JP2013534060A5 - - Google Patents
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本明細書において記述される種々の従属請求項及び他の特徴は、初期の請求項において提示されるのとは異なる方法において組み合わせることができることは理解されよう。また、個々の実施形態との関連で説明された特徴は、記述される実施形態のうちの他の実施形態と共用できることも理解されよう。
なお、出願当初の特許請求の範囲は以下の通りである。
(請求項1)
パッケージ化された超小型電子素子であって、
前面と、該前面から離れるように延在する複数の固体金属ポストとを有する超小型電子素子と、
主面と、該主面において露出する複数の導電性素子とを有する基板であって、該導電性素子は前記固体金属ポストに接合される、基板と、
を備え、
各固体金属ポストは、前記超小型電子素子に隣接するベース領域と、前記超小型電子素子から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域はそれぞれ凹形の外周面を有し、
各固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第1の関数であり且つ前記先端領域内の垂直位置の第2の関数である、
パッケージ化された超小型電子素子。
(請求項2)
各固体金属ポストは、前記ベース領域と前記先端領域との間に位置する少なくとも1つの中間領域を更に含み、該中間領域は凹形の外周面を有し、各固体金属ポストの前記水平寸法は、前記中間領域内の垂直位置の第3の関数である、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子。
(請求項3)
各固体金属ポストは、前記前面の方向における幅と、前記前面から延在する高さとを有し、前記高さは前記幅の少なくとも半分である、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項4)
前記固体金属ポストは可融金属を用いて前記導電性素子に接合される、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項5)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項4に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項6)
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各固体金属ポストは、前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも1つと接触しない、請求項5に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項7)
前記ハンダは、いずれの固体金属ポストの前記ベース領域とも接触しない、請求項5に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項8)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項4に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項9)
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の25%〜50%である、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項10)
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の少なくとも40%である、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項11)
前記固体金属ポスト及び前記導電性素子は、互いに拡散結合される、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項12)
前記第1の関数及び前記第2の関数は、著しく異なる、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項13)
垂直位置に対する水平寸法の傾きは、前記固体金属ポストの前記ベース領域と前記先端領域との間の境界において急激に変化する、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項14)
前記固体金属ポスト及び前記導電性素子は本質的に銅からなる、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項15)
前記導電性素子は、導電性パッドを含み、該パッドは、前記固体金属ポストに接合される、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項16)
前記固体金属ポストは、第1の固体金属ポストであり、前記導電性素子は、前記主面の上方に延在し且つ前記第1の固体金属ポストに接合される複数の第2の固体金属ポストを含み、前記第2の固体金属ポストは、前記基板の主面から離れた上面と、該上面から大きな角度を成して離れるように延在するエッジ面とを有する、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項17)
前記第1の固体金属ポストは、可融金属を用いて前記第2の固体金属ポストに接合される、請求項16に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項18)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項17に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項19)
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各第1の固体金属ポストは、前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも1つと接触しない、請求項18に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項20)
前記可融金属はハンダを含み、前記ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項17に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項21)
前記第1の固体金属ポスト及び前記第2の固体金属ポストは、互いに拡散結合される、請求項16に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項22)
各第2の固体金属ポストは、前記基板に隣接するベース領域と、前記基板から離れた先端領域とを含み、各第2の固体金属ポストの前記ベース領域及び前記先端領域はそれぞれ凹形の外周面を有し、各第2の固体金属ポストは、前記ベース領域内の垂直位置の第3の関数であり且つ前記先端領域内の垂直位置の第4の関数である水平寸法を有する、請求項16に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項23)
各第2の固体金属ポストは、前記主面の方向における幅と、前記主面から延在する高さとを有し、前記高さは、前記幅の少なくとも半分である、請求項22に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項24)
前記第1の固体金属ポストは、可融金属を用いて前記第2の固体金属ポストに接合される、請求項22に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項25)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項24に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項26)
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各第1の固体金属ポストは前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも1つと接触しない、請求項25に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項27)
前記ハンダは、いずれの固体金属ポストの前記ベース領域とも接触しない、請求項25に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項28)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項24に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項29)
前記第1の固体金属ポスト及び前記第2の固体金属ポストは、互いに拡散結合される、請求項22に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項30)
前記第1の関数は、前記第3の関数と同じであり、前記第2の関数は、前記第4の関数と同じである、請求項22に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項31)
パッケージ化された超小型電子素子であって、
前面と、該前面の上方に突出する複数の第1の固体金属ポストとを有する超小型電子素子であって、前記第1の固体金属ポストは、前記前面から離れた上面と、該前面から大きな角度を成して離れるように延在するエッジ面とを有する、超小型電子素子と、
主面と、該主面から延在し、かつ前記第1の固体金属ポストに接合される複数の第2の固体金属ポストとを有する基板と、
を備え、
各第2の固体金属ポストは、前記超小型電子素子に隣接するベース領域と、前記超小型電子素子から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域は、それぞれ凹形の外周面を有し、
各第2の固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第1の関数であり、かつ前記先端領域内の垂直位置の第2の関数である、パッケージ化された超小型電子素子。
(請求項32)
各第1の固体金属ポストは切頭円錐形状を有する、請求項31に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項33)
各第2の固体金属ポストは、前記主面の方向における幅と、前記主面から延在する高さとを有し、該高さは前記幅の少なくとも半分である、請求項31に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項34)
前記第1の固体金属ポストは、可融金属を用いて前記第2の固体金属ポストに接合される、請求項31に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項35)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項34に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項36)
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各第1の固体金属ポストは、前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも1つと接触しない、請求項35に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項37)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項34に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項38)
前記第1の固体金属ポスト及び前記第2の固体金属ポストは、互いに拡散結合される、請求項31に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項39)
パッケージ化された超小型電子素子を組み立てる方法であって、
(a)前面と、該前面の垂直方向上方に突出する複数の固体金属ポストとを有する超小型電子素子を配設するステップであって、各固体金属ポストは、該前面に隣接するベース領域と、該前面から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域は、それぞれ凹形の外周面を有し、各固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第1の関数であり、かつ前記先端領域内の垂直位置の第2の関数である、配設するステップと、
(b)前記複数の固体金属ポストを、基板の主面において露出する複数の導電性素子と少なくとも実質的に位置合わせするステップと、
(c)前記超小型電子素子の前記固体金属ポストを、前記基板の導電性素子と接合するステップと、
を含む、方法。
(請求項40)
前記ステップ(c)は、可融金属を融解温度まで加熱することを含み、前記可融金属は、前記固体金属ポストのエッジ面の露出した部分に流れ出す、請求項39に記載の方法。
(請求項41)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項40に記載の方法。
(請求項42)
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各固体金属ポストは前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも1つと接触しない、請求項41に記載の方法。
(請求項43)
前記ハンダは、任意の固体金属ポストの前記ベース領域と接触しない、請求項41に記載の方法。
(請求項44)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項40に記載の方法。
(請求項45)
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の25%〜50%である、請求項39に記載の方法。
(請求項46)
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の少なくとも40%である、請求項39に記載の方法。
(請求項47)
パッシベーション層及びアンダーバンプメタライゼーション層が、前記超小型電子素子上に堆積される、請求項39に記載の方法。
なお、出願当初の特許請求の範囲は以下の通りである。
(請求項1)
パッケージ化された超小型電子素子であって、
前面と、該前面から離れるように延在する複数の固体金属ポストとを有する超小型電子素子と、
主面と、該主面において露出する複数の導電性素子とを有する基板であって、該導電性素子は前記固体金属ポストに接合される、基板と、
を備え、
各固体金属ポストは、前記超小型電子素子に隣接するベース領域と、前記超小型電子素子から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域はそれぞれ凹形の外周面を有し、
各固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第1の関数であり且つ前記先端領域内の垂直位置の第2の関数である、
パッケージ化された超小型電子素子。
(請求項2)
各固体金属ポストは、前記ベース領域と前記先端領域との間に位置する少なくとも1つの中間領域を更に含み、該中間領域は凹形の外周面を有し、各固体金属ポストの前記水平寸法は、前記中間領域内の垂直位置の第3の関数である、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子。
(請求項3)
各固体金属ポストは、前記前面の方向における幅と、前記前面から延在する高さとを有し、前記高さは前記幅の少なくとも半分である、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項4)
前記固体金属ポストは可融金属を用いて前記導電性素子に接合される、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項5)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項4に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項6)
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各固体金属ポストは、前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも1つと接触しない、請求項5に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項7)
前記ハンダは、いずれの固体金属ポストの前記ベース領域とも接触しない、請求項5に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項8)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項4に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項9)
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の25%〜50%である、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項10)
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の少なくとも40%である、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項11)
前記固体金属ポスト及び前記導電性素子は、互いに拡散結合される、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項12)
前記第1の関数及び前記第2の関数は、著しく異なる、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項13)
垂直位置に対する水平寸法の傾きは、前記固体金属ポストの前記ベース領域と前記先端領域との間の境界において急激に変化する、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項14)
前記固体金属ポスト及び前記導電性素子は本質的に銅からなる、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項15)
前記導電性素子は、導電性パッドを含み、該パッドは、前記固体金属ポストに接合される、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項16)
前記固体金属ポストは、第1の固体金属ポストであり、前記導電性素子は、前記主面の上方に延在し且つ前記第1の固体金属ポストに接合される複数の第2の固体金属ポストを含み、前記第2の固体金属ポストは、前記基板の主面から離れた上面と、該上面から大きな角度を成して離れるように延在するエッジ面とを有する、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項17)
前記第1の固体金属ポストは、可融金属を用いて前記第2の固体金属ポストに接合される、請求項16に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項18)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項17に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項19)
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各第1の固体金属ポストは、前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも1つと接触しない、請求項18に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項20)
前記可融金属はハンダを含み、前記ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項17に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項21)
前記第1の固体金属ポスト及び前記第2の固体金属ポストは、互いに拡散結合される、請求項16に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項22)
各第2の固体金属ポストは、前記基板に隣接するベース領域と、前記基板から離れた先端領域とを含み、各第2の固体金属ポストの前記ベース領域及び前記先端領域はそれぞれ凹形の外周面を有し、各第2の固体金属ポストは、前記ベース領域内の垂直位置の第3の関数であり且つ前記先端領域内の垂直位置の第4の関数である水平寸法を有する、請求項16に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項23)
各第2の固体金属ポストは、前記主面の方向における幅と、前記主面から延在する高さとを有し、前記高さは、前記幅の少なくとも半分である、請求項22に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項24)
前記第1の固体金属ポストは、可融金属を用いて前記第2の固体金属ポストに接合される、請求項22に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項25)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項24に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項26)
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各第1の固体金属ポストは前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも1つと接触しない、請求項25に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項27)
前記ハンダは、いずれの固体金属ポストの前記ベース領域とも接触しない、請求項25に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項28)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項24に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項29)
前記第1の固体金属ポスト及び前記第2の固体金属ポストは、互いに拡散結合される、請求項22に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項30)
前記第1の関数は、前記第3の関数と同じであり、前記第2の関数は、前記第4の関数と同じである、請求項22に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項31)
パッケージ化された超小型電子素子であって、
前面と、該前面の上方に突出する複数の第1の固体金属ポストとを有する超小型電子素子であって、前記第1の固体金属ポストは、前記前面から離れた上面と、該前面から大きな角度を成して離れるように延在するエッジ面とを有する、超小型電子素子と、
主面と、該主面から延在し、かつ前記第1の固体金属ポストに接合される複数の第2の固体金属ポストとを有する基板と、
を備え、
各第2の固体金属ポストは、前記超小型電子素子に隣接するベース領域と、前記超小型電子素子から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域は、それぞれ凹形の外周面を有し、
各第2の固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第1の関数であり、かつ前記先端領域内の垂直位置の第2の関数である、パッケージ化された超小型電子素子。
(請求項32)
各第1の固体金属ポストは切頭円錐形状を有する、請求項31に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項33)
各第2の固体金属ポストは、前記主面の方向における幅と、前記主面から延在する高さとを有し、該高さは前記幅の少なくとも半分である、請求項31に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項34)
前記第1の固体金属ポストは、可融金属を用いて前記第2の固体金属ポストに接合される、請求項31に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項35)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項34に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項36)
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各第1の固体金属ポストは、前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも1つと接触しない、請求項35に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項37)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項34に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項38)
前記第1の固体金属ポスト及び前記第2の固体金属ポストは、互いに拡散結合される、請求項31に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
(請求項39)
パッケージ化された超小型電子素子を組み立てる方法であって、
(a)前面と、該前面の垂直方向上方に突出する複数の固体金属ポストとを有する超小型電子素子を配設するステップであって、各固体金属ポストは、該前面に隣接するベース領域と、該前面から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域は、それぞれ凹形の外周面を有し、各固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第1の関数であり、かつ前記先端領域内の垂直位置の第2の関数である、配設するステップと、
(b)前記複数の固体金属ポストを、基板の主面において露出する複数の導電性素子と少なくとも実質的に位置合わせするステップと、
(c)前記超小型電子素子の前記固体金属ポストを、前記基板の導電性素子と接合するステップと、
を含む、方法。
(請求項40)
前記ステップ(c)は、可融金属を融解温度まで加熱することを含み、前記可融金属は、前記固体金属ポストのエッジ面の露出した部分に流れ出す、請求項39に記載の方法。
(請求項41)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆う、請求項40に記載の方法。
(請求項42)
前記前面に位置する複数の導電性パッドを更に備え、各固体金属ポストは前記複数の導電性パッドの個々のパッドから延在し、前記ハンダは、前記複数の導電性パッドの少なくとも1つと接触しない、請求項41に記載の方法。
(請求項43)
前記ハンダは、任意の固体金属ポストの前記ベース領域と接触しない、請求項41に記載の方法。
(請求項44)
前記可融金属はハンダを含み、該ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項40に記載の方法。
(請求項45)
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の25%〜50%である、請求項39に記載の方法。
(請求項46)
各固体金属ポストの高さは、前記超小型電子素子の前面と、前記基板の主面との間の距離の少なくとも40%である、請求項39に記載の方法。
(請求項47)
パッシベーション層及びアンダーバンプメタライゼーション層が、前記超小型電子素子上に堆積される、請求項39に記載の方法。
Claims (12)
- パッケージ化された超小型電子素子であって、
前面と、該前面から離れるように延在する複数の固体金属ポストとを有する超小型電子素子と、
主面と、該主面において露出する複数の導電性素子とを有する基板であって、該導電性素子は前記固体金属ポストに接合される、基板と、
を備え、
各固体金属ポストは、前記超小型電子素子に隣接するベース領域と、前記超小型電子素子から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域はそれぞれ凹形の外周面を有し、
各固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第1の関数であり且つ前記先端領域内の垂直位置の第2の関数である、
パッケージ化された超小型電子素子。 - 前記固体金属ポストはハンダを用いて前記導電性素子に接合され、前記ハンダは各固体金属ポストのエッジ面の少なくとも一部を覆い、前記ハンダは、いずれの固体金属ポストの前記ベース領域とも接触しない、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
- 前記ハンダは、前記超小型電子素子の前面と接触しない、請求項2に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
- 前記固体金属ポストはハンダを用いて前記導電性素子に接合され、前記ハンダは、各固体金属ポストの上面のみと接触する、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
- 前記各固体金属ポスト内において、前記ベース領域及び前記先端領域が、金属の単一体として形成される、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
- 前記固体金属ポストは、複数行の固体金属ポスト及び複数列の固体金属ポストを有するアレイ状に配置され、各固体金属ポストは、中心軸の回りの回転体の形をとる、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
- 前記ベース領域内の各固体金属ポストの水平寸法は、前記超小型電子素子の前面に隣接するそれぞれの固体金属ポストのベースにおける最小幅を規定する、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
- 前記固体金属ポストは、第1の固体金属ポストであり、前記導電性素子は、前記主面の上方に延在し且つ前記第1の固体金属ポストに接合される複数の第2の固体金属ポストを含み、前記第2の固体金属ポストは、前記基板の主面から離れた上面と、該上面から大きな角度を成して離れるように延在するエッジ面とを有する、請求項1に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
- 各第2の固体金属ポストは、前記基板に隣接するベース領域と、前記基板から離れた先端領域とを含み、各第2の固体金属ポストの前記ベース領域及び前記先端領域はそれぞれ凹形の外周面を有し、各第2の固体金属ポストは、前記ベース領域内の垂直位置の第3の関数であり且つ前記先端領域内の垂直位置の第4の関数である水平寸法を有する、請求項8に記載のパッケージ化された超小型電子素子。
- パッケージ化された超小型電子素子を組み立てる方法であって、
(a)前面と、該前面の垂直方向上方に突出する複数の固体金属ポストとを有する超小型電子素子を配設するステップであって、各固体金属ポストは、該前面に隣接するベース領域と、該前面から離れた先端領域とを含み、該ベース領域及び該先端領域は、それぞれ凹形の外周面を有し、各固体金属ポストは水平寸法を有し、該水平寸法は、前記ベース領域内の垂直位置の第1の関数であり、かつ前記先端領域内の垂直位置の第2の関数である、前記配設するステップと、
(b)前記複数の固体金属ポストを、基板の主面において露出する複数の導電性素子と少なくとも実質的に位置合わせするステップと、
(c)前記超小型電子素子の前記固体金属ポストを、前記基板の導電性素子と接合するステップと、
を含む、方法。 - 前記ステップ(c)は、ハンダを融解温度まで加熱することを含み、前記ハンダは、前記固体金属ポストのエッジ面のうちの露出した部分に流れ出し、前記ハンダは、任意の固体金属ポストの前記ベース領域には流れ出さない、請求項10に記載の方法。
- 前記固体金属ポストは、第1の固体金属ポストであり、前記導電性素子は、前記主面の上方に延在し且つ前記第1の固体金属ポストに接合される複数の第2の固体金属ポストを含み、前記第2の固体金属ポストは、前記基板の主面から離れた上面と、該上面から大きな角度を成して離れるように延在するエッジ面とを有し、前記接合するステップは、前記第1の固体金属ポストの先端が前記第2の固体金属ポストのうちの対応する固体金属ポストの上面と接合されるように行われる、請求項10に記載の方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8558379B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-10-15 | Tessera, Inc. | Flip chip interconnection with double post |
WO2009048604A2 (en) | 2007-10-10 | 2009-04-16 | Tessera, Inc. | Robust multi-layer wiring elements and assemblies with embedded microelectronic elements |
JP2010161136A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8330272B2 (en) * | 2010-07-08 | 2012-12-11 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with dual or multiple-etched flip-chip connectors |
US8482111B2 (en) | 2010-07-19 | 2013-07-09 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages |
US9159708B2 (en) | 2010-07-19 | 2015-10-13 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors |
US9640437B2 (en) | 2010-07-23 | 2017-05-02 | Tessera, Inc. | Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream |
US8580607B2 (en) | 2010-07-27 | 2013-11-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
US8847380B2 (en) | 2010-09-17 | 2014-09-30 | Tessera, Inc. | Staged via formation from both sides of chip |
US8610259B2 (en) | 2010-09-17 | 2013-12-17 | Tessera, Inc. | Multi-function and shielded 3D interconnects |
US8587126B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-11-19 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly with TSVs formed in stages with plural active chips |
US8736066B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-05-27 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assemby with TSVS formed in stages and carrier above chip |
US8610264B2 (en) | 2010-12-08 | 2013-12-17 | Tessera, Inc. | Compliant interconnects in wafers |
US8502340B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-08-06 | Tessera, Inc. | High density three-dimensional integrated capacitors |
US8742541B2 (en) | 2010-12-09 | 2014-06-03 | Tessera, Inc. | High density three-dimensional integrated capacitors |
US8853558B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-10-07 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
US20120146206A1 (en) * | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Tessera Research Llc | Pin attachment |
US8618659B2 (en) | 2011-05-03 | 2013-12-31 | Tessera, Inc. | Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
KR101128063B1 (ko) | 2011-05-03 | 2012-04-23 | 테세라, 인코포레이티드 | 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리 |
US8836136B2 (en) | 2011-10-17 | 2014-09-16 | Invensas Corporation | Package-on-package assembly with wire bond vias |
US8952529B2 (en) | 2011-11-22 | 2015-02-10 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device with conductive layer over substrate with vents to channel bump material and reduce interconnect voids |
JP2013115214A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、半導体素子、及び半導体装置の製造方法 |
US8653658B2 (en) * | 2011-11-30 | 2014-02-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Planarized bumps for underfill control |
US8633588B2 (en) | 2011-12-21 | 2014-01-21 | Mediatek Inc. | Semiconductor package |
US9659893B2 (en) | 2011-12-21 | 2017-05-23 | Mediatek Inc. | Semiconductor package |
TWI467718B (zh) * | 2011-12-30 | 2015-01-01 | Ind Tech Res Inst | 凸塊結構以及電子封裝接點結構及其製造方法 |
US8946757B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-02-03 | Invensas Corporation | Heat spreading substrate with embedded interconnects |
US8372741B1 (en) | 2012-02-24 | 2013-02-12 | Invensas Corporation | Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
US9553040B2 (en) | 2012-03-27 | 2017-01-24 | Mediatek Inc. | Semiconductor package |
US20130256895A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Michael Su | Stacked semiconductor components with universal interconnect footprint |
US9299674B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bump-on-trace interconnect |
US8835228B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-09-16 | Invensas Corporation | Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect |
US9391008B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-07-12 | Invensas Corporation | Reconstituted wafer-level package DRAM |
US9502390B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | BVA interposer |
US9111817B2 (en) * | 2012-09-18 | 2015-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bump structure and method of forming same |
CN202816916U (zh) * | 2012-10-10 | 2013-03-20 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 一种倒装封装装置 |
US9385098B2 (en) * | 2012-11-21 | 2016-07-05 | Nvidia Corporation | Variable-size solder bump structures for integrated circuit packaging |
US8878353B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-11-04 | Invensas Corporation | Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface |
CN103904050B (zh) * | 2012-12-28 | 2017-04-19 | 碁鼎科技秦皇岛有限公司 | 封装基板、封装基板制作方法及封装结构 |
US9136254B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-09-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer |
TWI490962B (zh) * | 2013-02-07 | 2015-07-01 | Univ Nat Chiao Tung | 電性連接結構及其製備方法 |
US9167710B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-10-20 | Invensas Corporation | Embedded packaging with preformed vias |
US9685365B2 (en) | 2013-08-08 | 2017-06-20 | Invensas Corporation | Method of forming a wire bond having a free end |
US10074581B2 (en) * | 2013-08-30 | 2018-09-11 | Mediatek Inc. | Chip package having a patterned conducting plate and a conducting pad with a recess |
US20150076714A1 (en) | 2013-09-16 | 2015-03-19 | Invensas Corporation | Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface |
US9379074B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-06-28 | Invensas Corporation | Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects |
US9263394B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-02-16 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
US9583456B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
US9275967B2 (en) | 2014-01-06 | 2016-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Protrusion bump pads for bond-on-trace processing |
US9508637B2 (en) | 2014-01-06 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Protrusion bump pads for bond-on-trace processing |
US9418928B2 (en) | 2014-01-06 | 2016-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Protrusion bump pads for bond-on-trace processing |
US9305890B2 (en) | 2014-01-15 | 2016-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package having substrate with embedded metal trace overlapped by landing pad |
US9583411B2 (en) | 2014-01-17 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing |
US10090267B2 (en) * | 2014-03-13 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Bump structure and method for forming the same |
US9356009B2 (en) | 2014-05-27 | 2016-05-31 | Micron Technology, Inc. | Interconnect structure with redundant electrical connectors and associated systems and methods |
US10381326B2 (en) | 2014-05-28 | 2019-08-13 | Invensas Corporation | Structure and method for integrated circuits packaging with increased density |
US9646917B2 (en) | 2014-05-29 | 2017-05-09 | Invensas Corporation | Low CTE component with wire bond interconnects |
US9412714B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-08-09 | Invensas Corporation | Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom |
TWI533771B (zh) * | 2014-07-17 | 2016-05-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 無核心層封裝基板及其製法 |
CN104217969B (zh) * | 2014-08-28 | 2017-12-19 | 通富微电子股份有限公司 | 半导体器件封装方法 |
US9735084B2 (en) | 2014-12-11 | 2017-08-15 | Invensas Corporation | Bond via array for thermal conductivity |
TWI550803B (zh) * | 2015-02-17 | 2016-09-21 | 南茂科技股份有限公司 | 封裝半導體裝置 |
US9888579B2 (en) | 2015-03-05 | 2018-02-06 | Invensas Corporation | Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips |
US9859159B2 (en) * | 2015-03-10 | 2018-01-02 | Unimicron Technology Corp. | Interconnection structure and manufacturing method thereof |
US9502372B1 (en) | 2015-04-30 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer |
US9761554B2 (en) | 2015-05-07 | 2017-09-12 | Invensas Corporation | Ball bonding metal wire bond wires to metal pads |
US20160343646A1 (en) * | 2015-05-21 | 2016-11-24 | Qualcomm Incorporated | High aspect ratio interconnect for wafer level package (wlp) and integrated circuit (ic) package |
KR101672640B1 (ko) * | 2015-06-23 | 2016-11-03 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 디바이스 |
US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US10886250B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-05 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
CN106409793B (zh) * | 2015-07-29 | 2019-11-26 | 乾坤科技股份有限公司 | 具有电磁屏蔽结构的电子模组及其制造方法 |
TWI621378B (zh) | 2015-07-29 | 2018-04-11 | 乾坤科技股份有限公司 | 具有電磁屏蔽結構的電子模組及其製造方法 |
DE112015006937T5 (de) * | 2015-09-25 | 2018-09-06 | Intel Corporation | Verpackte integrierte Schaltkreisvorrichtung mit Vertiefungsstruktur |
US9490222B1 (en) | 2015-10-12 | 2016-11-08 | Invensas Corporation | Wire bond wires for interference shielding |
US10490528B2 (en) | 2015-10-12 | 2019-11-26 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires |
US10332854B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-06-25 | Invensas Corporation | Anchoring structure of fine pitch bva |
US10181457B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-01-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out |
US10043779B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-08-07 | Invensas Corporation | Packaged microelectronic device for a package-on-package device |
US9659848B1 (en) | 2015-11-18 | 2017-05-23 | Invensas Corporation | Stiffened wires for offset BVA |
US9984992B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-05-29 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces |
CN106057685A (zh) * | 2016-07-28 | 2016-10-26 | 合肥矽迈微电子科技有限公司 | 封装方法及倒装芯片封装结构 |
US9935075B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-04-03 | Invensas Corporation | Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding |
TWI822659B (zh) | 2016-10-27 | 2023-11-21 | 美商艾德亞半導體科技有限責任公司 | 用於低溫接合的結構和方法 |
US10299368B2 (en) | 2016-12-21 | 2019-05-21 | Invensas Corporation | Surface integrated waveguides and circuit structures therefor |
KR102318773B1 (ko) | 2017-09-19 | 2021-10-28 | 구글 엘엘씨 | 칩 간 정밀 이격용 정지부로서의 필라들 |
JP7240909B2 (ja) * | 2019-03-13 | 2023-03-16 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
TWI725452B (zh) * | 2019-06-20 | 2021-04-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件及其製法 |
JP2021044278A (ja) * | 2019-09-06 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
US11094659B2 (en) * | 2019-09-30 | 2021-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Microelectronic device with pillars having flared ends |
US11676932B2 (en) * | 2019-12-31 | 2023-06-13 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor interconnect structures with narrowed portions, and associated systems and methods |
TWI808835B (zh) * | 2022-07-20 | 2023-07-11 | 強茂股份有限公司 | 晶圓級晶片尺寸封裝件及方法 |
Family Cites Families (213)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1443904A (en) | 1921-09-19 | 1923-01-30 | Joseph H Hinkson | Occupant-propelled vehicle |
US3214827A (en) | 1962-12-10 | 1965-11-02 | Sperry Rand Corp | Electrical circuitry fabrication |
US3775844A (en) | 1970-06-25 | 1973-12-04 | Bunker Ramo | Method of fabricating a multiwafer electrical circuit structure |
US3766439A (en) | 1972-01-12 | 1973-10-16 | Gen Electric | Electronic module using flexible printed circuit board with heat sink means |
US3873889A (en) | 1973-08-08 | 1975-03-25 | Sperry Rand Corp | Indicator module and method of manufacturing same |
US4225900A (en) | 1978-10-25 | 1980-09-30 | Raytheon Company | Integrated circuit device package interconnect means |
US4567543A (en) | 1983-02-15 | 1986-01-28 | Motorola, Inc. | Double-sided flexible electronic circuit module |
US4576543A (en) | 1983-11-07 | 1986-03-18 | Kmw Products Limited | Knock-down construction for front end loader |
US5220488A (en) | 1985-09-04 | 1993-06-15 | Ufe Incorporated | Injection molded printed circuits |
US4716049A (en) | 1985-12-20 | 1987-12-29 | Hughes Aircraft Company | Compressive pedestal for microminiature connections |
US4924353A (en) | 1985-12-20 | 1990-05-08 | Hughes Aircraft Company | Connector system for coupling to an integrated circuit chip |
US4695870A (en) | 1986-03-27 | 1987-09-22 | Hughes Aircraft Company | Inverted chip carrier |
JPS6397941A (ja) | 1986-10-14 | 1988-04-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光材料 |
US5138438A (en) | 1987-06-24 | 1992-08-11 | Akita Electronics Co. Ltd. | Lead connections means for stacked tab packaged IC chips |
KR970003915B1 (ko) | 1987-06-24 | 1997-03-22 | 미다 가쓰시게 | 반도체 기억장치 및 그것을 사용한 반도체 메모리 모듈 |
US4781601A (en) | 1987-07-06 | 1988-11-01 | Motorola, Inc. | Header for an electronic circuit |
US4804132A (en) | 1987-08-28 | 1989-02-14 | Difrancesco Louis | Method for cold bonding |
US5198888A (en) | 1987-12-28 | 1993-03-30 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor stacked device |
US5028986A (en) | 1987-12-28 | 1991-07-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module with a plurality of stacked semiconductor devices |
US4991290A (en) | 1988-07-21 | 1991-02-12 | Microelectronics And Computer Technology | Flexible electrical interconnect and method of making |
JPH02174255A (ja) | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
US5068714A (en) | 1989-04-05 | 1991-11-26 | Robert Bosch Gmbh | Method of electrically and mechanically connecting a semiconductor to a substrate using an electrically conductive tacky adhesive and the device so made |
US5077598A (en) | 1989-11-08 | 1991-12-31 | Hewlett-Packard Company | Strain relief flip-chip integrated circuit assembly with test fixturing |
AU637874B2 (en) | 1990-01-23 | 1993-06-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for packaging a semiconductor device |
CA2034703A1 (en) | 1990-01-23 | 1991-07-24 | Masanori Nishiguchi | Substrate for packaging a semiconductor device |
US5083697A (en) | 1990-02-14 | 1992-01-28 | Difrancesco Louis | Particle-enhanced joining of metal surfaces |
US4975079A (en) | 1990-02-23 | 1990-12-04 | International Business Machines Corp. | Connector assembly for chip testing |
US5046238A (en) | 1990-03-15 | 1991-09-10 | Rogers Corporation | Method of manufacturing a multilayer circuit board |
US5345205A (en) | 1990-04-05 | 1994-09-06 | General Electric Company | Compact high density interconnected microwave system |
DE59104134D1 (de) | 1990-04-09 | 1995-02-16 | Ascom Tech Ag | Bit- und rahmensynchronisiereinheit für einen zugriffsknoten einer optischen übertragungseinrichtung. |
US5148265A (en) | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
US5679977A (en) | 1990-09-24 | 1997-10-21 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same |
US5148266A (en) | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies having interposer and flexible lead |
JPH04151843A (ja) * | 1990-10-16 | 1992-05-25 | Casio Comput Co Ltd | Icチップのボンディング方法 |
US5117282A (en) | 1990-10-29 | 1992-05-26 | Harris Corporation | Stacked configuration for integrated circuit devices |
US5172303A (en) | 1990-11-23 | 1992-12-15 | Motorola, Inc. | Electronic component assembly |
US5116459A (en) | 1991-03-06 | 1992-05-26 | International Business Machines Corporation | Processes for electrically conductive decals filled with organic insulator material |
JPH0513967A (ja) | 1991-07-03 | 1993-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶制御装置及びその高密度実装方法 |
WO1993004375A1 (en) | 1991-08-23 | 1993-03-04 | Nchip, Inc. | Burn-in technologies for unpackaged integrated circuits |
US5281852A (en) | 1991-12-10 | 1994-01-25 | Normington Peter J C | Semiconductor device including stacked die |
US5397916A (en) | 1991-12-10 | 1995-03-14 | Normington; Peter J. C. | Semiconductor device including stacked die |
US5224023A (en) | 1992-02-10 | 1993-06-29 | Smith Gary W | Foldable electronic assembly module |
US5222014A (en) | 1992-03-02 | 1993-06-22 | Motorola, Inc. | Three-dimensional multi-chip pad array carrier |
JP2894071B2 (ja) | 1992-03-09 | 1999-05-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US5422435A (en) | 1992-05-22 | 1995-06-06 | National Semiconductor Corporation | Stacked multi-chip modules and method of manufacturing |
US5247423A (en) | 1992-05-26 | 1993-09-21 | Motorola, Inc. | Stacking three dimensional leadless multi-chip module and method for making the same |
US5820770A (en) | 1992-07-21 | 1998-10-13 | Seagate Technology, Inc. | Thin film magnetic head including vias formed in alumina layer and process for making the same |
AU4782293A (en) | 1992-07-24 | 1994-02-14 | Tessera, Inc. | Semiconductor connection components and methods with releasable lead support |
US6054756A (en) | 1992-07-24 | 2000-04-25 | Tessera, Inc. | Connection components with frangible leads and bus |
EP0586888B1 (en) | 1992-08-05 | 2001-07-18 | Fujitsu Limited | Three-dimensional multichip module |
US5324892A (en) | 1992-08-07 | 1994-06-28 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating an electronic interconnection |
JP3105089B2 (ja) | 1992-09-11 | 2000-10-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2716336B2 (ja) | 1993-03-10 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 集積回路装置 |
US5455740A (en) | 1994-03-07 | 1995-10-03 | Staktek Corporation | Bus communication system for stacked high density integrated circuit packages |
US5811982A (en) | 1995-11-27 | 1998-09-22 | International Business Machines Corporation | High density cantilevered probe for electronic devices |
US5398863A (en) | 1993-07-23 | 1995-03-21 | Tessera, Inc. | Shaped lead structure and method |
US5390844A (en) | 1993-07-23 | 1995-02-21 | Tessera, Inc. | Semiconductor inner lead bonding tool |
US5397921A (en) | 1993-09-03 | 1995-03-14 | Advanced Semiconductor Assembly Technology | Tab grid array |
US5454160A (en) | 1993-12-03 | 1995-10-03 | Ncr Corporation | Apparatus and method for stacking integrated circuit devices |
US5455390A (en) | 1994-02-01 | 1995-10-03 | Tessera, Inc. | Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding |
US5448511A (en) | 1994-06-01 | 1995-09-05 | Storage Technology Corporation | Memory stack with an integrated interconnect and mounting structure |
US5615824A (en) | 1994-06-07 | 1997-04-01 | Tessera, Inc. | Soldering with resilient contacts |
US5802699A (en) | 1994-06-07 | 1998-09-08 | Tessera, Inc. | Methods of assembling microelectronic assembly with socket for engaging bump leads |
US5798286A (en) | 1995-09-22 | 1998-08-25 | Tessera, Inc. | Connecting multiple microelectronic elements with lead deformation |
US5518964A (en) | 1994-07-07 | 1996-05-21 | Tessera, Inc. | Microelectronic mounting with multiple lead deformation and bonding |
US5989936A (en) | 1994-07-07 | 1999-11-23 | Tessera, Inc. | Microelectronic assembly fabrication with terminal formation from a conductive layer |
US6177636B1 (en) | 1994-12-29 | 2001-01-23 | Tessera, Inc. | Connection components with posts |
US5656550A (en) | 1994-08-24 | 1997-08-12 | Fujitsu Limited | Method of producing a semicondutor device having a lead portion with outer connecting terminal |
US5491302A (en) | 1994-09-19 | 1996-02-13 | Tessera, Inc. | Microelectronic bonding with lead motion |
US5659952A (en) | 1994-09-20 | 1997-08-26 | Tessera, Inc. | Method of fabricating compliant interface for semiconductor chip |
JP2570628B2 (ja) | 1994-09-21 | 1997-01-08 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
US5587342A (en) | 1995-04-03 | 1996-12-24 | Motorola, Inc. | Method of forming an electrical interconnect |
JP2606177B2 (ja) | 1995-04-26 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 印刷配線板 |
US5985692A (en) | 1995-06-07 | 1999-11-16 | Microunit Systems Engineering, Inc. | Process for flip-chip bonding a semiconductor die having gold bump electrodes |
JPH0997791A (ja) | 1995-09-27 | 1997-04-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バンプ構造、バンプの形成方法、実装接続体 |
US5777379A (en) | 1995-08-18 | 1998-07-07 | Tessera, Inc. | Semiconductor assemblies with reinforced peripheral regions |
JP3549294B2 (ja) | 1995-08-23 | 2004-08-04 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその実装構造 |
US5810609A (en) | 1995-08-28 | 1998-09-22 | Tessera, Inc. | Socket for engaging bump leads on a microelectronic device and methods therefor |
US5861666A (en) | 1995-08-30 | 1999-01-19 | Tessera, Inc. | Stacked chip assembly |
US5674785A (en) | 1995-11-27 | 1997-10-07 | Micron Technology, Inc. | Method of producing a single piece package for semiconductor die |
US5646446A (en) | 1995-12-22 | 1997-07-08 | Fairchild Space And Defense Corporation | Three-dimensional flexible assembly of integrated circuits |
US5731709A (en) | 1996-01-26 | 1998-03-24 | Motorola, Inc. | Method for testing a ball grid array semiconductor device and a device for such testing |
US6001671A (en) | 1996-04-18 | 1999-12-14 | Tessera, Inc. | Methods for manufacturing a semiconductor package having a sacrificial layer |
US5789815A (en) | 1996-04-23 | 1998-08-04 | Motorola, Inc. | Three dimensional semiconductor package having flexible appendages |
US5689091A (en) | 1996-09-19 | 1997-11-18 | Vlsi Technology, Inc. | Multi-layer substrate structure |
JPH10125734A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ユニットおよびその製造方法 |
US5762845A (en) | 1996-11-19 | 1998-06-09 | Packard Hughes Interconnect Company | Method of making circuit with conductive and non-conductive raised features |
US5929521A (en) | 1997-03-26 | 1999-07-27 | Micron Technology, Inc. | Projected contact structure for bumped semiconductor device and resulting articles and assemblies |
JPH1140694A (ja) | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージおよび半導体装置とその製造方法 |
US6335571B1 (en) | 1997-07-21 | 2002-01-01 | Miguel Albert Capote | Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof |
KR100543836B1 (ko) | 1997-08-19 | 2006-01-23 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 멀티칩 모듈 구조체 및 그 제작 방법 |
CA2213590C (en) | 1997-08-21 | 2006-11-07 | Keith C. Carroll | Flexible circuit connector and method of making same |
JP3937265B2 (ja) | 1997-09-29 | 2007-06-27 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置 |
US6217972B1 (en) | 1997-10-17 | 2001-04-17 | Tessera, Inc. | Enhancements in framed sheet processing |
US6222136B1 (en) | 1997-11-12 | 2001-04-24 | International Business Machines Corporation | Printed circuit board with continuous connective bumps |
JPH11163022A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Sony Corp | 半導体装置、その製造方法及び電子機器 |
US6052287A (en) | 1997-12-09 | 2000-04-18 | Sandia Corporation | Silicon ball grid array chip carrier |
US5973391A (en) | 1997-12-11 | 1999-10-26 | Read-Rite Corporation | Interposer with embedded circuitry and method for using the same to package microelectronic units |
US6329594B1 (en) | 1998-01-16 | 2001-12-11 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. | Integrated circuit package |
US5956234A (en) | 1998-01-20 | 1999-09-21 | Integrated Device Technology, Inc. | Method and structure for a surface mountable rigid-flex printed circuit board |
US6061245A (en) | 1998-01-22 | 2000-05-09 | International Business Machines Corporation | Free standing, three dimensional, multi-chip, carrier package with air flow baffle |
US6235996B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-05-22 | International Business Machines Corporation | Interconnection structure and process module assembly and rework |
US6300679B1 (en) | 1998-06-01 | 2001-10-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Flexible substrate for packaging a semiconductor component |
US6414391B1 (en) | 1998-06-30 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Module assembly for stacked BGA packages with a common bus bar in the assembly |
US5854507A (en) | 1998-07-21 | 1998-12-29 | Hewlett-Packard Company | Multiple chip assembly |
US6515355B1 (en) | 1998-09-02 | 2003-02-04 | Micron Technology, Inc. | Passivation layer for packaged integrated circuits |
JP3407275B2 (ja) | 1998-10-28 | 2003-05-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | バンプ及びその形成方法 |
US6332270B2 (en) | 1998-11-23 | 2001-12-25 | International Business Machines Corporation | Method of making high density integral test probe |
JP3137186B2 (ja) | 1999-02-05 | 2001-02-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | 層間接続構造体、多層配線基板およびそれらの形成方法 |
US6965166B2 (en) | 1999-02-24 | 2005-11-15 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device of chip-on-chip structure |
US6980017B1 (en) | 1999-03-10 | 2005-12-27 | Micron Technology, Inc. | Test interconnect for bumped semiconductor components and method of fabrication |
JP2000277649A (ja) | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6177729B1 (en) | 1999-04-03 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Rolling ball connector |
JP3446825B2 (ja) | 1999-04-06 | 2003-09-16 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6225206B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Flip chip C4 extension structure and process |
US6258625B1 (en) | 1999-05-18 | 2001-07-10 | International Business Machines Corporation | Method of interconnecting electronic components using a plurality of conductive studs |
JP4190659B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2008-12-03 | テセラ・インターコネクト・マテリアルズ,インコーポレイテッド | 配線基板とその製造方法 |
US6782610B1 (en) | 1999-05-21 | 2004-08-31 | North Corporation | Method for fabricating a wiring substrate by electroplating a wiring film on a metal base |
JP3973340B2 (ja) | 1999-10-05 | 2007-09-12 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、配線基板、及び、それらの製造方法 |
JP2001118872A (ja) | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Daiwa Kogyo:Kk | バンプの形成方法 |
US6869750B2 (en) | 1999-10-28 | 2005-03-22 | Fujitsu Limited | Structure and method for forming a multilayered structure |
US6882045B2 (en) | 1999-10-28 | 2005-04-19 | Thomas J. Massingill | Multi-chip module and method for forming and method for deplating defective capacitors |
US6362525B1 (en) | 1999-11-09 | 2002-03-26 | Cypress Semiconductor Corp. | Circuit structure including a passive element formed within a grid array substrate and method for making the same |
US6534861B1 (en) | 1999-11-15 | 2003-03-18 | Substrate Technologies Incorporated | Ball grid substrate for lead-on-chip semiconductor package |
US6322903B1 (en) | 1999-12-06 | 2001-11-27 | Tru-Si Technologies, Inc. | Package of integrated circuits and vertical integration |
US6216941B1 (en) | 2000-01-06 | 2001-04-17 | Trw Inc. | Method for forming high frequency connections to high temperature superconductor circuits and other fragile materials |
JP2001196381A (ja) | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Toyo Kohan Co Ltd | 半導体装置、半導体上の回路形成に用いる金属積層板、および回路形成方法 |
JP3865989B2 (ja) | 2000-01-13 | 2007-01-10 | 新光電気工業株式会社 | 多層配線基板、配線基板、多層配線基板の製造方法、配線基板の製造方法、及び半導体装置 |
US20030001286A1 (en) | 2000-01-28 | 2003-01-02 | Ryoichi Kajiwara | Semiconductor package and flip chip bonding method therein |
JP3752949B2 (ja) | 2000-02-28 | 2006-03-08 | 日立化成工業株式会社 | 配線基板及び半導体装置 |
KR100817646B1 (ko) | 2000-03-10 | 2008-03-27 | 스태츠 칩팩, 엘티디. | 플립칩 상호연결 구조물 |
JP2001308095A (ja) | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Toyo Kohan Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US6578754B1 (en) | 2000-04-27 | 2003-06-17 | Advanpack Solutions Pte. Ltd. | Pillar connections for semiconductor chips and method of manufacture |
US6522018B1 (en) | 2000-05-16 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Ball grid array chip packages having improved testing and stacking characteristics |
US6647310B1 (en) | 2000-05-30 | 2003-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Temperature control of an integrated circuit |
US6560117B2 (en) | 2000-06-28 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic die assemblies and methods of manufacture |
JP2002289768A (ja) | 2000-07-17 | 2002-10-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
US6592109B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-07-15 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Liquid sealing type body mount |
US6462575B1 (en) | 2000-08-28 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Method and system for wafer level testing and burning-in semiconductor components |
JP3874062B2 (ja) | 2000-09-05 | 2007-01-31 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JP3735526B2 (ja) | 2000-10-04 | 2006-01-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002124548A (ja) | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Hitachi Cable Ltd | テープキャリア及びそれを用いた半導体装置 |
JP2002151551A (ja) | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | フリップチップ実装構造、その実装構造を有する半導体装置及び実装方法 |
US6555906B2 (en) | 2000-12-15 | 2003-04-29 | Intel Corporation | Microelectronic package having a bumpless laminated interconnection layer |
US6734539B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-05-11 | Lucent Technologies Inc. | Stacked module package |
US6800169B2 (en) | 2001-01-08 | 2004-10-05 | Fujitsu Limited | Method for joining conductive structures and an electrical conductive article |
US6388322B1 (en) | 2001-01-17 | 2002-05-14 | Aralight, Inc. | Article comprising a mechanically compliant bump |
US6648213B1 (en) | 2001-03-05 | 2003-11-18 | Saturn Electronics & Engineering, Inc. | Manufacturing method for attaching components to a substrate |
TWI313507B (en) | 2002-10-25 | 2009-08-11 | Megica Corporatio | Method for assembling chips |
US20050097727A1 (en) | 2001-03-28 | 2005-05-12 | Tomoo Iijima | Multi-layer wiring board, method for producing multi-layer wiring board, polishing machine for multi-layer wiring board, and metal sheet for producing wiring board |
JP2002313996A (ja) | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Toshiba Chem Corp | 半導体パッケージ用基板およびその製造方法 |
JP2003007768A (ja) | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 層間接続材、その製造方法及び使用方法 |
JP4663165B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2011-03-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6550666B2 (en) | 2001-08-21 | 2003-04-22 | Advanpack Solutions Pte Ltd | Method for forming a flip chip on leadframe semiconductor package |
US6992379B2 (en) | 2001-09-05 | 2006-01-31 | International Business Machines Corporation | Electronic package having a thermal stretching layer |
US6767819B2 (en) | 2001-09-12 | 2004-07-27 | Dow Corning Corporation | Apparatus with compliant electrical terminals, and methods for forming same |
AU2002337834A1 (en) | 2001-10-09 | 2003-04-22 | Tessera, Inc. | Stacked packages |
US6977440B2 (en) | 2001-10-09 | 2005-12-20 | Tessera, Inc. | Stacked packages |
JP3583396B2 (ja) | 2001-10-31 | 2004-11-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法、薄膜多層基板及びその製造方法 |
JP3875077B2 (ja) | 2001-11-16 | 2007-01-31 | 富士通株式会社 | 電子デバイス及びデバイス接続方法 |
TWI245402B (en) | 2002-01-07 | 2005-12-11 | Megic Corp | Rod soldering structure and manufacturing process thereof |
SG115456A1 (en) | 2002-03-04 | 2005-10-28 | Micron Technology Inc | Semiconductor die packages with recessed interconnecting structures and methods for assembling the same |
TWI284973B (en) | 2002-04-03 | 2007-08-01 | Advanced Semiconductor Eng | Flip-chip joint structure, and fabricating process thereof |
US6744142B2 (en) | 2002-06-19 | 2004-06-01 | National Central University | Flip chip interconnection structure and process of making the same |
US6803303B1 (en) | 2002-07-11 | 2004-10-12 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating semiconductor component having encapsulated, bonded, interconnect contacts |
JP2005026645A (ja) * | 2002-10-15 | 2005-01-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 回路基板及びその製造方法 |
US7087458B2 (en) | 2002-10-30 | 2006-08-08 | Advanpack Solutions Pte. Ltd. | Method for fabricating a flip chip package with pillar bump and no flow underfill |
TW200423344A (en) | 2002-12-31 | 2004-11-01 | Texas Instruments Inc | Composite metal column for mounting semiconductor device |
JP2004221450A (ja) | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Toppan Printing Co Ltd | プリント配線板およびその製造方法 |
WO2004065660A1 (ja) | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Toppan Printing Co., Ltd. | 金属フォトエッチング製品及びその製造方法 |
TW200507218A (en) | 2003-03-31 | 2005-02-16 | North Corp | Layout circuit substrate, manufacturing method of layout circuit substrate, and circuit module |
JP4036786B2 (ja) | 2003-04-24 | 2008-01-23 | 唯知 須賀 | 電子部品実装方法 |
TWI234252B (en) | 2003-05-13 | 2005-06-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Flash-preventing window ball grid array semiconductor package and chip carrier and method for fabricating the same |
JP4389471B2 (ja) | 2003-05-19 | 2009-12-24 | パナソニック株式会社 | 電子回路の接続構造とその接続方法 |
JP4104490B2 (ja) | 2003-05-21 | 2008-06-18 | オリンパス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6888255B2 (en) | 2003-05-30 | 2005-05-03 | Texas Instruments Incorporated | Built-up bump pad structure and method for same |
US7005241B2 (en) | 2003-06-09 | 2006-02-28 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Process for making circuit board or lead frame |
US20050124091A1 (en) | 2003-06-09 | 2005-06-09 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Process for making circuit board or lead frame |
JP4056001B2 (ja) | 2003-07-11 | 2008-03-05 | テセラ・インターコネクト・マテリアルズ,インコーポレイテッド | 配線回路基板の製造方法 |
JP2005077955A (ja) | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Sanyo Electric Co Ltd | エッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 |
US7495179B2 (en) | 2003-10-06 | 2009-02-24 | Tessera, Inc. | Components with posts and pads |
US8641913B2 (en) * | 2003-10-06 | 2014-02-04 | Tessera, Inc. | Fine pitch microcontacts and method for forming thereof |
US7462936B2 (en) | 2003-10-06 | 2008-12-09 | Tessera, Inc. | Formation of circuitry with modification of feature height |
US7176043B2 (en) | 2003-12-30 | 2007-02-13 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
JP2005216696A (ja) | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 中継基板、中継基板付き基板 |
KR100606441B1 (ko) | 2004-04-30 | 2006-08-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 클리체 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
WO2005122706A2 (en) | 2004-05-31 | 2005-12-29 | Joon-Mo Kang | Method of aligning semiconductor device and semiconductor structure thereof |
US7453157B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-11-18 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
JP5329083B2 (ja) | 2004-06-25 | 2013-10-30 | テッセラ,インコーポレイテッド | ポストおよびパッドを有する部品 |
US6956165B1 (en) | 2004-06-28 | 2005-10-18 | Altera Corporation | Underfill for maximum flip chip package reliability |
US20060091538A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Kabadi Ashok N | Low profile and tight pad-pitch land-grid-array (LGA) socket |
JP4908750B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2012-04-04 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US8294279B2 (en) | 2005-01-25 | 2012-10-23 | Megica Corporation | Chip package with dam bar restricting flow of underfill |
JP2007023338A (ja) | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 金属板パターン及び回路基板の形成方法 |
TWI273667B (en) | 2005-08-30 | 2007-02-11 | Via Tech Inc | Chip package and bump connecting structure thereof |
TWI286829B (en) | 2006-01-17 | 2007-09-11 | Via Tech Inc | Chip package |
DE102006006825A1 (de) | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements |
US7964800B2 (en) | 2006-05-25 | 2011-06-21 | Fujikura Ltd. | Printed wiring board, method for forming the printed wiring board, and board interconnection structure |
JP4961848B2 (ja) * | 2006-06-12 | 2012-06-27 | 日本電気株式会社 | 金属ポストを有する配線基板、半導体装置及び半導体装置モジュールの製造方法 |
CN101611493A (zh) | 2006-12-19 | 2009-12-23 | 泰瑟拉互连材料公司 | 嵌有片状电容器的印刷电路板 |
US7911805B2 (en) | 2007-06-29 | 2011-03-22 | Tessera, Inc. | Multilayer wiring element having pin interface |
US7875988B2 (en) * | 2007-07-31 | 2011-01-25 | Seiko Epson Corporation | Substrate and manufacturing method of the same, and semiconductor device and manufacturing method of the same |
EP2186132B1 (en) | 2007-08-15 | 2019-11-06 | Tessera, Inc. | Interconnection element with posts formed by plating |
US8558379B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-10-15 | Tessera, Inc. | Flip chip interconnection with double post |
WO2009048604A2 (en) | 2007-10-10 | 2009-04-16 | Tessera, Inc. | Robust multi-layer wiring elements and assemblies with embedded microelectronic elements |
TWI389290B (zh) * | 2007-11-08 | 2013-03-11 | Ind Tech Res Inst | 晶片結構及其製程、晶片堆疊結構及其製程 |
JP2009158593A (ja) | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Tessera Interconnect Materials Inc | バンプ構造およびその製造方法 |
JP4483969B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2010-06-16 | セイコーエプソン株式会社 | 基板及びその製造方法、半導体装置の製造方法 |
JP2009302095A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US20100044860A1 (en) | 2008-08-21 | 2010-02-25 | Tessera Interconnect Materials, Inc. | Microelectronic substrate or element having conductive pads and metal posts joined thereto using bond layer |
US7569935B1 (en) | 2008-11-12 | 2009-08-04 | Powertech Technology Inc. | Pillar-to-pillar flip-chip assembly |
US8115310B2 (en) | 2009-06-11 | 2012-02-14 | Texas Instruments Incorporated | Copper pillar bonding for fine pitch flip chip devices |
US8330272B2 (en) * | 2010-07-08 | 2012-12-11 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with dual or multiple-etched flip-chip connectors |
-
2010
- 2010-07-08 US US12/832,376 patent/US8330272B2/en active Active
-
2011
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-
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-
2016
- 2016-09-30 JP JP2016193838A patent/JP2017022408A/ja active Pending
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