明中，平坦劑亦可為可溶於所用溶劑之"非逸失"小分子，但移除溶劑後其不蒸發。其可具有烷基、芳基或官能性烷基或芳基特徵。
除了便於為HIL層提供一平滑表面之外，基質組份或平坦劑亦可提供其它有用的功能，例如控制電阻率及控制透明度。可藉由包括AFM量測法之此項技術中已知之方法測定平坦性。
摻雜
在HIL應用中使用本質導電性聚合物包括聚合物之受控的氧化或"摻雜"以獲得可改良效能之所需導電態。在氧化作用下，使電子自價帶移除。氧化態中此變化導致新能態之形成。該等能量位準為價帶中之殘留電子中的某些電子可接近的，從而使聚合物可作為導體發揮作用。
在導電性薄膜應用中，導電率可在約1 x 10－ 8 S/cm至約104 S/cm的範圍內，但最通常地為在約1 S/cm至約500 S/cm的範圍內。導電性薄膜之重要特徵為：在正常使用條件下其保持其導電性達數千小時且符合高溫及/或濕度下之適宜的裝置應力測試。此促進穩定的電荷遷移之運作範圍且藉由控制摻雜物之數量及同一性而調諧特性並藉由改變ICP之主要結構來補充調諧此等特性之能力。
存在許多可用於調諧導電特性之氧化劑。諸如溴、碘及氯之分子鹵素提供一些優勢。藉由控制聚合物膜暴露於摻雜劑下之數量，可控制薄膜之所得導電性。由於其高蒸氣壓及於有機溶劑中的溶解性，可以氣相或以溶液應用鹵素。聚合物之氧化使材料之溶解性相對於中性狀態之溶解性極大地降低。然而，可製備某些溶液且將其塗布於裝置上。
其它實例包括三氯化鐵、三氯化金、五氟化砷、次氯酸之鹼金屬鹽、諸如苯磺酸及其衍生物、丙酸及其它有機羧酸及磺酸之白蛋白酸、諸如NOPF6 或NOBF4 之亞硝鎓鹽類、或諸如四氰基醌、二氯二氰基醌之有機氧化劑，及諸如二乙酸亞碘醯苯及二乙酸碘苯之超價碘氧化劑。亦可藉由添加一種諸如聚(苯乙烯磺酸)之含有酸或氧化或酸性官能基的聚合物來氧化聚合物。
經由氧化還原反應已將一些諸如三氯化鐵、三氯化金及五氟化砷之路易斯酸(Lewis acid)氧化劑用於摻雜ICP。已報導，此等摻雜劑導致穩定的導電性膜之形成。此主要藉由將膜澆鑄至金屬氯化物之溶液中的處理方法而達成，雖然澆鑄摻雜型膜具有可行性，但很少有報導。
諸如苯磺酸及其衍生物、丙酸、其它有機羧酸及磺酸之白蛋白有機酸及無機酸及諸如硝酸、硫酸及鹽酸之無機酸可用於摻雜ICP。
藉由在不可逆氧化還原反應中產生穩定的氧化氮分子之反應可將諸如NOPF6 或NOBF4 之亞硝鎓鹽類用於摻雜ICP。
諸如四氰基醌、二氯二氰基醌之有機氧化劑及諸如二乙酸亞碘醯苯及二乙酸碘苯之超價碘氧化劑亦可用於摻雜ICP。
此等摻雜劑可為固體、液體、氣體，此取決於其特定的化學特性。在一些情況中，此等摻雜劑可與HIL調配物或塗料之熱塑性組份形成錯合物或作為錯合物添加。
另一實施例為周圍摻雜，其中摻雜劑產生於周圍空氣或聚合環境中的氧、二氧化碳、濕氣、雜散酸、雜散鹼或一些其它試劑。周圍摻雜可取決於諸如溶劑之存在及雜質含量之因素。
非水性摻雜
非水性溶劑並非特定有限且可使用此項技術中已知之溶劑。可使用有機溶劑，其包括鹵化溶劑、酮類、醚類、烷類、芳香類、醇類、酯類及其類似物。可使用溶劑之混合物。例如，一種溶劑可便於一種組份之溶解而另一種溶劑可便於一不同組份之溶解。此外，由一般有機溶劑處理該等成份導致對不良水依賴性副反應之抑止，此可潛在地降解有機試劑、藉此強烈地影響裝置效能並縮短其使用壽命。雖然水大體而言為不利的，但在一些情況中可存在有限量之水以穩定所需之摻雜劑特性。例如，水可以5重量%或低於5重量%、1重量%或低於1重量%，或0.1重量%或低於0.1重量%之劑量存在。吾人可測試該等組合物以測定水以此等濃度存在時的影響。另外，由於酸性組份氧化EL聚合物及陰極而促使OLED降級之能力，因此其使用大體而言為高度不需要的(Kugler,T.；Salaneck,W.R.；Rost,H.；Holmes,A.B.Chem.Phys.Lett.1999,310,391)1 1 。
在本發明中，許多所用之聚合物溶解溶劑具有非常強的親水性、極性及質子性。然而，在一些情況中，除了將該等成份溶於非水性溶劑(雖然本發明並非由理論限制)之外，後者僅可高度分散該等組份中之一種或全部。例如，本質導電性聚合物僅可高度分散而不可於非水性溶劑中形成真正的溶液。與平坦劑及摻雜劑兩者皆摻合或共聚合之ICP之均質懸浮的固體，形成一種可易於處理且用於製造用於OLED之新穎的HIL之非水性系統。由於缺乏水－有機溶劑界面，因此消除了對基質與OLED成份兩者之分散限制。而且，其允許吾人控制成份之濃度或操縱/調整範圍或建立摻合實驗之資料庫以達成最佳的OLED效能。例如ICP可以0.5%至25重量%之劑量存在，平坦劑可以0.5%至70重量%之劑量存在，及摻雜劑可以0.5%至5重量%之劑量存在，其中於有機溶劑中有1.5%至5重量%之固體含量。或者，ICP可以0.5%至25重量%之劑量存在、平坦劑可以0.5%至80重量%之劑量存在，及摻雜劑可以0.5%至5重量%之劑量存在，其中於有機溶劑中有1.5%至5重量%之固體含量。
包括噴墨印刷之調配方法及沉積方法描述於(例如)頒予Lyon等人之WO/02/069,119中。墨水黏度可經調配以允許諸如約10至約20 cps之噴墨印刷。
裝置及製造
可使用此項技術中已知之方法製造OLED裝置。例如，可使用描述於工作實例中所述之方法。此項技術中已知之方法可用於量測亮度、效率及使用壽命。
亮度可為(例如)至少250 cd/m2 、或至少500 cd/m2 、或至少750 cd/m2 、或至少1,000 cd/m2 。
效率可為(例如)至少0.25 Cd/A、或至少0.45 Cd/A、或至少0.60 Cd/A、或至少0.70 Cd/A、或至少1.00 Cd/A。
可以小時為單位以50 mA/cm2 測定使用壽命及其可為(例如)至少900小時、或至少1,000小時、或至少1100小時、或至少2,000小時，或至少5,000小時。
可達成亮度、效率及使用壽命之組合。例如，亮度可為至少1,000 cd/m2 ，效率可為至少1.00 Cd/A，及使用壽命可為至少1,000小時、至少2,500小時或至少5,000小時。
可調配控制材料，諸如描述於頒予Jonas等人之美國專利第4,959,430號中之PEDOT材料。描述於(例如)Brunner等人之WO 2004/072205之咔唑化合物。
使用下列非限制性工作實例來進一步描述本發明。
實例 實例A：用於製造PLED HTL所使用之HIL系統之製備的一般程序：
1)在使用之前，將吡啶乾燥且在氮氣下自氫化鈣蒸餾。商品化學試劑，聚(乙烯基吡咯啶酮)碘錯合物(PVP－I)購自Aldrich Chemical Co.,Inc且無需進一步純化而使用。將此試劑用作平坦劑及亦用作摻雜劑(分子碘)之載劑。
2)使用Grignard Metathesis(GRIM)方法聚合Plexcore MP，可溶性立體規則性3－取代聚噻吩(Plextronics,Pittsburgh,PA)(Lowe,R.S.；Khersonsky,S.M.；McCullough,R.D.Adv.Mater.1999,11,250)1 5 。大體而言，所使用之反應條件等同於應用於立體規則性聚(3－取代噻吩)之聚合之反應條件，其中合成路徑包括使用等莫耳量之Grignard試劑、R'MgX(其中X可為Br或Cl中之任一者)處理2,5－二溴－3－取代噻吩。在添加Ni(dppp)Cl2 下，藉由單溴－鹵化鎂－3－取代噻吩之選擇性耦合形成聚合物以將高度立體規則性(大於98%之頭尾耦合)聚合物提供為深紫色/藍色固體。大體而言，GRIM聚合作用產生相對高分子量之Plexcore MP(例如，Mn ＝18,000 Da；Mw /Mn ＝1.6)。因為藉由鏈生長機制進行聚合((a)Sheina,E.E.；Liu,J.；Iovu,M.C.；Laird,D.W.；McCullough,R.D.Macromolecules 2004,37,3526.(b)Yokoyama,A.；Miyakoshi,R.；Yokozawa,T.Macromolecules 2004,37,1169)1 6 ，所以可容易地合成具有不同分子量之聚合物。此外，將不同取代基併入聚合物主鏈中導致易溶於許多一般有機溶劑中且具有極好的膜形成能力之聚合物。
3)用N2 沖洗一具有平底之乾燥500 mL、一頸燒瓶且裝入Plexcore MP(2.95 g)及吡啶(441 mL)，其中經由量筒將溶劑添加至該燒瓶中。
4)對該聚合物溶液進行超聲波達40分鐘至1小時，其中將超聲波浴預先加熱至約62℃。經由聚四氟乙烯(PTFE)0.45 μm過濾器將經溶解之聚合物過濾。
5)PVP－I(8.85 g，按比例添加3份至1份之Plexcore MP(請注意，在添加中間使用"漩渦混合器"攪拌該等組份1分鐘))。
6)用N2 沖洗乾燥的4 oz.(125－mL)琥珀玻璃容器且裝入100 mL經過濾之HIL溶液。
7)用電工膠帶將該等容器密封且於62℃下對其進行超聲波達額外10分鐘。
實例B：
用於旋轉製造PLED HTL所用之HIL系統之一般程序請注意，在此實例中所提出之全部步驟應較佳地於乾淨的室內環境中執行。
在將聚合物摻合溶液沉積於一ITO表面之前，根據下列程序執行對ITO表面之預調節(請注意，每一步驟為20分鐘長)：1)使用清潔劑用DI水超音波(US)攪動該等基板。
2)使用DI水US攪動該等基板。
3)用丙酮US攪動該等基板。
4)使用異丙醇US攪動該等基板。
5)彼時使用乾燥的氮氣將每一基板一一吹乾。
6)將該等基板轉移至設定在120℃之真空烘箱，在部分真空下保存(氮氣流淨化該烘箱)直至將該等基板用於實驗。
7)在實驗之前用臭氧處理20分鐘。
此外，在將該聚合物摻合溶液沉積於一ITO表面之前，執行經由PTFE 0.45 μm過濾器之聚合物溶液過濾。若需要增加壓力以使聚合物摻合溶液穿過一過濾器，則應更換該過濾器。
大體而言，在旋塗於ITO圖案化基板上之後之HIL之厚度係由諸如旋轉速度、旋轉時間、基板尺寸、基板表面之品質及旋轉塗布器之設計之若干參數所測定。因此，忽略用於獲得某些層厚度之一般規定。作為實例，應用以下條件以達成均勻分散的聚合物摻合溶液膜且相應地展示所得結果：1)基板尺寸為如上所述預先調節之2 x 2吋ITO圖案化玻璃基板(聚鼎(Polytronics))。
2)將約1至2 mL聚合物摻合溶液應用於基板以使該溶液將覆蓋基板表面中之大部分表面。
3)使用具有定做之隱性夾盤之旋轉塗布器獲得旋轉結果，該隱性夾盤在四個角上固持基板允許在旋塗期間為基板提供全方位支持。
4)將旋轉分為兩個連續週期。以較低之每分鐘旋轉(RPM)執行第一個週期，以使溶液均勻地分佈於整個基板表面上(例如，以300 RPM持續1.2秒)。第二個旋轉週期設定為以2600 RPM進行40秒，以獲得在整個基板上的均質層厚度。
5)旋塗後，於100－120℃下在熱板上於空氣中將HIL層乾燥10分鐘。
6)藉由DekTak輪廓儀(DekTak Profilometer)量測60－65 nm之層厚度且發現在整個基板上為均勻的，其中在基板之邊緣處有小的增加。
7)大體而言，該等膜為透明的(例如，透射率(%T)高於83%)且均質的。
額外工作實例：用於實例1－5之單組份HIL墨水之代表性程序：製備DMF中之Plexcore MP(0.8%重量比)之備用溶液。於氮氣氛下將此備用溶液加熱至110℃達3小時，且然後將其冷卻至室溫。移除7.5 g此備用溶液且將其置放於超音波浴中達30分鐘。然後添加對－甲苯璜酸(或DDBSA)且將溶液再放回至超音波浴中達30分鐘。將聚(4－乙烯基吡啶)(或聚(4－乙烯基苯酚))溶解於DMF(或DMF/Dowanol PM Acetate混合物)中且將其置放於超音波浴中達30分鐘。然後將該等兩種溶液混合並放回至超音波浴中再達30分鐘。然後使該溶液經過0.45微米PTFE針筒過濾器。然後將二氯二氰基醌添加至經過濾之溶液中(將170 mg DDQ添加至1.0 mL DMF中；經由針筒添加0.1 mL此溶液)。
Dowanol PM Acetate為1－甲氧基－2－乙酸丙醇酯。
裝置製作方法：在下文中所描述之裝置製作方法意欲作為一實例且並非以任何方式暗示將本發明限制於該製作方法、裝置架構(層之順序、數目等)或除本發明所主張之HIL材料以外之材料。
於沉積在玻璃基板上之銦錫氧化物(ITO)表面上製造本文所描述之OLED裝置。將ITO表面預先圖案化以界定0.9 cm2 之像素面積。將該等裝置基板於肥皂沫中超音波清洗20分鐘，接著用蒸餾水各20分鐘。在此之後於異丙醇燒杯中超音波。將該等基板於氮氣流下乾燥，接著在於300 W運作之UV－臭氧腔室下處理該等基板達20分鐘。
然後用電洞注入層塗布該等經清洗之基板。於旋轉塗布器中完成塗布過程，但可使用噴塗法、噴墨法、接觸印刷法或能夠得到所需厚度之HIL膜之任何其它沉積方法容易地類似達成該塗布過程。在此之後為發光層之旋轉塗布，在此實例中該發光層為市售聚(對伸苯基乙烯)(PPV)基螢光聚合物。該聚合物層經測定為大約70 nm厚。
然後將該等基板轉移至真空腔室，在該真空腔室中藉由物理氣相沉積法沉積一陰極層。在此實例中，陰極層係於5 x 10－7 Torr之基本壓力下藉由連續沉積兩金屬層而製備，第一金屬層為5 nm之Ca層(0.1 nm/sec)，接著為200 nm之Al層(0.5 nm/sec)。
將最終所得之裝置使用玻璃蓋片囊封起來以藉由於80 W/cm2 UV暴露4分鐘固化之UV－光固化環氧樹脂防止暴露於周圍環境中。測試該等裝置且於表I中給出資料。
實施例
下列實施例代表本發明之額外較佳實施例，熟悉此項技術者可實踐該等實施例：1)一種HIL系統，其包括可溶於非水性溶劑之ICP、平坦劑、摻雜劑。
2)實施例#1，其中ICP為立體規則性聚(3－取代噻吩)或其衍生物中之一種。
3)實施例#1，其中ICP為聚(噻吩)或聚(噻吩)衍生物。
4)實施例#1，其中ICP為聚(吡咯)或聚(吡咯)衍生物。
5)實施例#1，其中ICP為聚(苯胺)或聚(苯胺)衍生物。
實施例#1，其中ICP為聚(伸苯基乙烯)或聚(伸苯基乙烯)衍生物。
6)實施例#1，其中ICP為聚(伸噻吩基乙烯)或聚(伸噻吩基乙烯)衍生物。
7)實施例#1，其中ICP為聚(雙伸噻吩基乙烯)或聚(雙伸噻吩基乙烯)衍生物。
8)實施例#1，其中ICP為聚(乙炔)或聚(乙炔)衍生物。
9)實施例#1，其中ICP為聚(茀)或聚(茀)衍生物。
10)實施例#1，其中ICP為聚(伸芳基)或聚(伸芳基)衍生物。
11)實施例#1，其中ICP為聚(異噻萘)或聚(異噻萘)衍生物。
12)實施例#1－11，其中ICP為ICP段與一包含建自單體CH2 CHAr之聚合物之聚合物或寡聚物段的共聚物，其中Ar等於任何芳基或官能化芳基、異氰酸酯、氧化乙烯、共軛二烯。
13)實施例#1－11，其中ICP為ICP段與一包含建自單體CH2 CHR1 R(其中R1 等於烷基、芳基或烷基/芳基官能團且R等於H、烷基、Cl、Br、F、OH、酯、酸或醚)、內醯胺、內酯、矽氧烷及ATRP巨大引發劑之聚合物之聚合物或寡聚物段的共聚物。
14)實施例#12－13，其中該共聚物為嵌段共聚物或寡聚物。
15)實施例#12－13，其中該共聚物為交替共聚物或寡聚物。
16)實施例#12－13，其中該共聚物為接枝共聚物。
17)實施例#12－13，其中該共聚物為梯度共聚物。
18)實施例#12－13，其中該共聚物為無規共聚物。
19)實施例#1－18，其中該平坦劑包含聚合物或寡聚物。
20)實施例#1－18，其中該平坦劑為聚(苯乙烯)或聚(苯乙烯)衍生物。
21)實施例#1－18，其中該平坦劑為聚(乙酸乙烯酯)或其衍生物。
22)實施例#21，其中該平坦劑為聚(乙烯－共－乙酸乙烯酯)。
23)實施例#1－18，其中該平坦劑為聚(乙二醇)或其衍生物。
24)實施例#1－18，其中該平坦劑為聚(吡咯啶酮)或其衍生物。
25)實施例#24，其中該平坦劑為聚(1－乙烯基吡咯啶酮－共－乙酸乙烯酯)。
26)實施例#1－18，其中該平坦劑為聚(乙烯基吡啶)或其衍生物。
27)實施例#1－18，其中該平坦劑為聚(甲基丙烯酸甲酯)或其衍生物。
28)實施例#1－18，其中該平坦劑為聚(丙烯酸丁酯)或其衍生物。
29)實施例#1－18，其中該平坦劑包含建自諸如CH2 CHAr(其中Ar等於任何芳基或官能化芳基)之單體的聚合物或寡聚物。
30)實施例#1－18，其中該平坦劑為異氰酸酯。
31)實施例#1－18，其中該平坦劑為氧化乙烯。
32)實施例#1－18，其中該平坦劑為共軛二烯。
33)實施例#1－18，其中該平坦劑為CH2 CHR1 R(其中R1 等於烷基、芳基或烷基/芳基官能團且R等於H、烷基、Cl、Br、F、OH、酯、酸或醚)。
34)實施例#1－18，其中該平坦劑為自內醯胺所衍生之聚合物。
35)實施例#1－18，其中該平坦劑為自內酯所衍生之聚合物。
36)實施例#1－18，其中該平坦劑為自矽氧烷所衍生之聚合物。
37)實施例#1－18，其中該平坦劑為小分子。
38)實施例#1－18，其中該摻雜劑為分子鹵素。
39)實施例#1－18，其中該摻雜劑為三氯化鐵或三氯化金。
40)實施例#1－18，其中該摻雜劑為五氟化砷。
41)實施例#1－18，其中該摻雜劑為次氯酸之鹼金屬鹽。
42)實施例#1－18，其中該摻雜劑為白蛋白酸。
43)實施例#1－18，其中該摻雜劑為有機酸或羧酸。
44)實施例#1－18，其中該摻雜劑為亞硝鎓鹽類。
45)實施例#1－18，其中該摻雜劑為有機氧化劑。
46)實施例#1－18，其中該摻雜劑為超價碘氧化劑。
47)實施例#1－18，其中該摻雜劑為聚合氧化劑。
48)實施例#1－47，其中該平坦劑與該摻雜劑錯合。
49)實施例#1－48，其中該平坦劑與ICP結合為共聚物。
50)實施例#1－49，其中該HIL系統含有用於該平坦劑之交聯劑。
51)實施例#1－50，其中該HIL系統含有用於ICP之交聯劑。
52)自實施例#1－51澆鑄HIL膜。
53)實施例#52，其中該膜藉由旋塗法所製備。
54)實施例#52，其中該膜藉由墬落式澆鑄法所製備。
55)實施例#52，其中該膜藉由浸漬塗布法所製備。
56)實施例#52，其中該膜藉由噴塗法所製備。
57)實施例#52，其中該膜藉由印刷方法所製備。
58)實施例#57，其中該印刷方法為噴墨印刷法。
59)實施例#57，其中該印刷方法為平版印刷法。
60)實施例#57，其中該印刷方法為轉移法。
61)併入實施例#52－60之裝置。
62)形成實施例#1－61之方法。
63)實施例#61之用途。
2005年2月10日申請之先前臨時申請案60/651,211描述下列33個實施例：實施例1.一種用於在一電洞注入層或電洞傳送層使用之摻合組合物，其包括下列組份：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物；(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑；(iii)至少一種平坦劑；其中，該等組份可溶於非水性溶劑且經調配以當該組合物為少於約100 nm厚之電洞注入層或電洞傳送層之形式時，形成相容性摻合物。
實施例2.如實施例1之組合物，其中該本質導電性聚合物為聚噻吩。
實施例3.如實施例1之組合物，其中該本質導電性聚合物為立體規則性3－取代聚噻吩。
實施例4.如實施例1之組合物，其中該本質導電性聚合物為包括聚噻吩嵌段及非聚噻吩嵌段之立體規則性烷基/烷氧基－、醚－、聚(醚)－或芳基－取代聚噻吩嵌段共聚物。
實施例5.如實施例1之組合物，其中該平坦劑為合成聚合物。
實施例6.如實施例1之組合物，其中該組合物為約2 nm至約100 nm厚之膜的形式。
實施例7.如實施例1之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物、該平坦劑及該摻雜劑之量分別為約0.5重量%至約25重量%、約0.5重量%至約70重量%及約0.5重量%至約5重量%。
實施例8.如實施例1之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物、該平坦劑及該摻雜劑之量分別為約25重量%、約70重量%及約5重量%。
實施例9.如實施例1之組合物，其中該組合物進一步包括非水性溶劑且其中該本質導電性聚合物為立體規則性烷基/烷氧基－、醚－、聚(醚)－或芳基－取代聚噻吩，該平坦劑為合成聚合物，其中該等成份以約1.5重量%至約5重量%之量作為總固體含量存在於非水性溶劑中。
實施例10.如實施例1之組合物，其中該本質導電性聚合物為包括聚噻吩嵌段及非聚噻吩嵌段且該非聚噻吩嵌段大體上類似於該平坦劑之立體規則性烷基/烷氧基－、醚－、聚(醚)－或芳基－取代聚噻吩嵌段共聚物。
實施例11.如實施例1之組合物，其中該摻雜劑作為周圍摻雜劑存在。
實施例12.一種包括一陽極、一陰極及一電洞注入層或一電洞傳送層之電致發光(EL)裝置，其中該電洞注入層或電洞傳送層包括用於在一電洞傳送層或電洞傳送層中使用之摻合組合物，其包括下列組份中之至少一種：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物；(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑，及(iii)至少一種平坦劑；其中，該等組份可溶於非水性溶劑且經調配以當該組合物為約2 nm至約100 nm厚之電洞注入層或電洞傳送層之形式時，形成一種相容性摻合物。
實施例13.如實施例12之EL裝置，其中該裝置進一步包括一調節層。
實施例14.如實施例12之EL裝置，其中該本質導電性聚合物或共聚物為聚噻吩。
實施例15.如實施例12之EL裝置，其中該本質導電性聚合物或共聚物為立體規則性經取代之聚噻吩。
實施例16.如實施例12之EL裝置，其中該本質導電性聚合物為包括聚噻吩嵌段及非聚噻吩嵌段之立體規則性烷基/烷氧基－、醚－、聚(醚)－或芳基－取代聚噻吩嵌段共聚物。
實施例17.如實施例12之EL裝置，其中該平坦劑為合成聚合物。
實施例18.一種用於製造用於在電洞注入層中使用之包括下列組份中之至少一種之組合物之方法，該方法包括組合：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物，(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑，及(iii)至少一種平坦劑，其中該等組份(i)、(ii)及(iii)可溶於非水性溶劑。
實施例19.一種用於在一電洞注入層或電洞傳送層中使用之組合物，其包括下列組份中之至少一種：(i)至少一種本質導電性聚合物，其中該本質導電性聚合物共價地結合至平坦劑，及(ii)至少一種用於該導電性聚合物之摻雜劑；其中該等組份可溶於非水性溶劑且該組合物為約2 nm至約100 nm厚之電洞注入層之形式。
實施例20.一種用於在基本上無水存在下在電洞注入層或電洞傳送層中使用之摻合組合物，其主要包括下列組份：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物；(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑，及(iii)至少一種平坦劑；其中該等組份可溶於非水性溶劑且可經調配以當該組合物為少於約100 nm厚之電洞注入層或電洞傳送層之形式時，基本上不用水而形成一種相容性摻合物。
實施例21.一種包括摻合組合物作為電洞注入層或電洞傳送層之電致發光裝置，其包括下列組份：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物；(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑，及(iii)一種與該聚合物或共聚物及該摻雜劑形成摻合物之基質組份；其中該等組份可溶於非水性溶劑。
實施例22.一種用於在一電致發光裝置中用作一電洞注入層或一電洞傳送層之組合物，其包括下列組份：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物；(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑，及(iii)一種與該聚合物或共聚物及該摻雜劑形成摻合物之基質組份；其中該等組份可溶於非水性溶劑。
實施例23.如實施例22之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物為聚噻吩。
實施例24.如實施例22之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物為立體規則性3－取代聚噻吩。
實施例25.如實施例22之組合物，其中該本質導電性聚合物為包括聚噻吩嵌段及非聚噻吩嵌段之立體規則性烷基/烷氧基－、醚－、聚(醚)－或芳基－取代聚噻吩嵌段共聚物。
實施例26.如實施例22之組合物，其中該基質組份為合成聚合物。
實施例27.如實施例22之組合物，其中該組合物為約2 nm至約100 nm厚之膜形式。
實施例28.如實施例22之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物、基質組份及摻雜劑的量分別為約0.5重量%至約25重量%、約0.5重量%至約70重量%及約0.5重量%至約5重量%。
實施例29.如實施例22之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物、基質組份及摻雜劑的量分別為約25重量%、約70重量%、約5重量%。
實施例30.如實施例22之組合物，其中該組合物進一步包括非水性溶劑且其中該本質導電性聚合物為立體規則性烷基/烷氧基－、醚－、聚(醚)－或芳基－取代聚噻吩，基質為合成聚合物，其中該等成份以約1.5重量%至約5重量%之量作為總固體含量存在於非水性溶劑中。
實施例31.如實施例22之組合物，其中該本質導電性聚合物為包括聚噻吩嵌段及非聚噻吩嵌段之立體規則性烷基/烷氧基－、醚－、聚(醚)－或芳基－取代聚噻吩嵌段共聚物且該非聚噻吩嵌段基本上類似於基質組份。
實施例32.如實施例22之組合物，其中該摻雜劑作為一種環境摻雜劑存在。
實施例33.一種包含一電洞注入層或一電洞傳送層之電致發光裝置，該等層包括如實施例22－32之組合中的任一組合物。
在上文中引用以下尾註參考標號1－16。
1 (a)Burroughes,J.H.；Bradley,D.D.C.；Brown,A.R.；Marks,R.N.；MacCay,K.；Friend,R.H.；Burn,P.L.；Holmes,A.B.Nature 1990,347,539.(b)Friend,R.H.；Bradley,D.D.C.；Holmes,A.B.Physics World 1992,5,42。
2 Shuai,Z.；Beljonne,D.；silbey,R.J.；Bredas,J.L.Phys.Rev.Lett.2000,84,131。
3 Shinar,J.Organic Light－Emitting Devices,Springer－Verlag New－York,Inc.2004。
4 Kim,J.－S.；Ho,P.K.H.；Greenham,N.C.；Friend,R.H.J.Appl.Phys.2000,88,1073。
5 Gontia,I.；Frolov,S.V.；Liess,M.；Ehrenfreund,E.；Vardeny,Z.V.；Tada,K.；Kajii,H.；Hidayat,R.；Fujii,A.；Yoshino,K.；Teraguchi,M.；Masuda,T.Phys.Rev.Lett.1999,82,4058。
6 Kraft,A.；Grimsdale,A.C.；Holmes,A.B.Angew.Chem.Int.Ed.1998,37,402。
7 de Kok,M.M.；Buechel,M.；Vulto,S.I.E.；vande Weijer,P.；Meulenkamp,E.A.；de Winter,S.H.P.M.；Mank,A.J.G.；Vorstenbosch,H.J.M.；Weijtens,C.H.L.；van Elsbergen,V.Phys.Stat.Sol.2004,201,1342。
8 Chen,S.；Wang,C.Appl.Phys.Lett.2004,85,765。
9 Shirota,Y.K.,Y.；Inada,H.；Wakimoto,T.；Nakada,H.；Yonemoto,Y.；Kawami,S.；Imai,K.Appl.Phys.Lett.1994,65,807.
1 0 Book,K.B.；Elschener,A.；Kirchmeyer,S.Organic Electronics 2003,4,227。
1 1 Kugler,T.；Salaneck,W.R.；Rost,H.；Holmes,A.B.Chem.Phys.Lett.1999,310,391。
1 2 (a)deJong,M.P.；de Voigt,M.J.A.；Appl.Phys.Lett.2000,77,2255。(b)Esselink,F.J.；Hadziioannou,G.Synth.Met.1995,75,209。(c)Schlatmann,A.R.；Floet,D.W.；Hilberer,A.；Garten,F.；Smulders,P.J.M.；Klapwijk,T.M.；Hadziioannou,G.Appl.Phys.Lett.1996,69,1764。
1 3 Redecker,M.B.；Inbasekaran,M.；Wu,W.W.；Woo,E.P.Adv.Mater.1999,11,241。
1 4 Gong,X.M.D.；Moses,D.；Heeger,A.J.；Liu,S.；Jen,K.Appl.Phys.Lett.2003,83,183。
1 5 Lowe,R.S.；Khersonsky,S.M.；McCullough,R.D.Adv.Mater.1999,11,250。
1 6 (a)Sheina,E.E.；Liu,J.；Iovu,M.C.；Laird,D.W.；McCullough,R.D.Macromolecules 2004,37,3526。(b)Yokoyama,A.；Miyakoshi,R.；Yokozawa,T.Macromolecules 2004,37,1169。
圖1為有機發光二極體(OLED)之示意圖。
圖2為經由合成(例如共聚物)及調配獲得包括共軛聚合物與塊狀塑膠之混合物之新HIL的兩種路徑。頂圖為ITO陽極之AFM圖。底圖表示在ITO頂部之平坦的HIL層(藍色方框輪廓)。(該等圖摘自且改自G.Liu等人，Synth.Met.2004,144,1)。
圖3為Plextronics人員所合成及研究之兩種實例共聚物。此等共聚物為立體規則性聚(3－取代噻吩)及"熱塑性"單體之嵌段共聚物之實例。共聚物可提供至新穎的HIL技術之可精確控制的路徑。
圖4為包括不同電洞注入層(包括市售電洞注入層(PEDOT))之PLED裝置之電流密度對電壓資料。
圖5為於50 mA/cm2 處所強調之PLED裝置之操作電壓及亮度隨時間的改變，將實例4之效能與市售電洞注入層(PEDOT)之效能相對比。
圖6為展示明亮的電致發光之PLED裝置的照片。

Claims (33)

  1. 一種用於電洞注入層或電洞傳送層之摻合組合物，其包括下列組份：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物，(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑，及(iii)至少一種平坦劑，其中該平坦劑為合成聚合物；其中，該等組份可溶於非水性溶劑且經調配以當該組合物為一小於約200 nm厚之電洞注入層或電洞傳送層之形式時，形成相容性摻合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物為立體規則性3-取代聚噻吩。
  2. 如請求項1之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物為均聚物。
  3. 如請求項1之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物為共聚物。
  4. 如請求項1之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物為嵌段共聚物。
  5. 如請求項1之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物為包括聚噻吩嵌段及非聚噻吩嵌段之立體規則性烷基/烷氧基-、醚-、聚(醚)-或芳基-取代聚噻吩嵌段共聚物。
  6. 如請求項1之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物為包括聚噻吩嵌段及非聚噻吩嵌段之立體規則性烷基/烷氧基-、醚-、聚(醚)-或芳基-取代聚噻吩嵌段共聚物且該非聚噻吩嵌段大體上類似於該平坦劑。
  7. 如請求項1之摻合組合物，其中該層厚度小於約100 nm。
  8. 如請求項1之組合物，其中該組合物為一約2 nm至約100 nm厚之膜的形式。
  9. 如請求項1之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物及該平坦劑之量分別為約0.5重量%至約25重量%及約0.5重量%至約70重量%。
  10. 如請求項1之組合物，其中該本質導電性聚合物或共聚物及該平坦劑之量分別為約0.5重量%至約25重量%及約0.5重量%至約80重量%。
  11. 如請求項1之組合物，其中該平坦劑為有機聚合物物。
  12. 如請求項1之組合物，其中該摻雜劑包括有機氧化劑。
  13. 如請求項1之組合物，其中該摻雜劑為酸摻雜劑。
  14. 如請求項1之組合物，其中該摻雜劑包括有機氧化劑，該平坦劑為有機聚合物，該聚合物或共聚物包括立體規則性聚噻吩且該本質導電性聚合物或共聚物及該平坦劑之量分別為約0.5重量%至約25重量%及約0.5重量%至約70重量%。
  15. 如請求項1之組合物，其中該摻雜劑包括有機氧化劑，該平坦劑為有機聚合物且該本質導電性聚合物或共聚物及該平坦劑之量分別為約0.5重量%至約25重量%及約0.5重量%至約80重量%。
  16. 一種包括一陽極、一陰極及一電洞注入層或一電洞傳送層之電致發光(EL)裝置，其中該電洞注入層或電洞傳送層包括如請求項1之摻合組合物。
  17. 一種包括噴墨印刷如請求項1之組合物之步驟的方法，其中該組合物進一步包括有機溶劑。
  18. 一種電致發光裝置，其包括一電洞注入層或電洞傳送層，該電洞注入層或電洞傳送層包括下列組份：(i)至少一種可溶於非水性溶劑之本質導電性聚合物或共聚物，且其中該本質導電性聚合物或共聚物為立體規則性3-取代聚噻吩；(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑，及(iii)至少一種平坦劑，其中該平坦劑為可溶於非水性溶劑之合成聚合物；其中該電洞注入層或電洞傳送層厚度小於約200 nm。
  19. 如請求項18之裝置，其中導電性聚合物或共聚物為均聚物。
  20. 如請求項18之裝置，其中導電性聚合物或共聚物為共聚物。
  21. 如請求項18之裝置，其中該本質導電性聚合物或共聚物為包括聚噻吩嵌段及非聚噻吩嵌段之立體規則性烷基/烷氧基-、醚-、聚(醚)-或芳基-取代聚噻吩嵌段共聚物。
  22. 如請求項18之裝置，其中該本質導電性聚合物或共聚物為包括聚噻吩嵌段及非聚噻吩嵌段之立體規則性烷基/烷氧基-、醚-、聚(醚)-或芳基-取代聚噻吩嵌段共聚物且該非聚噻吩嵌段大體上類似於該平坦劑。
  23. 如請求項18之裝置，其中該電洞注入層或電洞傳送層為 約2 nm至約100 nm厚。
  24. 如請求項18之裝置，其中該本質導電性聚合物或共聚物及該平坦劑之量分別為約0.5重量%至約25重量%及約0.5重量%至約80重量%。
  25. 如請求項18之裝置，其中該平坦劑為有機聚合物。
  26. 如請求項18之裝置，其中該摻雜劑包括有機氧化劑。
  27. 如請求項18之裝置，其中該摻雜劑為酸摻雜劑。
  28. 如請求項18之裝置，其中該摻雜劑包括有機氧化劑，該平坦劑為有機聚合物，該聚合物或共聚物包括立體規則性聚噻吩，且該本質導電性聚合物或共聚物及該平坦劑之量分別為約0.5重量%至約25重量%及約0.5重量%至約70重量%。
  29. 如請求項18之裝置，其中該摻雜劑包括有機氧化劑，該平坦劑為有機聚合物，且該本質導電性聚合物或共聚物及該平坦劑之量分別為約0.5重量%至約25重量%及約0.5重量%至約80重量%。
  30. 一種電致發光裝置，其包括一電洞注入層或電洞傳送層，該電洞注入層或電洞傳送層包括下列組份：(i)至少一種本質導電性聚合物或共聚物，其中該本質導電性聚合物或共聚物為可溶於非水性溶劑之立體規則性3-取代聚噻吩；(ii)至少一種用於該導電性聚合物或共聚物之摻雜劑；及(iii)至少一種可溶於非水性溶劑之合成聚合物； 其中該電洞注入層或電洞傳送層厚度小於約200 nm。
  31. 如請求項30之裝置，其中該摻雜劑為有機摻雜劑。
  32. 一種用於電洞注入層或電洞傳送層應用之墨水調配物，其包括：可溶於有機溶劑中之約0.5重量%至約25重量%可溶性立體規則性3-取代聚噻吩，可溶於有機溶劑之約0.5重量%至約75重量%有機聚合物，有機氧化劑摻雜劑，及有機溶劑。
  33. 一種用於電洞注入層或電洞傳送層應用之墨水調配物，其包括：可溶於有機溶劑中之約0.5重量%至約25重量%可溶性立體規則性3-取代聚噻吩，可溶於有機溶劑之約0.5重量%至約80重量%有機聚合物，有機氧化劑摻雜劑，及有機溶劑。
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Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006036755A1 (en) * 2004-09-24 2006-04-06 Plextronics, Inc. Heteroatomic regioregular poly(3-substitutedthiophenes) in electroluminescent devices
JP4311380B2 (ja) * 2005-06-22 2009-08-12 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器
CN101370853B (zh) * 2006-01-20 2011-11-16 普雷克托尼克斯公司 静电涂层和包含聚噻吩的制品
CA2655135C (en) 2006-06-13 2016-06-07 Plextronics, Inc. Organic photovoltaic devices comprising fullerenes and derivatives thereof
MY148477A (en) 2006-07-21 2013-04-30 Plextronics Inc Sulfonation of conducting polymers and oled, photovoltaic, and esd devices
JP2010502791A (ja) * 2006-09-01 2010-01-28 カーネギー メロン ユニバーシティ ユニバーサルグリニャールメタセシス重合
WO2008042873A2 (en) * 2006-10-02 2008-04-10 Plextronics, Inc. Solar farms having ultra-low cost opv modules
EP2109900A1 (en) * 2007-01-08 2009-10-21 Plextronics, Inc. Quantum dot photovoltaic device
EP2201622B1 (en) * 2007-10-18 2021-05-12 Raynergy Tek Inc. Conducting formulation
JP5599723B2 (ja) 2007-12-21 2014-10-01 プレックストロニクス インコーポレーティッド フラーレンおよびその誘導体、ならびに有機光起電装置に適したフラーレンを作製する改良された方法
WO2009103030A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Plextronics, Inc. Novel compositions and methods including alternating copolymers comprising dithienopyrrole units
KR101605213B1 (ko) 2008-02-29 2016-03-21 솔베이 유에스에이 인크. 평탄화제 및 소자
WO2009111675A1 (en) 2008-03-06 2009-09-11 Plextronics, Inc. Modified planarizing agents and devices
CA2720694C (en) * 2008-04-11 2017-05-23 Plextronics, Inc. Doped conjugated polymers, devices, and methods of making devices
WO2009152275A1 (en) 2008-06-11 2009-12-17 Plextronics, Inc. Encapsulation for organic optoelectronic devices
GB2461527B (en) * 2008-07-01 2011-08-03 Limited Cambridge Display Technology Organic electronic device
EP2327116A1 (en) * 2008-08-20 2011-06-01 Plextronics, Inc. Improved solvent system for fabrication of organic solar cells
JP4604128B2 (ja) * 2008-10-15 2010-12-22 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び撮像素子
KR101653801B1 (ko) * 2008-10-27 2016-09-05 솔베이 유에스에이 인크. 폴리아릴아민 케톤
JP5774484B2 (ja) 2008-10-27 2015-09-09 ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド 電荷注入層および輸送層
JP5774996B2 (ja) * 2008-11-18 2015-09-09 ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド アミノベンゼン組成物ならびに関連する素子および方法
WO2010059240A1 (en) * 2008-11-21 2010-05-27 Plextronics, Inc. Doped interfacial modification layers for stability enhancement for bulk heterojunction organic solar cells
KR20110118646A (ko) * 2009-01-05 2011-10-31 플렉스트로닉스, 인크 유기 발광 다이오드 광선치료 조명 시스템
US20120104380A1 (en) 2009-06-22 2012-05-03 Merck Patent Gmbh Conducting formulation
WO2011002927A2 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Plextronics, Inc. Novel compositions, methods and polymers
US8691931B2 (en) 2009-09-04 2014-04-08 Plextronics, Inc. Organic electronic devices and polymers, including photovoltaic cells and diketone-based and diketopyrrolopyrrole-based polymers
WO2011041232A1 (en) * 2009-09-29 2011-04-07 Plextronics, Inc. Organic electronic devices, compositions, and methods
EP2549560B1 (en) 2010-03-17 2018-09-26 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electronic device and method of manufacturing the same
CN107236258A (zh) 2010-05-11 2017-10-10 索尔维美国有限公司 掺杂的共轭聚合物和装置
CN102959009B (zh) 2010-07-02 2017-04-26 索尔维美国有限公司 空穴传输组合物及相关器件和方法(i)
US9062152B2 (en) 2010-09-01 2015-06-23 Solvay Usa, Inc. Organic electronic devices, including organic photovoltaic devices, polymers, and monomers
WO2012078517A1 (en) 2010-12-06 2012-06-14 Plextronics, Inc. Inks for solar cell inverted structures
WO2012082893A2 (en) 2010-12-15 2012-06-21 Plextronics, Inc. Fluoro monomers, oligomers, and polymers for inks and organic electronic devices
DE102011003192B4 (de) * 2011-01-26 2015-12-24 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2729532A1 (en) 2011-07-05 2014-05-14 Plextronics, Inc. Vertically phase-separating semiconducting organic material layers
EP2764518A1 (en) 2011-10-04 2014-08-13 Plextronics, Inc. Improved doping methods for hole injection and transport layers
KR101938922B1 (ko) 2011-10-21 2019-04-10 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 산화성 중합을 통한 공액 중합체의 개선된 합성 및 관련 조성물
EP2787552A4 (en) * 2011-11-28 2015-07-29 Oceans King Lighting Science ELECTROLUMINESCENT POLYMERS DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
EP2850668B1 (en) 2012-05-15 2019-11-20 Nissan Chemical Corporation Hole transport materials including oled applications
US9083006B2 (en) 2012-09-06 2015-07-14 Solvay Usa, Inc. Electroluminescent devices comprising insulator-free metal grids
CN104662062B (zh) * 2012-09-25 2017-09-08 默克专利有限公司 包含导电聚合物的制剂及其在有机电子器件中的用途
CN104218159A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
WO2015041440A1 (ko) * 2013-09-17 2015-03-26 전남대학교산학협력단 일체형 전도성고분자 바인더조성물, 상기 바인더조성물 제조방법, 상기 바인더조성물을 포함하는 에너지 저장장치, 상기 바인더조성물로 형성된 감지부를 포함하는 센서, 및 상기 바인더조성물을 유효성분으로 포함하는 부식방지용 코팅조성물
CN107531887B (zh) * 2014-12-15 2021-02-02 日产化学工业株式会社 含有空穴载体材料以及聚(芳基醚砜)的组合物及其用途
KR102408799B1 (ko) 2014-12-15 2022-06-13 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 정공 캐리어 물질 및 플루오로중합체를 함유하는 조성물 및 그의 용도
JP6648762B2 (ja) 2015-03-03 2020-02-14 日産化学株式会社 正孔輸送化合物とポリマー酸とを含有する組成物及びその使用
EP3286271A4 (en) 2015-04-22 2018-10-24 Nissan Chemical Corporation Non-aqueous compositions suitable for use in organic electronics
CN107849376B (zh) 2015-07-17 2021-11-30 日产化学工业株式会社 适用于有机电子的包含金属纳米颗粒的非水性油墨组合物
CN108463517B (zh) 2016-01-20 2021-09-28 日产化学工业株式会社 包含过渡金属络合物的非水性油墨组合物及其在有机电子学中的用途
JP2019522342A (ja) * 2016-06-28 2019-08-08 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 有機電荷輸送フィルムを作製するためのプロセス
EP3573117A4 (en) 2017-01-18 2020-10-28 Nissan Chemical Corporation INK COMPOSITION
EP3573119A4 (en) 2017-01-18 2020-08-26 Nissan Chemical Corporation INK COMPOSITION CONTAINING A SULPHONATED CONJUGATE POLYMER
WO2018235783A1 (ja) 2017-06-20 2018-12-27 日産化学株式会社 非水系インク組成物
CN112771130B (zh) 2018-09-25 2024-03-29 日产化学株式会社 墨液组合物
CN110484058A (zh) * 2019-08-20 2019-11-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 墨水组合物

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0037181A1 (en) * 1980-03-25 1981-10-07 Imperial Chemical Industries Plc Compatible polymer blend compositions in the form of films comprising polyalkylene oxide and aromatic polyethersulphone
US4415706A (en) * 1982-11-10 1983-11-15 Rohm And Haas Company Compatible blends of polyglutarimides and polyamides
US4485031A (en) * 1983-09-12 1984-11-27 The Dow Chemical Company Compatible mixtures of aminated polyether polyols and low molecular weight glycols
DE3422316C2 (de) 1984-06-15 1986-11-20 Zipperling Kessler & Co (Gmbh & Co), 2070 Ahrensburg Verfahren zur Herstellung von verformbaren Polymerblends aus elektrisch leitfähigen organischen Polymeren und/oder organischen Leitern, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie Verwendung der Polymerblends
DE3440617C1 (de) 1984-11-07 1986-06-26 Zipperling Kessler & Co (Gmbh & Co), 2070 Ahrensburg Antistatische bzw. elektrisch halbleitende thermoplastische Polymerblends,Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
DE3632369A1 (de) 1986-09-24 1988-03-31 Roehm Gmbh Vertraegliche polymermischungen (i)
DE3843412A1 (de) * 1988-04-22 1990-06-28 Bayer Ag Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
US4990557A (en) * 1988-08-01 1991-02-05 The B. F. Goodrich Company Mechanically compatible polyurethane/polyolefin thermoplastic polymeric blends
CA2152922A1 (en) * 1992-12-29 1994-07-07 Georges Hadziioannou Multi-bloc copolymer based tunable light emitting diode, polymers suitable therefor and oligomers
US6107117A (en) * 1996-12-20 2000-08-22 Lucent Technologies Inc. Method of making an organic thin film transistor
US6497969B2 (en) * 1997-09-05 2002-12-24 Nessdisplay Co., Ltd. Electroluminescent device having an organic layer including polyimide
JP3313357B2 (ja) * 1997-09-05 2002-08-12 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 電子デバイス用化合物
RU2123773C1 (ru) * 1998-04-20 1998-12-20 Некоммерческое партнерство "Полимерная электроника" Электролюминесцентное устройство и способ его изготовления
US6166172A (en) 1999-02-10 2000-12-26 Carnegie Mellon University Method of forming poly-(3-substituted) thiophenes
US6372154B1 (en) * 1999-12-30 2002-04-16 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent ink for printing of organic luminescent devices
GB0024294D0 (en) * 2000-10-04 2000-11-15 Univ Cambridge Tech Solid state embossing of polymer devices
US6824706B2 (en) * 2001-07-25 2004-11-30 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrank Haftung Mono-, Oligo- and poly-difluorovinyl-(hetero)arylenes, their synthesis and their use as charge transport materials
JP2003072068A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Fuji Xerox Co Ltd インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置
US6602974B1 (en) 2001-12-04 2003-08-05 Carnegie Mellon University Polythiophenes, block copolymers made therefrom, and methods of forming the same
JP4363050B2 (ja) * 2002-01-31 2009-11-11 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003261654A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Mitsubishi Chemicals Corp 導電性高分子及びその製造方法，並びに導電性高分子を含有する電気−光変換素子，電気・電子素子，光−電気変換素子及び電気配線板
JP4736324B2 (ja) * 2002-04-22 2011-07-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 半導体素子及びその製造方法
JP2004161892A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Mitsubishi Chemicals Corp 新規化合物およびこれを用いた有機電界発光素子
US20040119049A1 (en) 2002-12-04 2004-06-24 Martin Heeney Mono-, oligo- and poly-bis(thienyl) arylenes and their use as charge transport materials
AU2003289001A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing same
WO2004072205A2 (en) 2003-02-12 2004-08-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carbazole compounds and use of such compounds in organic electroluminescent devices
US7250461B2 (en) * 2004-03-17 2007-07-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic formulations of conductive polymers made with polymeric acid colloids for electronics applications, and methods for making such formulations
US7455793B2 (en) * 2004-03-31 2008-11-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Non-aqueous dispersions comprising electrically doped conductive polymers and colloid-forming polymeric acids
WO2006036755A1 (en) * 2004-09-24 2006-04-06 Plextronics, Inc. Heteroatomic regioregular poly(3-substitutedthiophenes) in electroluminescent devices

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