AT411306B - Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten - Google Patents
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- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 31
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 polyphenylenes Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000006025 fining agent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/354—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a metal-insulator-semiconductor [m-i-s] structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
- Y10S977/95—Electromagnetic energy
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
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Description
<Desc/Clms Page number 1> Die Erfindung bezieht sich auf eine photovoltaische Zelle mit einer photoaktiven Schicht aus zwei molekularen organischen Komponenten, nämlich einer konjugierten Polymerkomponente als Elektronendonator und einer Fullerenkomponente als Elektronenakzeptor, mit zwei beidseits der photoaktiven Schicht vorgesehenen metallischen Elektroden und mit einer Zwischenschicht zwi- schen der photoaktiven Schicht und wenigstens einer Elektrode. Kunststoffe mit ausgedehnten TT-Elektronensystemen, bei denen abwechselnd Einfach- und Doppelbindungen aufeinanderfolgen, werden als konjugierte Kunststoffe bezeichnet. Diese konju- gierten Kunststoffe weisen hinsichtlich der Elektronenenergie mit Halbleitern vergleichbare Ener- giebänder auf, so dass sie auch durch ein Dotieren vom nichtleitenden in den metallisch leitenden Zustand überführt werden können. Beispiele für solche konjugierten Kunststoffe sind Polyphe- nylene, Polyvinylphenylene (PPV), Polythiophene oder Polyaniline. Der Wirkungsgrad der Energie- umwandlung von photovoltaischen Polymerzellen aus einem konjugierten Polymer liegt allerdings typischerweise zwischen 10-3 und 10-2 %. Zur Verbesserung dieses Wirkungsgrades wurden zwar bereits heterogene Schichten aus zwei konjugierten Polymerkomponenten vorgeschlagen (US 5 670 791 A), von denen eine Polymerkomponente als Elektronendonator und die andere Polymerkomponente als Elektronenakzeptor dienen. Durch den Einsatz von Fullerenen, also von Kohlenstoff-Clustern mit einer sterischen Gerüststruktur aus Kohlenstoffatomen, insbesondere Buckminsterfullerenen C60, als Elektronenakzeptoren (US 5 454 880 A) konnte die sonst übliche Ladungsträgerrekombination in der photoaktiven Schicht weitgehend vermieden werden, was zu einer Wirkungsgradsteigerung auf 0,6 % bis 1 % unter AM 1,5 Bedingungen (Durchstrahlung der 1,5fach grösseren Luftmasse (Air Mass) aufgrund einer Sonneneinstrahlung unter einem Winkel von 41,5 ) führte. Trotzdem bleibt der erreichbare Wirkungsgrad für einen wirtschaftlichen, techni- schen Einsatz von solchen photoaktiven Schichten zum Aufbau von photovoltaischen Zellen im allgemeinen zu gering. Im Zusammenhang mit lichtemittierenden Zellen ist es bekannt (US 5 247 190A), zwischen ei- ner wenigstens ein konjugiertes Polymer enthaltenden photoaktiven Schicht und einer Aluminium- elektrode eine Kontaktschicht aus Aluminiumoxid vorzusehen, um beim Anlegen einer äusseren Spannung die Injektion von Elektronen in die photoaktive Schicht zu verbessern. Da bei einer photovoltaischen Zelle jedoch nicht Elektronen in die photoaktive Schicht injiziert, sondern aus der photoaktiven Schicht abgezogen werden sollen, kann eine elektrolumineszierende Zelle diesbe- züglich nicht mit einer photovoltaischen Zelle verglichen werden. Bei einer photovoltaischen Zelle mit einer mehrlagigen photoaktiven Schicht aus organischen Komponenten ist es zur Steigerung der Leerlaufspannung und des Kurzschlussstromes ausserdem bekannt (US 5 350 459 A), zwischen einer einen Elektronenakzeptor bildenden Lage der photoak- tiven Schicht und der anschliessenden Elektrode eine Zwischenschicht aus einem anorganischen Halbleiter vorzusehen, der einen Elektronenüberschuss aufweist. Eine solche Zwischenschicht bedingt allerdings den Einsatz von anorganischen Halbleitern. Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine photovoltaische Zelle der eingangs ge- schilderten Art so auszugestalten, dass eine weitere Steigerung des Wirkungsgrades der Energie- umwandlung möglich wird. Die Erfindung löst die gestellte Aufgabe dadurch, dass die Zwischenschicht eine elektrisch iso- lierende Übergangsschicht mit einer keine durchgehend geschlossene Abdeckung der photoakti- ven Schicht ergebenden Dicke von höchstens 5 nm bildet. Die Erfindung baut auf dem Umstand auf, dass sich im Übergangsbereich zwischen der photo- aktiven Schicht und der Elektrode ein erheblicher Widerstand gegen einen Ladungsträgerübertritt einstellt, was vermutlich auf Reaktionen zwischen der metallischen Elektrode und der organischen photoaktiven Schicht zurückzuführen ist. Können daher diese unmittelbaren Einflüsse unterbunden werden, so muss bei sonst gleichbleibenden Bedingungen mit einer Verbesserung des Ladungs- übertrittes gerechnet werden, was zu einer Steigerung des Wirkungsgrades führt. Durch das Vor- sehen einer elektrisch isolierenden Übergangsschicht können nun diese unmittelbaren Reaktionen zwischen photoaktiver Schicht und Elektrode weitgehend ausgeschaltet werden, doch muss die Dicke der elektrisch isolierenden Übergangsschicht auf höchstens 5 nm beschränkt werden, damit nicht der hohe elektrische Widerstand dieser Übergangsschicht den erleichterten Übertritt der Ladungsträger zwischen photoaktiver Schicht und Elektrode verhindert. Aufgrund der sehr kleinen Schichtdicke, die keine durchgehende, geschlossene Zwischenschicht zwischen der photoaktiven <Desc/Clms Page number 2> Schicht und der Elektrode ergibt, kann überraschenderweise die sonst zwischen der Elektrode und der photoaktiven Schicht auftretende Barriere weitgehend abgebaut werden, ohne den Ladungs- trägerübertritt zusätzlich zu erschweren. Mit Hilfe dieser elektrisch isolierenden Übergangsschicht konnte der Wirkungsgrad von photovoltaischen Zellen im Vergleich zu sonst gleich aufgebauten Zellen ohne diese Übergangsschicht bis zu 20 bis 25 % erhöht werden. Zu diesem Zweck ist allerdings eine Optimierung der elektrisch isolierenden Übergangsschicht erforderlich. Eine solche Optimierung kann durch eine Verminderung der Dicke der Übergangsschicht auf höchstens 2 nm erfolgen. Selbstverständlich kann auch über den chemischen Schichtaufbau die angestrebte Wirkung beeinflusst werden. So haben sich Übergangsschichten aus einem Alkalihalo- genid bewährt, wobei besonders gute Eigenschaften auch hinsichtlich der Verarbeitung mit einer Übergangsschicht aus Lithiumfluorid festgestellt werden konnten, das im Vakuum auf die photo- aktive Schicht oder die Elektrode in der gewünschten Schichtdicke aufgedampft werden kann. In der Zeichnung ist der Erfindungsgegenstand beispielsweise dargestellt. Es zeigen Fig. 1 eine erfindungsgemässe photovoltaische Zelle in einem schematischen Schnitt und Fig. 2 die Strom-Spannungskennlinie einer herkömmlichen und einer erfindungsgemässen photovoltaischen Zelle. Die photovoltaische Zelle besteht gemäss der Fig. 1 aus einem lichtdurchlässigen Glasträger 1, auf dem eine Elektrodenschicht 2 aus einem Indium/Zinn-Oxid (ITO) aufgebracht ist. Diese Elek- trodenschicht 2 weist im allgemeinen eine vergleichsweise rauhe Oberflächenstruktur auf, so dass sie mit einer Glättungsschicht 3 aus einem durch eine Dotierung elektrisch leitfähigen Polymer, üblicherweise PEDOT (Polyäthylendioxythiophen), abgedeckt wird. Auf diese Glättungsschicht 3 wird die photoaktive Schicht 4 aus zwei Komponenten mit einer Schichtdicke je nach Auftragungs- verfahren von beispielsweise 100 nm bis zu einigen um aufgetragen. Die photoaktive Schicht 4 besteht aus einem konjugierten Polymer, vorzugsweise einem PPV-Derivat, als Elektronendonator und einem Fulleren, insbesondere funktionalisiertes Fulleren PCBM ([6.6]-Phenyl-C61-butylsäure- methylester), als Elektronenakzeptor. Unter dem Begriff Polymer sind dabei sowohl Hochpolymere als auch Oligomere zu verstehen. Die beiden Komponenten werden mit einem Lösungsmittel vermischt und als Lösung auf die Glättungsschicht 3, z. B. durch ein Aufschleudern oder Auftrop- fen, aufgetragen. Zum Beschichten grösserer Flächen mit einer solchen photoaktiven Schicht 4 können auch Rakel- oder Druckverfahren zum Einsatz kommen. Als Lösungsmittel wird anstelle des herkömmlichen Toluols (Methylbenzol) vorzugsweise ein Feinungsmittel wie Chlorbenzol, beispielsweise 1.2-Dichlorbenzol, eingesetzt, um eine Feinstruktur der heterogenen Schicht 4 sicherzustellen, die dann eine durchschnittliche Korngrösse kleiner als 500 nm aufweist. Damit kann die Anzahl der Berührungsstellen zwischen dem Elektronendonator und dem Elektronenakzeptor erheblich vergrössert werden, was sich in einer verbesserten Ladungstrennung und einer Wir- kungsgradsteigerung auf ca. 2,6 % unter simulierten AM 1,5 Bedingungen auswirkt. Bevor jedoch die Gegenelektrode 5 aufgebracht wird, wird auf die photoaktive Schicht 4 eine dünne Übergangsschicht 6 mit einer Schichtdicke von beispielsweise 0,6 nm aufgetragen, die elektrisch isolierend wirkt. Diese Übergangsschicht besteht im Ausführungsbeispiel aus einem Alkalihalogenid, nämlich Lithiumfluorid, das in einem Vakuum von 2 x 10 Torr in einer Rate von 0,2 nm/min aufgedampft wird, wobei sich jedoch aufgrund der geringen Schichtdicke keine durch- gehend geschlossene Abdeckung der photoaktiven Schicht 4 ergibt. Bei der Verwendung von ITO als lochsammelnde Elektrode wird als elektronensammelnde Elektrode Aluminium eingesetzt, das auf die elektrisch isolierende Übergangsschicht 6 aufge- dampft wird. Da durch die Zwischenschaltung einer elektrisch isolierenden Übergangsschicht 6 zwischen der photoaktiven Schicht 4 und der Elektrode 5 die sich auf den Ladungsübertritt zwi- schen der photoaktiven Schicht 4 und der Elektrode 5 störend auswirkenden Reaktionen im unmit- telbaren Grenzbereich zwischen Elektrode 5 und aktiver Photoschicht 4 weitgehend vermieden werden können, weil eben die Elektrode 5 in grossen Bereichen nicht unmittelbar an die photoaktive Schicht 4 angrenzt, wird der Ladungsträgerübertritt von der photoaktiven Schicht 4 auf die Elektro- de 5 unter der Voraussetzung verbessert, dass die Übergangsschicht 6 nicht selbst eine zusätzliche Barriere zwischen der photoaktiven Schicht 4 und der Elektrode 5 aufbaut, was durch die Be- schränkung der Schichtdicke der Übergangsschicht 6 sichergestellt werden kann. Die elektrischen Isoliereigenschaften der Übergangsschicht 6 verhindern dabei offensichtlich, dass insbesondere im Übergangsbereich von der photoaktiven Schicht 4 auf die Übergangsschicht 6 den Übertritt der <Desc/Clms Page number 3> Ladungsträger hemmende Einflüsse wirksam werden. In Fig. 2 ist die Stromdichte I über der Spannung U bei einer Anregungsenergie von 80 mW/cm2 unter simulierten AM 1,5 Bedingungen zweier photovoltaischer Zellen aufgetragen, die sich lediglich durch das Vorhandensein einer erfindungsgemässen dünnen Übergangsschicht 6 unterscheiden. Aus dem Vergleich der Kennlinie 7 für eine erfindungsgemässe photovoltaische Zelle mit der Kennlinie 8 einer mit Ausnahme der Übergangsschicht 6 übereinstimmend aufgebau- ten Vergleichszelle ergibt sich, dass bei annähernd gleichem Kurzschlussstrom von ca. 5,2 mA/cm2 eine Steigerung der Leerlaufspannung von 770 mV auf 810 mV gemessen werden konnte. Da sich zusätzlich der Füllfaktor, also das Verhältnis zwischen der maximal abgegebenen Zellenleistung und dem Produkt von Kurzschlussstrom und Leerlaufspannung, von 0,52 auf 0,62 verbesserte, konnte der Wirkungsgrad der erfindungsgemässen photovoltaischen Zelle von 2,6 % der Ver- gleichszelle auf 3,2 % gesteigert werden, was einer Verbesserung der Energieumwandlung von 20 bis 25 % entspricht. Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf das dargestellte Ausführungsbeispiel beschränkt, das die elektrisch isolierende Übergangsschicht 6 zwischen der elektronensammelnden Elektrode 5 und der photoaktiven Schicht 4 zeigt. So könnte die elektrisch isolierende Übergangsschicht 6 auch zwischen der lochsammelnden Elektrode 2 und der daran anschliessenden organischen Schicht, im Ausführungsbeispiel die Glättungsschicht 3, vorgesehen werden. Ausserdem könnte die elektrisch isolierende Übergangsschicht 6 nur im Bereich der lochsammelnden Elektrode 2 vorge- sehen sein. PATENTANSPRÜCHE : 1. Photovoltaische Zelle mit einer photoaktiven Schicht aus zwei molekularen organischen Komponenten, nämlich einer konjugierten Polymerkomponente als Elektronendonator und einer Fullerenkomponente als Elektronenakzeptor, mit zwei beidseits der photoaktiven Schicht vorgesehenen metallischen Elektroden und mit einer Zwischenschicht zwischen der photoaktiven Schicht und wenigstens einer Elektrode, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht eine elektrisch isolierende Übergangsschicht (6) mit einer keine durchgehend geschlossene Abdeckung der photoaktiven Schicht (4) ergebenden Dicke von höchstens 5 nm bildet.
Claims (1)
- 2. Photovoltaische Zelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Übergangs- schicht (6) eine Dicke von höchstens 2 nm aufweist.3. Photovoltaische Zelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Über- gangsschicht (6) aus einem Alkalihalogenid besteht.4. Photovoltaische Zelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Übergangs- schicht (6) aus Lithiumfluorid besteht.
Priority Applications (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT0073400A AT411306B (de) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten |
PCT/AT2001/000129 WO2001084645A1 (de) | 2000-04-27 | 2001-04-27 | Photovoltaische zelle |
AU2001252014A AU2001252014A1 (en) | 2000-04-27 | 2001-04-27 | Photovoltaic cell |
CN01808606A CN1426607A (zh) | 2000-04-27 | 2001-04-27 | 光电池 |
US10/258,708 US6933436B2 (en) | 2000-04-27 | 2001-04-27 | Photovoltaic cell |
EP01925188A EP1284027A1 (de) | 2000-04-27 | 2001-04-27 | Photovoltaische zelle |
JP2001581357A JP5517386B2 (ja) | 2000-04-27 | 2001-04-27 | 光電池 |
US11/145,128 US20050268962A1 (en) | 2000-04-27 | 2005-06-03 | Flexible Photovoltaic cells, systems and methods |
US11/144,272 US20060076048A1 (en) | 2000-04-27 | 2005-06-03 | Photo-sensing photovoltaic with positioning facility |
US11/145,333 US20050257827A1 (en) | 2000-04-27 | 2005-06-03 | Rotational photovoltaic cells, systems and methods |
US11/167,763 US9607301B2 (en) | 2000-04-27 | 2005-06-27 | Photovoltaic sensor facilities in a home environment |
US11/221,439 US20060005876A1 (en) | 2000-04-27 | 2005-09-08 | Mobile photovoltaic communication facilities |
JP2013089574A JP2013157633A (ja) | 2000-04-27 | 2013-04-22 | 光電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT0073400A AT411306B (de) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ATA7342000A ATA7342000A (de) | 2003-04-15 |
AT411306B true AT411306B (de) | 2003-11-25 |
Family
ID=3680147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT0073400A AT411306B (de) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6933436B2 (de) |
EP (1) | EP1284027A1 (de) |
JP (2) | JP5517386B2 (de) |
CN (1) | CN1426607A (de) |
AT (1) | AT411306B (de) |
AU (1) | AU2001252014A1 (de) |
WO (1) | WO2001084645A1 (de) |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT411306B (de) | 2000-04-27 | 2003-11-25 | Qsel Quantum Solar Energy Linz | Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten |
AT410729B (de) * | 2000-04-27 | 2003-07-25 | Qsel Quantum Solar Energy Linz | Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten |
AT410859B (de) * | 2000-04-27 | 2003-08-25 | Qsel Quantum Solar Energy Linz | Verfahren zum herstellen einer photovoltaischen zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei organischen komponenten |
DE10140991C2 (de) * | 2001-08-21 | 2003-08-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische Leuchtdiode mit Energieversorgung, Herstellungsverfahren dazu und Anwendungen |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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ELJ | Ceased due to non-payment of the annual fee |