JP2003149647A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法

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公昭 中村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、重合性成分を含有する液晶層を基板
間に封止し、液晶層に電圧を印加しながら重合性成分を
重合して液晶配向を安定化させるポリマーを用いたプレ
チルト角付与技術を用いて液晶の配向方位を規制して、
広い視野角が得られると共に、中間調の応答時間を短く
できる液晶表示装置を提供することを目的とする。 【解決手段】対向配置された２枚の基板２０、３０間
に、液晶分子のプレチルト角および駆動時の傾斜方向を
規定するポリマーを含んだ液晶層２４が封止されてい
る。液晶層２４に電圧を印加しながら液晶層２４中に混
合された重合性成分を固化してポリマーを形成する際に
液晶分子がパターン長手方向に配向するように、スペー
ス１０の幅よりパターン幅の方が広く形成された複数の
ストライプ状電極パターン８が配列している。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は、光又は熱により重
合する重合性成分（モノマーやオリゴマー）を含有する
液晶層を基板間に封止し、液晶層に電圧を印加しながら
重合性成分を重合して基板界面に対してごくわずかな傾
斜角（いわゆるプレチルト角）を液晶分子に付与する液
晶表示装置及びその製造方法に関する。また、本発明
は、負の誘電率異方性を有する液晶を垂直配向させたＶ
Ａ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ：垂直配
向）モードの液晶表示装置の液晶表示装置及びその製造
方法に関する。
【０００１】
【従来の技術】負の誘電率異方性を有する液晶を垂直配
向させ、配向規制用構造物として基板上に土手（線状突
起）や電極の抜き部（スリット）を設けたマルチドメイ
ン垂直配向型（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉ
ｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔｍｏｄｅ）液晶表示装置
（以下、ＭＶＡ−ＬＣＤと略称する）が知られている。
配向規制用構造物を設けているため、配向膜にラビング
処理を施さなくても電圧印加時の液晶配向方位を複数方
位に制御可能である。このＭＶＡ−ＬＣＤは、従来のＴ
Ｎ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ：ねじれネマチッ
ク）型のＬＣＤに比べて視角特性に優れている。
【０００２】しかしながら、従来のＭＶＡ−ＬＣＤは、
白輝度が低く表示が暗いという欠点を有している。この
主な原因は、突起上方やスリット上方が配向分割の境界
となって暗線が生じるため、白表示時の透過率が低くな
って暗く見えることに因る。この欠点を改善するには、
突起やスリットの配置間隔を十分広くすればよいが、配
向規制用構造物である突起やスリットの数が少なくなる
ため、液晶に所定電圧を印加しても配向が安定するまで
に時間がかかるようになり、応答速度が遅くなるという
問題を生じる。
【０００３】この問題を改善し、高輝度でしかも高速応
答可能なＭＶＡ−ＬＣＤを得るには、ポリマーを用いた
プレチルト角付与技術が有効である。ポリマーを用いた
プレチルト角付与技術では、液晶にモノマーやオリゴマ
ー等の重合性成分（以下、モノマーと略称する）を混合
した液晶組成物を基板間に封止する。基板間に電圧を印
加して液晶分子をチルトさせた状態下で、モノマーを重
合してポリマー化させる。これにより、電圧印加により
所定の傾斜方向にチルト（傾斜）する液晶層が得られ、
液晶分子の傾斜方向を規定することができる。モノマー
としては、熱若しくは光（紫外線）で重合する材料が選
択される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリマ
ーを用いたプレチルト角付与技術は、完成したＬＣＤ上
に画像を表示させた際の表示むらに関連していくつかの
課題を有している。まず、モノマー重合時の液晶駆動に
おいて局所的に生じる液晶の配向異常に起因して、完成
したＬＣＤの画像表示で表示むらが生じてしまうという
問題がある。また、モノマー重合時の液晶駆動および重
合処理によって生じる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈ
ｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）特性の異常に
起因する表示むらが発生してしまうという問題もある。
【０００５】図２１（ａ）は、ポリマーを用いたプレチ
ルト角付与技術を施した従来のＭＶＡ−ＬＣＤにおける
ポリマー化（重合）時の液晶駆動方法を示している。ま
た、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）に示す液晶駆動方法
で形成されたポリマーが液晶層中に存在するＭＶＡ−Ｌ
ＣＤの表示むらの原因を示している。なお、このＭＶＡ
−ＬＣＤはｎ−チャネルＴＦＴを備えている。
【０００６】一般に、焼き付き現象防止のため、ＬＣＤ
の液晶層には交流電圧が印加される。そこで、ＬＣＤ製
造段階のポリマー化工程においても、液晶層に交流電圧
を印加して液晶分子を傾斜させておいてモノマーを重合
するようにしている。例えば、図２１（ａ）のグラフに
示すように、パネル表示領域の全ゲートバスラインにゲ
ート電圧Ｖｇ＝３３Ｖを印加し続けて、各画素に設けら
れたＴＦＴをオン状態に維持しておいて、全ドレイン
（データ）バスラインに対し、直流のデータ電圧Ｖｄ
（ｄｃ）＝１３Ｖに交流のデータ電圧Ｖｄ（ａｃ）＝±
７Ｖを重畳させたドレイン電圧を印加する。これによ
り、各画素領域に形成された画素電極には、Ｖｄ（ｄ
ｃ）＋Ｖｄ（ａｃ）が書き込まれる。一方、画素電極に
液晶層を介して対向配置された共通（コモン）電極はコ
モン電圧Ｖｃ＝１３Ｖに維持されている。これにより、
液晶層には、データ電圧Ｖｄ（ａｃ）＝±７Ｖの交流電
圧が印加される。
【０００７】この液晶駆動方法により作製されたＭＶＡ
−ＬＣＤの表示むらを図２１（ｂ）に示す。図２１
（ｂ）は、左からＧ（緑）、Ｂ（青）、Ｒ（赤）の順に
並んだ３画素分の表示状態を示している。図中縦楕円内
に示された暗部Ｘ１と明部Ｘ２とが視認される。このよ
うに、図２１（ａ）のグラフに示す駆動方法で、ポリマ
ーを用いたプレチルト角付与技術を用いると、図２１
（ｂ）に示すように画素内の液晶配向、特に画素エッジ
近傍の配向状態がばらついて暗部Ｘ１が形成されてしま
うことが分かる。また、このような状態ではパネルの表
示領域全体を観察すると表示がざらついて見えるという
問題が生じる。
【０００８】また、上記液晶駆動方法では、ゲート電圧
Ｖｇをドレインバスラインの電圧Ｖｄ（ｄｃ）＋Ｖｄ
（ａｃ）より十分大きくしてＴＦＴをオン状態にした後
に、ドレインバスラインに液晶分子を傾斜させるための
電圧Ｖｄ（ｄｃ）＋Ｖｄ（ａｃ）を印加する。ところが
この駆動状態でポリマー化すると、各画素に設けられた
各ＴＦＴのしきい値に大きなばらつきが生じてしまい、
所望の表示ができなかったり表示むらが起きてしまった
りするという不具合を生じる。
【０００９】また、モノマー重合時の液晶を所望の配向
方位に維持するために配向規制用構造物を設ける場合が
ある。配向規制用構造物として、例えば、後の実施例で
用いる図４（ａ）に示す構造がある。この構造では、長
方形画素内を４つの同一形状の長方形に分割する線状の
十字形状の接続電極１２、１４が形成されている。接続
電極１２は長方形画素ほぼ中央で長辺に平行に形成さ
れ、接続電極１４は画素内ほぼ中央を横切る蓄積容量バ
スライン１８上に形成されている。
【００１０】接続電極１２、１４から４５°の角度で繰
り返されて微細電極パターンの複数のストライプ状電極
８が形成されている。接続電極１２、１４と複数のスト
ライプ状電極８とで画素電極が構成される。隣接するス
トライプ状電極８間は電極を抜いた状態のスペース１０
が形成されている。ストライプ状電極８とスペース１０
とで配向規制用構造物を構成している。なお、図４
（ａ）のストライプ状電極８及びスペース１０に代え
て、画素内全面に形成した画素電極上に微細線状突起を
形成するようにしてももちろんよい。
【００１１】このような微細ライン・アンド・スペース
パターンを形成すると、液晶分子は微細パターンの長手
方向に平行に配向する。こうすることにより画素内に配
向分割境界部をできるだけ少なくすることができる。と
ころが、フォトプロセスでの露光パターンのばらつきに
起因した微細電極パターン幅のわずかなばらつきにより
Ｔ−Ｖ特性（透過率−階調電圧特性）が変化し、これが
表示むらとして見えてしまうという問題が生じる。
【００１２】また、上述のようにＭＶＡ−ＬＣＤは配向
膜にラビング処理を施さないため、画素電極の外側領域
の液晶分子に対して配向方位を規制する手段が設けられ
ていない。そのため、図２０（ａ）に示すように、配向
ベクトルの特異点（図中、○又は●で示す）が画素電極
外にランダムに発生し、そのままの配向が維持される場
合がある。このため、画素電極外または画素電極エッジ
近傍の液晶分子２４ａが所望の方位以外に配向した状態
でモノマーが重合されてしまうと、図２０（ａ）に示す
ように隣接する特異点同士を結ぶ領域に暗線が生じてし
まい、輝度低下や応答時間の遅れ、あるいは表示むらが
発生する問題が生じる。
【００１３】本発明の目的は、ポリマーを用いたプレチ
ルト角付与技術を用いて液晶の配向方位を規制して、広
い視野角が得られると共に、中間調の応答時間を短くで
きる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的は、光又は熱に
より重合する重合性成分を含有する液晶層を基板間に封
止し、前記液晶層に電圧を印加しながら前記重合性成分
を重合して、液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時
の傾斜方向を規定する液晶表示装置の製造方法におい
て、前記液晶表示装置がｎ−チャネルＴＦＴを備えてい
る場合には、下記の電圧印加条件１に引き続いて電圧印
加条件２で前記液晶層に電圧を印加し、前記電圧印加条
件２の段階で前記重合性成分を重合させることを特徴と
する液晶表示装置の製造方法によって達成される。 電圧印加条件１：Ｖｇ＞Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ 電圧印加条件２：Ｖｃ＞Ｖｄ（ｄｃ） ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分） である。
【００１５】
【発明の実施の形態】〔第１の実施の形態〕本発明の第
１の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法に
ついて図１乃至図２１を用いて説明する。まず、本実施
の形態による液晶表示装置及びその製造方法の第１の原
理について図１を用いて説明する。図１（ａ）は、ポリ
マーを用いたプレチルト角付与技術を施したＭＶＡ−Ｌ
ＣＤにおけるポリマー重合時の第１の原理による液晶駆
動方法を示している。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）
に示す第１の原理の液晶駆動方法で形成されたポリマー
が液晶層中に存在するＭＶＡ−ＬＣＤの表示状態を示し
ている。なお、このＭＶＡ−ＬＣＤはｎ−チャネルＴＦ
Ｔを備えている。
【００１６】ＬＣＤ製造段階のポリマー化工程におい
て、第１の原理による液晶駆動方法は、直流電圧駆動で
あり、液晶層に交流電圧は印加しない。さらに、ゲート
バスラインに対し、ドレイン（データ）バスラインより
十分高い電圧を印加し、コモン電極の電圧をドレインバ
スライン（画素電極）の電圧より高くする。こうするこ
とにより図２１に示した従来例に比べ、画素内の液晶配
向の乱れがなく、パネル全体で見た場合にもざらつきの
ない表示を得ることができる。
【００１７】例えば、図１（ａ）のグラフに示すよう
に、パネル表示領域の全ゲートバスラインにゲート電圧
Ｖｇ＝３３Ｖを印加し続けて、各画素に設けられたＴＦ
Ｔをオン状態に維持しておいて、全ドレインバスライン
に対し、直流のデータ電圧Ｖｄ（ｄｃ）＝１３Ｖを印加
する。これにより、各画素領域に形成された画素電極に
は、Ｖｄ（ｄｃ）が書き込まれる。一方、画素電極に液
晶層を介して対向配置されたコモン電極はコモン電圧Ｖ
ｃ＝２０Ｖに維持されている。これにより、液晶層に
は、コモン電位に対して−７Ｖの直流電圧が印加され
る。
【００１８】この液晶駆動方法により作製されたＭＶＡ
−ＬＣＤの表示を図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）は、左
からＧ（緑）、Ｂ（青）、Ｒ（赤）の順に並んだ３画素
分の表示状態を示している。図１（ａ）のグラフに示す
駆動方法で、ポリマーを用いたプレチルト角付与技術を
実施すると、図１（ｂ）に示すように画素内の液晶配
向、特に画素エッジ近傍の配向状態のばらつきがなくな
り図２１（ｂ）の暗部Ｘ１が消滅しているのがわかる。
これにより表示むらが解消されると共にパネルの表示領
域全体を観察しても表示のざらつきは視認されない。
【００１９】次に、本実施の形態による液晶表示装置及
びその製造方法の第２の原理について図２を用いて説明
する。図２（ａ）は、第２の原理による液晶駆動方法を
示している。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す第
２の原理の液晶駆動方法で形成されたポリマーが液晶層
中に存在するＭＶＡ−ＬＣＤの表示状態を示している。
【００２０】基板間に封止された液晶層内のモノマーの
ポリマー化工程において、第２の原理による液晶駆動方
法は、ゲートバスラインに対し、ドレインバスラインよ
り十分高い電圧を印加して、コモン電極の電圧をドレイ
ンバスライン（画素電極）の電圧より高くする。さらに
その後、コモン電極の電位を画素電極の電圧に近づけな
がら、同時に画素電極に交流電圧を印加していく。液晶
層には、最初直流電圧が印加され、その後交流電圧が印
加されることとなる。この場合も、図２１（ａ）（ｂ）
の従来例に比べ、画素内の液晶配向の乱れがなく、パネ
ル全体で見た場合にもざらつきのない表示を得ることが
できる。
【００２１】例えば、図２（ａ）の上側のグラフに示す
ように、パネル表示領域の全ゲートバスラインにゲート
電圧Ｖｇ＝３３Ｖを印加し続けて、各画素に設けられた
ＴＦＴをオン状態に維持しておいて、全ドレインバスラ
インに対し、直流のデータ電圧Ｖｄ（ｄｃ）＝１３Ｖを
印加する。これにより、各画素領域に形成された画素電
極には、Ｖｄ（ｄｃ）が書き込まれる。一方、画素電極
に液晶層を介して対向配置されたコモン電極はコモン電
圧Ｖｃ＝２０Ｖに維持されている。これにより、液晶層
には、コモン電位に対して−７Ｖの直流電圧が印加され
る。
【００２２】次いで、図２（ａ）の下側のグラフに示す
ように、コモン電圧Ｖｃを２０Ｖから徐々にデータ電圧
Ｖｄ（ｄｃ）＝１３Ｖまで近づけていく。それと共に全
ドレインバスラインに対し、直流のデータ電圧Ｖｄ（ｄ
ｃ）＝１３Ｖに交流のデータ電圧Ｖｄ（ａｃ）のレベル
を徐々に上げながら±７Ｖまで重畳させる。これによ
り、各画素領域に形成された画素電極には、Ｖｄ（ｄ
ｃ）＋Ｖｄ（ａｃ）が書き込まれる。液晶層には、最初
直流電圧が印加され、その後交流電圧が印加されること
になる。
【００２３】この液晶駆動方法により作製されたＭＶＡ
−ＬＣＤの表示を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）は、図
１（ｂ）と同様の構成の３画素分の表示状態を示してい
る。図２（ａ）のグラフに示す駆動方法で、ポリマーを
用いたプレチルト角付与を行うと、図２（ｂ）に示すよ
うに画素エッジ近傍の配向状態に多少のばらつきが生じ
るものの、図２（ｂ）の暗部Ｘ１の方が図２１（ｂ）の
暗部Ｘ１より小さく輝度ばらつきは減少する。これによ
り表示むらを低減できると共にパネルの表示領域全体の
観察によっても表示のざらつきは低減される。
【００２４】次に、本実施の形態による液晶表示装置及
びその製造方法の第３の原理について図３を用いて説明
する。図３（ａ）は、第１の原理による液晶駆動方法に
別の駆動方法を追加した第３の原理を示し、図３（ｂ）
は、第２の原理による液晶駆動方法に別の駆動方法を追
加した第３の原理を示している。
【００２５】図３（ａ）及び図３（ｂ）の左側のグラフ
は第１および第２の原理における図１、図２に示した駆
動方法をそれぞれ示している。これらの駆動方法による
液晶駆動に引き続いて、ゲートバスラインへの印加電圧
Ｖｇを図中矢印に示すように徐々に下げてドレインバス
ラインへの印加電圧（データ電圧Ｖｄ（ｄｃ）＋Ｖｄ
（ａｃ））に近づける（図中央及び右のグラフ参照）。
この状態にてモノマーをポリマー化することにより、Ｔ
ＦＴのしきい値ばらつきを抑えて表示むらの発生しない
パネルを得ることができる。
【００２６】次に、本実施の形態による液晶表示装置及
びその製造方法の第４の原理について図４及び図５を用
いて説明する。図４（ａ）は、基板面法線方向に見た１
画素２の構造を示している。図４（ａ）は従来の技術を
説明する項で既に説明したので、その説明は省略する。
図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ線での部分断面を示
している。図５は、図４（ａ）のＢ−Ｂ線での部分断面
を示している。
【００２７】図４（ｂ）及び図５において、アレイ基板
側のガラス基板２０上にドレインバスライン６が形成さ
れ、その上に絶縁膜２２が形成されている。絶縁膜２２
上には、接続電極１２、１４と複数のストライプ状電極
８とで画素電極が形成されている。画素電極上には液晶
層２４と接する配向膜３２が形成されている。液晶層２
４を挟んでガラス基板２０に対向して対向基板が配置さ
れている。対向基板側のガラス基板３０上にはカラーフ
ィルタ層２８が形成され、その上にコモン電極２６が形
成されている。コモン電極２６上には配向膜３４が液晶
層２４に接して形成されている。液晶層２４の厚さは所
定のセルギャップｄとして規定されている。図５に示す
ように、液晶分子２４ａは、ストライプ状電極８とスペ
ース１０とによる配向規制により、ストライプ状電極８
の延伸方向に平行に配向される。
【００２８】第４の原理においては、図４（ａ）及び図
５に示すストライプ状電極８の電極幅Ｌをスペース１０
の幅Ｓより大きくする。こうすることにより、ストライ
プ状電極８のパターニングプロセス（露光、現像、エッ
チング）時に発生するパターンばらつきに対する透過率
変化が少なくなり表示むらを改善できるようになる。
【００２９】次に、本実施の形態による液晶表示装置及
びその製造方法の第５の原理について図６を用いて説明
する。図６（ａ）は、基板面法線方向に見た１画素の構
造を示している。バスライン幅（本例ではドレインバス
ライン幅）を延伸方向に沿って変化させることにより、
配向ベクトルの特異点（図中、○又は●で示す）の発生
位置を一定位置にするよう制御することができる。すな
わち、当該バスラインを配向規制用構造として、画素電
極外周囲の液晶分子の配向ベクトルの特異点を一定位置
に形成することができる。これにより、画素電極外の液
晶配向が規定されるため、図２０（ａ）に示すような暗
線の発生を抑制してモノマーを重合して、輝度や表示む
らの改善を図ることができる。
【００３０】上記第１乃至第５の原理を用いた本実施の
形態による液晶表示装置及びその製造方法について、以
下具体的に実施例及び比較例を用いて説明する。
【００３１】［実施例１−１］図１及び図４を再び用い
て本実施例を説明する。本実施例では、対角１５インチ
のＸＧＡパネル（画素ピッチ２９７μｍ、画素数１０２
４×７６８）を作製した。パネルの画素構成を図４に示
す。ガラス基板２０を含むアレイ基板上にｎ−チャネル
ＴＦＴ１６、ドレインバスライン６、ゲートバスライン
４、および接続電極１２、１４と複数のストライプ状電
極８とからなる画素電極を形成した。ガラス基板３０を
含む対向基板には、カラーフィルタ層２８およびコモン
電極２６を形成した。基板材料には板厚０．７ｍｍのガ
ラス基板を用いた。複数のストライプ状電極８は画素中
央部から４方位（右上、右下、左上、左下）にそれぞれ
延伸するように形成した。ストライプ状電極８の電極幅
は３μｍ、スペース１０の幅は３μｍとした。これらの
基板上に、印刷法を用いて垂直配向膜（ポリイミド材
料）を形成し、１８０℃で６０分の熱処理を行った。こ
れらの基板を径４μｍのスペーサを介して貼り合わせ、
空セル（液晶が未注入の状態のセル）を作製した。こう
して得たセルに、光重合性モノマーを微量添加した誘電
率異方性が負の液晶を注入し、液晶パネルを作製した。
光重合性モノマーの添加量は、２．４ｗｔ％とした。
【００３２】次に、液晶層２４に電圧を印加した状態で
紫外（ＵＶ）光を照射し、光重合性モノマーを重合させ
た。図３にも示しているが、液晶層２４への駆動電圧は
下記電圧印加条件１に引き続いて電圧印加条件２のよう
にして、電圧印加条件２の段階で液晶層２４に対して光
照射を行った。
【００３３】 電圧印加条件１：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝Ｖｄ（ｄｃ）＝
１３Ｖ 電圧印加条件２：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝２０Ｖ、Ｖｄ
（ｄｃ）＝１３Ｖ
【００３４】電圧印加の手順をより詳細に説明する。ま
ず、Ｖｇ＝Ｖｃ＝Ｖｄ（ｄｃ）＝１３Ｖとした。次い
で、ゲート電圧Ｖｇを３３Ｖまで上昇させた。電圧上昇
の速度は、１Ｖ／ｓｅｃ程度とした。次に、コモン電圧
Ｖｃを２０Ｖまで上昇させた。電圧上昇の速度は約１Ｖ
／ｓｅｃとした。特に、この電圧上昇は連続的な変化の
方が好ましく、急激に上昇させると、画素内に配向の乱
れが発生する場合がある。なお、本実施例では、コモン
電圧Ｖｃを上げて２０Ｖとした例を示したが、コモン電
圧Ｖｃ＞データ電圧Ｖｄ（ｄｃ）、となればよいので、
例えばコモン電圧Ｖｃを変えずにデータ電圧Ｖｄ（ｄ
ｃ）を下げるようにしてもよい。
【００３５】ポリマー化のための光照射量は、約２００
０ｍＪ／ｃｍ2（波長λ＝３６５ｎｍ）とした。画素内
の配向状態に乱れはなく、ざらつき感のない表示が得ら
れた。なお、駆動条件１から駆動条件２への電圧変化の
際、コモン電圧Ｖｃを一旦所定値よりも高くしてから下
げた方が、ざらつき感がより一層改善される。例とし
て、Ｖｃ＝１３ＶからＶｃ＝２３Ｖに引上げ、次いでＶ
ｃ＝２０Ｖに下げるように変化させればよい。
【００３６】［比較例１−１］図７を用いて比較例につ
いて説明する。本比較例は、以下の要件を除いて実施例
１−１と同様である。液晶層２４への駆動電圧は下記電
圧印加条件１に引き続いて電圧印加条件２のようにし
て、電圧印加条件２の段階で液晶層２４に対して光照射
を行った。
【００３７】 電圧印加条件１：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝Ｖｄ（ｄｃ）＝
１３Ｖ 電圧印加条件２：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝６Ｖ、Ｖｄ（ｄ
ｃ）＝１３Ｖ
【００３８】実施例１−１に対して本比較例では、コモ
ン電圧Ｖｃとデータ電圧Ｖｄ（ｄｃ）の大小関係が逆に
なっている。本比較例の場合には、画素内の配向が大き
く乱れており、表示にざらつきが見られた。
【００３９】［比較例１−２］図２１を用いて、本比較
例について説明する。本比較例は、以下の要件を除いて
実施例１−１と同様である。液晶層２４への駆動電圧は
下記電圧印加条件１に引き続いて電圧印加条件２のよう
にして、電圧印加条件２の段階で液晶層２４に対して光
照射を行った。
【００４０】 電圧印加条件１：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝Ｖｄ（ｄｃ）＝
１３Ｖ 電圧印加条件２：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝１３Ｖ、Ｖｄ
（ｄｃ）＝１３Ｖ、Ｖｄ（ａｃ）＝７Ｖ（矩形波３０Ｈ
ｚ）
【００４１】画素電極に交流電圧が印加されており、こ
の駆動方法が実際のＬＣＤの液晶駆動方式に最も近い。
但しこの場合、特に画素エッジ部近傍の配向に乱れがあ
り、表示にざらつきが見られた。
【００４２】［実施例１−２］図２を用いて本実施例に
ついて説明する。本実施例は、以下の要件を除いて実施
例１−１と同様である。液晶層２４への駆動電圧は下記
電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２を実施し、さら
に電圧印加条件３に移行して、電圧印加条件３の段階で
液晶層２４に対して光照射を行った。
【００４３】 電圧印加条件１：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝Ｖｄ（ｄｃ）＝
１３Ｖ 電圧印加条件２：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝２０Ｖ、Ｖｄ
（ｄｃ）＝１３Ｖ 電圧印加条件３：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝Ｖｄ（ｄｃ）＝
１３Ｖ、Ｖｄ（ａｃ）＝７Ｖ（３０Ｈｚ）
【００４４】実施例１−１と同様の液晶駆動の後、コモ
ン電圧Ｖｃをデータ電圧Ｖｄ（ｄｃ）の値に徐々に近づ
けながら、同時にデータ電圧Ｖｄ（ａｃ）の振幅を徐々
に大きくした。これにより本実施例では、画素エッジの
配向が若干乱れているものの、ざらつき感のない表示が
得られた。
【００４５】以上説明した実施例１−１、１−２、及び
比較例１−１、１−２で得られたＬＣＤの画素内配向状
態及び表示のざらつきの結果を図８に示す。図中○は
「良好」を表し、△は「可」を表し、×は「不良」を表
している。
【００４６】［実施例１−３］次に、図３（ａ）を用い
て本実施例について説明する。本実施例は、以下の要件
を除いて実施例１−１と同様である。液晶層２４への駆
動電圧は下記電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２を
実施し、さらに電圧印加条件３に移行して、電圧印加条
件３の段階で液晶層２４に対して光照射を行い、光重合
性モノマーを重合させた。
【００４７】 電圧印加条件１：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝Ｖｄ（ｄｃ）＝
１３Ｖ 電圧印加条件２：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝２０Ｖ、Ｖｄ
（ｄｃ）＝１３Ｖ 電圧印加条件３：Ｖｇ＝１３Ｖ、Ｖｃ＝２０Ｖ、Ｖｄ
（ｄｃ）＝１３Ｖ すなわち、実施例１−１と同様の液晶駆動を行った後、
ゲート電圧Ｖｇのレベルを徐々に下げてデータ電圧Ｖｄ
（ｄｃ）と等しくした。
【００４８】こうすることにより、実施例１−１の駆動
のみで液晶層２４にＵＶ照射した場合は、ＴＦＴの閾値
ばらつきに起因する表示むらが発生することがあった
が、本実施例に示すような液晶駆動をさせた場合には、
ＴＦＴの閾値ばらつき起因の表示むらは皆無となり、且
つ画素内の液晶配向もほぼ良好であった。
【００４９】ゲート電圧Ｖｇのレベル変化に伴う液晶配
向状態の変化を図９に示す。図９（ａ）〜図９（ｆ）
は、ゲート電圧Ｖｇが３３Ｖ、２６Ｖ、２０Ｖ、１３
Ｖ、１０Ｖ、及び６Ｖでの表示状態を示している。図９
（ａ）は、図１（ｂ）と同一の状態である。また、図９
（ｂ）〜図９（ｄ）に示すように、ゲート電圧Ｖｇ＝Ｖ
ｄ（ｄｃ）＝１３Ｖまでは配向状態はほぼ安定してい
る。図９（ｅ）及び図９（ｆ）に示すように、ゲート電
圧Ｖｇ＜Ｖｄ（ｄｃ）となると、ゲートバスライン近傍
に顕著な暗線が出現してくる。従って、ゲート電圧Ｖｇ
＜Ｖｄ（ｄｃ）の状態でポリマーを形成すると、ＴＦＴ
の閾値シフト起因の表示むらやざらつきは生じないもの
の表示輝度は低下してしまう。
【００５０】次に、ゲート電圧Ｖｇに対する配向状態と
ＴＦＴの閾値シフト起因のむらとの関係を図１０に示
す。図１０に示すように本実施例で用いた液晶パネルで
はゲート電圧Ｖｇ＝１３〜２０Ｖが最適駆動条件である
といえる。特に、ゲート電圧Ｖｇ＝１３Ｖはデータ電圧
Ｖｄ（ｄｃ）と同値であり、ＴＦＴが形成されたアレイ
基板上の電位分布を平坦にすることができる。従って、
画素電極エッジで不要な横電界の影響が低減されるため
配向の乱れを生じさせないようにでき、ポリマー化時の
好ましい液晶駆動条件であるということができる。
【００５１】［実施例１−４］次に、図３（ｂ）を用い
て本実施例について説明する。本実施例は、以下の要件
を除いて実施例１−１と同様である。液晶層２４への駆
動電圧は下記電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２、
電圧印加条件３をこの順に実施して、さらに電圧印加条
件４に移行して、電圧印加条件４の段階で液晶層２４に
対して光重合性モノマーに光照射を行った。
【００５２】 電圧印加条件１：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝Ｖｄ（ｄｃ）＝
１３Ｖ 電圧印加条件２：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝２０Ｖ、Ｖｄ
（ｄｃ）＝１３Ｖ 電圧印加条件３：Ｖｇ＝３３Ｖ、Ｖｃ＝Ｖｄ（ｄｃ）＝
１３Ｖ、Ｖｄ（ａｃ）＝７Ｖ（３０Ｈｚ） 電圧印加条件４：Ｖｇ＝１３Ｖ、Ｖｃ＝Ｖｄ（ｄｃ）＝
１３Ｖ、Ｖｄ（ａｃ）＝７Ｖ（３０Ｈｚ） すなわち、実施例１−２と同様の液晶駆動を行った後、
ゲート電圧Ｖｇのレベルを徐々に下げてデータ電圧Ｖｄ
（ｄｃ）と等しくした。
【００５３】こうすることにより、実施例１−１の駆動
のみで液晶層２４にＵＶ照射した場合は、ＴＦＴの閾値
ばらつきに起因する表示むらが発生することがあった
が、本実施例に示すような液晶駆動をさせた場合には、
ＴＦＴの閾値ばらつき起因の表示むらは皆無となり、且
つ画素内の液晶配向もほぼ良好であった。
【００５４】［実施例１−５］図４及び図５に加えて図
１１乃至図１４を用いて本実施例を説明する。本実施例
は、以下の要件を除いて実施例１−３と同様である。本
実施例では、図４、図５に示すストライプ状電極８のパ
ターン幅Ｌをスペース１０のスペース幅Ｓより大きくす
る。具体的には、従来Ｌ＝３μｍ、Ｓ＝３μｍとしてい
たのを本実施例ではＬ＝４μｍ、Ｓ＝２μｍとする。図
１１乃至図１４に、ストライプ状電極８の幅Ｌが設計値
から約０．２μｍずれて形成された場合の中間調表示に
おける透過率の変化率を示す。
【００５５】図１１はシミュレーションの結果を示し、
図１２乃至図１４は実際の液晶セルから得られた実測値
を示している。図１２はセルギャップｄ＝４μｍ、図１
３はセルギャップｄ＝３．５μｍ、図１４はセルギャッ
プｄ＝４．５μｍの液晶パネルである。図１１（ａ）乃
至図１４（ａ）は、横方向にストライプ状電極８のパタ
ーン幅Ｌ（設計値）をとり、縦方向にスペース幅Ｓ（設
計値）をとって、液晶層２４に駆動電圧３Ｖを印加した
場合の透過率の変化率を示している。図１１（ａ）では
Ｌ＝１μｍ〜５μｍまでを０．５μｍ毎に分け、Ｓ＝１
μｍ〜５μｍまでを０．５μｍ毎に分けている。図１２
（ａ）〜図１４ではＬ＝２μｍ〜５μｍまでを１μｍ毎
に分け、Ｓ＝１μｍ〜５μｍまでを１μｍ毎に分けてい
る。
【００５６】図１１（ａ）のＬ＝３、Ｓ＝３の透過率の
変化率を例にとって説明する。例えば、Ｌ＝３μｍ（設
計値）、Ｓ＝３μｍ（設計値）で液晶パネルの液晶層に
駆動電圧３Ｖを印加した場合の透過率がＡ％であるとす
る。一方、設計値から０．２μｍずれてＬ＝２．８μｍ
になったストライプ状電極８と、その結果０．２μｍ太
くなってＳ＝３．２μｍになったスペース１０が形成さ
れた液晶パネルの液晶層に駆動電圧３Ｖを印加した場合
の透過率をＢ％とする。また、Ｌ＝３．２μｍ、Ｓ＝
２．８μｍの液晶パネルの液晶層に駆動電圧３Ｖを印加
した場合の透過率をＣ％とする。
【００５７】図１１（ａ）のＬ＝３、Ｓ＝３の透過率の
変化率は、（（｜Ａ−Ｂ｜／Ａ＋｜Ａ−Ｃ｜／Ａ）／
２）×１００（％）で表され、この例では、１４．１７
となっている。他の図１１（ａ）乃至図１４（ａ）も同
様である。また、図１１（ｂ）乃至図１４（ｂ）は、横
軸にストライプ状電極８の幅Ｌをとり、縦軸にスペース
１０のスペース幅Ｓをとって各図（ａ）の値をプロット
したグラフである。図１１（ｂ）乃至図１４（ｂ）から
明らかなように、いずれの場合においても、ストライプ
状電極８のパターン幅Ｌをスペース１０のスペース幅Ｓ
より大きくすることにより、透過率の変化率が小さくな
ることが分かる。また、ここに示す他条件の結果も合わ
せて考えると、パターン幅Ｌを大きくしてスペース幅Ｓ
を小さくするようにすれば変化率が改善されることが分
かる。
【００５８】ところで、上記図１１乃至図１４は、ポリ
マーを用いてプレチルト角が付与された液晶を使用して
いない場合の透過率の変化率データを示している。実験
結果から、同じ微細パターン電極を用いた液晶パネルで
あっても、ポリマーを用いてプレチルト角が付与された
液晶を使用したＬＣＤと、ポリマーによるプレチルト角
が付与されていない液晶を使用していないＬＣＤとで
は、パターン変化に対する透過率の変化率の傾向がやや
異なることが分かった。
【００５９】図８４に、ポリマーを用いたプレチルト角
が付与されていないパネルの透過率の変化率とポリマー
を用いたプレチルト角が付与されたパネルの透過率の変
化率とを対比して示す。図８４は、ポリマーを用いたプ
レチルト角が付与されていないパネルの透過率の変化率
であって、上から順に印加電圧が２．５Ｖ、３Ｖ、１０
Ｖの場合の各グラフを左欄に示している。また、右欄に
は、ポリマーを用いたプレチルト角が付与されたパネル
の透過率の変化率（重合化電圧＝１０Ｖ）であって、左
欄に対応させて上から順に印加電圧が２．５Ｖ、３Ｖ、
１０Ｖの場合の各グラフを示している。
【００６０】図８４から明らかなように、中間調表示に
おいて変化率が最小となるスペース幅Ｓの値が異なって
いる。ポリマーを用いてプレチルト角が付与された液晶
を使用しない場合はスペース幅Ｓが小さくなるほど変化
率が最小だが、ポリマーを用いてプレチルト角を付与し
た液晶を使用した場合は、スペース幅Ｓ＝３．２５μｍ
近辺が変化率最小となっており、Ｓ＝２．５μｍ以上で
あることが好ましい。
【００６１】この原因は、モノマー材の重合化時の電圧
印加（ここでは１０Ｖ印加）によって得られる配向状態
が、重合後の配向状態に影響を及ぼしているためと考え
られる。図８４最下行に１０Ｖ印加時の透過率の変化率
のグラフを示している。中間調での傾向とは逆に、パタ
ーン幅Ｌが大でスペース幅Ｓが小で変化率が大きい。こ
の状態にてモノマーを重合するため、重合後の中間調等
の表示において重合時の配向状態の影響が現れるものと
考えられる。
【００６２】なお、中間調表示時において、パターン幅
Ｌよりスペース幅Ｓが大きい場合に変化率が大となる傾
向は、両者共通している。また、上述のような微細電極
パターンを用いた場合に代表されるような、そのままで
は、駆動時の配向状態が不安定なモードにおいて、ポリ
マーを用いたプレチルト角付与技術による高速化がさら
に有効である。図８５は、上述のようなストライプ電極
を有するモードにおいて、ポリマーを用いてプレチルト
角を付与していない液晶を有するＬＣＤとポリマーを用
いてプレチルト角を付与した液晶を有するＬＣＤとにお
ける、到達透過率と立ち上がり時間との関係を示してい
る。図８５に示すように、ポリマーを用いてプレチルト
角を付与しない場合は、電圧印加時の液晶の配向が大き
く乱れ、その結果応答が非常に遅いが、ポリマーを用い
てプレチルト角を付与することにより、液晶の配向が定
まるため、大幅な応答改善が実現されている。
【００６３】［実施例１−６］図１５を用いて本実施例
について説明する。本実施例は、以下の要件を除いて実
施例１−５と同様である。図１５に示す液晶パネルは、
図４及び図５に示した画素電極と異なる形状の画素電極
４０を有している。画素電極４０は画素領域内に電極抜
き領域（スペース１０）が形成されていない。その代わ
り、誘電体からなる線状突起４２が図４に示したスペー
ス１０に対応して画素電極４０上に形成されている。画
素電極４０及び線状突起４２上に垂直配向膜３２が形成
されている。
【００６４】線状突起４２の幅Ｓは、隣接する線状突起
４２間の電極露出幅Ｌより小さくする。具体的には、従
来Ｌ＝３μｍ、Ｓ＝３μｍに対して、本実施例ではＬ＝
４μｍ、Ｓ＝２μｍとする。図４に示すスペース１０と
線状突起４２とはほぼ同等の配向規制効果を持つことか
ら、本実施例も実施例１−５と同様の効果により、透過
率の変化率を小さくすることができる。なお、誘電体材
料には感光性アクリル樹脂を用い、線状突起４２の高さ
Ｈは約０．３μｍとした。
【００６５】［実施例１−７］図１６及び図１７を用い
て本実施例について説明する。本実施例は、以下の要件
を除いて実施例１−５と同様である。図１６に示す液晶
パネルは、図４及び図１５に示した画素電極と異なる形
状の画素電極４６を有している。画素電極４６には画素
領域内に電極抜き領域（スペース１０）が形成されてい
ない。その代わり、誘電体からなる線状突起４４が図４
に示したスペース１０に対応して画素電極４６下層に形
成されている。従って、画素電極４６は導電性突起を有
する電極構造となっている。画素電極４６上には垂直配
向膜３２が形成されている。
【００６６】導電性突起の幅をＬ、隣接する導電性突起
間の導電性窪みの幅をＳとし、Ｌ＝３μｍ及びＳ＝３μ
ｍ、Ｌ＝４μｍ及びＳ＝２μｍの場合について、実施例
１−５の図１１に示すストライプ状電極８とスペース１
０の組合せの場合のシミュレーション例と比較した。比
較結果を図１７に示す。図１７に示すように、導電性突
起の方が透過率変化が格段に小さく、パターンばらつき
起因のむらが発生し難い構造であることが分かる。
【００６７】［実施例１−８］再び図６を用いて本実施
例について説明する。本実施例は、以下の要件を除いて
実施例１−５と同様である。図６に示すようにドレイン
バスライン６の幅を連続的に変化させた。ゲートバスラ
イン４との交差部付近で細くなり、ゲートバスライン６
間の中央付近で太くなるようにした。細い部分の幅を３
μｍ、太い部分の幅を１５μｍとした。ドレインバスラ
イン６上の液晶配向の方向性が規定されるため、輝度や
表示むらを改善することができる。
【００６８】［実施例１−９］図１８及び図１９を用い
て本実施例について説明する。本実施例は、以下の要件
を除いて実施例１−５と同様である。図１８は、図４に
示したストライプ状電極８とスペース１０との組合せに
よる画素電極を有する画素において、画素内の液晶分子
２４ａが理想的に配向した場合の表示状態を示してい
る。図１８に示すように、ゲートバスライン４、ドレイ
ンバスライン６、接続電極１２、１４、及び蓄積容量バ
スライン１８上に暗線Ｘ１が発生し、さらに、ストライ
プ状電極８とスペース１０で構成される画素電極周辺部
にも暗線Ｘ１が発生する。
【００６９】図１８中の○印５２は配向ベクトルの特異
点（−１）を表し、●印５０は配向ベクトルの特異点
（＋１）を表している。なお、図示の状態において、液
晶パネル両面に貼り合わされる２枚の偏光板はクロスニ
コルに配置され、それらの偏光軸の向きは、図１８の十
字矢印に示す方向であり、表示領域上の主たる液晶分子
の配向方位に対して４５°傾いている。
【００７０】これに対して、図１９に示す本実施例の構
造では、従来よりも厚い絶縁層５６を形成した。図１９
（ａ）は、基板面法線方向に見た状態を示し、図１９
（ｂ）は、図１９（ａ）のＣ−Ｃ線で切断したアレイ基
板側の断面を示している。図１９に示すように、絶縁層
５６上にストライプ状電極８を形成し、その端部は基板
面法線方向に見てドレインバスライン６と一部重複する
ように形成されている。絶縁層５６材料には、感光性ア
クリル樹脂を用い、膜厚は３μｍとした。
【００７１】なお、アレイ基板側にカラーフィルタ層を
形成し（ＣＦｏｎＴＦＴ構造）、カラーフィルタ層を絶
縁層５６の代わりに用いるようにしてもよい。また、図
１９（ｂ）に示すように、カラーフィルタ層５４と絶縁
層５６とを積層して厚い絶縁層を形成するようにしても
もちろんよい（この場合は、絶縁層５６によって基板を
平坦化させてもよい）。本実施例の構成にすることによ
り、ドレインバスライン６から液晶層２４への斜め電界
の影響が弱くなり、液晶分子２４ａはストライプ状電極
８とスペース１０の影響のみ受けて配向するようにな
る。これによりゲートバスライン４及びドレインバスラ
イン６上の暗線Ｘ１がストライプ状電極８とスペース１
０で構成される画素電極周辺部の暗線Ｘ１と一体となり
１本の暗線だけとなる。このため、暗線Ｘ１の数の減少
により輝度を向上させることができるようになる。
【００７２】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、熱若しくは光で重合するモノマーをポリマー化して
液晶分子のプレチルト角及び／又は電圧印加時の傾斜方
向を規定した液晶表示装置の表示特性を大幅に改善する
ことができる。
【００７３】本発明は上記実施の形態に限らず種々の変
形が可能である。上記実施の形態ではｎ−チャネルＴＦ
Ｔを備えたＬＣＤを例にとって説明したが、本発明はこ
れに限らず、ｐ−チャネルＴＦＴにももちろん適用可能
である。
【００７４】従って、上記目的は、光又は熱により重合
する重合性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前
記液晶層に電圧を印加しながら前記重合性成分を重合し
て、液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方
向を規定する液晶表示装置の製造方法において、前記液
晶表示装置がｐ−チャネルＴＦＴを備えている場合に
は、下記の電圧印加条件１に引き続いて電圧印加条件２
で前記液晶層に電圧を印加し、前記電圧印加条件２の段
階で前記重合性成分を重合させることを特徴とする液晶
表示装置の製造方法によって達成される。 電圧印加条件１：Ｖｇ＜Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ 電圧印加条件２：Ｖｃ＜Ｖｄ（ｄｃ） ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分） である。
【００７５】また、上記目的は、光又は熱により重合す
る重合性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前記
液晶層に電圧を印加しながら前記重合性成分を重合し
て、液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方
向を規定する液晶表示装置の製造方法において、前記液
晶表示装置がｐ−チャネルＴＦＴを備えている場合に
は、下記の電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２で前
記液晶層に電圧を印加し、さらに印加電圧条件３で前記
液晶層に電圧を印加し、前記電圧印加条件３の段階で前
記重合性成分を重合させることを特徴とする液晶表示装
置の製造方法によって達成される。 電圧印加条件１：Ｖｇ＜Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ、Ｖｄ（ａ
ｃ）＝０ 電圧印加条件２：Ｖｃ＜Ｖｄ（ｄｃ） 電圧印加条件３：ＶｃをＶｄ（ｄｃ）に近づけながら、
Ｖｄ（ａｃ）を徐々に０以上にする。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分）、 Ｖｄ（ａｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（交流
成分） である。
【００７６】さらに上記目的は、光又は熱により重合す
る重合性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前記
液晶層に電圧を印加しながら前記重合性成分を重合し
て、液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方
向を規定する液晶表示装置の製造方法において、前記液
晶表示装置がｐ−チャネルＴＦＴを備えている場合に
は、下記の電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２で前
記液晶層に電圧を印加し、さらに印加電圧条件３で前記
液晶層に電圧を印加し、前記電圧印加条件３の段階で前
記重合性成分を重合させることを特徴とする液晶表示装
置の製造方法によって達成される。 印加電圧条件１：Ｖｇ＜Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ 印加電圧条件２：Ｖｃ＜Ｖｄ（ｄｃ） 印加電圧条件３：Ｖｇを大きくして、Ｖｄ（ｄｃ）に近
づける。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分） である。
【００７７】またさらに上記目的は、光又は熱により重
合する重合性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、
前記液晶層に電圧を印加しながら前記重合性成分を重合
して、液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜
方向を規定する液晶表示装置の製造方法において、前記
液晶表示装置がｐ−チャネルＴＦＴを備えている場合に
は、下記の電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２、次
いで印加電圧条件３を前記液晶層に電圧を印加し、さら
に印加電圧条件４で前記液晶層に電圧を印加し、前記電
圧印加条件４の段階で前記重合性成分を重合させること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法によって達成され
る。 電圧印加条件１：Ｖｇ＜Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ、Ｖｄ（ａ
ｃ）＝０ 電圧印加条件２：Ｖｃ＜Ｖｄ（ｄｃ） 電圧印加条件３：ＶｃをＶｄ（ｄｃ）に近づけながら、
Ｖｄ（ａｃ）を徐々に０以上とする。 電圧印加条件４：Ｖｇを大きくして、Ｖｄ（ｄｃ）に近
づける。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分）、 Ｖｄ（ａｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（交流
成分） である。
【００７８】上記ｐ−チャネルＴＦＴを備えた液晶表示
装置の製造方法において、前記ゲートバスラインへの印
加電圧Ｖｇを小さくして前記ドレインバスラインへの印
加電圧（直流成分）Ｖｄ（ｄｃ）に近づける際に、Ｖｇ
＝Ｖｄ（ｄｃ）とすることを特徴とする。
【００７９】上記ｐ−チャネルＴＦＴを備えた液晶表示
装置の製造方法において、Ｖｃ＜Ｖｄ（ｄｃ）の電圧印
加時において、Ｖｃ−Ｖｄの値を一旦所望の電圧より低
くし、その後電圧を上げて所望の電圧にすることを特徴
とする。
【００８０】上記ｐ−チャネルＴＦＴを備えた液晶表示
装置の製造方法において、前記ゲートバスラインへの印
加電圧Ｖｇが直流電圧であることを特徴とする。
【００８１】〔第２の実施の形態〕次に、本発明の第２
の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法につ
いて図２２乃至図４５を用いて説明する。従来、アクテ
ィブマトリクス型ＬＣＤの主流であったＴＮモードは視
野角が狭いという欠点を有している。そこで現在、広視
野角のＬＣＤとしてＭＶＡモードとＩＰＳモード（Ｉｎ
−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ）と呼ば
れる技術が採用されている。
【００８２】ＩＰＳモードは櫛形電極によって液晶分子
を水平面内でスイッチングするが、櫛形電極は画素の開
口率を著しく低下させるので高い光強度のバックライト
が必要になる。ＭＶＡモードは液晶を基板に垂直に配向
させ、突起あるいは透明電極（ＩＴＯ）に設けられたス
リットによって液晶分子の配向を規定する。
【００８３】ＭＶＡモードにおける突起やスリットによ
る画素の実質開口率の低下はＩＰＳの櫛形電極ほどでは
ないにしても、ＴＮモードに比べると、液晶パネルの光
透過率が低い。そのため現状では、低消費電力が要求さ
れるノートパソコンにはＭＶＡ−ＬＣＤは採用されてい
ない。
【００８４】現在のＭＶＡ−ＬＣＤは広視野角化のた
め、電圧印加時に液晶分子が４方向に倒れるよう、線状
突起や画素電極を線状に一部抜いたスリットを画素内に
複雑に配置している。このため画素の光透過率が低くな
る。これを改善するため図２２に示すように一直線の線
状突起を平行に広い間隔で単純配置にした場合について
説明する。
【００８５】図２２は、２分割配向領域を有するＭＶＡ
−ＬＣＤを示している。図２２（ａ）は、ＭＶＡ−ＬＣ
Ｄの１画素２を基板面法線方向に見た状態を示してい
る。図２２（ｂ）は、図２２（ａ）に示すＭＶＡ−ＬＣ
Ｄをドレインバスライン６に平行に切った断面を示して
いる。なお、これ以降の実施形態の説明において、それ
以前に説明した構成要素と同一の作用機能を奏する構成
要素には同一の符号を付してその説明は省略するものと
する。図２２（ａ）は１本のゲートバスライン４に連設
された３つの画素２を示している。図２２（ａ）及び図
２２（ｂ）に示すように、画素電極３のゲートバスライ
ン４側両端部近傍にはゲートバスライン４に平行に延び
る２本の線状突起６８が形成されている。また。対向基
板側コモン電極上には、画素中央を含む位置にゲートバ
スライン４に平行に延びる線状突起６６が形成されてい
る。なお、アレイ基板側は、ガラス基板２０及びゲート
バスライン４上に絶縁膜（ゲート絶縁膜）２３が形成さ
れ、その上に絶縁膜２２が形成されている。
【００８６】この構成により、画素電極３とコモン電極
２６間に電圧が印加され液晶層２４内の電界分布が変化
すると、負の誘電率異方性を有する液晶分子２４ａは、
２方向に傾斜する。すなわち、画素２のゲートバスライ
ン４側両端の線状突起６８から対向基板側の線状突起６
６に向かって液晶分子２４ａは傾斜する。これにより、
上下２分割のマルチドメインが形成される。ＭＶＡモー
ドでは、線状突起（あるいはスリット）が作る電界によ
り線状突起６６、６８近傍（あるいはスリット近傍）の
液晶分子２４ａから順に傾斜方向が規定されていく。従
って、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示すように線状
突起（あるいはスリット）の間隙が非常に広いと、液晶
分子２４ａの傾斜の伝播に時間がかかるため、電圧を印
加したときのパネルの応答が非常に遅くなる。
【００８７】そこで、ポリマーを用いたプレチルト角付
与技術を採用した。ポリマーを用いたプレチルト角付与
技術は、従来の液晶材料に代えて重合可能なモノマーを
含む液晶層２４に電圧を印加した状態でモノマーを重合
してポリマー化し、当該ポリマーに液晶分子２４ａの傾
斜する方向を記憶させる。
【００８８】ところが、図２２（ａ）、（ｂ）の構造で
液晶層２４に電圧を印加しても、ドレインバスライン６
近傍の画素電極３端部で発生する電界により、ドレイン
バスライン６近傍の液晶分子２４ａは意図した傾斜方向
とは９０°異なる方向に倒れてしまう。このため、ポリ
マーを用いたプレチルト角付与技術を用いても、図２３
の画素顕微鏡観察図のように、各表示画素２にはドレイ
ンバスライン６に沿って大きな暗部Ｘ１が視認されてし
まう。
【００８９】そこで、本実施の形態では、ＴＦＴ１６の
あるアレイ基板側の画素電極３をライン・アンド・スペ
ースパターンのストライプ状電極にした。一例として図
２４は、本実施の形態によるＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２
を基板面法線方向に見た実施例を示している。図２４に
示すように、画素電極３は、ドレインバスライン６に平
行にライン・アンド・スペースパターンが形成されたス
トライプ状電極８及びスペース１０を有している。
【００９０】一般に、配向膜による配向規制力は、配向
膜に接している液晶分子２４ａだけに作用し、セルギャ
ップ方向中央部の液晶分子にまでは及ばない。そのた
め、セルギャップ方向中央部の液晶分子２４ａは、画素
端部で発生する電界の影響を大きく受けて配向方位が乱
れてしまう。ドレインバスライン６に平行なストライプ
状電極８及びスペース１０を有する画素電極３にする
と、液晶分子２４ａはストライプ状電極８及びスペース
１０に平行に倒れる。また、ストライプ状電極８及びス
ペース１０により全液晶分子２４ａの傾斜方向が定まる
ので、画素端部で発生する電界の影響を最小限に抑える
ことができる。
【００９１】本実施の形態による液晶表示装置及びその
製造方法について、以下具体的に実施例を用いて説明す
る。まず、以下の全ての実施例に共通の条件を次に列挙
する。 配向膜：垂直配向膜； 液晶：負の誘電率異方性を有する； 偏光板：液晶パネルの両側にクロスニコルに配置されノ
ーマリブラックモードを実現する； 偏光板の偏光軸：バスラインに対して４５°方向； 液晶パネル：対角１５インチ； 解像度：ＸＧＡ。
【００９２】［実施例２−１］図２４乃至図２７を用い
て本実施例について説明する。図２４は、本実施例によ
るＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た状
態を示し、図２５は図２４のＤ−Ｄ線で切断した断面形
状を示している。図２４に示すように、画素電極３は、
ドレインバスライン６に平行にライン・アンド・スペー
スパターンが形成されたストライプ状電極８及びスペー
ス１０を有している。画素２ほぼ中央でゲートバスライ
ン４に平行に形成された接続電極６４により、各ストラ
イプ状電極８は電気的に接続されている。また、ストラ
イプ状電極８の一部がＴＦＴ１６のドレイン電極６０に
対向配置されたソース電極６２に接続されている。
【００９３】図２５に示すように、画素領域中央部の接
続電極６４に対向する位置の対向基板側にはゲートバス
ライン４に平行に延びる線状突起６６が形成されてい
る。線状突起６６により、液晶分子２４ａの配向規制方
向をより顕著に決定することができる。
【００９４】対向基板側の線状突起６６を設ける代わり
にアレイ基板側又は対向基板側の配向膜にラビング処理
を施してももちろんよい。この場合は、図２５に示す矢
印のように、アレイ基板側は図２４に示す領域Ｂ、Ｃ共
に接続電極６４に向かってラビングを施すようにする。
対向基板側は接続電極６４から遠ざかる方向に向かって
ラビングを施すようにする。また、光配向を用いること
も可能である。
【００９５】ところで、図２４に示すＴＦＴ１６近傍の
破線で囲った領域Ａの液晶分子２４ｂの傾斜方向が、図
２５に示すように領域Ｂの液晶分子２４ａと逆方向にな
る配向乱れが生じてしまうことがある。この配向乱れに
より液晶層２４への電圧印加時に領域Ａに暗部が形成さ
れてしまう。これを改善するための変形例を図２６に示
す。変形例では、図２６に示すように画素電極３のゲー
トバスライン４側両端部近傍にゲートバスライン４に平
行に延びる２本の線状突起６８が形成されている。線状
突起６８をゲートバスライン上及びゲートバスライン４
と画素電極３の間に追加すると、領域Ａの液晶分子２４
ｂの倒れる方向を領域Ｂの液晶分子２４ａと同じ方向に
することが可能である。
【００９６】図２６の変形例に係る構造を用いて液晶層
２４に電圧を印加して画素２内の液晶分子２４ａを所定
方向に傾斜させた状態で、光重合性モノマーを添加した
液晶に光を照射してモノマーを重合して液晶分子２４ａ
のプレチルト角及び／又は配向方位を規定した。完成し
たＭＶＡ−ＬＣＤを表示させて表示領域を観察したとこ
ろ、画素部全体から光が透過し、図２７のＴ−Ｖ特性図
において、実線の曲線に示すように、破線で示す従来の
ＬＣＤに比較して透過率を向上させることができた。
【００９７】［実施例２−２］図２８乃至図３１を用い
て本実施例について説明する。図２８は、本実施例によ
るＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た状
態を示し、図２９は図２８のＥ−Ｅ線で切断した断面形
状を示している。図２８に示すように、画素電極３は、
ドレインバスライン６に平行にライン・アンド・スペー
スパターンが形成されたストライプ状電極８及びスペー
ス１０を有している。画素２上下端でゲートバスライン
４に平行に形成された２つの接続電極６４により、各ス
トライプ状電極８は電気的に接続されている。また、図
中上方の接続電極６４がＴＦＴ１６のソース電極６２に
接続されている。
【００９８】図２９に示すように、画素領域中央部の画
素電極３上にはゲートバスライン４に平行に延びる線状
突起６８が形成されている。線状突起６８により、領域
Ａ及びＢの配向方位を同一にして、一方、領域Ｃの配向
方位を領域Ａ及びＣと反対の方向にすることができる。
本実施例の領域Ｂ、Ｃでの液晶配向方位は、実施例２−
１における領域Ｂ、Ｃの液晶配向方位と逆になる。
【００９９】画素電極３上の線状突起６８を設ける代わ
りにアレイ基板側又は対向基板側の配向膜にラビング処
理を施してももちろんよい。この場合は、図２９に示す
矢印のように、アレイ基板側は図２８に示す領域Ｂ、Ｃ
共に外側の接続電極６４に向かってラビングを施すよう
にする。対向基板側は接続電極６４から画素中央部に向
かってラビングを施すようにする。また、光配向を用い
ることも可能である。
【０１００】ところで、図２８に示す２つの接続電極６
４近傍の破線で囲った領域Ｄの液晶分子２４ｂに、図２
９に示すような配向乱れが生じてしまうことがある。こ
の配向乱れにより液晶層２４への電圧印加時に領域Ｄに
暗部が形成されてしまう。これを改善するための変形例
を図３０に示す。変形例では、図３０に示すように画素
電極３のゲートバスライン４側両端部近傍の接続電極６
４に対向する位置の対向基板側に、ゲートバスライン４
に平行に延びる２本の線状突起６６が形成されている。
基板面法線方向に見て線状突起６６をゲートバスライン
４と画素電極３の間に配置すると、領域Ｄの液晶分子２
４ｂの倒れる方向を領域Ｂ又は領域Ｃの液晶分子２４ａ
と同じ方向にすることが可能である。
【０１０１】図３０の変形例に係る構造を用いて液晶層
２４に電圧を印加して画素２内の液晶分子２４ａを所定
方向に傾斜させた状態で、光重合性モノマーを添加した
液晶に光を照射してモノマーを重合して液晶分子２４ａ
のプレチルト角及び／又は配向方位を規定した。完成し
たＭＶＡ−ＬＣＤを表示させて表示領域を観察したとこ
ろ、画素部全体から光が透過し、図３１のＴ−Ｖ特性図
において、太い実線の曲線に示すように、細い実線で示
す従来のＬＣＤに比較して透過率を向上させることがで
きた。
【０１０２】［実施例２−３］図３２乃至図３４を用い
て本実施例について説明する。図３２は、本実施例によ
るＭＶＡ−ＬＣＤの隣接する２つの画素２を基板面法線
方向に見た状態を示している。本実施例に係る画素電極
３の構造は実施例２−１と同様である。本実施例では、
画素電極３のドレインバスライン６側のストライプ状電
極８とドレインバスライン６との間に生じる横電界を減
少させる電界遮蔽電極７０を設けている点に特徴を有し
ている。電界遮蔽電極７０は、図３３の断面図に示すよ
うに、画素電極３のドレインバスライン６端部のストラ
イプ状電極８とドレインバスライン６との間の領域下方
に、ゲート形成金属を用いてゲートバスライン４と同時
に形成されている。
【０１０３】図３３は、電界遮蔽電極７０の配置位置と
その動作を示す図である。画素電極３と電界遮蔽電極７
０に電圧を印加して、図３３に示すようにアレイ基板内
で基板面にほぼ平行になる等電位線を発生させる。こう
することにより図３３中破線の楕円７２内に示すよう
に、ドレインバスライン６端部のストライプ状電極８と
ドレインバスライン６との間の領域での横電界の発生を
阻止することができる。図３３中に等電位線と液晶ダイ
レクタを示しているが、楕円７２内で等電位線が基板面
に対してほぼ平行で、ダイレクタが基板面にほぼ垂直に
向いているのが分かる。
【０１０４】この状態で液晶層２４内のモノマーを重合
させる。モノマーを重合した後は、電界遮蔽電極７０は
コモン電極２６と電気的に接続させて、蓄積容量電極と
して用いる。重合したポリマーによって液晶分子２４ａ
の倒れる方向が定まるため、画素端で発生する電界の影
響をほとんど受けない。完成したＭＶＡ−ＬＣＤを表示
させて表示領域を観察したところ、画素部全体から光が
透過し、図３４のＴ−Ｖ特性図において、太い実線の曲
線に示すように、細い実線で示す従来のＬＣＤに比較し
て透過率を向上させることができた。
【０１０５】［実施例２−４］図３５及び図３６を用い
て本実施例について説明する。図３５は、本実施例によ
るＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た状
態を示している。本実施例に係る画素電極３の構造は実
施例２−１と同様である。本実施例では、ドレインバス
ライン６近傍の画素電極３端部の破線で示す領域７４上
の配向膜上の配向方位を画素中央部とは異なる向きに施
した点に特徴を有している。図３５に示すように、液晶
分子２４ａは、図中画素中央部から上の画素領域では紙
面下方（下向きの太い矢印）に傾斜し、下側の画素領域
では紙面上方（上向きの太い矢印）に傾斜する。それに
対して、領域７４では隣接するドレインバスライン６の
延伸方向にほぼ４５°傾いた配向方位（細い矢印）にな
るように配向処理が施されている。本実施例では紫外光
を照射して配向処理を施した。
【０１０６】液晶分子は画素に電圧が印加されると、配
向処理と電界の両者のつりあいによって液晶分子の配向
方向が決定される。これにより、画素電極３端部領域７
４の液晶分子２４ａも概ねドレインバスライン６と平行
方向に倒れるようになるので、画素電極全体を光が透過
することができる。
【０１０７】この状態で液晶層２４内のモノマーを重合
させる。重合したポリマーによって液晶分子２４ａの倒
れる方向が定まるため、画素端で発生する電界の影響を
ほとんど受けない。完成したＭＶＡ−ＬＣＤを表示させ
て表示領域を観察したところ、画素部全体から光が透過
し、図３６のＴ−Ｖ特性図において、太い実線の曲線に
示すように、細い実線で示す従来のＬＣＤに比較して透
過率を向上させることができた。
【０１０８】［実施例２−５］図３７乃至図４０を用い
て本実施例について説明する。図３７は、本実施例によ
るＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た状
態を示している。本実施例に係る画素電極３の構造は実
施例２−１と同様であるが、ドレインバスライン６と画
素電極３の間隙７６を、画素電極３内のスペース１０の
幅に等しくした点に特徴を有している。
【０１０９】図３８は、ドレインバスライン６と画素電
極３の間隙７６が広い構成を示している。領域７６の基
板面に沿った幅をａとし、スペース１０の幅をｂとする
と、ａ＞ｂである。ドレインバスライン６と画素電極３
の間の静電容量がクロストークの原因になるため、通
常、間隙７６は広めに取られる。ところが、液晶層２４
へ電圧を印加すると、間隙７６上の楕円で示す領域７６
ａ内の液晶分子２４ａはドレインバスライン６に対して
直角方向に倒れてしまい画素内に暗部が生じる。一方、
画素電極３内のスペース１０上の領域１０ａでは、スペ
ースの延伸方向に平行に液晶分子２４ａは傾斜してい
る。
【０１１０】そこで、図３９に示すように、間隙７６を
スペース１０の幅と同程度に近づけてａ≒ｂとし、領域
７６ａ内の液晶分子２４ａもドレインバスライン６と平
行な方向に倒れるようにする。こうすることにより、画
素電極３の面積を広げることもできるため、透過率を二
重に改善できる効果がある。クロストークを抑えるため
には、図３９に示すように実施例２−３の電界遮蔽電極
７０を間隙７６下層に設ければよい。
【０１１１】この構成において液晶層２４に電圧を印加
して、液晶層２４内のモノマーを重合させる。完成した
ＭＶＡ−ＬＣＤは、重合したポリマーによって液晶分子
２４ａの倒れる方向が定まるため、画像表示の際に画素
端で発生する電界の影響をほとんど受けない。ＭＶＡ−
ＬＣＤを表示させて表示領域を観察したところ、画素部
全体から光が透過し、図４０のＴ−Ｖ特性図において、
実線の曲線に示すように、破線で示す従来のＬＣＤに比
較して透過率を向上させることができた。
【０１１２】［実施例２−６］図４１乃至図４５を用い
て本実施例について説明する。図４１は、本実施例によ
るＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た状
態を示している。本実施例に係る画素電極３の構造は、
ストライプ状電極８及びスペース１０で構成するライン
・アンド・スペースパターンがゲートバスライン４に平
行に形成されている点に特徴を有している。図中左右方
向の２方向に配向分割させるため、画素上半分は右側に
接続電極６４が設けられ、画素下半分は左側に接続電極
６４が設けられている。こうすることにより、ドレイン
バスライン６に平行な画素電極端で発生する横電界によ
りドレインバスライン６に対して直角方向に傾斜する液
晶分子の配向を積極的に利用することができる。なお、
接続電極６４は、画素上半分を左側に設け、画素下半分
を右側に設けるようにしてももちろんよい。
【０１１３】図４２は、図４１のＦ−Ｆ線で切断した断
面を示している。図４３は、図４１のＧ−Ｇ線で切断し
た断面を示している。図４２及び図４３に示すように、
２つの接続電極６４と隣接するドレインバスライン６間
の対向基板上に線状突起６６が形成されている。線状突
起６６を形成することにより、接続電極６４と隣接する
ドレインバスライン６間の電界の影響をなくすことがで
きる。さらに配向方向を確実にするため、図４４の太い
白抜きの矢印に示すように、アレイ基板側は接続電極６
４が設けられていない側から接続電極６４側に向けてラ
ビングし、対向基板側は矢印とは逆向きにラビングして
もよい。また、光配向処理を施してもよい。
【０１１４】この構成において液晶層２４に電圧を印加
して、液晶層２４内のモノマーを重合させる。完成した
ＭＶＡ−ＬＣＤは、重合したポリマーによって液晶分子
２４ａの倒れる方向が定まるため、画像表示の際に画素
端で発生する電界の影響をほとんど受けない。ＭＶＡ−
ＬＣＤを表示させて表示領域を観察したところ、画素部
全体から光が透過し、図４５のＴ−Ｖ特性図において、
太い実線の曲線に示すように、細い実線で示す従来のＬ
ＣＤに比較して透過率を向上させることができた。
【０１１５】〔第３の実施の形態〕次に、本発明の第３
の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法につ
いて図４６乃至図４８を用いて説明する。本実施の形態
は第２の実施の形態のＭＶＡ−ＬＣＤの改良について示
している。第２の実施の形態により、図２３の画素顕微
鏡観察図に示すような大きな暗部Ｘ１はストライプ状電
極パターンを用いて低減することができるが、ドレイン
バスライン６から最も近いストライプ状電極８および間
隙７６上には暗部Ｘ１がわずかに残ってしまう。
【０１１６】図４６は、液晶分子２４ａの傾斜動作につ
いて説明する図である。図４６（ａ）はスリットを有さ
ない画素電極３と液晶分子２４ａとを基板面法線方向に
見た状態を示し、図４６（ｂ）は同基板断面方向から見
た状態を示している。図４６（ａ）及び図４６（ｂ）に
示すように、液晶分子２４ａに電圧が印加されると、画
素電極３端辺に直交する方向に液晶分子２４ａの長軸が
傾く。例えば、ドレインバスライン６に平行な画素電極
３端辺近傍の液晶分子２４ａはドレインバスライン６の
延伸方向に直交する方向に倒れる。
【０１１７】図４６（ｃ）はライン・アンド・スペース
パターンからなるストライプ状電極８とスペース１０か
らなる画素電極３と液晶分子２４ａとを基板面法線方向
に見た状態を示し、図４６（ｄ）は同基板断面方向から
見た状態を示している。図４６（ｃ）及び図４６（ｄ）
に示すように、液晶分子２４ａに電圧が印加されると、
ストライプ状電極８とスペース１０のパターン長手方向
に平行に液晶分子２４ａの長軸が傾く。
【０１１８】従って、図４６（ｅ）に示すように、スト
ライプ状電極８とをドレインバスライン６に平行に設け
ると、液晶分子２４ａの長軸の傾く方向がストライプ状
電極８上とドレインバスライン６近傍とで９０°異なる
ことになる。そのため、両者の液晶分子２４ａの間は、
図４６（ｅ）の楕円領域７８に示すようにドレインバス
ライン６に対し４５°方向を向く液晶分子２４ａが生
じ、偏光板の偏光軸と平行になるため暗部として観察さ
れるようになる。
【０１１９】そこで、本実施の形態では、画素端で発生
する電界の影響を根本的になくして暗部の領域を最小限
に止めるため、ドレインバスライン６に最も近いストラ
イプ状電極８の電極幅ａ'を画素中央部のストライプ状
電極８の電極幅ｂ'より細くするようにした。
【０１２０】なお、ストライプ状電極８の電極幅ａ'は
あまり細すぎると、断してしまったり、隣接するストラ
イプ状電極８と短絡してしまったりする可能性がある。
そこでストライプ状電極８及びスペース１０幅は０．５
μｍ以上５μｍ以下に設定した。
【０１２１】本実施の形態による液晶表示装置及びその
製造方法について、以下具体的に実施例を用いて説明す
る。まず、以下の実施例の条件は第２の実施の形態にお
ける実施例の条件と同一である。 ［実施例３−１］第２の実施の形態の実施例２−５のよ
うにストライプ状電極８とドレインバスライン６の距離
が近いと、画素電極３とドレインバスライン６の間の静
電容量が大きくなり、クロストークが発生する場合があ
る。この場合、ストライプ状電極８とドレインバスライ
ン６の距離を狭めることができないため、ドレインバス
ライン６に最も近いストライプ状電極８'の幅を狭める
ことによって、暗部Ｘ１の領域を最小限にすることがで
きる。図４７は、接続電極６４が画素中央に設けられて
いる場合を例示している。図４８は、接続電極６４がゲ
ートバスライン４側に設けられている場合を例示してい
る。
【０１２２】［実施例３−２］実施例３−１において、
クロストークを防ぐには、第２の実施の形態の実施例２
−３や実施例２−５に示した電界遮蔽電極７０を用いる
ことができる。
【０１２３】〔第４の実施の形態〕次に、本発明の第４
の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法につ
いて図４９乃至図６２を用いて説明する。本実施の形態
は、高表示品質のＭＶＡ−ＬＣＤの特性改善に関する。
近年の情報機器の普及に伴い、表示パネルの高性能化が
要求されている。このため、表示品質の優れるＭＶＡ−
ＬＣＤが多用されている。しかしながら、ＭＶＡ−ＬＣ
Ｄには、電圧無印加時（ノーマリブラックモードの黒表
示時）から低電圧印加時（中間調）への応答時間が遅い
という問題を有している。
【０１２４】図４９に示すように従来のＭＶＡ−ＬＣＤ
においては、液晶分子２４ａの傾斜方向を規制する配向
規制用構造物（例えば、線状突起６６、６８）が局在
（偏在）している。ところが、配向規制用構造物が局在
しているため、図５０に示すような、液晶分子２４ａの
傾斜方向及び傾斜角度θｐを規制する構造がない領域で
は液晶配向の傾斜が伝播するのに時間を要してしまう。
さらに、傾斜方向を規制する構造物上に配向の境界が形
成されてしまうと、構造物周囲に暗線が形成されてしま
い透過率が低下してしまう。このように傾斜方向を規制
する手段が分散して配置されている構造においては、低
電圧印加時の液晶配向が不安定であるという問題があ
る。
【０１２５】従って、画素全体の液晶が応答するのに時
間が必要であるため、黒表示（垂直配向状態）から、中
間調表示（傾斜配向状態）になるために長い時間が必要
であるという問題を生じている。特に、中間調表示が低
階調の場合、液晶配向傾斜の伝播が遅くなるため、応答
時間が通常の３倍以上となる。しかし、ポリマーを用い
てプレチルト角が付与された場合の配向は画素内の全て
の部分の傾斜方向が予め決まっている。従って、通常な
らば液晶の傾斜方向が伝播しながら配向変化して応答が
遅くなるあらゆるモードにおいて、ポリマーを用いたプ
レチルト角付与技術により、大幅な応答改善が実現され
る。図８６は、ポリマーを用いてプレチルト角を付与し
ていない液晶を有するＬＣＤとポリマーを用いてプレチ
ルト角を付与した液晶を有するＬＣＤとにおける、階調
と対立ち上がり時間との関係を示している。通常のＭＶ
Ａ−ＬＣＤにポリマーを用いたプレチルト角付与技術を
適用することにより２〜３倍の応答速度が得られること
が判る。また、別の問題として、透過率が低下するため
表示が暗くなる。このように、傾斜配向が分散されてい
る構造においては、低電圧印加時の液晶配向が一定方向
に定まらない、または一定方向に定まるまでに長時間を
要することに起因する、応答性の劣化や輝度の低下とい
う問題があった。
【０１２６】本実施の形態は、透過率を低下させずに応
答時間を短くして、低電圧印加時の液晶配向方位を一定
方向に規定するＭＶＡ−ＬＣＤを提供する。特に、本実
施形態の基本構成である、ポリマーを用いてプレチルト
角が付与された配向は、生じに関わる全部分の傾斜方向
が予め決められているため、通常ならば液晶の傾斜方向
が伝播せざるを得ない全ての画素構造において、飛躍的
な高速化が達成できる。
【０１２７】図５１は，本実施形態の構成図である。図
中３Ｘ３＝９個のマトリクス状に並んだ配置領域８０を
例示している。各配置領域８０には、基板面方向に方向
性を持つ構造物や電極を抜いたスリット（以下、方向性
構造物という）が配置される。表面改質領域に単体ある
いは集合体として同一方向に向けて２次元的にこれら方
向性構造物と同様の方向性構造を形成すれば液晶分子を
一方向に傾斜配向させることができる。これにより、光
又は熱で重合するモノマーを重合する際の液晶層２４へ
の電圧印加時に液晶分子を所定方向に傾斜させられるた
め、最適なプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜角を得
ることができる。
【０１２８】本実施形態では、図５１の如く、基板面上
に２次元的に配置された配置領域８０に設けられた方向
性構造物、あるいはこれらと同等の形状が形成された表
面改質領域によって液晶分子が一方向に傾斜する。更
に、この方向性構造物または表面改質領域が短い間隔で
配置されているため液晶分子の傾斜が伝播する時間が短
くなり、応答時間を短くすることが可能である。さら
に、方向性構造物あるいは表面改質領域上にドメインが
形成されないため、透過率が低下しない。さらに、液晶
の傾斜方位に配向したポリマーが形成されているため低
電圧印加時に液晶が一定方向に傾斜する。
【０１２９】図５１に示す複数の配置領域８０は、横方
向間隙幅ＷＧと縦方向間隙幅ＨＧとを有して隣接してい
る。配置領域８０に配置される構造物の形成材料として
は、例えばシプレイ社製ポジ型フォトレジストを使用す
る。構造物の高さは約０．３μｍとする。
【０１３０】図５２は、基板面法線方向に見て三角形形
状外形から、一回り小さい三角形形状の窪みを形成した
方向性構造物あるいは表面改質領域の例である。表面改
質には紫外線などのエネルギー線を選択的に照射する。
液晶層の厚さは約４μｍとする。配向膜としては垂直配
向膜、液晶としては誘電率異方性が負の液晶を使用す
る。三角形の窪みを設けることにより、液晶分子が窪み
方向に傾斜し難くなる効果が生まれる。図５２に示すよ
うに、パターン寸法はパターンＤ１〜Ｄ４まで種々の大
きさを取り得る。
【０１３１】電圧無印加時には液晶分子は基板面に対し
てほぼ垂直に配向する。電圧印加時には、方向性構造物
あるいはそれらと同様の形状に形成された表面改質領域
によって液晶分子は一方向に傾斜する。クロスニコルに
配置した偏光板に液晶セルを挟んだ場合、電圧無印加時
には黒表示、電圧印加時には白表示となる。
【０１３２】方向性を持たない平面形状の構造物の場合
には、組み合わせによって方向性を持たせることが可能
である。図５３は線対称の軸が２本ある長方形の平面形
状と、同じく２本ある長方形の平面形状とを組み合わせ
て線対称の軸を１本にした例である。図５３に示すよう
に、パターン寸法はパターンＦ１〜Ｆ４まで種々の大き
さを取り得る。
【０１３３】方向性構造物あるいは表面改質領域の平面
形状の他の例として、三角形、ほぼ半分にした楕円形、
あるいは半円形を用いることができる。正三角形の場合
は線対称の軸が３本になる。しかし、格子状に配列する
と集合体としての線対称の軸は１本となる。
【０１３４】図５４（ａ）乃至図５４（ｆ）に複数の構
造物形状の組合せ例を示す。方向性構造物あるいは表面
改質領域の平面形状が、ほぼ三角形、長方形、正方形、
ほぼ半分にした楕円形、半円形、楕円形、円形であり、
その一部に突起、突起と反対側に形成した窪みのいずれ
か、あるいは両方を設けてもよい。突起あるいは窪みの
形状は、ほぼ三角形、長方形、正方形、半分にした楕円
形、半円形であってもよい。
【０１３５】図５５乃至図５８にＬＣＤの視角特性を改
善する構造を示す。画素２内における方向性構造物ある
いは表面改質領域の平面形状の方向Ｄが異なっている。
図５５は画素２内が中央で２つの領域に分かれている。
一方向Ｄ１に例えば図５２に示した窪み付き三角形外形
の構造物が頂点を図中上にしてマトリクス状に整列して
いる。一方、方向Ｄ１と１８０°異なる逆方向Ｄ２に
は、図５２に示した窪み付き三角形外形の構造物が頂点
を図中下にしてマトリクス状に整列している。このよう
な構成にすることによりポリマー化の際に液晶分子を画
素内の広い範囲で配向規制してポリマーによる優れた液
晶配向を得ることができるようになる。
【０１３６】同様にして、図５６は図５２の窪み付き三
角形外形の構造物が各領域毎に頂点を９０°ずつ異なら
せて４方向Ｄ１〜Ｄ４に整列している。なお、平面形状
の方向を連続的に異ならしてもよい。例えば、図５７は
画素２中心部から放射状に構造物が拡がって整列してい
る。図５８は頂点を同心円状に揃えて回転するように構
造物が整列している。このような配列構成をとることに
より、液晶分子が傾斜する方向を画素２内で細かく制御
できるため視角特性を改善することができる。さらに、
予め画素電極に低い電圧を印加して液晶配向を僅かに傾
斜させておくことによって、表示電圧印加時における液
晶配向の方位角方向へのぶれを小さくすることが可能に
なる。
【０１３７】ポリマーを用いたプレチルト角付与技術の
ためのモノマー混合液晶材料として、メルク・ジャパン
社製の液晶に大日本インキ社製の液晶性モノアクリレー
トを２．５％添加したものを用いた。基板間に液晶材料
を注入後、液晶層に電圧５．０Ｖを印加しながら紫外線
を液晶層に照射してモノマーを硬化させる。こうするこ
とにより液晶分子の傾斜方位に配向したポリマーを形成
することが可能になる。これにより低電圧印加時の液晶
配向を一定方向に規定することが可能になる。
【０１３８】さらに、図５９及び図６０を用いてＬＣＤ
の視角特性を改善する構造を示す。図５９及び図６０に
示す構成は、画素２内の各領域の境界に、方向性構造物
あるいは表面改質領域の境界構造物７８が設けられてい
る点に特徴を有している。境界構造物７８は、幅が５μ
ｍ、高さが約０．３μｍの帯状とする。高さは１．５μ
ｍ程度でよい。図５９は帯状の境界構造物７８で画素２
内を２つの領域に分割した状態を示し、図６０は帯状の
境界構造物７８を十字形状に組合せて画素２内を４つの
領域に分割した状態を示している。
【０１３９】図６１及び図６２に示す構造は、図６０に
示す境界構造物７８の具体例である。図６１に示す境界
構造物７８は、頂点の向きを各方向毎に同一にして４方
に放射状に延びる複数の三角形構造を配列した構造であ
る。図６２に示す境界構造物７８は、頂点の向きが各方
向に向き、１方向に１つの放射状に延びる二等辺三角形
形状構造を配置した構造である。
【０１４０】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、液晶分子を一方向に傾斜配向させる手段が短い間隔
で配置されていることにより、液晶配向傾斜の伝播距離
が短くなるため、応答時間を短くすることができる。さ
らに、透過率の低下がなく、低電圧印加時の液晶配向方
位が規定されているためＭＶＡ−ＬＣＤの表示性能を向
上させることができる。
【０１４１】〔第５の実施の形態〕次に、本発明の第５
の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法につ
いて図６３乃至図６５を用いて説明する。本実施の形態
は液晶表示装置の軽量化に関する。液晶表示装置はノー
トパソコンをはじめとして、携帯ＴＶ、各種モニタ、及
び投射型プロジェクター等に用いられている。
【０１４２】カラー表示のできる現状のＬＣＤは、明る
さの点でまだＣＲＴに及ばず、輝度の上昇が望まれてい
る。明るさの改善手法の１つとして、円偏光板（円偏光
板とは、偏光板とλ／４板の組み合わせを指す）の利用
が考えられる。円偏光板を用いることで、画素内に発生
するディスクリネーションによる輝度低下を抑制するこ
とができる。
【０１４３】一般的に、液晶の配向を制御する手法とし
て、突起や、電極を抜いたスリット等の配向規制用構造
物がある。また、モノマーを混合した液晶層に電圧を印
加して液晶分子を傾斜させた状態で紫外線（ＵＶ）光を
照射し、モノマーをポリマー化して液晶を配向規制する
ポリマーを用いたプレチルト角付与技術もある。これら
の配向規制手段のうち、画素の開口率を最も高くできる
のはポリマーを用いたプレチルト角付与技術である。
【０１４４】液晶層中のモノマーを重合する際、液晶分
子を傾斜させるために液晶層に電圧を印加するが、この
とき、液晶分子が所定の配向方向を維持するように配向
規制用構造物を画素内に設ける場合がある。突起やスリ
ット等の配向規制用構造物を設けずにモノマーの重合を
行う場合には、所定のセルギャップを維持するために画
素内に散布されたビーズ・スペーサが液晶分子の配向方
向を決定する基点となる。
【０１４５】図６３は、隣接する３つの画素２を基板面
法線方向に見た状態を示している。図中左側の画素２内
にはビーズ・スペーサ８２が存在せず、図中真中と右側
の画素２内には配置位置を異にして１つずつビーズ・ス
ペーサ８２が存在している。ビーズ・スペーサ８２はラ
ンダムに散布されるため、図６３に示すように画素毎に
ビーズ・スペーサ８２の分布状態が異なり、従って、液
晶分子２４ａの配向方向を決定する基点位置が画素毎に
異なっている。
【０１４６】液晶層２４に電圧を印加すると、ゲートバ
スライン４と画素電極３端部との間に生じる横電界によ
り、ゲートバスライン４近傍の液晶分子２４ａはゲート
バスライン４に直交する方向に傾斜する。同様にして、
ドレインバスライン６近傍の液晶分子２４ａはドレイン
バスライン６に直交する方向に傾斜する。これらバスラ
イン近傍の液晶分子２４ａの傾斜が内方の液晶分子２４
ａに伝播して４つの配向分割領域が形成される。各配向
領域の境界には図示のように暗線Ｘ１が形成される。
【０１４７】ところが、上述のように、画素毎にビーズ
・スペーサ８２の分布状態が異なり、液晶分子２４ａの
配向方向を決定する基点位置が画素毎に異なっているた
め、図６３から明らかなように、画素２内のビーズ・ス
ペーサ８２の位置に応じて暗線Ｘ１の形成状態が画素毎
に異なってしまう。これは、各傾斜方位の配向割合が画
素毎に異なるために生じるもので、円偏光板を用いた場
合でも中間調の視野角が低くなったり、画素毎に明るさ
が異なったり、あるいは全体的に表示むらが観察されて
しまうという問題が生じる。
【０１４８】上記問題を改善するために、本実施の形態
による液晶表示装置は、画素内での液晶分子の各配向方
向への配向割合が全画素で同じになるように、ビーズ・
スペーサに代えて、全画素内の同一位置に柱状スペーサ
を形成するようにしている。こうすることにより、全画
素で液晶分子の各配向方向への配向割合が等しくなるた
め表示むらを防止することができる。
【０１４９】以下、図６４を用いて具体的実施例を説明
する。図６４は、隣接する３つの画素２を基板面法線方
向に見た状態を示している。図６４において、蓄積容量
バスライン１８が画素電極３の下方の中心線上に形成さ
れ、画素電極３の中心線上に幅１０μｍ角の柱状スペー
サ８４がレジストで形成されている。
【０１５０】このように本実施例のＭＶＡ−ＬＣＤで
は、ビーズ・スペーサに代えて、各画素の同一位置（本
例では画素中央）に柱状スペーサ８４を形成している。
このため、液晶分子２４ａの配向方向を決定する基点位
置を全画素で同一にすることができる。従って、図６４
に示すように、画素２内での液晶分子２４ａの各配向方
向への配向割合を全画素で同じにして、画素２内の暗線
Ｘ１の形成状態を全画素で同一にすることができる。
【０１５１】次に、本実施例によるＭＶＡ−ＬＣＤの製
造工程について簡単に説明する。まず、ＴＦＴ１６を形
成したアレイ基板上、又はカラーフィルタを形成した対
向基板上に、ポジ型のレジスト（シプレイ社製）を所定
の膜厚（セルギャップが５μｍとなる厚さ）にスピナー
塗布する。その後、マスク露光を行い、図６４に示すよ
うな画素中央部にセルギャップ相当厚の柱状スペーサ８
４を形成する。
【０１５２】次に、アレイ基板及び対向基板にポリイミ
ドからなる垂直配向膜を形成する。次に、両基板を所定
の位置に貼り合わせ、負の誘電率異方性を有する液晶と
ＵＶ光による重合が可能なモノマーを混ぜた状態で基板
間に注入する。
【０１５３】注入を終えた液晶パネルのゲートバスライ
ン４にゲート電圧としてＤＣ３０Ｖを印加し、ドレイン
バスライン６にドレイン電圧としてＤＣ−５Ｖを印加す
る。対向電極はグランド電圧である。このとき、ゲート
バスライン４及びデータバスライン６と画素電極３との
間に横電界が発生し、液晶分子２４ａがゆっくりと安定
状態に配向する。この状態で液晶層２４にＵＶ光を照射
し、光重合によりモノマーを硬化させる。次に、液晶パ
ネル両面に円偏光板（偏光板＋λ／４板）を所定の光学
軸で配置してＭＶＡ−ＬＣＤが完成する。
【０１５４】次に、上記実施例の変形例について図６５
を用いて説明する。図６５は、隣接する３つの画素２を
基板面法線方向に見た状態を示している。図６５におい
て、画素電極３の縦横の中心線ｌｂ上に幅１０μｍ角の
２つの柱状スペーサ８４が画素２中心から等距離に形成
されている。なお、柱状スペーサ８４は円柱状であって
ももちろんよい。図６５の左側の画素２には、直径１０
μｍの円柱状スペーサ８４'が例示されている。柱状ス
ペーサ８４、８４'の幅や直径は２０μｍ以下であるこ
とが望ましい。
【０１５５】このように本変形例のＭＶＡ−ＬＣＤにお
いても、ビーズ・スペーサに代えて、各画素の同一位置
（本例では画素中央から上下等間隔の２つの位置）に２
つの柱状スペーサ８４を形成している。こうしても、液
晶分子２４ａの配向方向を決定する基点位置を全画素で
同一にすることができる。
【０１５６】上記実施例及び変形例ではレジストを用い
て柱状スペーサ８４を形成したが、これに限らず、カラ
ーフィルタ形成材料を部分的に２層又は３層重ねて柱状
スペーサ８４を形成してももちろんよい。また、カラー
フィルタ形成材料の複数層と有機物の薄膜を重ねて形成
するようにしてもよい。
【０１５７】さらに、アレイ基板上にカラーフィルタ層
を形成したＣＦｏｎＴＦＴ構造において、カラーフィル
タ層を部分的に２層又は３層重ねて柱状スペーサ８４を
形成してももちろんよい。
【０１５８】また、上記実施例及び変形例では、画素内
に１又は２つの柱状スペーサ８４を形成した例で説明し
たが、これに限らず、画素周辺部にも規則的に柱状スペ
ーサを形成するようにしてももちろんよい。
【０１５９】〔第６の実施の形態〕次に、本発明の第６
の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法につ
いて図６６乃至図６８を用いて説明する。本実施の形態
は、負の誘電率異方性を有する液晶を垂直配向させたＶ
Ａモードに関し、特に、ラビング等の配向処理を行わ
ず、配向用突起や電極スリットを利用して液晶分子の配
向制御（傾斜方向）を行うＭＶＡ−ＬＣＤに関する。さ
らに配向用突起間の間隔が広く、明るいが配向制御が困
難な構造のＭＶＡ−ＬＣＤに関する。
【０１６０】負の誘電率異方性を有する液晶を垂直配向
させ、かつ電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を配向用突
起や電極スリットを用いて幾つかの方向に分割するＭＶ
Ａ−ＬＣＤは、電圧無印加時にはほぼ完全に垂直配向し
ているが、電圧印加時には様々な方向に傾斜する。傾斜
の方向はどの場合も偏光子吸収軸に対して４５°をなす
ように規制されているが、連続体である液晶分子はその
中間方向にも倒れる。また駆動時の横電界等の影響や構
造物の凸凹によっても液晶の傾斜方向は所定の方向から
ずれる領域が必ず存在する。偏光子をクロスニコルにし
たノーマリブラックモードでは、白表示時に各画素内に
黒ずむ領域が現れる。これは画面の輝度を低下させる。
【０１６１】そこで、電圧を印加して液晶分子がある程
度倒れ、傾斜方向が定まった状態でモノマー材をポリマ
ー化するポリマーを用いたプレチルト角付与技術が有効
である。モノマー材としては、一般にＵＶ照射によりポ
リマー化する材料が用いられる。ポリマーを用いたプレ
チルト角付与技術では、電圧印加時の液晶分子の傾斜方
向の情報を記憶するようにポリマーが形成される。従っ
て、ＵＶ照射による重合時に液晶層にディスクリネーシ
ョンのない状態を形成しておけば、後にどのような液晶
駆動をしても表示画素にディスクリネーションが発生し
ない。しかも中間調の応答速度も改善される利点があ
る。
【０１６２】しかしながら、重合時に液晶層全体に均一
な電圧を印加するのは困難である。また、ＴＦＴがオン
状態でのＵＶ照射はＴＦＴの特性を劣化させることも知
られている。さらに、液晶層に電圧を印加しつつＵＶ照
射するのはプロセス的に煩雑である。またさらに、液晶
層中のモノマー材が不均一に分布していると、ポリマー
化後に面内プレチルトむらを生じさせて表示むらを引き
起こすことがある。
【０１６３】上記問題を解決するため本実施の形態で
は、電圧無印加状態、あるいはモノマー材の不均一分布
があってもプレチルトに差がつかない程度の低電圧印加
状態で、モノマーにＵＶ照射をして重合化させる。電圧
無印加状態では、光配向等の処理と併用することにより
所定の効果が得られる。
【０１６４】基板面内の液晶層への印加電圧ばらつき、
又はポリマー材の基板面内での不均一分布があっても、
プレチルトに差がつかない程度の低電圧にてＵＶ照射す
るため、液晶層に対して所望のプレチルト角及び／又は
配向規制方向を与えることができるようになるので、画
像表示の際の表示むらの発生を防止できる。さらにＵＶ
配向との組み合わせにより電圧無印加でも配向制御が完
全な状態で重合できる。また、ＵＶ照射時にＴＦＴをオ
フ状態にできるため、ＴＦＴの劣化を防止できる。
【０１６５】本実施形態により、液晶分子の傾斜が高速
で、かつ面内の液晶配向が所望の方向に規定され、これ
により高速応答かつ面内表示むらのないＭＶＡ−ＬＣＤ
が得られる。
【０１６６】以下、図６６乃至図６８を用いて具体的実
施例について説明する。図６６は、ポリマーを用いたプ
レチルト角付与技術を用いたＬＣＤの基本構成を示して
いる。ポリマーにより、液晶分子２４ａはあるプレチル
ト角で固定されており、電圧印加時の傾斜方向も規定さ
れている。
【０１６７】図６７（ａ）はモノマー材にＵＶ照射して
ポリマー化する際に、液晶層２４に電圧を印加する従来
方式を示している。この方式でポリマー化すると、液晶
分子２４ａは所定のプレチルト角で固定化される。この
プレチルト角は、ポリマー材の濃度、液晶層２４に印加
する電圧、及びＵＶ照射量で決まる。
【０１６８】図６７（ｂ）は本実施例によるポリマー化
の方法を示している。画素電極３及びコモン電極２６の
液晶接触面に形成した配向膜（図示せず）に光（ＵＶ）
配向処理を施してある。こうすることにより、ＵＶ照射
時に液晶層２４に電圧を印加しなくてよくなるため、得
られるプレチルト角はＵＶ配向処理のみで決まり、この
状態でポリマー化される。ＵＶ配向処理に代えて、プレ
チルト角にばらつきが生じない程度の低い電圧を液晶層
に印加してポリマー化してもよい。
【０１６９】図６８（ａ）に従来方式での結果を示す。
図左側と右側はポリマー材の濃度むらがあったり、液晶
層２４への印加電圧むらがあったりした場合のプレチル
トむらを示している。図示の例では、左側のプレチルト
角が右側のそれより大きい。この結果、完成したＬＣＤ
を表示させると表示むらが観察される。
【０１７０】図６８（ｂ）に本実施例の結果を示す。配
向膜のＵＶ配向処理によりプレチルト角を決定した場
合、若しくはプレチルト角のばらつきが生じない程度の
低電圧を液晶層に印加した場合には、基板上にポリマー
材の濃度むらがあっても、プレチルトむらが生じないた
め、完成したＬＣＤには表示むらが生じない。
【０１７１】本実施の形態で用いるモノマー材として
は、液晶性若しくは非液晶性モノマーであって、例え
ば、２官能アクリレート若しくは２官能アクリレートと
単官能アクリレートの混合物を用いることができる。
【０１７２】本実施の形態では、ＭＶＡ−ＬＣＤについ
て説明したが、これに限らず、他のＶＡモード、ＴＮモ
ード、ＩＰＳモード等の種々の方式のＬＣＤに上記実施
形態を適用することが可能である。
【０１７３】〔第７の実施の形態〕次に、本発明の第７
の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法につ
いて図６９を用いて説明する。本実施の形態は、液晶表
示装置及びその製造方法に関し、特に垂直配向型の液晶
の配向規制をポリマーを用いたプレチルト角付与技術で
行う液晶表示装置に関するものである。従来のポリマー
を用いたプレチルト角付与技術では、ポリマー化の際、
外部電源から液晶層に電圧を印加しつつ光照射をして液
晶分子の配向方向を制御しておく方法がとられている。
【０１７４】しかし、これは液晶表示パネルを作製する
上で工程的にも容易なものではない。液晶表示パネルの
ゲートバスライン側、およびドレインバスライン側、及
びコモン電極から液晶層に電圧を供給した状態で、ポリ
マー化のためのＵＶ光を照射しなければならないからで
ある。
【０１７５】図６９は、ＴＦＴが形成されたアレイ基板
側マザーガラス８６上に形成されたアレイ基板８８と液
晶層２４を挟んで貼り合わされた対向基板８９を基板面
法線方向に見た状態を示している。液晶層２４には、液
晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規
定するポリマーが混合されている。アレイ基板８８には
マトリクス状に画素電極が形成され、対向基板８９には
コモン電極が形成されている。アレイ基板８８上のＴＦ
Ｔはゲートバスライン及びドレインバスラインに接続さ
れている。
【０１７６】マザーガラス８６上には太陽電池（シリコ
ン光電池）７４、７５が形成されている。太陽電池７４
の出力端子はアレイ基板８８端面に引き出された複数の
ゲートバスライン端子にそれぞれ接続されている。太陽
電池７５の出力端子はアレイ基板８８端面に引き出され
た複数のドレインバスライン端子にそれぞれ接続されて
いる。
【０１７７】液晶表示パネルを作製する工程の中で、太
陽電池７４、７５に光を照射して得られる出力電圧によ
り画素電極とコモン電極との間に電圧を印加すること
で、液晶層２４の配向方向を規定することができる。つ
まり、外部電源からの電圧供給は不要で、光照射の工程
の中で、液晶分子の配向方位を制御することが可能とな
る。
【０１７８】また、液晶分子の配向方位付けが終了すれ
ば、マザーガラス８６外周部に設けた太陽電池７４、７
５は不要になるため、太陽電池７４、７５は、マザーガ
ラス８６から液晶表示パネルを切り出す際、スクライブ
ラインＳ１、Ｓ２でパネルから切り離されるようになっ
ている。
【０１７９】太陽電池７４、７５は、画素ＴＦＴや周辺
回路に含まれる能動素子が形成されるマザーガラス８６
上に、アレイ基板８８の画素部や周辺回路の素子を形成
する際に同時に形成することが工程上好ましい。同一基
板上に形成すれば、製造コストを抑えることができる。
【０１８０】また、太陽電池７４、７５は表示領域の周
辺部に形成され、光を照射して液晶の配向方位を規定し
た後は、遮光性物質で遮光して液晶表示パネル内部に残
しておいてもよい。この際、液晶表示装置として使用す
る場合に、バックライトや周囲光によって太陽電池が動
作しないように遮光する必要がある。遮光には着色樹脂
やブラック樹脂などで太陽電池部を封止するとよい。さ
らに、バックライト部や周囲光などから遮るように筐体
設計することも有効である。
【０１８１】本実施の形態の液晶表示装置の液晶層は、
垂直配向型で高分子を用いたプレチルト角付与処理がな
されていることを特徴とする。高分子を用いたプレチル
ト角付与処理により、電圧無印加時においても液晶の配
向方位が定められており、液晶分子が基板面に対してプ
レチルト角を有している。このような液晶表示パネル
は、非常に高いコントラスト比と、高速な応答特性を有
し高性能な表示を提供できる。液晶分子が電圧印加とと
もに配向する方向を２方向以上のマルチドメインにする
ことにより、広い視野角特性も併せ持つことができる。
【０１８２】太陽電池７４、７５においてはマザーガラ
ス８６内に複数個が形成され、且つそれらは各々が独立
した電圧を出力できるようになっている。すなわち、ポ
リマー化の際にゲートバスラインに供給するゲート電圧
用の太陽電池７４や、ドレインバスラインに供給するド
レイン電圧用の太陽電池７５、あるいは蓄積容量バスラ
イン用の太陽電池等、目的に合わせてマザーガラス８６
上に作り込むことができる。
【０１８３】例えば、太陽電池７５は、液晶表示パネル
のＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ(青)の各画素電極に適した電
圧を独立して印加できるようにしてもよい。液晶表示パ
ネルの光学特性を制御する場合に、Ｒ、Ｇ、Ｂ領域ごと
に液晶の配向を制御すると光学特性が優れることがあ
り、その際基板面と液晶分子とでなすチルト角が制御で
きるとよい。完全な垂直配向であるチルト角９０度よ
り、数度ながらも傾斜したチルト角８７度や８８度程度
のプレチルトが高速応答性を示すことはよく知られてい
る。
【０１８４】ポリマー化を行うには光を照射するが、そ
のときの照射光で太陽電池７４、７５が動作するように
構成してもよい。すなわち、一括露光で液晶の配向方位
付けと、その方位付けを記録するためのポリマー化を同
時に行う。この方法を採用すると非常に簡易なポリマー
化工程が実現できる。
【０１８５】光照射は一括である必要は必ずしもなく、
以下のような工程がとれればその効果は大きなものとな
る。ポリマー化は、液晶層中に存在する光硬化性高分子
を光反応させて行うが、このときに必要となる波長は紫
外光の領域である。一方、太陽電池７４、７５は可視光
などで動作することが知られており、ポリマー化で使う
光を必ずしも必要とはしない。よって、ポリマー化の光
とは異なる、第２、第３の複数の光を太陽電池７４、７
５に照射することが可能であり、その光は強度も異なら
せることができ、光照射に応じた出力電圧を得ることが
できる。このとき、太陽電池７４、７５には必要な温風
や熱風を加えることも効果的である。このようにすれ
ば、液晶の方位付けに適した電圧を液晶表示パネル内に
印加することができ、マルチチルト化などを行うことが
可能となる。もちろん、ポリマー化に使用される照射光
が可視光成分も有していることは言うまでもない。
【０１８６】本実施の形態における液晶表示パネルは、
滴下注入法により作製する場合にも都合がよい。基板周
辺に塗布されたメインシールに光を照射して、一対のパ
ネルを貼り合わせて固定するときに、太陽電池７４、７
５が動作するように構成可能である。
【０１８７】また、液晶表示パネルの少なくとも一方か
らは、太陽電池７４、７５を動作させる光とは別に、画
素内部の能動素子がフォトコンダクティビティを示すよ
うに光を照射することを特徴とする。画素部の能動素子
がフォトコンダクティビティを生じることで、太陽電池
７４、７５からゲート側端子への印加電圧を低減、ある
いは削除することが可能となり、基板面内に太陽電池７
４、７５を形成する場合に簡略化ができる。フォトコン
ダクティビティを与える光は、能動素子を有する基板と
は反対側の対向基板側から、液晶表示パネルの斜め方向
から照射するのが好ましく、ブラックマトリクス（Ｂ
Ｍ）などの遮光物から回り込むようにするとよい。
【０１８８】〔第８の実施の形態〕次に、本発明の第８
の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法につ
いて図７０乃至図７５を用いて説明する。本実施の形態
は、ＶＡモードＬＣＤの液晶の配向を規制する方法に関
する。従来のＴＮモードを用いたＴＦＴ液晶表示装置
は、斜め方向から見るとコントラストが低下したり、表
示の明暗が反転したりするという問題を有している。
【０１８９】液晶分子が配向膜表面（基板表面）に対
し、電圧無印加状態で垂直方向に配向するＶＡモードの
液晶表示装置であれば、ＴＮモードより高いコントラス
トを得ることができる。ＶＡモードを用いる場合は通
常、液晶分子に対してプレチルト角を与える必要があ
る。プレチルト角は、基板面法線方向から測って１°〜
５°程度である。
【０１９０】実際に液晶パネルを構成する場合、配向膜
が形成された２枚の基板を貼り合わせることによりセル
を構成するが、２枚の基板の配向膜に与えられたプレチ
ルト角の方向は、お互いに逆の方向になるようにする。
この配向方法はホメオトロピック配向と呼ばれる。セル
中に負の誘電異方性を持つ液晶を注入して２枚の基板に
設けられた電極から電圧を印加すると、液晶分子はプレ
チルト角の与えられた一方向に傾斜する。これにより、
黒表示から白表示を実現する。
【０１９１】配向膜にプレチルト角を与える方法として
は、通常、次に挙げる方法が採られる。一つは配向膜の
表面に回転するラビング布を接触させて擦るラビング法
であり、他の一つは配向膜表面に対し斜め方向から紫外
線を照射する光配向法である。
【０１９２】画像の反転を引き起こさずに視野角を広げ
る方法として、１画素内に液晶分子の配向方向を複数方
向設けた配向分割法がある。この方法は、微細な画素内
にて配向膜上に複数方向の配向規制力を付与しなければ
ならない。この場合、ラビング法は配向分割に向かない
ため、光配向などの方法を用いるのが適している。
【０１９３】また、傾斜垂直配向の配向規制力を強化す
る方法として、ポリマーを用いたプレチルト角付与技術
がある。これは重合可能なモノマーを混入させて液晶層
内で重合させ、このモノマーの重合により形成されたポ
リマーにより配向規制力を高める方法であり、応答時間
を短くでき外部電界等による配向乱れに強いという利点
がある。
【０１９４】ポリマーを用いたプレチルト角付与技術に
より配向規制力を増加させる場合の問題点について図７
０を用いて説明する。図７０（ａ）、（ｂ）は、隣接す
る２画素２を基板面法線方向に見た状態を示している。
図７０（ａ）は、ＴＦＴ１６が形成されたアレイ基板側
を示している。図７０（ｂ）は、対向基板側に設けられ
た遮光膜のブラックマトリクス（ＢＭ）を介して観察し
た画素２の表示状態を示している。図７０（ａ）に示す
ように、画素２内の画素電極２には、線状突起やスリッ
ト等の配向規制用構造物は形成されていない。そのた
め、ゲートバスライン４及びドレインバスライン６に所
定電圧が印加されると、画素電極３端部と各バスライン
４、６間に発生する横電界により、図中矢印９２に示す
ように画素電極３端部の液晶分子２４ａは、各バスライ
ン４、６の延伸方向に直交する方向で画素電極３内方に
傾斜する。
【０１９５】光配向法により図中矢印９４の方向に液晶
分子の初期プレチルト角が与えられていても、光配向法
ではアンカリングエネルギーが小さいため、画素電極３
端部とドレインバスラインとの間の横電界の影響によ
り、液晶分子は付与されたプレチルトの方向とは異なる
方向、例えば９０°異なる方向に倒れてしまう。このた
め、白表示をさせると図７０（ｂ）に示すように、画素
電極３とドレインバスライン６との間の領域に暗部Ｘ１
が発生してしまう。
【０１９６】紫外線を照射してモノマーを重合させる場
合、完成後のポリマーに記憶される配向方向は、重合時
の液晶分子の配向方向に依存する。この状態のままで液
晶層に紫外線を照射してポリマー化を行って液晶分子の
配向方向を固定してしまうと、上記の暗部Ｘ１まで記憶
されて重合されてしまう。
【０１９７】そこで、本実施の形態では、液晶層に紫外
線を照射してモノマーを重合する際に、ＴＦＴ１６が形
成されたアレイ基板側に以下に示す電圧パターンを印加
することにより、暗部Ｘ１を記憶させずに良好なプレチ
ルト角及び／又は配向方向を規制するポリマーを実現し
た。
【０１９８】（１）ゲートバスライン４へは、ＴＦＴ１
６がオン状態になるゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）＝ｃを特定
周波数のゲートパルスとして印加する。ゲートパルスの
印加時以外ではＴＦＴ１６がオフ状態になるゲート電圧
Ｖｇ（ｏｆｆ）が印加される。
【０１９９】（２）ゲートバスライン４にゲート電圧Ｖ
ｇ（ｏｎ）を印加するタイミングでは、ドレインバスラ
イン６にドレイン電圧Ｖｄ（ｏｎ）＝ａを印加し、それ
以外の場合ではドレイン電圧Ｖｄ（ｏｆｆ）＝ｂを印加
する。ここで、｜ａ｜＜｜ｂ｜である。
【０２００】（３）コモン電極側には、コモン電圧Ｖｃ
＝ａ／２の直流電圧を印加する。なお、ゲート電圧Ｖｇ
（ｏｎ）、ドレイン電圧Ｖｄ（ｏｎ）、及びドレイン電
圧Ｖｄ（ｏｆｆ）のパルス幅は、画素に書き込まれた書
込み電圧Ｖｐのパルス幅より短く、例えば、書込み電圧
Ｖｐのパルス幅の１／１００以下である。
【０２０１】上記（１）乃至（３）の条件で電圧を印加
した場合、画素電極３に書き込まれる書込み電圧Ｖｐ
は、ＴＦＴ１６がオン状態のときのドレイン電圧Ｖｄ
（ｏｎ）である。従って、書込み電圧Ｖｐ＝ａであり、
この電圧がＴＦＴ１６がオフ状態でも保持される。書込
み電圧Ｖｐが保持されている間にドレインバスライン６
に印加されるドレイン電圧Ｖｄ（ｏｆｆ）は、所定周波
数で繰り返される最大振幅がｂＶのパルスである。ＴＦ
Ｔ１６がオン状態となる時間は極めて短く、それ以外の
ＴＦＴ１６がオフ状態である時間が大半を占めると共
に、ドレインバスライン６に印加されるドレイン電圧Ｖ
ｄ（ｏｆｆ）は、画素電極３に印加される書込み電圧Ｖ
ｐよりも高いため、画素電極３端部に発生する横電界の
影響を小さくすることができる。これにより、ポリマー
化の際に記憶される画素電極３端部に発生する暗部Ｘ１
の幅を小さくすることができる。
【０２０２】以下、本実施の形態による液晶表示装置及
びその製造方法について、具体的に実施例を用いて説明
する。［実施例８−１］本実施例による液晶表示装置の
駆動波形を図７１に示す。幅５μｍのドレインバスライ
ン６の延伸方向に沿った画素ピッチ（画素の長手方向）
は２００μｍである。一方、幅５μｍのゲートバスライ
ン４の延伸方向に沿った画素ピッチは７０μｍである。
ドレインバスライン６端部あるいはゲートバスライン４
端部から３μｍずつ離れた位置に画素電極３端部が位置
している。画素電極３はＩＴＯ（インジウム・ティン・
オキサイド）で形成され、ＴＦＴのソース電極に接続さ
れている。
【０２０３】対向基板側には、幅１１μｍのブラックマ
トリクス（ＢＭ）が、縦２００μｍ、横７０μｍのピッ
チで設けられている。ＢＭ上には、ＩＴＯで形成された
コモン電極が基板ほぼ全面に設けられている。アレイ基
板及び対向基板には配向膜が形成されている。この配向
膜は垂直配向性を持ち、配向膜表面をラビングすること
により傾斜垂直配向性を持たせている。
【０２０４】アレイ基板と対向基板を貼り合わせて液晶
パネルが作製される。この液晶パネル中に、ポリマーを
用いたプレチルト角付与技術用のモノマーが混合された
液晶を注入して封止する。
【０２０５】液晶が注入された液晶パネルに、以下の手
順で電圧を印加する。 （１）ゲートバスライン４へは、周波数６０ＨｚでＴＦ
Ｔ１６がオン状態となるようゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）を
パルスで印加する。ゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）＝ｃ＝１８
Ｖである。ゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）の印加時間は０．１
ｍｓで１フレームに１パルスのみ印加する。フレーム周
期が１６．７ｍｓとして、１６．７−０．１＝１６．６
ｍｓの間は、ゲート電圧Ｖｇ（ｏｆｆ）＝−５Ｖにす
る。なお、ゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）及び（ｏｆｆ）は、
全ゲートバスライン４に同時に印加されるように設定を
行う。
【０２０６】（２）ドレインバスライン６へは、ゲート
バスライン４にゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）＝１８Ｖを印加
するタイミングではドレイン電圧Ｖｄ（ｏｎ）＝±５Ｖ
を印加し、それ以外ではドレイン電圧Ｖｄ（ｏｆｆ）＝
±８Ｖを印加する。
【０２０７】ドレインバスライン６にドレイン電圧Ｖｄ
（ｏｎ）が印加される時間は、ＴＦＴ１６がオン状態に
なるゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）が印加されている時間と同
じか、やや長くする必要がある。本例では、ドレイン電
圧Ｖｄ（ｏｎ）は少なくとも０．１ｍｓのパルス幅を有
している。
【０２０８】（３）コモン電圧Ｖｃには、ドレイン電圧
Ｖｄ（ｏｎ）の振幅の中心に当たる直流電圧を印加す
る。本例ではコモン電圧Ｖｃ＝０Ｖとなる。
【０２０９】印加する波形は、図７１に示すような波形
になる。画素電極３には周波数３０Ｈｚで書込み電圧Ｖ
ｐ＝±５Ｖが印加され、次の書込み電圧が印加されるま
で保持される。一方、ドレインバスライン６には、ＴＦ
Ｔ１６がオン状態になっている時間以外ではドレイン電
圧Ｖｄ（ｏｆｆ）＝±８Ｖが印加されている。
【０２１０】これにより、画素電極３とドレインバスラ
イン６に印加される電圧は、ドレインバスライン６の方
が常に高くなる状況を作ることができる。以上の電圧印
加条件でそれぞれの電極に電圧を印加した状態で、液晶
層に対して紫外線を照射し、液晶中の光重合成分をポリ
マー化する。光重合成分をポリマー化した後は、電圧無
印加時でも液晶層内の液晶分子のプレチルト角及び／又
は配向方向は規制される。このため、画像表示における
駆動電圧でも暗部Ｘ１が拡大することなく輝度の高いＭ
ＶＡ−ＬＣＤを実現することができる。
【０２１１】図７２（ａ）、（ｂ）は、本実施例による
隣接する２画素２を基板面法線方向に見た状態を示して
いる。図７２（ａ）は、本実施例によるＴＦＴ１６が形
成されたアレイ基板側を示している。図７２（ｂ）は、
対向基板側に設けられた遮光膜のブラックマトリクス
（ＢＭ）を介して観察した画素２の表示状態を示してい
る。図７２（ａ）に示すように、ゲートバスライン４及
びドレインバスライン６に所定電圧が印加されて、画素
電極３端部と各バスライン４、６間に横電界が発生して
も、ポリマーによる配向規制により、画素電極３端部の
液晶分子２４ａが各バスライン４、６の延伸方向に直交
する方向に傾斜しない。このため、図７２（ｂ）に示す
ように、ドレインバスライン６に沿った画素電極３端部
で発生する暗部Ｘ１の幅を縮小することができる。
【０２１２】［実施例８−２］図７３を用いて本実施例
について説明する。本実施例は、ドレインバスライン６
に印加するドレイン電圧Ｖｄ（ｏｆｆ）を、実施例８−
１のような交流矩形波電圧に代えて、直流電圧にした点
に特徴を有している。図７３に示すように、ＴＦＴ１６
がオン状態となるゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）のタイミング
でドレイン電圧Ｖｄ（ｏｎ）＝＋５Ｖのパルス電圧を印
加し、それ以外ではドレイン電圧Ｖｄ（ｏｆｆ）＝＋８
Ｖを印加する。
【０２１３】この条件で液晶層に対して電圧を印加しつ
つ紫外線を照射し、液晶中の光重合成分をポリマー化す
る。本実施例によっても、ドレインバスライン６に沿っ
た画素電極３端部の暗部Ｘ１を小さくした状態で液晶中
の光重合成分をポリマー化することができるため、通常
の表示モードでの駆動時にも暗部Ｘ１が発生しない輝度
の高い液晶パネルを作製することが可能となる。
【０２１４】［比較例８−１］図７４は、比較例とし
て、従来の電圧駆動波形を示している。図７４に示すよ
うに、従来はドレイン電圧Ｖｄ（ｏｎ）＝ドレイン電圧
Ｖｄ（ｏｆｆ）＝書込み電圧Ｖｐであったため、ドレイ
ンバスライン６と画素電極３端部との間に生じる横電界
の影響を受けて暗部Ｘ１が発生してしまう。
【０２１５】図７５は、横軸にドレイン電圧Ｖｄ（ｏｆ
ｆ）をとり、縦軸に輝度比をとったグラフである。ここ
で、輝度比は、ドレイン電圧Ｖｄ（ｏｆｆ）と書込み電
圧Ｖｐとが同電位の場合を１としている。図７５から明
らかなように、上記実施例のドレイン電圧Ｖｄ（ｏｆ
ｆ）＝±８Ｖ、書込み電圧Ｖｐ＝±５Ｖのときに、１．
１を超える輝度比が得られており、暗部Ｘ１が充分減少
されていることが分かる。
【０２１６】また、ゲート電圧Ｖｄ（ｏｎ）＝書込み電
圧Ｖｐが、５Ｖ以上で顕著な効果が得られることが分か
る。また、書込み電圧Ｖｐとドレイン電圧Ｖｄ（ｏｆ
ｆ）との電圧の大きさが２Ｖ以上であると顕著な効果を
奏することが分かる。
【０２１７】〔第９の実施の形態〕次に、本発明の第９
の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法につ
いて図７６乃至図８３を用いて説明する。本実施の形態
は光重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持
し、液晶組成物に電圧を印加しながら光重合性成分を光
重合させ、これにより液晶配向を規定した液晶表示装置
に関する。
【０２１８】従来の液晶表示装置では、水平配向の液晶
を上下基板間でツイストさせたＴＮモードが主流である
が、観測方位すなわち視角によって液晶の傾斜角度が異
なるため、特定の視角において中間調で階調反転が発生
する。そこで垂直配向の液晶を対称方位に傾斜させて視
角補償を行うＭＶＡモードと呼ばれる技術が実現されて
いる。ＭＶＡモードでは、誘電体や絶縁体からなる配向
規制用構造物を電極上に形成することにより電圧印加時
に液晶層に斜め電界を作り出し、この斜め電界により液
晶を所定傾斜方位に傾斜させるようになっている。
【０２１９】しかし、配向規制用構造物上の液晶に印加
される電圧は減衰若しくはゼロとなるため１画素当りの
透過率が低くなってしまう。透過率を確保するには配向
規制用構造物の占有割合を小さくすればよく、例えば、
隣接する配向規制用構造物間の間隙を広くすればよい。
ところが、配向規制用構造物間の間隙を広くすると、間
隙中央部の液晶を傾斜させるのに時間がかかるようにな
り、中間調を表示する際の応答時間が長くなってしまう
という問題がある。
【０２２０】そこで光重合性成分を含有する液晶組成物
を基板間に挟持し、電圧を印加しながら光重合性成分を
光重合させて液晶配向に準じた架橋構造を形成し、液晶
配向を安定化させるポリマーを用いたプレチルト角付与
技術が提案されている。これにより透過率を確保したま
ま、応答時間を短くすることが可能となる。
【０２２１】上記のポリマーを用いたプレチルト角付与
技術を用いた液晶表示装置の概略構成を図７６に示す。
図７６は、ＴＦＴをスイッチング素子として用いたアク
ティブマトリクス型の液晶表示パネルをカラーフィルタ
基板側から見た上面の一部を示している。図７６に示す
ように、液晶表示パネル１００は、アレイ基板１１６側
にマトリクス状に配置された複数の画素領域１１４が形
成され、各画素領域１１４内にはＴＦＴ１１２が形成さ
れている。そして、複数の画素領域１１４で画像の表示
領域１１０が構成されている。なお、詳細な図示は省略
したが、各画素領域１１４のＴＦＴ１１２のゲート電極
はゲートバスラインに接続され、ドレイン電極はドレイ
ンバスライン（データ線）にそれぞれ接続されている。
またＴＦＴ１１２のソース電極は画素領域１１４内に形
成された画素電極に接続されている。複数のドレインバ
スライン及びゲートバスラインは、アレイ基板１１６の
外周囲に形成された端子部１０２に接続されて、外部に
設けられた駆動回路（図示せず）に接続されるようにな
っている。
【０２２２】アレイ基板１１６よりほぼ端子部１０２領
域分だけ小さく形成されているカラーフィルタ（ＣＦ）
基板１０４が、所定のセル厚（セルギャップ）で液晶を
封止してアレイ基板１１６に対向して設けられている。
ＣＦ基板１０４には、コモン電極（共通電極；図示せ
ず）と共に、カラーフィルタ（図中、Ｒ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の文字で示している）やＣｒ（クロ
ム）膜等を用いたＢＭ（ブラックマトリクス；遮光膜）
１０８、１１８等が形成されている。ＢＭ１１８は、表
示領域１１０内の複数の画素領域１１４を画定してコン
トラストを稼ぐためと、ＴＦＴ１１２を遮光して光リー
ク電流の発生を防止させるために用いられる。また、Ｂ
Ｍ額縁部１０８は表示領域１１０外からの不要光を遮光
するために設けられている。アレイ基板１１６とＣＦ基
板１０４とは熱硬化性樹脂もしくは光硬化性樹脂からな
るメインシール（シール剤）１０６で貼り合わされてい
る。
【０２２３】ところで、液晶表示装置の製造工程は大別
すると、ガラス基板上に配線パターンやスイッチング素
子（アクティブマトリクス型の場合）等を形成するアレ
イ工程と、配向処理やスペーサの配置、及び対向するガ
ラス基板間に液晶を封入するセル工程と、ドライバＩＣ
の取付けやバックライト装着などを行うモジュール工程
からなる。このうちセル工程で行われる液晶注入プロセ
スでは、例えばＴＦＴ１１２が形成されたアレイ基板１
１６と、それに対向するカラーフィルタ基板１０４とを
メインシール１０６を介して張り合わせた後、液晶と基
板とを真空槽に入れ、メインシール１０６に開口した注
入口（図示せず）を液晶に浸けてから槽内を大気圧に戻
すことにより基板間に液晶を封入するディップ注入法が
用いられている。
【０２２４】それに対し近年、例えばアレイ基板１１６
周囲に枠状に形成したメインシール１０６の枠内の基板
面上に規定量の液晶を滴下し、真空中でアレイ基板１１
６とＣＦ基板１０４と貼り合せて液晶封入を行う滴下注
入法が注目されている。滴下注入法によると簡便かつ低
コストに液晶表示装置の表示パネル１００を製造できる
ため、様々な技術検討及び改良が行われてきている。
【０２２５】このようなポリマーを用いたプレチルト角
付与技術を用いた液晶表示装置において、ディップ注入
法を用いた場合の上記メインシール１０６を開口した注
入口近傍での表示むらが問題となっている。また、滴下
注入法を用いて同様の液晶表示装置を製造した場合にも
上記メインシール１０６近傍に表示むらが発生する。
【０２２６】図７７は、従来のディップ注入法で用いら
れる液晶注入口に光硬化性樹脂からなる封止剤を用いた
場合の問題を説明する図である。図７７に示すように、
紫外線領域から可視光領域の波長域を含む光１２２が注
入口１２０の封止剤１２６に照射されると、封止剤１２
６を透過した光１２３が液晶層２４に進入する。液晶層
２４中に分散した光重合性成分が封止剤１２６を透過し
た光１２３により光重合して注入口１２０付近で表示む
ら領域１２８が発生してしまう。
【０２２７】図７８は、従来の滴下注入法で用いられる
光硬化性樹脂からなるメインシールを用いた場合の問題
を説明する図である。紫外線領域から可視光領域の波長
域を含む光１２４が基板面法線方向から入射しても、一
部の光１２５がアレイ基板１１６で反射して表示領域１
１０に入り込み、メインシール１０６近傍の光重合性成
分を光重合させてしまい、表示むら領域１２８が発生し
てしまう。
【０２２８】図７７および図７８に示すように、注入口
１２０を封止する封止剤１２６若しくはメインシール１
０６に照射した光が表示領域１１０に入り込むことによ
り、光重合性成分が電圧印加前に光重合してしまう。
【０２２９】すなわち液晶層２４中に分散した光重合性
成分は光重合により液晶配向に準じた架橋構造を形成す
るが、注入口１２０近傍若しくはメインシール１０６近
傍の光重合性成分は垂直方向に架橋構造を形成してしま
うため、電圧を印加しても液晶分子が倒れ難くなる。液
晶層２４に電圧を印加した状態で封止剤１２６若しくは
メインシール１０６を光硬化できれば問題ないが、製造
装置や製造工程が複雑化するため現実的ではない。
【０２３０】これを解決するため本実施の形態では、以
下に示す手段により上記課題を解決している。 （１）光重合性成分の光重合波長域以外の光で光硬化可
能な樹脂を封止剤１２６若しくはメインシール１０６に
用いる。光重合性成分が光重合する波長域以外の光で封
止剤１２６若しくはメインシール１０６を硬化できれば
上記不具合は発生しなくなる。特開平１１−２８２５号
公報には、液晶に悪影響を与える特定波長を除去した光
を封止剤に照射する製造方法が開示されている。しか
し、本実施の形態は、液晶中に分散した光重合性成分を
封止剤１２６若しくはメインシール１０６を硬化させる
工程で光重合させないことを目的としており、液晶に悪
影響を与える特定波長でも液晶中に分散した光重合性成
分が光重合せず、封止剤１２６若しくはメインシール１
０６が光硬化する波長であれば照射する点で公知技術と
異なっている。
【０２３１】（２）光重合性成分の光重合波長域以外に
強度ピークを有する光で光硬化可能な樹脂を封止剤１２
６若しくはメインシール１０６に用いる。光重合性成分
の光重合波長域の光を光硬化のために一部必要とする樹
脂であっても、それ以外の光硬化波長域が十分広けれ
ば、光重合性成分の光重合波長域以外に強度ピークを有
する光を用いて封止剤１２６若しくはメインシール１０
６のみを硬化させることができる。すなわち、照射光に
光重合性成分の光重合波長域が一部含まれていても、光
重合性成分の光重合波長域で換算した積算光量が光重合
に必要な積算光量を下回っていれば光重合性成分は光重
合しないため、光重合性成分が光重合する波長域以外に
強度ピークを有する光により封止剤１２６若しくはメイ
ンシール１０６のみを硬化させることが可能となる。
【０２３２】（３）封止剤１２６若しくはメインシール
１０６に用いる光硬化性樹脂は少なくとも光重合性成分
より長波長側に光硬化する波長域を有するようにする。
光硬化する波長域は光開始剤の吸光特性に依存してい
る。そのため、光硬化性樹脂に含有される光開始剤の吸
収波長が少なくとも光重合性成分に含有される光開始剤
のそれよりも長波長側にあれば、短波長側を遮断（カッ
ト）するフィルタにより、光重合性成分が光重合する波
長域より長波長側の光を照射して封止剤若しくはメイン
シールのみを硬化させることができる。短波長側でなく
長波長側を選択する理由は、光開始剤の多くが短波長側
に光吸収領域を持つため、短波長側を選択すると光硬化
性樹脂と光重合性成分との差別化が難しくなることと、
短波長側の光を照射すると液晶への悪影響が大きくなる
ことによる。
【０２３３】（４）注入口近傍であって表示領域外とな
る領域に光をほぼ透過しない光遮蔽構造物を配置する。
これにより、基板面に平行な方向から注入口に光を照射
しても表示領域に入り込む光は光遮蔽構造物により遮ら
れるので、照射する波長域や用いる樹脂に関係なく封止
剤のみを硬化させることができる。
【０２３４】（５）注入口近傍であって表示領域外とな
る領域に光重合性成分が光重合する光量以下に光を減衰
する光減衰構造物を配置する。光をほぼ透過しない遮蔽
構造物でなくても、光重合性成分が光重合する光量以下
に光を減衰する光減衰構造物であれば、基板面に平行な
方向から注入口に光を照射しても表示領域に入り込む光
は光減衰構造物により光重合性成分が重合する光量以下
に減衰されるため、照射する波長域や用いる樹脂に関係
なく封止剤のみを硬化させることができる。
【０２３５】（６）上記の光遮蔽構造物又は光減衰構造
物を平面形状が直線若しくはほぼ円形からなる複数個の
集合体とし、基板面に平行な方向から見て表示領域の液
晶組成物が露出しないよう当該構造物を交互に形成す
る。当該構造物を単独で形成すると液晶注入の妨げとな
るが、上記のような構成にすることにより、液晶の流路
を確保しつつ構造物を単独で形成した場合と同等の効果
が期待できる。
【０２３６】以上の構成を用いることにより、液晶中に
分散させた光重合性成分を電圧を印加しながら光重合さ
せて液晶配向を規定した液晶表示装置において、注入口
近傍若しくはメインシール近傍での表示むらの発生を防
止して、高い表示品位を得ることができる。
【０２３７】以下、本実施の形態による液晶表示装置及
びその製造方法について、具体的に実施例及び比較例を
用いて説明する。 ［実施例９−１］ネガ型液晶にネマチック液晶性を示す
アクリル系光重合性成分を０．３ｗｔ％混合し、光重合
性成分を含有する液晶組成物を得た。この液晶組成物の
吸光スペクトルを測定したところ、図７９に示すように
概ね２００〜３８０ｎｍ（図７９の両矢印α１で示す範
囲）に光重合する波長域があることが分かった。なお、
液晶単体の吸光スペクトルも測定したが、液晶による吸
収は概ね３００ｎｍ以下であり、３００ｎｍ以上の吸収
は光重合性成分によるものと理解された。
【０２３８】そこで少なくとも３８０ｎｍより長波長側
に光硬化する波長域を有する樹脂として可視光領域を含
む広い波長域の光で活性化する光開始剤を含有するアク
リル系樹脂（東亜合成社製）を選定し、封止剤１２６に
用いた。この樹脂の吸収スペクトルを測定したところ、
図８０に示すように概ね２００〜６００ｎｍに光硬化す
る波長域（図８０の両矢印α２で示す範囲）があり、３
８０ｎｍ以上の波長域が十分広いことから３８０ｎｍ以
上の光で光硬化可能であることが分かった。
【０２３９】ＭＶＡモードの空パネルに液晶組成物を注
入し、セル厚を均一にするため加圧押出しを行った。続
けて封止剤１２６を注入口に塗布し、加圧解除後に基板
平行方向から３８０〜６００ｎｍの波長域からなる光を
照射して封止剤１２６の硬化を行った。なお、波長域の
選択はメタルハライド光源に３８０ｎｍ以下の波長をカ
ットするフィルタ（朝日分光社製）で行った。
【０２４０】パネル形成後、液晶の傾斜方位が規定され
る飽和電圧以上の電圧を印加しながら基板法線方向から
光重合性成分に紫外線を照射し、液晶配向に準じた架橋
構造を形成した。得られた液晶表示装置はプローバー試
験機にかけ、表示試験を行った。
【０２４１】［実施例９−２］実施例９−１と同様の手
法により光重合性成分を含有する液晶組成物を得た。少
なくとも３８０ｎｍより長波長側に光硬化する波長域を
有する樹脂として実施例９−１と同様のものをメインシ
ールに用いた。
【０２４２】ＭＶＡ用の配向規制用構造物が形成された
基板上にシール剤で閉じた枠パターン（メインシール１
０６）を形成し、滴下注入法により必要量の液晶を滴下
して減圧下で基板貼り合せを行った。続けて、所定のセ
ルギャップが得られるように基板を大気開放し、液晶組
成物をメインシール１０６内に拡散させた。そして基板
面法線方向にカラーフィルタ基板越しに３８０〜６００
ｎｍの波長域からなる光を照射してメインシール１０６
の硬化を行った。なお、波長域の選択はメタルハライド
光源に３８０ｎｍ以下の波長をカットするフィルタ（朝
日分光社製）で行った。
【０２４３】パネル形成後、液晶の傾斜方位が規定され
る飽和電圧以上の電圧を印加しながら基板面法線方向に
沿って光重合性成分に紫外線を照射し、液晶配向に準じ
た架橋構造を形成した。得られた液晶表示装置はプロー
バー試験機にかけ、表示試験を行った。
【０２４４】［実施例９−３］実施例９−１と同様の手
法により光重合性成分を含有する液晶組成物を得た。少
なくとも３８０ｎｍより長波長側に光重合する波長域を
有する樹脂として可視光領域を一部含む波長域の光で活
性化する光開始剤を含有するアクリル系樹脂（スリーボ
ンド社製）を選定し、封止剤に用いた。この樹脂の吸収
スペクトルを測定したところ、図８１の曲線β１に示す
ように概ね２００〜４５０ｎｍに光重合する波長域（図
８１の両矢印α３で示す範囲）があり、３８０ｎｍ以上
の波長域があまり広くない（図８１の両矢印α４で示す
範囲）ことから３８０ｎｍ以下の波長域の光も一部必要
であることが分かった。なお、一般的な光硬化性樹脂は
曲線β２に示すように、光重合する波長域が概ね２００
〜３８０ｎｍであり、紫外線領域の光のみで活性化する
光開始剤を含有している。
【０２４５】ＭＶＡモードの空パネルに液晶組成物を注
入し、セル厚を均一にするため加圧押出しを行った。続
けて封止剤を注入口に塗布し、加圧解除後に基板平行方
向から３５０〜６００ｎｍの波長域（図８１の両矢印α
５で示す範囲）からなる光を照射して封止剤の硬化を行
った。液晶中に分散した光重合性成分はｉ線近傍（３３
０〜３８０ｎｍ）の積算光量で１０００ｍＪ／ｃｍ2以
上になると光重合するため、３５０〜３８０ｎｍの波長
域における積算光量がこの値以下になるよう照射光量を
設定した。波長域の選択は高圧水銀光源に３５０ｎｍ以
下の波長をカットするフィルタ（朝日分光社製）で行っ
たが、このフィルタにより強度ピークとなる波長は３６
５ｎｍから４３６ｎｍとなり、ｉ線近傍の積算光量は概
ね１／３程度に減衰される。光硬化性樹脂が光硬化する
光量は３５０〜６００ｎｍの波長域の積算光量で２００
０ｍＪ／ｃｍ2であるが、上記フィルタによりｉ線近傍
の積算光量は１０００ｍＪ／ｃｍ2以下となるため、封
止剤のみを硬化できることが分かった。
【０２４６】パネル形成後、液晶の傾斜方位が規定され
る飽和電圧以上の電圧を印加しながら基板面法線方向に
沿って光重合性成分に紫外線を照射し、液晶配向に準じ
た架橋構造を形成した。得られた液晶表示装置はプロー
バー試験機にかけ、表示試験を行った。
【０２４７】［実施例９−４］実施例９−１と同様の手
法により光重合性成分を含有する液晶組成物を得た。封
止剤は、硬化に必要な積算光量がｉ線基準で２０００ｍ
Ｊの、前述した一般的な光硬化性樹脂（スリーボンド社
製）を用いた。液晶封止前のＭＶＡ−ＬＣＤの空パネル
には図８２（（ａ）は基板面法線方向に見た状態であり
（ｂ）は基板面方向に見た状態を示す）に示すように注
入口近傍かつ表示領域外となる領域に光をほぼ透過しな
い光遮蔽構造物１３０を形成した。光遮蔽構造物１３０
の平面形状は略円形からなる複数個の集合体とし、基板
面に平行な方向に見て表示領域１１０の液晶組成物が露
出しないよう交互に配置した。構造物はシール剤（協立
化学社製）に黒色スペーサ（積水ファインケミカル社
製）を混合したものを、シールディスペンサで点打ちし
て作成した。
【０２４８】この空パネルに液晶組成物を注入し、セル
ギャップを均一にするため加圧押出しを行った。続けて
封止剤を注入口に塗布し、加圧解除後に基板平行方向か
ら２００〜６００ｎｍの波長域からなる光を照射して封
止剤の硬化を行った。本実施例９−４では高圧水銀光源
からの光をそのまま照射した。
【０２４９】パネル形成後、液晶の傾斜方位が規定され
る飽和電圧以上の電圧を印加しながら基板法線方向から
光重合性成分に紫外線を照射し、液晶配向に準じた架橋
構造を形成した。得られた液晶表示装置はプローバー試
験機にかけ、表示試験を行った。
【０２５０】［実施例９−５］実施例９−１と同様の手
法により光重合性成分を含有する液晶組成物を得た。封
止剤は前述した一般的な光硬化性樹脂を用いた。ＭＶＡ
モードの空パネルには図８３に示すように注入口１２０
近傍かつ表示領域外となる領域に光重合性成分が光重合
する光量以下に光を減衰する光減衰構造物１３２を形成
した。光減衰構造物１３２の平面形状は直線からなる複
数個の集合体とし、基板面に平行な方向に沿って見て表
示領域１１０の液晶組成物が露出しないよう交互に配置
した。光減衰構造物１３２はシール剤にファイバースペ
ーサ（日本電気硝子社製／メインシールのギャップ剤と
して混入されるスペーサ）を混合したものを、シールデ
ィスペンサでメインシールと一括して作成した。構造物
の幅が約１ｍｍであることから、ガラス上に上記シール
剤を１ｍｍ厚で塗布し、２００〜６００ｎｍの波長域か
らなる光を照射してｉ線近傍の積算光量がどの程度減衰
されるか測定した。その結果、上記シール剤によりｉ線
近傍の積算光量は１／３まで減衰されるので、２００〜
６００ｎｍの波長域からなる光を照射しても上記シール
剤越しであれば封止剤のみを硬化できることが分かっ
た。
【０２５１】この空パネルに液晶組成物を注入し、セル
厚を均一にするため加圧押出しを行った。続けて封止剤
（不図示）を注入口１２０に塗布し、加圧解除後に基板
平行方向から２００〜６００ｎｍの波長域からなる光を
照射して封止剤の硬化を行った。実施例４では高圧水銀
光源からの光をそのまま照射した。
【０２５２】パネル形成後、液晶の傾斜方位が規定され
る飽和電圧以上の電圧を印加しながら基板法線方向から
当該成分に紫外線を照射し、液晶配向に準じた架橋構造
を形成した。得られた液晶表示装置はプローバー試験機
にかけ、表示試験を行った。
【０２５３】［従来例９−１］実施例９−１と同様の手
法により光重合性成分を含有する液晶組成物を得た。封
止剤は前述した一般的な光硬化性樹脂を用いた。ＭＶＡ
モードの空パネルには注入口近傍に何も形成しなかっ
た。この空パネルに液晶組成物を注入し、セル厚を均一
にするため加圧押出しを行った。続けて封止剤を注入口
に塗布し、加圧解除後に基板平行方向から２００〜６０
０ｎｍの波長域からなる光を照射して封止剤の硬化を行
った。本従来例９−１では高圧水銀光源からの光をその
まま照射した。
【０２５４】パネル化後、液晶の傾斜方位が規定される
飽和電圧以上の電圧を印加しながら基板法線方向から当
該成分に紫外線を照射し、液晶配向に準じた架橋構造を
形成した。得られた液晶表示装置はプローバー試験機に
かけ、表示試験を行った。
【０２５５】［従来例９−２］実施例９−１と同様の手
法により光重合性成分を含有する液晶組成物を得た。メ
インシールは紫外線領域の光のみで活性化する光開始剤
を含有するエポキシ系樹脂（協立化学社製）を用いた。
【０２５６】ＭＶＡ用の配向制御物が形成された基板上
にメインシールで閉じた枠パターンを形成し、必要量の
液晶を滴下して減圧下で基板貼り合せを行った。続けて
大気開放によりギャップ出しを行い、液晶組成物を枠パ
ターン内に拡散させた。そして基板鉛直方向からＣＦ基
板越しに２００〜６００ｎｍの波長域からなる光を照射
してメインシールの硬化を行った。本従来例９−２では
高圧水銀光源からの光をそのまま照射した。
【０２５７】パネル形成後、液晶の傾斜方位が規定され
る飽和電圧以上の電圧を印加しながら基板法線方向から
光重合性成分に紫外線を照射し、液晶配向に準じた架橋
構造を形成した。得られた液晶表示装置はプローバー試
験機にかけ、表示試験を行った。
【０２５８】［表示試験の結果］実施例９−１乃至実施
例９−５の液晶表示装置では中間調表示で表示むらが発
生しないのに対し、従来例９−１及び従来例９−２では
注入口若しくはメインシール近傍で表示むらが発生し
た。
【０２５９】以上説明したとおり、本実施の形態によれ
ば、光重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持
し、液晶組成物に電圧を印加しながら光重合性成分を光
重合させたプレチルト角付与技術を採用した液晶表示装
置において、表示品位を向上させつつ高い歩留まりで製
造することができるようになる。
【０２６０】以上説明した本発明の第１の実施の形態に
よる液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにま
とめられる。 （付記１）光又は熱により重合する重合性成分を含有す
る液晶層を基板間に封止し、前記液晶層に電圧を印加し
ながら前記重合性成分を重合して、液晶分子のプレチル
ト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定する液晶表示装
置の製造方法において、前記液晶表示装置がｎ−チャネ
ルＴＦＴを備えている場合には、下記の電圧印加条件１
に引き続いて電圧印加条件２で前記液晶層に電圧を印加
し、前記電圧印加条件２の段階で前記重合性成分を重合
させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 電圧印加条件１：Ｖｇ＞Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ 電圧印加条件２：Ｖｃ＞Ｖｄ（ｄｃ） ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分） である。
【０２６１】（付記２）光又は熱により重合する重合性
成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層に
電圧を印加しながら前記重合性成分を重合して、液晶分
子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定す
る液晶表示装置の製造方法において、前記液晶表示装置
がｎ−チャネルＴＦＴを備えている場合には、下記の電
圧印加条件１に続いて電圧印加条件２で前記液晶層に電
圧を印加し、さらに印加電圧条件３で前記液晶層に電圧
を印加し、前記電圧印加条件３の段階で前記重合性成分
を重合させることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 電圧印加条件１：Ｖｇ＞Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ、Ｖｄ（ａ
ｃ）＝０ 電圧印加条件２：Ｖｃ＞Ｖｄ（ｄｃ） 電圧印加条件３：ＶｃをＶｄ（ｄｃ）に近づけながら、
Ｖｄ（ａｃ）を徐々に０以上にする。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分）、 Ｖｄ（ａｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（交流
成分） である。
【０２６２】（付記３）光又は熱により重合する重合性
成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層に
電圧を印加しながら前記重合性成分を重合して、液晶分
子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定す
る液晶表示装置の製造方法において、前記液晶表示装置
がｎ−チャネルＴＦＴを備えている場合には、下記の電
圧印加条件１に続いて電圧印加条件２で前記液晶層に電
圧を印加し、さらに印加電圧条件３で前記液晶層に電圧
を印加し、前記電圧印加条件３の段階で前記重合性成分
を重合させることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 印加電圧条件１：Ｖｇ＞Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ 印加電圧条件２：Ｖｃ＞Ｖｄ（ｄｃ） 印加電圧条件３：Ｖｇを小さくして、Ｖｄ（ｄｃ）に近
づける。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分） である。
【０２６３】（付記４）光又は熱により重合する重合性
成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層に
電圧を印加しながら前記重合性成分を重合して、液晶分
子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定す
る液晶表示装置の製造方法において、前記液晶表示装置
がｎ−チャネルＴＦＴを備えている場合には、下記の電
圧印加条件１に続いて電圧印加条件２、次いで印加電圧
条件３を前記液晶層に電圧を印加し、さらに印加電圧条
件４で前記液晶層に電圧を印加し、前記電圧印加条件４
の段階で前記重合性成分を重合させることを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。 電圧印加条件１：Ｖｇ＞Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ、Ｖｄ（ａ
ｃ）＝０ 電圧印加条件２：Ｖｃ＞Ｖｄ（ｄｃ） 電圧印加条件３：ＶｃをＶｄ（ｄｃ）に近づけながら、
Ｖｄ（ａｃ）を徐々に０以上とする。 電圧印加条件４：Ｖｇを小さくして、Ｖｄ（ｄｃ）に近
づける。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分）、 Ｖｄ（ａｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（交流
成分） である。
【０２６４】（付記５）付記３又は４に記載の液晶表示
装置の製造方法において、前記ゲートバスラインへの印
加電圧Ｖｇを小さくして前記ドレインバスラインへの印
加電圧（直流成分）Ｖｄ（ｄｃ）に近づける際に、Ｖｇ
＝Ｖｄ（ｄｃ）とすることを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。
【０２６５】（付記６）付記１乃至５のいずれか１項に
記載の液晶表示装置の製造方法において、Ｖｃ＞Ｖｄ
（ｄｃ）の電圧印加時において、Ｖｃ−Ｖｄ（ｄｃ）の
値を一旦所望の電圧より高くし、その後電圧を下げて所
望の電圧にすることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
【０２６６】（付記７）付記１乃至６のいずれか１項に
記載の液晶表示装置の製造方法において、前記ゲートバ
スラインへの印加電圧Ｖｇが直流電圧であることを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
【０２６７】（付記８）対向配置された２枚の基板と、
前記基板間に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／
又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶
層と、前記２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液晶層
に電圧を印加する電極と、少なくとも一方の前記電極に
設けられ、前記液晶層に電圧を印加しながら前記液晶層
中に混合された重合性成分を重合する際、前記液晶分子
がパターン長手方向に配向するように周期的に配列さ
れ、スペースの幅よりパターン幅の方が広く形成された
複数のストライプ状電極パターンとを有することを特徴
とする液晶表示装置。
【０２６８】（付記９）対向配置された２枚の基板と、
前記基板間に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／
又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶
層と、前記２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液晶層
に電圧を印加する電極と、少なくとも一方の前記電極上
に設けられ、前記液晶層に電圧を印加しながら前記液晶
層中に混合された重合性成分を重合する際、前記液晶分
子がパターン長手方向に配向するように周期的に配列さ
れ、前記電極露出部の幅より狭い幅で形成された複数の
線状突起とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【０２６９】（付記１０）対向配置された２枚の基板
と、前記基板間に封止され、液晶分子のプレチルト角及
び／又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ
液晶層と、前記２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液
晶層に電圧を印加する電極と、少なくとも一方の前記電
極上に設けられ、前記液晶層に電圧を印加しながら前記
液晶層中に混合された重合性成分を重合する際、前記液
晶分子がパターン長手方向に配向するように周期的に配
列された導電性の複数の線状突起とを有することを特徴
とする液晶表示装置。
【０２７０】（付記１１）付記８乃至１０のいずれか１
項に記載の液晶表示装置において、前記電極に電圧を供
給するバスライン上の前記液晶分子の配向方位を規制す
る配向規制用構造を有することを特徴とする液晶表示装
置。
【０２７１】（付記１２）付記１１記載の液晶表示装置
において、前記配向規制用構造は、前記バスラインの幅
を部分的または連続的に変化させていることを特徴とす
る液晶表示装置。
【０２７２】（付記１３）付記１１記載の液晶表示装置
において、前記配向規制用構造は、前記電極外周囲が絶
縁層を介して前記バスライン上まで延出していることを
特徴とする液晶表示装置。
【０２７３】以上説明した本発明の第２の実施の形態に
よる液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにま
とめられる。 （付記１４）対向配置された２枚の基板と、前記基板間
に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時
の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶層と、前記
２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液晶層に電圧を印
加する電極と、前記電極のいずれか一方に設けられたド
レインバスライン及びゲートバスラインと、少なくとも
一方の前記電極に設けられ、前記液晶層に電圧を印加し
ながら前記液晶層中に混合された重合性成分を重合する
際、前記液晶分子がパターン長手方向に配向するように
周期的に配列され、前記ドレインバスライン又は前記ゲ
ートバスラインに平行にライン・アンド・スペースパタ
ーンに形成されたストライプ状電極パターンとを有する
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２７４】（付記１５）付記１４記載の液晶表示装置
において、前記ストライプ状電極パターンのパターン長
手方向に直交して設けられ、前記ストライプ状電極パタ
ーン間を電気的に接続する接続電極を有していることを
特徴とする液晶表示装置。
【０２７５】（付記１６）付記１５記載の液晶表示装置
において、前記接続電極は、画素中央に配置されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２７６】（付記１７）付記１５記載の液晶表示装置
において、前記接続電極は、画素端部に配置されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２７７】（付記１８）付記１５乃至１７のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、前記基板上に配向
処理が施された配向膜が形成されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
【０２７８】（付記１９）付記１５乃至１８のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、前記接続電極に対
向する位置の対向基板側に線状突起が設けられているこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【０２７９】（付記２０）付記１６乃至１９のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、前記ゲートバスラ
イン上に線状突起が設けられていることを特徴とする液
晶表示装置。
【０２８０】（付記２１）付記１７乃至２０のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、前記ストライプ状
電極パターン上の画素中央部に線状突起が設けられてい
ることを特徴とする液晶表示装置。
【０２８１】（付記２２）付記１４乃至２１のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、前記ドレインバス
ラインに隣接するストライプ状電極パターンと前記ドレ
インバスラインとの間隙は、前記ライン・アンド・スペ
ースパターンのスペース幅とほぼ同じかそれより狭いこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【０２８２】（付記２３）付記１４乃至２２のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、前記ドレインバス
ラインに隣接するストライプ状電極パターンと前記ドレ
インバスラインとの間隙に発生する横電界を打ち消すよ
うな電界遮蔽電極が形成されていることを特徴とする液
晶表示装置。
【０２８３】（付記２４）付記１４乃至２３のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、前記ドレインバス
ライン近傍の配向膜は、ドレインバスラインの延伸方向
に対してほぼ４５°傾いた配向方位になるように配向処
理が施されていることを特徴とする液晶表示装置。
【０２８４】（付記２５）付記１５乃至２４のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、前記ストライプ状
電極パターンは、前記ゲートバスラインに平行に形成さ
れ、前記接続電極は、画素領域上半分と下半分とに分か
れて対向してそれぞれ１つずつ設けられていることを特
徴とする液晶表示装置。
【０２８５】（付記２６）付記２５記載の液晶表示装置
において、前記接続電極と隣接する前記ドレインバスラ
インとの間の対向基板上に線状突起が設けられているこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【０２８６】以上説明した本発明の第３の実施の形態に
よる液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにま
とめられる。 （付記２７）付記１４乃至２６のいずれか１項に記載の
液晶表示装置において、前記ドレインバスラインに隣接
する前記ストライプ状電極パターンのパターン幅は、他
の前記ストライプ状電極パターンのパターン幅より細い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２８７】（付記２８）付記２７記載の液晶表示装置
において、前記ドレインバスラインに隣接する前記スト
ライプ状電極パターンのパターン幅は、０．５μｍ以上
５μｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【０２８８】以上説明した本発明の第４の実施の形態に
よる液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにま
とめられる。 （付記２９）対向配置された２枚の基板と、前記基板間
に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時
の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶層と、前記
２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液晶層に電圧を印
加する電極と、少なくとも一方の前記電極に設けられ、
前記液晶層に電圧を印加しながら前記液晶層中に混合さ
れた重合性成分を重合する際、前記液晶分子が所定の配
向方向に配向するように、前記基板の少なくとも一部の
領域で同一方向に向けて２次元的に配置され、単体ある
いは集合体として基板平面方向に方向性を有する方向性
構造物、あるいは表面改質領域に形成された方向性構造
とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【０２８９】（付記３０）付記２９記載の液晶表示装置
において、前記方向性構造物又は前記方向性構造は、１
画素内の複数領域にそれぞれ配置され、前記領域毎に異
なる方向に向いて配置されていることを特徴とする液晶
表示装置。
【０２９０】（付記３１）付記２９又は３０に記載の液
晶表示装置において、画素内の各領域の境界に、前記方
向性構造物あるいは前記表面改質領域の方向性構造から
なる境界構造物が設けられていることを特徴とする液晶
表示装置。
【０２９１】以上説明した本発明の第５の実施の形態に
よる液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにま
とめられる。 （付記３２）対向配置された２枚の基板と、前記基板間
に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時
の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶層と、前記
基板間隙を維持するために画素領域外に配置されたスペ
ーサとを有することを特徴とする液晶表示装置。
【０２９２】（付記３３）対向配置された２枚の基板
と、前記基板間に封止され、液晶分子のプレチルト角及
び／又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ
液晶層と、前記２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液
晶層に電圧を印加する電極と、少なくとも一方の前記電
極に設けられ、前記液晶層に電圧を印加しながら前記液
晶層中に混合された重合性成分を重合する際、前記液晶
分子の各配向方向への配向割合が全画素で同じになるよ
うに、前記全画素内の同一位置に形成された柱状スペー
サとを有することを特徴とする液晶表示装置。
【０２９３】（付記３４）付記３３記載の液晶表示装置
において、前記柱状スペーサは、セルギャップ相当の厚
さを有していることを特徴とする液晶表示装置。
【０２９４】（付記３５）付記３３又は３４に記載の液
晶表示装置において、前記柱状スペーサは、前記各画素
の中心線上に形成されていることを特徴とする液晶表示
装置。
【０２９５】（付記３６）付記３３乃至３５のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、セルギャップを維
持するための柱状スペーサが前記画素外部に形成されて
いることを特徴とする液晶表示装置。
【０２９６】（付記３７）付記３３乃至３６のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、前記２枚の基板の
両側に円偏光板が取り付けられていることを特徴とする
液晶表示素子。
【０２９７】以上説明した本発明の第６の実施の形態に
よる液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにま
とめられる。 （付記３８）光又は熱により重合する重合性成分を含有
する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層に電圧を印加
せずに前記重合性成分を重合して、液晶分子のプレチル
ト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定することを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
【０２９８】（付記３９）光又は熱により重合する重合
性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層
に電圧無印加時とプレチルトの差がつかない程度の電圧
を印加して前記重合性成分を重合し、液晶分子のプレチ
ルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定することを特
徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０２９９】（付記４０）付記３８又は３９に記載の液
晶表示装置の製造方法において、前記基板上に光配向処
理による配向膜を形成することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
【０３００】（付記４１）付記３８乃至４０のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記基
板上に配向規制用構造物を形成することを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。
【０３０１】（付記４２）付記３８乃至４１のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記重
合性成分は、液晶性若しくは非液晶性モノマーであるこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０３０２】（付記４３）付記４２記載の液晶表示装置
の製造方法において、前記液晶性若しくは非液晶性モノ
マーは、２官能アクリレート若しくは２官能アクリレー
トと単官能アクリレートの混合物であることを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。
【０３０３】以上説明した本発明の第７の実施の形態に
よる液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにま
とめられる。 （付記４４）光又は熱により重合する重合性成分を含有
する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層に電圧を印加
しながら前記重合性成分を重合して、液晶分子のプレチ
ルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定する液晶表示
装置の製造方法において、前記基板に太陽電池を形成
し、前記重合性成分を重合する際の前記液晶層への前記
電圧の印加は、前記太陽電池に光を照射して得られる出
力電圧を用いることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
【０３０４】（付記４５）付記４４記載の液晶表示装置
の製造方法において、前記太陽電池は前記基板外周部に
形成され、装置の完成の際には、前記太陽電池は前記基
板から切り離されることを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。
【０３０５】（付記４６）付記４４又は４５に記載の液
晶表示装置の製造方法において、前記太陽電池は、画素
部又は周辺回路部の能動素子の形成と同時にアレイ基板
上に形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
【０３０６】（付記４７）付記４４乃至４６のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記太
陽電池は表示領域周辺部に形成され、装置の完成の際に
は、遮光性物質で遮光されて前記基板内に残存すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０３０７】（付記４８）付記４４乃至４７のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記太
陽電池は、用途に応じて出力電圧を異ならせた複数種類
が前記基板上に形成されることを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
【０３０８】（付記４９）付記４８記載の液晶表示装置
の製造方法において、前記複数種類の太陽電池は、前記
重合性成分の重合の際、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ(青)用
の画素に所定の電圧を独立して印加可能に形成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０３０９】（付記５０）付記４４乃至４９のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記太
陽電池は、前記重合性成分の重合の際に前記液晶層に照
射される光で駆動されることを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
【０３１０】（付記５１）付記４４乃至４９のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記太
陽電池は、前記重合性成分の重合の際に前記液晶層に照
射される光とは異なる波長の光で駆動されることを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
【０３１１】（付記５２）付記４４乃至４９のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記液
晶層の液晶は、滴下注入法により少なくとも一方の前記
基板上に滴下され、前記太陽電池は、前記基板を貼り合
せる際にメインシールに照射される光で駆動されること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０３１２】以上説明した本発明の第８の実施の形態に
よる液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにま
とめられる。 （付記５３）負の誘電率異方性を有し、電圧無印加時に
おいてほぼ垂直配向する液晶と、光又は熱により重合す
る重合性成分とを含有する液晶層を基板間に封止し、前
記液晶層に電圧を印加しながら前記重合性成分を重合す
る際、画素毎に設けられたＴＦＴをオン状態にさせるゲ
ート電圧Ｖｇ（ｏｎ）がゲートバスラインに印加されて
いるときは、ドレイン電圧Ｖｄ（ｏｎ）をドレインバス
ラインに印加し、前記ＴＦＴをオフ状態にさせるゲート
電圧Ｖｇ（ｏｆｆ）が前記ゲートバスラインに印加され
ているときは、前記ドレイン電圧Ｖｄ（ｏｎ）より大き
いドレイン電圧Ｖｄ（ｏｆｆ）を前記ドレインバスライ
ンに印加して、液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動
時の傾斜方向を規定することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
【０３１３】（付記５４）付記５３記載の液晶表示装置
の製造方法において、前記ゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）は、
全ての前記ゲートバスラインに同時に印加されることを
特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０３１４】（付記５５）付記５４記載の液晶表示装置
の製造方法において、前記ゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）、前
記ドレイン電圧Ｖｄ（ｏｎ）、及び前記ドレイン電圧Ｖ
ｄ（ｏｆｆ）のパルス幅は、前記画素に書き込まれた書
込み電圧Ｖｐのパルス幅より短いことを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。
【０３１５】（付記５６）付記５３乃至５５のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記基
板上に設けられた配向膜は、膜面に対し斜方から紫外線
を照射して傾斜垂直配向処理がなされていることを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
【０３１６】（付記５７）付記５３乃至５５のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記基
板上に設けられた配向膜は、ラビングにより傾斜垂直配
向処理がなされていることを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。
【０３１７】以上説明した本発明の第９の実施の形態に
よる液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにま
とめられる。 （付記５８）対向配置された２枚の基板と、前記基板間
に液晶注入口を介して注入され、液晶分子のプレチルト
角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含
んだ液晶層と、前記液晶層中に混合された光重合性成分
を光重合して前記ポリマーを形成する際に用いられる波
長域以外の光で光硬化する樹脂を含み、前記液晶注入口
を封止する封止剤とを有することを特徴とする液晶表示
装置。
【０３１８】（付記５９）対向配置された２枚の基板
と、滴下注入法により前記基板間に封止され、液晶分子
のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定する
ポリマーを含んだ液晶層と、前記液晶層中に混合された
光重合性成分を光重合して前記ポリマーを形成する際に
用いられる波長域以外の光で光硬化する樹脂を含み、前
記液晶を前記基板間に封止するメインシールとを有する
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０３１９】（付記６０）対向配置された２枚の基板
と、前記基板間に液晶注入口を介して注入され、液晶分
子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定す
るポリマーを含んだ液晶層と、前記液晶層中に混合され
た光重合性成分を光重合して前記ポリマーを形成する際
に用いられる波長域以外に強度ピークを有する光で光硬
化する樹脂を含み、前記液晶注入口を封止する封止剤と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【０３２０】（付記６１）対向配置された２枚の基板
と、滴下注入法により前記基板間に封止され、液晶分子
のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定する
ポリマーを含んだ液晶層と、前記液晶層中に混合された
光重合性成分を光重合して前記ポリマーを形成する際に
用いられる波長域以外に強度ピークを有する光で光硬化
する樹脂を含み、前記液晶を前記基板間に封止するメイ
ンシールとを有することを特徴とする液晶表示装置。
【０３２１】（付記６２）付記５８乃至６１のいずれか
１項に記載の液晶表示装置において、前記樹脂は、前記
光重合性成分より長波長側に光硬化する波長域、又は当
該波長域で光強度ピークを有することを特徴とする液晶
表示装置。
【０３２２】（付記６３）対向配置された２枚の基板
と、前記基板間に液晶注入口を介して注入され、液晶分
子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定す
るポリマーを含んだ液晶層と、前記注入口近傍で表示領
域外の領域に設けられ、光をほぼ透過しない光遮蔽構造
物とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【０３２３】（付記６４）対向配置された２枚の基板
と、前記基板間に液晶注入口を介して注入され、液晶分
子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定す
るポリマーを含んだ液晶層と、前記注入口近傍で表示領
域外の領域に設けられ、前記ポリマーの形成時に要する
光量以下に光を減衰する光減衰構造物とを有することを
特徴とする液晶表示装置。
【０３２４】（付記６５）付記６３又は６４に記載の液
晶表示装置において、前記構造物は、前記注入口から基
板面方向に見て前記液晶層が露出しないように所定の間
隙で複数個配置されていることを特徴とする液晶表示装
置。
【０３２５】（付記６６）光又は熱により重合する重合
性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層
に電圧を印加しながら前記重合性成分を重合して、液晶
分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定
する液晶表示装置の製造方法において、前記液晶表示装
置がｐ−チャネルＴＦＴを備えている場合には、下記の
電圧印加条件１に引き続いて電圧印加条件２で前記液晶
層に電圧を印加し、前記電圧印加条件２の段階で前記重
合性成分を重合させることを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。 電圧印加条件１：Ｖｇ＜Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ 電圧印加条件２：Ｖｃ＜Ｖｄ（ｄｃ） ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分） である。
【０３２６】（付記６７）光又は熱により重合する重合
性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層
に電圧を印加しながら前記重合性成分を重合して、液晶
分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定
する液晶表示装置の製造方法において、前記液晶表示装
置がｐ−チャネルＴＦＴを備えている場合には、下記の
電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２で前記液晶層に
電圧を印加し、さらに印加電圧条件３で前記液晶層に電
圧を印加し、前記電圧印加条件３の段階で前記重合性成
分を重合させることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 電圧印加条件１：Ｖｇ＜Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ、Ｖｄ（ａ
ｃ）＝０ 電圧印加条件２：Ｖｃ＜Ｖｄ（ｄｃ） 電圧印加条件３：ＶｃをＶｄ（ｄｃ）に近づけながら、
Ｖｄ（ａｃ）を徐々に０以上にする。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分）、 Ｖｄ（ａｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（交流
成分） である。
【０３２７】（付記６８）光又は熱により重合する重合
性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層
に電圧を印加しながら前記重合性成分を重合して、液晶
分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定
する液晶表示装置の製造方法において、前記液晶表示装
置がｐ−チャネルＴＦＴを備えている場合には、下記の
電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２で前記液晶層に
電圧を印加し、さらに印加電圧条件３で前記液晶層に電
圧を印加し、前記電圧印加条件３の段階で前記重合性成
分を重合させることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 印加電圧条件１：Ｖｇ＜Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ 印加電圧条件２：Ｖｃ＜Ｖｄ（ｄｃ） 印加電圧条件３：Ｖｇを大きくして、Ｖｄ（ｄｃ）に近
づける。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分） である。
【０３２８】（付記６９）光又は熱により重合する重合
性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層
に電圧を印加しながら前記重合性成分を重合して、液晶
分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定
する液晶表示装置の製造方法において、前記液晶表示装
置がｐ−チャネルＴＦＴを備えている場合には、下記の
電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２、次いで印加電
圧条件３を前記液晶層に電圧を印加し、さらに印加電圧
条件４で前記液晶層に電圧を印加し、前記電圧印加条件
４の段階で前記重合性成分を重合させることを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。 電圧印加条件１：Ｖｇ＜Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ、Ｖｄ（ａ
ｃ）＝０ 電圧印加条件２：Ｖｃ＜Ｖｄ（ｄｃ） 電圧印加条件３：ＶｃをＶｄ（ｄｃ）に近づけながら、
Ｖｄ（ａｃ）を徐々に０以上とする。 電圧印加条件４：Ｖｇを大きくして、Ｖｄ（ｄｃ）に近
づける。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
成分）、 Ｖｄ（ａｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（交流
成分） である。
【０３２９】（付記７０）付記６８又は６９に記載の液
晶表示装置の製造方法において、前記ゲートバスライン
への印加電圧Ｖｇを小さくして前記ドレインバスライン
への印加電圧（直流成分）Ｖｄ（ｄｃ）に近づける際
に、Ｖｇ＝Ｖｄ（ｄｃ）とすることを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。
【０３３０】（付記７１）付記６５乃至７０のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、Ｖｃ＜
Ｖｄ（ｄｃ）の電圧印加時において、Ｖｃ−Ｖｄの値を
一旦所望の電圧より低くし、その後電圧を上げて所望の
電圧にすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０３３１】（付記７２）付記６６乃至７１のいずれか
１項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記ゲ
ートバスラインへの印加電圧Ｖｇが直流電圧であること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０３３２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、ポリマー
を用いたプレチルト角付与技術を用いて液晶の配向方位
を規制して、広い視野角が得られると共に、中間調の応
答時間を短くできるので、優れた表示品質を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
及びその製造方法の第１の原理について説明する図であ
る。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
及びその製造方法の第２の原理について説明する図であ
る。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
及びその製造方法の第３の原理について説明する図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
及びその製造方法の第４の原理について説明する図であ
る。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
及びその製造方法の第４の原理について説明する図であ
る。
【図６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
及びその製造方法の第５の原理について説明する図であ
る。
【図７】本発明の第１の実施の形態における比較例１−
１について説明する図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態における実施例１−
１、１−２、及び比較例１−１、１−２で得られたＬＣ
Ｄの画素内配向状態及び表示のざらつきの結果を示す図
である。
【図９】ゲート電圧Ｖｇのレベル変化に伴う液晶配向状
態の変化を示す図である。
【図１０】ゲート電圧Ｖｇに対する配向状態とＴＦＴの
閾値シフト起因のむらとの関係を示す図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態による実施例１−
５において、ストライプ状電極８幅Ｌが設計値から約
０．２μｍずれて形成された場合の中間調表示における
透過率の変化率を示すシミュレーションの結果を示す図
である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態による実施例１−
５において、ストライプ状電極８幅Ｌが設計値から約
０．２μｍずれて形成された場合の中間調表示における
透過率の変化率を示す実測値を示す図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態による実施例１−
５において、ストライプ状電極８幅Ｌが設計値から約
０．２μｍずれて形成された場合の中間調表示における
透過率の変化率を示す実測値を示す図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態による実施例１−
５において、ストライプ状電極８幅Ｌが設計値から約
０．２μｍずれて形成された場合の中間調表示における
透過率の変化率を示す実測値を示す図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置及びその製造方法の実施例１−６について説明する図
である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置及びその製造方法の実施例１−７について説明する図
である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置及びその製造方法の実施例１−７について説明する図
である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置及びその製造方法の実施例１−９について説明する図
である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置及びその製造方法の実施例１−９について説明する図
である。
【図２０】配向ベクトルの特異点を示す図である。
【図２１】ポリマーを用いたプレチルト角付与処理を施
した従来のＭＶＡ−ＬＣＤにおけるポリマー化（重合）
時の液晶駆動方法を示す図である。
【図２２】２分割配向領域を有するＭＶＡ−ＬＣＤを示
す図である。図２２（ａ）は、ＭＶＡ−ＬＣＤの１画素
２を基板面法線方向に見た状態を示している。図２２
（ｂ）は、図２２（ａ）に示すＭＶＡ−ＬＣＤをドレイ
ンバスライン６に平行に切った断面を示している。
【図２３】画素顕微鏡観察図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
１のＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た
図である。
【図２５】図２４のＤ−Ｄ線で切断した断面形状を示し
ている。
【図２６】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
１の変形例を示す図である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
１の効果を示すＴ−Ｖ線図である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
２のＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た
図である。
【図２９】図２８のＥ−Ｅ線で切断した断面形状を示す
図である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
２の変形例を示す図である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
２の効果を示すＴ−Ｖ線図である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
３のＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た
図である。
【図３３】本発明の第２の実施の形態によるＭＶＡ−Ｌ
ＣＤの電界遮蔽電極７０の配置位置とその動作を示す図
である。
【図３４】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
３の効果を示すＴ−Ｖ線図である。
【図３５】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
４のＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た
図である。
【図３６】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
４の効果を示すＴ−Ｖ線図である。
【図３７】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
５のＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た
図である。
【図３８】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
５において、ドレインバスライン６と画素電極３の間隙
７６が広い構成を示している。
【図３９】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
５において、実施例２−３の電界遮蔽電極７０を間隙７
６下層に設けたことを示す図である。
【図４０】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
５の効果を示すＴ−Ｖ線図である。
【図４１】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
６のＭＶＡ−ＬＣＤの１画素２を基板面法線方向に見た
図である。
【図４２】図４１のＦ−Ｆ線で切断した断面を示す図で
ある。
【図４３】図４１のＧ−Ｇ線で切断した断面を示す図で
ある。
【図４４】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
６におけるラビングの方向を示す図である。
【図４５】本発明の第２の実施の形態による実施例２−
６の効果を示すＴ−Ｖ線図である。
【図４６】本発明の第３の実施の形態による液晶分子２
４ａの傾斜動作について説明する図である。
【図４７】本発明の第３の実施の形態による実施例３−
１において、接続電極６４が画素中央に設けられている
例を示す図である。
【図４８】本発明の第３の実施の形態による実施例３−
１において、接続電極６４がゲートバスライン４側に設
けられている例を示す図である。
【図４９】従来のＭＶＡ−ＬＣＤを示す図である。
【図５０】液晶分子２４ａの傾斜方向及び傾斜角度θp
を示す図である。
【図５１】本発明の第４の実施の形態による配置領域８
０の配置関係を示す図である。
【図５２】本発明の第４の実施の形態による方向性構造
物あるいは表面改質領域を示す図である。
【図５３】本発明の第４の実施の形態による方向性構造
物あるいは表面改質領域の他の例を示す図である。
【図５４】本発明の第４の実施の形態による方向性構造
物あるいは表面改質領域のさらに他の例を示す図であ
る。
【図５５】本発明の第４の実施の形態によるＬＣＤの視
角特性を改善する構造を示す図である。
【図５６】本発明の第４の実施の形態による構造物の配
列例を示す図である。
【図５７】本発明の第４の実施の形態による構造物の配
列例の他の例を示す図である。
【図５８】本発明の第４の実施の形態による構造物の配
列例のさらに他の例を示す図である。
【図５９】本発明の第４の実施の形態による境界構造物
を示す図である。
【図６０】本発明の第４の実施の形態による境界構造物
の他の例を示す図である。
【図６１】本発明の第４の実施の形態による境界構造物
の具体的形状を示す図である。
【図６２】本発明の第４の実施の形態による境界構造物
の他の具体的形状を示す図である。
【図６３】本発明の第５の実施の形態によるＬＣＤの隣
接する３つの画素２を基板面法線方向に見た状態を示す
図である。
【図６４】本発明の第５の実施の形態による実施例にお
けるＬＣＤの隣接する３つの画素２を基板面法線方向に
見た状態を示す図である。
【図６５】本発明の第５の実施の形態による実施例の変
形例を示す図である。
【図６６】ポリマーを用いたプレチルト角付与技術を用
いたＬＣＤの基本構成を示す図である。
【図６７】モノマー材にＵＶ照射してポリマー化する際
に、液晶層２４に電圧を印加する従来方式を示す図であ
る。
【図６８】本発明の第６の実施の形態による実施例と従
来例とを比較した図である。
【図６９】本発明の第７の実施の形態による液晶表示装
置及びその製造方法を示す図である。
【図７０】ポリマーを用いたプレチルト角付与技術によ
り配向規制力を増加させる場合の問題点を説明する図で
ある。
【図７１】本発明の第８の実施の形態による実施例８−
１の液晶表示装置の駆動波形を示す図である。
【図７２】本発明の第８の実施の形態による実施例８−
１の液晶表示装置において、隣接する２画素２を基板面
法線方向に見た状態を示す図である。
【図７３】本発明の第８の実施の形態による実施例８−
２の液晶表示装置の駆動波形を示す図である。
【図７４】比較例としての従来の液晶表示装置の駆動波
形を示す図である。
【図７５】本発明の第８の実施の形態の効果を説明する
図である。
【図７６】ポリマーを用いたプレチルト角付与技術を用
いた液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図７７】従来のディップ注入法で用いられる液晶注入
口に光硬化性樹脂からなる封止剤を用いた場合の問題を
説明する図である。
【図７８】従来の滴下注入法で用いられる光硬化性樹脂
からなるメインシールを用いた場合の問題を説明する図
である。
【図７９】本発明の第９の実施の形態の実施例９−１に
おける液晶組成物の吸光スペクトルを測定した結果を示
す図である。
【図８０】封止剤１２６に用いた樹脂の吸収スペクトル
を測定した結果を示す図である。
【図８１】本発明の第９の実施の形態の実施例９−３に
おける封止剤の吸光スペクトルを測定した結果を示す図
である。
【図８２】本発明の第９の実施の形態の実施例９−４に
おける光遮蔽構造物１３０を示す図である。
【図８３】本発明の第９の実施の形態の実施例９−５に
おける光減衰構造物１３２を示す図である。
【図８４】本発明の第１の実施の形態において、ポリマ
ーを用いたプレチルト角が付与されていないパネルの透
過率の変化率とポリマーを用いたプレチルト角が付与さ
れたパネルの透過率の変化率とを対比して示す図であ
る。
【図８５】本発明の第１の実施の形態において、ポリマ
ーを用いてプレチルト角を付与していない液晶を有する
ＬＣＤとポリマーを用いてプレチルト角を付与した液晶
を有するＬＣＤとの到達透過率対立ち上がり時間の関係
を示す図である。
【図８６】本発明の第４の実施の形態において、ポリマ
ーを用いてプレチルト角を付与していない液晶を有する
ＬＣＤとポリマーを用いてプレチルト角を付与した液晶
を有するＬＣＤとにおける、階調と対立ち上がり時間と
の関係を示す図である。
【符号の説明】
２ 画素 ３、４０、４６ 画素電極 ４ ゲートバスライン ６ ドレインバスライン ８ ストライプ状電極 １０ スペース １０ａ 領域 １２、１４、６４ 接続電極 １６ ＴＦＴ １８ 蓄積容量バスライン ２０ アレイ基板側ガラス基板 ２２ 絶縁膜 ２３ 絶縁膜（ゲート絶縁膜） ２４ 液晶層 ２４ａ、２４ｂ 液晶分子 ２６ コモン電極 ２８、５４ カラーフィルタ層 ３０ 対向基板側ガラス基板 ３２、３４ 配向膜 ４２、４４、６６、６８ 線状突起 ５０ ●印 ５２ ○印 ５６ 絶縁層 ６０ ドレイン電極 ６２ ソース電極 ７０ 電界遮蔽電極 ７２ 楕円 ７４、７５ 太陽電池 ７６ 間隙 ７６ａ 領域 ７８ 境界構造物 ８０ 配置領域 ８２ ビーズ・スペーサ ８４ 柱状スペーサ ８６ マザーガラス ８８ アレイ基板 ８９ 対向基板 ９２、９４ 矢印 １００ 液晶表示パネル １０２ 端子部 １０４ ＣＦ（カラーフィルタ）基板 １０６ シール剤 １０８ ＢＭ（ブラックマトリクス）額縁部 １１０ 表示領域 １１２ ＴＦＴ １１４ 画素領域 １１６ アレイ基板 １１８ ＢＭ １２０ 注入口 １２２〜１２５ 光 １２６ 封止剤 １２８ 表示むら領域 １３０ 光遮蔽構造物 １３２ 光減衰構造物 Ｘ１ 暗部（又は暗線）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 (72)発明者 花岡 一孝 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 清野 勉 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 仲西 洋平 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田沼 清治 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 中村 公昭 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 井ノ上 雄一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 柴崎 正和 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 津田 英昭 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 小池 善郎 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田坂 泰俊 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 吉田 秀史 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田代 国広 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 HA09 HA15 JA05 LA09 LA16 LA20 LA21 LA48 NA12 NA22 NA25 NA49 PA08 QA14 QA15 RA08 SA10 SA16 TA02 TA04 TA09 TA12 2H090 HA16 HB13 HC19 HD14 JA03 JA05 KA07 LA01 LA02 LA03 LA04 LA15 MA01 MA11 MB14 2H092 GA14 JA24 JB05 NA04 PA01 PA02 PA03 PA04 PA08 PA09 QA09

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】光又は熱により重合する重合性成分を含有
    する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層に電圧を印加
    しながら前記重合性成分を重合して、液晶分子のプレチ
    ルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定する液晶表示
    装置の製造方法において、 前記液晶表示装置がｎ−チャネルＴＦＴを備えている場
    合には、 下記の電圧印加条件１に引き続いて電圧印加条件２で前
    記液晶層に電圧を印加し、前記電圧印加条件２の段階で
    前記重合性成分を重合させることを特徴とする液晶表示
    装置の製造方法。 電圧印加条件１：Ｖｇ＞Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ 電圧印加条件２：Ｖｃ＞Ｖｄ（ｄｃ） ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
    成分） である。
  2. 【請求項２】光又は熱により重合する重合性成分を含有
    する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層に電圧を印加
    しながら前記重合性成分を重合して、液晶分子のプレチ
    ルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定する液晶表示
    装置の製造方法において、 前記液晶表示装置がｎ−チャネルＴＦＴを備えている場
    合には、 下記の電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２で前記液
    晶層に電圧を印加し、さらに印加電圧条件３で前記液晶
    層に電圧を印加し、前記電圧印加条件３の段階で前記重
    合性成分を重合させることを特徴とする液晶表示装置の
    製造方法。 電圧印加条件１：Ｖｇ＞Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ、Ｖｄ（ａ
    ｃ）＝０ 電圧印加条件２：Ｖｃ＞Ｖｄ（ｄｃ） 電圧印加条件３：ＶｃをＶｄ（ｄｃ）に近づけながら、
    Ｖｄ（ａｃ）を徐々に０以上にする。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
    成分）、 Ｖｄ（ａｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（交流
    成分） である。
  3. 【請求項３】光又は熱により重合する重合性成分を含有
    する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層に電圧を印加
    しながら前記重合性成分を重合して、液晶分子のプレチ
    ルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定する液晶表示
    装置の製造方法において、 前記液晶表示装置がｎ−チャネルＴＦＴを備えている場
    合には、 下記の電圧印加条件１に続いて電圧印加条件２で前記液
    晶層に電圧を印加し、さらに印加電圧条件３で前記液晶
    層に電圧を印加し、前記電圧印加条件３の段階で前記重
    合性成分を重合させることを特徴とする液晶表示装置の
    製造方法。 印加電圧条件１：Ｖｇ＞Ｖｄ（ｄｃ）＝Ｖｃ 印加電圧条件２：Ｖｃ＞Ｖｄ（ｄｃ） 印加電圧条件３：Ｖｇを小さくして、Ｖｄ（ｄｃ）に近
    づける。 ここで、 Ｖｇ：ゲートバスラインへの印加電圧、 Ｖｃ：コモン電極への印加電圧、 Ｖｄ（ｄｃ）：ドレインバスラインへの印加電圧（直流
    成分） である。
  4. 【請求項４】対向配置された２枚の基板と、 前記基板間に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／
    又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶
    層と、 前記２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液晶層に電圧
    を印加する電極と、 少なくとも一方の前記電極に設けられ、前記液晶層に電
    圧を印加しながら前記液晶層中に混合された重合性成分
    を重合する際、前記液晶分子がパターン長手方向に配向
    するように周期的に配列され、スペースの幅よりパター
    ン幅の方が広く形成された複数のストライプ状電極パタ
    ーンとを有することを特徴とする液晶表示装置。
  5. 【請求項５】対向配置された２枚の基板と、 前記基板間に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／
    又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶
    層と、 前記２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液晶層に電圧
    を印加する電極と、 少なくとも一方の前記電極上に設けられ、前記液晶層に
    電圧を印加しながら前記液晶層中に混合された重合性成
    分を重合する際、前記液晶分子がパターン長手方向に配
    向するように周期的に配列され、前記電極露出部の幅よ
    り狭い幅で形成された複数の線状突起とを有することを
    特徴とする液晶表示装置。
  6. 【請求項６】対向配置された２枚の基板と、 前記基板間に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／
    又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶
    層と、 前記２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液晶層に電圧
    を印加する電極と、 前記電極のいずれか一方に設けられたドレインバスライ
    ン及びゲートバスラインと、 少なくとも一方の前記電極に設けられ、前記液晶層に電
    圧を印加しながら前記液晶層中に混合された重合性成分
    を重合する際、前記液晶分子がパターン長手方向に配向
    するように周期的に配列され、前記ドレインバスライン
    又は前記ゲートバスラインに平行にライン・アンド・ス
    ペースパターンに形成されたストライプ状電極パターン
    とを有することを特徴とする液晶表示装置。
  7. 【請求項７】請求項６記載の液晶表示装置において、 前記ストライプ状電極パターンのパターン長手方向に直
    交して設けられ、前記ストライプ状電極パターン間を電
    気的に接続する接続電極を有していることを特徴とする
    液晶表示装置。
  8. 【請求項８】対向配置された２枚の基板と、 前記基板間に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／
    又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶
    層と、 前記２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液晶層に電圧
    を印加する電極と、 少なくとも一方の前記電極に設けられ、前記液晶層に電
    圧を印加しながら前記液晶層中に混合された重合性成分
    を重合する際、前記液晶分子が所定の配向方向に配向す
    るように、前記基板の少なくとも一部の領域で同一方向
    に向けて２次元的に配置され、単体あるいは集合体とし
    て基板平面方向に方向性を有する方向性構造物、あるい
    は表面改質領域に形成された方向性構造とを有すること
    を特徴とする液晶表示装置。
  9. 【請求項９】対向配置された２枚の基板と、 前記基板間に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／
    又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶
    層と、 前記基板間隙を維持するために画素領域外に配置された
    スペーサとを有することを特徴とする液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】対向配置された２枚の基板と、 前記基板間に封止され、液晶分子のプレチルト角及び／
    又は駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶
    層と、 前記２枚の基板にそれぞれ配置され、前記液晶層に電圧
    を印加する電極と、 少なくとも一方の前記電極に設けられ、前記液晶層に電
    圧を印加しながら前記液晶層中に混合された重合性成分
    を重合する際、前記液晶分子の各配向方向への配向割合
    が全画素で概ね同じになるように、前記全画素内の同一
    位置に形成された柱状スペーサとを有することを特徴と
    する液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】請求項１０記載の液晶表示装置におい
    て、 前記柱状スペーサは、セルギャップ相当の厚さを有して
    いることを特徴とする液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】光又は熱により重合する重合性成分を含
    有する液晶層を基板間に封止し、 前記液晶層に電圧を印加せずに前記重合性成分を重合し
    て、液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方
    向を規定することを特徴とする液晶表示装置の製造方
    法。
  13. 【請求項１３】光又は熱により重合する重合性成分を含
    有する液晶層を基板間に封止し、 前記液晶層に電圧無印加時とプレチルトの差がつかない
    程度の電圧を印加して前記重合性成分を重合し、液晶分
    子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定す
    ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】光又は熱により重合する重合性成分を含
    有する液晶層を基板間に封止し、前記液晶層に電圧を印
    加しながら前記重合性成分を重合して、液晶分子のプレ
    チルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定する液晶表
    示装置の製造方法において、 前記基板に太陽電池を形成し、 前記重合性成分を重合する際の前記液晶層への前記電圧
    の印加は、前記太陽電池に光を照射して得られる出力電
    圧を用いることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】請求項１４記載の液晶表示装置の製造方
    法において、 前記太陽電池は前記基板外周部に形成され、装置の完成
    の際には、前記太陽電池は前記基板から切り離されるこ
    とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】負の誘電率異方性を有し、電圧無印加時
    においてほぼ垂直配向する液晶と、光又は熱により重合
    する重合性成分とを含有する液晶層を基板間に封止し、 前記液晶層に電圧を印加しながら前記重合性成分を重合
    する際、画素毎に設けられたＴＦＴをオン状態にさせる
    ゲート電圧Ｖｇ（ｏｎ）がゲートバスラインに印加され
    ているときは、ドレイン電圧Ｖｄ（ｏｎ）をドレインバ
    スラインに印加し、 前記ＴＦＴをオフ状態にさせるゲート電圧Ｖｇ（ｏｆ
    ｆ）が前記ゲートバスラインに印加されているときは、
    前記ドレイン電圧Ｖｄ（ｏｎ）より大きいドレイン電圧
    Ｖｄ（ｏｆｆ）を前記ドレインバスラインに印加して、 液晶分子のプレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を
    規定することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】対向配置された２枚の基板と、 前記基板間に液晶注入口を介して注入され、液晶分子の
    プレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定するポ
    リマーを含んだ液晶層と、 前記液晶層中に混合された光重合性成分を光重合して前
    記ポリマーを形成する際に用いられる波長域以外の光で
    光硬化する樹脂を含み、前記液晶注入口を封止する封止
    剤とを有することを特徴とする液晶表示装置。
  18. 【請求項１８】対向配置された２枚の基板と、 滴下注入法により前記基板間に封止され、液晶分子のプ
    レチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定するポリ
    マーを含んだ液晶層と、 前記液晶層中に混合された光重合性成分を光重合して前
    記ポリマーを形成する際に用いられる波長域以外の光で
    光硬化する樹脂を含み、前記液晶を前記基板間に封止す
    るメインシールとを有することを特徴とする液晶表示装
    置。
  19. 【請求項１９】対向配置された２枚の基板と、 前記基板間に液晶注入口を介して注入され、液晶分子の
    プレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定するポ
    リマーを含んだ液晶層と、 前記注入口近傍で表示領域外の領域に設けられ、光をほ
    ぼ透過しない光遮蔽構造物とを有することを特徴とする
    液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】対向配置された２枚の基板と、 前記基板間に液晶注入口を介して注入され、液晶分子の
    プレチルト角及び／又は駆動時の傾斜方向を規定するポ
    リマーを含んだ液晶層と、 前記注入口近傍で表示領域外の領域に設けられ、前記ポ
    リマーの形成時に要する光量以下に光を減衰する光減衰
    構造物とを有することを特徴とする液晶表示装置。
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