KR101892849B1 - 전자 부품 - Google Patents

Abstract

본 개시는 내부전극과 그와 전기적 연결을 하는 외부전극을 포함하는 전자부품에 관한 것이다. 상기 외부전극은 다공질 구조를 가지는 도전성 베이스와 상기 도전성 베이스의 다공질 내 빈 공간을 충진하는 수지를 포함한다. 상기 내부전극과 상기 외부전극 사이에는 연결층이 더 포함된다.

Description

전자 부품 {ELECTRONIC COMPONENT}

본 개시는 전자 부품에 관한 것이며, 특히, 인덕터나 커먼모드 필터와 같은 수동 소자 부품에 관한 것이다.

인덕터 및 커먼모드 필터와 같은 수동 소자 부품은 내부 전극으로 구리 코일을 이용하여 코일을 구성하는데, 인덕터와 같은 수동 소자 부품은 동일전류를 흘러주어도 온도가 많이 올라가지 않으면서 원활하게 사용을 할 수 있도록 하여야 하는데, 이를 위해 Isac 이 커야하고, 수동 소자 부품의 Rdc 값이 열충격 또는 기계적인 충격에도 변화가 없이 안정적으로 유지되어야 한다.

이처럼, 수동소자부품의 Rdc 를 만족시키기 위하여, 외부전극에 Ag-에폭시계 페이스트를 이용하면, 에폭시가 경화됨에 따라 Ag 입자들의 입자 간 거리가 가까워지면서 전도 path 를 형성하고, 수동소자부품의 구리 터미날 전극과도 물리적인 접촉을 통하여 전도 path 를 형성하여 전체 부품의 Rdc 를 낮출 수 있다.

하지만, 외부전극의 Ag-에폭시계 페이스트 내 Ag 와 구리 터미날 전극 간의 접촉은 물리적인 접촉이기 때문에, 열충격이나 수분, 또는 염소수 등의 흡습에 의해 Rdc 값이 증가될 수 있는 가능성이 있어, 신뢰성이 취약하다는 문제가 발생한다.

일본 특허공개공보 제2000-182883호

본 개시가 해결하고자 하는 여러 과제 중 하나는 내부 코일과 그와 연결되는 외부전극 사이의 접촉성을 현저하게 개선한 전자부품을 제공하는 것이다.

본 개시의 일 예에 따른 전자부품은 내부전극과 상기 내부전극과 전기적으로 연결되는 외부전극을 포함하며, 상기 외부전극은 다공질 구조를 가지는 도전성 베이스와 상기 다공질 내 빈 공간에 충진되는 수지를 포함하며, 상기 외부전극과 상기 내부전극의 사이에는 연결층이 배치된다.

본 개시가 해결하고자 하는 여러 효과 중 하나는 내부 코일과 외부전극 사이의 접촉성의 개선을 통해 신뢰성을 개선하고, 동시에 낮은 Rdc 값을 가지는 효과를 갖는 전자부품을 제공하는 것이다.

도1 은 본 개시의 일 예에 따른 전자부품의 개략적인 사시도이다.
도2 는 도1 의 I-I'선을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
도3 은 비교예 1 과 실시예 1 의 외부전극으로부터 내부전극에 이르는 전체 영역의 일부분에 대한 개략적인 단면 모식도이다.

이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 개시의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 개시의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 개시의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 개시를 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.

그리고 도면에서 본 개시를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

이하에서는 본 개시의 일 예에 따른 전자부품을 설명하되, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.

도1 은 본 개시의 일 예에 따른 전자부품의 개략적인 사시도이다. 이하에서는, 전자부품의 일 예로서, 박막 인덕터를 중심으로 설명하나, 이외에 다른 타입의 인덕터, 커먼모드필터, 커패시터 등의 기타 전자부품에도 적용될 수 있는 것은 물론이다. 특히, 본 개시의 일 예에 따른 전자부품은 수동 소자부품 내의 내부 전극으로서 구리를 사용하는 것에 매우 유용하게 적용될 수 있다.

도1 을 참고하면, 전자부품 (100) 은 코일을 구성하는 내부 전극 (1) 과 상기 내부전극과 전기적으로 연결되는 외부전극 (2) 을 포함한다.

상기 내부 전극은 전자부품의 외관을 형성하는 바디 (3) 에 의해 봉합되는데, 상기 바디는 자성 특성을 가지는 자성 입자-수지의 복합체로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 바디 (3) 는 페라이트 또는 금속계 연자성 재료를 충진하여 형성될 수 있으며, 상기 페라이트로, Mn-Zn계 페라이트, Ni-Zn계 페라이트, Ni-Zn-Cu계 페라이트, Mn-Mg계 페라이트, Ba계 페라이트 또는 Li계 페라이트 등의 공지된 페라이트를 포함할 수 있다. 상기 금속계 연자성 재료로는, Fe, Si, Cr, Al, 및 Ni 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 합금일 수 있고, 예를 들어, Fe-Si-B-Cr 계 비정질 금속 입자를 포함할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 금속계 연자성 재료의 입경은 0.1 ㎛ 이상 20㎛ 이하일 수 있다. 상기 페라이트 또는 금속계 연자성 재료가 에폭시 수지 또는 폴리이미드 등의 고분자 상에 분산된 형태로 포함되어, 바디를 구성하는 것이다.

상기 바디 (3) 는 전자부품의 전체적이니 외관을 이루는데, 도1 에 도시된 것과 같이, 두께 (T) 방향으로 서로 마주하는 상면 및 하면, 길이 (L) 방향으로 서로 마주하는 제1 측면 및 제2 측면, 폭 (W) 방향으로 서로 마주하는 제1 단면 및 제2 단면을 포함하여, 실질적으로 육면체 형상로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

상기 바디 (3) 내에는 상기 내부전극 (1) 을 지지하는 지지 부재 (4) 가 포함될 수 있으며, 상기 지지 부재는 내부 전극을 적절히 지지하도록 하는 기능을 하며, 내부전극의 형성 공정을 보다 용이하게 형성하도록 하는 기능을 한다. 상기 지지 부재는 절연 특성을 가지는 판 형태로 구성되는 것이 적절한데, 예를 들어, PCB 기판일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 지지 부재의 두께는 상기 내부 전극을 지지하기 위한 정도이면 충분한데, 예를 들어, 약 60㎛인 것이 바람직하다.

다음, 상기 지지 부재에 의해 지지되는 내부 전극 (1) 은 스파이럴 형상의 코일일 수 있는데, 그 코일을 형성하는 방법은 크게 제한되지 않는다. 예를 들어, 폭 방향의 코일 성장 속도에 비해 두께 방향의 성장 속도를 더 크게 하는 이방도금일 수 있거나, 폭 방향의 코일 패턴의 성장 속도와 두께 방향의 코일 패턴의 성장 속도를 실질적으로 동일하게 하는 등방 도금일 수 있다.

상기 내부 전극 (1) 의 양 단부가 각각 외부전극 (2) 과 전기적으로 연결될 수 있으면 충분하므로, 내부 전극의 재질은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하며, 예를 들어, 은 (Ag), 팔라듐 (Pd), 알루미늄 (Al), 니켈 (Ni), 티타늄 (Ti), 금 (Au), 구리 (Cu), 백금 (Pt), 또는 이들의 합금 등으로 구성될 수 있고, 특히 구리 (Cu) 인 것이 내외부전극 간의 연결성에 있어서 바람직하다.

상기 외부전극 (2) 은 메탈-수지의 복합체 페이스트를 디핑 (dipping) 하는 방식을 통해 형성될 수 있는데, 그 외부전극의 형성 공정을 특정한 예로 한정할 필요는 없다. 상기 외부전극은 기존의 Ag-에폭시계 페이스트를 사용하는 대신에, Ag-Sn계 솔더-에폭시계 페이스트를 사용하여 구성될 수 있는데, Sn계 솔더는 예를 들어, Sn, Sn_{96 . 5}Ag_{3 . 0}Cu_{0 .5}, Sn₄₂Bi₅₈, Sn₇₂Bi₂₈ 등으로 표현되는 파우더일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 경우, 상기 페이스트 중 에폭시를 제외하고, 고융점을 가지는 도전성 입자, 예를 들어, Ag 입자, 및 솔더 입자, 예를 들어, Sn솔더 간의 중량비는 55: 45 이상 70: 30 이하인 것이 바람직하다. 다시 말해, 외부전극용 페이스트 중 고융점을 가지는 도전성 입자와 솔더 입자의 합을 기준으로, 고융점을 가지는 도전성 입자의 분말 비율이 55중량% 이상 70중량% 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 내부전극과 외부전극 간의 연결층이 안정적으로 형성된다.

다음, 도2 는 도1 의 I-I' 선을 따라 절단한 개략적인 단면도인데, 도2 를 참조하여, 외부전극의 내부 구조를 보다 자세히 설명한다.

도2 를 참조하면, 외부전극 (2) 은 다공질 구조를 가지는 도전성 베이스 (21) 와 상기 다공질 구조 내 빈공간에 충진되는 열경화성 수지 (22) 를 포함한다. 상기 외부전극의 도전성 베이스 내 다공질 구조는 외부전극의 전체 영역에 걸쳐서 연속적인 네트워킹 (continuous networking) 구조를 가진다.

참고로, 이하에서는, 내부전극과 전기적으로 연결되는 외부전극을 형성하는 일 예시를 설명하는데, 본 개시의 전자부품의 외부전극이 후술하는 일 예시에 따른 공정에 의해서만 형성되는 것은 물론 아니다.

우선, 약 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 의 입경을 가지면 실질적으로 구형의 형상인 은 (Ag) 파우더와 SnBi계 솔더 파우더를 소정의 비율로 섞고, 추가로 에폭시 접착제를 첨가하여 외부전극용 페이스트를 제조한다. 상기 외부전극용 페이스트를 제조하는 방법은 제한이 없으며, 예를 들어, 진공 Planetary mixer 를 사용할 수 있다. 이렇게 제조된 외부전극용 페이스트를 공자전을 통하여 최종 분산을 완료하고, 일정한 두께로 바디의 외부면 상에 디핑 코팅 (dipping coating) 을 이용하여 인쇄한다. 그리고, 이 디핑 코팅된 외부전극 페이스트를 건조한 후, 바디의 반대편에도 동일한 방식으로 다시 도포를 실시한다. 이렇게 도포와 건조를 모두 완료한 후, 경화를 실시하는데, Sn계 솔더성분의 산화를 방지하기 위해서는 경화분위기는 비활성 분위기를 유지시키는 것이 바람직하다.

이렇게 제조된 외부전극 (2) 은 다공질 구조의 도전성 베이스 (21) 와 상기 다공질 내 빈 공간을 채우는 열경화성 수지 (22) 를 포함한다.

상기 도전성 베이스 (21) 는 Ag-Sn계 합금을 포함하는데, 예를 들어, Ag₃Sn 합금일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.

상기 도전성 베이스의 Ag₃Sn 내부에는 추가적으로 Ag 입자, 또는 외부전극용 페이스트에 포함되었던 솔더 입자가 포함될 수 있으며, 상기 Ag 입자나 솔더 입자 등은 도전성 베이스 내에서 불규칙적으로 분산되어 있다. 상기 Ag입자나 솔더 입자는 당연히 외부전극용 페이스트에 최초 포함되는 성분들로부터 연유된 입자이며, 특히, 솔더 입자의 경우 외부전극의 도포-건조-경화 등의 반응을 거치면서 완전히 반응을 하지 않고 남은 상태의 솔더를 포함하는데, 이처럼 반응 후 남은 상태의 솔더는 Sn계 솔더 입자로부터 조성이 변경된 상태인 솔더를 포함한다. 예를 들어, SnBi계 솔더를 외부전극용 페이스트로 사용한 경우, Sn의 양이 줄어든 형태로서 Bi가 다량 포함되거나, 혹은 Bi 만 남아있는 것일 수 있다. Bi만 남은 경우, 도전성 베이스의 외부 경계면 상에 Bi 입자가 불규칙하게 분산되어 있는 것을 통해 확인할 수 있다. 상기 Bi 입자는 인접하는 Bi입자와 연속적으로 연결될 수도 물론 있다.

구체적인 설명은 생략하지만, 도전성 베이스 (21) 내부에 최초 외부전극용 페이스트를 제조하는데 사용된 솔더 입자가 반응을 하지 않아서, 원료로써 사용된 솔더 입자의 조성 및 함량이 변경되지 않고 그 조성 및 함량을 그대로 유지하는 솔더 입자가 외부전극 내 도전성 베이스 내 불규칙적으로 분산될 수 있음이 물론이다.

이때, 도전성 베이스 (21) 의 전체적인 골격을 구성하는 Ag₃Sn 의 금속간 화합물은 전체 외부전극에 대하여 30 vol% 내지 60vol% 로 구성되고, 그 내부에서 불규칙적으로 분산된 구조를 가지는 Ag 입자는 0vol % 내지 3vol% 로 구성될 수 있다. 아울러, 상기 도전성 베이스 내 빈 공간을 채우는 에폭시는 40vol% 내지 70vol% 로 구성될 수 있다.

또한, 내부 전극 (1) 과 외부 전극 (2) 의 사이에는 연결층 (5) 이 배치된다. 상기 연결층 (5) 은 상기 내부전극과 상기 외부전극 사이의 계면의 분리가 발생하지 않도록 하는 경계면의 기능을 한다. 상기 연결층의 평균 두께는 1 ㎛ 이상 10㎛이하인 것이 바람직한데, 1㎛보다 작은 두께를 가지는 경우, 연결층의 기능을 적절히 발휘하기 부족하다. 반면, 상기 연결층의 평균 두께가 10㎛ 보다 큰 경우, 그 연결층의 일부층이 취성을 가지는 경우, 연결층이 깨져버리는 부효과가 발생할 우려가 있다.

상기 연결층 (5) 은 외부전극과 가까운 제1 연결층 (51) 과 내부전극과 가까운 제2 연결층 (52) 을 포함한다. 상기 제1 연결층 (51) 은 Cu₆Sn₅ 합금으로 구성되며, 상기 제2 연결층 (52) 은 Cu3Sn 합금으로 구성된다. 상기 제1 및 제2 연결층에 모두 포함되는 Cu 조성의 경우, 내부 전극 내 포함된 전기 전도성을 가지는 화합물으로부터 유래된 것일 수 있고, Sn 조성의 경우, 외부전극용 페이스트에 포함된 솔더 성분으로부터 유래된 것을 수 있다. 구체적인 메커니즘은, 예를 들어, 외부전극용 페이스트를 Ag-Sn계 솔더-에폭시계 화합물로 선택하면, 첨가된 Sn계 솔더의 몰수와 Ag입자의 몰수의 비에 따라 남는 Sn성분이 발생하며, 이러한 잉여의 Sn성분이 내부전극 내 구리 성분과 다시 금속간 화합물 (intermetallic compound) 을 형성하여, 연결층을 생성한 것일 수 있다.

도2 에서 상기 제1 연결층 (51) 과 상기 제2 연결층 (52) 은 내부전극과 외부전극 사이에서 연속적으로 경계면을 구성한 것으로 도시되었으나, 외부전극용 페이스트 내 Sn 조성과 Ag 조성 간의 몰비 내지 Sn 조성의 함량을 제어함으로써 제1 연결층 및 제2 연결층 중 적어도 하나의 연결층은 불연속적으로 구성되도록 변형할 수도 있다.

도3 은 비교예 1 과 실시예 1 의 외부전극으로부터 내부전극에 이르는 전체 영역의 일부분에 대한 개략적인 단면 모식도이다.

도3 을 통해, 비교예 1 의 경우 내부전극과 외부전극 간의 물리적인 접촉만을 통해 연결되는 반면, 실시예 1 의 경우 내부전극과 외부전극 사이의 금속간 화합물 (Intermetallic Compound, IMC) 이 개재되는 것을 알 수 있다. 또한, 도4 를 통해 본 개시의 전자부품의 일 예에 따른 실시예 1 의 열충격 특성이 종래 Ag-에폭시계 외부전극용 페이스트를 포함하는 인덕터에 따른 비교예 1 의 열충격 특성에 비해 우수한 것을 알 수 있다.

먼저, 도3 을 살펴보면, 비교예 1 은 실시예 1 과 대비할 때, Ag-Sn계 솔더-에폭시계 외부전극용 페이스트를 적용하여 형성되는 상술한 외부전극 구조 및 연결층의 구조를 포함하지 않는다는 점에서 상이하다. 비교예 1 의 경우, 내부 전극 및 외부전극 간의 물리적인 접촉만 존재하고, 외부전극 자체도 전도성 금속 간의 연속적인 결합이 결여되어 있으므로, 계면에서 분리가 쉽게 발생하는 것이 예상되는 반면, 실시예 1 의 경우, 금속간 화합물의 이중층인 연결층과 연속적인 네트워킹 구조의 외부전극의 존재로 인해 계면의 분리가 발생하지 않는 것이 예상된다.

다음, 표 1 내지 표 3 을 통해 본 개시의 일 예에 따른 전자부품의 납 내열테스트 전후의 Rdc 값의 변화와 종래 전자부품의 납내열 테스트 전후의 Rdc 값의 변화를 대비한다. 표 1 및 표 2 는 각각 실시예 1 및 실시예 2 에 따른 전자부품의 Rdc 값의 변화를 나타내고, 표 3 은 비교예 1 의 전자부품의 Rdc 값의 변화를 나타낸다. 납내열 테스트 조건은, 납내열 테스트할 샘플의 초기 Rdc 값을 측정하고, 납조의 온도를 450℃ 로 맞추고, 450℃온도의 납조에 5초 동안 담그고 꺼내어 실온까지 식힌 후, 후기의 Rdc 값을 측정하는 것이다.

실시예 1 과 실시예 2 의 모두는 저융점의 메탈 성분인 솔더 성분을 함유한 조성으로 구성되는 외부전극용 페이스트를 사용한 점에서 공통되며, 실시예 2 는 실시예 1 과 대비하여, Ag-솔더계 입자-에폭시계로 구성된 외부전극용 페이스트에서, 일부 Ag 입자 대신에 Ag 코팅된 구리 입자를 사용하였다는 점에서만 상이하다. 실시예 1 은 Ag 조립 파우더 63중량%, Ag 미립 파우더 7중량%, 솔더 30 중량% 를 포함하며, 금속 충진제의 전체 함량 100 대비 8중량%의 에폭시를 더 포함한다. 실시예 1 과 유사하게 실시예 2 는 Ag 조립 파우더 59중량%, Ag 미립 파우더 3중량%, Ag 코팅된 구리 파우더 5중량%, 솔더 33중량% 를 포함하며, 금속 충진제의 전체 함량 100 대비 8중량%의 에폭시를 더 포함한다.

상기 표 1 내지 표 3 을 통해 알 수 있듯이, 비교예 1 은 Ag-에폭시 페이스트를 사용하므로, Ag-에폭시 페이스트의 외부전극이 내부전극에 대하여 물리적인 접촉을 하고 있기 때문에, 열충격에 Rdc값이 크게 바꾸는 경향성을 가지는 반면, 실시예 1 및 실시예 2 는 Ag₃Sn 의 IMC 네트워킹 구조와 Cu₆Sn₅ 및 Cu₃Sn 의 이중층의 연결층 구조를 가지기 때문에 열충격에도 Rdc 값이 거의 변화하지 않는다.

또한, 비교예 1 의 STD (Standard Derivation) 은 실시예 1, 실시예 2 의 STD 에 비하여 현저하게 높기 때문에, 비교예 1 에 비하여 실시예 1 과 실시예 2 의 신뢰성이 우수한 것이 명확하다.

상기의 설명을 제외하고 상술한 본 개시의 일 예에 따른 전자 부품의 특징과 중복되는 설명은 여기서 생략하도록 한다.

본 개시는 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 개시의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 개시의 범위에 속한다고 할 것이다.

한편, 본 개시에서 사용된 "일 예"라는 표현은 서로 동일한 실시 예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일 예들은 다른 일례의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일예에서 설명된 사항이 다른 일예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일례에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.

한편, 본 개시에서 사용된 용어는 단지 일예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 이때, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

100: 전자부품
1: 내부전극
2: 외부전극
3: 바디
4: 지지 부재
5: 연결층

Claims (15)

1. 내부전극; 및
   상기 내부전극과 전기적으로 연결되는 외부전극;
   을 포함하고,
   상기 외부전극은 다공질 구조를 가지는 도전성 베이스와 상기 다공질 내 빈 공간에 충진되는 수지를 포함하고,
   상기 외부전극과 상기 내부전극 사이에 연결층이 배치되고,
   상기 연결층은 Cu-Sn 화합물로 구성되는, 전자부품.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 도전성 베이스는 Ag-Sn계 합금을 포함하는, 전자부품.
   
3. 제2항에 있어서,
   상기 Ag-Sn계 합금은 Ag₃Sn 인, 전자부품.
   
4. 제1항에 있어서,
   상기 다공질 구조는 외부전극의 전체 영역에 걸쳐 연속적인 네트워킹 (networking) 구조로 구성되는, 전자부품.
   
5. 제1항에 있어서,
   상기 수지는 열경화성 수지인, 전자부품.
   
6. 삭제
7. 제1항에 있어서,
   상기 연결층은 상기 외부전극과 인접한 제1 연결층과 상기 내부전극과 인접한 제2 연결층을 포함하는 이중층으로 구성되는, 전자부품.
   
8. 제7항에 있어서,
   상기 제1 연결층은 Cu₆Sn₅ 합금으로 구성되는, 전자부품.
   
9. 제7항에 있어서,
   상기 제2 연결층은 Cu₃Sn 합금으로 구성되는, 전자부품.
   
10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 연결층 중 적어도 하나는 불연속적으로 배치되는, 전자부품.
    
11. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 베이스의 경계면 상의 적어도 일부 영역 상에 Bi 입자가 배치된, 전자부품.
    
12. 제1항에 있어서,
    상기 다공질 구조 내 Ag 입자가 불규칙적으로 분산된, 전자부품.
    
13. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 베이스 내에는 서로 상이한 Sn함량을 포함하는 솔더 입자가 불규칙적으로 분산된, 전자부품.
    
14. 제13항에 있어서,
    상기 솔더 입자는 Sn-Bi계 합금인, 전자부품.
    
15. 제1항에 있어서,
    상기 연결층의 평균 두께는 1㎛ 이상 10㎛ 이하인, 전자부품.
    

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