JPH1154437A - 化合物半導体膜の形成方法 - Google Patents
化合物半導体膜の形成方法Info
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- JPH1154437A JPH1154437A JP20504097A JP20504097A JPH1154437A JP H1154437 A JPH1154437 A JP H1154437A JP 20504097 A JP20504097 A JP 20504097A JP 20504097 A JP20504097 A JP 20504097A JP H1154437 A JPH1154437 A JP H1154437A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板２の端部近傍に形成される発光素子の発
光強度が低下するという問題があった。 【解決手段】 基板２をサセプタ１の凹部３内に設置し
て加熱しながらこの基板２上に化合物半導体膜を堆積さ
せる化合物半導体膜の形成方法であって、前記サセプタ
１の凹部３内に、この凹部３の側壁部３ｂ側が高くなる
ような段差部３ａを設けたり、前記サセプタ１の凹部３
底面をすり鉢状に湾曲して形成して、前記基板２上に前
記化合物半導体膜を形成する。
光強度が低下するという問題があった。 【解決手段】 基板２をサセプタ１の凹部３内に設置し
て加熱しながらこの基板２上に化合物半導体膜を堆積さ
せる化合物半導体膜の形成方法であって、前記サセプタ
１の凹部３内に、この凹部３の側壁部３ｂ側が高くなる
ような段差部３ａを設けたり、前記サセプタ１の凹部３
底面をすり鉢状に湾曲して形成して、前記基板２上に前
記化合物半導体膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体膜の形
成方法に関し、特にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などで基板
上に化合物半導体膜を堆積させる化合物半導体膜の形成
方法に関する。
成方法に関し、特にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などで基板
上に化合物半導体膜を堆積させる化合物半導体膜の形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、単結晶半導体基板や単結晶絶縁基
板などから成る基板上に、ＧａＡｓなどの化合物半導体
膜を形成する場合、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成
長）法やＭＢＥ（分子線エピタキシー）法などで形成さ
れる。
板などから成る基板上に、ＧａＡｓなどの化合物半導体
膜を形成する場合、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成
長）法やＭＢＥ（分子線エピタキシー）法などで形成さ
れる。
【０００３】ＭＯＣＶＤ法で化合物半導体膜を形成する
場合、サセプタ上に基板を載置して６５０〜７５０℃に
加熱して化合物半導体膜を堆積させる。この場合、原料
ガスとしては、ＴＭＧ、ＴＭＡなどが用いられ、不純物
ドーピング用ガスとしてはＤＭＺ、ＡｓＨ3 などが用い
られる。
場合、サセプタ上に基板を載置して６５０〜７５０℃に
加熱して化合物半導体膜を堆積させる。この場合、原料
ガスとしては、ＴＭＧ、ＴＭＡなどが用いられ、不純物
ドーピング用ガスとしてはＤＭＺ、ＡｓＨ3 などが用い
られる。
【０００４】この従来のＭＯＣＶＤ法で用いられるサセ
プタの構造を図４に示す。ＭＯＣＶＤ法で用いられるサ
セプタ１１は、例えばカーボンにグラファイトや炭化珪
素などをコーティングして構成され、このサセプタ１１
上に複数の基板１２がセッティングできるように、複数
個、例えば６個の凹部１３が形成されている。この凹部
１３は、基板１２を保持するために、基板１２よりやや
大きい形状に形成されている。また、このサセプタ１１
は回転しながら複数の基板１２上に化物半導体膜を均一
に堆積できるように、全体が円盤状に形成されている。
プタの構造を図４に示す。ＭＯＣＶＤ法で用いられるサ
セプタ１１は、例えばカーボンにグラファイトや炭化珪
素などをコーティングして構成され、このサセプタ１１
上に複数の基板１２がセッティングできるように、複数
個、例えば６個の凹部１３が形成されている。この凹部
１３は、基板１２を保持するために、基板１２よりやや
大きい形状に形成されている。また、このサセプタ１１
は回転しながら複数の基板１２上に化物半導体膜を均一
に堆積できるように、全体が円盤状に形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＭＯＣＶＤ法における
化合物半導体膜の堆積は、７００℃前後の高温で行われ
るため、化合物半導体膜を堆積さる際に基板１２が加熱
されると、図５に示すように、基板１２の周縁部がサセ
プタ１１の凹部１３底面から離間するように凹状に反
り、基板１２の中心部はサセプタ１１に当接するもの
の、基板１２の周辺部はサセプタ１１に当接もしくは近
接しないことから、基板１２の中心部と周辺部とで基板
温度が異なることになる。このように基板１１の中心部
と周辺部で温度分布が発生した状態で化合物半導体膜を
堆積させると、化合物半導体の結晶が成長する際の半導
体不純物のドーピング効率が相違するようになり、例え
ば発光素子を形成する場合は、基板１２の中心部に形成
される発光素子と基板の周辺部に形成される発光素子と
で発光強度がばらつくという問題があった。
化合物半導体膜の堆積は、７００℃前後の高温で行われ
るため、化合物半導体膜を堆積さる際に基板１２が加熱
されると、図５に示すように、基板１２の周縁部がサセ
プタ１１の凹部１３底面から離間するように凹状に反
り、基板１２の中心部はサセプタ１１に当接するもの
の、基板１２の周辺部はサセプタ１１に当接もしくは近
接しないことから、基板１２の中心部と周辺部とで基板
温度が異なることになる。このように基板１１の中心部
と周辺部で温度分布が発生した状態で化合物半導体膜を
堆積させると、化合物半導体の結晶が成長する際の半導
体不純物のドーピング効率が相違するようになり、例え
ば発光素子を形成する場合は、基板１２の中心部に形成
される発光素子と基板の周辺部に形成される発光素子と
で発光強度がばらつくという問題があった。
【０００６】すなわち、図６に示すように、基板１２と
して、直径４インチのシリコン基板１２上に、化合物半
導体膜を堆積して発光素子を形成した場合、基板１２の
中心部から２〜３ｃｍ程度離れた箇所に形成される発光
素子が最も強く発光し、中心部から５ｃｍ程度離れた最
外部に形成される発光素子は、８０％程度の発光強度し
か得られないという問題があった。
して、直径４インチのシリコン基板１２上に、化合物半
導体膜を堆積して発光素子を形成した場合、基板１２の
中心部から２〜３ｃｍ程度離れた箇所に形成される発光
素子が最も強く発光し、中心部から５ｃｍ程度離れた最
外部に形成される発光素子は、８０％程度の発光強度し
か得られないという問題があった。
【０００７】本発明はこのような従来方法の問題点に鑑
みてなされたものであり、基板の端部近傍に形成される
発光素子の発光強度が低下するという従来方法の問題点
を解消した化合物半導体膜の形成方法を提供することを
目的とする。
みてなされたものであり、基板の端部近傍に形成される
発光素子の発光強度が低下するという従来方法の問題点
を解消した化合物半導体膜の形成方法を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る化合物半導体膜の形成方法では、基
板をサセプタの凹部内に設置して加熱しながらこの基板
上に化合物半導体膜を堆積させる化合物半導体膜の形成
方法において、前記サセプタの凹部内に、この凹部の側
壁部側が高くなるような段差部を設けて、前記基板上に
前記化合物半導体膜を堆積させる。
に、請求項１に係る化合物半導体膜の形成方法では、基
板をサセプタの凹部内に設置して加熱しながらこの基板
上に化合物半導体膜を堆積させる化合物半導体膜の形成
方法において、前記サセプタの凹部内に、この凹部の側
壁部側が高くなるような段差部を設けて、前記基板上に
前記化合物半導体膜を堆積させる。
【０００９】この場合、前記段差部を前記凹部の側壁部
から５〜１５ｍｍのところに、０．００１〜０．１８ｍ
ｍの高さを有するように設けることが望ましい。
から５〜１５ｍｍのところに、０．００１〜０．１８ｍ
ｍの高さを有するように設けることが望ましい。
【００１０】また、請求項３に係る化合物半導体膜の形
成方法では、基板をサセプタの凹部内に設置して加熱し
ながらこの基板上に化合物半導体膜を堆積させる化合物
半導体膜の形成方法において、前記サセプタの凹部底面
をすり鉢状に湾曲して形成して、前記基板上に前記化合
物半導体膜を形成する。
成方法では、基板をサセプタの凹部内に設置して加熱し
ながらこの基板上に化合物半導体膜を堆積させる化合物
半導体膜の形成方法において、前記サセプタの凹部底面
をすり鉢状に湾曲して形成して、前記基板上に前記化合
物半導体膜を形成する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明に係る化合物半導体膜の
形成方法に用いられるサセプタを示す断面図であり、１
はサセプタ、２は基板である。
詳細に説明する。図１は本発明に係る化合物半導体膜の
形成方法に用いられるサセプタを示す断面図であり、１
はサセプタ、２は基板である。
【００１２】前記サセプタ１はカーボンなどから成り、
基板２上に堆積される化合物半導体膜に不純物が混入し
ないようにするために、その表面には例えばグラファイ
トや炭化珪素などが１００μｍ程度の厚みにコーティン
グされている。また、このサセプタ１には、従来のサセ
プタと同様に複数の基板２をセッティングできるよう
に、複数の凹部３が形成されている。
基板２上に堆積される化合物半導体膜に不純物が混入し
ないようにするために、その表面には例えばグラファイ
トや炭化珪素などが１００μｍ程度の厚みにコーティン
グされている。また、このサセプタ１には、従来のサセ
プタと同様に複数の基板２をセッティングできるよう
に、複数の凹部３が形成されている。
【００１３】基板１は、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＧａＰ、Ｓｉ
Ｃ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅなどの単結晶半導体基板やサファ
イア（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶絶縁基板が用いられ、
この被着基板１上には、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、Ｇａ
ＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮなどの化合物半導体膜が形
成される。
Ｃ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅなどの単結晶半導体基板やサファ
イア（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶絶縁基板が用いられ、
この被着基板１上には、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、Ｇａ
ＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮなどの化合物半導体膜が形
成される。
【００１４】これらの化合物半導体膜を例えばＭＯＣＶ
Ｄ法で形成する場合は、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩ、Ａｓ
Ｈ3 、ＰＨ3 、ＮＨ3 などの原料ガスが用いられ、ま
た、導電型を制御するための半導体不純物用ガスとして
は、ＤＭＺやＳｉＨ4 などが用いられる。また、これら
の化合物半導体膜を例えばＭＢＥ法で形成する場合は、
個々の構成元素を蒸発るつぼに入れて加熱して蒸発さ
せ、出てくる蒸気を分子線の形で加熱されている基板に
当て単結晶薄膜を成長させる。このようにして形成され
る化合物半導体膜は、例えば発光ダイオードなどの発光
素子や電界効果トランジスタの半導体膜として用いられ
る。
Ｄ法で形成する場合は、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩ、Ａｓ
Ｈ3 、ＰＨ3 、ＮＨ3 などの原料ガスが用いられ、ま
た、導電型を制御するための半導体不純物用ガスとして
は、ＤＭＺやＳｉＨ4 などが用いられる。また、これら
の化合物半導体膜を例えばＭＢＥ法で形成する場合は、
個々の構成元素を蒸発るつぼに入れて加熱して蒸発さ
せ、出てくる蒸気を分子線の形で加熱されている基板に
当て単結晶薄膜を成長させる。このようにして形成され
る化合物半導体膜は、例えば発光ダイオードなどの発光
素子や電界効果トランジスタの半導体膜として用いられ
る。
【００１５】前記基板２上に化合物半導体膜４を堆積さ
せる場合は、基板２をサセプタ１の凹部３内にセッティ
ングして、サセプタ１の裏面側からヒータ（不図示）で
サセプタ１と基板２を６５０〜７５０℃に加熱して堆積
させる。
せる場合は、基板２をサセプタ１の凹部３内にセッティ
ングして、サセプタ１の裏面側からヒータ（不図示）で
サセプタ１と基板２を６５０〜７５０℃に加熱して堆積
させる。
【００１６】前記サセプタ１の凹部３の大きさは、化合
物半導体膜４を堆積させる基板２の大きさに応じて設定
されるが、化合物半導体膜４を例えば直径４インチの基
板に堆積させる場合は、凹部３は直径１０．２ｃｍ程度
で、深さ０．８５ｍｍ程度に形成される。
物半導体膜４を堆積させる基板２の大きさに応じて設定
されるが、化合物半導体膜４を例えば直径４インチの基
板に堆積させる場合は、凹部３は直径１０．２ｃｍ程度
で、深さ０．８５ｍｍ程度に形成される。
【００１７】この凹部３には、基板２が加熱されたとき
に、この基板２の裏面側中央部と周辺部が当接もしくは
近接するように段差部３ａが形成されている。この段差
部３ａは、凹部３の側壁部３ｂからの長さｂがｂ＝５〜
１５ｍｍとなり、かつ凹部３の底面からの高さａがａ＝
０．００１〜０．１８ｍｍとなるように設けることが望
ましい。この段差部３ａを凹部３の側壁部３ｂから５ｍ
ｍより側壁部３ｂ側に設けると、基板２上に発光素子を
形成した場合、基板２の端部近傍に形成される発光素子
の発光強度は向上するものの、基板２の中心部に形成さ
れる発光素子の発光強度が低下する。また、この段差部
３ａを凹部３の側壁部３ｂから１５ｍｍ以上中心部側に
設けると、基板２上に発光素子を形成した場合、基板２
の中心部に形成される発光素子の発光強度は向上するも
のの、基板２の端部近傍に形成される発光素子の発光強
度が低下する。また、この段差部３ａの高さが、０．０
０１ｍｍ以下の場合、基板２の端部近傍に形成される発
光素子の発光強度を高める効果が得られず、０．１８ｍ
ｍ以上の場合、基板２の中心部に形成される発光素子の
発光強度が低下する。
に、この基板２の裏面側中央部と周辺部が当接もしくは
近接するように段差部３ａが形成されている。この段差
部３ａは、凹部３の側壁部３ｂからの長さｂがｂ＝５〜
１５ｍｍとなり、かつ凹部３の底面からの高さａがａ＝
０．００１〜０．１８ｍｍとなるように設けることが望
ましい。この段差部３ａを凹部３の側壁部３ｂから５ｍ
ｍより側壁部３ｂ側に設けると、基板２上に発光素子を
形成した場合、基板２の端部近傍に形成される発光素子
の発光強度は向上するものの、基板２の中心部に形成さ
れる発光素子の発光強度が低下する。また、この段差部
３ａを凹部３の側壁部３ｂから１５ｍｍ以上中心部側に
設けると、基板２上に発光素子を形成した場合、基板２
の中心部に形成される発光素子の発光強度は向上するも
のの、基板２の端部近傍に形成される発光素子の発光強
度が低下する。また、この段差部３ａの高さが、０．０
０１ｍｍ以下の場合、基板２の端部近傍に形成される発
光素子の発光強度を高める効果が得られず、０．１８ｍ
ｍ以上の場合、基板２の中心部に形成される発光素子の
発光強度が低下する。
【００１８】図２は請求項３に記載した化合物半導体膜
の形成方法に用いられるサセプタ１の断面図である。こ
の化物半導体膜の形成方法も請求項１に記載した化合物
半導体膜の形成方法とほぼ同様であるが、この請求項３
に記載した化合物半導体膜の堆積方法では、サセプタ１
の凹部３底面がすり鉢状に湾曲させて形成されており、
この底面がすり鉢状の凹部３に基板をセッティングし
て、化合物半導体膜を堆積する。
の形成方法に用いられるサセプタ１の断面図である。こ
の化物半導体膜の形成方法も請求項１に記載した化合物
半導体膜の形成方法とほぼ同様であるが、この請求項３
に記載した化合物半導体膜の堆積方法では、サセプタ１
の凹部３底面がすり鉢状に湾曲させて形成されており、
この底面がすり鉢状の凹部３に基板をセッティングし
て、化合物半導体膜を堆積する。
【００１９】このように、サセプタ１の凹部３の底面を
すり鉢状に湾曲して形成すると、サセプタ１の加工は若
干複雑になるものの、化合物半導体膜を堆積するための
基板２を全面にわたってより均一に加熱することができ
る。
すり鉢状に湾曲して形成すると、サセプタ１の加工は若
干複雑になるものの、化合物半導体膜を堆積するための
基板２を全面にわたってより均一に加熱することができ
る。
【００２０】
【実施例】厚みが５ｍｍで、径が３４２ｍｍのサセプタ
に、深さが０．８５ｍｍで径が１００．２ｍｍの凹部を
環状に６個設けると共に、凹部の壁面から中心部に向か
って１０ｍｍのところに高さが０．１ｍｍの段差部を形
成した。この凹部内に厚みが０．３５ｍｍで径が１００
ｍｍのシリコン基板をセッティングして、厚みが４μｍ
のガリウム砒素から成るバッファ層を形成した後、ｎ型
とｐ型のアルミニウガリウム砒素層を連続して堆積させ
発光素子を多数形成し、この発光素子のシリコン基板上
の位置と発光強度との関係を調べた。その結果を図３に
示す。
に、深さが０．８５ｍｍで径が１００．２ｍｍの凹部を
環状に６個設けると共に、凹部の壁面から中心部に向か
って１０ｍｍのところに高さが０．１ｍｍの段差部を形
成した。この凹部内に厚みが０．３５ｍｍで径が１００
ｍｍのシリコン基板をセッティングして、厚みが４μｍ
のガリウム砒素から成るバッファ層を形成した後、ｎ型
とｐ型のアルミニウガリウム砒素層を連続して堆積させ
発光素子を多数形成し、この発光素子のシリコン基板上
の位置と発光強度との関係を調べた。その結果を図３に
示す。
【００２１】図３から明らかなように、段差部の高さａ
がａ＝０．１ｍｍの場合、基板の中心部から２〜３ｃｍ
離れたところに形成される発光素子が最も大きな発光強
度を有し、基板の中心部に形成される発光素子は９７％
程度の発光強度を有し、基板の周辺部に形成される発光
素子は９５％程度の発光強度を有する。すなわち、従来
では基板の端部近傍の発光素子の発光強度は８０％であ
ったが、本発明品では基板の端部近傍の発光素子も９５
％以上の発光強度を得ることができる。これは、基板の
端部近傍において基板とサセプタが当接もしくは近接す
るため、基板の全面にわたって温度分布が少なくなり、
発光素子の発光強度の面内分布も均一となるものであ
る。
がａ＝０．１ｍｍの場合、基板の中心部から２〜３ｃｍ
離れたところに形成される発光素子が最も大きな発光強
度を有し、基板の中心部に形成される発光素子は９７％
程度の発光強度を有し、基板の周辺部に形成される発光
素子は９５％程度の発光強度を有する。すなわち、従来
では基板の端部近傍の発光素子の発光強度は８０％であ
ったが、本発明品では基板の端部近傍の発光素子も９５
％以上の発光強度を得ることができる。これは、基板の
端部近傍において基板とサセプタが当接もしくは近接す
るため、基板の全面にわたって温度分布が少なくなり、
発光素子の発光強度の面内分布も均一となるものであ
る。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る化合物半
導体膜の形成方法では、基板がセッティングされるサセ
プタの凹部内に、この凹部の側壁側が高くなるような段
差部を設けて、基板上に化合物半導体膜を堆積させるこ
とから、この基板が加熱されたときに、この基板の中央
部と周辺部の双方がサセプタと当接若しくは近接し、基
板の温度分布は均一になって結晶成長時に半導体不純物
が均一にドーピングされ、この化合物半導体膜を用いて
形成されるデバイスの特性の面内分布が均一となる。
導体膜の形成方法では、基板がセッティングされるサセ
プタの凹部内に、この凹部の側壁側が高くなるような段
差部を設けて、基板上に化合物半導体膜を堆積させるこ
とから、この基板が加熱されたときに、この基板の中央
部と周辺部の双方がサセプタと当接若しくは近接し、基
板の温度分布は均一になって結晶成長時に半導体不純物
が均一にドーピングされ、この化合物半導体膜を用いて
形成されるデバイスの特性の面内分布が均一となる。
【００２３】また、請求項３に係る化合物半導体膜の形
成方法では、基板をセッチングするサセプタの凹部底面
をすり鉢状に湾曲して形成して、この基板上に化合物半
導体膜を形成することから、この基板が加熱されたとき
に、この基板の中央部と周辺部の双方がサセプタと当接
若しくは近接し、基板の温度分布は均一になって結晶成
長時に半導体不純物が均一にドーピングされ、この化合
物半導体膜を用いて形成されるデバイスの特性の面内分
布が均一となる。
成方法では、基板をセッチングするサセプタの凹部底面
をすり鉢状に湾曲して形成して、この基板上に化合物半
導体膜を形成することから、この基板が加熱されたとき
に、この基板の中央部と周辺部の双方がサセプタと当接
若しくは近接し、基板の温度分布は均一になって結晶成
長時に半導体不純物が均一にドーピングされ、この化合
物半導体膜を用いて形成されるデバイスの特性の面内分
布が均一となる。
【図１】請求項１の発明に係る化合物半導体膜の形成方
法に用いられるサセプタの断面図である。
法に用いられるサセプタの断面図である。
【図２】請求項３の発明に係る化合物半導体膜の形成方
法に用いられウサセプタの断面図である。
法に用いられウサセプタの断面図である。
【図３】請求項１の発明に係る化合物半導体膜の形成方
法で形成される発光素子の形成位置と発光強度との関係
を示す図である。
法で形成される発光素子の形成位置と発光強度との関係
を示す図である。
【図４】従来の化合物半導体膜の形成方法に用いられる
サセプタを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
サセプタを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
【図５】従来の化合物半導体膜の形成方法に用いられる
サセプタの凹部部分を示す図である。
サセプタの凹部部分を示す図である。
【図６】従来の化合物半導体膜の形成方法で形成される
発光素子の形成位置と発光強度との関係を示す図であ
る。
発光素子の形成位置と発光強度との関係を示す図であ
る。
１‥‥‥サセプタ、２‥‥‥基板、３‥‥‥凹部、３ａ
‥‥‥段差部
‥‥‥段差部
Claims (3)
- 【請求項１】 基板をサセプタの凹部内に設置して加熱
しながらこの基板上に化合物半導体膜を堆積させる化合
物半導体膜の形成方法において、前記サセプタの凹部内
に、この凹部の側壁部側が高くなるような段差部を設け
て、前記基板上に前記化合物半導体膜を堆積させること
を特徴とする化合物半導体膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記段差部を前記凹部の側壁部から５〜
１５ｍｍのところに、０．００１〜０．１８ｍｍの高さ
を有するように設けたことを特徴とする請求項１に記載
の化合物半導体膜の形成方法。 - 【請求項３】 基板をサセプタの凹部内に設置して加熱
しながらこの基板上に化合物半導体膜を堆積させる化合
物半導体膜の形成方法において、前記サセプタの凹部底
面をすり鉢状に湾曲して形成して、前記基板上に前記化
合物半導体膜を形成することを特徴とする化合物半導体
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20504097A JPH1154437A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 化合物半導体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20504097A JPH1154437A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 化合物半導体膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154437A true JPH1154437A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16500460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20504097A Pending JPH1154437A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 化合物半導体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154437A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039121A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Naoetsu Electronics Co Ltd | 常圧ｃｖｄ装置 |
| KR100841195B1 (ko) | 2005-07-29 | 2008-06-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 장치와 기상 성장 방법 |
| JP2009152548A (ja) * | 2007-12-24 | 2009-07-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 化学気相蒸着用ウェーハ及びこれを製造する方法 |
| JP2010126796A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
| JP2017022320A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 昭和電工株式会社 | ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置 |
| JP2018117130A (ja) * | 2012-12-31 | 2018-07-26 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドＳｕｎＥｄｉｓｏｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 半導体基板に応力を加える装置 |
-
1997
- 1997-07-30 JP JP20504097A patent/JPH1154437A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039121A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Naoetsu Electronics Co Ltd | 常圧ｃｖｄ装置 |
| KR100841195B1 (ko) | 2005-07-29 | 2008-06-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 장치와 기상 성장 방법 |
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| JP2010126796A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
| JP2018117130A (ja) * | 2012-12-31 | 2018-07-26 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドＳｕｎＥｄｉｓｏｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 半導体基板に応力を加える装置 |
| JP2017022320A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 昭和電工株式会社 | ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置 |
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