JPWO2005064703A1 - 有機薄膜トランジスタの製造方法及び該製造方法により作製される有機薄膜トランジスタとそのシート - Google Patents
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Abstract
Description
(1)熱可塑性半導体材料を含む層及び、該層に接合する金属微粒子を含む層を形成して、押圧後加熱するか押圧と加熱を同時に行い、半導体層、ソース電極、ドレイン電極とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
(2)熱可塑性半導体材料の軟化点以上の温度で加熱する前記(1)に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
(3)金属微粒子が熱融着する温度以上の温度で加熱する前記(1)又は(2)に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
(4)金属微粒子の平均粒径が20nm以下である前記(1)〜(3)の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
(5)前記金属微粒子を含む層が導電性ポリマーを含む前記(1)〜(4)の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
(6)前記熱可塑性半導体材料がπ共役系材料である前記(1)〜(5)の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
(7)前記(1)〜(6)の何れか1項に記載の製造方法により作製される有機薄膜トランジスタ。
(8)ソース電極及びドレイン電極が、当該電極を構成する金属相の少なくとも1部が熱可塑性半導体材料を含む半導体層に混入して、該半導体層に接合する有機薄膜トランジスタ。
(9)前記金属相が金属微粒子が熱融着して形成されたものである前記(8)に記載の有機薄膜トランジスタ。
(10)支持体シート上に、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結された複数の有機薄膜トランジスタが形成され、該薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極が、当該電極を構成する金属相の少なくとも1部が熱可塑性半導体材料を含む半導体層に混入して、該半導体層に接合する有機薄膜トランジスタシート。
(11)前記金属相が金属微粒子が熱融着して形成されたものである前記(10)に記載の有機薄膜トランジスタシート。
比抵抗0.01Ω・cmのn型Siウェハーに厚さ200nmの熱酸化膜を形成した後、1モル/LのNaOH水溶液に浸漬し、超純水を用いてよく洗浄した。さらにオクタデシルトリクロロシランのトルエン溶液(1質量%)に10分間浸漬した後、トルエンですすぎ、乾燥させることで熱酸化膜の表面処理を行った。
金属微粒子を含む層形成材料に用いた平均粒径30nmの銀微粒子を平均粒径20nmの銀微粒子の水分散液に変えた以外は実施例1と同様にして有機TFTを作製した。
金属微粒子を含む層形成材料に平均粒径10nmの銀微粒子の水分散液を用いた以外は実施例1と同様にして有機TFTを作製した。
金属微粒子を含む層形成材料に、導電性ポリマーを添加せず、加熱時に押圧しないこと以外は、実施例3と同様にして有機TFTを作製した。
金属微粒子を含む層形成材料に、導電性ポリマーを添加しない以外は、実施例3と同様にして有機TFTを作製した。
金属微粒子を含む層形成材料に平均粒径10nmの金微粒子の水分散液を用いた以外は実施例1と同様と同様にして有機TFTを作製した。
半導体層に、特開2003−268083の実施例に記載されたポリチオフェン類を用いて、実施例3と同様に有機TFTを作製した。ただし、加熱温度は180℃とした。
金属微粒子を含む層形成材料に、導電性ポリマーを添加せず、加熱時に押圧しないこと以外は、実施例6と同様にして有機TFTを作製した。
金属微粒子を含む層形成材料に、導電性ポリマーを添加しないこと以外は、実施例6と同様にして有機TFTを作製した。
実施例2 0.020
実施例3 0.035
比較例1 0.0018
実施例4 0.016
実施例5 0.055
実施例6 0.037
比較例2 0.0022
実施例7 0.0095
これにより、本発明の製造法によれば、半導体性能に優れた有機TFTが得られることが解る。また金属微粒子と導電性ポリマーを混在させると、さらに優れた効果が得られること、金属微粒子の平均粒径が20nm以下が好ましいことが解る。
Claims (11)
- 熱可塑性半導体材料を含む層及び、該層に接合する金属微粒子を含む層を形成して、押圧後加熱するか押圧と加熱を同時に行い、半導体層、ソース電極、ドレイン電極とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 熱可塑性半導体材料の軟化点以上の温度で加熱することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 金属微粒子が熱融着する温度以上の温度で加熱することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 金属微粒子の平均粒径が20nm以下であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記金属微粒子を含む層が導電性ポリマーを含むことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記熱可塑性半導体材料がπ共役系材料であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求の範囲第1項に記載の製造方法により作製されることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- ソース電極及びドレイン電極が、当該電極を構成する金属相の少なくとも1部が熱可塑性半導体材料を含む半導体層に混入して、該半導体層に接合することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 前記金属相が金属微粒子が熱融着して形成されたものであることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 支持体シート上に、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結された複数の有機薄膜トランジスタが形成され、該薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極が、当該電極を構成する金属相の少なくとも1部が熱可塑性半導体材料を含む半導体層に混入して、該半導体層に接合することを特徴とする有機薄膜トランジスタシート。
- 前記金属相が金属微粒子が熱融着して形成されたものであることを特徴とする請求の範囲第10項に記載の有機薄膜トランジスタシート。
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