WO2015146055A1 - ポリマーとそれを用いた太陽電池 - Google Patents

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WO2015146055A1
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solar cell
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中野 義彦
茂彦 森
五反田 武志
相賀 史彦
留美子 早瀬
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株式会社 東芝
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    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Definitions

  • Embodiments of the present invention relate to a polymer and a solar cell using the polymer.
  • Organic semiconductors are expected to be applied to photoelectric conversion elements such as organic thin film solar cells, organic / inorganic hybrid solar cells, light emitting elements, and optical sensors.
  • the active layer can be produced by an inexpensive coating method.
  • solar cells are expected as one of the clean energy with less environmental load, and the demand is rapidly increasing.
  • silicon-based solar cells are the mainstream, but the efficiency is around 15%, and it is difficult to reduce the cost.
  • a CdTe type solar cell is also known as a solar cell that can be manufactured at low cost.
  • Cd which is a toxic element, is used, an environmental problem may occur. Under such circumstances, development of organic thin-film solar cells and organic / inorganic hybrid solar cells is expected as next-generation solar cells that are low in cost, have high energy conversion efficiency, and are harmless.
  • the open-circuit voltage value of the organic thin-film solar cell depends greatly on the combination of the electron donor and the electron acceptor, and optimization of materials used for them is required. It is known that the open-circuit voltage of an organic thin-film solar cell correlates with the difference between the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the p-type material and the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital of the n-type material. .
  • HOMO highest occupied molecular orbital
  • fullerenes such as phenyl C 61-butyric acid methyl ester (PCBM) is considered optimal.
  • PCBM phenyl C 61-butyric acid methyl ester
  • P3HT conjugated polymer of polythiophene such as poly (3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) can be given.
  • the open circuit voltage (Voc) of an organic thin film solar cell combining PCBM and P3HT is as low as about 0.6 V, which is not always satisfactory from a practical viewpoint.
  • As a method for improving the open-circuit voltage value it is conceivable to lower the HOMO level of the p-type semiconductor material.
  • the band gap of the p-type semiconductor is widened and light in a long wavelength region cannot be absorbed. That is, the light absorption efficiency on the long wavelength side in the visible light region is reduced, and the incident light cannot be used effectively.
  • the open-circuit voltage value and the light absorption in the long wavelength region often have a trade-off relationship, and it is difficult to achieve both at a higher level.
  • organic / inorganic hybrid solar cells having improved energy conversion efficiency by using organic / inorganic hybrid perovskite compounds or inorganic perovskite compounds in the photoelectric conversion layer has been underway.
  • organic / inorganic hybrid solar cell polyarylamine or 2,2 ′, 7,7′-tetrakis (N, N-di-p-methoxyphenylamine) -9,9′-bifluorene (spiro) is used as a hole transport layer.
  • -OMeTAD is used.
  • a dopant agent such as t-butylpyridine (TBP) or bis (trifluoromethanesulfonyl) imide lithium (Li-TFSI) is used for the hole transport layer.
  • TBP t-butylpyridine
  • Li-TFSI bis (trifluoromethanesulfonyl) imide lithium
  • P3HT P3HT
  • the problem to be solved by the present invention is to provide a polymer capable of improving characteristics such as the open-circuit voltage value and the life of the solar cell and a solar cell using the polymer.
  • the polymer of the embodiment includes a repeating unit including a divalent group represented by the following formula (1).
  • R1 is selected from the group consisting of hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkanoyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, and a substituted or unsubstituted heteroaryl group. It is a monovalent group.
  • X is an atom selected from the group consisting of oxygen, sulfur, and selenium
  • Y and Z are each independently a divalent group selected from the group consisting of a carbonyl group, a sulfinyl group, and a sulfonyl group. However, the case where Y and Z are both carbonyl groups is excluded.
  • the weight average molecular weight of the polymer is in the range of 3,000 to 1,000,000.
  • the polymer of the embodiment is an organic polymer compound having a repeating unit containing a divalent group represented by the following formula (1).
  • R1, Y, and Z are as described above.
  • a specific configuration of the polymer of the embodiment will be described below.
  • the first polymer in the embodiment is an organic polymer compound including a repeating unit represented by the following formula (2).
  • the weight average molecular weight of the first polymer is in the range of 3000 to 1000000.
  • R1 is a monovalent group selected from hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkanoyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, and a substituted or unsubstituted heteroaryl group. It is.
  • X is an atom selected from oxygen, sulfur, and selenium.
  • Y and Z are each independently a divalent group selected from a carbonyl group, a sulfinyl group, and a sulfonyl group. However, the combination of Y and Z excludes the case where they are both carbonyl groups.
  • the substituted or unsubstituted alkyl group preferably has 1 to 30 carbon atoms.
  • the substituted or unsubstituted alkyl group may be linear, branched or cyclic. Specific examples of such alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, pentyl, hexyl, octyl, isooctyl, 2-ethylhexyl, nonyl, decyl, dodecyl.
  • the carbon number of the substituted or unsubstituted alkanoyl group is preferably in the range of 1-30.
  • the substituted or unsubstituted alkanoyl group may be linear, branched or cyclic. Specific examples of such an alkanoyl group include acetyl group, propanoyl group, butanoyl group, pentanoyl group, hexanoyl group, octanoyl group, 2-ethylhesanoyl group, nonanoyl group, decanoyl group, dodecanoyl group, octadecanoyl group, 2- Examples include, but are not limited to, a hexadecanoyl group, an octadodecyl group, a trifluoroacetyl group, a pentafluoropropanoyl group, a perfluorohexanoyl group, a perfluorooct
  • the number of carbon atoms of the substituted or unsubstituted aryl group and heteroaryl group is preferably in the range of 4-20.
  • Specific examples of the aryl group and heteroaryl group include phenyl group, naphthyl group, 4-biphenyl group, 2-thienyl group, 2-furanyl group, 4-tolyl group, 4-octylphenyl group, 2- (5-ethylhexyl). ) Thienyl group, 2- (5-ethylhexyl) furanyl group, and the like, but are not limited thereto.
  • X in Formula (2) is an atom selected from oxygen (O), sulfur (S), and selenium (Se).
  • Y and Z are divalent groups selected from a carbonyl group (—C ( ⁇ O) —), a sulfinyl group (—S ( ⁇ O) —), and a sulfonyl group (—SO 2 —).
  • Y and Z may be the same group or different groups. However, combinations in which both Y and Z are carbonyl groups are excluded.
  • a structure in which one carbonyl group of the imide ring is replaced with a sulfinyl group or a sulfonyl group, or both carbonyl groups of the imide ring According to the organic polymer compound having a structure substituted with a sulfinyl group or a sulfonyl group, the light absorption characteristics can be improved while increasing the open-circuit voltage value of the organic thin film solar cell.
  • the combination of Y and Z includes a carbonyl group and a sulfinyl group, a carbonyl group and a sulfonyl group, a sulfinyl group and a sulfonyl group, sulfinyl groups, or Combinations of sulfonyl groups are applied.
  • a combination of a carbonyl group and a sulfinyl group and a combination of a carbonyl group and a sulfonyl group are preferable, and a combination of a carbonyl group and a sulfonyl group is more preferable.
  • the weight average molecular weight of the polymer containing the repeating unit represented by the formula (2) is in the range of 3000 to 1000000. In such a case, good solubility and semiconductor characteristics can be obtained.
  • the weight average molecular weight of the polymer is preferably in the range of 10,000 to 600,000.
  • a weight average molecular weight shows the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography method.
  • the R1 group is preferably a substituted or unsubstituted alkyl group having 6 or more carbon atoms.
  • the repeating unit represented by the formula (2) may be bonded to each other cyclically to form a polymer, but generally contains a terminal group (Rt group).
  • the terminal group Rt the same monovalent group as R1 described above is applied.
  • the terminal group Rt may be a cross-linking group described later.
  • the 1st polymer in an embodiment may be constituted only with a repeating unit denoted by a formula (2), and may contain a repeating unit other than a formula (2).
  • the ratio of Formula (2) is 50 mol% or more with respect to the total number of moles of all repeating units in the polymer.
  • the second polymer in the embodiment is an organic polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (3) and having a weight average molecular weight in the range of 3000 to 1000000.
  • the 2nd polymer provided with the repeating unit represented by Formula (3) contains the bivalent conjugated coupling group A in addition to the repeating unit represented by Formula (2).
  • R 1 group, X, Y, and Z each represent the same substituent or atom as in the formula (2), and specific examples thereof are also the same.
  • the same part as the formula (2) is as described in the first polymer.
  • conjugated linking group A examples include the following. However, the conjugated linking group A is not limited to the following specific examples.
  • the weight average molecular weight of the polymer having the repeating unit represented by the formula (3) is in the range of 3000 to 1000000. In such a case, good solubility and semiconductor characteristics can be obtained.
  • the weight average molecular weight of the polymer is preferably in the range of 10,000 to 600,000.
  • the repeating unit represented by the formula (3) may be bonded to each other cyclically to form a polymer, but generally contains a terminal group Rt.
  • the terminal group Rt is as described above.
  • the 2nd polymer may be comprised only by the repeating unit represented by Formula (3), and may contain repeating units other than Formula (3).
  • the ratio of Formula (3) is 50 mol% or more with respect to the total number of moles of all repeating units in the polymer.
  • the third polymer in the embodiment is an organic polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (4) and having a weight average molecular weight in the range of 3000 to 1000000.
  • the fourth polymer in the embodiment is an organic polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (5) and having a weight average molecular weight in the range of 3000 to 1000000.
  • the third polymer includes a repeating unit in which a divalent group derived from thiophene is bonded to both ends of the repeating unit represented by the formula (2). According to such a repeating unit, the light absorption efficiency on the long wavelength side of the polymer is improved. Therefore, the power generation efficiency of the solar cell can be further increased.
  • the fourth polymer further includes a repeating unit in which a conjugated linking group A is bonded to one of divalent groups derived from thiophene. According to such a repeating unit, the directionality in the three-dimensional structure of the polymer is easily aligned, so that the stacking property when producing the cell structure is improved. Since the current easily flows in the cell structure, the power generation efficiency of the solar cell can be further increased.
  • R1 group, X, Y, Z, and A represent the same substituents or atoms as in formula (2) and formula (3), respectively.
  • the specific example is also the same. That is, in the repeating units represented by the formula (4) and the formula (5), the same part as the formula (2) is as described in the first polymer.
  • R2 group and R3 group are hydrogen, fluorine, cyano group, nitro group, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted alkanoyl group, substituted or unsubstituted aryl group, And a monovalent group selected from a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
  • the R2 group and the R3 group may be the same or different.
  • the number of carbon atoms of the substituted or unsubstituted alkyl group and alkanoyl group is preferably in the range of 1-30.
  • the substituted or unsubstituted alkyl group and alkanoyl group may be linear, branched or cyclic.
  • the substituted or unsubstituted aryl group and heteroaryl group preferably have 4 to 20 carbon atoms. Specific examples of such an alkyl group, alkanoyl group, aryl group, and heteroaryl group are the same as the specific examples of the R1 group described above.
  • the carbon number of the substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group is preferably in the range of 1-30.
  • the substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group may be linear, branched or cyclic. Specific examples of such alkoxycarbonyl groups include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexoxy group, 2-ethylhexyloxy group, octyloxycarbonyl group, decyloxycarbonyl group, dodecyl group.
  • Examples include oxycarbonyl group, octadecylcarbonyl group, 2-hexadecyloxycarbonyl group, octadodecyloxycarbonyl group, trifluoromethoxycarbonyl group, pentafluoroethoxycarbonyl group, perfluorohexyloxycarbonyl group, perfluorooctyloxycarbonyl group, etc. However, it is not limited to these.
  • the weight average molecular weight of the polymer comprising the repeating units represented by the formulas (4) and (5) is in the range of 3,000 to 1,000,000. In such a case, good solubility and semiconductor characteristics can be obtained.
  • the weight average molecular weight of the polymer is preferably in the range of 10,000 to 600,000.
  • the repeating units represented by the formulas (4) and (5) may be bonded to each other cyclically to form a polymer, but generally contain a terminal group Rt.
  • the terminal group Rt is as described above.
  • the 3rd and 4th polymer may be comprised only by the repeating unit represented by Formula (4) and Formula (5), and contains repeating units other than Formula (4) and Formula (5). May be.
  • the ratio of Formula (4) and Formula (5) is 50 mol% or more with respect to the total number of moles of all repeating units in the polymer.
  • the third polymer of the embodiment is not limited to the specific examples shown below.
  • the fifth polymer in the embodiment is an organic polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (6) and having a weight average molecular weight in the range of 3000 to 1000000.
  • the fifth polymer includes a repeating unit in which a trivalent divalent group derived from thiophene is bonded to the repeating unit represented by Formula (2).
  • a repeating unit the light absorption efficiency on the long wavelength side of the polymer is improved, and the stackability at the time of producing the cell structure is improved, so that a current easily flows in the cell structure. With these, the power generation efficiency of the solar cell can be further increased.
  • R 1 group, X, Y, and Z each represent the same substituent or atom as in the formula (2), and specific examples thereof are also the same.
  • the same part as the formula (2) is as described in the first polymer.
  • L represents oxygen (O), sulfur (S), substituted imino group (—NR—), substituted methylene group (—CR 2 —), substituted silylene group (—SiR 2 —), and substituted germylene group (—GeR 2). It is one selected from-).
  • the substituent R in these divalent groups is the same as the R1 group.
  • the R4 group and the R5 group are monovalent groups selected from hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, and a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
  • the R4 group and the R5 group may be the same or different.
  • the substituted or unsubstituted alkyl group preferably has 1 to 30 carbon atoms.
  • the substituted or unsubstituted alkyl group may be linear, branched or cyclic.
  • the substituted or unsubstituted aryl group and heteroaryl group preferably have 4 to 20 carbon atoms. Specific examples of such an alkyl group, aryl group, and heteroaryl group are the same as the specific examples of the R1 group described above.
  • the weight average molecular weight of the polymer having the repeating unit represented by the formula (6) is in the range of 3000 to 1000000. In such a case, good solubility and semiconductor characteristics can be obtained.
  • the weight average molecular weight of the polymer is preferably in the range of 10,000 to 600,000.
  • the repeating unit represented by the formula (6) alone may be cyclically bonded to form a polymer, but generally contains a terminal group Rt.
  • the terminal group Rt is as described above.
  • the fifth polymer may be composed of only the repeating unit represented by the formula (6), or may contain a repeating unit other than the formula (6).
  • the ratio of Formula (6) is 50 mol% or more with respect to the total number of moles of all repeating units in the polymer.
  • the substituent (R1) in the formula (1) and the formula (2), the substituent (R1) in the formula (3) and the formula (4) R2, R3) and at least one of the substituents (R1, R4, R5) in formula (5) are preferably bridging groups.
  • the bridging group is not limited to the substituents (R1 to R5), and may be introduced as a terminal group (Rt).
  • the cross-linking group may be a substituent that causes a cross-linking reaction by light, heat, a radical initiator, or the like.
  • examples of the cross-linking group that causes cross-linking due to decomposition by light include a substituent containing an alkyl group or an alkoxy group substituted with bromine or iodine, and a substituent containing an azo group or a diazo group.
  • the bridging group may be a substituent containing a carbon-carbon double bond or triple bond that causes photodimerization by light, or a substituent that causes an addition reaction by heat.
  • bridging groups include anthranyl groups, cinnamoyl groups, substituents containing a coumarin structure, phenylmaleimide groups, furfuryl acrylate groups, acetylene groups, benzocyclobutanes, cyclopentadienyl groups, benzocyclobutanes, and substituents having a sultine structure. Examples are groups.
  • the crosslinking group may be a substituent containing a carbon-carbon multiple bond such as an acryl group or a methacryl group as a substituent that reacts as a radical initiator.
  • a substituent containing a carbon-carbon multiple bond such as an acryl group or a methacryl group as a substituent that reacts as a radical initiator.
  • Specific examples of the polymer having a crosslinking group are shown below. However, the polymer is not limited to the specific examples shown below.
  • a palladium complex is used as a catalyst, a ligand is added if necessary, a monomer having a trialkyltin residue, and a monomer having a halogen atom such as a bromine atom, an iodine atom, or a chlorine atom Is a method of reacting.
  • the palladium complex include palladium [tetrakis (triphenylphosphine)], [tris (dibenzylideneacetone)] dipalladium, palladium acetate, and bis (triphenylphosphine) palladium dichloride. Details of the polymerization by the Stille coupling reaction are described in, for example, Patent Document 1.
  • the solvent used in the Stille coupling reaction for example, toluene, xylene, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, or an organic solvent such as a mixed solvent in which two or more of these are mixed is used. However, it is not limited to these solvents.
  • the solvent used for the Stille coupling reaction is preferably deoxygenated before the reaction in order to suppress side reactions.
  • a palladium complex or nickel complex is used as a catalyst in the presence of an inorganic base or an organic base, a ligand is added as necessary, and a boronic acid residue or a boric acid ester residue is added.
  • a monomer having a halogen atom such as a bromine atom, an iodine atom or a chlorine atom, or a monomer having a sulfonate group such as a trifluoromethanesulfonate group or p-toluenesulfonate group.
  • Examples of the inorganic base include sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, tripotassium phosphate, and potassium fluoride.
  • Examples of the organic base include tetrabutylammonium fluoride, tetrabutylammonium chloride, tetrabutylammonium bromide, and tetraethylammonium hydroxide.
  • Examples of the palladium complex include palladium [tetrakis (triphenylphosphine)], [tris (dibenzylideneacetone)] dipalladium, palladium acetate, and bis (triphenylphosphine) palladium dichloride.
  • nickel complex is bis (cyclooctadiene) nickel.
  • ligand include triphenylphosphine, tri (2-methylphenyl) phosphine, tri (2-methoxyphenyl) phosphine, diphenylphosphinopropane, tri (cyclohexyl) phosphine, and tri (tert-butyl) phosphine. . Details of the polymerization by the Suzuki coupling reaction can be found in, for example, Journal of Polymer Science: Part A: Polymer Chemistry (Journal of Polymer Science: Part A: Polymer Chemistry), 2001, Vol. 39, p. 1533-1.
  • a solvent is usually used.
  • the solvent may be selected in consideration of the polymerization reaction used and the solubility of the monomer and polymer. Specifically, an organic solvent such as tetrahydrofuran, toluene, 1,4-dioxane, dimethoxyethane, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, a mixed solvent obtained by mixing two or more of these, or an organic solvent Examples thereof include a solvent having two phases of a phase and an aqueous phase.
  • the Suzuki coupling reaction tetrahydrofuran, toluene, 1,4-dioxane, dimethoxyethane, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, an organic solvent such as a mixed solvent in which two or more of these are mixed, or It is preferable to use a solvent having two phases of an organic solvent phase and an aqueous phase.
  • the solvent used for the Suzuki coupling reaction is preferably deoxygenated before the reaction in order to suppress side reactions.
  • the reaction temperature of the aryl coupling reaction is preferably ⁇ 100 ° C. or higher, more preferably ⁇ 20 ° C. or higher, and particularly preferably 0 ° C. or higher from the viewpoint of reactivity.
  • the reaction temperature is preferably 200 ° C. or less, more preferably 150 ° C. or less, and particularly preferably 120 ° C. or less, from the viewpoint of the stability of the monomer and the polymer compound.
  • a known method can be applied to take out the polymer from the reaction solution after completion of the reaction.
  • the polymer of the embodiment can be obtained by adding a reaction solution to a lower alcohol such as methanol, filtering the deposited precipitate, and drying the filtrate. When the purity of the obtained polymer is low, it may be purified by recrystallization, continuous extraction with a Soxhlet extractor, column chromatography, or the like.
  • the polymer of the embodiment can be synthesized using a Stille coupling reaction.
  • the polymer is synthesized, for example, by polymerizing a dihalogen compound represented by formula (7) or formula (8) and bis (trialkyl) tin represented by formula (9) or formula (10).
  • R1, R2, R3, R4, R5, X, Y, Z, L, and A are as described above.
  • Specific examples of the compounds represented by formula (7) and formula (8) are shown below. However, the compounds are not limited to the following specific examples.
  • the polymer of the embodiment may have a crosslinking group as described above.
  • a polymer is synthesized using a compound having a crosslinking group.
  • Specific examples of the compound having a crosslinking group are shown below. However, the compounds are not limited to the following specific examples.
  • the polymer of the embodiment can be synthesized using a Suzuki coupling reaction.
  • the polymer is synthesized, for example, by polymerizing a compound represented by formula (9) or formula (10) and a compound represented by formula (11) or formula (12).
  • Q is a boric acid ester residue, which means a group obtained by removing a hydroxy group from a boric acid diester. Specific examples of the Q group are shown below, but are not limited thereto.
  • Me represents a methyl group
  • Et represents an ethyl group. In the following, Me and Et represent the same meaning.
  • the solar cell of the embodiment includes a photoelectric conversion element including a pair of electrodes and a photoelectric conversion layer that is disposed between the electrodes and includes an organic material.
  • the layer containing an organic material include an active layer and a buffer layer.
  • the active layer containing an organic material include a layer having a p-type semiconductor material (electron donor / electron donor) containing the polymer of the above-described embodiment and an n-type semiconductor material (electron acceptor / electron acceptor).
  • a photoelectric conversion element provided with such a photoelectric conversion layer containing an organic material is not limited to a solar battery, and can also be applied to an optical sensor or a light emitting element.
  • FIG. 1 shows a solar cell element (photoelectric conversion element) used for a general organic thin film solar cell, the structure of the solar cell element is not limited to this.
  • the solar cell element 100 of the embodiment may further include a substrate 110 and buffer layers 130 and 150.
  • the first electrode 120 is an electrode that collects holes (hereinafter sometimes referred to as an anode).
  • the second electrode 160 is an electrode that collects electrons (hereinafter may be referred to as a cathode).
  • FIG. 1 shows a solar cell element (photoelectric conversion element) used for a general organic thin film solar cell, the structure of the solar cell element is not limited to this.
  • the solar cell element 100 of the embodiment may further include a substrate 110 and buffer layers 130 and 150.
  • the first electrode 120 is an electrode that collects holes (hereinafter sometimes referred to as an anode).
  • the second electrode 160 is an electrode that collects electrons (hereinafter may be referred to as a cathode).
  • the anode 120 is disposed on the substrate 110 side, but the anode 120 and the cathode 160 may be reversed, and in this case, the buffer layer 130 and the buffer layer 150 may be reversed.
  • the buffer layer 130 and the buffer layer 150 may be reversed.
  • the active layer 140 in the solar cell element 100 of the embodiment includes a p-type semiconductor material (electron donor) and an n-type semiconductor material (electron acceptor).
  • the p-type semiconductor material includes the polymer of the embodiment, that is, the repeating unit represented by Formula (2), Formula (3), Formula (4), Formula (5), or Formula (6), and has a weight average molecular weight. It has a polymer in the range of 3000 to 1000000 or less. The specific configuration of the polymer as the p-type semiconductor material is as described above.
  • the n-type semiconductor material (electron acceptor) will be described below.
  • the active layer 140 may include a plurality of types of p-type semiconductor materials and a plurality of types of n-type semiconductor materials.
  • n-type semiconductor material (electron acceptor) included in the active layer 140 include, but are not limited to, phthalocyanine derivatives, fullerenes or fullerene derivatives, boron-containing polymers, poly (benzobisimidazobenzophenanthroline), and the like. is not. Among these, fullerene derivatives are preferable. Specific examples of the fullerene derivative include 1 ′, 1 ′′, 4 ′, 4 ′′ -Tetrahydro-di [1,4] methananaphthaleno [1,2: 2 ′, 3 ′, 56,60: 2 ′′, 3 ′′].
  • [5,6] fullerene-C60 (indene -C 60 bis adduct: IC60BA), [6,6] -Phenyl C61 butyric acid methyl ester (PC60BM), [6,6] -Phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC70BM ), Dihyrdonophylyl-based [60] fullerene bisducts (NC60BA), Dihyrdonophylyl-based [70] fullerene bisducts (NC70BA), etc. , But it is not limited thereto.
  • the relative system of LUMO energy levels between the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material is is important.
  • the LUMO energy level of the p-type semiconductor material is preferably higher than the LUMO energy level of the n-type semiconductor material by a predetermined energy.
  • the electron affinity of the p-type semiconductor material is larger than the electron affinity of the n-type semiconductor material by a predetermined energy.
  • the open circuit voltage (Voc) of the solar cell element 100 is determined by the difference between the HOMO energy level of the p-type semiconductor material and the LUMO energy level of the n-type semiconductor material. Therefore, if the LUMO energy level of the n-type semiconductor material is too low, Voc tends to be low. That is, in order to realize higher conversion efficiency, it is not necessary to simply select an n-type semiconductor material having a high or low LUMO energy level.
  • the LUMO energy level of the first to fifth polymers of the above-described embodiments can be adjusted by selecting the substituent. That is, compounds having various energy levels can be obtained by changing substituents of the two types of monomers constituting the copolymer. In order to obtain monomers having various substituents, for example, well-known techniques such as esterification, etherification, and cross coupling can be used. However, a suitable combination of a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material is not simply determined based on the LUMO energy level and the HOMO energy level alone.
  • the thickness of the active layer 140 is not particularly limited.
  • the thickness of the active layer is preferably 10 nm to 1000 nm, and more preferably 50 nm to 250 nm. By setting the thickness of the active layer to 10 nm or more, the uniformity of the layer is maintained, and short circuit is less likely to occur. By setting the thickness of the active layer to 1000 nm or less, the internal resistance can be reduced, and further, the distance between the electrodes 120 and 160 can be reduced, so that charges can be diffused satisfactorily.
  • Specific structures of the active layer 140 include a thin film stack type in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are stacked, and a bulk heterojunction type in which a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed.
  • the thin film stacked active layer 140 may be disposed between a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, and may include a layer (i layer) in which a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed.
  • the solar cell element 100 of the embodiment preferably includes an active layer 140 having a bulk heterojunction structure in which a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed.
  • the bulk heterojunction active layer 140 includes a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material.
  • the p-type semiconductor phase and the n-type semiconductor phase are phase-separated from each other.
  • positive charges (holes) and negative charges (electrons) are separated at these phase interfaces, and are transported to the electrodes 120 and 160 through the respective semiconductors.
  • the phase separation structure between the p-type semiconductor phase and the n-type semiconductor phase includes an optical absorption process, an exciton diffusion process, an exciton dissociation process (charge generation process), a carrier transport process, and the like. Have an impact on. Therefore, in order to increase the photoelectric conversion efficiency of the solar cell element 100, it is preferable to optimize the phase separation structure of the p-type semiconductor phase and the n-type semiconductor phase in the active layer 140.
  • the formation method of the active layer 140 is not particularly limited, but it is preferable to apply a wet coating method such as a spin coating method, an ink jet method, a doctor blade method, or a drop casting method.
  • a wet coating method such as a spin coating method, an ink jet method, a doctor blade method, or a drop casting method.
  • a p-type semiconductor material made of a polymer is selected by selecting a solvent in which the p-type semiconductor material (polymer having the repeating units represented by formulas (2) to (6)) and the n-type semiconductor material are soluble.
  • a coating solution containing n-type semiconductor material By applying this coating solution, a bulk heterojunction type active layer 140 can be formed.
  • the type of the solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the semiconductor material uniformly.
  • the solvent include aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, isooctane, nonane and decane, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, chlorobenzene and orthodichlorobenzene, and lower alcohols such as methanol, ethanol and propanol.
  • Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, esters such as ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, halogen hydrocarbons such as chloroform, methylene chloride, dichloroethane, trichloroethane, trichloroethylene, ethyl ether, tetrahydrofuran, It can be selected from ethers such as dioxane and amides such as dimethylformamide and dimethylacetamide.
  • photoelectric conversion efficiency may be improved by adding a low molecular weight compound to the coating solution.
  • a plurality of factors can be considered as the mechanism by which the phase separation structure is optimized by the additive and the photoelectric conversion efficiency is improved.
  • the factors it is conceivable that aggregation of p-type semiconductor materials or n-type semiconductor materials is suppressed by the presence of the additive. That is, when there is no additive, the solvent of the active layer coating liquid (ink) usually evaporates immediately after coating. At this time, it is considered that the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material remaining as residual components each form a large aggregate. In such a case, since the junction area (area of the interface) between the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material becomes small, the charge generation efficiency decreases.
  • the additive When the ink containing the additive is applied, the additive remains for a while even after the solvent volatilizes. That is, since the additive is present around the p-type semiconductor material and / or the n-type semiconductor material, aggregation of the p-type semiconductor material and / or the n-type semiconductor material is prevented.
  • the additive is considered to evaporate at a slow speed under normal temperature and pressure after ink application. Although the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material are considered to aggregate as the additive evaporates, the remaining additive suppresses the aggregation, so that the aggregate formed by the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material. Becomes smaller. As a result, a phase separation structure having a large junction area between the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material and higher charge generation efficiency is formed in the active layer 140.
  • the additive remains in the active layer 140 for a while after the main solvent of the ink volatilizes.
  • the boiling point of the additive is preferably higher than that of the main solvent of the ink. Since the boiling points of chlorobenzene and orthodichlorobenzene, which are often used as the main solvent of the ink, are 131 ° C. and 181 ° C., respectively, the boiling point of the additive at normal pressure (1000 hPa) is preferably higher than these. From the same viewpoint, the vapor pressure of the additive is preferably lower than the vapor pressure of the main solvent of the ink at normal temperature (25 ° C.).
  • the boiling point of the additive is too high, it is assumed that the amount of the additive remaining inside the active layer 140 without increasing completely from the active layer 140 even after the device is manufactured. In such a case, an increase in impurities may cause a decrease in mobility, that is, a decrease in photoelectric conversion efficiency. Therefore, it can also be said that the boiling point of the additive is not too high.
  • the boiling point of the additive under normal pressure is preferably higher in the range of 10 ° C. or higher and 200 ° C. or lower than the boiling point of the main solvent, and more preferably higher in the range of 50 ° C. or higher and 100 ° C. or lower than the boiling point of the main solvent. .
  • the additive is preferably liquid at normal temperature (25 ° C.) from the viewpoint of easy ink preparation.
  • the additive When the additive is solid at room temperature, it may be difficult to dissolve the additive in the main solvent at the time of preparing the ink, or it may take a long stirring time even if it can be dissolved.
  • the compatibility of the additive with the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material is important. That is, since the additive interacts with the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material, the crystallinity of the p-type semiconductor material or the n-type semiconductor material may change depending on the structure of the additive, for example.
  • the additive include aromatic compounds such as alkane having a substituent and naphthalene having a substituent.
  • substituents include aldehyde group, oxo group, hydroxy group, alkoxy group, thiol group, thioalkyl group, carboxyl group, ester group, amine group, amide group, fluoro group, chloro group, bromo group, iodo group, nitrile group, An epoxy group, an aryl group, etc. are mentioned. There may be one or more substituents.
  • a substituent which alkane has a thiol group and an iodo group are preferable.
  • the additive preferably has a high boiling point as described above, the alkane has preferably 6 or more carbon atoms, more preferably 8 or more. Since the additive is preferably liquid at room temperature as described above, the alkane preferably has 14 or less carbon atoms, more preferably 12 or less.
  • the amount of the additive contained in the ink (active layer coating solution) is preferably 0.1% by weight or more and 10% by weight or less based on the whole ink. Further, it is more preferably 0.5 wt% or more and 3 wt% or less with respect to the whole ink. By setting the amount of the additive in such a range, a preferable phase separation structure can be obtained while reducing the additive remaining in the active layer 140.
  • the electrodes 120 and 160 in the solar cell element 100 of the embodiment have a function of collecting holes or electrons generated when the active layer 140 absorbs light. Therefore, the first electrode 120 is preferably suitable for collecting holes, and the second electrode 160 is preferably suitable for collecting electrons. At least one of the pair of electrodes 120 and 160 preferably has a light-transmitting property, and both may have a light-transmitting property. Having translucency means that sunlight passes through 40% or more. More preferably, the translucent electrode transmits 70% or more of sunlight, which allows the transparent electrode to pass through and allows light to easily reach the active layer 140. The light transmittance can be measured with a normal spectrophotometer, and shows, for example, the average transmittance for visible light (400 nm to 800 nm).
  • the electrode (anode) 120 suitable for collecting holes is generally an electrode made of a conductive material having a work function higher than that of the cathode 160. According to such an anode 120, holes generated in the active layer 140 can be taken out smoothly.
  • the material for forming the anode 120 include nickel oxide, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), fluorine-doped tin oxide (FTO), indium-zirconium oxide (IZO), titanium oxide, and zinc oxide.
  • the anode 120 When the anode 120 is a transparent electrode, it is conductive with conductive metal oxides having translucency such as ITO, zinc oxide and tin oxide, metal nanowires such as Au, Ag and Cu, or carbon nanotubes (CNT). It is preferable to use a composite or laminate of a metal oxide, a metal nanowire such as Au, Ag, or Cu, or a composite or laminate of a carbon nanotube (CNT) and a conductive polymer, particularly ITO. It is preferable.
  • the above-described substances are preferable because they can be laminated with a conductive polymer material represented by PEDOT / PSS in which a polythiophene derivative is doped with polystyrene sulfonic acid.
  • a buffer layer 130 made of a conductive polymer material can be provided between the anode 120 and the active layer 140.
  • a metal suitable for the anode 120 such as aluminum or magnesium is used instead of the material having a high work function as described above because the conductive polymer material has a high work function. be able to.
  • the conductive polymer material itself can also be used as the material for the anode 120. Examples of the conductive polymer material include PEDOT / PSS, a material obtained by doping iodine or the like with polypyrrole, polyaniline, or the like.
  • the film thickness of the anode 120 is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more and 1 ⁇ m or less, and more preferably 50 nm or more and 300 nm or less. If the film thickness of the anode 120 is too thin, the sheet resistance increases, and if it is too thick, the light transmittance decreases. When the anode 120 is a transparent electrode, it is preferable to select a film thickness so that both high light transmittance and low sheet resistance can be obtained.
  • the sheet resistance of the anode 120 is not particularly limited, but is usually 1 ⁇ / ⁇ or more, preferably 500 ⁇ / ⁇ or less, and more preferably 200 ⁇ / ⁇ or less. From the viewpoint of extracting a larger current, the sheet resistance is preferably small.
  • Examples of the method for forming the anode 120 include a vacuum film formation method such as vapor deposition and sputtering, and a method of forming a film by applying an ink containing nanoparticles and a precursor.
  • the precursor is a compound that is converted into a material suitable for the anode 120 by a conversion treatment after coating.
  • An electrode (cathode) suitable for collecting electrons is generally an electrode made of a conductive material having a work function higher than that of an anode. Such a cathode 160 can smoothly extract electrons generated in the active layer 140.
  • a material for forming the cathode 160 for example, a metal such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, zinc, aluminum, indium, chromium, lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, or at least one of these metals is used. Alloys, inorganic salts such as lithium fluoride and cesium fluoride, and metal oxides such as nickel oxide, aluminum oxide, lithium oxide, and cesium oxide. Since these materials have a low work function, they are suitable for the material of the cathode 160.
  • the cathode 160 can be provided with a buffer layer 150 between the cathode 160 and the active layer 140.
  • a buffer layer 150 between the cathode 160 and the active layer 140.
  • a material having a high work function can be used as the material of the cathode 160.
  • the material for forming the cathode 160 is preferably a metal such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, calcium, indium, or an alloy thereof.
  • the film thickness of the cathode 160 is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more and 10 ⁇ m or less, and more preferably 50 nm or more and 500 nm or less. If the film thickness of the cathode 160 is too thin, the sheet resistance increases, and if it is too thick, the light transmittance decreases. When the cathode 160 is a transparent electrode, it is preferable to select a film thickness so that both high light transmittance and low sheet resistance can be obtained.
  • the sheet resistance of the cathode 160 is not particularly limited, but is preferably 500 ⁇ / ⁇ or less, and more preferably 200 ⁇ / ⁇ or less. The lower limit is not limited, but is usually 1 ⁇ / ⁇ or more. From the viewpoint of extracting a larger current, the sheet resistance is preferably small.
  • Examples of the method for forming the cathode 160 include a vacuum film formation method such as vapor deposition and sputtering, and a method of forming a film by applying an ink containing nanoparticles and a precursor.
  • the solar cell element 100 of the embodiment may further include one or more buffer layers in addition to the pair of electrodes 120 and 160 and the active layer 140 disposed therebetween.
  • the buffer layer can be classified into a hole extraction layer 130 and an electron extraction layer 150.
  • the hole extraction layer 130 is disposed between the active layer 140 and the anode 120
  • the electron extraction layer 150 is disposed between the active layer 140 and the cathode 160.
  • the material of the hole extraction layer 130 is not particularly limited as long as the hole extraction efficiency from the active layer 140 to the anode 120 can be improved.
  • a conductive polymer obtained by doping polythiophene, polypyrrole, polyacetylene, triphenylenediamine polypyrrole, polyaniline, or the like with at least one doping material of sulfonic acid and iodine can be given.
  • a conductive polymer doped with sulfonic acid is preferable
  • PEDOT PSS in which a polythiophene derivative is doped with polystyrene sulfonic acid is more preferable.
  • a metal oxide semiconductor such as tungsten oxide or molybdenum oxide may be used.
  • a thin film of metal such as gold, indium, silver, or palladium can also be used as the hole extraction layer 130.
  • the metal thin film may be used alone as the hole extraction layer 130.
  • a metal thin film and the above-described conductive polymer can be combined to be used as the hole extraction layer 130.
  • the film thickness of the hole extraction layer 130 is not particularly limited, but is usually 1 nm or more and 200 nm or less.
  • the film thickness of the hole extraction layer 130 is preferably 5 nm or more, and preferably 100 nm or less.
  • the uniformity becomes insufficient and a short circuit tends to occur.
  • the resistance value increases and it becomes difficult to extract holes.
  • the material of the electron extraction layer 150 is not particularly limited as long as it can improve the efficiency of extracting electrons from the active layer 140 to the cathode 160.
  • the material for forming the electron extraction layer 150 is roughly classified into an inorganic compound and an organic compound.
  • the electron extraction layer 150 may be formed using only one of the materials, or may be formed using both materials.
  • a stacked body of an inorganic compound layer and an organic compound layer may be used as the electron extraction layer 150.
  • Examples of the inorganic compound material used for the electron extraction layer 150 include alkali metal salts such as lithium, sodium, potassium, and cesium, or n-type oxide semiconductor compounds such as titanium oxide (TiO x ) and zinc oxide (ZnO). preferable.
  • the alkali metal salt is preferably a fluoride salt such as lithium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, cesium fluoride.
  • the electron extraction layer 150 can be formed by applying a vacuum film formation method such as vacuum deposition or sputtering. In particular, it is desirable to form the electron extraction layer 150 by vacuum deposition using resistance heating. By using vacuum deposition, damage to other layers such as the active layer 140 can be reduced.
  • the film thickness is preferably 0.1 nm or more and 50 nm or less, and more preferably 20 nm or less. If the electron extraction layer 150 is too thin, the effect of improving the electron extraction efficiency is not sufficient. If the electron extraction layer 150 is too thick, the electron extraction layer 150 acts as a series resistance component, which may impair the characteristics of the element.
  • the electron extraction layer 150 can be formed by applying a vacuum film formation method such as sputtering.
  • the electron extraction layer 150 made of titanium oxide is more preferably formed using a coating method.
  • the electron extraction layer 150 made of titanium oxide can be formed by a sol-gel method.
  • the film thickness is usually from 0.1 nm to 100 nm, preferably from 5 nm to 50 nm. If the electron extraction layer 150 is too thin, the effect of improving the electron extraction efficiency is not sufficient. If the electron extraction layer 150 is too thick, the electron extraction layer 150 acts as a series resistance component, which may impair the characteristics of the element.
  • the electron extraction layer 150 Even when zinc oxide is used as a material for forming the electron extraction layer 150, it can be formed using a vacuum film formation method such as a sputtering method. It is preferable to form the electron extraction layer 150 using a coating method.
  • a coating method for example, Sol-Gel Science, C.I. J. et al. Brinker, G.M. W. According to the sol-gel method described in Scherer, Academic Press (1990), the electron extraction layer 150 made of zinc oxide can be formed.
  • the film thickness is usually 0.1 nm to 400 nm, preferably 1 nm to 50 nm. If the electron extraction layer 150 is too thin, the effect of improving the electron extraction efficiency is not sufficient. If the electron extraction layer 150 is too thick, the electron extraction layer 150 acts as a series resistance component, which may impair the characteristics of the element.
  • Examples of the organic compound material used for the electron extraction layer 150 include bathocuproin (BCP), bathophenanthrene (Bphen), (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3), boron compound, oxadiazole compound, benzimidazole compound, naphthalene.
  • Examples include tetracarboxylic anhydride (NTCDA), perylenetetracarboxylic anhydride (PTCDA), phosphine oxide compounds, phosphine sulfide compounds, and conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the above organic compound material may be doped with a metal such as an alkali metal or an alkaline earth metal.
  • the thickness of the electron extraction layer 150 is usually 0.5 nm or more and 500 nm or less, preferably 1 nm or more and 100 nm or less. If the electron extraction layer 150 is too thin, the effect of improving the electron extraction efficiency is not sufficient. If the electron extraction layer 150 is too thick, the electron extraction layer 150 acts as a series resistance component, which may impair the characteristics of the element.
  • the total thickness of the electron extraction layer 150 is usually 0.1 nm or more and 100 nm or less, preferably 60 nm or less.
  • the method for forming the buffer layers 130 and 150 is not particularly limited.
  • the film forming methods for some materials are as described above.
  • a vacuum film forming method such as a vacuum evaporation method can be used.
  • a wet coating method such as spin coating or inkjet can be used.
  • the solar cell element 100 has the board
  • the material of the substrate 110 is not particularly limited.
  • inorganic materials such as quartz, glass, sapphire, titania, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polyimide, nylon, polystyrene, polyvinyl alcohol, ethylene vinyl alcohol copolymer, fluororesin, vinyl chloride, Polyolefins such as polyethylene, cellulose, polyvinylidene chloride, aramid, polyphenylene sulfide, polyurethane, polycarbonate, polyarylate, polynorbornene, paper materials such as epoxy resin, paper materials such as paper, synthetic paper, stainless steel, titanium, aluminum, etc. Examples thereof include a composite material obtained by applying or laminating a metal layer with an insulating property.
  • the glass examples include soda glass, blue plate glass, and non-alkali glass.
  • the material of glass since it is better that there are few eluting ions from glass, alkali-free glass is preferable.
  • a laminate with the above polymer film may be used as a substrate in order to make it difficult to break.
  • the thickness of the substrate 110 is not particularly limited.
  • the thickness of the substrate 110 is usually 5 ⁇ m or more and 20 mm or less, preferably 20 ⁇ m or more and 10 mm or less. If the substrate 110 is too thin, the strength of the solar cell element 100 may be insufficient. If the substrate 110 is too thick, the cost may increase or the substrate 110 may become too heavy. When the substrate 110 is made of glass, if it is too thin, the mechanical strength is lowered and the substrate 110 is easily cracked. Therefore, the thickness is preferably 0.01 mm or more, and more preferably 0.1 mm or more. Since it will become heavy if it is too thick, the thickness of the substrate 110 is preferably 10 mm or less, and more preferably 3 mm or less.
  • the solar cell element 100 of the embodiment is manufactured by sequentially forming the electrode 120, the active layer 140, and the electrode 160 on the substrate 110 by the method as described above.
  • the electrode 120, the buffer layer 130, the active layer 140, the buffer layer 150, and the electrode 160 may be sequentially formed on the substrate 110.
  • annealing treatment By performing the annealing treatment, the thermal stability and durability of the solar cell element 100 may be improved.
  • An annealing treatment may improve the adhesion between the layers, which is considered as one of the reasons.
  • the heating temperature is usually 200 ° C. or lower, preferably 180 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower.
  • the heating temperature is usually 50 ° C. or higher, preferably 80 ° C. or higher. If the temperature is too low, the effect of improving adhesion may not be sufficiently obtained. If the temperature is too high, for example, the compound contained in the active layer 140 may be thermally decomposed.
  • For the annealing treatment heating at a plurality of temperatures may be applied.
  • the heating time is usually from 1 minute to 3 hours, preferably from 3 minutes to 1 hour.
  • the annealing treatment is preferably terminated when the open circuit voltage, short circuit current, and fill factor (curve factor), which are parameters of the solar cell performance, have reached a certain value.
  • the annealing treatment is preferably performed under normal pressure, and is preferably performed in an inert gas atmosphere.
  • the solar cell of the embodiment can be manufactured using any method.
  • the surface of the organic thin film solar cell (solar cell element 100) can be covered with an appropriate protective material to improve the weather resistance, and a solar cell can be produced.
  • the protective material include a weather-resistant protective film, an ultraviolet cut film, a gas barrier film, a getter material film, and a sealing material.
  • a known configuration can be added.
  • the organic / inorganic hybrid solar cell has, for example, a laminated structure (reverse structure) of substrate / cathode electrode / electron extraction layer / active layer / hole extraction layer / anode electrode.
  • the organic thin-film solar cell described above has a laminated structure (forward structure) of substrate / anode electrode / hole extraction layer / active layer / electron extraction layer / cathode electrode.
  • An organic / inorganic hybrid perovskite compound is used for the active layer of the organic / inorganic hybrid solar cell.
  • a p-type semiconductor material is used for the hole extraction layer of the organic / inorganic hybrid solar cell.
  • the p-type semiconductor material forming the hole extraction layer is the polymer of the embodiment, that is, the repeating unit represented by the formula (2), the formula (3), the formula (4), the formula (5), or the formula (6). And a polymer having a weight average molecular weight in the range of 3,000 to 1,000,000 or less.
  • the specific configuration of the polymer as the p-type semiconductor material is as described above.
  • the hole extraction layer may include a plurality of types of p-type semiconductor materials.
  • the irradiated light is absorbed by the active layer containing the organic / inorganic hybrid perovskite compound, whereby charge separation occurs in the active layer. Electrons generated by the charge separation are extracted from the cathode electrode, and holes are extracted from the anode electrode.
  • the same buffer layer (electron extraction layer and hole extraction layer) as the organic thin film solar cell can be used.
  • the organic / inorganic hybrid solar cell is manufactured by the same method as the organic thin film solar cell except that the stacking order is reverse to that of the organic thin film solar cell described above.
  • the organic / inorganic hybrid perovskite compound used for the active layer of the organic / inorganic hybrid solar cell has a composition represented by the following formula (13), for example. CH 3 NH 4 ML 3 (13)
  • M is at least one atom selected from the group consisting of lead (Pb) and tin (Sn)
  • L is a group consisting of iodine (I), bromine (Br), and chlorine (Cl). It is at least one atom selected from.
  • Examples of the method for producing the active layer include a method of vacuum-depositing the perovskite compound or a precursor thereof, a method of applying a solution obtained by dissolving the perovskite compound or a precursor thereof in a solvent, heating and drying.
  • Examples of the precursor of the perovskite compound include a mixture of methylammonium halide and lead halide or tin halide.
  • the active layer is formed by applying a solution obtained by dissolving a perovskite compound or a precursor thereof in a solvent, and heating and drying.
  • the active layer can also be formed by applying a lead halide or tin halide solution as a precursor and drying it, and then applying a methylammonium halide solution, followed by heating and drying.
  • solvents include, for example, lower alcohols such as methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol and methoxyethanol, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclopentanone and cyclohexanone, esters such as ethyl acetate, butyl acetate and methyl lactate, ethyl ether , Ethers such as tetrahydrofuran and dioxane, and amides such as dimethylformamide and dimethylacetamide.
  • lower alcohols such as methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol and methoxyethanol
  • ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclopentanone and cyclohexanone
  • esters such as ethyl acetate, butyl acetate and methyl lactate
  • ethyl ether Ethers such as tetrahydrofuran and diox
  • the thickness of the active layer is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably 50 nm or more and 600 nm or less.
  • the thickness of the active layer is 10 nm or more, the uniformity of the active layer is maintained and short circuit is hardly caused.
  • the thickness of the active layer is 1000 nm or less, the internal resistance can be reduced, and further, the distance between the electrodes can be reduced so that charges can be diffused favorably.
  • a positive electrode made of a p-type semiconductor material including a polymer having a repeating unit represented by the above formulas (2) to (6) is provided between the active layer and the anode electrode.
  • a hole extraction layer (buffer layer) is provided.
  • the hole extraction layer is formed, for example, by applying a solution in which a polymer is dissolved in a solvent.
  • the thickness of the hole extraction layer is not particularly limited, but is usually 1 nm or more and 100 nm or less.
  • the thickness of the hole extraction layer is preferably 2 nm or more and 50 nm or less. If the thickness of the hole extraction layer is too thin, the uniformity becomes insufficient and a short circuit tends to occur. When the thickness of the hole extraction layer is too thick, the resistance value increases and it tends to be difficult to extract holes.
  • the organic / inorganic hybrid solar cell of the embodiment may include an electron extraction layer (buffer layer) provided between the active layer and the cathode electrode, similarly to the organic thin film solar cell described above.
  • the formation material and formation method of the electron extraction layer are as described above.
  • the material for forming the anode electrode and the cathode electrode is also as described above.
  • Other configurations of the organic / inorganic hybrid solar cell are the same as those of the organic thin film solar cell described above.
  • anhydrous toluene degassed with a syringe was added to the flask by opening the three-way cock (flowing argon from one side), and after dissolving, sucked with a syringe and put into a three-necked flask. Open the attached three-way cock (flowing argon from one side) and add this toluene solution. Further, 6 mL of anhydrous dimethylformamide (DMF) deaerated with a syringe is weighed and added to the flask as before, and the three-way cock is closed.
  • DMF dimethylformamide
  • This three-necked flask is heated in an oil bath, reacted at reflux temperature for 12 hours, and cooled to room temperature. Under nitrogen, 0.109 g of trimethylphenyltin is weighed, dissolved in 4 mL of deaerated anhydrous toluene, added to the flask in the same manner as before, and heated to reflux for 2 hours. After cooling to room temperature, 0.097 g of bromobenzene is weighed under nitrogen, dissolved in 4 mL of deaerated anhydrous toluene, added to the flask as before with a syringe, and heated to reflux for 2 hours.
  • reaction solution is added dropwise to 500 mL of methanol while stirring to precipitate the polymer.
  • This precipitate is filtered through a glass filter, dissolved in chloroform, and the catalyst is removed with a celite column.
  • methanol is added and stirred well, followed by filtration using a glass filter to obtain a solid.
  • This solid was vacuum-dried at 80 ° C. for 4 hours to obtain 1.080 g of a metallic brass black polymer. Purification was carried out in the order of ethyl acetate, hexane, toluene and chlorobenzene by Soxhlet extraction. Thereafter, benzene extracted components were used.
  • the monomer 4,6-dibromo-N- (2-ethylhexyl) -2,3-dihydro-3-oxo-thieno [3,4-d] isothiazole-1,1-dione was synthesized in the synthesis of Example 1.
  • the synthesis was performed in the same manner except that 1-bromo-2-ethyl-hexane was used instead of 1-bromooctane used.
  • the product was synthesized under the same conditions as above to obtain 0.803 g of a slightly bluish red copper-colored polymer with metallic luster, which was purified by Soxhlet extraction in the order of ethyl acetate, hexane, toluene, and chlorobenzene.
  • 2,6-bis (trimethyltin)-(4,4′-bis (2-ethylhexyl) dithieno [3,2-b: 2 ′, 3′-b] silole was used in Lijun Huo et al. Mac. romolecules 2009, VOL42, 6564-6571.
  • Example 4 To 2,6-bis (trimethyltin) -4,8-bis (5- (2-ethylhexyl) thiophen-2-yl) benzo (1,2-b: 4,5-b ′) dithiophene of Example 4 Instead, Example 4 was used except that 2,6-bis (trimethyltin)-(4,4′-bis (2-ethylhexyl) dithieno [3,2-b: 2 ′, 3′-b] germole was used.
  • Examples 13 to 24, Comparative Examples 3 to 4 [Production of organic thin-film solar cell elements]
  • the polymers of Examples 1 to 12 (P1 to P12), which are p-type semiconductor materials, and the polymers of Comparative Examples 1 to 2 were mixed so that the mass ratio with PC70BM, which is an n-type semiconductor material, was 1: 2.
  • the mixture was dissolved in chlorobenzene in a nitrogen atmosphere so that the concentration of the mixture was 2.0% by mass.
  • 1,8-diiodooctane was added so as to be 3% by mass of the total solution, and the mixture was stirred and mixed at a temperature of 120 ° C. for 1 hour using a hot stirrer.
  • the solution after stirring and mixing was cooled to room temperature, and then filtered through a 0.20 ⁇ m polytetrafluoroethylene (PTFE) filter to obtain an active layer coating solution using each polymer.
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • a glass substrate on which a transparent conductive film of indium tin oxide (ITO) is patterned is cleaned in the following order: ultrasonic cleaning with a surfactant, water with ultrapure water, and ultrasonic cleaning with ultrapure water, followed by nitrogen blowing. And dried by heating at 120 ° C. in the air for 5 minutes. Finally, ultraviolet ozone cleaning was performed on the substrate.
  • an aqueous dispersion of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonic acid (PH500 (trade name) manufactured by Heraeus) was applied as a hole extraction layer by spin coating, and the substrate after coating was applied. Heated in air for 5 minutes on a 140 ° C. hot plate. The film thickness of the hole extraction layer was about 40 nm.
  • An active layer having a thickness of about 90 nm was formed by spin-coating a polymer active layer coating solution at a rate of 600 rpm in a nitrogen atmosphere on a substrate on which a hole extraction layer was formed. Thereafter, lithium fluoride having an average thickness of 0.1 nm as an electron extraction layer and aluminum having a thickness of 100 nm as an electrode layer were sequentially formed by resistance heating vacuum deposition. In this way, a 1 cm square solar cell element was produced.
  • the solar cell element using the polymer of the example has an open circuit voltage (Voc) of about 0.9 to 1.0 V higher than that of the comparative example, and further excellent in conversion efficiency (power generation efficiency). I understand that Therefore, a high-performance organic thin film solar cell can be provided by using the polymer of the example.
  • Example 25 A glass substrate on which a transparent conductive film of indium tin oxide (ITO) is patterned is cleaned in the following order: ultrasonic cleaning with a surfactant, water with ultrapure water, and ultrasonic cleaning with ultrapure water, followed by nitrogen blowing. And dried by heating at 120 ° C. in the air for 5 minutes. Finally, ultraviolet ozone cleaning was performed on the substrate.
  • An active layer having a thickness of about 90 nm is formed by spin-coating the active layer coating solution of the polymer [P11] of Example 11 at a speed of 600 rpm on a substrate on which a hole extraction layer is formed in a nitrogen atmosphere. Formed. Next, UV crosslinking (254 nm, 1.9 mW / cm 2 ) was performed for 30 minutes in an argon atmosphere to perform photocrosslinking. Thereafter, lithium fluoride having an average thickness of 0.1 nm as an electron extraction layer and aluminum having a thickness of 100 nm as an electrode layer were sequentially formed by resistance heating vacuum deposition. In this way, a 1 cm square solar cell element was produced. Separately, a solar cell element in which the polymer was not photocrosslinked was prepared.
  • a 1 cm square metal mask was attached to each of a solar cell element obtained by photocrosslinking a polymer and a solar cell element not obtained by photocrosslinking a polymer, and a light resistance test was conducted in accordance with JIS standard C8938.
  • the irradiation light source was air mass (AM) 1.5G, irradiance 100 mW / cm 2 , the black panel temperature was adjusted to 63 ° C., and irradiation was continued for 70 hours.
  • the current-voltage characteristics between the ITO electrode and the aluminum electrode were measured using SPECTR solar simulator-IVP0605 (trade name) manufactured by Asahi Spectroscopic Co., Ltd.
  • Examples 1, 8, and 9 polymers (P1, P8, and P9), which are p-type semiconductor materials, were dissolved in chlorobenzene in a nitrogen atmosphere so that the concentration was 1.0% by mass. These solutions were stirred and mixed at a temperature of 120 ° C. for 1 hour using a hot stirrer. The solution after stirring and mixing was cooled to room temperature, and then filtered through a 0.20 ⁇ m PTFE filter to obtain a hole extraction layer coating solution using each polymer.
  • a glass substrate on which a fluorine-doped tin oxide (FTO) transparent conductive film is patterned is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with a surfactant, water with ultrapure water, and ultrasonic cleaning with ultrapure water. It dried and heat-dried at 120 degreeC in air
  • This substrate was spin-coated with an ethanol solution of titanium diisopropoxide bis (acetylacetone), heated at 450 ° C. for 30 minutes, and then cooled. This substrate was immersed in an aqueous solution of titanium chloride (TiCl 4 ) at 70 ° C. for 30 minutes. The substrate taken out from the aqueous solution was washed and dried, and then heated in air at 500 ° C. for 20 minutes to form an electron extraction layer having a thickness of about 20 nm.
  • TiCl 4 titanium chloride
  • An active layer coating solution of a perovskite compound is spin-coated at a rate of 600 rpm in a nitrogen atmosphere on a substrate on which an electron extraction layer has been formed, and dried at 60 ° C. for about 30 minutes, whereby an activity having a thickness of about 300 nm is obtained.
  • a layer was formed.
  • a hole extraction layer was formed by spin-coating a polymer hole extraction layer coating solution on the active layer at a speed of 2000 rpm for 60 seconds. Thereafter, gold having a thickness of 100 nm was formed as an electrode layer by resistance heating vacuum deposition. Thus, a 1 cm square organic / inorganic hybrid solar cell element was produced.
  • the organic / inorganic hybrid solar cell element was sealed with glass, heated on a hot plate in a nitrogen atmosphere at 90 ° C. for 15 minutes, and then cooled to room temperature. Similar characteristics were measured after the heating test to determine the deterioration rate. Table 3 shows the deterioration rate of the characteristics before and after heating.
  • the organic / inorganic hybrid solar cell element using the polymer of the example is excellent in conversion efficiency (power generation efficiency) and heat resistance. Therefore, by using the polymer of the example, it is possible to provide a high performance and long life organic / inorganic hybrid solar cell.

Abstract

 実施形態のポリマーは、下記に示す2価基を含む繰り返し単位を備える。式(1)において、R1は水素、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基から選ばれる1価基である。Xは、酸素、硫黄、及びセレンから選ばれる原子である。Y及びZは、それぞれ独立に、カルボニル基、スルフィニル基、及びスルホニル基から選ばれる2価基である。ただし、Y及びZが共にカルボニル基である場合を除く。

Description

ポリマーとそれを用いた太陽電池
 本発明の実施形態は、ポリマーとそれを用いた太陽電池に関する。
 有機半導体は、有機薄膜太陽電池、有機/無機ハイブリッド太陽電池、発光素子、光センサ等の光電変換素子への適用が期待されている。中でも、有機半導体材料として高分子化合物を用いれば、安価な塗布法で活性層を作製することができる。エネルギー需要とCOの排出削減の観点から、環境負荷の少ないクリーンなエネルギーの1つとして太陽電池が期待されており、その需要が急速に伸びている。現在はシリコン系太陽電池が主流であるが、その効率は15%前後であり、低コスト化することが難しい。安価に作製できる太陽電池としてCdTe型太陽電池も知られているが、有毒元素のCdを使用するため、環境問題が発生するおそれがある。このような状況下において、低コストでエネルギー変換効率が高く、無害な次世代の太陽電池として、有機薄膜太陽電池や有機/無機ハイブリッド太陽電池の開発が期待されている。
 有機薄膜太陽電池を実用化するために、有機薄膜太陽電池の発電効率を向上させることが強く求められている。発電効率を向上させるためには、開放電圧(Voc)の改善が重要である。有機薄膜太陽電池の開放電圧値は、電子供与体及び電子受容体の組み合わせに大きく依存し、それらに用いる材料の最適化が求められる。有機薄膜太陽電池の開放電圧は、p型材料の最高占有分子軌道(HOMO)のエネルギー準位とn型材料の最低非占有分子軌道のエネルギー準位との差に相関することが知られている。現在、開発が進められている有機薄膜太陽電池において、n型半導体材料としては、フェニルC61酪酸メチルエステル(PCBM)等のフラーレン類が最適と考えられている。一般的に用いられているp型半導体材料としては、ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)(P3HT)等のポリチオフェンの共役高分子が挙げられる。
 PCBMとP3HTとを組み合わせた有機薄膜太陽電池の開放電圧(Voc)は、0.6V程度と低く、実用上の観点から必ずしも満足できるものではない。開放電圧値を改良する方法としては、p型半導体材料のHOMO準位を下げることが考えられる。しかし、この場合にはp型半導体のバンドギャップが広がり、長波長領域の光を吸収することができなくなる。つまり、可視光領域の長波長側における光吸収効率が減少し、入射した光を有効に利用できなくなる。その結果として、エネルギー効率が上がらないという欠点がある。開放電圧値と長波長領域の光吸収とは、トレード・オフの関係にあることが多く、両者をより高いレベルで両立させることは難しい。
 有機薄膜太陽電池の開放電圧値を改善する試みの1つとして、p型半導体材料としてチオフェンにイミドを縮環したポリマーを用いることが検討されている。チオフェンにイミドを縮環したポリマーをp型半導体材料として用いた有機薄膜太陽電池においては、開放電圧が0.85V程度まで向上するものの、発電効率は1%以下であり、さらなる改良が求められている。このようなことから、有機薄膜太陽電池の開放電圧値を高めつつ、長波長領域における光吸収特性を向上させたp型半導体材料が求められている。さらに、有機薄膜太陽電池には開放電圧の向上に加えて、寿命の改善が求められている。寿命を改善するためには、光安定な活性物質(ドナーとアクセプター)が必要である。
 また、最近、光電変換層に有機/無機混成ペロブスカイト化合物や無機ペロブスカイト化合物を用いることによって、エネルギー変換効率を向上させた有機/無機ハイブリッド太陽電池の研究が進められている。有機/無機ハイブリッド太陽電池においては、ホール輸送層としてポリアリールアミンや2,2’,7,7’-テトラキス(N,N-ジ-p-メトキシフェニルアミン)-9,9’-ビフルオレン(spiro-OMeTAD)が使用されている。さらに、変換効率を高めるため、ホール輸送層にt-ブチルピリジン(TBP)やビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドリチウム(Li-TFSI)等のドーパント剤が用いられている。しかし、TBPは液体であり、Li-TFSIは吸湿性の物質であるため、温度上昇によるTBPの光電変換層への拡散や散逸、Li-TFSIの潮解性による水分子の吸収等により性能低下が起こる。これは有機/無機ハイブリッド太陽電池の寿命を低下させる要因になっている。ホール輸送層としてp型材料であるP3HTを用いることも提案されているが、この場合には十分な発電効率が得られない。
特開2011-168747号公報
 本発明が解決しようとする課題は、太陽電池の開放電圧値等の特性や寿命を向上させることを可能にしたポリマーとそれを用いた太陽電池を提供することにある。
 実施形態のポリマーは、以下に示される式(1)で表される2価基を含む繰り返し単位を備える。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 式(1)において、R1は、水素、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1価基である。Xは、酸素、硫黄、及びセレンからなる群より選ばれる原子であり、Y及びZは、それぞれ独立に、カルボニル基、スルフィニル基、及びスルホニル基からなる群より選ばれる2価基である。ただし、Y及びZが共にカルボニル基である場合を除く。ポリマーの重量平均分子量は3000以上1000000以下の範囲である。
実施形態の太陽電池の構成を示す断面図である。
 以下、実施形態のポリマーとそれを用いた太陽電池について説明する。実施形態のポリマーは、下記の式(1)で表される2価基を含む繰り返し単位を備える有機高分子化合物である。式(1)において、R1、Y、及びZは、前述した通りである。実施形態のポリマーの具体的な構成について、以下に述べる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
[第1のポリマー]
 実施形態における第1のポリマーは、下記の式(2)で表される繰り返し単位を備える有機高分子化合物である。第1のポリマーの重量平均分子量は3000~1000000の範囲である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 式(2)において、R1は、水素、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基から選ばれる1価基である。Xは、酸素、硫黄、及びセレンから選ばれる原子である。Y及びZは、それぞれ独立に、カルボニル基、スルフィニル基、及びスルホニル基から選ばれる2価基である。ただし、Y及びZの組み合わせは、それらが共にカルボニル基である場合を除くものとする。
 R1基において、置換又は非置換のアルキル基の炭素数は1~30の範囲であることが好ましい。置換又は非置換のアルキル基は、直鎖状、分枝鎖状、環状のいずれであってもよい。そのようなアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、2-ヘキサデシル基、オクタドデシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
 また、置換又は非置換のアルカノイル基の炭素数は1~30の範囲であることが好ましい。置換又は非置換のアルカノイル基は、直鎖状、分枝鎖状、環状のいずれであってもよい。そのようなアルカノイル基の具体例としては、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、2-エチルヘサノイル基、ノナノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、オクタデカノイル基、2-ヘキサデカノイル基、オクタドデシル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロプロパノイル基、パーフルオロヘキサノイル基、パーフルオロオクタノイル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
 R1基において、置換又は非置換のアリール基及びヘテロアリール基の炭素数は4~20の範囲であることが好ましい。アリール基及びヘテロアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、4-ビフェニル基、2-チエニル基、2-フラニル基、4-トリル基、4-オクチルフェニル基、2-(5-エチルヘキシル)チエニル基、2-(5-エチルヘキシル)フラニル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
 式(2)におけるXは、酸素(O)、硫黄(S)、及びセレン(Se)から選ばれる原子である。Y及びZは、カルボニル基(-C(=O)-)、スルフィニル基(-S(=O)-)、及びスルホニル基(-SO-)から選ばれる2価基である。Y及びZは、同一の基であってもよいし、異なる基であってもよい。ただし、Y及びZが共にカルボニル基である組み合わせは除かれる。酸素、硫黄、又はセレンを含むヘテロ五員環とイミド五員環との複合構造において、イミド環の一方のカルボニル基をスルフィニル基又はスルホニル基で置き換えた構造、又はイミド環の両方のカルボニル基をスルフィニル基又はスルホニル基で置き換えた構造を有する有機高分子化合物によれば、有機薄膜太陽電池の開放電圧値を高めつつ、光吸収特性を向上させることができる。
 式(2)で表される繰り返し単位を含むポリマーにおいて、YとZの組み合わせには、上述したようにカルボニル基とスルフィニル基、カルボニル基とスルホニル基、スルフィニル基とスルホニル基、スルフィニル基同士、又はスルホニル基同士の組み合わせが適用される。これらのうち、p型半導体材料としての特性と作製の容易さを考慮すると、カルボニル基とスルフィニル基の組み合わせ、及びカルボニル基とスルホニル基の組み合わせが好ましく、さらにカルボニル基とスルホニル基の組み合わせがより好ましい。
 式(2)で表される繰り返し単位を含むポリマーの重量平均分子量は3000~1000000の範囲であり、このような場合に良好な溶解性と半導体特性とが得られる。ポリマーの重量平均分子量は10000~600000の範囲であることが好ましい。重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフ法により測定したポリスチレン換算の重量平均分子量を示す。さらに、ポリマーに良好な溶解性を付与するために、R1基は炭素数が6以上の置換又は非置換のアルキル基であることが好ましい。
 式(2)で表される繰り返し単位は、それのみが環状に結合してポリマーを構成することもあるが、一般的には末端基(Rt基)を含んでいる。末端基Rtとしては、上述したR1と同様な1価基が適用される。末端基Rtは、後述する架橋基であってもよい。実施形態における第1のポリマーは、式(2)で表される繰り返し単位のみで構成されていてもよいし、式(2)以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。ただし、式(2)で表される繰り返し単位のモル数が50モル%未満であると、式(2)で表される繰り返し単位に基づく半導体特性を十分に得ることができない。このため、ポリマー中の全繰り返し単位の総モル数に対して、式(2)の割合は50モル%以上であることが好ましい。
 式(2)で表される繰り返し単位を備えるポリマーの具体例を以下に示す。ただし、実施形態の第1のポリマーは、以下に示す具体例に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
[第2のポリマー]
 実施形態における第2のポリマーは、下記の式(3)で表される繰り返し単位を備え、重量平均分子量が3000~1000000の範囲である有機高分子化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 式(3)で表される繰り返し単位を備える第2のポリマーは、式(2)で表される繰り返し単位に加えて、2価の共役系連結基Aを含んでいる。式(3)で表される繰り返し単位において、R1基、X、Y、及びZは、それぞれ式(2)と同様な置換基又は原子を示し、それらの具体例も同様である。式(3)で表される繰り返し単位において、式(2)と同一部分については、第1のポリマーで説明した通りである。
 共役系連結基Aの具体例としては、以下に示すものが挙げられる。ただし、共役系連結基Aは、以下の具体例に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 式(3)で表される繰り返し単位を備えるポリマーの重量平均分子量は3000~1000000の範囲であり、このような場合に良好な溶解性と半導体特性とが得られる。ポリマーの重量平均分子量は10000~600000の範囲であることが好ましい。式(3)で表される繰り返し単位は、それのみが環状に結合してポリマーを構成することもあるが、一般的には末端基Rtを含んでいる。末端基Rtについては、前述した通りである。第2のポリマーは、式(3)で表される繰り返し単位のみで構成されていてもよいし、式(3)以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。ただし、式(3)で表される繰り返し単位のモル数が50モル%未満であると、式(3)で表される繰り返し単位に基づく半導体特性等を十分に得ることができない。このため、ポリマー中の全繰り返し単位の総モル数に対して、式(3)の割合は50モル%以上であることが好ましい。
 式(3)で表される繰り返し単位を備えるポリマーの具体例を以下に示す。ただし、実施形態の第2のポリマーは、以下に示す具体例に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
[第3及び第4のポリマー]
 実施形態における第3のポリマーは、下記の式(4)で表される繰り返し単位を備え、重量平均分子量が3000~1000000の範囲である有機高分子化合物である。実施形態における第4のポリマーは、下記の式(5)で表される繰り返し単位を備え、重量平均分子量が3000~1000000の範囲である有機高分子化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 第3のポリマーは、式(4)に示されるように、式(2)で表される繰り返し単位の両端にチオフェンから誘導される2価基が結合した繰り返し単位を含んでいる。このような繰り返し単位によれば、ポリマーの長波長側の光吸収効率が向上する。従って、太陽電池の発電効率をさらに高めることができる。第4のポリマーは、式(5)に示されるように、さらにチオフェンから誘導される2価基の一方に共役系連結基Aが結合した繰り返し単位を含んでいる。このような繰り返し単位によれば、ポリマーの立体構造における方向性が揃いやすくなるために、セル構造を作製する際のスタック性が向上する。セル構造で電流が流れやすくなるため、太陽電池の発電効率をより一層高めることができる。
 式(4)及び式(5)で表される繰り返し単位において、R1基、X、Y、Z、及びAは、それぞれ式(2)及び式(3)と同様な置換基又は原子を示し、それらの具体例も同様である。すなわち、式(4)及び式(5)で表される繰り返し単位において、式(2)と同一部分については、第1のポリマーで説明した通りである。R2基及びR3基は、水素、フッ素、シアノ基、ニトロ基、置換又は非置換のアルコキシカルボニル基、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基から選ばれる1価基である。R2基及びR3基は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。R2基及びR3基において、置換又は非置換のアルキル基及びアルカノイル基の炭素数は、いずれも1~30の範囲であることが好ましい。置換又は非置換のアルキル基及びアルカノイル基は、直鎖状、分枝鎖状、環状のいずれであってもよい。置換又は非置換のアリール基及びヘテロアリール基の炭素数は4~20の範囲であることが好ましい。このようなアルキル基、アルカノイル基、アリール基、及びヘテロアリール基の具体例は、前述したR1基の具体例と同様である。
 置換又は非置換のアルコキシカルボニル基の炭素数は1~30の範囲であることが好ましい。置換又は非置換のアルコキシカルボニル基は、直鎖状、分枝鎖状、環状のいずれであってもよい。そのようなアルコキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキソキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、オキチルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、オクタデシルカルボニル基、2-ヘキサデシルオキシカルボニル基、オクタドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
 式(4)及び式(5)で表される繰り返し単位を備えるポリマーの重量平均分子量は3000~1000000の範囲であり、このような場合に良好な溶解性と半導体特性とが得られる。ポリマーの重量平均分子量は10000~600000の範囲であることが好ましい。式(4)及び式(5)で表される繰り返し単位は、それのみが環状に結合してポリマーを構成することもあるが、一般的には末端基Rtを含んでいる。末端基Rtについては、前述した通りである。第3及び第4のポリマーは、式(4)及び式(5)で表される繰り返し単位のみで構成されていてもよいし、式(4)及び式(5)以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。ただし、式(4)及び式(5)で表される繰り返し単位のモル数が50モル%未満であると、式(4)及び式(5)で表される繰り返し単位に基づく半導体特性を十分に得ることができない。このため、ポリマー中の全繰り返し単位の総モル数に対して、式(4)及び式(5)の割合は50モル%以上であることが好ましい。
 式(4)で表される繰り返し単位を備えるポリマーの具体例を以下に示す。ただし、実施形態の第3のポリマーは、以下に示す具体例に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 式(5)で表される繰り返し単位を備えるポリマーの具体例を以下に示す。ただし、実施形態の第4のポリマーは、以下に示す具体例に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
[第5のポリマー]
 実施形態における第5のポリマーは、下記の式(6)で表される繰り返し単位を備え、重量平均分子量が3000~1000000の範囲である有機高分子化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 第5のポリマーは、式(6)に示されるように、式(2)で表される繰り返し単位にチオフェンから誘導される三環構造の2価基が結合した繰り返し単位を含んでいる。このような繰り返し単位によれば、ポリマーの長波長側の光吸収効率が向上すると共に、セル構造を作製する際のスタック性が向上してセル構造で電流が流れやすくなる。これらによって、太陽電池の発電効率をより一層高めることができる。
 式(6)で表される繰り返し単位において、R1基、X、Y、及びZは、それぞれ式(2)と同様な置換基又は原子を示し、それらの具体例も同様である。式(6)で表される繰り返し単位において、式(2)と同一部分については、第1のポリマーで説明した通りである。Lは、酸素(O)、硫黄(S)、置換イミノ基(-NR-)、置換メチレン基(-CR-)、置換シリレン基(-SiR-)、及び置換ゲルミレン基(-GeR-)から選ばれる1つである。これら2価基における置換基Rは、R1基と同様である。
 R4基及びR5基は、水素、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基から選ばれる1価基である。R4基及びR5基は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。R4基及びR5基において、置換又は非置換のアルキル基の炭素数は1~30の範囲であることが好ましい。置換又は非置換のアルキル基は、直鎖状、分枝鎖状、環状のいずれであってもよい。置換又は非置換のアリール基及びヘテロアリール基の炭素数は4~20の範囲であることが好ましい。このようなアルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基の具体例は、前述したR1基の具体例と同様である。
 式(6)で表される繰り返し単位を備えるポリマーの重量平均分子量は3000~1000000の範囲であり、このような場合に良好な溶解性と半導体特性とが得られる。ポリマーの重量平均分子量は10000~600000の範囲であることが好ましい。式(6)で表される繰り返し単位は、それのみが環状に結合してポリマーを構成することもあるが、一般的には末端基Rtを含んでいる。末端基Rtについては、前述した通りである。第5のポリマーは、式(6)で表される繰り返し単位のみで構成されていてもよいし、式(6)以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。ただし、式(6)で表される繰り返し単位のモル数が50モル%未満であると、式(6)で表される繰り返し単位に基づく半導体特性等を十分に得ることができない。このため、ポリマー中の全繰り返し単位の総モル数に対して、式(6)の割合は50モル%以上であることが好ましい。
 式(6)で表される繰り返し単位を備えるポリマーの具体例を以下に示す。ただし、実施形態の第5のポリマーは、以下に示す具体例に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 実施形態の第1乃至第4のポリマーの耐久性を向上させるにあたって、式(1)及び式(2)における置換基(R1)、式(3)及び式(4)おけるに置換基(R1、R2、R3)、式(5)における置換基(R1、R4、R5)の少なくとも1つは、架橋基であることが好ましい。架橋基は、置換基(R1~R5)に限らず、末端基(Rt)として導入してもよい。架橋基は、光や熱、もしくはラジカル開始剤等により架橋反応を生じさせる置換基であればよい。例えば、光により結合が分解して架橋を生じさせる架橋基としては、臭素やヨウ素を置換したアルキル基やアルコキシ基を含む置換基、アゾ基やジアゾ基を含む置換基が挙げられる。
 架橋基は、光で光二量化を起こす炭素-炭素の二重結合や三重結合を含む置換基、あるいは熱により付加反応を起こす置換基であってもよい。このような架橋基としては、アントラニル基、シンナモイル基、クマリン構造を含む置換基、フェニルマレイミド基、フルフリルアクリレート基、アセチレン基、ベンゾシクロブタン、シクロペンタジエニル基、ベンゾシクロブタンやスルチン構造を持つ置換基が例示される。さらに、架橋基はラジカル開始剤として反応する置換基として、アクリル基やメタクリル基のような炭素-炭素の多重結合を含む置換基であってもよい。以下に架橋基を有するポリマーの具体例を以下に示す。ただし、ポリマーは以下に示す具体例に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
[有機高分子化合物の合成方法]
 実施形態のポリマーの合成方法は、特に限定されるものではない。実施形態のポリマーは、例えば用いる重合反応に適した官能基を有するモノマーを合成した後に、必要に応じて該モノマーを有機溶媒に溶解し、アルカリ、触媒、配位子等を用いた公知のアリールカップリング反応を用いて重合することにより合成することができる。アリールカップリング反応による重合方法としては、例えばスティル(Stille)カップリング反応や鈴木カップリング反応を適用した重合方法が挙げられる。
 Stilleカップリングによる重合は、パラジウム錯体を触媒として用い、必要に応じて配位子を添加し、トリアルキルスズ残基を有するモノマーと、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を有するモノマーとを反応させる方法である。パラジウム錯体としては、例えばパラジウム[テトラキス(トリフェニルホスフィン)]、[トリス(ジベンジリデンアセトン)]ジパラジウム、パラジウムアセテート、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムジクロライドが挙げられる。Stilleカップリング反応による重合の詳細は、例えば特許文献1に記載されている。Stilleカップリング反応に用いる溶媒には、例えばトルエン、キシレン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、これらを2種以上混合した混合溶媒のような有機溶媒が使用される。ただし、これらの溶媒に限定されるものではない。Stilleカップリング反応に用いる溶媒は、副反応を抑制するために、反応前に脱酸素処理を行うことが好ましい。
 鈴木カップリング反応による重合は、無機塩基又は有機塩基の存在下において、パラジウム錯体又はニッケル錯体を触媒として用い、必要に応じて配位子を添加し、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を有するモノマーと、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を有するモノマー、又はトリフルオロメタンスルホネート基、p-トルエンスルホネート基等のスルホネート基を有するモノマーとを反応させる方法である。
 無機塩基としては、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、リン酸三カリウム、フッ化カリウムが挙げられる。有機塩基としては、例えばフッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウムが挙げられる。パラジウム錯体としては、例えばパラジウム[テトラキス(トリフェニルホスフィン)]、[トリス(ジベンジリデンアセトン)]ジパラジウム、パラジウムアセテート、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムジクロライドが挙げられる。ニッケル錯体としては、例えばビス(シクロオクタジエン)ニッケルが挙げられる。配位子としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリ(2-メチルフェニル)ホスフィン、トリ(2-メトキシフェニル)ホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、トリ(シクロヘキシル)ホスフィン、トリ(tert-ブチル)ホスフィンが挙げられる。鈴木カップリング反応による重合の詳細は、例えばジャーナル オブ ポリマー サイエンス:パート エー:ポリマー ケミストリー(Journal of Polymer Science:Part A:Polymer Chemistry),2001年,第39巻,p.1533-1に記載されている。
 アリールカップリング反応による重合においては、通常溶媒が用いられる。溶媒は、用いる重合反応、モノマー及びポリマーの溶解性を考慮して選択すればよい。具体的には、テトラヒドロフラン、トルエン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、これらを2種以上混合した混合溶媒のような有機溶媒、あるいは有機溶媒相と水相の二相を有する溶媒が挙げられる。鈴木カップリング反応には、テトラヒドロフラン、トルエン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、これらを2種以上混合した混合溶媒のような有機溶媒、あるいは有機溶媒相と水相の二相を有する溶媒を用いることが好ましい。鈴木カップリング反応に用いる溶媒は、副反応を抑制するために、反応前に脱酸素処理を行うことが好ましい
 アリールカップリング反応の反応温度は、反応性の観点からは-100℃以上であることが好ましく、より好ましくは-20℃以上であり、特に好ましくは0℃以上である。反応温度は、モノマー及び高分子化合物の安定性の観点から、200℃以下であることが好ましく、より好ましくは150℃以下であり、特に好ましくは120℃以下である。アリールカップリング反応による重合において、反応終了後の反応溶液からのポリマーの取り出しには、公知の方法が適用できる。例えば、メタノールのような低級アルコールに反応溶液を加え、析出させた沈殿をろ過し、ろ過物を乾燥させることによって、実施形態のポリマーを得ることができる。得られたポリマーの純度が低い場合には、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等により精製してもよい。
 実施形態のポリマーは、Stilleカップリング反応を用いて合成することができる。ポリマーは、例えば式(7)や式(8)で表されるジハロゲン化合物と式(9)や式(10)で表されるビス(トリアルキル)スズとを重合することにより合成される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 上記した式(7)乃至式(10)におけるR1基、R2基、R3基、R4基、R5基、X、Y、Z、L、及びAは、前述した通りである。式(7)及び式(8)で表される化合物の具体例を以下に示す。ただし、化合物は以下の具体例に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 式(9)及び式(10)で表される化合物の具体例を以下に示す。ただし、化合物は以下の具体例に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 実施形態のポリマーは、前述したような架橋基を有していてもよい。そのような場合には、架橋基を有する化合物を用いてポリマーが合成される。架橋基を有する化合物の具体例を以下に示す。ただし、化合物は以下の具体例に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 実施形態のポリマーは、鈴木カップリング反応を用いて合成することができる。ポリマーは、例えば式(9)や式(10)で表される化合物と式(11)や式(12)で表される化合物とを重合することにより合成される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 式(11)及び式(12)において、Qはホウ酸エステル残基であり、ホウ酸ジエステルからヒドロキシ基を除いた基を意味する。Q基の具体例を以下に示すが、それらに限定されるものではない。式中の「Me」はメチル基、「Et」はエチル基を表している。以下においても、Me及びEtは同じ意味を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
[太陽電池]
 実施形態の太陽電池は、一対の電極と、それらの間に配置され、有機材料を含む光電変換層とを備える光電変換素子を具備している。光電変換層を構成する各層のうち、有機材料を含む層としては、活性層やバッファ層等が挙げられる。有機材料を含む活性層としては、例えば上述した実施形態のポリマーを含むp型半導体材料(電子供与体/電子ドナー)とn型半導体材料(電子受容体/電子アクセプター)とを有する層が挙げられる。このような有機材料を含む光電変換層を備える光電変換素子は、太陽電池に限らず、光センサや発光素子に適用することも可能である。
[有機薄膜太陽電池]
 実施形態の太陽電池について、図1を参照して説明する。図1に示す太陽電池素子100は、第1の電極120と第2の電極160とこれら電極120、160間に配置された活性層140とを備えている。図1は一般的な有機薄膜太陽電池に用いられる太陽電池素子(光電変換素子)を示しているが、太陽電池素子の構造はこれに限られるものではない。実施形態の太陽電池素子100は、さらに基板110やバッファ層130、150を有していてもよい。第1の電極120は、正孔を捕集する電極(以下、アノードと記載する場合がある)である。第2の電極160は、電子を捕集する電極(以下、カソードと記載する場合がある)である。図1ではアノード120を基板110側に配置しているが、アノード120とカソード160とが逆であってもよく、この場合バッファ層130とバッファ層150とが逆であってもよい。以下、これらの各部について説明する。
<活性層(140)>
 実施形態の太陽電池素子100における活性層140は、p型半導体材料(電子供与体)とn型半導体材料(電子受容体)とを含んでいる。p型半導体材料は、実施形態のポリマー、すなわち式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、又は式(6)で表される繰り返し単位を備え、重量平均分子量が3000~1000000以下の範囲であるポリマーを有している。p型半導体材料としてのポリマーの具体的な構成は、先に述べた通りである。n型半導体材料(電子受容体)については、以下に述べる。活性層140は複数種類のp型半導体材料や複数種類のn型半導体材料を含んでいてもよい。
<n型半導体材料>
 活性層140に含まれるn型半導体材料(電子受容体)としては、フタロシアニン誘導体、フラーレン又はフラーレン誘導体、ホウ素含有ポリマー、ポリ(ベンゾビスイミダゾベンゾフェナントロリン)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの中でも、フラーレン誘導体が好ましい。フラーレン誘導体の具体例としては、1’,1”,4’,4”-Tetrahydro-di[1,4]methanonaphthaleno[1,2:2’,3’,56,60:2”,3”][5,6]fullerene-C60(インデン-C60ビス付加物:IC60BA)、[6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl ester(PC60BM)、[6,6]-Phenyl C71 butyric acid methyl ester(PC70BM)、Dihyrdonaphtyl-based[60]fullerene bisadducts(NC60BA)、Dihyrdonaphtyl-based[70]fullerene bisadducts(NC70BA)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
<活性層の構成と構造>
 電子供与体(p型半導体)から効率よく電子受容体(n型半導体)に電子を移動させるためには、p型半導体材料とn型半導体材料との間でのLUMOエネルギー準位の相対系が重要である。具体的には、p型半導体材料のLUMOエネルギー準位が、n型半導体材料のLUMOエネルギー準位よりも所定のエネルギーだけ高いことが好ましい。言い換えると、p型半導体材料の電子親和力が、n型半導体材料の電子親和力より所定のエネルギーだけ大きいことが好ましい。
 n型半導体材料のLUMOエネルギー準位が高すぎると、電子の移動が起こりにくくなるため、太陽電池素子100の短絡電流(Jsc)が低くなる傾向がある。一方で太陽電池素子100の開放電圧(Voc)は、p型半導体材料のHOMOエネルギー準位とn型半導体材料のLUMOエネルギー準位との差で決定される。従って、n型半導体材料のLUMOエネルギー準位が低すぎると、Vocが低くなる傾向がある。すなわち、より高い変換効率を実現するためには、単純にLUMOエネルギー準位が高い、もしくは低いn型半導体材料を選択すればよいわけではない。
 前述した実施形態の第1乃至第5のポリマーは、その置換基を選択することでLUMOエネルギー準位を調整することができる。すなわち、コポリマーを構成する2種類のモノマーについて、置換基を変えることによって、様々なエネルギー準位を有する化合物を得ることができる。様々な置換基を有するモノマーを得るためには、例えばエステル化、エーテル化、クロスカップリング等の周知の技術を用いることができる。ただし、好適なp型半導体材料とn型半導体材料との組み合わせは、単純にLUMOエネルギー準位とHOMOエネルギー準位のみに基づいて決定されるわけではない。
 太陽電池素子100においては、光が活性層140に吸収され、p型半導体とn型半導体との界面で電荷分離が起こり、発生した正孔と電子が電極120、160から取り出される。活性層140の厚さは、特に限定されない。活性層の厚さは10nm~1000nmが好ましく、50nm~250nmがさらに好ましい。活性層の厚さを10nm以上とすることで層の均一性が保たれ、短絡が起こりにくくなる。活性層の厚さを1000nm以下とすることによって、内部抵抗を小さくすることができ、さらに電極120、160間の距離が近くなることで電荷を良好に拡散させることができる。
 活性層140の具体的な構造としては、p型半導体層とn型半導体層とが積層された薄膜積層型、p型半導体材料とn型半導体材料とを混合したバルクヘテロ接合型が挙げられる。薄膜積層型の活性層140は、p型半導体層とn型半導体層との間に配置され、p型半導体材料とn型半導体材料とが混合されている層(i層)を有してもよい。実施形態の太陽電池素子100は、p型半導体材料とn型半導体材料とが混合されたバルクヘテロ接合構造を有する活性層140を備えることが好ましい。
 バルクヘテロ接合型の活性層140は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含んでいる。活性層140内において、p型半導体相とn型半導体相とは互いに相分離している。活性層140が光を吸収すると、これらの相界面で正電荷(正孔)と負電荷(電子)とが分離され、各半導体を通って電極120、160に輸送される。バルクヘテロ接合型の活性層140において、p型半導体相とn型半導体相との相分離構造は、光吸収過程、励起子の拡散過程、励起子の解離過程(電荷発生過程)、キャリア輸送過程等に対して影響を有する。従って、太陽電池素子100の光電変換効率を高くするためには、活性層140におけるp型半導体相とn型半導体相との相分離構造を適切化することが好ましい。
<活性層の形成方法>
 活性層140の形成方法は、特に限定されるものではないが、スピンコート法、インクジェット法、ドクターブレード法、ドロップキャスティング法等の湿式塗布法を適用することが好ましい。この場合、p型半導体材料(式(2)~式(6)で表される繰り返し単位を備えるポリマー)とn型半導体材料とが可溶である溶媒を選択し、ポリマーからなるp型半導体材料とn型半導体材料とを含む塗布液を作製する。この塗布液を塗布することによって、バルクヘテロ接合型の活性層140を形成することができる。
 溶媒の種類は、半導体材料を均一に溶解できるものであれば特に限定されない。溶媒は、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、デカン等の脂肪族炭化水素類、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール、プロパノール等の低級アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン等のハロゲン炭化水素類、エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類等から選択することができる。
<活性層塗布液への添加剤>
 バルクヘテロ接合型の活性層140を塗布法によって形成する場合、塗布液に低分子量の化合物を添加することで、光電変換効率が向上する場合がある。添加剤により相分離構造が最適化され、光電変換効率が向上するメカニズムとしては、複数の要因が考えられる。その要因の1つとして、添加剤の存在によりp型半導体材料同士、あるいはn型半導体材料同士の凝集が抑えられることが考えられる。すなわち、添加剤がない場合、活性層塗布液(インク)の溶媒は、通常、塗布後に直ちに揮発する。この際に残留成分として残るp型半導体材料及びn型半導体材料は、それぞれ大きな凝集体を形成することが考えられる。このような場合には、p型半導体材料とn型半導体材料との間の接合面積(界面の面積)が小さくなってしまうため、電荷の発生効率が低下する。
 添加剤を入れたインクを塗布した場合、溶媒が揮発した後においても、しばらく添加剤が残る。すなわち、p型半導体材料又はn型半導体材料、もしくはこれらの双方の周辺に添加剤が存在するため、p型半導体材料及び/又はn型半導体材料の凝集が防止される。添加剤はインク塗布後、常温常圧下でゆっくりしたスピードで蒸発するものと考えられる。添加剤が蒸発するにつれてp型半導体材料及びn型半導体材料は凝集するものと考えられるが、残っている添加剤が凝集を抑制するため、p型半導体材料及びn型半導体材料が形成する凝集体がより小さくなる。その結果、活性層140内にp型半導体材料とn型半導体材料との接合面積が大きく、より電荷発生効率の高い相分離構造が形成される。
 上述したように、添加剤はインクの主溶媒が揮発した後にもしばらくの間、活性層140内に残留することが好ましい。このような観点から、添加剤の沸点はインクの主溶媒より高いことが好ましい。インクの主溶媒としてよく用いられるクロロベンゼンやオルトジクロロベンゼンの沸点はそれぞれ131℃、181℃であるため、常圧(1000hPa)における添加剤の沸点は、これらよりも高いことが好ましい。同様の観点から、常温(25℃)において添加剤の蒸気圧は、インクの主溶媒の蒸気圧よりも低いことが好ましい。添加剤の沸点が高すぎると、素子作製後においても活性層140から完全に抜けることなく、その内部に留まる添加剤の量が増えることが想定される。このような場合、不純物が増えることで、移動度の低下、すなわち光電変換効率の低下が引き起こされることが考えられる。従って、添加剤の沸点が高すぎないこともまた好ましいと言える。
 常圧下における添加剤の沸点は、主溶媒の沸点より10℃以上200℃以下の範囲で高いことが好ましく、さらには主溶媒の沸点より50℃以上で100℃以下の範囲で高いことがより好ましい。添加剤の沸点が低すぎるとインクの乾燥時に、n型半導体材料の凝集が起こりやすくなり、活性層140のモホロジーが大きくなり、表面が凹凸になるおそれがある。添加剤は常温(25℃)で液体であることが、インク作製を容易にする点で好ましい。添加剤が常温で固体である場合、インク作製時に添加剤を主溶媒に溶解させるのが困難であったり、あるいは溶解できたとしても長い撹拌時間を要したりすることが考えられる。活性層140の相分離構造を最適化するためには、添加剤の沸点だけではなく、添加剤とp型半導体材料及びn型半導体材料との相性も重要である。すなわち、添加剤はp型半導体材料及びn型半導体材料と相互作用するため、例えば添加剤の構造によってはp型半導体材料やn型半導体材料の結晶性等が変化するおそれがある。
 添加剤の具体例としては、置換基を有するアルカンや置換基を有するナフタレンのような芳香族化合物が挙げられる。置換基としては、アルデヒド基、オキソ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、チオール基、チオアルキル基、カルボキシル基、エステル基、アミン基、アミド基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、ニトリル基、エポキシ基、アリール基等が挙げられる。置換基は1つでもよいし、複数であってもよい。アルカンが有する置換基としては、チオール基やヨード基が好ましい。ナフタレンのような芳香族化合物が有する置換基としては、ブロモ基やクロロ基が好ましい。添加剤は上述したように沸点が高いことが好ましいため、アルカンの炭素数は6以上が好ましく、8以上がさらに好ましい。添加剤は上述のように常温で液体であることが好ましいため、アルカンの炭素数は14以下が好ましく、12以下がさらに好ましい。
 インク(活性層塗布液)に含まれる添加剤の量は、インク全体に対して0.1重量%以上10重量%以下が好ましい。さらに、インク全体に対して0.5重量%以上3重量%以下がより好ましい。添加剤の量をこのような範囲にすることによって、活性層140内に残留する添加剤を減らしながら、好ましい相分離構造を得ることができる。
<電極(120,160)>
 実施形態の太陽電池素子100における電極120、160は、活性層140が光を吸収することにより生じた正孔又は電子を捕集する機能を有する。従って、第1の電極120は正孔の捕集に適していることが好ましく、第2の電極160は電子の捕集に適していることが好ましい。これら一対の電極120、160は、少なくとも一方が透光性を有することが好ましく、両方が透光性を有していてもよい。透光性を有するとは、太陽光が40%以上透過することを意味する。透光性を有する電極は、太陽光が70%以上透過することがより好ましく、これにより透明電極を透過させて活性層140に光を到達させやすくなる。光の透過率は通常の分光光度計で測定することでき、例えば可視光線(400nm~800nm)についての平均透過率を示す。
<正孔の捕集に適した電極(アノード)120>
 正孔の捕集に適した電極(アノード)120とは、一般的には仕事関数がカソード160よりも高い値を示す導電性材料で構成された電極である。このようなアノード120によれば、活性層140で発生した正孔をスムーズに取り出すことができる。アノード120の形成材料としては、例えば酸化ニッケル、酸化スズ、酸化インジウム、酸化スズインジウム(ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、インジウム-ジルコニウム酸化物(IZO)、酸化チタン、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物、金、白金、銀、クロム、コバルト等の金属、あるいはそれらの合金が挙げられる。これらの物質は高い仕事関数を有するために好ましい。アノード120が透明電極である場合には、ITO、酸化亜鉛、酸化スズ等の透光性を有する導電性金属酸化物、Au、Ag、Cu等の金属ナノワイヤー又はカーボンナノチューブ(CNT)と導電性金属酸化物との複合体又は積層体、Au、Ag、Cu等の金属ナノワイヤー又はカーボンナノチューブ(CNT)と導電性高分子との複合体又は積層体等を用いることが好ましく、特にITOを用いることが好ましい。
 上述した物質は、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸をドーピングしたPEDOT/PSSで代表されるような導電性高分子材料と積層することができるために好ましい。例えば、アノード120と活性層140との間に、導電性高分子材料で構成されるバッファ層130を設けることができる。導電性高分子材料を積層する場合、導電性高分子材料の仕事関数が高いことから、上記のような高い仕事関数を有する材料の代わりに、アルミニウムやマグネシウム等のアノード120に適した金属を用いることができる。導電性高分子材料自体をアノード120の材料として使用することもできる。導電性高分子材料としては、上述のPEDOT/PSS、ポリピロールやポリアニリン等にヨウ素等をドーピングした材料等が挙げられる。
 アノード120の膜厚は特に制限はないが、10nm以上1μm以下が好ましく、さらに好ましくは50nm以上300nm以下である。アノード120の膜厚が薄すぎるとシート抵抗が高くなり、厚すぎると光透過率が低下する。アノード120が透明電極である場合、高い光透過率と低いシート抵抗との双方が得られるように、膜厚を選択することが好ましい。アノード120のシート抵抗には、特段の制限はないが、通常1Ω/□以上であり、500Ω/□以下が好ましく、より好ましくは200Ω/□以下である。より大きな電流を取り出す観点から、シート抵抗は小さいことが好ましい。
 アノード120の形成方法としては、蒸着やスパッタ等の真空成膜法、ナノ粒子や前駆体を含有するインクを塗布して成膜する方法等が挙げられる。前駆体とは、塗布後の変換処理によりアノード120に適した材料へと変換される化合物のことである。
<電子の捕集に適した電極(カソード)160>
 電子の捕集に適した電極(カソード)とは、一般的には仕事関数がアノードよりも高い値を示す導電性材料で構成された電極である。このようなカソード160は、活性層140で発生した電子をスムーズに取り出すことができる。カソード160の形成材料としては、例えば白金、金、銀、銅、鉄、スズ、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム等の金属、あるいはそれら金属を少なくとも1つ含む合金、フッ化リチウム、フッ化セシウム等の無機塩、酸化ニッケル、酸化アルミニウム、酸化リチウム、酸化セシウム等の金属酸化物が挙げられる。これらの材料は低い仕事関数を有するため、カソード160の材料に適している。
 カソード160についても、アノード120と同様に、カソード160と活性層140との間にバッファ層150を設けることができる。例えば、バッファ層130としてチタニアのようなn型半導体で導電性を有するものを用いる場合、カソード160の材料として、高い仕事関数を有する材料を用いることができる。電極保護の観点から、カソード160の形成材料としては、白金、金、銀、銅、鉄、スズ、アルミニウム、カルシウム、インジウム等の金属、あるいはそれらの合金が好ましい。
 カソード160の膜厚は、特に制限はないが、10nm以上10μm以下が好ましく、より好ましくは50nm以上500nm以下である。カソード160の膜厚が薄すぎるとシート抵抗が高くなり、厚すぎると光透過率が低下する。カソード160が透明電極である場合、高い光透過率と低いシート抵抗との双方が得られるように、膜厚を選択することが好ましい。カソード160のシート抵抗に特に制限はないが、500Ω/□以下が好ましく、より好ましくは200Ω/□以下である。下限値に制限はないが、通常は1Ω/□以上である。より大きな電流を取り出す観点から、シート抵抗は小さいことが好ましい。
 カソード160の形成方法としては、蒸着やスパッタ等の真空成膜法、ナノ粒子や前駆体を含有するインクを塗布して成膜する方法等が挙げられる。
<バッファ層(130,150)>
 実施形態の太陽電池素子100は、一対の電極120、160とそれらの間に配置される活性層140の他に、さらに1層以上のバッファ層を有していてもよい。バッファ層は、正孔取り出し層130と電子取り出し層150とに分類することができる。通常、正孔取り出し層130は活性層140とアノード120との間に配置され、電子取り出し層150は活性層140とカソード160との間に配置される。
<正孔取り出し層(130)>
 正孔取り出し層130の材料は、活性層140からアノード120への正孔の取り出し効率を向上させることが可能な材料であれば、特に限定されない。具体的には、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアセチレン、トリフェニレンジアミンポリピロール、ポリアニリン等に、スルフォン酸及びヨウ素の少なくとも一方のドーピング材料をドーピングした導電性ポリマーが挙げられる。それら中でも、スルフォン酸をドーピングした導電性ポリマーが好ましく、さらにはポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸をドーピングしたPEDOT:PSSがより好ましい。酸化タングステン、酸化モリブデン等の金属酸化物半導体を用いてもよい。金、インジウム、銀、パラジウム等の金属の薄膜も、正孔取り出し層130として使用することができる。金属薄膜は、単独で正孔取り出し層130として用いてもよい。金属薄膜と上記した導電性ポリマーとを組み合わせて、正孔取り出し層130として用いることもできる。
 正孔取り出し層130の膜厚は特に限定されないが、通常1nm以上200nm以下である。正孔取り出し層130の膜厚は5nm以上が好ましく、また100nm以下が好ましい。正孔取り出し層130の膜厚が薄すぎると均一性が不十分になり、短絡を起こしやすい傾向がある。正孔取り出し層130の膜厚が厚すぎると抵抗値が増え、正孔を取り出しにくくなる傾向がある。
<電子取り出し層(150)>
 電子取り出し層150の材料は、活性層140からカソード160へ電子の取り出し効率を向上させることが可能な材料であれば、特に限定されない。電子取り出し層150の形成材料は、大きく分けて無機化合物と有機化合物とがある。電子取り出し層150は、どちらかの材料のみを用いて形成してもよいし、両方の材料を用いて形成してもよい。無機化合物層と有機化合物層との積層体を、電子取り出し層150として用いてもよい。
 電子取り出し層150に用いる無機化合物材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等のアルカリ金属の塩、もしくは酸化チタン(TiO)や酸化亜鉛(ZnO)のようなn型の酸化物半導体化合物が好ましい。アルカリ金属の塩としては、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等のフッ化物塩が好ましい。このような材料を用いることによって、アルミニウム等からなるカソード160と組み合わせて用いた場合に、カソード160の仕事関数を小さくし、太陽電池素子100の内部に印加される電圧を上げることができる。
 アルカリ金属塩を電子取り出し層150の形成材料として用いる場合、真空蒸着やスパッタ等の真空成膜法を適用して、電子取り出し層150を成膜することができる。中でも、抵抗加熱による真空蒸着により電子取り出し層150を形成することが望ましい。真空蒸着を用いることによって、活性層140等の他の層へのダメージを小さくすることができる。この場合の膜厚は0.1nm以上50nm以下が好ましく、より好ましくは20nm以下である。電子取り出し層150が薄すぎると、電子の取り出し効率を向上させる効果が十分でなくなる。電子取り出し層150が厚すぎると、電子取り出し層150が直列抵抗成分として作用することで、素子の特性が損なわれるおそれがある。
 酸化チタンを電子取り出し層150の形成材料として用いる場合、スパッタ法等の真空成膜法を適用して電子取り出し層150を成膜することができる。酸化チタンからなる電子取り出し層150は、塗布法を用いて成膜することがより好ましい。例えば、Adv.Mater.18,572(2006)に記載されているゾルゲル法によって、酸化チタンで構成される電子取り出し層150を形成することができる。その場合の膜厚は、通常0.1nm以上100nm以下であり、好ましくは5nm以上で50nm以下である。電子取り出し層150が薄すぎると、電子の取り出し効率を向上させる効果が十分でなくなる。電子取り出し層150が厚すぎると、電子取り出し層150が直列抵抗成分として作用することで、素子の特性が損なわれるおそれがある。
 酸化亜鉛を電子取り出し層150の形成材料として用いる場合も、スパッタ法等の真空成膜法を用いて形成することができる。塗布法を用いて電子取り出し層150を成膜することが好ましい。例えば、Sol-Gel Science,C.J.Brinker,G.W.Scherer,Academic Press(1990)に記載のゾルゲル法によれば、酸化亜鉛で構成される電子取り出し層150を形成することができる。その場合の膜厚は、通常0.1nm以上400nm以下であり、好ましくは1nm以上50nm以下である。電子取り出し層150が薄すぎると、電子の取り出し効率を向上させる効果が十分でなくなる。電子取り出し層150が厚すぎると、電子取り出し層150が直列抵抗成分として作用することで、素子の特性が損なわれるおそれがある。
 電子取り出し層150として用いられる有機化合物材料としては、例えばバソキュプロイン(BCP)、バソフェナントレン(Bphen)、(8-ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq3)、ホウ素化合物、オキサジアゾール化合物、ベンゾイミダゾール化合物、ナフタレンテトラカルボン酸無水物(NTCDA)、ペリレンテトラカルボン酸無水物(PTCDA)、ホスフィンオキシド化合物、ホスフィンスルフィド化合物等や、導電性ポリマーが挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記した有機化合物材料にアルカリ金属やアルカリ土類金属等の金属をドープしてもよい。
 有機化合物を電子取り出し層150の形成材料として用いる場合、電子取り出し層150の膜厚は、通常0.5nm以上で500nm以下であり、好ましくは1nm以上100nm以下である。電子取り出し層150が薄すぎると、電子の取り出し効率を向上させる効果が十分でなくなる。電子取り出し層150が厚すぎると、電子取り出し層150が直列抵抗成分として作用することで、素子の特性が損なわれるおそれがある。複数の材料を用いて電子取り出し層150を形成する場合、電子取り出し層150の全体の厚さは、通常0.1nm以上100nm以下であり、好ましくは60nm以下である。
<バッファ層の形成方法>
 バッファ層130、150の形成方法は、特に限定されるものではない。いくつかの材料の成膜方法については、上述した通りである。一般的に、昇華性を有する材料を用いる場合には、真空蒸着法等の真空成膜法を用いることができる。溶媒に可溶な材料を用いる場合には、スピンコートやインクジェット等の湿式塗布法を用いることができる。
<基板(110)>
 太陽電池素子100は、通常支持体となる基板110を有する。すなわち、基板110上に、電極120、160と活性層140とバッファ層130、150とが形成される。基板110の材料は特に限定されない。基板材料としては、石英、ガラス、サファイア、チタニア等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ナイロン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂、塩化ビニル、ポリエチレンのようなポリオレフィン、セルロース、ポリ塩化ビニリデン、アラミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリノルボルネン、エポキシ樹脂等の有機材料、紙、合成紙等の紙材料、ステンレス、チタン、アルミニウム等の金属に絶縁性を付与する層を塗布又は積層した複合材料等が挙げられる。ガラスとしては、ソーダガラス、青板ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので、無アルカリガラスが好ましい。0.3mm以下の薄いガラスを用いる場合には、割れにくくするために、上記のポリマーフイルムとの積層体を基板として用いてもよい。
 基板110の形状に制限はなく、例えば板、フィルム、シート等の形状を用いることができる。基板110の厚さも特に制限されない。基板110の厚さは、通常5μm以上20mm以下であり、好ましくは20μm以上10mm以下である。基板110が薄すぎると太陽電池素子100の強度が不足するおそれがある。基板110が厚すぎるとコストが高くなったり、重くなりすぎるおそれがある。基板110がガラスの場合には、薄すぎると機械的強度が低下し、割れやすくなるため、その厚さは0.01mm以上が好ましく、より好ましくは0.1mm以上である。厚すぎると重くなるため、基板110の厚さは10mm以下が好ましく、さらに3mm以下がより好ましい。
<太陽電池素子100の製造方法>
 実施形態の太陽電池素子100は、上述したような方法で、基板110上に電極120、活性層140、電極160を順次形成することにより作製される。バッファ層130、150を設ける場合には、基板110上に電極120、バッファ層130、活性層140、バッファ層150、電極160を順次形成すればよい。さらに、基板110上に各層を順次形成することにより得られた積層体に対して、加熱処理(アニール処理)を行うことが好ましい。アニール処理を行うことによって、太陽電池素子100の熱安定性や耐久性が向上することがある。アニール処理で各層間の密着性が向上する場合もあり、その理由の1つとして考えられる。
 加熱温度は、通常200℃以下であり、好ましくは180℃以下、より好ましくは150℃以下である。加熱温度は、通常50℃以上であり、好ましくは80℃以上である。温度が低すぎると、密着性の向上効果が十分に得られないおそれがある。温度が高すぎると例えば活性層140に含まれる化合物が熱分解してしまうおそれがある。アニール処理には、複数の温度での加熱を適用してもよい。加熱する時間は、通常1分以上3時間以下であり、好ましくは3分以上1時間以下である。アニール処理は、太陽電池性能のパラメータである開放電圧、短絡電流、フィルファクタ(曲線因子)が一定の値になったところで終了させることが好ましい。アニール処理は常圧下で行うことが好ましく、不活性ガス雰囲気中で実施することも好ましい。
 実施形態の太陽電池は、任意の方法を用いて作製することができる。例えば、周知の技術にしたがって、耐候性の向上のために有機薄膜太陽電池(太陽電池素子100)の表面を適切な保護材で覆って太陽電池を作製することができる。保護材としては、耐候性保護フィルム、紫外線カットフィルム、ガスバリアフィルム、ゲッタ材フィルム、封止材等が挙げられる。これら以外にも公知の構成を付加することができる。
[有機/無機ハイブリッド太陽電池]
 次に、実施形態の太陽電池の他の例について説明する。ここでは、実施形態の太陽電池を有機/無機ハイブリッド太陽電池に適用した例について述べる。有機/無機ハイブリッド太陽電池は、例えば基板/カソード電極/電子取り出し層/活性層/正孔取り出し層/アノード電極の積層構造(逆構造)を有している。前述した有機薄膜太陽電池は、基板/アノード電極/正孔取り出し層/活性層/電子取り出し層/カソード電極の積層構造(順構造)を有している。ただし、有機薄膜太陽電池に逆構造を適用することも可能である。
 有機/無機ハイブリッド太陽電池の活性層には、有機/無機混成ペロブスカイト化合物が用いられる。さらに、有機/無機ハイブリッド太陽電池の正孔取り出し層には、p型半導体材料が用いられる。正孔取り出し層を形成するp型半導体材料は、実施形態のポリマー、すなわち式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、又は式(6)で表される繰り返し単位を備え、重量平均分子量が3000~1000000以下の範囲であるポリマーを含んでいる。p型半導体材料としてのポリマーの具体的な構成は、先に述べた通りである。正孔取り出し層は、複数種類のp型半導体材料を含んでいてもよい。
 有機/無機ハイブリッド太陽電池においては、照射された光が有機/無機混成ペロブスカイト化合物を含む活性層に吸収されることによって、活性層で電荷分離が起こる。電荷分離により生じた電子はカソード電極から取り出され、正孔はアノード電極から取り出される。有機/無機ハイブリッド太陽電池においては、有機薄膜太陽電池と同様なバッファ層(電子取り出し層及び正孔取り出し層)を用いることができる。有機/無機ハイブリッド太陽電池は、前述した有機薄膜太陽電池と積層順が逆であることを除いて、有機薄膜太陽電池と同様な方法により作製させる。
 有機/無機ハイブリッド太陽電池の活性層に用いられる有機/無機混成ペロブスカイト化合物は、例えば下記の式(13)で表される組成を有する。
  CHNHML …(13)
 式(13)において、Mは鉛(Pb)及びスズ(Sn)からなる群より選ばれる少なくとも1つの原子であり、Lはヨウ素(I)、臭素(Br)、及び塩素(Cl)からなる群より選ばれる少なくとも1つの原子である。
 活性層の作製方法としては、上記したペロブスカイト化合物又はその前駆体を真空蒸着する方法、ペロブスカイト化合物又はその前駆体を溶媒に溶かした溶液を塗布し、加熱・乾燥して形成する方法が挙げられる。ペロブスカイト化合物の前駆体としては、例えばハロゲン化メチルアンモニウムとハロゲン化鉛又はハロゲン化スズとの混合物が挙げられる。活性層は、ペロブスカイト化合物又はその前駆体を溶媒に溶かした溶液を塗布し、加熱・乾燥させることにより形成される。あるいは、前駆体としてハロゲン化鉛又はハロゲン化スズの溶液を塗布して乾燥させた後、ハロゲン化メチルアンモニウムの溶液を塗布し、加熱・乾燥させることによっても、活性層を形成することができる。
 溶媒の種類は、ペロブスカイト化合物又はその前駆体を均一に溶解できるものであれば特に限定されない。溶媒は、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、メトキシエタノール等の低級アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル等のエステル類、エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類から選択される。
 活性層の厚さは特に限定されないが、10nm以上1000nm以下であることが好ましく、50nm以上600nm以下であることがさらに好ましい。活性層の厚さが10nm以上である場合に、活性層の均一性が保たれ、短絡を起こしにくくなる。活性層の厚さが1000nm以下である場合に、内部抵抗を小さくすることができ、さらに電極間の距離が近くなることで電荷を良好に拡散させることができる。
 実施形態の有機/無機ハイブリッド太陽電池において、活性層とアノード電極との間には、前述した式(2)~(6)で表される繰り返し単位を備えるポリマーを含むp型半導体材料からなる正孔取り出し層(バッファ層)が設けられる。正孔取り出し層は、例えばポリマーを溶媒に溶解させた溶液を塗布することにより形成される。正孔取り出し層の厚さは特に限定されないが、通常1nm以上100nm以下である。正孔取り出し層の厚さは2nm以上50nm以下であることが好ましい。正孔取り出し層の厚さが薄すぎると、均一性が不十分になり、短絡を起こしやすい傾向がある。正孔取り出し層の厚さが厚すぎると抵抗値が増え、正孔を取り出しにくくなる傾向がある。
 実施形態の有機/無機ハイブリッド太陽電池は、前述した有機薄膜太陽電池と同様に、活性層とカソード電極との間に設けられた電子取り出し層(バッファ層)を備えていてもよい。電子取り出し層の形成材料や形成方法は、前述した通りである。さらに、アノード電極やカソード電極の形成材料も、前述した通りである。有機/無機ハイブリッド太陽電池のその他の構成についても、前述した有機薄膜太陽電池と同様である。
 次に、実施例及びその評価結果について述べる。
(実施例1)
 ポリ(4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チエニル)ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン-2,6-ジイル-alt-(N-オクチル―2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール―1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P1]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 窒素下で、三方コックをつけた3つ口フラスコに、1.091g(1.21mmol)の2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チオフェン―2-イル)ベンゾ(1,2-b:4,5-b‘)ジチオフェンと、0.055gのテトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(触媒)を秤量し、3つ口フラスコに三方コックを通じてアルゴンを流しながら、アルゴン導入管を付けた還流管をアルゴンを流しながら3つ口フラスコに装着し、続いて空気の混入による触媒の失活を防止するために、滴下ロートを空気が入らないように備え付ける。アルゴン導入管は、真空ラインに繋ぎ込み、アルゴンと真空が切り替えられるようになっている。三方コックを閉め、フラスコの中を真空にして、再びアルゴンを導入する。この操作を3回繰り返し行う。
 一方、窒素下で4,6-ジブロモ-N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオン(0.538g、1.21mmol)をフラスコに量り取り、三方コックをフラスコに装着し、三方のうち一方にアルゴンを繋ぐ。三方コックの一方を使い、注射器で脱気した無水トルエン24mLをこのフラスコにつけてある三方コック(一方からアルゴンを流してある)を開けて加え、溶解させた後に注射器で吸出し、3つ口フラスコに付けた三方コック(一方からアルゴンを流してある)を開け、このトルエン溶液を加える。さらに、注射器で脱気した無水ジメチルホルムアミド(DMF)6mLを秤量し、先程と同様にフラスコに加え、三方コックを閉める。
 この3つ口フラスコをオイルバスで加熱し、還流温度で12時間反応させ、室温に冷却する。窒素下でトリメチルフェニルスズ0.109gを秤量し、脱気した無水トルエン4mLに溶かし、注射器で先程と同様にフラスコに加え、加熱還流を2時間行う。室温に冷却後、窒素下でブロモベンゼン0.097gを秤量し、脱気した無水トルエン4mLに溶かし、注射器で先程と同様にフラスコに加え、加熱還流を2時間行う。室温に冷却後、この反応液をメタノール500mL中に撹梓しながら滴下して、ポリマーを沈殿させる。この沈殿をガラスルフィルタでろ過した後、クロロホルムに溶解させ、セライトカラムで触媒を除く。エバポレータで溶媒を濃縮した後、メタノールを加え、よく撹拌した後、ガラスフィルタを用いてろ過して固体を得る。この固体を80℃で4時間真空乾燥して金属光沢のある黒黄銅色ポリマー1.080gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。
 得られた固体を、NMR装置(JNM-GSX270(商品名)、日本電子社製)を用いて評価した。得られた結果は、「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.35(broad)、3.9-3.5(broad)、3.2-2.6(broad)、2.3-0.6(m)」である。∂6.35-8.2ppmにベンゾジチオフェン環と側鎖のチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.5-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピーク、側鎖のチオフェン環結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。
 さらに、ゲル浸透クロマトグラフィーによる評価も行った。GPC装置(HPCL:島津社製CBM20(商品名)、カラム:Shodex社製K-504、溶媒:クロロホルム)を用いて、ポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、64000(Mw/Mn=2.5)であった。UV-vis吸収スペクトルの測定(島津社製A2000(商品名)、クロロホルム溶液を使用)を行ったところ、最大吸収ピーク(λmax)は619nmであった。
 ポリマー合成に使用した2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チオフェン-2-イル)ベンゾ(1,2-b:4,5-b’)ジチオフェンは、Lijin Huo等,Angew.Chem.lnt.Ed.2011,50,9697に記載の方法[12]で合成した。また、2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンは、J.Org,Chem.,Vol.45,617-620(1980)に記載されたPhillip A Rossy等の方法を用いて合成した。
 モノマーである4,6-ジブロモ-N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオン(0.538g、1.21mmol)の合成は、以下の通りである。
 (1)N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンの合成
 4つ口フラスコに水素化ナトリウム0.497gを量り取り、温度計、窒素導入還流管、及び滴下ロートを備え付け、回転子を入れて、窒素を流して窒素雰囲気にした後、無水のDMF10mLを加える。滴下ロートには、無水DMF20mLに溶かした2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオン1.892g(10mmol)を入れる。フラスコを氷水で冷却した後、その溶液を滴下する。滴下後、室温に戻して2時間反応させた後、無水DMF10mLに溶かした1-ブロモ-オクタン(3.100g)を加える。室温で30分撹拌した後、80℃で6時間反応させる。室温に戻した後、水を加え、クロロホルムで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を除いた後、カラムクロマト(シリカゲル、展開溶媒トルエン)で精製を行い、1.799g(収率59.5%))のN-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンを得た。
 得られた化合物について、前記と同様にしてNMRの評価を行った。得られた結果は、「1H-NMR(270MHz,CDCI3) δ:0.88(t,3H,J=6.6Hz)、1.08-1.51(m,10H)、1.75-1.9(m,2H)、3.70(t,2H,J=7.6Hz)、7.93(d,1H,J=2.6Hz)、8.04(d,1H,J=2.6Hz)」であった。
 (2)4,6-ジブロモ-N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンの合成
 4つ口フラスコに還流管、滴下ロート、温度計を備え付け、回転子を入れ、N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオン1.786g(5.93mmol)とN-ブロモサクシンイミド3.170g(17.8mmol)を加える。そこに、濃硫酸9mLとトリフルオロ酢酸30mLを滴下ロートから加える。室温で、18時間反応させた後、氷水約400mLのビーカ中に反応混合物を注ぎ入れる。クロロホルムで抽出し、有機層を無水マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を濃縮する。残留物をカラムクラマト(シリカゲル、トルエン/ヘキサン)で精製し、4,6-ジブロモ-N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンの白色固体1.771g(収率67.1%)を得た。
 NMRの評価結果は、「1H-NMR(270MHz,CDCI3) δ:0.89(t,3H,J=6.4Hz)、1.12-1.48(m,10H)、1.65-1.89(m,2H)、3.67(t,2H,J=7.4Hz)」であった。
(実施例2)
 ポリ(4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チエニル)ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン-2,6-ジイル―alt-(N-(2-エチルヘキシル)-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P2]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 実施例1の4,6-ジブロモ-N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンに代えて、4,6-ジブロモ-N-(2-エチルヘキシル)-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンを用いる以外は、実施例1と同様の条件で合成を行い、金属光沢のある赤紫色ポリマー1.012gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.35(broad)、3.9-3.45(broad)、3.2-2.6(broad)、2.4-0.6(m)」であった。∂6.35-8.2ppmにベンゾジチオフェン環と側鎖のチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.45-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピーク、側鎖のチオフェン環に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は45000(Mw/Mn=2.1)、最大吸収ピーク(λmax)は610nmであった。
 モノマーの4,6-ジブロモ-N-(2-エチルヘキシル)-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンは、実施例1の合成で用いた1-ブロモオクタンに代えて、1-ブロモ-2-エチル-ヘキサンを用いる以外は同じ方法で合成した。
(実施例3)
 ポリ(4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チエニル)ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン-2,6-ジイル-alt-(N-(4-オクチル)フェニル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P3]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 実施例1の4,6-ジブロモ-N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンに代えて、4,6-ジブロモ-N-4-オクチルフェニル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンを用いる以外は、実施例1と同様の条件で合成を行い、金属光沢のある赤紫色ポリマー1.012gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.35(broad)、3.2-2.6(broad)、2.4-0.6(m)」であった。∂6.35-8.2ppmにベンゾジチオフェン環と側鎖のチオフェン環とベンゼン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.2-2.6ppmに側鎖のチオフェン環に結合したCHとベンゼン環に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は71000(Mw/Mn=3.2)、最大吸収ピーク(λmax)は631nmであった。
(実施例4)
 ポリ(4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チエニル)ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン-2,6-ジイル-alt-(N-ヘプチル―2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P4]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 実施例1の4,6-ジブロモ-N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンに代えて、4,6-ジブロモ-N-ヘプチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンを用いる以外は、実施例1と同様の条件で合成を行い、金属光沢のある赤紫色ポリマー0.962gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.35(broad)、3.9-3.45(broad)、3.2-2.6(broad)、2.4-0.6(m)」であった。∂6.35-8.2ppmにベンゾジチオフェン環と側鎖のチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.4-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピーク、側鎖のチオフェン環に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は55000(Mw/Mn=2.6)、最大吸収ピーク(λmax)は617nmであった。
(実施例5)
 ポリ(3,3’-ジオクチル-2-2’-ビチオフェン-5,5’-ジイル-alt-(N-ヘプチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P5]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 実施例4の2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チオフェン―2-イル)ベンゾ(1,2-b:4,5-b’)ジチオフェンに代えて、5,5’-ビス(トリメチルスズ)-3,3’-ジオクチル2-2‘-ビチオフェンを用いる以外は、実施例4と同様の条件で合成を行い、赤黒色ポリマー0.724gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.8(broad)、3.9-3.4(broad)、3.2-2.4(broad)、2.3-0.6(m)」であった。∂6.8-8.2ppmにチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.4-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピークが、2.4-3.0ppmに側鎖のチオフェン環に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は65000(Mw/Mn=3.0)、最大吸収ピーク(λmax)は604nmであった。
(実施例6)
 ポリ(3-オクチル-チオフェン-2,5’-ジイル-alt-(N-ヘプチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P6]の合成
 実施例4の2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チオフェン―2-イル)ベンゾ(1,2-b:4,5-b’)ジチオフェンに代えて、2,5-ビス(トリメチルスズ)-3-オクチルチオフェンを用いる以外は、実施例4と同様の条件で合成を行い、赤黒色ポリマー0.521gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.8(broad)、3.9-3.4(broad)、3-2.4(broad)、2.3-0.6(m)」であった。∂6.8-8.2ppmにチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.4-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピークが、2.4-3.0ppmに側鎖のチオフェン環に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は81000(Mw/Mn=3.2)、最大吸収ピーク(λmax)は586nmであった。
(実施例7)
 ポリ(チエノ[3,2-b]チオフェン-2,5-ジイル-alt-(N-ヘプチル―2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P7]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
 実施例2の2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チオフェン―2-イル)ベンゾ(1,2-b:4,5-b’)ジチオフェンに代えて、2,5-ビス(トリメチルスズ)チエノ[3,2-b]チオフェンを用いる以外は、実施例2と同様の条件で合成を行い、赤黒色ポリマー0.451gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.8(broad)、3.9-3.4(broad)、3-2.4(broad)、2.3-0.6(m)」であった。∂6.8-8.2ppmにジチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.4-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は81000(Mw/Mn=3.2)、最大吸収ピーク(λmax)は586nmであった。
(実施例8)
 ポリ(4,4’-ビス(2-エチルヘキシル)ジチエノ[3,2-b:2’,3’-b]シロール-2,6-ジイル-alt-(N-ヘプチル―2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P8]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 実施例4の2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チオフェン―2-イル)ベンゾ(1,2-b:4,5-b’)ジチオフェンに代えて、2,6-ビス(トリメチルスズ)-(4,4’-ビス(2-エチルヘキシル)ジチエノ[3,2-b:2’,3’-b]シロールを用いる以外は、実施例4と同様の条件で合成を行い、金属光沢のある少し青みがかった赤銅色ポリマー0.803gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。2,6-ビス(トリメチルスズ)-(4,4’-ビス(2-エチルヘキシル)ジチエノ[3,2-b:2’,3’-b]シロールは、Lijun Huo et al. Macromolecules 2009,VOL42,6564-6571の記載に基づいて合成した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.15-6.95(broad)、3.9-3.45(broad)、2.4-0.5(m)」であった。∂6.95-8.15ppmにチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.45-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は92000(Mw/Mn=3.3)、最大吸収ピーク(λmax)は668nmであった。
(実施例9)
 ポリ(4,4’-ビス(2-エチルヘキシル)ジチエノ[3,2-b:2’,3’-b]ゲルモール-2,6-ジイル-alt-(N-ヘプチル―2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P9]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
 実施例4の2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チオフェン―2-イル)ベンゾ(1,2-b:4,5-b’)ジチオフェンに代えて、2,6-ビス(トリメチルスズ)-(4,4’-ビス(2-エチルヘキシル)ジチエノ[3,2-b:2’,3’-b]ゲルモールを用いる以外は、実施例4と同様の条件で合成を行い、金属光沢のある赤銅色ポリマー0.834gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。2,6-ビス(トリメチルスズ)-(4,4’-ビス(2-エチルヘキシル)ジチエノ[3,2-b:2’,3’-b]ゲルモールは、Chad m.Amb et al. J.Am.Chem.Soc 2011,VOL133,10062-10065の記載に基づいて合成した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.9(broad)、3.9-3.45(broad)、2.3-0.5(m)」であった。∂6.9-8.2ppmにチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.45-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は42000(Mw/Mn=2.8)、最大吸収ピーク(λmax)は678nmであった。
(実施例10)
 ポリ(4,4’-ジエチルヘキシル-4H-シクロペンタ[2,1-b:3,4-b’]ジチオフェン-2,6-ジイル-alt-(N-(2-ヘプチル)-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P10]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
 実施例4の2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チオフェン―2-イル)ベンゾ(1,2-b:4,5-b’)ジチオフェンに代えて、2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,4’-ジエチルヘキシル-4H-シクロペンタ[2,1-b:3,4-b’]ジチオフェンを用いる以外は、実施例4と同様の条件で合成を行い、金属光沢のある赤銅色ポリマー0.611gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,4’-ジエチルヘキシル-4H-シクロペンタ[2,1-b:3,4-b’]ジチオフェンは、Zhu,Z et al. Macromolecules 2007,vol.40,1981-1986の記載に基づいて合成した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.8(broad)、3.9-3.4(broad)、2.3-0.5(m)」であった。∂6.8-8.2ppmにチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.4-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は38000(Mw/Mn=2.6)、最大吸収ピーク(λmax)は705nmであった。
(実施例11)
 ポリ(4,4’-ビス(2-エチルヘキシル)ジチエノ[3,2-b:2’,3’-b]シロール-2,6-ジイル-alt-(N-(6-ブロモヘキシル)-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P11]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 実施例8の4,6-ジブロモ-N-ヘプチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンに代えて、4,6-ジブロモ-N-(6-ブロモヘキシル)-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンを用いる以外は、実施例8と同様の条件で合成を行い、金属光沢のある赤銅色ポリマー0.812gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.8(broad)、3.85-3.2(broad)、2.3-0.5(m)」であった。∂6.95-8.15ppmにチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.2-3.85ppmに窒素原子に結合したCHに臭素が結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は48000(Mw/Mn=2.8)、最大吸収ピーク(λmax)は672nmであった。
(実施例12)
 ポリ(4,8-ビス(5-(2-エチルヘキシル)チエニル)ベンソ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン-2,6-ジイル-alt-(2,6-(5-チオフェン-2-イル)-N-ヘプチル―2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオン-4,6-ジイル))[P12]の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
 実施例1の4,6-ジブロモ-N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンに代えて、4,6-ビス(5-ブロモチオフェン-2-イル)-N-ヘプチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンを用いる以外は、実施例1と同様の条件で合成を行い、金属光沢のある赤紫色ポリマー1.012gを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製した。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.5(broad)、3.9-3.45(broad)、3.2-2.6(broad)、2.4-0.6(m)」であった。∂6.5-8.2ppmにベンゾジチオフェン環と側鎖のチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.45-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピークが、3.2-2.6ppmに側鎖のチオフェン環に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は83000(Mw/Mn=3.2)、最大吸収ピーク(λmax)は598nmであった。
(比較例1)
 特開2011-168747号公報の記載を参照して、1,3-ジブロモ-N-オクチル-チエノ[3,4-C]ピロール-4,6-ジオンを合成した。2,5-ビス(トリブチルスズ)チオフェンとのカップリン反応も同様に行って黒色固体を得た。
(比較例2)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
 4,6-ジブロモ-N-オクチル-2,3-ジヒドロ-3-オキソ-チエノ[3,4-d]イソチアゾール-1,1-ジオンに代えて、1,3-ジブロモ-N-オクチル-チエノ[3,4-C]ピロール-4,6-ジオンを用いる以外は、実施例1と同様にしてポリマーを合成し、金属光沢のある黒黄銅色ポリマーを得た。ソックスレー抽出で、酢酸エチル、ヘキサン、トルエン、クロロベンゼンの順で精製を行なった。以後、ベンゼン抽出成分を使用した。
 得られた化合物について、NMRの評価を行った。評価結果は「1H-NMR(270MHz,CDCI3) ∂:8.2-6.35(broad)、3.9-3.5(broad)、3.2-2.6(broad)、2.3-0.6(m)」であった。∂6.35-8.2ppmにベンゾジチオフェン環と側鎖のチオフェン環の芳香族プロトンのピークが見られ、3.5-3.9ppmに窒素原子に結合したCHに相当するピークと側鎖のチオフェン環に結合したCHに相当するピークが、0.6-2.3ppmにかけてアルキル基に相当するピークが、全てブロードピークとして観測されており、目的のポリマーであることを確認した。さらに、重量平均分子量とUV-vis吸収スペクトルを前記と同様な方法で測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は76000(Mw/Mn=3.1)、最大吸収ピーク(λmax)は601nmであった。
(実施例13~24、比較例3~4)
[有機薄膜太陽電池素子の作製]
 p型半導体材料である実施例1~12のポリマー(P1~P12)及び比較例1~2のポリマーを、n型半導体材料であるPC70BMとの質量比が1:2となるように混合した。次いで、混合物の濃度が2.0質量%となるように、窒素雰囲気中で混合物をクロロベンゼンに溶解させた。溶液全体の3質量%の割合となるように1,8-ジヨードオクタンを添加し、ホットスターラーを用いて120℃の温度にて1時間撹拌混合した。撹拌混合後の溶液を室温に冷却した後、0.20μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)フィルタで濾過することにより、それぞれのポリマーを用いた活性層塗布液を得た。
 インジウム・スズ酸化物(ITO)の透明導電膜がパターニングされたガラス基板を、界面活性剤による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄の順で洗浄した後、窒素ブローで乾燥させ、120℃で大気中5分間加熱乾燥した。最後に、基板に対して紫外線オゾン洗浄を行った。この基板上に、正孔取り出し層としてポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)ポリスチレンスルホン酸の水性分散液(ヘレウス社製PH500(商品名))をスピンコートにより塗布し、塗布後の基板を140℃のホットプレート上にて5分間大気中で加熱した。正孔取り出し層の膜厚は約40nmであった。
 正孔取り出し層を成膜した基板に、窒素雰囲気下でポリマーの活性層塗布液をそれぞれ600rpmの速度にてスピンコートすることにより、約90nmの厚さの活性層を形成した。その後、電子取り出し層として平均膜厚が0.1nmのフッ化リチウム、さらに電極層として100nmの厚さのアルミニウムを、抵抗加熱型真空蒸着法により順次成膜した。このようにして、1cm角の太陽電池素子を作製した。
[有機薄膜太陽電池素子の評価]
 作製した太陽電池素子に1cm角のメタルマスクを付け、照射光源としてエアマス(AM)1.5G、放射照度100mW/cmの朝日分光社製SPECTRソーラシミュレータ-IVP0605(商品名)を用いて、ITO電極とアルミニウム電極との間の電流-電圧特性を測定した。表1に測定結果として開放電圧(Voc)、短絡電流密度(Jsc)、フィルファクタ(FF)、及び変換効率を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表1から明らかなように、実施例のポリマーを用いた太陽電池素子は、比較例に比べて開放電圧(Voc)が0.9~1.0V程度高く、さらに変換効率(発電効率)に優れていることが分かる。従って、実施例のポリマーを用いることによって、高性能な有機薄膜太陽電池を提供することが可能となる。
(実施例25)
 インジウム・スズ酸化物(ITO)の透明導電膜がパターニングされたガラス基板を、界面活性剤による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄の順で洗浄した後、窒素ブローで乾燥させ、120℃で大気中5分間加熱乾燥した。最後に、基板に対して紫外線オゾン洗浄を行った。この基板上に、正孔取り出し層としてポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)ポリスチレンスルホン酸の水性分散液(ヘレウス社製PH500(商品名))をスピンコートにより塗布し、塗布後の基板を140℃のホットプレート上にて5分間大気中で加熱した。正孔取り出し層の膜厚は約40nmであった。
 正孔取り出し層を成膜した基板に、窒素雰囲気下で実施例11のポリマー[P11]の活性層塗布液をそれぞれ600rpmの速度にてスピンコートすることにより、約90nmの厚さの活性層を形成した。次いで、アルゴン雰囲気下でUV光(254nm、1.9mW/cm)を30分照射して光架橋を行った。その後、電子取り出し層として平均膜厚が0.1nmのフッ化リチウム、さらに電極層として100nmの厚さのアルミニウムを、抵抗加熱型真空蒸着法により順次成膜した。このようにして、1cm角の太陽電池素子を作製した。これとは別に、ポリマーを光架橋していない太陽電池素子を用意した。
 ポリマーを光架橋した太陽電池素子とポリマーを光架橋していない太陽電池素子に、それぞれ1cm角のメタルマスクを付け、JIS規格のC8938に準拠して耐光試験を行った。照射光源としてエアマス(AM)1.5G、放射照度100mW/cmで、ブラックパネルの温度が63℃になるように調整し、連続70h照射後した。朝日分光社製SPECTRソーラシミュレータ-IVP0605(商品名)を用いて、ITO電極とアルミニウム電極との間の電流-電圧特性を測定した。さらに、ポリマーを光架橋した太陽電池素子とポリマーを光架橋していない太陽電池素子を窒素雰囲気中にて100℃で30分間加熱した後、同様に特性を測定した。表2に光照射前後における特性の劣化率、及び加熱前後における特性の劣化率を示す。表2に示すように、ポリマーを架橋することで耐光性や耐熱性を向上させることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
[有機/無機ハイブリッド太陽電池素子の作製]
(実施例26~28)
 ヨウ素化鉛(PbI)とヨウ素化メチルアンモニウム(CHNHI)とを1:1のモル比で混合し、この混合物を濃度が40質量%となるように窒素雰囲気中でジメチルホルムアミドに溶解させた。この溶液をホットスターラーを用いて120℃の温度にて1時間撹拌混合した。撹拌混合後の溶液を室温に冷却した後、0.45μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)フィルタで濾過することによって、活性層塗布液を得た。
 p型半導体材料である実施例1、8、9ポリマー(P1、P8、P9)を、濃度が1.0質量%となるように、窒素雰囲気中でクロロベンゼンに溶解させた。これらの溶液をホットスターラーを用いて120℃の温度にて1時間撹拌混合した。撹拌混合後の溶液を室温に冷却した後、0.20μmのPTFEフィルタで濾過することによって、それぞれのポリマーを用いた正孔取り出し層塗布液を得た。
 フッ素ドープ酸化スズ(FTO)の透明導電膜がパターニングされたガラス基板を、界面活性剤による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄の順で洗浄した後、窒素ブローで乾燥させ、120℃で大気中5分間加熱乾燥した。最後に、基板に対して紫外線オゾン洗浄を行った。この基板上に、チタンジイソプロポキシドビス(アセチルアセトン)のエタノール溶液をスピンコートし、450℃で30分加熱した後に冷却した。この基板を塩化チタン(TiCl)水溶液に70℃で30分浸漬した。水溶液から取り出した基板を洗浄し乾燥させた後、空気中にて500℃で20分加熱することによって、約20nmの厚さを有する電子取り出し層を形成した。
 電子取り出し層を成膜した基板に、窒素雰囲気下でペロブスカイト化合物の活性層塗布液を600rpmの速度にてスピンコートし、60℃で約30分乾燥させることによって、約300nmの厚さを有する活性層を形成した。活性層上にポリマーの正孔取り出し層塗布液を2000rpmの速度で60秒間スピンコートして正孔取り出し層を形成した。この後、電極層として100nmの厚さの金を、抵抗加熱型真空蒸着法により成膜した。こうして、1cm角の有機/無機ハイブリット太陽電池素子を作製した。
(比較例5)
 正孔取り出し層の形成材料として、ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)(P3HT)を用いる以外は、実施例26と同様にして、有機/無機ハイブリット太陽電池素子を作製した。
(比較例6)
 正孔取り出し層を以下のようにして形成する以外は、実施例26と同様にして、有機/無機ハイブリット太陽電池素子を作製した。2,2’,7,7’-テトラキス(N,N-ジ-p-メトキシフェニルアミン)-9,9’-ビフルオレン(spiro-OMeTAD)180mgをジクロロベンゼン1mLに溶解させた。この溶液にビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドリチウム(Li-TFSI)170mgをアセトニトリル1mLに溶解させた溶液37.5μLを加え、さらに4-t-ブチルピリジン17.5μLを添加して、正孔取り出し層塗布液を作製した。この正孔取り出し層塗布液を3000rpmの速度で30秒間スピンコートすることによって、正孔取り出し層を形成した。
[有機/無機ハイブリット太陽電池素子の評価]
 有機/無機ハイブリット太陽電池素子に1cm角のメタルマスクを付け、照射光源としてエアマス(AM)1.5G、放射照度100mW/cmの朝日分光社製SPECTRソーラシミュレータ-IVP0605(商品名)を用いて、FTO電極とAu電極との間の電流-電圧特性を測定した。表3に測定結果として開放電圧(Voc)、短絡電流密度(Jsc)、フィルファクタ(FF)、及び変換効率を示す。
 さらに、有機/無機ハイブリット太陽電池素子をガラスで封止した後、ホットプレート上で窒素雰囲気中にて90℃で15分間加熱した後、室温まで冷却した。加熱試験後に同様な特性を測定して劣化率を求めた。表3に加熱前後における特性の劣化率を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 表3から明らかなように、実施例のポリマーを用いた有機/無機ハイブリット太陽電池素子は、変換効率(発電効率)や耐熱性に優れていることが分かる。従って、実施例のポリマーを用いることによって、高性能で長寿命な有機/無機ハイブリット太陽電池を提供することが可能になる。
 なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

Claims (15)

  1. Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
    (式中、R1は、水素、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1価基であり、Xは、酸素、硫黄、及びセレンからなる群より選ばれる原子であり、Y及びZは、それぞれ独立に、カルボニル基、スルフィニル基、及びスルホニル基からなる群より選ばれる2価基であって、Y及びZが共にカルボニル基である場合を除く2価基である。)
     で表される2価基を含む繰り返し単位を備え、重量平均分子量が3000以上1000000以下の範囲であるポリマー。
  2. Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
    (式中、R1は、水素、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1価基であり、Xは、酸素、硫黄、及びセレンからなる群より選ばれる原子であり、Y及びZは、それぞれ独立に、カルボニル基、スルフィニル基、及びスルホニル基からなる群より選ばれる2価基であって、Y及びZが共にカルボニル基である場合を除く2価基である。)
     で表される繰り返し単位を有する、請求項1に記載のポリマー。
  3. Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
    (式中、R1は、水素、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1価基であり、Xは、酸素、硫黄、及びセレンからなる群より選ばれる原子であり、Y及びZは、それぞれ独立に、カルボニル基、スルフィニル基、及びスルホニル基からなる群より選ばれる2価基であって、Y及びZが共にカルボニル基である場合を除く2価基であり、Aは、2価の共役系連結基である。)
     で表される繰り返し単位を有する、請求項1に記載のポリマー。
  4. Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
    (式中、R1は、水素、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1価基であり、R2及びR3は、それぞれ独立に、水素、フッ素、シアノ基、ニトロ基、置換又は非置換のアルコキシカルボニル基、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1価基であり、Xは、酸素、硫黄、及びセレンからなる群より選ばれる原子であり、Y及びZは、それぞれ独立に、カルボニル基、スルフィニル基、及びスルホニル基からなる群より選ばれる2価基であって、Y及びZが共にカルボニル基である場合を除く2価基である。)
     で表される繰り返し単位を有する、請求項1に記載のポリマー。
  5. Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
    (式中、R1は、水素、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1価基であり、R2及びR3は、それぞれ独立に、水素、フッ素、シアノ基、ニトロ基、置換又は非置換のアルコキシカルボニル基、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1価基であり、Xは、酸素、硫黄、及びセレンからなる群より選ばれる原子であり、Y及びZは、それぞれ独立に、カルボニル基、スルフィニル基、及びスルホニル基からなる群より選ばれる2価基であって、Y及びZが共にカルボニル基である場合を除く2価基であり、Aは、2価の共役系連結基である。)
     で表される繰り返し単位を有する、請求項1に記載のポリマー。
  6. Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
    (式中、R1、R4、及びR5は、それぞれ独立に、水素、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアルカノイル基、置換又は非置換のアリール基、及び置換又は非置換のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1価基であり、Xは、酸素、硫黄、及びセレンからなる群より選ばれる原子であり、Y及びZは、それぞれ独立に、カルボニル基、スルフィニル基、及びスルホニル基からなる群より選ばれる2価基であって、Y及びZが共にカルボニル基である場合を除く2価基であり、Lは、酸素、硫黄、置換イミノ基、置換メチレン基、置換シリレン基、及び置換ゲルミレン基からなる群より選ばれる1つである。)
     で表される繰り返し単位を有する、請求項1に記載のポリマー。
  7.  前記ポリマーは、末端基として架橋基を有する、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のポリマー。
  8.  前記R1基は、架橋基である、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のポリマー。
  9.  前記R1基、前記R2基、及び前記R3基からなる群より選ばれる少なくとも1つは、架橋基である、請求項4又は請求項5に記載のポリマー。
  10.  前記R1基、前記R5基、及び前記R6基からなる群より選ばれる少なくとも1つは、架橋基である、請求項6に記載のポリマー。
  11.  前記A基は、架橋基を含む、請求項3又は請求項5に記載のポリマー。
  12.  請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のポリマーを備える太陽電池。
  13.  第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置され、有機材料を含む光電変換層とを具備する太陽電池であって、
     前記有機材料は、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のポリマーを含む太陽電池。
  14.  前記光電変換層は、前記ポリマーを含有する活性層を有する、請求項13に記載の太陽電池。
  15.  前記光電変換層は、前記ポリマーを含有するバッファ層を有する、請求項13に記載の太陽電池。
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