AT411306B - Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten - Google Patents

Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten Download PDF

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Description


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   Die Erfindung bezieht sich auf eine photovoltaische Zelle mit einer photoaktiven Schicht aus zwei molekularen organischen Komponenten, nämlich einer konjugierten Polymerkomponente als Elektronendonator und einer Fullerenkomponente als Elektronenakzeptor, mit zwei beidseits der photoaktiven Schicht vorgesehenen metallischen Elektroden und mit einer Zwischenschicht zwi- schen der photoaktiven Schicht und wenigstens einer Elektrode. 



   Kunststoffe mit ausgedehnten TT-Elektronensystemen, bei denen abwechselnd Einfach- und Doppelbindungen aufeinanderfolgen, werden als konjugierte Kunststoffe bezeichnet. Diese konju- gierten Kunststoffe weisen hinsichtlich der Elektronenenergie mit Halbleitern vergleichbare Ener- giebänder auf, so dass sie auch durch ein Dotieren vom nichtleitenden in den metallisch leitenden Zustand überführt werden können. Beispiele für solche konjugierten Kunststoffe sind Polyphe- nylene, Polyvinylphenylene (PPV), Polythiophene oder Polyaniline. Der Wirkungsgrad der Energie- umwandlung von photovoltaischen Polymerzellen aus einem konjugierten Polymer liegt allerdings typischerweise zwischen   10-3   und 10-2 %.

   Zur Verbesserung dieses Wirkungsgrades wurden zwar bereits heterogene Schichten aus zwei konjugierten Polymerkomponenten vorgeschlagen (US 5 670 791 A), von denen eine Polymerkomponente als Elektronendonator und die andere Polymerkomponente als Elektronenakzeptor dienen. Durch den Einsatz von Fullerenen, also von Kohlenstoff-Clustern mit einer sterischen Gerüststruktur aus Kohlenstoffatomen, insbesondere Buckminsterfullerenen C60, als Elektronenakzeptoren (US 5 454 880 A) konnte die sonst übliche Ladungsträgerrekombination in der photoaktiven Schicht weitgehend vermieden werden, was zu einer Wirkungsgradsteigerung auf 0,6 % bis 1 % unter AM 1,5 Bedingungen (Durchstrahlung der 1,5fach grösseren Luftmasse (Air Mass) aufgrund einer Sonneneinstrahlung unter einem Winkel von 41,5 ) führte.

   Trotzdem bleibt der erreichbare Wirkungsgrad für einen wirtschaftlichen, techni- schen Einsatz von solchen photoaktiven Schichten zum Aufbau von photovoltaischen Zellen im allgemeinen zu gering. 



   Im Zusammenhang mit lichtemittierenden Zellen ist es bekannt (US 5 247 190A), zwischen ei- ner wenigstens ein konjugiertes Polymer enthaltenden photoaktiven Schicht und einer Aluminium- elektrode eine Kontaktschicht aus Aluminiumoxid vorzusehen, um beim Anlegen einer äusseren Spannung die Injektion von Elektronen in die photoaktive Schicht zu verbessern. Da bei einer photovoltaischen Zelle jedoch nicht Elektronen in die photoaktive Schicht injiziert, sondern aus der photoaktiven Schicht abgezogen werden sollen, kann eine elektrolumineszierende Zelle diesbe- züglich nicht mit einer photovoltaischen Zelle verglichen werden. 



   Bei einer photovoltaischen Zelle mit einer mehrlagigen photoaktiven Schicht aus organischen Komponenten ist es zur Steigerung der Leerlaufspannung und des Kurzschlussstromes ausserdem bekannt (US 5 350 459 A), zwischen einer einen Elektronenakzeptor bildenden Lage der photoak- tiven Schicht und der anschliessenden Elektrode eine Zwischenschicht aus einem anorganischen Halbleiter vorzusehen, der einen Elektronenüberschuss aufweist. Eine solche Zwischenschicht bedingt allerdings den Einsatz von anorganischen Halbleitern. 



   Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine photovoltaische Zelle der eingangs ge- schilderten Art so auszugestalten, dass eine weitere Steigerung des Wirkungsgrades der Energie- umwandlung möglich wird. 



   Die Erfindung löst die gestellte Aufgabe dadurch, dass die Zwischenschicht eine elektrisch iso- lierende Übergangsschicht mit einer keine durchgehend geschlossene Abdeckung der photoakti- ven Schicht ergebenden Dicke von höchstens 5 nm bildet. 



   Die Erfindung baut auf dem Umstand auf, dass sich im Übergangsbereich zwischen der photo- aktiven Schicht und der Elektrode ein erheblicher Widerstand gegen einen Ladungsträgerübertritt einstellt, was vermutlich auf Reaktionen zwischen der metallischen Elektrode und der organischen photoaktiven Schicht zurückzuführen ist. Können daher diese unmittelbaren Einflüsse unterbunden werden, so muss bei sonst gleichbleibenden Bedingungen mit einer Verbesserung des Ladungs- übertrittes gerechnet werden, was zu einer Steigerung des Wirkungsgrades führt.

   Durch das Vor- sehen einer elektrisch isolierenden Übergangsschicht können nun diese unmittelbaren Reaktionen zwischen photoaktiver Schicht und Elektrode weitgehend ausgeschaltet werden, doch muss die Dicke der elektrisch isolierenden Übergangsschicht auf höchstens 5 nm beschränkt werden, damit nicht der hohe elektrische Widerstand dieser Übergangsschicht den erleichterten Übertritt der Ladungsträger zwischen photoaktiver Schicht und Elektrode verhindert. Aufgrund der sehr kleinen Schichtdicke, die keine durchgehende, geschlossene Zwischenschicht zwischen der photoaktiven 

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 Schicht und der Elektrode ergibt, kann überraschenderweise die sonst zwischen der Elektrode und der photoaktiven Schicht auftretende Barriere weitgehend abgebaut werden, ohne den Ladungs- trägerübertritt zusätzlich zu erschweren.

   Mit Hilfe dieser elektrisch isolierenden Übergangsschicht konnte der Wirkungsgrad von photovoltaischen Zellen im Vergleich zu sonst gleich aufgebauten Zellen ohne diese Übergangsschicht bis zu 20 bis 25 % erhöht werden. Zu diesem Zweck ist allerdings eine Optimierung der elektrisch isolierenden Übergangsschicht erforderlich. 



   Eine solche Optimierung kann durch eine Verminderung der Dicke der Übergangsschicht auf höchstens 2 nm erfolgen. Selbstverständlich kann auch über den chemischen Schichtaufbau die angestrebte Wirkung beeinflusst werden. So haben sich Übergangsschichten aus einem Alkalihalo- genid bewährt, wobei besonders gute Eigenschaften auch hinsichtlich der Verarbeitung mit einer Übergangsschicht aus Lithiumfluorid festgestellt werden konnten, das im Vakuum auf die photo- aktive Schicht oder die Elektrode in der gewünschten Schichtdicke aufgedampft werden kann. 



   In der Zeichnung ist der Erfindungsgegenstand beispielsweise dargestellt. Es zeigen 
Fig. 1 eine erfindungsgemässe photovoltaische Zelle in einem schematischen Schnitt und 
Fig. 2 die Strom-Spannungskennlinie einer herkömmlichen und einer erfindungsgemässen photovoltaischen Zelle. 



   Die photovoltaische Zelle besteht gemäss der Fig. 1 aus einem lichtdurchlässigen Glasträger 1, auf dem eine Elektrodenschicht 2 aus einem Indium/Zinn-Oxid (ITO) aufgebracht ist. Diese Elek- trodenschicht 2 weist im allgemeinen eine vergleichsweise rauhe Oberflächenstruktur auf, so dass sie mit einer Glättungsschicht 3 aus einem durch eine Dotierung elektrisch leitfähigen Polymer, üblicherweise PEDOT (Polyäthylendioxythiophen), abgedeckt wird. Auf diese Glättungsschicht 3 wird die photoaktive Schicht 4 aus zwei Komponenten mit einer Schichtdicke je nach Auftragungs- verfahren von beispielsweise 100 nm bis zu einigen um aufgetragen.

   Die photoaktive Schicht 4 besteht aus einem konjugierten Polymer, vorzugsweise einem PPV-Derivat, als Elektronendonator und einem Fulleren, insbesondere funktionalisiertes Fulleren PCBM   ([6.6]-Phenyl-C61-butylsäure-   methylester), als Elektronenakzeptor. Unter dem Begriff Polymer sind dabei sowohl Hochpolymere als auch Oligomere zu verstehen. Die beiden Komponenten werden mit einem Lösungsmittel vermischt und als Lösung auf die Glättungsschicht 3, z. B. durch ein Aufschleudern oder Auftrop- fen, aufgetragen. Zum Beschichten grösserer Flächen mit einer solchen photoaktiven Schicht 4 können auch Rakel- oder Druckverfahren zum Einsatz kommen.

   Als Lösungsmittel wird anstelle des herkömmlichen Toluols (Methylbenzol) vorzugsweise ein Feinungsmittel wie Chlorbenzol, beispielsweise 1.2-Dichlorbenzol, eingesetzt, um eine Feinstruktur der heterogenen Schicht 4 sicherzustellen, die dann eine durchschnittliche Korngrösse kleiner als 500 nm aufweist. Damit kann die Anzahl der Berührungsstellen zwischen dem Elektronendonator und dem Elektronenakzeptor erheblich vergrössert werden, was sich in einer verbesserten Ladungstrennung und einer Wir- kungsgradsteigerung auf ca. 2,6 % unter simulierten AM 1,5 Bedingungen auswirkt. 



   Bevor jedoch die Gegenelektrode 5 aufgebracht wird, wird auf die photoaktive Schicht 4 eine dünne Übergangsschicht 6 mit einer Schichtdicke von beispielsweise 0,6 nm aufgetragen, die elektrisch isolierend wirkt. Diese Übergangsschicht besteht im Ausführungsbeispiel aus einem Alkalihalogenid, nämlich Lithiumfluorid, das in einem Vakuum von   2 x 10  Torr in einer Rate von 0,2 nm/min aufgedampft wird, wobei sich jedoch aufgrund der geringen Schichtdicke keine durch- gehend geschlossene Abdeckung der photoaktiven Schicht 4 ergibt. 



   Bei der Verwendung von ITO als lochsammelnde Elektrode wird als elektronensammelnde Elektrode Aluminium eingesetzt, das auf die elektrisch isolierende Übergangsschicht 6 aufge- dampft wird. Da durch die Zwischenschaltung einer elektrisch isolierenden Übergangsschicht 6 zwischen der photoaktiven Schicht 4 und der Elektrode 5 die sich auf den Ladungsübertritt zwi- schen der photoaktiven Schicht 4 und der Elektrode 5 störend auswirkenden Reaktionen im unmit- telbaren Grenzbereich zwischen Elektrode 5 und aktiver Photoschicht 4 weitgehend vermieden werden können, weil eben die Elektrode 5 in grossen Bereichen nicht unmittelbar an die photoaktive Schicht 4 angrenzt, wird der Ladungsträgerübertritt von der photoaktiven Schicht 4 auf die Elektro- de 5 unter der Voraussetzung verbessert,

   dass die Übergangsschicht 6 nicht selbst eine zusätzliche Barriere zwischen der photoaktiven Schicht 4 und der Elektrode 5 aufbaut, was durch die Be- schränkung der Schichtdicke der Übergangsschicht 6 sichergestellt werden kann. Die elektrischen Isoliereigenschaften der Übergangsschicht 6 verhindern dabei offensichtlich, dass insbesondere im Übergangsbereich von der photoaktiven Schicht 4 auf die Übergangsschicht 6 den Übertritt der 

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 Ladungsträger hemmende Einflüsse wirksam werden. 



   In Fig. 2 ist die Stromdichte I über der Spannung U bei einer Anregungsenergie von 80   mW/cm2   unter simulierten AM 1,5 Bedingungen zweier photovoltaischer Zellen aufgetragen, die sich lediglich durch das Vorhandensein einer erfindungsgemässen dünnen Übergangsschicht 6 unterscheiden. Aus dem Vergleich der Kennlinie 7 für eine erfindungsgemässe photovoltaische Zelle mit der Kennlinie 8 einer mit Ausnahme der Übergangsschicht 6 übereinstimmend aufgebau- ten Vergleichszelle ergibt sich, dass bei annähernd gleichem Kurzschlussstrom von ca. 5,2   mA/cm2   eine Steigerung der Leerlaufspannung von 770 mV auf 810 mV gemessen werden konnte.

   Da sich zusätzlich der Füllfaktor, also das Verhältnis zwischen der maximal abgegebenen Zellenleistung und dem Produkt von Kurzschlussstrom und Leerlaufspannung, von 0,52 auf 0,62 verbesserte, konnte der Wirkungsgrad der erfindungsgemässen photovoltaischen Zelle von 2,6 % der Ver- gleichszelle auf 3,2 % gesteigert werden, was einer Verbesserung der Energieumwandlung von 20 bis 25 % entspricht. 



   Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf das dargestellte Ausführungsbeispiel beschränkt, das die elektrisch isolierende Übergangsschicht 6 zwischen der elektronensammelnden Elektrode 5 und der photoaktiven Schicht 4 zeigt. So könnte die elektrisch isolierende Übergangsschicht 6 auch zwischen der lochsammelnden Elektrode 2 und der daran anschliessenden organischen Schicht, im Ausführungsbeispiel die Glättungsschicht 3, vorgesehen werden. Ausserdem könnte die elektrisch isolierende Übergangsschicht 6 nur im Bereich der lochsammelnden Elektrode 2 vorge- sehen sein. 



   PATENTANSPRÜCHE : 
1. Photovoltaische Zelle mit einer photoaktiven Schicht aus zwei molekularen organischen 
Komponenten, nämlich einer konjugierten Polymerkomponente als Elektronendonator und einer Fullerenkomponente als Elektronenakzeptor, mit zwei beidseits der photoaktiven 
Schicht vorgesehenen metallischen Elektroden und mit einer Zwischenschicht zwischen der photoaktiven Schicht und wenigstens einer Elektrode, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht eine elektrisch isolierende Übergangsschicht (6) mit einer keine durchgehend geschlossene Abdeckung der photoaktiven Schicht (4) ergebenden Dicke von höchstens 5 nm bildet.

Claims (1)

  1. 2. Photovoltaische Zelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Übergangs- schicht (6) eine Dicke von höchstens 2 nm aufweist.
    3. Photovoltaische Zelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Über- gangsschicht (6) aus einem Alkalihalogenid besteht.
    4. Photovoltaische Zelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Übergangs- schicht (6) aus Lithiumfluorid besteht.
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US11/145,128 US20050268962A1 (en) 2000-04-27 2005-06-03 Flexible Photovoltaic cells, systems and methods
US11/145,333 US20050257827A1 (en) 2000-04-27 2005-06-03 Rotational photovoltaic cells, systems and methods
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Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT410859B (de) * 2000-04-27 2003-08-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Verfahren zum herstellen einer photovoltaischen zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei organischen komponenten
AT410729B (de) * 2000-04-27 2003-07-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
AT411306B (de) 2000-04-27 2003-11-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
DE10140991C2 (de) * 2001-08-21 2003-08-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische Leuchtdiode mit Energieversorgung, Herstellungsverfahren dazu und Anwendungen
EP1837930A1 (de) * 2001-09-04 2007-09-26 Sony Deutschland GmbH Solarzelle und Herstellungsmethode
EP1447860A1 (de) * 2003-02-17 2004-08-18 Rijksuniversiteit Groningen Photodiode aus organischem Material
DE10326546A1 (de) * 2003-06-12 2005-01-05 Siemens Ag Organische Solarzelle mit einer Zwischenschicht mit asymmetrischen Transporteigenschaften
JP4936886B2 (ja) * 2003-07-01 2012-05-23 コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド 有機太陽電池又は光検出器の製造方法。
DE10348118A1 (de) * 2003-09-23 2005-04-28 Daimler Chrysler Ag Karosserieteil mit organischer Solarzelle
JP4857427B2 (ja) * 2004-03-25 2012-01-18 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体装置用の光透過性電極、半導体装置および電極の製造方法
US8466004B2 (en) * 2004-06-24 2013-06-18 The Trustees Of Princeton University Solar cells
TW200703672A (en) * 2004-11-10 2007-01-16 Daystar Technologies Inc Thermal process for creation of an in-situ junction layer in CIGS
US20060105200A1 (en) * 2004-11-17 2006-05-18 Dmytro Poplavskyy Organic electroluminescent device
TWI251354B (en) * 2005-02-02 2006-03-11 Ind Tech Res Inst Solar energy power module with carbon nano-tube
JP2008533745A (ja) * 2005-03-17 2008-08-21 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 光学スペーサを用いた高効率ポリマー光起電力セルのためのアーキテクチャ
US20100193768A1 (en) * 2005-06-20 2010-08-05 Illuminex Corporation Semiconducting nanowire arrays for photovoltaic applications
US20090050204A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-26 Illuminex Corporation. Photovoltaic device using nanostructured material
JP5298308B2 (ja) * 2005-09-06 2013-09-25 国立大学法人京都大学 有機薄膜光電変換素子及びその製造方法
KR20140067164A (ko) 2006-07-21 2014-06-03 플렉스트로닉스, 인크 전도성 중합체의 술폰화 및 oled 소자, 광기전력 소자 및 esd 소자
US8319092B1 (en) 2006-11-03 2012-11-27 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
US9112447B2 (en) * 2006-11-03 2015-08-18 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
US8080824B2 (en) * 2006-11-15 2011-12-20 Academia Sinica Suppressing recombination in an electronic device
DE102006059369A1 (de) * 2006-12-15 2008-06-26 Industrial Technology Research Institute, Chutung Fotoelement
US20090065053A1 (en) * 2007-08-24 2009-03-12 Julian Gulbinski Photovoltaic device
KR100927721B1 (ko) * 2007-09-17 2009-11-18 삼성에스디아이 주식회사 광전변환소자 및 이의 제조방법
CN101945710B (zh) * 2007-12-20 2014-03-12 西玛耐诺技术以色列有限公司 具有填充材料的透明导电涂层
JP5686341B2 (ja) 2008-02-29 2015-03-18 ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド 組成物およびデバイス
US8791451B2 (en) * 2008-03-06 2014-07-29 Solvay Usa, Inc. Modified planarizing agents and devices
US20110005598A1 (en) * 2008-03-25 2011-01-13 Sumitomo Chemical Company,Limited Organic photoelectric conversion element
WO2009126918A1 (en) 2008-04-11 2009-10-15 Plextronics, Inc. Doped conjugated polymers, devices, and methods of making devices
US20090277503A1 (en) * 2008-05-10 2009-11-12 Solfocus, Inc. Solar Cell with Current Blocking Layer
JP2010192863A (ja) * 2008-05-23 2010-09-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機光電変換素子およびその製造方法
JP5340656B2 (ja) * 2008-07-02 2013-11-13 シャープ株式会社 太陽電池アレイ
KR100983414B1 (ko) * 2008-07-22 2010-09-20 성균관대학교산학협력단 투명 전극 표면 패터닝에 의한 유기 태양전지 제조방법
JP5774484B2 (ja) 2008-10-27 2015-09-09 ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド 電荷注入層および輸送層
WO2010051259A1 (en) * 2008-10-27 2010-05-06 Plextronics, Inc. Polyarylamine ketones
KR101669559B1 (ko) * 2008-11-18 2016-10-28 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 아미노벤젠 조성물 및 관련 소자 및 방법
BRPI1014578A2 (pt) 2009-04-08 2015-08-25 Basf Se Composto, material, camada ou componente semicondutor orgânico, dispositivo, semicondutor, e, uso de um composto.
US20100273007A1 (en) * 2009-04-10 2010-10-28 Plextronics, Inc. Dehalogenation
US20110048488A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Gabriel Karim M Combined thermoelectric/photovoltaic device and method of making the same
US20110048489A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Gabriel Karim M Combined thermoelectric/photovoltaic device for high heat flux applications and method of making the same
EP2481104A1 (de) * 2009-09-24 2012-08-01 Empa Mehrschichtige organische dünschichtsolarzelle
WO2011041232A1 (en) 2009-09-29 2011-04-07 Plextronics, Inc. Organic electronic devices, compositions, and methods
KR101848523B1 (ko) 2010-05-11 2018-04-12 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 공액 중합체의 도핑 및 장치
US8946376B2 (en) 2010-09-29 2015-02-03 Basf Se Semiconductors based on diketopyrrolopyrroles
JP5921554B2 (ja) 2010-09-29 2016-05-24 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ジケトピロロピロール系の半導体
WO2012175530A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Basf Se Diketopyrrolopyrrole oligomers for use in organic semiconductor devices
CN103781845B (zh) 2011-07-05 2016-07-13 索尔维美国有限公司 垂直相分离半导体有机材料层
EP2751855B1 (de) 2011-09-02 2020-10-28 Basf Se Dirketopyrroloypyrrol-oligomere und zusammensetzungen umfassend diketopyrrolopyrrol-oligomere
TW201329196A (zh) 2011-10-04 2013-07-16 Plextronics Inc 用於電洞注射及傳送層之改良摻雜之方法
WO2014039687A1 (en) 2012-09-06 2014-03-13 Plextronics, Inc. Electroluminescent devices comprising insulator-free metal grids
WO2014110520A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Silevo, Inc. Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
GB201310854D0 (en) * 2013-06-18 2013-07-31 Isis Innovation Photoactive layer production process
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US20160111473A1 (en) * 2014-10-17 2016-04-21 General Electric Company Organic photodiodes, organic x-ray detectors and x-ray systems
US10435579B2 (en) 2014-12-15 2019-10-08 Nissan Chemical Industries, Ltd. Compositions containing hole carrier materials and fluoropolymers, and uses thereof
JP6648762B2 (ja) 2015-03-03 2020-02-14 日産化学株式会社 正孔輸送化合物とポリマー酸とを含有する組成物及びその使用
WO2016171935A1 (en) 2015-04-22 2016-10-27 Solvay Usa Inc. Non-aqueous compositions suitable for use in organic electronics
CN107849376B (zh) 2015-07-17 2021-11-30 日产化学工业株式会社 适用于有机电子的包含金属纳米颗粒的非水性油墨组合物
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US10870771B2 (en) 2016-01-20 2020-12-22 Nissan Chemical Industries, Ltd. Non-aqueous ink compositions containing transition metal complexes, and uses thereof in organic electronics
WO2018035281A1 (en) 2016-08-17 2018-02-22 North Carolina State University Northern-southern route to synthesis of bacteriochlorins
US10782014B2 (en) 2016-11-11 2020-09-22 Habib Technologies LLC Plasmonic energy conversion device for vapor generation
WO2018102252A1 (en) 2016-11-30 2018-06-07 North Carolina State University Methods for making bacteriochlorin macrocycles comprising an annulated isocyclic ring and related compounds
WO2018135581A1 (ja) 2017-01-18 2018-07-26 日産化学工業株式会社 スルホン化共役ポリマーを含有するインク組成物
CN110268540B (zh) 2017-01-18 2022-07-01 日产化学株式会社 墨液组合物
KR102677529B1 (ko) 2017-06-20 2024-06-24 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 비수계 잉크 조성물
US10672919B2 (en) * 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CN112771130B (zh) 2018-09-25 2024-03-29 日产化学株式会社 墨液组合物

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60149177A (ja) * 1984-01-13 1985-08-06 Mitsubishi Electric Corp 光電変換素子の製造方法
US5009958A (en) * 1987-03-06 1991-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Functional devices comprising a charge transfer complex layer
US5171373A (en) * 1991-07-30 1992-12-15 At&T Bell Laboratories Devices involving the photo behavior of fullerenes
US5178980A (en) * 1991-09-03 1993-01-12 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with a fullerene compound
US5185208A (en) * 1987-03-06 1993-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Functional devices comprising a charge transfer complex layer
US5247190A (en) * 1989-04-20 1993-09-21 Cambridge Research And Innovation Limited Electroluminescent devices
WO1994005045A1 (en) * 1992-08-17 1994-03-03 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
US5350459A (en) * 1992-05-01 1994-09-27 Ricoh Company, Ltd. Organic photovoltaic element
US5470910A (en) * 1991-10-10 1995-11-28 Institut Fuer Neue Materialien Gemeinnuetzige Gmbh Composite materials containing nanoscalar particles, process for producing them and their use for optical components
US5670791A (en) * 1994-11-23 1997-09-23 U.S. Philips Corporation Photoresponsive device with a photoresponsive zone comprising a polymer blend
US5698048A (en) * 1994-12-09 1997-12-16 Cambridge Display Technology Limited Photoresponsive materials
US5759725A (en) * 1994-12-01 1998-06-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Photoconductors and electrophotographic photoreceptors containing amorphous fullerenes
US5986206A (en) * 1997-12-10 1999-11-16 Nanogram Corporation Solar cell

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57126173A (en) * 1981-01-29 1982-08-05 Toshiba Corp Solar cell
US5006915A (en) 1989-02-14 1991-04-09 Ricoh Company, Ltd. Electric device and photoelectric conversion device comprising the same
DE3912551A1 (de) 1989-04-17 1990-10-25 Agfa Gevaert Ag Eisenkomplexe und diese enthaltende bleichbaeder
NL8901731A (nl) * 1989-07-06 1991-02-01 Stork Pmt Werkwijze voor het doden van bacterien bij geslacht gevogelte.
JP2548820B2 (ja) * 1990-03-29 1996-10-30 三菱電機株式会社 Si基板上化合物半導体光電変換素子
US5221854A (en) * 1991-11-18 1993-06-22 United Solar Systems Corporation Protective layer for the back reflector of a photovoltaic device
US5637518A (en) 1995-10-16 1997-06-10 Micron Technology, Inc. Method of making a field effect transistor having an elevated source and an elevated drain
US5776622A (en) * 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
US5677572A (en) * 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
WO1999039395A1 (en) 1998-02-02 1999-08-05 Uniax Corporation Organic diodes with switchable photosensitivity
WO1999039372A2 (en) * 1998-02-02 1999-08-05 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors
GB9806066D0 (en) 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
US6198092B1 (en) * 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration
AU1311900A (en) 1998-10-09 2000-05-01 Trustees Of Columbia University In The City Of New York, The Solid-state photoelectric device
EP1028475A1 (de) * 1999-02-09 2000-08-16 Sony International (Europe) GmbH Elektronisches Bauelement mit einer kolumnar-diskotischer Phase
US6291763B1 (en) * 1999-04-06 2001-09-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photoelectric conversion device and photo cell
AT410859B (de) 2000-04-27 2003-08-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Verfahren zum herstellen einer photovoltaischen zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei organischen komponenten
AT410729B (de) * 2000-04-27 2003-07-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
AT411306B (de) 2000-04-27 2003-11-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
EP1160888A1 (de) * 2000-05-29 2001-12-05 Sony International (Europe) GmbH Lochleitermaterial und Verwendung in einer (Farbstoff-)Solarzelle
EP1209708B1 (de) * 2000-11-24 2007-01-17 Sony Deutschland GmbH Hybridsolarzelle mit thermisch abgeschiedener Halbleiteroxidschicht
US6580027B2 (en) 2001-06-11 2003-06-17 Trustees Of Princeton University Solar cells using fullerenes
EP1837930A1 (de) * 2001-09-04 2007-09-26 Sony Deutschland GmbH Solarzelle und Herstellungsmethode
EP1289030A1 (de) * 2001-09-04 2003-03-05 Sony International (Europe) GmbH Dotierung eines Lochleitermaterials

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60149177A (ja) * 1984-01-13 1985-08-06 Mitsubishi Electric Corp 光電変換素子の製造方法
US5009958A (en) * 1987-03-06 1991-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Functional devices comprising a charge transfer complex layer
US5185208A (en) * 1987-03-06 1993-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Functional devices comprising a charge transfer complex layer
US5247190A (en) * 1989-04-20 1993-09-21 Cambridge Research And Innovation Limited Electroluminescent devices
US5171373A (en) * 1991-07-30 1992-12-15 At&T Bell Laboratories Devices involving the photo behavior of fullerenes
US5178980A (en) * 1991-09-03 1993-01-12 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with a fullerene compound
US5470910A (en) * 1991-10-10 1995-11-28 Institut Fuer Neue Materialien Gemeinnuetzige Gmbh Composite materials containing nanoscalar particles, process for producing them and their use for optical components
US5350459A (en) * 1992-05-01 1994-09-27 Ricoh Company, Ltd. Organic photovoltaic element
WO1994005045A1 (en) * 1992-08-17 1994-03-03 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
US5454880A (en) * 1992-08-17 1995-10-03 Regents Of The University Of California Conjugated polymer-acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
US5331183A (en) * 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
US5670791A (en) * 1994-11-23 1997-09-23 U.S. Philips Corporation Photoresponsive device with a photoresponsive zone comprising a polymer blend
US5759725A (en) * 1994-12-01 1998-06-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Photoconductors and electrophotographic photoreceptors containing amorphous fullerenes
US5698048A (en) * 1994-12-09 1997-12-16 Cambridge Display Technology Limited Photoresponsive materials
US5986206A (en) * 1997-12-10 1999-11-16 Nanogram Corporation Solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
US6933436B2 (en) 2005-08-23
AU2001252014A1 (en) 2001-11-12
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