JP2019165242A - 半導体基板に応力を加える装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (60)
- 半導体基板を曲げるための装置であって、この基板はほぼ平坦な位置と曲げ位置とを有し、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、このホルダーは空間を隔てた複数の細長いピンを含み、それぞれのピンは基板と接触するためのサポート面を有し、このサポート面は、曲げ位置にある基板に接触するために配置されたホルダーと、を含むことを特徴とする装置。 - それぞれのピンは管状であり、基板の上を真空に引くための流体経路を有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 更に、真空に引くためのポンプを含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 基板ホルダーは、ほぼ垂直方向に基板を支持し、ほぼ水平方向の基板の動きを制限しないことを特徴とする請求項2に記載の装置。
- チャンバは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルチャンバであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の装置。
- 更に、基板の上に応力を加えるのに十分な、基板を横切る差圧を形成するための圧力変調器を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の装置。
- ピンは、その中に流体経路を有さず、ピンは、基板を横切る差圧がある場合に、基板の更なる変形を防止するように配置されたことを特徴とする請求項6に記載の装置。
- ピンの少なくとも幾つかのサポート面は、とがった先端を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の装置。
- 半導体基板を曲げるための装置であって、この基板は表面、裏面、および周縁を有し、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
基板を横切る差圧を形成して、基板の上に応力を加えるための圧力変調器と、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、このホルダーは表リングおよび裏リングを含み、それぞれのリングは、基板の周縁近傍で基板に接触するための環状のサポートを含み、表リングは表面に接触するように取り付けられ、裏リングは基板の裏面に接するように取り付けられた基板ホルダーと、を含むことを特徴とする装置。 - それぞれのサポートは、個別の半径部分で基板に接することを特徴とする請求項9に記載の装置。
- 圧力変調器は、ポンプであることを特徴とする請求項9または10に記載の装置。
- 表リングおよび裏リングは、シールを形成するように基板に取り付けられて、基板を横切る差圧を形成することを特徴とする請求項9〜11のいずれかに記載の装置。
- 環状のサポートは、実質的にシールされたキャビティと単体のベントを含み、このサポートは、基板の表面の1つに接触するように取り付けられて、それとの間でシールを形成し、ベントは、基板上に応力を加えるために、キャビティを通って真空に引けることを特徴とする請求項12に記載の装置。
- 基板と組み合わせて、基板は周縁に隣接して配置されたコーティングを含むことを特徴とする請求項9〜13のいずれかに記載の装置。
- チャンバは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルチャンバであることを特徴とする請求項9〜14のいずれかに記載の装置。
- 半導体基板に応力を加えるための装置であって、この基板は、表面、裏面、および周縁を有する装置を有し、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、このホルダーは、
表リングと、
裏リングと、
表リングと裏リングとを保持するためのクランプとを含み、
それぞれのリングは、基板の周縁近傍で基板に接触するための環状のサポートを含み、表リングは表面に接触するように取り付けられ、裏リングは基板の裏面に接するように取り付けられた基板ホルダーと、を含むことを特徴とする装置。 - リングとクランプは、基板とは異なる熱膨張係数を有する材料から形成され、リングとクランプの加熱により、基板の上に応力が加えられることを特徴とする請求項16に記載の装置。
- リングとクランプは、基板より大きな速度で膨張する材料から形成され、基板とリングとクランプに与えられた熱により、基板が引っ張られることを特徴とする請求項16または17に記載の装置。
- リングとクランプは、基板より小さい速度で膨張する材料から形成され、基板とリングとクランプに与えられた熱により、基板が圧縮されることを特徴とする請求項16または17に記載の装置。
- ほぼ円形の半導体基板に応力を加えるための装置であって、基板は、中心軸と、中心軸とほぼ直交する表面および裏面と、表面から裏面に延びる周縁と、周縁の近傍で裏面の中にある周囲の溝とを有し、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、
基板の裏面中の溝の中に受け入れられる大きさの環状のボス(リング)を有するほぼ平坦な裏サポートと、
基板上に応力を加えるように移動可能なボスとを含む基板ホルダーと、を含むことを特徴とする装置。 - 裏サポートは、基板より大きな速度で膨張する材料から形成され、基板とサポートに与えられた熱により、基板が引っ張られることを特徴とする請求項20に記載の装置。
- 裏サポートは、基板より小さい速度で膨張する材料から形成され、基板とサポートに与えられた熱により、基板が圧縮されることを特徴とする請求項20に記載の装置。
- 更に、基板の表面に隣接して配置された表サポートを含むことを特徴とする請求項20〜22のいずれかに記載の装置。
- 基板は、表面の中に周囲の溝を含み、表サポートは、溝中に受け入れられる環状のボスを含むことを特徴とする請求項23に記載の装置。
- 表サポートは、基板より大きな速度で膨張する材料から形成され、基板とサポートに与えられた熱により、基板が引っ張られることを特徴とする請求項24に記載の装置。
- 表サポートは、基板より小さい速度で膨張する材料から形成され、基板とサポートに与えられた熱により、基板が圧縮されることを特徴とする請求項24に記載の装置。
- 更に、基板の上に応力を加えるのに十分な、基板を横切る差圧を形成するための圧力変調器を含み、
基板ホルダーは、更に、
表リングおよび裏リングを含み、
それぞれのリングは、基板の周縁に隣接した個別の半径方向の位置で、基板に接触するための環状のサポートを含み、表リングは表面に接触するように取り付けられ、裏リングは基板の裏面に接するように取り付けられたことを特徴とする請求項20〜26のいずれかに記載の装置。 - 表リングと裏リングは、基板にシールを形成するように取り付けられ、基板を横切る差圧の形成を容易にすることを特徴とする請求項27に記載の装置。
- 環状のサポートは、実質的にシールされたキャビティと単体のベントを含み、このサポートは、基板の表面の1つに接触するように取り付けられて、それとの間でシールを形成し、ベントは、基板上に応力を加えるために、キャビティを通って真空に引けることを特徴とする請求項27に記載の装置。
- 基板と組み合わせて、基板は周縁に隣接して配置されたコーティングを含むことを特徴とする請求項20〜29のいずれかに記載の装置。
- チャンバは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルチャンバであることを特徴とする請求項20〜30のいずれかに記載の装置。
- ほぼ円形の半導体基板に応力を加えるための装置であって、基板は、中心軸と、中心軸とほぼ直交する表面および裏面と、表面から裏面に延びる周縁と、周縁の近傍で裏面に接続されたリングとを有し、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、
基板の裏面上のリングと噛み合うように取り付けられたフランジを有するほぼ平坦な裏サポートであって、基板上に応力を加えるように移動可能な裏サポートを含む基板ホルダーと、を含むことを特徴とする装置。 - 裏サポートは、基板より大きな速度で膨張する材料から形成され、基板とサポートに与えられた熱により、基板が引っ張られることを特徴とする請求項32に記載の装置。
- フランジは、リングの内部にあることを特徴とする請求項33に記載の装置。
- 裏サポートは、基板より小さい速度で膨張する材料から形成され、基板とサポートに与えられた熱により、基板が圧縮されることを特徴とする請求項32に記載の装置。
- リングは、フランジの内部にあることを特徴とする請求項35に記載の装置。
- 更に、基板の表面に隣接して配置された表サポートを含むことを特徴とする請求項32〜36のいずれかに記載の装置。
- 更に、基板の上に応力を加えるのに十分な、基板を横切る差圧を形成するための圧力変調器を含み、
基板ホルダーは、更に、
表リングおよび裏リングを含み、
それぞれのリングは、基板の周縁に隣接した個別の半径方向の位置で、基板に接触するための環状のサポートを含み、表リングは表面に接触するように取り付けられ、裏リングは基板の裏面に接するように取り付けられたことを特徴とする請求項32〜36のいずれかに記載の装置。 - 表リングと裏リングは、基板にシールを形成するように取り付けられ、基板を横切る差圧の形成を容易にすることを特徴とする請求項38に記載の装置。
- 環状のサポートは、実質的にシールされたキャビティと単体のベントを含み、このサポートは、基板の表面の1つに接触するように取り付けられて、それとの間でシールを形成し、ベントは、基板上に応力を加えるために、キャビティを通って真空に引けることを特徴とする請求項38に記載の装置。
- 基板と組み合わせて、基板は周縁に隣接して配置されたコーティングを含むことを特徴とする請求項32〜40のいずれかに記載の装置。
- チャンバは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルチャンバであることを特徴とする請求項32〜41のいずれかに記載の装置。
- 半導体基板を曲げるための装置であって、この基板は表面、裏面、および周縁を有し、基板は、ほぼ平坦な位置と曲げ位置との間で移動可能であり、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
基板の上に応力を加えるために十分な、基板を横切る差圧を形成するための圧力変調器と、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、そこを通る複数の孔を有する凹形状のサポートを含み、圧力変調器が孔を通って真空に引くように適用され、これにより基板を凹形状のサポートに引っ張る基板ホルダーと、を含むことを特徴とする装置。 - 凹形状のサポートは、その平坦な位置に基板の一部を接触させるための上部部分を含み、基板が曲げ位置にある場合、基板の比較的大きな部分が、凹形状のサポートに接触することを特徴とする請求項43に記載の装置。
- 更に、第1の参照されたサポートに対向し、間隔を隔てて配置された第2の凹形状のサポートを含み請求項43に記載の装置。
- 更に、凹形状のサポートに対向し、そこから間隔を隔てて配置された環状のサポートを含み請求項43に記載の装置。
- 環状のサポートは、キャビティとベントを含み、サポートは、基板の面の1つに接触するように取り付けられて、その間でシールを形成し、キャビティとベントは、基板上に応力を加えるために、それらを通って真空に引くことが可能であることをと特徴とする請求項46に記載の装置。
- 環状のサポートは、基板の周縁の近傍のみで基板に接触するように取り付けられる請求項46に記載の装置。
- 基板と組み合わせて、基板は周縁に隣接して配置されたコーティングを含むことを特徴とする請求項43〜48のいずれかに記載の装置。
- チャンバは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルチャンバであることを特徴とする請求項43〜49のいずれかに記載の装置。
- 半導体基板に応力を加えるための装置であって、基板は、中心軸と、中心軸とほぼ直交する表面および裏面と、表面から裏面に延びる周縁とを有し、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、
ほぼ平坦な裏サポートと、
基板を、周縁において中心軸に向かって、半径方向に内方にほぼ均一に圧縮する、基板を受けて圧縮するプレスと、を含む基板ホルダーと、を含むことを特徴とする装置。 - 基板は、ほぼ円形で、プレスは、基板を受けるためのほぼ円形の開口部を含むことを特徴とする請求項51に記載の装置。
- 基板を受けるための開口部を形成する複数の円弧形状のセグメントを含み、セグメントは基板を圧縮するために内方に移動可能である請求項52に記載の装置。
- 更に、基板の上に応力を加えるのに十分な、基板を横切る差圧を形成するための圧力変調器を含み、
基板ホルダーは、更に、
表リングおよび裏リングを含み、
それぞれのリングは、基板の周縁に隣接した個別の半径方向の位置で、基板に接触するための環状のサポートを含み、表リングは表面に接触するように取り付けられ、裏リングは基板の裏面に接するように取り付けられたことを特徴とする請求項51〜53のいずれかに記載の装置。 - 表リングと裏リングは、基板にシールを形成するように取り付けられ、基板を横切る差圧の形成を容易にすることを特徴とする請求項54に記載の装置。
- 環状のサポートは、実質的にシールされたキャビティと単体のベントを含み、このサポートは、基板の面の1つに接触するように取り付けられて、それとの間でシールを形成し、ベントは、基板上に応力を加えるために、キャビティを通って真空に引けることを特徴とする請求項54に記載の装置。
- プレスは、基板より小さい速度で膨張する材料から形成され、基板とプレスに与えられた熱により、基板が圧縮されることを特徴とする請求項52〜56のいずれかに記載の装置。
- 基板と組み合わせて、基板は周縁に隣接して配置されたコーティングを含むことを特徴とする請求項52〜57のいずれかに記載の装置。
- チャンバは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルチャンバであることを特徴とする請求項52〜58のいずれかに記載の装置。
- 表面、裏面、周縁、および中心軸を有する半導体基板を半径方向に膨張させるための装置であって、この基板は、
内方に向かって中心軸を指す三角形状のセグメントであって、中心軸から外方に移動し、基板を拡張するように形成されたセグメントと、
それぞれのセグメント中に形成され、セグメントと基板との間に真空を形成するための流体経路と、を含むことを特徴とする装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021080706A1 (en) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | Eugenus, Inc. | Systems and methods of placing substrates in semiconductor manufacturing equipment |
Families Citing this family (223)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9583364B2 (en) | 2012-12-31 | 2017-02-28 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial compression |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
WO2014191624A1 (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | Beneq Oy | Substrate holder and arrangement for holding substrates |
WO2014191621A1 (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | Beneq Oy | Substrate carrier and arrangement for supporting substrates |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
DE102015223807A1 (de) * | 2015-12-01 | 2017-06-01 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer, Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht und Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
CN107623028B (zh) * | 2016-07-13 | 2021-02-19 | 环球晶圆股份有限公司 | 半导体基板及其加工方法 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
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CN109564868B (zh) * | 2016-08-25 | 2023-04-04 | 日本瑞翁株式会社 | 等离子体蚀刻方法 |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
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US10068787B2 (en) * | 2016-12-30 | 2018-09-04 | Sunpower Corporation | Bowing semiconductor wafers |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
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KR102015336B1 (ko) * | 2017-06-12 | 2019-08-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 기판의 휨 감소 방법 및 휨 감소 장치 |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
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US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
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US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
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US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
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KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
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US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
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US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
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US11201079B2 (en) * | 2018-05-30 | 2021-12-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer chuck |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
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US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
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TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR20200102357A (ko) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR102673983B1 (ko) * | 2019-03-15 | 2024-06-12 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
JP7279465B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-05-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 支持基板、支持基板の保持方法、及び、成膜方法 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
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CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
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KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
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US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
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US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
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US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
US11791192B2 (en) * | 2020-01-19 | 2023-10-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Workpiece holder, wafer chuck, wafer holding method |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
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US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
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TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
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USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
US20240035161A1 (en) * | 2022-07-26 | 2024-02-01 | Applied Materials, Inc. | Actively controlled pre-heat ring for process temperature control |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08176798A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-09 | Idoutai Tsushin Sentan Gijutsu Kenkyusho:Kk | 機能薄膜の製造方法 |
JPH0963985A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光処理装置および光処理方法 |
JP2001358102A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-12-26 | Agere Systems Guardian Corp | キャリヤ・ヘッドの研磨 |
JP2004296817A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010189745A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JPWO2010055730A1 (ja) * | 2008-11-14 | 2012-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法 |
JP2012172233A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Fujitsu Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
WO2012147343A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | 株式会社ニコン | 基板貼り合わせ装置、基板保持装置、基板貼り合わせ方法、基盤保持方法、積層半導体装置および重ね合わせ基板 |
Family Cites Families (123)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54112164A (en) | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS54134564A (en) | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Hitachi Ltd | Wafer dividing unit |
DE3110341C2 (de) | 1980-03-19 | 1983-11-17 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines dünnen Substrats in der Bildebene eines Kopiergerätes |
US4473455A (en) | 1981-12-21 | 1984-09-25 | At&T Bell Laboratories | Wafer holding apparatus and method |
JPS59117235A (ja) | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Yonezawa Denshi Kk | ウエハブレ−キング方法および装置 |
US4542298A (en) | 1983-06-09 | 1985-09-17 | Varian Associates, Inc. | Methods and apparatus for gas-assisted thermal transfer with a semiconductor wafer |
US4704886A (en) * | 1985-04-22 | 1987-11-10 | Aluminum Company Of America | Stretch-forming process |
JPH0697674B2 (ja) * | 1986-02-19 | 1994-11-30 | キヤノン株式会社 | ボ−ル接触型ウエハチヤツク |
JPS62284707A (ja) | 1986-06-03 | 1987-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | ウエハ−ブレ−キング装置 |
US4842683A (en) | 1986-12-19 | 1989-06-27 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
US5096536A (en) | 1990-06-12 | 1992-03-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus useful in the plasma etching of semiconductor materials |
DE4024576A1 (de) * | 1990-08-02 | 1992-02-06 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zum einseitigen aetzen einer halbleiterscheibe |
KR0164618B1 (ko) * | 1992-02-13 | 1999-02-01 | 이노우에 쥰이치 | 플라즈마 처리방법 |
US5343012A (en) | 1992-10-06 | 1994-08-30 | Hardy Walter N | Differentially pumped temperature controller for low pressure thin film fabrication process |
US5326725A (en) * | 1993-03-11 | 1994-07-05 | Applied Materials, Inc. | Clamping ring and susceptor therefor |
JPH0897159A (ja) | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | エピタキシャル成長方法および成長装置 |
US5868847A (en) * | 1994-12-16 | 1999-02-09 | Applied Materials, Inc. | Clamp ring for shielding a substrate during film layer deposition |
JP3220619B2 (ja) | 1995-05-24 | 2001-10-22 | 松下電器産業株式会社 | ガス伝熱プラズマ処理装置 |
US5618759A (en) | 1995-05-31 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Methods of and apparatus for immobilizing semiconductor wafers during sawing thereof |
US6093252A (en) | 1995-08-03 | 2000-07-25 | Asm America, Inc. | Process chamber with inner support |
KR100478461B1 (ko) * | 1995-08-03 | 2005-09-05 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 내부지지체를갖는프로세스챔버 |
JP3180208B2 (ja) | 1995-09-18 | 2001-06-25 | 株式会社新川 | ペレットピックアップ装置 |
JPH0992625A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理用ボ−ト |
JP3477953B2 (ja) | 1995-10-18 | 2003-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP3725598B2 (ja) | 1996-01-12 | 2005-12-14 | 東芝セラミックス株式会社 | エピタキシャルウェハの製造方法 |
US6133550A (en) * | 1996-03-22 | 2000-10-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates |
US5753566A (en) | 1996-05-23 | 1998-05-19 | Taiwan Semiconductor Manufactured Company, Ltd. | Method of spin-on-glass etchback using hot backside helium |
JPH10106907A (ja) | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Canon Inc | 固相接合方法 |
US5789309A (en) | 1996-12-30 | 1998-08-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system for monocrystalline epitaxial deposition |
WO1998029704A1 (en) | 1997-01-02 | 1998-07-09 | Cvc Products, Inc. | Thermally conductive chuck for vacuum processor |
US5936829A (en) | 1997-01-02 | 1999-08-10 | Cvc Products, Inc. | Thermally conductive chuck for vacuum processor |
JP3257442B2 (ja) | 1997-04-09 | 2002-02-18 | 松下電器産業株式会社 | 窒化ガリウム結晶の製造方法 |
US6113479A (en) * | 1997-07-25 | 2000-09-05 | Obsidian, Inc. | Wafer carrier for chemical mechanical planarization polishing |
JPH1154437A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Kyocera Corp | 化合物半導体膜の形成方法 |
JP3662404B2 (ja) | 1997-11-19 | 2005-06-22 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ウエハシート引伸ばし装置およびそれを用いたペレットボンディング装置 |
JPH11154662A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Seiko Instruments Inc | 半導体製造装置 |
DE19802977A1 (de) | 1998-01-27 | 1999-07-29 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einem nicht gitterangepaßten Substrat, sowie eine oder mehrere solcher Schichten enthaltendes Bauelement |
JPH11240795A (ja) | 1998-02-27 | 1999-09-07 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | エピタキシャル成長装置 |
JP3178517B2 (ja) * | 1998-03-05 | 2001-06-18 | 日本電気株式会社 | パターン露光装置用試料台 |
CN1063224C (zh) * | 1998-06-16 | 2001-03-14 | 中国科学院化工冶金研究所 | 气升式周期浸没光照植物细胞组织器官培养方法及培养反应器 |
JP2000031253A (ja) | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Komatsu Ltd | 基板処理装置及び方法 |
JP3544481B2 (ja) * | 1998-11-25 | 2004-07-21 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体製造用炭化珪素質組立ウェーハボート |
US6277198B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Use of tapered shadow clamp ring to provide improved physical vapor deposition system |
US6513848B1 (en) | 1999-09-17 | 2003-02-04 | Applied Materials, Inc. | Hydraulically actuated wafer clamp |
US6191399B1 (en) | 2000-02-01 | 2001-02-20 | Asm America, Inc. | System of controlling the temperature of a processing chamber |
KR20010111058A (ko) * | 2000-06-09 | 2001-12-15 | 조셉 제이. 스위니 | 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법 |
DE60037188T2 (de) | 2000-08-29 | 2008-10-02 | Qimonda Dresden Gmbh & Co. Ohg | Verfahren zum Betreiben eines Suszeptors für Halbleiterscheiben |
US6905079B2 (en) | 2000-09-08 | 2005-06-14 | Tokyo Electron Limited | Shower head structure and cleaning method thereof |
KR100382491B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2003-05-09 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el의 새도우 마스크 |
US6649480B2 (en) * | 2000-12-04 | 2003-11-18 | Amberwave Systems Corporation | Method of fabricating CMOS inverter and integrated circuits utilizing strained silicon surface channel MOSFETs |
FR2818254B1 (fr) | 2000-12-15 | 2003-02-28 | Immunotech Sa | Conditionnement pour colorants photosensibles |
US6855037B2 (en) | 2001-03-12 | 2005-02-15 | Asm-Nutool, Inc. | Method of sealing wafer backside for full-face electrochemical plating |
DE10111761A1 (de) * | 2001-03-12 | 2002-10-02 | Infineon Technologies Ag | Anordnung und Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines Halbleitersubstrats |
US6743495B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-06-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Thermal annealing process for producing silicon wafers with improved surface characteristics |
US6855649B2 (en) * | 2001-06-12 | 2005-02-15 | International Business Machines Corporation | Relaxed SiGe layers on Si or silicon-on-insulator substrates by ion implantation and thermal annealing |
EP1423871A2 (en) * | 2001-06-22 | 2004-06-02 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Process for producing silicon on insulator structure having intrinsic gettering by ion implantation |
TW554069B (en) | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Ebara Corp | Plating device and method |
US6743296B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-06-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for self-centering a wafer in a sputter chamber |
JP2003204048A (ja) | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウエーハの製造方法及びsoiウエーハ |
JP2003234289A (ja) | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Yoshihisa Hirose | 歪み緩和膜の製造方法、および、歪み緩和膜を有する積層体 |
KR100995715B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2010-11-19 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 방법 및 장치와 플라즈마 처리용 트레이 |
US20030209326A1 (en) | 2002-05-07 | 2003-11-13 | Mattson Technology, Inc. | Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor |
JP2004146727A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの搬送方法 |
TWI251127B (en) | 2002-11-12 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2004179452A (ja) | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ヘテロエピタキシャルウエーハ |
US7972663B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer |
JP4487306B2 (ja) | 2003-03-17 | 2010-06-23 | Toto株式会社 | 複合構造物形成装置および形成方法 |
DE10318284A1 (de) | 2003-04-22 | 2004-11-25 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Herstellung einer verspannten Schicht auf einem Substrat und Schichtstruktur |
JP2004342819A (ja) | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体基板およびその製造方法 |
JP4557505B2 (ja) | 2003-05-19 | 2010-10-06 | コバレントマテリアル株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
US7404199B2 (en) | 2003-06-12 | 2008-07-22 | Symbol Technologies, Inc. | Method, system, and apparatus for high volume assembly of compact discs and digital video discs incorporating radio frequency identification tag technology |
US6951775B2 (en) * | 2003-06-28 | 2005-10-04 | International Business Machines Corporation | Method for forming interconnects on thin wafers |
US20050178336A1 (en) | 2003-07-15 | 2005-08-18 | Heng Liu | Chemical vapor deposition reactor having multiple inlets |
US7439158B2 (en) * | 2003-07-21 | 2008-10-21 | Micron Technology, Inc. | Strained semiconductor by full wafer bonding |
US7824498B2 (en) | 2004-02-24 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Coating for reducing contamination of substrates during processing |
JP2006080481A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-03-23 | Canon Inc | 半導体基板及びその製造方法 |
WO2006033292A1 (ja) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体ウェーハの製造方法 |
US7273800B2 (en) * | 2004-11-01 | 2007-09-25 | International Business Machines Corporation | Hetero-integrated strained silicon n- and p-MOSFETs |
JP2006237262A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置 |
US7642205B2 (en) | 2005-04-08 | 2010-01-05 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing using energy transfer layers |
JP4666473B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
JP5050374B2 (ja) | 2005-05-16 | 2012-10-17 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7262112B2 (en) | 2005-06-27 | 2007-08-28 | The Regents Of The University Of California | Method for producing dislocation-free strained crystalline films |
US20070049020A1 (en) | 2005-08-29 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing tensile stress in a deposited layer |
EP1763069B1 (en) * | 2005-09-07 | 2016-04-13 | Soitec | Method for forming a semiconductor heterostructure |
US20080000579A1 (en) * | 2005-11-08 | 2008-01-03 | Giovanni Bortolato | Procedure and Equipment for Decoration of Objects by Sublimation Inks |
TWI276535B (en) * | 2005-12-07 | 2007-03-21 | Nano Prec Corp | Film attaching method and screen of rear projection television |
JP4851795B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-01-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割装置 |
JP2007214199A (ja) | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Canon Inc | 半導体基板及びその製造方法 |
US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
EP1901345A1 (en) | 2006-08-30 | 2008-03-19 | Siltronic AG | Multilayered semiconductor wafer and process for manufacturing the same |
DE102006055038B4 (de) * | 2006-11-22 | 2012-12-27 | Siltronic Ag | Epitaxierte Halbleiterscheibe sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe |
US8580078B2 (en) | 2007-01-26 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Bevel etcher with vacuum chuck |
JP2008198656A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
US7732301B1 (en) | 2007-04-20 | 2010-06-08 | Pinnington Thomas Henry | Bonded intermediate substrate and method of making same |
JP2009016524A (ja) | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Rohm Co Ltd | 薄膜形成装置及びZnO系薄膜 |
US8021968B2 (en) | 2007-08-03 | 2011-09-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Susceptor and method for manufacturing silicon epitaxial wafer |
JP2009135430A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
WO2009060913A1 (ja) | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Sumco Corporation | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
US8324063B2 (en) | 2007-11-08 | 2012-12-04 | Sumco Corporation | Epitaxial film growing method, wafer supporting structure and susceptor |
TW200935506A (en) * | 2007-11-16 | 2009-08-16 | Panasonic Corp | Plasma dicing apparatus and semiconductor chip manufacturing method |
EP2151852B1 (en) | 2008-08-06 | 2020-01-15 | Soitec | Relaxation and transfer of strained layers |
US8652260B2 (en) * | 2008-08-08 | 2014-02-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for holding semiconductor wafers |
JP2010073782A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの熱処理方法 |
JP5161748B2 (ja) | 2008-12-16 | 2013-03-13 | 信越半導体株式会社 | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 |
DE102009005182A1 (de) | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | Chuck und Verfahren zur Aufnahme und Halterung dünner Testsubstrate |
IT1392678B1 (it) | 2009-01-19 | 2012-03-16 | Valeo Spa | Dispositivo di sicurezza per maniglie di veicoli e maniglia di veicoli comprendente questo dispositivo di sicurezza |
JP5476006B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2014-04-23 | 株式会社国際電気セミコンダクターサービス | 基板処理装置、基板処理装置の基板保持具の固定部及び半導体装置の製造方法 |
JP2011029303A (ja) | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011035146A (ja) | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Toppan Printing Co Ltd | 基板保持方法および基板処理装置 |
JP5480645B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2014-04-23 | リンテック株式会社 | 支持フレーム |
US8747092B2 (en) * | 2010-01-22 | 2014-06-10 | Nanonex Corporation | Fast nanoimprinting apparatus using deformale mold |
JP5627649B2 (ja) | 2010-09-07 | 2014-11-19 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体結晶層の製造方法 |
JP5810517B2 (ja) | 2010-12-02 | 2015-11-11 | 富士電機株式会社 | 吸着装置および吸着方法 |
US9476144B2 (en) * | 2011-03-28 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for the selective deposition of epitaxial germanium stressor alloys |
KR20120119781A (ko) | 2011-04-22 | 2012-10-31 | 삼성전자주식회사 | 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
US8397540B2 (en) * | 2011-05-05 | 2013-03-19 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for reforming a glass sheet |
US9224904B1 (en) | 2011-07-24 | 2015-12-29 | Ananda Kumar | Composite substrates of silicon and ceramic |
JP5895676B2 (ja) * | 2012-04-09 | 2016-03-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20140239529A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-08-28 | Nanonex Corporation | System and Methods For Nano-Scale Manufacturing |
US9583364B2 (en) * | 2012-12-31 | 2017-02-28 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial compression |
US9230862B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-01-05 | Texas Instruments Incorporated | Wafer die separation |
WO2014208634A1 (ja) | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 株式会社ニコン | 移動体装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
-
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-
2020
- 2020-11-10 JP JP2020187362A patent/JP7082654B2/ja active Active
- 2020-12-08 JP JP2020203209A patent/JP7114681B2/ja active Active
-
2022
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08176798A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-09 | Idoutai Tsushin Sentan Gijutsu Kenkyusho:Kk | 機能薄膜の製造方法 |
JPH0963985A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光処理装置および光処理方法 |
JP2001358102A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-12-26 | Agere Systems Guardian Corp | キャリヤ・ヘッドの研磨 |
JP2004296817A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPWO2010055730A1 (ja) * | 2008-11-14 | 2012-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法 |
JP2010189745A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2012172233A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Fujitsu Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
WO2012147343A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | 株式会社ニコン | 基板貼り合わせ装置、基板保持装置、基板貼り合わせ方法、基盤保持方法、積層半導体装置および重ね合わせ基板 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021080706A1 (en) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | Eugenus, Inc. | Systems and methods of placing substrates in semiconductor manufacturing equipment |
US11328944B2 (en) | 2019-10-23 | 2022-05-10 | Eugenus, Inc. | Systems and methods of placing substrates in semiconductor manufacturing equipment |
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