TWI620212B - 電子零件及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的係在於提高線圈零件之凸塊電極與其下層之內部端子電極的接合強度。其中，線圈零件(1)係具備有被設置在基板(10)上的薄膜線圈層(11)、及被設置在薄膜線圈層(11)之表面的凸塊電極(12a~12d)。薄膜線圈層(11)係具備有分別連接至螺旋形導體(16、17)之所對應之一端的內部端子電極(24a~24d)、覆蓋內部端子電極(24a~24d)的第4絕緣層(15d)、形成在絕緣層(15d)且露出內部端子電極(24a~24d)的開口(ha~hd)。開口(ha~hd)係具有在俯視中比對應之內部端子電極的周緣為更向外側突出的部分，藉此，自內部端子電極(24a~24d)之上表面(TS)與側面(SS)之兩者所對應之開口(ha~hd)露出。凸塊電極(12a~12d)係在開口(ha~hd)的內部而與內部端子電極(24a~24d)之上表面(TS)與側面(SS)之兩者產生接觸。

Description

電子零件及其製造方法
本發明係關於電子零件及其製造方法，特別是關於共模濾波器等的線圈零件及其製造方法。
作為電子零件之一的共模濾波器作為差動傳輸線的雜訊對應零件而被廣泛使用。藉由近年來的製造技術的進步，共模濾波器也被提供作為非常小型的表面安裝型晶片零件，在內藏之線圈圖案中使用有非常小型‧窄間隔化者。
另外，在所謂薄膜型的共模濾波器中，已知有藉由電鍍形成厚的外部端子電極者(例如參照專利文獻1)。在該種共模濾波器中，在連接外部端子電極與平面線圈圖案的情況下，連接於平面線圈圖案的內周端或外周端的內部端子電極連接於外部端子電極。絕緣層介於外部端子電極與內部端子電極之間，通過設置在絕緣層的開口，外部端子電極與內部端子電極的上表面平面地連接。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-14747號公報
伴隨著近年來的晶片尺寸的小型化，內部端子電極的面積也逐漸變得非常小。若要將外部端子電極連接於如此之小的面積的內部端子電極，則會有兩者接合強度不足夠，且由於熱衝擊等而容易發生電性連接不良的問題。如此之問題在上述共模濾波器中較為顯著，但是其並不僅限於共模濾波器而是在各種各樣的電子零件的端子電極連接上皆有可能發生之問題，故而期望該問題能受到解決。
因此，本發明的目的在於提供能夠提高外部端子電極與內部端子電極的接合強度的電子零件及其製造方法。
為了解決上述課題，本發明之電子零件，其特徵在於具備有：導體層，其包含有第1端子電極，該第1端子電極係設置於第1絕緣層上而具有包含第1及第2部分之上表面、第1側面及第2側面；第2絕緣層，其覆蓋上述導體層；開口，其以上述第1端子電極之上述上表面的上述第1部分與上述第1側面係位在其內部，且上述第1絕緣層之表面露出之方式，形成在上述第2絕緣層；以及第2端子電極，其被設置在上述第2絕緣層之至少上表面，並通過上述開口而連接至上述第1端子電極之上述上表面之上述第1部分與上述第1側面之兩 者，並且與上述第1絕緣層之上述已露出之表面相接；上述第1端子電極之上述上表面之上述第2部分及上述第2側面係不露出於上述開口地由上述第2絕緣層所覆蓋。
根據本發明，由於第2端子電極與第1端子電極的上表面和側面之兩者連接，因此能夠提高第1端子電極與第2端子電極的接合強度。因此，能夠提供可靠性高的電子零件。
在本發明中，較佳為，上述開口延伸設置至上述絕緣層的邊緣。根據該構成，能夠容易形成使第1端子電極的上表面和側面之兩者位於其內部的開口。
較佳為，本發明之電子零件更進一步具備有基板、以及被設置在上述基板上且具有上述導體層及上述第1及第2絕緣層之薄膜線圈層；上述導體層係更進一步包含有連接至上述第1端子電極的平面線圈圖案，上述第1端子電極係為上述薄膜線圈層的內部端子電極，上述第2端子電極係為被設置在上述薄膜線圈層之表面的外部端子電極。根據該構成，能夠提高在電子零件即線圈零件中外部端子電極與內部端子電極的接合強度，能夠提高端子電極的連接可靠性。
根據該構成，能夠增加第1端子電極與第2端子電極的側面之接觸，能夠進一步提高連接可靠性。
根據該構成，由於開口不會變深，因此能夠確實地將第2端子電 極填充在開口的內部，能夠提高連接可靠性。
根據該構成，由於開口變深，因此能夠擴大第2端子電極與第1端子電極的側面的接觸面積，能夠進一步提高兩者的接合強度。
另外，本發明之電子零件的製造方法，其特徵在於具備有：形成包含有第1端子電極之導體層的步驟，該第1端子電極係在第1絕緣層上具有包含第1及第2部分之上表面、第1側面及第2側面；形成覆蓋上述導體層之第2絕緣層的步驟；以上述第1端子電極之上述上表面的上述第1部分與上述第1側面露出，且上述第1絕緣層之表面露出之方式，在上述第2絕緣層形成開口的步驟；以及在上述第2絕緣層之至少上表面設置第2端子電極，並且通過上述開口而將上述第2端子電極連接至上述第1端子電極之上述上表面之上述第1部分與上述第1側面之兩者，且使其與上述第1絕緣層之上述已露出之表面接觸的步驟；上述第1端子電極之上述上表面之上述第2部分及上述第2側面係不露出於上述開口地由上述第2絕緣層所覆蓋。
根據本發明，能夠將第2端子電極與第1端子電極的上表面和側面之兩者連接，能夠提高第1端子電極與第2端子電極的接合強度。因此，能夠製造可靠性高的電子零件。
較佳為，上述電子零件的製造方法係具備有在基板上形成包含有平面線圈圖案之薄膜線圈層的步驟、以及在上述薄膜線圈層上形成外部端子電極的步驟，形成上述薄膜線圈層的步驟，係包含有形成上述 導體層、上述第1絕緣層、上述第2絕緣層及上述開口的步驟，上述第1端子電極係為連接至上述平面線圈圖案的內部端子電極，上述第2端子電極係為上述外部端子電極。根據該製造方法，由於不經過特別的步驟，僅藉由稍微擴大形成在絕緣層的開口的範圍而內部端子電極的側面露出，因此加工容易，藉此能夠提高外部端子電極與內部端子電極的接合強度。因此，能夠製造可靠性高的線圈零件。
本發明的另一個側面之電子零件，其特徵在於具備有：基板、被設置在上述基板上的薄膜線圈層、以及被設置在上述薄膜線圈層之上表面的外部端子電極，上述薄膜線圈層係具備有包含有平面線圈圖案及第1內部端子電極的第1導體層、覆蓋上述第1導體層的第1絕緣層、以上述第1內部端子電極的至少上表面係位在其內部的方式而在上述第1絕緣層所形成的第1開口、被設置在上述第1絕緣層上，且包含有通過上述第1開口而連接至上述第1內部端子電極之上表面之第2內部端子電極的第2導體層、覆蓋上述第2導體層的第2絕緣層、以及以上述第2內部端子電極的上表面之第1部分與第1側面之兩者係位在其內部，且上述第1絕緣層之表面露出的方式而在上述第2絕緣層所形成的第2開口；上述外部端子電極係被設置在上述第2絕緣層上，且通過上述第2開口而連接至上述第2內部端子電極之上述上表面之上述第1部分與上述第1側面之兩者，並且與上述第1絕緣層之上述已露出之表面相接，上述第1端子電極之上述上表面之第2部分及第2側面係不露出於上述第2開口地由上述第2絕緣層所覆蓋。
在本發明中，較佳為，上述第1開口使上述第1內部端子電極的 側面也位在其內部，上述外部端子電極通過上述第2及第1開口而連接至上述第1內部端子電極的上述側面。根據該構成，由於開口變深，因此能夠擴大外部端子電極與內部端子電極的側面的接觸面積，能夠進一步提高兩者的接合強度。
在本發明中，較佳為，上述平面線圈圖案係為螺旋形導體，該螺旋形導體的外周端連接至上述第1內部端子電極。根據該構成，能夠確實地連接螺旋形導體的外周端與外部端子電極。
在本發明中，又較佳為，上述平面線圈圖案係為螺旋形導體，上述薄膜線圈層係更進一步包含有被設置在上述第2導體層的引出導體、及貫通上述第1絕緣層的通孔導體；上述引出導體的一端係連接至上述第2內部端子電極，上述引出導體的另一端經由上述通孔導體而連接至上述螺旋形導體的內周端。根據該構成，能夠確實地連接螺旋形導體的內周端與外部端子電極。
根據本發明，能夠提供可以提高通過形成在絕緣層的開口而相互連接的第1端子電極與第2端子電極的接合強度的電子零件及其製造方法。
1、2‧‧‧線圈零件(電子零件)
10‧‧‧基板
10a~10d‧‧‧側面
11‧‧‧薄膜線圈層
12、12a~12d‧‧‧凸塊電極(外部端子電極)
13‧‧‧磁性樹脂層
14‧‧‧通孔磁性體
15a~15d‧‧‧絕緣層
16‧‧‧螺旋形導體
16a‧‧‧內周端
16b‧‧‧外周端
17‧‧‧螺旋形導體
17a‧‧‧內周端
17b‧‧‧外周端
18、19‧‧‧接觸孔導體
20,21‧‧‧引出導體
24a~24d‧‧‧內部端子電極
ha~hg、hh‧‧‧開口
SS、SS1~SS3‧‧‧內部端子電極之側面
TS‧‧‧內部端子電極之上表面
圖1係表示本發明的第1實施形態之線圈零件1(電子零件)的構造的概略立體圖。
圖2係詳細表示線圈零件1的層構造的概略分解立體圖。
圖3係分解各層而表示之俯視圖。
圖4係表示外部端子電極即凸塊電極與內部端子電極的連接關係的圖，(a)為俯視圖，(b)為沿著(a)的A-A’線的概略剖面圖。
圖5係表示線圈零件1的製造方法的流程圖。
圖6係表示形成有多個線圈零件1的磁性晶圓(基板)的構成的概略俯視圖。
圖7(a)至(d)係表示形成在絕緣層15d的開口ha~hd的形狀的變形例的俯視圖。
圖8係本發明的第2實施形態之線圈零件2的構造，並分解各層而表示的俯視圖。
圖9係線圈零件2的一部分剖面圖，並為對應於沿著圖4(a)的A-A’線的圖的示意圖。
以下，一邊參照添附圖式一邊對本發明的較佳實施形態進行詳細的說明。
圖1係表示本發明的第1實施形態之線圈零件的構造的概略立體圖。
如圖1所示，本實施形態之線圈零件1是共模濾波器，並具備基板10、包含設置在基板10的一邊主面(上表面)的共模濾波器元件的薄膜線圈層11、設置在薄膜線圈層11的主面(上表面)的第1~第4凸塊電 極12a~12d、以及設置在除了凸塊電極12a~12d的形成位置以外的薄膜線圈層11的主面的磁性樹脂層13。
線圈零件1是大致長方體狀的表面安裝型晶片(chip)零件，並具有與長邊方向(X方向)平行的2個側面10a、10b、以及與長邊方向正交的其他2個側面10c、10d。第1~第4凸塊電極12a~12d係以設置在線圈零件1的角部且在線圈零件1的外周面也具有露出面的方式形成。其中，第1凸塊電極12a係在側面10a和側面10c之兩者具有露出面，第2凸塊電極12b係在側面10b和側面10c之兩者具有露出面。另外，第3凸塊電極12c係在側面10a和側面10d之兩者具有露出面，第4凸塊電極12d係在側面10b和側面10d之兩者具有露出面。此外，在安裝時為上下反轉，將凸塊電極12a~12d側朝向下而使用。
基板10係確保線圈零件1的機械強度，並且發揮作為共模濾波器的閉磁路的作用者。作為基板10的材料，可以使用例如燒結鐵氧體等的磁性陶瓷材料。另外，亦可以根據所要求的特性使用非磁性材料。雖然沒有特別限定，但晶片尺寸為0605型(0.6×0.5×0.5(mm))時，基板10的厚度可以設為0.1~0.3mm左右。
薄膜線圈層11係包含設置在基板10與磁性樹脂層13之間的共模濾波器元件的層。雖然詳細內容如後述，但薄膜線圈層11具有交替地層疊絕緣層和導體圖案而形成的多層構造。如此，本實施形態之線圈零件1係所謂的薄膜型，與具有在磁芯捲繞了導線的構造的卷線型有所區別。
磁性樹脂層13係構成線圈零件1的安裝面(底面)的層，與基板10一起保護薄膜線圈層11，並且發揮作為線圈零件1的閉磁路的作用者。但是，由於磁性樹脂層13的機械強度比基板10小，因而在強度面為發揮輔助的作用之程度。作為磁性樹脂層13，可以使用含有鐵氧體粉的環氧樹脂(複合鐵氧體)。雖然沒有特別限定，但在晶片尺寸是0605型時，磁性樹脂層13的厚度可設為0.02~0.1mm左右。
圖2係詳細地表示線圈零件1的層構造的概略分解立體圖。另外，圖3係分解各層而表示的俯視圖。
如圖2所示，薄膜線圈層11具備從基板10側向磁性樹脂層13側依序層疊的第1~第4絕緣層15a~15d、形成在第1絕緣層15a上的包含作為平面線圈圖案的第1螺旋形導體16及內部端子電極24a~24d的第1導體層、形成在第2絕緣層15b上的包含作為平面線圈圖案的第2螺旋形導體17及內部端子電極24a~24d的第2導體層、以及形成在第3絕緣層15c上的包含第1及第2引出導體20、21及內部端子電極24a~24d的第3導體層。在第4絕緣層15d上設置有凸塊電極12a~12d，不形成內部端子電極等之導體圖案。
第1~第4絕緣層15a~15d係使設置在不同導體層的導體圖案間絕緣，並且發揮確保形成有導體圖案的平面的平坦性的作用。特別地，第1絕緣層15a吸收基板10的表面的凹凸，發揮提高螺旋形導體圖案的加工精度的作用。作為絕緣層15a~15d的材料，較佳為使用在電及 磁的絕緣性上優異且微細加工容易的樹脂，雖然沒有特別限定，但可以使用聚醯亞胺樹脂或環氧樹脂。
第1螺旋形導體16的內周端16a係經由貫通第2及第3絕緣層15b、15c的第1接觸孔導體18、第1引出導體20及第1內部端子電極24a而連接於第1凸塊電極12a。另外，第1螺旋形導體16的外周端16b經由第2內部端子電極24b而連接於第2凸塊電極12b。
第2螺旋形導體17的內周端17a係經由貫通第3絕緣層15c的第2接觸孔導體19、第2引出導體21及第4內部端子電極24d而連接於第4凸塊電極12d。另外，第2螺旋形導體17的外周端17b係經由第3內部端子電極24c而連接於第3凸塊電極12c。
第1及第2螺旋形導體16、17具有實質上相同的平面形狀，而且在俯視圖中設置在相同位置。由於第1及第2螺旋形導體16、17為重疊疊合，因此在兩者之間產生較強的磁性耦合。因為第1螺旋形導體16從其內周端16a向外周端16b係逆時針，第2螺旋形導體17從其外周端17b向內周端17a同樣是逆時針，所以由從第1凸塊電極12a向第2凸塊電極12b流動的電流所產生的磁束的方向與由從第3凸塊電極12c向第4凸塊電極12d流動的電流所產生的磁束的方向相同，整體的磁束增強。藉由以上的構成，薄膜線圈層11內的導體圖案構成共模濾波器。
第1及第2螺旋形導體16、17的外形均為圓形螺旋。由於圓形螺 旋形導體係高頻信號成分的衰減少，因而可以較佳地作為高頻用電感而使用。此外，本實施形態的螺旋形導體16、17為長圓，但可以為正圓，也可以為橢圓。另外，即使為大致矩形亦可。
在第1~第4絕緣層15a~15d的中央區域且第1及第2螺旋形導體16、17的內側，設置有貫通第1~第4絕緣層15a~15d的開口hg，在開口hg的內部，設置有用於形成磁路的通孔磁性體14。通孔磁性體14較佳為包含與磁性樹脂層13相同的材料且與其一體地形成。
第1及第2引出導體20、21形成在第3絕緣層15c上。第1引出導體20的一端連接於接觸孔導體18的上端，另一端連接於內部端子電極24a。另外，第2引出導體21的一端連接於接觸孔導體19的上端，另一端連接於內部端子電極24d。
在構成薄膜線圈層11的表層的第4絕緣層15d上分別設置有第1~第4凸塊電極12a~12d。第1~第4凸塊電極12a~12d係外部端子電極，分別連接於內部端子電極24a~24d。此外，在本說明書中，所謂「凸塊電極」係與藉由使用倒裝晶片接合器(flip chip bonder)而對Cu、Au等金屬球進行熱壓接合而形成者不同，而是指藉由鍍覆處理而形成的厚膜鍍覆電極。凸塊電極的厚度係與磁性樹脂層13的厚度同等或為其以上，可設為0.02~0.1mm左右。即，凸塊電極12a~12d的厚度比薄膜線圈層11內的導體圖案更厚，特別是具有薄膜線圈層11內的螺旋形導體圖案的5倍以上的厚度。
第1~第4凸塊電極12a~12d的平面形狀實質上是相同的。根據該構成，線圈零件1的底面的凸塊電極圖案具有對稱性，因而能夠提供在安裝的方向性上無制約且外表美觀的端子電極圖案。
在第4絕緣層15d上，與第1~第4凸塊電極12a~12d一起形成有磁性樹脂層13。磁性樹脂層13係以埋在凸塊電極12a~12d的周圍的方式設置。與磁性樹脂層13相接的凸塊電極12a~12d的側面較佳為無邊緣的曲面形狀。磁性樹脂層13在形成凸塊電極12a~12d後藉由流入複合鐵氧體的膏體而形成，但若此時在凸塊電極12a~12d的側面有發揮作為邊緣之作用的角部，則在凸塊電極的周圍不完全填充有膏體，容易處於包含氣泡的狀態。然而，在凸塊電極12a~12d的側面為曲面的情況下，由於有流動性的樹脂遍佈到角落，因而能夠形成不含氣泡的緻密的磁性樹脂層13。而且，因為磁性樹脂層13與凸塊電極12a~12d的密接性提高，所以能夠提高對凸塊電極12a~12d的補強性。
在第2絕緣層15b進而設置有與第1~第4內部端子電極24a~24d對應的開口ha~hd及與第1接觸孔導體18對應的開口he。開口ha~he係為了確保上下導體層間的電性連接而設置者。形成在第2絕緣層15b上的內部端子電極24a~24d的一部分係埋入到設置在其正下方的第2絕緣層15b的開口ha~hd的內部(參照圖4(b))，藉此與第1絕緣層15a上的內部端子電極24a~24d電性連接。此外，在第1絕緣層15a不設置與內部端子電極對應的開口ha~hd。
在第3絕緣層15c，除了開口ha~he，進而設置有與第2接觸孔導 體19對應的開口hf。形成在第3絕緣層15c上的內部端子電極24a~24d的一部分係埋入到設置在其正下方的第3絕緣層15c的開口ha~hd的內部(參照圖4(b))，藉此與第2絕緣層15b上的內部端子電極24a~24d電性連接。
在第4絕緣層15d設置有開口ha~hd，但不設置與第1及第2接觸孔導體18、19對應的開口he、hf。凸塊電極12a~12d的一部分係埋入到第4絕緣層15d的開口ha~hd的內部。藉此，第3絕緣層15c上的內部端子電極24a~24d的上表面經由形成在第4絕緣層15d的開口ha~hd而與對應的凸塊電極12a~12d連接。
形成在第2及第3絕緣層15b、15c的開口ha~hd的尺寸比形成在其正下方的內部端子電極24a~24d的尺寸更小一圈。在圖3中，在設置於絕緣層15b~15d之各者的開口ha~hd的周圍所形成的虛線係表示對應的內部端子電極24a~24d的大小(投影面)。如圖所示，僅內部端子電極24a~24d的上表面從開口ha~hd露出。相對於此，形成在第4絕緣層15d的開口ha~hd係具有比形成在其正下方的內部端子電極24a~24d的周緣(輪廓)更向外側突出的擴張部分。因此，不僅內部端子電極24a~24d的上表面而且內部端子電極24a~24d的側面也從開口ha~hd露出。
圖4係表示凸塊電極12a~12d與內部端子電極24a~24d的連接關係的圖，(a)為俯視圖，(b)為沿著(a)的A-A’線的概略剖面圖。
如圖4(a)所示，內部端子電極24a~24d係從形成在第4絕緣層15d的開口ha~hd露出，由點劃線表示的凸塊電極12a~12d係覆蓋對應的內部端子電極24a~24d。與圖3同樣，虛線係表示內部端子電極24a~24d的實際尺寸，另外，陰影線係表示從開口ha~hd露出的內部端子電極24a~24d。如圖所示，例如開口ha係從Y方向的內側向外側(A→A’方向)延伸並到達至邊緣，並且向比內部端子電極24a的周緣更向外側突出。此外，如此之切口形狀也包含在開口中。
藉此，如圖4(b)所示，內部端子電極24a不僅其上表面TS而且直到與X方向平行的側面SS也處於從開口ha露出的狀態。即，形成在第4絕緣層15d的開口ha的底面具有段差。分別形成在第2及第3絕緣層15b、15c的開口ha~hd係僅內部端子電極24a~24d的上表面露出的較小的開口。
若在如此之開口ha的上方形成凸塊電極12a，則凸塊電極12a的一部分埋入到開口ha的內部，且凸塊電極12a與內部端子電極24a的上表面TS和側面SS之兩者相接，因而能夠提高凸塊電極12a與內部端子電極24a的接合強度。此外，對於內部端子電極24b~24d也是同樣的。
由於凸塊電極12a~12d與內部端子電極24a~24d相比為非常大的電極塊，因此由熱膨脹等影響而容易在內部端子電極24a~24d之間發生剝離。但是，本實施形態之線圈零件1係內部端子電極24a~24d的上表面TS和側面SS之兩者位於絕緣層15d的開口ha~hd的內部，且 凸塊電極12a~12d係因為在對應的開口的內部與內部端子電極24a~24d的上表面和側面之兩者相接，所以能夠提高凸塊電極與較小的內部端子電極的接合強度，能夠提高連接可靠性。
接著，對線圈零件1的製造方法進行詳細說明。在線圈零件1的製造中，實施如下量產製程，即在一片較大的磁性基板(磁性晶圓)上形成多個共模濾波器元件(線圈導體圖案)後，藉由將各元件個別切斷而製造多個晶片零件。
圖5係表示線圈零件1的製造方法的流程圖。另外，圖6係表示形成有多個線圈零件1的磁性晶圓的構成的概略俯視圖。
在線圈零件1的製造中，首先準備磁性晶圓(步驟S11)，將多個共模濾波器元件在磁性晶圓的表面形成經配置之薄膜線圈層11(步驟S12)。
薄膜線圈層11係在形成絕緣層後能夠藉由重複進行在絕緣層的表面形成導體圖案的步驟而形成。以下，對薄膜線圈層11的形成步驟進行詳細說明。
在薄膜線圈層11的形成中，首先形成絕緣層15a後，在絕緣層15a上形成第1螺旋形導體16及內部端子電極24a~24d。接著，在絕緣層15a上形成絕緣層15b後，在絕緣層15b上形成第2螺旋形導體17及內部端子電極24a~24d。接著，在絕緣層15b上形成絕緣層15c後，在 絕緣層15c上形成第1及第2引出導體20、21以及內部端子電極24a~24d。進而在絕緣層15c上形成絕緣層15d(參照圖2)。
於此，各絕緣層15a~15d能夠藉由在基底面旋塗感光性樹脂，或黏貼感光性樹脂膜，並對其曝光及顯影而形成。特別是，在第1絕緣層15a形成有開口hg，在第2絕緣層15b形成有開口ha~he、hg，在第3絕緣層15c形成有開口ha~hg，在第4絕緣層15d形成有開口ha~hd及開口hg。另外，如圖6所示，形成在第4絕緣層15d的開口ha~hd係相對於在Y方向上鄰接的2個元件作為共通之開口hh而形成。
對於導體圖案之材料較佳為使用Cu。導體圖案可以藉由利用蒸鍍法或濺射法形成基底導體層後，在其上形成圖案化後的抗蝕層，對其實施電解電鍍，除去抗蝕層及不需要的基底導體層而形成。在為了降低直流電阻而想進一步提高第1及第2螺旋形導體16、17的縱橫比(aspect ratio)的情況下，只要在除去抗蝕層及不需要的基底導體層後，進行利用大電流的電解電鍍即可。
此時，用於形成接觸孔導體18、19的開口(貫通孔)he、hf的內部係由鍍覆材料填埋，藉此形成有接觸孔導體18、19。另外，用於形成內部端子電極24a~24d的開口ha~hd的內部也由鍍覆材料填埋，藉此就形成有內部端子電極24a~24d。
接著，在薄膜線圈層11的表層即絕緣層15d上形成凸塊電極12a~12d的集合體即凸塊電極12(步驟S13)。凸塊電極12的形成方法 係首先在絕緣層15d的整個面由濺射法形成基底導體層。作為基底導體層的材料可以使用Cu等。其後，藉由黏附乾膜、並進行曝光及顯影，從而選擇性地除去位於應形成凸塊電極12a~12d以及第1和第2引出導體20、21的位置的乾膜，而形成乾膜層，並露出基底導體層。此外，凸塊電極的形成並不限定於使用乾膜的方法。
進而藉由進行電解電鍍而使基底導體層的露出部分成長，從而形成較厚的凸塊電極12a~12d的集合體。此時，形成在絕緣層15d的開口ha~hd的內部係由鍍覆材料填埋，藉此凸塊電極12a~12d與內部端子電極24a~24d電性連接。
其後，藉由除去乾膜層並對整個面進行蝕刻而除去不需要的基底導體層，從而完成大致柱狀的凸塊電極12。此時，如圖6所示，大致柱狀的凸塊電極12係於X方向及Y方向上鄰接的4個晶片零件作為共通電極而形成。凸塊電極12係被後述的切割而分割為4份，藉此，形成有對應於各元件之個別之凸塊電極12a~12d。
接著，在形成有凸塊電極12的磁性晶圓上填充複合鐵氧體的膏體並使其硬化，而形成磁性樹脂層13(步驟S14)。另外，藉由將複合鐵氧體的膏體也填充在開口hg的內部，從而同時形成通孔磁性體14。此時，為了確實地形成磁性樹脂層13而填充有大量的膏體，藉此，凸塊電極12處於埋沒在磁性樹脂層13內的狀態。因此，直至凸塊電極12的上表面露出為止而研磨磁性樹脂層13並設為既定的厚度，並且使表面平滑化(步驟S15)。進而，對於磁性晶圓也以成為既定的厚度的方式 進行研磨(步驟S15)。
其後，藉由磁性晶圓的切割而對各共模濾波器元件進行單片化(晶片化)(步驟S16)。此時，如圖6所示，在X方向上延伸的切斷線D1及在Y方向上延伸的切斷線D2通過凸塊電極12的中央，所得到的凸塊電極12a~12d的切斷面係成為露出於線圈零件1的側面。由於凸塊電極12a~12d的2個側面在安裝時成為焊點(solder fillet)的形成面，因此能夠提高焊接安裝時的固著強度。此外，也有不使用側面的安裝形態(LGA等)，凸塊的形狀可以為對應於安裝之形狀。
接著，在進行晶片零件的滾筒研磨而除去邊緣後(步驟S17)，進行電鍍(步驟S18)，藉此完成圖1所示的凸塊電極12a~12d。如此，藉由對晶片零件的外表面進行滾筒研磨，從而能夠製造難以產生晶片缺口等破損的線圈零件。另外，由於對露出於晶片零件外周面的凸塊電極12a~12d的表面進行電鍍處理，因此能夠將凸塊電極12a~12d的表面設為平滑面。
如以上說明，根據本實施形態之線圈零件1的製造方法，能夠簡便且低成本地製造可提高通過形成在絕緣層的開口而相互連接的第1端子電極與第2端子電極的接合強度的小型的電子零件。另外，由於在外部電極端子即凸塊電極12a~12d的周圍形成磁性樹脂層13，因此能夠補強凸塊電極12a~12d，並且能夠防止凸塊電極12a~12d的剝離等。另外，本實施形態之線圈零件1的製造方法係藉由鍍覆來形成凸塊電極12a~12d，因此能夠提供加工精度比例如藉由濺射法形成的情況 更高且更穩定的外部端子電極。此外，能夠謀求工時的削減及低成本化。
圖7(a)至(d)係表示形成在絕緣層15d的開口ha~hd的形狀的變形例的俯視圖。
圖7(a)所示的絕緣層15d的開口ha~hd係不在Y方向上而在X方向上設置有開口的擴張部分的構造。因此，在各個開口ha~hd露出內部端子電極的與Y方向平行的側面。根據該構造，與圖4所示的開口ha~hd同樣地，能夠提高凸塊電極12a~12d與內部端子電極24a~24d的接合強度。
圖7(b)所示之開口圖案係在X方向和Y方向之兩者設置有開口的擴張部分的構造，並且是圖4(a)的開口圖案與圖7(a)的開口圖案的單純的合成圖案。因此，內部端子電極的與X方向平行的側面和與Y方向平行的側面之兩者從各開口露出。另外，圖7(c)係在包含圖7(b)的擴張部分的角部整體形成大的開口者。因此，內部端子電極的與X方向平行的側面和與Y方向平行的側面之兩者從各開口露出。根據該構造，能夠進一步提高凸塊電極12a~12d與內部端子電極24a~24d的接合強度。
圖7(d)所示的開口圖案係在X方向和Y方向之兩者設置有開口的擴張部分的構造，比圖7(c)還要更擴展者。在圖7(c)中，擴張部分僅向絕緣層的外側(外周側)擴展，但在圖7(d)中為向絕緣層的外側和內側之 兩者擴展。根據該構造，由於內部端子電極的側面整體露出，因而能夠進一步提高凸塊電極與內部端子電極的接合強度。
圖8係本發明的第2實施形態之線圈零件的構造，並且為分解各層而表示的俯視圖。另外，圖9係線圈零件2的一部分剖面圖，並且為對應於沿著圖4(a)的A-A’線的圖者。
如圖8所示，本實施形態之線圈零件2的特徵在於不僅在第4絕緣層15d上而且也在第2及第3絕緣層15b、15c上設置有較大的開口ha~hd。
如圖9所示，凸塊電極12a係深埋入到形成在絕緣層15b~15d之各者並在層疊方向上連續的開口ha內，不僅與形成在絕緣層15c上的內部端子電極24a的上表面TS及側面SS1而且與形成在絕緣層15b上的內部端子電極24a的側面SS2以及形成在絕緣層15a上的內部端子電極24a的側面SS3相接，因此能夠進一步提高凸塊電極12a與內部端子電極24a的接合強度。
本發明並不限定於以上的實施形態，在不脫離本發明的宗旨的範圍內可以添加各種各樣的變更，該等亦當然包含於本發明中。
例如，在上述實施形態中，在凸塊電極的周圍填充磁性樹脂層，但在本發明中不限定於磁性樹脂層，也可以是無磁性之單純絕緣體層。另外，還可以省略通孔磁性體14。
另外，在上述實施形態中，列舉以凸塊電極12a~12d作為與內部端子電極連接的外部端子電極為例，但是本發明並不限定於凸塊電極，也可以以具有其他形狀或構造的外部端子電極作為對象。進而，並不限定於內部端子電極與外部端子電極的關係，也可以適用於內部端子電極彼此的連接。另外，線圈導體的形狀也不限定於螺旋形圖案，而可以以各種各樣的平面線圈圖案為對象。
另外，在上述實施形態中，列舉以包含絕緣層15a~15d的3導體層構造的薄膜線圈層11為例，但是在本發明中絕緣層的層疊數為幾個皆可，而不限定於3導體層構造。另外，在上述實施形態中，列舉以共模濾波器作為線圈零件為例，但是本發明並不限定於共模濾波器，而可以適用於其它各種各樣的線圈零件，進而可以適用於線圈零件以外的各種各樣的電子零件。

Claims (9)

  1. 一種電子零件，其特徵在於具備有：導體層，其包含有第1端子電極，該第1端子電極係設置於第1絕緣層上而具有包含第1及第2部分之上表面、第1側面及第2側面；第2絕緣層，其覆蓋上述導體層；開口，其以上述第1端子電極之上述上表面的上述第1部分與上述第1側面係位在其內部，且上述第1絕緣層之表面露出之方式，形成在上述第2絕緣層；以及第2端子電極，其被設置在上述第2絕緣層之至少上表面，並通過上述開口而連接至上述第1端子電極之上述上表面之上述第1部分與上述第1側面之兩者，並且與上述第1絕緣層之上述已露出之表面相接；上述第1端子電極之上述上表面之上述第2部分及上述第2側面係不露出於上述開口地由上述第2絕緣層所覆蓋。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，上述開口係延伸設置至上述第1絕緣層的邊緣。
  3. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，更進一步具備有基板、以及被設置在上述基板上且具有上述導體層及上述第1及第2絕緣層之薄膜線圈層；上述導體層係更進一步包含有連接至上述第1端子電極的平面線圈圖案，上述第1端子電極係為上述薄膜線圈層的內部端子電極，上述第2端子電極係為被設置在上述薄膜線圈層之表面的外部端 子電極。
  4. 一種電子零件的製造方法，其特徵在於具備有：形成包含有第1端子電極之導體層的步驟，該第1端子電極係在第1絕緣層上具有包含第1及第2部分之上表面、第1側面及第2側面；形成覆蓋上述導體層之第2絕緣層的步驟；以上述第1端子電極之上述上表面的上述第1部分與上述第1側面露出，且上述第1絕緣層之表面露出之方式，在上述第2絕緣層形成開口的步驟；以及在上述第2絕緣層之至少上表面設置第2端子電極，並且通過上述開口而將上述第2端子電極連接至上述第1端子電極之上述上表面之上述第1部分與上述第1側面之兩者，並且使其與上述第1絕緣層之上述已露出之表面接觸的步驟；上述第1端子電極之上述上表面之上述第2部分及上述第2側面係不露出於上述開口地由上述第2絕緣層所覆蓋。
  5. 如申請專利範圍第4項之電子零件的製造方法，其中，具備有在基板上形成包含有平面線圈圖案之薄膜線圈層的步驟、以及在上述薄膜線圈層上形成外部端子電極的步驟；形成上述薄膜線圈層的步驟，係包含有形成上述導體層、上述第1絕緣層、上述第2絕緣層及上述開口的步驟，上述第1端子電極係為連接至上述平面線圈圖案的內部端子電極，上述第2端子電極係為上述外部端子電極。
  6. 一種電子零件，其特徵在於具備有： 基板、被設置在上述基板上的薄膜線圈層、及被設置在上述薄膜線圈層之上表面的外部端子電極；上述薄膜線圈層係具備有：包含有平面線圈圖案及第1內部端子電極的第1導體層、覆蓋上述第1導體層的第1絕緣層、以上述第1內部端子電極的至少上表面係位在其內部的方式而在上述第1絕緣層所形成的第1開口、被設置在上述第1絕緣層上，且包含有通過上述第1開口而連接至上述第1內部端子電極之上表面之第2內部端子電極的第2導體層、覆蓋上述第2導體層的第2絕緣層、以及以上述第2內部端子電極的上表面之第1部分與第1側面之兩者係位在其內部，且上述第1絕緣層之表面露出的方式而在上述第2絕緣層所形成的第2開口；上述外部端子電極被設置在上述第2絕緣層上，且通過上述第2開口而連接至上述第2內部端子電極的上述上表面之上述第1部分與上述第1側面之兩者，並且與上述第1絕緣層之上述已露出之表面相接，上述第2內部端子電極之上述上表面之與上述第1部分不同之第2部分及第2側面係不露出於上述第2開口地由上述第2絕緣層所覆蓋。
  7. 如申請專利範圍第6項之電子零件，其中，上述第1開口係使上述第1內部端子電極的側面也位在其內部， 上述外部端子電極係通過上述第2及第1開口而連接至上述第1內部端子電極的上述側面。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之電子零件，其中，上述平面線圈圖案係為螺旋形導體，該螺旋形導體的外周端係連接至上述第1內部端子電極。
  9. 如申請專利範圍第6或7項之電子零件，其中，上述平面線圈圖案係螺旋形導體，上述薄膜線圈層係更進一步包含有被設置在上述第2導體層的引出導體、以及貫通上述第1絕緣層的通孔導體；上述引出導體的一端係連接至上述第2內部端子電極，上述引出導體的另一端係經由上述通孔導體而連接至上述螺旋形導體的內周端。
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