CN113622021A - 用于提高外延片的生长均匀度的外延托盘 - Google Patents

用于提高外延片的生长均匀度的外延托盘 Download PDF

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Abstract

本公开公开了一种用于提高外延片的生长均匀度的外延托盘，属于外延生长技术领域。呈圆柱体的外延托盘的端面具有的凹槽圈都包括多个支撑结构，支撑结构包括圆形凹槽和第一支撑凸起。衬底凸起的区域与支撑于第一支撑凸起上，提高传热速度，衬底凹陷的区域位于多个第一支撑凸起的间隙之间，气体传热慢，降低凹陷区域的传热速度，使得衬底表面的温度更为均匀。而每个第一支撑凸起在圆形凹槽的底面的正投影呈波浪形，使衬底的凸起区域可以大部分支撑在第一支撑凸起上，而衬底的凹陷的区域可以支撑于第一支撑凸起之间的间隙内进行气体传热，有效调节衬底的温度较为均匀，以提高在衬底上生长的外延材料的均匀度以提高最终得到的外延片的发光均匀度。

Description

用于提高外延片的生长均匀度的外延托盘
技术领域
本公开涉及外延生长技术领域，特别涉及一种用于提高外延片的生长均匀度的外延托盘。
背景技术
外延托盘是金属有机化合物化学气相沉积(英文：Metal-organic ChemicalVapor Deposition，简称：MOCVD)设备的一部分，且外延托盘通常位于MOCVD设备的反应腔内。外延托盘通常为圆柱体，外延托盘的一端的端面上设置有多个同心的凹槽圈，每个凹槽圈都包括多个沿外延托盘的周向均匀分布的圆形凹槽。外延托盘的另一端的端面与MOCVD设备的驱动结构相连。
在制备外延片时，需要将衬底一一对应放在每个圆形凹槽内，衬底被支撑在圆形凹槽的底面上。后续向MOCVD设备的反应腔通入反应气流，反应气流在衬底上进行生长以得到外延片。但由于衬底在制备得到之后，衬底本身的表面存在一定的凹凸不平的区域，衬底表面的凹凸不平的区域的温度不同，会导致在衬底上生长得到的外延片的均匀性不够好，最终由外延片制备得到的发光器件的发光均匀度较差。
发明内容
本公开实施例提供了一种提高外延片发光均匀度的外延托盘，能够提高在衬底上生长的外延材料的均匀度以提高最终得到的外延片的发光均匀度。所述技术方案如下：
本公开实施例提供了一种外延托盘，所述外延托盘为圆柱体，所述外延托盘的一端的端面具有多个同心的凹槽圈，每个所述凹槽圈都包括多个沿所述外延托盘的周向均匀分布的支撑结构，
每个所述支撑结构均包括圆形凹槽与多个第一支撑凸起，所述圆形凹槽位于所述外延托盘的一端的端面，所述多个第一支撑凸起均相互间隔地分布在所述圆形凹槽的底面，每个所述第一支撑凸起的高度均小于所述圆形凹槽的周壁的高度，每个所述第一支撑凸起在所述圆形凹槽的底面的正投影呈波浪形，且每个所述多个第一支撑凸起在所述圆形凹槽的底面的正投影的首尾的连线相互平行，所述连线垂直于所述外延托盘的一条直径。
可选地，相邻的两个所述第一支撑凸起对应的所述连线之间的距离为0.5～1.5cm。
可选地，在所述外延托盘的径向上，每个所述第一支撑凸起具有的最大宽度为20～40μm。
可选地，每个所述第一支撑凸起在所述外延托盘的径向上的横截面的最小宽度为2～10μm。
可选地，所述多个第一支撑凸起均位于所述圆形凹槽的底面的圆形区域，所述圆形区域与所述圆形凹槽的底面同心，且所述圆形凹槽的直径比所述圆形凹槽的底面的直径小1～2cm。
可选地，所述第一支撑凸起的高度为0.05～0.1mm。
可选地，所述支撑结构还包括多个与所述第一支撑凸起等高的第二支撑凸起，多个所述第二支撑凸起沿所述圆形凹槽的周向间隔分布在所述圆形凹槽的周壁上，每个所述第二支撑凸起在所述圆形凹槽的底面的正投影与所述连线的延伸直线不重合。
可选地，每个所述第二支撑凸起的表面均具有多个沿所述圆形凹槽的周向间隔分布的条形槽，所述条形槽的长度方向平行于所述外延托盘的轴线。
可选地，相邻的两个所述条形槽之间的距离为0.5～1.0mm。
可选地，所述条形槽的高度为50～200μm。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
呈圆柱体的外延托盘的端面具有的凹槽圈都包括多个支撑结构，每个支撑结构包括圆形凹槽和多个间隔分布在圆形凹槽的底面上的第一支撑凸起，第一支撑凸起的高度均小于圆形凹槽的周壁的高度，可以保证第一支撑凸起起到对衬底的支撑作用的同时，圆形凹槽的周壁可以对衬底进行有效限位，以避免衬底脱出圆形凹槽。衬底放置到圆形凹槽内时，由于衬底凸起的区域传热相对衬底凹陷的区域传热慢，因此可以使衬底凸起的区域与支撑于第一支撑凸起上，固体传热快，提高传热速度，而尽量使衬底凹陷的区域位于多个第一支撑凸起的间隙之间，气体传热慢，降低凹陷区域的传热速度，使得衬底表面的温度更为均匀。而每个第一支撑凸起在圆形凹槽的底面的正投影呈波浪形，且每个多个第一支撑凸起在圆形凹槽的底面的正投影的首尾的连线相互平行，每个多个第一支撑凸起在圆形凹槽的底面的正投影的首尾的连线垂直于外延托盘的一条直径。较为符合衬底的翘曲模型，可以使衬底的凸起区域可以大部分支撑在第一支撑凸起上，而衬底的凹陷的区域可以支撑于第一支撑凸起之间的间隙内进行气体传热，有效调节衬底的温度较为均匀，以提高在衬底上生长的外延材料的均匀度以提高最终得到的外延片的发光均匀度。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的外延托盘的俯视图；
图2是本公开实施例提供的支撑结构的放大图；
图3是本公开实施例提供的外延托盘的结构示意图；
图4是本公开实施例提供的第二支撑凸起的放大示意图；
图5是本公开实施例提供的一种发光二极管外延片制备方法流程图；
图6是本公开实施例提供的发光二极管外延片的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
为便于理解，此处先对平边衬底的结构进行说明，图1是本公开实施例提供的外延托盘的俯视图，参考图1可知，本公开实施例提供了一种用于提高外延片的生长均匀度的外延托盘，外延托盘为圆柱体，外延托盘的一端的端面具有多个同心的凹槽圈1，每个凹槽圈1都包括多个沿外延托盘的周向均匀分布的支撑结构11。
图2是本公开实施例提供的支撑结构的放大图，参考图1与图2可知，每个支撑结构11均包括圆形凹槽111与多个第一支撑凸起112，圆形凹槽111位于外延托盘的一端的端面，多个第一支撑凸起112均相互间隔地分布在圆形凹槽111的底面，每个第一支撑凸起112的高度H1均小于圆形凹槽111的周壁的高度H2，每个第一支撑凸起112在圆形凹槽111的底面的正投影呈波浪形，且每个多个第一支撑凸起112在圆形凹槽111的底面的正投影的首尾的连线S相互平行，连线S垂直于外延托盘的一条直径。
呈圆柱体的外延托盘的端面具有的凹槽圈1都包括多个支撑结构11，每个支撑结构11包括圆形凹槽111和多个间隔分布在圆形凹槽111的底面上的第一支撑凸起112，第一支撑凸起112的高度均小于圆形凹槽111的周壁的高度，可以保证第一支撑凸起112起到对衬底的支撑作用的同时，圆形凹槽111的周壁可以对衬底进行有效限位，以避免衬底脱出圆形凹槽111。衬底放置到圆形凹槽111内时，由于衬底凸起的区域传热相对衬底凹陷的区域传热慢，因此可以使衬底凸起的区域与支撑于第一支撑凸起112上，固体传热快，提高传热速度，而尽量使衬底凹陷的区域位于多个第一支撑凸起112的间隙之间，气体传热慢，降低凹陷区域的传热速度，使得衬底表面的温度更为均匀。而每个第一支撑凸起112在圆形凹槽111的底面的正投影呈波浪形，且每个多个第一支撑凸起112在圆形凹槽111的底面的正投影的首尾的连线相互平行，每个多个第一支撑凸起112在圆形凹槽111的底面的正投影的首尾的连线垂直于外延托盘的一条直径。较为符合衬底的翘曲模型，可以使衬底的凸起区域可以大部分支撑在第一支撑凸起112上，而衬底的凹陷的区域可以支撑于第一支撑凸起112之间的间隙内进行气体传热，有效调节衬底的温度较为均匀，以提高在衬底上生长的外延材料的均匀度以提高最终得到的外延片的发光均匀度。
衬底的表面的凹陷区域与凸起区域，可以选取一个参考平面，相对于此参考平面，衬底的表面的凹陷的部分为凹陷区域，衬底表面凸起的部分为凸起区域。参考平面可以是虚拟平面也可以是较为平整的工件的表面之类的，凸起和凹陷的测量可以依据测量卡尺等进行。
需要说明的是，衬底的温度对外延片的厚度有直接影响，温度高的位置外延片沉积快外延片厚度大，温度低的位置外延片沉积慢外延片厚度小，因此衬底温度均匀时，在衬底上沉积的外延片的厚度也较为均匀，出光较为均匀。对于部分包括In组分的发光层来说，In组分在温度均匀的情况下分布会更均匀，且In组分分布较为均匀时，发光二极管的发光也较为均匀，因此衬底温度均匀，也可以提高出光波长的一致性。
需要说明的是，第一支撑凸起112的正投影的首尾的连线S为第一支撑凸起112的正投影的延伸方向的首尾的连线S，具体可参见图2。第一支撑凸起112具有平行于圆形凹槽111的底面的第一表面1121，第一表面1121用于支撑衬底。
可选地，相邻的两个第一支撑凸起112对应的连线S之间的距离D1为0.5～1.5cm。
相邻的两个第一支撑凸起112对应的连线S之间的距离D1在以上范围内时，第一支撑凸起112可以有效控制传递到衬底的热量，衬底上的温度的传递较为均匀，可以保证最终得到的外延片的生长质量较为均匀。
示例性地，每相邻的两个第一支撑凸起112对应的连线S之间的距离D1均相等。
每相邻的两个第一支撑凸起112所对应的连线S之间的距离D1均相等，圆形凹槽111内存在的第一支撑凸起112可以更有效地缓解衬底存在的翘曲问题，得到的外延片的生长均匀度可以得到提高，保证最终得到的外延片的发光均匀度较好。
需要说明的是，相邻的两个第一支撑凸起112所对应的连线S均为两个第一支撑凸起112在圆形凹槽111的底面的正投影的首尾之间的连接。
示例性地，每个第一支撑凸起112在圆形凹槽111的底面的正投影包括多个交替相连的第一半环形与第二半环形，第一半环形的厚度与第二半环形的厚度相等，每个第一半环形的端部均与一个第二半环形的端面贴合相连。
可以得到分布较为均匀的第一支撑凸起112，并且第一支撑凸起112也易于制备，能够得到生长质量均匀度较高的外延片。
需要说明的是，第一半环形与第二半环形所对应的圆心角均为180°。可以保证第一支撑凸起112质量较为稳定。
为便于理解，在图2中将第一半环形与第二半环形分别标识为C1与C2。
示例性地，第一半环形的内径可为5～15μm。
第一半环形的内径在以上范围内，可以保证第一支撑凸起112具有足够的空间对热量进行稳定传递，保证最终得到的外延片的生长均匀度。
在本公开所提供的其他实现方式中，第一半环形的内径也可为5～10μm。本公开对此不做限制。
可选地，在外延托盘的径向上，每个第一支撑凸起112具有的最大宽度B1为20～40μm。
每个第一支撑凸起112具有的最大宽度B1在以上范围内时，第一支撑凸起112所覆盖的范围以及第一支撑凸起112由于蜿蜒而存在的间隙的范围较为合理，可以较为均匀地控制最终传递到衬底的表面的热量，以保证衬底上最终得到的外延片的生长质量较为均匀。
在本公开所提供的其他实现方式中，每个第一支撑凸起112具有的最大宽度B1也可为20～30μm。本公开对此不做限制。
可选地，每个第一支撑凸起112在外延托盘的径向上的横截面的最小宽度B2为2～10μm。
每个第一支撑凸起112在外延托盘的径向上的横截面的最小宽度B2在以上范围内时，第一支撑凸起112的制备成本较为合理，且可以控制第一支撑凸起112起到良好的控制热量均匀传递的作用，保证最终得到的外延片的均匀度较高。
需要说明的是，第一支撑凸起112在外延托盘的径向上的横截面，为平行于外延托盘的径向，并且垂直于外延托盘的平面，在第一支撑凸起112上截取的横截面。且每个第一支撑凸起112在外延托盘的径向上的横截面的最小宽度B2，等于第一支撑凸起112的正投影所包括的第一半环形的厚度。
可选地，多个第一支撑凸起112均位于圆形凹槽111的底面的圆形区域，圆形区域与圆形凹槽111的底面同心，且圆形凹槽111的直径比圆形凹槽111的底面的直径小1～2cm。
第一支撑凸起112均分布在圆形凹槽111底面所具有的圆形区域，并且圆形区域的直径比圆形凹槽111的底面的直径小1～2cm。第一支撑凸起112具有足够的安装空间，并且第一支撑凸起112不会受到圆形凹槽111的侧壁的热量的影响，保证第一支撑凸起112可以对衬底的底面进行稳定传热。
示例性地，多个第一支撑凸起112中，每个第一支撑凸起112的端部均与圆形区域的边相接。可以保证对衬底的稳定传热。圆形区域在图2中可标识为E。
示例性地，第一支撑凸起112的个数可为5～15。
第一支撑凸起112的个数在以上范围内时，对衬底进行均匀传热的效果较好。
图3是本公开实施例提供的外延托盘的结构示意图，参考图3可知，第一支撑凸起112的高度H1为0.05～0.1mm。
第一支撑凸起112的高度H1在以上范围内时，第一支撑凸起112的制备成本较为合理，且可以实现对衬底的有效传热。
需要说明的是，第一支撑凸起112的高度H1小于圆形凹槽111的周壁的高度H2，并且第一支撑凸起112的高度H1为圆形凹槽111的周壁的高度H2的1/4～1/2。可以保证第一支撑凸起112对衬底进行良好的支撑，并保证衬底能够被圆形凹槽111有效限位。
参考图2与图3可知，支撑结构11还包括多个与第一支撑凸起112等高的第二支撑凸起113，多个第二支撑凸起113沿圆形凹槽111的周向间隔分布在圆形凹槽111的周壁上，每个第二支撑凸起113在圆形凹槽111的底面的正投影与连线S的延伸直线不重合。
第二支撑凸起113的增加，可以与第一支撑凸起112配合，实现对衬底的有效支撑与固定，并且，每个第二支撑凸起113在圆形凹槽111的底面的正投影与连线S的延伸直线不重合，可以避免第一支撑凸起112与第二支撑凸起113与衬底接触的部分重合，而导致衬底某一部位的传热较高，保证衬底整体受热较为均匀。
在本公开所提供的一种实现方式中，第二支撑凸起113可具有第二表面1131，第二表面1131与第一表面1121在同一平面上，以用于支撑衬底。
示例性地，每个第二支撑凸起113上的条形槽的个数为1～4。能够保证制备成本较低的同时控制衬底良好受热。
在本公开所提供的其他实现方式中，每个第二支撑凸起113上的条形槽的个数也可为1或2个，本公开对此不做限制。
图4是本公开实施例提供的第二支撑凸起的放大示意图，参考图4可知，每个第二支撑凸起113的表面均具有多个沿圆形凹槽111的周向间隔分布的条形槽1131，条形槽1131的长度方向平行于外延托盘的轴线。
第二支撑凸起113上多个条形槽1131的增加，可以减小第二支撑凸起113的表面与衬底的接触面积，以降低第二支撑凸起113对衬底的边缘传热的影响，保证衬底整体的传热效果较为均匀且较为稳定。
可选地，条形槽1131可由第二支撑凸起113的第二表面1132延伸至第二支撑凸起113的中部。能够保证制备成本较低的同时控制衬底良好受热。
示例性地，条形槽1131的高度H3可为50～200μm。能够保证制备成本较低的同时控制衬底良好受热。
在本公开所提供的其他实现方式中，条形槽1131的高度H3也可为80～120μm，本公开对此不做限制。
示例性地，条形槽1131的长度L可为15～50μm。能够保证制备成本较低的同时控制衬底良好受热。
在本公开所提供的其他实现方式中，条形槽1131的长度L也可为20～30μm，本公开对此不做限制。
可选地，条形槽1131的宽度B3可为10～40μm。能够保证制备成本较低的同时控制衬底良好受热。
在本公开所提供的其他实现方式中，条形槽1131的宽度B3也可为15～25μm，本公开对此不做限制。
示例性地，条形槽1131被平行于第一表面1121的平面多截取的横截面的形状为梯形。可以保证条形槽1131与衬底的接触面积较小，保证衬底的稳定传热。
在本公开所提供的其他实现方式中，条形槽1131被平行于第一表面1121的平面多截取的横截面的形状可为长方形、正方形或者类圆形，本公开对此不做限制。
可选地，相邻的两个条形槽1131之间的距离D2为0.5～1.0mm。
相邻的两个条形槽1131之间的距离D2在以上范围内时，可以保证第二支撑凸起113对衬底的支撑强度的同时有效减小第二支撑凸起113对衬底的受热的影响，保证衬底的稳定传热。
示例性地，每个第二支撑凸起113上的相邻的两个条形槽1131之间的距离D2均相等。可以便于第二支撑凸起113的制备且衬底整体受热也较为均匀。
由于在外延托盘内圆形凹槽上生长得到的外延片通常用于制备发光二极管，此处可提供在本公开所提供的外延托盘上生长得到的发光二极管外延片的制备过程，具体过程可参考图5。
图5是本公开实施例提供的一种发光二极管外延片制备方法流程图，参考图5可知，本公开实施例提供了一种发光二极管外延片制备方法，发光二极管外延片制备方法包括：
S201：提供一外延托盘，外延托盘为圆柱体，外延托盘的一端的端面具有多个同心的凹槽圈，每个凹槽圈都包括多个沿外延托盘的周向均匀分布的支撑结构。每个支撑结构均包括圆形凹槽与多个第一支撑凸起，圆形凹槽位于外延托盘的一端的端面，多个第一支撑凸起均相互间隔地分布在圆形凹槽的底面，每个第一支撑凸起的高度均小于圆形凹槽的周壁的高度，每个第一支撑凸起在圆形凹槽的底面的正投影呈波浪形，且每个多个第一支撑凸起在圆形凹槽的底面的正投影的首尾的连线相互平行，连线垂直于外延托盘的一条直径。
S202：在每个圆形凹槽内放置衬底，衬底支撑于第一支撑凸起上。
其中，衬底可为蓝宝石衬底。易于实现与制作。
S203：在衬底上生长GaN缓冲层。
示例性地，GaN缓冲层的生长温度可为530～560℃，压力可为200～500mtorr。得到的GaN缓冲层的质量较好。
S204：在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层。
非掺杂GaN层的厚度可为0.5～3um。
示例性地，非掺杂GaN层的生长温度可为1000～1100℃，生长压力控制在100～300torr。得到的非掺杂GaN层的质量较好。
S205：在非掺杂GaN层上生长n型层。
可选地，n型层为n型GaN层，n型GaN层的生长温度可为1000～1100℃，n型GaN层的生长压力可为100～300Torr。
可选地，n型GaN层的厚度可为0.5～3um。
S206：在n型层上生长发光层。
发光层可以包括交替生长的InGaN阱层和GaN垒层。反应室压力控制在200torr。生长InGaN阱层时，反应室温度为760～780℃。生长GaN垒层时，反应室温度为860～890℃。得到的发光层的质量较好。
S207：在发光层上生长AlGaN电子阻挡层。
AlGaN电子阻挡层的生长温度可为800～1000℃，AlGaN电子阻挡层的生长压力可为100～300Torr。在此条件下生长得到的AlGaN电子阻挡层的质量较好，有利于提高发光二极管的发光效率。
S208：在AlGaN电子阻挡层上生长p型层。
可选地，p型层为p型GaN层，p型GaN层的生长压力可为200～600Torr，p型GaN层的生长温度可为800～1000℃。
S209：在p型GaN层上生长p型接触层。
可选地，p型接触层的生长压力可为100～300Torr，p型接触层的生长温度可为800～1000℃。
需要说明的是，在本公开实施例中，采用VeecoK 465i or C4 or RB MOCVD(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现发光二极管的生长方法。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。
执行完步骤S209后的发光二极管外延片的结构可参见图6。
图6是本公开实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图，参考图6可知，在本公开提供的一种实现方式中，得到的发光二极管外延片可包括衬底1及生长在衬底1上的GaN缓冲层2、非掺杂GaN层3、n型GaN层4、发光层5、AlGaN电子阻挡层6、p型GaN层7及p型接触层8。
需要说明的是，图6中所示的发光二极管外延片仅用于示例，在本公开所提供的其他实现方式中，外延托盘也可以用于生长其他类型的发光二极管外延片，或者生长不同的半导体外延片，本公开对此不做限制。
以上所述，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种外延托盘，其特征在于，所述外延托盘为圆柱体，所述外延托盘的一端的端面具有多个同心的凹槽圈，每个所述凹槽圈都包括多个沿所述外延托盘的周向均匀分布的支撑结构，
每个所述支撑结构均包括圆形凹槽与多个第一支撑凸起，所述圆形凹槽位于所述外延托盘的一端的端面，所述多个第一支撑凸起均相互间隔地分布在所述圆形凹槽的底面，每个所述第一支撑凸起的高度均小于所述圆形凹槽的周壁的高度，每个所述第一支撑凸起在所述圆形凹槽的底面的正投影呈波浪形，且每个所述多个第一支撑凸起在所述圆形凹槽的底面的正投影的首尾的连线相互平行，所述连线垂直于所述外延托盘的一条直径。
2.根据权利要求1所述的外延托盘，其特征在于，相邻的两个所述第一支撑凸起对应的所述连线之间的距离为0.5～1.5cm。
3.根据权利要求1所述的外延托盘，其特征在于，在所述外延托盘的径向上，每个所述第一支撑凸起具有的最大宽度为20～40μm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的外延托盘，其特征在于，每个所述第一支撑凸起在所述外延托盘的径向上的横截面的最小宽度为2～10μm。
5.根据权利要求1～3任一项所述的外延托盘，其特征在于，所述多个第一支撑凸起均位于所述圆形凹槽的底面的圆形区域，所述圆形区域与所述圆形凹槽的底面同心，且所述圆形凹槽的直径比所述圆形凹槽的底面的直径小1～2cm。
6.根据权利要求1～3任一项所述的外延托盘，其特征在于，所述第一支撑凸起的高度为0.05～0.1mm。
7.根据权利要求1～3任一项所述的外延托盘，其特征在于，所述支撑结构还包括多个与所述第一支撑凸起等高的第二支撑凸起，多个所述第二支撑凸起沿所述圆形凹槽的周向间隔分布在所述圆形凹槽的周壁上，每个所述第二支撑凸起在所述圆形凹槽的底面的正投影与所述连线的延伸直线不重合。
8.根据权利要求7所述的外延托盘，其特征在于，每个所述第二支撑凸起的表面均具有多个沿所述圆形凹槽的周向间隔分布的条形槽，所述条形槽的长度方向平行于所述外延托盘的轴线。
9.根据权利要求8所述的外延托盘，其特征在于，相邻的两个所述条形槽之间的距离为0.5～1.0mm。
10.根据权利要求8所述的外延托盘，其特征在于，所述条形槽的高度为50～200μm。
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