JP2003502874A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 第１電極と第２電極とポリマーを含む半導体活性層とを有する電子デバイスの製造方法であって、ポリマーを液晶相とすることにより、ポリマーの鎖を平面に整列させ、第１電極と第２電極間に電圧を加える時、両電極間を流れる電流の方向が前記平面内にあるように第１電極と第２電極を配置することを特徴とする方法。
【請求項２】 前記デバイスがトランジスタである請求項１に記載の方法。
【請求項３】 液晶相がネマチックまたはスメクチック相である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】 前記ポリマーを液晶相とする工程が、ポリマーを加熱することを含む前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項５】 前記加熱工程の後にポリマーを急冷する工程を含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】 前記急冷工程が、前記ポリマーを無定形ガラス状にするような工程である請求項５に記載の方法。
【請求項７】 前記ポリマー鎖は、前記電流の方向に整列する前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項８】 前記ポリマーの整列を誘導することのできる前記整列層の上に、ポリマーを被着（depositing）させることを含む前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項９】 基板を機械的に研摩することによって前記整列層を形成する工程を含む前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１０】 前記ポリマーが、半導体ポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１１】 前記ポリマーが、毛羽立ち棒（a Hairy rod）状液晶ポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１２】 前記ポリマーが、硬質棒（a rigid rod）状液晶ポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１３】 前記ポリマーが、共役ポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１４】 前記ポリマーが、ポリフルオレンホモポリマーまたはポリフルオレンベースのコポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１５】 前記ポリマーが、ポリフルオレンホモポリマーまたはポリフルオレンベースのブロックコポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１６】 前記ポリマーがＦ８またはＦ８Ｔ２である前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１７】 溶液から前記ポリマーを被着させる工程を含む前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１８】 電子デバイスがトランジスタであり、第二ポリマー層を被着させる前には不溶性に変えられていない溶液処理第一ポリマー層の上に第二ポリマー層を溶液被着させることによって、トランジスタの活性界面を形成する工程を含む前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１９】 前記第二ポリマー層が、トランジスタのゲート絶縁体で構成されている請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】 前記第二ポリマー層がＰＶＰを含む請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項２１】 前記半導体活性層が前記溶液処理第一ポリマー層である請求項１８〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】 前記溶液処理第一ポリマー層が、非極性有機溶媒に可溶性であるが極性溶媒には不溶性である請求項１８〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】 前記第二ポリマー層は、前記溶液処理第一ポリマー層が溶解しない極性有機溶媒から被着される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】 前記第二ポリマー層の溶液被着が、前記整列工程の後に行われる請求項１８〜２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】 前記ポリマー鎖が、一軸整列で配列される前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項２６】 前記ポリマー鎖が、一軸一領域整列で配列される前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項２７】 前記ポリマー鎖が、部分平行整列の領域で整列される請求項１〜２５のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項２８】 第１電極と第２電極とを有する電子デバイスであって、前記電子デバイスは半導体活性層を備え、前記半導体活性層では、前記第１電極と第２電極間に電圧を加える時、第１電極と第２電極間に電流が流れる平面に、ポリマー鎖の液晶相整列が保持されることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２９】 請求項２８に記載の電子デバイスを含んでいる論理回路。
【請求項３０】 少なくとも一つの光学デバイスを含んでいる請求項２９に記載の論理回路。
【請求項３１】 前記請求項２８に記載の電子デバイスを含んでいる活性マトリックス・ディスプレイ。
【請求項３２】 請求項２８に記載のポリマートランジスタ電子デバイス。
【請求項３３】 前記デバイスがトランジスタである請求項２８に記載の電子デバイス。
【請求項３４】 前記デバイスが薄膜トランジスタである請求項３３に記載の電子デバイス。
【請求項３５】 トランジスタのチャネルが、前記整列ポリマー鎖の方向に実質的に平行に配向される請求項３３に記載の電子デバイス。
【請求項３６】 前記活性層の直ぐ下に整列層を含む請求項２８に記載の電子デバイス。
【請求項３７】 前記ポリマーが半導体ポリマーである請求項２８に記載の電子デバイス。
【請求項３８】 前記ポリマーが無定形ガラス状である請求項２８に記載の電子デバイス。
【請求項３９】 第二ポリマー層を被着させる前には不溶性に変えられていない溶液処理第一ポリマー層の上に第二ポリマー層を溶液被着させることによって、半導体層とゲート絶縁体層との間にトランジスタの活性界面を形成する工程を含むトランジスタの製造方法。
【請求項４０】 前記第二ポリマー層が、トランジスタのゲート絶縁体を形成する請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】 前記第二ポリマー層がＰＶＰを含む請求項３９に記載の方法。
【請求項４２】 前記半導体層が前記溶液処理第一ポリマー層である請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】 前記溶液処理第一ポリマー層が、非極性有機溶媒に可溶性であるが極性溶媒には不溶性である請求項３９に記載の方法。
【請求項４４】 前記第二ポリマー層は、前記溶液処理第一ポリマー層が溶解しない極性有機溶媒から被着される請求項３９に記載の方法。
【請求項４５】 前記第二ポリマー層は、アルコール、プロトン性極性溶媒、例えば水、または非プロトン性極性溶媒、例えばＤＭＦ、から被着される請求項３９に記載の方法。
【請求項４６】 前記トランジスタのソース／ドレインおよびゲート電極の両方または何れか一方も溶液から形成される請求項３９に記載の方法。
【請求項４７】 前記第二ポリマー層はゲート絶縁体層であり、前記溶液処理第一ポリマー層は一軸に整列された液晶ポリマーフィルムである請求項３９に記載の方法。