JP5138163B2 - 電界効果型トランジスタ - Google Patents

電界効果型トランジスタ Download PDF

Info

Publication number
JP5138163B2
JP5138163B2 JP2005325366A JP2005325366A JP5138163B2 JP 5138163 B2 JP5138163 B2 JP 5138163B2 JP 2005325366 A JP2005325366 A JP 2005325366A JP 2005325366 A JP2005325366 A JP 2005325366A JP 5138163 B2 JP5138163 B2 JP 5138163B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
amorphous oxide
amorphous
less
electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2005325366A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2006165529A (ja
JP2006165529A5 (https=
Inventor
政史 佐野
克己 中川
秀雄 細野
利夫 神谷
研二 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Tokyo Institute of Technology NUC
Original Assignee
Canon Inc
Tokyo Institute of Technology NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc, Tokyo Institute of Technology NUC filed Critical Canon Inc
Priority to JP2005325366A priority Critical patent/JP5138163B2/ja
Publication of JP2006165529A publication Critical patent/JP2006165529A/ja
Publication of JP2006165529A5 publication Critical patent/JP2006165529A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5138163B2 publication Critical patent/JP5138163B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Dram (AREA)
JP2005325366A 2004-11-10 2005-11-09 電界効果型トランジスタ Expired - Lifetime JP5138163B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005325366A JP5138163B2 (ja) 2004-11-10 2005-11-09 電界効果型トランジスタ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004326687 2004-11-10
JP2004326687 2004-11-10
JP2005325366A JP5138163B2 (ja) 2004-11-10 2005-11-09 電界効果型トランジスタ

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011156724A Division JP2011256108A (ja) 2004-11-10 2011-07-15 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
JP2011156723A Division JP5337849B2 (ja) 2004-11-10 2011-07-15 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
JP2012148444A Division JP5589030B2 (ja) 2004-11-10 2012-07-02 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006165529A JP2006165529A (ja) 2006-06-22
JP2006165529A5 JP2006165529A5 (https=) 2008-02-07
JP5138163B2 true JP5138163B2 (ja) 2013-02-06

Family

ID=36667140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005325366A Expired - Lifetime JP5138163B2 (ja) 2004-11-10 2005-11-09 電界効果型トランジスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5138163B2 (https=)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20250093228A (ko) 2023-12-15 2025-06-24 가부시키가이샤 알박 산화물 반도체 박막, 박막 반도체 장치 및 그 제조 방법, 그리고 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법

Families Citing this family (278)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP5127183B2 (ja) 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
EP2096188B1 (en) 2006-12-13 2014-01-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target
CA2677312C (en) * 2007-02-05 2015-08-04 Universidade Nova De Lisboa Electronic semiconductor device based on copper nickel and gallium-tin-zinc-copper-titanium p and n-type oxides, their applications and corresponding manufacture process
KR101312259B1 (ko) 2007-02-09 2013-09-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5121254B2 (ja) 2007-02-28 2013-01-16 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP5306179B2 (ja) * 2007-03-20 2013-10-02 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス
JP5466939B2 (ja) 2007-03-23 2014-04-09 出光興産株式会社 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法
JP5244331B2 (ja) * 2007-03-26 2013-07-24 出光興産株式会社 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
JP4727684B2 (ja) 2007-03-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
US7768042B2 (en) * 2007-03-29 2010-08-03 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Thin film transistor including titanium oxides as active layer and method of manufacturing the same
JP2008276211A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置およびパターニング方法
JP2008276212A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
CN101632179B (zh) * 2007-04-06 2012-05-30 夏普株式会社 半导体元件及其制造方法、以及包括该半导体元件的电子器件
JP2009031742A (ja) * 2007-04-10 2009-02-12 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
CN101663762B (zh) * 2007-04-25 2011-09-21 佳能株式会社 氧氮化物半导体
JP2008277326A (ja) 2007-04-25 2008-11-13 Canon Inc アモルファス酸化物半導体、半導体デバイス及び薄膜トランジスタ
JPWO2008139860A1 (ja) 2007-05-07 2010-07-29 出光興産株式会社 半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、および、半導体素子
US8748879B2 (en) * 2007-05-08 2014-06-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor device, thin film transistor and a method for producing the same
JP5522889B2 (ja) 2007-05-11 2014-06-18 出光興産株式会社 Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ系酸化物焼結体、及び物理成膜用ターゲット
KR101415561B1 (ko) 2007-06-14 2014-08-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR101344483B1 (ko) * 2007-06-27 2013-12-24 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터
JP5330739B2 (ja) * 2007-06-29 2013-10-30 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
EP2183780A4 (en) * 2007-08-02 2010-07-28 Applied Materials Inc THIN FILM TRANSISTORS WITH THIN FILM SEMICONDUCTOR MATERIALS
JP5489423B2 (ja) * 2007-09-21 2014-05-14 富士フイルム株式会社 放射線撮像素子
US8008627B2 (en) 2007-09-21 2011-08-30 Fujifilm Corporation Radiation imaging element
JP5489446B2 (ja) * 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5489445B2 (ja) * 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2009130209A (ja) 2007-11-26 2009-06-11 Fujifilm Corp 放射線撮像素子
JP2010103451A (ja) * 2007-11-26 2010-05-06 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた電界発光装置
WO2009081885A1 (ja) * 2007-12-25 2009-07-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
CN103258857B (zh) * 2007-12-13 2016-05-11 出光兴产株式会社 使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法
JP5191247B2 (ja) * 2008-02-06 2013-05-08 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5467728B2 (ja) * 2008-03-14 2014-04-09 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP4555358B2 (ja) * 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
JP2009267399A (ja) 2008-04-04 2009-11-12 Fujifilm Corp 半導体装置，半導体装置の製造方法，表示装置及び表示装置の製造方法
JP5403390B2 (ja) * 2008-05-16 2014-01-29 出光興産株式会社 インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む酸化物
JP5202630B2 (ja) 2008-06-10 2013-06-05 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリング用酸化物焼結体ターゲット及びその製造方法
JP5510767B2 (ja) * 2008-06-19 2014-06-04 出光興産株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5430248B2 (ja) 2008-06-24 2014-02-26 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
US8258511B2 (en) * 2008-07-02 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
JP5123768B2 (ja) * 2008-07-10 2013-01-23 富士フイルム株式会社 金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置
JP5250322B2 (ja) * 2008-07-10 2013-07-31 富士フイルム株式会社 金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置
EP2146379B1 (en) * 2008-07-14 2015-01-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Transistor comprising ZnO based channel layer
US7812346B2 (en) * 2008-07-16 2010-10-12 Cbrite, Inc. Metal oxide TFT with improved carrier mobility
US9666719B2 (en) 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5322530B2 (ja) * 2008-08-01 2013-10-23 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタの製造方法及び該製造方法によって製造された薄膜電界効果型トランジスタ
TWI518800B (zh) 2008-08-08 2016-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5480554B2 (ja) * 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5345456B2 (ja) 2008-08-14 2013-11-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ
JP2010050165A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Sumitomo Chemical Co Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法、トランジスタ基板、発光装置、および、表示装置
JP5644071B2 (ja) * 2008-08-20 2014-12-24 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
TWI569454B (zh) * 2008-09-01 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9082857B2 (en) * 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP5537787B2 (ja) * 2008-09-01 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5339825B2 (ja) 2008-09-09 2013-11-13 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
KR101657957B1 (ko) * 2008-09-12 2016-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP5345359B2 (ja) * 2008-09-18 2013-11-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
KR101889287B1 (ko) 2008-09-19 2018-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
JP5258475B2 (ja) * 2008-09-22 2013-08-07 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ
CN103928476A (zh) * 2008-10-03 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101579050B1 (ko) 2008-10-03 2015-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
JP2010093172A (ja) 2008-10-10 2010-04-22 Fujifilm Corp 封止デバイス
KR101603303B1 (ko) * 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
TWI496295B (zh) 2008-10-31 2015-08-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
CN103700704B (zh) * 2008-11-07 2017-07-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
TWI535037B (zh) * 2008-11-07 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
EP2184783B1 (en) * 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI502739B (zh) 2008-11-13 2015-10-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP2010153802A (ja) * 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2010123872A (ja) 2008-11-21 2010-06-03 Sony Corp 酸化物半導体層の非破壊検査方法、及び酸化物半導体層の作製方法
TWI585955B (zh) 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
JP5515281B2 (ja) 2008-12-03 2014-06-11 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、電子機器および薄膜トランジスタの製造方法
JP2010140919A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Hitachi Ltd 酸化物半導体装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス基板
JP5538797B2 (ja) * 2008-12-12 2014-07-02 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及び表示装置
EP2515337B1 (en) 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8441007B2 (en) * 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TWI474408B (zh) 2008-12-26 2015-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101034686B1 (ko) 2009-01-12 2011-05-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101648927B1 (ko) 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5210187B2 (ja) 2009-01-22 2013-06-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8174021B2 (en) * 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
JP4752927B2 (ja) 2009-02-09 2011-08-17 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP5328414B2 (ja) * 2009-02-25 2013-10-30 富士フイルム株式会社 トップゲート型の電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置
US8704216B2 (en) * 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5504008B2 (ja) 2009-03-06 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5508518B2 (ja) * 2009-04-24 2014-06-04 パナソニック株式会社 酸化物半導体
JP5322787B2 (ja) * 2009-06-11 2013-10-23 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法、電気光学装置、並びにセンサー
KR101810699B1 (ko) 2009-06-30 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
WO2011001881A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5640478B2 (ja) * 2009-07-09 2014-12-17 株式会社リコー 電界効果型トランジスタの製造方法及び電界効果型トランジスタ
EP2461387A4 (en) 2009-07-31 2013-01-23 Udc Ireland Ltd VAPOR DEPOSITION MATERIAL FOR ORGANIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC DEVICE
JP4598136B1 (ja) 2009-07-31 2010-12-15 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2011054812A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
CN105679834A (zh) * 2009-09-16 2016-06-15 株式会社半导体能源研究所 晶体管及显示设备
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
WO2011037050A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20220127372A (ko) * 2009-09-24 2022-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
CN102549757A (zh) * 2009-09-30 2012-07-04 佳能株式会社 薄膜晶体管
CN102484139B (zh) 2009-10-08 2016-07-06 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体层及半导体装置
CN103984176B (zh) 2009-10-09 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及包括该液晶显示装置的电子设备
WO2011043218A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102549638B (zh) * 2009-10-09 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 发光显示器件以及包括该发光显示器件的电子设备
KR101772639B1 (ko) 2009-10-16 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011046025A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
KR102005736B1 (ko) 2009-10-16 2019-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN102598280B (zh) 2009-10-21 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备
CN104485336B (zh) 2009-10-21 2018-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
JP5730529B2 (ja) 2009-10-21 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
MY166003A (en) 2009-10-21 2018-05-21 Semiconductor Energy Lab Display device and electronic device including display device
KR101591613B1 (ko) * 2009-10-21 2016-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011048959A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
KR102377866B1 (ko) 2009-10-21 2022-03-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
KR101796909B1 (ko) 2009-10-30 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 비선형 소자, 표시 장치, 및 전자 기기
WO2011052385A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102142450B1 (ko) 2009-10-30 2020-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011052409A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
EP2494597A4 (en) 2009-10-30 2015-03-18 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
WO2011052410A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same
WO2011052411A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052366A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
KR102220606B1 (ko) 2009-11-06 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101876473B1 (ko) 2009-11-06 2018-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101645680B1 (ko) 2009-11-06 2016-08-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011055625A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and operating method thereof
JP2011100944A (ja) 2009-11-09 2011-05-19 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
CN102612714B (zh) * 2009-11-13 2016-06-29 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
CN103151266B (zh) 2009-11-20 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 用于制造半导体器件的方法
KR101800852B1 (ko) * 2009-11-20 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011062041A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011065209A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
WO2011065210A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR101824124B1 (ko) 2009-11-28 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102089200B1 (ko) 2009-11-28 2020-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN102668028B (zh) 2009-11-28 2015-09-02 株式会社半导体能源研究所 层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法
WO2011068028A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
KR102929405B1 (ko) 2009-12-04 2026-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011139052A (ja) 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
KR20120103676A (ko) 2009-12-04 2012-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101396102B1 (ko) * 2009-12-04 2014-05-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5497417B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置
JP5727204B2 (ja) * 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101830195B1 (ko) 2009-12-18 2018-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그것의 제작 방법
CN102668098B (zh) 2009-12-28 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
CN102713999B (zh) * 2010-01-20 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 电子设备和电子系统
US8879010B2 (en) 2010-01-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102135326B1 (ko) 2010-01-24 2020-07-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102008754B1 (ko) 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
WO2011093000A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device
KR102628681B1 (ko) 2010-02-05 2024-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
CN102741915B (zh) * 2010-02-12 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及驱动方法
JP5776192B2 (ja) 2010-02-16 2015-09-09 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
CN102754163B (zh) * 2010-02-19 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR20190000365A (ko) 2010-02-26 2019-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011105183A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus
CN102754022B (zh) 2010-02-26 2016-11-09 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置
KR102268217B1 (ko) 2010-03-05 2021-06-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP5506475B2 (ja) 2010-03-15 2014-05-28 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子の製造方法
JP2012124446A (ja) 2010-04-07 2012-06-28 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ
JP2016026389A (ja) * 2010-04-07 2016-02-12 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ
WO2011132529A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
WO2011135988A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and driving method the same
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101862808B1 (ko) 2010-06-18 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101746197B1 (ko) 2010-06-25 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 검사 방법
KR101350751B1 (ko) 2010-07-01 2014-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2012002574A1 (ja) * 2010-07-02 2012-01-05 合同会社先端配線材料研究所 薄膜トランジスタ
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5745369B2 (ja) 2010-09-06 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
US8835917B2 (en) * 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN102893368B (zh) 2010-09-13 2016-01-27 松下电器产业株式会社 用于制造金属氧化物半导体的方法
KR20200052993A (ko) 2010-12-03 2020-05-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
JP2011086962A (ja) * 2011-01-26 2011-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
KR20130140824A (ko) * 2011-01-27 2013-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8541781B2 (en) * 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
KR101830170B1 (ko) 2011-05-17 2018-02-21 삼성디스플레이 주식회사 산화물 반도체 소자, 산화물 반도체 소자의 제조 방법, 산화물 반도체소자를 포함하는 표시 장치 및 산화물 반도체 소자를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8673426B2 (en) * 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8748886B2 (en) * 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9214474B2 (en) * 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP4918172B1 (ja) 2011-09-07 2012-04-18 英郎 川野 アクティブ・マトリクス型表示装置
JP5984354B2 (ja) * 2011-10-07 2016-09-06 住友電気工業株式会社 半導体素子
WO2013051644A1 (ja) * 2011-10-07 2013-04-11 住友電気工業株式会社 絶縁膜およびその製造方法
KR20130046357A (ko) * 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8796683B2 (en) * 2011-12-23 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20130207111A1 (en) * 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102932705B1 (ko) 2012-04-13 2026-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI555867B (zh) * 2012-05-31 2016-11-01 Idemitsu Kosan Co Sputtering target
JP5946130B2 (ja) * 2012-07-03 2016-07-05 国立大学法人東京工業大学 アモルファス酸化物半導体を活性層とした薄膜トランジスタ構造とその製造方法
JP6220597B2 (ja) * 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5562384B2 (ja) * 2012-08-28 2014-07-30 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5980060B2 (ja) * 2012-09-06 2016-08-31 シャープ株式会社 太陽電池
JP5895789B2 (ja) 2012-09-24 2016-03-30 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、ポリイミド膜、半導体素子および有機ｅｌ素子
KR102072099B1 (ko) 2012-11-08 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 막 및 금속 산화물 막의 형성 방법
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JPWO2014103323A1 (ja) * 2012-12-28 2017-01-12 出光興産株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ
KR102211596B1 (ko) 2012-12-28 2021-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI614813B (zh) * 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5830045B2 (ja) * 2013-02-22 2015-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
JP5581416B2 (ja) * 2013-04-03 2014-08-27 出光興産株式会社 結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
US20150001533A1 (en) * 2013-06-28 2015-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6421446B2 (ja) 2013-06-28 2018-11-14 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6537264B2 (ja) 2013-12-12 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
US9653487B2 (en) 2014-02-05 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2015188062A (ja) 2014-02-07 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9817040B2 (en) 2014-02-21 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measuring method of low off-state current of transistor
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
WO2015128774A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
US9768315B2 (en) 2014-04-18 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having the same
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
TWI669761B (zh) 2014-05-30 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、包括該半導體裝置的顯示裝置
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6651714B2 (ja) 2014-07-11 2020-02-19 株式会社リコー ｎ型酸化物半導体製造用塗布液、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6633330B2 (ja) 2014-09-26 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN106796959A (zh) * 2014-10-08 2017-05-31 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
CN107111985B (zh) 2014-12-29 2020-09-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
KR20180010205A (ko) 2015-05-22 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6832634B2 (ja) 2015-05-29 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
WO2017029576A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP6851166B2 (ja) 2015-10-12 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPWO2017085591A1 (ja) 2015-11-20 2018-09-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置、及び該半導体装置を有する電子機器
US10083991B2 (en) 2015-12-28 2018-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
KR102859159B1 (ko) 2016-02-18 2025-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이의 제작 방법, 표시 장치, 및 전자 기기
JP2018160670A (ja) 2017-03-21 2018-10-11 株式会社リコー 金属酸化物膜形成用塗布液、並びに酸化物膜、電界効果型トランジスタ、及びそれらの製造方法
US11447421B2 (en) 2017-03-30 2022-09-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Garnet compound, oxide sintered compact, oxide semiconductor thin film, thin film transistor, electronic device and image sensor
JP6933359B2 (ja) * 2017-04-21 2021-09-08 学校法人東京理科大学 酸化物半導体単結晶及びその製造方法、透明導電性材料、並びに透明導電性基板
JP6844845B2 (ja) 2017-05-31 2021-03-17 三国電子有限会社 表示装置
JP7190729B2 (ja) 2018-08-31 2022-12-16 三国電子有限会社 キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子
JP7246681B2 (ja) 2018-09-26 2023-03-28 三国電子有限会社 トランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置
JP7672968B2 (ja) * 2019-02-22 2025-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP7190740B2 (ja) 2019-02-22 2022-12-16 三国電子有限会社 エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置
JP7444436B2 (ja) 2020-02-05 2024-03-06 三国電子有限会社 液晶表示装置
US12009432B2 (en) 2021-03-05 2024-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251705A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3314509B2 (ja) * 1994-02-04 2002-08-12 株式会社豊田中央研究所 ＮＯｘガス検知半導体およびその製造方法
JP2000228516A (ja) * 1999-02-08 2000-08-15 Tdk Corp 半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
JP4089858B2 (ja) * 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP2002289859A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4164562B2 (ja) * 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP2004311784A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Fuji Xerox Co Ltd 光検出装置、及びその実装方法
KR20070116888A (ko) * 2004-03-12 2007-12-11 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20250093228A (ko) 2023-12-15 2025-06-24 가부시키가이샤 알박 산화물 반도체 박막, 박막 반도체 장치 및 그 제조 방법, 그리고 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006165529A (ja) 2006-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5138163B2 (ja) 電界効果型トランジスタ
JP5337849B2 (ja) 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
JP5118810B2 (ja) 電界効果型トランジスタ
JP4620046B2 (ja) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP5401573B2 (ja) 電界効果型トランジスタの製造方法
JP5126730B2 (ja) 電界効果型トランジスタの製造方法
JP4981282B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AA64 Notification of invalidation of claim of internal priority (with term)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764

Effective date: 20051118

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071218

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071218

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080207

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20090225

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090318

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090331

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100617

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20100730

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110516

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111205

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120402

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120702

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20120702

C11 Written invitation by the commissioner to file amendments

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C11

Effective date: 20120723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120727

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120816

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20120821

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121018

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5138163

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term