JP2002124548A - テープキャリア及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
テープキャリア及びそれを用いた半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半田ボール取付パッドと半田ボールの接合部分
に加わる応力を低減させ、半田ボール接合強度を強くす
ることを可能とする。 【解決手段】テープ基材１の両面に配線回路２０、３０
を設け、その片面の配線回路２０にワイヤボンディング
パッド２３を形成すると共に、他面の配線回路３０に半
田ボール取付パッド３４及び配線リードを形成し、この
他面の配線リードと前記片面のワイヤボンディングパッ
ド２３とを導通ビア１３を通して接合し、さらに前記テ
ープ基材１に、前記他面の半田ボール取付パッド３４に
対応する位置にてスルーホール１２を設けて、このスル
ーホール１２から前記他面の半田ボール取付パッド３４
に半田ボール１１を溶融搭載し得るように構成する。
に加わる応力を低減させ、半田ボール接合強度を強くす
ることを可能とする。 【解決手段】テープ基材１の両面に配線回路２０、３０
を設け、その片面の配線回路２０にワイヤボンディング
パッド２３を形成すると共に、他面の配線回路３０に半
田ボール取付パッド３４及び配線リードを形成し、この
他面の配線リードと前記片面のワイヤボンディングパッ
ド２３とを導通ビア１３を通して接合し、さらに前記テ
ープ基材１に、前記他面の半田ボール取付パッド３４に
対応する位置にてスルーホール１２を設けて、このスル
ーホール１２から前記他面の半田ボール取付パッド３４
に半田ボール１１を溶融搭載し得るように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子搭載用
配線テープから成るテープキャリア及びそれを用いた半
導体装置に係わり、特にスティフナと称される放熱板兼
補強板の付いたスティフナ付きＴＡＢ（Tape Automated
Bonding）テープキャリア及びこれを用いたテープＢＧ
Ａ（Ball Grid Array ）タイプの半導体装置に関するも
のである。
配線テープから成るテープキャリア及びそれを用いた半
導体装置に係わり、特にスティフナと称される放熱板兼
補強板の付いたスティフナ付きＴＡＢ（Tape Automated
Bonding）テープキャリア及びこれを用いたテープＢＧ
Ａ（Ball Grid Array ）タイプの半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴ−ＢＧＡ（Tape BGA）構造の半
導体装置を図３に示す。これは、まず、ポリイミド樹脂
製絶縁フィルムから成るテープ基材１の片面に配線回路
２を形成し、この配線回路２の一端部に半導体接続用の
ワイヤボンディングパッド３を形成するとともに、他端
部に半田ボール取付パッド４を形成し、半田ボール取付
パッド４の存在する側の領域の配線回路面上にフォトソ
ルダレジスト（ＰＳＲ）から成る絶縁皮膜５を形成し、
さらに半導体素子１０とワイヤボンディングを行うため
の接続用ウインドウホール部を設けて半導体素子搭載用
配線テープを構成する。そして、この半導体素子搭載用
配線テープに、接着剤６を介してしてスティフナ７を貼
りつけて、スティフナ付きＴＡＢテープキャリアとす
る。
導体装置を図３に示す。これは、まず、ポリイミド樹脂
製絶縁フィルムから成るテープ基材１の片面に配線回路
２を形成し、この配線回路２の一端部に半導体接続用の
ワイヤボンディングパッド３を形成するとともに、他端
部に半田ボール取付パッド４を形成し、半田ボール取付
パッド４の存在する側の領域の配線回路面上にフォトソ
ルダレジスト（ＰＳＲ）から成る絶縁皮膜５を形成し、
さらに半導体素子１０とワイヤボンディングを行うため
の接続用ウインドウホール部を設けて半導体素子搭載用
配線テープを構成する。そして、この半導体素子搭載用
配線テープに、接着剤６を介してしてスティフナ７を貼
りつけて、スティフナ付きＴＡＢテープキャリアとす
る。
【０００３】得られたスティフナ付きＴＡＢテープキャ
リアを用いて半導体装置を組み立てる際には、そのステ
ィフナ７に設けた凹部７１に半導体素子８を貼りつけ、
半導体素子８の電極と半導体素子搭載用配線テープのワ
イヤボンディングパッド３とを金ワイヤから成るボンデ
ィングワイヤ９で接続し、それらの電気的接続部分を樹
脂１０で封止する。さらに半導体素子搭載用配線テープ
の半田ボール取付パッド４に半田ボール１１を搭載す
る。
リアを用いて半導体装置を組み立てる際には、そのステ
ィフナ７に設けた凹部７１に半導体素子８を貼りつけ、
半導体素子８の電極と半導体素子搭載用配線テープのワ
イヤボンディングパッド３とを金ワイヤから成るボンデ
ィングワイヤ９で接続し、それらの電気的接続部分を樹
脂１０で封止する。さらに半導体素子搭載用配線テープ
の半田ボール取付パッド４に半田ボール１１を搭載す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
テープキャリアにおける半田ボール１１は、図４に示す
ように、テープ基材１の片面に設けた半田ボール取付パ
ッド４（配線回路２）上に単に乗った形で設けられてい
るにすぎず、半田ボール１１の基部が絶縁皮膜５に入り
込んでいる深さｔは、例えば２５μｍと僅かである。
テープキャリアにおける半田ボール１１は、図４に示す
ように、テープ基材１の片面に設けた半田ボール取付パ
ッド４（配線回路２）上に単に乗った形で設けられてい
るにすぎず、半田ボール１１の基部が絶縁皮膜５に入り
込んでいる深さｔは、例えば２５μｍと僅かである。
【０００５】このため、従来の構造の半導体素子搭載用
両面配線テープを用いて半導体装置を製造すると、半田
ボール１１に荷重が加わった際に、半田ボール取付パッ
ド４と半田ボール１１の接合部分４１に直接に応力が加
わることとなり、これに対し半田ボール取付パッド４と
半田ボール１１の接合界面である接合部分４１は脆いた
め、半田ボール１１の接合強度が弱くなるという問題が
ある。
両面配線テープを用いて半導体装置を製造すると、半田
ボール１１に荷重が加わった際に、半田ボール取付パッ
ド４と半田ボール１１の接合部分４１に直接に応力が加
わることとなり、これに対し半田ボール取付パッド４と
半田ボール１１の接合界面である接合部分４１は脆いた
め、半田ボール１１の接合強度が弱くなるという問題が
ある。
【０００６】そこで本発明の目的は、上記課題を解決
し、半田ボール取付パッドのビア構造を変更することに
より、半田ボール取付パッドと半田ボールの接合部分に
加わる応力を低減させ、半田ボール接合強度を強くした
テープキャリア及びそれを用いた半導体装置を提供する
ことにある。
し、半田ボール取付パッドのビア構造を変更することに
より、半田ボール取付パッドと半田ボールの接合部分に
加わる応力を低減させ、半田ボール接合強度を強くした
テープキャリア及びそれを用いた半導体装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【０００８】請求項１の発明に係るテープキャリアは、
絶縁フィルムから成るテープ基材に銅箔で配線回路を形
成し、この配線回路の一端部に半導体接続用のワイヤボ
ンディングパッドを形成するとともに、他端部に半田ボ
ール取付パッドを形成し、さらに半導体素子とワイヤボ
ンディングを行うための接続用ウインドウホール部を形
成した半導体素子搭載用テープキャリアにおいて、前記
テープ基材の両面に配線回路を設け、その片面の配線回
路にワイヤボンディングパッドを形成すると共に、他面
の配線回路に半田ボール取付パッド及び配線リードを形
成し、この他面の配線リードと前記片面のワイヤボンデ
ィングパッドとを導通ビアを通して接合し、さらに前記
テープ基材に、前記他面の半田ボール取付パッドに対応
する位置にてスルーホールを設けて、このスルーホール
から前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを溶
融搭載し得るように構成したことを特徴とする。
絶縁フィルムから成るテープ基材に銅箔で配線回路を形
成し、この配線回路の一端部に半導体接続用のワイヤボ
ンディングパッドを形成するとともに、他端部に半田ボ
ール取付パッドを形成し、さらに半導体素子とワイヤボ
ンディングを行うための接続用ウインドウホール部を形
成した半導体素子搭載用テープキャリアにおいて、前記
テープ基材の両面に配線回路を設け、その片面の配線回
路にワイヤボンディングパッドを形成すると共に、他面
の配線回路に半田ボール取付パッド及び配線リードを形
成し、この他面の配線リードと前記片面のワイヤボンデ
ィングパッドとを導通ビアを通して接合し、さらに前記
テープ基材に、前記他面の半田ボール取付パッドに対応
する位置にてスルーホールを設けて、このスルーホール
から前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを溶
融搭載し得るように構成したことを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明に係るテープキャリアは、
絶縁フィルムから成るテープ基材に銅箔で配線回路を形
成し、この配線回路の一端部に半導体接続用のワイヤボ
ンディングパッドを形成するとともに、他端部に半田ボ
ール取付パッドを形成し、さらに半導体素子とワイヤボ
ンディングを行うための接続用ウインドウホール部を形
成した半導体素子搭載用テープキャリアにおいて、前記
テープ基材の両面に配線回路を設け、その片面の配線回
路にワイヤボンディングパッドを形成すると共に、他面
の配線回路に半田ボール取付パッド及び配線リードを形
成し、この他面の配線リードと前記片面のワイヤボンデ
ィングパッドとを導通ビアを通して接合し、さらに前記
テープ基材に、前記他面の半田ボール取付パッドに対応
する位置にてスルーホールを設けて、このスルーホール
から前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを溶
融搭載し得る半導体素子搭載用配線テープを構成し、こ
の半導体素子搭載用配線テープに接着剤を介してスティ
フナを貼りつけたことを特徴とする。
絶縁フィルムから成るテープ基材に銅箔で配線回路を形
成し、この配線回路の一端部に半導体接続用のワイヤボ
ンディングパッドを形成するとともに、他端部に半田ボ
ール取付パッドを形成し、さらに半導体素子とワイヤボ
ンディングを行うための接続用ウインドウホール部を形
成した半導体素子搭載用テープキャリアにおいて、前記
テープ基材の両面に配線回路を設け、その片面の配線回
路にワイヤボンディングパッドを形成すると共に、他面
の配線回路に半田ボール取付パッド及び配線リードを形
成し、この他面の配線リードと前記片面のワイヤボンデ
ィングパッドとを導通ビアを通して接合し、さらに前記
テープ基材に、前記他面の半田ボール取付パッドに対応
する位置にてスルーホールを設けて、このスルーホール
から前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを溶
融搭載し得る半導体素子搭載用配線テープを構成し、こ
の半導体素子搭載用配線テープに接着剤を介してスティ
フナを貼りつけたことを特徴とする。
【００１０】請求項３の発明に係る半導体装置は、請求
項１記載のテープキャリアを使用し、そのテープキャリ
アに接着剤を介してスティフナを貼りつけ、該スティフ
ナに設けた凹部に半導体素子を搭載し、この半導体素子
の電極と前記ワイヤボンディングパッドとをワイヤボン
ディングして電気的に接続し、それらの電気的接続部分
を樹脂で封止し、さらに前記テープ基材のスルーホール
から前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを溶
融搭載したことを特徴とする。
項１記載のテープキャリアを使用し、そのテープキャリ
アに接着剤を介してスティフナを貼りつけ、該スティフ
ナに設けた凹部に半導体素子を搭載し、この半導体素子
の電極と前記ワイヤボンディングパッドとをワイヤボン
ディングして電気的に接続し、それらの電気的接続部分
を樹脂で封止し、さらに前記テープ基材のスルーホール
から前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを溶
融搭載したことを特徴とする。
【００１１】請求項４の発明に係る半導体装置は、請求
項２記載のテープキャリアを使用し、そのスティフナに
設けた凹部に半導体素子を搭載し、この半導体素子の電
極と前記ワイヤボンディングパッドとをワイヤボンディ
ングして電気的に接続し、それらの電気的接続部分を樹
脂で封止し、さらに前記テープ基材のスルーホールから
前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを溶融搭
載したことを特徴とする。
項２記載のテープキャリアを使用し、そのスティフナに
設けた凹部に半導体素子を搭載し、この半導体素子の電
極と前記ワイヤボンディングパッドとをワイヤボンディ
ングして電気的に接続し、それらの電気的接続部分を樹
脂で封止し、さらに前記テープ基材のスルーホールから
前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを溶融搭
載したことを特徴とする。
【００１２】＜発明の要点＞本発明は、従来では半田ボ
ール取付パッドと半田ボールとの境界部分（接合部分）
と、シェア強度のかかる部分である絶縁皮膜の開口縁と
が近接していたため、境界部分への負担が大きかったと
いう点に着目したものである。即ち、本発明は、ポリイ
ミド樹脂テープのテープ基材の厚味を利用して、半田ボ
ール基部を挟持する深さを従来より厚くすることによ
り、半田ボール取付パッドと半田ボールとの境界部分を
シェア強度のかかる部分から遠ざけた点に特徴がある。
ール取付パッドと半田ボールとの境界部分（接合部分）
と、シェア強度のかかる部分である絶縁皮膜の開口縁と
が近接していたため、境界部分への負担が大きかったと
いう点に着目したものである。即ち、本発明は、ポリイ
ミド樹脂テープのテープ基材の厚味を利用して、半田ボ
ール基部を挟持する深さを従来より厚くすることによ
り、半田ボール取付パッドと半田ボールとの境界部分を
シェア強度のかかる部分から遠ざけた点に特徴がある。
【００１３】具体的構成として、本発明においては、絶
縁フィルムから成るテープ基材、例えばポリイミド樹脂
テープの両面に配線回路を設ける。そして、片面の配線
回路にワイヤボンディングパッドを、また他面の配線回
路に半田ボール取付パッド及び配線リードを形成し、他
面の配線リードと片面のワイヤボンディングパッドとを
導通ビアを通して接合する。さらにテープ基材にはスル
ーホールを設けて、このスルーホールから前記他面の半
田ボール取付パッドに半田ボールを溶融搭載し得るよう
に構成する。
縁フィルムから成るテープ基材、例えばポリイミド樹脂
テープの両面に配線回路を設ける。そして、片面の配線
回路にワイヤボンディングパッドを、また他面の配線回
路に半田ボール取付パッド及び配線リードを形成し、他
面の配線リードと片面のワイヤボンディングパッドとを
導通ビアを通して接合する。さらにテープ基材にはスル
ーホールを設けて、このスルーホールから前記他面の半
田ボール取付パッドに半田ボールを溶融搭載し得るよう
に構成する。
【００１４】この構成の下では、スルーホールから前記
他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを溶融搭載し
た場合、半田ボールは、図２に示すように、テープ基材
の厚さ分だけ周囲を挟持された形で設けられることとな
る。即ち、本発明の場合、半田ボールを溶融搭載したビ
ア構造は、厚さＴのテープ基材を貫く深さのビア構造と
なっており、そのテープ基材厚さＴ即ちビア深さは、従
来の図４に示した絶縁皮膜の厚さｔより厚いために、半
田ボール取付パッドと半田ボールの接合部分に加わる応
力を低減させる効果がある。
他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを溶融搭載し
た場合、半田ボールは、図２に示すように、テープ基材
の厚さ分だけ周囲を挟持された形で設けられることとな
る。即ち、本発明の場合、半田ボールを溶融搭載したビ
ア構造は、厚さＴのテープ基材を貫く深さのビア構造と
なっており、そのテープ基材厚さＴ即ちビア深さは、従
来の図４に示した絶縁皮膜の厚さｔより厚いために、半
田ボール取付パッドと半田ボールの接合部分に加わる応
力を低減させる効果がある。
【００１５】従って、本発明によれば、半田ボール接合
強度を強くしたテープキャリア及びそれを用いた半導体
装置を得ることができる。
強度を強くしたテープキャリア及びそれを用いた半導体
装置を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１７】図１に示すように、ポリイミド樹脂製絶縁
フィルムから成るテープ基材１の両面に銅箔で配線回路
２０、３０を設け、その片面の配線回路２０には一端部
にワイヤボンディングパッド２３を形成すると共に、他
面の配線回路３０には半田ボール取付パッド３４及び配
線リードを形成する。そして、この他面の配線リードと
上記片面のワイヤボンディングパッド２３とを、両者の
一部分が上下に重なるように配設し、その両者間を導通
ビア１３を通して接合する。
フィルムから成るテープ基材１の両面に銅箔で配線回路
２０、３０を設け、その片面の配線回路２０には一端部
にワイヤボンディングパッド２３を形成すると共に、他
面の配線回路３０には半田ボール取付パッド３４及び配
線リードを形成する。そして、この他面の配線リードと
上記片面のワイヤボンディングパッド２３とを、両者の
一部分が上下に重なるように配設し、その両者間を導通
ビア１３を通して接合する。
【００１８】さらに上記テープ基材１には、上記他面の
半田ボール取付パッド３０に対応する位置にてスルーホ
ール１２を設け、このスルーホール１２から上記他面の
半田ボール取付パッド３４に半田ボール１１を溶融搭載
し得るように構成する。また、半導体素子とワイヤボン
ディングを行うための接続用ウインドウホール部を形成
する。
半田ボール取付パッド３０に対応する位置にてスルーホ
ール１２を設け、このスルーホール１２から上記他面の
半田ボール取付パッド３４に半田ボール１１を溶融搭載
し得るように構成する。また、半導体素子とワイヤボン
ディングを行うための接続用ウインドウホール部を形成
する。
【００１９】かくして得られた半導体素子搭載用配線テ
ープに接着剤６を介してスティフナ７を貼りつけ、完成
されたテープキャリアとする。なお、スティフナ７を貼
りつける前の半導体素子搭載用配線テープを、完成され
たテープキャリアとして取り扱うこともできる。
ープに接着剤６を介してスティフナ７を貼りつけ、完成
されたテープキャリアとする。なお、スティフナ７を貼
りつける前の半導体素子搭載用配線テープを、完成され
たテープキャリアとして取り扱うこともできる。
【００２０】次に、上記テープキャリアを使用して半導
体装置を構成する場合には、そのスティフナ７に設けた
凹部７１に半導体素子８を搭載し、この半導体素子８の
電極と上記ワイヤボンディングパッド２３とを金ワイヤ
から成るボンディングワイヤ９にてワイヤボンディング
して電気的に接続し、それらの電気的接続部分を封止樹
脂１０でモールドし、さらにテープ基材１のスルーホー
ル１２から上記他面の半田ボール取付パッド３４に半田
ボール１１を溶融搭載する。かくして半田ボール１１を
取り付けた半導体装置を完成する。
体装置を構成する場合には、そのスティフナ７に設けた
凹部７１に半導体素子８を搭載し、この半導体素子８の
電極と上記ワイヤボンディングパッド２３とを金ワイヤ
から成るボンディングワイヤ９にてワイヤボンディング
して電気的に接続し、それらの電気的接続部分を封止樹
脂１０でモールドし、さらにテープ基材１のスルーホー
ル１２から上記他面の半田ボール取付パッド３４に半田
ボール１１を溶融搭載する。かくして半田ボール１１を
取り付けた半導体装置を完成する。
【００２１】半田ボール１１は、図２に示すように、テ
ープ基材１の厚さ分Ｔだけ周囲を挟持された形で設けら
れる。半田ボール１１を溶融搭載したビア構造は、テー
プ基材１が例えばポリイミド樹脂テープの場合、そのポ
リイミド樹脂テープによるフィルムビアとなっており、
このテープ基材１の厚さＴは例えば７５μｍであって、
従来の図３の半導体装置における絶縁皮膜５の厚さｔ
（例えば２５μｍ）による挟持厚さよりも厚いために、
半田ボール取付パッド３４と半田ボール１１の接合部分
３１に加わる応力を低減させる効果が有る。
ープ基材１の厚さ分Ｔだけ周囲を挟持された形で設けら
れる。半田ボール１１を溶融搭載したビア構造は、テー
プ基材１が例えばポリイミド樹脂テープの場合、そのポ
リイミド樹脂テープによるフィルムビアとなっており、
このテープ基材１の厚さＴは例えば７５μｍであって、
従来の図３の半導体装置における絶縁皮膜５の厚さｔ
（例えば２５μｍ）による挟持厚さよりも厚いために、
半田ボール取付パッド３４と半田ボール１１の接合部分
３１に加わる応力を低減させる効果が有る。
【００２２】従来は、図４の如く、半田ボール取付パッ
ド４と半田ボール１１との境界部分（接合部分）４１
と、シェア強度のかかる部分である絶縁皮膜の開口縁部
分５１とが近接していたため、接合部分４１への負担が
大きかった。本実施形態の半導体装置では、ポリイミド
樹脂テープの厚みＴを利用して、半田ボール基部を挟持
する深さを従来より厚くしたため、半田ボール取付パッ
ドと半田ボールの接合部分３１が、シェア強度のかかる
部分即ちテープ基材１のスルーホール１３の開口縁部分
１ａから遠ざかる。このため半田ボール取付パッド３４
と半田ボール１１の接合部分３１に加わる応力を低減さ
せることができる。
ド４と半田ボール１１との境界部分（接合部分）４１
と、シェア強度のかかる部分である絶縁皮膜の開口縁部
分５１とが近接していたため、接合部分４１への負担が
大きかった。本実施形態の半導体装置では、ポリイミド
樹脂テープの厚みＴを利用して、半田ボール基部を挟持
する深さを従来より厚くしたため、半田ボール取付パッ
ドと半田ボールの接合部分３１が、シェア強度のかかる
部分即ちテープ基材１のスルーホール１３の開口縁部分
１ａから遠ざかる。このため半田ボール取付パッド３４
と半田ボール１１の接合部分３１に加わる応力を低減さ
せることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明のテープキャ
リアは、テープ基材の両面に配線回路を設け、その片面
の配線回路にワイヤボンディングパッドを形成すると共
に、他面の配線回路に半田ボール取付パッド及び配線リ
ードを形成し、この他面の配線リードと前記片面のワイ
ヤボンディングパッドとを導通ビアを通して接合し、さ
らに前記テープ基材に、前記他面の半田ボール取付パッ
ドに対応する位置にてスルーホールを設けて、このスル
ーホールから前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボ
ールを溶融搭載し得るように構成したので、スルーホー
ルから前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを
溶融搭載した場合、半田ボールの基部は、テープ基材の
厚さ分だけ従来より深く周囲を挟持された形で設けられ
ることとなる。即ち、本発明の場合、半田ボールを搭載
するためのビア構造は、そのテープ基材を貫く基材ビア
によっており、テープ基材の厚さは絶縁皮膜より厚いた
めに、半田ボール取付パッドと半田ボールとの接合部分
の位置が、シェア強度のかかる部分であるテープ基材の
スルーホールの開口縁部分から遠くなるため、半田ボー
ル取付パッドと半田ボールの接合部分に加わる応力を低
減させることができる。
リアは、テープ基材の両面に配線回路を設け、その片面
の配線回路にワイヤボンディングパッドを形成すると共
に、他面の配線回路に半田ボール取付パッド及び配線リ
ードを形成し、この他面の配線リードと前記片面のワイ
ヤボンディングパッドとを導通ビアを通して接合し、さ
らに前記テープ基材に、前記他面の半田ボール取付パッ
ドに対応する位置にてスルーホールを設けて、このスル
ーホールから前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボ
ールを溶融搭載し得るように構成したので、スルーホー
ルから前記他面の半田ボール取付パッドに半田ボールを
溶融搭載した場合、半田ボールの基部は、テープ基材の
厚さ分だけ従来より深く周囲を挟持された形で設けられ
ることとなる。即ち、本発明の場合、半田ボールを搭載
するためのビア構造は、そのテープ基材を貫く基材ビア
によっており、テープ基材の厚さは絶縁皮膜より厚いた
めに、半田ボール取付パッドと半田ボールとの接合部分
の位置が、シェア強度のかかる部分であるテープ基材の
スルーホールの開口縁部分から遠くなるため、半田ボー
ル取付パッドと半田ボールの接合部分に加わる応力を低
減させることができる。
【００２４】従って、本発明によれば、従来よりも半田
ボール接合強度の強いテープキャリア及びそれを用いた
半導体装置を得ることができる。
ボール接合強度の強いテープキャリア及びそれを用いた
半導体装置を得ることができる。
【図１】本発明のＴ−ＢＧＡ構造の半導体装置を示す図
である。
である。
【図２】本発明の半導体装置におけるビア構造を示した
図である。
図である。
【図３】従来技術のＴ−ＢＧＡ構造の半導体装置を示し
た図である。
た図である。
【図４】従来技術の半導体装置におけるビア構造を示し
た図である。
た図である。
１ テープ基材 １ａ 開口縁部分 ２ 配線回路 ３ ワイヤボンディングパッド ４ 半田ボール取付パッド ５ 絶縁皮膜 １１ 半田ボール １２ スルーホール １３ 導通ビア ２０、３０ 配線回路 ２３ ワイヤボンディングパッド ３１ 接合部分 ３４ 半田ボール取付パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 洋 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 (72)発明者 大森 智夫 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 Ｆターム(参考） 5F044 AA07 MM00 MM01 MM08 MM48 RR18
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁フィルムから成るテープ基材に銅箔で
配線回路を形成し、この配線回路の一端部に半導体接続
用のワイヤボンディングパッドを形成するとともに、他
端部に半田ボール取付パッドを形成し、さらに半導体素
子とワイヤボンディングを行うための接続用ウインドウ
ホール部を形成した半導体素子搭載用テープキャリアに
おいて、 前記テープ基材の両面に配線回路を設け、その片面の配
線回路にワイヤボンディングパッドを形成すると共に、
他面の配線回路に半田ボール取付パッド及び配線リード
を形成し、この他面の配線リードと前記片面のワイヤボ
ンディングパッドとを導通ビアを通して接合し、 さらに前記テープ基材に、前記他面の半田ボール取付パ
ッドに対応する位置にてスルーホールを設けて、このス
ルーホールから前記他面の半田ボール取付パッドに半田
ボールを溶融搭載し得るように構成したことを特徴とす
るテープキャリア。 - 【請求項２】絶縁フィルムから成るテープ基材に銅箔で
配線回路を形成し、この配線回路の一端部に半導体接続
用のワイヤボンディングパッドを形成するとともに、他
端部に半田ボール取付パッドを形成し、さらに半導体素
子とワイヤボンディングを行うための接続用ウインドウ
ホール部を形成した半導体素子搭載用テープキャリアに
おいて、 前記テープ基材の両面に配線回路を設け、その片面の配
線回路にワイヤボンディングパッドを形成すると共に、
他面の配線回路に半田ボール取付パッド及び配線リード
を形成し、この他面の配線リードと前記片面のワイヤボ
ンディングパッドとを導通ビアを通して接合し、 さらに前記テープ基材に、前記他面の半田ボール取付パ
ッドに対応する位置にてスルーホールを設けて、このス
ルーホールから前記他面の半田ボール取付パッドに半田
ボールを溶融搭載し得る半導体素子搭載用配線テープを
構成し、 この半導体素子搭載用配線テープに接着剤を介してステ
ィフナを貼りつけたことを特徴とするテープキャリア。 - 【請求項３】請求項１記載のテープキャリアを使用し、
そのテープキャリアに接着剤を介してスティフナを貼り
つけ、該スティフナに設けた凹部に半導体素子を搭載
し、この半導体素子の電極と前記ワイヤボンディングパ
ッドとをワイヤボンディングして電気的に接続し、それ
らの電気的接続部分を樹脂で封止し、さらに前記テープ
基材のスルーホールから前記他面の半田ボール取付パッ
ドに半田ボールを溶融搭載したことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項４】請求項２記載のテープキャリアを使用し、
そのスティフナに設けた凹部に半導体素子を搭載し、こ
の半導体素子の電極と前記ワイヤボンディングパッドと
をワイヤボンディングして電気的に接続し、それらの電
気的接続部分を樹脂で封止し、さらに前記テープ基材の
スルーホールから前記他面の半田ボール取付パッドに半
田ボールを溶融搭載したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000321925A JP2002124548A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | テープキャリア及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000321925A JP2002124548A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | テープキャリア及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124548A true JP2002124548A (ja) | 2002-04-26 |
Family
ID=18799894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000321925A Withdrawn JP2002124548A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | テープキャリア及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002124548A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359342A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Dainippon Printing Co Ltd | マルチチップモジュール用の中間基板 |
| JP2008504696A (ja) * | 2004-06-25 | 2008-02-14 | テッセラ，インコーポレイテッド | ポストおよびパッドを有する部品 |
| US8531039B2 (en) | 2003-12-30 | 2013-09-10 | Tessera, Inc. | Micro pin grid array with pin motion isolation |
| US8580607B2 (en) | 2010-07-27 | 2013-11-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
| US8604348B2 (en) | 2003-10-06 | 2013-12-10 | Tessera, Inc. | Method of making a connection component with posts and pads |
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| US8723318B2 (en) | 2010-07-08 | 2014-05-13 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with dual or multiple-etched flip-chip connectors |
| US8853558B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-10-07 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
| US8884448B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-11-11 | Tessera, Inc. | Flip chip interconnection with double post |
| US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US10535626B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-01-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| CN112687570A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-20 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 用于陶瓷外壳焊盘焊接性能检验的试验方法 |
| US11973056B2 (en) | 2016-10-27 | 2024-04-30 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US12027487B2 (en) | 2022-12-22 | 2024-07-02 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Structures for low temperature bonding using nanoparticles |
-
2000
- 2000-10-17 JP JP2000321925A patent/JP2002124548A/ja not_active Withdrawn
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9397063B2 (en) | 2010-07-27 | 2016-07-19 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
| US9030001B2 (en) | 2010-07-27 | 2015-05-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
| US8580607B2 (en) | 2010-07-27 | 2013-11-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
| US8853558B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-10-07 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
| US9496236B2 (en) | 2010-12-10 | 2016-11-15 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080108 |