CN1929050A - 电子部件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及在印刷电路基板或者混合式IC(HIC)上安装的表面安装型的电子部件及其制造方法，其目的在于提供能够实现小型化、低厚度化以及低成本化的电子部件及其制造方法。作为电子部件的共模扼流圈(1)具有将绝缘层(7)、形成有线圈导体的线圈层(未图示)以及电连接在线圈导体上的外部电极(11a、11b、11c、11d)用薄膜形成技术依次形成在硅基板(3)上的作为整体的长方体形状的外形。外部电极(11a、11b、11c、11d)在绝缘层(7)上表面(安装面)上扩展形成。

Description

电子部件及其制造方法
                       技术领域
本发明涉及安装于印刷电路基板或混合式IC(HIC)上的表面安装型的电子部件及其制造方法。
                       背景技术
在安装于个人电脑或便携式电话机等电子设备的内部电路上的线圈部件中，公知有：在铁氧体磁心上缠绕铜线的绕线型、在铁氧体等磁性体薄板表面形成线圈导体图形并对该磁性体薄板进行层叠的层叠型、以及使用薄膜形成技术将绝缘膜和金属薄膜的线圈导体交替形成的薄膜型。近年来，电子设备的小型化和高性能化快速发展，伴随于此，强烈希望线圈部件的小型化和高性能化。在薄膜型的线圈部件中，通过将线圈导体薄膜化，从而在市场上供给1mm以下的芯片尺寸的线圈部件。
在专利文献1中，公开了作为薄膜型的线圈部件的共模扼流圈。图4是在专利文献1中公开的现有共模扼流圈51的外观立体图。在图4中，为了容易理解，在外部电极61、63、65、67中能够看到的区域上描有影线，并且以实线用透过式表示出被外部电极61、63覆盖而本来不能看到的内部电极端子71、73及其附近的形状。此外，隐藏线用虚线表示。
如图4所示，共模扼流圈51在磁性基板53上以薄膜形成技术依次形成绝缘层57和形成有线圈导体的线圈层(未图示)，具有经由粘结层59粘合磁性基板55的作为整体的长方体形状的外形。在绝缘层57的侧面部露出的内部电极端子71、73、75、77分别电连接到外部电极61、63、65、67上。外部电极61、63、65、67的内部电极端子71、73、75、77分别露出的侧面部是到达与该侧面部大致垂直且与绝缘层57的形成面大致平行的磁性基板53、55的上下面部而形成的。
[专利文献1]日本国专利公开特开平8-203737号公报
共模扼流圈51经过以下工序完成：薄膜形成工序，使用光学处理等薄膜形成技术在晶片状的磁性基板53上形成绝缘层57以及线圈层；基板接合工序，使用在绝缘层57上形成的粘结层59粘结并接合磁性基板55；切断工序，切断晶片并将其切断分离成芯片状；以及外部电极形成工序，形成外部电极61、63、65、67。这样，为了制造共模扼流圈51，就需要多个制造工序，因此制造成本变高，产生了共模扼流圈51高成本化的问题。此外，外部电极61、63、65、67通过例如掩模溅射法形成。但是，使用掩模溅射法来在比1005型(长边长度1.0mm、短边长度0.5mm)小的共模扼流圈51上形成如图4所示形状的外部电极61、63、65、67时，由于受到掩模的对准精度等的制约，所以较为困难。
                       发明内容
本发明的目的在于：提供能够实现小型化、低厚度化(low profile，低背化)以及低成本化的电子部件及其制造方法。
上述目的是通过下述电子部件来达成的，即，一种包含无源元件的电子部件，其特征在于，具有：第1导电层，与上述无源元件电连接；上部绝缘层，形成在上述第1导电层上；以及外部电极，经由形成于上述上部绝缘层中的接触孔与上述第1导电层电连接，在上述上部绝缘层上表面扩展形成。
上述本发明的电子部件，其特征在于，具有：第1绝缘层，形成在上述第1导电层与上述上部绝缘层之间；以及第2导电层，经由形成于上述第1绝缘层中的接触孔与上述第1导电层电连接，上述外部电极经由上述第2导电层与上述第1导电层电连接。
上述本发明的电子部件，其特征在于，具有：第2绝缘层，形成在上述第2导电层与上述上部绝缘层之间；以及第3导电层，经由形成于上述第2绝缘层中的接触孔与上述第2导电层电连接，上述外部电极经由上述第2和第3导电层与上述第1导电层电连接。
上述本发明的电子部件，其特征在于，具有：第3绝缘层，形成在上述第3导电层与上述上部绝缘层之间；以及第4导电层，经由形成于上述第3绝缘层中的接触孔与上述第3导电层电连接，上述外部电极经由上述第2至第4导电层与上述第1导电层电连接。
上述本发明的电子部件，其特征在于：上述第1至第4导电层用铜、铝、银和金的至少任一种材料形成，上述外部电极用银或者金形成。
上述本发明的电子部件，其特征在于：在上述第1导电层的下层形成有下部绝缘层。
上述本发明的电子部件，其特征在于：上述下部绝缘层形成在基板上。
上述本发明的电子部件，其特征在于：上述第1至第4导电层不在上述第1至第3绝缘层以及上述上部绝缘层的侧面露出。
上述本发明的电子部件，其特征在于：上述第1至第4导电层在上述第1至第3绝缘层以及上述上部绝缘层的侧面露出。
上述本发明的电子部件，其特征在于：上述无源元件是共模扼流圈。
此外，上述目的是通过下述电子部件的制造方法来达成的，即，一种包含有无源元件的电子部件的制造方法，其特征在于：在基板上形成第1导电层，在上述第1导电层上形成上部绝缘层，在上述第1导电层上部的上述上部绝缘层中形成接触孔，形成经由上述接触孔与上述第1导电层电连接并在上述上部绝缘层上表面扩展的外部电极。
上述本发明的电子部件的制造方法，其特征在于：在上述第1导电层与上述上部绝缘层之间形成第1绝缘层，在上述第1导电层上部的上述第1绝缘层中形成接触孔，形成经由上述接触孔与上述第1导电层电连接的第2导电层，使上述外部电极经由上述第2导电层与上述第1导电层电连接。
上述本发明的电子部件的制造方法，其特征在于：在上述第2导电层与上述上部绝缘层之间形成第2绝缘层，在上述第2导电层上部的上述第2绝缘层中形成接触孔，形成经由上述接触孔与上述第2导电层电连接的第3导电层，使上述外部电极经由上述第2和第3导电层与上述第1导电层电连接。
上述本发明的电子部件的制造方法，其特征在于：在上述第3导电层与上述上部绝缘层之间形成第3绝缘层，在上述第3导电层上部的上述第3绝缘层中形成接触孔，形成经由上述接触孔与上述第3导电层电连接的第4导电层，使上述外部电极经由上述第2至第4导电层与上述第1导电层电连接。
上述本发明的电子部件的制造方法，其特征在于：将上述第1至第4导电层用铜、铝、银和金的至少任一种材料形成，将上述外部电极用银或者金的材料形成。
上述本发明的电子部件的制造方法，其特征在于：在上述基板与上述第1导电层之间形成下部绝缘层。
上述本发明的电子部件的制造方法，其特征在于：即使切断上述基板也不会使上述第1至第4导电层在上述第1至第3绝缘层以及上述上部绝缘层的侧面露出。
上述本发明的电子部件的制造方法，其特征在于：切断上述基板使上述第1至第4导电层在上述第1至第3绝缘层以及上述上部绝缘层的侧面露出。
上述本发明的电子部件的制造方法，其特征在于：除去上述基板。
上述本发明的电子部件的制造方法，其特征在于：形成共模扼流圈来作为上述无源元件。
根据本发明，能够以低成本制造小型和低厚度的电子部件。
                     附图说明
图1是作为本发明一实施方式的电子部件的共模扼流圈1的外观立体图。
图2是用于说明本发明一实施方式的电子部件的制造方法的、作为电子部件的共模扼流圈1的分解立体图。
图3是作为本发明一实施方式的电子部件的共模扼流圈1的变形例的外观立体图。
图4是现有共模扼流圈51的外观立体图。
                  具体实施方式
使用图1至图3对本发明一实施方式的电子部件及其制造方法进行说明。在本实施方式中，作为包含有无源元件的电子部件，以抑制成为平衡传送方式中电磁干扰原因的共模电流的共模扼流圈为例进行说明。图1是共模扼流圈1的外观立体图。
如图1所示的共模扼流圈1，例如具有将形成在硅基板3上的绝缘层7、线圈层(未图示)以及外部电极11a、11b、11c、11d用薄膜形成技术依次形成的作为整体的长方体形状的外形。在线圈层上形成有线圈导体。线圈导体包含在绝缘层7内。此外，线圈导体电连接于外部电极11a～11d上。在长方体外形中，外部电极11a～11d进行扩展的绝缘层7上表面成为与印刷电路基板(PCB)相面对并能够进行安装的安装面。安装面例如形成为长边长度为0.6mm、短边长度为0.3mm，共模扼流圈1就是所谓的“0603型”的表面安装型部件。外部电极11a～11d例如形成为沿着安装面的长边其长度为0.2mm、沿着短边其长度为0.1mm的长方形形状，并被设置在安装面的角部。备外部电极11a～11d是占安装面的约1/9这样的比较大的区域而分别形成的。因此，共模扼流圈1能够充分确保与PCB之间的电连接以及安装强度。外部电极11a～11d使用如金(Au)或银(Ag)来形成，以便即使长时间暴露在空气当中也难以被腐蚀。另外，共模扼流圈1的外形的各个角部或相邻面的交线部可以实施倒角处理。
外部电极11a、11b、11c、11d分别电连接到内部电极端子21a、21b、21c、21d上。内部电极端子21a～21d具有例如以铜(Cu)形成的长方体形状。如稍后使用图2进行说明的那样，内部电极端子21a具有导电层(第1导电层)41a、导电层(第2导电层)43a、导电层(第3导电层)45a、以及导电层(第4导电层)47a层叠的4层层叠构造。内部电极端子21b具有导电层(第1导电层)43b、导电层(第2导电层)45b、以及导电层(第3导电层)47b层叠的3层层叠构造。内部电极端子21c具有导电层(第1导电层)45c、以及导电层(第2导电层)47c层叠的2层层叠构造。内部电极端子21d具有仅有导电层(第1导电层)47d的单层构造。因此，内部电极端子21a的膜厚最厚，内部电极端子21b的膜厚第2厚，内部电极端子21c的膜厚第3厚，内部电极端子21d的膜厚最薄。
对安装面从其法线方向进行观察，内部电极端子21a～21d形成得比外部电极11a～11d小，并被分别配置在绝缘层7的角部附近。由于内部电极端子21a～21d的形成区域比较小，所以能充分确保形成线圈导体的区域。由此，例如能够使线圈导体圈数增多，能够实现共模扼流圈1的高性能化。此外，由于内部电极端子21a～21d不绝缘层7的侧面露出，所以可以不用担心腐蚀地对内部电极端子21a～21d以及线圈导体的形成材料使用导电性以及加工性好的Cu或者铝(Al)等。
如稍后使用图2进行说明的那样，绝缘层7具有绝缘层(下部绝缘层)7a、绝缘层(第1绝缘层)7b、绝缘层(第2绝缘层)7c、绝缘层(第3绝缘层)7d以及绝缘层(上部绝缘层)7e层叠的层叠构造。绝缘层7a～7e是将例如聚酰亚胺树脂、环氧树脂等绝缘性好加工性好的材料、或者为了确保共模扼流圈1的强度将氧化铝(Al2O3)构图成规定形状而形成的。当使用硅基板3时，绝缘层7a也可以是在硅基板3的膜形成面上形成的氧化膜。共模扼流圈1中，也可以代替硅基板3而使用以烧结铁氧体或者复合铁氧体等磁性材料形成的磁性基板。
如以上说明所述，在本实施方式的共模扼流圈1中，外部电极11a～11d用薄膜形成工序形成，而不像现有的共模扼流圈51那样用掩模溅射法来形成。因此，在共模扼流圈1中，由于没有掩模的对准精度等的制约，所以外部电极11a～11d能够在较小的形成区域内以高精度形成。因此，能够使共模扼流圈1形成为比1005型更小型。此外，共模扼流圈1由于不具有如现有的共模扼流圈51那样相对配置的2块磁性基板53、55，所以能够实现低厚度化。
接下来，以共模扼流圈1为例使用图2对本实施方式的电子部件的制造方法进行说明。虽然共模扼流圈1是在晶片上同时形成多个，但是图2示出的是将1个共模扼流圈1的元件形成区域的层叠构造分解并从斜侧方向观察的状态。
首先，如图2所示在硅基板3上涂敷例如聚酰亚胺树脂形成绝缘层(下部绝缘层)7a。绝缘层7a通过旋涂法、浸渍(dip)法、喷涂(spray)法或者印刷法等形成。稍后说明的各绝缘层与绝缘层7a以同样的方法形成。此外，也可以不涂敷聚酰亚胺树脂，而将对硅基板3表面例如进行热处理而形成的氧化膜作为绝缘层7a。
接下来，通过真空成膜法(蒸镀、溅射等)或者镀金法来在整个面形成未图示的金属层(例如Cu层)，通过使用光刻的刻蚀法或加成法(additive)或者图形镀金法等将该Cu层构图，形成位于硅基板3的元件形成区域内侧的导电层(第1导电层)41a。同时，形成连接到导电层41a上的引线29。稍后说明的各Cu层的形成以及构图都使用了与导电层41a相同的方法。另外，金属层的形成材料不限于Cu，也可以是Au或者Ag。
接下来，在整个面上涂敷聚酰亚胺树脂并进行构图，形成具有使导电层41a上表面露出的接触孔42a和使不连接在导电层41a一侧的引线29的端部露出的接触孔31的绝缘层(第1绝缘层)7b。
接下来，在整个面上形成Cu层(未图示)，在绝缘层7b上形成构图为螺旋状的线圈导体33。同时在导电层41a上形成与导电层41a电连接的导电层(第2导电层)43a。进而同时，在绝缘层7b上形成硅基板3的元件形成区域的内侧的、夹着线圈导体33与导电层43a相对配置的导电层(第1导电层)43b。线圈导体33的一端子与在接触孔31露出的引线29连接，另一端子形成为连接到导电层43b上。这样，经由线圈导体33导电层41a、43a以及导电层43b电连接。
接下来，在整个面上涂敷聚酰亚胺树脂并进行构图，形成具有使导电层43a、43b上表面分别露出的接触孔44a、44b的绝缘层(第2绝缘层)7c。接下来，在整个面上形成Cu层(未图示)，在绝缘层7c上形成构图为螺旋状的线圈导体35。同时在导电层43a上形成与导电层43a电连接的导电层(第3导电层)45a，在导电层43b上形成与导电层43b电连接的导电层(第2导电层)45b。进而同时，在绝缘层7c上形成硅基板3的元件形成区域的内侧的、沿着元件形成区域的长边方向(图的左右方向)与导电层45b相对配置的导电层(第1导电层)45c。导电层45c形成为连接到线圈导体35的一端子上。
接下来，在整个面上涂敷聚酰亚胺树脂并进行构图，形成具有使导电层45a、45b、45c上表面分别露出的接触孔46a、46b、46c和使线圈导体35的另一端子露出的接触孔37的绝缘层(第3绝缘层)7d。
接下来，在整个面上形成Cu层(未图示)并进行构图，在导电层45a上形成与导电层45a电连接的导电层(第4导电层)47a，在导电层45b上形成与导电层45b电连接的导电层(第3导电层)47b，在导电层45c上形成与导电层45c电连接的导电层(第2导电层)47c。同时，在绝缘层7d上形成硅基板3的元件形成区域的内侧的、夹着线圈导体35与导电层47c相对配置的导电层(第1导电层)47d。进而同时，在绝缘层7d上形成将导电层47d和在接触孔37露出的线圈导体35的另一端子电连接的引线39。由此，通过线圈导体35以及引线39使导电层45c、47c和导电层47d电连接。
接下来，在整个面上涂敷聚酰亚胺树脂并进行构图，形成具有使导电层47a、47b、47c、47d上部分别露出的接触孔48a、48b、48c、48d的绝缘层(上部绝缘层)7e。接下来，在整个面上形成Au层(未图示)并进行构图，形成与导电层47a～47d分别电连接并在绝缘层7e上扩展的外部电极11a～11d。由此，外部电极11a经由导电层43a、45a、47a与导电层41a电连接，外部电极11b经由导电层45b、47b与导电层43b电连接，外部电极11c经由导电层47c与导电层45c电连接，外部电极11d与导电层47d电连接。此外，形成了：层叠导电层41a、43a、45a、47a的内部电极端子21a；层叠导电层43b、45b、47b的内部电极端子21b；层叠导电层45c、47c的内部电极端子21c；以及由导电层47d单层构成的内部电极端子21d。
接下来，沿规定的切断线切断晶片，按每个元件形成区域将晶片上形成的多个线圈元件分离成芯片状。由于内部电极端子21a～21d在元件形成区域的内侧形成，所以不在作为绝缘层7的切断面的侧面露出。接下来，进行角部的倒角，完成共模扼流圈1。
如以上说明所述，根据本实施方式，由于在形成线圈导体33、35、内部电极端子21a～21d以及绝缘层7的薄膜形成工序中同时形成外部电极11a～11d，所以与现有的共模扼流圈51相比较，共模扼流圈1的制造工序能够简化。由此，由于能够降低制造成本，所以能够实现共模扼流圈1的低成本化。
接下来，使用图3对本实施方式的变形例的共模扼流圈1进行说明。图3表示的是本变形例的共模扼流圈1的外观立体图。如图3所示，本变形例的共模扼流圈1具有内部电极端子22a、22b、22c、22d也在绝缘层7的侧面露出的特征。本变形例的共模扼流圈1的内部电极端子22a～22d都具有与图1所示的共模扼流圈1的内部电极端子21a相同的4层构造。
由于内部电极端子22a～22d形成的大小与外部电极11a～11d大致相同，所以分别在绝缘层7一侧面的约1/3的比较大的区域露出。内部电极端子22a～22d的露出部能够与外部电极11a～11d一起用作将共模扼流圈1安装在PCB上时的焊锡区域。因此，本变形例的共模扼流圈1能够比图1中所示的共模扼流圈1更提高安装强度。此外，在本变形例的共模扼流圈1中，通过以Au或者Ag形成内部电极端子22a～22d，能够防止露出部分的腐蚀。
由于本变形例的共模扼流圈1的制造方法除了以下几个方面以外，均与如图2所示的共模扼流圈1的制造方法相同，故省略说明。其不同之处在于：内部电极端子22a～22d形成为与外部电极11a～11d大致相同大小；内部电极端子22a～22d是层叠第1至第4导电层的4层构造；以及当沿规定的切断线切断晶片时，内部电极端子22a～22d在绝缘层7侧面(切断面)露出。
本发明不限于上述实施方式，可以有各种变形。
虽然上述变形例的共模扼流圈1具有内部电极端子22a～22d形成为与外部电极11a～11d大致相同大小并且在绝缘层7的侧面露出的形状，但本发明不限于此。例如，可以是各内部电极端子像内部电极端子21a一样形成得比外部电极11a～11d小，对元件形成区域沿其法线方向看去，绝缘层7的侧面露出的露出面形成为L字形状。此时，由于内部电极端子的形成区域可以比较小，所以与上述实施方式相同，能够实现共模扼流圈1的高性能化。
此外，各内部电极端子可以形成为薄板形状，使得至少在绝缘层7相对的侧面露出，使各内部电极端子和外部电极11a～11d的剖面形状为L字形状。此时，也由于内部电极端子的形成区域可以比较小，所以与上述实施方式相同，能够实现共模扼流圈1的高性能化。
虽然上述实施方式的共模扼流圈1的制造方法以聚酰亚胺树脂作为绝缘层7的形成材料为例进行了说明，但本发明不限于此。例如，作为绝缘层7的形成材料也可以使用Al2O3。通过Al2O3得到的绝缘层7a～7e能够通过例如溅射法形成。由于Al2O3的机械强度比较高，所以即使在薄膜形成工序完成以后例如研磨硅基板3将其从绝缘层7去除，共模扼流圈1也能够确保规定的强度。由此，能够进一步实现共模扼流圈1的低厚度化。
由于Al2O3是非磁性材料，所以为了实现共模扼流圈1的高性能化，最好是在绝缘层7内形成贯通线圈导体33、35的闭磁路。该闭磁路能够用例如去除一部分线圈导体33、35的内圆周侧和外圆周侧的绝缘层7而埋入的磁性材料、以及包夹与该磁性材料磁接触的线圈导体33、35的一对磁性层来形成。此外，通过利用磁性基板代替硅基板3，可以使用该磁性基板来代替一对磁性层的一方。
在上述实施方式中，虽然以共模扼流圈1为例对电子部件及其制造方法进行了说明，但是本发明不限于此。包含无源元件的电子部件可以由例如在下部绝缘层上形成的第1导电层、与该第1导电层电连接的薄膜电阻元件、使该第1导电层上部露出的上部绝缘层、以及与第1导电层电连接并在上部绝缘层上表面扩展的外部电极构成。由于该电子部件具有薄膜电阻元件，所以只用薄膜形成工序就能够得到形成有外部电极的小型且低厚度的电阻器。
此外，包含无源元件的电子部件可以由例如使第1导电层上部露出的第1绝缘层、与第1导电层在同一层上形成并与该第1导电层电连接的螺旋状的线圈导体、经由在第1绝缘层露出的第1导电层的露出部与第1导电层电连接的第2导电层、使该第2导电层上部露出的上部绝缘层、以及经由第2导电层与第1导电层电连接并在上部绝缘层上表面扩展的外部电极构成。由于该电子部件具有线圈导体，所以只用薄膜形成工序就能够得到形成有外部电极的小型且低厚度的电感器。
此外，包含无源元件的电子部件可以由例如使第1导电层上部露出的第1绝缘层、与第1导电层在同一层上形成并与该第1导电层电连接的第1薄膜平板电极、经由在第1绝缘层露出的第1导电层的露出部与第1导电层电连接的第2导电层、在第1绝缘层上形成的第2薄膜平板电极、使该第2导电层上部露出的上部绝缘层、以及经由第2导电层与第1导电层电连接并在上部绝缘层上表面扩展的外部电极构成。由于该电子部件通过第1以及第2薄膜平板电极和被两电极夹住的第1绝缘层形成电容，所以只用薄膜形成工序就能够得到形成有外部电极的小型且低厚度的电容器。
在上述实施方式中，虽然以具有4个外部电极的共模扼流圈1为例进行了说明，但是本发明不限于此。例如也适用于具有2个外部电极的电子部件。进而，本发明也适用于在1个封装内具有多个无源元件的阵列型的电子部件。

Claims (20)

1.一种包含无源元件的电子部件，其特征在于，具有：
第1导电层，与上述无源元件电连接；
上部绝缘层，形成在上述第1导电层上；以及
外部电极，经由形成于上述上部绝缘层中的接触孔与上述第1导电层电连接，在上述上部绝缘层上表面扩展形成。
2.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于，具有：
第1绝缘层，形成在上述第1导电层与上述上部绝缘层之间；以及
第2导电层，经由形成于上述第1绝缘层中的接触孔与上述第1导电层电连接，
上述外部电极经由上述第2导电层与上述第1导电层电连接。
3.如权利要求2所述的电子部件，其特征在于，具有：
第2绝缘层，形成在上述第2导电层与上述上部绝缘层之间；以及
第3导电层，经由形成于上述第2绝缘层中的接触孔与上述第2导电层电连接，
上述外部电极经由上述第2和第3导电层与上述第1导电层电连接。
4.如权利要求3所述的电子部件，其特征在于，具有：
第3绝缘层，形成在上述第3导电层与上述上部绝缘层之间；以及
第4导电层，经由形成于上述第3绝缘层中的接触孔与上述第3导电层电连接，
上述外部电极经由上述第2至第4导电层与上述第1导电层电连接。
5.如权利要求4所述的电子部件，其特征在于：
上述第1至第4导电层用铜、铝、银和金的至少任一种材料形成，
上述外部电极用银或者金形成。
6.如权利要求1至5的任一项所述的电子部件，其特征在于：在上述第1导电层的下层形成有下部绝缘层。
7.如权利要求6所述的电子部件，其特征在于，上述下部绝缘层形成在基板上。
8.如权利要求4至7的任一项所述的电子部件，其特征在于：上述第1至第4导电层不在上述第1至第3绝缘层以及上述上部绝缘层的侧面露出。
9.如权利要求4至7的任一项所述的电子部件，其特征在于：上述第1至第4导电层在上述第1至第3绝缘层以及上述上部绝缘层的侧面露出。
10.如权利要求4至9的任一项所述的电子部件，其特征在于：上述无源元件是共模扼流圈。
11.一种包含无源元件的电子部件的制造方法，其特征在于：
在基板上形成第1导电层，
在上述第1导电层上形成上部绝缘层，
在上述第1导电层上部的上述上部绝缘层中形成接触孔，
形成经由上述接触孔与上述第1导电层电连接并在上述上部绝缘层上表面扩展的外部电极。
12.如权利要求11所述的电子部件的制造方法，其特征在于：
在上述第1导电层与上述上部绝缘层之间形成第1绝缘层，
在上述第1导电层上部的上述第1绝缘层中形成接触孔，
形成经由上述接触孔与上述第1导电层电连接的第2导电层，
使上述外部电极经由上述第2导电层与上述第1导电层电连接。
13.如权利要求12所述的电子部件的制造方法，其特征在于：
在上述第2导电层与上述上部绝缘层之间形成第2绝缘层，
在上述第2导电层上部的上述第2绝缘层中形成接触孔，
形成经由上述接触孔与上述第2导电层电连接的第3导电层，
使上述外部电极经由上述第2和第3导电层与上述第1导电层电连接。
14.如权利要求13所述的电子部件的制造方法，其特征在于：
在上述第3导电层与上述上部绝缘层之间形成第3绝缘层，
在上述第3导电层上部的上述第3绝缘层中形成接触孔，
形成经由上述接触孔与上述第3导电层电连接的第4导电层，
使上述外部电极经由上述第2至第4导电层与上述第1导电层电连接。
15.如权利要求14所述的电子部件的制造方法，其特征在于：
将上述第1至第4导电层用铜、铝、银和金的至少任一种材料形成，
将上述外部电极用银或者金的材料形成。
16.如权利要求11至15的任一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于：在上述基板与上述第1导电层之间形成下部绝缘层。
17.如权利要求11至16的任一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于：即使切断上述基板也不会使上述第1至第4导电层在上述第1至第3绝缘层以及上述上部绝缘层的侧面露出。
18.如权利要求11至16的任一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于：切断上述基板使上述第1至第4导电层在上述第1至第3绝缘层以及上述上部绝缘层的侧面露出。
19.如权利要求11至18的任一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于：除去上述基板。
20.如权利要求14至19的任一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于：形成共模扼流圈来作为上述无源元件。
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