JP5130660B2 - 有機薄膜トランジスタ - Google Patents
有機薄膜トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5130660B2 JP5130660B2 JP2006151273A JP2006151273A JP5130660B2 JP 5130660 B2 JP5130660 B2 JP 5130660B2 JP 2006151273 A JP2006151273 A JP 2006151273A JP 2006151273 A JP2006151273 A JP 2006151273A JP 5130660 B2 JP5130660 B2 JP 5130660B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- film transistor
- thin film
- organic thin
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 26
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 26
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 21
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 15
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 11
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 claims description 10
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 8
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 claims description 7
- 125000004659 aryl alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005015 aryl alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005018 aryl alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 4
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 4
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims description 3
- -1 naphthalenediyl group Chemical group 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 15
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 9
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000005036 alkoxyphenyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 5
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 4
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 4
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 125000002373 5 membered heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003747 Grignard reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 238000006619 Stille reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006069 Suzuki reaction reaction Methods 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 125000005556 thienylene group Chemical group 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007341 Heck reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006546 Horner-Wadsworth-Emmons reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006000 Knoevenagel condensation reaction Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007239 Wittig reaction Methods 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000006612 decyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- CXVAUNIKYTWEFC-UHFFFAOYSA-N dimethoxyborinic acid Chemical compound COB(O)OC CXVAUNIKYTWEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- APCOQCLKCAFINS-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(4-bromophenyl)-4-butan-2-ylaniline Chemical compound C1=CC(C(C)CC)=CC=C1N(C=1C=CC(Br)=CC=1)C1=CC=C(Br)C=C1 APCOQCLKCAFINS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 2
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXNCMLQAQIGJDO-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-5-(5-bromothiophen-2-yl)thiophene Chemical compound S1C(Br)=CC=C1C1=CC=C(Br)S1 SXNCMLQAQIGJDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002941 2-furyl group Chemical group O1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005979 2-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004105 2-pyridyl group Chemical group N1=C([*])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000389 2-pyrrolyl group Chemical group [H]N1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004800 4-bromophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Br 0.000 description 1
- 125000000339 4-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 CC(C)C(C)[Al]N(*)* Chemical compound CC(C)C(C)[Al]N(*)* 0.000 description 1
- SEIYTBXWGBEHKZ-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCC1(C(C)CCCCCCC)c2cc(-c(cc3)ccc3N(c3ccc(C)cc3)c3ccc(C(C)(CC)C(C)(C)c(cc4C(C(C)CCCCCCC)(C(C)CCCCCCC)c5c6)ccc4-c5ccc6-c4ccc(-c5ccc(C(C)C)[s]5)[s]4)cc3)ccc2-c2c1cc(C(C)(C)C)cc2 Chemical compound CCCCCCCCC1(C(C)CCCCCCC)c2cc(-c(cc3)ccc3N(c3ccc(C)cc3)c3ccc(C(C)(CC)C(C)(C)c(cc4C(C(C)CCCCCCC)(C(C)CCCCCCC)c5c6)ccc4-c5ccc6-c4ccc(-c5ccc(C(C)C)[s]5)[s]4)cc3)ccc2-c2c1cc(C(C)(C)C)cc2 SEIYTBXWGBEHKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005227 alkyl sulfonate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005228 aryl sulfonate group Chemical group 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 125000005619 boric acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003113 cycloheptyloxy group Chemical group C1(CCCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000006547 cyclononyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 125000000131 cyclopropyloxy group Chemical group C1(CC1)O* 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PNLSTDKQAPNMDU-UHFFFAOYSA-N hept-1-enylbenzene Chemical compound CCCCCC=CC1=CC=CC=C1 PNLSTDKQAPNMDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005446 heptyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004708 n-butylthio group Chemical group C(CCC)S* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004706 n-propylthio group Chemical group C(CC)S* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005186 naphthyloxy group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)O* 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006611 nonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N oxazine, 1 Chemical compound C([C@@H]1[C@H](C(C[C@]2(C)[C@@H]([C@H](C)N(C)C)[C@H](O)C[C@]21C)=O)CC1=CC2)C[C@H]1[C@@]1(C)[C@H]2N=C(C(C)C)OC1 AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001129 phenylbutoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000109 phenylethoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005579 tetracene group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
Description
一般にフラットパネルディスプレイ装置においては、液晶、有機エレクトロルミネッセンス、電気泳動などを利用した画素表示素子を薄膜トランジスタにより制御する方法が主流となりつつある。
有機半導体を利用した有機薄膜トランジスタは、従来のポリシリコン、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタでは困難とされるプラスチック基板上への製造や大画面化が可能である。特に有機溶剤に可溶な高分子化合物を利用したものは真空プロセスを必要としない印刷法が適用できるため低コスト化が期待されている。
しかしながら、高分子化合物半導体を有機半導体層に用いた有機薄膜トランジスタにおいては、その電流がオンするしきい値電圧が高く、性能が未だ不十分であった。
本発明の目的は、高分子化合物を有機半導体層に用い、電流がオンするしきい値電圧の低い有機薄膜トランジスタを提供することにある。
〔式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar6およびAr7は、それぞれ独立に置換基を有してもよい、アリーレン基または置換基を有してもよい2価の複素環基を表す。Ar4、Ar5およびAr8は、それぞれ独立に置換基を有してもよい、アリール基または置換基を有してもよい1価の複素環基を表す。A環,B環,A’環およびB’環はそれぞれ独立に置換基を有してもよい芳香環を示し、XおよびX’は、それぞれ独立に、−O−、−S−、−C(R1)(R2)−、−Si(R3)(R4)−または−N(R5)−を表し、R1、R2、R3、R4およびR5は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、1価の複素環基、ハロゲン原子またはシアノ基を表す。aおよびbはそれぞれ独立に0または1を表す。〕
ヘテロ原子として、窒素を含む2価の複素環基;ピリジンージイル基、ジアザフェニレン基、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基、アクリジンジイル基、ビピリジルジイル基、フェナントロリンジイル基、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基、 ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基または5員環縮合複素環基、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し2量体やオリゴマーになっている基、
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基が挙げられる。
中でもヘテロ原子として窒素、硫黄を含む複素環基が好ましく、チエニレン基、硫黄を含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し2量体やオリゴマーになっている基を含むものおよびピリジン−2,5−ジイル基を含むものがさらに好ましく、チエニレン基、置換基を有するチエニレン基、硫黄を含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し2量体になっている、置換基を有していてもいなくてもよい基が特に好ましい。
また、A環、B環、A’環およびB’環が芳香族炭化水素環であるものが好ましい。製造の容易さという観点からは、A環およびA’環、B環およびB’環はそれぞれ同じ芳香環であるものが好ましく、A環、B環、A’環およびB’環が全て同じ芳香環であるものが特に好ましい。
上記式(2)のbとしては0または1であるが、しきい値電圧の観点からb=0が好ましい。
主鎖に枝分かれがあり、末端部が3つ以上ある場合も含まれる。
以下に、上記式(1)および式(2)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物の具体的例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、m、nは高分子化合物中、それぞれの繰り返し単位の数を表し、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体のいずれでもよい。
重合活性基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、アルキルスタニル基、ホウ酸エステル基又はホウ酸基であることが好ましい。
電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となり本発明の高分子化合物を含有する有機半導体層、電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、有機半導体層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。特に、ソース電極及びドレイン電極が、本発明の高分子化合物を含有する有機半導体層に接して設けられており、さらに有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。
(重量平均分子量)
ここで、重量平均分子量については、GPC(島津製作所製:LC−10Avp)によりポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約0.5wt%の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに50μL注入した。GPCの移動相はテトラヒドロフランを用い、0.6mL/minの流速で流した。カラムは、TSKgel SuperHM−H(東ソー製)2本とTSKgel SuperH2000(東ソー製)1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器(島津製作所製:RID−10A)を用いた。
モノマーとして、9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ビス(ジメチルボレート)、N,N−ビス(4−ブロモフェニル)−N−(4−sec‐ブチルフェニル)−アミン、5,5’−ジブロモ−2,2’−ビチオフェンとを50:25:25の割合で混合し、US5,777,070に記載の方法これらモノマーをパラジウム触媒存在下反応させ、で高分子化合物1を合成した。ポリスチレン換算の重量平均分子量は、Mw=2.0x10*であった。
モノマーとして、9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ビス(ジメチルボレート)、N,N−ビス(4−ブロモフェニル)−N−(4−sec‐ブチルフェニル)−アミン、化合物Pとを50:42.5:7.5の割合で混合し、US5,777,070に記載の方法でこれらモノマーをパラジウム触媒存在下反応させ、高分子化合物2(交互共重合体)を合成した。ポリスチレン換算の重量平均分子量は、Mw=2.6x10*であった。
<電界効果型有機薄膜トランジスタの作成および物性の評価>
高分子化合物1を5mg秤量し、クロロホルム1gを加え0.5wt%のクロロホルム溶液を調整し、テフロン製の0.2μmメンブランフィルターで濾過し、塗布液とした。
ゲート電極となる高濃度にドープされたn−型シリコン基板の表面上に、絶縁層となる熱酸化シリコン酸化膜を200nm形成した基板を用い、アルカリ洗剤、超純水、アセトンで超音波洗浄した後、オゾンUV照射により表面を洗浄した。洗浄した基板を用い、Aldrich製Hexamethyldisilazane (HMDS)を滴下後、2000rpmでスピンし、基板表面をHMDSで処理した。該表面処理した基板上に上記の高分子化合物1のクロロホルム溶液を滴下し、1000rpmでスピンして高分子化合物1の薄膜を形成した。薄膜の上に、真空蒸着法により金属マスクを用いて、Cr/Au電極を3nm/50nm蒸着し、チャネル幅2mm、チャネル長20μmのソース電極及びドレイン電極を形成し、有機薄膜トランジスタを作製した。
作成した有機薄膜トランジスタに、真空中でゲート電圧VG、ソース−ドレイン間電圧VSDを変化させて、トランジスタ特性を測定することにより良好なId−Vg特性が得られ、Vg=-60V,Vd=-60Vにおいてドレイン電流Id=3.9×10-6Aの電流が流れた。このときの移動度は、3.1×10-3cm2/Vs,on/off比=105、電流がオンするしきい値電圧はVth=-5Vであった。
<電界効果型有機薄膜トランジスタの作成および物性の評価>
実施例1と同様にして、高分子化合物2のクロロホルム溶液を用いてスピンコート法により高分子化合物2の薄膜を形成し、有機薄膜トランジスタを作製した。
作成した有機薄膜トランジスタに、真空中でゲート電圧VG、ソース−ドレイン間電圧VSDを変化させて、トランジスタ特性を測定することにより良好なId−Vg特性が得られ、Vg=-60V,Vd=-60Vにおいてドレイン電流Id=2.8×10-6Aの電流が流れた。このときの移動度は、2.3×10-3cm2/Vs,on/off比=105、電流がオンするしきい値電圧はVth=-10Vであった。
Claims (3)
- 有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタであって、該有機半導体層が繰り返し単位として下記一般式(1)で表される繰り返し単位と下記一般式(2)で表される繰り返し単位のみを有する高分子化合物を含有する有機薄膜トランジスタ。
〔式中、Ar1、Ar2、Ar3およびAr7は、それぞれ独立に置換基を有してもよいフェニレン基を表し、該置換基はアルキル基またはアルコキシ基である。Ar6は、硫黄を含む5員環複素環基がそのヘテロ原子のα位で結合し2量体になっている、置換基を有していてもいなくてもよい基を表し、該置換基はアルキル基またはアルコキシ基である。Ar4、Ar5およびAr8は、それぞれ独立に置換基を有してもよいフェニル基を表し、該置換基はアルキル基、アルコキシ基またはアリールチオ基である。A環,B環,A’環およびB’環はそれぞれ独立にベンゼン環を示し、XおよびX’は、それぞれ独立に、−C(R1)(R2)−を表し、R1およびR2は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、1価の複素環基、ハロゲン原子またはシアノ基を表す。aおよびbはそれぞれ独立に0を表す。〕 - 有機薄膜トランジスタが、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁層および有機半導体層を有する電界効果型有機薄膜トランジスタである請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 有機薄膜トランジスタが、ソース電極、ドレイン電極、該ソース電極とドレイン電極に挟まれた有機半導体層、および該有機半導体層中に設け、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流量を制御できるゲート電極を有する静電誘導型有機薄膜トランジスタである請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006151273A JP5130660B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 有機薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006151273A JP5130660B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 有機薄膜トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007324280A JP2007324280A (ja) | 2007-12-13 |
JP5130660B2 true JP5130660B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=38856822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006151273A Expired - Fee Related JP5130660B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 有機薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5130660B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101323557B1 (ko) * | 2008-02-15 | 2013-10-29 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 공액 폴리머, 불용화 폴리머, 유기 전계 발광 소자 재료, 유기 전계 발광 소자용 조성물, 폴리머의 제조 방법, 유기 전계 발광 소자, 유기 el 디스플레이, 및 유기 el 조명 |
CN101981086A (zh) * | 2008-04-02 | 2011-02-23 | 三菱化学株式会社 | 高分子化合物、由该高分子化合物交联而得到的网状高分子化合物、有机场致发光元件用组合物、有机场致发光元件、有机el显示器及有机el照明 |
JP2010010246A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機光電変換素子 |
JP5703680B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2015-04-22 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8512879B2 (en) * | 2009-11-10 | 2013-08-20 | General Electric Company | Polymer for optoelectronic device |
KR101417244B1 (ko) * | 2011-03-29 | 2014-07-09 | 인하대학교 산학협력단 | 산화물 층 또는 유기물 층과 유기 고분자 층을 포함하는 하이브리드 층 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8134143B2 (en) * | 2003-10-02 | 2012-03-13 | National Research Council Of Canada | 2,7-carbazolenevinylene derivatives as novel materials in producing organic based electronic devices |
TW201219350A (en) * | 2003-11-17 | 2012-05-16 | Sumitomo Chemical Co | Crosslinkable arylamine compounds |
WO2005049689A2 (en) * | 2003-11-17 | 2005-06-02 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Crosslinkable substituted fluorene compounds and conjugated oligomers or polymers based thereon |
JP2005175386A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Asahi Kasei Corp | 有機半導体素子 |
JP2006024862A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機トランジスタおよび有機トランジスタの製造方法 |
JP4529571B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-08-25 | 三菱化学株式会社 | 電界効果トランジスタ |
-
2006
- 2006-05-31 JP JP2006151273A patent/JP5130660B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007324280A (ja) | 2007-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Guo et al. | Pyromellitic diimide-based donor–acceptor poly (phenylene ethynylene) s | |
JP5121355B2 (ja) | 有機薄膜の製造方法 | |
JP5620255B2 (ja) | 高分子化合物、これを含む薄膜及びインク組成物 | |
Ponomarenko et al. | Star-shaped oligothiophenes for solution-processible organic electronics: flexible aliphatic spacers approach | |
US7557370B2 (en) | Heteroacene polymers and electronic devices generated therefrom | |
JP5130660B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
KR20110038043A (ko) | 교대 도너 억셉터 공중합체를 주성분으로 하는 고성능 용액 가공성 반도체 중합체 | |
JP4144271B2 (ja) | 高分子薄膜およびそれを用いた高分子薄膜素子 | |
Won et al. | Photo-patternable polyimide gate insulator with fluorine groups for improving performance of 2, 7-didecyl [1] benzothieno [3, 2-b][1] benzothiopene (C10-BTBT) thin-film transistors | |
Sonar et al. | 4-Hexylbithieno [3, 2-b: 2 ‘3 ‘-e] pyridine: An Efficient Electron-Accepting Unit in Fluorene and Indenofluorene Copolymers for Light-Emitting Devices | |
JP2009170906A (ja) | 高分子半導体化合物、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを製造する方法 | |
US7994497B2 (en) | Poly[bis(ethynyl)heteroacene]s and electronic devices generated therefrom | |
JP5546752B2 (ja) | 高分子化合物及びその製造方法、並びに、この高分子化合物を含む組成物 | |
Dang et al. | Synthesis and characterization of poly (benzodithiophene) derivative for organic thin film transistors | |
JP5760875B2 (ja) | 高分子化合物及びそれを用いた有機トランジスタ | |
US7795373B2 (en) | Ethynylene acene polymers | |
KR101822888B1 (ko) | 유기 반도체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 함유하는 유기 전자 소자 | |
JP5130659B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
JP2012082345A (ja) | 高分子化合物、有機半導体材料及び有機トランジスタ | |
Chini et al. | F and CF3 substituted solution processable oligo para-phenylenevinylene for ambipolar and hole-transporting organic field effect transistors | |
WO2010140447A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、面状光源及び表示装置 | |
JP5228950B2 (ja) | フルオレン系高分子化合物及び有機薄膜素子 | |
JP5914238B2 (ja) | 高分子化合物、並びにこの高分子化合物を用いた有機半導体素子及び有機トランジスタ | |
US7586120B2 (en) | Ethynylene acene polymers and electronic devices generated therefrom | |
JP2005079121A (ja) | 高分子電界効果トランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080201 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080515 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120329 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121009 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121022 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |