JP5050374B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5050374B2 JP5050374B2 JP2006074815A JP2006074815A JP5050374B2 JP 5050374 B2 JP5050374 B2 JP 5050374B2 JP 2006074815 A JP2006074815 A JP 2006074815A JP 2006074815 A JP2006074815 A JP 2006074815A JP 5050374 B2 JP5050374 B2 JP 5050374B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- outer peripheral
- resin solution
- semiconductor
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
や浸透を防ぐことができる。従って、歩留まりよくデバイス厚の薄い半導体装置を製造することができるという効果を奏する。
図1は、本発明にかかる半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略図であり、図2は、樹脂溶液を塗布するための装置の一例を示す斜視図である。図1および図2に示すように、薄化ウエハ3の中心に吸盤等11により回転軸体12を固定し、その回転軸体12をスタンド13により支持する。そして、薄化ウエハ3の外周端部2の一部を樹脂溶液6の中に浸漬させ、その状態で回転軸体12とともに薄化ウエハ3を一回転させ、薄化ウエハ3の外周端部2の全部に樹脂溶液6を付着させる。
状態でそれ以降の処理を行うことによって、薄化ウエハ3の欠けや割れを防ぐことができる。また、樹脂8の付着によって、薄化ウエハ3の反りが矯正される。さらに、金属製のキャリア等を用いる必要がないので、金属パーティクルの発生が原因で半導体装置の良品率が低下するのを防ぐことができる。また、金属製のキャリア等や高精度の搬送ロボットを用いる必要がないので、コストの増大を防ぐことができる。
図6および図7は、本発明にかかる半導体装置の製造方法において樹脂溶液を塗布する際に用いられる装置の他の例を示す図である。図6および図7に示すように、実施の形態2は、複数、図示例では2本の平行に配置された回転軸体31,32で複数枚の薄化ウエハ3を、樹脂溶液6の液面7に対して垂直に起立させた状態で支持し、各薄化ウエハ3の外周端部2の一部を樹脂溶液6の中に浸漬させ、その状態で回転軸体31,32とともに各薄化ウエハ3を一回転させることによって、複数の薄化ウエハ3の外周端部2に樹脂溶液6を同時に付着させるようにしたものである。従って、実施の形態2ではスループットが向上する。
るのを防ぐことができるので、厚さ等にむらのない樹脂膜で薄化ウエハ3の外周端部2(オリエンテーションフラット部を含む)を被覆することができる。また、オリエンテーションフラット部に付着させる樹脂8の幅と円弧部分に付着させる樹脂8の幅を変えることができるので、オリエンテーションフラット部に刻印されているロット番号などを樹脂8で被覆することができる。
つぎに、実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図12および図13は、実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法について示す説明図である。具体的には、図12は俯瞰図であり、図13は断面図である。実施の形態3では、フィルム状の樹脂(以下、「フィルム樹脂」という)を1枚用いて貼り合わせ体の隙間を塞ぐ例について説明する。以下では、薄化ウエハ3の側面と、支持ウエハ4の側面と、外周端部における当該薄化ウエハと支持ウエハとの隙間43と、を総称して貼り合わせ体9の外周側面と称する。
つぎに、実施の形態4にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図14および図15は、実施の形態4にかかる半導体装置の製造方法について示す説明図である。具体的には、図14は俯瞰図であり、図15は断面図である。
3 薄化ウエハ
4 支持ウエハ
6 樹脂溶液
7 樹脂溶液の表面
8 樹脂
9 貼り合わせ体
14 容器
41、45a、45b フィルム樹脂
Claims (14)
- 半導体素子の製造開始時の厚さよりも薄くされた半導体ウエハの外周端部の一部を樹脂溶液に接触させ、その状態で前記半導体ウエハを回転させて該外周端部の全部に前記樹脂溶液を付着させながら、その付着した樹脂溶液を硬化させて、同外周端部を、所定の処理溶液に対する耐性を有する樹脂で被覆する樹脂付着工程と、
前記外周端部を前記樹脂で被覆した状態のまま前記半導体ウエハを前記処理溶液に接触させて、前記半導体ウエハに半導体素子の構造部を形成する素子形成工程と、
を含み、
前記樹脂付着工程では、複数枚の半導体ウエハを、容器中に貯留された前記樹脂溶液の液面に対して起立させて並べた状態で、複数枚の半導体ウエハの外周端部のうち、まずオリエンテーションフラット部に前記樹脂溶液を付着させて硬化させた後、複数枚の半導体ウエハを同時に回転させることにより、複数枚の半導体ウエハに対して樹脂溶液付着処理を同時に行い、オリエンテーションフラット部を除く円弧部分に前記樹脂溶液を付着させて硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の製造開始時の厚さよりも薄くされた半導体ウエハの外周端部の一部を樹脂溶液に接触させ、その状態で前記半導体ウエハを回転させて該外周端部の全部に前記樹脂溶液を付着させながら、その付着した樹脂溶液を硬化させて、同外周端部を、摩擦係数の低い潤滑性樹脂で被覆する樹脂付着工程と、
前記外周端部を前記樹脂で被覆した状態のまま前記半導体ウエハに半導体素子の構造部を形成する素子形成工程と、
を含み、
前記樹脂付着工程では、複数枚の半導体ウエハを、容器中に貯留された前記樹脂溶液の液面に対して起立させて並べた状態で、複数枚の半導体ウエハの外周端部のうち、まずオリエンテーションフラット部に前記樹脂溶液を付着させて硬化させた後、複数枚の半導体ウエハを同時に回転させることにより、複数枚の半導体ウエハに対して樹脂溶液付着処理を同時に行い、オリエンテーションフラット部を除く円弧部分に前記樹脂溶液を付着させて硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の製造開始時の厚さよりも薄い半導体ウエハと支持ウエハが貼り合わされた貼り合わせ体の外周端部の一部を樹脂溶液に接触させ、その状態で前記貼り合わせ体を回転させて該外周端部の全部に前記樹脂溶液を付着させながら、その付着した樹脂溶液を硬化させて、同外周端部における前記半導体ウエハと前記支持ウエハの間の隙間を、所定の処理溶液に対する耐性を有する樹脂で塞ぐ樹脂付着工程と、
前記隙間を前記樹脂で塞いだ状態のまま前記半導体ウエハを前記処理溶液に接触させて、前記半導体ウエハに半導体素子の構造部を形成する素子形成工程と、
を含み、
前記樹脂付着工程では、複数枚の半導体ウエハを、容器中に貯留された前記樹脂溶液の液面に対して起立させて並べた状態で、複数枚の半導体ウエハの外周端部のうち、まずオリエンテーションフラット部に前記樹脂溶液を付着させて硬化させた後、複数枚の半導体ウエハを同時に回転させることにより、複数枚の半導体ウエハに対して樹脂溶液付着処理を同時に行い、オリエンテーションフラット部を除く円弧部分に前記樹脂溶液を付着させて硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の製造開始時の厚さよりも薄い半導体ウエハと支持ウエハが貼り合わされた貼り合わせ体の外周端部の一部を樹脂溶液に接触させ、その状態で前記貼り合わせ体を回転させて該外周端部の全部に前記樹脂溶液を付着させながら、その付着した樹脂溶液を硬化させて、同外周端部における前記半導体ウエハと前記支持ウエハの間の隙間を、摩擦係数の低い潤滑性樹脂で塞ぐ樹脂付着工程と、
前記隙間を前記樹脂で塞いだ状態のまま前記半導体ウエハに半導体素子の構造部を形成する素子形成工程と、
を含み、
前記樹脂付着工程では、複数枚の半導体ウエハを、容器中に貯留された前記樹脂溶液の液面に対して起立させて並べた状態で、複数枚の半導体ウエハの外周端部のうち、まずオリエンテーションフラット部に前記樹脂溶液を付着させて硬化させた後、複数枚の半導体ウエハを同時に回転させることにより、複数枚の半導体ウエハに対して樹脂溶液付着処理を同時に行い、オリエンテーションフラット部を除く円弧部分に前記樹脂溶液を付着させて硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の製造開始時の厚さよりも薄くされた半導体ウエハの外周端部の一部を樹脂溶液中に浸漬させ、その状態で前記半導体ウエハを回転させて該外周端部の全部に前記樹脂溶液を付着させながら、その付着した樹脂溶液を硬化させて、同外周端部を、所定の処理溶液に対する耐性を有する樹脂で被覆する樹脂付着工程と、
前記外周端部を前記樹脂で被覆した状態のまま前記半導体ウエハを前記処理溶液に接触させて、前記半導体ウエハに半導体素子の構造部を形成する素子形成工程と、
を含み、
前記樹脂付着工程では、前記半導体ウエハの表面に付着した樹脂溶液の表面を凹凸状にした後に該樹脂溶液を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の製造開始時の厚さよりも薄くされた半導体ウエハの外周端部の一部を樹脂溶液中に浸漬させ、その状態で前記半導体ウエハを回転させて該外周端部の全部に前記樹脂溶液を付着させながら、その付着した樹脂溶液を硬化させて、同外周端部を、摩擦係数の低い潤滑性樹脂で被覆する樹脂付着工程と、
前記外周端部を前記樹脂で被覆した状態のまま前記半導体ウエハに半導体素子の構造部を形成する素子形成工程と、
を含み、
前記樹脂付着工程では、前記半導体ウエハの表面に付着した樹脂溶液の表面を凹凸状にした後に該樹脂溶液を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の製造開始時の厚さよりも薄い半導体ウエハと支持ウエハが貼り合わされた貼り合わせ体の外周端部の一部を樹脂溶液中に浸漬させ、その状態で前記貼り合わせ体を回転させて該外周端部の全部に前記樹脂溶液を付着させながら、その付着した樹脂溶液を硬化させて、同外周端部における前記半導体ウエハと前記支持ウエハの間の隙間を、所定の処理溶液に対する耐性を有する樹脂で塞ぐ樹脂付着工程と、
前記隙間を前記樹脂で塞いだ状態のまま前記半導体ウエハを前記処理溶液に接触させて、前記半導体ウエハに半導体素子の構造部を形成する素子形成工程と、
を含み、
前記樹脂付着工程では、前記半導体ウエハの表面に付着した樹脂溶液の表面を凹凸状にした後に該樹脂溶液を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の製造開始時の厚さよりも薄い半導体ウエハと支持ウエハが貼り合わされた貼り合わせ体の外周端部の一部を樹脂溶液中に浸漬させ、その状態で前記貼り合わせ体を回転させて該外周端部の全部に前記樹脂溶液を付着させながら、その付着した樹脂溶液を硬化させて、同外周端部における前記半導体ウエハと前記支持ウエハの間の隙間を、摩擦係数の低い潤滑性樹脂で塞ぐ樹脂付着工程と、
前記隙間を前記樹脂で塞いだ状態のまま前記半導体ウエハに半導体素子の構造部を形成する素子形成工程と、
を含み、
前記樹脂付着工程では、前記半導体ウエハの表面に付着した樹脂溶液の表面を凹凸状にした後に該樹脂溶液を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂付着工程では、前記樹脂溶液を貯留する容器の底から前記樹脂溶液の表面までの高さを調節し、前記外周端部を前記容器の底に接触させながら前記半導体ウエハを回転させることによって、前記樹脂溶液中に浸漬される前記外周端部の深さを制御することを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂付着工程では、前記樹脂溶液を貯留する容器の底から前記樹脂溶液の表面までの高さを調節し、前記外周端部を前記容器の底に接触させながら前記貼り合わせ体を回転させることによって、前記樹脂溶液中に浸漬される前記外周端部の深さを制御することを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂溶液を貯留する容器の底から前記樹脂溶液の表面までの高さを10mmまでとし、前記樹脂溶液中に前記外周端部を10mmまでの深さで浸漬させることを特徴とする請求項9または10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂溶液は、樹脂バインダーにフッ素系樹脂の微粒子を分散させた溶液であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体素子の製造開始時の厚さよりも薄くされた半導体ウエハの外周端部に、所定の処理溶液に対する耐性を有するフィルム状の樹脂を貼り付けて前記外周端部を被覆するフィルム貼付工程と、
前記外周端部を前記フィルム状の樹脂で被覆した状態のまま前記半導体ウエハを前記処理溶液に接触させて、前記半導体ウエハに半導体素子の構造部を形成する素子形成工程と、
を含み、
前記フィルム貼付工程では、前記フィルム状の樹脂を前記半導体ウエハに貼り付ける際に、前記フィルム状の樹脂に、1または複数の切れ目を入れてから貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子の製造開始時の厚さよりも薄い半導体ウエハと支持ウエハが貼り合わされた貼り合わせ体の外周端部における前記半導体ウエハと前記支持ウエハの間の隙間に、所定の処理溶液に対する耐性を有するフィルム状の樹脂を貼り付けて前記隙間を塞ぐフィルム貼付工程と、
前記隙間を前記フィルム状の樹脂で塞いだ状態のまま前記半導体ウエハを前記処理溶液に接触させて、前記半導体ウエハに半導体素子の構造部を形成する素子形成工程と、
を含み、
前記フィルム貼付工程では、前記フィルム状の樹脂を前記貼り合わせ体に貼り付ける際に、前記フィルム状の樹脂に、1または複数の切れ目を入れてから貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006074815A JP5050374B2 (ja) | 2005-05-16 | 2006-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005143122 | 2005-05-16 | ||
JP2005143122 | 2005-05-16 | ||
JP2006074815A JP5050374B2 (ja) | 2005-05-16 | 2006-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006352078A JP2006352078A (ja) | 2006-12-28 |
JP5050374B2 true JP5050374B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=37647548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006074815A Expired - Fee Related JP5050374B2 (ja) | 2005-05-16 | 2006-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5050374B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5303845B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2013-10-02 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2010018767A1 (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | 電気化学工業株式会社 | 半導体加工方法及び粘着テープ |
JP2012094562A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US9583364B2 (en) | 2012-12-31 | 2017-02-28 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial compression |
US9177790B2 (en) | 2013-10-30 | 2015-11-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Inkjet printing in a peripheral region of a substrate |
JP6340249B2 (ja) * | 2014-05-28 | 2018-06-06 | 株式会社荏原製作所 | テープ貼り付け装置およびテープ貼り付け方法 |
JP6550741B2 (ja) * | 2014-12-17 | 2019-07-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2022038834A (ja) * | 2020-08-27 | 2022-03-10 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法、および基板処理装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02216827A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハープロセス |
JP2986179B2 (ja) * | 1990-06-11 | 1999-12-06 | シチズン時計株式会社 | ウェハの端縁コーティング方法およびその装置 |
JPH07161948A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Canon Inc | 半導体基体及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-03-17 JP JP2006074815A patent/JP5050374B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006352078A (ja) | 2006-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5050374B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3197788B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI485756B (zh) | 薄晶圓處理結構及薄晶圓接合及剝離之方法 | |
CN109037122B (zh) | 半导体片芯单颗化方法和装置 | |
JP5151104B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP5599342B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5074719B2 (ja) | ウエハを薄くする方法及びサポートプレート | |
TW200527579A (en) | Substrate supporting plate and striping method for supporting plate | |
JP5090789B2 (ja) | 貼り合わせ装置、接着剤の溶解を防ぐ方法、及び貼り合わせ方法 | |
JPH025447A (ja) | 半導体デバイスの製造方法並びにその製造方法に使用する可撓性ウエファ構造 | |
JP2012028760A (ja) | 半導体基板および半導体装置の作製方法 | |
JP2008166459A (ja) | 保護テープ貼付方法と装置 | |
CN107195658B (zh) | 柔性基板及其制作方法 | |
WO2011046517A1 (en) | Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer | |
JP4271409B2 (ja) | 脆質材料の加工方法 | |
TWI523091B (zh) | 晶圓黏片製作方法 | |
JP6550741B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4525048B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007036074A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20130252356A1 (en) | Supporting substrate, method for fabricating semiconductor device, and method for inspecting semiconductor device | |
JP6057616B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2010073884A (ja) | 半導体ウェーハ用治具及び半導体装置の製造方法 | |
WO2013036638A2 (en) | Use of megasonic energy to assist edge bond removal in a zonal temporary bonding process | |
JP2006165136A (ja) | エッチング方法 | |
JP7186838B2 (ja) | 故障分析用の半導体試料を準備する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080204 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080204 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080205 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090217 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20091112 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091112 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091112 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120604 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120626 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120709 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |