JP2001358102A

JP2001358102A - キャリヤ・ヘッドの研磨

Info

Publication number: JP2001358102A
Application number: JP2001122414A
Authority: JP
Inventors: Annette M Crevasse; エム．クリヴァッセアネット; William G Easter; ジー．イースターウィリアム; John A Maze; エー．マゼジョン; Frank Miceli; ミセリフランク
Original assignee: Agere Systems Guardian Corp
Current assignee: Agere Systems LLC
Priority date: 2000-04-21
Filing date: 2001-04-20
Publication date: 2001-12-26
Also published as: EP1147855A3; EP1147855A2; US6726537B1

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、研磨装置において研磨用ヘッドを
使用して集積回路を製造するための方法を提供する。【解決手段】１つの有利な実施形態においては、その
研磨用ヘッドは外側の周辺と、ウェーハ・ホルダーとを
備えるウェーハ・キャリヤを含む。そのウェーハ・ホル
ダーは、ウェーハ・キャリヤに対して結合されていて、
その外側の周辺から垂れ下っている。ウェーハ・ホルダ
ーは半導体ウェーハの縁部を掴むように構成されている
（すなわち、設計されている）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、概して、半導体ウ
ェーハの研磨装置に関し、特に、化学的／機械的研磨プ
ロセスの間に半導体ウェーハの縁部を掴むことができる
半導体ウェーハ・キャリヤに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の化学的／機械的研磨（ＣＭＰ）
は、半導体デバイスの製造時に形成される各種の層の滑
らかなトポロジーを提供するために開発されてきた。上
記ＣＭＰプロセスは、薄い、程々にフラットな半導体ウ
ェーハを回転している研磨用プラテンに対して保持し、
回転させる必要がある。ウェーハはプラテンが回転して
いるときに、研磨用プラテン上の設定された範囲内で半
径方向に位置決めし直すことができる。その研磨用プラ
テンに対して付着されている従来のオープン・セル型の
ポリウレタンのパッドである研磨面が、化学物質、圧
力、および温度の条件が制御されている状態で化学的ス
ラリーによって湿らされている。化学的スラリーは選択
された化学物質を含み、その化学物質は表面を機械的除
去する前にＣＭＰの間にウェーハの選択された表面をエ
ッチングまたは酸化する。また、スラリーは、アルミニ
ウムまたはシリカなどの研磨剤も含み、それはエッチン
グ／酸化された材料の物理的除去のための研磨材料とし
て使用される。研磨の間の物質の化学的／機械的除去の
組合せの結果、研磨された表面が非常に平坦なものにな
る。このプロセスにおいては、製造プロセスの各レベル
において下地材料を過剰に取り除くことなしに、十分な
量の材料を取り除いて滑らかな表面を提供し、それ以降
のすべてのレベルにおいて、その半導体デバイスの一様
で正確な形成を確実にすることが重要である。材料の正
確な除去は、メタルのラインがだんだん薄くなってきて
いるので厚さの変動を最小化することが重要である現在
のサブクォータ・ミクロン技術において特に重要であ
る。

【０００３】半導体ウェーハは、通常、キャリヤ・ヘッ
ドによってウェーハの裏面に対して真空にすることによ
って研磨用プラテンに対して搬送される。これはウェー
ハをキャリヤ・ヘッドの中に保持し、そのウェーハが研
磨用パッド上に置かれるまで、連続して真空にされる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このシステムはほとん
どの場合に正常に動作するが、ウェーハに対して真空を
かけることよってウェーハが壊れることが時々あり得
る。これが発生すると、ウェーハの破片およびスラリー
が真空システムの中に飛び込み、それによってその真空
システムが不具合になる可能性がある。そのような場
合、その装置は清掃および修理のためにオフラインにさ
れなければならない。もちろん、これは製造プロセスに
おける遅れの原因となる。さらに、ウェーハの破壊によ
って総合の製造コストが上昇する可能性がある。

【０００５】従来の研磨装置についてもう１つの問題が
発生する。それは、ウェーハが研磨用パッド上に一度位
置決めされると、そのウェーハは研磨プロセスの間にキ
ャリヤ・リングの閉じ込めの範囲内で「自由浮揚」する
ことが許可されることである。半導体ウェーハの直径に
おける許容変動のために、直径の小さいウェーハはキャ
リヤ・リングの内部である程度動き回ることができる。
これによってその半導体ウェーハの中心が研磨中にキャ
リヤ・ヘッドの中心線に対して整列されないことにな
る。結果として、そのウェーハの表面は研磨されている
表面上のトポロジーが不規則になる可能性があり、それ
は非常に望ましくない。

【０００６】したがって、この分野の技術において必要
とされることは、半導体ウェーハのＣＭＰのための従来
の技術の欠陥を回避する装置である。

【０００７】従来の技術の上記の欠陥に対処するため
に、本発明は、研磨装置において１つの研磨ヘッドを使
用して集積回路を製造するための方法を提供する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】１つの有利な実施形態に
おいては、その研磨用ヘッドは外側の周辺およびウェー
ハ・ホルダーを備えるウェーハ・キャリヤを含む。その
ウェーハ・ホルダーはウェーハ・キャリヤに対して結合
され、その外側の周辺から垂れ下る。ウェーハ・ホルダ
ーは半導体ウェーハの縁部を掴むように構成されている
（すなわち、設計されている）。

【０００９】したがって、１つの態様においては、本発
明は化学的／機械的研磨のためにウェーハの縁部によっ
て半導体ウェーハを掴むように構成されているウェーハ
・ホルダーを含む半導体ウェーハのキャリヤを提供す
る。すなわち、そのウェーハ・ホルダーは、そのウェー
ハを真空によってのみ保持することに対して、そのウェ
ーハを掴むことができる全体的な設計となっている。こ
の構成は半導体ウェーハの縁部と、ウェーハ・ホルダー
との間のより連続的な連結を提供し、それによってスラ
リーがウェーハの裏側へ移行すること、およびキャリヤ
・ヘッドの中でウェーハが揺れる機会を最小化する。

【００１０】１つの実施形態においては、ウェーハ・ホ
ルダーは製造のウェーハを掴むことができるように、そ
のウェーハの縁部の回りに収縮するように構成されたコ
レットを含む。１つの代替実施形態においては、そのコ
レットはその縁部の回りに収縮するように構成された環
帯を含む。本発明の１つの特定の態様においては、その
コレットは、縁部の回りに半径方向に収縮するように構
成されたアーチ型セグメントを含む。１つの関連した実
施形態においては、その研磨用ヘッドは、そのアーチ型
セグメントに対して結合されていて、そのアーチ型セグ
メントがその縁部の回りに半径方向に収縮する際に、そ
のアーチ型セグメントを導くように構成されているガイ
ドをさらに含む。

【００１１】以下に示されて説明される１つの実施形態
においては、その研磨用ヘッドはウェーハ・キャリヤに
対して、そしてアーチ型セグメントに対して結合されて
いる環帯をさらに含み、その環帯は外側の周辺から垂れ
下っている。研磨用ヘッドはウェーハ・ホルダーに対し
て結合されていて、ウェーハ・ホルダー上で収縮力を与
えるように構成されている収縮装置をさらに含むことが
できる。ウェーハ・ホルダーは、例えば、真空、空気
圧、油圧、機械的、あるいは電気的な動力源によって動
作させることができる。

【００１２】さらに、もう１つの実施形態においては、
ウェーハ・キャリヤは、内面および深さセンサをさらに
含む。その深さセンサは、その内面の反対側の半導体ウ
ェーハの表面から規定された距離において、その内面が
位置決めされるように構成されている。その深さセンサ
は内面の中に引込ませることができるように設計するこ
とができる。もう１つの実施形態においては、ウェーハ
・キャリヤは、半導体ウェーハとウェーハ・キャリヤと
の間に挿入されているウェーハ研磨膜をさらに含む。

【００１３】上記は本発明の好適な、そして代わりの特
徴をむしろ広く概説し、当業者なら以下に続く本発明の
詳細な説明をよりよく理解できるようにした。本発明の
特許請求の範囲の主題を形成する本発明の追加の特徴を
以下に説明する。当業者なら、本発明の同じ目的を遂行
するための他の構造を設計または変更するための基礎と
して、開示された概念および特定の実施形態が容易に使
用できることができるだろう。また、当業者なら、その
ような等価の構造がその最も広い形式において本発明の
精神および範囲から逸脱しないことを理解することがで
きるだろう。

【００１４】添付図面を参照しながら以下の説明を読め
ば、本発明をより完全に理解することができるだろう。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１Ａおよび図１Ｂについて説明
すると、本発明の原理に従って作られている研磨用ヘッ
ドの１つの実施形態１００の平面図および断面図がそれ
ぞれ示されている。研磨用ヘッド１００は、外側の周辺
１１５と、従来のキャリヤ・フィルム１２７と、ウェー
ハ・ホルダー１２０とを有するウェーハ・キャリヤ１１
０を備える。１つの実施形態においては、ウェーハ・ホ
ルダー１２０は、ウェーハ・キャリヤ１１０に対して結
合されているコレットであり、外側の周辺１１５から垂
れ下っている。そのコレットは、ウェーハを掴むために
収縮することができる金属バンド、カラー、フェルー
ル、またはフランジであってよい。ウェーハ・ホルダー
１２０を実現することができる方法のもう１つの例は、
ウェーハの縁部を掴むために協同して結合されている、
ドリルのビット・ソケットにおいて見られるものに似て
いる個々の指または把握用構成要素の形式である。この
例示としての実施形態においては、ウェーハ・ホルダー
１２０は、半導体ウェーハ１３０をその縁部１３３によ
って掴むことができる内面１２３を備えている。キャリ
ヤ・フィルム１２７がウェーハ・キャリヤ１１０と半導
体ウェーハ１３０との間に置かれている。この例示とし
ての実施形態においては、ウェーハ・ホルダー１２０は
１２０ａで示されている環帯であり、縁部１３３の回り
に収縮するように構成されている環帯１２０ａとの間の
ギャップ１２１を有している。

【００１６】ウェーハ・キャリヤ１１０は、収縮装置１
１３をさらに含んでいてもよい。すなわち、この実施形
態においては、環帯１２０ａに対して付加されているナ
ット１１６を通して進められるねじ１１４に対して結合
されている電気モータ１１３と、カウンタバランス１１
７である。環状ガイド・スロット１１２および環帯１２
０ａは、ウェーハ・キャリヤ１１０の中心１１１の回り
に環帯１２０ａが収縮することができるように協力する
ガイド１２５を含むことができる。もちろん、半導体ウ
ェーハ１３０を取り付けまたは取り除くことができるよ
うに環帯１２０ａを広げるために小型電気モータ１１３
を使用することもできる。当業者なら、代わりに、第２
の電気モータ(図示せず）がカウンタバランス１１７を
置き換え、第２のギャップ(図示せず）の上に、そして
縁部１３３の回りに環帯１２０ａを閉じるねじ(図示せ
ず）を動作させ、それによって縁部１３３の回りに半導
体ウェーハ１３０を掴むことができることを容易に理解
することができるだろう。

【００１７】図２Ａおよび図２Ｂについて説明すると、
図１Ａおよび図１Ｂの研磨用ヘッドの１つの代替実施形
態の平面図および断面図が示されている。この実施形態
においては、研磨用ヘッド２００は、外側の周辺２１５
および集合的に２２０として示されていて、そこから下
がってるウェーハ・ホルダーとを含む。１つの実施形態
においては、ウェーハ・ホルダー２２０は、縁部１３３
の回りに半径方向に収縮するように構成されているアー
チ型セグメント２２０ａ〜２２０ｄを含むことができ
る。アーチ型セグメント２２０ａ〜２２０ｄは、隣接し
ているセグメント２２０ａ〜２２０ｄとの間にギャップ
２２１ａ〜２２１ｄを有し、ウェーハ・ホルダー２２０
が縁部１３３の回りに半径方向に収縮するためのクリア
ランスを許可している。ギャップ２２１ａ〜２２１ｄの
サイズは、最も小さい直径の半導体ウェーハ１３０の場
合に最小であり、最大の直径の半導体ウェーハ１３０の
場合でも僅かに大きいだけである。したがって、半導体
ウェーハの縁部１３３と、アーチ型セグメント２２０ａ
〜２２０ｄとの間のスペースが、最小のギャップ２２１
ａ〜２２１ｄまで減らされる。キャリヤ・フィルム１２
７に沿ってのこれらの最小限のギャップはウェーハ・キ
ャリヤ２１０と半導体ウェーハ２３０との間に挿入さ
れ、ウェーハ１３０の背後のスラリーの浸透を最小化す
るように協同作業する。さらに、本発明によって、必要
な場合は供給点と保持点との間で移動する間に半導体ウ
ェーハを保持するために使用される従来の技術の真空シ
ステムをなくすことができる。しかし、他の実施形態
は、依然として真空システムの限定された使用を組み込
むことができる。真空システムの使用を減らすことは、
ウェーハの破損によって生じるスラリーまたはウェーハ
の粒子による真空システムの汚染を実質的に減らす。当
業者なら、半径方向に収縮するセグメント化されたウェ
ーハ・ホルダー２２０によって、半導体ウェーハ１３０
の中心２１９が実質的にウェーハ・キャリヤ２１０の回
転軸(図示せず）と整列されることを容易に理解するこ
とができるだろう。したがって、半導体ウェーハ１３０
の非同心的配置およびそれに関連するふらつきが本発明
によって実質的に消去される。

【００１８】研磨用ヘッド２００はウェーハ・ホルダー
２２０を動作させる、集合的に２１３で指定されている
収縮装置をさらに含む。この例示としての実施形態にお
いては、収縮装置２１３は一緒にマニホールド２１８に
おいて結合され、個々にはそれぞれのアーチ型セグメン
ト２２０ａ〜２２０ｄに対して結合されている真空作動
のピストン２１３ａ〜２１３ｄを含む。当業者なら、真
空がマニホールド２１８に対して適用される時に真空作
動のピストン２１３ａ〜２１３ｄの収縮動作を容易に理
解することができるだろう。この例示としての実施形態
は４つのアーチ型セグメント２２０ａ〜２２０ｄを示し
ているが、当業者なら、アーチ型セグメント２２０の数
は２からｎまで変わり得ることを理解することができる
だろう。

【００１９】他の実施形態においては、真空作動のピス
トン２１３ａ〜２１３ｄは、油圧作動または空気圧作動
のピストン(図示せず）で置き換えることができる。同
様に、真空作動のピストン２１３ａ〜２１３ｄは、個々
の、あるいは結合されたギア構成、例えば、レベル・ギ
ア、ラックとピニオン、リングとピニオンなど(図示せ
ず）で置き換え、六角レンチなどの適切なツール(図示
せず）によって動作させることができる純粋に機械的な
収縮装置２１３を提供することができる。また、そのツ
ールは半導体ウェーハ２３０を使用するためにあらかじ
め選択された力が加えられていることを確認するために
トルク支持計、ひずみゲージ(図示せず）も含むことが
できる。上記システムの他に、当業者なら明らかである
他のシステムも使用することができることを理解された
い。

【００２０】図３Ａおよび図３Ｂについて説明すると、
図１Ａおよび図１Ｂの研磨用ヘッドの１つの代替実施形
態の平面図および断面図が示されている。研磨用ヘッド
３００は、外側の周辺３１５を有するウェーハ・キャリ
ヤ３１０と、集合的に３２０で示されているセグメント
化されたウェーハ・ホルダーと、ガイド３２５と、環帯
３３０と、深さセンサ３４０とを備える。環帯３３０
は、ウェーハ・キャリヤ３１０に対して、そしてセグメ
ント化されたウェーハ・ホルダー３２０に対して結合さ
れている。キャリヤ・フィルム１２７がウェーハ・キャ
リヤ３１０と、半導体ウェーハ１３０との間に置かれて
いる。この例示としての実施形態においては、環帯３３
０は、外側の周辺３１５から垂れ下り、そしてセグメン
ト化されたウェーハ・ホルダー３２０を取り囲んでい
る。研磨用ヘッド３００は複数の空気圧／油圧ピストン
３５０ａ〜３５０ｄである収縮装置３５０をさらに含
む。その複数の空気圧／油圧ピストン３５１ａ〜３５１
ｄは、ウェーハ・ホルダー３２０のアーチ型セグメント
３２０ａ〜３２０ｄを作動させ、アーチ型セグメント３
２０ａ〜３２０ｄが半径方向に内側に収縮し、半導体ウ
ェーハ１３０の縁部１３３を掴むようにさせる。半導体
ウェーハ１３０は、空気圧／油圧ピストン３５０ａ〜３
５０ｄに圧力を維持することによって、ウェーハ・ホル
ダー３２０によって保持されている。

【００２１】深さセンサ３４０がウェーハ・キャリヤ３
１０の内面３１１から伸びて、半導体ウェーハ１３０が
供給テーブル(図示せず）から選択されると、内面３１
１から規定された距離３７０において半導体ウェーハ１
３０の表面３６０を位置決めする。深さセンサ３４０
は、ウェーハ・キャリヤ３１０の内部に固定することが
できる。代わりに、この有利な例示としての実施形態に
おいては、深さセンサ３４０はソレノイド３１２によっ
てウェーハ・キャリヤ３１０から電気的に伸ばされる
か、あるいはウェーハ・キャリヤ３１０の中に引込めら
れるようにすることができる。キャリヤ・フィルム１２
７は、ある程度圧縮が可能な弾力性の材料を含むことが
でき、それによって可変の距離３７０が可能である。ま
た、センサ３４０も機械的なスプリング(図示せず）に
よって引込ませることができ、そして空気圧または油圧
によって伸ばすことができる。もちろん、センサ３４０
は電気モータ(図示せず）によって、伸ばすか、あるい
は引込ませることもできる。

【００２２】図４について説明すると、本発明の原理に
従って作られた半導体ウェーハ研磨用ヘッドを使用して
製造することができる従来の集積回路４００の部分断面
図が示されている。この特定の断面には、タブ領域４２
０と、ソース／ドレイン領域４３０と、フィールド酸化
物４４０とを含む能動素子４１０が示されており、それ
らは一緒に従来のトランジスタ、例えば、ＣＭＯＳ、Ｐ
ＭＯＳ、ＮＭＯＳまたはバイポーラのトランジスタを形
成することができる。接触プラグ４５０が能動素子４１
０に接触する。接触プラグ４５０は、集積回路の他の部
分(図示せず）に接続するトレース４６０に接触してい
る。ビア４７０がトレース４６０に接触し、トレース４
６０はその集積回路のそれ以降のレベルに対する電気的
接続を提供する。当業者なら、そのようなトランジスタ
・デバイスの構造および製造方法を熟知している。

【００２３】以上、ＣＭＰの間に半導体ウェーハの縁部
を掴むように構成されているウェーハ・ホルダーを含む
半導体ウェーハ研磨用ヘッドの各種の実施形態が説明さ
れてきた。そのウェーハ・ホルダーは、単独の環帯であ
るか、あるいは複数のアーチ型セグメントから作ること
ができる。ウェーハ・ホルダーを機械的、電気的、真
空、空気圧または油圧の動力源から得られるパワーによ
って作動させることができる。

【００２４】本発明が詳細に説明されてきたが、当業者
なら、本発明の最も広い形式においてその精神および範
囲から逸脱することなしに、各種の変更、置換えおよび
改変を行うことができることを理解されたい。

【図面の簡単な説明】

【図１Ａ】本発明の原理に従って作られた研磨用ヘッド
の１つの実施形態の平面図および断面図を示す。

【図１Ｂ】本発明の原理に従って作られた研磨用ヘッド
の１つの実施形態の平面図および断面図を示す。

【図２Ａ】図１Ａおよび図１Ｂの研磨用ヘッドの１つの
代替実施形態の平面図および断面図を示す。

【図２Ｂ】図１Ａおよび図１Ｂの研磨用ヘッドの１つの
代替実施形態の平面図および断面図を示す。

【図３Ａ】図１Ａおよび図１Ｂの研磨用ヘッドの第２の
代替実施形態の平面図および断面図を示す。

【図３Ｂ】図１Ａおよび図１Ｂの研磨用ヘッドの第２の
代替実施形態の平面図および断面図を示す。

【図４】本発明の原理に従って作られている半導体ウェ
ーハ研磨用ヘッドを使用して製造することができる従来
の集積回路の部分断面図を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ウィリアムジー．イースターアメリカ合衆国 32837 フロリダ，オーランド，ブライトモアーサークル 5147 (72)発明者ジョンエー．マゼアメリカ合衆国 34711 フロリダ，クリアモント，ヴァーセイルスブウルヴァード 10846 (72)発明者フランクミセリアメリカ合衆国 32834 フロリダ，オーランド，ブリッジヴューサークル 1702 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AB04 CB01 DA12 DA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】研磨装置において使用するための研磨用
ヘッドであって、外側の周辺を有するウェーハ・キャリヤと、前記ウェーハ・キャリヤに対して結合されていて、前記
外側の周辺から垂れ下っていて、半導体ウェーハの縁部
を掴むように構成されている内面を有するウェーハ・ホ
ルダーとを含む研磨用ヘッド。
【請求項２】請求項１に記載の研磨用ヘッドにおい
て、前記ウェーハ・ホルダーがその縁部の回りに収縮す
るように構成されたコレットを備える研磨用ヘッド。
【請求項３】請求項２に記載の研磨用ヘッドにおい
て、前記コレットが環帯を備える研磨用ヘッド。
【請求項４】請求項２に記載の研磨用ヘッドにおい
て、前記コレットが前記縁部の回りに半径方向に収縮す
るように構成されたアーチ型セグメントを備える研磨用
ヘッド。
【請求項５】請求項４に記載の研磨用ヘッドにおい
て、前記アーチ型セグメントに対して結合されていて、
前記縁部の回りに半径方向にアーチ型セグメントが収縮
する際に、前記アーチ型セグメントを導くように構成さ
れたガイドをさらに備える研磨用ヘッド。
【請求項６】請求項４に記載の研磨用ヘッドにおい
て、前記ウェーハ・キャリヤに対して、および前記アー
チ型セグメントに対して結合されていて、前記外側の周
辺から垂れ下っている環帯をさらに備える研磨用ヘッ
ド。
【請求項７】請求項１に記載の研磨用ヘッドにおい
て、前記ウェーハ・ホルダーに対して結合され、前記ウ
ェーハ・ホルダー上に収縮力を働かせるように構成され
ている収縮装置をさらに備え、前記ウェーハ・ホルダー
が、真空、空気圧、油圧、機械的、および電気的動力源から構成されているグルー
プから選択された１つの動力源によって作動されるよう
になっている研磨用ヘッド。
【請求項８】請求項１に記載の研磨用ヘッドにおい
て、前記ウェーハ・キャリヤが内面および深さセンサを
さらに備え、前記深さセンサは前記内面の反対側の前記
半導体ウェーハの面からあらかじめ決められた距離にお
いて前記内面を位置決めするように構成されている研磨
用ヘッド。
【請求項９】請求項８に記載の研磨用ヘッドにおい
て、前記深さセンサを前記内面の中に引込ませることが
できるようになっている研磨用ヘッド。
【請求項１０】請求項１に記載の研磨用ヘッドにおい
て、前記半導体ウェーハと前記ウェーハ・キャリヤとの
間に挿入されたウェーハ研磨用膜をさらに備える研磨用
ヘッド。
【請求項１１】研磨用ヘッドを製造する方法であっ
て、外側の周辺を有するウェーハ・キャリヤを形成するステ
ップと、ウェーハ・ホルダーを前記ウェーハ・キャリヤに対して
結合するステップとを含み、前記ウェーハ・ホルダー
は、前記外側の周辺から垂れ下っており、半導体ウェー
ハの縁部を掴むように構成された内面を有している方
法。
【請求項１２】請求項１１に記載の方法において、前
記結合のステップが、前記縁部の回りに収縮するように
構成されたコレットを結合するステップを含む方法。
【請求項１３】請求項１２に記載の方法において、前
記コレットを結合するステップが、前記縁部の回りに収
縮するように構成された環帯を有しているコレットを結
合するステップを含む方法。
【請求項１４】請求項１２に記載の方法において、前
記結合のステップが、前記縁部の回りに半径方向に収縮
するように構成されたアーチ型セグメントを備えるコレ
ットを結合するステップを含む方法。
【請求項１５】請求項１４に記載の方法において、前
記アーチ型セグメントに対する結合用ガイドをさらに含
み、前記ガイドが前記縁部の回りに半径方向に前記アー
チ型セグメントが収縮する際に、前記アーチ型セグメン
トを導くように構成されている方法。
【請求項１６】請求項１４に記載の方法において、前
記ウェーハ・キャリヤに対して、および前記アーチ型セ
グメントに対して環帯を結合するステップをさらに含
み、前記環帯が前記外側の周辺から垂れ下っている方
法。
【請求項１７】請求項１１に記載の方法において、前
記ウェーハ・ホルダーに対して収縮装置を結合するステ
ップをさらに含み、前記収縮装置が、真空、空気圧、油圧、機械的、および電気的動力源から構成されているグルー
プから選択された１つの動力源によって作動されるよう
になっている方法。
【請求項１８】請求項１１に記載の方法において、前
記形成のステップが、内面および深さセンサをさらに含
むウェーハ・キャリヤを形成するステップを含み、前記
深さセンサが前記内面と反対側の半導体ウェーハの面か
ら規定された距離において前記内面を位置決めするよう
に構成されている方法。
【請求項１９】請求項１８に記載の方法において、前
記形成のステップが、前記内面の中に引込ませることが
できる深さセンサを含むウェーハ・キャリヤを形成する
ステップを含む方法。
【請求項２０】半導体ウェーハを研磨するステップを
含む集積回路を製造する方法であって、半導体ウェーハ上に能動素子を形成するステップと、ウェーハ・キャリヤに接近して前記半導体ウェーハを位
置決めし、前記ウェーハ・キャリヤは、その外側の周辺
から垂れ下っているウェーハ・ホルダーを有する位置決
めのステップと、前記ウェーハ・ホルダーの内面で前記半導体ウェーハの
縁部を掴むステップと、前記半導体ウェーハの基板をスラリーで研磨するステッ
プとを含み、前記ウェーハ・ホルダーが前記研磨の間に
前記ウェーハ・キャリヤの内部に前記半導体ウェーハを
保持するようになっている方法。
【請求項２１】請求項２０に記載の方法において、前
記位置決めのステップが、前記縁部の回りに収縮するよ
うに構成された環帯を備えるコレットを備えるウェーハ
・ホルダーを有するウェーハ・キャリヤに接近して前記
半導体ウェーハを位置決めするステップを含む方法。
【請求項２２】請求項２１に記載の方法において、前
記位置決めのステップが、前記縁部の回りに半径方向に
収縮するように構成されたアーチ型セグメントを有する
コレットを備えるウェーハ・ホルダーを有するウェーハ
・キャリヤに接近して前記半導体ウェーハを位置決めす
るステップを含む方法。
【請求項２３】請求項２２に記載の方法において、前
記位置決めのステップが、前記縁部の回りに前記アーチ
型セグメントが収縮する際に前記アーチ型セグメントを
導くように構成されていて、前記アーチ型セグメントに
対して結合されているガイドをさらに含むコレットを有
するウェーハ・キャリヤに近接している前記半導体ウェ
ーハを研磨するステップを含む方法。
【請求項２４】請求項２２に記載の方法において、前
記位置決めのステップが、前記半導体ウェーハをウェー
ハ・キャリヤに接近して位置決めし、前記ウェーハ・キ
ャリヤは、それに結合されていて、前記外側の周辺から
垂れ下っている環帯を有していて、前記環帯がアーチ型
セグメントに対して結合されるようになっている方法。
【請求項２５】請求項２０に記載の方法において、前
記位置決めのステップが、前記ウェーハ・ホルダーに対
して結合されていて、前記ウェーハ・ホルダー上に収縮
力を働かせるように構成されている収縮装置をさらに備
えるウェーハ・キャリヤに接近して前記半導体ウェーハ
を位置決めするステップを含み、前記ウェーハ・ホルダ
ーが、真空、空気圧、油圧、機械的、および電気的動力源から構成されているグルー
プから選択された１つの動力源によって動作するように
なっている方法。
【請求項２６】請求項２０に記載の方法において、前
記位置決めのステップが、内面と深さセンサとをさらに
備えるウェーハ・キャリヤに接近して前記半導体ウェー
ハを位置決めするステップを含み、前記深さセンサは前
記内面の反対側の前記半導体ウェーハの面から規定され
た距離において前記内面を位置決めするように構成され
ている方法。
【請求項２７】請求項２６に記載の方法において、前
記位置決めのステップが、前記内面の中に引込ませるこ
とができる深さセンサをさらに備えるウェーハ・キャリ
ヤに接近して前記半導体ウェーハを位置決めするステッ
プを含む方法。
【請求項２８】請求項２０に記載の方法において、前
記半導体ウェーハ上に配線されたトランジスタを形成す
るステップをさらに含む方法。
【請求項２９】請求項２０に記載の方法によって作ら
れた集積回路。
【請求項３０】請求項２９に記載の集積回路におい
て、前記能動素子が、ＣＭＯＳトランジスタと、ＮＭＯＳトランジスタと、ＰＭＯＳトランジスタと、バイポーラ・トランジスタとから構成されているグルー
プから選択された１つのトランジスタを含む集積回路。
【請求項３１】請求項３０に記載の集積回路におい
て、前記集積回路の内部に電気的配線の形成をさらに含
む集積回路。
【請求項３２】請求項３１に記載の集積回路におい
て、前記電気的配線の形成が、接触プラグと、ビアと、トレースとから構成されているグループから選択された
電気的配線の形成を含む集積回路。