JPH0697353A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPH0697353A
JPH0697353A JP4247437A JP24743792A JPH0697353A JP H0697353 A JPH0697353 A JP H0697353A JP 4247437 A JP4247437 A JP 4247437A JP 24743792 A JP24743792 A JP 24743792A JP H0697353 A JPH0697353 A JP H0697353A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】 回路形成面の周縁部に外部端子9を設けた半
導体チップ1の回路形成面とダイパッド3とを絶縁フィ
ルム4を介して接着する。また、外部端子9とインナー
リード5において、半導体チップ1の外周部に位置する
箇所とでボンディングワイヤー2を介して電気的に接続
する。更に、半導体チップ1とダイパッド3とをパッケ
ージの厚さ方向の中央部になるようにサポートバー7を
アップセットする。 【効果】 従来のLOC構造パッケージやTSOP構造
のパッケージより薄型化が可能になり、ICカードにお
いては、実装密度が向上し、ICカードの大容量化と低
価格化が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、更
に詳しくは、半導体チップのパッケージに適用して有効
な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、図3,図4及び図5に示すような
構造のパッケージが用いられている。図3及び図4はL
OC(Lead On Chip)構造のパッケージの
断面図及び斜視図、図5はTSOP(Thin Sma
ll Outline Package)構造のパッケ
ージの断面図を示す。
【0003】図3及び図4に示すように、LOC構造の
パッケージは、半導体チップ1の回路形成面上に複数の
インナーリード5と半導体チップ1とが絶縁フィルム4
を介して、ポリイミド系樹脂からなる接着剤で接着され
ている。また、半導体チップ1の中央部に設けられた外
部端子9とインナーリード5とがバスバー10をまたい
で金線ワイヤ等のボンディングワイヤー2により電気的
に接続されている。また、LOC構造のパッケージは、
インナーリード5が回路形成面で半導体チップ1を支え
ているので銀ペースト等を用いず、絶縁フィルム4を介
して接着する。一方、図5に示すように、TSOP構造
のパッケージは、回路形成面の裏面とダイパット3とが
銀ペースト等により接着され、半導体チップ1の周縁部
に設けられた外部端子9とインナーリード5とがボンデ
ィングワイヤー2により電気的に接続されている。
【0004】尚、図3,図4及び図5において、6はア
ウターリード、7はサポートバー、8はモールド樹脂を
示す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来構造のパッケ
ージを用いた場合、LOC構造のパッケージにおいては
外部端子9が図3及び図4に示すように半導体チップ1
の中央に設けなくてはいけないが、半導体チップ1の生
産の大部分を占めるのはTSOP構造のパッケージにア
センブリ可能なチップであり、LOC構造のパッケージ
に搭載するために新たにチップの設計から、専用の半導
体チップ1を作製する必要がある。
【0006】また、LOC構造のパッケージの場合、ボ
ンディングワイヤー2のループ高さは、グランド,電源
ラインであるバスバー10の上を接触しないように接続
しなければならず、パッケージを薄型化していくとボン
ディングワイヤー2がパッケージの外へ露出する不良が
発生する。
【0007】更に、TSOP構造のパッケージにおいて
も、ボンディングワイヤー2のループ高さがそのままパ
ッケージの厚さに影響するため、パッケージの薄型化は
非常に困難であった。
【0008】本発明は、ボンディングワイヤー2のルー
プ高さをより低くすることによって従来より薄型パッケ
ージからなる半導体装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の本発明の
半導体装置は、半導体チップの回路形成面の周縁に該回
路の外部端子が設けられ、且つ、前記回路形成面とダイ
パッドとが前記外部端子が露出されるように絶縁膜を介
して接着され、且つ、前記半導体チップ側方に設けられ
たインナーリードと前記外部端子とがワイヤボンディン
グされていることを特徴とするものである。
【0010】また、請求項2記載の本発明の半導体装置
の製造方法は、半導体チップの回路形成面の周縁に該回
路の外部端子を設ける工程と、前記回路形成面とダイパ
ッドとを、前記外部端子が露出されるように絶縁膜を介
して接着する工程と、前記チップ側方に設けられたイン
ナーリードと、前記外部端子とをワイヤボンディングす
る工程と、パッケージ用金型により形成される空間の厚
さ方向の中央部に前記半導体チップ及びダイパッドが位
置するように前記ダイパッドから延びたサポートバーの
形状を加工する工程とを有することを特徴とするもので
ある。
【0011】
【作用】上記請求項1記載の本発明を用いることによ
り、ボンディングワイヤーのループ高さがダイパッド及
び絶縁膜の厚さの分だけ低減できるとみなされる。
【0012】また、上記請求項2記載の本発明を用いる
ことにより、ダイパッド側及び半導体チップ側に等しく
樹脂が流れ込むので前記ダイパッド及び半導体チップの
浮き沈みが低減される。
【0013】
【実施例】以下、一実施例に基づいて、本発明について
詳細に説明する。
【0014】図1は本発明の一実施例の断面図、図2は
同平面図を示す。図1及び図2に示すように、半導体チ
ップ1の回路形成面の周縁部に設けられた外部端子9が
露出するように、半導体チップ1の回路形成面とダイパ
ッド3とが、両面にポリイミド系樹脂からなる接着剤が
塗布された絶縁フィルム4を介して接着されている。ま
た、ボンディングワイヤー2とインナーリード5との接
続位置は、図1及び図2においては、回路形成面と同じ
水平面上にあるが、半導体チップ1の回路形成面の上部
に位置しないようにすればよい。図1及び図2におい
て、6はアウターリード、7はサポートバー、8はモー
ルド樹脂、9は半導体チップに形成された回路の外部端
子(以下、「外部端子」という。)を示す。
【0015】次に、請求項2記載の本発明の一実施例の
製造工程を示す。
【0016】まず、半導体チップ1の回路形成面とダイ
パッド3とを外部端子9が露出するように、ポリイミド
等からなる熱可塑性接着剤を両面に塗布した絶縁フィル
ム4を用いて加熱圧着により接合させる。その後、半導
体チップ1の側方に位置するインナーリード5と、半導
体チップ1の回路形成面の周縁部に設けられた外部端子
9とを金線ワイヤー等のボンディングワイヤー2を用い
て、電気的に接続する。 次に、パッケージ金型によっ
て形成される空間の厚み方向の中央部に半導体チップ1
及びダイパッド3が位置するようにサポートバー7を加
工しアップセットする。これは、半導体チップ1側及び
ダイパッド3側に均等に樹脂を流すことで、半導体チッ
プ1及びダイパッド3の浮き沈みをなくすためである。
【0017】次に、パッケージ金型ヘモールド樹脂8を
流し、加熱しつつ、保圧することにより、樹脂を硬化さ
せ、半導体装置を完成させる。
【0018】また、本発明を用いて、従来より樹脂厚が
薄いパッケージを製造する場合、例えば、厚さ100μ
m のリードフレーム、厚さ200μm の半導体チップ
1、両面に厚さ10μm の接着剤を塗布した厚さ25
μm の絶縁フィルム4からなる接着テープ及びワイヤ
ー高さがmax140μm のTSOPで使用する従来
の低ループのボンディングワイヤー2を用いた場合、樹
脂厚450μm のパッケージの製造が可能となる。こ
の際、モールド樹脂8はフィラーサイズ、形状及びエポ
キシ樹脂材料を適正化し、粘度を約100ポイズ以下に
調整する必要がある。従来の樹脂厚のパッケージ作製に
用いられる200〜300ポイズのモールド樹脂8を用
いた場合、未充填不良,ボイド不良及びボンディングワ
イヤー2のパッケージ外への露出による外観不良が起こ
るためである。また、モールド金型はマルチプランジャ
ーを使用し、ボイドの発生やチップの浮き沈みがないよ
うにゲートサイズ,エアーベント等の適正化が必要であ
る。
【0019】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明を
用いることによって、ワイヤボンディング手法を用い
て、0.45mmのモールド成型が可能となり、従来の
LOC型パッケージ及びTSOP型パッケージより薄型
パッケージの製造が可能となり、ICカード等において
実装密度が向上するため、ICカードの大容量化と低価
格化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のパッケージの断面図であ
る。
【図2】同パッケージの平面図である。
【図3】従来のLOC構造のパッケージの断面図であ
る。
【図4】同パッケージの斜視図である。
【図5】従来のTSOP構造のパッケージの断面図であ
る。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 ボンディングワイヤー 3 ダイパッド 4 絶縁フィルム 5 インナーリード 6 アウターリード 7 サポートバー 8 モールド樹脂 9 外部端子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップの回路形成面の周縁に該回
    路の外部端子が設けられ、 且つ、前記回路形成面とダイパットとが、前記外部端子
    が露出されるように絶縁膜を介して接着され、 且つ、前記半導体チップ側方に設けられたインナーリー
    ドと前記外部端子とがワイヤボンディングされているこ
    とを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 半導体チップの回路形成面の周縁に該回
    路の外部端子を設ける工程と、 前記回路形成面とダイパットとを、前記外部端子が露出
    されるように絶縁膜を介して接着する工程と、 前記半導体チップ側方に設けられたインナーリードと前
    記外部端子とをワイヤボンディングする工程と、 パッケージ用金型によって形成される空間の厚さ方向の
    中央部に前記半導体チップ及びダイパットが位置するよ
    うに、前記ダイパットから延びたサポートバーの断面形
    状を加工する工程とを有することを特徴とする、請求項
    1記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07183447A (ja) * 1993-12-22 1995-07-21 Nec Kyushu Ltd 半導体装置
JPH08125106A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Sharp Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
EP0712159A3 (en) * 1994-11-08 1997-03-26 Oki Electric Ind Co Ltd Structure of a resin molded semiconductor
US6072243A (en) * 1996-11-26 2000-06-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit device capable of surely electrically insulating two semiconductor chips from each other and fabricating method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01187954A (ja) * 1988-01-22 1989-07-27 Matsushita Electron Corp 樹脂封止型半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01187954A (ja) * 1988-01-22 1989-07-27 Matsushita Electron Corp 樹脂封止型半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07183447A (ja) * 1993-12-22 1995-07-21 Nec Kyushu Ltd 半導体装置
JPH08125106A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Sharp Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
EP0712159A3 (en) * 1994-11-08 1997-03-26 Oki Electric Ind Co Ltd Structure of a resin molded semiconductor
US6002181A (en) * 1994-11-08 1999-12-14 Oki Electric Industry Co., Ltd. Structure of resin molded type semiconductor device with embedded thermal dissipator
US6072243A (en) * 1996-11-26 2000-06-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit device capable of surely electrically insulating two semiconductor chips from each other and fabricating method thereof

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