JPH02240940A - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents
集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02240940A JPH02240940A JP1062416A JP6241689A JPH02240940A JP H02240940 A JPH02240940 A JP H02240940A JP 1062416 A JP1062416 A JP 1062416A JP 6241689 A JP6241689 A JP 6241689A JP H02240940 A JPH02240940 A JP H02240940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- integrated circuit
- support part
- circuit element
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000004512 die casting Methods 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 101100409194 Rattus norvegicus Ppargc1b gene Proteins 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000035606 childbirth Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 210000003296 saliva Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
- H01L21/4832—Etching a temporary substrate after encapsulation process to form leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45644—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、データを処理または記憶する集積回路素子を
内蔵し、外部装置との間でデータの授受ができるICカ
ード等に用いられる集積回路装置に関するものである。
内蔵し、外部装置との間でデータの授受ができるICカ
ード等に用いられる集積回路装置に関するものである。
従来の技術
近年、マイクロコンピュータ、メモリ等の集積回路素子
をプラスチック製カードに搭載または埋設したいわゆる
ICカードが実用化されつつある。
をプラスチック製カードに搭載または埋設したいわゆる
ICカードが実用化されつつある。
このICカードはすでに多量に使用されている磁気スト
ライプカードに比して記憶容量が大きく。
ライプカードに比して記憶容量が大きく。
また機密保持の点に優れているため、金融関係。
クレジット関係、医療関係など多くの分野で実用化され
つつある。
つつある。
このようなICカードは、塩化ビニル等のプラスチック
カードに、リーグ・ライタ等の外部装置との接続端子を
有する集積回路装置が搭載された構成であり、この集積
回路装置は構造が簡単で寸法精度がよく、きわめて薄型
にすることが必要とされる。このため集積回路装置は、
金属薄板を所望する電極形状に形成したリードフレーム
を用いて作製されている。
カードに、リーグ・ライタ等の外部装置との接続端子を
有する集積回路装置が搭載された構成であり、この集積
回路装置は構造が簡単で寸法精度がよく、きわめて薄型
にすることが必要とされる。このため集積回路装置は、
金属薄板を所望する電極形状に形成したリードフレーム
を用いて作製されている。
以下に、集積回路装置の従来の製造方法について説明す
る。第7図は従来の製造方法に用いられるリードフレー
ムの平面図であり、第8図(a)から((1)は従来の
集積回路装置製造方法を示した第7図o −o断面図で
ある。リードフレーム100d。
る。第7図は従来の製造方法に用いられるリードフレー
ムの平面図であり、第8図(a)から((1)は従来の
集積回路装置製造方法を示した第7図o −o断面図で
ある。リードフレーム100d。
金属薄板をエツチングや打ち抜き等の方法によって所望
する電極形状に加工したものであり、各電極1001L
はそれぞれの支持部100bによってリードフレームの
外枠100Cに支持されている。
する電極形状に加工したものであり、各電極1001L
はそれぞれの支持部100bによってリードフレームの
外枠100Cに支持されている。
また、その0−0断面は第8図(IL)のようになって
いる。
いる。
第8図(IL)に示す電fM1ooaの一方の面100
d上に接着剤102を塗布し、集積回路素子101をダ
イスボンドして同図(b)の構成とする。次に。
d上に接着剤102を塗布し、集積回路素子101をダ
イスボンドして同図(b)の構成とする。次に。
金細線103によって電[1001Lと集積回路素子1
01とをワイヤーボンドして同図(C)とし、その後同
図(d)のようにt極1001ILの他方の面100e
を外部接続用端子として露出し、集積回路素子101お
よび金細線103を覆うように封止樹脂104を成形す
る。そして、最後にリードフレームの支持部100bを
切断して集積回路装置200を得ている。(特開昭63
−33863号公報) 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の製造方法では、リードフレーム10
0の各電極100&が分離しており、それぞれが個別の
細い支持部によって支持されているため、取り扱いが困
難であった。
01とをワイヤーボンドして同図(C)とし、その後同
図(d)のようにt極1001ILの他方の面100e
を外部接続用端子として露出し、集積回路素子101お
よび金細線103を覆うように封止樹脂104を成形す
る。そして、最後にリードフレームの支持部100bを
切断して集積回路装置200を得ている。(特開昭63
−33863号公報) 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の製造方法では、リードフレーム10
0の各電極100&が分離しており、それぞれが個別の
細い支持部によって支持されているため、取り扱いが困
難であった。
また集積回路装置製造時にこの支゛持部がゆがめられ、
完成し、た集積回路装置の外部接続用端子面において、
電極が変位して封止樹脂104中に埋没あるいは突出し
たり、極端な場合には二つの電極100aが接触したり
するという問題点があった。
完成し、た集積回路装置の外部接続用端子面において、
電極が変位して封止樹脂104中に埋没あるいは突出し
たり、極端な場合には二つの電極100aが接触したり
するという問題点があった。
さらにこの製造方法では、ダイスボンド工程や樹脂封止
工程において接着剤102や封止樹脂104がはみ出し
た場合、それらが外部接続用端子表面に回り込み、薄ば
しとして残るという問題点もあった。
工程において接着剤102や封止樹脂104がはみ出し
た場合、それらが外部接続用端子表面に回り込み、薄ば
しとして残るという問題点もあった。
これらの、外部接続用端子面における電極1001Lの
変位や薄ばりの発生は、集積回路装置の外観を著しく損
ねるだけでなく、リーグ・ライタ等の外部装置との間で
データの授受を行う際に誤りを生じさせる原因ともなる
ため、これらを如何にして抑えるかが従来技術の課題と
なっている。
変位や薄ばりの発生は、集積回路装置の外観を著しく損
ねるだけでなく、リーグ・ライタ等の外部装置との間で
データの授受を行う際に誤りを生じさせる原因ともなる
ため、これらを如何にして抑えるかが従来技術の課題と
なっている。
本発明はこのような課題を解決するもので、外部接続用
端子面において電極の変位や薄ばりが生じない集積回路
装置の製造方法とすることを目的としている。
端子面において電極の変位や薄ばりが生じない集積回路
装置の製造方法とすることを目的としている。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明は、平板状の支持部の
一方の面に凸状の電極を設けたリードフレームを用い、
前記電極上に集積回路素子を接着剤で接着し、その後電
極とこの集積回路素子とを接続体で接続し、その後これ
らを封止樹脂で覆い。
一方の面に凸状の電極を設けたリードフレームを用い、
前記電極上に集積回路素子を接着剤で接着し、その後電
極とこの集積回路素子とを接続体で接続し、その後これ
らを封止樹脂で覆い。
その後、前記リードフレームの支持部分の他方の面を前
記電極が露出するまで除去することによって外部接続用
端子を形成するものである。
記電極が露出するまで除去することによって外部接続用
端子を形成するものである。
作用
この製造方法では、電極は平板状の支持部の一方の面に
凸状に形成されており、各電極が分離していないため、
製造工程において電極の変位が生じることはなく、さら
に集積回路素子の接着工程や樹脂封止工程において接着
剤や封止樹脂が集積回路装置の外部接続用端子面に回り
込むことがないため、薄ばりも発生しなくなる。
凸状に形成されており、各電極が分離していないため、
製造工程において電極の変位が生じることはなく、さら
に集積回路素子の接着工程や樹脂封止工程において接着
剤や封止樹脂が集積回路装置の外部接続用端子面に回り
込むことがないため、薄ばりも発生しなくなる。
また、この外部接続用端子面は研磨によって作製される
ため、樹脂封止工程等において集積回路装置にたわみが
生じた場合にも平坦な面に仕上げることができる。
ため、樹脂封止工程等において集積回路装置にたわみが
生じた場合にも平坦な面に仕上げることができる。
実施例
実施例1
以下に本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第1図は本発明の第1の実施例に用いられるリードフレ
ームを示した斜視図であり、第2図(&)から(わけ集
積回路装置の製造方法を示した第1図m −m断面図、
第3図は外部接続用端子面を上方に向けて、完成した集
積回路装置を示した斜視図である。第1図から第3図に
おいて、1はリードフレーム、1aはその一方の面の凸
状の電極、1bは支持部、1dは支持部1bの一方の面
、1eは支持部1bの他方の面、1には集積回路装置の
外部接続用端子面、2は集積回路素子、3は接着剤。
ームを示した斜視図であり、第2図(&)から(わけ集
積回路装置の製造方法を示した第1図m −m断面図、
第3図は外部接続用端子面を上方に向けて、完成した集
積回路装置を示した斜視図である。第1図から第3図に
おいて、1はリードフレーム、1aはその一方の面の凸
状の電極、1bは支持部、1dは支持部1bの一方の面
、1eは支持部1bの他方の面、1には集積回路装置の
外部接続用端子面、2は集積回路素子、3は接着剤。
4は金細線、6は封止樹脂、6は砥石、7は集積回路装
置である。
置である。
まず、厚さ0.26Hの鉄系金属薄板の一方の面に電極
部分を除いて深さ0.15111fのハーフエツチング
を施し、凸状の電極1aと平板状の電極支持部1bとを
備えたリードフレーム1を作製した。
部分を除いて深さ0.15111fのハーフエツチング
を施し、凸状の電極1aと平板状の電極支持部1bとを
備えたリードフレーム1を作製した。
ただし電極11Lの寸法は3.01’l X 2.1
fiとし、その配置はl5O(国際標準化機構)によっ
て定められた規格に準拠した。次に、この電極1a上の
所定の位置に塗布厚約30μmの絶縁性接着剤3を塗布
し、この絶縁性接着剤3を介して厚さ0.221’l、
サイズ6ffX4.51nfの集積回路素子2をダイス
ボンドして搭載した。次に線径26μ論の金細線4によ
り所定の電極1&と集積回路素子20入出力端子とをワ
イヤーボンドして接続した。
fiとし、その配置はl5O(国際標準化機構)によっ
て定められた規格に準拠した。次に、この電極1a上の
所定の位置に塗布厚約30μmの絶縁性接着剤3を塗布
し、この絶縁性接着剤3を介して厚さ0.221’l、
サイズ6ffX4.51nfの集積回路素子2をダイス
ボンドして搭載した。次に線径26μ論の金細線4によ
り所定の電極1&と集積回路素子20入出力端子とをワ
イヤーボンドして接続した。
続いて、支持部1bの他方の面1・をトランスファ成形
金型の下金型に当接し、エポキシ封止樹脂6を注入して
集積回路素子2、金細線4等を樹脂封止した。その後、
炭化けい素糸の砥石6を備えた平面研削盤によ1て支持
部1bの他方の面1・を0.1111研削した。これに
よって電極支持部1bが除去され、電極11Lが分離お
よび露出して外部接続用端子面1xとな抄、集積回路装
置7が得られた。
金型の下金型に当接し、エポキシ封止樹脂6を注入して
集積回路素子2、金細線4等を樹脂封止した。その後、
炭化けい素糸の砥石6を備えた平面研削盤によ1て支持
部1bの他方の面1・を0.1111研削した。これに
よって電極支持部1bが除去され、電極11Lが分離お
よび露出して外部接続用端子面1xとな抄、集積回路装
置7が得られた。
この集積回路装置7の外部接続用端子面1xには、電極
の変位および薄ばりは発生しなかった。
の変位および薄ばりは発生しなかった。
さらに集積回路装置7は、封止樹脂成形時の温度変化に
よって約30μl程度のたわみが生じたが、研削後の外
部接続用端子面1xは凹凸が6μ冨以下に抑えられた平
面となった。
よって約30μl程度のたわみが生じたが、研削後の外
部接続用端子面1xは凹凸が6μ冨以下に抑えられた平
面となった。
完成した集積回路装置7の総厚は0.62 fiで、外
周寸法は横12ff、縦10ffであった。
周寸法は横12ff、縦10ffであった。
実施例2
以下本発明の第2の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第4図は本発明の第2の実施例における製造方法におい
て、リードフレームにダイスボンドおよびワイヤーボン
ドを施した状態を示した斜視図、第6図は完成した集積
回路装置の斜視図である。
て、リードフレームにダイスボンドおよびワイヤーボン
ドを施した状態を示した斜視図、第6図は完成した集積
回路装置の斜視図である。
第4図および第6図において、10はリードフレーム、
101Lは電極、10bは支持部、10(1は支持部1
0bの一方の面、10・は支持部10bの他方の面、1
oxは外部接続用端子面、11は集積回路素子、12は
金細線、13は封止樹脂、14は集積回路装置である。
101Lは電極、10bは支持部、10(1は支持部1
0bの一方の面、10・は支持部10bの他方の面、1
oxは外部接続用端子面、11は集積回路素子、12は
金細線、13は封止樹脂、14は集積回路装置である。
本実施例では、亜鉛合金を金型中に鋳込んで、ダイカス
ト法により支持部10bおよび同心円状の電極101L
を備えたリードフレーム10を作製した。そして、集積
回路素子11をこの電極101L上に中心からずらして
ダイスボンドした。その後の集積回路装置完成までの工
程は、第1の実施例と同様に行った。
ト法により支持部10bおよび同心円状の電極101L
を備えたリードフレーム10を作製した。そして、集積
回路素子11をこの電極101L上に中心からずらして
ダイスボンドした。その後の集積回路装置完成までの工
程は、第1の実施例と同様に行った。
この構成のように閉ループをなす電極の内側に別の電極
を設ける場合、従来の製造方法では各電極の支持方法お
よびその支持部分の切断方法が問題となるが、本実施例
の製造方法では、全ての電1101Lが平板状の電極支
持部10bの一方の而で支持されており、この部分は樹
脂封止後に平面研削によって除去されるためなんら問題
は生じなかった。
を設ける場合、従来の製造方法では各電極の支持方法お
よびその支持部分の切断方法が問題となるが、本実施例
の製造方法では、全ての電1101Lが平板状の電極支
持部10bの一方の而で支持されており、この部分は樹
脂封止後に平面研削によって除去されるためなんら問題
は生じなかった。
さらに、この構成のように集積回路素子11を細い電極
101L上にまたがってダイスボンドする場合、接着剤
が電fM10&上からはみ出しやすくなる。従来の製造
方法では、この接着剤のはみ出しが外部接続用端子面の
薄ばりとなって残るため、このような位置にダイスボン
ドすることは避けられていた。しかしながら本実施例の
製造方法では。
101L上にまたがってダイスボンドする場合、接着剤
が電fM10&上からはみ出しやすくなる。従来の製造
方法では、この接着剤のはみ出しが外部接続用端子面の
薄ばりとなって残るため、このような位置にダイスボン
ドすることは避けられていた。しかしながら本実施例の
製造方法では。
接着剤のはみ出しが特に問題とならないため、何ら支障
なくダイスボンドすることができた。
なくダイスボンドすることができた。
完成した集積回路装置13の総厚は1.OMで、外周半
径は12.5fiであった。また、第1の実施例の集積
回路装置7と同様に外部接続用端子面10xには電極の
変位および薄ばりの発生はなく、さらにたわみによる凹
凸も6μm以下となった。
径は12.5fiであった。また、第1の実施例の集積
回路装置7と同様に外部接続用端子面10xには電極の
変位および薄ばりの発生はなく、さらにたわみによる凹
凸も6μm以下となった。
このような同心円状の電極101Lを持った集積回路装
置14は、リーグ・ライタ等の外部装置に挿入する際に
挿入方向を定める必要が無いため。
置14は、リーグ・ライタ等の外部装置に挿入する際に
挿入方向を定める必要が無いため。
集積回路装置14を単体でコインのようにして使用する
ことが可能となる。また集積回路装置14を中心からず
らしてダイスボンドすることにより。
ことが可能となる。また集積回路装置14を中心からず
らしてダイスボンドすることにより。
ワイヤーボンド距離を短くすることができるため信頼性
が向上すると共に、コストを低下することができる。さ
らに、リードフレーム10をダイカスト法によって作製
するため量産性を向上することもできる。
が向上すると共に、コストを低下することができる。さ
らに、リードフレーム10をダイカスト法によって作製
するため量産性を向上することもできる。
なお、第1および第2の実施例において、特にリードフ
レーム1,10にメツキ処理は施さなかったが、リード
フレームの腐食等を防ぎ集積回路装置の寿命を延ばす目
的で、支持部を除去した後に外部接続用端子面にム田メ
ツキ等を施してもよい。
レーム1,10にメツキ処理は施さなかったが、リード
フレームの腐食等を防ぎ集積回路装置の寿命を延ばす目
的で、支持部を除去した後に外部接続用端子面にム田メ
ツキ等を施してもよい。
また、第1および第2の実施例において外部接続用端子
面を露出させるために研削という機械的な方法を用いた
が、それ以外にエツチング等の化学的方法を用いてもよ
い。
面を露出させるために研削という機械的な方法を用いた
が、それ以外にエツチング等の化学的方法を用いてもよ
い。
発明の効果
以上のように本発明は、凸状の電極を平板状の支持部の
一方の面に設け、この電極上に集積回路素子を接着剤で
接着し、樹脂封止した後、前記支持部の他方の面を前記
電極が現われるまで除去して外部接続用端子を形成する
製造方法であるため。
一方の面に設け、この電極上に集積回路素子を接着剤で
接着し、樹脂封止した後、前記支持部の他方の面を前記
電極が現われるまで除去して外部接続用端子を形成する
製造方法であるため。
外部接続用端子面に電極の変位および薄ばりの生じない
集積回路装置を作製することができる。
集積回路装置を作製することができる。
また、封止樹脂成形時にたれみが生じた場合にも外部接
続用端子面は平面に仕上げることができる。
続用端子面は平面に仕上げることができる。
さらに、特殊な電極形状を用いる場合でもリードフレー
ムの取り扱いが容易であり、特別な配慮をすることなし
に集積回路装置を作製することができるものである。
ムの取り扱いが容易であり、特別な配慮をすることなし
に集積回路装置を作製することができるものである。
第1図は本発明の第1の実施例において用いられるリー
ドフレームの斜視図、第2図(1L)〜(0は集積回路
装置の製造方法を示した断面図、第3図は完成した集積
回路装置の斜視図、第4図は本発明の第2の実施例にお
ける集積回路装置の製造方法においてリードフレームに
ダイスボンドおよびワイヤーボンドを施した後の状態を
示した斜視図。 第6図は完成した集積回路装置の斜視図、第を図造方法
を示した断面図である。 1・・・・・・リードフレーム、11L・・・・・・電
極、 1b・・・・・・支持部、1d・・・・・・支持
部1bの一方の面、1・・・・・・・支持部1bの他方
の面、1x・・・・・・外部接続用端子面、2・・・・
・・集積回路素子、3・・・・・・接着剤、4・・・・
・・金細線、6・・・・・・封止樹脂、6・・・・・・
砥石、7・・・°・°集積回路装置、10・・・・・・
リードフレーム、101L・・・・・・電極、10b・
・・・・・支持部、10d・・・・・・支持部の一方の
面、10・・・・・・・支持部の他方の面、10x・・
・・・・外部接続用端子面、11・・・・・・集積回路
素子。 12・・・・・・金細線、13・・・・・・封止樹脂、
14・・・・・・集積回路装置。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名錫 図 /−−−ソード7レーム lルー ta tb−−一支持部 /!−−−支持師の一方の面 /e−一一支符部の他方の面 /−−−ワードフレーム 3・−#層別 7・−菓穣区外表1 Wo−°ソートフレーム lOα・・・tw− tab−支持部 ta〔−支持部の一方の大 10e ・−支持部のイ’tW、yf/)m11・−・
集積回語素子 /Z・−食河渫 Qe 第 1M /X 1x−・−ダト岬l妾娩用謔1子面 5−封止樹唾 υ°−菓#R回路堰ヱ 第 5 図 10x −−°ダト *perc**+z13− 圭
↑丈」耐曙 14−集′槓百訃素子
ドフレームの斜視図、第2図(1L)〜(0は集積回路
装置の製造方法を示した断面図、第3図は完成した集積
回路装置の斜視図、第4図は本発明の第2の実施例にお
ける集積回路装置の製造方法においてリードフレームに
ダイスボンドおよびワイヤーボンドを施した後の状態を
示した斜視図。 第6図は完成した集積回路装置の斜視図、第を図造方法
を示した断面図である。 1・・・・・・リードフレーム、11L・・・・・・電
極、 1b・・・・・・支持部、1d・・・・・・支持
部1bの一方の面、1・・・・・・・支持部1bの他方
の面、1x・・・・・・外部接続用端子面、2・・・・
・・集積回路素子、3・・・・・・接着剤、4・・・・
・・金細線、6・・・・・・封止樹脂、6・・・・・・
砥石、7・・・°・°集積回路装置、10・・・・・・
リードフレーム、101L・・・・・・電極、10b・
・・・・・支持部、10d・・・・・・支持部の一方の
面、10・・・・・・・支持部の他方の面、10x・・
・・・・外部接続用端子面、11・・・・・・集積回路
素子。 12・・・・・・金細線、13・・・・・・封止樹脂、
14・・・・・・集積回路装置。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名錫 図 /−−−ソード7レーム lルー ta tb−−一支持部 /!−−−支持師の一方の面 /e−一一支符部の他方の面 /−−−ワードフレーム 3・−#層別 7・−菓穣区外表1 Wo−°ソートフレーム lOα・・・tw− tab−支持部 ta〔−支持部の一方の大 10e ・−支持部のイ’tW、yf/)m11・−・
集積回語素子 /Z・−食河渫 Qe 第 1M /X 1x−・−ダト岬l妾娩用謔1子面 5−封止樹唾 υ°−菓#R回路堰ヱ 第 5 図 10x −−°ダト *perc**+z13− 圭
↑丈」耐曙 14−集′槓百訃素子
Claims (2)
- (1)平板状の支持部の一方の面に凸状の電極を設けた
リードフレームを用い、前記電極上に接着剤を塗布して
集積回路素子を搭載し、前記電極と前記集積回路素子と
を接続体によって接続し、少なくとも前記集積回路素子
と前記接続体とを封止樹脂で覆った後に、前記支持部の
他方の面を前記電極が露出するまで除去することによっ
て、外部接続用端子を形成する集積回路装置の製造方法
。 - (2)リードフレームをダイカスト法によって作製した
特許請求の範囲第1項記載の集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1062416A JPH02240940A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1062416A JPH02240940A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02240940A true JPH02240940A (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=13199524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1062416A Pending JPH02240940A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02240940A (ja) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100247908B1 (ko) * | 1992-12-30 | 2000-03-15 | 윤종용 | 반도체장치 |
WO2001011677A1 (fr) * | 1999-08-09 | 2001-02-15 | Rohm Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
JP2001274313A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001320006A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体、リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
FR2813435A1 (fr) * | 2000-08-25 | 2002-03-01 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Procede de fabrication de boitiers minces pour circuits integres |
US6399423B2 (en) | 1999-12-27 | 2002-06-04 | Hitachi, Ltd | Semiconductor device an a method of manufacturing the same |
JP2002359338A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Nec Corp | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置並びにその製造方法 |
US6528879B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US6563209B1 (en) | 1999-09-06 | 2003-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for semiconductor device |
US6611063B1 (en) | 1999-09-16 | 2003-08-26 | Nec Electronics Corporation | Resin-encapsulated semiconductor device |
US6650012B1 (en) * | 1999-09-06 | 2003-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
EP1231636A3 (en) * | 2001-01-31 | 2005-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, production method therefor, and electrophotographic apparatus |
KR100484696B1 (ko) * | 2000-01-31 | 2005-04-22 | 산요덴키가부시키가이샤 | 회로 장치 및 그 제조 방법 |
US7173336B2 (en) | 2000-01-31 | 2007-02-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit device |
JP2007281510A (ja) * | 2001-05-11 | 2007-10-25 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
EP1950802A1 (en) | 2007-01-23 | 2008-07-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and wiring board |
US7807498B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-10-05 | Seiko Epson Corporation | Substrate, substrate fabrication, semiconductor device, and semiconductor device fabrication |
US7875988B2 (en) | 2007-07-31 | 2011-01-25 | Seiko Epson Corporation | Substrate and manufacturing method of the same, and semiconductor device and manufacturing method of the same |
US7952208B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-05-31 | Seiko Epson Corporation | Substrate, manufacturing method thereof, method for manufacturing semiconductor device |
CN106373899A (zh) * | 2016-09-25 | 2017-02-01 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种集成电路点胶封装装置 |
US10707153B2 (en) | 2016-04-29 | 2020-07-07 | Stmicroelectronics S.R.L. | Semiconductor device having die pad |
CN113838761A (zh) * | 2021-11-24 | 2021-12-24 | 新恒汇电子股份有限公司 | 物联网工业级卡的制备方法 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1062416A patent/JPH02240940A/ja active Pending
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100247908B1 (ko) * | 1992-12-30 | 2000-03-15 | 윤종용 | 반도체장치 |
WO2001011677A1 (fr) * | 1999-08-09 | 2001-02-15 | Rohm Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
JP4597448B2 (ja) * | 1999-08-09 | 2010-12-15 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6537858B1 (en) | 1999-08-09 | 2003-03-25 | Rohm Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US6650012B1 (en) * | 1999-09-06 | 2003-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
US6790711B2 (en) | 1999-09-06 | 2004-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making semiconductor device |
US6563209B1 (en) | 1999-09-06 | 2003-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for semiconductor device |
US6611063B1 (en) | 1999-09-16 | 2003-08-26 | Nec Electronics Corporation | Resin-encapsulated semiconductor device |
US6897097B2 (en) | 1999-12-27 | 2005-05-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US6399423B2 (en) | 1999-12-27 | 2002-06-04 | Hitachi, Ltd | Semiconductor device an a method of manufacturing the same |
US6667193B2 (en) | 1999-12-27 | 2003-12-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US6590276B2 (en) | 1999-12-27 | 2003-07-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
KR100484696B1 (ko) * | 2000-01-31 | 2005-04-22 | 산요덴키가부시키가이샤 | 회로 장치 및 그 제조 방법 |
US7173336B2 (en) | 2000-01-31 | 2007-02-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit device |
US7276793B2 (en) | 2000-01-31 | 2007-10-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
JP2001274313A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001320006A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体、リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
FR2813435A1 (fr) * | 2000-08-25 | 2002-03-01 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Procede de fabrication de boitiers minces pour circuits integres |
US6528879B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
EP1231636A3 (en) * | 2001-01-31 | 2005-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, production method therefor, and electrophotographic apparatus |
JP4503632B2 (ja) * | 2001-05-11 | 2010-07-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
JP2007281510A (ja) * | 2001-05-11 | 2007-10-25 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002359338A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Nec Corp | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置並びにその製造方法 |
JP4611569B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-01-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
EP1950802A1 (en) | 2007-01-23 | 2008-07-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and wiring board |
US7696082B2 (en) | 2007-01-23 | 2010-04-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and wiring board |
US7807498B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-10-05 | Seiko Epson Corporation | Substrate, substrate fabrication, semiconductor device, and semiconductor device fabrication |
US7875988B2 (en) | 2007-07-31 | 2011-01-25 | Seiko Epson Corporation | Substrate and manufacturing method of the same, and semiconductor device and manufacturing method of the same |
US7952208B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-05-31 | Seiko Epson Corporation | Substrate, manufacturing method thereof, method for manufacturing semiconductor device |
US10707153B2 (en) | 2016-04-29 | 2020-07-07 | Stmicroelectronics S.R.L. | Semiconductor device having die pad |
CN106373899A (zh) * | 2016-09-25 | 2017-02-01 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种集成电路点胶封装装置 |
CN106373899B (zh) * | 2016-09-25 | 2018-11-23 | 重庆安亿达电子有限公司 | 一种集成电路点胶封装装置 |
CN113838761A (zh) * | 2021-11-24 | 2021-12-24 | 新恒汇电子股份有限公司 | 物联网工业级卡的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02240940A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
US5155068A (en) | Method for manufacturing an IC module for an IC card whereby an IC device and surrounding encapsulant are thinned by material removal | |
US7112875B1 (en) | Secure digital memory card using land grid array structure | |
JP3169919B2 (ja) | ボールグリッドアレイ型半導体装置及びその製造方法 | |
JP4171246B2 (ja) | メモリカードおよびその製造方法 | |
JP2702012B2 (ja) | Icチップ用支持体 | |
US5122860A (en) | Integrated circuit device and manufacturing method thereof | |
JPH0692076A (ja) | Icカードモジュール用リードフレーム形状 | |
KR100585100B1 (ko) | 적층 가능한 리드 프레임을 갖는 얇은 반도체 패키지 및그 제조방법 | |
JP3413176B2 (ja) | 生物測定学的なセンサおよび該センサを製造する方法 | |
JPH05226564A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0864725A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
CA1184671A (en) | Method of manufacture of plastics containers with incorporated heat sinks for integrated circuits and die and heat sink combination for use with this method | |
JP2761501B2 (ja) | 電子素子とその電気的接続線を基板上に設置する方法とこの方法により得られる製品 | |
JP3683696B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPH021400A (ja) | 電子素子とそのコンタクトを基板上に設置する方法 | |
US7095103B1 (en) | Leadframe based memory card | |
JPH11115355A (ja) | 複合icカード及びその製造方法 | |
JPH01208847A (ja) | 集積回路装置 | |
JPH0262297A (ja) | 集積回路装置およびそれを用いたicカード | |
JPH02158146A (ja) | Icカード用モジュールの製造方法 | |
JPH0781284A (ja) | 情報媒体の製造方法 | |
CN212542401U (zh) | 一种塑封模具 | |
JPH0276798A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
JPH0697353A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |