CN101892455B - 薄膜沉积装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种薄膜沉积装置，该薄膜沉积装置能够简单地应用于大规模地制造大尺寸的显示装置并且提高了制造良率。所述薄膜沉积装置包括：沉积源；第一喷嘴，设置在沉积源的一侧并且包括在第一方向上布置的多个第一缝隙；第二喷嘴，与第一喷嘴相对设置并且包括在第一方向上布置的多个第二缝隙；障碍墙组件，包括在第一方向上布置的多个障碍墙，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间；间隔控制构件和对准控制构件中的至少一个，间隔控制构件调节第二喷嘴与基底之间的间隔，对准控制构件调节第二喷嘴和基底之间的对准。

Description

薄膜沉积装置
本申请要求于2009年5月22日提交到韩国知识产权局的第10-2009-0045199号、于2009年8月11日提交到韩国知识产权局的第10-2009-0074001号和于2010年2月17日提交到韩国知识产权局的第10-2010-0014272号韩国专利申请的权益，这些申请的公开通过引用被完全包含于此。
技术领域
本发明涉及一种薄膜沉积装置，更具体地讲，本发明涉及一种能够简单地用于大规模生产大尺寸显示装置并且提高了制造良率的薄膜沉积装置。
背景技术
与其它显示装置相比，有机发光显示装置视角大、对比度特性好并且响应速度快，因此有机发光显示装置作为下一代显示装置而备受瞩目。
有机发光显示装置通常具有堆叠结构，所述堆叠结构包括阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的发射层。当分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在发射层中复合并由此发光时，所述装置显示彩色图像。然而，这种结构难以实现高发光效率，因此，可选地在发射层和每个电极之间另外设置包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等的中间层。
此外，实际上很难在诸如发射层和中间层的有机薄膜中形成精细的图案，并且红色发光效率、绿色发光效率和蓝色发光效率根据有机薄膜而改变。为此，通过利用传统的薄膜沉积装置在诸如5G或更大尺寸的母玻璃的大基底上形成有机薄膜图案是不容易的，因此难以制造驱动电压、电流密度、亮度、色纯度、发光效率、寿命特性令人满意的大型有机发光显示装置。因此，在这方面需要改善。
有机发光显示装置包括中间层，所述中间层包括设置在彼此相对布置的第一电极和第二电极之间的发射层。所述电极和所述中间层可以经过各种方法形成，所述方法之一为沉积方法。当利用沉积方法来制造有机发光显示装置时，为了形成具有期望图案的薄膜，具有与待形成的薄膜的图案相同的图案的精细金属掩模(FMM)被设置为紧密地接触基底，并且在FMM上方沉积薄膜材料。
发明内容
本发明提供了一种薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置可以容易地制造、可以简单地应用于大规模制造大尺寸的显示装置、提高了制造良率和沉积效率、并且具有允许容易地调节喷嘴和基底之间的间隔的结构。
根据本发明的一方面，提供了一种用于在基底上形成薄膜的薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置包括：沉积源；第一喷嘴，设置在沉积源的一侧并且包括在第一方向上布置的多个第一缝隙；第二喷嘴，与第一喷嘴相对设置并且包括在第一方向上布置的多个第二缝隙；障碍墙组件，包括在第一方向上布置的多个障碍墙，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间；间隔控制构件和对准控制构件中的至少一个，间隔控制构件调节第二喷嘴与基底之间的间隔，对准控制构件调节第二喷嘴和基底之间的对准。
间隔控制构件可以将第二喷嘴和基底之间的间隔调节为恒定。
间隔控制构件可以包括：传感器，感测第二喷嘴相对于基底的位置；致动器，提供用于使第二喷嘴相对于基底移动的驱动力。
基底可以包括定位标记，传感器可以基于定位标记感测第二喷嘴相对于基底的位置。关于这点，可以在基底上布置不与定位标记叠置的开口掩模。
所述薄膜沉积装置还可以包括：底部框架；托架，布置在底部框架上并且容纳其中的第二喷嘴。
致动器可以通过使第二喷嘴相对于托架移动来调节第二喷嘴和基底之间的间隔。
所述致动器可以包括：第一致动器，设置在第二喷嘴的一侧和托架之间，以使第二喷嘴相对于托架移动；第二致动器，设置在第二喷嘴的与设置有第一致动器的一侧相对的一侧和托架之间，以使第二喷嘴相对于托架移动；第三致动器，相对于与第一方向平行的轴旋转第二喷嘴。
致动器可以包括压电电机。
致动器和传感器可以通过实时反馈控制来调节第二喷嘴和基底之间的间隔。
间隔控制构件可以包括设置在第二喷嘴的相对端部并且接触基底的辊子或球状物。
对准控制构件可以将第二喷嘴相对于基底的位置调节为恒定。
对准控制构件可以包括：传感器，感测第二喷嘴相对于基底的位置；致动器，提供使第二喷嘴相对于基底移动的驱动力。
基底可以包括定位标记，传感器可以基于定位标记感测第二喷嘴相对于基底的位置。关于这一点，可以在基底上布置不与定位标记叠置的开口掩模。
所述薄膜沉积装置还可以包括：底部框架；托架，布置在底部框架上并且容纳其中的第二喷嘴。
致动器可以通过使第二喷嘴相对于托架移动来调节第二喷嘴和基底之间的对准。
所述致动器可以包括：第一致动器，设置在托架的一侧和底部框架之间，以使托架相对于底部框架线性移动；第二致动器，设置在托架的与第一致动器相对的一侧和底部框架之间，以使托架相对于底部框架旋转地运动。
致动器可以包括压电电机。
致动器和传感器可以通过实时反馈控制来调节第二喷嘴和基底之间的对准。
每个障碍墙可以在与第一方向垂直的第二方向上延伸，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。
多个障碍墙可以以等间隔布置。
障碍墙可以与第二喷嘴分开预定距离。
障碍墙组件可以是能够从薄膜沉积装置拆下的。
障碍墙组件可以包括第一障碍墙组件和第二障碍墙组件，第一障碍墙组件包括多个第一障碍墙，第二障碍墙组件包括多个第二障碍墙。
每个第一障碍墙和每个第二障碍墙可以在与第一方向垂直的第二方向上延伸，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。
第一障碍墙可以被布置为与第二障碍墙对应。
每对对应的第一障碍墙和第二障碍墙可以布置在同一平面上。
在沉积源中蒸发的沉积材料可以通过第一喷嘴和第二喷嘴排放而沉积在基底上。
第二喷嘴可以与基底分开预定距离。
沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件可以是能够相对于基底移动的，或者基底可以是能够相对于沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件移动的。
在沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件相对于基底移动的同时，或者在基底相对于沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件移动的同时，在沉积源中蒸发的沉积材料可以沉积在基底上。
沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件可以沿着与基底的表面平行的平面相对于基底移动，或者基底可以沿着所述平面相对于沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件移动。
根据本发明的一方面，提供了一种用于在基底上形成薄膜的薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置包括：沉积源，排放沉积材料；第一喷嘴，设置在沉积源的一侧并且包括在第一方向上布置的多个第一缝隙；第二喷嘴，与第一喷嘴相对设置并且包括在与第一方向垂直的第二方向上布置的多个第二缝隙；间隔控制构件和对准控制构件中的至少一个，间隔控制构件调节第二喷嘴与基底之间的间隔，对准控制构件调节第二喷嘴和基底之间的对准，其中，在基底或者薄膜沉积装置在第一方向上彼此相对移动的同时执行沉积，并且沉积源、第一喷嘴和第二喷嘴整体地形成为一体。
间隔控制构件可以将第二喷嘴和基底之间的间隔调节为恒定。
间隔控制构件可以包括：传感器，感测第二喷嘴相对于基底的位置；致动器，提供用于使第二喷嘴相对于基底移动的驱动力。
基底可以包括定位标记，传感器可以基于定位标记感测第二喷嘴相对于基底的位置。关于这一点，可以在基底上布置不与定位标记叠置的开口掩模。
所述薄膜沉积装置还可以包括：底部框架；托架，布置在底部框架上并且容纳其中的第二喷嘴。
致动器可以通过使第二喷嘴相对于托架移动来调节第二喷嘴和基底之间的间隔。
所述致动器可以包括：第一致动器，设置在第二喷嘴的一侧和托架之间，以使第二喷嘴相对于托架移动；第二致动器，设置在第二喷嘴的与设置有第一致动器的一侧相对的一侧和托架之间，以使第二喷嘴相对于托架移动；第三致动器，相对于与第二方向平行的轴旋转第二喷嘴。
致动器可以包括压电电机。
致动器和传感器可以通过实时反馈控制来调节第二喷嘴和基底之间的间隔。
间隔控制构件可以包括设置在第二喷嘴的相对端部并且接触基底的辊子或球状物。
对准控制构件可以将第二喷嘴相对于基底的位置调节为恒定。
对准控制构件可以包括：传感器，感测第二喷嘴相对于基底的位置；致动器，提供使第二喷嘴相对于基底移动的驱动力。
基底还可以包括定位标记，传感器基于定位标记感测第二喷嘴相对于基底的位置。关于这一点，可以在基底上布置不与定位标记叠置的开口掩模。
所述薄膜沉积装置还可以包括：底部框架；托架，布置在底部框架上并且容纳其中的第二喷嘴。
致动器可以通过使第二喷嘴相对于托架移动来调节第二喷嘴和基底之间的对准。
所述致动器可以包括：第一致动器，设置在托架的一侧和底部框架之间，以使托架相对于底部框架线性移动；第二致动器，设置在托架的与第一致动器相对的一侧和底部框架之间，以使托架相对于底部框架旋转地运动。
致动器可以包括压电电机。
致动器和传感器可以通过实时反馈控制来调节第二喷嘴和基底之间的对准。
沉积源、第一喷嘴和第二喷嘴可以通过连接构件被整体地连接为一体。
连接构件可以引导沉积材料的流动。
连接构件可以密封第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。
薄膜沉积装置可以与基底分开预定距离。
在基底或薄膜沉积装置在第一方向上可以彼此相对移动的同时，从沉积源排放的沉积材料可以连续沉积在基底上。
第二喷嘴可以小于基底。
多个第一缝隙可以倾斜预定角度。
多个第一缝隙可以包括沿着第一方向布置成两行以朝向彼此倾斜的第一缝隙。
多个第一缝隙可以包括沿着第一方向布置成两行的第一缝隙，其中，作为两行之一的第一行的第一缝隙被布置为面对第二喷嘴的与第二行的第一缝隙相对的端部，第二行的第一缝隙被布置为面对第二喷嘴的与第一行的第一缝隙相对的端部。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其它特征及优点将变得更加清楚，在附图中：
图1是根据本发明实施例的薄膜沉积装置的示意性透视图；
图2是根据本发明实施例的图1中的薄膜沉积装置的示意性侧视图；
图3是根据本发明实施例的图1中的薄膜沉积装置的示意性平面图；
图4是示出根据本发明实施例的第二喷嘴和第二喷嘴框架的结合结构的示意性透视图；
图5A是示出根据本发明实施例的图1中的薄膜沉积装置中的沉积材料的沉积的示意图；
图5B示出了如图5A中所示的当通过障碍墙划分沉积空间时沉积在基底上的薄膜的阴影区；
图5C示出了当没有划分沉积空间时沉积在基底上的薄膜的阴影区；
图6是根据本发明实施例的图1中的薄膜沉积装置的示意性侧面剖视图；
图7是图6中的薄膜沉积装置的主视图，示出了根据本发明实施例的间隔控制构件和对准控制构件；
图8是根据本发明实施例的用于描述通过利用间隔控制构件来将图7中的薄膜沉积装置中的第二喷嘴和基底之间的间隔调节为恒定的方法的主视图；
图9A和图9B是根据本发明实施例的用于描述通过利用对准控制构件来调节图7中的薄膜沉积装置中的第二喷嘴和基底之间的对准的方法的主视图；
图10是根据本发明另一实施例的薄膜沉积装置的示意性透视图；
图11是图10中的薄膜沉积装置的主视图，说明了根据本发明实施例的间隔控制构件和对准控制构件；
图12A示出了根据本发明实施例的构成间隔控制构件的辊子；
图12B示出了根据本发明另一实施例的构成间隔控制构件的球状物；
图13是根据本发明另一实施例的薄膜沉积装置的侧面剖视图；
图14是根据本发明另一实施例的薄膜沉积装置的示意性透视图；
图15是根据本发明实施例的图14中的薄膜沉积装置的示意性侧视图；
图16是根据本发明实施例的图14中的薄膜沉积装置的示意性平面图；
图17是根据本发明另一实施例的薄膜沉积装置的示意性透视图；
图18是示意性地示出根据本发明实施例的薄膜沉积装置中邻近沉积源的第一缝隙不倾斜时形成在基底上的沉积膜的厚度分布的曲线图；
图19是示意性地示出在图17中的薄膜沉积装置中邻近沉积源的第一缝隙倾斜时形成在基底上的沉积膜的厚度分布的曲线图。
具体实施方式
图1是根据本发明实施例的薄膜沉积装置100的示意性透视图，图2是薄膜沉积装置100的示意性侧视图，图3是薄膜沉积装置100的示意性平面图。
参照图1、图2和图3，根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100包括沉积源110、第一喷嘴120、障碍墙组件130、第二喷嘴150、第二喷嘴框架155和基底160。根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100还包括间隔控制构件(见图7)和对准控制构件(见图7)。后面将参照图7至图9B来详细描述间隔控制构件和对准控制构件。
尽管为了便于解释在图1、图2和图3中没有示出室，但是薄膜沉积装置100的所有组件均可以设置在室内，所述室保持在适当程度的真空下。为了使沉积材料穿过薄膜沉积装置100基本上沿着直线运动，所述室保持在适当的真空下。
为了在基底上以期望图案沉积从沉积源110发射并通过第一喷嘴120和第二喷嘴150排放的沉积材料115，所述室应该保持在与利用精细金属掩模(FMM)的沉积方法中的状态同样的高真空状态下。另外，障碍墙组件130和第二喷嘴150的温度应该充分地低于沉积源110的温度，以将第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间保持在高真空状态下。在这点上，障碍墙组件130和第二喷嘴150的温度可以为大约100℃或更低。这是因为当障碍墙组件130和第二喷嘴150的温度足够低时，已经与障碍墙组件130发生了碰撞的沉积材料150不会蒸发。此外，当第二喷嘴150的温度足够低时，第二喷嘴150的热膨胀可以被最小化。障碍墙组件130面对高温下的沉积源110。另外，障碍墙组件130的靠近沉积源100的部分的温度上升了大约167℃的最大值，因此，如果需要，则还可以包括局部冷却装置。为此，障碍墙组件130可以包括冷却构件。
构成其上将要沉积有沉积材料115的沉积目标的基底160被设置在所述室中。基底160可以为用于平板显示器的基底。诸如用于制造多个平板显示器的母玻璃的大基底可以用作基底160。也可以采用其它基底。
包含并且加热沉积材料115的沉积源110设置在所述室的设置有基底160的一侧的相对侧。当包含在沉积源110中的沉积材料115被蒸发时，沉积材料115沉积在基底160上。沉积源110包括坩埚111和加热器112。坩埚111容纳沉积材料115。加热器112加热坩埚111，以使包含在坩埚111中的沉积材料115朝向坩埚111的一侧(具体为朝向第一喷嘴120)蒸发。
第一喷嘴120设置在沉积源110的面向基底160的一侧。第一喷嘴120包括沿着Y-轴方向等间隔布置的多个第一缝隙121。在沉积源110中蒸发的沉积材料115穿过第一喷嘴120朝向基底160。
障碍墙组件130设置在第一喷嘴120的一侧。障碍墙组件130包括多个障碍墙131和覆盖障碍墙131的侧部的障碍墙框架132。多个障碍墙131可以沿着Y-轴方向以等间隔彼此平行地布置。此外，每个障碍墙131可以平行于图1中的XZ平面(即，垂直于Y-轴方向)布置。如上所述布置的多个障碍墙131划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间，这将在后面描述。在根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100中，沉积空间被障碍墙131划分为子沉积空间，所述子沉积空间分别与第一缝隙121对应，其中，沉积材料115通过第一缝隙121排放。
障碍墙131可以分别设置在相邻的第一缝隙121之间。换而言之，每个第一缝隙121可以设置在两个相应的并且相邻的障碍墙131之间。第一缝隙121可以分别位于两个相邻的障碍墙131之间的中点。如上所述，由于障碍墙131划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间，所以通过每个第一缝隙121排放的沉积材料115不与通过其它第一缝隙121排放的沉积材料115混合，并且穿过第二缝隙151，从而沉积在基底160上。换而言之，障碍墙131引导通过第一缝隙121排放的沉积材料115不沿着Y-轴方向流动。
覆盖障碍墙131的上侧和下侧的障碍墙框架132保持障碍墙131的位置，并且引导通过第一缝隙121排放的沉积材料115不沿着Z-轴方向流动。
另外，障碍墙组件130可以被构造为能够从薄膜沉积装置100拆下。传统的FMM沉积方法的沉积效率低。沉积效率指沉积在基底上的沉积材料与从沉积源蒸发的沉积材料的比率。传统的FMM沉积方法的沉积效率为大约32％。此外，在传统的FMM沉积方法中，没有沉积在基底上的大约68％的有机沉积材料残留而附着到沉积装置，从而不能简单地重新利用沉积材料。
为了克服这些问题，在根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100中，利用障碍墙组件130来围绕沉积空间，使得剩余的没有沉积的沉积材料115主要沉积在障碍墙组件130内。因此，在经过长时间的沉积工艺之后，当大量的沉积材料115位于障碍墙组件130中时，可以将障碍墙组件130从薄膜沉积装置100拆下，然后将障碍墙组件130放置在单独的沉积材料再循环装置中，以重新获得沉积材料115。由于薄膜沉积装置100的结构，沉积材料115的重新利用率增加，从而提高了沉积效率，且降低了制造成本。
第二喷嘴150和第二喷嘴框架155设置在沉积源110和基底160之间。第二喷嘴框架155可以形成为与窗口框架类似的格子形状。第二喷嘴150结合在第二喷嘴框架155内侧。尽管第二喷嘴150和第二喷嘴框架155被示出为结合在一起的单独构件，但是本发明不限于此。例如，第二喷嘴150和第二喷嘴框架155可以整体地形成为一体。在这种情况下，第二喷嘴150和第二喷嘴框架155可以统称为第二喷嘴。
第二喷嘴150包括沿着Y-轴方向以等间隔布置的多个第二缝隙151。在沉积源110中蒸发的沉积材料115穿过第一喷嘴120和第二喷嘴150，朝向基底160。
在薄膜沉积装置100中，第二缝隙151的总数可以大于第一缝隙121的总数。此外，可以在两个相邻的障碍墙131之间设置比第一缝隙121多的第二缝隙151。
换而言之，至少一个第一缝隙121可以设置在每两个相邻的障碍墙131之间。同时，多个第二缝隙151可以设置在每两个相邻的障碍墙131之间。第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间通过障碍墙131划分为分别与第一缝隙121对应的子沉积空间。因此，从每个第一缝隙121排放的沉积材料115穿过设置在与第一缝隙121对应的子沉积空间中的多个第二缝隙151，随后沉积在基底160上。
可以通过蚀刻来制造第二喷嘴150，所述蚀刻与制造FMM(具体为制造条形的FMM)的传统方法中采用的方法相同。在传统FMM沉积方法中，FMM的尺寸必须与基底的尺寸相等。因此，FMM的尺寸必须随着基底变大而增加。然而，既不容易制造大的FMM，也不容易将FMM延展为与图案准确对准。然而，在薄膜沉积装置100中，在薄膜沉积装置100在室(未示出)内沿着Z-轴方向移动的同时沉积薄膜。换而言之，一旦薄膜沉积装置100在当前位置完成沉积，为了进一步继续沉积，使薄膜沉积装置100或者基底160沿着Z-轴方向彼此相对移动。因此，在薄膜沉积装置100中，第二喷嘴150可以显著小于在传统沉积方法中使用的FMM。在薄膜沉积装置100中，如果第二喷嘴150沿着Y-轴方向的宽度等于基底160沿着Y-轴方向的宽度，则第二喷嘴150沿着Z-轴方向的长度可以小于基底160沿着Z-轴方向的长度。如上所述，由于第二喷嘴150可以形成为显著小于在传统沉积方法中使用的FMM，所以制造第二喷嘴150是相对容易的。使用比在传统沉积方法中使用的FMM小的第二喷嘴150，与利用较大的FMM的传统沉积方法相比，在包括蚀刻和后续的其它工艺(例如精确延展、焊接、移动和清洁工艺)的所有工艺中更加方便。这对于相对大的显示装置更加有利。
障碍墙组件130和第二喷嘴150彼此分开预定距离。障碍墙组件130和第二喷嘴150由于以下原因而彼此分开。
首先，第二喷嘴150和第二喷嘴框架155必须在位置上与基底160精确对准，并且在第二喷嘴150和第二喷嘴框架155与基底160之间必须具有恒定间隔，因此需要高精度控制。因此，为了易于控制这种需要高精度控制的部件，第二喷嘴150和第二喷嘴框架155与作为不需要精确控制的相对重的部件的沉积源110、第一喷嘴120和障碍墙组件130分开。障碍墙组件130的温度由于高温的沉积源110而会增加到100℃或更高。因此，为了防止障碍墙组件130的热传导到第二喷嘴150，障碍墙组件130与第二喷嘴150彼此分开。在根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100中，附着到障碍墙组件130的沉积材料115大部分被重新利用，而附着到第二喷嘴150的沉积材料可没有被重新利用。因此，当障碍墙组件130与第二喷嘴150分开时，可以简单地重新获得将要被重新利用的沉积材料115。此外，为了确保整个基底160上的薄膜的均匀性，还可以安装校准板(未示出)。当障碍墙131与第二喷嘴150分开时，非常便于安装校准板。最后，为了防止在已经完成对基底160的沉积之后并且在另一目标经历沉积之前沉积材料115沉积在第二喷嘴150上，还可以安装分隔件(未示出)。这可以延长喷嘴更换周期。这样便于在障碍墙131和第二喷嘴150之间安装该分隔件。
图4是示出根据本发明实施例的第二喷嘴150和第二喷嘴框架155的结合结构的示意性透视图。
参照图4，第二喷嘴框架155可以形成为与窗口框架类似的格子形状。包括多个第二缝隙151的第二喷嘴150结合在第二喷嘴框架155的内侧。在薄膜沉积装置100中，第二喷嘴150结合到第二喷嘴框架155，从而通过第二喷嘴框架155对第二喷嘴150施加张力。
具体地，第二喷嘴150的图案精确程度会受到第二喷嘴150的制造误差和热膨胀误差的影响。为了将第二喷嘴150的制造误差最小化，可以采用用于精确地延展FMM并且将FMM焊接到框架的反作用力技术。现在在下文中将对此进行详细地描述。最初，如图4中所示，对第二喷嘴150施加外部张力，使得第二喷嘴150向外伸展。接着，在与对第二喷嘴150施加外部张力的方向相反的方向上，对第二喷嘴框架155施加压缩力，使得该压缩力与施加到第二喷嘴150的外部张力平衡。然后，例如通过将第二喷嘴150的边缘焊接到第二喷嘴框架155，将第二喷嘴150结合到第二喷嘴框架155。最后，解除对第二喷嘴150和第二喷嘴框架155施加的所有外力，以达到平衡，从而仅有第二喷嘴框架155对第二喷嘴150施加张力。当采用如上所述的这种精确延展、压缩和焊接技术时，可以以2μm或更小的制造误差来制造第二喷嘴150。
在薄膜沉积装置100中，第二喷嘴框架155的温度可以保持恒定。具体地，被设置为与高温的沉积源110面对的第二喷嘴150一直暴露于从沉积源110辐射的热，所以第二喷嘴150的温度有一定程度的上升，例如，上升大约5℃至大约15℃。然而，当第二喷嘴150的温度上升时，第二喷嘴150会膨胀，从而劣化第二喷嘴150的图案精确程度。为了克服这个问题，根据本发明的一方面，采用作为条形喷嘴的第二喷嘴150。支撑第二喷嘴150使得对第二喷嘴150施加张力的第二喷嘴框架155的温度保持恒定，从而防止由于第二喷嘴150的温度增加而导致的图案误差。
第二喷嘴150沿着水平方向(Y-轴方向)的热膨胀(图案误差)受第二喷嘴框架155的温度的影响。因此，如果第二喷嘴框架155的温度保持恒定，则即使第二喷嘴150的温度上升时，也不会发生由于热膨胀引起的第二喷嘴150的图案的误差。另外，第二喷嘴150沿着垂直方向(Z-轴方向)热膨胀。然而，第二喷嘴150的垂直方向是与第二喷嘴150的图案精确程度无关的扫描方向。
第二喷嘴框架155在真空条件下不直接面对沉积源110，从而不暴露于来自沉积源110的辐射热。另外，由于第二喷嘴框架155不连接到沉积源110，所以在沉积源110和第二喷嘴框架155之间没有热传导。因此，第二喷嘴框架155的温度不可能上升。即使第二喷嘴框架155的温度轻微上升，例如，上升1℃至3℃，第二喷嘴框架155的温度也可以通过热屏蔽件或者辐射片而容易地保持恒定。后面将对此进行详细地描述。
如上所述，当第二喷嘴框架155对第二喷嘴150施加张力并且第二喷嘴框架155的温度保持恒定时，与第二喷嘴150有关的热膨胀问题不再影响第二喷嘴150的图案精确问题。因此，可以进一步改进第二喷嘴150的图案精确程度。当如上所述采用精确延展、压缩和焊接技术时，可以以2μm或更小的制造误差来制造第二喷嘴150。另外，可以通过支撑第二喷嘴150从而对第二喷嘴150施加张力以及通过将第二喷嘴框架155的温度保持恒定，来防止由于当第二喷嘴150的温度上升时发生的第二喷嘴150的热膨胀导致的第二喷嘴150的图案误差。因此，所制造的第二喷嘴150的误差可以小于2μm，这归因于第二喷嘴150的制造误差(＜2μm)和第二喷嘴150的热膨胀误差(～0μm)。
图5A是示出根据本发明实施例的薄膜沉积装置100中的沉积材料115的沉积的示意图。图5B示出了当通过障碍墙131划分沉积空间时沉积在基底160上的薄膜的阴影区。图5C示出了当没有划分沉积空间时沉积在基底160上的薄膜的阴影区。
参照图5A，在沉积源110中蒸发的沉积材料115排放穿过第一喷嘴120和第二喷嘴150而被沉积在基底160上。由于第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间被障碍墙131划分，所以排放穿过第一喷嘴120的每个第一缝隙121的沉积材料115由于障碍墙131而不与排放穿过另一个相邻第一缝隙121的沉积材料115混合。
当第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间被障碍墙组件130划分时，沉积材料115穿过第二喷嘴150以大约55°至大约90°的角度沉积在基底160上，如图5B中所示。换而言之，穿过远离每个子沉积空间的中部的第二缝隙151的沉积材料115以大约55°的角度沉积，而穿过位于每个子沉积空间的中部的第二喷嘴150的第二缝隙151的沉积材料115以大约90°的角度沉积。形成在基底160上的阴影区的宽度SH1根据等式1确定。
[等式1]
SH1＝s×ds/h
然而，当第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间不被障碍墙131划分时，如图5C中所示，与图5B中的情况相比，沉积材料115以更大范围的角度排放穿过第二喷嘴150。这是因为不仅有排放穿过与第二缝隙151正对的第一缝隙121的沉积材料115，而且还有穿过除了以上第一缝隙121之外的第一缝隙121的沉积材料115穿过上述的第二缝隙151，接着沉积在基底160上。因此，形成在基底160上的阴影区的宽度SH2比沉积空间被障碍墙131划分时的阴影区大得多。形成在基底160上的阴影区的宽度SH2根据等式2来确定。
[等式2]
SH2＝s×2d/h
参照等式1和等式2，表示第一缝隙121的宽度的ds是相邻障碍墙131之间的间隔d的几分之一到几十分之一小，因此，当第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间被障碍墙131划分时，阴影区可以具有较小的宽度。可以通过以下方法中的任何一种来减小形成在基底160上的阴影区的宽度SH2：(1)通过减小相邻障碍墙131之间的间隔(d)，其中，d表示相邻的第一缝隙之间的间隔，其中，相邻的第一缝隙之间的间隔基本等于相邻障碍墙之间的间隔；(2)通过减小第二喷嘴150和基底160之间的距离(s)；或(3)通过增加第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的距离(h)。
如上所述，可以通过安装障碍墙131来减小形成在基底160上的阴影区。因此，第二喷嘴150可以与基底160分离。
因此，在根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100中，第二喷嘴150可以与基底160分开预定距离。在利用FMM的传统沉积方法中，为了防止在基底上形成阴影区，采用FMM紧密接触基底来执行沉积。然而，当使用与基底紧密接触的FMM时，该接触会导致缺陷。为了克服这个问题，在薄膜沉积装置100中，第二喷嘴150被设置为与基底160分开预定距离。可以通过安装障碍墙131来减小形成在基底160上的阴影区的宽度，以使得第二喷嘴150与基底160分开预定距离。
如上所述，根据本发明的各方面，可以防止在传统沉积方法中出现的由于基底和FMM之间的接触而导致的缺陷。另外，由于在沉积工艺期间没有必要将FMM设置为与基底紧密接触，所以可以缩短制造时间。
在下文中，将详细描述根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100中的能够用来获得第二喷嘴150和基底160之间的足够的对准精度和间隔精度的间隔控制构件和对准控制构件。
如上所述，在根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100中，第二喷嘴150与基底160分开预定距离，在第二喷嘴150沿着Z-轴方向相对于基底160移动的同时执行沉积。然而，为了在移动第二喷嘴150的同时形成精确的薄膜图案，第二喷嘴150和基底160之间的位置精度是非常重要的。另外，当第二喷嘴150和基底160之间的间隔发生变化时，图案位置会发生偏移。因此，第二喷嘴150和基底160之间的间隔必须尽可能保持恒定，例如，保持在100μm。为此，根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100可包括间隔控制构件和对准控制构件。因此，第二喷嘴150和基底160之间的间隔可以保持恒定，同时第二喷嘴150和基底160可以彼此精确地对准。
图6是根据本发明实施例的图1中的薄膜沉积装置100的示意性侧面剖视图。图7是薄膜沉积装置100的示意性主视图，示出了根据本发明实施例的间隔控制构件和对准控制构件。为了便于解释，在图7中没有示出图6中的薄膜沉积装置100中的除了第二喷嘴150、第二喷嘴框架155和基底160之外的所有元件。
参照图6和图7，根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100包括底部框架171、托架173、开口掩模175、轨道177、间隔控制构件和对准控制构件。
基底160包括沉积沉积材料的沉积区域161和不沉积沉积材料的非沉积区域162。另外，基底160包括定位标记163，定位标记163用作保持第二喷嘴150和基底160之间的间隔恒定并且使第二喷嘴150和基底160彼此精确对准的参考标记。尽管图7中示出了分别形成在基底160的左边缘区域、中心区域和右边缘区域的三个定位标记163，但是本发明不限于此。
开口掩模175布置在基底160上。如果基底160被制造为足够大，则基底160可以包括多个沉积区域161和不沉积沉积材料并且分别位于相邻的沉积区域161之间的非沉积区域162。为了防止在非沉积区域162中沉积沉积材料，使用开口掩模175。然而，难以用普通的开口掩模精确地调节第二喷嘴150和基底之间的间隔以及第二喷嘴150和基底的位置。因此，在根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100中，布置开口掩模175，从而暴露基底160的沿着与第二喷嘴150移动的方向相同的方向(即，Z-轴方向)延伸的区域。换而言之，开口掩模175被布置为不与基底160的形成有定位标记163的区域叠置，从而允许调节第二喷嘴150和基底160之间的间隔以及它们的位置。
轨道177设置在作为沉积目标的基底160的将被沉积沉积材料115的相对侧上。
底部框架171插入在轨道177之间。底部框架171由于电机(未示出)的驱动力而沿着轨道177在Z-轴方向上上下移动。薄膜沉积装置100的与保持第二喷嘴150和基底160之间的恒定间隔和使第二喷嘴150和基底160相对于彼此精确对准有关的所有元件，即，第二喷嘴150、第二喷嘴框架155、托架173、间隔控制构件和对准控制构件，均设置在底部框架171上。换而言之，托架173安装在底部框架171上，第二喷嘴框架155安装在托架173中。另外，间隔控制构件设置在托架173和第二喷嘴框架155之间，对准控制构件设置在底部框架171和托架173之间。
底部框架171的重量可以尽可能轻。另外，设置在底部框架171的相对侧上用来使底部框架171沿着Z-轴方向移动的电机(未示出)可以提供驱动力，该驱动力足以驱动设置在底部框架171上的所有元件。此外，电机必须可以在真空下操作并且必须具有相同的移动速度和足够低的振动。电机沿着Z-轴方向的移动速度可能不会被精确地控制。然而，为了将电机工作时的振动最小化，电机必须以尽可能恒定的速度移动。
托架173设置在底部框架171上。第二喷嘴框架155被安装为可以与托架173拆下。
具体地讲，当第二喷嘴框架155安装在托架173中时，防止第二喷嘴框架155沿着Y-轴和Z-轴方向移动。然而，当第二喷嘴框架155安装在托架173中时，第二喷嘴框架155可以在托架173内沿着X-轴方向在一定程度上移动。换而言之，可以通过使第二喷嘴框架155沿着X-轴方向相对于托架173移动来调节基底160和第二喷嘴150之间的间隔。
此外，可以通过第一对准调节致动器191和第二对准调节致动器192来使托架173相对于底部框架171沿着Y-轴和Z-轴方向移动(将在后面描述)。然而，托架173被固定为不沿X-轴方向移动。换而言之，可以通过沿着YZ平面相对于底部框架171移动托架173来使第二喷嘴150和基底160在Y-轴方向和Z-轴方向上彼此精确地对准。
间隔控制构件包括第一间隔调节致动器181、第二间隔调节致动器182、第三间隔调节致动器183和第一间隔调节传感器185a、第二间隔调节传感器185b、第三间隔调节传感器185c、第四间隔调节传感器185d。第一间隔调节致动器181、第二间隔调节致动器182、第三间隔调节致动器183可以安装在托架173和第二喷嘴框架155之间。第一间隔调节传感器185a、第二间隔调节传感器185b、第三间隔调节传感器185c、第四间隔调节传感器185d可以安装在第二喷嘴框架155上。
具体地讲，致动器上位地指利用电、液压、压缩空气等的驱动装置，具体地，致动器指机械电子领域中的具有一种控制工具的电机或通过液压或气压进行工作的活塞或气缸机械。
在本发明的当前实施例中，第一间隔调节致动器181设置在托架173的一侧(即，图7中的托架173的左侧)和第二喷嘴框架155之间，以调节第二喷嘴框架155或被第二喷嘴框架155包围的第二喷嘴150与基底160之间的间隔。第二间隔调节致动器182设置在托架173的一侧(即，图7中的托架173的右侧)和第二喷嘴框架155之间，以调节第二喷嘴框架155或被第二喷嘴框架155包围的第二喷嘴150与基底160之间的间隔。第三间隔调节致动器183设置在托架173的底部(即，图7中的托架173的底部中心)上，以调节第二喷嘴框架155或被第二喷嘴框架155包围的第二喷嘴150与基底160之间的间隔。
这里，压电电机可以用作第一间隔调节致动器181、第二间隔调节致动器182和第三间隔调节致动器183。压电电机被广泛地用作产生强劲驱动力的小型致动器，其中，压电电机是由当施加电场时产生变形的压电材料产生驱动力的一种电机。
另外，第一间隔调节传感器185a、第二间隔调节传感器185b、第三间隔调节传感器185c、第四间隔调节传感器185d可以分别安装在第二喷嘴框架155的四个角上。第一间隔调节传感器185a、第二间隔调节传感器185b、第三间隔调节传感器185c、第四间隔调节传感器185d测量第二喷嘴150和基底160之间的间隔。第一间隔调节传感器185a、第二间隔调节传感器185b、第三间隔调节传感器185c、第四间隔调节传感器185d可通过利用激光来测量第二喷嘴框架155和基底160之间的间隔。这里，第一间隔调节传感器185a、第二间隔调节传感器185b、第三间隔调节传感器185c、第四间隔调节传感器185d可以通过利用位于基底160上的定位标记163来测量第二喷嘴框架155和基底160之间的间隔。后面将参照图8来详细描述如上所述通过利用间隔控制构件来调节第二喷嘴150和基底160之间的间隔的方法。
对准控制构件包括第一对准调节致动器191、第二对准调节致动器192和第一对准调节传感器195a、第二对准调节传感器195b、第三对准调节传感器195c、第四对准调节传感器195d。第一对准调节致动器191和第二对准调节致动器192可以安装在底部框架171和托架173之间。第一对准调节传感器195a、第二对准调节传感器195b、第三对准调节传感器195c、第四对准调节传感器195d可以安装在第二喷嘴框架155上。
在本发明的当前实施例中，第一对准调节致动器191设置在底部框架171的一侧(即，图7中的底部框架171的左侧)和托架173的左侧之间，以调节托架173、安装在托架173中的第二喷嘴150以及基底160之间沿着Y-轴方向的对准。
同时，第二对准调节致动器192设置在底部框架171的底部和托架173的底部之间，具体地讲，设置在图7中的底部框架171的右边底部区域和托架173的右边底部边缘之间，以控制托架173和安装在托架173中的第二喷嘴150相对于基底160的旋转角度，从而调节第二喷嘴150和基底160之间的对准。
另外，第一对准调节传感器195a、第二对准调节传感器195b、第三对准调节传感器195c、第四对准调节传感器195d可以分别安装在第二喷嘴框架155的四个角上。第一对准调节传感器195a、第二对准调节传感器195b、第三对准调节传感器195c、第四对准调节传感器195d测量第二喷嘴框架155和基底160是否彼此对准。第一对准调节传感器195a、第二对准调节传感器195b、第三对准调节传感器195c、第四对准调节传感器195d可以通过利用激光来测量第二喷嘴框架155和基底160是否彼此对准。这里，第一对准调节传感器195a、第二对准调节传感器195b、第三对准调节传感器195c、第四对准调节传感器195d可以通过利用位于基底160上的定位标记163来测量第二喷嘴框架155和基底160是否彼此对准。后面将参照图9A和图9B来详细描述通过利用对准控制构件将第二喷嘴150和基底160彼此对准的方法。
现在将详细描述通过利用间隔控制构件将第二喷嘴150和基底160之间的间隔调节为恒定的方法。
图8是用于描述根据本发明实施例的通过利用间隔控制构件将第二喷嘴150和基底160之间的间隔调节为恒定的方法的主视图。参照图8，如上所述，为了调节第二喷嘴150和基底160之间的间隔，基本上需要三个致动器。
最初，通过驱动第一间隔调节致动器181将第二喷嘴框架155在X-轴方向上相对于托架173移动预定距离，使得通过第一间隔调节传感器185a和第三间隔调节传感器185c测量的第二喷嘴150和基底160之间的平均间隔达到期望值，例如，100μm。例如，如果通过第一间隔调节传感器185a和第三间隔调节传感器185c测量的第二喷嘴150和基底160之间的平均间隔大于期望值，则第一间隔调节致动器181使第二喷嘴框架155相对于托架173移动，从而第二喷嘴框架155的设置有第一间隔调节致动器181的区域移向更靠近基底160的位置。相反，如果通过第一间隔调节传感器185a和第三间隔调节传感器185c测量的第二喷嘴150和基底160之间的平均间隔小于期望值，则第一间隔调节致动器181使第二喷嘴框架155相对于托架173移动，从而第二喷嘴框架155的设置有第一间隔调节致动器181的区域远离基底160移动。
类似地，通过驱动第二间隔调节致动器182使第二喷嘴框架155在X-轴方向上相对于托架173移动预定距离，从而通过第二间隔调节传感器185b和第四间隔调节传感器185d测量的第二喷嘴150和基底160之间的平均间隔达到期望值，例如，100μm。例如，如果通过第二间隔调节传感器185b和第四间隔调节传感器185d测量的第二喷嘴150和基底160之间的平均间隔大于期望值，则第二间隔调节致动器182使第二喷嘴框架155相对于托架173移动，从而第二喷嘴框架155的设置有第二间隔调节致动器182的区域移向更靠近基底160的位置。相反，如果通过第二间隔调节传感器185b和第四间隔调节传感器185d测量的第二喷嘴150和基底160之间的平均间隔小于期望值，则第二间隔调节致动器182使第二喷嘴框架155相对于托架173移动，从而第二喷嘴框架155的设置有第二间隔调节致动器182的区域远离基底160移动。
如上所述，通过控制由第一间隔调节传感器185a和第三间隔调节传感器185c测量的平均间隔和由第二间隔调节传感器185b和第四间隔调节传感器185d测量的平均间隔来调节位于左右两侧的第二喷嘴150和基底160之间的间隔。因此，为了减小由第一间隔调节传感器185a和第三间隔调节传感器185c测量的间隔之间的不同以及由第二间隔调节传感器185b和第四间隔调节传感器185d测量的间隔之间的不同，通过驱动第三间隔调节致动器183使第二喷嘴框架155围绕图8中的轴A相对于托架173旋转。
换而言之，如果通过第一间隔调节传感器185a和第二间隔调节传感器185b测量的第二喷嘴150和基底160之间的间隔分别大于由第三间隔调节传感器185c和第四间隔调节传感器185d测量的第二喷嘴150和基底160之间的间隔，则通过驱动第三间隔调节致动器183使第二喷嘴框架155移动，从而第二喷嘴框架155的设置有第三间隔调节致动器183的区域移向更靠近基底160的位置。
相反，如果由第一间隔调节传感器185a和第二间隔调节传感器185b测量的第二喷嘴150和基底160之间的间隔分别小于由第三间隔调节传感器185c和第四间隔调节传感器185d测量的第二喷嘴150和基底160之间的间隔，则通过驱动第三间隔调节致动器183使第二喷嘴框架155移动，从而第二喷嘴框架155的设置有第三间隔调节致动器183的区域远离基底160移动。
如上所述，通过利用第一间隔调节致动器181、第二间隔调节致动器182、第三间隔调节致动器183和第一间隔调节传感器185a、第二间隔调节传感器185b、第三间隔调节传感器185c、第四间隔调节传感器185d来调节第二喷嘴150和基底160之间的间隔，图案的位置被保持为一致，并且提高了产品的可靠性。
另外，当采用更大基底时，可以通过利用更多数量的间隔调节致动器和间隔调节传感器来精确地调节第二喷嘴150和基底160之间的间隔。
在下文中，将详细描述通过利用对准控制构件将第二喷嘴150和基底160彼此对准的方法。
图9A和图9B是用于描述根据本发明实施例的通过利用对准控制构件来调节薄膜沉积装置100中的第二喷嘴150和基底160之间的对准的方法的主视图。参照图9A和图9B，如上所述，为了将第二喷嘴150和基底160彼此对准，基本上需要两个致动器。为了便于解释，在图9A和图9B中没有示出图7中的第二喷嘴150和图7中的开口掩模175。
最初，参照图9A，通过利用第一对准调节传感器195a、第二对准调节传感器195b、第三对准调节传感器195c和第四对准调节传感器195d来测量基底160中的定位标记163与第二喷嘴框架155中的对准标记(未示出)的Y-轴方向的相对位置。如果基底160和第二喷嘴框架155没有彼此对准，则通过驱动第一对准调节致动器191使托架173在Y-轴方向上移动预定距离，从而使基底160和第二喷嘴框架155在Y-轴方向上彼此对准。这里，托架173在Y-轴方向上的移动量可以被设置为由第一对准调节传感器195a、第二对准调节传感器195b、第三对准调节传感器195c和第四对准调节传感器195d测量的基底160中的定位标记163与第二喷嘴框架155中的对准标记的距离之间的平均差。
例如，如果第二喷嘴框架155偏向于基底160的右侧(见图9A中的虚线)，则通过驱动第一对准调节致动器191使第二喷嘴框架155在箭头B的方向上相对于基底160移动预定距离，从而使基底160和第二喷嘴框架155在Y-轴方向上彼此对准。
另外，当第二喷嘴150相对于基底160旋转预定角度时，第二喷嘴150和基底160可能会彼此对不准。在这种情况下，为了使第二喷嘴150和基底160彼此对准，可以在相反方向上旋转第二喷嘴150预定角度。
参照图9B，通过驱动第二对准调节致动器192将托架173旋转预定角度，从而由第一对准调节传感器195a和第三对准调节传感器195c测量的基底160中的定位标记163与第二喷嘴框架155中的对准标记的距离之间的差变为零，并且由第二对准调节传感器195b和第四对准调节传感器195d测量的基底160中的定位标记163和第二喷嘴框架155中的对准标记的距离之间差变为零。因此，基底160和第二喷嘴框架155彼此对准。
当第二喷嘴框架155相对于定位标记163逆时针倾斜时(参见图9B中的虚线)，第二对准调节致动器192将第二喷嘴框架155相对于基底160顺时针(即，沿箭头C的方向)旋转。当第二喷嘴框架155相对于定位标记163顺时针倾斜时，第二对准调节致动器192将第二喷嘴框架155逆时针旋转。
如上所述，通过利用两个对准调节致动器191和192以及第一对准调节传感器195a、第二对准调节传感器195b、第三对准调节传感器195c、第四对准调节传感器195d来使第二喷嘴150和基底160彼此精确对准，在第二喷嘴150移动的同时，可以在基底160上形成精确的薄膜图案。
虽然图6至图9B描述了包括间隔控制构件和对准控制构件的薄膜沉积装置，但是根据本发明的薄膜沉积装置还可以仅包括间隔控制构件和对准控制构件中的一个。
在下文中，将描述根据本发明另一实施例的薄膜沉积装置。当前实施例与参照图6描述的前一实施例的区别仅在于间隔控制构件的结构。因此，这里将不提供在图6中用相同的标号表示的元件的详细描述。
图10是根据本发明另一实施例的薄膜沉积装置100的示意性透视图。图11是图10中的薄膜沉积装置100的主视图，说明了根据本发明实施例的间隔控制构件280和对准控制构件(未示出)。为了便于解释，图11中没有示出除了第二喷嘴150、第二喷嘴框架155和基底160之外的图10中的薄膜沉积装置100的所有元件。
参照图10和图11，根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置100包括沉积源110、第一喷嘴120、障碍墙组件130、第二喷嘴150、第二喷嘴框架155、基底160、对准控制构件(未示出)和间隔控制构件280。
图12A示出了根据本发明实施例的构成间隔控制构件280的辊子280a。参照图12A，构成间隔控制构件280的辊子280a可以附于第二喷嘴框架155的四个角中的每个角。图12B示出了根据本发明另一实施例的构成间隔控制构件280的球状物280b。可选地，如图12B中所示，构成间隔控制构件280的球状物280b可以附于第二喷嘴框架155的四个角中的每个角。构成间隔控制构件280的辊子280a或球状物280b的直径以及辊子280a或球状物280b的轴(未示出)的直径可以被精确地处理。如果由球状物280b构成间隔控制构件280，则第二喷嘴框架155的接触球状物280b的区域可以被精确地加工。
根据本发明当前实施例的由辊子280a或球状物280b构成的间隔控制构件280可以被制造为与参照图6描述的根据前一实施例的间隔控制构件相比精确程度稍低。然而，间隔控制构件280具有简单的结构，可以容易地制造，并且不干扰开口掩模175。换而言之，根据当前实施例的间隔控制构件280具有按压基底160的结构，从而开口掩模175可以设置在间隔控制构件280下方。因此，开口掩模175可以被相对容易地安装。
在下文中，将描述根据本发明另一实施例的薄膜沉积装置。当前实施例与参照图6描述的前一实施例的区别仅在于障碍墙组件的结构。
图13是根据本发明实施例的薄膜沉积装置300的示意性透视图。
参照图13，根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置300包括沉积源310、第一喷嘴320、第一障碍墙组件330、第二障碍墙组件340、第二喷嘴350、第二喷嘴框架355和基底360。
尽管为了便于解释在图13中没有示出室，但是薄膜沉积装置300的所有组件均可以设置在室中，所示室保持在适当的真空度下。为了允许沉积材料基本沿着直线移动穿过薄膜沉积装置300，所述室保持在适当的真空下。
构成将在其上沉积沉积材料315的沉积目标的基底360被设置在所述室中。包含并加热沉积材料315的沉积源310设置在所述室的与设置有基底360的一侧相对的一侧上。沉积源310可以包括坩埚311和加热器312。
第一喷嘴320设置在沉积源310的面对基底360的一侧。第一喷嘴320包括沿着Y-轴方向以等间隔布置的多个第一缝隙321。
第一障碍墙组件330设置在第一喷嘴320的一侧。第一障碍墙组件330包括多个第一障碍墙331和覆盖第一障碍墙331的侧部的第一障碍墙框架332。
第二障碍墙组件340设置在第一障碍墙组件330的一侧。第二障碍墙组件340包括多个第二障碍墙341和覆盖第二障碍墙341的侧部的第二障碍墙框架342。
第二喷嘴350和第二喷嘴框架355设置在沉积源310和基底360之间。第二喷嘴框架355可以形成为与窗口框架类似的格子形状。第二喷嘴350结合在第二喷嘴框架355内侧。第二喷嘴350包括在Y-轴方向以等间隔布置的多个第二缝隙351。
根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置300包括两个单独的障碍墙组件，即，第一障碍墙组件330和第二障碍墙组件340。
多个第一障碍墙331可以被布置为在Y-轴方向上以等间隔彼此平行。另外，每个第一障碍墙331可以形成为沿着图13中的XZ平面(即，垂直于Y-轴方向)延伸。
多个第二障碍墙341可以被布置为在Y-轴方向上以等间隔彼此平行。另外，每个第二障碍墙341可以形成为沿着图13中的XZ平面(即，垂直于Y-轴方向)延伸。
如上所述布置的多个第一障碍墙331和多个第二障碍墙341划分第一喷嘴320和第二喷嘴350之间的空间。在根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置300中，通过第一障碍墙331和第二障碍墙341将沉积空间划分为子沉积空间，所述子沉积空间分别与第一缝隙321对应，其中，沉积材料315通过第一缝隙321排放。
第二障碍墙341可以被设置为与第一障碍墙331对应。第二障碍墙341可以分别与第一障碍墙331对准，从而在与第一障碍墙331相同的平面上与第一障碍墙331平行。每对相应的第一障碍墙331和第二障碍墙341可以位于同一平面上。如上所述，由于通过彼此平行设置的第一障碍墙331和第二障碍墙341来划分将在后面描述的第一喷嘴320和第二喷嘴350之间的空间，所以通过每个第一缝隙321排放的沉积材料315不与通过其它第一缝隙321排放的沉积材料315混合，并且通过第二缝隙351沉积在基底360上。第一障碍墙331和第二障碍墙341引导通过第一缝隙321排放的沉积材料315不在Y-轴方向上流动。
尽管第一障碍墙331和第二障碍墙341分别示出为在Y-轴方向上具有相同的厚度，但是本发明的方面不限于此。应当与第二喷嘴350精确对准的第二障碍墙341可以形成为相对薄，而不需要与第二喷嘴350准确对准的第一障碍墙331可以形成为相对厚。这使得更易于制造薄膜沉积装置300。
尽管未示出，但是根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置300还可以包括间隔控制构件和对准控制构件。根据本发明当前实施例的间隔控制构件可以由参照图7至图9A、图9B描述的实施例中的致动器和传感器构成，或者可选择地，可以由参照图12A和图12B描述的实施例中的辊子或球状物构成。根据本发明当前实施例的对准控制构件可以由参照图7至图9A、图9B和图10、图11描述的实施例中的致动器和传感器构成。由于在前面的实施例中已经详细描述了间隔控制构件和对准控制构件，所以这里不提供对它们的详细描述。
在下文中，将描述根据本发明又一实施例的薄膜沉积装置。当前实施例与参照图1描述的前一实施例的区别在于没有设置障碍墙组件。
图14是根据本发明实施例的薄膜沉积装置900的示意性透视图，图15是薄膜沉积装置900的示意性侧视图，图16是薄膜沉积装置900的示意性平面图。
参照图14、图15和图16，根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置900包括沉积源910、第一喷嘴920和第二喷嘴950。
尽管为了便于解释在图14、图15和图16中没有示出室，但是薄膜沉积装置900的所有组件均可以设置在保持在合适的真空程度下的室中。为了允许沉积材料基本沿直线移动穿过薄膜沉积装置900，所述室保持在合适的真空下。
为了将从沉积源910发射并通过第一喷嘴920和第二喷嘴950排放的沉积材料915在基底上沉积为期望的图案，与利用精细金属掩模(FMM)的沉积方法类似，所述室应该保持在高真空状态下。另外，第二喷嘴950的温度必须充分地低于沉积源910的温度。关于这一点，第二喷嘴950的温度可以为大约100℃或更低。第二喷嘴950的温度应该足够低，从而减小第二喷嘴950的热膨胀。
构成其上将被沉积沉积材料915的沉积目标的基底400被设置在所述室中。基底400可以为用于平板显示器的基底。诸如用于制造多个平板显示器的母玻璃的大基底可以用作基底400。也可以采用其它基底。
在本发明的当前实施例中，可以在基底400或者薄膜沉积装置900彼此相对移动的同时执行沉积。
具体地讲，在传统的FMM沉积方法中，FMM的尺寸必须等于基底的尺寸。因此，FMM的尺寸必须随着基底变大而增加。然而，不容易制造大的FMM，也不容易将FMM延展为与图案准确地对准。
为了克服这个问题，在根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置900中，可以在薄膜沉积装置900或者基底400彼此相对移动的同时执行沉积。换而言之，可以在被设置为面对薄膜沉积装置900的基底400在Z-轴方向上移动的同时连续执行沉积。换而言之，在基底400在图14中的箭头A的方向移动的同时以扫描方式执行沉积。尽管基底400被示出为在执行沉积时在图14中的Z-轴方向上移动，但是本发明不限于此。可以在薄膜沉积装置900在Z-轴方向上移动而基底400被固定的同时执行沉积。
因此，在薄膜沉积装置900中，第二喷嘴950可以显著小于传统沉积方法中使用的FMM。换而言之，在根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置900中，在基底400在Z-轴方向上移动的同时连续地执行沉积，即，以扫描的方式执行沉积。因此，第二喷嘴950在Z-轴方向上的长度可以显著小于基底400在Z-由方向上的长度。如上所述，由于第二喷嘴950可以显著小于在传统沉积方法中使用的FMM，所以制造第二喷嘴950是相对容易的。与利用较大的FMM的传统沉积方法相比，在所有工艺(包括蚀刻和后续的其它工艺，例如，精确延展、焊接、移动和清洁工艺)中使用比传统沉积方法中使用的FMM小的第二喷嘴950更加方便。
为了如上所述在薄膜沉积装置900或基底400彼此相对移动的同时执行沉积，薄膜沉积装置900和基底400可以彼此分开预定距离。这将在后面进行详细地描述。
包含并且加热沉积材料915的沉积源910设置在所述室的设置有基底400的一侧的相对侧。当沉积材料915在沉积源910中被蒸发时，沉积材料915沉积在基底400上。
沉积源910包括坩埚911和加热器912。坩埚911容纳沉积材料915。加热器912加热坩埚911，以向着坩埚911的一侧(具体地，朝向第一喷嘴920)蒸发包含在坩埚911中的沉积材料915。
第一喷嘴920设置在沉积源910的面对基底400的一侧。第一喷嘴920包括在Z-轴方向以等间隔布置的多个第一缝隙921，其中，基底400在Z-轴方向上被扫描。在沉积源910中蒸发的沉积材料915朝向基底400穿过第一喷嘴920。如上所述，当第一喷嘴920包括在Z-轴方向(即，基底400的扫描方向)上布置的多个第一缝隙921时，由通过第二喷嘴950的第二缝隙951排放的沉积材料915形成的图案的尺寸仅受一个第一缝隙921的尺寸的影响(因为这可以被当作就好像在Y-轴方向上仅设置一个第一缝隙921一样)，从而在基底400上没有阴影区。另外，由于多个第一缝隙921布置在基底400的扫描方向上，所以即使第一喷嘴920的第一缝隙921的流量之间存在差异，该差异也可以被补偿，从而恒定地保持沉积均匀。
第二喷嘴950和第二喷嘴框架955设置在沉积源910和基底400之间。第二喷嘴框架955可以形成为与窗口框架类似的格子形状。第二喷嘴950结合在第二喷嘴框架955的内侧。第二喷嘴框架950包括在Y-轴方向上以等间隔布置的多个第二缝隙951。在沉积源910中蒸发的沉积材料915向着基底400穿过第一喷嘴920和第二喷嘴950。可以通过蚀刻来制造第二喷嘴950，所述蚀刻与制造FMM(具体地，条形FMM)的传统方法中采用的方法相同。这里，第一缝隙921的总数可以小于第二缝隙951的总数。
此外，沉积源910和结合到沉积源910的第一喷嘴920可以与第二喷嘴950分开预定距离。可选地，沉积源910和结合到沉积源910的第一喷嘴920可以通过连接构件935连接到第二喷嘴950，如图14中所示。即，沉积源910、第一喷嘴920和第二喷嘴950可以经过连接构件935彼此连接而整体地形成为一体。连接构件935引导通过第一缝隙921排放的沉积材料915沿直线移动，不在Y-轴方向上流动。尽管在图14中连接构件935被示出为设置在沉积源910、第一喷嘴920和第二喷嘴950的左侧和右侧上，以引导沉积材料915不在Y-轴方向上流动，但是本发明不限于此。例如，连接构件935可以形成为密封的盒子，以在X-轴和Y-轴两个方向上引导沉积材料915的流动。
如上所述，根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置900在相对于基底400移动的同时执行沉积。为了使薄膜沉积装置900相对于基底400移动，第二喷嘴950可以与基底400分开预定距离。
具体地讲，在利用FMM的传统沉积方法中，为了防止在基底上形成阴影区，在FMM紧密接触基底的情况下执行沉积。然而，当使用与基底紧密接触的FMM时，这种接触会引起缺陷。另外，在传统沉积方法中，由于掩模不能相对于基底移动，所以掩模的尺寸必须与基底的尺寸相同。因此，掩模的尺寸必须随着显示装置变大而增大。然而，不容易制造这种大的掩模。
为了克服这个问题，在薄膜沉积装置900中，第二喷嘴950被设置为与基底400分开预定距离。
如上所述，根据本发明，掩模被形成为小于基底，并且在掩模相对于基底移动的同时执行沉积。因此，可以容易地制造掩模。另外，可以防止在传统沉积方法中出现的由于基底和FMM之间的接触而引起的缺陷。另外，由于在沉积工艺期间FMM不必设置为与基底紧密接触，所以可以缩短制造时间。
为此，根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置900可以包括间隔控制构件和对准控制构件。因此，第二喷嘴950和基底400之间的间隔可以保持恒定，同时第二喷嘴950和基底400可以彼此精确地对准。由于参照图7至图9A、图9B在前面的实施例中描述了控制第二喷嘴950和基底400之间的间隔和对准，所以在此将省略对它们的详细描述。
在下文中，将描述根据本发明另一实施例的薄膜沉积装置。在本发明的当前实施例中，与参照图14至图16描述的前面的实施例不同，第一喷嘴920包括布置为以预定角度倾斜的多个第一缝隙921。
图17是根据本发明又一实施例的薄膜沉积装置900的示意性透视图。参照图17，根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置900包括沉积源910、第一喷嘴920和第二喷嘴950。具体地讲，沉积源910包括填充有沉积材料915的坩埚911和加热坩埚911以向着坩埚911的一侧(具体地为朝向第一喷嘴920)蒸发包含在坩埚911中的沉积材料915的加热器912。第一喷嘴920设置在沉积源910的一侧。第一喷嘴920包括在Z-轴方向布置的多个第一缝隙921。第二喷嘴950和第二喷嘴框架955还设置在沉积源910和基底400之间。第二喷嘴950包括在Y-轴方向上布置的多个第二缝隙951。另外，沉积源910和结合到沉积源910的第一喷嘴920、与第一喷嘴920分隔开的第二喷嘴950通过连接构件935连接。
在本发明的当前实施例中，与参照图14至图16描述的前面的实施例不同，第一喷嘴920的多个第一缝隙921以预定角度倾斜。具体地讲，第一缝隙921可以包括布置在各个行中的第一缝隙921a和921b。第一缝隙921a和921b可以布置在各自的行中，以按照Z字形图案交替。这里，第一缝隙921a和921b可以相对于XZ平面倾斜预定角度。
换而言之，在本发明的当前实施例中，第一缝隙921a和921b可以被布置为倾斜预定角度。这里，第一行中的第一缝隙921a和第二行中的第一缝隙921b可以朝向彼此倾斜。即，第一喷嘴920的左部中的第一行的第一缝隙921a可以倾斜为面对第二喷嘴950的右端部，第一喷嘴920的右部中的第二行的第一缝隙921b可以倾斜为面对第二喷嘴950的左端部。
图18是示出根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置中在邻近沉积源910的第一喷嘴920中的第一缝隙921a和921b不倾斜时，形成在基底上的沉积膜的厚度分布的曲线图。图19是示出如在根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置中第一缝隙921a和921b倾斜时，形成在基底上的沉积膜的厚度分布的曲线图。比较图18和图19，与第一缝隙921a和921b不倾斜时相比，当第一缝隙921a和921b倾斜时，基底的相对端部上的沉积膜的厚度相对较大，从而增加沉积膜的均匀性。
由于根据当前实施例的薄膜沉积装置900的结构，所以沉积材料915的沉积可以被调节为减小基底400的中间和端部之间的厚度变化，并且提高沉积膜的厚度均匀性。另外，还可以提高沉积材料915的利用效率。
此外，根据本发明当前实施例的薄膜沉积装置900可以包括间隔控制构件和对准控制构件。因此，第二喷嘴950和基底400之间的间隔可以保持恒定，此时，第二喷嘴950和基底400可以彼此精确地对准。由于参照图7至图9A、图9B在前面的实施例中描述了控制第二喷嘴950和基底400之间的间隔和对准，因此在这里将不提供对其的详细描述。
如上所述构造的根据本发明的薄膜沉积装置可以容易地制造，并且可以简单地应用于大规模地制造大尺寸的显示装置。所述薄膜沉积装置可以提高制造良率和沉积效率，并且可以具有允许喷嘴和基底之间的间隔被容易地调节的结构。
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员应该理解，在不脱离权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对此进行各种形式和细节上的改变。

Claims (50)

1.一种用于在基底上形成薄膜的薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置包括：
沉积源；
第一喷嘴，设置在沉积源的一侧并且包括在第一方向上布置的多个第一缝隙；
第二喷嘴，与第一喷嘴相对设置并且包括在第一方向上布置的多个第二缝隙；
障碍墙组件，包括在第一方向上布置的多个障碍墙，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间；
间隔控制构件和对准控制构件中的至少一个，间隔控制构件调节第二喷嘴与基底之间的间隔，对准控制构件调节第二喷嘴和基底之间的对准，其中，间隔控制构件或对准控制构件包括：
传感器，感测第二喷嘴相对于基底的位置；
致动器，提供用于使第二喷嘴相对于基底移动的驱动力。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，间隔控制构件将第二喷嘴和基底之间的间隔调节为恒定。
3.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，基底包括定位标记，传感器基于定位标记感测第二喷嘴相对于基底的位置。
4.如权利要求3所述的薄膜沉积装置，其中，在基底上布置不与定位标记叠置的开口掩模。
5.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置还包括：
底部框架；
托架，布置在底部框架上并且将第二喷嘴容纳在托架中。
6.如权利要求5所述的薄膜沉积装置，其中，致动器通过使第二喷嘴相对于托架移动来调节第二喷嘴和基底之间的间隔。
7.如权利要求5所述的薄膜沉积装置，其中，所述致动器包括：
第一致动器，设置在第二喷嘴的一侧和托架之间，以使第二喷嘴相对于托架移动；
第二致动器，设置在第二喷嘴的与设置有第一致动器的一侧相对的另一侧和托架之间，以使第二喷嘴相对于托架移动；
第三致动器，相对于与第一方向平行的轴旋转第二喷嘴。
8.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，致动器包括压电电机。
9.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，致动器和传感器通过实时反馈控制来调节第二喷嘴和基底之间的间隔。
10.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，间隔控制构件包括设置在第二喷嘴的相对端部并且接触基底的辊子或球状物。
11.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，对准控制构件将第二喷嘴相对于基底的位置调节为恒定。
12.如权利要求5所述的薄膜沉积装置，其中，致动器通过使第二喷嘴相对于托架移动来调节第二喷嘴和基底之间的对准。
13.如权利要求5所述的薄膜沉积装置，其中，所述致动器包括：
第一致动器，设置在托架的一侧和底部框架之间，以使托架相对于底部框架线性移动；
第二致动器，设置在托架的与第一致动器相对的一侧和底部框架之间，以使托架相对于底部框架旋转地运动。
14.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，致动器和传感器通过实时反馈控制来调节第二喷嘴和基底之间的对准。
15.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，每个障碍墙在与第一方向垂直的第二方向上延伸，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。
16.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，多个障碍墙以等间隔布置。
17.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，障碍墙与第二喷嘴分开预定距离。
18.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，障碍墙组件能够从薄膜沉积装置拆下。
19.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，障碍墙组件包括第一障碍墙组件和第二障碍墙组件，第一障碍墙组件包括多个第一障碍墙，第二障碍墙组件包括多个第二障碍墙。
20.如权利要求19所述的薄膜沉积装置，其中，每个第一障碍墙和每个第二障碍墙在与第一方向垂直的第二方向上延伸，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。
21.如权利要求19所述的薄膜沉积装置，其中，第一障碍墙被布置为与第二障碍墙对应。
22.如权利要求21所述的薄膜沉积装置，其中，每对对应的第一障碍墙和第二障碍墙布置在同一平面上。
23.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，在沉积源中蒸发的沉积材料通过第一喷嘴和第二喷嘴排放而沉积在基底上。
24.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，第二喷嘴与基底分开预定距离。
25.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件能够相对于基底移动，或者基底能够相对于沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件移动。
26.如权利要求25所述的薄膜沉积装置，其中，在沉积源、第一喷嘴、第二喷觜和障碍墙组件相对于基底移动的同时，或者在基底相对于沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件移动的同时，在沉积源中蒸发的沉积材料沉积在基底上。
27.如权利要求25所述的薄膜沉积装置，其中，沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件沿着与基底的表面平行的平面相对于基底移动，或者基底沿着所述平面相对于沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件移动。
28.一种用于在基底上形成薄膜的薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置包括：
沉积源，排放沉积材料；
第一喷嘴，设置在沉积源的一侧并且包括在第一方向上布置的多个第一缝隙；
第二喷嘴，与第一喷嘴相对设置并且包括在与第一方向垂直的第二方向上布置的多个第二缝隙；
间隔控制构件和对准控制构件中的至少一个，间隔控制构件调节第二喷嘴与基底之间的间隔，对准控制构件调节第二喷嘴和基底之间的对准，
其中，在基底或者薄膜沉积装置在第一方向上彼此相对移动的同时执行沉积，并且沉积源、第一喷嘴和第二喷嘴整体地形成为一体，
其中，间隔控制构件或对准控制构件包括：
传感器，感测第二喷嘴相对于基底的位置；
致动器，提供用于使第二喷嘴相对于基底移动的驱动力。
29.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，间隔控制构件将第二喷嘴和基底之间的间隔调节为恒定。
30.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，基底包括定位标记，传感器基于定位标记感测第二喷嘴相对于基底的位置。
31.如权利要求30所述的薄膜沉积装置，其中，在基底上布置不与定位标记叠置的开口掩模。
32.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置还包括：
底部框架；
托架，布置在底部框架上并且将第二喷嘴容纳在托架中。
33.如权利要求32所述的薄膜沉积装置，其中，致动器通过使第二喷嘴相对于托架移动来调节第二喷嘴和基底之间的间隔。
34.如权利要求32所述的薄膜沉积装置，其中，所述致动器包括：
第一致动器，设置在第二喷嘴的一侧和托架之间，以使第二喷嘴相对于托架移动；
第二致动器，设置在第二喷嘴的与设置有第一致动器的一侧相对的另一侧和托架之间，以使第二喷嘴相对于托架移动；
第三致动器，相对于与第二方向平行的轴旋转第二喷嘴。
35.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，致动器包括压电电机。
36.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，致动器和传感器通过实时反馈控制来调节第二喷嘴和基底之间的间隔。
37.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，间隔控制构件包括设置在第二喷嘴的相对端部并且接触基底的辊子或球状物。
38.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，对准控制构件将第二喷嘴相对于基底的位置调节为恒定。
39.如权利要求32所述的薄膜沉积装置，其中，致动器通过使第二喷嘴相对于托架移动来调节第二喷嘴和基底之间的对准。
40.如权利要求32所述的薄膜沉积装置，其中，所述致动器包括：
第一致动器，设置在托架的一侧和底部框架之间，以使托架相对于底部框架线性移动；
第二致动器，设置在托架的与第一致动器相对的一侧和底部框架之间，以使托架相对于底部框架旋转地运动。
41.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，致动器和传感器通过实时反馈控制来调节第二喷嘴和基底之间的对准。
42.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，沉积源、第一喷嘴和第二喷嘴通过连接构件被整体地连接为一体。
43.如权利要求42所述的薄膜沉积装置，其中，连接构件引导沉积材料的流动。
44.如权利要求42所述的薄膜沉积装置，其中，连接构件密封第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。
45.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，薄膜沉积装置与基底分开预定距离。
46.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，在基底或薄膜沉积装置在第一方向上彼此相对移动的同时，从沉积源排放的沉积材料连续沉积在基底上。
47.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，第二喷嘴小于基底。
48.如权利要求28所述的薄膜沉积装置，其中，多个第一缝隙倾斜预定角度。
49.如权利要求48所述的薄膜沉积装置，其中，多个第一缝隙包括沿着第一方向布置成两行以朝向彼此倾斜的第一缝隙。
50.如权利要求48所述的薄膜沉积装置，其中，多个第一缝隙包括沿着第一方向布置成两行的第一缝隙，
其中，作为两行之一的第一行的第一缝隙被布置为面对第二喷嘴的与第二行的第一缝隙相对的端部，第二行的第一缝隙被布置为面对第二喷嘴的与第一行的第一缝隙相对的端部。
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