JP4483969B2 - 基板及びその製造方法、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
さらに、近年では、図29(a)〜(i)に示すように、金属板231の上に電柱状の端子233及びダイパッド235を電気メッキで形成した後、ダイパッド235上にIC素子210を搭載し、金線213によるIC素子210と端子233との接続を行い、その後樹脂封止を行い、樹脂成型部236から金属板231を引き剥がして、個々の製品に切断するパッケージも作られている。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、IC素子に課せられる制約を増やすことなく、IC素子を搭載する基板の仕様を共通化できるようにした基板及びその製造方法、半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る基板は、IC素子を固定するための基板であって、第1の面及び前記第1の面とは反対側を向く第2の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本の金属支柱、を備え、前記複数の列の各列のそれぞれの延長上には、前記各列にそれぞれ割り当てられた第1のマークが形成され、前記複数の行の各行のそれぞれの延長上には、前記各行にそれぞれ割り当てられた第2のマークが形成されていることを特徴とするものである。ここで、本発明の「第1の面」は例えばIC素子のパッド端子と接続される側の面であり、「第2の面」は例えばマザーボード等と接続される側の面である。
また、本発明の一態様に係る基板は、前記複数本の金属支柱を前記第1の面から前記第2の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部、をさらに備えることを特徴とするものである。
また、本発明の一態様に係る基板は、前記第1のマーク及び前記第2のマークは、前記複数本の金属支柱と同一の材料からなることを特徴とするものである。
また、本発明の一態様に係る基板は、前記第1のマーク及び前記第2のマークは、前記接着剤に形成された凹部からなることを特徴とするものである。ここで、本発明の「凹部」は、例えば、接着剤に対してレーザーを照射するにより形成される。
また、本発明の一態様に係る基板は、前記第1のマーク及び前記第2のマークは、数字、文字又は記号の形態を有することを特徴とするものである。
また、上記の構成であれば、例えば、金属支柱が樹脂で覆われた後も、複数本の金属支柱の縦方向に並ぶ各列を第1のマークを目印にそれぞれ識別することができ、横方向に並ぶ各行を第2のマークを目印にそれぞれ識別することができる。
本発明の一態様に係る基板の製造方法は、IC素子を固定するための基板の製造方法であって、第1の面及び前記第1の面とは反対側を向く第2の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように複数本の金属支柱を形成する工程と、前記複数の列の各列のそれぞれの延長上に、前記各列にそれぞれ割り当てられた第1のマークを形成する工程と、前記複数の行の各行のそれぞれの延長上に、前記各行にそれぞれ割り当てられた第2のマークを形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
また、本発明の一態様に係る基板の製造方法は、前記複数本の金属支柱を形成する工程は、第1の面及び前記第1の面とは反対側を向く第2の面を有する金属板の前記第2の面を接着剤を介して支持基板に貼り付け、貼り付けられた前記金属板を前記第1の面から部分的にエッチングすることによって、前記複数本の金属支柱を形成する工程であることを特徴とするものである。
本発明の一態様に係る基板の製造方法によれば、多種類のIC素子に対して、そのパッド端子のレイアウトに制約を課することなく基板の仕様を共通化できる。これにより、基板と、当該基板を用いた半導体装置の製造コストを低減することができる。
また、上記の基板の製造方法によれば、例えば、金属支柱が樹脂で覆われた後も、複数本の金属支柱の縦方向に並ぶ各列を第1のマークを目印にそれぞれ識別することができ、横方向に並ぶ各行を第2のマークを目印にそれぞれ識別することができる。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、第1の面及び前記第1の面とは反対側を向く第2の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本の金属支柱、を備え、前記複数の列の各列のそれぞれの延長上には、前記各列にそれぞれ割り当てられた第1のマークが形成され、前記複数の行の各行のそれぞれの延長上には、前記各行にそれぞれ割り当てられた第2のマークが形成されている基板を用意する工程と、前記第1の金属支柱の前記第1の面にIC素子を固定する工程と、前記IC素子と前記第2の金属支柱の前記第1の面とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、前記IC素子及び前記導電部材を樹脂で封止する工程と、を含み、前記樹脂で封止する工程では、前記樹脂の表面に前記第1のマークの少なくとも一部及び前記第2のマークの少なくとも一部が現れるように前記基板に前記樹脂を供給することを特徴とするものである。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、多種類のIC素子に対して、そのパッド端子のレイアウトに制約を課することなく基板の仕様を共通化できるので、半導体装置の製造コストを低減することができる。
また、上記の半導体装置の製造方法によれば、例えば、金属支柱が樹脂で覆われた後も、複数本の金属支柱の縦方向に並ぶ各列を第1のマークを目印にそれぞれ識別することができ、横方向に並ぶ各行を第2のマークを目印にそれぞれ識別することができる。これにより、各基板において、樹脂の切断ライン(即ち、ダイシングライン)を決定する際の基準が明確となるため、ダイシング処理の正確性と作業性を高めることができる。
(1)第1実施形態
図1〜図7は、本発明の第1実施形態に係る基板50の製造方法を示す図である。詳しく説明すると、図1(a)、図2(a)、図4(a)及び図5は下面図であり、図1(b)、図2(b)及び図4(b)は、図1(a)、図2(a)及び図4(a)をX1−X´1線、X2−X´2線、X4−X´4線でそれぞれ切断したときの端面図である。また、図6(a)〜図7(c)は、端面図である。
また、遮光パターンP12は、複数個の遮光パターンP11の縦方向に並ぶ各列の延長上にそれぞれ配置されており、遮光パターンP11の各列に対応してそれぞれ異なる数字が割り当てられている。例えば図9において、遮光パターンP11の右側から一列目には数字「1」が割り当てられ、右側から2列目には数字「2」が割り当てられ、右側から3列目には数字「3」が割り当てられている。
次に、図7(b)に示すように、正円形のレジストパターン31と、鏡像数字又は鏡像文字の形態を有するレジストパターンの両方をマスクに、銅板1をその上面側から下面側にかけて貫通するまでエッチングして、複数本の円筒状電極(即ち、ポスト)40を形成する。銅板1から複数本のポスト40を形成した後は、図7(c)に示すように、ポスト40の上面からレジストパターン31と、鏡像数字又は鏡像文字の形態を有するレジストパターンを除去する。これにより、基板50が完成する。
図11〜図17は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の製造方法を示す図である。詳しく説明すると、図11(a)〜図14(a)、図16(a)は、IC素子151のチップサイズが例えば2mm角の場合を示す平面図である。また、図11(b)〜図14(b)、図16(b)は、IC素子151のチップサイズが例えば1mm角の場合を示す平面図である。さらに、図11(c)〜図14(c)、図16(c)は、図11(b)〜図14(b)、図16(b)をY11−Y´11線〜Y14−Y´14線、Y16−Y´16線でそれぞれ切断したときの端面図である。
ここでは、認識マーク8を目印に、外部端子となるポスト40を認識し、認識したポスト40に金線53の一端を接続するようにしても良い。このような方法によれば、複数本のポスト40の中から外部端子となるポスト40を精度良く認識することができ、認識したポスト40に金線53を精度良く取り付けることができる。なお、認識マーク8がポスト40と同様に導電性を有する場合は、例えば、認識マーク8が形成されたポスト40に金線53を接続して当該ポスト40を外部端子として使用しても良い。
この第1実施形態では、ポスト40が本発明の「金属支柱」に対応している。さらに、マーク43が本発明の「第1のマーク」に対応し、マーク44が本発明の「第2のマーク」に対応している。さらに、金線53が本発明の「導電部材」に対応し、モールド樹脂61が本発明の「樹脂」に対応している。
その結果、例えば図8(b)に示すように、マーク43、44は支持基板21に近い側においてのみ数字又は文字の形態を有する形に形成される。このような形であっても、マーク43、44は樹脂封止工程の後、モールド樹脂61の下面から露出するため、これらマーク43、44を目印にして、複数本のポスト40の各行、各列を識別することができる。従って、上記の第1実施形態と同様、各基板50において、モールド樹脂61のダイシングラインを決定する際の基準が明確となるため、ダイシング処理の正確性と作業性を高めることができる。
上記の第1実施形態では、支持基板21の上面に銅板1の下面を接着して、ポスト40とマーク43、44を含む基板50を製造する場合について説明した。しかしながら、本発明に係る基板とその製造方法、及び、半導体装置の製造方法はこれに限られることはなく、例えば、以下のような第2実施形態であっても良い。
この第2実施形態では、まず始めに、基板の製造方法について説明し、次に、この基板を用いた半導体装置の製造方法について説明する。なお、この第2実施形態では基板の製造方法の一例として、図21及び図22に示す二通りの製造方法を説明する。図21はセミアディティブ工法を応用した製造方法であり、図22はサブトラクティブ工法を応用した製造方法である。この二通りの基板の製造方法について説明した後、図24、25において半導体装置の製造方法を説明する。
なお、図21(d)ではメッキ層13a及び13bをそれぞれ2層構造で示しているが、メッキ層13a及び13bは2層以上の積層構造でも単層構造でも良い。例えば、メッキ層13a及び13bは、Ni(下層)/Pd(中層)/Au(上層)からなる3層構造、Ni(下層)/Au(上層)からなる2層構造、又は、Agからなる単層構造を採ることができる。
なお、銅板1の上面及び下面にそれぞれ形成する凹部14a及び14bは、それぞれ同じ深さに形成しても良いし、異なる深さに形成しても良い。例えば、スプレー式のウェットエッチングで凹部14a及び14bを形成する場合は、上面側のエッチング時間を下面側のエッチング時間の2倍に設定する。これにより、上面側に例えば深さ0.1mmの凹部14aを形成すると共に、下面側に深さ0.05mmの凹部14bを形成することができる。
図22(a)〜(g)は、本発明の第2実施形態に係る基板150の製造方法(サブトラクティブ工法)を示す断面図である。図22において、図21と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
まず始めに、図22(a)に示すように銅板1を用意する。次に、図22(b)に示すように、例えば電解メッキ法により、銅板1の上面及び下面にそれぞれメッキ層13a及び13bを形成する。図21と同様、図22(b)でもメッキ層13a´及び13b´をそれぞれ2層構造で示しているが、メッキ層13a´及び13b´は2層以上の積層構造でも単層構造でも良い。メッキ層13a´及び13b´は、例えばNi(下層)/Pd(中層)/Au(上層)からなる積層構造、Ni(下層)/Au(上層)からなる積層構造、又は、Agからなる単層構造を採ることができる。
ここで、メッキ層13a及び13bが例えばNi/Pd/Au、又は、Ni/Auからなる場合は、メッキ層のエッチング液に例えば王水を使用する。また、メッキ層13a及び13bが例えばAgからなる場合は、エッチング液に例えば硝酸溶液を使用する。このようにメッキ層をエッチングした後で、図22(f)に示すように、レジストパターン17a´及び17b´と、これに覆われているメッキ層13a及び13bとをマスクに銅板1を上面側及び下面側からそれぞれエッチングする。これにより、銅板1の上面側に凹部14aを形成する共に、その下面側に凹部14bを形成する。
このように基板150が完成した後は、例えばインクジェット工法又はレーザーマークによって、所望の位置にあるポスト15の上面(表面)を着色して認識マーク8を形成する。認識マーク8をインクジェット工法で形成する場合、その着色材料には例えば耐熱性異色インク、又は、異色メッキ等を採用することが可能である。
図24(a)〜図25(b)は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置200の製造方法を示す断面図である。図24(a)では、まず始めに、認識マーク8を目印にIC固定領域を認識する。次に認識したIC固定領域にIC素子51を位置合わせし、位置合わせした状態で、図24(b)に示すように、IC固定領域にある複数本のポスト15上にIC素子51を取り付ける(ダイアタッチ工程)。このような方法によれば、IC素子51をIC固定領域に精度良く位置合わせすることができ、IC素子51を基板150に位置ズレ少なく取り付けることができる。なお、このダイアタッチ工程では、IC素子51とポスト15とを接着剤23で取り付ける。使用する接着剤23は、例えば熱硬化ペースト又はシート状のものである。
なお、図25(a)及び(b)では、モールド樹脂61の上面全体にUVテープ等を貼らないでダイシングする場合について示したが、これはあくまで一例である。この第2実施形態においても、第1実施形態と同様、モールド樹脂61の上面全体にUVテープを貼り、この状態でダイシングを行っても良い。その場合は、第1実施形態と同様、モールド樹脂61のUVテープが貼られていない側の面にダイシングブレード75を当てて、モールド樹脂61を製品外形に合わせて切断すれば良い。
また、上記の第1、第2実施形態では、マーク43、44について、各列・各行に対応する数字と文字が全て異なる場合を示したが、本発明はこれに限られることはない。例えば、図20に示すように、マーク43の数字を例えば1〜9の間で規則性を持たせて繰り返しても良く、同様に、マーク44の文字を例えばA〜Zの間で規則性を持たせて繰り返しても良い。このような構成であっても、上記の第1実施形態と同様、各行・各列を識別することができる。
Claims (12)
- IC素子を固定するための基板であって、
第1の面及び前記第1の面とは反対側を向く第2の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように配置された複数本の金属支柱、を備え、
前記複数の列の各列のそれぞれの延長上には、前記各列にそれぞれ割り当てられた第1のマークが形成され、
前記複数の行の各行のそれぞれの延長上には、前記各行にそれぞれ割り当てられた第2のマークが形成されていることを特徴とする基板。 - 前記複数本の金属支柱の前記第2の面を支持する支持基板、をさらに備え、
前記支持基板と前記複数本の金属支柱は、接着剤を介して接合されていることを特徴とする請求項1に記載の基板。 - 前記複数本の金属支柱を前記第1の面から前記第2の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部、をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 前記複数本の金属支柱は、その各々が同一の形状で且つ同一の寸法に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板。
- 前記第1のマーク及び前記第2のマークは、前記複数本の金属支柱と同一の材料からなることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載の基板。
- 前記第1のマーク及び前記第2のマークは、前記接着剤に形成された凹部からなることを特徴とする請求項2に記載の基板。
- 前記第1のマーク及び前記第2のマークは、数字、文字又は記号の形態を有することを特徴とする請求項1から請求項6の何れか一項に記載の基板。
- IC素子を固定するための基板の製造方法であって、
第1の面及び前記第1の面とは反対側を向く第2の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように複数本の金属支柱を形成する工程と、
前記複数の列の各列のそれぞれの延長上に、前記各列にそれぞれ割り当てられた第1のマークを形成する工程と、
前記複数の行の各行のそれぞれの延長上に、前記各行にそれぞれ割り当てられた第2のマークを形成する工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。 - 前記複数本の金属支柱を形成する工程は、
第1の面及び前記第1の面とは反対側を向く第2の面を有する金属板の前記第2の面を接着剤を介して支持基板に貼り付け、貼り付けられた前記金属板を前記第1の面から部分的にエッチングすることによって、前記複数本の金属支柱を形成する工程であることを特徴とする請求項8に記載の基板の製造方法。 - 前記複数本の金属支柱を形成する工程は、
第1の面及び前記第1の面とは反対側を向く第2の面を有する金属板を少なくとも前記第1の面から部分的にエッチングして、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱を前記第1の面から前記第2の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部と、を形成する工程であることを特徴とする請求項8に記載の基板の製造方法。 - 第1の面及び前記第1の面とは反対側を向く第2の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本の金属支柱、を備え、前記複数の列の各列のそれぞれの延長上には、前記各列にそれぞれ割り当てられた第1のマークが形成され、前記複数の行の各行のそれぞれの延長上には、前記各行にそれぞれ割り当てられた第2のマークが形成されている基板を用意する工程と、
前記第1の金属支柱の前記第1の面にIC素子を固定する工程と、
前記IC素子と前記第2の金属支柱の前記第1の面とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、
前記IC素子及び前記導電部材を樹脂で封止する工程と、を含み、
前記樹脂で封止する工程では、前記樹脂の表面に前記第1のマークの少なくとも一部及び前記第2のマークの少なくとも一部が現れるように前記基板に前記樹脂を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂で封止する工程の後で、前記第1のマーク及び前記第2のマークを目印に前記樹脂を切断する工程、をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
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