ES2252092T3 - Sistema de capas de dlc y procedimiento para la fabricacion de un sistema de capas de este tipo. - Google Patents

Sistema de capas de dlc y procedimiento para la fabricacion de un sistema de capas de este tipo.

Info

Publication number
ES2252092T3
ES2252092T3 ES00993868T ES00993868T ES2252092T3 ES 2252092 T3 ES2252092 T3 ES 2252092T3 ES 00993868 T ES00993868 T ES 00993868T ES 00993868 T ES00993868 T ES 00993868T ES 2252092 T3 ES2252092 T3 ES 2252092T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
layer
dlc
substrate
carbon
deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
ES00993868T
Other languages
English (en)
Inventor
Orlaw Massler
Mauro Pedrazzini
Christian Wohlrab
Hubert Eberle
Martin Grischke
Thorsten Michler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OC Oerlikon Balzers AG
Original Assignee
Unaxis Balzers AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7638477&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=ES2252092(T3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Unaxis Balzers AG filed Critical Unaxis Balzers AG
Application granted granted Critical
Publication of ES2252092T3 publication Critical patent/ES2252092T3/es
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32055Arc discharge
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C23C16/029Graded interfaces
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26Deposition of carbon only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • C23C28/044Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material coatings specially adapted for cutting tools or wear applications
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • C23C28/046Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material with at least one amorphous inorganic material layer, e.g. DLC, a-C:H, a-C:Me, the layer being doped or not
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • C23C28/048Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material with layers graded in composition or physical properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/40Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
    • C23C28/42Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by the composition of the alternating layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16CSHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
    • F16C33/00Parts of bearings; Special methods for making bearings or parts thereof
    • F16C33/02Parts of sliding-contact bearings
    • F16C33/04Brasses; Bushes; Linings
    • F16C33/043Sliding surface consisting mainly of ceramics, cermets or hard carbon, e.g. diamond like carbon [DLC]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967Absolute thicknesses specified
    • Y10T428/24975No layer or component greater than 5 mils thick
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/252Glass or ceramic [i.e., fired or glazed clay, cement, etc.] [porcelain, quartz, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264Up to 3 mils
    • Y10T428/2651 mil or less
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Abstract

Sistema de capas para la protección contra el desgaste, la protección anticorrosiva y para mejorar las propiedades de deslizamiento y similares sobre un sustrato, con una capa adherente para la disposición sobre un sustrato, una capa de transición para la disposición sobre la capa adherente y una capa de DLC o de diamante, caracterizado porque sobre la capa de DLC o de diamante está dispuesta una capa de deslizamiento cuya composición química difiere de la de la capa de DLC o de diamante.

Description

Sistema de capas de DLC y procedimiento para la fabricación de un sistema de capas de este tipo.
La presente invención se refiere a un sistema de capas según la reivindicación 1, a un procedimiento según la reivindicación 21, así como a un dispositivo según la reivindicación 40. En las reivindicaciones subordinadas 2 a 20, 22 a 39 y 41, así como en la descripción, los ejemplos y los dibujos, se exponen realizaciones preferidas de la invención.
A pesar de las extraordinarias propiedades de las capas de carbono parecidas al diamante (capas de DLC), tales como la elevada dureza y las excelentes propiedades de deslizamiento, y de la actividad investigadora realizada durante muchos años a nivel mundial, hasta ahora no se ha logrado fabricar capas de DLC puras que muestren también a mayores grosores de capa (> 1 \mum) una adherencia de las capas suficiente para el uso industrial en aplicaciones típicas de protección contra el desgaste y presenten una conductividad suficiente para poder prescindir de los procedimientos de fabricación de alta frecuencia (AF), que adolecen de muchos inconvenientes técnicos de producción.
Como aplicaciones típicas de protección contra el desgaste son de mencionar, por una parte, las aplicaciones en el campo de la construcción de máquinas, tales como la protección contra el desgaste por deslizamiento, las picaduras, el ensamblamiento en frío de las rugosidades, etc., especialmente sobre elementos de construcción con superficies que se mueven en sentido opuesto, como, por ejemplo, ruedas dentadas, empujadores de bomba y de taza, aros de émbolo, agujas de inyectores, conjuntos completos de cojinetes o sus componentes individuales, entre muchos otros, así como, por otra parte, las aplicaciones en el campo del mecanizado de materiales para la protección de las herramientas usadas para el mecanizado con arranque de virutas o sin arranque de virutas, así como en los moldes de inyección.
Además de las múltiples posibilidades de aplicación en el campo de la protección contra el desgaste, también es de mencionar explícitamente la protección anticorrosiva como otro campo de aplicación prometedor de este tipo de capas de DLC.
Debido a las elevadas tensiones propias y a la adherencia problemática relacionada con ellas, especialmente en el caso de superficies altamente solicitadas, en la protección contra el desgaste las capas de DLC puras actualmente sólo se pueden depositar con grosores de capa reducidos e insuficientes para muchas aplicaciones, o sus propiedades han de modificarse mediante la incorporación adicional de átomos extraños, como, por ejemplo, silicio, diferentes metales y flúor. Sin embargo, la disminución de las tensiones propias de las capas y la mejora de la adherencia logradas con ello siempre estaban relacionadas con una notable pérdida de dureza, que, precisamente en el campo de la protección contra el desgaste, a menudo puede afectar negativamente la vida útil del artículo revestido.
Por lo tanto, no pudo considerarse la aplicación adicional de capas de rodaje que contienen, por ejemplo, carbono grafítico y/o una mezcla de metal o carburo de metal y carbono, puesto que, por una parte, se generaban más tensiones propias perjudiciales en las capas debido al grosor de capa mínimo necesario para lograr el efecto de rodaje y, por otra, resultaba problemática la adherencia sobre capas de carbono puras. Pero solamente estas capas pueden cumplir, mediante la combinación de la capa de carbono o la capa de diamante muy dura con la capa de deslizamiento o de rodaje depositada sobre ella, los crecientes requisitos respecto a los elementos de construcción, como los que se exigen, por ejemplo, para componentes individuales en la construcción moderna de motores.
En los procedimientos intensificados por plasma habituales hoy en día para la fabricación de capas de DLC se aplican con frecuencia, debido a la elevada resistencia eléctrica de las capas de DLC duras, procesos con una polarización o plasma de AF (por AF = alta frecuencia se entienden en lo sucesivo todas las frecuencias > 10 MHz), especialmente con la frecuencia industrial de 13,56 MHz, para evitar la generación de cargas perturbadoras durante el revestimiento. Los inconvenientes conocidos de esta técnica son perturbaciones difíciles de dominar en las unidades de mando de procesos sensibles electrónicamente (retroacoplamientos de AF, efecto del emisor, ...), un mayor coste para evitar descargas eléctricas de AF, el efecto de antena de los sustratos que se han de revestir y, relacionado con ello, una distancia mínima relativamente grande entre el material de revestimiento, que impide aprovechar de forma óptima el espacio y la superficie en la cámara de revestimiento. Así, en los procedimientos de AF se ha de prestar especial atención a que no se produzca un solapamiento de espacios oscuros, por ejemplo por una densidad de carga demasiado elevada, distancias incorrectas entre sustrato y dispositivo de sujeción, etc., que genera plasmas secundarios perjudiciales. Estos plasmas secundarios forman, por una parte, receptores de energía, solicitando así adicionalmente los generadores de plasma, y, por otra, se produce con frecuencia, debido a estas concentraciones locales de plasma, un sobrecalentamiento térmico de los sustratos y una grafitización no deseada de la capa.
A causa de la dependencia exponencial calculada para los procesos de AF entre la tensión del sustrato y la superficie del sustrato
US/UE = CE/CS = (AE/AS)4
en la que U representa la tensión, C la capacidad, A la superficie y los índices S el sustrato o E la contraplaca, se produce, a medida que aumenta la superficie del sustrato AS, una fuerte disminución de la tensión del sustrato US acompañada de un fuerte aumento de la potencia perdida. Por lo tanto, dependiendo de la capacidad de los generadores usados, sólo se puede revestir una determinada superficie máxima. En caso contrario, o bien no se puede suministrar suficiente potencia al sistema o bien la diferencia de potencial (tensión del sustrato) no se puede ajustar lo suficientemente alta para lograr el efecto de galvanoplastia iónica necesario para capas densas de buena adherencia.
Además, en los procesos de AF habitualmente es necesario realizar, en cuanto a la instalación, un gasto adicional en aparatos para adaptar durante el proceso dinámicamente las impedancias del generador y del plasma mediante redes eléctricas, como, por ejemplo, una denominada "caja de cerillas".
A continuación se exponen brevemente diferentes procedimientos y/o sistemas de capas conocidos en el estado de la técnica.
El documento EP 87836 da a conocer un sistema de capas de DLC con una proporción de componentes metálicos de 0,1 a 49,1%, que se deposita, por ejemplo, por bombardeo catódico.
El documento DE 4343354 A1 describe un procedimiento para la fabricación de un sistema multicapa que contiene Ti, con una capa de sustancia dura formada por nitruros de titanio, carburos de titanio y boruros de titanio, así como con una capa superficial con contenido en C que reduce el rozamiento, en el que se reduce progresivamente la proporción de Ti y N en dirección a la superficie.
El procedimiento para la fabricación de capas de DLC descrito en el documento US 5078848 usa un chorro de plasma pulsado. Debido a la radiación dirigida de partículas desde una fuente con una salida de sección transversal pequeña, estos procedimientos, sin embargo, sólo son adecuados de forma limitada para el revestimiento uniforme de superficies más grandes.
En los documentos siguientes se describen diferentes procedimientos de CVD y/o capas mixtas de SiDLC/DLC fabricadas con tales procedimientos:
El documento EP-A-651069 describe un sistema de protección contra el desgaste que reduce el rozamiento y está formado por 2 a 5.000 capas alternantes de DLC y SiDLC. En el documento EP-A-600533 se describe un procedimiento para la deposición de capas de a-DLC con una capa intermedia de Si y una zona de transición de a-SiC:H siguiente para mejorar la adherencia. También en los documentos EP-A-885983 y EP-A-856592 se describen diferentes procedimientos para la fabricación de tales capas. En el documento EP-A-885983, por ejemplo, el plasma se genera mediante un filamento calentado por DC y los sustratos se solicitan con una tensión continua negativa o FM entre 20 y 10.000 kHz (por FM = frecuencia media se entiende en lo sucesivo el intervalo de frecuencias de 1 a 10.000 kHz).
El documento US 4728529 describe un procedimiento para la deposición de DLC usando un plasma de AF, en el que la formación de las capas se lleva a cabo en un intervalo de presiones de 103 a 1 mbar a partir de un plasma de hidrocarburos exento de oxígeno al que se añade, en caso necesario, un gas noble o hidrógeno.
El proceso descrito en el documento DE-C-19513614 usa una tensión de sustrato bipolar con una menor duración del impulso positivo a una presión comprendida en el intervalo de 50 a 1.000 Pa. Con él se depositan capas comprendidas en el intervalo de 10 nm a 10 \mum y con una dureza de 15 a 40 GPa.
En el documento DE-A-19826259 se describe un procedimiento de CVD con una tensión de sustrato generada independientemente del plasma de revestimiento, en el que se aplican preferentemente tensiones de sustrato bipolares, aunque también otras tensiones de sustrato periódicas modificadas. Para la realización del procedimiento, esto requiere, sin embargo, una unidad de suministro eléctrico relativamente costosa, ya que se ha de prever en forma de realización doble.
Asimismo se conocen desde algún tiempo procedimientos que constan de una combinación de capas de sustancia dura tradicional con una capa de protección rica en carbono con buenas propiedades de deslizamiento.
Por ejemplo, el documento US 5.707.748 da a conocer una combinación de capas formada por capas de sustancia dura con contenido en metal (TiN, TiAlVN, WC) y una capa de carburo de metal menos dura con un contenido creciente de carbono fijado de forma grafítica, es decir, en la hibridación sp^{2}. Por las buenas propiedades de deslizamiento de las capas de metal o carburo de metal/carbono (MeC/C), éstas se usan preferentemente en tribosistemas en los que, además de la protección del elemento revestido, se ha de lograr una disminución de las fuerzas de rozamiento y/o una protección del cuerpo contrario. A este respecto han resultado especialmente eficaces las capas de MeC/C con una alta proporción de C, en las que se puede lograr, por una parte, un efecto de rodaje mediante la capa de protección blanda y, por otra, un efecto lubricante para el tribosistema completo mediante la transferencia de partículas de C. En el documento WO 99-55929 se describen combinaciones de capas similares, con una capa intermedia metálica que mejora la adherencia situada entre la capa de sustancia dura y la capa de metal o MeC que contiene carbono grafítico.
Por consiguiente, el objetivo de la presente invención es proporcionar sistemas de capas de DLC relativamente gruesos, con una elevada dureza y un excelente poder adherente, que, además, posean todavía una conductividad suficientemente alta para poder ser depositados sin polarización de AF, de manera que se puedan usar un procedimiento y un dispositivo que no requieran grandes gastos y presenten una elevada eficacia para el uso industrial. Por consiguiente, un objetivo de la presente invención es también proporcionar un procedimiento correspondiente y un dispositivo.
Este objetivo se alcanza mediante la capa con las características de la reivindicación 1, así como mediante el procedimiento según la reivindicación 11 y el dispositivo de acuerdo con la reivindicación 30. Las configuraciones ventajosas son objeto de las reivindicaciones subordinadas.
Sorprendentemente se ha observado que es posible proveer también capas de DLC relativamente gruesas de una capa adicional con unas propiedades de deslizamiento y, si se desea, de rodaje especialmente favorables, sin que por ello empeore el poder adherente. De este modo se logra por primera vez combinar la gran dureza de las capas de DLC puras con las buenas propiedades de deslizamiento de las capas de metal y carbono. Esto no sólo se puede llevar a cabo aplicando capas de deslizamiento sobre los sistemas de capas de DLC de acuerdo con la invención, sino también usando uno de los procedimientos descritos para la aplicación de una capa de deslizamiento sobre capas de DLC o sistemas de capas de DLC conocidos.
Por lo tanto, el objetivo de la presente invención es también, concretamente, proporcionar una capa de DLC o de diamante con un excelente poder adherente y una elevada resistencia al desgaste que presente unas propiedades de deslizamiento y, si se desea, unas propiedades de rodaje mejoradas respecto a las capas de DLC o de diamante convencionales. Un sistema de capas de deslizamiento de DLC de este tipo puede ser ventajoso para la protección contra el desgaste, la protección anticorrosiva y para mejorar las propiedades de deslizamiento, especialmente cuando se desean simultáneamente propiedades hasta ahora difícilmente realizables en un sistema de capas.
Otro objetivo de la invención es proporcionar un procedimiento y un dispositivo para la fabricación de un sistema de capas de deslizamiento de DLC de acuerdo con la invención.
Éste se alcanza de acuerdo con la invención según el apartado 1 de la descripción.
Sistema de capas
Se obtiene un sistema de capas de DLC de acuerdo con la invención fabricando una capa con la siguiente estructura de capa.
Directamente sobre el sustrato se encuentra una capa adherente con al menos un elemento del grupo de los elementos de los grupos IVb, Vb y VIb, así como Si. Preferentemente se usa una capa adherente formada por los elementos Cr o Ti, que han demostrado ser especialmente adecuados para este propósito.
A continuación sigue una capa de transición que, preferentemente, está configurada en forma de capa de gradiente, en cuyo gradiente perpendicular a la superficie del sustrato disminuye el contenido en metal y aumenta el contenido en C.
La capa de transición comprende esencialmente carbono y al menos un elemento del grupo de los elementos que forman la capa adherente. En una forma de realización preferida puede estar contenido adicionalmente hidrógeno. Asimismo, tanto la capa de transición como la capa adherente contienen impurezas inevitables, como las que se deben, por ejemplo, a átomos de la atmósfera ambiental incorporados en la capa, por ejemplo los gases nobles, tales como argón o xenón, usados en la fabricación.
En la configuración de la capa de transición en forma de una capa de gradiente, el incremento del carbono en dirección a la capa de protección se puede llevar a cabo aumentando las fases carbúricas dado el caso diferentes, aumentando el carbono libre y/o mezclando estas fases con la fase metálica de la capa de transición. Como es conocido para el experto, el grosor de la capa de gradiente o de transición se puede ajustar ajustando rampas de proceso adecuadas. El aumento del contenido en C o la reducción de la fase metálica se pueden realizar de forma continua o escalonada; asimismo puede preverse, al menos en una parte de la capa de transición, una secuencia de capas individuales ricas en metal y ricas en C para reducir adicionalmente las tensiones de la capa. Mediante las configuraciones mencionadas de la capa de gradiente, las propiedades de los materiales (por ejemplo, módulo E, estructura, etc.) de la capa adherente y de la capa de DLC final se adaptan entre sí esencialmente de forma continua, evitando de este modo el riesgo de que se formen grietas a lo largo de una interfase de metal o Si/DLC que de otro modo aparece.
La terminación del paquete de capas la forma una capa que esencialmente consta exclusivamente de carbono y, preferentemente, de hidrógeno, con un grosor de capa mayor que la capa adherente y la capa de transición. Además del carbono y del hidrógeno, también en este caso pueden estar presentes gases nobles, tales como argón o xenón. Es esencial, sin embargo, prescindir por completo de elementos metálicos adicionales y de silicio.
La dureza del sistema de capas de DLC completo está ajustada a un valor superior a 15 GPa, preferentemente superior o igual a 20 GPa, y se logra un poder adherente mejor o igual a HF 3, preferentemente mejor o igual a HF 2, en especial igual a HF 1 según VDI 3824, hoja 4. La dureza se obtiene en este caso por medición de la dureza según Knoop con una carga de 0,1 N, es decir, HK 0,1. La resistencia superficial de la capa de DLC se encuentra entre \delta = 10^{-6} \Omega y \delta = 5 M\Omega, preferentemente entre 1 \Omega y 500 k\Omega, con una distancia de 20 mm entre los electrodos. Al mismo tiempo, la presente capa de DLC se caracteriza por los bajos coeficientes de fricción típicos del DLC, siendo preferentemente \mu \leq 0,3 en el ensayo de espiga/disco.
El grosor total de las capas es > 1 \mum, preferentemente > 2 \mum, presentando la capa adherente y la capa de transición preferentemente unos grosores de capa de 0,05 \mum a 1,5 \mum, en especial de 0,1 \mum a 0,8 \mum, mientras que la capa de protección posee preferentemente un grosor de 0,5 \mum a 20 \mum, en especial de 1 \mum a 10 \mum.
El contenido de H en la capa de protección asciende preferentemente a entre 5 y 30% en átomos, en especial a entre 10 y 20% en átomos.
En las imágenes de microscopía electrónica de barrido, los sistemas de capas de DLC depositados de acuerdo con la invención muestran superficies de rotura que, al contrario que las capas de DLC convencionales, no presentan una estructura vítrea-amorfa sino de grano fino, ascendiendo el tamaño de grano preferentemente a \leq 300 nm, en especial a \leq 100 nm.
En los ensayos tribológicos bajo carga elevada, el revestimiento muestra una vida útil varias veces mayor que otras capas de DLC, como, por ejemplo, las capas de metal y carbono, en especial de WC/C. Así, en una tobera de inyección para motores de combustión interna provista de una capa de DLC, sólo se pudo detectar un ligero desgaste en el ensayo de 1.000 h, mientras que, por el contrario, una tobera revestida con WC/C falló en el mismo ensayo ya después de 10 h a causa de un elevado desgaste superficial que llegó hasta el material básico.
La rugosidad de capa de la capa de DLC de acuerdo con la invención presenta preferentemente un valor de Ra = 0,01 a 0,04, siendo Rz, medido según DIN, < 0,8, preferentemente < 0,5.
Las ventajas de un sistema de capas de DLC de acuerdo con la invención con las propiedades anteriores residen en la combinación, lograda por primera vez, de grandes grosores de capa con un excelente poder adherente que todavía presenta una conductividad suficiente para permitir una conducción relativamente fácil del proceso en la producción industrial.
Pese a la elevada dureza, > 15 GPa, preferentemente \geq 20 GPa, la capa muestra una adherencia claramente mejorada gracias a su estructura y los pasos de procedimiento de acuerdo con la invención. Los sistemas de capas convencionales precisan en este caso de una dotación en la capa funcional (DLC) para reducir la tensión de la capa, lo que, sin embargo, también reduce la dureza.
También las imágenes de microscopía electrónica de barrido de una rotura de la capa de acuerdo con la invención muestran una superficie de rotura limpia y de grano fino, al contrario que las capas de DLC conocidas hasta ahora, que poseen la forma de rotura típica de una capa amorfa frágil con cavidades en parte conchiformes. Las capas con el perfil de propiedades antes descrito son especialmente adecuadas para aplicaciones en la construcción de máquinas, como, por ejemplo, para el revestimiento de empujadores de bomba y de taza y empujaválvulas altamente solicitados, de levas o árboles de levas, como los que se usan para los motores de combustión interna de automóviles, y engranajes, pero también para la protección de ruedas dentadas, émbolos buzo, vástagos de émbolos altamente solicitados, entre otros elementos de construcción en los cuales se requiera una superficie especialmente dura y lisa con buenas propiedades de deslizamiento.
Debido a su elevada dureza y su muy lisa superficie, estas capas se pueden usar en el campo de las herramientas ventajosamente sobre todo para herramientas de conformación (prensado, estampado, embutición profunda, ...) y moldes de inyección, pero también, aunque con ciertas limitaciones en el mecanizado de materiales de hierro, para herramientas de corte, especialmente cuando para la aplicación se necesita un bajo coeficiente de fricción junto con una elevada dureza.
La velocidad de crecimiento de la capa de DLC se encuentra entre aproximadamente 1 y 3 \mum/h y la tensión de las capas para el sistema completo, entre 1 y 4 GPa y, por lo tanto, en el intervalo habitual para las capas de DLC duras. La conductividad se ajusta, según se expuso anteriormente, entre aproximadamente \delta = 10^{-6} \Omega y \delta = 5 M\Omega, preferentemente entre \delta = 10^{-3} \Omega y \delta = 500 k\Omega (la resistencia superficial se midió a una distancia de 20 mm entre los electrodos de medición).
Las propiedades de deslizamiento logradas con los sistemas de capas de DLC depositados de acuerdo con la invención son mejores que las de otras capas de sustancia dura, por ejemplo nitrúricas y/o carbúricas, pero no alcanzan los coeficientes de fricción extraordinariamente bajos que se pueden realizar con las capas de metal/carbono ni son adecuadas como capas de rodaje.
Si se han de mejorar aún más las propiedades de deslizamiento o de rodaje de la capa de DLC o del sistema de capas de DLC, se recomienda aplicar otra capa de deslizamiento final más blanda que contenga una proporción relativamente alta de carbono grafítico. Esta última también se puede aplicar ventajosamente sobre capas y sistemas de capas de DLC no de acuerdo con la invención, así como sobre capas de diamante, especialmente sobre capas de diamante nanocristalino.
A continuación se describe la estructura de un sistema de capas de deslizamiento de DLC de acuerdo con la invención, que consta ventajosa, pero en ningún caso forzosamente, de un sistema de capas de DLC como se describió anteriormente con una capa de deslizamiento depositada sobre él. Sorprendentemente se ha observado que con capas de deslizamiento de estructuras muy diversas resulta posible, además de mejorar las propiedades de deslizamiento y, dado el caso, de rodaje y a pesar del mayor grosor de capa, conservar el excelente poder adherente del sistema de capas de DLC para el sistema de capas de deslizamiento de DLC.
Una forma de realización ventajosa de la capa que reduce el rozamiento, adecuada especialmente para la aplicación sobre el sistema de capas de DLC de acuerdo con la invención antes descrito, consiste en aplicar una estructura de DLC sin elemento adicional metálico pero, a cambio, con una proporción creciente de enlaces sp^{2}, preferentemente en una estructura de capa grafítica, con lo cual disminuye la dureza de la capa de protección y mejoran las propiedades de deslizamiento y, dado el caso, de rodaje.
Otra realización ventajosa de la capa de deslizamiento se puede llevar a cabo mediante la formación de una segunda capa de gradiente inverso, en la que el contenido en metal aumenta hacia la superficie y el contenido en C disminuye. El contenido en metal se aumenta hasta que el coeficiente de fricción alcance el valor bajo deseado. Para ello se usa preferentemente uno o varios metales de los grupos IVb, Vb, VIb, así como Si. Se prefieren especialmente Cr, W, Ta, Nb y/o Si. La proporción de metal en las capas debe encontrarse entre 0,1 y 50% en átomos, preferentemente entre 1 y 20% en átomos.
Otra realización preferida de la capa que reduce el rozamiento se puede llevar a cabo mediante la aplicación de una capa intermedia metálica o carbúrica, en especial de Cr o WC, sobre la capa que esencialmente consta exclusivamente de carbono e hidrógeno, a la que le sigue a continuación de nuevo una capa de protección de gradiente configurada de forma similar a la primera capa de gradiente, con un contenido en metal decreciente y un contenido en C creciente. Ventajosa pero no obligatoriamente se usan el mismo o los mismos elementos metálicos que en la primera capa de gradiente, para mantener la complejidad del dispositivo de revestimiento lo más reducida posible. También en este caso el contenido de metal en las capas debe encontrarse entre 0,1 y 50% en átomos, preferentemente entre 1 y 20% en átomos.
Sorprendentemente se ha observado que precisamente las capas de deslizamiento con contenido en metal pueden producir una clara mejora del rendimiento también sobre capas de DLC depositadas de forma convencional. Una razón por la que se logra así influir ligeramente en la adherencia total de tales sistemas podría residir en las reducidas tensiones de las capas proporcionadas adicionalmente y fáciles de ajustar.
Para las tres opciones ha resultado ventajoso prever una zona de terminación con una composición de capa inalterada, es decir, constante, para conservar las propiedades de la capa (por ejemplo, coeficiente de fricción, tensión superficial y humectabilidad, ...), optimizadas para la aplicación correspondiente, también durante un cierto desgaste de la capa y permitir el rodaje de la capa.
El coeficiente de fricción se puede ajustar, dependiendo del metal usado y del exceso residual de carbono grafítico, entre \mu = 0,01 y \mu = 0,2 (se refiere al ensayo de espiga/disco bajo atmósfera normal con una humedad del aire de aproximadamente 50%).
La dureza de la capa de DLC está ajustada preferentemente a un valor superior a 15 GPa, preferentemente superior o igual a 20 GPa, y la dureza de la capa de deslizamiento más blanda situada encima se ajusta según convenga.
El contenido integral de hidrógeno en el sistema de capas de acuerdo con la invención se ajusta preferentemente a un contenido entre 5 y 30% en átomos, en especial entre 10 y 20% en átomos.
La rugosidad de la capa se puede ajustar a un valor Ra inferior a 0,04, preferentemente inferior a 0,01, o a un valor Rz_{DIN} inferior a 0,8, preferentemente inferior a 0,5.
Las ventajas de estos sistemas de capas de deslizamiento de DLC de acuerdo con la invención residen en la combinación de la elevada dureza de la capa de DLC con las propiedades de deslizamiento mejoradas de nuevo en hasta un orden de magnitud respecto al ya buen comportamiento de rodadura de la capa de DLC. Así, por ejemplo, el coeficiente de fricción se puede reducir a por debajo de \mu = 0,1. Asimismo se logra por primera vez conferir también a las capas de DLC un comportamiento de rodaje mediante una reducción inicial de la capa y una lubricación grafítica del cuerpo contrario, por medio de lo cual también se puede reducir notablemente el desgaste de un cuerpo contrario no revestido.
Mediante el uso de una capa de DLC pura antes descrita también se puede ajustar un índice Rz o Ra más bajo, es decir, una menor rugosidad de las superficies revestidas, que con las capas de sustancia dura usadas convencionalmente, aplicadas en especial con el procedimiento de arco voltaico. En el caso de estas combinaciones conocidas de sustancia dura/capa de deslizamiento, con frecuencia se puede alterar, o incluso impedir, el rodaje del tribosistema debido especialmente a duros picos de rugosidad, pudiéndose producir la destrucción parcial o total de la superficie de un cuerpo contrario, especialmente cuando éste no está protegido por una capa dura. Esto es especialmente importante en los tribosistemas con una elevada proporción deslizante, como, por ejemplo, palancas basculantes y deslizantes sobre empujadores de taza, diferentes engranajes, entre otros.
La superioridad de los sistemas de capas de deslizamiento de DLC se demostró en diferentes aplicaciones tanto frente a combinaciones de sustancia dura/capa de deslizamiento conocidas como frente a sistemas de capas de DLC puras.
Debido a su elevada dureza y su muy lisa superficie, estas capas también se pueden usar en el campo de las herramientas, ventajosamente sobre todo para herramientas de conformación (prensado, estampado, embutición profunda, ...) y moldes de inyección, pero también, aunque con ciertas limitaciones en el mecanizado de materiales de hierro, para herramientas de corte, especialmente cuando para la aplicación se desea un coeficiente de fricción especialmente bajo junto con, dado el caso, un efecto de rodaje definido. Por ejemplo, con brocas revestidas de acuerdo con la invención se observó ya después de usarlas una sola vez (un taladro) un efecto de pulido sobre la superficie de arranque de virutas, lo que constituye una ventaja para, por ejemplo, taladros profundos. De este modo se puede prescindir de un caro pulido posterior de las superficies de arranque de virutas en este tipo de herramientas revestidas de acuerdo con la invención.
Los sistemas de capas de deslizamiento de DLC de acuerdo con la invención se pueden depositar de forma más lisa que las combinaciones convencionales de sustancia dura/capa de deslizamiento (por ejemplo, TiAlN/WC/C) depositadas, por ejemplo, con un evaporador de arco voltaico y se pueden integrar más fácilmente en un proceso continuo que, por ejemplo, las combinaciones igualmente conocidas de capas de Ti-DLC//MoSx.
Procedimiento
El procedimiento de acuerdo con la invención para la fabricación del sistema de capas de DLC se caracteriza además por las siguientes características.
Los elementos que se han de revestir se limpian de manera conocida para los procedimientos de PVD y se montan en un dispositivo de sujeción. Al contrario que en los procedimientos de AF, en este caso se pueden usar ventajosamente unos dispositivos de sujeción con 1, 2 o también 3 ejes de rotación esencialmente paralelos, adaptados a la geometría de las partículas, por medio de lo cual se puede lograr una mayor densidad de carga. El dispositivo de sujeción, con los elementos que se han de revestir, se introduce en la cámara de procesos de una instalación de revestimiento y, tras la evacuación con bomba hasta obtener una presión inicial inferior a 10^{-4} Pa, preferentemente 10^{-3} Pa, se inicia el ciclo de procesos.
La primera parte del proceso, la limpieza de las superficies del sustrato, se realiza, por ejemplo, en forma de proceso de calentamiento para eliminar las sustancias volátiles que todavía estén adheridas a la superficie de los elementos. Para ello se enciende preferentemente un plasma de gas noble mediante una descarga de gran amperaje/de baja tensión entre uno o varios filamentos ajustados a un potencial negativo, dispuestos en una cámara de ionización colindante con la cámara de procesos, y los dispositivos de sujeción con los elementos ajustados a un potencial positivo. De este modo se provoca un intenso bombardeo de electrones y, con ello, un calentamiento de los elementos. Ha resultado especialmente favorable el uso de una mezcla de Ar/H_{2}, puesto que por el efecto reductor del hidrógeno se logra al mismo tiempo un efecto limpiador de las superficies de los elementos. La descarga de gran amperaje/de baja tensión se puede realizar con un campo magnético estático o, ventajosamente, en movimiento esencialmente variable localmente. En lugar de la cámara de ionización antes descrita también se puede usar un cátodo hueco u otra fuente de iones o de electrones conocida.
De forma alternativa, naturalmente también se pueden usar otros procedimientos de calentamiento como, por ejemplo, el calentamiento por radiación o el calentamiento inductivo.
Una vez alcanzado un nivel de temperatura, que se ha de establecer en función del material básico de los elementos, se puede iniciar adicional o alternativamente como proceso de limpieza un proceso de corrosión encendiendo, por ejemplo, entre la cámara de ionización y un ánodo auxiliar un arco voltaico de baja tensión y arrastrando los iones hacia los elementos mediante una tensión de polarización negativa de 50 a 300 V. Los iones bombardean allí la superficie y eliminan las impurezas residuales. De este modo se obtiene una superficie limpia. La atmósfera del proceso también puede contener hidrógeno, además de gases nobles como, por ejemplo, argón.
El proceso de corrosión también se puede llevar a cabo aplicando al sustrato una tensión de polarización pulsada con o sin la ayuda de un arco voltaico de baja tensión como se acaba de describir, usándose preferentemente una polarización de frecuencia media comprendida en el intervalo de 1 a 10.000 kHz, en especial entre 20 y 250 kHz.
Para garantizar la adherencia del sistema de capas de DLC al sustrato, se deposita por evaporación una capa adherente, preferentemente metálica, formada en especial por Cr o Ti, con un procedimiento conocido de PVD o de CVD intensificado por plasma, como, por ejemplo, mediante evaporación por arco voltaico, diferentes procedimientos de galvanoplastia iónica, aunque preferentemente por bombardeo catódico de al menos un blanco. Como apoyo para la deposición por evaporación se aplica al sustrato una tensión de polarización negativa. El bombardeo iónico y, causada por él, la densificación de la capa durante el proceso de deposición por bombardeo iónico se puede apoyar adicionalmente mediante un arco voltaico de baja tensión que se hace funcionar en paralelo y/o mediante un campo magnético aplicado para la estabilización o la intensificación del plasma y/o mediante la aplicación de una tensión de polarización de DC al sustrato o mediante la aplicación, entre el sustrato y la cámara de procesos, de una polarización de frecuencia media comprendida en el intervalo de 1 a 10.000, en especial de 20 a 250 kHz.
El grosor de la capa adherente se ajusta de manera conocida eligiendo el tiempo de deposición por bombardeo iónico y/o de deposición por evaporación y la potencia en función de la geometría de la instalación correspondiente.
Por ejemplo, en la presente geometría de la instalación, descrita más adelante, se deposita Cr por bombardeo iónico de dos blancos, ventajosamente enfrentados, durante 6 minutos a una presión de 10^{-4} a 10^{-3} mbar, una polarización del sustrato de Upolarización = -75 V y una potencia de aproximadamente 8 kW en una atmósfera de Ar.
Una vez aplicada la capa adherente, se asegura de acuerdo con la invención una transición lo más continua posible entre la capa adherente y la capa de DLC mediante la aplicación de una capa de transición.
La aplicación de la capa de transición se lleva a cabo de manera que, además de la deposición por evaporación intensificada por plasma de los componentes de la capa adherente, se deposita simultáneamente carbono en fase gaseosa. Esto se lleva a cabo preferentemente mediante un procedimiento de CVD intensificado por plasma en el que como gas de reacción se usa un gas con contenido en carbono, preferentemente un hidrocarburo gaseoso, en especial acetileno.
Durante la aplicación de la capa de transición se aplica al sustrato una tensión de polarización de frecuencia media, en especial "pulsada", y se superpone un campo magnético.
Para la configuración preferida de una capa de gradiente, la proporción de carbono depositada se aumenta de forma escalonada o continua durante la aplicación de la capa de transición a medida que aumenta el grosor de la capa de transición, hasta que, finalmente, ya sólo se produce esencialmente una deposición de carbono.
En este estadio del proceso se genera entonces, como capa de protección, la capa de carbono parecida al diamante por deposición CVD intensificada por plasma de carbono en fase gaseosa, usándose como gas de reacción un gas con contenido en carbono, preferentemente un hidrocarburo gaseoso, en especial acetileno. Al mismo tiempo se sigue manteniendo en el sustrato una tensión de polarización y se conserva el campo magnético superpuesto.
En una forma de realización preferida, el gas de reacción para la deposición de carbono para la formación de la capa de transición y la capa de protección formada por carbono parecido al diamante puede contener adicionalmente, además del gas con contenido en carbono, hidrógeno y un gas noble, preferentemente argón o xenón. La presión ajustada en la cámara de procesos asciende a entre 10^{-2} y 1 Pa.
Durante la deposición de la capa de protección formada por carbono parecido al diamante se prefiere aumentar la proporción del gas con contenido en carbono y reducir la proporción de gas noble, en especial de argón.
La tensión de polarización aplicada al sustrato durante los pasos de procedimiento para la deposición de la capa adherente por evaporación, la aplicación de la capa de transición y la deposición de la capa de protección puede ser, especialmente durante la formación de la capa de transición y de la capa de protección, una tensión alterna (AC), una tensión continua (DC) superpuesta con AC o impulsos, o una tensión continua modulada, en particular una tensión de polarización del sustrato unipolar (negativa) o bipolar que está pulsada a una frecuencia media comprendida en el intervalo de 1 a 10.000 kHz, preferentemente de 20 a 250 kHz. La forma del impulso puede ser simétrica, por ejemplo sinusoidal, en forma de diente de sierra o rectangular, o asimétrica, de manera que se aplican impulsos negativos de larga duración e impulsos positivos de corta duración o grandes amplitudes negativas y pequeñas amplitudes positivas.
Asimismo se ajusta, preferentemente durante todo el proceso de revestimiento, un campo magnético longitudinal con un desarrollo uniforme de las líneas de flujo, pudiendo modificarse el campo magnético de forma continua o escalonada en el tiempo y/o en el espacio.
En el caso de que se haya usado una polarización de DC para la aplicación de la capa adherente, al aplicar la capa de transición preferentemente se conecta primero al dispositivo de sujeción un generador de frecuencias medias que emita sus impulsos de tensión (igualmente es posible una regulación por control de la potencia suministrada, pero no se prefiere) en forma de una señal sinusoidal u otra señal bipolar o también unipolar. Las frecuencias usadas se encuentran en el intervalo de 1 a aproximadamente 10.000 kHz, preferentemente de 20 a 250 kHz, y la amplitud de tensión, entre 100 y 3.000 V, preferentemente entre 500 y 2.500 V. La modificación de la tensión del sustrato se realiza preferentemente por conmutación de un generador dimensionado expresamente para el suministro de tensión continua y de frecuencia media. En otra forma de realización ventajosa, también se aplica una tensión de frecuencia media a los sustratos para la realización de los procesos de corrosión y de revestimiento adherente. Cuando se usa una tensión de sustrato bipolar, ha resultado especialmente ventajoso aplicar formas de impulso asimétricas; por ejemplo, el impulso positivo puede ser de menor duración, o bien se puede aplicar con una tensión inferior al impulso negativo puesto que los electrones siguen el campo más rápidamente y, debido a su pequeña masa, producen por el impacto sobre todo un calentamiento adicional de los elementos, lo que puede causar daños por sobrecalentamiento, especialmente en los materiales básicos sensibles a la temperatura. Este riesgo también se puede contrarrestar en otros desarrollos de la señal previendo un denominado tiempo de inactividad ("OFF-Time"), en el que entre la aplicación de uno o varios periodos de emisión de señales con una cantidad de potencia (= tiempo de actividad, "ON-Time") se aplica una señal nula.
Al mismo tiempo o un tiempo después de la aplicación de la señal de frecuencia media cuando se usa una polarización de DC para la aplicación de la capa adherente o después de depositar por evaporación el grosor de capa deseado para la capa adherente cuando se usa una polarización de frecuencia media, se alimenta en el recipiente un hidrocarburo gaseoso, preferentemente acetileno, con un flujo de gas que aumenta de forma escalonada o, preferentemente, continua. También simultáneamente o con un retraso en el tiempo, dado el caso diferente, se reduce preferentemente de forma escalonada o continua la potencia del al menos un blanco metálico o de Si. Preferentemente, el blanco reduce la potencia hasta un mínimo dependiente del flujo de hidrocarburo alcanzado y fácilmente de determinar por un experto que todavía permita un funcionamiento estable sin que se produzcan fenómenos de envenenamiento por el gas reactivo. A continuación, el al menos un blanco se apantalla preferentemente frente a la cámara de procesos con uno o varios diafragmas dispuestos de forma móvil y se desconecta. Esta medida evita en gran parte la deposición de una capa de DLC sobre el blanco, de manera que se puede prescindir de la limpieza por bombardeo iónico, necesaria de otro modo, entre las diferentes cargas de revestimiento con DLC. Para la siguiente carga que se ha de realizar basta con prever un aumento de la potencia del al menos un blanco con los diafragmas cerrados para volver a alcanzar una superficie del blanco totalmente limpia adecuada para la aplicación de la capa adherente.
La generación de un campo magnético longitudinal contribuye de forma esencial a la estabilización del proceso de revestimiento con DLC de acuerdo con la invención. Si no se ha usado ya en el paso de proceso precedente para la aplicación de la capa adherente, éste se aplicará esencialmente al mismo tiempo que se realice la conmutación de la tensión del sustrato al generador de frecuencia media. El campo magnético se configura de manera que se dé un desarrollo lo más uniforme posible de las líneas de flujo en la cámara de procesos. Para ello, preferentemente se suministra corriente mediante dos bobinas electromagnéticas que limitan esencialmente la cámara de procesos por los lados enfrentados de tal manera, que en ambas bobinas se generen campos magnéticos de igual sentido que se intensifican mutuamente. Si las dimensiones de la cámara son más pequeñas, dado el caso también se puede lograr un efecto suficiente con tan solo una bobina. De este modo se logra una distribución casi uniforme del plasma de frecuencia media en cámaras de mayor volumen. Debido a las diferentes geometrías de los elementos que se han de revestir o de los dispositivos de sujeción, aún así todavía se pueden generar de forma aislada plasmas secundarios si se cumplen determinadas condiciones marco geométricas y electromagnéticas. Esto se puede contrarrestar con un campo magnético variable en el tiempo y en el espacio desplazando las corrientes de las bobinas conjuntamente o, preferentemente, entre sí. Por ejemplo, por la primera bobina se hace pasar primero durante 120 segundos una intensidad de corriente I mayor que por la segunda bobina. Durante los 90 segundos siguientes, la intensidad de corriente se invierte, es decir que el segundo campo magnético es más intenso que el primer campo magnético. Estos ajustes de los campos magnéticos se pueden efectuar periódicamente, como se describió, o de forma escalonada o continua y, eligiendo adecuadamente las corrientes correspondientes de las bobinas, se puede evitar de este modo la formación de plasmas secundarios estables.
Sólo mediante el uso del campo magnético y el aumento significativo de la intensidad del plasma logrado de este modo resulta posible, al contrario que en el estado de la técnica, realizar también a intervalos de presión bajos, por ejemplo de 10^{-1} a 1 Pa, un proceso de CVD estable para la deposición de capas de DLC puras con elevadas velocidades de deposición, comprendidas en el intervalo de 0,5 a 5, preferentemente de 1 a 4 \mum/h. Además de la corriente del sustrato, también la intensidad del plasma es directamente proporcional a la activación del campo magnético. Ambos parámetros dependen adicionalmente del tamaño de las superficies disponibles solicitadas con una polarización. Mediante la aplicación de bajas presiones de proceso se pueden depositar capas más lisas con un menor número de defectos de crecimiento, así como con una menor impurificación con elementos extraños perturbado-
res.
La velocidad de crecimiento también depende, además de los parámetros del proceso, de la carga y del dispositivo de sujeción. En ella influye especialmente que los elementos que se han de revestir giren alrededor de uno, dos o tres ejes o se sujeten en dispositivos de sujeción magnéticos, con pinzas y/o con clavijas. Asimismo es importante la masa total de los dispositivos de sujeción y la capacidad de penetración del plasma en ellos; así, por ejemplo, con unos dispositivos de sujeción de construcción ligera, por ejemplo usando platos de radios en lugar de platos rellenos de material, se alcanzan mayores velocidades de crecimiento y en total una mayor calidad de las capas.
Para aumentar adicionalmente el campo magnético que intensifica el plasma se pueden prever, adicionalmente al campo magnético longitudinal que atraviesa toda la cámara de procesos (campo lejano), otros campos magnéticos locales, los denominados campos cercanos. Resulta especialmente ventajosa una disposición en la que en las paredes colindantes con la cámara de plasma se colocan, adicionalmente al al menos un sistema de magnetrón con imanes permanentes del al menos un blanco, otros sistemas, preferentemente con imanes permanentes, que posean un efecto magnético similar o igual al al menos un sistema de magnetrón con imanes permanentes. La construcción puede ser la misma en todos los sistemas de magnetrón y de imán adicionales o, preferentemente, también se puede efectuar una inversión de las polaridades. De este modo es posible configurar los campos cercanos individuales de los sistemas de imán o de magnetrón con imanes permanentes en cierto modo como una inclusión magnética que rodea la cámara de procesos, para evitar así una absorción de los electrones libres en las paredes de la cámara de procesos.
Sólo mediante la combinación de las características esenciales del procedimiento de acuerdo con la invención es posible fabricar una capa como la descrita anteriormente. Sólo el uso de plasmas estabilizados por campos magnéticos, así como el uso coordinado de la tensión de polarización del sustrato, permiten el uso de los dispositivos de sujeción optimizados para los procesos de PVD habituales con una elevada densidad de componentes y seguridad del proceso. El procedimiento muestra cómo el desarrollo o la combinación de plasmas de corriente continua y de frecuencia media se pueden usar de manera óptima para la deposición de una capa de DLC.
Para la formación de las diferentes capas de deslizamiento se usan diferentes procedimientos.
Para la deposición de una capa de DLC grafítica, la tensión de polarización, tras aplicar la capa de DLC pura, se ajusta de forma escalonada o continua a un valor superior a 2.000 V, preferentemente entre 2.000 y 2.500 V, estando ajustados los demás parámetros del proceso esencialmente de forma igual o similar. Al aumentar la tensión, crece la proporción de átomos de C con enlace sp^{2} grafítico. De este modo se pueden conferir de manera especialmente sencilla unas propiedades de deslizamiento mejoradas a la capa de DLC pura depositada previamente.
Para la aplicación de una capa de gradiente inverso existen varias posibilidades. En el caso más sencillo, el proceso se puede realizar en primer lugar manteniendo los mismos parámetros que en la capa de DLC precedente y conectando adicionalmente uno o varios metálicos o metalocarbúricos. Sin embargo, ha resultado ventajoso reducir primero la proporción de hidrocarburo en el flujo de gas, aumentar la proporción de gas noble o realizar ambas medidas conjuntamente para evitar el envenenamiento de los blancos y, con ello, los estados inestables del proceso. Asimismo puede ser ventajoso arrancar los blancos ocultos detrás de los diafragmas inicialmente cerrados para evitar la formación de eventuales gotitas en los sustratos. A continuación se aumenta de forma escalonada o, preferentemente, continua la potencia del al menos un blanco hasta alcanzar un valor al que la capa presente determinadas propiedades de capa deseadas (coeficiente de fricción, ...). Los demás parámetros preferentemente no se alteran, aunque, si se desea, es posible realizar en cualquier momento una adaptación adicional. A continuación, el proceso se lleva hasta el final, preferentemente manteniendo el ajuste, hasta alcanzar el grosor de capa deseado de la capa de gradiente
inverso.
Otra posibilidad ventajosa para la configuración de una capa de gradiente inverso consiste en alimentar adicionalmente o en lugar del hidrocarburo gaseoso mencionado gases con contenido en silicio y/o con contenido en silicio y oxígeno y/o nitrógeno, como, por ejemplo, mono- y disilanos, siloxanos, hexametildisiloxano, hexametildisilazano, dimetildietoxisilano, tetrametilsilano, etc., para influir en las propiedades de la capa, especialmente en su dureza y su coeficiente de fricción. De este modo también es posible fabricar una capa de gradiente con, por ejemplo, un contenido en silicio, oxígeno y/o nitrógeno creciente en dirección a la superficie sin la conexión adicional de uno o varios blancos de bombardeo iónico.
La aplicación de una capa de deslizamiento en forma de capa de protección de gradiente se puede llevar a cabo bien directamente sobre una capa de DLC o bien tras la aplicación de una capa intermedia metálica o carbúrica.
Por ejemplo, para la generación de la capa de protección que reduce el rozamiento, la al menos una fuente usada para ello se conecta de forma similar a la descrita anteriormente pero tras reducir aún más, dado el caso a 0%, el contenido de carbono en el gas de proceso. Para la fabricación de la capa de protección que reduce el rozamiento se pueden usar blancos carbúricos o metálicos, ofreciendo los blancos carbúricos la ventaja de permitir en total un mayor contenido en C junto con una muy elevada capacidad de carga de las capas. El contenido en carbono grafítico se ajusta, por otra parte, por alimentación de un gas reactivo con contenido en C, aumentándose ventajosamente el flujo de gas desde el momento en que se conectan los blancos usados para la fabricación de la capa de MeC/C o un tiempo después mediante una función de rampa y manteniéndose ésta constante durante un determinado tiempo al final del revestimiento.
Una realización especialmente ventajosa de la capa consiste en depositar primero sobre la capa de DLC una capa carbúrica fina (0,01 a 0,9 \mum), como, por ejemplo, de WC. Sorprendentemente se observó que precisamente las capas carbúricas son especialmente adecuadas como agentes adherentes sobre una capa de DLC ya depositada. Hacia el exterior, la estructura de capas termina con una capa de WC/C con un contenido creciente de C y un grosor de aproximadamente 0,1 a 5 \mum. Ventajosamente, el grosor de capa de la capa de MeC/C se elige más fino que el de la capa de DLC pura.
Otra realización preferida de un sistema de capas de deslizamiento de DLC de acuerdo con la invención consiste en aplicar la capa de deslizamiento final sobre una capa de diamante depositada, por ejemplo, mediante una descarga de arco voltaico de gran amperaje/baja tensión o la técnica del filamento caliente.
Instalación
El objetivo antes mencionado se alcanza además proporcionando un dispositivo para la realización del procedimiento de revestimiento antes descrito, comprendiendo el dispositivo una cámara de vacío con un sistema de bombas para la generación de un vacío en la cámara de vacío, dispositivos de sujeción del sustrato para el alojamiento de los sustratos que se han de revestir, al menos una unidad de alimentación de gas para la dosificación del gas de proceso, al menos un dispositivo de evaporación para proporcionar el material de revestimiento para la deposición por evaporación, un dispositivo generador de arco voltaico para el encendido de un arco voltaico de baja tensión continua, un dispositivo para la generación de una tensión de polarización en el sustrato y al menos uno o varios dispositivos de generación de campos magnéticos para la formación de un campo magnético lejano.
Preferentemente, los dispositivos de generación de campos magnéticos están formados por al menos una bobina de Helmholtz, preferentemente por un par de bobinas de Helmholtz.
Cuando se usan bobinas de Helmholtz, el campo magnético o la densidad del flujo magnético que se puede generar se puede controlar en función tanto del espacio como del tiempo mediante la intensidad de corriente en las bobinas.
Otra posibilidad para la generación de un campo magnético longitudinal consiste en disponer dos magnetrones en lados opuestos del recipiente y en asignar a cada uno adicionalmente al menos una bobina electromagnética. La bobina asignada en cada caso se dispone ventajosamente de manera que limite esencialmente todo el perímetro lateral de la disposición del magnetrón. Las polaridades de los sistemas de magnetrón con imanes permanentes enfrentados se orientan diametralmente opuestas, es decir que el polo norte de un sistema se encuentra enfrente de un polo sur del otro sistema y viceversa. Al mismo tiempo, las bobinas asignadas en cada caso se conectan a una fuente de corriente de tal manera, que los campos de las bobinas inductoras se complementen según una disposición de Helmholtz para dar un campo magnético cerrado y que la polaridad de los polos exteriores de los sistemas de magnetrón con imanes permanentes y de las bobinas inductoras tenga el mismo sentido. Este tipo de dispositivos se pueden usar ventajosamente tanto para reforzar el plasma del magnetrón como para aumentar la ionización durante el proceso de CVD intensificado por plasma.
El dispositivo comprende asimismo un dispositivo para la generación de una tensión de polarización en el sustrato, que puede modificar de forma continua o escalonada la tensión de polarización aplicada en el sustrato y que también se puede hacer funcionar correspondientemente de forma bipolar o unipolar. El dispositivo es especialmente adecuado para generar una tensión de polarización en el sustrato pulsada en el intervalo de frecuencias medias.
Los dispositivos de evaporación usados en el dispositivo comprenden blancos de bombardeo catódico, especialmente blancos de bombardeo catódico asistido por magnetrón, fuentes de arco voltaico, evaporadores térmicos y similares. Resulta ventajoso que el dispositivo de evaporación se pueda separar del resto de la cámara de procesos, por ejemplo mediante diafragmas virables.
El dispositivo presenta ventajosamente una calefacción para el sustrato en forma de una calefacción inductiva, calefacción por radiación o similares, para poder limpiar los sustratos en un paso de calentamiento previo al revestimiento. No obstante, se prefiere usar el encendido de un plasma.
Para ello, entre otras cosas, se prevé en el dispositivo un dispositivo de generación de arco voltaico de baja tensión que comprende una fuente de iones con un filamento, preferentemente un filamento refractario, en especial de wolframio, tántalo o similares, en una cámara de ionización, así como un ánodo y un bloque de alimentación de tensión continua. La fuente de iones está unida en este caso con el polo negativo del bloque de alimentación de tensión continua. Preferentemente, el polo positivo del bloque de alimentación de tensión continua puede estar unido opcionalmente con el ánodo o los dispositivos de sujeción del sustrato, de manera que se puede encender un arco voltaico de baja tensión entre la fuente de iones y el ánodo o la fuente de iones y los sustratos. También la fuente de iones se puede separar de la cámara de procesos propiamente dicha de forma similar al dispositivo de evaporación, por ejemplo mediante un diafragma perforado, por ejemplo de wolframio, tántalo o un metal refractario similar.
Para permitir un proceso de revestimiento uniforme en todas las caras de los sustratos, está previsto asimismo que los dispositivos de sujeción del sustrato sean móviles y puedan girar preferentemente alrededor de al menos uno o varios ejes.
Mediante la combinación ventajosa del bloque de alimentación de tensión de frecuencia media en el sustrato y la disposición de bobinas de Helmholtz, que también se puede realizar mediante bobinas dispuestas lateralmente que comprenden dos blancos enfrentados, resulta posible por primera vez a escala industrial usar también a bajas presiones un plasma de frecuencia media estable para la realización de un proceso de DLC. Las capas así fabricadas presentan una propiedades considerablemente mejoradas respecto a las de otras capas de DLC fabricadas con otros siste-
mas.
Con la presente instalación de revestimiento y el procedimiento antes descrito se pueden fabricar por primera vez capas de DLC puras gruesas con una excelente adherencia. Adicionalmente, una gran parte de los procedimientos intensificados por plasma conocidos hasta ahora también se puede realizar, modificando los parámetros del procedimiento, para la fabricación de capas de metal/carbono o mixtas con otros elementos, como, por ejemplo, silicio o F, y para la fabricación de multicapas o de sistemas de capas sencillos conocidos, depositados mediante procedimientos de PVD y/o CVD.
Además se pueden depositar adicionalmente sistemas de capas de deslizamiento de DLC en las que se puede ajustar el comportamiento de deslizamiento y de rodaje.
Las reivindicaciones adjuntas a la descripción contienen otras ventajas, propiedades y características de los sistemas de capas de deslizamiento de DLC.
Otras ventajas, propiedades y características de la invención se desprenden de la siguiente descripción detallada de formas de realización preferidas mediante los dibujos adjuntos. Las figuras muestran todas de manera puramente esquemática:
la Figura 1 un corte transversal de un dispositivo de acuerdo con la invención
la Figura 2 una vista en planta desde arriba del dispositivo de acuerdo con la invención de la Figura 1
la Figura 3 la influencia de la corriente de la bobina sobre la corriente del sustrato
la Figura 4 los parámetros de proceso de la capa de gradiente
la Figura 5 los parámetros de proceso de la capa de DLC
la Figura 6 una imagen de microscopía electrónica de barrido de una rotura de una capa de DLC de acuerdo con la invención
la Figura 7 los parámetros del proceso completo
la Figura 8 los parámetros de proceso de la capa de DLC grafítica
la Figura 9 los parámetros de proceso de la capa de gradiente inverso
la Figura 10 los parámetros de proceso de la capa de gradiente
la Figura 11 los parámetros de proceso de la capa rica en H_{2}.
La Fig. 1 muestra un corte transversal esquemático a través de la cámara de procesos 1 de una instalación de revestimiento de acuerdo con la invención. Los elementos 2 que se han de revestir están montados en uno o varios dispositivos de sujeción 3 que comprenden medios para la generación de una rotación de los elementos alrededor de al menos un eje 4, en caso necesario también alrededor de dos ejes 5. En una realización especialmente ventajosa, los dispositivos de sujeción 3 se colocan en un carrusel 7 que puede girar adicionalmente alrededor del eje 6 de la instalación.
A través de las entradas 8 de gas se pueden alimentar en la cámara de procesos los diferentes gases de proceso, especialmente Ar y acetileno, mediante dispositivos reguladores adecuados no representados.
En la cámara está abridada una estación de bombeo 9 adecuada para crear alto vacío.
Preferentemente, en la zona del eje de la instalación está dispuesta una fuente de iones 10 que está conectada a la salida negativa de un bloque de alimentación de tensión continua 11. Según el paso de proceso del que se trate, el polo positivo del bloque de alimentación de tensión continua 11 se puede conectar, a través de un interruptor 12, bien al carrusel 7 o al dispositivo de sujeción 3 y, de este modo, a los elementos 2 conectados eléctricamente (proceso de calentamiento), o bien al ánodo auxiliar 13 (proceso de corrosión o, en caso necesario, también durante los procesos de revestimiento).
En las paredes de la cámara de procesos 1 está prevista al menos una fuente de evaporación 14, preferentemente un magnetrón o un evaporador de arco voltaico, para la aplicación de las capas adherente y de gradiente. En otra forma de realización no representada de la fuente de evaporación 14, ésta puede estar dispuesta en el centro del fondo de la cámara de procesos 1 en forma de crisol conectado al ánodo. De este modo, el material que se ha de evaporar para la fabricación de la capa de transición o de gradiente pasa a la fase gaseosa por calentamiento mediante los arcos voltaicos 15 de baja tensión.
Asimismo está previsto un bloque de alimentación de tensión eléctrica 16 adicional con cuya ayuda se puede aplicar a los sustratos una tensión de frecuencia media que puede variar periódicamente en el intervalo de 1 a 10.000, preferentemente de 20 a 250 kHz.
Las bobinas electromagnéticas 17 para la generación de un campo magnético longitudinal que atraviesa el espacio del plasma están dispuestas en las paredes de limitación enfrentadas de la cámara de procesos 1 y son alimentadas en el mismo sentido por al menos una, preferentemente dos fuentes de tensión DC separadas, no representadas con más de detalle.
Todos los ensayos de revestimiento se realizaron en una cámara de procesos realizada de forma similar a la de la Fig. 1, con las siguientes dimensiones:
Altura de la cámara 920 mm, diámetro 846 mm, volumen 560 l.
Como medidas adicionales para la intensificación y/o la formación más uniforme del campo magnético y, con ello, del plasma 18 de FM, se pueden montar en las paredes laterales 19 de la cámara de plasma 1 sistemas de imanes 20 para la generación de varios campos magnéticos cercanos 21. Para ello se disponen ventajosamente, incluyendo dado el caso el al menos un sistema de magnetrón con imanes permanentes 22 como se representa, por ejemplo, en la Fig. 2, sistemas de imanes alternantes con polaridad NSN o SNS, provocando de este modo una inclusión magnética del plasma en forma de túneles y bucles en la cámara de procesos.
Preferentemente, los sistemas de imanes 20 para la generación de campos cercanos se configuran en forma de sistemas de magnetrón con imanes permanentes.
Los sistemas individuales de la instalación de revestimiento ventajosamente se ponen en relación entre sí a través de un mando de procesos. De este modo resulta posible adaptar de manera flexible, además de las funciones básicas de una instalación de revestimiento al vacío (control de la estación de bombeo, circuitos de regulación de seguridad, etc.), los diferentes sistemas generadores de plasma, tal como los magnetrones, con el bloque de alimentación del magnetrón no descrito con más detalle, la cámara de ionización 1 y el ánodo auxiliar 13 y/o el carrusel 7 y el bloque de alimentación de tensión continua 11, así como el carrusel 7 y el generador de frecuencias medias 16, así como el ajuste correspondiente de los flujos de gas, así como el control de las corrientes, dado el caso diferentes, de las bobinas, y optimizarlos para diferentes procesos.
La Figura 3 muestra la relación entre la corriente del sustrato y la corriente de las bobinas cuando se usan bobinas de Helmholtz para la generación de un campo magnético. Se aprecia que la corriente del sustrato y, con ello, la intensidad del plasma son directamente proporcionales a la corriente de las bobinas y, por lo tanto, a la generación del campo magnético. Esto muestra claramente el efecto positivo de un campo magnético superpuesto.
En la Figura 4 se representa a modo de ejemplo el curso de los diferentes parámetros durante la aplicación de una capa de gradiente: La polarización del sustrato pasa de corriente continua a frecuencia media, con una amplitud de tensión de 500 a 2.500 V y una frecuencia de 20 a 250 kHz, permaneciendo los demás parámetros constantes respecto a los de la capa adherente. Al cabo de aproximadamente 2 minutos se inicia una rampa de acetileno en 50 sccm y se lleva en aproximadamente 30 minutos a 350 sccm. Aproximadamente 5 minutos después de conectar el generador de frecuencia media, la potencia del blanco de Cr usado se reduce a 7 kW y al cabo de otros 10 minutos más, a 5 kW, en los que se mantiene constante durante 2 minutos. A continuación se colocan diafragmas delante de los blancos y éstos se desconectan, comenzando la deposición de la capa de DLC "pura" compuesta esencialmente por carbono, pequeñas cantidades de hidrógeno y cantidades aún más pequeñas de átomos de argón.
En el caso más sencillo, el proceso se puede terminar con las fuentes de aplicación por evaporación desconectadas pero, por lo demás, con los mismos parámetros que en la capa de gradiente precedente. No obstante, ha resultado ventajoso aumentar la proporción de hidrocarburo en el flujo de gas durante la deposición de la capa de DLC pura, reducir la proporción de gas noble o, muy preferentemente, realizar ambas medidas conjuntamente. También en este caso la generación de un campo magnético longitudinal como se describió anteriormente tiene de nuevo una importancia especial para el mantenimiento de un plasma estable.
En las Figuras 4 y 5 se representa a modo de ejemplo el curso de los diferentes parámetros durante la aplicación de la capa de DLC pura: Después de desconectar los blancos de Cr usados, la rampa de acetileno comenzada durante la capa de gradiente se aumenta uniformemente en aproximadamente 10 minutos hasta una flujo de aproximadamente 200 a 400 sccm, permaneciendo constantes el ajuste del bloque de alimentación de frecuencia media y el flujo de argón. A continuación se reduce el flujo de argón de forma continua en un plazo de 5 minutos hasta una flujo de aproximadamente 0 a 100 sccm. El proceso se termina en los próximos 55 minutos manteniendo los ajustes constantes.
La Figura 6 muestra una imagen de microscopía electrónica de barrido de una superficie de rotura de un sistema de capas de DLC de acuerdo con la invención. Se puede apreciar claramente que en la zona de la capa de protección formada por carbono parecido al diamante está presente una estructura de grano fino, de manera que la capa de DLC presenta un carácter policristalino.
La Figura 7 muestra a modo de ejemplo el curso completo de los diferentes parámetros del proceso durante la aplicación de un sistema de capas de DLC de acuerdo con la invención.
La Figura 8 muestra a modo de ejemplo el curso completo de los diferentes parámetros del proceso durante la aplicación de un sistema de capas de deslizamiento de DLC de acuerdo con la invención con una capa de deslizamiento grafítica. Para ello, después de aplicar la capa de DLC, por ejemplo después de un tiempo de revestimiento de 33 a 60 minutos, dependiendo del grosor de capa deseado, la polarización pulsada del sustrato se ajusta mediante una rampa de tensión a un valor comprendido entre 1.500 y 2.500 V y a continuación se deposita en condiciones constantes una capa de rodaje, permaneciendo constantes los demás parámetros del proceso.
La Figura 9 muestra a modo de ejemplo el curso completo de los diferentes parámetros del proceso durante la aplicación de un sistema de capas de deslizamiento de DLC de acuerdo con la invención con una capa de gradiente inverso. Para ello, después de aplicar la capa de DLC, por ejemplo después de un tiempo de revestimiento de 33 a 60 minutos, dependiendo del grosor de capa deseado, el al menos un blanco se limpia por bombardeo catódico durante 10 minutos a una potencia de 5 kW detrás de los diafragmas cerrados, a continuación se abren los diafragmas y en un plazo de aproximadamente 20 minutos se aumenta a 7 kW. Al mismo tiempo se inicia la rampa de acetileno, por ejemplo en 350 sccm, y se lleva a 50 sccm en un plazo de aproximadamente 30 minutos. A continuación, el proceso se termina, preferentemente manteniendo los ajustes constantes, hasta alcanzar el grosor de capa deseado de la capa de rodaje.
La Figura 10 muestra a modo de ejemplo el curso de los diferentes parámetros del proceso durante la aplicación de una capa de gradiente como capa de deslizamiento. Ésta se puede realizar de forma similar a la capa de transición, aunque también sin capa adherente metálica. Ventajosamente, también en este caso se prevé como terminación de la capa una capa de rodaje con parámetros constantes.
La Figura 11 muestra a modo de ejemplo el curso completo de los diferentes parámetros del proceso durante la aplicación de un sistema de capas de deslizamiento de DLC de acuerdo con la invención con una capa de deslizamiento rica en H_{2}. Para ello, tras aplicar la capa de DLC, se inicia una rampa de metano y se lleva de 0 a 100 sccm en un plazo de, por ejemplo, aproximadamente 30 minutos. Al mismo tiempo se inicia una rampa de acetileno, por ejemplo en 350 sccm, y se reduce a 120 sccm en un plazo de aproximadamente 30 minutos. La capa de rodaje se realiza con parámetros constantes como terminación de la capa.
Realización de la invención mediante ejemplos
Ejemplo de proceso 1
Proceso de calentamiento
La cámara de procesos se evacua con bomba hasta una presión de aproximadamente 10^{-3} Pa y se inicia el ciclo de procesos. Como primera parte del proceso se realiza un proceso de calentamiento para llevar los sustratos que se han de revestir a una temperatura más elevada y eliminar las sustancias volátiles de la superficie. En este proceso se enciende un plasma de Ar-hidrógeno entre la cámara de ionización y un ánodo auxiliar mediante el arco voltaico de baja tensión. La siguiente Tabla 1 muestra los parámetros del proceso de calentamiento:
Flujo de Ar 75 sccm
Tensión de polarización del sustrato [V] 0
Corriente del arco voltaico de baja tensión 100 A
Flujo de hidrógeno 170 sccm
Corriente de la bobina superior pulsante entre 20 y 10 A
Corriente de la bobina inferior diametralmente opuesta, pulsante entre 20 y 5 A
Duración del periodo entre las corrientes máx. y mín. 1,5 min
de las bobinas
Tiempo de calentamiento 20 min
Las bobinas de Helmholtz se usan para la activación del plasma y se regulan cíclicamente. La corriente de la bobina superior se varía entre 20 y 10 A, con una duración del periodo de 1,5 min, y la corriente de la bobina inferior cambia al mismo ritmo y de forma diametralmente opuesta entre 5 y 20 A.
Durante este proceso, los sustratos se calientan y las sustancias volátiles perturbadoras adherentes a las superficies son expulsadas a la atmósfera gaseosa, en la que son aspiradas por las bombas de vacío.
Proceso de corrosión
Una vez alcanzada una temperatura homogénea, se inicia un proceso de corrosión en el que los iones del arco voltaico de baja tensión son arrastrados hacia los sustratos mediante una tensión de polarización negativa de 150 V. La orientación del arco voltaico de baja tensión y la intensidad del plasma se refuerzan mediante el par de bobinas de Helmholtz colocado en dirección horizontal. La siguiente tabla muestra los parámetros del proceso de corrosión.
\vskip1.000000\baselineskip
Flujo de Ar 75 sccm
Tensión del sustrato -150 V
Intensidad del arco voltaico de baja tensión 150 A
\vskip1.000000\baselineskip
Capa adherente de Cr
Se comienza con la aplicación de la capa adherente de Cr activando los blancos de bombardeo catódico de Cr asistido por magnetrón. El flujo de gas Ar se ajusta a 115 sccm. Los blancos de bombardeo catódico de Cr se excitan con una potencia de 8 kW y los sustratos se hacen rotar por delante de los blancos durante un periodo de tiempo de 6 min. El intervalo de presiones que se ajusta se encuentra después entre 10^{-1} Pa y 10^{-2} Pa. El proceso de deposición por bombardeo catódico se refuerza mediante la conexión adicional de un arco voltaico de baja tensión y la aplicación de una tensión de polarización DC negativa de 75 V en el sustrato.
Transcurrida la mitad del tiempo de deposición por bombardeo catódico de Cr, el arco voltaico de baja tensión se desconecta y la deposición se efectúa durante el resto del tiempo de deposición por bombardeo catódico de Cr únicamente con la ayuda del plasma activo delante de los blancos de Cr.
Capa de gradiente
Una vez transcurrido este tiempo, se enciende un plasma por conexión de un generador de ondas sinusoidales, se alimenta acetileno gaseoso con una presión inicial de 50 sccm y el flujo se aumenta 10 sccm cada minuto.
El generador de plasma sinusoidal se ajusta a una amplitud de tensión de 2.400 V, con una frecuencia de 40 kHz. El generador enciende una descarga de plasma entre los dispositivos de sujeción del sustrato y la pared de la cámara. Las bobinas de Helmholtz montadas en el recipiente están activadas ambas con un paso de corriente constante de 3 A en la bobina inferior y de 10 A en la bobina superior. Los blancos de Cr se desactivan a un flujo de acetileno de 230 sccm.
Revestimiento de DLC
Cuando el flujo de acetileno haya alcanzado el valor de 350 sccm, el flujo de Ar se reduce a un valor de 50 sccm.
La tabla muestra en resumen los parámetros del ejemplo:
Flujo de argón 50 sccm
Flujo de acetileno 350 sccm
Intensidad de excitación de la bobina superior 10 A
Intensidad de excitación de la bobina inferior 3 A
Amplitud de tensión 2.400 V
Frecuencia de excitación f 40 kHz
En estas condiciones queda garantizada una alta velocidad de deposición, y la ionización del plasma se mantiene con la ayuda del gas Ar. La velocidad de deposición que se ajusta ahora en el proceso de revestimiento se encuentra en el intervalo de 0,5 a 4 \mum/h, que también depende de la superficie que se haya de revestir en la cámara de procesos.
Una vez transcurrido el tiempo de revestimiento, se desconectan el generador de ondas sinusoidales y el flujo de gas y se extraen los sustratos de la cámara de procesos.
Las propiedades de la capa generada se exponen en la siguiente tabla.
Propiedades ejemplo 1
Microdureza aproximadamente 2.200 HK
Velocidad de deposición 1-2 \mum/h
Adherencia HF1
Resistencia < 10 k\Omega
Contenido en hidrógeno 12%
Coeficiente de fricción 0,2
Tensión interna aproximadamente 2 GPa
Comportamiento de rotura no vítreo
Ejemplo de proceso 2
El ejemplo de proceso 2 prevé una realización similar a la del ejemplo 1. A diferencia del ejemplo 1, el plasma se genera mediante un generador de impulsos. La frecuencia de excitación se encuentra en 50 kHz, con una amplitud de tensión de 700 V.
La tabla muestra los parámetros del ejemplo 2.
\vskip1.000000\baselineskip
Flujo de argón 50 sccm
Flujo de acetileno 350 sccm
Intensidad de excitación de la bobina superior 10 A
Intensidad de excitación de la bobina inferior 3 A
Amplitud de tensión 700 V
Frecuencia de excitación f 40 kHz
\vskip1.000000\baselineskip
El revestimiento generado presenta una dureza de 25 GPa, un poder adherente de HF1 y un coeficiente de fricción de 0,2.
\vskip1.000000\baselineskip
Propiedades ejemplo 2
HK aproximadamente 2.400
Velocidad de deposición aproximadamente 1,5 \mum/h
Adherencia HF1
Resistencia > 500 k\Omega
Contenido en hidrógeno 13%
Coeficiente de fricción 0,2
Tensión interna aproximadamente 3 GPa
\vskip1.000000\baselineskip
Ejemplo de proceso 3
El ejemplo de proceso 3 prevé una realización similar a la del ejemplo 1. A diferencia del ejemplo 1, el plasma se excita mediante una tensión pulsada unipolar; la siguiente tabla muestra los parámetros del ensayo.
\vskip1.000000\baselineskip
Flujo de argón 50 sccm
Flujo de acetileno 350 sccm
Intensidad de excitación de la bobina superior 10 A
Intensidad de excitación de la bobina inferior 3 A
Amplitud de tensión 1.150 V
Frecuencia de excitación f 30 kHz
\vskip1.000000\baselineskip
El revestimiento generado presenta las propiedades descritas en la siguiente tabla.
Propiedades ejemplo 3
Microdureza > 2.500 HK
Velocidad de deposición aproximadamente 1,8 \mum/h
Adherencia HF1
Resistencia > 1 k\Omega
Contenido en hidrógeno 12-16%
Coeficiente de fricción 0,2
Tensión interna aproximadamente 2 GPa
Ejemplo de proceso 4
En comparación con el ejemplo de proceso 1, en el ejemplo 4 se realizó un proceso sin el refuerzo con un campo magnético longitudinal. La corriente que fluye a través de las dos bobinas se redujo a un valor de 0 A. La tabla muestra los parámetros del proceso.
Flujo de argón 50 sccm
Flujo de acetileno 350 sccm
Intensidad de excitación de la bobina superior 0 A
Intensidad de excitación de la bobina inferior 0 A
Amplitud de tensión 2.400 V
Frecuencia de excitación f 40 kHz
Se ajusta un plasma que, respecto al ejemplo 1, sólo es estable a presiones superiores a las del ejemplo 1, no está distribuido homogéneamente a lo largo de la cámara de procesos y se ve influenciado muy intensamente por efectos geométricos. Por este motivo, en la cámara de procesos se obtiene una velocidad de deposición no homogénea y más baja que en el ejemplo 1 debido a la presión de proceso ajustada. A las presiones de proceso pretendidas no fue posible la formación del plasma sin el uso de una segunda fuente de plasma, como, por ejemplo, un blanco o la conexión adicional del filamento. Sólo mediante el uso de las bobinas de Helmholtz se pudo estabilizar el plasma en la cámara de procesos y lograr una deposición homogénea en toda la altura de la cámara de procesos. Sin el uso de las bobinas se encendió un plasma en la zona de la cámara de ionización, en la que se generan localmente altas temperaturas y se han de temer daños.
Propiedades ejemplo 4
HK no homogénea, 1.200-2.500
Velocidad de deposición no homogénea
Adherencia no se puede determinar
Resistencia no homogénea
Sistemas de capas de deslizamiento
A continuación se aplicaron sobre las capas de DLC descritas anteriormente diferentes capas de deslizamiento para fabricar un sistema de capas de acuerdo con la invención. Se ha de prestar atención a que el proceso que incluye todos los pretratamientos del plasma y pasos de revestimiento se efectúe de forma continua y sin interrupción del vacío para lograr una adherencia óptima de la capa.
La Tabla 5 muestra diferentes ejemplos de proceso con una capa de deslizamiento grafitada en cada caso:
Ejemplo de proceso 5 6 7
Sistema de capas de DLC del ejemplo como 1 pero con una ampl. 2 3
de tensión de 1.000 V
Flujo de argón 50 sccm 50 sccm 50 sccm
Flujo de acetileno 350 sccm 350 sccm 350 sccm
Intensidad de excitación de la bobina superior 10 A 10 A 10 A
Intensidad de excitación de la bobina inferior 3 A 3 A 3 A
Amplitud de tensión del sustrato 2.400 V 2.400 V 2.400 V
Rampa de tensión 15 min 25 min 15 min
Frecuencia de excitación f 40 kHz 40 kHz 30 kHz
Tipo de excitación AC sinusoidal impulso bipolar impulso unipolar
\vskip1.000000\baselineskip
La Tabla 6 muestra diferentes posibilidades para la configuración de una capa de deslizamiento, como, por ejemplo, una capa de gradiente terminal (nº 8), una capa de gradiente inverso (nº 9) o una capa de C rica en hidrógeno
(nº 10):
\vskip1.000000\baselineskip
Ejemplo de proceso 8* 9 10
Capa de DLC nº 3 2 2
Flujo de argón 1 30 sccm 50 sccm 50 sccm
Flujo de argón 2 30 (100) sccm - -
Rampa de argón 0 (10) min - -
Flujo de acetileno 1 0 sccm 350 sccm 350 sccm
Flujo de acetileno 2 250 sccm 180 sccm 150 sccm
Rampa de acetileno 15 min 20 min 20 min
Flujo de metano 1 - - 0 sccm
Flujo de metano 2 - - 150 sccm
Rampa de metano - - 20 min
Potencia del blanco de Cr 1 8 kW 7 kW -
Potencia del blanco de Cr 2 7 kW - -
Rampa del blanco de Cr 20 min 30 min -
Intensidad de excitación de la bobina superior 10 A 10 A 10 A
Intensidad de excitación de la bobina inferior 3 A 3 A 3 A
(Continuación)
Ejemplo de proceso 8* 9 10
Amplitud de tensión del sustrato 2.400 V 700 V 1.150 V
Frecuencia de excitación f 40 kHz 40 kHz 30 kHz
Tipo de excitación AC sinusoidal impulso bipolar impulso unipolar
* \begin{minipage}[t]{155mm} La rampa de acetileno también se puede iniciar con un retraso temporal de 5 a 10 min después de conectar los blancos de Cr. Este modo de proceder es especialmente ventajoso cuando las capas de DLC y de deslizamiento se aplican en diferentes cámaras de procesos o instalaciones de revestimiento. En este caso también se puede usar una fuente de tensión continua en lugar del generador de ondas sinusoidales para la aplicación de la polarización del sustrato. \end{minipage}
La proporción de grafito se puede aumentar además conectando simultáneamente, o también con retraso, un co-bombardeo catódico de blancos carbúricos, por ejemplo de WC y/o de grafito. Si se quieren aprovechar las propiedades de deslizamiento especialmente buenas de las capas de W y/o Ta o Nb/C, resulta ventajoso desconectar o reducir los blancos de Cr tras la formación de una capa adherente o de gradiente y terminar el proceso sólo con los blancos metálicos o de carburo metálico correspondientes.
Las propiedades de las capas de DLC correspondientes se desprenden de la Tabla 8.
Ensayo nº 5 6 7
Adherencia HF 1 HF 1 HF 1
Resistencia < 100 k\Omega < 100 k\Omega < 100 k\Omega
Coeficiente de fricción aproximadamente 0,10 aproximadamente 0,15 aproximadamente 0,12
y de la Tabla 9:
Ensayo nº 8 9 10
Adherencia HF 1 HF 1 HF 1
Resistencia < 1 k\Omega < 1 k\Omega < 100 k\Omega
Contenido en hidrógeno n.d. n.d. < 30% en átomos
Coeficiente de fricción aproximadamente 0,08 aproximadamente 0,07 aproximadamente 0,13
Lista de símbolos de referencia
1.
Cámara de procesos
2.
Elementos que se han de revestir
3.
Dispositivo de sujeción
4.
Rotación alrededor de un eje
5.
Rotación alrededor de dos ejes
6.
Eje de la instalación
7.
Carrusel
8.
Entrada de gas
9.
Estación de bombeo
10.
Fuente de iones
11.
Bloque de alimentación de tensión continua
12.
Interruptor
13.
Ánodo auxiliar
14.
Fuente de evaporación
15.
Arco voltaico de baja tensión
16.
Bloque de alimentación de tensión
17.
Bobina electromagnética
18.
Plasma de FM
19.
Pared lateral
20.
Sistemas de imanes
21.
Campos cercanos
22.
Sistemas de magnetrón con imanes permanentes

Claims (25)

1. Sistema de capas para la protección contra el desgaste, la protección anticorrosiva y para mejorar las propiedades de deslizamiento y similares sobre un sustrato, con una capa adherente para la disposición sobre un sustrato, una capa de transición para la disposición sobre la capa adherente y una capa de DLC o de diamante, caracterizado porque sobre la capa de DLC o de diamante está dispuesta una capa de deslizamiento cuya composición química difiere de la de la capa de DLC o de diamante.
2. Sistema de capas según la reivindicación 1, caracterizado porque la proporción de los enlaces sp^{2} o la relación sp^{2}/sp^{3} es mayor en la capa de deslizamiento que en la capa de DLC o de diamante.
3. Sistema de capas según una de las reivindicaciones 1 y 2, caracterizado porque el contenido de hidrógeno en la capa de deslizamiento está aumentado respecto al contenido de hidrógeno en la capa de DLC o de diamante y el contenido en carbono está reducido.
4. Sistema de capas según la reivindicación 3, caracterizado porque la capa de deslizamiento comprende un contenido en hidrógeno de 20 a 60% en átomos, preferentemente de 30 a 50% en átomos.
5. Sistema de capas según una de las reivindicaciones 2 a 4, caracterizado porque la modificación de las relaciones de enlaces o el aumento del hidrógeno se lleva a cabo de forma escalonada o continua a lo largo del grosor de la capa de deslizamiento.
6. Sistema de capas según la reivindicación 1, caracterizado porque el contenido de metal en la capa de deslizamiento está aumentado respecto al contenido de metal en la capa de DLC o de diamante.
7. Sistema de capas según la reivindicación 6, caracterizado porque el contenido en metal aumenta de forma escalonada o, preferentemente, continua a lo largo de la capa de deslizamiento y el contenido en carbono sin embargo disminuye.
8. Sistema de capas según las reivindicaciones 5 y 6, caracterizado porque a continuación de la capa de DLC o de diamante está dispuesta primero una capa con un alto contenido en metal, preferentemente una capa metálica o carbúrica, y a continuación una capa con un contenido decreciente de metal y un contenido creciente de carbono.
9. Sistema de capas según una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque en la zona próxima a la superficie de la capa de deslizamiento está dispuesta una zona de capa con una composición química constante.
10. Sistema de capas según una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el coeficiente de fricción de la superficie de la capa de deslizamiento es inferior a \mu = 1,5, preferentemente inferior a \mu = 1,0, y la adherencia del sistema de capas es mejor que 3 HF, en especial mejor que 2 HF.
11. Sistema de capas según una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa de transición presenta un grosor que constituye entre el 5 y el 60%, en especial entre el 10 y el 50% del grosor total de la capa.
12. Sistema de capas según una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa adherente, la capa de transición, la capa de DLC o de diamante y/o la capa de deslizamiento comprenden adicionalmente hidrógeno y/o impurezas inevitables, comprendiendo las impurezas inevitables gases nobles, en especial argón y xenón.
13. Sistema de capas según una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa de DLC o de diamante presenta un grosor de 0,5 \mum a 20 \mum, preferentemente de 0,7 \mum a 10 \mum.
14. Sistema de capas según una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa de deslizamiento presenta un grosor de 0,05 \mum a 10 \mum, preferentemente de 0,5 \mum a 5 \mum.
15. Sistema de capas según una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa de DLC o de diamante consta de carbono parecido al diamante con una estructura de capa de grano fino o de diamante nanocristalino.
16. Sistema de capas según una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa de deslizamiento está aplicada sobre un sistema de capas de DLC.
17. Procedimiento para la fabricación de un sistema de capas, en especial según una de las reivindicaciones 1 a 16, sobre un sustrato, caracterizado porque el procedimiento comprende los siguientes pasos de proceso:
a)
Introducción del sustrato en una cámara de vacío y evacuación por bomba hasta alcanzar un vacío con una presión inferior a 10^{-1} Pa, preferentemente 10^{-3} Pa,
b)
limpieza de la superficie del sustrato,
c)
deposición de la capa adherente sobre el sustrato por evaporación intensificada por plasma,
d)
aplicación de la capa de transición sobre la capa adherente mediante la deposición simultánea de los componentes de la capa adherente por evaporación intensificada por plasma y la deposición de carbono en fase gaseosa,
e)
aplicación de la capa de DLC o de diamante sobre la capa de transición mediante la deposición intensificada por plasma de carbono en fase gaseosa,
f)
aplicación de la capa de deslizamiento sobre la capa de DLC o de diamante por deposición de carbono en fase gaseosa,
en el que durante al menos los pasos de procedimiento c), d), e) y f) se aplica al sustrato una tensión de polarización y durante al menos los pasos de procedimiento d) y e) y, preferentemente, también f) se estabiliza el plasma mediante un campo magnético.
18. Procedimiento según la reivindicación 17, caracterizado porque durante al menos uno de los pasos de proceso b) a f) se aplica al sustrato una tensión de polarización bipolar o unipolar sinusoidal o de forma diferente que está pulsada a una frecuencia media comprendida en el intervalo de 1 a 10.000 kHz, preferentemente de 20 a 250 kHz.
19. Procedimiento según una de las reivindicaciones 17 y 18, caracterizado porque durante al menos uno de los pasos de proceso b) a f), preferentemente durante al menos los pasos de proceso d) y e), se aplica un campo magnético longitudinal que incluye los sustratos y que presenta un desarrollo uniforme de las líneas de flujo, pudiendo modificarse el campo magnético de forma continua o escalonada en el tiempo y/o en el espacio.
20. Procedimiento según una de las reivindicaciones 17 a 19, caracterizado porque la capa de transición y la capa de deslizamiento se forman mediante la deposición simultánea por evaporación de al menos un elemento del grupo que contiene los elementos de los grupos IVb, Vb y VIb y silicio y la deposición intensificada por plasma de carbono en fase gaseosa, usándose como gas de reacción un gas con contenido en carbono, preferentemente un hidrocarburo gaseoso, en especial acetileno.
21. Procedimiento según una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque para la deposición de la capa de deslizamiento se aplica primero una capa con contenido en metal, preferentemente una capa metálica o carbúrica, sobre la capa de DLC o de diamante y se aumenta la proporción de la deposición de carbono de forma escalonada o continua en dirección a la superficie a medida que aumenta el grosor de la capa de deslizamiento.
22. Procedimiento según las reivindicaciones 17 a 21, caracterizado porque a medida que aumenta el grosor de la capa de deslizamiento, se reduce la proporción de la deposición de carbono de forma escalonada o continua en dirección a la superficie y se aumenta la proporción de la deposición de metal o de hidrógeno.
23. Procedimiento según una de las reivindicaciones 17 a 22, caracterizado porque la capa de DLC o de diamante se genera mediante la deposición CVD intensificada por plasma de carbono en fase gaseosa, usándose como gas de reacción un gas con contenido en carbono, preferentemente un hidrocarburo gaseoso, en especial acetileno.
24. Procedimiento según una de las reivindicaciones 17 a 23, caracterizado porque los pasos de proceso b) a f) se realizan a una presión de 10^{-2} Pa a 1 Pa.
25. Dispositivo para el revestimiento de uno o varios sustratos, en especial para la realización del procedimiento de revestimiento según una de las reivindicaciones 17 a 24, con una cámara de vacío (1) con un sistema de bombeo (9) para la generación de un vacío en la cámara de vacío (1), dispositivos de sujeción del sustrato (3) para el alojamiento de los sustratos que se han de revestir, al menos una unidad de alimentación de gas (8) para la dosificación del gas de proceso, al menos un dispositivo de evaporación (14) para proporcionar el material de revestimiento para la deposición por evaporación, un dispositivo generador de un arco voltaico (10, 143) para el encendido de un arco voltaico de baja tensión continua, un dispositivo (16) para la generación de una tensión de polarización en el sustrato y al menos uno o varios dispositivos generadores de un campo magnético (17) para la formación de un campo magnético lejano, en el que el dispositivo para la generación de una tensión de polarización en el sustrato está configurado de tal manera, que presenta medios para la modificación continua o escalonada de la tensión de polarización del sustrato en cuanto al signo y/o la magnitud de la tensión de polarización aplicada en el sustrato y medios para el funcionamiento con una frecuencia bipolar o unipolar comprendida preferentemente en el intervalo de frecuencias medias, y en el que el dispositivo generador de un campo magnético para la formación de un campo magnético lejano comprende al menos dos bobinas electromagnéticas, caracterizado porque las bobinas electromagnéticas encierran lateralmente uno de los dos dispositivos de magnetrón dispuestos uno enfrente del otro, estando las polaridades de los sistemas de magnetrón con imanes permanentes enfrentados definidos y orientados de tal manera, que el polo norte de uno de los sistemas se encuentre enfrente del polo sur del otro sistema y estando al mismo tiempo las bobinas asignadas en cada caso conectadas a una fuente de corriente de tal manera, que los campos de las bobinas inductoras se complementen para dar un campo magnético cerrado y la polaridad de los polos exteriores de los sistemas de magnetrón con imanes permanentes y de las bobinas inductoras tenga el mismo sentido.
ES00993868T 2000-04-12 2000-12-27 Sistema de capas de dlc y procedimiento para la fabricacion de un sistema de capas de este tipo. Expired - Lifetime ES2252092T3 (es)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10018143A DE10018143C5 (de) 2000-04-12 2000-04-12 DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems
DE10018143 2000-04-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2252092T3 true ES2252092T3 (es) 2006-05-16

Family

ID=7638477

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES00993868T Expired - Lifetime ES2252092T3 (es) 2000-04-12 2000-12-27 Sistema de capas de dlc y procedimiento para la fabricacion de un sistema de capas de este tipo.
ES03014612T Expired - Lifetime ES2244870T3 (es) 2000-04-12 2000-12-27 Procedimiento y dispositivo para la fabricacion de un sistema de capas dlc.

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES03014612T Expired - Lifetime ES2244870T3 (es) 2000-04-12 2000-12-27 Procedimiento y dispositivo para la fabricacion de un sistema de capas dlc.

Country Status (12)

Country Link
US (5) US6740393B1 (es)
EP (2) EP1362931B2 (es)
JP (1) JP4849759B2 (es)
KR (1) KR100762346B1 (es)
AT (2) ATE311483T1 (es)
AU (1) AU2844001A (es)
BR (1) BR0017216A (es)
DE (3) DE10018143C5 (es)
ES (2) ES2252092T3 (es)
HK (1) HK1050553A1 (es)
PT (1) PT1362931E (es)
WO (1) WO2001079585A1 (es)

Families Citing this family (187)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3555844B2 (ja) 1999-04-09 2004-08-18 三宅 正二郎 摺動部材およびその製造方法
US7250196B1 (en) * 1999-10-26 2007-07-31 Basic Resources, Inc. System and method for plasma plating
DE10018143C5 (de) * 2000-04-12 2012-09-06 Oerlikon Trading Ag, Trübbach DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems
JP2003231203A (ja) * 2001-08-21 2003-08-19 Toshiba Corp 炭素膜被覆部材
JP4304598B2 (ja) * 2001-09-27 2009-07-29 株式会社豊田中央研究所 高摩擦摺動部材
DE10149588B4 (de) * 2001-10-08 2017-09-07 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Verfahren zur Diamantbeschichtung von Substraten
JP2003206820A (ja) * 2002-01-17 2003-07-25 Keihin Corp 電磁式燃料噴射弁
DE10203730B4 (de) * 2002-01-30 2010-09-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Abscheidung von metallfreien Kohlenstoffschichten
GB0205959D0 (en) * 2002-03-14 2002-04-24 Teer Coatings Ltd Apparatus and method for applying diamond-like carbon coatings
US20030180450A1 (en) * 2002-03-22 2003-09-25 Kidd Jerry D. System and method for preventing breaker failure
EP1506326A1 (de) * 2002-04-25 2005-02-16 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Strukturiertes schichtsystem
DE10223844B4 (de) * 2002-05-28 2013-04-04 Danfoss A/S Wasserhydraulische Maschine
JP2004138128A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Nissan Motor Co Ltd 自動車エンジン用摺動部材
DE10305159B4 (de) * 2002-11-02 2006-12-07 Rowapack Gmbh Verpackungsdesign Und Stanztechnik Stanzverfahren
US6969198B2 (en) 2002-11-06 2005-11-29 Nissan Motor Co., Ltd. Low-friction sliding mechanism
DE10256063A1 (de) * 2002-11-30 2004-06-17 Mahle Gmbh Verfahren zum Beschichten von Kolbenringen für Verbrennungsmotoren
US7866342B2 (en) * 2002-12-18 2011-01-11 Vapor Technologies, Inc. Valve component for faucet
US8220489B2 (en) 2002-12-18 2012-07-17 Vapor Technologies Inc. Faucet with wear-resistant valve component
US8555921B2 (en) 2002-12-18 2013-10-15 Vapor Technologies Inc. Faucet component with coating
US7866343B2 (en) 2002-12-18 2011-01-11 Masco Corporation Of Indiana Faucet
DE10259174B4 (de) * 2002-12-18 2006-10-12 Robert Bosch Gmbh Verwendung eines tribologisch beanspruchten Bauelements
SE526481C2 (sv) 2003-01-13 2005-09-20 Sandvik Intellectual Property Ythärdat rostfritt stål med förbättrad nötningsbeständighet och låg statisk friktion
US20060226003A1 (en) * 2003-01-22 2006-10-12 John Mize Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer
WO2004076710A1 (ja) * 2003-02-26 2004-09-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 非晶質炭素膜、その製造方法および非晶質炭素膜被覆部材
US20040258547A1 (en) * 2003-04-02 2004-12-23 Kurt Burger Pump piston and/or elements sealing the pump piston, in particular a sealing ring of elastomeric material, and a device and method for coating an object of elastomeric material
RU2240376C1 (ru) * 2003-05-22 2004-11-20 Ооо "Альбатэк" Способ формирования сверхтвердого аморфного углеродного покрытия в вакууме
EP1651796B1 (en) * 2003-07-25 2007-01-03 NV Bekaert SA Substrate covered with an intermediate coating and a hard carbon coating
JP4863152B2 (ja) 2003-07-31 2012-01-25 日産自動車株式会社 歯車
WO2005014761A2 (ja) 2003-08-06 2005-02-17 Nissan Motor Co., Ltd. 低摩擦摺動機構、低摩擦剤組成物及び摩擦低減方法
JP4973971B2 (ja) 2003-08-08 2012-07-11 日産自動車株式会社 摺動部材
US7771821B2 (en) 2003-08-21 2010-08-10 Nissan Motor Co., Ltd. Low-friction sliding member and low-friction sliding mechanism using same
EP1508611B1 (en) 2003-08-22 2019-04-17 Nissan Motor Co., Ltd. Transmission comprising low-friction sliding members and transmission oil therefor
WO2005029538A2 (en) * 2003-09-22 2005-03-31 Seok Kyun Song A plasma generating apparatus and an alignment process for liquid crystal displays using the apparatus
US20050126497A1 (en) * 2003-09-30 2005-06-16 Kidd Jerry D. Platform assembly and method
US7824498B2 (en) * 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
US20050193852A1 (en) * 2004-03-05 2005-09-08 Cooper Clark V. Transmission system with increased power density
JP4572688B2 (ja) * 2004-04-27 2010-11-04 株式会社豊田中央研究所 低摩擦摺動部材
EP1769100A1 (de) * 2004-04-29 2007-04-04 OC Oerlikon Balzers AG Dlc hartstoffbeschichtungen auf kupferhaltigen lagerwerkstoffen
JP4543373B2 (ja) * 2004-06-03 2010-09-15 三菱マテリアル株式会社 非鉄材料の高速切削加工ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具の製造方法
CN101001976B (zh) * 2004-07-09 2010-12-29 奥尔利康贸易股份公司(特吕巴赫) 具有金属-类金刚石碳硬质材料涂层的含铜导电材料
JP2006116633A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Osg Corp 硬質被膜被覆工具、コーティング被膜、および被膜のコーティング方法
JP2006138404A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Kobe Steel Ltd 水系環境下での耐摩耗性に優れた摺動部材
CH697552B1 (de) * 2004-11-12 2008-11-28 Oerlikon Trading Ag Vakuumbehandlungsanlage.
EP1698713A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-06 Ceco Ltd Kratzfester Werkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
US9659758B2 (en) * 2005-03-22 2017-05-23 Honeywell International Inc. Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production
US9997338B2 (en) * 2005-03-24 2018-06-12 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Method for operating a pulsed arc source
ES2321444T3 (es) 2005-05-04 2009-06-05 Oerlikon Trading Ag, Trubbach Intensificador de plasma para una instalacion de tratamiento por plasma.
EP1883717A1 (en) * 2005-05-26 2008-02-06 NV Bekaert SA Piston ring having hard multi-layer coating
US20060278520A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Lee Eal H Use of DC magnetron sputtering systems
CN1899992A (zh) * 2005-07-19 2007-01-24 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 模仁及其制备方法
PT1915472T (pt) * 2005-08-18 2018-12-06 Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon Substrato revestido com uma estrutura em camadas compreendendo uma camada de carbono tetraédrico e uma camada exterior mais macia
DE502006005651D1 (de) * 2005-09-10 2010-01-28 Ixetic Hueckeswagen Gmbh Verschleißfeste Beschichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
CN100482379C (zh) * 2005-10-27 2009-04-29 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 一种压铸模仁及其制备方法
DE102005054132B4 (de) * 2005-11-14 2020-03-26 Robert Bosch Gmbh Ventil zum Steuern eines Fluids mit Tribosystem
US8119240B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-21 United Technologies Corporation Metal-free diamond-like-carbon coatings
WO2007070026A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-21 United Technologies Corporation Process for deposition of amorphous carbon
JP2007162099A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Toyota Motor Corp 硬質炭素膜及びその製造方法並びに摺動部材
KR100656955B1 (ko) * 2005-12-30 2006-12-14 삼성전자주식회사 이온 임플랜터의 이온 발생 장치
JP4735309B2 (ja) * 2006-02-10 2011-07-27 トヨタ自動車株式会社 耐キャビテーションエロージョン用部材及びその製造方法
US9526814B2 (en) * 2006-02-16 2016-12-27 Boston Scientific Scimed, Inc. Medical balloons and methods of making the same
JP5030439B2 (ja) * 2006-02-28 2012-09-19 株式会社リケン 摺動部材
JP2007246996A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Tdk Corp 保護膜及び該保護膜付き内燃機関用部品
JP5355382B2 (ja) * 2006-03-28 2013-11-27 スルザー メタプラス ゲーエムベーハー スパッタリング装置
JP2009531545A (ja) * 2006-03-28 2009-09-03 ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム コーティング装置
JP4704950B2 (ja) * 2006-04-27 2011-06-22 株式会社神戸製鋼所 非晶質炭素系硬質多層膜及びこの膜を表面に備えた硬質表面部材
US8273222B2 (en) * 2006-05-16 2012-09-25 Southwest Research Institute Apparatus and method for RF plasma enhanced magnetron sputter deposition
WO2007136777A2 (en) * 2006-05-17 2007-11-29 G & H Technologies Llc Wear resistant coating
AT503288B1 (de) * 2006-07-26 2007-09-15 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum aufbringen eines beschichtungsmaterials sowie beschichtung für eine metallische oberfläche
EP1884978B1 (en) * 2006-08-03 2011-10-19 Creepservice S.à.r.l. Process for the coating of substrates with diamond-like carbon layers
DE102006037774A1 (de) * 2006-08-11 2008-02-14 Polysius Ag Walzen- oder Rollenmühle
FR2907470B1 (fr) 2006-10-20 2009-04-17 Hef Soc Par Actions Simplifiee Piece en contact glissant, en regime lubrifie, revetue d'une couche mince.
DE102006049974A1 (de) * 2006-10-24 2008-04-30 Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh Turbomaschine
DE102006058078A1 (de) * 2006-12-07 2008-06-19 Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co. Kg Vakuumbeschichtungsanlage zur homogenen PVD-Beschichtung
JP2008163430A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Jtekt Corp 高耐食性部材およびその製造方法
DE102007047629A1 (de) * 2007-04-13 2008-10-16 Stein, Ralf Verfahren zum Aufbringen einer hochfesten Beschichtung auf Werkstücke und/oder Werkstoffe
DE102007019994A1 (de) * 2007-04-27 2008-10-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Transparente Barrierefolie und Verfahren zum Herstellen derselben
CA2686445C (en) * 2007-05-25 2015-01-27 Oerlikon Trading Ag, Truebbach Vacuum treatment installation and vacuum treatment method
KR100897323B1 (ko) * 2007-05-30 2009-05-14 한국생산기술연구원 플라즈마 화학기상증착과 물리기상증착을 복합한 박막 코팅방법
JP2008310849A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 保護膜形成法及び保護膜を備えた磁気記録媒体
US20090029067A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-29 Sciamanna Steven F Method for producing amorphous carbon coatings on external surfaces using diamondoid precursors
US8105660B2 (en) * 2007-06-28 2012-01-31 Andrew W Tudhope Method for producing diamond-like carbon coatings using PECVD and diamondoid precursors on internal surfaces of a hollow component
US8277617B2 (en) * 2007-08-14 2012-10-02 Southwest Research Institute Conformal magnetron sputter deposition
JP2009127059A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Tokyo Denki Univ ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法
US20090194414A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Nolander Ira G Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof
DE102008011921A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-10 Ks Kolbenschmidt Gmbh Beschichtung von Bauteilen einer Brennkraftmaschine zur Verminderung von Reibung, Verschleiß und Adhäsionsneigung
DE102008016864B3 (de) * 2008-04-02 2009-10-22 Federal-Mogul Burscheid Gmbh Kolbenring
TW200942633A (en) * 2008-04-14 2009-10-16 Yu-Hsueh Lin Method for plating film on surface of drill and structure of film-plated drill
JP2011521106A (ja) * 2008-05-13 2011-07-21 サブ−ワン・テクノロジー・インコーポレーテッド 太陽熱およびその他の応用例におけるパイプの内面および外面のコーティング方法
DE102008028542B4 (de) * 2008-06-16 2012-07-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat mittels einer plasmagestützten chemischen Reaktion
JP5244495B2 (ja) * 2008-08-06 2013-07-24 三菱重工業株式会社 回転機械用の部品
TWI399451B (zh) * 2008-09-05 2013-06-21 Yu Hsueh Lin 傳動機構之表面鍍膜方法
DE102008042896A1 (de) * 2008-10-16 2010-04-22 Federal-Mogul Burscheid Gmbh Verfahren zur Beschichtung eines Gleitelements und Gleitelement, insbesondere Kolbenring oder Zylinderlaufbuchse eines Verbrennungsmotors
US8332314B2 (en) 2008-11-05 2012-12-11 Kent Griffin Text authorization for mobile payments
US7939367B1 (en) * 2008-12-18 2011-05-10 Crystallume Corporation Method for growing an adherent diamond layer atop an interlayer bonded to a compound semiconductor substrate
JP4755262B2 (ja) * 2009-01-28 2011-08-24 株式会社神戸製鋼所 ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法
JP5222764B2 (ja) * 2009-03-24 2013-06-26 株式会社神戸製鋼所 積層皮膜および積層皮膜被覆部材
JP5741891B2 (ja) * 2009-06-19 2015-07-01 株式会社ジェイテクト Dlc膜形成方法
RU2553803C2 (ru) * 2009-08-07 2015-06-20 Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах Трибология в сочетании с коррозионной стойкостью: новое семейство pvd- и pacvd-покрытий
DE102009028504C5 (de) * 2009-08-13 2014-10-30 Federal-Mogul Burscheid Gmbh Kolbenring mit einer Beschichtung
JP5816187B2 (ja) * 2009-11-20 2015-11-18 エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハ 真空処理チャンバおよびコーティング設備
US8715789B2 (en) 2009-12-18 2014-05-06 Sub-One Technology, Inc. Chemical vapor deposition for an interior of a hollow article with high aspect ratio
US9132609B2 (en) * 2010-03-03 2015-09-15 Taiyo Chemical Industry Co., Ltd. Method for fixation onto layer comprising amorphous carbon film, and laminate
US8747631B2 (en) * 2010-03-15 2014-06-10 Southwest Research Institute Apparatus and method utilizing a double glow discharge plasma for sputter cleaning
US9169551B2 (en) * 2010-04-15 2015-10-27 DePuy Synthes Products, Inc. Coating for a CoCrMo substrate
KR101779776B1 (ko) * 2010-04-15 2017-09-19 신세스 게엠바하 코발트크롬몰리브덴 기재를 위한 코팅
EP2385259A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-09 Protec Surface Technologies S.r.L. Fluid-operated cylinder for a vehicle adapted to handle materials
JP5649333B2 (ja) * 2010-06-01 2015-01-07 株式会社神戸製鋼所 イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材表面のクリーニング方法
MX361608B (es) * 2010-06-22 2018-12-07 Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon Fuente de desposicion por arco que tiene un campo electrico definido.
US9034466B2 (en) * 2010-07-09 2015-05-19 Daido Metal Company Ltd. Sliding member
US9051967B2 (en) * 2010-07-09 2015-06-09 Daido Metal Company Ltd. Sliding member
JP5665409B2 (ja) * 2010-08-06 2015-02-04 株式会社ジェイテクト 被膜の成膜方法
DE102011009347B4 (de) 2010-11-29 2016-05-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung eines kohlenstoffhaltigen Schichtsystems sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102010062114B4 (de) * 2010-11-29 2014-12-11 Federal-Mogul Burscheid Gmbh Gleitelement, insbesondere Kolbenring, mit einer Beschichtung
DE102010052971A1 (de) * 2010-11-30 2012-05-31 Amg Coating Technologies Gmbh Werkstück mit Si-DLC Beschichtung und Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen
CN102108484B (zh) * 2011-01-18 2012-07-04 厦门建霖工业有限公司 一种双层抗菌镀层的制备方法
CN102108485B (zh) * 2011-01-28 2012-03-28 厦门建霖工业有限公司 塑胶表面抗菌镀层的制备方法
BRPI1100176A2 (pt) * 2011-02-10 2013-04-24 Mahle Metal Leve Sa componente de motor
US9366219B2 (en) * 2011-02-11 2016-06-14 Sphenic Technologies Inc System, circuit, and method for controlling combustion
US9528180B2 (en) * 2011-03-02 2016-12-27 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfaffikon Sliding component coated with metal-comprising carbon layer for improving wear and friction behavior by tribological applications under lubricated conditions
US9217195B2 (en) * 2011-04-20 2015-12-22 Ntn Corporation Amorphous carbon film and method for forming same
US9909365B2 (en) 2011-04-29 2018-03-06 Baker Hughes Incorporated Downhole tools having mechanical joints with enhanced surfaces
FR2975404B1 (fr) * 2011-05-19 2014-01-24 Hydromecanique & Frottement Piece avec revetement dlc et procede d'application du revetement dlc
DE102011077556A1 (de) 2011-06-15 2012-12-20 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Gleitlager
US9340854B2 (en) * 2011-07-13 2016-05-17 Baker Hughes Incorporated Downhole motor with diamond-like carbon coating on stator and/or rotor and method of making said downhole motor
JP2011225999A (ja) * 2011-07-21 2011-11-10 Yamaguchi Prefectural Industrial Technology Institute プラズマ処理装置及び成膜方法
WO2013042765A1 (ja) * 2011-09-22 2013-03-28 Ntn株式会社 硬質膜、硬質膜形成体、および転がり軸受
DE102011116576A1 (de) * 2011-10-21 2013-04-25 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Bohrer mit Beschichtung
JP5689051B2 (ja) * 2011-11-25 2015-03-25 株式会社神戸製鋼所 イオンボンバードメント装置
AT511605B1 (de) * 2011-12-12 2013-01-15 High Tech Coatings Gmbh Kohlenstoffbasierende beschichtung
KR101382997B1 (ko) * 2012-02-08 2014-04-08 현대자동차주식회사 코팅층 표면 처리 방법
EP2628817B1 (en) 2012-02-15 2016-11-02 IHI Hauzer Techno Coating B.V. A coated article of martensitic steel and a method of forming a coated article of steel
EP2628822B1 (en) 2012-02-15 2015-05-20 IHI Hauzer Techno Coating B.V. Current insulated bearing components and bearings
DE102012007763A1 (de) 2012-04-20 2013-10-24 Ulrich Schmidt Modularer Rahmen für Steckdosen und Schalter
EP2664690B1 (en) 2012-05-15 2015-09-16 ZhongAo HuiCheng Technology Co. Ltd. A magnetron sputtering coating device and the preparation method of a nano-multilayer film
RU2494172C1 (ru) * 2012-08-07 2013-09-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КНИТУ") Способ получения износостойкого покрытия
DE102012214284B4 (de) 2012-08-10 2014-03-13 Federal-Mogul Burscheid Gmbh Gleitelement, insbesondere Kolbenring, mit einer widerstandsfähigen Beschichtung
US9793098B2 (en) 2012-09-14 2017-10-17 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
US9412569B2 (en) 2012-09-14 2016-08-09 Vapor Technologies, Inc. Remote arc discharge plasma assisted processes
US10056237B2 (en) 2012-09-14 2018-08-21 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
KR101439131B1 (ko) * 2012-09-21 2014-09-11 현대자동차주식회사 흡배기 밸브용 코팅재 및 이의 제조방법
TWI565353B (zh) * 2012-10-19 2017-01-01 逢甲大學 可撓性電熱發熱體及其製作方法
JP5564099B2 (ja) * 2012-12-28 2014-07-30 株式会社リケン シリンダとピストンリングの組合せ
JP6076112B2 (ja) * 2013-02-07 2017-02-08 株式会社神戸製鋼所 イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材の表面のクリーニング方法
DE102013002911A1 (de) 2013-02-21 2014-08-21 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Dekorative, tiefschwarze Beschichtung
US9534291B2 (en) * 2013-02-21 2017-01-03 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon DLC coating with run-in layer
DE102013007146A1 (de) * 2013-04-25 2014-10-30 Oerlikon Trading Ag, Trübbach DLC Beschichtung mit Einlaufschicht
US9308090B2 (en) 2013-03-11 2016-04-12 DePuy Synthes Products, Inc. Coating for a titanium alloy substrate
US20160281216A1 (en) * 2013-03-19 2016-09-29 Taiyo Yuden Chemical Technology Co., Ltd. Structure having stain-proofing amorphous carbon film and method of forming stain-proofing amorphous carbon film
WO2014147805A1 (ja) * 2013-03-22 2014-09-25 日鍛バルブ株式会社 Dlc被覆膜及び被覆バルブリフタ
MY173635A (en) * 2013-03-29 2020-02-12 Hitachi Metals Ltd Coated tool and method for producing same
JP2014237890A (ja) * 2013-05-10 2014-12-18 国立大学法人電気通信大学 ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置および形成方法
US20150004362A1 (en) * 2013-07-01 2015-01-01 General Electric Company Multilayered coatings with diamond-like carbon
DE102013213454B3 (de) * 2013-07-09 2015-01-15 Friedrich-Alexander-Universität Erlangen - Nürnberg Werkzeug zum Einsatz beim Aluminiumguss
EP3022327A2 (en) * 2013-07-19 2016-05-25 Oerlikon Surface Solutions AG, Trübbach Coatings for forming tools
JP6533374B2 (ja) * 2013-11-06 2019-06-19 Dowaサーモテック株式会社 Dlc皮膜の成膜方法
DE102013225608A1 (de) * 2013-12-11 2015-06-11 Apo Gmbh Massenkleinteilbeschichtung Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kleinteilen mittels Plasma
US10233537B2 (en) * 2014-04-23 2019-03-19 Zhongao Huicheng Technology Co., Ltd. Artificial joint cup, magnetic control sputtering coating film device and preparation method thereof
FR3022560B1 (fr) * 2014-06-18 2022-02-25 Hydromecanique & Frottement Procede de revetement en carbone dlc du nez des cames d'un arbre a came, arbre a cames ainsi obtenu et installation pour la mise en oeuvre de ce procede
JP6044602B2 (ja) 2014-07-11 2016-12-14 トヨタ自動車株式会社 成膜装置
JP6308298B2 (ja) * 2014-08-01 2018-04-11 日立金属株式会社 被覆工具の製造方法
US10612123B2 (en) * 2015-02-04 2020-04-07 The University Of Akron Duplex surface treatment for titanium alloys
CN107532723B (zh) 2015-04-16 2019-11-22 伊格尔工业股份有限公司 滑动部件
JP6612864B2 (ja) * 2015-05-28 2019-11-27 京セラ株式会社 切削工具
JP6014941B2 (ja) * 2015-07-31 2016-10-26 地方独立行政法人山口県産業技術センター プラズマ処理装置及び成膜方法
US10787737B2 (en) * 2015-11-12 2020-09-29 National Oilwell DHT, L.P. Downhole drill bit with coated cutting element
CN105734527B (zh) * 2016-03-08 2019-01-18 仪征亚新科双环活塞环有限公司 一种用于活塞环表面的类金刚石镀层、活塞环及制备工艺
KR101828508B1 (ko) * 2016-07-13 2018-03-29 제이와이테크놀로지(주) Dlc 박막 제조 장치
JP6380483B2 (ja) 2016-08-10 2018-08-29 トヨタ自動車株式会社 成膜装置
DE102016116123B4 (de) * 2016-08-30 2018-07-19 Federal-Mogul Valvetrain Gmbh Verschleißarmes Kegelstück
US10377508B2 (en) 2016-11-29 2019-08-13 The Boeing Company Enhanced tooling for interference-fit fasteners
WO2019059054A1 (ja) * 2017-09-25 2019-03-28 住友電気工業株式会社 硬質炭素系被膜の製造方法、及び被膜付き部材
US11183373B2 (en) 2017-10-11 2021-11-23 Honeywell International Inc. Multi-patterned sputter traps and methods of making
KR102055046B1 (ko) * 2017-12-29 2019-12-12 트인로드 주식회사 Dlc 및 다이아몬드 박막이 이중 코팅된 펀칭공구 및 그 제조방법
CN108374154B (zh) * 2018-02-26 2023-06-13 温州职业技术学院 带有复合磁场的类金刚石涂层制备装置及其应用
US10702862B2 (en) * 2018-04-13 2020-07-07 U.S. Department Of Energy Superlubricious carbon films derived from natural gas
FR3082526B1 (fr) * 2018-06-18 2020-09-18 Hydromecanique & Frottement Piece revetue par un revetement de carbone amorphe hydrogene sur une sous-couche comportant du chrome, du carbone et du silicium
FR3082527B1 (fr) * 2018-06-18 2020-09-18 Hydromecanique & Frottement Piece revetue par un revetement de carbone amorphe non-hydrogene sur une sous-couche comportant du chrome, du carbone et du silicium
DE102018125464B4 (de) * 2018-10-15 2022-09-29 PiKa GbR (Vertretungsberechtigter Gesellschafter: Markus Pittroff, 91278 Pottenstein) Sägekette zur Holz- und Kunststoffbearbeitung und Verfahren zur Herstellung eines Sägegliedes
EP3650583A1 (en) 2018-11-08 2020-05-13 Nanofilm Technologies International Pte Ltd Ta-c based coatings with improved hardness
CN110066982A (zh) * 2019-04-17 2019-07-30 厦门阿匹斯智能制造系统有限公司 一种pvd镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法
CN111676452A (zh) * 2020-06-29 2020-09-18 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 一种高效镀超硬膜的方法
US11664214B2 (en) 2020-06-29 2023-05-30 Applied Materials, Inc. Methods for producing high-density, nitrogen-doped carbon films for hardmasks and other patterning applications
US11664226B2 (en) 2020-06-29 2023-05-30 Applied Materials, Inc. Methods for producing high-density carbon films for hardmasks and other patterning applications
CN111748789B (zh) * 2020-07-10 2022-06-24 哈尔滨工业大学 一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯dlc的装置及其方法
EP3964356A1 (en) * 2020-09-03 2022-03-09 Boegli-Gravures SA A method and system for manufacturing an embossing device by using an etch mask
US20240117493A1 (en) * 2021-02-09 2024-04-11 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Arc-beam position monitoring and position control in picvd coating systems
RU2763357C1 (ru) * 2021-04-13 2021-12-28 Александр Васильевич Вахрушев Способ получения высококачественных пленок методом механической вибрации подложки

Family Cites Families (182)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US50681A (en) * 1865-10-31 Improvement in photographic lenses
US91154A (en) * 1869-06-08 Improvement in attaching- handles to picks
US50689A (en) * 1865-10-31 Improvement in gaging and ullaging casks
US3287630A (en) * 1964-03-02 1966-11-22 Varian Associates Apparatus for improving the uniformity of magnetic fields
US3458426A (en) * 1966-05-25 1969-07-29 Fabri Tek Inc Symmetrical sputtering apparatus with plasma confinement
DD133688A1 (de) 1977-08-04 1979-01-17 Klaus Bewilogua Verfahren zur herstellung diamanthaltiger schichten hoher haftfestigkeit
US4276570A (en) * 1979-05-08 1981-06-30 Nancy Burson Method and apparatus for producing an image of a person's face at a different age
DE3260505D1 (en) * 1981-01-23 1984-09-13 Takeda Chemical Industries Ltd Alicyclic compounds, their production and use
DE3246361A1 (de) * 1982-02-27 1983-09-08 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Kohlenstoff enthaltende gleitschicht
US4486286A (en) * 1982-09-28 1984-12-04 Nerken Research Corp. Method of depositing a carbon film on a substrate and products obtained thereby
US4602280A (en) * 1983-12-05 1986-07-22 Maloomian Laurence G Weight and/or measurement reduction preview system
US4698256A (en) * 1984-04-02 1987-10-06 American Cyanamid Company Articles coated with adherent diamondlike carbon films
US4877677A (en) * 1985-02-19 1989-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wear-protected device
FR2583250B1 (fr) * 1985-06-07 1989-06-30 France Etat Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique
CH664768A5 (de) * 1985-06-20 1988-03-31 Balzers Hochvakuum Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer.
DD243514B1 (de) * 1985-12-17 1989-04-26 Karl Marx Stadt Tech Hochschul Hartstoffschichten fuer mechanisch und korrosiv beanspruchte teile
JPS62188776A (ja) 1986-01-14 1987-08-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 対向タ−ゲツト式スパツタ装置
FR2596775B1 (fr) 1986-04-07 1992-11-13 Univ Limoges Revetement dur multicouches elabore par depot ionique de nitrure de titane, carbonitrure de titane et i-carbone
JPS63195266A (ja) * 1987-02-10 1988-08-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素膜がコーティングされた時計
KR900008505B1 (ko) * 1987-02-24 1990-11-24 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 탄소 석출을 위한 마이크로파 강화 cvd 방법
DE3706340A1 (de) * 1987-02-27 1988-09-08 Winter & Sohn Ernst Verfahren zum auftragen einer verschleissschutzschicht und danach hergestelltes erzeugnis
DE3708716C2 (de) * 1987-03-18 1993-11-04 Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner Hochfrequenz-ionenquelle
EP0286306B1 (en) * 1987-04-03 1993-10-06 Fujitsu Limited Method and apparatus for vapor deposition of diamond
US4926791A (en) * 1987-04-27 1990-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave plasma apparatus employing helmholtz coils and ioffe bars
US5113493A (en) * 1987-05-11 1992-05-12 Liberty Life Insurance Co. Full speed animation system for low-speed computers and method
JPS63286334A (ja) * 1987-05-19 1988-11-24 Idemitsu Petrochem Co Ltd 積層体およびその製造法
KR920002864B1 (ko) * 1987-07-20 1992-04-06 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리방법 및 그 장치
ES2022946T5 (es) 1987-08-26 1996-04-16 Balzers Hochvakuum Procedimiento para la aportacion de capas sobre sustratos.
NL8800345A (nl) * 1988-02-12 1989-09-01 Philips Nv Knipeenheid voor een scheerapparaat en scheerapparaat voorzien van deze knipeenheid.
JP2610469B2 (ja) * 1988-02-26 1997-05-14 株式会社 半導体エネルギー研究所 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する方法
US5411797A (en) * 1988-04-18 1995-05-02 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanophase diamond films
EP0403552B1 (en) 1988-08-25 1994-12-14 Hauzer Industries Bv Physical vapor deposition dual coating apparatus and process
US4952273A (en) * 1988-09-21 1990-08-28 Microscience, Inc. Plasma generation in electron cyclotron resonance
US4918031A (en) * 1988-12-28 1990-04-17 American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories Processes depending on plasma generation using a helical resonator
US4919974A (en) * 1989-01-12 1990-04-24 Ford Motor Company Making diamond composite coated cutting tools
US4992153A (en) 1989-04-26 1991-02-12 Balzers Aktiengesellschaft Sputter-CVD process for at least partially coating a workpiece
US5266409A (en) * 1989-04-28 1993-11-30 Digital Equipment Corporation Hydrogenated carbon compositions
CZ278295B6 (en) 1989-08-14 1993-11-17 Fyzikalni Ustav Avcr Process of sputtering layers and apparatus for making the same
EP0413853B1 (de) 1989-08-21 1996-01-31 Balzers Aktiengesellschaft Beschichtetes Werkstück mit einer Mischkristallbeschichtung, Verfahren zu dessen Herstellung, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
GB9006073D0 (en) 1990-03-17 1990-05-16 D G Teer Coating Services Limi Magnetron sputter ion plating
EP0469204B1 (en) * 1990-08-03 1997-01-15 Fujitsu Limited Method for vapour deposition of diamond film
DE4029270C1 (es) * 1990-09-14 1992-04-09 Balzers Ag, Balzers, Li
KR930011413B1 (ko) * 1990-09-25 1993-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법
DE4035131C2 (de) * 1990-11-05 1995-09-21 Balzers Hochvakuum Verfahren und Vorrichtung zum gleichmäßigen Erwärmen von Heizgut, insbes. von zu beschichtenden Substraten, in einer Vakuumkammer
DE4126852A1 (de) * 1991-08-14 1993-02-18 Krupp Widia Gmbh Werkzeug mit verschleissfester diamantschneide, verfahren zu dessen herstellung sowie dessen verwendung
US6692359B1 (en) * 1991-02-15 2004-02-17 America Online, Inc. Method of interfacing on a computer network by visual representations of users, method of interacting and computer network
JPH07109034B2 (ja) * 1991-04-08 1995-11-22 ワイケイケイ株式会社 硬質多層膜形成体およびその製造方法
US5147687A (en) * 1991-05-22 1992-09-15 Diamonex, Inc. Hot filament CVD of thick, adherent and coherent polycrystalline diamond films
DE69232403T2 (de) * 1991-08-06 2002-08-22 Canon Kk Dreidimensionales Modellverarbeitungsverfahren und -gerät
US5541003A (en) * 1991-10-31 1996-07-30 Tdk Corporation Articles having diamond-like protective thin film
EP0542628B1 (en) * 1991-11-12 2001-10-10 Fujitsu Limited Speech synthesis system
US5989511A (en) * 1991-11-25 1999-11-23 The University Of Chicago Smooth diamond films as low friction, long wear surfaces
US5555426A (en) * 1992-01-08 1996-09-10 International Business Machines Corporation Method and apparatus for disseminating messages to unspecified users in a data processing system
US5416899A (en) * 1992-01-13 1995-05-16 Massachusetts Institute Of Technology Memory based method and apparatus for computer graphics
US5680481A (en) * 1992-05-26 1997-10-21 Ricoh Corporation Facial feature extraction method and apparatus for a neural network acoustic and visual speech recognition system
US5537662A (en) * 1992-05-29 1996-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Electronic montage composing apparatus
US5439492A (en) * 1992-06-11 1995-08-08 General Electric Company Fine grain diamond workpieces
US5306408A (en) * 1992-06-29 1994-04-26 Ism Technologies, Inc. Method and apparatus for direct ARC plasma deposition of ceramic coatings
JP3336682B2 (ja) * 1992-07-02 2002-10-21 住友電気工業株式会社 硬質炭素膜
JPH06111287A (ja) * 1992-09-30 1994-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体
US5420801A (en) * 1992-11-13 1995-05-30 International Business Machines Corporation System and method for synchronization of multimedia streams
EP0598598B1 (en) * 1992-11-18 2000-02-02 Canon Information Systems, Inc. Text-to-speech processor, and parser for use in such a processor
US5640590A (en) * 1992-11-18 1997-06-17 Canon Information Systems, Inc. Method and apparatus for scripting a text-to-speech-based multimedia presentation
US5637373A (en) * 1992-11-19 1997-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Magnetic recording medium
US5387178A (en) * 1992-11-23 1995-02-07 Moses; Gary L. Multi-stimuli chair
BE1006711A3 (nl) * 1992-12-02 1994-11-22 Vito Werkwijze voor het aanbrengen van een diamantachtige koolstoflaag op staal, ijzer of legeringen daarvan.
US5638502A (en) * 1992-12-25 1997-06-10 Casio Computer Co., Ltd. Device for creating a new object image relating to plural object images
US5249554A (en) * 1993-01-08 1993-10-05 Ford Motor Company Powertrain component with adherent film having a graded composition
US5237967A (en) * 1993-01-08 1993-08-24 Ford Motor Company Powertrain component with amorphous hydrogenated carbon film
US5431963A (en) * 1993-02-01 1995-07-11 General Electric Company Method for adhering diamondlike carbon to a substrate
US5645900A (en) * 1993-04-22 1997-07-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Diamond composite films for protective coatings on metals and method of formation
SE9301596L (sv) * 1993-05-10 1994-05-24 Televerket Anordning för att öka talförståelsen vid översätttning av tal från ett första språk till ett andra språk
US5860064A (en) * 1993-05-13 1999-01-12 Apple Computer, Inc. Method and apparatus for automatic generation of vocal emotion in a synthetic text-to-speech system
US5387288A (en) * 1993-05-14 1995-02-07 Modular Process Technology Corp. Apparatus for depositing diamond and refractory materials comprising rotating antenna
US5626963A (en) * 1993-07-07 1997-05-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same
DE4421144C2 (de) * 1993-07-21 2003-02-13 Unaxis Balzers Ag Beschichtetes Werkzeug mit erhöhter Standzeit
AU7381594A (en) 1993-07-29 1995-02-28 Institute Of Physics Academy Of Sciences Of The Czech Republic Method and device for magnetron sputtering
BE1008229A3 (nl) * 1993-10-29 1996-02-20 Vito Werkwijze voor het aanbrengen van een tegen slijtage beschermende laag op een substraat.
US5347306A (en) * 1993-12-17 1994-09-13 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Animated electronic meeting place
DE4343354C2 (de) * 1993-12-18 2002-11-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Hartstoffschicht
JPH07175710A (ja) * 1993-12-20 1995-07-14 Canon Inc データ管理方法及び装置
US5657426A (en) * 1994-06-10 1997-08-12 Digital Equipment Corporation Method and apparatus for producing audio-visual synthetic speech
KR0136632B1 (ko) 1994-07-26 1998-05-15 김은영 다이아몬드상 경질 카본 필름이 이중 코팅된 vtr 헤드 드럼과 그 코팅층 형성방법 및 장치
US5779925A (en) * 1994-10-14 1998-07-14 Fujitsu Limited Plasma processing with less damage
WO1996028270A1 (fr) * 1995-03-09 1996-09-19 Citizen Watch Co., Ltd. Douille de guidage et procede de formation d'un film de carbone dur sur la surface circonferentielle interne de ladite douille
DE19513614C1 (de) * 1995-04-10 1996-10-02 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Abscheidung von Kohlenstoffschichten, Kohlenstoffschichten auf Substraten und deren Verwendung
US5688557A (en) * 1995-06-07 1997-11-18 Lemelson; Jerome H. Method of depositing synthetic diamond coatings with intermediates bonding layers
US5647834A (en) * 1995-06-30 1997-07-15 Ron; Samuel Speech-based biofeedback method and system
US5745360A (en) * 1995-08-14 1998-04-28 International Business Machines Corp. Dynamic hypertext link converter system and process
US5712000A (en) 1995-10-12 1998-01-27 Hughes Aircraft Company Large-scale, low pressure plasma-ion deposition of diamondlike carbon films
US5818461A (en) * 1995-12-01 1998-10-06 Lucas Digital, Ltd. Method and apparatus for creating lifelike digital representations of computer animated objects
SE519244C2 (sv) * 1995-12-06 2003-02-04 Telia Ab Anordning och metod vid talsyntes
US5880731A (en) * 1995-12-14 1999-03-09 Microsoft Corporation Use of avatars with automatic gesturing and bounded interaction in on-line chat session
FR2743089B1 (fr) * 1995-12-28 1998-04-17 Commissariat Energie Atomique Procede de depot d'un revetement par couplage des techniques de depot physique en phase vapeur et de depot chimique en phase vapeur assiste par plasma, revetement ainsi obtenu et substrat recouvert de ce revetement
US5781186A (en) * 1996-02-02 1998-07-14 Lucent Technologies Inc. Arrangement for specifying presentation of multimedia message components
US6069622A (en) * 1996-03-08 2000-05-30 Microsoft Corporation Method and system for generating comic panels
DE29615190U1 (de) 1996-03-11 1996-11-28 Balzers Verschleissschutz Gmbh Anlage zur Beschichtung von Werkstücken
JPH09266096A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びこれを用いたプラズマ処理方法
US5923337A (en) * 1996-04-23 1999-07-13 Image Link Co., Ltd. Systems and methods for communicating through computer animated images
JP2947170B2 (ja) * 1996-05-29 1999-09-13 日本電気株式会社 線対称図形整形装置
US6233544B1 (en) * 1996-06-14 2001-05-15 At&T Corp Method and apparatus for language translation
US6075905A (en) * 1996-07-17 2000-06-13 Sarnoff Corporation Method and apparatus for mosaic image construction
JPH1082390A (ja) * 1996-07-18 1998-03-31 Sanyo Electric Co Ltd 摺動部材、圧縮機及び回転圧縮機
DE19635736C2 (de) 1996-09-03 2002-03-07 Saxonia Umformtechnik Gmbh Diamantähnliche Beschichtung
EP1067210A3 (en) * 1996-09-06 2002-11-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for providing a hard carbon film on a substrate and electric shaver blade
US5732232A (en) * 1996-09-17 1998-03-24 International Business Machines Corp. Method and apparatus for directing the expression of emotion for a graphical user interface
US5857099A (en) * 1996-09-27 1999-01-05 Allvoice Computing Plc Speech-to-text dictation system with audio message capability
US6064383A (en) * 1996-10-04 2000-05-16 Microsoft Corporation Method and system for selecting an emotional appearance and prosody for a graphical character
US6343141B1 (en) * 1996-10-08 2002-01-29 Lucent Technologies Inc. Skin area detection for video image systems
JPH10137861A (ja) 1996-11-05 1998-05-26 Sky Alum Co Ltd 絞りしごき加工法
US5963217A (en) * 1996-11-18 1999-10-05 7Thstreet.Com, Inc. Network conference system using limited bandwidth to generate locally animated displays
US6122606A (en) * 1996-12-10 2000-09-19 Johnson; William J. System and method for enhancing human communications
CA2278709A1 (en) * 1997-01-27 1998-08-13 Benjamin Slotznick System for delivering and displaying primary and secondary information
US5942317A (en) * 1997-01-31 1999-08-24 International Business Machines Corporation Hydrogenated carbon thin films
CA2277977C (en) * 1997-02-04 2006-10-31 N.V. Bekaert S.A. A coating comprising layers of diamond like carbon and diamond like nanocomposite compositions
US6078700A (en) * 1997-03-13 2000-06-20 Sarachik; Karen B. Method and apparatus for location and inspecting a two-dimensional image including co-linear features
JP3609591B2 (ja) * 1997-09-25 2005-01-12 三洋電機株式会社 硬質炭素薄膜及びその製造方法
US6066399A (en) 1997-03-19 2000-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Hard carbon thin film and method of forming the same
JP3378758B2 (ja) * 1997-03-19 2003-02-17 三洋電機株式会社 非晶質炭素系被膜の形成方法
JPH10259482A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Sanyo Electric Co Ltd 硬質炭素被膜の形成方法
US5933151A (en) * 1997-03-26 1999-08-03 Lucent Technologies Inc. Simulated natural movement of a computer-generated synthesized talking head
JP3848723B2 (ja) * 1997-03-31 2006-11-22 株式会社日立製作所 半導体装置の実装構造体及びその検査方法
US6175857B1 (en) * 1997-04-30 2001-01-16 Sony Corporation Method and apparatus for processing attached e-mail data and storage medium for processing program for attached data
US6014689A (en) * 1997-06-03 2000-01-11 Smith Micro Software Inc. E-mail system with a video e-mail player
DE19825983C2 (de) * 1997-06-11 2002-12-12 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Aufbringen von Diamant- und karbidische Phasen enthaltenden Komposit-Gradienten-Schichten
US6372303B1 (en) * 1997-06-16 2002-04-16 Robert Bosch Gmbh Method and device for vacuum-coating a substrate
US6215505B1 (en) * 1997-06-20 2001-04-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Scheme for interactive video manipulation and display of moving object on background image
US6018774A (en) * 1997-07-03 2000-01-25 Yobaby Productions, Llc Method and system for creating messages including image information
JP3224760B2 (ja) * 1997-07-10 2001-11-05 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 音声メールシステム、音声合成装置およびこれらの方法
JPH1149506A (ja) * 1997-07-31 1999-02-23 Kyocera Corp 装飾部材
US6075857A (en) * 1997-09-11 2000-06-13 Ooltewah Manufacturing, Inc. Motor cycle helmet headset
DE19740793C2 (de) * 1997-09-17 2003-03-20 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen mittels einer Anlage mit Sputterelektroden und Verwendung des Verfahrens
JPH1192935A (ja) * 1997-09-19 1999-04-06 Daido Steel Co Ltd 耐摩耗性硬質炭素被膜
EP1034507A2 (en) * 1997-12-01 2000-09-13 Arsev H. Eraslan Three-dimensional face identification system
US6726993B2 (en) 1997-12-02 2004-04-27 Teer Coatings Limited Carbon coatings, method and apparatus for applying them, and articles bearing such coatings
US6417853B1 (en) * 1998-02-05 2002-07-09 Pinnacle Systems, Inc. Region based moving image editing system and method
US6466213B2 (en) * 1998-02-13 2002-10-15 Xerox Corporation Method and apparatus for creating personal autonomous avatars
US6433784B1 (en) * 1998-02-26 2002-08-13 Learn2 Corporation System and method for automatic animation generation
US6195631B1 (en) * 1998-04-15 2001-02-27 At&T Corporation Method and apparatus for automatic construction of hierarchical transduction models for language translation
CA2273188A1 (en) * 1999-05-28 2000-11-28 Interquest Inc. Method and apparatus for encoding/decoding image data
BE1011927A3 (nl) 1998-05-20 2000-03-07 Vito Plasmamethode voor de afzetting van deklagen.
US6173250B1 (en) * 1998-06-03 2001-01-09 At&T Corporation Apparatus and method for speech-text-transmit communication over data networks
US6405225B1 (en) * 1998-06-17 2002-06-11 Microsoft Corporation Integrating email functionality into a word processor by incorporating an email GUI within the word processor
JP2000008155A (ja) * 1998-06-25 2000-01-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 硬質炭素膜被覆部材
US6366949B1 (en) * 1998-07-30 2002-04-02 Maila Nordic Ab Method and arrangement relating to communication in a network
US6230111B1 (en) * 1998-08-06 2001-05-08 Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha Control system for controlling object using pseudo-emotions and pseudo-personality generated in the object
US6782431B1 (en) * 1998-09-30 2004-08-24 International Business Machines Corporation System and method for dynamic selection of database application code execution on the internet with heterogenous clients
IT1315446B1 (it) * 1998-10-02 2003-02-11 Cselt Centro Studi Lab Telecom Procedimento per la creazione di modelli facciali tridimensionali apartire da immagini di volti.
US6163794A (en) * 1998-10-23 2000-12-19 General Magic Network system extensible by users
US6219638B1 (en) * 1998-11-03 2001-04-17 International Business Machines Corporation Telephone messaging and editing system
JP2000209425A (ja) * 1998-11-09 2000-07-28 Canon Inc 画像処理装置及び方法並びに記憶媒体
KR100311234B1 (ko) * 1999-01-18 2001-11-02 학교법인 인하학원 고품위 유도결합 플라즈마 리액터
US6385586B1 (en) * 1999-01-28 2002-05-07 International Business Machines Corporation Speech recognition text-based language conversion and text-to-speech in a client-server configuration to enable language translation devices
US6449634B1 (en) * 1999-01-29 2002-09-10 Digital Impact, Inc. Method and system for remotely sensing the file formats processed by an E-mail client
JP3711411B2 (ja) * 1999-04-19 2005-11-02 沖電気工業株式会社 音声合成装置
US6553341B1 (en) * 1999-04-27 2003-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for announcing receipt of an electronic message
US6393107B1 (en) * 1999-05-25 2002-05-21 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for creating and sending structured voicemail messages
US7149690B2 (en) * 1999-09-09 2006-12-12 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for interactive language instruction
US6522333B1 (en) * 1999-10-08 2003-02-18 Electronic Arts Inc. Remote communication through visual representations
US6384829B1 (en) * 1999-11-24 2002-05-07 Fuji Xerox Co., Ltd. Streamlined architecture for embodied conversational characters with reduced message traffic
US6680934B1 (en) * 1999-12-02 2004-01-20 Nortel Networks Limited System, device and method for expediting control flow in a communication system
DE19960092A1 (de) 1999-12-14 2001-07-12 Bosch Gmbh Robert Beschichtungsverfahren
US6377925B1 (en) * 1999-12-16 2002-04-23 Interactive Solutions, Inc. Electronic translator for assisting communications
US6766299B1 (en) * 1999-12-20 2004-07-20 Thrillionaire Productions, Inc. Speech-controlled animation system
CA2400037A1 (en) * 2000-02-14 2001-08-23 Adriana Guzman System and method for graphical programming
US6593539B1 (en) * 2000-02-25 2003-07-15 George Miley Apparatus and methods for controlling charged particles
US6539354B1 (en) * 2000-03-24 2003-03-25 Fluent Speech Technologies, Inc. Methods and devices for producing and using synthetic visual speech based on natural coarticulation
DE10018143C5 (de) * 2000-04-12 2012-09-06 Oerlikon Trading Ag, Trübbach DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems
AU2001255787A1 (en) * 2000-05-01 2001-11-12 Lifef/X Networks, Inc. Virtual representatives for use as communications tools
US6784901B1 (en) * 2000-05-09 2004-08-31 There Method, system and computer program product for the delivery of a chat message in a 3D multi-user environment
US6545682B1 (en) * 2000-05-24 2003-04-08 There, Inc. Method and apparatus for creating and customizing avatars using genetic paradigm
US6453294B1 (en) * 2000-05-31 2002-09-17 International Business Machines Corporation Dynamic destination-determined multimedia avatars for interactive on-line communications
TW517210B (en) * 2000-08-31 2003-01-11 Bextech Inc A method for generating speaking expression variation without distortion in 2D picture using polygon computation
US6976082B1 (en) * 2000-11-03 2005-12-13 At&T Corp. System and method for receiving multi-media messages
US6990452B1 (en) * 2000-11-03 2006-01-24 At&T Corp. Method for sending multi-media messages using emoticons
US7091976B1 (en) * 2000-11-03 2006-08-15 At&T Corp. System and method of customizing animated entities for use in a multi-media communication application
US7203648B1 (en) * 2000-11-03 2007-04-10 At&T Corp. Method for sending multi-media messages with customized audio
US7035803B1 (en) * 2000-11-03 2006-04-25 At&T Corp. Method for sending multi-media messages using customizable background images
US7085259B2 (en) * 2001-07-31 2006-08-01 Comverse, Inc. Animated audio messaging
US20030046348A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-06 Pinto Albert Gregory System and method of converting video to bitmap animation for use in electronic mail
US20030046160A1 (en) * 2001-09-06 2003-03-06 Paz-Pujalt Gustavo R. Animated electronic message and method of producing
US6919892B1 (en) * 2002-08-14 2005-07-19 Avaworks, Incorporated Photo realistic talking head creation system and method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1362931A1 (de) 2003-11-19
WO2001079585A1 (de) 2001-10-25
EP1362931B9 (de) 2005-10-05
DE10018143B4 (de) 2006-05-04
JP2004501793A (ja) 2004-01-22
PT1362931E (pt) 2005-09-30
DE50011775D1 (de) 2006-01-05
JP4849759B2 (ja) 2012-01-11
EP1362931B1 (de) 2005-07-20
DE10018143A1 (de) 2001-10-25
ES2244870T3 (es) 2005-12-16
BR0017216A (pt) 2003-06-10
US20080311310A1 (en) 2008-12-18
EP1362931B2 (de) 2019-08-21
ATE299956T1 (de) 2005-08-15
US20100018464A1 (en) 2010-01-28
US20040219294A1 (en) 2004-11-04
DE10018143C5 (de) 2012-09-06
US6740393B1 (en) 2004-05-25
US20040038033A1 (en) 2004-02-26
KR100762346B1 (ko) 2007-10-02
EP1272683A1 (de) 2003-01-08
US7601405B2 (en) 2009-10-13
DE50010785D1 (de) 2005-08-25
HK1050553A1 (en) 2003-06-27
KR20030063109A (ko) 2003-07-28
AU2844001A (en) 2001-10-30
US7160616B2 (en) 2007-01-09
EP1272683B1 (de) 2005-11-30
ATE311483T1 (de) 2005-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2252092T3 (es) Sistema de capas de dlc y procedimiento para la fabricacion de un sistema de capas de este tipo.
ES2256948T3 (es) Procedimiento y dispositivo para el recubrimiento en fase de vacio de un sustrato.
ES2374832T3 (es) Capa de material duro.
US9115426B2 (en) Coated article of martensitic steel and a method of forming a coated article of steel
CA2686445C (en) Vacuum treatment installation and vacuum treatment method
JP6508746B2 (ja) マクロ粒子低減コーティングを利用したプラズマ源ならびにマクロ粒子低減コーティングを用いたプラズマ源を薄膜コーティングおよび表面改質に使用する方法
ES2539017T3 (es) Procedimiento para hacer funcionar una fuente pulsante de arcos eléctricos
JP2005500440A (ja) ナノ構造の機能層を形成する方法、およびこれにより作製される被覆層
JP2008531856A (ja) 逆流サイクル及び他の技術を用いた,内面をコーティングする方法及びシステム
EP2628822A1 (en) Current insulated bearing components and bearings
EA020763B1 (ru) Источник плазмы и способы нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы
US5698314A (en) Compound body of vacuum-coated sintered material and process for its production
JP2005248322A (ja) 表面上への複合コーティングの蒸着プロセス
EP1043419A1 (en) A diamond film depositing apparatus and method thereof
RU2118206C1 (ru) Способ получения легированных алмазоподобных покрытий
JPH1068070A (ja) 化合物膜の形成方法
JP2007533853A (ja) 高融点の金属の炭化物層を析出するための方法