JPH02158146A - Ｉｃカード用モジュールの製造方法 - Google Patents
Ｉｃカード用モジュールの製造方法Info
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- JPH02158146A JPH02158146A JP63313457A JP31345788A JPH02158146A JP H02158146 A JPH02158146 A JP H02158146A JP 63313457 A JP63313457 A JP 63313457A JP 31345788 A JP31345788 A JP 31345788A JP H02158146 A JPH02158146 A JP H02158146A
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Classifications
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明はＩＣカードに埋設されるＩＣカード用モジュ
ールの製造法に関するものである。
ールの製造法に関するものである。
従来の技術
従来、ＩＣカード用モジュールは、第１３図に見られる
ようなものであった。（例えば、特開昭６３−１８８９
６４号公報）以下、第１３図により、従来技術の概略を
説明する。
ようなものであった。（例えば、特開昭６３−１８８９
６４号公報）以下、第１３図により、従来技術の概略を
説明する。
ＩＣカード用モジュール６は、リードフレーム６の裏面
上に接着効果をもった絶縁体３でＩＣチップ２をボンデ
ィングし、そのＩＣチップ２の配線パッドを、リードフ
レーム６の接点５１の裏面に金線４により導通接続し、
エポキシ系の熱硬化性樹脂１により樹脂封止するもので
あった。
上に接着効果をもった絶縁体３でＩＣチップ２をボンデ
ィングし、そのＩＣチップ２の配線パッドを、リードフ
レーム６の接点５１の裏面に金線４により導通接続し、
エポキシ系の熱硬化性樹脂１により樹脂封止するもので
あった。
一般的に、半導体封止に使用する熱硬化性樹脂１は、モ
ールド時粘性が低く、微細な隙間にも浸入する性質を有
している。これに比べて、熱可塑性樹脂は、粘性が高く
、微細な隙間には浸入しない性質を有している。
ールド時粘性が低く、微細な隙間にも浸入する性質を有
している。これに比べて、熱可塑性樹脂は、粘性が高く
、微細な隙間には浸入しない性質を有している。
発明が解決しようとする課題
したがって、従来このようなリードフレーム５を利用し
、ＩＣチップ２を実装した後、一般的に流動性の良好な
エポキシ系の熱硬化性樹脂１でトランスファーモールド
していたのであるが、この場合熱硬化性樹脂１の流動性
が高いのでこのモールド時に熱硬化性樹脂１が接点６＆
の表面へ廻り込み、この表面に薄パリとして残ってしま
い、この結果この薄パリを除去すると言う後処理が必要
になシ、量産性の低いものになるという問題があった。
、ＩＣチップ２を実装した後、一般的に流動性の良好な
エポキシ系の熱硬化性樹脂１でトランスファーモールド
していたのであるが、この場合熱硬化性樹脂１の流動性
が高いのでこのモールド時に熱硬化性樹脂１が接点６＆
の表面へ廻り込み、この表面に薄パリとして残ってしま
い、この結果この薄パリを除去すると言う後処理が必要
になシ、量産性の低いものになるという問題があった。
本発明は、このような問題点を解決し、量産性に富むＩ
Ｃカード用モジュールの製造方法を提供することを目的
とするものである。
Ｃカード用モジュールの製造方法を提供することを目的
とするものである。
課題を解決するだめの手段
この目的を達成するために、本発明は、リードフレーム
の裏面上に、ＩＣチップの装着部を熱可塑性樹脂により
形成した後に前記装着部にＩＣチップを装着し、次にＩ
Ｃチップと上記リードフレームとを導通接続させ、次に
熱硬化性樹脂、あるいは熱可塑性樹脂により上記ＩＣチ
ップをリードフレームの裏面上においてモールドしたも
のである０ 作用 上記に示したように、熱可塑性樹脂により第１の成形を
行うため、リードフレームの接点の表面への樹脂の廻り
込みがなく、したがってこの廻り込んだ薄パリをとる作
業が不要で量産性の高いものとなる。
の裏面上に、ＩＣチップの装着部を熱可塑性樹脂により
形成した後に前記装着部にＩＣチップを装着し、次にＩ
Ｃチップと上記リードフレームとを導通接続させ、次に
熱硬化性樹脂、あるいは熱可塑性樹脂により上記ＩＣチ
ップをリードフレームの裏面上においてモールドしたも
のである０ 作用 上記に示したように、熱可塑性樹脂により第１の成形を
行うため、リードフレームの接点の表面への樹脂の廻り
込みがなく、したがってこの廻り込んだ薄パリをとる作
業が不要で量産性の高いものとなる。
実施例
以上本発明の一実施例を図面を参照して説明するＯ
第１図は成形前のＸａカードの接点９ＩＬを形成した金
属板製のリードフレーム９を示す図であシ、第２図はそ
の要部断面図（ムーム′断面図）である。
属板製のリードフレーム９を示す図であシ、第２図はそ
の要部断面図（ムーム′断面図）である。
第３図は第１図に示す、リードフレーム９を第１段階で
、熱可塑性樹脂ＩＣを成形したところを示すものである
。つま）、第３図に示すごとくリードフレーム９の裏面
側において連結部９ｂに形成された凸部９０までが熱可
塑性樹脂ＩＣにより、被覆されているのである。
、熱可塑性樹脂ＩＣを成形したところを示すものである
。つま）、第３図に示すごとくリードフレーム９の裏面
側において連結部９ｂに形成された凸部９０までが熱可
塑性樹脂ＩＣにより、被覆されているのである。
ここで、−船釣に熱硬化性樹脂は、粘性が低いため０，
０１ ａｕａ程度の成形金型の隙間があれば浸入するた
め、トランスファーモールドにおいて薄パリが生ずる可
能性が高い。それに比べて、本実施例のととく熱可塑性
樹脂ＩＣを用いたものは、粘性が高いため、ＯＯ５ｍｍ
程度以上の隙間でないと浸入できず、よってこの成形工
程において接点９＆間からその表面側に熱可塑性樹脂１
ｏが浸入して薄パリが生ずることはない。第４図は第３
図のリードフレーム９の裏面側を示す。また第５図は第
４図の要部断面図であり、リードフレーム９に上記熱可
塑性樹脂１ｏを用いた第１段階の成形にて接点９＆間に
絶縁層ＩＣ＆を設けたことを示すものである。またＷＪ
４図における１ｏｂは、第１段階の成形により形成され
た、ＩＣチップを収納する枠部を示すものである。
０１ ａｕａ程度の成形金型の隙間があれば浸入するた
め、トランスファーモールドにおいて薄パリが生ずる可
能性が高い。それに比べて、本実施例のととく熱可塑性
樹脂ＩＣを用いたものは、粘性が高いため、ＯＯ５ｍｍ
程度以上の隙間でないと浸入できず、よってこの成形工
程において接点９＆間からその表面側に熱可塑性樹脂１
ｏが浸入して薄パリが生ずることはない。第４図は第３
図のリードフレーム９の裏面側を示す。また第５図は第
４図の要部断面図であり、リードフレーム９に上記熱可
塑性樹脂１ｏを用いた第１段階の成形にて接点９＆間に
絶縁層ＩＣ＆を設けたことを示すものである。またＷＪ
４図における１ｏｂは、第１段階の成形により形成され
た、ＩＣチップを収納する枠部を示すものである。
また、この端子間絶縁層１ｏａは、リードフレーム９の
厚さより薄いか又は同等の厚さとなっており枠部ＩＣｂ
側へは非突出の構造となっている。
厚さより薄いか又は同等の厚さとなっており枠部ＩＣｂ
側へは非突出の構造となっている。
第６図は第１段階の成形後、第３図におけるリードフレ
ーム９の連結部９ｂを切断した図である。
ーム９の連結部９ｂを切断した図である。
又、第２の実施例として第１２図に示すように第１段階
の成形によりリードフレーム９へ成形樹脂によりつなぎ
部９６を設け、第６図における連結部９ｆをも切断する
ことも可能である。
の成形によりリードフレーム９へ成形樹脂によりつなぎ
部９６を設け、第６図における連結部９ｆをも切断する
ことも可能である。
第７図は第１段階の成形により形成したリードフレーム
９の裏面側の枠部ＩＣｂ内部にＩＣチップ１１を第９図
のごとく絶縁性接着剤１２により接着実装し、ＩＣチッ
プ１１の配線パッドとリードフレーム９に形成された第
４図におけるワイヤーボンディングランド９ｄとを金線
１３により電気的に接続した図である。第８図はその後
、第２段階で熱硬化性樹脂（あるいは熱可塑性樹脂）１
４によりリードフレーム９の裏面側においてＩＣチップ
１１．を被覆したものであり、第９図はその要部断面図
である。
９の裏面側の枠部ＩＣｂ内部にＩＣチップ１１を第９図
のごとく絶縁性接着剤１２により接着実装し、ＩＣチッ
プ１１の配線パッドとリードフレーム９に形成された第
４図におけるワイヤーボンディングランド９ｄとを金線
１３により電気的に接続した図である。第８図はその後
、第２段階で熱硬化性樹脂（あるいは熱可塑性樹脂）１
４によりリードフレーム９の裏面側においてＩＣチップ
１１．を被覆したものであり、第９図はその要部断面図
である。
さらに第１１図にはその要部の拡大図を示す。
第１１図においてＩＣチップ１１はＩＣチップ１１を収
納する枠部ＩＣｂ内に実装され、ＩＯｆ、グ１１と、リ
ードフレーム９は絶縁性接着剤１２により固定されてい
る。また、各接点９Ｎは、熱可塑性樹脂からなる絶縁層
ＩＣ１Ｌと、絶縁性接着剤１２により固定されることに
なる。従来例でみるように、絶縁体３の厚みは、補強体
としての働らきもさせる場合はＯ，ＯＳ〜０．２１ｔｌ
ｌｎ程度必要である。
納する枠部ＩＣｂ内に実装され、ＩＯｆ、グ１１と、リ
ードフレーム９は絶縁性接着剤１２により固定されてい
る。また、各接点９Ｎは、熱可塑性樹脂からなる絶縁層
ＩＣ１Ｌと、絶縁性接着剤１２により固定されることに
なる。従来例でみるように、絶縁体３の厚みは、補強体
としての働らきもさせる場合はＯ，ＯＳ〜０．２１ｔｌ
ｌｎ程度必要である。
しかし本発明実施例によれば、熱可塑性樹脂１゜からな
る絶縁層ＩＣａと絶縁性接着剤１２で各接点９ａを接続
しているため、絶縁性接着剤１２の厚さを考える上で補
強体としての働らきは不要であり、単に絶縁性だけが満
足されればよい。
る絶縁層ＩＣａと絶縁性接着剤１２で各接点９ａを接続
しているため、絶縁性接着剤１２の厚さを考える上で補
強体としての働らきは不要であり、単に絶縁性だけが満
足されればよい。
従ってその厚さは、０．０１〜０．０５ｍｍ程度で良く
、ＩＣカードとしての総厚を少なくすることができる。
、ＩＣカードとしての総厚を少なくすることができる。
第ＩＣ図は第２段階の成形後リードフレーム９の残部を
切断除去し最終のＩＣカード用モジュールの形状にした
ものを示す。また、第２の実施例のように第１２図に示
すものについても同様の手順で行うことができる。また
、本実施例ではリードの切断部分を第２段階の成形で全
て被覆している。
切断除去し最終のＩＣカード用モジュールの形状にした
ものを示す。また、第２の実施例のように第１２図に示
すものについても同様の手順で行うことができる。また
、本実施例ではリードの切断部分を第２段階の成形で全
て被覆している。
当実施例では第１段階のモールド成形で使用する熱可塑
性樹脂ＩＣをｐｐｓ樹脂（ポリフェニレ／サルファイド
樹脂）としたが、ｐｐｓ樹脂と同様に高耐熱特性をもつ
ＰＢＴ樹脂（ポリブチレンテレフタレート樹脂）、ＰＥ
Ｔ樹脂（ポリエチレンテレフタレート樹脂）等のガラス
繊維入りの材料を使用してもよい。
性樹脂ＩＣをｐｐｓ樹脂（ポリフェニレ／サルファイド
樹脂）としたが、ｐｐｓ樹脂と同様に高耐熱特性をもつ
ＰＢＴ樹脂（ポリブチレンテレフタレート樹脂）、ＰＥ
Ｔ樹脂（ポリエチレンテレフタレート樹脂）等のガラス
繊維入りの材料を使用してもよい。
また第２段階でのモールド成形で使用する熱硬化性樹脂
１４として主成分をオルソクレゾール（ボラック系エポ
キシ樹脂）としたが、近年、熱可塑性樹脂の前記ｐｐｓ
樹脂の高純度品が開発され、半導体素子の直接封止への
使用検討がなされており、このような熱可塑性樹脂を第
２段階のモールド成形使用することも可能である。
１４として主成分をオルソクレゾール（ボラック系エポ
キシ樹脂）としたが、近年、熱可塑性樹脂の前記ｐｐｓ
樹脂の高純度品が開発され、半導体素子の直接封止への
使用検討がなされており、このような熱可塑性樹脂を第
２段階のモールド成形使用することも可能である。
発明の効果
本発明によれば従来例のような製造法を行わずプレス加
工により形成されたリードフレームを使用し、第１段階
の熱可塑性樹脂によりリードフレームを基板状としＩＣ
チップを装着した後、第２段階のモールド成形によりＩ
ＣｔＣ−カードジュールの形状とするため、ＩＣカード
の接点面に樹脂のパリが生ぜず、よって量産性にも優れ
たＸＣカード用モジュールを供給することができるもの
である。
工により形成されたリードフレームを使用し、第１段階
の熱可塑性樹脂によりリードフレームを基板状としＩＣ
チップを装着した後、第２段階のモールド成形によりＩ
ＣｔＣ−カードジュールの形状とするため、ＩＣカード
の接点面に樹脂のパリが生ぜず、よって量産性にも優れ
たＸＣカード用モジュールを供給することができるもの
である。
第１図は本発明の一実施例のリードフレームの平面図、
第２図は同断面図、第３図は第１段階のモールド成形を
行ったリードフレームの表面側の平面図、第４図はその
裏面側のＩＣチップ実装面の平面図、第６図は同断面図
、第６図は第１段階のモールド成形を行った後接点の連
結部の一部を切断した表面側の平面図、第７図はＩＣチ
ップを実装しＩＣチップの配線パッドとリードフレーム
の接点にワイヤーボンディングした裏面側の平面図、第
８図は第２段階のモールド成形を行った表面側の平面図
、第９図は同断面図、第ＩＣ図はＩＣカード用モジュー
ルとして完成された表面側の平面図、第１１図は要部断
面の拡大図、第１２図は、本発明の第２の実施例におい
て第１段階のモールド成形を行った後接点の連結部を切
断した表面側の平面図である。第１３図は従来例のＸａ
カード用モモジュール一部切欠斜視図である。 ９・・・・・・リードフレーム、ＩＣ・・・・・・熱可
塑性樹脂、１１・・・・・・ＩＣチップ、１２・・・・
・・絶縁性接着剤、１４・・・・・・熱硬化性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名ＩＩ
Ｉ 図 第２図 ％ 第 図 ぐト 第 図 第 図 第 図 第１１図 ヂ巴つな５部
第２図は同断面図、第３図は第１段階のモールド成形を
行ったリードフレームの表面側の平面図、第４図はその
裏面側のＩＣチップ実装面の平面図、第６図は同断面図
、第６図は第１段階のモールド成形を行った後接点の連
結部の一部を切断した表面側の平面図、第７図はＩＣチ
ップを実装しＩＣチップの配線パッドとリードフレーム
の接点にワイヤーボンディングした裏面側の平面図、第
８図は第２段階のモールド成形を行った表面側の平面図
、第９図は同断面図、第ＩＣ図はＩＣカード用モジュー
ルとして完成された表面側の平面図、第１１図は要部断
面の拡大図、第１２図は、本発明の第２の実施例におい
て第１段階のモールド成形を行った後接点の連結部を切
断した表面側の平面図である。第１３図は従来例のＸａ
カード用モモジュール一部切欠斜視図である。 ９・・・・・・リードフレーム、ＩＣ・・・・・・熱可
塑性樹脂、１１・・・・・・ＩＣチップ、１２・・・・
・・絶縁性接着剤、１４・・・・・・熱硬化性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名ＩＩ
Ｉ 図 第２図 ％ 第 図 ぐト 第 図 第 図 第 図 第１１図 ヂ巴つな５部
Claims (1)
- リードフレームの裏面上に、ＩＣチップの装着部を熱可
塑性樹脂により形成した後に前記装着部にＩＣチップを
装着し、次にＩＣチップと上記リードフレームとを導通
接続させ、次に熱硬化性樹脂、あるいは熱可塑性樹脂に
より上記ＩＣチップをリードフレームの裏面上において
モールドするＩＣカード用モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63313457A JPH0719859B2 (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | Ｉｃカード用モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63313457A JPH0719859B2 (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | Ｉｃカード用モジュールの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02158146A true JPH02158146A (ja) | 1990-06-18 |
| JPH0719859B2 JPH0719859B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=18041534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63313457A Expired - Fee Related JPH0719859B2 (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | Ｉｃカード用モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719859B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2673041A1 (fr) * | 1991-02-19 | 1992-08-21 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant. |
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