TW571154B - Liquid crystal display and method of manufacturing the same - Google Patents

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TW571154B
TW571154B TW091107121A TW91107121A TW571154B TW 571154 B TW571154 B TW 571154B TW 091107121 A TW091107121 A TW 091107121A TW 91107121 A TW91107121 A TW 91107121A TW 571154 B TW571154 B TW 571154B
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Takahiro Sasaki
Kazutaka Hanaoka
Tsutomu Seino
Yohei Nakanishi
Seiji Tanuma
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Fujitsu Display Tech
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Description

571154 A7 -—_____B7____ 五、發明説明（1 ) 【發明領域】 本發明有關一種液晶顯示器其中包含一可聚合成分 (單體或低聚物）之液晶層，其藉由光或熱被聚合、被密封 在基底間’並且當一電壓被加至該液晶層以固定一液晶分 子的傾斜方向時，該可聚合成分被聚合，以及一種製造該 液晶顯示器之方法。 此外，本發明有關一種VA(垂直校準）模式的液晶顯示 器其中具有負介電非等向性且在每次無電壓應用下大致垂 直被校準的液晶與一可聚合成分之液晶層，及一種製造該 液晶顯示器之方法。 【習知技藝說明】 一多域垂直校準模式液晶顯示器（以下簡稱為一 MVA-LCD)係已知其中一具有一負介電非等向性之液晶被 垂直地校準並且一儲存體（線狀凸出物）或一電極之切割部 伤（狹縫）係提供在該基底上作為一校準調整結構部份。因 該校準調整結構部份被提供，即使一摩擦處理未被執行至 一校準薄膜，在電壓應用之時間下之液晶校準定向能被控 制成複數個定向。此MVA-LCD於視角特性上係優於一傳統 TN(捨絲狀；Twisted Nematic)LCD。 然而，傳統MVA-LCD具有一缺陷其白亮度係低的且顯 示係暗的。此主要原因是因一凸出物的上部或一狹縫之上 部變成校準分割之一邊界以致產生一暗線，在白顯示之時 間下的透射率變低並且該顯示變暗。為了改善此缺陷，若 該等凸出物或狹縫之安排間隔被做成充分寬時係足夠的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） f請先閲讀背面之：/x意事项再塡寫本頁}
.訂— -4- 571154 五、發明説明（2 ) 然而▲因該等凸出物或狹縫作為該等校準調整結構部份的 數篁變小，產生一問題係即使一預定電壓被加至該液晶顯 示器模組晶固定LC分子的校準1要時間，並且反應速度 變低。 為了解決此問題並獲得一 MVA丄CD其具有高亮度且|| 致使一高度反應，一聚合物固定（大分子固定）系統是有效 的。於聚合物固定系統中，一液晶合成物其中一單體、一 低聚物、或類似者（以下簡稱為一單體）被摻雜於一液晶， 訂 被密封在基底間。於液晶分子係藉由供應一電壓在該等基 底間而傾斜的情況中，單體被聚合成聚合物。由此，獲得 一液晶層其中該等分子藉由電壓應用係傾斜（傾斜）在一預 定傾斜方向，並且該液晶分子的傾斜方向能被固定。一藉 由熱或光被聚合之材質被選擇作為該單體。 然而，當一影像被顯示在整個LCD上時，該聚合物固 定系統具有一些有關顯示不均勻的問題。首先，由於在單 體聚合的時間下於驅動該液晶局部所產生之液晶校準異 常，有顯示不均勻發生在該整個LCD的一影像顯示的一問 題此外，由於在單體聚合的時間下藉由驅動液晶與聚合 處理所產生之薄膜電晶體（TFT)的特性異常，同樣有發生顯 示不均勻的問題。 第21圖顯示一液晶驅動法在形成一聚合物（聚合）的時 間下於一校準固定處理藉由該聚合物固定系統被執行的傳 統MAV-LCD。第21B圖顯示該MAV-LCD顯示不均勻的原 因其中藉由第21圖所示之該液晶驅動法所形成的聚合物存 本紙張尺度適用中國國家標準（Q^；) A4規格（2〗〇χ297公釐） -5- 571154 A7 B7 五、發明説明（: 在於一液晶層。η-通道形TFT被用於此mav_lcd。 通吊’為了防止鬼影現象，一交替電壓被加至一 LCd 之液晶層。然後，同樣地於一聚合步驟在LCD製造的一級 下’一交替電壓被加至該液晶層以傾斜該液晶分子，並且 單體被聚合。例如’如第21A圖之標繪圖所示…問極電 壓Vg 33 V係保持被加至一板顯示區之所有閘極匯流排 線，並且一 TF丁，其被提供於每個像素，係保持在一導通 狀態中，並且然後一汲極電壓，其中一交替資料電壓Vd (ac) - ± 7V係加在一直流資料電壓Vd = 上，被加至所 有及極（責料）匯流排線。由此，Vd + vd 0幻被寫入至 形成於每個像素區域的像素電極。另一方面，被安排相 對該像素電極穿過該液晶層的一共同電極係保持在一共同 電壓VC = 13V。由此，該資料電壓Vd (ac) = ± 7V之交替 電壓被加至該液晶層。 第21B圖顯示由此液晶驅動法所製造的該mav-LCD 顯示之不均勻。第21B圖顯示從左以G(綠色）、B(藍色）及 R(紅色）之順序安排的三個像素顯示狀態。於圖式中一垂直 橢圓所示的一暗部χ1與一亮部X2被看到，如上述被理解的 是’若聚合物固定係藉由第21A圖之標繪圖所示之驅動方 法而執仃時，該像素中之液晶的校準，特別是於一像素邊 緣附近中的校準狀態變動並且該暗部XI被形成如第21B圖 所示此外，發生的問題是當看到於類似此之狀態下該板 的整個顯示區時，該顯示被見到呈粗糙的。 此外’於施上述液晶驅動法中，該閘極電壓Vg係做成 本紙張尺度適财家標準（⑽）A视格⑵狀297公幻 — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· .等· -6- 571154 A7 B7 五、發明説明（4 -----------------------裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 充分大於該汲極匯流排線之電壓Vd (ac) + Vd (ac)以導通 該TFT，並且然後，用以傾斜該液晶分子之電壓Vd (ac) + Vd (ac)被加至該汲極匯流排線。然而，若聚合被做成於此 驅動狀態中時’一大變動發生於提供於各個像素之各個 TFT的臨界值’並且發生一缺陷係預期的顯示不能被產生 或顯不不均勻發生因一些TFT未被導通在整個LCD之顯示 區上的一部份中。 訂· 此外’有一情況其中一校準調整結構部份被提供以保 持該液晶於一預期校準定向在單體聚合的時間下。如同該 校準調整結構部份，例如有一被用於一接著的實施例並顯 不於第4 A圖之結構。於此結構中，將一矩形像素分割成四 個相同形狀的矩形之線狀十字形連接電極12及14被形成。 該連接電極12被形成在該矩形像素的大致中心部份並且與 一長側平行，而且該連接電極14被形成在一穿過該像素中 大致十心部份的儲存電容匯流排線丨8。 :線丨 一微小電極圖案的複數個線條狀電極8被形成係從該 連接電極12及14以一 45。角重複延伸，一像素電極係由該 連接電極12及14與該複數個線條狀電極8所構成。於一部份 電極被切開的狀態中之一間隔10被形成在相鄰的線條狀電 極8間，該線條狀電極8與該間隔10構成一校準調整結構部 份。附帶地，代替第4A圖之該線條狀電極8與該間隔1〇， 一線狀凸出物可被自然形成在一在一像素中之整個表面上 所形成的像素電極上。 當此一微小線與空間圖案被形成時，液晶分子被校準 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（5 ) 與2微小圖案之縱向平行。由此做法，能使該像素中之校 準刀d邊界部份儘可能小。然而，發生一問題係丁々特性（透 、率户白#又電壓特性）係藉由由於一照相平版印刷處理中的 曝光圖案變動之該微小電極圖案寬度的少量變動而改變， 並且此被視為顯示不均勻。 此外，如上述，因一摩擦處理不被執行至該MVA-LCD 中之校準薄膜，不提供用以調整有關該像素電極之外部區 域中的液晶分子之校準定位的裝置。因此，如第2〇八圖所 不，:一情況其中校準向量之奇異點（圖式中指示以。或.） 係，意產生在該像素電極的外部，並且該校準被維持如其 疋因此乡單體被聚合在一狀態下其中在該像素電極 的外部或於該像素電極邊緣附近的液晶單體24a被校準於 一定向除了-預期者，如第2〇A圖所示，一暗線係形成於 一連接該附近奇異點的區域’並且發生一問題係亮度係降 低的、反應時間變長、或顯示不均勻產生。 【發明概要】 本發明之目的係提供一種液晶顯示器其中一液晶之校 準疋向係藉由利用一聚合物固定方法而調整以至於能獲得 一寬視角並且能夠縮短在一半色調的反應時間、及一種製 液晶顯示器的方法。 上述目的能藉由一種製造一具有n•通道TFT之液晶顯 不的方法而達成，其包含步驟係密封一包含一可聚合成 分之液晶顯示器模組晶層，其藉由光或熱被聚合在基底 ^ ^及^電壓被加至該液晶層時將該可聚合成分聚合 571154 A7 五、發明説明（6 以調整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 向、並且係特徵在於該電壓在以下所提接著一電壓應用條 件1之電壓應用條件2下被加至該液晶層，並且該可聚合成 分在該電壓應用條件2之一級下被聚合； 電壓應用條件1 : Vg > Vd (dc) = Vc，及 電壓應用條件2 : Vc > Vd (dc〇， 其中，
Vg :加至一閘極匯流排線之電壓，
Vc:加至一共同電極之電壓，及
Vd (dc):加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）。 【圖示之簡單說明】 第1A與1B圖係用以說明根據本發明第一實施例一液 晶顯示器及其製造方法的第一原則之圖； 第2A與2B圖係用以說明根據本發明該第一實施例該 液晶顯不器及其製造方法的第二原則之圖； 第3A與3B圖係用以說明根據本發明該第一實施例該 液晶顯示器及其製造方法的第三原則之圖； 第4A與4B圖係用以說明根據本發明該第一實施例該 液晶顯示器及其製造方法的第四原則之圖； 第5圖係一圖用以說明根據本發明該第一實施例該液 晶顯示器及其製造方法的該第四原則； 第6圖係一圖用以說明根據本發明該第一實施例該液 晶顯示器及其製造方法的第五原則； 第7A與7B圖係用以說明根據本發明該第一實施例的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）
........................裝：： f請先閲讀背面之注意事项再填窝本頁) 訂 :線· -9- 571154 A7 ____ B7_ 五、發明説明（7 ) 一比較例1 -1之圖； 第8圖係一顯示於本發明該第一實施例之例子υ及 1-2所得到之像素與LCD顯示粗糙度的校準狀態結果之圖； 第9A至9F圖係顯示起因於一閘極電壓vg的準位變化 之液晶校準狀態之變化的圖； 第10圖係一圖顯示由於有關閘極電壓Vg之TFT臨界位 移的該校準狀態與不均勻間之關係； 第11A及11B圖係顯示根據本發明該第一實施例的例 子1-5中一線條狀電極8之寬度L係形成從一設計值被位移 約0·2μιη的情況下顯示在一半色調顯示下透射率之變化率 的模擬結果之圖； 第12 Α及12 Β圖係顯示根據本發明該第一實施例的例 子1-5中該線條狀電極8之寬度L係形成從該設計值被位移 約0·2μπι的情況下在一半色調顯示下透射率之變化率的實 際測量值之圖； 第13Α及13Β圖係顯示根據本發明該第一實施例的例 子1-5中該線條狀電極8之寬度L係形成從該設計值被位移 約〇.2μηι的情況下在一半色調顯示下透射率之變化率的實 際測量值之圖； 第14Α及14Β圖係顯示根據本發明該第一實施例的例 子1-5中該線條狀電極8之寬度L係形成從該設計值被位移 約〇·2μιη的情況下在一半色調顯示下透射率之變化率的實 際測量值之圖； 第15圖係一圖用以說明根據本發明該第一實施例該液 本紙張尺度適用中國國家標準（(^S) Α4規格（210><297公釐） ..... (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 訂— -10- 571154 A7 B7 五、發明説明（8 晶顯示器及其製造方法的例丨_6 ; 第16圖係一圖用以說明根據本發明該第一實施例該液 晶顯示器及其製造方法的例U ; 第17圖係一圖用以說明根據本發明該第一實施例該液 晶顯示器及其製造方法的該例U ; 第18圖係一圖用以說明根據本發明該第一實施例該液 晶顯示器及其製造方法的例丨_9 ; 第19A及19B圖係用以說明根據本發明該第一實施例 該液晶顯示器及其製造方法的該例1_9之圖； 第20A及20B圖係顯示校準向量之單點的圖； 第21A及21B圖係顯示於一校準固定處理藉由一聚合 物固定系統被執行的傳統MVA-LCD在形成一聚合物（聚合) 的時間下的一液晶驅動法之圖； 第22A及22B圖係顯示一具有一半分割校準區之 MVA-LCD之圖，其中第22A圖顯示一狀態其中該 MVA-LCD的一像素2於一正常基底之方向被觀看，並且第 22B圖顯示藉由沿著與一閘極匯流排線6平行的一線切割 第22A圖所示之MVA-LCD所獲得的部份； 第23圖係一像素的顯微鏡觀察圖； 第24圖係一圖其中根據本發明第二實施例之例子 的一 MVA-LCD之一像素2於一基底表面的正常方向被觀 看； 第25圖係一圖顯示沿著第24圖之線D-D所取之載面形 狀； 本紙張尺度適用中國國家標準Α4規格（2】0Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _*τ. .線· -11- 571154 五、發明説明（9 ) 第26圖係-圖顯示根據本發明 2-1的變化例； 例 第27圖係一 Τ-V圖顯示根據本發 例2 -1的結果； 明該第二實施例之該 +㈣本發明該第二實施例之例子 2-2的- MVA-LCD之-像素2於一基底表面的正常方向被 觀看； 第29圖係-圖顯示沿著第28圖之線e_e所取 之截面形 狀； (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 第30圖係一圖顯示根據本發明該第二實施例 2-2的變化例； 之該例 第3 1圖係- Τ-V圖顯示根據本發明該第二實施例之該 例2-2的結果； 第32圖係一圖其中根據本發明該第二實施例之例子 2-3的一 MVA-LCD之一像素2於一基底表面的正常方向被 觀看； 第33圖係一圖顯示根據本發明該MVA_LCD的一電場 保護電極7 0之安排位置與其操作； 第34圖係一 Τ-V圖顯示根據本發明該第二實施例之該 例2-3的結果； 第35圖係一圖其中根據本發明該第二實施例之例子 2-4的一 MVA-LCD之一像素2於一基底表面的正常方向被 觀看； 第36圖係一 Τ-V圖顯示根據本發明該第二實施例之該 訂· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） -12-
571154 五、發明説明（10 ) 例2-4的結果； 第37圖係@其中根據本發明該第二實施例之例子 2-5的一 MVA-LCD之一像素2於一基底表面的正常方向被 觀看； 第38圖顯示-結構其中於根據本發明第二實施例之該 例子2 5中閘極匯流排線6與一像素電極3之間的間隙％ 是寬的； 第39圖係-圖顯示根據本發明該第二實施例之例子 2-5，該例子2-3之該電場保護電極7〇係提供於該間隙％的 一下層； 第40圖係一 T-V圖顯示根據本發明該第二實施例之該 例2-5的結果； 第41圖係一圖其中根據本發明該第二實施例之例子 2_6的一 MVA-LCD之一像素2於一基底表面的正常方向被 觀看； 第42圖係一圖顯示沿著第41圖之線F_F所取之斷面； 第43圖係一圖顯示沿著第41圖之線g_g所取之斷面； 第44圖係一圖顯示根據本發明該第二實施例之例子 2-6中摩擦的方向； 第45圖係一 T-V圖顯示根據本發明該第二實施例之該 例2-6的結果； 第46 Α至46Ε圖係用以說明根據本發明第三實施例一 液晶分子24a的傾斜操作之圖； 第47圖係一圖顯示一例其中一連接電極64係提供在本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ----------------------:裝..................tr,:...............線 (請先閲讀背面之注意事项再場寫本頁) -13- 571154 心 、發明説明（η ) 發明該第三實施例之例子弘丨中的—像素中 第48圖係-圖顯示-例其中該連接電極64係提供在本 發明該第三實施例之該例子3]中的一閘極匯流排線4側； 第49圖係一圖顯示一傳統MVa_lcd ; 第50圖係一圖顯示一液晶分子24a的傾斜方向與傾斜 角θρ ; 第5!圖係-圖顯示根據本發明第四實施例之安排區域 80之安排關係； 第52圖係-圖顯示根據本發明該第四實施例一表面改 良區之方向結構部份； 第53圖係-圖顯示根據本發明該第四實施例之該方向 結構部份或該表面改良區的另一例· 第54Α至54F圖每一係顯示根據本發明該第四實施例 之該方向結構部份或該表面改良區的又—例之圖； 第55圖係-圖顯示根據本發明該第四實施例一用以改 良一 LCD之視角特性的結構； 第56圖係-圖顯示根據本發明該第四實施例一結構部 份之安排例； 第57圖係-圖顯示根據本發明該第四實施例一結構部 份之安排例的另一例； 第58圖係一圖顯示根據本發明該第四實施例一結構部 份之安排例的又一例； 第59圖係-圖顯示根據本發明該第四實施例的一邊界 結構部份； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） ................... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、可I Ψ, -14- 571154 五、發明説明（12 第60圖係一圖顯示根據本發明該第四實施例該邊界結 構部份的另一例； 第61圖係一圖顯示根據本發明該第四實施例該邊界結 構部份的精確形狀； 第62圖係一圖顯示根據本發明該第四實施例該邊界結 構部份的另一精確形狀； 第63圖係一圖顯示一狀態其中根據本發明第五實施例 LCD的二個相鄰像素2於一基底表面的正常方向被觀看； 第64圖係一圖顯示一狀態其中根據本發明該第五實施 例之一例中的一;LCD的三個相鄰像素2於一基底表面的正 常方向被觀看； 第65圖係一圖顯示根據本發明該第五實施例之例的變 化例； 第66圖係一圖顯示利用一聚合物固定系統之一 [CD的 基本結構； 第67A及67B圖係顯示一傳統系統之圖其中當單體材 質係以UV照射並被聚合時電壓被加至一液晶層24 ; 第68A及68B圖係根據本發明第六實施例的一例與一 傳統例所比較的圖； 第69圖係一圖顯示根據本發明第七實施例的一液晶顯 示器及其製造方法； 第70A及70B圖係用以說明於校準調整力被該聚合物 固定系統所增加的情況下的問題； 第7 1圖係一圖顯示根據本發明第八實施例之例子8-1 -15- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 571154 A7 B7 五、發明説明（13 的液晶顯示器之一驅動波形； 第72A及72B圖係顯示一狀態之圖其中兩個相鄰像素2 於根據本發明該第八實施例之該例子8-1的液晶顯示器中 一基底表面的正常方向被觀看； 第7 3圖係一圖顯示根據本發明該第八實施例之例子 8-2的液晶顯示器之一驅動波形； 第74圖係一圖顯示一作為一比較例之傳統液晶顯示器 的一驅動波形； 第75圖係一圖用以說明本發明該第八實施例之功效； 第7 6圖係一圖顯示利用一校準固定技術之一液晶顯示 器的示意結構； 第7 7圖係一圖用以說明在一由一光固化樹脂所製成之 密封劑被用於一液晶注入埠，其係用於一傳統浸泡注入 法，之情況下的問題； 第7 8圖係一圖用以說明在一由一光固化樹脂所製成之 主要密封物用於一傳統滴下注入法之情況下的問題； 第79圖係一圖顯示本發明第九實施例之例9-1中一液 晶化合物之一光吸收譜的測量結果； 第80圖係一圖顯示一用於一密封劑126之樹脂的一吸 收光譜的測量結果； 第8 1圖係一圖顯示本發明該第九實施例之例9-3中一 密封劑一光吸收譜的測量結果； 第82A及82B圖係顯示本發明該第九實施例之例9-4中 的一光保護結構部份130 ; 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） --------------------- (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) •訂· •16- 571154 A7 B7
五、發明説明（14 第83圖係一圖顯示本發明該第九實施例之例9-5中的 一光衰減結構部份132 ; 第84圖係一圖藉由比較顯示一非聚合物固定板之透射 率的變化率及一聚合物固定板之透射率的變化率； 第85圖係一圖顯示有關一具有一非聚合物所固定之液 晶的LCD與一具有本發明該第一實施例所固定之聚合物的 液晶之LCD所得到透射率與上升時間的關係；及 第86圖係一圖顯示有關一具有一非聚合物所固定之液 晶的LCD與一具有本發明該第四實施例所固定之聚合物的 液晶之LCD所得到透射率與上升時間的關係。 【較佳實施例之詳細說明】 [第一實施例] 參考第1A至21B圖將說明根據本發明第一實施例之一 液晶顯示器及其製造方法。首先，參考第1A及1B圖將說明 根據此實施例之該液晶顯示器及其製造方法的第一原則。 第1A圖顯示一液晶驅動法根據該第一原則在聚合物聚合 之時間下於一 MVA-LCD—校準固定處理藉由一聚合物固 疋系統被執行，第1B圖顯示該MVA_LCD之一顯示狀態其 中藉由第1A圖所示該第一原則之液晶驅動法所形成的一 聚合物存在於一液晶層，該n_通道型TFT係用於此 MVA-LCD。 於一LCD製造階段的一聚合步驟中，根據該第一原則 之液晶驅動法係以直流電壓驅動為基礎，並且一交替電壓 係不加至該液晶層。再者，一充分高於一汲極（資料）匯流 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2〗〇><297公釐） -17· 571154 五、發明説明（15 ) 排線之電壓被加至一閘極匯流排線，並使一共同電極之電 壓南於該沒極匯流排線（像素電極）之電壓。由此做法，告 與第21A及21B圖所示之傳統例比較時，於一像素中無任何 液晶校準的干擾並且甚至當整個板被觀看時有可能獲得一 具有無不均勻的顯示。 例如’如第1A圖之圖形所示’一閘極電壓Vg = μ v係 保持加至一板顯示區的所有閘極匯流排線、一提供給每一 像素的TFT被保持導通、並且一直流資料電壓vd (dc)= 13V被加至所有汲極匯流排線。由此，Vd (dc)被寫入至形 成於每一像素區的像素電極。另一方面，一安排相對於該 像素電極穿過該液晶層之共同電極被保持在一共同電壓 Vc = 20V。由此，有關該共同電位之_7V的直流電壓被加 至該液晶層。 由此液晶驅動法所製造之該MVA-LCD的顯示係顯示 於第1B圖。第1B圖顯示一從左邊以g(綠色）、b(藍色）及 R(紅色）之順序所安排的三個像素之顯示狀態。理解的是， 若聚合物固定係藉由第1A圖之圖形所示之該驅動法所執 行’如第1B圖所示，該像素中液晶校準的變動，特別是於 像素邊緣附近該校準狀態之變動消失，並且第21B圖的暗 部XI消失。由此，顯示不均勻消失，並且甚至當該板的整 個顯示區被觀看時，未見顯示粗梭度。 接著，參考第2A及2B圖將說明根據此實施例之該液晶 顯示器及其製造方法的第二原則。第2A圖顯示一根據該第 二原則之液晶驅動法，第2B圖顯示一 MVA-LCD之顯示狀 本紙張尺度咖巾_家鮮（CNS) A4規格⑵QX297公幻 -18- 571154 A7 B7
五、發明説明（W 態其中藉由第2A圖所示該第二原則之液晶驅動法所形成 的一聚合物存在於一液晶層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於密封在基底間之該液晶層中的單體聚合步驟中，根 據該第二原則之液晶驅動法，一充分高於一汲極匯流排線 之電壓被加至一閘極匯流排線，並使一共同電極之電壓高 於該汲極匯流排線（像素電極）之電壓。之後，當使得該共 電極之電位接近該像素電極之電壓時，一交替電壓同時被 加至該像素電極。該直流電壓首先被加至該液晶層，並且 之後，該交替電壓被應用。同樣地在此情況下，當與第21a 及21B圖所示之傳統例比較時，於一像素中無任何液晶校 準的干擾並且甚至當整個板被觀看時有可能獲得一具有無 不均勻的顯示。 例如’如第2 A圖上側之圖形所示，一閘極電壓Vg == 3 3 V係保持加至一板顯示區的所有閘極匯流排線、一提供 給母一像素的TFT被保持導通、並且一直流資料電壓vd (dc) = 13V被加至所有汲極匯流排線。由此，Vd (dc)被寫 入至形成於每一像素區的像素電極。另一方面，安排相對 於該像素電極穿過該液晶層之該共同電極被保持在一共同 電壓Vc = 20V。由此，有關該共同電位之_7V的直流電壓 被加至該液晶層。 接著’如第2 A圖下側之圖形所示，係使得該共同電壓 Vc逐漸從20V接近該資料電壓Vd (dc) = 13V。在相同時間 下，一交替資料電壓Vd (ac)被加在該直流資料電壓VcI (dc) =13V上當其準位係逐漸增加至± 7 v時。由此，vd (dc) + 本娬張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2】0X297公爱） -19- 571154 A7 B7 五、發明説明（17 )
Vd (ac)被寫入至形成於每個像素區之像素電極。該直流電 壓首先被加至該液晶層，並且然後該交替電壓被應用。 由此液晶驅動法所製造之該MVA-LCD的顯示係顯示 於第2B圖。第2B圖顯示具有一相似於第1B圖之結構的三個 像素之顯示狀態。理解的是，當聚合物固定係藉由第2A圖 之圖形所示之該驅動法所執行時，如第2B圖所示，雖然一 少量變動發生於一像素邊緣附近之校準狀態，第2B圖的一 暗部X1係小於第21B圖的暗部X1，並且亮度變動被減少。 由此，顯示不均勻能被降低，並且甚至當該板的整個顯示 區被觀看時，顯示粗链度能被降低。 接著，參考第3 A及3B圖將說明根據此實施例之該液晶 顯示器及其製造方法的第三原則。第3 A圖顯示該第三原則 其中另一驅動法係增加至根據該第一原則之該液晶驅動 法，並且第3B圖顯示一 MVA-LCD之顯示狀態其中藉由第 2 A圖所示該第三原則其中另一驅動法係增加至根據該第 二原則之該液晶驅動法。 第3A及3B圖的左邊圖形分別顯示第1A& 1B圖與第2A 及2B圖所示之該第一與第二原則之驅動方法。藉由這些驅 動法接著該液晶驅動，加至該閘極匯流排線之電壓Vg係逐 漸降低如圖式中之箭頭所指示並被使得接近加至該汲極匯 流排線之電壓Vd (dc) + Vd (ac)(見圖式中中間與右邊的圖 形）°介由於此狀態中聚合單體，有可能抑制TFT臨界值的 變動並獲得一板其中不發生顯示不均勻。 接著’參考第4A至5圖將說明根據此實施例之該液晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窩本頁) 、τ -20· 571154 A7 B7 五、發明説明（18 ) .................……裝…： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯示器及其製造方法的第四原則。第4A圖顯示於一基底表 面之正常方向觀看的一像素2，因第4A圖已說明於相關技 藝的部份，所以該說明被省略。第4B圖顯示沿著第4A圖的 線A-A所取的部份段。第5圖顯示沿著第4A圖的線B-B所取 的部份段。 -訂· 於第4B及5圖圖中，一閘極匯流排線6係形成在一玻璃 基底20上在一陣列基底側，並且一絕緣薄膜22係形成在其 上’一像素電極藉由連接電極12及14與複數個線條狀電極8 被形成在該絕緣薄膜22上，一與一液晶層24接觸之校準薄 膜32係形成在該像素電極上，一相對基底被安排相對該玻 璃基底20穿過該液晶層24。一彩色濾光器層28係形成在一 玻璃基底30上在相對基底側，並且一共同電極26係形成在 其上。一校準薄膜34係形成在該共同電極26上且係與該液 晶層24接觸，該液晶層24之後部被調整至一預定晶胞間隙 d。如第5圖所示，一液晶分子24a被校準與該線條狀電極8 :線丨 的延伸方向平行藉由因該線條狀電極8與該間隔丨〇所導致 的校準調整。 該第四原則中，顯示於第4A及5圖的該線條狀電極8之 電極寬度L係使得大於該間隔丨〇之寬度s。由此做法，有關 發生在該線條狀電極8之仿製程序（曝光、顯影、蝕刻）時間 下一圖案變動之透射率變化係減少的，並且顯示不均勻能 被改善。 接著，接著，參考第6圖將說明根據此實施例之該液晶 顯不器及其製造方法的第五原則。第6圖顯示於一基底表面
•21· 571154 A7 ------------B7_ 五、發明説明（19 ) 的正吊方向下所觀看的一像素之結構。藉由改變一匯流排 、、友於該延伸方向之見度（此例中，一汲極匯流排線之寬 度），能使得一控制以至於校準向量之單點（圖式中以〇或·） 發生位置變成明確位置。即，該匯流排線被做成一校準調 整、、構’並且該像素電極外部之液晶分子校準向量的該等 單點能被形成在明確位置。由此，因該像素電極外部之液 晶校準呈固定的，當如第2〇Α圖所示之一暗線的產生被抑 制時單體被聚合，並且亮度與顯示不均勻能被改善。 利用例子與比較例，將精確地說明根據此實施例利用 上述第一至第五原則之該液晶顯示器及其製造方法。 [例 1-1] 利用第1Α及1Β圖與第4Α及4Β圖將說明此例。於此例 中’一具有於對角線15英吋大小之XGA板（像素間距為 297μιη，並且像素數量為1〇24 χ 768)被製造，該板之像素 結構係顯示於第4Α及4Β圖。由連接電極12及14與複數個線 條狀電極8所形成之一η-通道TFT16、一汲極匯流排線6、 一閘極匯流排線4及一像素電極被形成在一包含一玻璃基 底20的陣列基底上，一彩色濾光器層28與一共同電極26係 形成在一包含一玻璃基底30之相對基底上，一具有〇.7mm 厚度的玻璃基底被用來作為一基底材質，該複數個線條狀 電極8被形成從該像素的中心部分別延伸在四個方向（右 上、右下、左上、左下），該線條狀電極8的電極寬度被做 成3 μπι並且該間隔1 〇的寬度被做成3 。垂直校準薄膜（聚 醯亞胺）藉由利用一印刷法被形成在這些基底上，並且在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁}
-22- 571154 A7 五、發明説明（2G ) 1 80°c下60分鐘的熱處理被執行。這些基底彼此被結合穿過 一直徑4μπι的間距，並且一空晶胞（於未注入液晶狀態下的 晶胞）被製造。一具有負介電非等向性加上有光聚合之執跡 單體的液晶被注入近該獲得之晶胞，並且一液晶板被製 造。該光聚合單體之增加量係成為2·4 wt%。 接著’於一電壓被應用的情況下紫外（uv)光被照射至 該液晶層24,並且該光可聚合單體被聚合。如第3八及36圖 所示，在以下所提接著一電壓應用條件丨之電壓應用條件2 下，該驅動電壓被加至該液晶層24，並且至該液晶層24的 光照射在該電壓應用條件2的一級下被執行； 電壓應用條件 1 : Vg = 33V，Vc = Vd (dc) = 13V，及 電壓應用條件2 · Vg = 33V，Vc = 20V，Vd(de) = 13V。 電壓應用之程序將特別被說明。首先，該閘極電壓Vg 係成為Vg = Vc = Vd (dc) = 13V»接著，該閘極電壓Vg係 上升至33 V ’使電壓上升速度約1 v/sec。接著，該共同電 壓Vc係上升至20V，使電壓上升速度約！ v/sec。特別地， 最好的是此電壓上升是一連續的變化，並且若該電壓突然 上升時，有一情況其中一像素中發生校準之干擾。附帶地， 此例中，雖然該共同電壓^係上升至2〇V，因若該共同電 壓Vc>該資料電壓vd (dc)被滿足係充分的，例如，不用改 變該共同電壓Vc該資料電壓Vd (dc)可被降低。用於聚合之 光照射量係成為約2000 mJ/cm2 (波長；I = 365 nm)，於該像 素之k準狀態下無任何干擾，並且一無粗糙感覺之顯示被 獲得。附帶地，當該電壓係從該驅動條件i改變至該驅動條 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2】0><297公釐）
....................裝…！ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-]1 線丨 -23- 571154 A7 £7 五、發明説明（21 ) ' 件2時，若一旦使該共同電壓^高於一預定值並且係下 降，粗糙感覺進一步被改善。例如，適當的是，該共同電 壓係從Vc = 13V上升至Vc = 23V，並且然後下降至Ve = 20V。 [比較例1-1] 參考第7 A及7B圖將說明一比較例，此比較例係相同於 該例1·1除了以下要求。在以下所提接著一電壓應用條件i 之電壓應用條件2下該驅動電壓被加至該液晶層24,並且至 該液晶層24的光照射在該電壓應用條件2的該級下被執行； 電壓應用條件 1 : Vg = 33V，Vc = Vd (dc) = 13V，及 電壓應用條件 2 : Vg = 33 V，Vc = 6V，Vd (dc) = 13 V。 當與該例1 -1比較時，此比較例中，該共同電壓VC與該 資料電壓Vd (dc)的重要關係被顛倒。於此比較例的情況 下’於該像素的校準大大地被干擾，並且粗糙係顯現在該 顯示上。 [比較例1-2] 參考第2 1A及2 1B圖將說明此比較例，此比較例係相同 於該例1-1除了以下要求。在以下所提接著一電壓應用條件 1之電壓應用條件2下該驅動電壓被加至該液晶層24，並且 至該液晶層24的光照射在該電壓應用條件2的該級下被執 行； 電壓應用條件 1 : Vg = 33V，Vc = Vd (dc) = 13V，及 電壓應用條件2 : Vg = 33V，Vc = 13V，Vd (dc) = 13V， Vd (ac) = 7V (30 Hz的矩形波）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-24- 571154 A7 B7 五、發明説明（22 該交替電壓被加至該像素電極，並且此驅動法係最接 近一 LCD的實際液晶驅動系統。然而，在此情況下，有一 校準中的干擾在一像素邊緣部份附近，並且粗糙係顯現在 該顯示上。 [例 1-2] 參考第2A及2B圖將說明此例，此例係相同於該例1 - i 除了以下要求。在以下所提接著一電壓應用條件1之電壓應 用條件2下該驅動電壓被加至該液晶層24,並且該驅動電壓 在一電壓應用條件3下進一步被應用，並且至該液晶層24 的光照射在該電壓應用條件3的該級下被執行； 電壓應用條件 1 : Vg = 33V，Vc = Vd (dc) = 13V , 電壓應用條件 2 : Vg = 33V，Vc = 20V，Vd (dc) = 13V，及 電壓應用條件 3 : Vg = 33 V，Vc = Vd (dc) = 13 V，Vd (ac)= 7V (30 Hz) 〇 在相似於該例1 - 1的液晶驅動後，當使該共同電壓Vc 係逐漸接近該資料電壓Vd (dc)之值時，該資料電壓Vd (dc) 的振幅逐漸增加。由此，於此例中，雖然一像素邊緣的校 準輕微被干擾，無粗糙感覺之顯示被獲得。 第8圖顯示像素中的校準狀態與該等例1 -1，1 -2及該等 比較例1 · 1及1 -2中所得到之LCD顯示粗糙度的結果。圖式 中，〇表示”良好，，，△表示，，可接受，，，並且父表示，，較差，，。 [例 1-3] 接著’參考第3 A圖將說明此例，此例係相同於該例1 _ i 除了以下要求。在以下所提接著一電壓應用條件1之電壓應 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） ------------------------¥............……、可.................……·绛 (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) -25- 571154 A7 B7 五、發明説明（23 ----------------------- (請先閲讀背面之注意事项再填窝本頁) 用條件2下該驅動電壓被加至該液晶層24，並且該驅動電壓 在電壓應用條件3下進一步被應用，並且用於一光可聚合 單體之聚合的光照射在該電壓應用條件3的該級下被執行； 電壓應用條件 1 : Vg = 33V，Vc = Vd (dc) = 13V， 電壓應用條件2 : Vg = 33V，Vc = 20V，Vd (dc) = 13V，及 電壓應用條件2 : Vg = 33V，Vc = 20V，Vd (dc) = 13V。 即’在相似於該例1-1的液晶驅動後，該閘極電壓Vg 的準位逐漸被降低並且使其等於該資料電壓Vd (dc)。 由此做法，於僅藉由該例1-1之驅動UV照射被執行至 該液晶層24的情況下，存在一狀況其中由TFT之臨界變動 所引發的顯示不均勻發生，然而，於如此例所說明之液晶 驅動被完成的情況下，由TFT之臨界變動所引發的顯示不 均勻完全被消除，並且該像素中的液晶校準幾乎是極好的。 第9A至9F圖顯示起因於該閘極電壓Vg的準位變化之 液晶校準狀態之變化，第9A至9F圖顯示該閘極電壓Vg為33 V，26V，20V，13V，10V，及6V的顯示狀態。第9A圖顯 示相同於第1B圖的狀態。如第9B至9D圖所示，該校準狀態 幾乎是穩定上至該閘極電壓Vg = Vd (dc) = 13 V。如第9E 及9F圖所示，當該閘極電壓變成vg< Vd (dc)時，一顯著之 暗線出現於該閘極匯流排線附近。於是，若一聚合物係形 成於該閘極電壓變成Vg < Vd (dc)的狀態下，雖然該TFT之 臨界位移所引起的顯示不均勻與粗糙不會發生，可是顯示 亮度被降低。 接著，第10圖顯示由有關閘極電壓Vg之TFT臨界位移 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2】OX297公釐） -26- 571154 A7 B7 =Vd (dc) = 13V， =20V，Vd (dc) = 13V Vd (dc) = 13V，Vd (ac 電壓應用條件2 : Vg 電壓應用條件3 : Vg : 7V (30 Hz)，及 電壓應用條件4 : Vg : 7V (30 Hz) 〇 即’在相似該例1-1之液晶驅動被形成之後，該閘極I 壓Vg的準位逐漸被降低並且使其等於該資料電壓Vd (dc) 由此做法，於僅藉由該例1-1之驅動UV照射被執行3 五、發明説明（24 所引起的該校準狀態與不均句間之關係。如第1〇所是，能 被假設的是於此例所用之液晶板中，該閘極電壓Vg =i3v 至20V是最佳驅動條件。特別是，該閘極電壓Vg =i3v具有 同於該資料電壓Vd (dc)之值，並且能使得其上形成該等 TFT之陣列基底上之電位分布平坦。於是，因不必要水平 電場的影響在像素電極邊緣被降低，能不發生校準干擾， 並且能假設的在聚合之時間下該電壓是一最好液晶驅動條 件。 [例 1-4] 接著’參考第3B圖將說明此例，此例係相同於該例丨_1 除了以下要求。在以下所提接著一電壓應用條件丨之電壓應 用條件及一電壓應用條件3的順序下該驅動電壓被加至該 液晶層24,並且該驅動電壓在一電壓應用條件4下進一步被 應用’並且用於一光可聚合單體之聚合的光照射在該電壓 應用條件4的該級下被執行； 電壓應用條件1 : Vg = 33V，Vc :33V，Vc 33 V，Vc = 13V，Vc = Vd (dc) = 13V，Vd (ac) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -27- ...................I:裝-.................、可...............-!緣 (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 571154 A7 -------B7_ 五、發明説明（25 ) 該液晶層24的情況下，存在一狀況其中由TFT之臨界變動 所引發的顯示不均勻發生，然而，於如此例所說明之液晶 驅動被完成的情況下，由TFT之臨界變動所引發的顯示不 均勻完全被消除，並且該像素中的液晶校準幾乎是極好的。 [例 1-5] 參考第11A至11B圖加上第4A至5圖將說明此例，此例 係相同於該例1 -3除了以下要求。 此例中，顯示於第4A、4B及5圖之線條狀電極8的圖案 寬度L係使較大於該間隔10之間隔寬度1〇。特別是，該等 寬度傳統為L = 3 μιη且S = 3 μιη，然而，此例中，該等寬 度係成為L = 4 μιη且S = 2 μπι。第11Α至14Β圖顯示一線條 狀電極8之寬度L係形成從一設計值被位移約〇·2μιη的情況 下顯示在一半色調顯示下透射率之變化率。 第11Α至11Β圖顯示模擬結果，並且第12Α至14Β圖顯 示從實際液晶晶胞所獲得之實際測量值。第12Α及12Β圖顯 示具有一晶胞間隙d = 4 μιη之液晶板的值，第13 Α及13Β圖 顯示具有一晶胞間隙d = 3 · 5 μπι之液晶板的值，並且第14 A 及14B圖顯不具有一晶胞間隙d = 4_5 μπι之液晶板的值。第 11Α至14Α圖顯示該線條狀電極8之圖案寬度L(設計值）係 取於水平方向，該間隔寬度S(設計值）係取於垂直，並且3V 的驅動電壓被加至該液晶層24。第11Α圖中，該圖案寬度L =1 μιη至5 μηι以0·5 μπι之間隔被分割，並且該間隔寬度S = 1 μπι至5 μπι以0.5 μιη之間隔被分割。 當第11Α圖在L = 3與S = 35之透射率之變化率被舉出 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） ------------..... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂— -28- 571154 A7 B7 五、發明説明（26 作為一例時，將給予說明。例如，假設於一驅動電壓3 乂被 加至如L = 3 μπι(設計值）且S = 3 μιη(設計值）之液晶板的液 晶層之情況下，透射率為Α%。另一方面，假設於一驅動 電壓3V被加至一液晶板的液晶層其中該線條狀電極8具有 自該設計值位移0.2 μιη之寬度L = 2·8 μπι，且因此該間隔具 有增加0.2 μιη之寬度S = 3·2 μιη的情況下，透射率為β%。 此外，於一驅動電壓3V被加至具有L = 3.2 μηι且S = 2.8 μηι 之液晶板的液晶層之情況下，使透射率為C %。 在第11Α圖L = 3 μιη且S = 3 μιη透射率之變化率被表 示以（（| A - Β | /Α+ | A · C | /Α)/2) X 1〇〇(%)，並且此例 中，其為14.17,相同的應用至其他第11 a至14Α圖之圖式。 第11A至14A圖顯示圖形其中水平軸指示該線條狀電極8之 寬度L，並且垂直軸指示該間隔1〇之間隔寬度s，並且各個 圖式A之值被晝出。從第11B至14B圖明顯可知，了解的是 無論如何，藉由使該線條狀電極8之圖案寬度L大於該間隔 10之間隔寬度S，透射率之變化率變小。此外，當這裡所 說明的其他條件之結果被考慮在一起時，了解的是，若使 該圖案寬度L為大且使該間隔寬度S為小時，該變化率被感 善。 附帶地，第11A至14B圖顯示於未使用聚合物固定液晶 之情況下的透射率之變化率的資料。 從實驗結果，了解的是’即使於利用相同微小圖案電 極之液晶板中，有關圖案變化之透射率之變化率的傾向在 使用聚合物固定液晶之LCD與未使用該聚合物固定液晶之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格U10X297公釐） -29- -----------------------裝..................、可------------------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 571154 A7 ---- --- B7___ 五、發明説明（27 ) LCD間係極少不同。 第84圖顯示藉由比較非聚合物固定板之透射率之變化 率與聚合物固定板之透射率之變化率。 方向形成從一設計值被位移約〇·2μπι的情況下顯示在 一半色調顯示下透射率之變化率，第84圖顯示非聚合物固 定板之透射率之變化率，並且其左行顯示於該應用電壓從 上述順序為2.5 V，3 V及10 V之情況下的各個圖形。此外， 對應該做行，該右行顯示，在該應用電壓從上述順序為2.5 V’ 3V及10 V之情況下，關於該聚合物固定板（聚合電壓= 1〇 V)之透射率之變化率。 從第84圖明顯可知，該變化率在一半色調顯示成為小 的間隔寬度S係彼此相異。在未使用該聚合物固定液晶的 情況下，該間隔寬度S變小時，然而在使用該聚合物固定 液晶的情況下，在該間隔寬度S = 3·25 μιη的附近該變化率 是最小的，並且最好的是該間隔寬度S係S = 2·5 μιη或更 大。 可理解的是，原因是由電壓應用（這裡，l〇V之應用） 所得到的校準狀態在單體材質聚合的時間下，運用在該聚 合後之校準狀態下的影響。第84圖的最後條線顯示在i〇V 之應用的時間下透射率之變化率的圖形。相反於在半色調 之傾向，當該圖案寬度L為大的且該間隔寬度S係小的時， 該變化率係大的。可理解的是，因單體於此狀態下被聚合， 在聚合之時間下該校準狀態之影響出現在聚合後該半色調 或類似者之顯示上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ------------------------------------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂丨 -30- 571154 五、發明説明（28 )
附帶地’在半色調顯示的時間下，當該間隔寬請 大於該圖案寬度L時該變化率變大之傾向對二者係常見 的。此外，如使用如上述微小電極之情況所代表的:：在 驅動時間下該校準狀態係不穩定的模式中若它保持不改 變，藉由聚合物固定之快速上升係更有效。第85圖顯示， 於包含如上述之該線條狀電極之模式中，在一包含一聚合 物非固定液晶之LCD與一包含一聚合物固定液晶之lcd = 該得到透射率及該上升時間之間的關係。如第85圖所示， 於為執行聚合物固定的況下，在電壓應用的時間下液晶之 校準大大地被干擾，並且因此，反應是非常慢的。然而， 因藉由執行聚合物固定決定該液晶之校準，反應的大改良 係理解到的。 [例 1-6] 參考第15圖將說明此例，此例係相同於該例1 ·5除了以 下要求。一顯示於第15圖的液晶板包含一具有異於第4Α、 4Β及5圖所示之像素電極的形狀之像素電極4〇。於該像素 電極40中，一電極切割區（間隔1〇)未形成於一像素區，取 而代之，每一由一電介質所製成之直線凸出物42係形成在 該像素電極40上對應於第4Α及4Β圖所示之該間隔1〇。一垂 直校準薄膜32係形成在該像素電極40與該線條凸出物42 上0 該線條凸出物42的寬度S係使小於在相鄰線條凸出物 42間的電極暴路寬度L。特別是，該等寬度傳統為L = 3 μηι 且S = 3 μπι，而此例中L = 4 μπι且S = 2 μιη。因第4Α及4Β 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） •31- 571154
五、發明説明（29 ) 圖所不之該間隔10與該線條凸出物42具有幾乎相等的校準 調整效果’同樣地於此例中，經由相同於該例i_5之結果能 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 使透射率之變化率為小的。附帶地，感光丙烯酸樹脂被用 來作為該介電材質，並且使該線條凸出物42得高度Η約為 〇·3 μιη 〇 [例 1-7] •訂· 參考第16及17圖將說明此例，此例係相同於該例1 -5 除了以下要求。一顯示於第116圖的液晶板包含一具有異於 第4Α、4Β及15圖所示之像素電極的形狀之像素電極46。於 該像素電極40中，一電極切割區（間隔10)未形成於一像素 區’取而代之’每一由一電介質所製成之直線凸出物44係 形成在該像素電極46的一上層對應於第4Α及4Β圖所示之 該間隔10。於是，該直線凸出物46具有一包含一導電凸出 物的電極結構。一垂直校準薄膜32係形成在該像素電極46 上。 使該導電凸出物之寬度為L，使在相鄰導電凸出物間 之導電槽的見度為S，並且L = 3 μιη且S = 3 μιη之情況與 L = 4 μπι且S = 2 μηι之其況係與結合該線條狀電極8與第 11Α圖所示之金隔10之情況中的模擬例比較。第17圖顯示 比較結果。如第17圖所示，了解的是，於該導電凸出物中 之透射率之變化率係非常小，並且該結構係以致由圖案變 動所引發之粗糙係難以產生。 [例 1-8] 再利用第6圖將說明此例，此例係相同於該例ι-5除了 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） -32- 五、發明説明（3G ) 以下要求。如第6圖所示，一汲極匯流排線6之寬度係連續 改變的。使該寬度在該汲極匯流排線6與一閘極匯流排線4 交叉附近為薄的，並使在該等閘極匯流排線4間中心附近為 厚的。使該薄部份之寬度為3 μιη，且使該厚部份之寬度為 15 μιη。因在該汲極匯流排線6上的該液晶校準之定向性呈 穩定的，亮度與顯示不均勻能被改善。
[例 1-9]
參考第1 8及19Β圖將說明此例，此例係相同於該例1 _5 除了以下要求。第1 8圖顯示一顯示狀態於一像素中的液晶 分子24a被理想地校準於包含結合該線條狀電極8與第 及4B圖所示之該間隔10的像素電極之像素的情況下。如第 18圖所示，暗線XI出現在一閘極匯流排線4、一汲極匯流 排線6、連接電極12及14與一儲存電容匯流排線18上，並且 進一步，該暗線XI亦出現在由該線條狀電極8與該間隔1〇 所構成之像素電極的週邊部份。 第18圖中，一 〇 έ己號52表示一校準向量之奇異點 (-1)，並且一，，·，，記號50表示一校準向量之奇異點（+1)。 附帶地，於圖式所顯示之狀態中，兩個連結至該液晶板兩 表面之極化板係安排於正交尼科耳稜鏡。那些極化軸之方 向係以第18圖之十字形箭頭所示之方向，並係相對該顯示 區上之液晶分子的主要校準定向傾斜45。。 另一方面，於第19Α與19Β圖所示之此例結構中，一厚 於一傳統者之絕緣層56被形成。第19Α圖顯示觀看於一基 底表面之正常方向的狀態，並且第19Β圖顯示沿著第19八圖 571154 A7 ____ B7 五、發明説明（31 ) 之線C-C所取的一陣列基底側的截面。如第19A與19B圖所 示，該線條狀電極8被形成在該絕緣層56，並且當觀看於一 基底表面之正常方向時該等端係形成為了與該汲極匯流排 線部份重疊。感光丙烯酸樹脂被用來作為該絕緣層56之材 質，並且使該薄膜厚度為3 μιτι 〇 附帶地’一彩色濾光器層可被形成在該陣列基底之側 邊（在TFT結構上的CF)，並且該彩色濾光器層可被用來代 替該絕緣層56。此外，如第19B圖所示，一厚絕緣層可藉 由堆疊彩色滤光器層54與該絕緣層56子然被形成（於此 情況中，該基底可被該絕緣層56弄平）。藉由採取此例的結 構，從該汲極匯流排線6製該液晶層24之傾斜電場之影響變 弱，並且藉由僅接收該線條狀電極8與該間隔1〇之影響該液 晶分子24a被校準。由此，該閘極匯流排線4與該汲極匯流 排線6上的每條暗線XI與由該線條狀電極8與該間隔1〇所 構成為了僅形成一條暗線之該像素電極週邊部份的每條暗 線XI —致。因此，藉由減少該暗線X1的數量，亮度能被改 善。 如上述，根據本實施例，該液晶顯示器之顯示特性能 被大大地改善其中藉由熱或光被聚合的單體被聚合並且該 液晶分子的預傾斜角及/或再電壓應用的十加下該傾斜方 向被調整。 本發明不限於上述實施例，並且可做成不同的變化。 例如，該等上述實施例有關具有η-通道TFT之LCD，然而， 本發明明顯地可應用至具有p-通道TFT之LCD。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窩本頁) 訂| •34- 571154 A7 B7 五、發明説明（32 因此，上述目的能藉由一種製造一具有p•通道丁 ^丁之 液晶顯不器的方法達成，該方法包含步驟密封—包含一可 聚合成分之液晶層，其藉由光或熱被聚合在基底間、及聚 合該可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時，以調整一 液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方向，其中該電 壓在以下所提接著一電壓應用條件1之電壓應用條件2下被 加至該液晶層，並且該可聚合成分在該電壓應用條件2之一 級下被聚合； 該電壓應用條件1 : Vg < Vd (dc) = Vc，及 該電壓應用條件2 : Vc < Vd (dc)， 其中，
Vg :加至一閘極匯流排線之電壓，
Vc:加至一共同電極之電壓，及 Vd (dc):加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）。 同樣地，上述目的能藉由一種製造一具有P·通道TFT 之液晶顯示器的方法達成，該方法包含步驟密封一包含一 可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱被聚合在基底間、及 聚合該可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時，以調整 一液晶分子之預傾斜角及/或每此驅動之傾斜方向，其中該 電壓在以下所提接著一電壓應用條件丨之電壓應用條件2下 被加至該液晶層，並且進一步該電壓在一電壓應用條件3 下被加至該液晶層，並且該可聚合成分在該電壓應用條件3 之一級下被聚合； 該電壓應用條件 1 : Vg < Vd (dc) = Vc，Vd (ac) = 〇， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱) •.....—.....-......裝..................、ΤΓ.................線 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) •35· 571154 A7 --—--— —___B7 五、發明説明（33 " 該電壓應用條件2 : Vc < Vd (dc)，及 該電壓應用條件3 :當使得Vc接近Vd(de)時，使得vd (ac)逐漸高於〇， 其中，
Vg :加至一閘極匯流排線之電壓，
Vc :加至一共同電極之電壓，
Vd (dc) ··加至一沒極匯流排線之電壓（直流成分），及 Vd (ac):加至一汲極匯流排線之電壓（交流成分）。 同樣地，上述目的能藉由一種製造一具有P-通道丁FT 之液晶顯示器的方法達成，該方法包含步驟密封一包含一 可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱被聚合在基底間、及 聚合該可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時，以調整 一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方向，其中該 電壓在以下所提接著一電壓應用條件丨之電壓應用條件2下 被加至該液晶層，並且進一步該電壓在一電壓應用條件3 下被加至該《晶層，並且該可聚合成分在該電壓應用條件3 之一級下被聚合； 忒電壓應用條件1 : Vg < vd (dc) = Vc， 該電壓應用條件2 : Vc < Vd (dc)，及 泫電壓應用條件3 : Vg係增加並使得接近Vd(dc), 其中，
Vg :加至一閘極匯流排線之電壓，
Vc:加至一共同電極之電壓，
Vd (dc):加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）。 本紙張尺度適财晒家鮮（CNS) A4規格（210X297公& ： ^~
、可I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 571154 五、發明説明（34 ) 同樣地，上述目的钞韮山 ^ 匕^由一種製一具有ρ·通道Τρ 丁 之液晶顯示器的方法逵忐，上^^ 広建成，該方法包含步驟密封一包含一 可聚合成分之液晶層，装莊士止 其精由先或熱被聚合在基底間、及 聚合該可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時以調整 -液晶分子之龍斜角及/或每次驅動下之傾斜方向，其中 該電壓在以下所接著—雷厭旛田故#， ^ ^ 冤壓應用條件1之電壓應用條件2下 被加至該液晶層’並且接签兮Φ+ SI、nfc 儿接者該電壓在一電壓應用條件3下被 加至該液晶層’並且進-步該電壓在-電壓應用條件4下被 加至該液晶層，並且該可聚合成分在該電壓應用條件4之一 級下被聚合； 該電壓應用條件 l:Vg < Vd(dc) = Vc，Vd(ae) = 〇, 該電壓應用條件2 : Vc < Vd (；dc〇， 該電壓應用條件3 :當使得Vc接近Vd(dc)時，使得Vd (ac)逐漸高於〇，及 該電壓應用條件4 : Vg係增加並使得接近Vd(de) 其中，
Vg ·加至一閘極匯流排線之電壓，
Vc:加至一共同電極之電壓，
Vd (dc):加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分），及 Vd (ac):加至一汲極匯流排線之電壓（交流成分）.。 如上述製造一具有p-通道TFT之液晶顯示器的方法 中，當加至該閘極匯流排線之電壓Vg係減少並使其接近加 至該汲極匯流排線之電壓（直流成分）vd (dc)時，係使該應 用電壓Vg等於該應用電壓vd (dc)。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------^..................ΤΓ.......................埠 (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) -37- 571154 A7 £7_ 五、發明説明（35 ) 如上述製造一具有P-通道TFT之液晶顯示器的方法 中，在每次Vc < Vd(dc)之電壓應用時，便使Vc—Vd(de) 之值低於一預期電壓，並且然後，該電壓被升高至該預期 電壓。 如上述製造一具有p-通道TFT之液晶顯示器的方法 中，加至該閘極匯流排線之電壓Vg是一直流電壓。 [第二實施例] 接者’參考第22A至45圖將說明一種根據本發明一第 二實施例之液晶顯示器及其製造方法。傳統上是一主動矩 陣型LCD的主要電流之TN模式具有一缺陷即視角係窄 的。於是，目前稱為一 MVA模式與一 IPS模式 (In-Plane-Switching mode)之技術係採取用於一寬視角的 LCD 〇 於IPS模式中，一液晶分子被於一水平面之梳電極所切 換，然而，因該梳電極明顯降低一像素之開始比，高光強 度之被光便得必要。於MVA模式中，液晶被垂直校準至該 基底，並且一液晶分子之校準被一凸出物或提供於一透明 電極（ITO)之一狹縫所調整。 雖然於MVA模式中因該凸出物或狹縫在一像素之實 質開始比的下降係不多於因該梳電極者，當與丁職式相比 時，該液晶板之光透射率係低的。因此，在目前情況下，為 了解寬視角’由線性切割部份像素電極所得到之該線條凸 出物或狹縫被複雜地安排於-像素中以至於該液晶分子再 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 、一叮丨 •38- 571154 A7 B7 五、發明説明（36 ) 電壓應用的時間下於四個方向落下，於是，該像素之光透 射率變低。將給予為了改善此之情況的說明，如第ΜΑ及 ........................裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 22B圖所示，直線條凸出物被簡單地安排在彼此平行之寬 間隔。 訂— :線· 第22A及22B圖顯示一包含半分割校準區之 MVA-LCD，第22A圖顯示一狀態其中該财八丄⑶的一像 素2於一基底表面之正常方向被觀看，第22β圖顯示沿著與 第22A圖所示之該MVA.LCD的—閘極匯流排線時行的一 線所取的部份。附帶地，於本實施例接著的說明中，一具 有相同操作與功能之結構元鍵作為之前所說明的一結構元 鍵係指定以相同符號並且其說明被省略。第22A圖顯示連 續連接至一閘極匯流排線4的三個像素2。如第22八及22β圖 所示，兩個與該閘極匯流排線4平行延伸的線條凸出物“ 係形成於該閘極匯流排線4側邊上之像素電極3的兩端部附 近。此外’在一相對基底側邊上共同電極上，一與該閘極 匯流排線4平行延伸的線條凸出物66係形成在一包含該像 素中心之位置。附帶地，在該陣列基底之側邊上，一絕緣 薄膜（閘極絕緣薄膜）23係形成在一玻璃基底2〇與該閘極匯 流排線4上，並且一絕緣薄膜22係形成在其上。 由此結構，當一電壓被加在一像素電極3與一共同電極 26間並且分布於於一液晶層24之電場係變化的，具有一負 w電非荨向性之液晶分子24a被傾斜於兩個方向。即，該液 晶分子24a係從該閘極匯流排線4側邊上之像素2兩端之該 線條凸出物68朝向該相對基底側邊上之該線條凸出物“傾 -39- 五、發明説明（37 ) 斜。由此，一上與下半分割多區域被形成。於MVA模式中， 藉由該等線條凸出物（或狹缝）所產生之電場，該該傾斜方 向被調整為了從該等線條凸出物66及68附近中（或在該狹 縫附近中）的該液晶分子24a。於是，如第22A及22B圖所 示，若在該等線條凸出物（或狹縫）間的間格式非常寬時， 傳播傾斜之液晶分子24a需要時間，以致於當電壓被應用時 該板之反應變得非常慢。於是，該聚合物固定系統已被採 取其利用包含一可聚合單體代替傳統液晶材質之液晶層 24°於該聚合物固定系統中，單體被聚合呈聚合物於一電 壓被加至該液晶層24的狀態下，以至於該液晶分子24a之傾 斜方向被熟記於該聚合物中。 然而’即使該電壓被加至第22 A及22B圖之結構中的液 晶層24 ,於該汲極匯流排線6附近之該液晶分子24a在異於 一想要之傾斜方向落下以9〇。藉由在該汲極匯流排線6附 近中之像素電極3端部所產生之電場。於是，即使該聚合物 固定系統被利用，如同於第23圖之一顯微觀察圖，一大暗 邛X1被看到沿著每個顯示像素2中之該汲極匯流排線6。 於是，與此實施例中，在提供一 TFT16之陣列基底側 邊上的一像素電極3被做成一線與間隔圖案之線條狀電 極如同一例，第24圖顯示一例其中根據此實施例之該 MVA-LCD的一像素2於該基底表面之正常方向被觀看。如 第24圖所示，該像素電極3包含該等線條狀電極8與間隔1〇 其中該線與間隔之圖案係與該没極匯流排線6平行而形成。 通常，由一校準薄膜之校準調整力係僅用在與該校準 571154 A7 B7 _— 五、發明説明（38 ) 薄膜接觸之該液晶分子24a，並且未用在於晶胞間隙方向之 中心部的液晶分子上。於是，該晶胞間隙方向之中心部的 液bb为子24a大大地接收在該像素端部所產生之電場影塑 並且該校準定向被干擾。當包含與該汲極匯流排線6平行之 該等線條狀電極8與間隔10的像素電極3被採用時，該液晶 分子24a與該等線條狀電極8與間隔1〇平行落下。此外，因 所有液晶分子24a之傾斜方向係由該等線條狀電極8與間隔 10所決定，在該像素端部所產生之電場影響能被抑制到最 小0 以下利用例子將精確地說明根據此實施例的液晶顯示 器及其製造方法。首先，共同於所有例子之條件被列於下； 定向薄膜：垂直定向薄膜； 液晶：具有一負介電非等向性； 極化板：安排在一液晶板兩側於正交尼科耳稜鏡並實現一 正常黑模式； 極化板之極化軸：相對於一匯流排線45。之方向； 液晶板：對角線15英吋；及 解析度· XGA。 [例 2-1] 參考第24至27圖將說明此例。第24圖顯示一狀態其中 根據此例之一 MVA_LCD的一像素2於該基底表面之正常方 向被觀看，並且第25圖顯示沿著第24圖之線D-D所取之載 面形狀。如第24圖所示，一像素電極3包含線條狀電極8與 間隔10其中一線與間隔圖案係與該汲極匯流排線6平行而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------装.................-訂.........……：線· (請先閲讀背面之注意事项再填窝本頁) -41· 571154 A7 ___B7 五、發明説明（39 ) 形成。各個線條狀電極8係電性連接至彼此藉由形成在該像 素2之大致中心部所形成並與一閘極匯流排線4平行的一連 接電極64。此外，部份線條狀電極8被連接至相對於一 TFT 16之汲極電極60所安排的一源極電極62。 如第25圖所示，與該閘極匯流排線及4平行延伸之一線 條凸出物66係形成在一位置相對於該像素區中心部的該連 接電極64。該液晶分子24a之校準調整方向該液晶分子24a 之校準調整方向能更顯著地由該線條凸出物66所決定。 取代提供在相對基底側邊上之線條凸出物66，一摩擦 處理可自然地被執行至在該陣列基底侧邊或在該相對基底 側邊上的校準薄膜。於此情況下，如第24圖所示之箭頭指 示’在該陣列基底側邊上的摩擦處理朝向第24圖所示之兩 區域B與C中的連接電極64被執行。在該相對基底側邊上的 摩擦處理在從該連接電極64離開的方向下被執行。此外， 亦有可能利用光校準。 附帶地，有一情況其中一校準干擾發生以至被第24圖 所示一 TFT16附近的一虛線所包圍之一區域A中的液晶分 子24a的傾斜方向變得顛倒於第25圖所示之區域B的液晶 分子24a者。因此校準干擾，一暗部係形成於區域a中在電 壓應用至該液晶層24的時間下。第26圖顯示用以改善此的 一變化例。於此變化例中，如第26圖所示，與一閘極匯流 排線4平行延伸的兩個線條凸出物68係形成於該閘極匯流 排線4側邊上之一閘極電極3兩端部的附近。當該線條凸出 物68被提供在該閘極匯流排線之上並在該閘極匯流排線4 !ψ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·、τ· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -42- 571154 A7 B7 五、發明説明（40 與該像素電極3之間時，能使區域a的液晶分子24b落下之 方向相同於區域B的液晶分子24a之方向。 第26圖之修改實施例的結構被利用，並且於該像素2 之液晶分子24a係傾斜於一預定方向藉由加一電壓至該液 晶層24的情況下，光被照射至該液晶層24增加有一光可聚 合單體以聚合該單體，並且該預傾斜角之固定及/或該液晶 分子24a之校準定向被實現。當一顯示被實現在整個 MVA-LCD並且該顯示區被觀察時，光經由整個像素部被傳 送，並且於第27圖之T-V特性圖中，如一實線之曲線所指 不，當與一以一虛線所指示之傳統LCD比較時，透射率能 被改善。 [例 2-2] 參考第28至3 1圖將說明此例。第28圖顯示一狀態其中 根據此例之一 M VA-LCD的一像素2於該基底表面之正常方 向被觀看，並且第29圖顯示沿著第24圖之線Ε-Ε所取之截 面形狀。如第28圖所示，一像素電極3包含線條狀電極8與 間隔10其中一線與間隔圖案係與該汲極匯流排線6平行而 形成。各個線條狀電極8係電性連接至彼此藉由與在一像素 2之上與下端的一閘極匯流排線4平行所形成的一連接電極 64此外，在圖式中上埠之連接電極64被連接至一 TF丁 μ 之一源極電極62。 如第29圖所示，與該閘極匯流排線4平行延伸之一線條 凸出物68係形成在一像素區中心部的該像素電極3上。於區 域Α及Β之校準定向由該線條凸出物68被做成相同，而一區 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝丨 訂丨 :線丨
-43· 571154 A7 ______B7_ 五、發明説明（41 ) 域C之校準定向能被做成相對於該區域A及B者。此例該區 域B及C中的液晶校準定向變得顛倒於該例2-1中該區域b 及C之液晶校準定向。 取代提供在該像素電極3上之線條凸出物68， 一摩擦 處理可自然地被執行至在該陣列基底側邊或在該相對基底 側邊上的校準薄膜。於此情況下，如第29圖所示之箭頭指 示，在該陣列基底側邊上，摩擦朝向第28圖所示之兩區域 B與C中的外部連接電極64被執行。在該相對基底侧邊上， 摩擦在從該連接電極64至該像素中心部被執行。此外，光 校準亦能被利用。 附帶地，有一情況其中如第29圖所示之一校準干擾發 生於第28圖所示該兩個連接電極64附近中虛線所包圍之區 域D的液晶分子24b。因此校準干擾，一暗部係形成於區域 D中在電壓應用至該液晶層24的時間下。第3〇圖顯示用以 改善此的一變化例。於此變化例中，如第3〇圖所示，與一 閘極匯流排線4平行延伸的兩個線條凸出物66係形成在一 相對基底之側邊上在相對於該閘極匯流排線4側邊上之一 閘極電極3兩端部的附近之連接電極64的位置。當於一基底 表面之正不方向被觀看時’該線條凸出物66被設在該閘極 匯流排線4與該像素電極3之間時，能使區域d的液晶分子 24b落下之方向相同於區域b或區域c的液晶分子24a之方 向。 第30圖之修改實施例的結構被利用，並且於該像素2 之液bb分子24a係傾斜於一預定方向藉由加一電壓至該液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ----------警…...............、耵............：聲· (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) -44- 571154 A7 B7 五、發明説明（42 ) 晶層24的情況下，光被照射至該液晶層24增加有一光可聚 合單體以聚合該單體，並且該預傾斜角之固定及/或該液晶 分子24a之校準定向被實現。當一顯示被實現在整個 MVA-LCD並且該顯示區被觀察時，光經由整個像素部被傳 送，並且於第31圖之T-V特性圖中，如一粗實線之曲線所 指示，當與一以一細虛線所指示之傳統LCD比較時，透射 率能被改善。 [例 2-3] 參考第32至34圖將說明此例。第32圖顯示一狀態其中 根據此例之一 MVA-LCD的兩個相鄰像素2於該基底表面之 正常方向被觀看，根據此例之一像素電極3的結構係同於該 例2 - ；1。此例係特徵在於一電場保護電極7 〇被提供其減少在 違像素電極3之一及極匯流排線6側邊上的一線條狀電極8 與5亥〉及極匯流排線6之間所產生的一水平電場。如第3 3圖之 截面圖所示’該電場保護電極7 〇係形成在該像素電極3 之4 /及極匯流排線6該端部的該線條狀電極§與該沒極匯流 排線6之間的一區域以下並藉由閘極形成金屬在相同於該 閘極匯流排線4之時間。 第33圖是一圖顯示該電場保護電極7〇之安排位置與該 操作。一電壓被加至該像素電極3與該電場保護電極7〇，並 且如第33圖所示，幾乎與該基底表面平行之等電位線被產 生於έ玄陣列基底中。由此做法，如第33圖中一虛線搞圓72 所示’有可能防止在該沒極匯流排線6該端部的該線條狀電 極8與該汲極匯流排線6之間該端部的該線條狀電極8與該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2]〇><297公釐） -----------------------裝..................、可：..............線. (請先閲讀背面之注意事项再填窩本頁) •45· 571154 A7 ------- B7____ ^ λ ^rmnm (43 ) —" '—" 一 汲極匯流排線6之間之區域中水平電場的產生。該等電位線 與液晶引向器係顯示於第33圖，並且理解的是該等電位線 ...........Ψ…： (請先閲讀背面之注意事项再填窈本頁) 係幾乎與該橢圓中之基底表面平行，並且該等引向器係幾 乎垂直於該基底表面。 該液晶層24中的單體被聚合於此狀態中。在該等單體 被聚合厚，該電場保護電極7〇係電性連接至一共同電極％ 並且被用來作為一儲存電容電極。因該液晶分子2乜落下之 方向係由該聚合的聚合物所決定，其幾乎不接收產生在該 像素端之電場的影響。當一顯示被實現在整個Mva_lcd 並且該顯示區被觀察時，光經由整個像素部被傳送，並且 於第34圖之T-V特性圖中，如一粗實線之曲線所指示，當 與一以一細實線所指示之傳統LCD比較時，透射率能被改 善。 [例 2-4] 參考第35及36圖將說明此例。第35圖顯示一狀態其中 根據此例之一 MVA-LCD的一像素2於該基底表面之正常方 向被觀看，根據此例之一像素電極3的結構係相同於該例 2-1。 此例之特徵在於，於一汲極匯流排線3附近之該像素電 極3在一端部由一虛線所指示的一區域74上一校準薄膜上 的校準定向係使具有一異於在該像素之中心部的方向。如 第35圖所示，該液晶分子24a係向下傾斜在圖式中該像素中 心部上面的一像素區中紙面上（向下粗箭頭）、並係向上傾 斜在一下像素區中在紙面上（向上粗箭頭）。另一方面，該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -46- 571154 五、發明説明（44 區-校準處理被執行以至於一校準定向(細箭頭) 相對該相鄰汲極匯流排線6的延伸方， 甲万勹係以近45傾斜。此 例中，紫外光被照射以執行一校準處理。 當-電壓被加至-像素時，一液晶分子的校準方向係 由該校準處理與該電場之平衡所決定。由此，因該像素電 極3之該端區74的液晶分子24a同樣地於幾乎與該沒極匯流 排線6平行的方向落下，經由該整個像素電極光能被傳送。 此狀態中，該液晶層24中的單體被聚合。因該液晶分 子24a落下的方向係由一聚合之聚合物所決定，其幾乎不接 收在該像素端所產生之電場的影響。當一顯示被實現在整 個MVA-LCD並且該顯示區被觀察時，光經由整個像素部被 傳送，並且於第36圖之T-V特性圖中，如—粗實線之曲線 所指示，當與一以一細實線所指示之傳統Lcd比較時，透 射率能被改善。 [例 2-4] 參考第37至40圖將說明此例。第37圖顯示一狀態其中 根據此例之一 MVA-LCD的一像素2於該基底表面之正常方 向被觀看。雖然此例之一像素電極3的結構係相同於該例 2-1，此例之特徵在於，在一沒極匯流排線6與一像素電極3 間的一間隙76之寬度係使等於該像素電極3中一間隔1〇之 寬度。 第38圖顯示一結構其中在該汲極匯流排線6與該像素 電極3間的間隙76是寬的。當沿著該基底表面之區域76的寬 度係為”a”、且該間隔10之寬度係為”b”時，a> b被滿足。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .....................裝.........—........訂..................線 (請先閲讀背面之注意事项再墦寫本頁) -47- 571154 A7 ------57__ 五、發明説明（45 ) (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 因在該汲極匯流排線6與該像素電極3間的電容變成串擾的 起因，通常使該間隙76為寬的。然而，當一電壓被加至該 液晶層24時，在該間隙76上以一橢圓所指示的一區域76& 中之一液晶分子24a於垂直該汲極匯流排線6的方向落下， 並且一暗部出現於該像素中。另一方面，該像素電極3中於 該間隔ίο上的一區域10a，一液晶分子24a係與該間隔的延 伸方向平行地傾斜。 於是，如第39圖所示，使得該間隙76接近該間隔1〇的 寬度以滿足a Ξ b，並且同樣地使得該區域76a中之液晶分 子24a於與該汲極匯流排線6平行之方向落下。由此做法， 因該像素電極3的大小亦能被加寬，有一影響即透射率能被 加倍地改善如第39圖所示。為了抑制串擾，如第39圖所示， 例2-3的一電~保護電極7〇僅必須提供於該間隙％的下層。 此、’ό構中，電壓係加至該液晶層24並且該液晶層24 之單體被I合。因該液晶分子2“落下的方向係由整個 MVA-LCD中的一聚合之聚合物所決定，當一影像被顯示時 其幾乎不接收在該像素端所產生之電場的影響。當一顯示 被貫現在整個MVA-LCD並且該顯示區被觀察時，光經由整 個像素部被傳送，並且於第4〇圖之τ-ν特性圖中，如一實 線之曲線所指示，當與一以一虛線所指示之傳統LCD比較 時，透射率能被改善。 [例 2-6] 參考第41至4 5圖將說明此例。第41圖顯示一狀態其中 根據此例之一 MVA-LCD的一像素2於該基底表面之正常方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） -48- 571154 A7 B7
五、發明説明（46 ) 向被觀看。此例之一像素電極3的結構特徵在於，由該等線 條狀電極8與間隔10所構成的一線與間隔圖案係與一閘極 匯流排線4平行而形成。為了產生於圖式中左與右方向上的 校準分割，一連接電極64被提供在該像素上半的右側，並 且一連接電極64被提供在該像素下半的左側。由此做法， 能主動地利用以一在該像素電及端與該汲極匯流排線6平 行所產生的水平電場於一垂直於該汲極匯流排線6之方向 傾斜的一液晶分子校準。附帶地，該連接電極64可被自然 地提供在該像素上半的左側與在該像素上半的左側。 第42圖顯不沿者第41圖之線F-F所取之斷面，第43圖顯 示沿著第41圖之線G-G所取之斷面。如第42極43圖所示， 一線條凸出物6 6係形成在相鄰該兩個連接電極6 4之該没極 匯流排線6間的一相對基底上。藉由形成該線條凸出物66， 在該連接電極64與該相鄰汲極匯流排線6間的一電場之影 響能被消除。再者，為了確保在該陣列基底側邊之該校準 方向，如以第44圖之粗概要箭頭所指示，摩擦可被執行從 該連接電極64未被提供向該連接電極64之側邊，並在該相 對基底之側邊上，摩擦可被執行於相對該箭頭之方向。此 外，一光校準處理可被執行。 此結構中，一電壓係加至該液晶層24以聚合該液晶層 24中之單體。於整中，因該液晶分子24a落下 的方向係由一聚合之聚合物所決定，當一影像被顯示時其 幾乎不接.收在該像素端所產生之電場的影響。當一顯示被 貫現在整個MVA-LCD並且該顯示區被觀察時，光經由整個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs) A4規格（210X297公爱） -49- 571154 A7 ----!Z___ 五、發明説明（47 ) "— 像素部被傳送，並且於第45圖之T-V特性圖中，如一粗實 線之曲線所指示，當與-以—細實線所指示之傳統lcd比 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 較時，透射率能被改善。 [第三實施例] 接著，參考第46A至48圖將說明一種根據本發明一第 三實施例之液晶顯示器及其製造方法。此實施例有關該第 二實施例之MVA-LCD的改進。根據該第二實施例，一如第 23圖之該像素顯微觀察圖中所指示之大暗部χι利用該線 條狀電極圖案能被減少，然而，一暗部幻稍微保留在最接 近該汲極匯流排線6與該間隙76的該線條狀電極8上。 第46A至46E圖係用以說明一液晶分子24a之傾斜操作 之圖。第46A圖顯示一狀態其中一無狹縫之像素電極3與該 液晶分子24a於該基底表面之正常方向被觀看，並且第46B 圖顯示一狀態其中它們於該基底之一載面之向被觀看。如 第46A與46B圖所示，當一電壓被加至該液晶分子時，該液 晶分子24a之主要軸係傾斜於垂直該像素電極3之端側方 向。例如，該像素電極3於該端側附近的液晶分子24a於垂 直該汲極匯流排線6之延伸方向的方向傾斜。 第46C圖顯示一狀態其中一線與間隔圖案所形成並由 線條狀電極8與間隔10所構成的一像素電極3於該基底表面 之正常方向被觀看’並且第46D圖顯示一狀態其中它們於 該基底之一截面之向被觀看。如第46C與46D圖所示，當一 電壓被加至該液晶分子時，該液晶分子24a之主要軸係傾斜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） -50- 571154 A7 B7 五、發明説明0 於與該線條狀電極8與該間隔10之縱向平行。 —....................裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於是，如第46E圖所示，當該線條狀電極8係與一汲極 匯流排線平行提供時，該線條狀電極8上的該液晶分子24a 之主軸的傾斜方向且於該汲極匯流排線6的附近係以90。 彼此不同。因此，相對該汲極匯流排線6指向45。方向的一 液晶分子24a被產生如第46E圖的一橢圓區域所示，並且變 成與一極化板之極化轴平行，以至於一暗部被看到。 於是，於此實施例中，為了根本消除在該像素端所產 生之電場影響並且異至該暗部區域至最小，最接近該汲極 匯流排線6的線條狀電極8之電極寬度a，係使得較薄於在該 像素中心部該線條狀電極8之電極寬度b，。 訂丨 附帶地，若該線條狀電極8之電極寬度a，過分薄時，有 可成性及該線條狀電極8係斷裂或被短路至相鄰線條狀 電極8。於是，該線條狀電極8之寬度與該間隔1〇被設定成 從 〇·5μηι至 5μηι。
..線I 利用例子以下將詳細說明根據此實施例之該液晶顯示 器及其製造方法。首先，以下例子之條件係相同於該第二 實施例中之例子的條件。 [例 3-1] 當該線條狀電極8與該汲極匯流排線6間的距離係短的 如同於該第二實施例的該例2-5，存在一情況在該像素電極 3與該該汲極匯流排線6間的電容變大，且產生串擾。於此 隋況下，因該線條狀電極8與該沒極匯流排線6間的距離不 能被縮短，藉由弄窄最接近該汲極匯流排線6的線條狀電極 -51- 571154 A7 — ---- B7_ 五、發明説明（49 ) '~' -- 8’能使該暗部X1的區域為最小。第47圖舉例—連接電⑽ 被提供在-像素的中心之情況，第48圖舉例一連接電極料 被提供在一閘極匯流排線4之側邊。 [例 3-2] 於該例3·1中，為了防止串擾，能利用該第二實施例之 例2-3獲利2-5所說明之電場保護電極7〇 。 [第四實施例] 接著，參考第49至62圖將說明一種根據本發明一第四 實施例之液晶顯示器及其製造方法。此實施例有關一高顯 示品質MVA-LCD之特性上的改進。當近年來一資訊設備呈 、曰及夺 顯示板係需要舉有高性能。因此，通常使用非 常好的顯不品質之MVA-LCD。然而，該MVA-LCD具有一 問題係從無電壓應用之時間（在一正常黑模式之黑顯示之 時間）至低電壓應用之時間（半色調）的反應是慢的。 如第49圖所示，於一傳統MvA_LCD中，用以調整液晶 分子24a之傾斜方向的校準調整結構部份（例如，線條突出 物66及68)係局部分布（非均勻分布）。因該校準調整結構部 份係局部分布，於一區域其中無用以調整該液晶分子24a 之一傾斜方向與一傾斜角極θρ如第5〇圖所示，傳播傾斜之 液晶校準花費時間。再者，若校準之邊界係形成再用以跳 整該傾斜方向之結構部份上十，一暗線係形成在該結構部 份的周圍，並且透射率被降低。如以上所述，於用以調整 該傾斜方向之裝置被散亂地安排的結構中，存在一問題係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格UK}><297公釐） ...............--訂.............. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -52- 571154 A7 B7 五、發明説明（5〇 在低電壓應用之時間下的液晶校準是不穩定的。
於是，因對於整個像素之液晶做出反應需要時間，發 生一問題即變化一黑顯示（垂直校準狀態）至一半色調顯示 (傾斜校準狀態）需要一段長時間。特別是，於該半色調顯 示具有一低層次的情況下，因該液晶校準傾斜之傳播呈慢 的，所以該反應時間變成正常時間的三或更多倍之長。然 而，於以做成聚合物固定的情況下之校準中，該像素中所 有部份之傾斜方向係之前決定。於是，於任何模式其中杂 液晶傾斜方向被傳播且在正常條件下反應變慢時校準被改 變，該聚合物固定實現在反應上的大改良。第86圖顯示於 一包含一聚合物未固定液晶之LCD與一包含一聚合物固定 液晶之LCD該等級與上升時間之間的關係。了解的是，藉 由應用該聚合物固定至一般MVA-LCD，能得到以二至三倍 的係數較高之反應速度。此外，如另一問題，因透射率被 降低，該顯示呈暗的。如以上所述，於傾斜校準係散亂之 結構中，存在一問題是該反應特性係變值得並且亮度被降 低因在低電壓應用之時間下該液晶校準是不穩定的。 此實施例提供該MVA-LCD其中不用降低透射率而反 應時間被縮短，並且在低電壓應用之時間下該液晶校準被 固定。特別是，於聚合物固定校準作為此實施例之基本結 構下’因有關顯示所有部份之傾斜方向事先被決定，於任 何像素結構其中液晶之傾斜方向必須在正常條件下被傳播 中’明顯的速度上升能被達成。 第51圖係此實施例之一結構圖。於該圖式中，舉例安 -53- 571154 A7 ----—_B7 五、發明説明0 ) ' (諸先閒讀背由之>.1意事項再墦趑本頁} 排於矩陣形式之3 χ 3 = 9個安排區。於各個安排區⑼ 中女排具有於一基底表面方向之方向性或由切割一電極 所得到之狹縫的結構部份（以下指為方向結構部份）。若一 相似於該方向結構部份之方向結構被形成時，如同一單體 或集口體’於相同方向二為的一表面改良區中，該液晶 杈準此被傾斜於一方向。由此，因當由光或熱逖聚合之單 體被聚合時，在電壓應用至一液晶層24的時間下，一液晶 校準能被傾斜於一方向，所以能獲得最佳預傾斜角及/或在 驅動時間下的傾斜角。 於此實施例中，如第51圖所示，藉由二維安排在該基 底表面上之該等安排區8〇中所提供的方向結構部份或藉由 形成等效於這些結構的表面改良區，該液晶校準係傾斜於 一方向。即’因該液晶校準係傾斜在一方向的短間隔，所 以傳播該傾斜之液晶校準的時間呈短的，並且反應時間能 被縮短。再者，因一領域係不形成在該方向結構部份或該 表面改良區域上，所以透射率不被降低。再者，因於該液 晶之傾斜定向所校準的聚合物被形成，所以該液晶係穩定 第傾斜在低電壓用的時間下。 該複述的第5 1圖所示之安排區80係彼此相鄰以具有一 水平方向間隙寬度WG及一垂直方向間隙宽度HG。作為安 排於該安排區80之該結構部份的形成材質，如Shipley公司 的S1 800正光阻劑被使用。該結構部份之高度被做成約 〇·3μπι 〇 第52圖顯示該方向結構部份或該表面改良區之例，其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -54· 571154 A7 B7 五、發明説明（52 ) 中當於一基底表面之正常方向被觀看時一較小大小之三角 形凹處從一三角外形被形成。一能量光束如紫外線被選擇 地照射用以改良該表面，該液晶層之厚度係做成約4μπι ’一垂直校準薄膜係用來作為一校準薄膜，並且一具 有負介電非等向性之液晶係用來作為一液晶。藉由提供該 三角形凹處，產生有一效果係一液晶分子幾乎不傾斜於該 凹處之方向。如第52圖所示，該圖案大小能採取不同大小 的圖案D1至D4。 在無電壓應用的時間下，該液晶分子係大致垂直於該 基底表面傾斜。在電壓應用的時間下，藉由該方向結構部 份形成以具有如前者之相同形狀之表面改良區，該液晶分 子係傾斜在一方向。於一液晶晶胞被夾在安排於正交尼科 耳稜鏡之極化板間的情況下，一黑顯示在無電壓應用的時 間下被獲得’並且一白顯示在電壓應用的時間下被獲得。 於一不具方向性之平坦形之結構部份的情況下，藉由 組合有可能產生方向性。第53圊顯示一例其中一具有兩軸 向對稱轴之矩形板形狀與一具有兩軸向對稱軸之矩形板形 狀被結合以做出一軸向對稱軸。如第53囷所示，該圊案大 小能採取不同大小的圖案F1至F4。 一三角形、一近半橢圓形或一半圓形能被用來作為該 方向結構部份或表面改良區之板狀的另一例。於一等效三 角形的情況下，轴向對稱轴的數量變成三。然而，若它被 安排於一格子形狀中時，一集合體之軸向對稱軸的數量變 成一 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（2]〇χ297公釐） .......................裝..................訂..................線 (請先閲讀背g之注念事項再填窝本頁) •55· 571154 A7 -—~ _!Z____ 五、發明說明（53 ) (熗先閲讀背面之注意事項再填趑本頁) 第54A至54F圖顯示複數個結構部份之組合的例子。該 方向結構部份或表面改良區之板狀大致為三角形、矩形、 正方形、大致半橢圓形、半圓形、橢圓形或圓形，並且一 凸出物或一凹處其中之一係形成在相對於該凸出物之一側 上’或二者可被提供於一步份中。該凸出物或該凹處的形 狀了大致為三角形、矩形、正方形、半摘園形或半圆形。 第55至58圖顯示用以改善一LCD視角特性之結構。一 像素2中的方向結構部份或表面改良區之板狀的方向〇是 不同的。於第55囷中，該像素2的内部在中信部被分成兩 區。例如每個具有三角形外形與第52囷所示之凹處的結構 部份被校準於一方向01之矩陣形狀當圖式中頂點朝上。另 一方面，每個具有三角形外形與第52圖所示之凹處的結構 部份被校準於異於該方向〇1有180。的一方向相反D2之矩 陣形狀當圖式中頂點朝下。藉由採取如上述之結構，液晶 分子為調整於在聚合時間下該像素中一寬範圍之校準，並 且一藉由聚合物能得到一良好的液晶校準。 同樣地，於第56圖中，每個具有矩形外形與第52囷所 示之凹處的結構部份被校準於四個方向D1至D4當頂點方 向係對於各個區以90。改變。附帶地，該版面之方向可連 續地被改變。例如，於第57囷中，該等結構部份從該像素2 之中心部係放射狀延伸並被校準。於第58囷中，結構部份 被校準以至該頂點係共中心地安排。藉由採取如上述之結 構，該液晶分子被傾斜之方向能被良好地控制於該像素2 , 以至於視角特性能被增進。再者，能藉由事先加一低 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -56- 571154 A7 B7 五、發明説明（54 ) 至該像素電極能減少在顯示電壓應用的時間下於定位角方 向之該液晶校準的位移以稍微傾斜該液晶校準。 藉由增加Dainippon Ink公司2.5%的液晶單丙稀酸鹽 UCL-001-kl至Merck Japan公司之液晶MJ-961213所得到的 係用來作為一單體混合物液晶層材質用於聚合物固定。在 該液晶材質被注入基底間之後，當一5.0V之電壓被加至該 液晶層時單體藉由用紫外線照射該液晶層被處理。由此做 法，形成校準於該液晶分子之傾斜定向之聚合物變成可 能。由此，該液晶校準在低電壓應用的時間下能被固定。 再者，用以增進一 LCD之視角特性的結構被顯示於第 59及60圖。顯示於第59及60圖之結構係特徵在於一方向結 構部份或一表面改良區的一邊界結構部份78被提供在一像 素2中各個區域的一邊界。該邊界結構部份78係形成為一具 有5μπι之寬度與約〇·3μηι之高度的帶狀，該高度可約為 1.5μιη。第59圖顯示一狀態其中該像素2的内部藉由該帶狀 邊界結構部份78被分成四區，且第6〇囷顯示一狀態其中該 像素2的内部藉由結合該帶狀邊界結構部份78成一十字形 狀被分成四區。 第61及62圖所顯示之結構是第6〇圖所顯示之該邊界結 構部份78的特殊例。第60圖所顯示之邊界結構部份78係由 安排複數個三角形結構其係放射狀延伸於四個方向當該等 頂點之方向係使在同一方向所構成。第62圓戶斤顯示之邊界 結構部份78係由安排：等邊三角形結構其係放射狀延伸於 四個方向當一結構係延伸於一方向且該頂點至每一方向所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSU4規格（210 X 297公爱） .......................^.................-、ΤΓ..................· (請先閲讀背g之注*事項冉蜞寫本頁) •57· 571154 A7 _____ _ B7 _ 五、發明説明（55 ) 構成。 如以上所說明，根據此實施例，該液晶分子能被傾斜 且校準在短間隔，並且該液晶校準傾斜之傳播距離變短， 以至於能使反應時間為短的。再者，因透射率被降低，並 且該液晶校準在低電壓應用的時間下是穩定的，該 MVA-LCD之顯示性能能被增進。 [第五實施例] 接著’參考第63至65囷將說明一種根據本發明一第五 實施例之液晶顯示器及其製造方法。此實施例有關一加重 明壳之液晶顯示器。該液晶顯示器係被用於一攜帶型丁V、 不同的監視器、投射型投影機及類似者，還加上一書本尺 寸的個人電腦。 現有能產生一彩色顯示之LCD在亮度上係較差於 CRT，並且在亮度的提昇被期望的。依照一種增進亮度的 方法，可理解的是利用一圓形偏振板（圓形偏振板指示一極 化板與一 λ/4板的結合）。因一像素中所產生的向錯 (disclination)在亮度上的低下藉由利用圓形偏振板能被抑 制。 一般而言，依照一種用以控制液晶校準的方法，存在 一校準調整結構部份如一凸出物或藉由切割一電極所得到 的狹縫。此外，亦存在一聚合物固定系統其中單體藉由照 射紫外(UV)光至一摻雜有單體的一液晶層被聚合於一狀 態其中液晶分子藉由加-電壓至該液晶層被傾斜，並且該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱) ----- (請先閲讀背由之注意事項再墦寫本頁) Φ 訂· -58- 571154 A7 B7 五、發明説明（56 ) 液晶係調整的校準。在這些校準調整裝置中，該聚合物固 定系統能使一像素之開始比率為最高。 當該液晶層中的單體被聚合時，一電壓被加至該液晶 層以傾斜該液晶分子，並且在此時，存在一情況是一校準 調整結構部份被提供於一像素中以至於該液晶分子保持預 定校準方向。於該等單體不需提供該校準調整結構部份如 該凸出物或狹縫而被聚合的情況下，分散於該像素中以維 持一晶胞間隙的一珠狀間隔變成一基礎點用以決定該液晶 分子的校準方向。 第63圖顯示一狀態其中三個相鄰像素2於一基底表面 之正常方向被觀看。一珠狀間隔82未存在於圖式中左側的 一像素2中’但一珠狀間隔8 2存在於圖式中中心與右邊的每 一個像素2中並且該校準位置係彼此不同。因該珠狀間隔82 係隨意被分散，如第63圖所示，該珠狀間隔82的分布狀態 對於每個像素是不同的，並且於是，用以決定液晶分子24a 之校準方向的基礎位置在各個像素間係不同的。 當一電壓被加至一液晶層24時，於一閘極匯流排線4 附近的液晶分子24a被一在該閘極匯流排線4與一像素電極 3之端部所產生的水平電場傾斜於垂直該閘極匯流排線4的 方向。同樣地，於一汲極匯流排線附近的液晶分子24a被傾 斜於垂直該汲極匯流排線6的方向。於該等匯流排線附近的 液晶分子24a之傾斜被傳播至内液晶分子24a，並且四個校 準分割區被形成。如圖式中所示暗線XI被形成在各個校準 區的邊界。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .......................裝..................訂................._線 (請先閲讀背面之注意事項再填坧本頁) •59- 571154 A7 _______B7_ 五、發明説明（57 ) 然而，如以上說明，因該珠狀間隔82的分布狀態在各 個像素間係不同的，並且用以決定該液晶分子24a之校準方 向的基礎位置在各個像素間係不同的，從第63圖明顯看 - 出’根據該像素2中該珠狀間隔82的位置該暗線：?〇的形成 狀態在各個像素間呈不同的。此被引起因各個傾斜定向的 校準比率在各個像素間係不同的，並且於使用圓形偏振板 之情況下，產生一問題係一視角在一半色調變小，亮度在 各個像素間呈不同或顯示不均勻被發現在整個上。 為了改善上述問題，於根據此實施例之液晶顯示器 中’柱狀間隔被形成在所有像素中的相同位置取代該珠狀 間隔，以至於該像素中各個校準方向液晶分子之校準比率 變得相同於所有像素。由此做法，因於各個校準方向液晶 分子之校準比率變得相同於所有像素，所以能防止顯示不 均勻。 之後，參靠第64圖將說明一明確例子。第64囷顯示一 狀態其中三個相鄰像素2於一基底表面之正常方向被觀 看。於第64圖中，一儲存電容匯流排線18係形成在其中心 線之像素電極3之下，並且每個具有…口爪寬度正方形的柱 狀間隔84係由在像素電極3之中心上的抗蝕劑所形成。 如以上所述，於此例之MVA-LCD中，取代該珠狀間 隔’該柱狀間隔84係形成在各個像素的相同位置（此例中， 在該像素之中心）。因此，用以決定液晶分子24a之校準方 向的基礎位置對於所有像素能為相同的。於是，如第64囷 所示’係使於該像素2之各個校準方向的液晶分子24a之校 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2】〇χ297公釐） (汴先閱讀背面之注意事項再填穷本頁) .訂丨 •60- 571154 五、發明説明（58 準比率為相同，並且該像素2中暗線幻的形成狀態能使其 相同於所有像素。 接著，將簡要說明根據此例之一種製造該MVA-LCD 的方法。 首先，一正抗蝕劑（由Shipley公司所製）被旋轉塗佈至 預疋厚度（如一晶胞間隙呈5 μπι之厚度）在一形成一 TFT16的陣列基底或形成一彩色濾光器的相對基底上。之 後，掩膜舖供被執行，並且具有相等於一晶胞間係厚度之 厚度的柱狀間隔84係形成在一像素的中心部如第64圖所 示。 接著，一由聚酿亞胺所製成之垂直校準薄膜係形成在 該陣列基底與該相對基底上。 接著’兩個基底被連結在一預定位置，並且一具有一 負介電非等向性與一單體之液晶，其能被1^^光聚合，被混 合並且於此狀態下，它們被注入在該等基底間。 一 DC30V之閘極電壓被加至該液晶板的閘極匯流排線 4其中該注入被完成，並且_DC5V之閘極電壓被加至該汲 極匯流排線6，該相對電極為接地電壓。在此時，該水平電 場被產生在該問極匯流排線4或該汲極匯流排線6與該像素 電極3之間，並且該液晶分子2钧係緩慢校準進入穩定狀 態。UV光被照射至於此狀態下的液晶層24，並且該單體被 光聚合所處理。 接著，圓形偏振板（極化板+λ/4板）被安排在一預定光 軸中的液晶板的兩表面上，並且該MVA-LCD被完成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） .......................^..................ΤΓ..................緣 (請先閲讀背面之注^事項再填趑本頁) -61- 571154 A7 ______B7 五、發明說明（59 ) f^先閲讀背g之注意事项再墦贫本頁) 接著’參考第65圖將說明上述例之變化例。第μ圖顯 示一狀態其中三個相鄰像素2於一基底表面之正常方向被 觀看。於第65圖中，每個具有1〇从111寬度正方形的兩個柱狀 間隔84係形成在一像素電極3之一水平或垂直中心線“上 在從該像素2中心的相等距離。該附帶地，該柱狀間隔84 可自然為圓柱狀’圓柱狀間隔84’每一個具有1〇 直徑被 舉例於第65圖左側之該像素2。期望的是該柱狀間隔84及 84’的寬度與直徑為2〇μιη或更小。 如以上所述，同樣地於此變化例之該MVA-LCD中，取 代該珠狀間隔，該兩的柱狀間隔84係形成在每個像素之相 同位置（於此例中，從該像素之中心在相等距離的上與下位 置）。即使此結構被採用，用以決定該液晶分子24a之校準 方向的基礎位置能使相同於所有該像素。 於上述例與改變例中，該柱狀間隔84利用該抗蝕劑被 形成，然而，除此，該柱狀間隔84藉由部份堆疊兩或三層 的彩色濾光器形成材質可被自然地形成。此外，藉由堆疊 複數層的彩色濾光器形成材質與一薄膜之有基材質，其可 被形成。 再者，於一 CF-on-TFT結構其中一彩色濾光器層係形 成在一陣列基底上，該柱狀間隔84藉由部份堆疊兩或三層 的彩色濾光器層可被自然地形成。 此外，於上述例與改變例中，雖然此例已給予說明其 中兩或三個柱狀間隔84係形成於該像素中，除此之外，柱 狀間個亦可被自然均勻地形成在該像素的週邊部。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -62· 571154 A7 B7 五、發明說明（6〇 ) [第六實施例] 接著，參考第66至68B圖將說明一種根據本發明一第 六實施例之液晶顯示器及其製造方法。此實施例有關一 VA 模式其中一具有負介電非等向性之液晶被垂直地校準，並 且特別是對於一 MVA-LCD其中液晶分子的一校準控制（傾 斜方向）係使無用執行一校準處理如摩擦但藉由利用一校 準凸出物或一電極狹縫。再者，此實施例有關一 MVA-LCD 其在校準凸出物間有一寬間隔且是明亮的，不過具有一結 構以至一校準控制是困難的。 於該MVA-LCD其中一具有負介電非等向性之液晶被 垂直地校準，並且該液晶分子的傾斜方向在電壓應用的時 間下利用該等校準凸出物或該等電極狹縫被分成一些方 向，它們被垂直地校準幾乎完全在無電壓應用的時間下， 可是它們在電壓應用的時間下係傾斜於不同方向。雖然傾 斜之方向被調整至形成45。無論如何有關一偏振片吸收 轴’該液晶分子作為一連續同樣地落下於中間方向。此外， 同樣地藉由一水平電場或類似者在驅動時間或結構部份之 粗縫度的影響，總是存在有一區域其中該液晶之傾斜方向 從一預定方向被移位。於該正常黑模式其中該偏振片係安 排於正交尼科耳稜鏡中，一呈黑色區域出現於每個像素在 一白顯示的時間下。此降低螢幕的亮度。 然後，該聚合物固定系統係有效的其中該液晶分子藉 由電壓應用落下至某個度數，並且一單體材質被聚合於該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -......................裝................、可..................線 (請先閲讀背面之注意事項冉填K本頁) •63· 571154 A7 B7 五、發明説明（61 狀態其中該傾斜方向被決定。依照該單體材質，通常利用 被uv照射而聚合的材質。於該聚 固疋系統中，一聚合物 被形成以記住在電壓應用的時間下液晶分子之傾斜方向的 資訊。於是’當-狀態其中無任何向錯(disclination)在一 液晶層中藉由UV照射在聚合的時間下被形成該向錯 (disc—)不被產生於該顯示像素中即使任何液晶驅動 精後被執行。再者’有-優點是在—半色調下的反應速度 同樣地被改善。 然而，困難的是在聚合的時間下加一相同電壓至整個 液晶層。此外，已知的是於一 TFT的導通狀態下的1;乂照射 使TFT之特性惡化。再者，在處理上討厭的是當一電壓被 加至該液晶層時係使UV照射。此外，若該液晶層中的單體 材質係不規則分布時，有一狀況其中在聚合後發生板内預 傾斜的不均勻，並且產生顯示不均勻。 為了解決上述問題，於此實施例中，UV照射被加至單 體以聚合它們於一無電壓應用的狀態或於此一低電壓應用 狀態其不發生在預傾斜之差異即使有一不規則單體材質之 分布。於無電壓應用之狀態中，藉由利用光校準或類似者 一起之處理，能得到一預定影響。 該UV照射在此一差異不發生於該預傾斜即使有加至 該基底表面中之該液晶層的電壓變動或於該基底表面之聚 合物材質的不規則分布之程度的一低電壓下被應用，以至 於一期望預傾斜角及/或校準調整方向能被給予至該液晶 層，並且在一影像顯示的時間下顯示不均勻的發生能被防 -64- (访先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 571154 A7 B7 五、發明說明（62 止。再者，於與一 UV校準結合中，具核能被執行於該狀態 其中校準控制係完美的即使一電壓未被應用。此外，因Τρτ 在UV照射的時間下能被關掉，該tft的變質能被防止。 根據此實施例，該MVA-LCD能被得到其中該液晶分子 之傾斜在一高速下被執行，該校準被固定，並且板内顯示 之不均勾不會發生。 在下，參考第66至68B圖將說明一特定例。 第66圖顯示一利用該聚合物固定系統之一 lcd的基本 結構。液晶分子24a被聚合物固定在一預傾斜角，並且該傾 斜方向在電壓應用的時間下同樣地被調整。 第67 A圖顯示一傳統系統其中一電壓被加至一液晶層 24當UV照射被加至一單體材質以聚合它。若聚合被此系統 執行時，該液晶分子24a被固定在一預定預傾斜角。此預傾 斜角係藉由集中該聚合物材質、加至該液晶層24的電壓及 UV照射量所決定。 第67B圖顯示根據此例的一聚合方法。一光（uv)校準 處理被執行至形成在一像素電極3與一共同電極26之液晶 接觸表面上的校準薄膜（未示）。由此做法，因在UV照射的 時間下供應一電壓至該液晶層24變成不必要，所得到的預 傾斜角僅被UV校準處理決定，並且聚合被執行於此狀態。 取代該UV校準處理，此變動不發生於該預傾斜角之程度的 一低電壓可被加至該液晶層以執行聚合。 第68A圖顯示由傳統系統所得到的結果〃囷式的右側 及左側顯示預傾斜的不均勻於此狀況其中有在該聚合物的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） ......................裝..................訂.................-線‘ (請先閱讀背面之注意事¾再填寫本頁} -65- 571154 A7 五、發明説明（63 ) 集中不均勻或有加至該液晶層24的電壓的不均勻。於該說 明例中，一左預傾斜角係大於一右者。因此，當該完整的 LCD被顯示時，顯示的不均句被發現。 第68B圖顯不此例之結果。於此情況其中該預傾斜角 被該校準薄膜的UV校準處理所決定，或於此情況其中此該 預傾斜角之變動不發生之程度的一低電壓可被加至該液晶 層，即使該聚合物材質集中的不均勻存在在該基底上，因 預傾斜的不均勻不會發生，所以顯示的不均勻不會發生於 該完整LCD。 用於此實施例之該單體材質是一介晶或非液晶原的單 體，並且例如，能利用雙機能丙烯酸鹽或雙機能丙烯酸鹽 與單機能丙烯酸鹽之混合物。 於此實施例中，雖然已說明，除此之外， 該尚書實施例能被應用至不同系統的LCD，例如另一 乂八模 式、TN模式、或IPS模式。 [第七實施例] 參考第69圖將說明一種根據本發明一第七實施例之液 =示器及其製造方法。此實施例有關該液晶顯示器及其 製造方法，並且特別是關於該液晶顯示器其中一垂直校準 型液晶的校準調整係穩定地被一聚合物固定（大分子固定） 纟統所執行。於-傳統聚合物固定“中，採用-方法其 、的時間下，液晶分子的校準方向藉由執行光照射 被控制當一電壓從一外部電源被加至該液晶層時❶ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格⑵〇χ297公爱)' ' -
·、-!1 (請先閲讀背由之注*寧項再填尨本頁) Φ •66- 571154 A7 B7 五、發明説明（64 然而，於製造該液晶顯示板下這不是一容易程序。這 是因為用於聚合之UV光必須被照射於該狀態其中該電壓 從該液晶顯示板的該閘極匯流排線側、該汲極匯流排線側 與該共同電極被供應至該液晶層。 第69圖顯示一狀態其中一包含tft之陣列基底88係形 成在該基底側邊的一母玻璃86上，並且一穿過一液晶層24 連結至之相對基底89於一基底表面的正常方向被觀看。用 以調整液晶分子之預傾斜角及/或在驅動時間下的傾斜方 向的聚合物被摻雜於該液晶層24。像素電極係形成於一形 成在該陣列基底上的矩陣中，並且一共同電極係形成在該 相對基底89上。該陣列基底88上的該等TFT係連接至一閘 極匯流排線與一沒極匯流排線。 太陽電池（矽光電池）74及75係形成在該母玻璃86上， 該太陽電池74之輸出端係分別連接至複數個引出至該陣列 基底88之端面的閘極匯流排端，該太陽電池75之輸出端係 分別連接至複數個引出至該陣列基底88之端面的汲極匯流 排端。 於一製造該液晶顯示板之程序中，該液晶層24的校準 方向能被一加在該像素電極與該共同電極間的電壓所調整 利用藉由用光照射該等太陽電池74及75所得到的輸出電 壓。即’來自一外部電源的電壓供應係不必要的並且於光 照射之處理下控制該液晶分子的校準定向變成可能。 當該液晶分子的校準定向已被固定時，提供在該母玻 璃86外週邊部的該等太陽電池74及75變成非必要，並且於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公爱） (請先閲讀背g之注*事項再填趑本頁) ,裝丨 、|^1丨 :線· -67- 571154 A7 _____Β7_ 五、發明説明（65 ) 是，當該液晶顯示板從該母玻璃86被切開時，該等太陽電 池74及75從該板在切割線S1及S2被切離。 處理中希望的是，當像素部份與該陣列基底88之週邊 電路的元件被形成時，該等太陽電池74及75係形成在該母 玻璃86上，其上形成包含於一週邊電路之像素TFlr與主動 元件、並同時被形成。當它們被形成在相同基底時，致造 成本能被抑制。 此外，該等太陽電池74及75係形成在顯示區的週邊部 份’並且在該液晶之校準定向被光照射所調整之後，它們 可被一光保護材質所遮蔽並可保留於該液晶顯示板内部。 在此時，在它被用來作為一液晶顯示器的情況下，光保護 必須被執行以至於該等太陽電池不會被一被光或週邊光所 操作。希望的是，該光保護係藉由用一彩色樹脂或黑樹脂 役封該太陽電池部份而執行。再者，同樣有效的是，設計一 外殼以便遮蔽它們免於一背光部份或周圍光。 此實施例該液晶顯示器的液晶層係特徵在於它是垂直校 準型並且係取決於該大分子固定處理。該液晶之校準定向甚至 在無電壓應用的時間下被大分子固定處理所決定，並且該液晶 分子具有相對該基底表面之預傾斜角。此一液晶顯示板具有一 南對比率及一高速反應特性、並且能提供高性能之顯示。藉由 採用一多區域其中因電壓應用液晶校準分子的方向是兩個或 三個方向，一寬視角特性亦能被獲得。 該等複數太陽電池74及75係形成於母板μ中，並且它 們能分別輸出獨立電壓。即，不同的太陽電池能根據目的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背du之注意事項再媾尨本頁)
-68- 571154 A7 B7 五、發明説明（66 被形成在該母板86上，例如，用於閘極電壓的太陽電池74 供應電壓至該閘極匯流排線在聚合下，用於閘極電壓的太 陽電池75供應電壓至該汲極匯流排線，一太陽電池係用於 一儲存電容匯流排線等等。 例如’該太陽電池75可應用適合該液晶顯示板的各個 R(紅色）、G(綠色）及B(藍色）之像素電極的電壓。於該液晶 顯示板之光特性被控制的情況下，當該液晶校準被控制用 於每個R、G及B區域，該光特性能為良好的，並且在此時 間下’有利的是能夠控制在基底表面與該液晶分子間的傾 斜方向。已知的是具有數種度數之少量傾斜之預傾斜，例 如約87度或88度的一預傾斜角，展現一比9〇度之傾斜角作 為一整個垂直校準較高速度反應特性。 光被照射以執行聚合，並且一結構可被採用以至該等 太陽電池74及75被那時的照射光所操作。即，該液晶之校 準定向與用以記錄該定向之聚合在相同時間下藉由同時曝 光被完成。當此方法被採用時，能實現一非常簡單之聚合 處理。 該光照射同時被執行並非總是必要，並且若一如以下 所提出之程序被採用，它的影響變大。該聚合係藉由光固 化存在於該液晶層的大分子之光反應被執行，並且在此時 必要之波長係在紫外光的一範圍中。另一方面，已知的是 該等太陽電池74及75被可見光或類似者所操作，並且用於 聚合的光並非總是需要。因此，可能的是，照射複數條第 一與第三光線之光束，異於用於聚合之光，至該等太陽電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ......................裝..................tr..................線 (詩先閱讀背面之注意事項再琪趑本頁) •69· 571154
Φ 先閱讀背ffij之注意事項再填趑本頁) 池74及75，該等光束的密度亦能使彼此不同，並且一對應 於該光照射的輸出電壓能被獲得。在此時，同樣有效的是， 加一必要熱風或熱至該等太陽電池74及75。由此做法，一 用以適合該液晶定向的電壓能被加至該液晶顯示器模組晶 顯示板，並且實現一多傾斜變得可能。當然，不用說的是， 用於聚合之照射光包含一可見光成分。 此實施例中的該液晶顯示板對於藉由一滴下注入法所 製造的情況同樣地便利。一結構能被採用以至光被照射至 一塗佈在該基底之周圍的主要密封物，並且當一對板被連 結並被固定時，該等太陽電池74及75被操作。 丁 — 、τ 此外，來自至少一個該液晶顯示板的特徵是，不同於 來自用以操作該等太陽電池74及75的光，光被照射以至於 該像素中的一主動元件顯示光導電性。因該像素部份的主 動元件產生光導電性，降低或取消從該等太陽電池74及75 加至該閘極側端之電壓變成可能，並且於該等太陽電池74 及75係形成於該基底表面之情況下能使單純化。最好的 是，用以給予光導電性之光從在相對於包含該主動元件之 基底側邊之該相對基底並從該液晶顯示板的一傾斜方向被 照射’並且適當的是，該光來去在一光保護材質周圍如一 黑矩陣（BM)。 [第八實施例] 參考第70A至75圖將說明一種根據本發明一第八實施 例之液晶顯示器及其製造方法。此實施例有關一種用以調 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） •70· 571154 A7 五、發明説明（68 ) 整一 VA模式LCD之液晶校準之方法。利用一 tn模式的一 傳統TFT液晶顯示具有一問題是當關看於一傾斜方向時對 比被降低，或顯示之光與黑暗被顛倒。 於該VA模式液晶顯示器其中分子被校準於垂直方向 有關該校準薄膜表面（基底表面）於無電壓應用的情況下， 一尚於該TN模式者的對比能被獲得。於該VA模式被利用 的情況下，一般必要的是給予一預傾斜角至該液晶分子。 s從一正常基底表面測量時，該預傾斜角約為〗。至5。。 於該液晶板實際上被建構的情況下，一晶胞藉由連結 兩個其上形成該校準薄膜的基底被建構，並且給予至該兩 基底之該校準薄膜的傾斜角方向係使彼此相反。此校準法 被稱做一垂直校準。當一具有一負介電非等向性之液晶被 注入近該晶胞並且一電壓係從提供在該兩基底上之電極所 應用時，該液晶分子係傾斜於給予該預傾斜角之方向。由 此，一白顯示從一黑顯示被實現。 依照一給予該預傾斜角至該校準薄膜的方法，通常採 用如以下所述之方》。其一是一㈣法其中一旋轉摩擦布 被帶進與該校準薄膜之表面接觸以摩擦它，並且其他是一 光权準法其中紫外線在一傾斜方向下被照射至該校準薄膜 之表面。依照一種不用產生一影像之倒置加寬一是角.的方 法，有一校準分割法其中複數個液晶分子之校準方向被提 供於一像素中。於此方法中，該複數方向之校準調整力必 須被賦予在為小像素中的校準薄膜上。於此情況下，因摩 擦法並不適合用於該校準分割，適合的是利用一光校準或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2】〇><297公^
......................:裝…… 先閲讀背：g之>!*事項#填趑本頁) .訂. :線· -71- 571154 A7 ------Ξ___ 五、發明説明（69 ) 類似者之方法。 此外’依照一加強一傾斜垂直校準之校準調整力的方 法’有一聚合物固定法。這是一方法其中可聚合單體被混 合並被聚合於一液晶層，並且該校準調整力被由該單體之 聚合所形成的聚合物所加強，並且有優點係能使反應時間 變短並能得到對於一外部電場或類似者的校準干擾的高抗 性。 參考第70A及70B圖將說明藉由該聚合物固定法增加 校準調整力的情況之問題。第70A及7〇B圓顯示一狀態其中 兩個相鄰像素2於一基底表面之正常方向被觀看，第70A圓 顯示其中形成TFT16的一陣列基底之側邊，第7〇B圖顯示經 一由在一相對基底之側邊上所提供之光保護薄膜的一黑矩 陣（BM)看到的像素2之顯示狀態。如第7〇A圊所示，一校準 調整結構部份如一線條凸出物或一狹縫未被形成在該像素 2中的一像素電極3上。於是，當一預定電壓被加至一閘極 匯流排線4與一汲極匯流排線6時，在圖式中如一箭頭们所 指之該像素電極3之端部的液晶分子24a係朝向該像素電極 3傾斜於垂直各個匯流排線4及6之延伸方向之方向藉由在 該像素電極3之端部與該各個匯流排線4及6間所產生之水 平電場。 即使一液晶分子之起始預傾斜角藉由光校準法被賦予 在圓式中一箭頭94的方向，因該光校準法中固定能係低 的，所以該液晶分子落下於一異於所賦予預傾斜方向之方 向，例如，由在該像素電極3之端部與該汲極匯流排線間的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱）
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水平電場之影響以9(Γ t方向。因此，當—白顯示被引發 時，如第70B圖所示，暗部χι被產生於該像素電極3與該汲 極匯流排線間6間的區域中。
於紫外線被照射以聚合單體之情況下，在完成後記住 於聚合物之校準方向視在聚合的時間下該液晶分子之校準 方向而定。若紫外線被照射至此狀態下的該液晶層以執行 聚口並且該液晶分子的校準方向係固定時，該暗部χι同應 被記住並且該聚合被執行。 然後’於此實施例中，當紫外線被照射至液晶層以聚 合單體時’ 一以下所提出的電壓圖案被加至其上形成 TFT 16之該陣列基底的側邊，以致用以調整一良好預傾斜 角及/或校準方向聚合物被實現不用記住該暗部χι。
(1) 一閘極電壓Vg(〇n) = c，在其下該TFT16變成於一 導通（on)狀態’被加至該閘極匯流排線4作為一指定頻率之 閘極脈衝。在一除了應用該閘極脈衝之時間的時間，一閘 極電壓Vg (off)，在其下該TFT16變成於一截止（〇ff)狀態， 被應用。 (2) 在當該閘極電壓Vg (on)被加至該閘極匯流排線4 之定時下，一汲極電壓Vd (on) = a被加至該汲極匯流排線 6，並且在另一情況下，一汲極電壓Vd (〇ff)= “皮應用， 在此，丨a|< |b|。 (3) —共同電極之直流電壓Vc = a/2被加至該共同電 極之側邊。附帶地，每個該閘極電壓Vg (on) '該汲極電壓 Vd (on)與該汲極電壓Vd (off)的脈衝寬度係較短於被寫至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -73- 571154 A7 ______B7_ 五、發明説明（71 ) 該像素的一寫入電壓Vp的脈衝寬度，例如，其是該寫入電 壓Vp的脈衝寬度的ι/loo或更小。 (請先閲讀背g之注意事項再填尨本頁) 於一電壓在上述條件（1)至（3)下被應用的情況下，當該 TFT 16係於導通狀態時，在此時被寫至該像素電極3的該寫 入電壓Vp是該汲極電壓Vd (on)。於是，該寫入電壓係vp = a，並且此.電壓被保持即使該TFT16係於截止狀態。當該寫 入電壓V p被保持時，加至該沒極匯流排線6之該沒極電壓 Vd (off)為重複在一預定頻率並具有最大振幅bv之脈衝。 該TFT16係於導通狀態的時間是非常短的，除此該TFT16 係於截止狀態的時間佔據最多部份，並且進一步，因加至 該汲極匯流排線6之該汲極電壓Vd (off)係較高於價至該像 素電極3的該寫入電壓Vp，所以能使在該像素電極3之端部 所產生之水平電場的影響為小的。由此，能使在該像素電 極3之端部所產生並記住在聚合之暗部乂丨的寬度為小的。 以下，利用例子將特別說明根據此實施例之該液晶顯 示器及其製造方法。 [例 8-1] 第71圖顯示根據此例一液晶顯示器的一驅動波型。於 一具有5μιη寬度的汲極匯流排線6之延伸方向的一像素間 距（於一像素之縱向）是200μπι。另一方面，於一具有5μιπ寬 度的閘極匯流排線4之延伸方向的一像素間距是70μπι。一 像素電極3之端部係設置在離該汲極匯流排線6之端部或該 閘極匯流排線4之端部3μπι遠的位置❶該像素電極3係由 ΙΤ0(銦錫氧化物）所製成並被連接至一 TFT的源極電極。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐〉 -74· 571154 A7 B7 五、發明説明（72 一具有1 Ιμιη寬度的黑矩陣（BM)係提供在一相對基底 之側邊上在一於一垂直方向2〇〇μπι與於一水平方向7〇μπι 的間距下。該ΒΜ上，一由ΙΤΟ所製成之共同電極被提供在 幾乎該基底的整個表面上。校準薄膜係形成在該陣列基底 與該相對基底上，此校準薄膜係具有一垂直校準特性，並 且一傾斜垂直校準特性係藉由摩擦該校準薄膜表面而賦 予。 該陣列基底與該相對基底被結合至彼此以至於一液晶 板被製造。一摻雜有用於聚合物固定之單趙的液晶備註入 進此液晶板並被密封。 在以下程序下，電壓被加至以注入液晶之該液晶板。 (1) 一頻率60Hz的閘極電壓Vg (on)被加至該閘極匯 流排線4作為一脈衝以至於該TFti 6變成在導通狀態。該閘 極電壓Vg (on) = c = i8V ,該閘極電壓Vg (〇n)的應用時間 是〇· 1 ms ’並且僅一個脈衝被應用於一時框，係使一時框頻 率為16.7ms，並且使該閘極電壓Vg (〇ff) = -5¥於 16·7-0· 1 = 16.6ms。附帶地，係使設定以至該閘極電壓Vg (〇n) 及（off)在相同時間下被加至所有該等閘極匯流排線4。 (2) 當該閘極電壓Vg (on) = 18V被加至該閘極匯流排 線4時’在該定時下一汲極電壓vd (on) =± 5 V被加至該汲 極匯流排線6，並且除此之定時下一汲極電壓vd (off) = 土 8V被應用。 係使該沒極電壓Vd (on)被加至該汲極匯流排線6的時 間等於或有點較長於在該TFT16變成在導通狀態下之該閘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱·） ........ .....t衣-.................、ΤΓ.................•線 (請先¾讀背由之注意事項再填趑本頁) -75- 571154 A7 _____B7_ 五、發明説明（73 ) 極電壓Vg (on)被應用的時間。於此例中，該汲極電壓vd (on)具有一至少o.ims的脈衝寬度。 (3) —相對於該汲極電壓V(i(on)之振幅中心的直流電 壓被加至該共同電極Vc。於此例中，該共同電極Vc = 0V。 一應用之波形變成一如第71圖所示之波形。一寫入電 壓Vp = ± 5V被加至該像素電極3在30Hz的頻率下並且被 保持直到下一個寫入電壓被應用。另一方面，在一除了該 TFT16係在導通狀態時間的時間下，該汲極電壓vd (0ff)= ± 8V被加至該汲極匯流排線6。 由此，有可能的是，形成此一情況係加至該汲極匯流 排線6之電壓係總是較高於加至該像素電極3之電壓。於該 等電壓被加至各個電極在上述電壓應用條件下的狀態下， 紫外線被照射至該液晶層以聚合該液晶中的光聚合成分。 在該光聚合成分被聚合後，該液晶層中該液晶分子之預傾 斜角及/或該校準方向被調整甚至在無電壓應用的時間 下。因此，該暗部XI在一影像顯示下甚至未被該驅動電壓 延伸，並且具有高亮度之MVA-LCD能被實現。 第72A及72B圖顯示一狀態其中根據此例的兩個相鄰 像素於一基底表面的正常方向被觀看。第72A圖顯示根據 此例其上形成該TFT16之陣列基底的側邊。第72B圖顯示經 由提供在該相對基底之侧邊之一光保護薄膜的該黑矩陣 (BM)所觀察之該像素2的顯示狀態。如第72A囷所示，該預 定電壓被加至該閘極匯流排線4及該汲極匯流排線6並且即 使該等水平電場係產生在該像素電極3之端部與該各個匯 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ♦· .計· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -76- 571154 A7 B7 五、發明説明（74 (請先閲讀背面之注意事項再墦寫本頁) 流排線4及6之間’在該像素電極3之端部之液晶分子24a不 傾斜於垂直該各個®流排線4及6延伸方向的方向藉由聚合 物的校準調整。因此，如第72B圖所示，沿著該汲極匯流 排線6產生在該像素電極3之端部的該暗部XI之寬度能被 減少。 [例 8-2] 參考第73圖將說明此例。此例係特徵在於係使加至該 >及極匯流排線6之一没極電壓Vd (off)為一直流電壓代替如 例8-1的交替矩形電壓。如第73囷所示，一汲極電壓vd(〇n) =+5V之脈衝電壓被應用在該TFT16係在導通狀態下之一 閘極電壓Vg (on)的定時下，並且在此外之定時下，該汲極 電壓Vd (off) = +8V被應用。 當電壓被應用時，紫外線在該等條件下被照射至該液 晶層，以至於該液晶層中該光可聚合成分被聚合。同樣地 藉由此例，因該液晶層中該光可聚合成分能被聚合於係使 在該像素電極3之端部沿著該汲極匯流排線6的該暗部χι 為小的狀態下，變得可能的是，製造具有高亮度的液晶其 中甚至在驅動於一正常顯示模式的時間下該暗部X〗不被 產生。 [比較例8-1] 第74圖顯示一傳統電壓驅動波形作為一比較例。如第 74圖所示’因電壓關係通常是汲極電壓Vcl (〇n)=汲極電 壓Vd (off)==寫入電壓vp，該暗部χι係藉由產生在該汲極 匯流排線6與該像素電極3之端部之間的水平電場之影響而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2〗〇><297公釐） -77· 571154 A7 __—__B7_ 五、發明説明（75 ) 產生。 第75圖係一圖形其中該汲極電壓Vd (off)被取來用於 該水平轴，並且係使該亮度比為丨於該汲極電壓Vd (〇ff)與 該寫入電壓Vp具有相同電位的情況下。 從第75圖明顯看出，當該汲極電壓為Vd (〇ff) = ± 8V 並且上述例之該寫入電壓Vp= ± 5V時，超過^丨的亮度比 被獲得，並且該暗部乂丨被充分地減少。 此外’了解的是，當該閘極電壓Vg (on)=：寫入電壓 Vp為5V或更高時，一明顯的效果被獲得。此外，當該寫入 電壓Vp與該汲極電壓Vd (〇ff)之電壓強度為2v或更高，一 明顯的效果被獲得。 [第九實施例] 接著，參考地76至83圖將說明根據本發明一第九實施 例的一種液晶顯示器及其製造方法。此實施例有關該液晶 顯示器其中一包含一光可聚合成分之液晶合成物被夾在基 底間，當一電壓被加至該液晶合成物時該光可聚合成分背 光聚合，並且該液晶校準因此被固定。 於一傳統液晶顯示器裝置中，一其中水平校準的液晶 被扭轉在上與下基底間的TN模式是主要電流，可是，因根 據一觀察定向該液晶之傾斜角是不同的，所以程度反轉發 生在一特定視角並在一半色調下。然後，一稱為一 MVA模 式之技術係傾斜於對稱定向以執行一視角之補償。於該 MVA模式中，藉由形成一由在一電極上之介電體或絕緣體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背g之注意事項再填趑本頁)
•78- 571154 A7 B7 五、發明説明（76 所製成的校準調整結構部份，一傾斜電場被形成於該液晶 層在電壓應用的時間下，並且該液晶被此傾斜電場傾斜於 該預定傾斜定向。 然而’因加至該校準調整結構部份上之液晶的電壓被 衰減或變成零’每一像素的透射率變低。為了確保該透射 率’該校準調整結構部份之佔據比僅必須為低的，並且例 如’在相鄰校準調整結構部份間的一間隙僅必須為寬的。 然而’若在該等校準調整結構部份間之間隙係為寬時，產 生一問題是傾斜在該間隙之中心部之液晶花費時間，並且 當顯示一半色調時一反應時間變長。 然後’一液晶校準固定技術已被提出其中一包含一光 可t合成分之液晶合成物被夾在基底間，當一電壓被應用 時該光可聚合成分背光聚合以形成相對該液晶校準之正交 連接介構。由此，當該透射率被確保時該反應時間能被縮 短0 地76圖顯示一利用上述校準固定技術之一液晶顯示器 的示意結構。地76圖顯示利用TFT作為切換元件之一主動 矩陣型液晶顯示器的上表面之一部份，從一彩色濾光器基 底之側邊被觀看。如第76圊所示，於一液晶板1〇〇中，複數 個安排於一矩陣形式的像素區114被形成在一陣列基底丨i 6 之側邊上，並且一 TFT112係形成於每個像素區114，一影 像的顯示區110係由複數個像素區114所構成。附帶地，雖 然詳細說明被省略，每個像素區114之TFT112的閘極電極 係連接至一閘極匯流排線，並且一没極電極係連接至一沒 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -.........-............裝...................ΤΓ..................線 (請先K讀背曲之注*事項冉墦趑本頁) -79· 571154 A7 ---------Β7_ 五、發明説明（77 ) 極匯流排線（資料線）。該TFT112的一源極電極係連接至形 成於該像素區114的一像素電極，該複數條汲極匯流排線與 問極匯流排線係連接至形成在該陣列基底n6之外周圍的 一端子部102並且被連接至提供在外部之驅動電路（未示）。 一形成為小於該陣列基底116之彩色濾光器（CF)基底 104藉由一該端子部ι〇2之區域的粗略大小密封液晶以具有 一預定晶胞厚度（晶胞間隙）並被提供相對於該陣列基底 116。與一共同電極一起（共同電極；未示）彩色濾波器（圖 式中以R(紅色）、G(綠色）及B(藍色）特性所指示）、利用Cr(鉻） 薄膜等之BM(黑矩陣；光保護薄膜）108及丨丨8、及類似者被形 成在該CF基底1〇4上❶該BM118係用於獲得一對比藉由定 義該顯示區110中的複數個像素區n4並用以防止光電漏電 流的產生藉由遮蔽該等TFT112。此外，該BM框部108係提 供以遮蔽來自該顯示區11〇外部之不必要光。該陣列基底 116與該CF基底1〇4被連結至彼此經由一由光固化樹脂所 製成的主要密封物（密封劑）1 〇6。 附帶地，一液晶顯示器的製造程序粗略包含一用以形 成一接線圖案、切換元件（於一主動矩陣型之情況）、及類 似者在一玻璃基底上之陣列程序、一用於一校準處理、一 間隔之安排、即在相對玻璃基底間之液晶密封之晶胞程 序、及一用以一驅動器1C之安裝、固定一背光、及類似者 的模組程序。在它們之中，於執行於該晶胞程序之該液晶 注入程序’例如，一浸泡注入法被利用其中在包含該等 TFT112之該陣列基底116與相對它之該彩色濾光器基底 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (詩先閲讀背面之注意事項冉填尨本頁)
•80- 571154 A7 B7 五、發明説明（78 ) 104經由該主要密封物1〇6被連結至彼此後，液晶與該等基 底被放入一真空容器中，並且一形成於該主要密封物之注 入埠（未示）被浸入該液晶中，並且然後，該容器之内部壓 力係回到大氣壓力以藉以密封在該等基底間之液晶。 另一方面，近年來，注意力已放至於一滴下注入法其 中例如，一指定量之液晶被滴至形成一框形圍繞該陣列基 底116之主要密封物1〇6之框中的一基底表面上，並且該陣 列基底116與該CF基底104於真空下被連結至彼此以密封 該液晶顯示器模組晶。根據該滴下注入法，因該液晶顯示 器之顯示板100能被容易地製造並在低成本下，不同技術研 究與改良已被完成。 於利用此一液晶校準固定技術之液晶顯示器中，有一 問題關於顯示不均勻於形呈於該主要密封物1〇6之該注入 埠附近在利用該滴下注入法之情況下。同樣地在一相似液 晶顯示器係利用該滴下注入法而製造的情況下，顯示不均 勻發生於該主要密封物106附近。 第77圖係一圖用以說明在一由光固化樹脂所製成之密 封劑被用於一液晶注入部，其被用於該傳統浸入注入法， 之情況下的問題。如第77圖所示，當一具有從一紫外線範 圍至一可見光範圍之波長範圍的光122被照射至一注入淳 120之密封劑126時，經由該密封劑126所傳送之光123進入 一液晶層24。分散於該液晶層24的光可聚合成分被經由該 密封劑126所傳送之光123光聚合並且一不均勻顯示區ι28 係產生在該注入淳120附近。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .......................裝..................訂..................線· (猗先閱讀背g之注意事項再填yi本頁) 571154 A7 __B7 _ 五、發明説明（79 ) 第78圖係一圖用以說明在一由用於該傳統滴下注入法 之光固化樹脂所製成之主要密封物被利用之情況下的問 題。即使一具有從一紫外線範圍至一可見光範圍之波長範 圍的光124係從一基底表面的正常方向傾斜，一部份光125 被一陣列基底116反射並進入一顯示區Π0以光聚合光可聚 合成分於該主要密封物106附近，並且一不均勻顯示區128 被產生。 如第77及78圖所示，照射至該密封劑126用以密封該注 入埠120或至該主要密封物1〇6之光進入該顯示區no,以至 於電壓應用前該光可聚合成分被光聚合。 即，雖然分三於該液晶層24之該光可聚合成分形成一 正父連結結構對應該液晶校準藉由光聚合，因於該注入蟑 120附近或於該主要密封物106附近之光可聚合成分於該垂 直方向形成一正交連結結構，即使一電壓被應用，該液晶 分子變成幾乎不傾斜。無任何問題若該密封劑丨26或該主要 密封物106能被光固化於該電壓被加至該液晶層24的狀態 下，然而，因一製造裝置與一製造程序變得複雜因一製造 裝置與一製造程序變得複雜質擴散區，所以它是實際不可 行的。 未了解決此問題，於此實施例中，利用以下所述該上 述問題被解決。 (1) 一樹脂，其能被於一除了該光可聚合成分之光聚 合波長範圍之範圍的光而光固化，被用於該密封劑126或該 主要密封物106。若該密封劑126或該主要密封物1〇6能被於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背由之注意事項再墦窩本頁)
-82- 571154 A7 B7 五、發明説明（8〇 除了該光可聚合成分被光聚合之波長範圍之該範圍的光而 處理’上述缺點不會發生。 曰本專利不審查公開案號Hei 11·2825揭露此一製造 方法係一密封劑被用光照射其中一運用一壞影響在液晶上 之特定波長被除去。然而，此實施例有一目的不光聚合分 散於該液晶之光可聚合成分在用以處理該密封劑126或該 主要密封物106之程序，並且係異於已知技術其中若運用一 壞衫響在液晶上之該特定波長係此一波長係分散於該液晶 之光可聚合成分不被光聚合，並且該密封劑丨26或該主要密 封物106被光固化，該特定波長之光同樣地被照射。 (2) —樹脂，其能被一具有於一除了該光可聚合成分 之光聚合波長範圍之範圍的強度峰之光而光固化，被用於 該密封劑126或該主要密封物106。甚至於該樹脂部分需要 在用於光聚合之光可聚合成分之光聚合範圍的光，若除此 之該光固化波長範圍是充分寬的，僅該密封劑126或該主要 密封物106能被處理利用具有於除了該光可聚合成分之光 聚合波長範圍之範圍的強度峰之光。即，即使該光可聚合 成分之光聚合波長範圍部份被包含於該照射光，若在該光 可聚合成分之光聚合波長範圍方面光的累積量被降低比起 對於聚合必要的光累積量，該光可聚合成分不被光聚合。 因此，藉由具有於除了該光可聚合成分之光聚合波長範圍 之範圍的強度峰之光僅處理該密封劑126或該主要密封物 106變成可能。 (3) 用於該密封劑126或該主要密封物106之光固化樹 1請先閲讀背面之注意事項舟琪寫本頁) •裝· ,ΤΓ· .線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -83- 571154 A7 _____ B7_ 五、發明説明（81 ) 脂係做成具有一光固化之波長範圍較長於至少該光可聚合 成分。該光固化波長範圍視一光始器之光吸收特性而定。 因此，若包含於該光固化樹脂之該光使器的吸收波長係在 一比至少包含於該光可聚合成分之光始器者較長波長之側 邊上’在比該光可聚合成分被光聚合之波長範圍較長波長 側邊之光被照射經由一濾光器用以阻礙（切斷）一短波長 側’並且僅該密封劑或該主要密封物能被處理。 為何該長波長側，非短波長側，被選擇的原因是因許 多光始器具有光吸收範圍在該短波長側，若該短波長側被 選擇時，在該光固化樹脂與該光可聚合成分間區別變得困 難’並且若該短波長側之光被照射時，在液晶上之壞影響 變高。 (4) 一幾乎不允許光通過之光保護結構部份被安排於 在該注入埠附近之區域及在該顯示區之外部。由此，即使 光被照射至該注入槔從平行該基底表面之方向，進入該顯 示區之光被該光保護結構部份所阻礙，以至於僅該密封劑 月匕被處理與照射之波長範圍或使用的樹脂無關。 (5) —光衰減結構部份用以衰減光至一準位不高於該 光了I合成分被光聚合之光量被安排於一在該注入槔附近 與該顯不區外部的一區域。即使幾乎不透光之該光保··護結 構部份不被使用，若該光衰減結構部份用被利用其衰減光 至值不兩於該光可聚合成分被光聚合之光量，即使該光 被照射至該注入埠從平行該基底表面之方向，進入該顯示 區之光被該光衰減結構部份所衰減至不高於該光可聚合成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐） (請先閱讀背g之注意事項再蜞趑本頁)
•84- 571154 A7 B7 五、發明說明（82 分被光聚合之光量之該值。因此，僅該密封劑能被處理與 照射之波長範圍或使用的樹脂無關。 .......................裝：… (熗先閲讀背由之注意事項再填趑本頁) (6)該上述光保護結構部份或該光衰減結構部份用被 做成一由每個具有一線或一幾乎圓形之板狀的複數個結構 部份所製成之聚集鱧，並且該等結構部份或被形成以至於 該顯示區之液晶合成物不被露出當於平行該基底表面方向 觀看時。若該結構部份係分別形成，其阻塞液晶的注入， 然而，藉由採用上述結構，當液晶的流動路徑被確認時， 相等於該結構部份係分別形成之情況下的效果能被期望 的。 訂- 藉由利用上述結構，於液晶顯示器其中該液晶校準被 固定藉由光聚合分散於該液晶之該光可聚合成分當該電壓 被應用時，並且高顯示品質能被獲得。 以下，利用例子與比較例將明確說明根據此實施例之 該液晶顯示器及其製造方法。 :線· [例 9-1] 一 0.3wt%展現一絲狀液晶特性之丙烯酸光可聚合成 分（由Merck Japan公司所製）被摻雜入一負液晶（由Merck Japan公司所製），以至於一包含該光可聚合成分之液晶化 合物被獲得。當此液晶化合物之光吸收光譜被測量時，其 被發現如第79圖所示，有一近200至380nm之波長範圍（由 第79圖之一雙邊箭頭αι所指之範圍）其中光聚合發生。附 帶地，雖然該液晶單體之光吸收光譜亦被測量，由液晶之 吸收係粗略300nm或更少，並且了解的是在300nm或更高之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -85- 571154 A7 _B7_ 五、發明説明（83 ) 吸收係由該光可聚合成分所引發。 然後，一包含由光或一包含一可見光範圍之寬波長範 圍之光所啟動之光始器的丙烯酸樹脂（由Toua Gosei公司 所製）被選擇作為一樹脂具有一光固化波長範圍在長於至 少380nm之波長側邊，並被用於該密封劑丨26。當此樹脂之 吸收光譜被測量時，如第80圖所示，一存在於一近200至 600nm範圍之波長範圍（由第80圖之一雙邊箭頭α2所指之 範圍）’並且380nm或更長的波長範圍視充分寬的，被發現 的是由380nm或更長的光能做成光固化。 該液晶合成物被注入至一 Μ V A模式之空板，並且壓力 擠壓被執行以使該晶胞厚度一致。接著，該密封劑126被塗 佈在該注入埠，並在該擠壓被除去後，380nm至600nm波長 範圍之光從平行該基底的方向被照射並且該密封劑126被 處理。附帶地，該波長範圍的選擇被執行用一金屬函化物 光源與一濾光器（由Asahi Bunko公司所製）用以切斷380nm 或更少之波長。 在該板被形成後，當一不低於該液晶之傾斜定向被固 定之飽和電壓的電壓被應用時，紫外線從一基底之正常方 向被照射至該光可聚合成分，並且一相對該液晶校準之正 交連結結構被形成。所得到的液晶顯示器被置於一探針測 試器，並且一顯示測試被執行。 [例 9-2] 一包含光可聚合成分之液晶合成物藉由一相似該例 9-1之方法被獲得。如同一包含一光固化波長範圍在至少比 (分先閲讀背由之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -86· 571154 A7 ___Β7_ 五、發明説明（84 ) 380nm較長的波長之側邊，一相似於例9-1被用於一主要密 封物。 一由一密封劑所封閉之框圖案（主要密封物106)被形 成在一基底上其上一用於MVA之校準調整結構部份被形 成，一必要量之液晶藉由一滴下注入法被滴下，並且結構 的連結在一降低壓力下被執行。隨後，該等基底被暴露至 大氣壓力並且該液晶合成物被擴散於該主要密封物1〇6 中’以至於一預定晶胞間隙被獲得。然後，380至600nm之 波長範圍的光經由一彩色濾光器基底於一基底表面得正常 方向被照射以處理該主要密封物106。附帶地，該波長範圍, 的選擇被執行用一金屬齒化物光源與一渡光器（由Asahi Bunko公司所製）用以切斷380nm或更少之波長。 在該板被形成後，當一電壓不低於該液晶之傾斜定向 被固定之飽和電壓被應用時，紫外線於一基底表面之正常 方向被照射至該光可聚合成分，並且一相對該液晶校準之 正交連結結構被形成。所得到的液晶顯示器被置於一探針 測試器並且一顯示測試被完成。 [例 9-3] 一包含光可聚合成分之液晶合成物藉由一相似該例 9-1之方法被獲得。一包含一由包含一部份可見光範圍之波 長範圍的光始器之丙烯酸樹脂（由Three Bond公司所製）被 選擇作為一具有光聚合之波長範圍的樹脂在比至少380nm 較長波長之側邊上，並且被用於一密封劑。當此樹脂之吸 收光譜被測量時，如第81圖由一曲線/5 1所示，一光聚合的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -......................裝................ΤΓ..................線 (請先閲讀背面之注意事項再填尨本頁) -87· 571154 A7 _B7_ 五、發明説明（85 ) f諸先閲汸背曲之注意事項冉填埒本頁) 波長範圍（由第81圖之一雙邊箭頭α4所指之範圍）存在近 200至450nm，被發現的是一部份不長於380nm之波長範圍 的光係同樣地必要。附帶地，如由一曲線沒2所指示，一普 通光固化樹脂具有從近200至3 80nm之光聚合的波長範 圍，並且包含一由一紫外線區之唯一光所啟動之光始器。 該液晶合成物被注入至一 Μ V A模式之空板，並且壓力 擠壓被執行以使該晶胞厚度一致。接著，一密封劑被塗佈 在一注入埠上，並在該擠壓被除去後，350nm至600nm波長 範圍（由第81圖之一雙邊箭頭所指之範圍）之光從平行 該基底的方向被照射並且該密封劑126被處理。因分散於該 液晶之光可聚合成分被聚合當於i線（3 30至3 80nm)附近之 光的累積量變成1000 mJ/cm2或更高時，該照射光的量被設 定以致於350至3 80nm波長範圍的光累積量變成此值或更 少。該波長範圍的選擇被執行用一高壓水銀光源與一濾光 器（由Asahi Bunko公司所製）用以切斷350nm或更少之波 長。一強度具有一峰值之波長晶由此濾光器從365 nm變成 43 6nm，並且於i線附近之光的累積量被衰減至近1/3。雖然 該光固化樹脂被光固化之光量為2000 mJ/cm2於350nm至 600nm波長範圍之光的累積量，因於i線附近之光的累積量 因該濾光器變成1000 mJ/cm2或更少，所以已發現的是僅該 密封劑能被處理。 在該板被形成後，當一不抵於該液晶之傾斜定向被固 定之飽和電壓之電壓被應用時，紫外線從一基底之正常方 向被照射至該光可聚合成分，並且一正交連結結構被形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -88· 571154 A7 五、發明說明（86 ) 成。所得到的液晶顯示器被置於一探針測試器並且一顯示 測試被執行。 [例 9-4] 一包含光可聚合成分之液晶合成物藉由一相似該例 9·1之方法被獲得。如同一密封劑，該上述一般光固化樹脂 (由Three Bond公司所製）被利用其中用於處理必要之光累 積量有關i線為2000mJ。在密封液晶之前於一 MVA-LCD之 空板中，如第82A及82B圖所示（第82A囷顯示於一基底表面 之正常方向所觀看的狀態，及第82B囷顯示於該基底表面 之方向所觀看的狀態），一幾乎不透光之光保護結構部分 130被形成於一注入埠的附近與一顯示區外部的一區域。該 光保護結構部分13 0被做成一由每個具有一大致圓形形狀 之板狀的複數結構部份所構成的聚集，並且它們或被安排 以致一顯示區110之液晶合成物未露出當於平行於該基底 表面之方向被觀看。藉由採用一被一密封物分配者摻雜有 一黑間隔（Sekisui Fine Chemical公司）之密封劑（由 Kyoritsu Chemical公司所製）該等結構部份被形成。 該液晶合成物被注入至此空板，並且壓力擠壓被執行 以使該晶胞間隙一致。其後，該密封劑被塗佈在該注入埠， 並在該播壓被除去後，200nm至600nm波長範圍之光從平行 該基底的方向被照射以固化該密封劑。於此例9-4中，來自 一高壓水銀光源之光被照射如習用般。 在該板被形成後，當不低於該液晶之傾斜定向被固定 之飽和電壓的電壓被應用時，紫外線於一基底之正常方向 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (詁先閲讀背面之注意事項再填u•本頁) .裝丨 -、叮丨 .線 -89- 571154
被照射至該光可聚合成分，並且一相對該液晶校準之正交 連結結構被形成。所得到的液晶顯示器被置於一探針測試 器，並且一顯示測試被執行。 [例 9-5]
I 包含光可聚合成分之液晶合成物藉由一相似該例 9-1之方法被獲得。該上述一般光固化樹脂被利用作為一密 封劑。於一 MVA-LCD之空板中，如第83圖所示，一用以衰 減光至一不高於在該光可聚合成分被光聚合之光量的準未 之光衰減結構部份132被形成於一注入埠12〇的附近與一顯 不區外部的一區域。該光衰減結構部份丨32被做成一由每個 具有一板狀線的複數結構部份所構成的聚集，並且它們或 被安排以至於一顯示區110之液晶合成物未露出當於平行 於該基底表面之方向被觀看時。該光衰減結構部份丨32被形 成藉由連結一主要密封物及一摻雜有一光纖間隔（由 Nippon Electric Glass公司所製/被混合作為一主要密封物 之間隙劑的間隔）被一密封物分配。因該結構部份之寬度約 為1mm，厚度lmm之上述密封劑被塗佈在玻璃上，2〇0至 600nm波長範圍之光被照射，並且丨線附近之光的累積量之 衰減準位被測量。因此，i線附近之光的累積量藉由該上述 密封劑被衰減至1/3，已被發現的是即使2〇〇至600nm波長 範圍之光被照射，僅該密封劑能被固化若經由該密封劑照 射被執行。 該液晶合成物被注入至此空板，並且壓力擠壓被執行 以使該晶胞厚度一致。其後，該密封劑（未示）被塗佈在該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -90- 571154 A7 B7 五、發明説明（88 注入埠120，並在該擠壓被除去後，200nm至600nm波長範 圍之光從平行該基底的方向被照射以固化該密封劑。於該 例4中’來自一高壓水銀光源之光被照射如習用般。 在該板被形成後，當一不低於該液晶之傾斜定向被固 定之飽和電壓的電壓被應用時，紫外線從一基底之正常方 向被照射至該成分，並且一相對該液晶校準之正交連結結 構被形成。所得到的液晶顯示器被置於一探針測試器，並 且一顯示測試被執行。 [傳統例9-1] 一包含光可聚合成分之液晶合成物藉由一相似該例 9-1之方法被獲得。該上述一般光固化樹脂被利用作為一密 封劑。於一MVA-LCD之空板中，任何東西未形成於一注入 蟑的附近。該液晶合成物被注入至此空板中，並且壓力擠 壓被執行以使該晶胞厚度一致。其後，該密封劑被塗佈在 該注入埠120，並在該擠壓被除去後，2〇〇11111至60〇11111波長 範圍之光從平行該基底的方向被照射以固化該密封劑。於 此傳統例9-1中，來自一高壓水銀光源之光被照射如習用 在該板被形成後，當一不低於該液晶之傾斜定向被固 定之飽和電壓的電壓被應用時，紫外線從一基底之正常方 向被照射至該成分，並且一相對該液晶校準之正交連結結 構被形成。所得到的液晶顯示器被置於一探針測試器，並 且一顯示測試被執行。 [傳統例9-2] 本紙張尺度適用中國國家標準（挪）A4規格（210X297公釐） .......................裝................ΤΓ..................線 (熗先閲讀背面之注¾事項再填窩本頁) -91- 571154 A7 ____B7_五、發明説明（89 ) 一包含光可聚合成分之液晶合成物藉由一相似該例 9-1之方法被獲得。一包含一僅由一紫外線區之光所啟動的 光始器之環氧樹脂（由Kyoritsu Chemical公司所製）被利用 用於一主要密封物。 一由該主要密封物所密封之框圖案被形成在一基底上 其中一用於該MVA之校準控制部份被形成，一必要量之液 晶被滴下’並且在一降低的壓力下連結基底被執行。其後， 一間隙被開口至大氣而確認，並且該液晶合成物被擴散於 該框圖案中。然後，200nm至600nm波長範圍之光經由依 CF基底從垂直該基底的方向被照射並且該主要密封物被 固化。於此傳統例9-2中，來自一高壓水銀光源之光被照射 如習用般。 在該板被形成後，當一不低於該液晶之傾斜定向被固 定之飽和電壓的電壓被應用時，紫外線從一基底之正常方 向被照射至該成分，並且一相對該液晶校準之正交連結結 構被形成。所得到的液晶顯示器被置於一探針測試器，並 且一顯示測試被執行。 [顯示測試結果] 於該例9-1至9·5之該液晶顯示器中，不均勻顯示未發 生在一半導體裝置色調顯示，而於該傳統例9-1及9-2中， 不均勻顯示未發生在該注入埠或該主要密封物的附近中。 如以上所述，根據此實施例，於採用該校準固定系統 之液晶顯示器中其中包含該光可聚合成分的液晶合成物被 夾在該等基底間，並且當一電壓被加至該液晶合成物時該 (請先閱讀背g之注意事項冉填窩本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -92- 571154 A7 五、發明説明（9〇 ) 光可聚合成分被光聚合，當顯示品質被改善時其能在一高 良率下被製造。 如以上所述’根據本發明，藉由利用該聚合物固定法 該液晶之校準定向被調整，並且一寬視角被獲得，並且進 一步，在一半色調之反應時間能被縮短，以至於良好的顯 示品質能被得到。 # ---------------------:裝..................訂..................線. (請先閲讀背面之注意事項再墦寫本頁} 元件標號對照表 lb…水平/垂直中心線 26…共同電極 2 · _.像素 28…彩色濾光器層 3···像素電極 30…玻璃基底 (··閘極匯流排線 32…垂直校準薄膜 6.··汲極匯流排線 34…校準薄膜 8，8…線條狀電極 4〇…像素電極 10…間隔 42,44···直線凸出物 l〇a…區域 46…像素電極 12，14···連接電極 5 0，5 2 · · ·記號 16···η-通道 TFT 54,56···絕緣層 18…儲存電容匯流排線 60一沒極電極 20…玻璃基底 62·.·源極電極 22,23···絕緣薄膜 64…連接電極 24…液晶層 66,68···線條凸出物 24a，24b···液晶分子 70…電場保護電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2K)X297公釐） •93 571154 A7 B7 五、發明説明（91 ) 74.. .區域 76.. .間隙 76a...區域 78.. .邊界結構部份 80…安排區 82…珠狀間隔 84.. .柱狀間隔 84’…圓柱狀間隔 86.. .母玻璃 88.. .陣列基底 89.. .相對基底 100.. .液晶板 102.. .端子部 104…彩色濾光器基底 108…黑矩陣 110.. .顯示區 112 …TFT 114.. .像素區 116.. .陣列基底 118…黑矩陣 120···注入埠 122，123，124，125...光 126…密封劑 12 8…顯不區 130.. .光保護結構部份 132…光衰減結構部份 WG...水平方向間隙寬度 HG...垂直方向間隙寬度 (熗先閲讀背面之注*事項冉墦寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -94-

Claims (1)

  1. 571154 ζΐ— 六、申請專利範圍 範圍修正爷___________________________ 修正曰抱早9；?朱]9$ 一 Μ 顯示器的法…包含半 第091107121號專利申請案申請專利 1.一種製造一具有η-通道TFT之液晶 述步驟： 密封一包含一可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱 被聚合在基底間；及 聚合該可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時， 以調整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 向， 其中泫電壓在以下所提接著一電壓應用條件丨之電 壓應用條件2下被加至該液晶層，並且該可聚纟成分在該 電壓應用條件2之一級下被聚合； 該電壓應用條件i : Vg > Vd (dc) = Vc，及 該電壓應用條件2 : Vc > Vd (dc)， 其中， Vg :加至一閘極匯流排線之電壓， Vc ··加至一共同電極之電壓，及 Vd (dc):加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）。 2·—種製造一具有η-通道TFT之液晶顯示器的方法，包含下 述步驟： 密封一包含一可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱 被聚合在基底間；及 聚合該可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時， 以調整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 95 571154 t、申請專利範圍 向， 其中該電壓在以下所提接著一電壓應用條件1之電 壓應用條件2下被加至該液晶層，並且進一步該電壓在一 電壓應用條件3下被加至該液晶層，並且該可聚合成分在 該電壓應用條件3之一級下被聚合； 該電壓應用條件 l:Vg > Vd(dc) = Vc，Vd(ac) = 0, θ亥電壓應用條件2 : Vc > Vd (dc)，及泫電壓應用條件3 :當使得Vc接近Vd(dc)時，使得Vd (ac)逐漸高於〇，其中， Vg :加至一閘極匯流排線之電壓， Vc:加至一共同電極之電壓， Vd (dc):加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）， 及 Vd (ac):加至一汲極匯流排線之電壓（交流成分）。 3· —種製造一具有n-通道tft之液晶顯示器的方法，包含下 述步驟： 密封一包含一可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱 被聚合在基底間；及 聚合该可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時， 以調整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 向， 其中該電壓在以下所提接著一電壓應用條件1之電 壓應用條件2下被加至該液晶層，並且進一步該電壓在一 96 571154 六、申請專利範圍 電壓應用條件3下被加至該液晶層，並且該可聚合成分在 該電壓應用條件3之一級下被聚合； 該電壓應用條件1 ·· Vg > Vd (dc) = Vc， 該電壓應用條件2 : Vc > Vd (dc)，及 該電壓應用條件3 : Vg係減少並使得接近Vd(dc)， 其中， Vg ··加至一閘極匯流排線之電壓， Vc :加至一共同電極之電壓， Vd (dc) ·加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）。 4·一種製造一具有n-通道TFT之液晶顯示器的方法，包含下 述步驟： 密封一包含一可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱 被聚合在基底間；及 聚合該可聚合成分，當—電壓被加至該液晶層時， 以調整-液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動下之傾斜 方向， 其中該電壓在以下所提接著—電壓應用條件1之電 壓應用條件2下被加至該液晶層，並且接著該電壓在一電 壓應用條件3下被加至該液晶層，並且進_步該電^_ 電壓應用條件4下被加至該液晶層，並且該可聚合成μ 該電壓應用條件4之一級下被聚合； 該電壓應用條件 1:Vg > Vd(de)=：Ve，Vd(ach〇, 該電壓應用條件2:Vc > vd(dc)， 該電壓應用條件3 ··當使得Vc接近Vd(dc)時，使得Vd 571154 f、申請專利範圍 (ac)逐漸高於Ο，及 該電壓應用條件4 : Vg係減少並使得接近Vd(dc) 其中， Vg :加至一閘極匯流排線之電壓， Vc :加至一共同電極之電壓， Vd (dc):加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）， 及 Vd (ac):加至一汲極匯流排線之電壓（交流成分）。 5·如申請專利範圍第3項之方法，其中當加至該閘極匯流排 線之電壓Vg係減少並使接近加至該汲極匯流排線之電壓 (直流成分）Vd(dc)時，使得所加之電壓vg等於所加之電 壓）Vd(dc) 〇 6.如申請專利範圍第1項之方法，其中每次Vc> Vd(dc)之電 壓應用下，便使得Vc—Vd(dc)之值高於一預期電壓，並 且然後該電壓被降低至該預期電壓。 7·如申凊專利範圍第丨項之方法，其中加至該閘極匯流排線 之電壓是一直流電壓。 8.—種液晶顯示器，包含 兩個基底，係安排彼此相對； 一液晶層，密封在該等基底間並且包含一聚合物用 以调整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 向； 電極係77別文排在該兩基底上，用以將一電壓加 至該液晶層；及 六、申請專利範圍 複數個線條狀的電極圖案，其係設在至少—個該等 =極上其係週期性地安排以至於當一電壓被加至該液 曰曰層之時-摻雜於該液晶層之可聚合成分被聚合時，該 液晶分子被校準於—圖案的縱向、並且其中該線條狀的 電極寬度係以較寬於一間隔之寬度而形成。 9·一種液晶顯示器，包含 兩個基底，係安排彼此相對； 一液晶層，密封在該等基底間並且包含一聚合物用 以调整-液晶分子之預傾斜角及/或每次驅狀傾斜方 向； 電極，係分別安排在該兩基底上，用以將一電壓加 至該液晶層；及 複數個線狀凸出物，其係設在至少一個該等電極 上：其係週期性地安排以至於當一電壓被加至該液晶層 之呀一摻雜於該液晶層之可聚合成分被聚合時，該液晶 分子被校準於一圖案的縱向、並且其每一個係形成具有 一窄於該電極露出部份寬度的寬度。 10.一種液晶顯示器，包含： 兩個基底，係安排彼此相對； 一液晶層，密封在該等基底間並且包含一聚合物用 以调整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 向； 電極，係分別女排在該兩基底上，用以將一電壓加 至該液晶層；及 571154
    複數個導電線狀凸出物，其係設在至少一個該等電 極上、並且其係週期性地安排以至於當一電壓被加至該 液晶層之時一摻雜於該液晶層之可聚合成分被聚合 日守’该液晶分子被校準於一圖案的縱向。 11 _如申請專利範圍第8項之液晶顯示器，更包含一校準調 整結構用以調整在一用以供應一電壓至該電極的匯流 排線上之該液晶分子的校準定向。 12·如申請專利範圍第11項之液晶顯示器，其中於該校準調 整結構中，該匯流排線之寬度部份或接連地被改變。 3 ·如申明專利範圍第11項之液晶顯示器，其中於該校準調 整結構中，該電極之外周圍經由一絕緣層延伸到該匯流 排線之__L。 14.一種液晶顯示器，包含： 兩個基底，係安排彼此相對； 一液晶層，密封在該等基底間並且包含一聚合物用 以調整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 向； 電極’係分別安排在該兩基底上，用以將一電壓加 至該液晶層； 一汲極匯流排線及一閘極匯流排線，係設在任一個 該等電極上；及 袓數個線條狀的電極圖案，其係設在至少一個該等 電極上、其係週期性地安排以至於當一電壓被加至該液 晶層之時一摻雜於該液晶層之可聚合成分被聚合時，該 100 、申請專利範圍 成到一線 之間隔圖 液晶分子被校準於一圖案的縱向、並且其被形 及與該汲極匯流排線或該閘極匯流排線平行 案内。 15·如申請專利範圍第14項之液 極垂直地設至該等線條狀的 電性連接遠等線條狀的電極 晶顯示器，更包含-連接電 電極圖案之該圖案縱向、並 圖案。 一 顯示器’其中該連接電極 顯示器，其中該連接電極 16·如申請專利範圍第15項之液晶 係女排在一像素的中心。 17 ·如申凊專利範圍第15項之液晶 係設在一像素之端部。 18·如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，更包含—形成在 該基底上的校準薄膜，其已取決於一校準處理。v 19.如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，其中—線狀凸出 物係設在-相對該連接電極的位置之該相對基底的一 側上。 20·如申凊專利範圍第16項之液晶顯示器，其中一線狀凸出 物係設在該閘極匯流排線上。 21·如申請專利範圍第17項之液晶顯示器，其中一線狀凸出 物係設在該等線條狀的電極圖案上的一像素之中心部。 22·如申請專利範圍第14項之液晶顯示器，其中一在相鄰該 及極匯流排線的該線條狀電極圖案與該汲極匯流排線 間的間隙係幾乎或小於該線與間隔圖案的-間隔寬度。 23.=令請專利範圍第14項之液晶顯示器，更包含—電場保 4電極及用以取消一產生於在相鄰該汲極匯流排線的 六、申請專利範圍 5玄線條狀電極圖案與該汲極匯流排線間的一間隙中之 水平電場。 h 2 4 ·如申凊專利範圍第i 4項之液晶顯示器，其令—於該沒極 匯流排線附近的校準薄膜受到一校準處理以至於一校 準疋向係相對於該汲極匯流排線之延伸方向以近45。 傾斜。 2 5 _如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，其中該線條狀電 極圖案係形成與該閘極匯流排線平行，並且該連接電極 被提供以致一連接電極係為了 一像素區之上半而提 供、一連接電極係為了一下半而提供、並且該等連接電 極係彼此相對。 26·如申請專利範圍第25項之液晶顯示器，更包含一提供在 該連接電極與在該相對基底上相鄰該連接電極的該汲 極匯流排線間之線狀凸出物。 27·如申#專利範圍第14項之液晶顯示器，其中相鄰該汲極 匯流排線之該線條狀電極圖案的圖案寬度係小於其他 線條狀電極圖案的圖案寬度。 28·如申明專利範圍第27項之液晶顯示器，其中相鄰該汲極 匯流排線之該線條狀電極圖案的圖案寬度係從〇 5μπι至 5jum。 29· —種液晶顯示器，包含： 兩個基底，係安排彼此相對； 一液晶層，密封在該等基底間並且包含一聚合物用 以調整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 申Μ專利範圍 向； 電極’係分別安排在該兩基底上，用以將一電壓加 至該液晶層；及 方向結構部份，係具有定向性作為在一基底平面 之^向上的一單體或一集合體或是一形成於一表面改 良區的方向結構，其係提供在至少一個該等電極上，並 且其係二維地安排於至少該基底的一部份區域且在一 同的方向上，以至於當一電壓被加至該液晶層之時一 摻雜於該液晶層之可聚合成分被聚合時，該液晶分子被 才父準於一預定校準方向。 30::請專利範圍第29項之液晶顯示器，其中該方向結構 4伤或忒方向結構係安排於一像素内複數區域的每一 個，並且被安棑以指出於每個該等區域的不同方向。 31·如申請專利範圍第29項之液晶顯示器，其中由該方向結 構部份或該表面改良區域之該方向結構部份所製成的 邊界結構部份係提供在該像素内各個區域的每個邊 界。 32·一種液晶顯示器，包含·· 兩個基底，係安排彼此相對； -液晶層，密封在該等基底間並且包含_聚合物用 ^調整-液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 一間隔，係安排在一像素區的外部，用以保持在該 等基底間的一間隙。 六、申請專利範圍 33·—種液晶顯示器，包含： 兩個基底，係安排彼此相對； 一液晶層，密封在該等基底間並且包含一聚合物用 以調整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 向； 電極，係分別安排在該兩基底上，用以將一電壓加 至該液晶層；及 如柱之間隔，其係提供在至少一個電極上，並且其 每一個係形成在每個像素中的相同位置，以至於當一電 壓被加至該液晶層之時一摻雜於該液晶層之可聚合成 分被聚合分子於每個校準方向之校準比在所 有像素中係完全相同。 Τ堉寻利範圍第33項 〜/队日日綱不态 間隔具有一相等於一晶胞間隙的厚度。 35. 如申請專·圍第33項之液晶顯示器，其中每個該如 間隔係形成在每個像素的一中心線上。 36. 如申請專利範圍第33項之液晶顯示器，其中一用以保 -晶胞間隙的如柱間隔係形成在該像素的外部。 申請專利範圍第33至％項中任—項之液晶顯示器， 中圓形極化板係貼附在該兩個基底之兩側。 38’-㈣造-液晶顯示器的方法，包含下述步驟： :封一包含一可聚合成分之液晶層，其藉由光或 被水ΰ在基底間；及 聚合該可聚合成分 不用加一電壓至該液晶層，以 N申請專利範圍 周’一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 向。 39 — • 種製造一液晶顯示器的方法，包含下述步驟： 始、封一包含一可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱 被聚合在基底間；及 聚合該可聚合成分，在此自每次無任何電壓應用不 改變預傾斜之如此程度的一電壓被加至該液晶層之 時，以調整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾 斜方向。 40·如申請專利範圍第“項之方法，其中利用一光校準處 理’一校準薄膜被形成在該基底上。 41·如申請專利範圍第38項之方法，其中一校準調整結構部 h係形成在該基底上。 42. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該可聚合成分是一 介晶或非液晶原的單體。 43. 如申請專利範圍第42項之方法，其中該介晶或非液晶原 之單體是雙機能丙烯酸鹽或雙機能丙烯酸鹽與單機能 丙稀酸鹽之混合物。 44·/種製造一液晶顯示器的方法，包含下述步驟： 密封-包含-可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱 被聚合在基底間，·及 ' 聚合該可聚合成分，在此自每次無任何電壓應用不 改變預傾斜之如此程度的一電壓被加至該^晶^層之 時，以調整-液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾 六、申請專利範圍 斜方向，其中 一太陽電池係形成在該基底上；及 一藉由光線照射該太陽電池所得到的輸出電壓，當 α玄可♦合成分被聚合時，係被用於至該液晶層之電壓應 用。 45. 如申請專利範圍第44項之方法，其中該太陽電池係形成 在該基底的外周邊部份，並且當該顯示係被完成時，該 太陽電池自該基底被切開。 46. 如申明專利範圍第44項之方法，其中該太陽電池係形成 在陣列基底上同時有一像素部份之主動元件或一週 邊電路部份的形成。 47. 如申請專利範圍第44項之方法，其中該太陽電池係形成 在顯不區域的週邊部份、係遮蔽有一光線保護材質、 並當该顯示器完成時保留於該基底中。 48·如申請專利範圍第44項之方法，其中複數種具有不同輸 出電壓的太陽電池根據使用被形成。 49.如申請專利範圍第48項之方法，其中當該可聚合成分被 水。％，複數種太陽電池被形成為了能單獨將預定電壓 加至用於R(紅色）、G(綠色）&Β(藍色）的像素。 5。·如申請專利範圍第44項之方法，其中當該可聚合成分被 聚合時，該太陽電池係被照射至該液晶層之光線所驅 動。 儿如申請專利範圍第44項之方法，其中當該可聚合成分被 聚合時’該太陽電池係由具有異於照射至該液晶層之光 571154 六、申請專利範圍 線的波長之光線所驅動。 52·如申請專利範圍第44項之方法，其中： 該液晶層的一液晶藉由一滴下注入法被滴到至少 一個基底上；及 當該等基底係彼此結合時，該太陽電池被照射至一 主要密封物之光線所驅動。
    53·—種製造一液晶顯示器的方法，包含下述步驟： 密封一包含一具有負介電非等向性且在每次無電 壓應用下大致垂直被校準的液晶與一可聚合成分之液 晶層’其藉由光或熱被聚合在基底間；及 當一電壓被加至該液晶層之時該可聚合成分被聚 合時，加一汲極電壓Vd(on)至一汲極匯流排線當一用以 導通一提供給每個像素的TFT之閘極電壓Vg(〇n)被加至 一閘極匯流排線時；及 加一高於該汲極電壓Vd(〇n)之汲極電壓Vd(〇ff)至
    一汲極匯流排線當一用以關閉該TFT之閘極電壓V以〇ff) 被加至一閘極匯流排線時， 藉此一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜 方向被調整。 54.如申凊專利範圍第53項之方法，其中該閘極電壓％(⑽） 同時被加至所有閘極匯流排線。 55·如申請專利範圍第54項之方法，其中該閘極電壓 Vg(on)、忒汲極電壓vd(on)與該汲極電壓Vd(〇ff)的脈衝 見度係分別短於寫入至該像素的寫入電壓Vp的脈衝寬
    、申請專利範圍 度。 )6·如申請專利範圍第 示貝之方法，其中一提供在該基底上 的校準薄膜藉由傾斜地昭射 一 “、、射糸外線至一薄膜表面受到 一傾斜垂直校準處理。 57·如申請專利範圍第53項 貝之方法，其中一提供在該基底上 的校準薄膜藉由摩擦香 _ ^ 取’手h又到一傾斜垂直校準處理。 5 8 · —種液晶顯示器，包含： 兩個基底，係安排彼此相對； 、，、夜曰曰層^經由一液晶注入璋注入在該等基底間 匕3 ♦合物用以調整-液晶分子之預傾斜角及/ 或母次驅動之傾斜方向； "封^ ’包含一樹脂其藉由-光線除了當該聚合 物係藉由摻雜於該液晶層之光可聚合成分之光聚合化 而形成所用的—波長範n線被光固化、並密封該液 晶注入淳。 59·—種液晶顯示器，包含·· 兩個基底，係安排彼此相對； 、' 、之曰曰層、、經由-液晶注入埠注入在該等基底間 3水合物用以調整一液晶分子之預傾斜角及/ 或母次驅動之傾斜方向； 取人主要岔封物，包含一樹脂其藉由一光線除了當該 2 口物係稭由摻雜於該液晶層之光可聚合成分之光聚 °化而形成所用的-波長範圍之光線被光固化、並密封 該液晶注入埠。 、申請專利範圍 60.—種液晶顯示器，包含： 兩個基底，係安排彼此相對； 一液晶層，係經由一液晶注入埠注入在該等基底間 亚且包含-聚合物用以調整一液晶分子之預傾斜角及/ 或每次驅動之傾斜方向； 一密封齊卜包含一樹脂其藉由一於一波長範圍中具 有-強度高峰之光線除了當該聚合物係藉由摻雜於該 液晶層之光可聚合成分之光聚合化而形成所用的光線 之一波長範圍被光固化、並密封該液晶注入埠。 61 · —種液晶顯示器，包含： 兩個基底，係安排彼此相對； 一液晶層，係經由一液晶注入埠注入在該等基底間 並且包含一聚合物用以調整一液晶分子之預傾斜角及/ 或每次驅動之傾斜方向； 一主要密封物，包含一樹脂其藉由一於一波長範圍 中具有一強度高峰之光線除了當該聚合物係藉由摻雜 於該液晶層之光可聚合成分之光聚合化而形成所用的 光線之一波長範圍被光固化、並密封該液晶注入埠。 62. 如申請專利範圍第58項之液晶顯示器，其中該樹脂具有 一波長範圍或一強度高峰於一光固化之波長範圍在比 該光可聚合成分較長波長的一側上。 63. —種液晶顯示器，包含： 兩個基底，係安排彼此相對； 一液晶層，係經由一液晶注入埠注入在該等基底 571154
    六、申請專利範圍 並且包含一聚合物用以調整一液晶分子之預傾斜角及/ 或每次驅動之傾斜方向； 一光保護結構部份，其係提供於該注入璋的附近與 一顯示區域的外部，並且對光線幾乎是不透光的。 64. —種液晶顯示器，包含·· 兩個基底，係安排彼此相對；
    一液晶層’係經由一液晶注入埠注入在該等基底間 亚且包含一聚合物用以調整一液晶分子之預傾斜角及/ 或每次驅動之傾斜方向； 一光衰減結構部份’其係提供於該注入埠的附近與 一顯示區域的外部，並且衰減一光線至一不高於每次形 成該聚合物所需之光量的準位。 65. 如申請專利範圍第63項之液晶顯示器，其中複數個結構 部份被安排在預定間隔以至於當從該注入埠於一基底 表面之方向觀察時該液晶層不被露出。
    66· —種製造一具有p-通道TFT之液晶顯示器的方法，包含 下述步驟： 密封一包含一可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱 被聚合在基底間；及 聚合該可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時， 以調整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 向， 其中該電壓在以下所提接著一電壓應用條件丨之電 壓應用條件2下被加至该液晶層，並且該可聚合成八在 110 571154
    六、申請專利範圍 該電壓應用條件2之一級下被聚合； 該電壓應用條件1 ·· Vg < Vd (dc) = Vc，及 該電壓應用條件2:Vc < Vd(dc)， 其中， Vg :加至一閘極匯流排線之電壓， Vc:加至一共同電極之電壓，及 Vd (dc):加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）。 67·—種製造一具有卜通道TFT之液晶顯示器的方法，包含 下述步驟： 密封一包含一可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱 被聚合在基底間；及 聚合該可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時， 以調整一液晶分子之預傾斜角及/或每此驅動之傾斜方 向， 其中該電壓在以下所提接著一電壓應用條件丨之電 壓應用條件2下被加至該液晶層，並且進一步該電壓在 一電壓應用條件3下被加至該液晶層，並且該可聚合成 分在该電壓應用條件3之一級下被聚合； 該電壓應用條件l:Vg < Ο， 該電壓應用條件2 : Vc < Vd(dc)，及 该電壓應用條件3 :當使得vc接近Vd(dc)時，使得 Vd (ac)逐漸高於〇， 其中，
    Vg :加至一閘極匯流排線之電壓， Vc :加至一共同電極之電壓， Vd (dc):加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）， 及 Vd (ac):加至一汲極匯流排線之電壓（交流成分）。 種製造一具有p-通道TFT之液晶顯示器的方法，包含 下述步驟： 密封一包含一可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱 被聚合在基底間；及 聚合該可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時， 以凋整一液晶分子之預傾斜角及/或每次驅動之傾斜方 向， 其中該電壓在以下所提接著一電壓應用條件1之電 壓應用條件2下被加至該液晶層，並且進一步該電壓在 一電壓應用條件3下被加至該液晶層，並且該可聚合成 分在該電壓應用條件3之一級下被聚合； 該電壓應用條件1 : Vg < Vd (dc) = Vc， 該電壓應用條件2 : Vc < Vd (dc),及 遠電壓應用條件3 : Vg係增加並使得接近vd(dc)， 其中， Vg ·加至一閘極匯流排線之電壓， Vc :加至一共同電極之電壓， Vd (dc) ·力口至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）。 69.—種製造一具有卜通道”丁之液晶顯示器的方法，包含 112 六、申請專利範圍 下述步驟： 、&封-包含-可聚合成分之液晶層，其藉由光或熱 被聚合在基底間；及 、水σ δ亥可聚合成分，當一電壓被加至該液晶層時， 、周正液日日刀子之預傾斜角及/或每次驅動下之傾斜 方向， /、中4電壓在以下所接著一電壓應用條件1之電壓 應用條件2下被加至該液晶層’並且接著該電壓在-電 壓應用條件3下被加至該液晶層，並且進一步該電壓在 -電壓應用條件4下被加至該液晶層，並且該可聚合成 刀在该電壓應用條件4之一級下被聚合； 該電壓應用條件1:々< Vd(dc) = Vc，vd(ac) = 0， 该電壓應用條件2 : Vc < Vd (dc), 该電壓應用條件3 :當使得Vc接近Vd(dc)時，使得 Vd (ac)逐漸高於〇，及 孩電壓應用條件4 : Vg係增加並使得接近Vd(dc) 其中， Vg ·加至一閘極匯流排線之電壓， Vc :加至一共同電極之電壓， Vd (dc):加至一汲極匯流排線之電壓（直流成分）， 及 Vd (ac) ·加至_汲極匯流排線之電壓（交流成分）。 70.如申請專利範圍第68項之方法，其中當加至該閘極匯流 571154
    '申請專利範圍 棑線之電壓V g係減少並使接近加至該及極匯流排線之 電壓（直流成分）Vd(dc)時，使得所加之電壓Vg等於所加 之電壓）Vd(dc)。 71·如申請專利範圍第66項之方法，其中每次Vc>vd(dc) 之電i應用下’便使得乂〇〜Vd (dc)之值低於一預期電 麈，並且然後該電壓係上至該預期電壓。 72·如申請專利範圍第66項之方、、土 ^ ^ ^ lL 、心方法，其中加至該閘極匯流排 線之電壓是一直流電壓。
    -114
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