CN110914279A - 有机半导体化合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及：含有π‑延伸ω‑二取代的二氰基亚甲基醌型结构的新颖有机半导体化合物，涉及它们的制备方法和其中使用的离析物或中间体，涉及含有它们的组合物、聚合物共混物和制剂，涉及化合物、组合物和聚合物共混物作为有机电子(OE)器件，尤其是有机光伏(OPV)器件、基于钙钛矿的太阳能电池(PSC)器件、有机光电探测器(OPD)、有机场效应晶体管(OFET)和有机发光二极管(OLED)中的有机半导体或作为有机半导体用于制备上述器件的用途，和涉及包含这些化合物、组合物或聚合物共混物的OE、OPV、PSC、OPD、OFET和OLED器件。

Description

有机半导体化合物
技术领域
本发明涉及含有π-延伸ω-二取代的二氰基亚甲基醌型结构的新颖有机半导体化合物，涉及它们的制备方法和其中使用的离析物或中间体，涉及含有它们的组合物、聚合物共混物和制剂，涉及该化合物、组合物和聚合物共混物作为有机电子(OE)器件，尤其是有机光伏(OPV)器件、基于钙钛矿的太阳能电池(PSC)器件、有机光电探测器(OPD)、有机场效应晶体管(OFET)和有机发光二极管(OLED)中的有机半导体或作为有机半导体用于制备上述器件的用途，和涉及包含这些化合物、组合物或聚合物共混物的OE、OPV、PSC、OPD、OFET和OLED器件。
背景技术
近年来，为了制造更通用、成本更低的有机电子(OE)器件，已开发有机半导体(OSC)材料。这样的材料应用于广泛范围的器件或设备，仅举几例，该器件或设备包括有机场效应晶体管(OFET)、有机发光二极管(OLED)、基于钙钛矿的太阳能电池(PSC)器件、有机光电探测器(OPD)、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路。有机半导体材料通常以例如厚度在50nm至300nm的薄层形式存在于电子器件中。
OSC材料在过去二十年已经吸引大量注意，大部分归因于其在低温下通过有成本效益的解决方案加工技术制造的OE器件中的获利多的商业前景。一般认为，有机和/或聚合半导体具有超过其无机对应物的大量优点，诸如构造轻量柔性底板的潜能，使用基于低成本、高速解决方案的制造技术制备大面积显示器的机会，及经由合理化学结构修改可精细调谐的其光学及电子特性。然而，主要不足之处为，它们仍呈现相对低的器件性能及适度的热、光及电稳定性。归功于二十年左右的密集结构设计及合成研究，可使用广泛范围的新颖π-共轭聚合物，且就电荷载流子迁移率而言，已证明其在OSC类器件、尤其薄膜晶体管(TFT)中的性能的较大改良，超过非晶硅的性能。同时，使用低带隙π-共轭聚合物作为活性电子供体材料制造的有机太阳电池的功率转换效率已超出10％。
迄今为止，已经合成可用作如OFET、OPV电池或OPD的OE器件中的OSC材料的大量π-共轭化合物。其中，p型OSC材料占据绝对优势，主要归因于构造块(building block)及前体的相对易于合成的可行性。相比而言，仅有极小量电子接受共轭化合物可用，该电子接受共轭化合物已展示作为n型OSC的商业潜能。此情况导致互补n型OSC在制造含有CMOS结构的有机电路中的有限选择。
仍需要供用于如OPV电池、OPD及OFET的OE器件中的n型OSC材料，其具有有利特性，特别是良好的可加工性、在有机溶剂中的高度可溶性、良好结构组织及成膜特性。另外，OSC材料应易于尤其通过适合于大批量生产的方法来合成。对于在OPV电池使用，OSC材料尤其应具有低带隙，该低带隙使得能够提高光活性层的光收集且可导致较高电池效率、高稳定性及长使用寿命。对于OFET中使用，OSC材料尤其应具有高电荷载流子迁移率、在晶体管器件中的高开/关比、高氧化稳定性及长使用寿命。
本发明的目标为提供新n型OSC，其可克服来自现有技术的OSC的缺陷，且其提供上文所提及的有利特性中的一种或多种，尤其易于通过适合于大批量生产的方法合成、良好的可加工性、高稳定性、OE器件中的长使用寿命、有机溶剂中的良好可溶性、高电荷载流子迁移率及低带隙。本发明的另一目标为扩展专家可获得的OSC材料及n型OSC的材料库。专家根据以下详细描述可即刻清楚本发明的其他目标。
本发明的发明人已发现上述目标中的一种或多种可通过提供如在下文中所公开及所要求保护的缺电子化合物来实现，该缺电子化合物可用作n型OSC。这些化合物含有经二氰基亚甲基ω-二取代的π-延伸醌型多环单元，如下文式I中所展示。
已发现这些化合物可用作供用于如OPV电池或OPD的OE器件中的n型有机半导体，其中其展示如上文所描述的有利特性。
具有醌型结构且通过二氰基亚甲基封端的化合物已经公开于现有技术文献中，例如CN102477045A、US2015/0303383A1、CN105837598A及CN105838104A中。然而，如在下文中公开及要求保护的化合物尚未公开于现有技术中。
发明概述
本发明涉及式I化合物
Figure BDA0002252772620000031
其中各个基团彼此独立地且在每次出现时相同或不同地具有以下含义：
U11及U12中之一为C＝C双键且另一者为CR1R2，
U21及U22中之一为C＝C双键且另一者为CR3R4，
Ar1-5为醌型脂环或杂环基，其任选为大醌型基团的部分，具有5至30个环原子，为单环或多环，任选含有稠合环，且未经取代或经一个或多个相同或不同基团R1或L取代，
R1-4为H；F；Cl；CN；具有1至40个C原子的直链、支链或环状烷基，其中一个或多个CH2基团任选以使O和/或S原子不直接彼此连接的方式经-O-、-S-、-C(＝O)-、-C(＝S)-、-C(＝O)-O-、-O-C(＝O)-、-NR0-、-SiR0R00-、-CF2-、-CR0＝CR00-、-CY1＝CY2-或-C≡C-替代，且其中一个或多个H原子任选经F、Cl、Br、I或CN替代，且其中一个或多个CH2或CH3基团任选经阳离子或阴离子基团替代；
或具有1至40个Si原子的直链、支链或环状硅烷基；
或芳基、杂芳基、芳烷基、杂芳烷基、芳氧基或杂芳氧基，其中前述环状基团中的每一者具有5至20个环原子，为单环或多环，任选的确含有稠合环，且未经取代或经一个或多个相同或不同基团L取代，
L为F、Cl、-NO2、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、R0、OR0、SR0、-C(＝O)X0、-C(＝O)R0、-C(＝O)-OR0、-O-C(＝O)-R0、-NH2、-NHR0、-NR0R00、-C(＝O)NHR0、-C(＝O)NR0R00、-SO3R0、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5，或任选经取代的具有1至20个Si原子的硅烷基，或具有1至30个、优选1至20个C原子的碳基或烃基，其任选经一个或多个杂原子取代以及任选包含一个或多个杂原子，优选为F、-CN、R0、-OR0、-SR0、-C(＝O)-R0、-C(＝O)-OR0、-O-C(＝O)-R0、-O-C(＝O)-OR0、-C(＝O)-NHR0或-C(＝O)-NR0R00，
R0、R00为H或任选氟化的具有1至20个、优选1至16个C原子的直链或支链烷基，
X0为卤素，优选F或Cl，
a、b为0或1至10的整数，优选0、1、2或3。
本发明还涉及制备式I化合物的新的合成方法及其中使用的新的中间体。
本发明还涉及式I化合物作为半导体(优选作为电子受体或n型半导体)，优选在半导体材料，电子或光电器件或电子或光电器件的组件中的用途。
本发明还涉及式I化合物作为染料或颜料的用途。
本发明还涉及这样的组合物，该组合物包含一种或多种式I化合物，并且还包含一种或多种具有半导体，空穴或电子传输，空穴或电子阻挡，绝缘，粘合，导电，光导，光活性或发光性质中的一种或多种的化合物。
本发明还涉及这样的组合物，该组合物包含一种或多种式I化合物，并且还包含粘合剂，优选电惰性粘合剂，非常优选电惰性聚合物粘合剂。
本发明还涉及这样的组合物，该组合物包含式I化合物，并且还包含一种或多种电子供体或p型半导体，优选选自共轭聚合物。
本发明还涉及这样的组合物，该组合物包含一种或多种n型半导体(其中至少一种是式I化合物)，并且还包含一种或多种p型半导体。
本发明还涉及这样的组合物，该组合物包含一种或多种n型半导体(其中至少一种是式I化合物，和其中至少一种是富勒烯或富勒烯衍生物)，并且还包含一种或多种p型半导体，优选选自共轭聚合物。
本发明还涉及由包含作为电子受体或n型半导体的式I化合物和一种或多种是电子供体或p型半导体并且优选选自共轭聚合物的化合物的组合物形成的体异质结(BHJ)。
本发明还涉及式I化合物或上下文所述的组合物作为半导体，电荷传输，导电，光导，光活性或发光材料的用途。
本发明还涉及式I化合物或上下文所述的组合物在电子或光电器件中或在这样的器件的组件或包含这样的器件的装配件中的用途。
本发明还涉及包含式I化合物或上下文所述的组合物的半导体，电荷传输，导电，光导，光活性或发光材料。
本发明还涉及电子或光电器件或其组件或包含其的装配件，它们包含式I化合物或上下文所述的组合物。
本发明还涉及电子或光电器件或其组件或包括其的装配件，它们包含上下文所述的半导体，电荷传输，导电，光导或发光材料。
本发明还涉及包含一种或多种式I化合物或包含上下文所述的组合物或半导体材料，并且还包含一种或多种溶剂(优选选自有机溶剂)的制剂。
本发明还涉及上下文所述的制剂用于制备电子或光电器件或其组件的用途。
本发明还涉及通过使用上下文所述的制剂获得的电子或光电器件或其组件。
电子或光电器件包括但不限于有机场效应晶体管(OFET)，有机薄膜晶体管(OTFT)，有机发光二极管(OLED)，有机发光晶体管(OLET)，有机发光电化学电池(OLEC)，有机光伏器件(OPV)，有机光电探测器(OPD)，有机太阳能电池，染料敏化太阳能电池(DSSC)，有机光电化学电池(OPEC)，基于钙钛矿的太阳能电池(PSC)器件，激光二极管，肖特基二极管，光电导体，光电探测器和热电器件。
优选的器件是OFET，OTFT，OPV，PSC，OPD和OLED，特别是OPD和BHJ OPV或倒置式BHJOPV。
电子或光电器件的组件包括但不限于电荷注入层，电荷传输层，夹层，平坦化层，抗静电膜，聚合物电解质膜(PEM)，导电基板和导电图案。
包含电子或光电器件的装配件包括但不限于集成电路(IC)，射频识别(RFID)标签，安全标记，安全器件，平板显示器，平板显示器的背光，电子照相器件，电子照相记录器件，有机存储器件，传感器器件，生物传感器和生物芯片。
此外，式I化合物和上下文所述的组合物可用作电池中的电极材料或用于检测和鉴别DNA序列的组件或器件。
术语和定义
如本领域技术人员所已知，醌表示“通过在双键的任何必需重排下将偶数个-CH＝基团转化成-C(＝O)-基团而具有衍生自芳族或杂芳族化合物的完全共轭环状二酮结构的化合物(包括多环及杂环类似物)”(PAC,1995,67,1307)。最简单的实例为对苯醌。
在现有技术中，术语“醌型”通常理解为意谓类似醌或呈醌形式但不包括酮氧原子的化合物。
如本文中所使用，术语“醌型(quinoid)”及“醌型(quinoidal)”应理解为意谓不饱和脂环或杂环部分，或含有此部分的化合物，其为单环或多环、完全共轭，也可与芳族环稠合，且含有偶数个的两种或更多种sp2碳原子，其中的每一者经由环外C＝C双键化学地连接至相邻部分，如式I中所展示，以使得脂环或杂环部分及所述相邻部分形成具有C＝C双键及C-C单键的持续交替顺序的延伸的π-共轭系统。
如本文所使用，术语“聚合物”应理解为意指具有高相对分子质量的分子，其结构基本上包含实际上或概念上得自低相对分子质量的分子的单元的多次重复(PureAppl.Chem.，1996,68,2291)。术语“低聚物”应理解为意指中等相对分子质量的分子，其结构基本上包含实际上或概念上得自较低相对分子质量的分子的少数多个单元(PureAppl.Chem.，1996,68,2291)。如本文(本发明)所用，在优选含义中，聚合物应理解为意指具有>1个(即至少2个)重复单元，优选≥5(非常优选≥10)个重复单元的化合物，且低聚物应理解为意指具有>1个且<10个，优选<5个重复单元的化合物。
此外，如本文所用，术语“聚合物”应理解为意指涵盖一种或多种不同类型的重复单元(分子的最小组成单元)的主链(backbone)(还称为“主链(main chain)”)且包括通常已知的术语“低聚物”、“共聚物”、“均聚物”、“无规聚合物”等。另外，应理解术语聚合物除聚合物本身外包括来自伴随这种聚合物合成的引发剂、催化剂和其他要素的残余物，其中这种残余物应理解为未共价并入其中。另外，这种残余物和其他要素虽然通常在聚合后纯化过程期间移除，但通常与聚合物混合或共混，以使得当聚合物在容器之间或溶剂或分散介质之间转移时它们一般与聚合物保留在一起。
如本文中所使用，在描绘例如取代基、重复单元或聚合物的化学式中，符号-*应理解为意谓与相邻基团、重复单元或端基的单键。在环中，如例如苯或噻吩环，星号*应理解为意谓形成环的部分且经由单键键结至相邻基团的sp2碳原子。
如本文所用，术语“重复单元”、“重复性单元”和“单体单元”可互换使用且应理解为意指组成重复单元(CRU)，其为最小组成单元，该最小组成单元的重复构成了规则大分子、规则低聚型分子、规则嵌段或规则链(Pure Appl.Chem.，1996、68、2291)。如本文中另外所用，术语“单元”应理解为意指就其自身而言可为重复单元或可连同其他单元形成组成重复单元的结构单元。
如本文所用，“端基”应理解为意指封端聚合物主链的基团。表述“在主链的末端位置中”应理解为意指在一侧连接至这种端基且在另一侧连接至另一重复单元的二价单元或重复单元。这种端基包括封端基团或反应性基团(其连接至不参与聚合反应的形成聚合物主链的单体)，如例如具有如下文所限定的R22或R23的含义的基团。
如本文所用，术语“封端基团”应理解为意指附接至或替代聚合物主链的端基的基团。可通过封端工艺将封端基团引入至聚合物中。可例如通过使聚合物主链的端基与单官能化合物(“封端剂(endcapper)”)(如例如烷基卤化物或芳基卤化物、烷基锡烷或芳基锡烷或烷基硼酸酯(boronate)或芳基硼酸酯)反应来进行封端。可例如在聚合反应之后添加封端剂。或者，可在聚合反应之前或期间将封端剂原位添加至反应混合物中。原位添加封端剂也可用于终止聚合反应，并因此控制形成的聚合物的分子量。典型的封端基团为例如H、苯基和低级烷基。
如本文所用，术语“小分子”应理解为意指通常不含有反应性基团(通过其可反应以形成聚合物)且指示以单体形式使用的单体化合物。与此相反，除非另外说明，否则术语“单体”应理解为意指携带一个或多个反应性官能团(通过其可反应以形成聚合物)的单体化合物。
如本文所用，术语“供体”或“供给”和“受体”或“接受”应理解为分别意指电子供体或电子受体。“电子供体”应理解为意指向另一化合物或一种化合物的原子的另一基团供给电子的化学实体(chemical entity)。“电子受体”应理解为意指接受从另一化合物或一种化合物的原子的另一基团转移至其的电子的化学实体。还参见Internat ional Union ofPure and Applied Chemis try，Compendium of Chemical Technology，Gold Book，版本2.3.2，2012年8月19日、第477和480页。
如本文所使用的术语“n型”或“n型半导体”将被理解为是指其中导电电子密度超过移动空穴密度的非本征半导体，和术语“p型”或“p型半导体”将被理解为是指其中移动空穴密度超过导电电子密度的非本征半导体(还参见J.Thewlis，Concise Dictionary ofPhysics，Pergamon Press，Oxford，1973)。
如本文所使用的术语“离去基团”将被理解为是指被认为是参加指定反应的分子的剩余或主体部分中的原子上分离的原子或基团(其可为带电荷或不带电荷的)(还参见Pure Appl.Chem.，1994，66，1134)。
如本文使用的，术语“共轭”将理解为是指主要含有具有sp2-杂化(或任选还有sp-杂化)的C原子的化合物(例如聚合物)，并且其中这些C原子还可以被杂原子替代。在最简单的情况下，这例如是具有交替的C-C单和双(或三)键的化合物，但是也包括具有芳香族单元例如1,4-亚苯基的化合物。就此而论，术语“主要”将理解为是指具有天然(自发)存在的缺陷、或具有通过设计而包括的缺陷(这会导致共轭中断)的化合物仍被视为共轭化合物。
除非另外说明，否则如本文所用的分子量以数均分子量Mn或重均分子量Mw给出，其在诸如四氢呋喃、三氯甲烷(TCM，氯仿)、氯苯或1,2,4-三氯苯的洗脱溶剂中通过凝胶渗透色谱法(GPC)针对聚苯乙烯标准物测定。除非另外说明，否则使用氯苯作为溶剂。聚合度，也称为重复单元的总数(n)，应理解为意指以n＝Mn/Mu给出的数均聚合度，其中Mn为数均分子量且Mu为单个重复单元的分子量，参见J.M.G.Cowie，Polymers：Chemistry&Physics ofModern Materials，Blackie，Glasgow，1991。
如本文所用，术语“碳基”应理解为意指包含至少一个碳原子的不具有任何非碳原子(例如-C≡C-)或任选与诸如B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge的至少一个非碳原子组合的任何单价或多价有机部分(例如羰基等)。
如本文所用，术语“烃基”应理解为意指另外含有一个或多个H原子且任选含有一个或多个例如B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge的杂原子的碳基。
如本文所用，术语“杂原子”应理解为意指在有机化合物中的不是H或C原子的原子，并且优选应理解为意指B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge。
包含3个或更多个C原子的链的碳基或烃基可为直链、支链和/或环状，且可包括螺连接环和/或稠合环。
优选的碳基和烃基包括烷基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基和烷氧基羰基氧基，其各自任选被取代且具有1至40、优选1至25、非常优选1至18个C原子，另外包括具有6至40、优选6至25个C原子的任选被取代的芳基或芳氧基，另外包括烷基芳氧基、芳基羰基、芳氧基羰基、芳基羰基氧基和芳氧基羰基氧基，其各自任选被取代且具有6至40、优选7至40个C原子，其中所有这些基团均任选含有一个或多个优选选自B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te和Ge的杂原子。
其他优选的碳基和烃基包括例如：C1-C40烷基、C1-C40氟烷基、C1-C40烷氧基或氧杂烷基、C2-C40烯基、C2-C40炔基、C3-C40烯丙基、C4-C40烷基二烯基、C4-C40多烯基、C2-C40酮基、C2-C40酯基、C6-C18芳基、C6-C40烷基芳基、C6-C40芳基烷基、C4-C40环烷基、C4-C40环烯基等。在前述基团中优选的分别是C1-C20烷基、C1-C20氟烷基、C2-C20烯基、C2–C20炔基、C3-C20烯丙基、C4-C20烷基二烯基、C2-C20酮基、C2-C20酯基、C6-C12芳基、和C4-C20多烯基。
还包括具有碳原子的基团与具有杂原子的基团的组合，例如经硅烷基、优选三烷基硅烷基取代的炔基，优选乙炔基。
碳基或烃基可为非环状基团或环状基团。在碳基或烃基为非环状基团的情况下，其可为直链或支链。在碳基或烃基为环状基团的情况下，其可为非芳族碳环或杂环基，或芳基或杂芳基。
如上文及下文提及的非芳族碳环基为饱和或不饱和且优选具有4至30个环C原子。如上文及下文提及的非芳族杂环基优选具有4至30个环C原子，其中C环原子中的一个或多个任选被杂原子(优选选自N、O、S、Si和Se)或-S(O)-或-S(O)2基团替代。非芳族碳环基和杂环基为单环或多环，也可含有稠合环，优选含有1、2、3或4个稠合或非稠合环，且任选被一个或多个基团L取代，其中
L选自F、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-R0、-OR0、-SR0、-C(＝O)X0、-C(＝O)R0、-C(＝O)-OR0、-O-C(＝O)-R0、-NH2、-NHR0、-NR0R00、-C(＝O)NHR0、-C(＝O)NR0R00、-SO3R0、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5或任选经取代的硅烷基，或具有1至40、优选1至20个C原子的任选经取代以及任选包含一个或多个杂原子的碳基或烃基，其中X0为卤素，优选为F或Cl，且R0、R00指代H或任选氟化的具有1至20个、优选1至12个C原子的直链或支链烷基。
优选L选自：F、-CN、R0、-OR0、-SR0、-C(＝O)-R0、-C(＝O)-OR0、-O-C(＝O)-R0、-O-C(＝O)-OR0、-C(＝O)-NHR0及-C(＝O)-NR0R00。
更优选地L选自：F，或具有1至12个C原子的烷基、烷氧基、氧杂烷基、硫代烷基、氟烷基、氟烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基，或具有2至12个C原子的烯基或炔基。
优选的非芳族碳环基或杂环基为四氢呋喃、茚满、吡喃、吡咯烷、哌啶、环戊烷、环己烷、环庚烷、环戊酮、环己酮、二氢呋喃-2-酮、四氢吡喃-2-酮和氧杂环庚-2-酮(oxepan-2-one)。
如上文及下文所提及的芳基优选具有4至30个环C原子，为单环或多环的且也可含有稠合环，优选含有1、2、3、4、5、6、7或8个稠合或未稠合环，以及任选经如上文所定义的一个或多个基团L取代。
如上文及下文所提及的杂芳基优选具有4至30个环C原子，其中C环原子中的一个或多个经优选选自N、O、S、Si及Se的杂原子替代，为单环或多环的且也可含有稠合环，优选含有1、2、3、4、5、6、7或8个稠合或未稠合环，以及任选经如上文所定义的一个或多个基团L取代。
如上文及下文提及的芳基烷基或杂芳基烷基优选表示-(CH2)a-芳基或-(CH2)a-杂芳基，其中a为1至6的整数，优选1，和“芳基”和“杂芳基”具有上下文给出的含义。优选的芳基烷基任选被L取代的苄基。
如本文所用，“亚芳基”应理解为意指二价芳基，且“亚杂芳基”应理解为意指二价杂芳基，包括如上文及下文所给出的芳基和杂芳基的所有优选含义。
优选的芳基和杂芳基为苯基(其中，此外，一个或多个CH基团可被N替代)、萘、噻吩、硒吩、噻吩并噻吩、二噻吩并噻吩、芴和噁唑，所有这些可以是未取代的、被如上定义的L单或多取代的。非常优选的芳基和杂芳基选自吡咯(优选N-吡咯)、呋喃、吡啶(优选2-或3-吡啶)、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三唑、四唑、吡唑、咪唑、异噻唑、噻唑、噻二唑、异噁唑、噁唑、噁二唑、噻吩(优选2-噻吩)、硒吩(优选2-硒吩)、2,5-二噻吩-2',5'-二基、噻吩[3,2-b]并噻吩、噻吩[2,3-b]并噻吩、呋喃并[3,2-b]呋喃、呋喃并[2,3-b]呋喃、硒吩并[3,2-b]硒吩、硒吩并[2,3-b]硒吩、噻吩并[3,2-b]硒吩、噻吩并[3,2-b]呋喃、吲哚、异吲哚、苯并[b]呋喃、苯并[b]噻吩、苯并[1,2-b；4,5-b']二噻吩、苯并[2,1-b；3,4-b']二噻吩、醌醇(quinole)、2-甲基醌醇(2-methylquinole)、异醌醇(isoquinole)、喹喔啉、喹唑啉、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、苯并异噻唑、苯并异噁唑、苯并噁二唑、苯并噁唑、苯并噻二唑、4H-环戊并[2,1-b；3,4-b']二噻吩，7H-3,4-二硫杂-7-硅(sila)-环戊并[a]并环戊二烯，其中的所有均可未被取代、经如上文所限定的L单取代或多取代。芳基和杂芳基的其他实例为选自下文所显示的基团的那些。
烷基或烷氧基(即其中末端CH2基团被-O-替代)可为直链或支链。其优选为直链，具有2、3、4、5、6、7、8、12或16个碳原子和因此优选为例如乙基，丙基，丁基，戊基，己基，庚基，辛基，十二烷基或十六烷基，乙氧基，丙氧基，丁氧基，戊氧基，己氧基，庚氧基，辛氧基，十二烷氧基或十六烷氧基，此外，甲基，壬基，癸基，十一烷基，十三烷基，十四烷基，十五烷基，壬氧基，癸氧基，十一烷氧基，十三烷氧基或十四烷氧基。
烯基(即其中一个或多个CH2基团被-CH＝CH-替代)可为直链或支链。其优选为直链，具有2至10个C原子，且因此优选为乙烯基；丙-1-烯基或丙-2-烯基；丁-1-烯基、丁-2-烯基或丁-3-烯基；戊-1-烯基、戊-2-烯基、戊-3-烯基或戊-4-烯基；己-1-烯基、己-2-烯基、己-3-烯基、己-4-烯基或己-5-烯基；庚-1-烯基、庚-2-烯基、庚-3-烯基、庚-4-烯基、庚-5-烯基或庚-6-烯基；辛-1-烯基、辛-2-烯基、辛-3-烯基、辛-4-烯基、辛-5-烯基、辛-6-烯基或辛-7-烯基；壬-1-烯基、壬-2-烯基、壬-3-烯基、壬-4-烯基、壬-5-烯基、壬-6-烯基、壬-7-烯基或壬-8-烯基；癸-1-烯基、癸-2-烯基、癸-3-烯基、癸-4-烯基、癸-5-烯基、癸-6-烯基、癸-7-烯基、癸-8-烯基或癸-9-烯基。
尤其优选的烯基为C2-C7-1E-烯基、C4-C7-3E-烯基、C5-C7-4-烯基、C6-C7-5-烯基和C7-6-烯基，特别是C2-C7-1E-烯基、C4-C7-3E-烯基和C5-C7-4-烯基。特别优选的烯基的实例为乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基等。具有多达5个C原子的基团通常是优选的。
氧杂烷基(即其中一个CH2基团被-O-替代)优选为例如直链2-氧杂丙基(＝甲氧基甲基)；2-氧杂丁基(＝乙氧基甲基)或3-氧杂丁基(＝2-甲氧基乙基)；2-氧杂戊基、3-氧杂戊基或4-氧杂戊基；2-氧杂己基、3-氧杂己基、4-氧杂己基或5-氧杂己基；2-氧杂庚基、3-氧杂庚基、4-氧杂庚基、5-氧杂庚基或6-氧杂庚基；2-氧杂辛基、3-氧杂辛基、4-氧杂辛基、5-氧杂辛基、6-氧杂辛基或7-氧杂辛基；2-氧杂壬基、3-氧杂壬基、4-氧杂壬基、5-氧杂壬基、6-氧杂壬基、7-氧杂壬基或8-氧杂壬基；或2-氧杂癸基、3-氧杂癸基、4-氧杂癸基、5-氧杂癸基、6-氧杂癸基、7-氧杂癸基、8-氧杂癸基或9-氧杂癸基。
在其中一个CH2基团被-O-替代且一个CH2基团被-C(O)-替代的烷基中，这些基团优选是相邻的。因此，这些基团一起形成羰基氧基-C(O)-O-或氧基羰基-O-C(O)-。此基团优选为直链且具有2至6个C原子。因此，其优选为乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、戊酰氧基、己酰氧基、乙酰氧基甲基、丙酰氧基甲基、丁酰氧基甲基、戊酰氧基甲基、2-乙酰氧基乙基、2-丙酰氧基乙基、2-丁酰氧基乙基、3-乙酰氧基丙基、3-丙酰氧基丙基、4-乙酰氧基丁基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、甲氧基羰基甲基、乙氧基羰基甲基、丙氧基羰基甲基、丁氧基羰基甲基、2-(甲氧基羰基)乙基、2-(乙氧基羰基)乙基、2-(丙氧基羰基)乙基、3-(甲氧基羰基)丙基、3-(乙氧基羰基)丙基、4-(甲氧基羰基)-丁基。
其中两个或更多个CH2基团被-O-和/或-C(O)O-替代的烷基可为直链或支链。其优选为直链基团且具有3至12个C原子。因此，其优选为双-羧基-甲基、2,2-双-羧基-乙基、3,3-双-羧基-丙基、4,4-双-羧基-丁基、5,5-双-羧基-戊基、6,6-双-羧基-己基、7,7-双-羧基-庚基、8,8-双-羧基-辛基、9,9-双-羧基-壬基、10，10-双-羧基-癸基、双-(甲氧基羰基)-甲基、2,2-双-(甲氧基羰基)-乙基、3,3-双-(甲氧基羰基)-丙基、4,4-双-(甲氧基羰基)-丁基、5,5-双-(甲氧基羰基)-戊基、6,6-双-(甲氧基羰基)-己基、7,7-双-(甲氧基羰基)-庚基、8,8-双-(甲氧基羰基)-辛基、双-(乙氧基羰基)-甲基、2,2-双-(乙氧基羰基)-乙基、3,3-双-(乙氧基羰基)-丙基、4,4-双-(乙氧基羰基)-丁基、5,5-双-(乙氧基羰基)-己基。
烷硫基(即其中一个CH2基团被-S-替代)优选为直链硫代甲基(-SCH3)、1-硫代乙基(-SCH2CH3)、1-硫代丙基(＝-SCH2CH2CH3)、1-(硫代丁基)、1-(硫代戊基)、1-(硫代己基)、1-(硫代庚基)、1-(硫代辛基)、1-(硫代壬基)、1-(硫代癸基)、1-(硫代十一烷基)或1-(硫代十二烷基)，其中优选替代与SP2杂化乙烯基碳原子相邻的CH2基团。
氟烷基可以是全氟烷基CiF2i+1(其中i为1至15的整数)，特别是CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15或C8F17，非常优选为C6F13，或部分氟化的烷基(优选具有1至15个C原子)，特别是1,1-二氟烷基，上述的所有均为直链或支链。
优选地，“氟烷基”是指部分氟化的(即未全氟化的)烷基。
烷基、烷氧基、烯基、氧杂烷基、烷硫基、羰基和羰氧基可为非手性或手性基团。特别优选的手性基团为例如2-丁基(＝1-甲基丙基)、2-甲基丁基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基己基、2-丁基辛基、2-己基癸基、2-辛基十二烷基、2-丙基戊基，特别是2-甲基丁基、2-甲基丁氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基-戊氧基、2-乙基-己氧基、2-丁基辛氧基、2-己基癸氧基、2-辛基十二烷氧基、1-甲基己氧基、2-辛氧基、2-氧杂-3-甲基丁基、3-氧杂-4-甲基-戊基、4-甲基己基、2-己基、2-辛基、2-壬基、2-癸基、2-十二烷基、6-甲氧基-辛氧基、6-甲基辛氧基、6-甲基辛酰氧基、5-甲基庚氧基-羰基、2-甲基丁酰氧基、3-甲基戊酰氧基、4-甲基己酰氧基、2-氯-丙酰氧基、2-氯-3-甲基丁酰氧基、2-氯-4-甲基-戊酰氧基、2-氯-3-甲基戊酰氧基、2-甲基-3-氧杂戊基、2-甲基-3-氧杂-己基、1-甲氧基丙基-2-氧基、1-乙氧基丙基-2-氧基、1-丙氧基丙基-2-氧基、1-丁氧基丙基-2-氧基、2-氟辛氧基、2-氟癸氧基、1,1,1-三氟-2-辛氧基、1,1,1-三氟-2-辛基、2-氟甲基辛氧基。非常优选的为2-乙基己基、2-丁基辛基、2-己基癸基、2-辛基十二烷基、2-己基、2-辛基、2-辛氧基、1,1,1-三氟-2-己基、1,1,1-三氟-2-辛基和1,1,1-三氟-2-辛氧基。
优选的非手性支链基团为异丙基、异丁基(＝甲基丙基)、异戊基(＝3-甲基丁基)、叔丁基、异丙氧基、2-甲基-丙氧基、3-甲基丁氧基及3,7-二甲基辛基。
在一优选实施方式中，芳基或杂芳基环上的取代基彼此独立地选自具有1至40个C原子的伯、仲或叔烷基或烷氧基，其中一个或多个H原子任选经F替代，或任选经烷基化或烷氧基化且具有4至30个环原子的芳基、芳氧基、杂芳基或杂芳氧基。此类的非常优选的基团选自由下式组成的组：
Figure BDA0002252772620000151
Figure BDA0002252772620000161
其中“ALK”指代具有1至20个、优选1至16个C原子、在叔基团的情况下非常优选1至10个C原子的任选经氟化、优选直链烷基或烷氧基，且虚线指代附接至这些基团的环的键联。在这些基团中尤其优选的为所有ALK亚基均相同的那些。
如本文中所使用，若芳基(氧基)或杂芳基(氧基)基团经“烷基化或烷氧基化”，则此意谓其经具有1至20个C原子且为直链或支链的一个或多个烷基或烷氧基取代，并且其中一个或多个H原子任选经F原子取代。
在上文及下文中，Y1及Y2彼此独立地为H、F、Cl或CN。
如本文中所使用，-CO-、-C(＝O)-及-C(O)-应理解为意谓羰基，即具有
Figure BDA0002252772620000162
结构的基团。
如本文中所使用，C＝CR1R2等应理解为意谓具有
Figure BDA0002252772620000163
结构的基团。
除非另外说明，否则在未提到取代基的情况下“任选经取代”意谓任选经L取代。
如本文中所使用，“卤素”包括F、Cl、Br或I，优选F、Cl或Br。表示环或链上的取代基的卤素原子优选为F或Cl，非常优选为F。表示单体中的反应性基团的卤素原子优选为Cl、Br或I，非常优选为Br或I。
在上文及下文中，短语“及其镜像”意谓包括可由另一部分通过将其在外部对称性平面或延伸穿过该部分的对称性平面上竖直地和/或水平地翻转至少一次获得的部分。举例而言，在
Figure BDA0002252772620000171
部分的情况下，短语“及其镜像”意谓包括以下部分：
Figure BDA0002252772620000172
Figure BDA0002252772620000173
详细说明
本发明的化合物易于合成且呈现有利特性。该化合物展示器件制造方法的良好可加工性、有机溶剂中的高度可溶性，且尤其适合于使用溶液加工方法的大规模生产。
式I化合物尤其适用作(电子)受体或n型半导体，且适用于制备适合用于OPD或BHJOPV器件中的n型及p型半导体的共混物。
式I化合物进一步适合于替代迄今已用作OPV或OPD器件中的n型半导体的富勒烯化合物。
此外，式I化合物展示以下有利特性：
i)延伸醌型结构因易于电子注入以从分子释放芳构化能量而导致产生具有高电子迁移率的n型半导体材料。
ii)化合物的可溶性可易于通过选择稠合环戊二烯部分上的溶解基团R1-4优化。
iii)位置R1-4中的溶解烷基链确实还赋予中间体易于合成及纯化，且最重要的为最终化合物作为半导体材料的可加工性。
式I化合物的合成可基于本领域技术人员已知及文献中所描述的方法实现，如本文中将进一步说明。
式I化合物优选选自下式：
Figure BDA0002252772620000181
其中Ar11及Ar12具有针对式I中的Ar1所给出的含义的一，且Ar2-5、U11、U21、U22、a、b具有式I中所给出的含义。
优选地，式I及其子式中的Ar2、Ar3、Ar4及Ar5指代醌型脂环或杂环基，其具有5至30个环原子，为单环、二环、三环、四环、五环或六环，任选含有稠合环，且未经取代或经如上文所定义的一个或多个相同或不同基团R1或L取代。
优选地，式I及其子式中的Ar1、Ar11及Ar12指代醌型脂环或杂环基，其为与Ar2及Ar3一起形成的较大醌型基团的部分，具有5至30个环原子，为单环、二环、三环、四环、五环或六环，任选含有稠合环，且未经取代或经如上文所定义的一个或多个相同或不同基团R1或L取代。
在本发明的一优选实施方式中，式I中的Ar1及式IA中的Ar11选自下式及其镜像：
Figure BDA0002252772620000182
Figure BDA0002252772620000191
Figure BDA0002252772620000201
其中各个基团彼此独立地且在每次出现时相同或不同地具有以下含义：
X为O、S、Se或Te，
R、R’具有如上文及下文所定义的R1或L的含义之一，
#为经由C＝C双键连接至式I、IA或IB中的相邻基团的sp2碳原子，及
*为经由C-C单键连接至式I、IA或IB中的相邻基团的sp2碳原子，及
Z、Z’为O、S、Se、Te、C(＝O)、NR、＝N-或＝CR-，其中Z及Z’中的至少一者与＝N-及＝CR-不同。
优选的基团Ar1及Ar11选自上式1A-25A及其镜像，其中X为S。
非常优选的基团Ar1及Ar11选自式1A、5A、11A、13A、15A及25A，其中在式11A及15A中，优选地，X为S，在式13A中，优选地，X为S，且R’与H不同，且在式25A中，优选地，Z为C＝O且Z’为NR。
在本发明的另一优选实施方式中，式I中的Ar1及在式IB中的Ar12选自下式及其镜像：
Figure BDA0002252772620000202
Figure BDA0002252772620000211
其中各个基团彼此独立地且在每次出现时相同或不同地具有以下含义：
X、Z、Z’、R、#及*具有如上文及下文所给出的含义或优选含义，
Arx、Ary为稠合的5元或6元芳族环，其中一个或多个CH基团任选经O、S、Se、Te、＝N-、NR或C(＝O)替代，且一个或多个H原子任选经R1或L替代，
Y为CR1R2、SiR1R2、GeR1R2、NR、C(＝O)或S(＝O)，其中R1及R2如上文所定义。
非常优选的基团Ar1及Ar12选自上式1B-23B及其镜像，其中X为S且Y为CR1R2。
优选的基团Arx选自下式：
Figure BDA0002252772620000221
其中X、R及*具有如上文及下文所给出的含义或优选含义，R”具有R的含义之一且优选为H。
优选的基团Ary选自下式：
Figure BDA0002252772620000222
其中*具有如上文所给出的含义。
非常优选的基团Ar12选自式1B、4B、6B、7B、8B、9B、10B及11B。其中优选地，Arx具有式X1或X2，Ary具有式Y1或Y3，X为S，Y为CR1R2或NR，Z’为NR、＝N-或＝CR-，Z为＝N-或C(＝O)，或两个基团Z中之一为＝N-或＝CR-而另一者为O或S。
在本发明的一优选实施方式中，式I、IA及IB中的Ar2及Ar3选自下式及其镜像：
Figure BDA0002252772620000223
Figure BDA0002252772620000231
Figure BDA0002252772620000241
其中Arx、Ary、R、R’、X、Y、Z、Z’、#及*具有如上文及下文所给出的含义或优选含义。
非常优选的基团Ar2及Ar3选自上式1C-35C及其镜像，其中X为S且Y为CR1R2或NR。
尤其优选的基团Ar2及Ar3选自式1C、11C、12C、13C、15C及16C，其中优选地，X为S。
在本发明的优选实施方式中，式I、IA及IB中的Ar4及Ar5选自下式及其镜像：
Figure BDA0002252772620000251
Figure BDA0002252772620000261
Figure BDA0002252772620000271
其中Arx、Ary、R、R’、X、Y、Z、Z’、#及*具有如上文及下文所给出的含义或优选含义，且Y’指代N或CR。
非常优选的基团Ar4及Ar5选自上式1D-45D及其镜像，其中X为S且Y为CR1R2或NR。
其他优选的基团Ar4及Ar5选自式1D、5D、12D、13D、17D、18D、19D、20D、21D、22D及23D及其子式，其中X优选为S。
非常优选的基团Ar4及Ar5选自以下子式及其镜像：
Figure BDA0002252772620000281
其中R、R”、X、Y’及#具有如上文及下文所给出的含义或优选含义，且Z”及Z”’具有针对Z所给出的含义之一。其中优选地，R’与H不同，R”为H，X为S，Y’为N，Z’为NR，且Z”为C(＝O)，或Z’为＝N-或＝CR-，且两个基团Z”中之一为＝N-或CR且另一者为O或S，Z”’为NR、O或S。
式18D1、18D2、19D1、19D2及20D1的非常优选的基团选自以下子式及其镜像：
Figure BDA0002252772620000282
Figure BDA0002252772620000291
其中R及#具有如上文所给出的含义或优选含义。
在本发明的一优选实施方式中，式I及其子式的化合物及基团Ar1-5、Ar11及Ar12不含环状及稠合sp3碳原子，即为两个稠合环的部分且不为螺碳原子的sp3碳原子。
在本发明的一优选实施方式中，式I、IA、IB及其子式中的R1-4选自F、Cl或直链或支链烷基、烷氧基、巯基烷基(sulfanylalkyl)、磺酰基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基及烷基羰氧基，各自具有1至40个、优选1至20个C原子且未经取代或经一个或多个F原子取代。
在本发明的另一优选实施方式中，式I、IA、IB及其子式中的R1-4选自单环或多环芳基或杂芳基，其中的每一者任选经如式I中所定义的一个或多个基团L取代且具有4至30个环原子，并且其中两个或更多个环可彼此稠合或通过共价键彼此连接。
在本发明的一优选实施方式中，式1A-25A、1B-23B、1C-35C、1D-45D及其子式中的一个或多个、优选所有基团R为H。
在本发明的另一优选实施方式中，式1A-25A、1B-23B、1C-35C、1D-45D及其子式中的基团R中的至少一者与H不同。
在式13A、17C及23D中，优选地，R为H且R’与H不同。
在本发明的一优选实施方式中，式1A-25A、1B-23B、1C-35C、1D-45D及其子式中的R及R’当与H不同时选自F、Cl或直链或支链烷基、烷氧基、巯基烷基、磺酰基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基及烷基羰氧基，各自具有1至40个、优选1至20个C原子且未经取代或经一个或多个F原子取代。
在本发明的另一优选实施方式中，式1A-25A、1B-23B、1C-35C、1D-45D及其子式中的R及R’当与H不同时选自芳基或杂芳基，其中的每一者任选经如式I中所定义的一个或多个基团L取代且具有4至30个环原子。
优选的芳基及杂芳基R1-4、R及R’选自下式：
Figure BDA0002252772620000301
Figure BDA0002252772620000311
其中R11-17彼此独立地且在每次出现时相同或不同地指代H或具有针对式I中的L所给出的含义之一或如上文及下文所给出的其优选含义之一。
非常优选的芳基及杂芳基R1-4、R及R’选自下式：
Figure BDA0002252772620000312
Figure BDA0002252772620000321
其中R11-15如上文所定义。
在另一个优选实施方式中，R1-4、R或R’中的一种或多种指代具有1至50个、优选2至50个、非常优选地2至30个、更优选地2至24个、最优选地2至16个C原子的直链、支链或环状烷基，其中一个或多个CH2或CH3基团经阳离子或阴离子基团替代。
阳离子基团优选选自：鏻、锍、铵、脲鎓(uronium)、硫脲鎓(thiouronium)、胍鎓(guanidinium)或杂环阳离子，诸如咪唑鎓、吡啶鎓、吡咯烷鎓、三唑鎓、吗啉鎓(morpholinium)或哌啶鎓阳离子。
优选的阳离子基团选自：四烷基铵、四烷基鏻、N-烷基吡啶鏻、N,N-二烷基吡咯烷鎓、1,3-二烷基咪唑鎓，其中“烷基”优选表示具有1至12个C原子的直链或支链烷基。
其他优选阳离子基团选自由下式组成的组：
Figure BDA0002252772620000322
Figure BDA0002252772620000331
其中R1’、R2’、R3’及R4’彼此独立地指代H、具有1至12个C原子的直链或支链烷基或非芳族碳环基或杂环基或芳基或杂芳基，前述基团中的每一者具有3至20个、优选5至15个环原子，为单环或多环，以及任选经如上文所定义的一个或多个相同或不同取代基L取代，或指代与对应基团R1-9的键联。
在上文所提及式的上述阳离子基团中，基团R1’、R2’、R3’及R4’中的任一者(若其替代CH3基团)可指代与对应基团R1-9的键联，或两个相邻基团R1’、R2’、R3’及R4’(若其替代CH2基团)可指代与对应基团R1-9的键联。
阴离子基团优选选自由以下组成的组：硼酸根、酰亚胺、磷酸根、磺酸根、硫酸根、丁二酸根、环烷酸根或羧酸根，非常优选选自磷酸根、磺酸根或羧酸根。
式I及其子式的其他优选化合物选自以下优选实施方式或其任何组合：
-a及b为0，
-a及b为1、2或3，
-a及b中之一为0且另一者为1、2或3，
-U11、U12、U21、U22，当与C-C双键不同时，指代CR1R2或SiR1R2，优选CR1R2，
-X为S，
-Y为CR1R2或NR，
-Z为＝N-或C(＝O)，或一个基团Z为＝N-或＝CR-且另一者为O或S，
-Z’为NR、＝N-或＝CR-，
-所有取代基R为H，
-在式17C及23D中，R为H且R’与H不同，
-R1-4与H不同，
-R1-4选自F、Cl或直链或支链烷基、烷氧基、巯基烷基、磺酰基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基及烷基羰氧基，各自具有1至40个、优选1至20个C原子且未经取代或经一个或多个F原子取代，优选选自F或任选氟化的具有1至16个C原子的烷基或烷氧基，
-R1-4选自芳基或杂芳基，其中的每一者任选经如式I中所定义的一个或多个基团L取代且具有4至30个环原子，优选选自任选优选在4-位经具有1至30个C原子、优选1至16个C原子的烷基或烷氧基取代的苯基，非常优选地4-烷基苯基，其中烷基为C1-16烷基，最优选地4-甲基苯基或4-己基苯基，
-L’为H，
-L、L’指代F、Cl、CN、NO2或任选氟化的具有1至16个C原子的烷基或烷氧基。
-R为H，
-至少一个R与H不同，
-当R与H不同时，其选自F、Cl或直链或支链烷基、烷氧基、巯基烷基、磺酰基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基及烷基羰氧基，各自具有1至40个、优选1至20个C原子且未经取代或在未全氟化的情况下经一个或多个F原子取代，优选选自F或任选氟化的具有1至16个C原子的烷基或烷氧基，
-R’选自F、Cl或直链或支链烷基、烷氧基、巯基烷基、磺酰基烷基、烷基羰基、烷氧羰基及烷基羰氧基，各自具有1至40个、优选1至20个C原子且未经取代或在未全氟化的情况下经一个或多个F原子取代，优选选自F或任选氟化的具有1至16个C原子的烷基或烷氧基，
-R’选自芳基或杂芳基，其中的每一者任选经如式I中所定义的一个或多个基团L取代且具有4至30个环原子，优选选自任选经取代的苯基。
式I及IA的优选化合物选自以下子式：
Figure BDA0002252772620000351
Figure BDA0002252772620000361
Figure BDA0002252772620000371
Figure BDA0002252772620000381
Figure BDA0002252772620000391
其中R1-4、R5、R及R’具有上文及下文所给出的含义。
优选地，在式I1-I20中，R选自任选氟化的具有1至40个、优选1至20个C原子的烷基或烷氧基。
优选地，在式I1-I20中，R1-4及R’选自任选氟化的具有1至40个、优选1至20个C原子的烷基或烷氧基。
更优选地，在式I1-I20中，R1-4及R’选自具有4至30个环原子的芳基或杂芳基，其为单环或多环的，任选含有稠合环，以及任选经如式I中所定义的一个或多个基团L取代，优选选自任选优选在4-位经具有1至40个、优选1至20个C原子的烷基或烷氧基取代的苯基或选自任选优选在5-位经具有1至40个、优选1至20个C原子的烷基或烷氧基取代的噻吩。
本发明的另一实施方式涉及一种组合物，其包含式I化合物，且进一步包含优选选自共轭聚合物的一种或多种电子供体或p型半导体。
在第一优选实施方式中，电子供体或p型半导体为包含至少一个电子供给单元(“供体单元”)及至少一个电子接受单元(“受体单元”)以及任选至少一个将供体单元与受体单元分离的隔离单元的共轭聚合物，
其中各供体及受体单元直接连接至另一供体或受体单元或直接连接至隔离单元，并且其中所有供体、受体及隔离单元选自亚芳基或亚杂芳基，该亚芳基或亚杂芳基具有5至20个环原子，为单环或多环，任选含有稠合环，且未经取代或经如上文所定义的一个或多个相同或不同基团L取代。
优选地，隔离单元(若存在)位于供体单元与受体单元之间以使得供体单元及受体单元不直接连接至彼此。
优选的共轭聚合物包含式U1的一个或多个单元及式U2的一个或多个单元，非常优选地由该一个或多个单元构成。
-(D-Sp)- U1
-(A-Sp)- U2
其中D指代供体单元，A指代受体单元且Sp指代隔离单元，其所有均选自亚芳基或亚杂芳基，该亚芳基或亚杂芳基具有5至20个环原子，为单环或多环，任选含有稠合环，且未经取代或经如上文所定义的一个或多个相同或不同基团L取代。
非常优选的为式Pi及Pii的聚合物：
-[(D-Sp)x-(A-Sp)y]n- Pi
-[(D-A)x-(A-Sp)y]n- Pii
其中A、D及Sp如式U1及U2中所定义，x指代单元(D-Sp)或(D-A)的摩尔分数，y指代单元(A-Sp)的摩尔分数，x及y各自彼此独立地＞0且＜1，其中x+y＝1，且n为＞1的整数。
在式P1及P2及其子式的聚合物中，x及y优选为0.1至0.9、非常优选为0.3至0.7、最优选为0.4至0.6。
优选的供体单元或单元D选自下式：
Figure BDA0002252772620000401
Figure BDA0002252772620000411
Figure BDA0002252772620000421
其中R11、R12、R13、R14彼此独立地指代H或具有如上文所定义的L的含义之一。
优选的受体单元或单元A选自下式：
Figure BDA0002252772620000431
其中R11、R12、R13、R14彼此独立地指代H或具有如上文所定义的L的含义之一。
优选的隔离单元或单元Sp选自下式：
Figure BDA0002252772620000441
Figure BDA0002252772620000451
Figure BDA0002252772620000461
其中R11、R12、R13、R14彼此独立地指代H或具有如上文所定义的L的含义之一。
在式Sp1至Sp17中，优选地，R11及R12为H。在式Sp18中，优选地，R11-14为H或F。
优选地，共轭聚合物含有以下，优选由以下构成：
a)一个或多个供体单元，其选自由以下组成的组：式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D37、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D106、D111、D140、D141、D146及D147，和/或
b)一个或多个受体单元，其选自由以下组成的组：式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A74、A88、A92、A94、A98、A99及A100，以及
c)任选的一个或多个隔离单元，其选自由以下组成的组：式Sp1-Sp18，非常优选地式Sp1、Sp6、Sp11及Sp14，
其中隔离单元(若存在)优选位于供体单元与受体单元之间以使得供体单元与受体单元不直接连接至彼此。
在第二优选实施方式中，式I化合物为包含以下、优选由以下构成的共轭聚合物：
一个或多个，优选一个、二个、三个或四个相异重复单元D，及
一个或多个、优选一个、两个或三个相异重复单元A。
优选地，根据此第二优选实施方式的共轭聚合物含有一至六个，非常优选地一个、二个、三个或四个相异单元D及一至六个，非常优选地一个、二个、三个或四个相异单元A，其中d1、d2、d3、d4、d5及d6指代各相异单元D的摩尔比，且a1、a2、a3、a4、a5及a6指代各相异单元A的摩尔比，及
d1、d2、d3、d4、d5及d6中的每一者为0至0.6，且d1+d2+d3+d4+d5+d6为0.2至0.8，优选为0.3至0.7，及
a1、a2、a3、a4、a5及a6中的每一者为0至0.6，且a1+a2+a3+a4+a5+d6为0.2至0.8，优选为0.3至0.7，及
d1+d2+d3+d4+d5+d6+a1+a2+a3+a4+a5+a6为0.8至1，优选为1。
优选地，根据此第二优选实施方式的共轭聚合物含有以下、优选由以下构成：
a)一个或多个供体单元，其选自由以下组成的组：式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D37、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D106、D111、D140、D141、D146及D147，和/或
b)一个或多个受体单元，其选自由以下组成的组：式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A74、A88、A92、A94、A98、A99及A100。
在上文共轭聚合物中，如式P及其子式的那些共轭聚合物，重复单元的总数目n优选为2至10,000。重复单元的总数目n优选为≥5，非常优选≥10，最优选≥50，且优选≤500，非常优选≤1,000，最优选≤2,000，其包括前述n的下限及上限的任何组合。
共轭聚合物优选位统计或无规共聚物。
非常优选的共轭聚合物选自以下子式：
Figure BDA0002252772620000481
Figure BDA0002252772620000491
Figure BDA0002252772620000501
Figure BDA0002252772620000511
Figure BDA0002252772620000521
Figure BDA0002252772620000531
Figure BDA0002252772620000541
Figure BDA0002252772620000551
Figure BDA0002252772620000561
Figure BDA0002252772620000571
Figure BDA0002252772620000581
Figure BDA0002252772620000591
其中R11-17、x、y及n如上文所定义，w及z具有针对y所给出的含义之一，x+y+w+z＝1，R18及R19具有针对R11所给出的含义之一，且X1、X2、X3及X4指代H、F或Cl。
在式P1-P49中，优选地，X1、X2、X3及X4中的一种或多种指代F，非常优选地，所有X1、X2、X3及X4指代F，或X1及X2指代H且X3及X4指代F。
在式P1-P49中，优选地，R11及R12为H。更优选地，R11及R12当与H不同时指代任选氟化的具有1至40个、优选1至20个C原子的直链或支链烷基。
在式P1-P49中，优选地，R15及R16为H，且R13及R14与H不同。
在式P1-P49中，优选地，R13、R14、R15及R16当与H不同时选自以下基团：
-由任选氟化的具有1至40个、优选1至20个C原子的直链或支链烷基、烷氧基或巯基烷基组成的组，
-由任选氟化的具有2至40个、优选2至20个C原子的直链或支链烷基羰基或烷基羰氧基组成的组。
在式P1-P49中，优选地，R17及R18当与H不同时，选自以下基团：
-由任选氟化的具有1至40个、优选1至20个C原子的直链或支链烷基、烷氧基或巯基烷基组成的组，
-由任选氟化的具有2至40个、优选2至20个C原子的直链或支链烷基羰基或烷基羰氧基组成的组。
-由F及Cl组成的组。
进一步优选共轭聚合物选自式PT
R31-链-R32 PT
其中“链”表示选自式Pi，Pii或P1-P49的聚合物链，和R31和R32彼此独立地具有如上所限定的R11的含义之一，或彼此独立地表示，H，F，Br，Cl，I，-CH2Cl，-CHO，-CR'＝CR"2，-SiR'R"R"'，-SiR'X'X"，-SiR'R"X'，-SnR'R"R"'，-BR'R"，-B(OR')(OR")，-B(OH)2，-O-SO2-R'，-C≡CH，-C≡C-SiR'3，-ZnX'或封端基团，X'和X"表示卤素，R'，R"和R'"彼此独立地具有在式I中给出的R0的含义之一，和优选表示具有1至16个C原子的烷基，和R'，R"和R'"中的两个也可连同它们所连接的各个杂原子形成具有2至20个C原子的环甲硅烷基、环甲锡烷基、环硼烷或环硼酸酯基。
优选的封端基团R31和R32为H，C1-20烷基，或任选取代的C6-12芳基或C2-10杂芳基，非常优选H，苯基或噻吩。
式I的化合物和式P和PT的共轭聚合物可根据或类似于本领域技术人员已知且描述于文献中的方法合成。其他制备方法可从实施例获取。
例如，本发明的化合物可适合地通过芳基-芳基偶合反应来制备，诸如Yamamoto偶合、Suzuki偶合、Stille偶合、Sonogashira偶合、Heck偶合或Buchwald偶合。可根据本领域技术人员已知的方法制备离析物。
上下文所述的合成方法中的所用的优选的芳基-芳基偶合方法为Yamamoto偶合、Kumada偶合、Negishi偶合、Suzuki偶合、Stille偶合、Sonogashira偶合、Heck偶合、C-H活化偶合、Ullmann偶合或Buchwald偶合。尤其优选为Suzuki偶合、Negishi偶合、Stille偶合和Yamamoto偶合。Suzuki偶合描述于例如WO00/53656A1中。Negishi偶合描述于例如J.Chem.Soc.，Chem.Commun.，1977，683-684中。Yamamoto偶合描述于例如T.Yamamoto等人,Prog.Polym.Sci.,1993,17,1153-1205或WO2004/022626A1中。Stille偶合描述于例如Z.Bao等人，J.Am.Chem.Soc.，1995，117，12426–12435中和C-H活化偶合描述于例如M.Leclerc等人，Angew.Chem.Int.Ed.，2012，51，2068–2071中。例如，当使用Yamamoto偶合时，优选使用具有两个反应性卤基(halide group)的离析物。当使用Suzuki偶合时，优选使用具有两个反应性硼酸(boronic acid)或硼酸酯基或两个反应性卤基的离析物。当使用Stille偶合时，优选使用具有两个反应性锡烷基或两个反应性卤基的离析物。当使用Negishi偶合时，优选使用具有两个反应性有机锌基团或两个反应性卤基的离析物。
优选的催化剂(尤其是用于Suzuki、Negishi或Stille偶合的催化剂)选自Pd(0)络合物或Pd(II)盐。优选的Pd(0)络合物为带有至少一个诸如Pd(Ph3P)4的膦配体的那些。另一优选的膦配体为三(邻甲苯基)膦，即Pd(o-Tol3P)4。优选的Pd(II)盐包括乙酸钯，即Pd(OAc)2。或者，Pd(0)络合物可通过使Pd(0)二亚苄基丙酮络合物(例如三(二亚苄基丙酮)二钯(0)、双(二亚苄基丙酮)钯(0))或Pd(II)盐(例如乙酸钯)与膦配体(例如三苯基膦、三(邻甲苯基)膦或三(叔丁基)膦)混合来制备。Suzuki偶合在例如碳酸钠、碳酸钾、碳酸铯、氢氧化锂、磷酸钾或有机碱(诸如碳酸四乙基铵或氢氧化四乙基铵)的碱的存在下进行。Yamamoto偶合利用Ni(0)络合物，例如双(1,5-环辛二烯基)镍(0)。
可以使用式-O-SO2Z0的离去基团作为如上所述的卤素的替代物，其中Z0为烷基或芳基，优选C1-10烷基或C6-12芳基。这样的离去基团的具体实例是甲苯磺酸酯基、甲磺酸酯基和三氟甲磺酸酯基。
式I及其子式的化合物可通过本领域技术人员已知且文献中所描述的方法合成，例如通过如下文或类似于其的合成方案中所说明的方法合成。尤其适合及优选的合成方法示例性地展示于方案1中，其中R1-4及Ar1-3如式I中所定义且Ar1-3指代Ar1-3的对应非醌型形式。
方案1
Figure BDA0002252772620000621
制备如上下文所述的式I化合物的新方法为本发明的另一方面。
式I化合物也可用于组合物中，例如连同具有电荷传输、半导体、电导、光导和/或发光半导体性质的单体或聚合化合物，或例如与用作PSC或OLED中的夹层或电荷阻挡层的具有空穴阻挡或电子阻挡性质的聚合物一起。
因此，本发明的另一方面涉及包含一种或多种式I的化合物和一种或多种具有电荷传输、半导体、电导、光导、空穴阻挡和电子阻挡性质中的一种或多种的小分子化合物和/或聚合物的组合物。
这些组合物共混物可通过现有技术中描述且本领域技术人员已知的常规方法制备。通常将该化合物和/或聚合物彼此混合，或溶解于适合的溶剂和合并的溶液中。
本发明的另一方面涉及包含一种或多种式I的化合物或如上文及下文所述的组合物和一种或多种有机溶剂的制剂。
优选的溶剂为脂族烃、氯化烃、芳族烃、酮、醚及其混合物。可使用的额外溶剂包括1,2,4-三甲基苯、1,2,3,4-四甲基苯、戊基苯、均三甲苯、枯烯、伞花烃、环己基苯、二乙基苯、四氢萘、十氢萘、2,6-二甲基吡啶、2-氟-间二甲苯、3-氟-邻二甲苯、2-氯三氟甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、2-氯-6-氟甲苯、2-氟苯甲醚、苯甲醚、2,3-二甲基吡嗪、4-氟苯甲醚、3-氟苯甲醚、3-三氟-甲基苯甲醚、2-甲基苯甲醚、苯乙醚、4-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-氟-3-甲基苯甲醚、2-氟苯甲腈、4-氟邻二甲氧基苯(4-fluoroveratrol)、2,6-二甲基苯甲醚、3-氟苯甲腈、2,5-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、苯甲腈、3,5-二甲基-苯甲醚、N,N-二甲基苯胺、苯甲酸乙酯、1-氟-3,5-二甲氧基-苯、1-甲基萘、N-甲基吡咯烷酮、3-氟三氟甲苯、三氟甲苯、二噁烷、三氟甲氧基-苯、4-氟三氟甲苯、3-氟吡啶、甲苯、2-氟-甲苯、2-氟三氟甲苯、3-氟甲苯、4-异丙基联苯、苯醚、吡啶、4-氟甲苯、2,5-二氟甲苯、1-氯-2,4-二氟苯、2-氟吡啶、3-氯氟-苯、1-氯-2,5-二氟苯、4-氯氟苯、氯苯、邻二氯苯、2-氯氟苯、对二甲苯、间二甲苯、邻二甲苯或邻、间和对异构体的混合物。具有相对低极性的溶剂通常是优选的。就喷墨印刷而言，具有高沸点温度的溶剂和溶剂混合物是优选的。就旋涂而言，如二甲苯和甲苯的烷基化苯是优选的。
尤其优选的溶剂的实例包括但不限于二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、1-甲基萘、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,4-二噁烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亚砜、1,5-二甲基四氢萘、苯丙酮、苯乙酮、四氢萘、2-甲基噻吩、3-甲基噻吩、十氢萘、茚满、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、均三甲苯和/或其混合物。
溶液中化合物或聚合物的浓度优选为0.1重量％至10重量％，更优选0.5重量％至5重量％。任选地，如例如WO2005/055248A1中所描述，溶液还包含一种或多种粘合剂以调节流变性质。
在适当混合和陈化(ageing)之后，将溶液评估为以下种类中的一种：完全溶液、边界溶液或不可溶的。绘制轮廓线以概述溶解度参数-划分可溶性和不溶性的氢键限制。落入可溶区域内的“完全”溶剂可选自诸如公开于“Crowley、J.D.、Teague、G.S.Jr和Lowe、J.W.Jr.，Journal of Paint Technology，1966，38(496)，296”中的文献值。也可使用溶剂共混物且可如“Solvents，W.H.Ellis，Federation of Societies for CoatingsTechnology，第9-10页，1986”中所描述加以识别。这样的程序可产生将溶解两种本发明的聚合物的“非”溶剂的共混物，但共混物中具有至少一种真溶剂是期望的。
式I的化合物也可用于如上文及下文所述的器件中的图案化OSC层中。就现代微电子学中的应用而言，通常需要产生小结构或图案以降低成本(每单位面积更多器件)和功率消耗。包含根据本发明的化合物的薄层的图案化可例如通过光刻法、电子束曝光或激光图案化进行。
就用作电子或电光学器件中的薄层而言，本发明的化合物、组合物或制剂可通过任何适合的方法沉积。器件的液体涂布比真空沉积技术更令人期望。溶液沉积法是尤其优选的。本发明的制剂能够使用许多液体涂布技术。优选的沉积技术包括但不限于浸涂、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、凸版印刷、丝网印刷、凹版印刷、刮刀涂布、滚筒印刷、反向滚筒印刷、平版胶印、干式平版胶印、柔性版印刷、卷筒纸印刷、喷涂、幕涂、刷涂、狭缝型口模涂布或移印。
当需要制备高分辨率层和器件时，喷墨印刷是尤其优选的。可通过喷墨印刷或微分配将所选的本发明制剂涂覆于预先制造的器件基板上。优选可使用工业压电打印头，诸如但不限于由Aprion、Hitachi-Koki、InkJet Technology、On Target Technology、Picojet、Spectra、Trident、Xaar所供应的那些，将有机半导体层涂覆至基板。另外可使用半工业用头，诸如由Brother、Epson、Konica、Seiko Instruments Toshiba TEC制造的那些；或单喷嘴微分配器，诸如由Microdrop和Microfab制造的那些。
为了通过喷墨印刷或微分配涂覆，首先应使化合物或聚合物溶解于适合的溶剂中。溶剂必须满足上述要求且必须对所选打印头无任何有害影响。另外，溶剂的沸点应>l00℃，优选>140℃，且更优选>150℃以防止由打印头内变干的溶液所导致的可操作性问题。除上述溶剂之外，适合的溶剂还包括被取代和未被取代的二甲苯衍生物、二-C1-2-烷基甲酰胺、被取代和未被取代的苯甲醚及其他酚-醚衍生物、被取代的杂环(诸如被取代的吡啶、吡嗪、嘧啶、吡咯烷酮)、被取代和未被取代的N,N-二-C1-2-烷基苯胺及其他氟化或氯化芳族化合物。
用于通过喷墨印刷沉积式I的化合物的优选溶剂包括具有被一个或多个取代基取代的苯环的苯衍生物，其中一个或多个取代基中的碳原子总数为至少3。例如，苯衍生物可被丙基或3个甲基取代，在任一情况下均总计存在至少3个碳原子。这样的溶剂使得能够形成包含溶剂与化合物或聚合物的喷墨流体，其减少或防止在喷射期间喷口堵塞和组分分离。溶剂可包括选自下列实例的那些：十二烷基苯、1-甲基-4-叔丁基苯、萜品醇、柠檬烯、异杜烯、萜品油烯、伞花烃、二乙基苯。溶剂可为溶剂混合物，即两种或更多种溶剂的组合，各溶剂的沸点优选>l00℃，更优选>140℃。这样的溶剂也增强所沉积的层中的膜形成且减少层中的缺陷。
喷墨流体(即溶剂、粘合剂和半导体化合物的混合物)的粘度在20℃优选为1-100mPa.s，更优选1-50mPa.s且最优选1-30mPa.s。
根据本发明的组合物和制剂可另外包含一种或多种选自例如以下的其他组分或添加剂：表面活性化合物、润滑剂、润湿剂、分散剂、疏水剂、粘合剂、流动改进剂、消泡剂、除气剂、稀释剂(其可为反应性或非反应性的)、助剂、着色剂、染料或颜料、敏化剂、稳定剂、纳米颗粒或抑制剂。
根据本发明的化合物适用作光学、电光学、电子、电致发光或光致发光部件或器件中的电荷传输、半导电、导电、光导或发光材料。在这些器件中，通常将本发明的化合物涂覆为薄层或膜。
因此，本发明还提供了半导体化合物、或组合物或层在电子器件中的用途。化合物或组合物可在各种器件和设备中用作高迁移率半导体材料。化合物或组合物可例如以半导体层或膜的形式使用。因此，在另一方面中，本发明提供了一种用于电子器件中的半导体层，该层包含根据本发明的化合物或组合物。层或膜可小于约30微米。就各种电子器件应用而言，厚度可小于约1微米厚。该层可通过任何前述溶液涂布或印刷技术沉积于例如电子器件的一部分上。
本发明另外提供了一种包含根据本发明的化合物或组合物或有机半导体层的电子器件。尤其优选的器件为OFET、TFT、IC、逻辑电路、电容器、RFID标签、OLED、OLET、OPED、OPV、PSC、OPD、太阳能电池、激光二极管、光电导体、光电探测器、电子照相器件、电子照相记录器件、有机存储器件、传感器器件、电荷注入层、肖特基二极管、平坦化层、抗静电膜、导电基板和导电图案。
尤其优选的电子器件为OFET、OLED、OPV、PSC和OPD器件，特别是PSC、OPD、体异质结(BHJ)OPV器件。例如，在OFET中，漏极与源极之间的活性半导体沟道可包含本发明的化合物或组合物。作为另一实例，在OLED器件中，电荷(空穴或电子)注入或传输层可包含本发明的化合物或组合物。
为了在OPV或OPD器件的光活性层中使用，根据本发明的化合物优选在组合物中使用，该组合物包含或含有，更优选由以下组成：一种或多种p型(电子供体)半导体和一种或多种n型(电子受体)半导体。
n型半导体例如是由式I的化合物构成。
p型半导体优选为如上所限定的共轭聚合物。
组合物还可包含作为n型半导体的式I的化合物，p型半导体(如共轭聚合物)，和
第二n型半导体，其优选富勒烯或取代的富勒烯。
富勒烯例如是茚-C60-富勒烯双加合物如ICBA，或(6,6)-苯基-丁酸甲酯衍生的桥亚甲基C60富勒烯，也称为“PCBM-C60”或“C60PCBM”，如公开在例如G.Yu，J.Gao，J.C.Hummelen，F.Wudl，A.J.Heeger，Science 1995，第270卷，p.1789ff中和具有在下文中显示的结构或与以下结构类似的化合物，例如C61富勒烯基团、C70富勒烯基团、或C71富勒烯基团，或有机聚合物(参见例如Coakley，K.M.和McGehee，M.D.Chem.Mater.2004,16,4533)。
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优选地，富勒烯为PCBM-C60，PCBM-C70，双-PCBM-C60，双-PCBM-C70，ICMA-c60(1′,4′-二氢-萘并[2′,3′:1,2][5,6]富勒烯-C60)，ICBA，oQDM-C60(1',4'-二氢-萘并[2',3':1,9][5,6]富勒烯-C60-Ih)，或双-oQDM-C60。
OPV或OPD器件优选进一步包含在光活性层的一侧上的透明或半透明基板上的第一透明或半透明电极和在光活性层的另一侧上的第二金属或半透明电极。
OPV或OPD器件进一步优选地包含在光活性层与第一或第二电极之间的一个或多个额外的缓冲层充当空穴传输层和/或电子阻挡层，其包含诸如以下的材料：金属氧化物，如例如，ZTO、MoOx、NiOx；共轭聚合物电解质，如例如PEDOT：PSS；共轭聚合物，如例如聚三芳基胺(PTAA)；绝缘聚合物，如例如nafion，聚乙烯亚胺或聚苯乙烯磺酸盐；有机化合物，如例如N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)(1,1’-联苯)-4,4’二胺(NPB)、N,N’-二苯基-N,N’-(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)；或备选地充当空穴阻挡层和/或电子传输层，其包含诸如以下材料：金属氧化物，如例如ZnOx、TiOx；盐，如例如LiF、NaF、CsF；共轭聚合物电解质，如例如聚[3-(6-三甲基铵己基)噻吩]、聚(9,9-双(2-乙基己基)-芴]-b-聚[3-(6-三甲基铵己基)噻吩]或聚[(9,9-双(3’-(N,N-二甲基氨基)丙基)-2,7-芴)-交替-2,7-(9,9-二辛基芴)]或有机化合物，如例如三(8-羟基喹啉(quinolinolato))-铝(III)(Alq3)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉。
在根据本发明的包含式I的化合物和共轭聚合物的组合物中，聚合物：式I化合物的比优选5:1至1:5(以重量计)，更优选1:1至1:3(以重量计)，最优选1:1至1:2(以重量计)。
根据本发明的组合物还可以包含聚合物粘合剂，优选为5至95重量％。粘合剂的实例包括聚苯乙烯(PS)，聚二甲基硅烷(PDMS)，聚丙烯(PP)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
如前所述用于制剂的粘合剂(其优选为聚合物)可以包含绝缘粘合剂或半导体粘合剂或其混合物，可在本文中可称为有机粘合剂，聚合物粘合剂或简单地称为粘合剂。
优选地，聚合物粘合剂的重均分子量为1000至5,000,000g/mol，特别是1500至1,000,000g/mol，和更优选为2000至500,000g/mol。可以通过重均分子量为至少10000g/mol，更优选至少100000g/mol的聚合物来实现令人惊奇的效果。
特别地，聚合物可以具有在1.0至10.0的范围内的多分散指数Mw/Mn，更优选在1.1至5.0的范围内，和最优选在1.2至3的范围内。
优选惰性粘合剂为玻璃化转变温度为-70至160℃，优选为0至150℃，更优选为50至140℃，和最优选为70至130℃的聚合物。玻璃化转变温度可以通过测量聚合物的DSC(DINEN ISO 11357，加热速率每分钟10℃)来测定。
聚合物粘合剂与OSC化合物(类似于式I的)的重量比优选在30:1至1:30的范围内，特别是在5:1至1:20的范围内，和更优选在1:2至1:10的范围内。
根据优选的实施方案，粘合剂优选包含衍生自苯乙烯单体和/或烯烃单体的重复单元。优选的聚合物粘合剂可以包含至少80重量％，优选90重量％，和更优选99重量％的衍生自苯乙烯单体和/或烯烃的重复单元。
苯乙烯单体是本领域公知的。这些单体包括苯乙烯，侧链中具有烷基取代基的取代的苯乙烯，例如α-甲基苯乙烯和α-乙基苯乙烯，环上具有烷基取代基的取代的苯乙烯诸如乙烯基甲苯和对甲基苯乙烯，卤代苯乙烯如单氯苯乙烯，二氯苯乙烯，三溴苯乙烯和四溴苯乙烯。
烯烃单体由氢和碳原子组成。这些单体包括乙烯，丙烯，丁烯，异戊二烯和1,3-丁二烯。
根据本发明的优选实施方案，聚合物粘合剂是重均分子量在50,000至2,000,000g/mol，优选100,000至750,000g/mol，更优选在150,000至600,000g/mol范围内，和最优选在200,000至500,000g/mol的范围内的聚苯乙烯。
合适的粘合剂的其它实例公开在例如US 2007/0102696 A1中。特别合适和优选的粘合剂描述如下。
粘合剂应优选能够形成膜，更优选柔性膜。
作为粘合剂的合适的聚合物包括聚(1,3-丁二烯)，聚亚苯基，聚苯乙烯，聚(α-甲基苯乙烯)，聚(α-乙烯基萘)，聚(乙烯基甲苯)，聚乙烯，顺式聚丁二烯，聚丙烯，聚异戊二烯，聚(4-甲基-1-戊烯)，聚(4-甲基苯乙烯)，聚(氯三氟乙烯)，聚(2-甲基-1,3-丁二烯)，聚(对二甲苯)，聚(α-α-α'-α'四氟对二甲苯)，聚[1,1-(2-甲基丙烷)双(4-苯基)碳酸酯]，聚(甲基丙烯酸环己基酯)，聚(氯苯乙烯)，聚(2,6-二甲基-1,4-亚苯基醚)，聚异丁烯，聚(乙烯基环己烷)，聚(乙烯基肉桂酸酯)，聚(4-乙烯基联苯)，1,4-聚异戊二烯，聚降冰片烯，聚(苯乙烯-嵌段-丁二烯)；31wt％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段-丁二烯-嵌段-苯乙烯)；30wt％苯乙烯，聚(苯乙烯-共聚-马来酸酐)(和乙烯/丁烯)，1-1.7％马来酸酐，聚(苯乙烯-嵌段-乙烯/丁烯-嵌段-苯乙烯)三嵌段聚合物13％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段-乙烯-丙烯-嵌段-苯乙烯)三嵌段聚合物37wt％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段-乙烯/丁烯-嵌段-苯乙烯)三嵌段聚合物29wt％苯乙烯，聚(1-乙烯基萘)，聚(1-乙烯基吡咯烷酮-共聚-苯乙烯)64％苯乙烯，聚(1-乙烯基吡咯烷酮-共聚-乙酸乙烯酯)1.3:1，聚(2-氯苯乙烯)，聚(2-乙烯基萘)，聚(2-乙烯基吡啶-共聚-苯乙烯)1：1，聚(4,5-二氟-2,2-双(CF3)-1,3-二氧杂环戊烯-共聚-四氟乙烯)聚四氟乙烯，聚(4-氯苯乙烯)，聚(4-甲基-1-戊烯)，聚(4-甲基苯乙烯)，聚(4-乙烯基吡啶-共聚-苯乙烯)1:1，聚(α-甲基苯乙烯)，聚(丁二烯-接枝-聚(丙烯酸甲酯-共聚-丙烯腈))1:1:1，聚(甲基丙烯酸丁酯-共聚-甲基丙烯酸异丁酯)1:1，聚(甲基丙烯酸丁酯-共聚-甲基丙烯酸甲酯)1:1，聚(甲基丙烯酸环己基酯)，聚(乙烯-共聚-1-丁烯-共聚-1-己烯)1:1:1，聚(乙烯-共聚-丙烯酸乙酯-共聚-马来酸酐)；2％酸酐，32％丙烯酸乙基酯，聚(乙烯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)8％甲基丙烯酸缩水甘油酯，聚(乙烯-共聚-丙烯酸甲基酯-共聚-甲基丙烯酸缩水甘油酯)8％甲基丙烯酸缩水甘油酯25％丙烯酸甲酯，聚(乙烯-共聚-辛烯)1：1，聚(乙烯-共聚-丙烯-共聚-5-亚甲基-2-降冰片烯)50％乙烯，聚(乙烯-共聚-四氟乙烯)1:1，聚(甲基丙烯酸异丁酯)，聚(异丁烯)，聚(甲基丙烯酸甲酯)-共聚-(荧光素O-甲基丙烯酸酯)80％甲基丙烯酸甲酯，聚(甲基丙烯酸甲酯-共聚-甲基丙烯酸丁酯)85％甲基丙烯酸甲酯，聚(甲基丙烯酸甲酯-共聚-丙烯酸乙酯)5％丙烯酸乙酯，聚(丙烯-共聚-丁烯)12％1-丁烯，聚(苯乙烯-共聚-烯丙基醇)40％烯丙基醇，聚(苯乙烯-共聚-马来酸酐)7％马来酸酸酐，聚(苯乙烯-共聚-马来酸酐)枯烯封端的(1.3:1)，聚(苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸甲酯)40％苯乙烯，聚(乙烯基甲苯-共聚-α-甲基苯乙烯)1：1，聚-2-乙烯基吡啶，聚-4-乙烯基吡啶，聚-α-蒎烯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚甲基丙烯酸苄酯，聚甲基丙烯酸乙酯，聚乙烯，聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚乙烯-共聚-丙烯酸乙酯18％丙烯酸乙酯，聚乙烯-共聚-乙酸乙烯酯12％乙酸乙烯酯，聚乙烯-接枝-马来酸酐0.5％马来酸酐，聚丙烯，聚丙烯-接枝-马来酸酐8-10％马来酸酐，聚苯乙烯聚(苯乙烯-嵌段-乙烯/丁烯-嵌段-苯乙烯)接枝马来酸酐2％马来酸酐1：1：1其他，聚(苯乙烯-嵌段-丁二烯)支链的1：1，聚(苯乙烯-嵌段-丁二烯-嵌段-苯乙烯)，30％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段-异戊二烯)10重量％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段-异戊二烯-嵌段-苯乙烯)17重量％苯乙烯，聚(苯乙烯-共聚-4-氯甲基苯乙烯-共聚-4-甲氧基甲基苯乙烯2:1:1，聚苯乙烯-共聚-丙烯腈25％丙烯腈，聚苯乙烯-共聚-α-甲基苯乙烯1：1，聚苯乙烯-共聚-丁二烯4％丁二烯，聚苯乙烯-共聚-丁二烯45％苯乙烯，聚苯乙烯-共聚-氯甲基苯乙烯1：1，聚氯乙烯，聚乙烯肉桂酸酯，聚乙烯基环己烷，聚偏二氟乙烯，聚偏二氟乙烯-共聚-六氟丙烯(采取1：1)，聚(苯乙烯-嵌段-乙烯/丙烯-嵌段-苯乙烯)30％苯乙烯,聚(苯乙烯-嵌段-乙烯/丙烯-嵌段-苯乙烯)18％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段-乙烯/丙烯-嵌段-苯乙烯)13％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段乙烯嵌段-乙烯/丙烯-嵌段苯乙烯)32％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段乙烯嵌段-乙烯/丙烯-嵌段苯乙烯)30％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段-乙烯/丁烯-嵌段-苯乙烯)31％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段-乙烯/丁烯-嵌段-苯乙烯)34％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段-乙烯/丁烯-嵌段-苯乙烯)30％苯乙烯，聚(苯乙烯-嵌段-乙烯/丁烯-嵌段-苯乙烯)60％，苯乙烯，支链或非支链聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯，聚苯乙烯-嵌段(聚乙烯-无规-丁烯)-嵌段-聚苯乙烯，聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯-嵌段-聚苯乙烯，聚苯乙烯-(乙烯-丙烯)-二嵌段-共聚物(例如，
Figure BDA0002252772620000711
-G1701E，Shell)，聚(丙烯-共聚-乙烯)和聚(苯乙烯-共聚-甲基丙烯酸甲酯)。
用于如前所述制剂的优选绝缘粘合剂是聚苯乙烯，聚(α-甲基苯乙烯)，聚乙烯基肉桂酸酯，聚(4-乙烯基联苯)，聚(4-甲基苯乙烯)和聚甲基丙烯酸甲酯。最优选的绝缘粘合剂是聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯。
粘合剂也可以选自可交联粘合剂，如例如，丙烯酸酯，环氧化物，乙烯基醚，硫醇烯等。粘合剂也可以是介晶或液晶。
有机粘合剂本身可以是半导体，在这种情况下，本文中将称为半导体粘合剂。半导体粘合剂仍然优选为如本文所定限定的低介电常数的粘合剂。用于本发明的半导体粘合剂优选具有至少1500-2000，更优选至少3000，甚至更优选至少4000，和最优选至少5000的数均分子量(Mn)。半导体粘合剂优选具有至少为10-5cm2V-1s-1，更优选为至少10-4cm2V-1s-1的载流子迁移率。
优选的半导体粘合剂包含含有芳基胺(优选三芳基胺)的均聚物或共聚物(包括嵌段共聚物)。
为在BHJ OPV器件中产生薄层，可通过任何适合的方法沉积本发明的化合物、组合物和制剂。器件的液体涂布比真空沉积技术更令人期望。溶液沉积法是尤其优选的。本发明的制剂能够使用许多液体涂布技术。优选的沉积技术包括但不限于浸涂、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、凸版印刷、丝网印刷、凹版印刷、刮刀涂布、滚筒印刷、反向滚筒印刷、平版印刷、干式平版印刷、柔性版印刷、卷筒纸印刷、喷涂、幕涂、刷涂、狭缝型口模涂布或移印。就OPV器件和模块(module)的制造而言，与柔性基板兼容的区域印刷方法是优选的，例如狭缝型口模涂布、喷涂等。
必须制备含有式I的化合物和聚合物的混合物的适合溶液或制剂。在制备制剂中，必须选择适合的溶剂以确保两种组分(p型和n型)充分溶解且考虑由所选印刷方法引入的边界条件(例如流变性质)。
为此目的通常使用有机溶剂。典型的溶剂可为芳族溶剂、卤化溶剂或氯化溶剂，其包括氯化芳族溶剂。实例包括但不限于氯苯、1,2-二氯苯、氯仿、1,2-二氯乙烷、二氯甲烷、四氯化碳、甲苯、环己酮、乙酸乙酯、四氢呋喃、苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、1-甲基萘、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,4-二噁烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亚砜、1,5-二甲基四氢萘、苯丙酮、苯乙酮、四氢萘、2-甲基噻吩、3-甲基噻吩、十氢萘、茚满、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、均三甲苯及其组合。
OPV器件可例如是从文献已知的任何类型(例如参见Waldauf等人,Appl.Phys.Lett.，2006，89，233517)。
根据本发明的第一优选OPV器件包含以下层(从下到上的顺序)：
-任选的基板，
-高功函数电极，优选包含金属氧化物如ITO，作为阳极，
-任选的导电聚合物层或者空穴传输层，优选包含有机聚合物或者聚合物共混物，例如PEDOT：PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸盐))，或TBD(N,N’-二苯基-N-N’-双(3-甲基苯基)-1,1’联苯基-4,4’-二胺)或NBD(N,N’-二苯基-N-N’-双(1-萘基苯基)-1,1’联苯基-4,4’-二胺)，
-层，也称为“光活性层”，包含p型和n型有机半导体，其可例如作为p型/n型双层或作为不同的p型和n型层，或者作为p型和n型半导体的共混物而存在，形成BHJ，
-任选的具有电子传输性质的层，例如包含LiF或PFN，
-低功函数电极，优选包含金属如例如铝，作为阴极
其中电极的至少一个，优选阳极，是对可见光透明的，并且
其中n型半导体是式I的化合物。
根据本发明的第二优选的OPV器件是倒置式OPV器件，并且包含下列层(从下到上的顺序)：
-任选的基板，
-高功函数金属或金属氧化物电极，包含例如ITO，作为阴极，
-具有空穴阻挡性质的层，优选包含金属氧化物如TiOx、或Znx，或聚(乙烯亚胺)，
-包含p型和n型有机半导体的光活性层，其位于电极之间，其可例如作为p型/n型双层或作为不同的p型和n型层，或者作为p型和n型半导体的共混物而存在，形成BHJ，
-任选的导电聚合物层或者空穴传输层，优选包含有机聚合物或者聚合物共混物，例如PEDOT:PSS，nafion，或取代的三芳基胺衍生物，如例如TBD或NBD，
-包含高功函数金属例如银的电极，作为阳极，
其中电极的至少一个，优选阴极，是对可见光透明的，并且
其中n型半导体是式I的化合物。
在本发明的OPV器件中，p型和n型半导体材料优选选自例如如上文所述的化合物/聚合物/富勒烯体系的材料。
当光活性层沉积在基板上时，它形成了以纳米尺度水平相分离的BHJ。关于纳米尺度相分离的讨论，参见Dennler等人，Proceedings of the IEEE，2005，93(8)，1429或Hoppe等人，Adv.Func.Mater，2004，14(10)，1005。随后任选的退火步骤可以是必须的以优化共混物形态和最终OPV器件的性能。
另一种优化器件性能的方法是制备用于制造OPV(BHJ)器件的制剂，其可以包括高沸点添加剂以以正确的方式促进相分离。已经使用了1,8-辛二硫醇、1,8-二碘辛烷、硝基苯、氯萘和其它添加剂以获得高效率的太阳能电池。实例公开于J.Peet等人，Nat.Mater.，2007，6，497或Fréchet等人，J.Am.Chem.Soc.，2010，132，7595-7597中。
本发明的另一优选实施方案涉及根据本发明的化合物或组合物作为DSSC或PSC中的染料、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和/或电子阻挡层的用途，和涉及包含根据本发明的化合物或组合物的DSSC或PSC。
DSSC和PSC可如文献，例如Chem.Rev.2010，110，6595-6663，Angew.Chem.Int.Ed.2014，53，2-15或WO2013171520A1中所述制造。
根据本发明的优选OE器件是太阳能电池，优选PSC，其包含如下所述至少部分为无机的光吸收剂。
在包含根据本发明的光吸收剂的太阳能电池中，对于至少部分为无机的光吸收材料的选择本身没有限制。
术语“至少部分无机”是指光吸收剂材料可以选自金属无机络合物或基本上无机的材料，并且优选具有晶体结构，其中晶体结构中的单个位置可以由有机离子分配。
优选地，根据本发明的太阳能电池中包含的光吸收剂具有≤2.8e V且≥0.8eV的光学带隙。
非常优选地，根据本发明的太阳能电池中的光吸收剂具有≤2.2eV且≥1.0eV的光学带隙。
根据本发明的太阳能电池中使用的光吸收剂优选不含有富勒烯。富勒烯的化学属于有机化学领域。因此，富勒烯不满足根据本发明为“至少部分无机”的定义。
优选地，至少部分无机的光吸收剂是具有钙钛矿结构的材料或具有2D晶体钙钛矿结构的材料。
上下文使用的术语“钙钛矿”通常表示具有钙钛矿晶体结构或2D晶体钙钛矿结构的材料。
术语钙钛矿太阳能电池(PSC)是指包含光吸收剂的太阳能电池，该光吸收剂是具有钙钛矿结构的材料或具有2D晶体钙钛矿结构的材料。
光吸收剂(其是至少部分无机的)不受限地由以下材料组成，具有钙钛矿结构的材料或具有2D晶体钙钛矿结构的材料(例如CrystEngComm，2010,12，2646-2662)，Sb2S3(辉锑矿)，Sb2(SxSe(x-1))3，PbSxSe(x-1)，CdSxSe(x-1)，ZnTe，CdTe，ZnSxSe(x-1)，InP，FeS，FeS2，Fe2S3，Fe2SiS4，Fe2GeS4，Cu2S，CuInGa，CuIn(SexS(1-x))2，Cu3SbxBi(x-1)，(SySe(y-1))3，Cu2SnS3，SnSxSe(x-1)，Ag2S，AgBiS2，BiSI，BiSeI，Bi2(SxSe(x-1))3，BiS(1-x)SexI，WSe2，AlSb，金属卤化物(例如BiI3，Cs2SnI6)，黄铜矿(例如CuInxGa(1-x)(SySe(1-y))2)，硫铜锡锌矿(例如Cu2ZnSnS4，Cu2ZnSn(SexS(1-x))4，Cu2Zn(Sn1-xGex)S4)和金属氧化物(例如CuO，Cu2O)或其混合物。
优选地，光吸收剂(其是至少部分无机的)为钙钛矿。
在上述光吸收剂的定义中，x和y各自独立地如下所限定：(0≤x≤1)和(0≤y≤1)。
非常优选地，光吸收剂是特殊的钙钛矿，即如上下文详细描述的金属卤化物钙钛矿。最优选地，光吸收剂是包含在钙钛矿太阳能电池(PSC)中的有机-无机杂化金属卤化物钙钛矿。
在本发明的一个特别优选的实施方案中，钙钛矿表示具有式ABX3的金属卤化物钙钛矿，
其中
A是单价有机阳离子，金属阳离子或两种或更多种这些阳离子的混合物
B是二价阳离子，和
X是F，Cl，Br，I，BF4或它们的组合。
优选地，钙钛矿的一价有机阳离子选自烷基铵(其中烷基是具有1至6个C原子的直链或支链的)，甲脒鎓或胍鎓，或其中金属阳离子选自K+、Cs+或Rb+。
合适和优选的二价阳离子B为Ge2+，Sn2+或Pb2+。
合适和优选的钙钛矿材料为CsSnI3，CH3NH3Pb(I1-xClx)3，CH3NH3PbI3，CH3NH3Pb(I1- xBrx)3，CH3NH3Pb(I1-x(BF4)x)3，CH3NH3Sn(I1-xClx)3，CH3NH3SnI3或CH3NH3Sn(I1-xBrx)3其中x各自独立地如下所限定：(0<x≤1)。
进一步合适和优选的钙钛矿可包含两种对应于式Xa(3-x)Xb(x)的卤化物，其中Xa和Xb各自独立地选自Cl，Br，或I，和x大于0且小于3。
合适和优选的钙钛矿也公开在WO2013/171517，权利要求52至71和权利要求72至79中，其全部内容通过引用并入本文。这些材料被限定为包含两种或更多种选自卤化物阴离子和硫属化物阴离子的不同阴离子的混合阴离子钙钛矿。优选的钙钛矿公开在第18页，第5至17行。如所述的，钙钛矿通常选自CH3NH3PbBrI2，CH3NH3PbBrCl2，CH3NH3PbIBr2，CH3NH3PbICl2，CH3NH3SnF2Br，CH3NH3SnF2I和(H2N＝CH-NH2)PbI3zBr3(1-z)，其中z大于0且小于1。
本发明还涉及一种太阳能电池，其包含如上文和下文所述的光吸收剂，优选PSC，其中式I化合物用作一个电极和光吸收剂层之间的层。
本发明还涉及包含上文和下文所述的光吸收剂(优选PSC)的太阳能电池，其中式I化合物包含在电子选择层中。
电子选择层被定义为提供有利于电子-电荷传输的高电子传导性和低空穴传导性的层。
本发明还涉及包含上文和下文所述的光吸收剂(优选PSC)的太阳能电池，其中式I化合物用作电子传输材料(ETM)或用作空穴阻挡材料作为电子选择层的一部分。
优选地，式I化合物用作电子传输材料(ETM)。
在替代性的优选实施方案中，式I化合物用作空穴阻挡材料。
根据本发明的PSC器件的器件结构可以是从文献中已知的任何类型。
根据本发明的PSC器件的第一优选器件结构包括以下层(从下到上的顺序)：
-任选的基材，其以任何组合可以是柔性的或刚性的和透明的，半透明的或不透明的和导电的或不导电的；
-高功函数电极，优选包含掺杂的金属氧化物，例如氟掺杂氧化锡(FTO)，锡掺杂氧化铟(ITO)或铝掺杂氧化锌；
-电子选择层，其包含一种或多种电子传输材料，其中至少一种是式I化合物，并且在一些情况下也可以是致密层和/或由纳米颗粒构成，并且其优选包含金属氧化物诸如TiO2、ZnO2、SnO2、Y2O5、Ga2O3、SrTiO3、BaTiO3或其组合；
-任选的多孔支架(scaffold)，其可以是导电，半导电或绝缘的，并且其优选包括金属氧化物,诸如TiO2、ZnO2、SnO2、Y2O5、Ga2O3、SrTiO3、BaTiO3、Al2O3、ZrO2、SiO2或其组合，和其优选由纳米颗粒，纳米棒，纳米片，纳米管或纳米柱组成；
-包含至少部分无机的光吸收剂的层，特别优选如上所述的金属卤化物钙钛矿，在一些情况下，其也可以是致密的或多孔的层，并且其任选地部分地或完全地渗透到下面的层中；
-任选的空穴选择层，其包含一种或多种空穴传输材料，并且在一些情况下其还可以包含添加剂，例如锂盐，例如LiY，其中Y是一价有机阴离子，优选双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺，叔胺如4-叔丁基吡啶或任何其它共价或离子化合物，例如三(2-(1H-吡唑-1-基)-4-叔丁基吡啶)-钴(III)三(双(三氟甲磺酰基)酰亚胺))，其可以增强空穴选择层的性质，例如导电性和/或促进其加工；
以及背电极，其可以是金属的，例如由Au，Ag，Al，Cu，Ca，Ni或其组合制成，或是非金属和透明，半透明或不透明的。
根据本发明的PSC器件的第二优选器件结构包括以下层(从下到上的顺序)：
-任选的基材，其以任何组合可以是柔性的或刚性的和透明的，半透明的或不透明的和导电的或不导电的；
-高功函数电极，优选包含掺杂的金属氧化物，例如氟掺杂氧化锡(FTO)，锡掺杂氧化铟(ITO)或铝掺杂氧化锌；
-任选的空穴注入层，其例如改变下面的电极的功函数和/或改性下面的层的表面和/或有助于平坦化下面的层的粗糙表面，并且在某些情况下，也可以是单层；
-任选的空穴选择层，其包含一种或多种空穴传输材料，并且其在一些情况下还可以包含添加剂，例如锂盐，例如LiY，其中Y是一价有机阴离子，优选双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺，叔胺如4-叔丁基吡啶或任何其它共价或离子化合物，例如三(2-(1H-吡唑-1-基)-4-叔丁基吡啶)-钴(III)三(双(三氟甲磺酰基)酰亚胺))，其可以增强空穴选择层的性质，例如导电性和/或促进其加工；
-包含光吸收剂的层，该光吸收剂至少部分是无机的，特别优选如所述的或优选如上所述的金属卤化物钙钛矿；
-电子选择层，其包含一种或多种电子传输材料，其中至少一种是式I化合物，并且在一些情况下其也可以是致密层和/或由纳米颗粒组成，并且其例如可以包含金属氧化物，诸如TiO2、ZnO2、SnO2、Y2O5、Ga2O3、SrTiO3、BaTiO3或其组合，和/或其可以包含取代的富勒烯，例如[6,6]-苯基C61-丁酸甲酯，和/或其可以包含分子，低聚物或聚合物电子传输材料，例如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉或其混合物；
以及背电极，其可以是金属的，例如由Au，Ag，Al，Cu，Ca，Ni或其组合制成，或非金属和透明，半透明或不透明的。
为了在根据本发明的PSC器件中产生电子选择层，可以通过任何合适的方法沉积式I化合物，任选地与其它共混物或混合物形式的化合物或添加剂一起沉积。器件的液体涂覆比真空沉积技术更令人期望。溶液沉积方法是特别优选的。包含式I化合物的制剂使得能够使用许多液体涂覆技术。优选的沉积技术包括但不限于浸涂、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、凸版印刷、丝网印刷、凹版印刷、刮刀涂布、滚筒印刷、反向滚筒印刷、平版胶印、干式平版胶印、柔性版印刷、卷筒纸印刷、喷涂、幕涂、刷涂、狭缝型口模涂布或移印。对于PSC器件和模块的制造，优选用于大面积涂覆的沉积技术，例如狭缝型口模涂布或喷涂。
可用于在根据本发明的光电器件中(优选在PSC器件中)产生电子选择层的制剂包含一种或多种式I或上述优选实施方案的化合物(其以共混物或混合物的形式)任选地与一种或多种另外的电子传输材料和/或空穴阻挡材料和/或粘合剂和/或如上文和下文所述的其它添加剂和一种或多种溶剂。
制剂可以包括或包含上述或下述的所述必需或任选的成分，基本上由其组成或由其组成。可以在制剂中使用的所有化合物或组分都是已知的或可商购的，或可以通过已知的方法合成。
如前所述的制剂可以通过以下方法制备，该方法包括：
(i)首先将式I化合物，如上所述的任选的粘合剂或粘合剂前体，任选的另外的电子传输材料，任选的一种或多种如上下文所述的其它添加剂和如上下文所述的溶剂或溶剂混合物混合，和
(ii)将这样的混合物施加到基板上；并根据本发明任选地蒸发溶剂以形成电子选择层。
在步骤(i)中，溶剂可以是用于式I化合物的单一溶剂，并且有机粘合剂和/或其它电子传输材料可以各自溶解在单独的溶剂中，然后将所得溶液混合以混合化合物。
或者，粘合剂可以如下原位形成：通过将式I化合物混合或溶解在粘合剂的前体中，例如液体单体，低聚物或可交联聚合物，任选地在溶剂存在下，并沉积混合物或溶液，例如通过在基板上浸涂，喷涂，涂漆或印刷，以形成液体层，然后例如通过暴露于辐射，热或电子束来固化液体单体，低聚物或可交联聚合物，以产生固体层。如果使用预形成的粘合剂，其可以与如上所述的化合物式I一起溶解在合适的溶剂中，并将溶液例如通过浸涂，喷涂，涂漆或印刷而沉积在基板上以形成液体层，然后除去溶剂留下固体层。应当理解，选择这样的溶剂，其能够溶解制剂的所有成分，并且在溶液共混物蒸发时产生一致的无缺陷层。
除了所述组分之外，如前所述的制剂可以包含另外的添加剂和加工助剂。这些尤其包括表面活性物质(表面活性剂)，润滑剂和润滑脂(grease)，改进粘度的添加剂，增加导电性的添加剂，分散剂，疏水剂，粘合促进剂，流动改进剂，消泡剂，除气剂，稀释剂(其可以反应性或非反应性的)，填料，助剂，加工助剂，染料，颜料，稳定剂，敏化剂，纳米颗粒和抑制剂。
可以使用添加剂来增强电子选择层的性质和/或任何相邻层的性质和/或根据本发明的光电器件的性能。也可以使用添加剂来促进电子选择层的沉积，加工或形成和/或任何相邻层的沉积，加工或形成。优选地，使用增强电子选择层的导电性和/或钝化任何相邻层的表面的一种或多种添加剂。
并入一种或多种添加剂的合适方法包括例如在大气压或减压下暴露于添加剂的蒸气，混合含有一种或多种添加剂，以及前述或优选描述的材料或制剂的溶液或固体，使一种或多种添加剂与如前所述的材料或制剂接触(通过将一种或多种添加剂热扩散到如前所述的材料或制剂中，或通过将一种或多种添加剂离子注入如前所述的材料或制剂中)。
用于此目的的添加剂可以是有机，无机，金属或杂化材料。添加剂可以是分子化合物，例如有机分子，盐，离子液体，配位络合物或有机金属化合物，聚合物或其混合物。添加剂也可以是颗粒，例如杂化或无机颗粒，优选纳米颗粒，或碳基材料如富勒烯，碳纳米管或石墨烯薄片。
可以增强导电性的添加剂的实例是例如卤素(例如I2，Cl2，Br2，ICl，ICl3，IBr和IF)，路易斯酸(例如PF5，AsF5，SbF5，BF3，BCl3，SbCl5，BBr3和SO3)，质子酸，有机酸，或氨基酸(例如HF，HCl，HNO3，H2SO4，HClO4，FSO3H和ClSO3H)，过渡金属化合物(例如FeCl3，FeOCl，Fe(ClO4)3，Fe(4-CH3C6H4SO3)3，TiCl4，ZrCl4，HfCl4，NbF5，NbCl5，TaCl5，MoF5，MoCl5，WF5，WCl6，UF6和LnCl3(其中Ln为镧系元素))，阴离子(例如Cl-，Br-，I-，I3 -，HSO4 -，SO4 2-，NO3 -，ClO4 -，BF4 -，PF6 -，AsF6 -，SbF6 -，FeCl4 -，Fe(CN)6 3-，和各种磺酸的阴离子，诸如芳基-SO3 -)，阳离子(例如H+，Li+，Na+，K+，Rb+，Cs+，Co3+和Fe3+)，O2，氧化还原活性盐(例如XeOF4，(NO2 +)(SbF6 -)，(NO2 +)(SbCl6 -)，(NO2 +)(BF4 -)，NOBF4，NOPF6，AgClO4，H2IrCl6和La(NO3)3.6H2O)，强接受电子的有机分子(例如2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))，过渡金属氧化物(例如WO3，Re2O7和MoO3)，钴，铁，铋和钼的金属有机络合物，(p-BrC6H4)3NSbCl6，三(三氟乙酸)铋(III)，FSO2OOSO2F，乙酰胆碱，R4N+，(R为烷基)，R4P+(R为直链或支链烷基，1至20)，R6As+(R为烷基)，R3S+(R为烷基)和离子液体(例如1-乙基-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺)。除了三(2-(1H-吡唑-1-基)-4-叔丁基吡啶)-钴(III)三(双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺))之外的合适的钴络合物是如WO 2012/114315，WO 2012/114316，WO 2014/082706，WO2014/082704，EP 2883881或JP 2013-131477中所描述的钴络合物。
除了双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺锂之外，合适的锂盐是三(五氟乙基)三氟磷酸锂，二氰胺锂，甲基硫酸锂，三氟甲磺酸锂，四氰基硼酸锂，二氰胺锂，三氰基甲基锂，硫氰酸锂，氯化锂，溴化锂，碘化锂，六氟磷酸锂，四氟硼酸锂，高氯酸锂，六氟锑酸锂，六氟砷酸锂或两种或更多种的组合。优选的锂盐是双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺锂。
优选地，制剂包含0.1mM至50mM，优选5至20mM的锂盐。
在WO 2013/171517，权利要求52至71和权利要求72至79中描述了包含化合物式I和混合卤化物钙钛矿的用于PSC的合适的器件结构，其全部内容通过引用并入本文。
在WO 2013/171518，权利要求1至90或WO 2013/171520，权利要求1至94中描述了包含化合物式和介电支架连同钙钛矿的用于PSC的合适的器件结构，其全部并入本文作为参考。
在WO 2014/020499，权利要求1和3至14中描述了包含式I化合物，半导体和钙钛矿的用于PSC的合适的器件结构，其全部通过引用并入本文。其中所述的表面增长的支架结构包含纳米颗粒，其被施加和/或固定在支撑层上，例如多孔TiO2。
在WO 2014/045021，权利要求1至39中描述包含式的化合物并包含平面异质结的用于PSC的合适的器件结构，其全部通过引用并入本文。这样的器件的特征在于具有设置在n型(电子传导)和p型(空穴传导)层之间的吸光或发光钙钛矿的薄膜。优选地，薄膜是紧凑的薄膜。
本发明还涉及一种制备上文或下文所述的PSC的方法，该方法包括以下步骤：
-提供第一和第二电极；
-提供包含式I化合物的电子选择层。
本发明还涉及一种串联器件，其包含如上文和下文所述的根据本发明的至少一个器件。优选地，串联器件是串联太阳能电池。
根据本发明的串联器件或串联太阳能电池可以具有两个半电池，其中一个半电池包含如所述的或优选如上所述的活性层中的化合物，低聚物或聚合物。对于其它类型的半电池的选择不存在限制，其可以是本领域已知的任何其它类型的器件或太阳能电池。
本领域已知有两种不同类型的串联太阳能电池。所谓的2端子或单片(monolithic)串联太阳能电池只有两个连接。两个子电池(或同义的半电池)串联连接。因此，在两个子电池中产生的电流是相同的(电流匹配)。功率转换效率的增加是由于两个子电池的电压相加而导致的电压增加。
串联太阳能电池的另一种类型是所谓的4端子或堆叠式串联太阳能电池。在这种情况下，两个子电池都是独立运行的。因此，两个子电池可以在不同的电压下运行，并且也可以产生不同的电流。串联太阳能电池的功率转换效率是两个子电池的功率转换效率的和。
本发明还涉及一种模块，其包含如前所述或优选如前所述的根据本发明的器件。
本发明的化合物和组合物也可用作其他应用中的染料或颜料，例如作为墨水染料、激光染料、荧光标记物、溶剂染料、食用染料、对比染料(contrast dye)或有色涂料、墨水、塑料、织物、化妆品、食品及其他材料中的颜料。
本发明的化合物和组合物也适用于在OFET的半导体沟道中。因此，本发明也提供包含栅电极、绝缘(或栅绝缘体)层、源电极、漏电极和连接源和漏电极的有机半导体沟道的OFET，其中该有机半导体沟道包含根据本发明的化合物和组合物。OFET的其它特征对本领域技术人员而言是熟知的。
其中OSC材料作为薄膜布置在栅电介质与漏和源电极之间的OFET是通常已知的且描述于例如US 5,892,244、US 5,998,804、US6,723,394中以及在背景部分中引用的参考文献中。由于这些优点，如利用根据本发明的化合物的溶解性质的低成本生产以及由此的大表面的加工性，这些OFET的优选应用是如集成电路、TFT显示器和安全应用。
在OFET器件中栅、源和漏电极以及绝缘和半导体层可以任何顺序布置，条件是源电极和漏电极通过绝缘层与栅电极隔开，栅电极和半导体层均与绝缘层接触，以及源电极和漏电极二者均与半导体层接触。
根据本发明的OFET器件优选包含：
-源电极,
-漏电极,
-栅电极,
-半导体层，
-一个或多个栅绝缘层，
-任选地基板，
其中该半导体层优选包含式I的化合物。
OFET器件可以是顶栅器件或底栅器件。OFET器件的合适结构和制造方法对本领域技术人员是已知的且描述于文献，例如US2007/0102696A1中。
栅绝缘层优选包含含氟聚合物，例如可商购获得的Cytop
Figure BDA0002252772620000831
或Cytop
Figure BDA0002252772620000832
(来自Asahi Glass)。优选将栅绝缘层沉积，例如通过旋涂、刮刀涂覆、绕线棒涂覆、喷涂或浸涂或其它已知方法，由包含绝缘材料和一种或多种具有一个或多个氟原子的溶剂(含氟溶剂)、优选全氟溶剂的制剂进行沉积。合适的全氟溶剂是例如
Figure BDA0002252772620000841
(可从Acros获得，产品目录号12380)。其它合适的含氟聚合物和含氟溶剂在现有技术中是已知的，如例如全氟聚合物Teflon
Figure BDA0002252772620000842
1600或2400(来自DuPont)或
Figure BDA0002252772620000843
(来自Cytonix)或全氟溶剂FC
Figure BDA0002252772620000844
(Acros、No.12377)。特别优选的是具有1.0－5.0、非常优选1.8－4.0的低电容率(或介电常数)的有机介电材料(“低k材料”)，例如US 2007/0102696A1或US 7,095,044中所公开的。
在安全应用中，具有根据本发明的半导体材料的OFET和其它器件，如晶体管或二极管，可用于RFID标签或安全标记以鉴定和防止有价证券如钞票、信用卡或ID卡、国家ID文件、执照或任何具有货币价值的产品如邮票、票、股票、支票等的伪造。
或者，根据本发明的化合物和组合物(在下文中称作“材料”)可用于OLED中，例如在平板显示器应用中作为有源显示器材料、或作为例如液晶显示器的平板显示器的背光。普通的OLED采用多层结构来实现。发射层通常夹在一个或多个电子传输和/或空穴传输层之间。通过施加电压，电子和空穴作为载流子向发射层移动，在那里它们的再组合导致包含在发射层中的发光团单元的激发并因此发光。根据本发明的材料可对应于它们的电学和/或光学性质而用于一个或多个电荷传输层和/或发射层中。此外，它们在发射层内的用途是特别有利的，如果根据本发明材料本身显示出电致发光性质或包含电致发光的基团或化合物的话。用于OLED中的合适的单体、低聚和聚合化合物或材料的选择、表征以及加工是本领域技术人员通常已知的，参见例如Müller等人，Synth.Metals，2000，111-112，31-34，Alcala，J.Appl.Phys.，2000，88，7124-7128和其中所引用的文献。
根据另一种用途，根据本发明的材料，特别是显示出光致发光性质的那些可用作光源的材料，例如在显示器件中，如EP 0 889 350 A1或C.Weder等人，Science，1998，279，835-837中所描述的。
本发明的其它方面涉及根据本发明的材料的氧化和还原形式两者。失去或得到电子导致形成高度离域的离子形式，其具有高导电性。这可以在暴露于常规的掺杂剂时发生。合适的掺杂剂和掺杂方法对本领域技术人员是已知的，例如由EP 0 528 662、US 5,198,153或WO96/21659获知。
掺杂工艺典型地意味着用氧化或还原剂在氧化还原反应中处理半导体材料，以在材料中形成具有衍生自所用掺杂剂的相应反离子的离域的离子中心。合适的掺杂方法包括例如在大气压或在减压下暴露于掺杂蒸气中、在含有掺杂剂的溶液中电化学掺杂、使掺杂剂与要热扩散的半导体材料接触以及掺杂剂离子注入半导体材料中。
当将电子用作载流子时，合适的掺杂剂例如为卤素(例如I2、Cl2、Br2、ICl、ICl3、IBr和IF)、路易斯酸(例如PF5、AsF5、SbF5、BF3、BCl3、SbCl5、BBr3和SO3)、质子酸、有机酸或氨基酸(例如HF、HCl、HNO3、H2SO4、HClO4、FSO3H和ClSO3H)、过渡金属化合物(例如FeCl3、FeOCl、Fe(ClO4)3、Fe(4-CH3C6H4SO3)3、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、NbF5、NbCl5、TaCl5、MoF5、MoCl5、WF5、WCl6、UF6和LnCl3(其中Ln是镧系元素)、阴离子(例如Cl-、Br-、I-、I3 -、HSO4 -、SO4 2-、NO3 -、ClO4 -、BF4 -、PF6 -、AsF6 -、SbF6 -、FeCl4 -、Fe(CN)6 3-，和各种磺酸阴离子，例如芳基-SO3 -)。当将空穴用作载流子时，掺杂剂的实例是阳离子(例如H+、Li+、Na+、K+、Rb+和Cs+)、碱金属(例如Li、Na、K、Rb和Cs)、碱土金属(例如Ca、Sr和Ba)、O2、XeOF4、(NO2 +)(SbF6 -)、(NO2 +)(SbCl6 -)、(NO2 +)(BF4 -)、AgClO4、H2IrCl6、La(NO3)3·6H2O、FSO2OOSO2F、Eu、乙酰胆碱、R4N+(R是烷基)、R4P+(R是烷基)、R6As+(R是烷基)，和R3S+(R是烷基)。
根据本发明的材料的导电形式可在包括但不限于在OLED应用中的电荷注入层和ITO平坦化层、用于平板显示器和触屏的膜、抗静电膜、印刷的传导基板、电子应用如印刷电路板和聚光器中的图案或区域(tract)的应用中用作有机“金属”。
根据本发明的材料也可适用于有机等离子体激元发射二极管(OPED)，如例如Koller等人，Nat.Photonics，2008，2，684中所描述的。
根据另一种用途，根据本发明的材料可单独使用或与其它材料一起使用，用于LCD或OLED器件中的配向层中或用作配向层，如例如描述于US 2003/0021913中的。根据本发明的电荷传输化合物的使用可以增加配向层的导电性。当用于LCD中时，该增加的导电性可以降低在可转换的LCD盒中的不利的残余dc影响和抑制图像粘滞，或例如在铁电LCD中降低由铁电LC的自发极化电荷的转换所产生的残余电荷。当用于包含提供在配向层上的发光材料的OLED器件中时，该提高的导电性可以提高发光材料的电致发光性。
根据本发明的具有介晶或液晶性质的材料可形成如上所述的经取向的各向异性膜，它特别用作配向层以诱发或提高提供在所述各向异性膜上的液晶介质中的配向。
根据另一种用途，根据本发明的材料适用于也被称为智能窗的液晶(LC)窗。
根据本发明的材料还可以与可光异构化的化合物和/或生色团结合用于或者用作光配向层，如US 2003/0021913A1中所描述的。
根据另一种用途，根据本发明的材料，特别是它们的水溶性衍生物(例如具有极性或离子侧基的)或离子掺杂形式，可用作用于检测和区别DNA序列的化学传感器或材料。这样的用途例如描述于L.Chen，D.W.McBranch，H.Wang，R.Helgeson，F.Wudl和D.G.Whitten，Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.，1999，96，12287；D.Wang，X.Gong，P.S.Heeger，F.Rininsland，G.C.Bazan和A.J.Heeger，Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.，2002，99，49；N.DiCesare，M.R.Pinot，K.S.Schanze和J.R.Lakowicz，Langmuir，2002，18，7785；D.T.McQuade，A.E.Pullen，T.M.Swager，Chem.Rev.，2000，100，2537中。
除非上下文另有明确说明，本文所用的本文中的术语的复数形式将被理解为包括单数形式，并且反之亦然。
贯穿本申请的说明书和权利要求书，措辞“包含(comprise)”和“含有”以及该词的变形例如“包含着(comprising)”和“包括(comprises)”指的是“包括但不限于”，并不旨在(以及不)排除其它组分。
将理解的是可以对前述本发明的实施方案做出更改，而仍然落入本发明的范围。除非另有说明，公开在本说明书的每个特征可由起到相同、等同或类似目的的备选特征所替代。因此，除非另有说明，所公开的每个特征只是一般系列等同或类似特征的一个实例。
在本说明书中公开的所有特征可以任何组合结合，除了其中至少一些这样的特征和/或步骤是互相排斥的组合之外。特别地，本发明的优选特征适用于本发明的所有方面且可以任何组合使用。同样地，非必要的组合中描述的特征可单独使用(不以组合形式)。
上下文中，除非另有说明，百分数是重量百分数和温度以摄氏度给出。
现将参考以下实施例更详细地描述本发明，该实施例仅为说明性的且不限制本发明的范围。
实施例1
化合物1制备如下。
2,7-二碘-4,4,9,9-四(十六烷基)-4,9-二氢-s-二环戊二烯并苯并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(1.1)
Figure BDA0002252772620000871
碘(2.094g；8.25mmol)及(二乙酰氧基碘基)苯(2.958g；9.00mmol)在40℃下连续添加至4,4,9,9-四(十六烷基)-4,9-二氢-s-二环戊二烯并苯并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(8.731g；7.50mmol)于无水氯仿(300cm3)中的搅拌溶液中，且在此温度下搅拌混合物4h。溶剂通过在真空中旋转蒸发来移除且残余物用丙酮研磨。橙色固体沉淀物通过抽滤收集且用丙酮、甲醇及丙酮洗涤。随后将粗产物溶解于环己烷中且溶液经由二氧化硅塞(silicaplug)(10g)过滤。塞用环己烷洗脱。过滤物经浓缩至接近干燥，随后用丙酮粉碎。固体通过抽滤收集，用丙酮洗涤，风干，以产生呈奶白色粉末状的产物(9.69g，93％)。1H NMR(400MHz,氯仿-d)δ7.11(s,1H),7.05(s,1H),1.91-1.79(m,2H),1.73(td,J＝13.0,12.6,4.7Hz,2H),1.27-0.95(m,52H),0.81(t,J＝6.8Hz,6H),0.77-0.61(m,4H)。13C NMR(101MHz,CDCl3)δ155.83,152.54,146.71,135.44,131.20,113.32,73.33,54.24,38.97,31.94,29.92,29.71,29.67,29.63,29.58,29.37,29.30,24.09,22.70,14.13。
2,7-二氰基亚甲基-4,4,9,9-四(十六烷基)-4,9-二氢-s-二环戊二烯并苯并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩醌(1)
Figure BDA0002252772620000881
向丙二腈(0.661g；10.0mmol)于无水N,N-二甲基甲酰胺(40cm3)中的溶液中分部分添加氢化钠60％分散体(0.400g；10.0mmol)固体。混合物经脱气且在20℃下搅拌20分钟。在氮气下添加2,7-二碘-4,4,9,9-四(十六烷基)-4,9-二氢-s-二环戊二烯并苯并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(1.416g；1.00mmol)及四(三苯基膦基)钯(116mg；0.100mmol)。混合物进一步脱气额外10分钟，随后在110℃下搅拌20小时，以产生暗红色澄清溶液。溶液冷却至20℃。缓慢添加10％HCl(50cm3)。淡棕黄色沉淀物通过抽滤收集。将固体溶解于二氯甲烷(50cm3)中。添加2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌(0.681g；3.0mmol)且在回流下搅拌混合物30分钟以得到深蓝色溶液。混合物旋转蒸发至干燥。棕色残余物用甲醇研磨，且棕色固体通过抽滤收集，随后在40℃-60℃用30％二氯甲烷于石油醚中的混合物洗脱在硅胶上层析。纯净物经分离为紫-棕色固体(0.188g，14.5％)。1H NMR(400MHz,氯仿-d)δ6.88(s,1H),6.80(s,1H),1.83(dddd,J＝25.2,17.9,12.5,4.9Hz,4H),1.27-1.02(m,52H),0.81(t,J＝6.7Hz,8H)。13CNMR(101MHz,CDCl3)δ174.93,172.35,160.58,149.37,140.11,119.30,114.01,113.73,113.48,69.09,53.29,39.20,31.93,29.72,29.67,29.60,29.37,29.32,24.45,22.70,14.13。
实施例2
化合物2制备如下。
2,8-二碘-6,6,12,12-四(4-十六烷基-1-苯基)-6,12-二氢-二噻吩并[2,3-d:2’,3’-d’]-s-二环戊二烯并苯并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(2.1)
Figure BDA0002252772620000891
碘(0.335g；1.32mmol)及(二乙酰氧基碘基)苯(0.473g；1.44mmol)在60℃下连续添加至6,6,12,12-四(4-十六烷基-1-苯基)-6,12-二氢-二噻吩并[2,3-d:2’,3’-d’]-s-二环戊二烯并苯并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(1.897g；1.20mmol)于无水氯仿(50cm3)中的搅拌溶液中。在此温度下搅拌混合物2小时。红棕色溶液冷却至20℃。添加饱和亚硫酸钠溶液5cm3，且剧烈搅拌双层混合物30分钟直至碘颜色淬灭。溶剂通过在真空中旋转蒸发来移除且残余物用水研磨。浅红色固体经抽滤出且用水、甲醇及丙酮洗涤。将固体溶解于热环己烷中，随后经由所塞入的二氧化硅过滤。洗脱剂经浓缩以产生呈亮黄色固体状的纯净产物(2.05g，93％)。1H NMR(400MHz,氯仿-d)δ7.38(s,1H),7.32(s,1H),7.07-6.96(m,8H),2.48(t,J＝7.8Hz,4H),1.51(q,J＝7.4Hz,4H),1.18(s,52H),0.80(t,J＝6.6Hz,6H)。
2,8-二氰基亚甲基-6,6,12,12-四(4-十六烷基-1-苯基)-6,12-二氢-二噻吩并[2,3-d:2’,3’-d’]-s-二环戊二烯并苯并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩醌(2)
Figure BDA0002252772620000901
向丙二腈(0.495g；7.50mmol)于无水N,N-二甲基甲酰胺(40cm3)中的溶液中以小部分添加氢化钠60％分散体(0.30g；7.50mmol)固体。混合物经脱气且在20℃下搅拌20分钟。在氮气下添加2,8-二碘-6,6,12,12-四(4-十六烷基-1-苯基)-6,12-二氢-二噻吩并[2,3-d:2’,3’-d’]-s-二环戊二烯并苯并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(1.374g；0.75mmol)及四(三膦基)钯(87mg；0.075mmol)。黄色悬浮液进一步脱气额外10分钟，随后在110℃下搅拌16小时。温度增加至150℃(外部)且混合物搅拌3小时。溶液冷却至20℃且缓慢添加10％HCl(50cm3)。橙色沉淀物通过抽滤收集，用水及甲醇洗涤。将固体溶解于二氯甲烷(50cm3)中且在搅拌下添加2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌(0.511g；2.25mmol)。紫色混合物在20℃下搅拌1小时随后旋转蒸发至干燥。棕色残余物用甲醇研磨，且红-棕色固体通过抽滤收集。固体在40℃-60℃用1:1氯仿-石油醚洗脱在硅胶上层析。产物经分离为深绿色粉末(0.50g，39％)。1H NMR(400MHz,氯仿-d)δ7.12-7.07(m,4H),7.06-7.17(br,2H)7.03-6.97(m,4H),2.52(dd,J＝9.1,6.7Hz,4H),1.53(t,J＝7.6Hz,4H),1.18(s,52H),0.86-0.73(m,6H)。MS(APPI,m/z)：C114H152N4S4的实验值1706.1；计算值1706。

Claims (18)

1.一种式I化合物
Figure FDA0002370826870000011
其中各个基团彼此独立地且在每次出现时相同或不同地具有以下含义：
U11及U12中之一为C＝C双键且另一者为CR1R2，
U21及U22中之一为C＝C双键且另一者为CR3R4，
Ar1-5为醌型脂环或杂环基，其具有5至30个环原子，为单环或多环，任选含有稠合环，且未经取代或经一个或多个相同或不同基团R1或L取代，
R1-4为H；F；Cl；CN；具有1至40个C原子的直链、支链或环状烷基，其中一个或多个CH2基团任选以使O和/或S原子不直接彼此连接的方式经-O-、-S-、-C(＝O)-、-C(＝S)-、-C(＝O)-O-、-O-C(＝O)-、-NR0-、-SiR0R00-、-CF2-、-CR0＝CR00-、-CY1＝CY2-或-C≡C-替代，且其中一个或多个H原子任选经F、Cl、Br、I或CN替代，且其中一个或多个CH2或CH3基团任选经阳离子或阴离子基团替代；
或具有1至40个Si原子的直链、支链或环状硅烷基；
或芳基、杂芳基、芳烷基、杂芳烷基、芳氧基或杂芳氧基，其中该前述环状基团中的每一者具有5至20个环原子，为单环或多环，任选的确含有稠合环，且未经取代或经一个或多个相同或不同基团L取代，
L为F、Cl、-NO2、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、R0、OR0、SR0、-C(＝O)X0、-C(＝O)R0、-C(＝O)-OR0、-O-C(＝O)-R0、-NH2、-NHR0、-NR0R00、-C(＝O)NHR0、-C(＝O)NR0R00、-SO3R0、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5，或任选经取代的具有1至20个Si原子的硅烷基，或具有1至30个C原子的碳基或烃基，其任选经取代以及任选包含一个或多个杂原子，优选为F、-CN、R0、-OR0、-SR0、-C(＝O)-R0、-C(＝O)-OR0、-O-C(＝O)-R0、-O-C(＝O)-OR0、-C(＝O)-NHR0或-C(＝O)-NR0R00，
R0、R00为H或任选氟化的具有1至40个C原子的直链或支链烷基，
X0为卤素，优选F或Cl，
a、b为0或1至10的整数。
2.根据权利要求1的化合物，其选自下式：
Figure FDA0002370826870000021
其中Ar1-5、U11、U21、U22、a、b具有权利要求1中所给出的含义，且Ar11及Ar12具有针对Ar1所给出的含义之一。
3.根据权利要求1或2的化合物，其中式I中的Ar1及式IA中的Ar11选自下式及其镜像：
Figure FDA0002370826870000022
Figure FDA0002370826870000031
Figure FDA0002370826870000041
其中各个基团彼此独立地且在每次出现时相同或不同地具有以下含义：
X为O、S、Se或Te，
R、R’为根据权利要求1中所定义的R1或L的含义之一，
#为经由C＝C双键连接至式I、IA或IB中的相邻基团的sp2碳原子，及
*为经由C-C单键连接至式I、IA或IB中的相邻基团的sp2碳原子，及
Z、Z’为O、S、C(＝O)、NR、＝N-或＝CR-，其中Z及Z’中的至少一者与＝N-及＝CR-不同。
4.根据权利要求1或2的化合物，其中式I中的Ar1及式IB中的Ar12选自下式及其镜像：
Figure FDA0002370826870000042
Figure FDA0002370826870000051
其中各个基团彼此独立地且在每次出现时相同或不同地具有以下含义：
X、Z、Z’、R、#及*具有根据权利要求3中所给出的含义，
Arx、Ary为稠合的5元或6元芳族环，其中一个或多个CH基团任选经-O-、-S-、Se、Te、＝N-、-NR-或-C(＝O)-替代，且一个或多个H原子任选经R1或L替代，
Y为CR1R2、SiR1R2、GeR1R2、NR、C(＝O)或S(＝O)，
其中L、R1及R2根据权利要求1中所定义。
5.根据权利要求1至4中一项或多项的化合物，其中Ar2及Ar3选自下式及其镜像：
Figure FDA0002370826870000061
Figure FDA0002370826870000071
其中Arx、Ary、R、R’、X、Y、Z、Z’、#及*根据权利要求3及4中所定义。
6.根据权利要求1至5中一项或多项的化合物，其中Ar4及Ar5选自下式及其镜像：
Figure FDA0002370826870000081
Figure FDA0002370826870000091
Figure FDA0002370826870000101
其中Arx、Ary、R、R’、X、Y、Z、Z’、#及*根据权利要求3及4中所定义，且Y’指代N或CR。
7.根据权利要求1至6中一项或多项的化合物，其选自下式：
Figure FDA0002370826870000111
Figure FDA0002370826870000121
Figure FDA0002370826870000131
Figure FDA0002370826870000141
其中R1-5、R及R’具有权利要求1及4中所给出的含义。
8.根据权利要求1至7中一项或多项的化合物，其中R1-4选自：任选氟化的具有1至40个C原子的烷基或烷氧基，或具有4至30个环原子的芳基或杂芳基，其为单环或多环，任选含有稠合环，以及任选经一个或多个根据权利要求1中所定义的基团L取代。
9.一种组合物，其包含根据权利要求1至8中一项或多项的一种或多种化合物，且进一步包含：具有半导体、空穴或电子传输、空穴或电子阻挡、电导、光导、光活性或发光特性中的一种或多种的一种或多种化合物，和/或粘合剂。
10.权利要求9的组合物，其包含一种或多种n型半导体，其中至少一种为根据权利要求1至8中一项或多项的化合物，和进一步包含一种或多种p型半导体。
11.权利要求9或10的组合物，其包含一种或多种选自共轭聚合物的p型半导体。
12.由根据权利要求9至11中一项或多项的组合物形成的体异质结(BHJ)。
13.根据权利要求1至8中一项或多项的化合物或根据权利要求9至11中一项或多项的组合物在电子或光电器件中或在这样的器件的组件中或在包含这样的器件的装配件中的用途。
14.制剂，其包含一种或多种根据权利要求1-8中一项或多项的化合物或根据权利要求9至11中一项或多项的组合物，并且还包含一种或多种选自有机溶剂的溶剂。
15.电子或光电器件，或其组件，或包含其的装配件，它们包含根据权利要求1至8中一项或多项的化合物或根据权利要求9至11中一项或多项的组合物。
16.根据权利要求15所述的电子或光电器件，其选自有机场效应晶体管(OFET)，有机薄膜晶体管(OTFT)，有机发光二极管(OLED)，有机发光晶体管(OLET)，有机发光电化学电池(OLEC)，有机光伏器件(OPV)，有机光电探测器(OPD)，有机太阳能电池，染料敏化太阳能电池(DSSC)，基于钙钛矿的太阳能电池(PSC)，有机光电化学电池(OPEC)，激光二极管，肖特基二极管，光电导体，光电探测器，热电器件和LC窗。
17.根据权利要求15的组件，其选自电荷注入层、电荷传输层、夹层、平坦化层、抗静电膜、聚合物电解质膜(PEM)、导电基板和导电图案。
18.根据权利要求15的装配件，其选自集成电路(IC)，射频识别(RFID)标签，安全标记，安全器件，平板显示器，平板显示器的背光，电子照相器件，电子照相记录器件，有机存储器件，传感器器件，生物传感器和生物芯片。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102626760B1 (ko) * 2020-11-23 2024-01-19 한국과학기술원 유기 태양전지용 고분자 공여체 및 이를 포함하는 유기 태양전지

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011091609A1 (zh) * 2010-01-30 2011-08-04 海洋王照明科技股份有限公司 含杂环醌型噻吩有机光电材料、其制备方法和应用
CN102260191A (zh) * 2010-05-26 2011-11-30 海洋王照明科技股份有限公司 一种醌型芴类半导体材料及其制备方法和应用
CN104557968A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 中国科学院化学研究所 基于二噻吩并引达省的a-d-a共轭分子及其制备方法和应用
CN104769076A (zh) * 2012-10-05 2015-07-08 默克专利股份有限公司 有机半导体
TW201529580A (zh) * 2013-12-10 2015-08-01 Nippon Kayaku Kk 新穎縮合多環芳香族化合物及其用途
CN104903330A (zh) * 2012-10-18 2015-09-09 日本化药株式会社 新的稠合多环芳香族化合物及其用途
CN105838104A (zh) * 2016-03-28 2016-08-10 大连理工大学 一类并噻吩并吡咯醌式结构化合物及其制备方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US5198153A (en) 1989-05-26 1993-03-30 International Business Machines Corporation Electrically conductive polymeric
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
WO1996021659A1 (en) 1995-01-10 1996-07-18 University Of Technology, Sydney Organic semiconductor
EP0889350A1 (en) 1997-07-03 1999-01-07 ETHZ Institut für Polymere Photoluminescent display devices (I)
US5998804A (en) 1997-07-03 1999-12-07 Hna Holdings, Inc. Transistors incorporating substrates comprising liquid crystal polymers
EP1165648B1 (en) 1999-03-05 2007-08-15 Cambridge Display Technology Limited Polymer preparation
BR0011888A (pt) 1999-06-21 2004-03-09 Univ Cambridge Tech Processo para formar um dispositivo eletrônico, dispositivo eletrônico, circuito lógico, visor de matriz ativa, e, transistor de polímero
GB0028867D0 (en) 2000-11-28 2001-01-10 Avecia Ltd Field effect translators,methods for the manufacture thereof and materials therefor
US20030021913A1 (en) 2001-07-03 2003-01-30 O'neill Mary Liquid crystal alignment layer
DE10241814A1 (de) 2002-09-06 2004-03-25 Covion Organic Semiconductors Gmbh Prozeß zur Herstellung von Aryl-Aryl gekoppelten Verbindungen
WO2005055248A2 (en) 2003-11-28 2005-06-16 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting layer formulations comprising polyacenes and organic binder polymers
FR2955578B1 (fr) 2010-01-28 2014-06-13 Saint Gobain Ct Recherches Produit refractaire a forte teneur en zircone
CN102477045A (zh) 2010-11-30 2012-05-30 中国科学院上海有机化学研究所 一类并噻吩醌式化合物、其制备方法、中间体及其应用
EP2678346B9 (en) 2011-02-25 2018-08-08 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Metal complexes for use as dopants and other uses
KR20140016298A (ko) 2011-02-25 2014-02-07 에꼴 뽈리떼끄닉 뻬데랄 드 로잔느 (으뻬에프엘) 전기화학 및 광전자 소자를 위한 향상된 산화환원쌍
JP5858416B2 (ja) 2011-03-16 2016-02-10 国立大学法人 東京大学 キノイド型炭素架橋フェニレンビニレン化合物、及びキノイド型フェニレンビニレン化合物の安定化方法
JP2013131477A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Merck Ltd コバルト電解質、電解液、色素増感太陽電池およびコバルト電解質の製造方法
GB201208793D0 (en) 2012-05-18 2012-07-04 Isis Innovation Optoelectronic device
EP3029696B1 (en) 2012-05-18 2018-11-14 Oxford University Innovation Limited Optoelectronic device comprising porous scaffold material and perovskites
PL2850669T3 (pl) 2012-05-18 2016-08-31 Isis Innovation Urządzenie fotowoltaiczne zawierające Perowskity
EP2693503A1 (en) 2012-08-03 2014-02-05 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Organo metal halide perovskite heterojunction solar cell and fabrication thereof
KR102607292B1 (ko) 2012-09-18 2023-11-29 옥스포드 유니버시티 이노베이션 리미티드 광전자 디바이스
WO2014082706A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Merck Patent Gmbh Cobalt complexes with tricyanoborate or dicyanoborate counter-anions for electrochemical or optoelectronic devices
CN104903338A (zh) 2012-11-30 2015-09-09 默克专利有限公司 钴配合物盐
EP2883881A1 (en) 2013-12-12 2015-06-17 Merck Patent GmbH Cobaltcomplex salts and mixtures of Cobaltcomplex salts for use in DSSC
KR102579459B1 (ko) 2015-09-01 2023-09-14 삼성전자주식회사 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
CN105837598B (zh) 2016-03-28 2018-07-24 大连理工大学 并噻吩并吡咯醌式化合物、制备方法及包含该材料的半导体设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011091609A1 (zh) * 2010-01-30 2011-08-04 海洋王照明科技股份有限公司 含杂环醌型噻吩有机光电材料、其制备方法和应用
CN102260191A (zh) * 2010-05-26 2011-11-30 海洋王照明科技股份有限公司 一种醌型芴类半导体材料及其制备方法和应用
CN104769076A (zh) * 2012-10-05 2015-07-08 默克专利股份有限公司 有机半导体
CN104903330A (zh) * 2012-10-18 2015-09-09 日本化药株式会社 新的稠合多环芳香族化合物及其用途
CN104557968A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 中国科学院化学研究所 基于二噻吩并引达省的a-d-a共轭分子及其制备方法和应用
TW201529580A (zh) * 2013-12-10 2015-08-01 Nippon Kayaku Kk 新穎縮合多環芳香族化合物及其用途
CN105838104A (zh) * 2016-03-28 2016-08-10 大连理工大学 一类并噻吩并吡咯醌式结构化合物及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PAULA MAYORGA BURREZO ET AL.: "Planarization, fusion, and strain of carbon-bridged phenylenevinylene oligomers enhance π-electron and charge conjugation: a dissectional vibrational raman study", 《J.AM.CHEM.SOC》 *

Also Published As

Publication number Publication date
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