CN101763933A - 电子元件及电子元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种电子元件的制造方法，该方法包括如下步骤：在衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成多个无源元件；在所述无源元件上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层的外侧上形成电连接至相应的无源元件的多个导体层，以被暴露至每个电子元件的顶面；以及在包括相应的无源元件的电子元件之间形成槽，以暴露出每个电子元件的侧面，并且从每个电子元件的所述侧面暴露出部分导体层。所述制造方法还包括在被暴露至每个电子元件的顶面和侧面的相应导体层上电镀多个外电极的步骤；以及将所述衬底切割以完全分离为单独电子元件的步骤。

Description

电子元件及电子元件的制造方法
优先权声明
本申请要求享有于2008年12月22日提交的日本专利申请NO.2008-325389以及于2009年8月31日提交的日本专利申请No.2009-199260的优先权，所述两个申请通过引用方式被纳入本说明书。
技术领域
本发明涉及一种适于表面安装到用于电子设备的印刷电路板或者混合集成电路(HIC)上的表面安装型电子元件，以及电子元件的制造方法。
背景技术
存在有各种无源元件，例如构造电感器元件或者共模扼流圈(common mode choke coil)的线圈元件，或者电容器元件，它们用作表面安装到诸如计算机或移动电话等的电子设备上的电子元件。
例如对于线圈元件而言，公知的有具有铁氧体磁芯以及围绕该铁氧体磁芯缠绕的铜线的绕线型(line-wound type)线圈元件、具有由例如铁氧体制成的层压磁板和形成在每个板的表面上的线圈导体分布图的层压型线圈元件、以及具有使用薄膜制造技术被交替层压到彼此上的绝缘薄膜和薄金属线圈导体的薄膜型线圈元件。
日本专利公开文本No.8-203,737和No.2002-203,718公开了一种共模扼流圈，其是薄膜型线圈元件的一个实例。这种共模扼流圈通常通过以下步骤形成：使用薄膜制造技术将绝缘层和线圈层交替层压到铁氧体衬底上；将一铁氧体衬底层压到该铁氧体衬底上；将所述被层压的层和衬底切割从而分离为每个都具有长方体外型的单独芯片；然后电镀外电极，使得它们连接至暴露在芯片的侧面上的内电极终端。
通过如下过程制造诸如上述共模扼流圈的常规电子元件。首先，使用薄膜制造技术在衬底上形成多个元件；然后将衬底切割而分为单独元件芯片(element chips)；此后通过电镀在每个芯片的顶面、侧面和底面上形成外电极。为了获得与印刷电路板的焊接缝中的足够强度以及与内导体的足够导电性，在日本专利公开文本No.8-203,737中所描述的共模扼流圈在每个外电极中具有U型横截面图形。
然而，由于在将衬底切割为多个单独芯片之前，不会暴露出芯片的任何侧面，因此在切割过程之前不可能在侧面上制造外电极。如果在侧面上没有形成外电极，那么电极的面积将变得非常小从而不能在焊接缝中确保足够的强度。
因此，当制造这种电子元件时，在将衬底切割为多个单独芯片之后，在每个芯片的表面上形成具有预期横截面形状的外电极图形。由于根据现有技术，必须要在被分离为多个单独芯片之后形成外电极图形，从而很难准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置。另外，根据现有技术，因为需要多个制造过程——例如用于在衬底上制造元件的过程以及在将衬底分离为单独衬底之后进行的过程，因此极大地增加了制造成本。
发明内容
因此本发明的目的之一在于，提供一种包括具有大电极面积的外电极的电子元件，使得当安装该电子元件时可提供足够焊接强度，并且提供一种关于所述电子元件的制造方法。
本发明的另一目的在于，提供一种包括具有准确形状、尺寸和位置的外电极的电子元件，并且提供一种所述电子元件的制造方法。
本发明的再一目的在于，提供一种电子元件以及所述电子元件的制造方法，从而可实现该电子元件的微型化和较低的制造成本。
根据本发明，一种电子元件包括：至少一个无源元件，其形成在所述电子元件中；绝缘层，其用于覆盖所述至少一个无源元件；多个导体层，其电连接至所述至少一个无源元件并且形成在所述绝缘层的外侧上以延伸至所述电子元件的顶面的至少一部分；以及多个外电极，每个外电极都具有L型截面，所述多个外电极被形成以涂覆位于所述电子元件的顶面的一部分处的所述多个导体层，并且所述多个外电极被形成在所述电子元件的至少一个侧面的一部分上。
每个外电极都被形成以涂覆位于所述无源元件的顶面的一部分处的每个导体层，并且所述每个外电极都被形成在所述无源元件的侧面的一部分上以具有L型截面。由于每个外电极不仅形成在电子元件的顶面上并且也形成在电子元件的侧面上以具有L型截面，从而可获得大面积的外电极以提供用于安装的焊接缝中的足够强度。
优选的是，所述多个外电极中的每一个仅在电子元件的顶面和一侧面之间具有L型截面，或者所述多个外电极中的每一个在电子元件的顶面和两个侧面中的每个侧面之间、以及在电子元件的两个侧面之间具有L型截面。
还优选的是，所述多个导体层延伸至电子元件的顶面的一部分，并且延伸至电子元件的侧面的一部分，并且还优选的是，所述多个外电极被涂覆到位于所述电子元件的顶面的一部分处的多个导体层上，并且被涂覆到所述电子元件的至少一个侧面的一部分上。
再优选的是，所述多个外电极中的每一个都包括电镀在所述多个导体层的每一个之上的导体薄膜。在该情况下，优选地，每个导体薄膜都由包括金(Au)薄膜的多层薄膜组成，或者由锡(Sn)薄膜组成。
还再优选的是，所述多个导体层仅延伸至所述电子元件的顶面的一部分，并且所述多个外电极仅在所述电子元件的顶面的一部分处，电导通至所述多个导体层。
还优选的是，所述多个外电极中的每一个都包括如下的下导体薄膜和上导体薄膜，所述下导体薄膜形成在所述电子元件的顶面的一部分处的所述多个导体层的每一个上，并且形成在所述电子元件的所述至少一个侧面的部分上，所述上导体薄膜被电镀在所述下导体薄膜上。在该情况下，优选地，所述下导体薄膜由包括铜(Cu)薄膜的多层薄膜组成。此外，所述上导体薄膜由包括Au薄膜的多层薄膜组成，或者由Sn薄膜组成。
还优选的是，所述至少一个无源元件包括电感器、电容器和电阻器中的至少一个。在该情况下，优选地，所述电子元件包括共模扼流圈，该共模扼流圈具有：电感器；包含磁材料的另一绝缘层；以及在其上安装有所述电感器的磁衬底。
根据本发明，还公开了一种电子元件的制造方法，该方法包括如下步骤：在衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成多个无源元件；在所述无源元件上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层的外侧上形成电连接至相应的无源元件的多个导体层，以被暴露至每个电子元件的顶面；在包括相应的无源元件的电子元件之间形成槽，以暴露出每个电子元件的侧面，并且从每个电子元件的所述侧面暴露出部分导体层；在被暴露至每个电子元件的顶面和侧面的相应的导体层上电镀多个外电极；以及将所述衬底切割以完全分离为单独的电子元件。
在衬底上形成槽，使得在将所述衬底分离为单独电子元件之前，暴露出每个电子元件的侧面，然后将外电极电镀到暴露在侧面和顶面的相应的导体层上，此后将所述衬底完全切割以分离为单独的电子元件。由于外电极是在将衬底分离为单独电子元件之前被形成的，从而可准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置，并且可将电子元件更加微型化。此外，由于没有将制造过程分为用于在衬底上制造元件的过程以及在衬底分离为单独电子元件之后进行的过程，因此将不会增加制造成本。而且，因为每个外电极都具有通过如下过程形成的L型截面，即不仅将电子元件的顶面进行部分涂覆而且也将电子元件的侧面进行部分涂覆，从而可获得大面积电极以提供用于安装的焊接缝中的足够强度。
根据本发明，还提供了一种电子元件的制造方法，该方法包括如下步骤：在衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成多个无源元件；在所述无源元件上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层的外侧上形成电连接至相应的无源元件的多个导体层，以被暴露至每个电子元件的顶面；将所述衬底切割以完全分离为单独的电子元件，从而暴露出每个电子元件的侧面，并且从每个电子元件的所述侧面暴露出部分导体层；以及在被暴露至每个分离的单独电子元件的顶面和侧面的相应的导体层上，电镀多个外电极。
将形成在衬底上的电子元件分离为单独的电子元件，使得暴露出每个电子元件的侧面。从而，将外电极电镀到被暴露在侧面和顶面上的相应的导体层上。由于由此，外电极是被电镀到暴露的导体层上的，从而可准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置，并且将电子元件更加微型化。此外，因为每个外电极不仅形成在电子元件的顶面上，而且还形成在电子元件的侧面上，从而可获得大面积电极以提供用于安装的焊接缝中的足够强度。
优选的是，所述制造方法还包括在分离为单独电子元件之后，将每个电子元件倒棱的步骤。
还优选的是，所述电镀多个外电极的步骤包括通过电镀包括Au薄膜的多层薄膜形成外电极的步骤，或者通过电镀Sn薄膜形成外电极的步骤。
还优选的是，所述形成多个无源元件的步骤包括形成电感器、电容器和电阻器中的至少一个的步骤。在该情况下，优选地，所述电子元件包括共模扼流圈，所述衬底包括磁衬底，并且所述制造方法还包括在切割所述衬底之前，在导体层之间填充包含磁材料的层的步骤。
根据本发明，还提供了一种电子元件的制造方法，该方法包括如下步骤：在衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成多个无源元件；在所述无源元件上形成第二绝缘层；在将被暴露至每个电子元件的顶面的所述第二绝缘层的外侧上，形成电连接至相应的无源元件的多个导体层；在所述导体层的外侧上形成第三绝缘层；形成浅槽，以暴露出包括无源元件的每个电子元件的侧面，并且从每个电子元件的所述侧面暴露出部分第三绝缘层；在被暴露至每个电子元件的顶面的导体层上、以及在被暴露至每个电子元件的侧面的部分第三绝缘层上，喷涂用于外电极的下导体薄膜；将用于外电极的上导体薄膜电镀到所述用于外电极的下导体薄膜上；以及将所述衬底切割以完全分离为单独的电子元件。
根据本发明，还提供了一种电子元件的制造方法，该方法包括如下步骤：在衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成多个无源元件；在所述无源元件上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层的外侧上形成电连接至相应的无源元件的多个导体层，将被暴露至每个电子元件的顶面；在所述导体层的外侧上形成第三绝缘层；形成浅槽，以暴露包括无源元件的每个电子元件的侧面，并且从每个电子元件的所述侧面暴露出部分第三绝缘层；在被暴露至每个电子元件的顶面的导体层上、以及在被暴露至每个电子元件的侧面的部分第三绝缘层上，喷涂用于外电极的下导体薄膜；将所述衬底切割以完全分离为单独的电子元件，以及将用于外电极的上导体薄膜电镀到每个分离的单独电子元件的所述用于外电极的下导体薄膜上。
在衬底上形成浅槽，使得在将所述衬底分离为单独电子元件之前，暴露出每个电子元件的侧面，然后将下导体薄膜喷涂到暴露在侧面和顶面上的相应的导体层上，此后将所述衬底完全切割以分离为单独的电子元件。由于用于外电极的下导体薄膜是在将衬底分为单独电子元件之前被形成的，因此可准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置，并且将电子元件更加微型化。而且，由于每个外电极不仅形成在电子元件的顶面上，而且也形成在电子元件的侧面上，因此可获得大面积电极以提供用于安装的焊接缝中的足够强度。
优选的是，所述喷涂用于外电极的下导体薄膜的步骤包括，通过喷涂包括Cu薄膜的多层薄膜形成用于外电极的下导体薄膜的步骤。
还优选的是，所述电镀用于外电极的上导体薄膜的步骤包括，通过电镀包括Au薄膜的多层薄膜形成用于外电极的上导体薄膜的步骤，或者通过电镀Sn薄膜形成用于外电极的上导体薄膜的步骤。
还优选的是，所述形成多个无源元件的步骤包括形成电感器、电容器和电阻器中的至少一个的步骤。在该情况下，优选地，所述电子元件包括共模扼流圈，所述衬底包括磁衬底，并且所述制造方法还包括在切割所述衬底之前，在导体层之间填充包含磁材料的层的步骤。
通过关于如附图中所示的本发明优选实施方案的如下描述，本发明的进一步目的和优点将变得显而易见。
附图说明
图1a、1b和1c示出了外部立体图、B-B线截面图和C-C线截面图，这些图示意说明了作为根据本发明的电子元件的一个实施方案的共模扼流圈的构造；
图2示出了分解立体图，该图说明了图1a、1b和1c中所示的实施方案的共模扼流圈的构造；
图3a～3m示出了多个截面图，所述截面图示意说明了图1a、1b和1c中所示的实施方案的共模扼流圈的制造过程；
图4a～4m示出了多个截面图，所述截面图示意说明了图1a、1b和1c中所示的实施方案的共模扼流圈的制造过程；
图5示出了外部立体图，该外部立体图示意说明了作为图1a、1b和1c中所示的实施方案的变型的共模扼流圈的构造；
图6a～6l示出了多个截面图，所述截面图示意说明了作为根据本发明的电子元件的另一实施方案的共模扼流圈的制造过程；
图7a～7l示出了多个截面图，所述截面图示意说明了作为根据本发明的电子元件的再一实施方案的共模扼流圈的制造过程；
图8a～8m示出了多个截面图，所述截面图示意说明了作为根据本发明的电子元件的再一实施方案的共模扼流圈的制造过程；
图9a～9b示出了外部立体图和B-B线截面图，这些图示意说明了作为根据本发明的电子元件的再一实施方案的共模扼流圈的构造；
图10a～10n示出了多个截面图，所述截面图示意说明了在图9a和图9b中所示的实施方案的共模扼流圈的制造过程；
图11a～11n示出了多个截面图，所述截面图示意说明了作为根据本发明的电子元件的再一实施方案的共模扼流圈的制造过程；
图12a～12m示出了多个截面图，所述截面图示意说明了作为根据本发明的电子元件的再一实施方案的共模扼流圈的制造过程。
具体实施方式
图1a、1b和1c示意说明了作为根据本发明的电子元件的一个实施方案的共模扼流圈的构造，而图2说明了该实施方案的共模扼流圈的分解构造。图1a示出了外部立体图，图1b示出了B-B线截面，而图1c示出了C-C线截面。应注意的是，图1b的B-B线截面相应于在此存在外电极的截面，图1c的C-C线截面相应于在此不存在外电极的截面。
在这些附图中，参考数字10表示共模扼流圈；11表示铁氧体衬底；12表示被层压到铁氧体衬底11上并且由第一绝缘薄膜12a、第二绝缘薄膜12b和第三绝缘薄膜12c构造形成的绝缘层；13表示被绝缘层12包围并且由第一线圈导体薄膜13a和第二线圈导体薄膜13b构造形成的线圈导体层；14表示引线导体层，所述引线导体层的一端经由通孔导体(via hole conductor)(未示出)连接至线圈导体层13，另一端电连接至内电极(15)；15表示到达共模扼流圈10的一部分顶面10a以及部分侧面10b和10c的内电极，并且该内电极由第一内电极层15a到第四内电极层15d构造形成；16表示被层压到绝缘层12上并且包括铁氧体材料的铁氧体树脂化合物层；以及17表示外电极，该外电极分别由分别涂覆在第一内电极层15a到第四内电极层15d的外表面上的第一外电极薄膜17a到第四外电极薄膜17d构造形成。在本实施方案中，外电极17的第一外电极薄膜17a到第四外电极薄膜17d中的每一个都具有通过部分涂覆顶面10a和侧面10b或10c所形成的L型截面。应注意的是，在图2中，线圈导体13被简化为约三圈。
正如众所周知的，共模扼流圈是一种用于抑制在平衡传输系统中造成电磁干扰的共模电流的电子元件。本实施方案中的共模扼流圈是一种具有大致长方体外型且在其顶面和侧面上形成有四个外电极的表面安装型元件。所述共模扼流圈的底部尺寸是大约0.6mm×0.3mm，其高度是大约0.3mm。在变型中，可对于共模扼流圈的相邻表面之间的每个角和每个边都进行倒棱处理。
在本实施方案中，铁氧体衬底11由例如Ni-Zn(镍-锌)铁氧体的烧结铁氧体制成，绝缘层12由热固化聚酰亚胺树脂制成，线圈导体13、引线导体层14和内电极15由例如Cu、Au、铝(Al)或银(Ag)的导电材料制成，而铁氧体树脂化合物层16由包含铁氧体颗粒的环氧树脂材料制成。此外，在本实施方案中，每个外电极17都由例如Sn的单层导电材料组成，或者由Ni薄膜以及层压在Ni薄膜上即使其被暴露到周围空气较长时间也能抑制腐蚀的Au薄膜的多层导电材料组成。
图3a～3m和图4a～4m示意说明了本实施方案的共模扼流圈的制造过程。应注意的是，图3a～3m相应于在此存在外电极的截面的图1b，图4a～4m相应于在此不存在外电极的截面的图1c。在下文中，使用这些附图，将描述本实施方案中的共模扼流圈的制造过程。
如图3a和4a中所示，首先，通过如下过程形成具有大约0.1～2.0mm厚度的铁氧体衬底11：将例如Ni-Zn铁氧体的铁氧体材料烧结；将被烧结的铁氧体切割；将切割开的铁氧体进行机械加工；以及将机械加工后的铁氧体进行抛光(lapping)。
然后，如图3b和4b中所示，通过如下过程在衬底11的整个表面上形成具有大约1.0～10μm厚度的第一绝缘薄膜12a：在衬底的整个表面上旋涂聚酰亚胺树脂材料；以及将所涂覆的聚酰亚胺热固化。
接下来，如图3c和4c中所示，通过喷涂(sputtering)在第一绝缘薄膜12a上形成电镀籽膜(plating seed film)(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(resist pattern)(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀(electroles splating)，形成具有大约5.0～20μm厚度的第一线圈导体薄膜13a以及第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图3d和4d中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第二绝缘薄膜12b：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
接下来，如图3e和4e中所示，通过喷涂形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的引线导体层14以及第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图3f和4f中所示，通过喷涂在第二绝缘薄膜12b上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第二线圈导体薄膜13b，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。应注意的是，如图2中所示，引线导体层14延伸至共模扼流圈10的中心区域，并且在引线导体层14以及与该引线导体层14相交的第二线圈导体薄膜13b之间存在第二绝缘薄膜12b。
接下来，如图3g和4g所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第三绝缘薄膜12c：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
然后，如图3h和4h中所示，在第三绝缘薄膜12c上形成抗蚀图(未示出)，另外通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～200μm厚度的、由第一内电极层15a到第四内电极层15d构成的内电极15，此后将所述抗蚀图去除。
此后，如图3i和4i中所示，通过如下过程在其上形成具有大约5.0～200μm厚度的铁氧体树脂化合物层16：涂覆包含铁氧体颗粒的环氧树脂材料；将所述环氧树脂热固化；以及将所固化的铁氧体树脂化合物的表面抛光。
然后，如图3j和4j中所示，使用用于切槽的旋转切割工具在衬底11上形成浅槽(shallow grooves)18。每个浅槽18都形成在相互联接的共模扼流圈之间以具有例如大约70μm的宽度，而不将衬底11完全分离为单独的共模扼流圈。通过在衬底11上形成浅槽18，将每个共模扼流圈10的侧面10b和10c暴露出。具体而言，将浅槽18形成在由第一内电极层15a到第四内电极层15d构形的内电极15的位置处，对本实施方案而言，这些第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分被暴露至侧面10b和10c。这些第一内电极层15a到第四内电极层15d的另一部分也被暴露至共模扼流圈的顶面10a。
接下来，如图3k和4k中所示，通过按如下顺序依次执行Ni以及Au的电解电镀或无电解电镀形成Ni/Au多层(Ni是下层，Au是上层)，或者通过执行Sn的电解电镀或无电解电镀形成Sn单层，以涂覆被暴露在共模扼流圈10的顶面10a和侧面10b和10c上的第一内电极层15a到第四内电极层15d。由此，形成了由第一外电极薄膜17a到第四外电极薄膜17d构造形成的外电极17，每个外电极都具有L型截面和大约1.0～10μm的厚度。在预期实施例中，外电极可由具有3μm厚度的Ni薄膜以及被层压其上的具有0.1μm厚度的Au薄膜的多层所形成。
然后，如图3l和4l中所示，将衬底11的背面磨削以减小其厚度。例如，在磨削之前衬底11的厚度是1.5mm的情况下，将衬底11的背面磨削为具有大约0.2～0.8mm的厚度。
此后，如图3m和4m中所示，使用用于切割的旋转切割工具将衬底11完全分离为单独共模扼流圈。
如上详述，根据该实施方案，在衬底11上形成浅槽，使得每个共模扼流圈的侧面都在将该衬底分离为单独共模扼流圈之前而暴露出，然后将第一外电极薄膜17a到第四外电极薄膜17d电镀到被暴露在侧面和顶面上的相应的第一内电极层15a到第四内电极层15d上，此后将所述衬底11完全切割以分离为单独的共模扼流圈。由于外电极由此是在将衬底分离为单独共模扼流圈之前而形成的，从而能够准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置，并且能够使共模扼流圈更加微型化。此外，由于没有将制造过程分为用于在衬底上制造元件的过程以及在衬底分离为单独共模扼流圈芯片之后进行的过程，因此将不会增加制造成本。而且，因为每个外电极都具有通过如下过程形成的L型截面，即不仅将共模扼流圈的顶面进行部分涂覆而且也将共模扼流圈的侧面进行部分涂覆，从而可获得大面积电极以提供用于安装到印刷电路板上的焊接缝中的足够强度。再者，由于本实施方案的共模扼流圈不具有如传统共模扼流圈的叠加相对的两个铁氧体衬底，因此本实施方案的共模扼流圈可具有较低高度。
图5示意说明了作为图1a、1b和1c中所示的实施方案的变型的共模扼流圈的构造。
在该变型方案中，构成外电极的第一外电极薄膜57a到第四外电极薄膜57d中的每一个都形成为不仅将顶面50a部分涂覆而且也将侧面50b到50e中的两个进行部分涂覆，以具有在顶面和两侧面中每一个之间的L型截面，并且也具有在两个侧面之间的L型截面。
由于第一外电极薄膜57a到第四外电极膜57d中的每一个都形成为具有在共模扼流圈的三个表面中的两个之间的L型截面，从而可获得较大的电极面积和较高的电极强度以提供用于安装到印刷电路板上的焊接缝中的足够强度。
图5中所示的变型方案的其他构造、功能和优点都与图1a、1b和1c中所示的实施方案相同。
图6a～6l示意说明了作为根据本发明的电子元件的另一实施方案的共模扼流圈的制造过程。在下文中，将使用这些附图，描述该实施方案中的共模扼流圈的制造过程。图6a～6l仅示出了两个邻近的共模扼流圈。在该实施方案的描述中，与图1a、1b和1c的实施方案中所示的元件相类似的元件都使用相同的参照数字被标记。
如图6a中所示，首先，通过如下过程形成具有大约0.1～2.0mm厚度的铁氧体衬底11：将例如Ni-Zn铁氧体的铁氧体材料烧结；将被烧结的铁氧体切割；将切割开的铁氧体进行机械加工；以及将机械加工后的铁氧体进行抛光。
然后，如图6b中所示，通过如下过程在衬底11的整个表面上形成具有大约1.0～10μm厚度的第一绝缘薄膜12a：在衬底的整个表面上旋涂聚酰亚胺树脂材料；以及将所涂覆的聚酰亚胺热固化。
接下来，如图6c中所示，通过喷涂在第一绝缘薄膜12a上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第一线圈导体薄膜13a以及第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图6d中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第二绝缘薄膜12b：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
接下来，如图6e中所示，通过喷涂形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的引线导体层14以及第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图6f中所示，通过喷涂在第二绝缘薄膜12b上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第二线圈导体薄膜13b，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。应注意的是，如图2中所示，引线导体层14延伸至共模扼流圈10的中心区域，并且在引线导体层14以及与该引线导体层14相交的第二线圈导体薄膜13b之间存在第二绝缘薄膜12b。
接下来，如图6g中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第三绝缘薄膜12c：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
然后，如图6h中所示，在第三绝缘薄膜12c上形成抗蚀图(未示出)，另外通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～200μm厚度的、由第一内电极层15a到第四内电极层15d构成的内电极15，此后将所述抗蚀图去除。
此后，如图6i中所示，通过如下过程在其上形成具有大约5.0～200μm厚度的铁氧体树脂化合物层16：涂覆包含铁氧体颗粒的环氧树脂材料；将所述环氧树脂热固化；以及将所固化的铁氧体树脂化合物的表面抛光。
然后，如图6j中所示，使用用于切槽的旋转切割工具在衬底11上形成深槽19。每个深槽19都具有深于在图1a、1b和1c所示的实施方案中的浅槽18的深度，并且每个深槽19都形成在相互稍微联接的共模扼流圈之间以具有例如大约70μm的宽度，而不将衬底11完全分离为单独的共模扼流圈。通过在衬底11上形成深槽19，将每个共模扼流圈10的侧面10b和10c暴露出。具体而言，将深槽19形成在由第一内电极层15a到第四内电极层15d所构造形成的内电极15的位置处，对本实施方案而言，这些第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分被暴露至侧面10b和10c。这些第一内电极层15a到第四内电极层15d的另一部分还被暴露至共模扼流圈10的顶面10a。
接下来，如图6k中所示，通过按如下顺序依次执行Ni以及Au的电解电镀或无电解电镀形成Ni/Au多层(Ni是下层，Au是上层)，或者通过执行Sn的电解电镀或无电解电镀形成Sn单层，以涂覆被暴露在共模扼流圈10的顶面10a和侧面10b和10c上的第一内电极层15a到第四内电极层15d。由此，形成了由第一外电极薄膜17a到第四外电极薄膜17d所构造形成的外电极17，每个外电极都具有L型截面和大约1.0～10μm的厚度。在预期实施例中，外电极可由具有3μm厚度的Ni薄膜和被层压其上的具有0.1μm厚度的Au薄膜的多层所形成。
然后，如图6l中所示，将衬底11的背面磨削，以在深槽19的位置处将衬底11完全分离为单独共模扼流圈。
如上详述，根据该实施方案，这样在衬底11上形成深槽，使得每个共模扼流圈的侧面都在将该衬底分离为单独共模扼流圈之前而暴露出，然后将第一外电极薄膜17a到第四外电极薄膜17d电镀到被暴露在侧面和顶面上的相应的第一内电极层15a到第四内电极层15d上，此后将所述衬底11的背面磨削，以在该深槽处将衬底11完全分离为单独的共模扼流圈。由于外电极由此是在将衬底分离为单独共模扼流圈之前而形成的，从而能够准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置，并且能够使共模扼流圈更加微型化。此外，由于没有将制造过程分为用于在衬底上制造元件的过程以及在衬底分离为单独共模扼流圈芯片之后进行的过程，因此将不会增加制造成本。而且，因为每个外电极都具有通过如下过程形成的L型截面，即不仅将共模扼流圈的顶面进行部分涂覆而且也将共模扼流圈的侧面进行部分涂覆，从而可获得大面积电极以提供用于安装到印刷电路板上的焊接缝中的足够强度。再者，由于本实施方案的共模扼流圈不具有如传统共模扼流圈的叠加相对的两个铁氧体衬底，因此本实施方案的共模扼流圈可具有较低高度。
图7a～7l示意说明了作为根据本发明的电子元件的再一实施方案的共模扼流圈的制造过程。在下文中，将使用这些附图，描述该实施方案中的共模扼流圈的制造过程。图7a～7l仅示出了两个邻近的共模扼流圈。在该实施方案的描述中，与图1a、1b和1c所示实施方案中的元件相类似的元件都使用相同的参照数字被标记。
如图7a中所示，首先，通过如下过程形成具有大约0.1～2.0mm厚度的铁氧体衬底11：将例如Ni-Zn铁氧体的铁氧体材料烧结；将被烧结的铁氧体切割；将切割开的铁氧体进行机械加工；以及将机械加工后的铁氧体进行抛光。
然后，如图7b中所示，通过如下过程在衬底11的整个表面上形成具有大约1.0～10μm厚度的第一绝缘薄膜12a：在衬底的整个表面上旋涂聚酰亚胺树脂材料；以及将所涂覆的聚酰亚胺热固化。
接下来，如图7c中所示，通过喷涂在第一绝缘薄膜12a上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第一线圈导体薄膜13a以及第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图7d中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第二绝缘薄膜12b：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
接下来，如图7e中所示，通过喷涂形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的引线导体层14以及第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图7f中所示，通过喷涂在第二绝缘薄膜12b上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第二线圈导体薄膜13b，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。应注意的是，如图2中所示，引线导体层14延伸至共模扼流圈10的中心区域，并且在引线导体层14以及与该引线导体层14相交的第二线圈导体薄膜13b之间存在第二绝缘薄膜12b。
接下来，如图7g中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第三绝缘薄膜12c：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
然后，如图7h中所示，在第三绝缘薄膜12c上形成抗蚀图(未示出)，另外通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～200μm厚度的、由第一内电极层15a到第四内电极层15d构成的内电极15，此后将所述抗蚀图去除。
此后，如图7i中所示，通过如下过程在其上形成具有大约5.0～200μm厚度的铁氧体树脂化合物层16：涂覆包含铁氧体颗粒的环氧树脂材料；将所述环氧树脂热固化；以及将所固化的铁氧体树脂化合物的表面抛光。
然后，如图7j中所示，将衬底11的背面磨削以减小其厚度。例如，在磨削之前衬底11的厚度是1.5mm的情况下，将衬底11的背面磨削为具有大约0.2～0.8mm的厚度。
接下来，如图7k中所示，使用用于切割的旋转切割工具将衬底11切割，从而将衬底11完全分离为单独共模扼流圈。通过将衬底11进行这种分离，每个共模扼流圈10的侧面10b和10c都被暴露出，并且第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分也被暴露至侧面10b和10c。这些第一内电极层15a到第四内电极层15d的另一部分也被暴露至共模扼流圈10的顶面10a。
接下来，如图7l中所示，通过滚筒电镀(barrel-plating)在所述被分离的单独共模扼流圈上形成外电极。即，通过这种滚筒电镀，通过按如下顺序依次执行Ni以及Au的电解电镀或无电解电镀形成Ni/Au多层(Ni是下层，Au是上层)，或者通过执行Sn的电解电镀或无电解电镀形成Sn单层，以涂覆被暴露在共模扼流圈10的顶面10a和侧面10b和10c上的第一内电极层15a到第四内电极层15d。由此，形成了由第一外电极薄膜17a到第四外电极薄膜17d所构造形成的外电极17，每个外电极都具有L型截面和大约1.0～10μm的厚度。在预期实施例中，外电极可由具有3μm厚度的Ni薄膜以及被层压其上的具有0.1μm厚度的Au薄膜的多层所形成。
如上详述，根据该实施方案，衬底11上形成的多个共模扼流圈被分离为单独的共模扼流圈，使得暴露出每个共模扼流圈的侧面，然后通过滚筒电镀在被暴露在侧面和顶面上的相应的第一内电极层15a到第四内电极层15d上形成第一外电极薄膜17a到第四外电极薄膜17d。由于外电极由此是通过滚筒电镀形成在暴露的内电极上的，从而能够准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置，并且能够使共模扼流圈更加微型化。而且，因为每个外电极都具有通过如下过程形成的L型截面，即不仅将共模扼流圈的顶面进行部分涂覆而且也将共模扼流圈的侧面进行部分涂覆，由此可获得大面积电极以提供用于安装到印刷电路板上的焊接缝中的足够强度。再者，由于本实施方案的共模扼流圈不具有如传统共模扼流圈的叠加相对的两个铁氧体衬底，因此本实施方案的共模扼流圈可具有较低高度。
图8a～8m示意说明了作为根据本发明的电子元件的再一实施方案的共模扼流圈的制造过程。在下文中，将使用这些附图，描述该实施方案中的共模扼流圈的制造过程。图8a～8m仅示出了两个邻近的共模扼流圈。在该实施方案的描述中，与图1a、1b和1c所示实施方案中的元件相类似的元件都使用相同的参照数字被标记。
如图8a中所示，首先，通过如下过程形成具有大约0.1～2.0mm厚度的铁氧体衬底11：将例如Ni-Zn铁氧体的铁氧体材料烧结；将被烧结的铁氧体切割；将切割开的铁氧体进行机械加工；以及将机械加工后的铁氧体进行抛光。
然后，如图8b中所示，通过如下过程在衬底11的整个表面上形成具有大约1.0～10μm厚度的第一绝缘薄膜12a：在衬底的整个表面上旋涂聚酰亚胺树脂材料；以及将所涂覆的聚酰亚胺热固化。
接下来，如图8c中所示，通过喷涂在第一绝缘薄膜12a上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第一线圈导体薄膜13a以及第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图8d中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第二绝缘薄膜12b：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
接下来，如图8e中所示，通过喷涂形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的引线导体层14以及第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图8f中所示，通过喷涂在第二绝缘薄膜12b上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第二线圈导体薄膜13b，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。应注意的是，如图2中所示，引线导体层14延伸至共模扼流圈10的中心区域，并且在引线导体层14以及与该引线导体层14相交的第二线圈导体薄膜13b之间存在第二绝缘薄膜12b。
接下来，如图8g中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第三绝缘薄膜12c：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
然后，如图8h中所示，在第三绝缘薄膜12c上形成抗蚀图(未示出)，另外通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～200μm厚度的、由第一内电极层15a到第四内电极层15d构成的内电极15，此后将所述抗蚀图去除。
此后，如图8i中所示，通过如下过程在其上形成具有大约5.0～200μm厚度的铁氧体树脂化合物层16：涂覆包含铁氧体颗粒的环氧树脂材料；将所述环氧树脂热固化；以及将所固化的铁氧体树脂化合物的表面抛光。
然后，如图8j中所示，将衬底11的背面磨削以减小其厚度。例如，在衬底11磨削之前的厚度是1.5mm的情况下，将衬底11的背面磨削为具有大约0.2～0.8mm的厚度。
接下来，如图8k中所示，使用用于切割的旋转切割工具将衬底11切割，从而将衬底11完全分离为单独共模扼流圈。通过将衬底11进行这种分离，每个共模扼流圈10的侧面10b和10c都被暴露出，并且第一内电极层15a到第四内电极层15d的一部分也被暴露至侧面10b和10c。这些第一内电极层15a到第四内电极层15d的另一部分也被暴露至共模扼流圈10的顶面10a。
接下来，如图8l中所示，对于所述被分离的单独共模扼流圈进行滚筒抛光，以将共模扼流圈的边缘切掉或倒棱。归功于这种倒棱，每个共模扼流圈可被平滑地装载到送料器(parts-feeder)上。
然后，如图8m中所示，通过滚筒电镀在所述被倒棱的单独共模扼流圈上形成外电极。即，通过这种滚筒电镀，通过按如下顺序依次执行Ni以及Au的电解电镀或无电解电镀形成Ni/Au多层(Ni是下层，Au是上层)，或者通过执行Sn的电解电镀或无电解电镀形成Sn单层，以涂覆被暴露在共模扼流圈10的顶面10a和侧面10b和10c上的第一内电极层15a到第四内电极层15d。由此，形成了由第一外电极薄膜17a到第四外电极薄膜17d所构造形成的外电极17，每个外电极都具有L型截面和大约1.0～10μm的厚度。在预期实施例中，外电极可由具有3μm厚度的Ni薄膜以及被层压其上的具有0.1μm厚度的Au薄膜的多层所形成。
如上详述，根据该实施方案，衬底11上形成的多个共模扼流圈被分离为单独的共模扼流圈，使得暴露出每个共模扼流圈的侧面，进行滚筒抛光以将所分离的单独共模扼流圈倒棱，然后通过滚筒电镀在暴露到侧面和顶面上的相应的第一内电极层15a到第四内电极层15d上形成第一外电极薄膜17a到第四外电极薄膜17d。因为边缘的倒棱是在形成外电极之前进行的，在边缘处将不存在毛刺，从而当将共模扼流圈装载到进料器上时将不会发生故障。此外，由于外电极是通过滚筒电镀形成在所暴露的内电极上的，从而能够准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置，并且能够使共模扼流圈更加微型化。而且，因为每个外电极都具有通过如下过程形成的L型截面，即不仅将共模扼流圈的顶面进行部分涂覆而且也将共模扼流圈的侧面进行部分涂覆，由此可获得大面积电极以提供用于安装到印刷电路板上的焊接缝中的足够强度。再者，由于本实施方案的共模扼流圈不具有如传统共模扼流圈的叠加相对的两个铁氧体衬底，因此本实施方案的共模扼流圈可具有较低高度。
图9a～9b示意说明了作为根据本发明的电子元件的再一实施方案的共模扼流圈的构造。图9a示出了外部立体图，图9b示出了B-B线截面。应注意的是，图9b的B-B线截面相应于在此存在外电极的截面。在该实施方案中的共模扼流圈具有与图1a、1b和1c中所示的实施方案中的内电极和外电极稍微不同构造的内电极和外电极，但是该实施方案中的共模扼流圈的其他构造基本相同于图1a、1b和1c中所示的实施方案。
在附图9a和9b中，参考数字90表示共模扼流圈；91表示铁氧体衬底；92表示被层压到铁氧体衬底91上的绝缘层并且其由第一绝缘薄膜92a、第二绝缘薄膜92b、第三绝缘薄膜92c以及第四绝缘薄膜92d构造形成；93表示被绝缘层92包围并且其由第一线圈导体薄膜93a和第二线圈导体薄膜93b构造形成的线圈导体层；95a和95b表示到达共模扼流圈90的一部分顶面90a的第一内电极层和第二内电极层(也形成了第三和第四内电极层，但是在附图中未示出)；96表示被层压到绝缘层92上并且包括铁氧体材料的铁氧体树脂化合物层；99a和99b表示用于外电极的第一下导体薄膜和第二下导体薄膜，所述下导体薄膜形成为涂覆在共模扼流圈90的顶面90a上的第一内电极层95a和第二内电极层95b，并且所述下导体薄膜形成在共模扼流圈90的侧面90b和90c上的第四绝缘薄膜92d的侧面的一部分上(也形成了第三和第四下导体薄膜，但是在附图中未示出)；以及97a和97b表示用于外电极的第一上导体薄膜和第二上导体薄膜，所述上导体薄膜形成为分别涂覆用于外电极的第一下导体薄膜99a和第二下导体薄膜99b(也形成了第三和第四上导体薄膜，但是在附图中未示出)。
正如众所周知的，共模扼流圈是一种用于抑制在平衡传输系统中造成电磁干扰的共模电流的电子元件。本实施方案中的共模扼流圈是一种具有大致长方体外型且在其顶面和侧面上形成有四个外电极的表面安装型元件。所述共模扼流圈的底部尺寸是大约0.6mm×0.3mm，其高度是大约0.3mm。
在本实施方案中，铁氧体衬底91由例如Ni-Zn(镍-锌)铁氧体的烧结铁氧体制成，绝缘层92由热固化聚酰亚胺树脂制成，线圈导体93、引线导体层(未示出)、第一内电极层95a以及第二内电极层95b都由例如Cu、Au、Al或Ag的导电材料制成，而铁氧体树脂化合物层96由包含铁氧体颗粒的环氧树脂材料制成。用于外电极的第一下导体薄膜99a和第二下导体薄膜99b的每一个在该实施方案中都由Cu薄膜以及层压在Cu薄膜上的铬(Cr)薄膜的多层导电材料制成，或者由Cu薄膜以及层压在Cu薄膜上的钛(Ti)薄膜的多层导电材料制成。此外，在本实施方案中，用于外电极的第一上导体薄膜97a和第二上导体薄膜97b的每一个都由Ni薄膜以及层压在Ni薄膜上的Au薄膜的多层导电材料制成，或者由例如Sn的单层导电材料制成。
图10a～10n示意说明了在图9a和9b中所示的实施方案的共模扼流圈的制造过程。应注意的是，图10a～10n相应于在此存在外电极的截面。图10a～10n仅示出了两个相邻的共模扼流圈。在下文中，将使用这些附图，描述本实施方案中的共模扼流圈的制造过程。
如图10a中所示，首先，通过如下过程形成具有大约0.1～2.0mm厚度的铁氧体衬底91：将例如Ni-Zn铁氧体的铁氧体材料烧结；将被烧结的铁氧体切割；将切割开的铁氧体进行机械加工；以及将机械加工后的铁氧体进行抛光。
然后，如图10b中所示，通过如下过程在衬底91的整个表面上形成具有大约1.0～10μm厚度的第一绝缘薄膜92a：在衬底的整个表面上旋涂聚酰亚胺树脂材料；以及将所涂覆的聚酰亚胺热固化。
接下来，如图10c中所示，通过喷涂在第一绝缘薄膜92a上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第一线圈导体薄膜93a以及第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图10d中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第二绝缘薄膜92b和第四绝缘薄膜92d：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
接下来，如图10e中所示，通过喷涂形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的引线导体层(未示出)以及第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图10f中所示，通过喷涂在第二绝缘薄膜92b上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第二线圈导体薄膜93b，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。应注意的是，如图2中所示，引线导体层延伸至共模扼流圈90的中心区域，并且在引线导体层以及与该引线导体层相交的第二线圈导体薄膜93b之间存在第二绝缘薄膜92b。
接下来，如图10g中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第三绝缘薄膜92c并增加第四绝缘薄膜92d的厚度：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
然后，如图10h中所示，在第三绝缘薄膜92c上形成抗蚀图(未示出)，另外通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～200μm厚度的第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)，此后将所述抗蚀图去除。应注意的是，在该阶段之前，换言之，在第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)的高度变得与第二线圈导体薄膜93b的高度一样高之前，这些第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)将不被暴露至每个共模扼流圈的侧面90b和90c。
此后，如图10i中所示，通过如下过程在其上形成具有大约5.0～200μm厚度的铁氧体树脂化合物层96：涂覆包含铁氧体颗粒的环氧树脂材料；将所述环氧树脂热固化；以及将所固化的铁氧体树脂化合物的表面抛光。
然后，如图10j中所示，使用用于切槽的旋转切割工具在衬底91上形成浅槽98。每个浅槽98都形成在相互联接的共模扼流圈之间以具有例如大约70μm的宽度，而不将衬底91完全分离为单独的共模扼流圈。通过在衬底91上形成浅槽98，将每个共模扼流圈90的侧面90b和90c暴露出。此外，因为浅槽98形成在铁氧体树脂化合物层96和第四绝缘层92d的位置处，所以铁氧体树脂化合物层96和第四绝缘层92d的一部分被暴露至侧面90b和90c。应注意的是，所述第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)不被暴露至每个共模扼流圈的侧面90b和90c，但是它们的一部分仅被暴露至顶面90a。由于浅槽机械加工是在例如聚酰亚胺树脂和环氧树脂的绝缘材料的位置处进行的，所以用于切槽的旋转切割工具将不会发生堵塞，也确保用于切槽的充足裕度。
接下来，如图10k中所示，通过喷涂形成用于外电极的第一下导体薄膜99a和第二下导体薄膜99b，以涂覆在共模扼流圈90的顶面90a处的第一内电极层95a和第二内电极层95b，并且涂覆在共模扼流圈90的侧面90b和90c处的第四绝缘层92d的侧面的一部分。更具体地，在共模扼流圈90的顶面上形成一具有矩形开口的掩模(未示出)，该开口在两个相邻的内电极(95a到95d)上延伸，所述两个相邻的内电极通过浅槽98暴露于彼此相对的两个共模扼流圈90的顶面。然后，通过朝着垂直于顶面的方向进行喷涂，在两个内电极(95a到95d)的顶面上、在包含铁氧体颗粒的环氧树脂侧面层的上端、以及在暴露至浅槽98的内电极的两个侧面上沉积Cu/Cr多层(Cu是下层，Cr是上层)或者Cu/Ti多层(Cu是下层，Ti是上层)，以形成用于外电极的第一下导体薄膜99a和第二下导体薄膜99b(也形成了用于外电极的第三下导体薄膜和第四下导体薄膜，但是在图中未示出)，该下导体薄膜具有L型截面和大约100～10,000nm厚度。如果使用用于覆盖被暴露至浅槽98的内电极的部分侧面的三维掩模，则可形成具有准确形状的用于外电极的第一下导体薄膜99a和第二下导体薄膜99b。
然后，如图10l中所示，按如下顺序依次执行Ni以及Au的电解电镀或无电解电镀形成Ni/Au多层(Ni是下层，Au是上层)，或者通过执行Sn的电解电镀或无电解电镀形成Sn单层，以涂覆用于外电极的第一下导体薄膜99a和第二下导体薄膜99b(也形成了用于外电极的第三和第四下导体薄膜，但是在附图中未示出)。由此，形成了用于外电极的第一上导体薄膜97a和第二上导体薄膜97b(也形成了用于外电极的第三上导体薄膜和第四上导体薄膜，但是在附图中未示出)，每个上导体薄膜都具有L型截面和大约1.0～10μm厚度。在预期实施例中，用于外电极的上导体薄膜可由具有3μm厚度的Ni薄膜以及被层压其上的具有0.1μm厚度的Au薄膜的多层所形成。
然后，如图10m中所示，将衬底91的背面磨削以减小其厚度。例如，在磨削之前衬底91的厚度是1.5mm的情况下，将衬底91的背面磨削为具有大约0.2～0.8mm的厚度。
此后，如图10n中所示，使用用于切割的旋转切割工具将衬底91完全切割以分离为单独的共模扼流圈。
如上详述，根据该实施方案，在衬底91上形成浅槽，使得每个共模扼流圈的侧面都在将该衬底分离为单独共模扼流圈之前而暴露出，然后将用于外电极的第一下导体薄膜到第四下导体薄膜喷涂到被暴露至顶面和侧面上的第一内电极层至第四内电极层，然后将用于外电极的第一上导体薄膜到第四上导体薄膜电镀至相应的第一下导体薄膜到第四下导体薄膜上，此后将所述衬底91切割从而将其完全分离为单独的共模扼流圈。由于外电极由此是在将衬底分离为单独共模扼流圈之前而形成的，从而能够准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置，并且能够使共模扼流圈更加微型化。此外，由于没有将制造过程分为用于在衬底上制造元件的过程以及在衬底分离为单独共模扼流圈芯片之后进行的过程，因此将不会增加制造成本。而且，因为每个外电极都具有通过如下过程形成的L型截面，即不仅将共模扼流圈的顶面进行部分涂覆而且也将共模扼流圈的侧面进行部分涂覆，从而可获得大面积电极以提供用于安装到印刷电路板上的焊接缝中的足够强度。再者，由于本实施方案的共模扼流圈不具有如传统共模扼流圈的叠加相对的两个铁氧体衬底，因此本实施方案的共模扼流圈可具有较低高度。
图11a～11n示意说明了作为根据本发明的电子元件的再一实施方案的共模扼流圈的制造过程。应注意的是，图11a～11n仅示出了两个相邻的共模扼流圈。在该实施方案的描述中，与图9a和9b所示的实施方案中的元件相类似的元件使用相同的参考数字被标记。在下文中，将使用这些附图，描述本实施方案中的共模扼流圈的制造过程。
如图11a中所示，首先，通过如下过程形成具有大约0.1～2.0mm厚度的铁氧体衬底91：将例如Ni-Zn铁氧体的铁氧体材料烧结；将被烧结的铁氧体切割；将切割开的铁氧体进行机械加工；以及将机械加工后的铁氧体进行抛光。
然后，如图11b中所示，通过如下过程在衬底91的整个表面上形成具有大约1.0～10μm厚度的第一绝缘薄膜92a：在衬底的整个表面上旋涂聚酰亚胺树脂材料；以及将所涂覆的聚酰亚胺热固化。
接下来，如图11c中所示，通过喷涂在第一绝缘薄膜92a上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第一线圈导体薄膜93a以及第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图11d中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第二绝缘薄膜92b和第四绝缘薄膜92d：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
接下来，如图11e中所示，通过喷涂形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的引线导体层(未示出)以及第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图11f中所示，通过喷涂在第二绝缘薄膜92b上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第二线圈导体薄膜93b，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。应注意的是，如图2中所示，引线导体层延伸至共模扼流圈90的中心区域，并且在引线导体层以及与该引线导体层相交的第二线圈导体薄膜93b之间存在第二绝缘薄膜92b。
接下来，如图11g中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第三绝缘薄膜92c并增加第四绝缘薄膜92d的厚度：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
然后，如图11h中所示，在第三绝缘薄膜92c上形成抗蚀图(未示出)，另外通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～200μm厚度的第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)，此后将所述抗蚀图去除。应注意的是，在该阶段之前，换言之，在第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)的高度变得与第二线圈导体薄膜93b的高度一样高之前，这些第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)将不被暴露至每个共模扼流圈的侧面90b和90c。
此后，如图11i中所示，通过如下过程在其上形成具有大约5.0～200μm厚度的铁氧体树脂化合物层96：涂覆包含铁氧体颗粒的环氧树脂材料；将所述环氧树脂热固化；以及将所固化的铁氧体树脂化合物的表面抛光。
然后，如图11j中所示，使用用于切槽的旋转切割工具在衬底91上形成浅槽98。每个浅槽98都形成在相互联接的共模扼流圈之间以具有例如大约70μm的宽度，而不将衬底91完全分离为单独的共模扼流圈。通过在衬底91上形成浅槽98，将每个共模扼流圈90的侧面90b和90c暴露出。此外，因为浅槽98形成在铁氧体树脂化合物层96和第四绝缘层92d的位置处，所以铁氧体树脂化合物层96和第四绝缘层92d的一部分被暴露至侧面90b和90c。应注意的是，所述第一内电极层95a和第二内电极层95b(以及第三和第四内电极层)不被暴露至每个共模扼流圈的侧面90b和90c，但是它们的一部分仅被暴露至顶面90a。由于浅槽机械加工是在例如聚酰亚胺树脂和环氧树脂的绝缘材料的位置处进行的，所以用于切槽的旋转切割工具将不会发生堵塞，也确保用于切槽的充足裕度。
接下来，如图11k中所示，通过喷涂形成用于外电极的第一下导体薄膜99a和第二下导体薄膜99b，以涂覆在共模扼流圈90的顶面90a处的第一内电极层95a和第二内电极层95b，并且涂覆在共模扼流圈90的侧面90b和90c处的第四绝缘层92d的侧面的一部分。更具体地，在共模扼流圈90的顶面上形成一具有矩形开口的掩模(未示出)，该开头在两个相邻的内电极(95a到95d)上延伸，所述两个相邻的内电极通过浅槽98暴露至彼此相对的两个共模扼流圈90的顶面。然后，通过朝着垂直于顶面的方向进行喷涂，在两个内电极(95a到95d)的顶面上、在包含铁氧体颗粒的环氧树脂侧面层的上端、以及在暴露至浅槽98的内电极的两个侧面上沉积Cu/Cr多层(Cu是下层，Cr是上层)或者Cu/Ti多层(Cu是下层，Ti是上层)，形成用于外电极的第一下导体薄膜99a和第二下导体薄膜99b(也形成了用于外电极的第三下导体薄膜和第四下导体薄膜，但是在图中未示出)，该下导体薄膜具有L型截面和大约100～10,000nm厚度。如果使用用于覆盖被暴露至浅槽98的内电极的部分侧面的三维掩模，则可形成具有准确形状的用于外电极的第一下导体薄膜99a和第二下导体薄膜99b。
然后，如图11l中所示，将衬底91的背面磨削以减小其厚度。例如，在磨削之前衬底91的厚度是1.5mm的情况下，将衬底91的背面磨削为具有大约0.2～0.8mm的厚度。
然后，如图11m中所示，使用用于切割的旋转切割工具将衬底91切割从而完全分离为单独的共模扼流圈。
接下来，如图11n中所示，通过滚筒电镀在所述被分离的单独共模扼流圈上形成外电极。即，通过这种滚筒电镀，通过按如下顺序依次执行Ni以及Au的电解电镀或无电解电镀形成Ni/Au多层(Ni是下层，Au是上层)，或者通过执行Sn的电解电镀或无电解电镀形成Sn单层，以涂覆用于外电极的第一下导体薄膜99a和第二下导体薄膜99b(也形成了用于外电极的第三下导体薄膜和第四下导体薄膜，但是在附图中未示出)。由此，形成了用于外电极的第一上导体薄膜97a和第二上导体薄膜97b(也形成了用于外电极的第三上导体薄膜和第四上导体薄膜，但是在附图中未示出)，每个上导体薄膜都具有L型截面和大约1.0～10μm厚度。在预期实施例中，用于外电极的上导体薄膜可由具有3μm厚度的Ni薄膜以及被层压其上的具有0.1μm厚度的Au薄膜的多层形成。
如上详述，根据本实施方案，在衬底91上形成浅槽，使得每个共模扼流圈的侧面都在将该衬底分离为单独共模扼流圈之前而暴露出，然后将用于外电极的第一下导体薄膜到第四下导体薄膜喷涂到被暴露至顶面和侧面上的第一内电极层至第四内电极层，然后将所述衬底91切割以完全将其分离为单独共模扼流圈，此后通过在相应的第一下导体薄膜到第四下导体薄膜上进行滚筒电镀形成用于外电极的第一上导体薄膜到第四上导体薄膜。由于外电极由此是通过在用于外电极的第一到第四下导体薄膜上滚筒电镀形成的，从而可以准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置并且将共模扼流圈更加微型化。此外，因为每个外电极都具有通过如下过程形成的L型截面，即不仅将共模扼流圈的顶面进行部分涂覆而且也将共模扼流圈的侧面进行部分涂覆，从而可获得大面积电极以提供用于安装到印刷电路板上的焊接缝中的足够强度。再者，由于本实施方案的共模扼流圈不具有如传统共模扼流圈的叠加相对的两个铁氧体衬底，因此本实施方案的共模扼流圈可具有较低高度。
图12a～12m示意说明了作为根据本发明的电子元件的再一实施方案的共模扼流圈的制造过程。应注意的是，图12a～12m仅示出了两个相邻的共模扼流圈。在下文中，将使用这些附图，描述本实施方案中的共模扼流圈的制造过程。
如图12a中所示，首先，通过如下过程形成具有大约0.1～2.0mm厚度的铁氧体衬底121：将例如Ni-Zn铁氧体的铁氧体材料烧结；将被烧结的铁氧体切割；将所切割的铁氧体进行机械加工；以及将机械加工后的铁氧体进行抛光。
然后，如图12b中所示，通过如下过程在衬底121的整个表面上形成具有大约1.0～10μm厚度的第一绝缘薄膜122a：在衬底的整个表面上旋涂聚酰亚胺树脂材料；以及将所涂覆的聚酰亚胺热固化。
接下来，如图12c中所示，通过喷涂在第一绝缘薄膜122a上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第一线圈导体薄膜123a以及第一内电极层125a和第二内电极层125b(以及第三和第四内电极层)的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图12d中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第二绝缘薄膜122b和第四绝缘薄膜122d：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料；将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化；以及将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
接下来，如图12e中所示，通过喷涂形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的引线导体层(未示出)以及第一内电极层125a和第二内电极层125b(以及第三和第四内电极层)的一部分，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。
然后，如图12f中所示，通过喷涂在第二绝缘薄膜122b上形成电镀籽膜(未示出)，并且在该电镀籽膜上形成抗蚀图(未示出)。然后，通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～20μm厚度的第二线圈导体薄膜123b，此后将所述抗蚀图及其下方的电镀籽膜去除。应注意的是，如图2中所示，引线导体层延伸至共模扼流圈的中心区域，并且在引线导体层以及与该引线导体层相交的第二线圈导体薄膜123b之间存在第二绝缘薄膜122b。
接下来，如图12g中所示，通过如下过程在其上形成具有大约3.0～20μm厚度的第三绝缘薄膜122c并增加第四绝缘薄膜122d的厚度：在其上旋涂聚酰亚胺树脂材料，将所涂覆的聚酰亚胺树脂本身图案化，并将所述聚酰亚胺树脂图案热固化。
然后，如图12h中所示，在第三绝缘薄膜122c上形成抗蚀图(未示出)，另外通过执行例如Cu、Au、Al或Ag等导电材料的电解电镀或无电解电镀，形成具有大约5.0～200μm厚度的第一内电极层125a和第二内电极层125b，此后将所述抗蚀图去除。应注意的是，在该阶段之前，换言之，在第一内电极层125a和第二内电极层125b(以及第三和第四内电极层)的高度变得与第二线圈导体薄膜123b的高度一样高之前，这些第一内电极层125a和第二内电极层125b(以及第三和第四内电极层)将不被暴露至每个共模扼流圈的侧面。
此后，如图12i中所示，通过如下过程在其上形成具有大约5.0～200μm厚度的铁氧体树脂化合物层126：涂覆包含铁氧体颗粒的环氧树脂材料；将所述环氧树脂热固化；以及将所固化的铁氧体树脂化合物的表面抛光。
然后，如图12j中所示，使用用于切槽的旋转切割工具在衬底121上形成浅槽128。每个浅槽128都形成在相互联接的共模扼流圈之间以具有例如大约70μm的宽度，而不将衬底121完全分离为单独的共模扼流圈。通过在衬底121上形成浅槽128，将每个共模扼流圈120的侧面暴露出。此外，因为浅槽128形成在铁氧体树脂化合物层126和第四绝缘层122d的位置处，所以铁氧体树脂化合物层126和第四绝缘层122d的一部分被暴露至侧面。应注意的是，所述第一内电极层125a和第二内电极层125b(以及第三和第四内电极层)的下部不被暴露至每个共模扼流圈的侧面，但是它们的上部被暴露至每个共模扼流圈的侧面并且它们的一部分被暴露至顶面。由于浅槽机械加工是在例如聚酰亚胺树脂和环氧树脂的绝缘材料的位置处进行的，所以用于切槽的旋转切割工具将不会发生堵塞，也确保用于切槽的充足裕度。
接下来，如图12k中所示，通过按如下顺序依次执行Ni以及Au的电解电镀或无电解电镀形成Ni/Au多层(Ni是下层，Au是上层)，或者通过执行Sn的电解电镀或无电解电镀形成Sn单层，以涂覆被暴露在共模扼流圈的顶面和侧面上的第一内电极层125a和第二内电极层125b(以及第三和第四内电极层)。由此，形成了第一外电极薄膜127a和第二外电极薄膜127b(以及第三和第四外电极薄膜)，每个外电极薄膜都具有L型截面和大约1.0～10μm厚度。在预期实施例中，外电极可由具有3μm厚度的Ni薄膜以及被层压其上的具有0.1μm厚度的Au薄膜的多层所形成。
然后，如图12l中所示，将衬底121的背面磨削以减小其厚度。例如，在磨削之前衬底121的厚度是1.5mm的情况下，将衬底121的背面磨削为具有大约0.2～0.8mm的厚度。
此后，如图12m中所示，使用用于切割的旋转切割工具将衬底121完全切割以分离为单独的共模扼流圈。
如上详述，根据该实施方案，在衬底121上形成浅槽，使得每个共模扼流圈的侧面都在将该衬底分离为单独共模扼流圈之前而暴露出，然后将第一外电极薄膜127a到第四外电极薄膜127d电镀到被暴露在侧面和顶面上的相应的第一内电极层125a至第四内电极层125d上，此后将所述衬底121完全切割以分离为单独的共模扼流圈。由于外电极由此是在将衬底分离为单独共模扼流圈之前而形成的，从而能够准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置，并且能够使共模扼流圈更加微型化。此外，由于没有将制造过程分为用于在衬底上制造元件的过程以及在衬底分离为单独共模扼流圈芯片之后进行的过程，因此将不会增加制造成本。而且，因为每个外电极都具有通过如下过程形成的L型截面，即不仅将共模扼流圈的顶面进行部分涂覆而且也将共模扼流圈的侧面进行部分涂覆，从而可获得大面积电极以提供用于安装到印刷电路板上的焊接缝中的足够强度。再者，由于本实施方案的共模扼流圈不具有如传统共模扼流圈的叠加相对的两个铁氧体衬底，因此本实施方案的共模扼流圈可具有较低高度。
在上述各个实施方案中，电子元件是由具有四个外电极的共模扼流圈构造形成的。然而，根据本发明的电子元件不限于这种共模扼流圈，而是可应用于例如具有电感器、电容器、电阻器或其他无源元件中的至少一个的电子元件。此外，电子元件的外电极的数目不限于四个，而是可使用除了四之外的任何数字。而且，本发明可应用于在单独封装内具有多个无源元件的电子元件。
在不偏离本发明的主旨和范围的情况下，可构造本发明的各种大不相同的实施方案。应理解的是，本发明不限于在说明书中所描述的具体实施方案，除了如所附权利要求中限定的。

Claims (20)

1.一种电子元件，包括：
至少一个无源元件，其形成在所述电子元件中；
绝缘层，其用于覆盖所述至少一个无源元件；
多个导体层，其电连接至所述至少一个无源元件并且形成在所述绝缘层的外侧上以延伸至所述电子元件的顶面的至少一部分；以及
多个外电极，每个外电极都具有L型截面，所述多个外电极被形成以涂覆位于所述电子元件的顶面的一部分处的所述多个导体层，并且所述多个外电极被形成在所述电子元件的至少一个侧面的一部分上。
2.根据权利要求1所述的电子元件，其中所述多个外电极中的每一个仅在所述电子元件的顶面和一侧面之间具有L型截面。
3.根据权利要求1所述的电子元件，其中所述多个外电极中的每一个在所述电子元件的顶面和两个侧面中的每个侧面之间、以及在所述电子元件的两个侧面之间具有L型截面。
4.根据权利要求1所述的电子元件，其中所述多个导体层延伸至所述电子元件的顶面的一部分，并且延伸至所述电子元件的所述至少一个侧面的一部分，并且其中所述多个外电极被涂覆到位于所述电子元件的顶面的一部分上的所述多个导体层上，并且被涂覆到所述电子元件的所述至少一个侧面的一部分上。
5.根据权利要求1所述的电子元件，其中所述多个外电极的每一个都包括电镀在所述多个导体层的每一个之上的导体薄膜。
6.根据权利要求5所述的电子元件，其中所述导体薄膜的每一个都由包括金薄膜的多层薄膜组成，或者由锡薄膜组成。
7.根据权利要求1所述的电子元件，其中所述多个导体层仅延伸至所述电子元件的顶面的一部分，并且其中所述多个外电极仅在所述电子元件的顶面的一部分处电导通至所述多个导体层。
8.根据权利要求1所述的电子元件，其中所述多个外电极中的每一个都包括下导体薄膜和上导体薄膜，所述下导体薄膜形成在所述电子元件的顶面的一部分处的所述多个导体层的每一个上，并且形成在所述电子元件的所述至少一个侧面的部分上，所述上导体薄膜被电镀在所述下导体薄膜上。
9.根据权利要求8所述的电子元件，其中所述下导体薄膜由包括铜薄膜的多层薄膜组成。
10.根据权利要求8所述的电子元件，其中所述上导体薄膜由包括金薄膜的多层薄膜组成，或者由锡薄膜组成。
11.根据权利要求1所述的电子元件，其中所述至少一个无源元件包括电感器、电容器和电阻器中的至少一个。
12.根据权利要求11所述的电子元件，其中所述电子元件包括共模扼流圈，该共模扼流圈具有：所述电感器；包含磁材料的另一绝缘层；以及在其上安装有所述电感器的磁衬底。
13.一种电子元件的制造方法，该方法包括如下步骤：
在衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成多个无源元件；
在所述无源元件上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层的外侧上形成电连接至相应的无源元件的多个导体层，以被暴露至每个电子元件的顶面；
在包括相应的无源元件的电子元件之间形成槽，以暴露出每个电子元件的侧面，并且从每个电子元件的所述侧面暴露出部分导体层；
在被暴露至每个电子元件的顶面和侧面的相应的导体层上，电镀多个外电极；以及
将所述衬底切割以完全分离为单独的电子元件。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其中所述电镀多个外电极的步骤包括通过电镀包括金薄膜的多层薄膜形成外电极的步骤，或者通过电镀锡薄膜形成外电极的步骤。
15.根据权利要求13所述的制造方法，其中所述形成多个无源元件的步骤包括形成电感器、电容器和电阻器中的至少一个的步骤。
16.根据权利要求15所述的制造方法，其中所述电子元件包括共模扼流圈，其中所述衬底包括磁衬底，并且其中所述制造方法还包括在所述形成槽的步骤之前，在导体层之间填充包含磁材料的层的步骤。
17.一种电子元件的制造方法，该方法包括如下步骤：
在衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成多个无源元件；
在所述无源元件上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层的外侧上形成电连接至相应的无源元件的多个导体层，以被暴露至每个电子元件的顶面；
将所述衬底切割以完全分离为单独的电子元件，从而暴露出每个电子元件的侧面，并且从每个电子元件的所述侧面暴露出部分导体层；以及
在被暴露至每个分离的单独电子元件的顶面和侧面的相应的导体层上，电镀多个外电极。
18.根据权利要求17所述的制造方法，其中所述制造方法进一步包括在分离为单独电子元件之后，将每个电子元件倒棱的步骤。
19.一种电子元件的制造方法，该方法包括如下步骤：
在衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成多个无源元件；
在所述无源元件上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层的外侧上形成电连接至相应的无源元件的多个导体层，以被暴露至每个电子元件的顶面；
在所述导体层的外侧上形成第三绝缘层；
形成浅槽，以暴露出包括无源元件的每个电子元件的侧面，并且从每个电子元件的所述侧面暴露出部分第三绝缘层；
在被暴露至每个电子元件的顶面的导体层上、以及在被暴露至每个电子元件的侧面的部分第三绝缘层上，喷涂用于外电极的下导体薄膜；
将用于外电极的上导体薄膜电镀到所述用于外电极的下导体薄膜上；以及
将所述衬底切割以完全分离为单独的电子元件。
20.一种电子元件的制造方法，该方法包括如下步骤：
在衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成多个无源元件；
在所述无源元件上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层的外侧上形成电连接至相应的无源元件的多个导体层，以被暴露至每个电子元件的顶面；
在所述导体层的外侧上形成第三绝缘层；
形成浅槽，以暴露出包括无源元件的每个电子元件的侧面，并且从每个电子元件的所述侧面暴露出部分第三绝缘层；
在被暴露至每个电子元件的顶面的导体层上、以及在被暴露至每个电子元件的侧面的部分第三绝缘层上，喷涂用于外电极的下导体薄膜；
将所述衬底切割以完全分离为单独的电子元件，以及
将用于外电极的上导体薄膜电镀到每个分离的单独电子元件的所述用于外电极的下导体薄膜上。
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