JP5673359B2 - コイル部品及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、コイル部品及びその製造方法に関し、特に、コイル導体を内蔵する薄膜コモンモードフィルタの構造及びその製造方法に関するものである。

近年、高速な信号伝送インターフェースとしてＵＳＢ２．０規格やＩＥＥＥ１３９４規格が広く普及し、パーソナルコンピュータやデジタルカメラなど数多くのデジタル機器に用いられている。これらのインターフェースでは一対の信号線を用いて差動信号（ディファレンシャル信号）を伝送する差動伝送方式が採用されており、従来のシングルエンド伝送方式よりも高速な信号伝送が実現されている。

高速差動伝送路上のノイズを除去するためのフィルタにはコモンモードフィルタが広く使用されている。コモンモードフィルタは、一対の信号線を伝わる信号の差動成分に対するインピーダンスが低く、同相成分（コモンモードノイズ）に対するインピーダンスが高いという特性を有している。そのため、一対の信号線上にコモンモードフィルタを挿入することにより、ディファレンシャルモード信号を実質的に減衰させることなくコモンモードノイズを遮断することができる。

図２０は、従来の表面実装型コモンモードフィルタの構造を示す略分解斜視図である。

図２０に示すように、従来のコモンモードフィルタ１は、互いに磁気結合された一対のコイル導体５，６を含む薄膜コイル層２と、薄膜コイル層２の上下に設けられたフェライトからなる磁性基板３，４とを備えている。コイル導体５，６の端部は外部端子電極７ａ〜７ｄにそれぞれ接続されており、外部端子電極７ａ〜７ｄは磁性基板３，４の側面及び上下面に形成されている。通常、外部端子電極７ａ〜７ｄは磁性基板の表面へのスパッタリングやめっきにより形成される。

特許文献１には、コモンモードフィルタの端子電極構造が開示されている。このコモンモードフィルタの端子電極は、部品の表面にＡｇを含む導電性ペーストを塗布し、或いはスパッタリングや蒸着等でＡｇ膜を形成した後、このＡｇ膜上に湿式電解めっき処理を行って、Ｎｉの金属膜をさらに形成している。

また、特許文献２には、シリコン基板上に絶縁層、コイル導体を含むコイル層、コイル導体に電気的に接続された外部電極を薄膜形成技術で順次形成し、全体として直方体状の外形を有するコモンモードチョークコイルが開示されている。このコモンモードチョークコイルにおいて、外部電極は絶縁層の上面（実装面）に広がって形成されている。また、内部電極端子は、複数の導電層が積層された多層構造の電極として構成されている。

特表ＷＯ２００６／０７３０２９号公報 特開２００７−５３２５４号公報

図２０に示した従来のコモンモードフィルタ１は、薄膜コイル層を２つの磁性基板で挟み込んだ構造であるため、コモンモードフィルタの磁気特性が高く、高周波特性に優れるだけでなく、機械的強度も高いという特長を有している。しかしながら、従来のコモンモードフィルタの構造は、上下にフェライトからなる磁性基板を使用しており、フェライト基板はあまり薄くすると割れやすいことから薄型化が困難であり、さらに２つの磁性基板を重ねることで肉厚となり、低背化されたチップ部品として提供することが難しかった。また、高価な磁性材料を多量に使用するため製造コストが高く、使用用途によってはフィルタ性能が過剰スペックであるという問題もある。

また、従来のコモンモードフィルタは、個々のチップ部品の表面に微小な端子電極をスパッタリング等で形成するものであるため、端子電極を高精度に形成することが非常に難しいという問題がある。さらに、特許文献２に記載のコモンモードチョークコイルでは、何層にも重ねた導体層によって内部電極端子を形成しているため、不良電極が形成される確率が高く、また電極形成のための工数の増加により製造コストが増加するという問題がある。

したがって、本発明の目的は、所望のフィルタ性能を確保しつつ小型化且つ低背化され、低コストで製造可能なコイル部品を提供することにある。また、本発明の目的は、そのようなコイル部品を容易且つ低コストで製造することが可能な製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明によるコイル部品は、磁性セラミック材料からなる磁性基板と、前記磁性基板の一方の主面に形成されたコイル導体を含む薄膜コイル層と、前記薄膜コイル層の主面に形成された複数のバンプ電極と、前記バンプ電極の形成位置を除いた前記薄膜コイル層の前記主面に形成された絶縁樹脂層とを備え、各バンプ電極は、前記磁性基板、前記薄膜コイル層及び前記絶縁樹脂層からなる積層体の底面及び２つの側面に露出面を有し、前記薄膜コイル層は、前記コイル導体と電気的に接続される複数の端子電極を含み、前記複数の端子電極の各々は、対応するバンプ電極に接続されており、前記積層体の前記２つの側面の少なくとも一方に露出面を有することを特徴とする。

本発明によれば、バンプ電極と接続される端子電極は隣接する２つの側面の少なくとも一方から露出しているので、各バンプ電極の側面の露出面積を広く確保することができ、表面実装時のフィレットの形成面を十分に確保することができる。

本発明において、前記複数の端子電極の各々は、前記積層体の前記２つの側面の両方に露出面を有することが好ましい。この構成によれば、各バンプ電極の側面の露出面積をさらに広く確保することができる。

本発明において、前記複数の端子電極の各々は、前記コイル導体に直接接続された第１の電極部と、前記バンプ電極を介して前記コイル導体に接続された第２の電極部を含み、前記第１の電極部が前記２つの側面の一方に露出面を有し、前記第２の電極部が前記２つの側面の他方に露出面を有することが好ましい。この構成によれば、バンプ電極の露出面積を広く確保することができると共に、各バンプ電極のコーナー部に切り欠き部を設けることができる。

本発明において、前記薄膜コイル層は、第１及び第２の絶縁層を含む多層絶縁部材と、前記第１の絶縁層の表面に形成された第１のスパイラル導体と、前記第２の絶縁層の表面に形成された第２のスパイラル導体を含み、前記コイル導体は、互いに磁気結合する前記第１及び第２のスパイラル導体を含むコモンモードフィルタであり、前記複数の端子電極の各々は、前記多層絶縁部材に埋め込まれていることが好ましい。

この構成によれば、コモンモードフィルタの各端子電極を対応するバンプ電極と一体的に形成することができる。したがって、表面実装時のフィレットの形成面を十分に確保することができる。

本発明において、前記薄膜コイル層は、第１乃至第４の絶縁層を含む多層絶縁部材と、前記第１の絶縁層の表面に形成された第１のスパイラル導体と、前記第２の絶縁層の表面に形成された第２のスパイラル導体と、前記第３の絶縁層の表面に形成され前記第１のスパイラル導体と直列接続された第３のスパイラル導体と、前記第４の絶縁層の表面に形成され前記第２のスパイラル導体と直列接続された第４のスパイラル導体を含み、前記コイル導体は、互いに磁気結合する前記第１乃至第４のスパイラル導体を含むコモンモードフィルタであり、前記複数の端子電極の各々は、前記多層絶縁部材に埋め込まれていることが好ましい。

この構成によれば、引き出し導体のみが形成された絶縁層を無くし、絶縁層を一層増やすだけで２つのコイルパターンの形成面積を約２倍に増やすことができる。これにより、全体のターン数を変えることなく一つの層に形成されるコイルのターン数を少なくし、その代わりにパターンの線幅を広くして直流抵抗Ｒ_ＤＣを低減することができ、コモンモードフィルタの特性を高めることができる。さらに、絶縁層の総数を増やしたことにより、端子電極の厚みを大きくすることができ、表面実装時のフィレットの形成をさらに良好にすることができる。

本発明によるコイル部品の製造方法は、磁性セラミック材料からなるウェハー上に複数のコイル部品を形成する工程と、複数のコイル部品をダイシングにより個片化する工程とを備え、前記複数のコイル部品を形成する工程は、前記ウェハーの一方の主面にコイル導体及び端子電極部材を含む薄膜コイル層を形成する工程と、前記薄膜コイル層の主面にバンプ電極部材をめっきにより形成する工程と、前記バンプ電極部材が形成された前記薄膜コイル層の前記主面に絶縁樹脂ペーストを充填し、前記絶縁樹脂ペーストを硬化させることにより、前記バンプ電極部材の周囲に絶縁樹脂層を形成する工程と、前記絶縁樹脂層の上面を研磨又は研削して前記バンプ電極の上面を露出させる工程を含み、前記複数のコイル部品を個片化する工程は、前記ダイシングによって前記バンプ電極部材を分割することにより、底面及び２つの側面に露出面を有するバンプ電極を形成すると共に、前記薄膜コイル層に埋め込まれた前記端子電極部材を分割して、前記２つの側面の少なくとも一方に露出面を有する前記コイル導体の端子電極を形成する工程を含むことを特徴とする。

本発明によれば、特別な工程を経ることなく、薄膜コイル層に埋め込まれた肉厚な端子電極を容易に形成することができる。したがって、各バンプ電極の側面の露出面積が広く、表面実装時のフィレットの形成面が十分に確保されたコイル部品を提供することができる。

本発明によれば、所望のフィルタ性能を確保しつつ小型化且つ低背化され、低コストで製造可能なコイル部品を提供することができる。また、本発明によれば、固着強度が高く、加工時にバリが発生することのないバンプ電極を有するコイル部品を提供することができる。さらに、本発明によれば、そのようなコイル部品を容易且つ低コストで製造することが可能な製造方法を提供することができる。

本発明の第１の実施の形態によるコイル部品１００の構造を示す略斜視図であり、実装面が上向きの状態を示している。 コイル部品１００の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。 薄膜コイル層１２内の導体パターンとバンプ電極１３ａ〜１３ｄとの位置関係を示す略平面図である。 コイル部品１００の製造方法を示すフローチャートである。 コイル部品１００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。 コイル部品１００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。 コイル部品１００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。 コイル部品１００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。 コイル部品１００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。 コイル部品１００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。 コイル部品１００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。 本発明の第２の実施の形態によるコイル部品２００の構造を示す略斜視図であり、実装面が上向きの状態を示している。 本発明の第３の実施形態によるコイル部品３００の構造を示す略斜視図である。 コイル部品３００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。 本発明の第３の実施形態によるコイル部品３００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。 絶縁樹脂層１４の切断状態を説明するための略平面図である。 比較例による絶縁樹脂層１４の切断状態を説明するための略平面図である。 図１６に示したコーナー樹脂部の集合体１４ｕの平面パターンの変形例を示す略平面図である。 本発明の第４の実施形態によるコイル部品４００の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。 従来のコモンモードフィルタの構造を示す略分解斜視図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の第１の実施の形態によるコイル部品１００の外観構造を示す略斜視図である。

図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１００はコモンモードフィルタであって、磁性基板１１と、磁性基板１１の一方の主面に設けられたコモンモードフィルタ素子を含む薄膜コイル層１２と、薄膜コイル層１２の主面に設けられた第１〜第４バンプ電極１３ａ〜１３ｄと、バンプ電極１３ａ〜１３ｄの形成位置を除いた薄膜コイル層１２の主面に設けられた磁性樹脂層１４とを備えている。図示のように、コイル部品１００は略直方体状の表面実装型チップ部品であり、上面１０ａ、底面１０ｂ、チップ部品の長手方向と直交する側面１０ｃ，１０ｄ、チップ部品の長手方向と平行な側面１０ｅ，１０ｆを有している。なお、図１のコイル部品１００は底面１０ｂ（実装面）が上向きの状態であり、実装時には上下反転し、バンプ電極１３ａ〜１３ｄ側を下向きにして使用される。

磁性基板１１は、コイル部品１００の機械的強度を確保すると共に、コモンモードフィルタの閉磁路としての役割を果たすものである。磁性基板１１の材料としては例えば焼結フェライト等の磁性セラミック材料を用いることができる。特に限定されるものではないが、チップサイズが０．６５×０．５０×０．３０（ｍｍ）であるとき、磁性基板１１の厚さは０．２ｍｍ程度とすることができる。

薄膜コイル層１２は、磁性基板１１と磁性樹脂層１４との間に設けられたコモンモードフィルタ素子を含む層である。詳細は後述するが、薄膜コイル層１２は絶縁層と導体パターンとを交互に積層して形成された多層構造を有している。このように、本実施形態によるコイル部品１００はいわゆる薄膜タイプであって、磁性コアに導線を巻回した構造を有する巻線タイプとは区別されるものである。

第１〜第４のバンプ電極１３ａ〜１３ｄは、コモンモードフィルタ素子の外部端子電極であり、磁性基板１１、薄膜コイル層１２及び磁性樹脂層１４からなる積層体の底面及び外周面に露出している。特に、第１〜第４のバンプ電極１３ａ〜１３ｄは、直方体状の積層体のコーナー部に設けられており、積層体の底面及び２つの側面を露出面とする３つの電極面を有している。積層体の外周面に露出するバンプ電極の２つの電極面の位置は、各バンプ電極が形成されているコーナー部の位置によって異なる。第１のバンプ電極１３ａは、積層体の側面１０ｃ及び側面１０ｅに露出面を有し、第２のバンプ電極１３ｂは、積層体の側面１０ｃ及び側面１０ｆに露出面を有する。また、第３のバンプ電極１３ｃは、積層体の側面１０ｄ及び側面１０ｅに露出面を有し、第４のバンプ電極１３ｄは、積層体の側面１０ｄ及び側面１０ｆに露出面を有する。

各バンプ電極１３ａ〜１３ｄの電極面が底面及び１つの側面に設けられており、２面の電極面からなる場合（図２０参照）、チップサイズを小さくしようとすると隣接するバンプ電極間が非常に近くなるため、バンプ電極間の半田ブリッジによるショートが問題となる。しかし、バンプ電極をコーナー部に設けた場合には、バンプ電極間を遠ざけることができ、半田ブリッジによるショートを防止することができる。また、互いに直交する２つの側面からバンプ電極の電極面が露出しているので、半田実装時において半田フィレット形成領域を広く且つ多面的に確保することができ、プリント基板上へのチップ部品の固着強度を高めることができる。

第１〜第４のバンプ電極１３ａ〜１３ｄは、薄膜コイル層１２に形成されたコモンモードフィルタ素子の対応する端子電極２４ａ〜２４ｄと一体的に形成されている。すなわち、薄膜コイル層１２内の各端子電極２４ａ〜２４ｄは、実質的には対応するバンプ電極１３ａ〜１３ｄの一部である。各端子電極２４ａ〜２４ｄは、各バンプ電極１３ａ〜１３ｄが有する２つの側面を薄膜コイル層１２にまで延ばしてその露出面積を拡大させる役割を果たす。そのため、各端子電極２４ａ〜２４ｄはいずれも２つの露出面を有し、それらは対応するバンプ電極１３ａ〜１３ｄの２つの露出面と同じ側面に設けられている。

本実施形態において、端子電極２４ａは、側面１１ｃに露出面を有する電極部（第１の電極部）２４ａ_１と、側面１１ｃと直交する側面１１ｅに露出面を有する電極部（第２の電極部）２４ａ_２との組み合わせからなり、端子電極２４ｂは、側面１１ｃに露出面を有する電極部（第１の電極部）２４ｂ_１と、側面１１ｃと直交する側面１１ｆに露出面を有する電極部（第２の電極部）２４ｂ_２との組み合わせからなる。また、端子電極２４ｃは、側面１１ｄに露出面を有する電極部（第１の電極部）２４ｃ_１と、側面１１ｄと直交する側面１１ｅに露出面を有する電極部（第２の電極部）２４ｃ_２との組み合わせからなり、端子電極２４ｄは、側面１１ｄに露出面を有する電極部（第１の電極部）２４ｄ_１と、側面１１ｄと直交する側面１１ｆに露出面を有する電極部（第２の電極部）２４ｄ_２との組み合わせからなる。このように、各バンプ電極１３ａ〜１３ｄの側面の露出面積を広く確保することにより、表面実装時のフィレットの形成面を十分に確保することができる。

磁性樹脂層１４は、コイル部品１００の実装面を構成する層であり、磁性基板１１と共に薄膜コイル層１２を保護すると共に、コイル部品１００の閉磁路としての役割を果たすものである。ただし、磁性樹脂層１４の機械的強度は磁性基板１１よりも小さいため、強度面では補助的な役割を果たす程度である。磁性樹脂層１４としては、フェライト粉を含有するエポキシ樹脂（複合フェライト）を用いることができる。特に限定されるものではないが、チップサイズが０．６５×０．５０×０．３０（ｍｍ）であるとき、磁性樹脂層１４の厚さは０．０８〜０．１ｍｍ程度とすることができる。

磁性樹脂層１４は、バンプ電極１３ａ〜１３ｄの形成領域を除いた薄膜コイル層１２の主面に形成されており、主面の中央部に設けられたセンター樹脂部１４ｍと、主面のコーナー部に設けられた４つのコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄを含む。各バンプ電極１３ａ〜１３ｄのコーナー部には切り欠き部（電極非形成部）が設けられており、この切り欠き部内にコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄが設けられている。コーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄは、バンプ電極１３ａ〜１３ｄと同様、底面及び２つの側面に露出面を有している。このように、バンプ電極の厳密な形成位置は、積層体のコーナー部というよりむしろコーナー部付近であり、積層体の厳密なコーナー部には磁性樹脂層１４の一部が設けられている。

コーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄは、本来の磁性樹脂層１４の機能に加えて、バンプ電極加工時のバリの発生を防止する機能を有している。後述するように、本実施形態によるコイル部品１００は、一枚の磁性基板（ウェハー）上に複数のコモンモードフィルタ素子を形成した後、個々の素子を切断して固片化することにより作製される。このとき、コーナー樹脂部がなく、コーナー部の全体が電極面となっている場合、ダイシングしたときに電極のエッジにバリが発生しやすい。このようなバリは除去しなければならないことから、工数の増加により製造コストが増加するという問題がある。しかし、本実施形態によれば、コーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄを設けているので、バンプ電極１３ａ〜１３ｄのバリの発生を防止することができる。

図２は、コイル部品１００の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。

図２に示すように、薄膜コイル層１２は、磁性基板１１側から磁性樹脂層１４側に向かって順に積層された絶縁層１５ａ〜１５ｄと、絶縁層１５ｂ上に形成された第１のスパイラル導体１６と、絶縁層１５ａ上に形成された第２のスパイラル導体１７と、絶縁層１５ｃ上に形成された第１及び第２の引き出し導体２０，２１とを備えている。

絶縁層１５ａ〜１５ｄは、異なる層に設けられた導体パターン間を絶縁すると共に、導体パターンが形成される平面の平坦性を確保する役割を果たす。特に、絶縁層１５ａは、磁性基板１１の表面の凹凸を吸収し、導体パターンの加工精度を高める役割を果たす。絶縁層１５ａ〜１５ｄの材料としては、電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、加工の容易な樹脂を用いることが好ましく、特に限定されるものではないが、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。

第１のスパイラル導体１６の内周端は、絶縁層１５ｃを貫通する第１のコンタクトホール導体１８及び第１の引き出し導体２０を介して、第１の端子電極２４ａ_１に接続されている。また、第１のスパイラル導体１６の外周端は、絶縁層１５ｂ上において第１のスパイラル導体１６と一体的に形成された第３の引き出し導体２２を介して第３の端子電極２４ｃ_１に接続されている。

第２のスパイラル導体１７の内周端は、絶縁層１５ｃ及び１５ｂを貫通する第２のコンタクトホール導体１９及び第２の引き出し導体２１を介して、第２の端子電極２４ｂ_１に接続されている。また、第２のスパイラル導体１７の外周端は、絶縁層１５ａ上において第２のスパイラル導体１７と一体的に形成された第４の引き出し導体２３を介して第４の端子電極２４ｄ_１に接続されている。

第１及び第２のスパイラル導体１６，１７は共に同一の平面形状を有しており、しかも平面視で同じ位置に設けられている。第１及び第２のスパイラル導体１６，１７は完全に重なり合っていることから、両者の間には強い磁気結合が生じている。以上の構成により、薄膜コイル層１２内の導体パターンはコモンモードフィルタを構成している。

第１及び第２のスパイラル導体１６，１７の外形は共に円形スパイラルである。円形スパイラル導体は高周波での減衰が少ないため、高周波用インダクタンスとして好ましく用いることができる。なお、本実施形態においては、第２の引き出し導体２１が第１の引き出し導体２０と共通の絶縁層１５ｃ上に設けられているが、第１の引き出し導体２０と異なる絶縁層上に設けられていてもよい。さらに、本発明においては、第１及び第２のスパイラル導体１６，１７と第１及び第２の引き出し導体２０，２１の上下関係は特に限定されず、どのような位置関係であってもかまわない。

各絶縁層１５ａ〜１５ｄの中央領域であって第１及び第２のスパイラル導体１６，１７の内側には、各絶縁層１５ａ〜１５ｄを貫通する開口２５ｍが設けられており、開口２５ｍの内部には、磁路を形成するための磁性コア２６が形成されている。磁性コア２６の材料としては、磁性樹脂層１４と同一の材料である磁性粉含有樹脂（複合フェライト）を用いることが好ましい。磁性コア２６の材料として磁性樹脂層１４と同一材料を用いた場合、開口２５ｍの内部に磁性樹脂層１４の材料の一部が埋め込まれることにより、磁性コア２６が磁性樹脂層１４と一体的に形成されるが、図２では磁性コア２６と磁性樹脂層１４とを分離した状態で図示している。

各絶縁層１５ａ〜１５ｄの外周部には、第１のバンプ電極１３ａに対応する一対の電極部２４ａ_１，２４ａ_２と、第２のバンプ電極１３ｂに対応する一対の電極部２４ｂ_１，２４ｂ_２と、第３のバンプ電極１３ｃに対応する一対の電極部２４ｃ_１，２４ｃ_２と、第４のバンプ電極１３ｄに対応する一対の電極部２４ｄ_１，２４ｄ_２が設けられている。このうち、絶縁層１５ａに形成された電極部２４ａ_１〜２４ｄ_１，２４ａ_２〜２４ｄ_２は、スパイラル導体１７等と共に当該絶縁層１５ａの表面に形成されており、絶縁層１５ａを貫通していない。

一方、絶縁層１５ｂ，１５ｃ，１５ｄにそれぞれ形成された電極部２４ａ_１〜２４ｄ_１，２４ａ_２〜２４ｄ_２は、当該絶縁層１５ｂ，１５ｃを貫通する開口２５ａ_１〜２５ｄ_１，２５ａ_２〜２５ｄ_２の内部に埋め込まれており、各電極部は絶縁層を貫通している。なお、図２では、絶縁層１５ｂ，１５ｃの電極部が開口２５ａ_１〜２５ｄ_１，２５ａ_２〜２５ｄ_２の内部に既に埋め込まれた状態が示されており、開口の符号は省略されている。

絶縁層１５ｂ，１５ｃの電極部は、開口の内部を導体で埋めることにより形成されるが、特に、コンタクトホール導体１８，１９を形成する工程と同じ工程によって形成されるものである。なお、各開口はその中空部が側面から露出しており、実質的には切り欠き構造である。

絶縁層１５ｄの電極部２４ａ_１〜２４ｄ_１，２４ａ_２〜２４ｄ_２もまた、開口２５ａ_１〜２５ｄ_１，２５ａ_２〜２５ｄ_２の内部を電極材料で埋めることにより形成されるが、これらの電極部は、バンプ電極１３ａ〜１３ｄの形成時にこれらと一体的に形成される。図２において、絶縁層１５ｄに形成される電極部２４ａ_１〜２４ｄ_１，２４ａ_２〜２４ｄ_２は開口２５ａ_１〜２５ｄ_１，２５ａ_２〜２５ｄ_２に埋め込まれておらず、しかも対応するバンプ電極１３ａ〜１３ｄと分離して記載しているが、実際の電極部２４ａ_１〜２４ｄ_１，２４ａ_２〜２４ｄ_２は、開口の内部に埋め込まれており、対応するバンプ電極１３ａ〜１３ｄと一体化されている。なお、ここでいう一体化とは、少なくとも互いに電気的接続がとれる程度に接触している状態を含むものである。

端子電極２４ａは、側面１０ｃに露出する電極部２４ａ_１と、側面１０ｅに露出する電極部２４ａ_２を有しており、一方の電極部２４ａ_１は、引き出し導体２０及びスルーホール導体１８を介してスパイラル導体１６に接続されている。すなわち、電極部２４ａ_１はスパイラル導体１６に直接接続されている。これに対し、他方の電極部２４ａ_２は、引き出し導体２０に直接接続されておらず、対応するバンプ電極１３ａ及び電極部２４ａ_１を介して、引き出し導体２０に接続されている。すなわち、電極部２４ａ_２はスパイラル導体１６に直接接続されていない。

端子電極２４ｂは、側面１０ｃに露出する電極部２４ｂ_１と、側面１０ｅに露出する電極部２４ｂ_２を有しており、一方の電極部２４ｂ_１は、引き出し導体２０及びスルーホール導体１８を介してスパイラル導体１７に接続されている。すなわち、電極部２４ｂ_１はスパイラル導体１７に直接接続されている。これに対し、他方の電極部２４ｂ_２は、引き出し導体２０に直接接続されておらず、対応するバンプ電極１３ｂ及び電極部２４ｂ_１を介して、引き出し導体２０に接続されている。すなわち、電極部２４ｂ_２はスパイラル導体１７に直接接続されていない。

端子電極２４ｃは、側面１０ｃに露出する電極部２４ｃ_１と、側面１０ｅに露出する電極部２４ｃ_２を有しており、一方の電極部２４ｃ_１は、引き出し導体２０及びスルーホール導体１８を介してスパイラル導体１６に接続されているが、他方の電極部２４ｃ_２は、引き出し導体２０に直接接続されておらず、対応するバンプ電極１３ｃ及び電極部２４ｃ_１を介して、引き出し導体２０に接続されている。

端子電極２４ｄは、側面１０ｃに露出する電極部２４ｄ_１と、側面１０ｅに露出する電極部２４ｄ_２を有しており、一方の電極部２４ｄ_１は、引き出し導体２０及びスルーホール導体１８を介してスパイラル導体１６に接続されているが、他方の電極部２４ｄ_２は、引き出し導体２０に直接接続されておらず、対応するバンプ電極１３ｄ及び電極部２４ｄ_１を介して、引き出し導体２０に接続されている。

本実施形態のように、端子電極が薄膜コイル層１２の開口の内部に埋め込まれ、隣接する２つの側面から露出していることにより、各バンプ電極１３ａ〜１３ｄの側面の露出面積を広く確保することができ、表面実装時のフィレットの形成面を十分に確保することができる。また特別な工程を経ることなく、コモンモードフィルタ素子の端子電極とバンプ電極とを一体的に形成することができる。

絶縁層１５ｄ上には第１〜第４のバンプ電極１３ａ〜１３ｄがそれぞれ設けられている。第１のバンプ電極１３ａは端子電極２４ａ_１を介して第１の引き出し導体２０の端部に接続され、第２のバンプ電極１３ｂは端子電極２４ｂ_１を介して第２の引き出し導体２１の端部に接続され、第３のバンプ電極１３ｃは端子電極２４ｃ_１を介して第３の引き出し導体２２の端部に接続され、第４のバンプ電極１３ｄは端子電極２４ｄ_１を介して第４の引き出し導体２３の端部に接続されている。なお、本明細書において「バンプ電極」とは、フリップチップボンダーを用いてＣｕ，Ａｕ等の金属ボールを熱圧着することにより形成されるものとは異なり、めっき処理により形成された厚膜めっき電極を意味する。特に限定されるものではないが、バンプ電極の材料としてはＣｕを用いることが好ましい。バンプ電極の厚さは、磁性樹脂層１４の厚さと同等かそれ以上であり、０．０８〜０．１ｍｍ程度とすることができる。すなわち、バンプ電極１３ａ〜１３ｄの厚さは薄膜コイル層１２内の導体パターンよりも厚く、特に、薄膜コイル層１２内の導体パターンの５倍以上の厚さを有している。

第１〜第４のバンプ電極１３ａ〜１３ｄが形成された絶縁層１５ｄ上には磁性樹脂層１４が形成されている。上記のように、磁性樹脂層１４はセンター樹脂部１４ｍと４つのコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄからなり、バンプ電極１３ａ〜１３ｄの周囲を埋めるように設けられている。

図３は、薄膜コイル層１２内の導体パターンとバンプ電極１３ａ〜１３ｄとの位置関係を示す略平面図である。

図３に示すように、第１及び第２のスパイラル導体１６，１７は、平面視にて完全に重なり合っているので、両者の間には強い磁気結合が生じている。また、本実施形態においては、第１〜第４のバンプ電極１３ａ〜１３ｄの一部がスパイラル導体１６，１７と重なっている。プリント基板への半田実装を確実にするためには、バンプ電極１３ａ〜１３ｄの実装面側の面積をある程度確保しなければならないが、バンプ電極１３ａ〜１３ｄがスパイラル導体１６，１７と重なるように配置した場合には、チップ面積を大きくすることなく電極面積を確保することができる。

また図示のように、バンプ電極１３ａ〜１３ｄの側面のうち磁性樹脂層１４のセンター樹脂部１４ｍ及びコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄと対面する部分は、エッジのない曲面形状であることが好ましい。詳細は後述するが、磁性樹脂層１４は、バンプ電極１３を形成した後、複合フェライトのペーストを流し込むことにより形成されるが、このときバンプ電極１３ａ〜１３ｄの側面にエッジの効いたコーナー部があるとバンプ電極の周囲にペーストが完全に充填されず、気泡を含む状態となりやすい。しかし、バンプ電極１３ａ〜１３ｄの側面が湾曲面である場合には、流動性のある樹脂が隅々まで行き渡るので、気泡を含まない緻密な絶縁樹脂層を形成することができる。しかも、磁性樹脂層１４とバンプ電極１３ａ〜１３ｄとの密着性が高まるので、バンプ電極１３ａ〜１３ｄに対する補強性を高めることができる。

以上説明したように、本実施形態によるコイル部品１００は、薄膜コイル層１２の片側にのみ磁性基板１１が設けられ、反対側の絶縁基板が省略され、その代わりに磁性樹脂層１４が設けられているので、薄型なチップ部品を低コストで提供することができる。また、磁性樹脂層１４と同等な肉厚を有するバンプ電極１３ａ〜１３ｄを設けたことにより、チップ部品の側面や上下面に外部電極面を形成する工程を省略することができ、外部電極を容易且つ高精度に形成することができる。さらに、本実施形態によれば、バンプ電極１３ａ〜１３ｄの一部がコイル導体パターンと平面視にて重なるように設けられていることから、チップ部品の小型化を図ることができる。

さらに、本実施形態によるコイル部品１００は、バンプ電極がチップ部品のコーナー部付近に設けられ、各バンプ電極は積層体の底面及び２つの側面から露出する３面の電極面を有するので、プリント基板上への半田実装時の固着強度を高めることができると共に、隣接するバンプ電極間の半田ブリッジの問題を回避することができる。また、バンプ電極の電極面をコーナー部の３面の全面に形成した場合にはその加工時にバリが発生しやすいが、バンプ電極のコーナー部に切り欠き部を設け、この切り欠き部にコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄを設けているので、バンプ電極加工時のバリの発生を防止することができる。

次に、コイル部品１００の製造方法について詳細に説明する。コイル部品１００の製造では、一枚の大きな磁性基板（磁性ウェハー）上に多数のコモンモードフィルタ素子（コイル導体パターン）を形成した後、各素子を個別に切断することにより多数のチップ部品を製造する量産プロセスが実施される。

図４は、コイル部品１００の製造方法を示すフローチャートである。また、図５〜図１２は、コイル部品１００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。

図４及び図５に示すように、コイル部品１００の製造では、まず磁性ウェハー１１を用意し（ステップＳ１１）、磁性ウェハー１１の表面に多数のコモンモードフィルタ素子がレイアウトされた薄膜コイル層１２を形成する（ステップＳ１２）。

薄膜コイル層１２はいわゆる薄膜工法によって形成される。ここで、薄膜工法とは、感光性樹脂を塗布し、これを露光及び現像して絶縁層を形成した後、絶縁層の表面に導体パターンを形成する工程を繰り返すことにより、絶縁層及び導体層が交互に形成された多層膜を形成する方法である。以下、薄膜コイル層１２の形成工程について詳細に説明する。

薄膜コイル層１２の形成では、まず絶縁層１５ａを形成した後、絶縁層１５ａの表面に第２のスパイラル導体１７、引き出し導体２３及び端子電極２４ａ〜２４ｄを形成する。次に、絶縁層１５ａ上に絶縁層１５ｂを形成した後、絶縁層１５ｂの表面に第１のスパイラル導体１６及び引き出し導体２２を形成し、さらに絶縁層１５ｂを貫通するコンタクトホール導体１８，１９及び端子電極２４ａ〜２４ｄを形成する。次に、絶縁層１５ｂ上に絶縁層１５ｃを形成した後、絶縁層１５ｃの表面に引き出し導体２０，２１及び端子電極２４ａ〜２４ｄを形成し、さらに絶縁層１５ｃを貫通するコンタクトホール導体１８，１９及び端子電極２４ａ〜２４ｄをそれぞれ形成する。最後に、絶縁層１５ｄを形成し、薄膜コイル層１２が完成する。

ここで、各絶縁層１５ａ〜１５ｄは、下地面に感光性樹脂をスピンコートし、これを露光及び現像することにより形成することができる。特に、絶縁層１５ａ〜１５ｄは開口２５ｍを有する絶縁層として形成され、絶縁層１５ｂ，１５ｃ，１５ｄは端子電極用の開口２５ｆ〜２５ｉを有する絶縁層として形成され、絶縁層１５ｂ，１５ｃはコンタクトホール導体１８，１９を有する絶縁層として形成される。絶縁層１５ｂ，１５ｃの開口２５ｆ〜２５ｉの内部には端子電極材料が埋め込まれている。開口２５ｆ〜２５ｉ内の電極材料は、コンタクトホール導体１８，１９の形成時に埋め込まれたものである。また、導体パターンの材料としてはＣｕ等を用いることができ、蒸着法又はスパッタリングにより導体層を形成した後、これをパターニングすることにより形成することができる。

ここで、開口２５ｆは、Ｙ−Ｙ方向に隣接する２つのチップ部品のうち、一方のチップ部品に形成された開口２５ａ_１（図２参照）と他方のチップ部品に形成された開口２５ｃ_１が一体化したものであり、開口２５ｆがＸ−Ｘ線に沿って切断されて２分割されることで開口２５ａ_１及び開口２５ｃ_１がそれぞれ形成される。また、開口２５ｇは、Ｙ−Ｙ方向に隣接する２つのチップ部品のうち、一方のチップ部品に形成された開口２５ｂ_１と他方のチップ部品に形成された開口２５ｄ_１が一体化したものであり、開口２５ｇがＸ−Ｘ線に沿って切断されて２分割されることで開口２５ｂ_１及び開口２５ｄ_１がそれぞれ形成される。

また、開口２５ｈは、Ｘ−Ｘ方向に隣接する２つのチップ部品のうち一方のチップ部品の開口２５ａ_２と他方のチップ部品の開口２５ｂ_２が一体化したものであり、開口２５ｆがＹ−Ｙ線に沿って切断されて２分割されることで開口２５ａ_２及び開口２５ｂ_２がそれぞれ形成される。また、開口２５ｉは、Ｘ−Ｘ方向に隣接する２つのチップ部品のうち一方のチップ部品の開口２５ｃ_２と他方のチップ部品の開口２５ｄ_２が一体化したものであり、開口２５ｇがＹ−Ｙ線に沿って切断されて２分割されることで開口２５ｃ_２及び開口２５ｄ_２がそれぞれ形成される。

次に、絶縁層１５ｄ上にバンプ電極１３ａ〜１３ｄの基礎となるバンプ電極部材１３を形成する（ステップＳ１３）。バンプ電極部材１３の形成方法は、まず図６に示すように、端子電極２４ａ〜２４ｄが露出した絶縁層１５ｄの全面にＣｕ膜３１をスパッタリングにより形成し、その後、シートレジスト３２を貼り付ける。Ｃｕ膜３１は無電解めっきや蒸着法で形成してもよい。このとき、絶縁層１５ｄの開口２５ｆ〜２５ｉ（図５参照）の内部にＣｕ膜３１が入り込む。次に、図７に示すように、シートレジスト３２を露光及び現像することにより、バンプ電極１３ａ〜１３ｄを形成すべき位置にあるシートレジスト３２を選択的に除去し、絶縁層１５ｄ上のバンプ電極形成領域を露出させる。

シートレジスト３２に形成された開口パターン３２ａは、周囲に割り当てられた４つのチップ部品に共通のバンプ電極部材の形成領域であり、略円環状（ドーナツ状）を有している。また、シートレジスト３２が残された領域（パターン暗部）は磁性樹脂層１４の形成領域であり、特に、開口パターン３２ａの周囲に残されたレジストの領域はセンター樹脂部１４ｍの形成領域であり、開口パターン３２ａ内の中心部に残されたレジストの領域はコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄの集合体の形成領域である。

次に、図８に示すように、この露出領域にバンプ電極材料としてのＣｕを電気めっきにより形成する。このとき、絶縁層１５ｄの開口２５ｆ〜２５ｉ（図５参照）の内部でもＣｕ膜３１が成長し、バンプ電極材料が埋め込まれる。その後、図９に示すように、シートレジスト３２を除去し、全面をエッチングして不要なＣｕ膜３１を除去することにより、略柱状のバンプ電極部材１３が形成される。このとき、バンプ電極部材１３は、４つのチップ部品に共通の電極部材として形成され、特に、ドーナツ状のバンプ電極部材１３の中空部は、４つのチップ部品に共通のセンター樹脂部の埋め込み領域である。バンプ電極部材１３は後述のダイシングによって４分割され、これにより各素子に対応する個別のバンプ電極１３ａ〜１３ｄが形成される。

次に、図１０に示すように、バンプ電極部材１３が形成された磁性ウェハー上に複合フェライトのペーストを充填し、硬化させて、磁性樹脂層１４を形成する（ステップＳ１４）。このとき、磁性樹脂層１４を確実に形成するため多量のペーストが充填され、これによりバンプ電極部材１３は樹脂内に埋没された状態となる。そのため、図１１に示すように、バンプ電極部材１３の上面が露出するまで磁性樹脂層１４を研磨して所定の厚さにすると共に表面を平滑化する（ステップＳ１５）。さらに、磁性ウェハー１１についても所定の厚さとなるように研磨する（ステップＳ１６）。

次に、磁性ウェハーのダイシングによって各コモンモードフィルタ素子を個片化（チップ化）する（ステップＳ１７）。図１１に示すように、チップ部品の長手方向（Ｙ方向）と短手方向（Ｘ方向）にそれぞれ延びる切断ラインＣ１はドーナツ状のバンプ電極部材１３の中心を通過し、得られたバンプ電極１３ａ〜１３ｄの切断面は、コイル部品１００の互いに直交する２つ側面から露出することになる。さらに、ダイシングによって端子電極部材も分割され、積層体の２つの側面に露出面を有する端子電極２４ａ〜２４ｄが形成される。バンプ電極１３ａ〜１３ｄの２つの側面（端子電極の側面を含む）は実装時に半田フィレットの形成面となるので、半田フィレット形成領域を広く且つ多面的に確保でき、半田実装時の固着強度を高めることができる。

次に、チップ部品のバレル研磨を行ってエッジを除去した後（ステップＳ１８）、電気めっきを行い（ステップＳ１９）、薄膜コイル層１２の側面に露出するバンプ電極１３ａ〜１３ｄ及び端子電極２４ａ〜２４ｄの表面を平滑化し、これにより図１に示すバンプ電極１３ａ〜１３ｄが完成する。このように、チップ部品の外表面をバレル研磨することによりチップ欠け等の破損が生じにくいコイル部品を製造することができる。また、チップ部品の外周面に露出するバンプ電極１３ａ〜１３ｄの表面をめっき処理するため、バンプ電極１３ａ〜１３ｄの表面を平滑面とすることができる。

以上説明したように、本実施形態によるコイル部品１００の製造方法は、従来において使用していた上下の磁性基板の一方を省略し、その代わりに絶縁樹脂層を形成することから、コイル部品を簡易且つ低コストで製造することができる。また、バンプ電極の周囲に樹脂を充填しているので、バンプ電極を補強することができ、バンプ電極の剥離等を防止することができる。また、本実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、バンプ電極をめっきにより形成しているので、例えばスパッタリングで形成する場合よりも加工精度が高く安定した外部端子電極を提供することができる。

さらに、本実施形態によるコイル部品１００の製造方法は、多数のコイル部品を製造する量産プロセスにおいて、切断ラインの交点に形成するフォトレジストの開口パターン３２ａをドーナツ状とし、この開口パターン３２ａ内にバンプ電極部材１３を形成し、さらにドーナツ形のバンプ電極部材１３の周囲及び中空部に磁性ペーストを充填してセンター樹脂部１４ｍ及びコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄをそれぞれ形成するので、バンプ電極のコーナー部に磁性樹脂層の一部が設けられたコイル部品を容易に製造することができる。

さらに、本実施形態によれば、薄膜コイル層１２の絶縁層１５ｂ〜１５ｄを貫通する開口２５ｆ〜２５ｉを開口２５ｍと共に形成し、スパイラル導体等の導体パターンの形成時に開口２５ｆ〜２５ｉ内を導体で埋めているので、特別な工程を経ることなく、肉厚な端子電極２４ａ〜２４ｄを形成することができる。したがって、表面実装時のフィレットの形成面が十分に確保されたコイル部品を提供することができる。

図１２は、本発明の第２の実施形態によるコイル部品２００の構造を示す略斜視図である。

図１２に示すように、本実施形態によるコイル部品２００は、第１の実施形態によるコイル部品１００においてコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄが取り除かれていることを特徴とするものである。そのため、各バンプ電極１３ａ〜１３ｄのコーナー部にはバンプ電極の切り欠き部１３ｒが表出している。その他の構成はコイル部品１００と実質的に同一であるため、同一の構成要素に同一の符号を付して詳細な説明を省略する。本実施形態によるコイル部品２００は、第１の実施形態によるコイル部品１００と同様、半田ブリッジによるバンプ電極間のショートを防止しつつ、半田実装時の固着強度を高めることができる。特に、それまでコーナー樹脂部に覆われていた部分までもが電極面として露出することになるので、半田実装時の固着強度を十分に高めることができる。

本実施形態によるコイル部品２００は、第１の実施形態によるコイル部品１００を一度完成させた後、コーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄを取り除く工程を経ることによって製造することができる。コーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄはダイシング後に除去されるので、ダイシング時にバンプ電極のバリの発生を防止するための部材として有効に機能させることができる。

図１３は、本発明の第３の実施形態によるコイル部品３００の構造を示す略斜視図である。

図１３に示すように、本実施形態によるコイル部品３００は、第１の実施形態によるコイル部品２００と異なり、コーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄが存在せず、さらに第２の実施形態によるコイル部品２００のようなコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄの形成領域としての切り欠き部１３ｒも存在しない。すなわち、各バンプ電極１３ａ〜１３ｄはコーナー部の先端を含むコーナー部全体に形成されている。またこのようなバンプ電極の形状に伴い、端子電極２４ａ〜２４ｂは２つの側面に露出面を有する１つのＬ字状の電極形状を有している。

図１３に示すように、コーナー部の全体にバンプ電極が形成されている場合には、チップ部品の個片化の際にバンプ電極のバリが発生し易い。しかしながら、以下に示す製造方法によってバンプ電極のバリの発生を防止することが可能である。

図１４及び図１５は、本発明の第３の実施形態によるコイル部品３００の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。

コイル部品３００の製造では、まず図５及び図６に示した工程を経て、端子電極２４ａ〜２４ｄが露出した絶縁層１５ｄの全面にＣｕ膜３１をスパッタリングにより形成し、その後、シートレジスト３２を貼り付ける。Ｃｕ膜３１は無電解めっきや蒸着法で形成してもよい。

次に、図１４に示すように、シートレジスト３２を露光及び現像することにより、バンプ電極１３ａ〜１３ｄを形成すべき位置にあるシートレジスト３２を選択的に除去し、絶縁層１５ｄ上のバンプ電極形成領域を露出させる。

シートレジスト３２に形成された開口パターン３２ａは、周囲に割り当てられた４つのチップ部品に共通のバンプ電極部材の形成領域であり、略円環状（ドーナツ状）を有している。また、シートレジスト３２が残された領域（パターン暗部）は磁性樹脂層１４の形成領域であり、特に、開口パターン３２ａの周囲に残されたレジストの領域はセンター樹脂部１４ｍの形成領域であり、開口パターン３２ａ内の中心部に残されたレジストの領域はコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄの集合体の形成領域である。

本実施形態において、コーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄの集合体の形成領域は略正方形であり、そのコーナーはＸ方向及びＹ方向を向いている。詳細は後述するが、正方形の大きさは、その対角の半分の長さが切断刃の幅（切りしろ）とほぼ同一となるように設定されている。

その後、図８〜図１１に示した工程を経て、図１５に示すように、バンプ電極１３及び磁性樹脂層１４を形成する。

図１６は、絶縁樹脂層１４の切断状態を説明するための略平面図である。

図１６に示すように、コーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄの集合体１４ｕの平面形状は略正方形であり、これをＸ方向及びＹ方向に沿って切断すると、集合体１４ｕは切断刃の幅Ｗの分だけ研削されて消滅し、残骸として残らない。また同時に、端子電極２４ａ〜２４ｄも２つの露出面を有するＬ字状の電極として形成される。したがって、図１３に示すようなコイル部品３００を作製することができ、また切断時にはコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄの集合体１４ｕが存在していることから、バンプ電極のバリの発生を防止することができる。

図１７は、比較例による絶縁樹脂層１４の切断状態を説明するための略平面図である。

図１７に示すように、各辺がＸ方向又はＹ方向と平行な矩形パターンからなるコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄの集合体１４ｕにおいて、その一辺が切断刃の幅Ｗよりも広い場合には、図１のように磁性樹脂層１４がコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｂとして残るか、或いはコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｂは除去されたとしても、各バンプ電極１３ａ〜１３ｄのコーナー部にバンプ電極の切り欠き部１３ｒが表出することになる（図１２参照）。

図１８は、図１６に示したコーナー樹脂部の集合体１４ｕの平面パターンの変形例を示す略平面図である。

図１８に示すように、このコーナー樹脂部の集合体１４ｕは円形パターンからなり、その直径Ｒは、切断刃の幅Ｗの約０．７倍（１／√２）に設定されている。そのため、Ｘ方向及びＹ方向に沿って切断すると、円形のコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄの集合体１４ｕは切断刃の幅Ｗの分だけ研削されて消滅し、残骸として残らない。したがって、図１３に示すようなコイル部品３００を作製することができ、その際、切断時にはコーナー樹脂部１４ａ〜１４ｄの集合体１４ｕが存在していることから、バンプ電極のバリの発生を防止することができる。

図１９は、本発明の第４の実施形態によるコイル部品４００の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。

図１９に示すように、本実施形態によるコイル部品４００の特徴は、コモンモードフィルタ素子を構成する２つのコイルの各々が２層のコイル層の組み合わせによって構成されている点にある。そのため、コイル部品４００の薄膜コイル層１２は、磁性基板１１側から磁性樹脂層１４側に向かって順に積層された絶縁層１５ａ〜１５ｅと、絶縁層１５ｂ上に形成された第１のスパイラル導体１６Ａと、絶縁層１５ａ上に形成された第２のスパイラル導体１７Ａと、絶縁層１５ｄ上に形成され、第１のスパイラル導体１６Ａと直列接続された第３のスパイラル導体１６Ｂと、絶縁層１５ｃ上に形成され、第２のスパイラル導体１７Ａと直列接続された第４のスパイラル導体１７Ｂとを備えている。

第１のスパイラル導体１６Ａの内周端は、絶縁層１５ｃ，１５ｄを貫通する第１のコンタクトホール導体１８を介して、第３のスパイラル導体１６Ｂの内周端に接続されており、第３のスパイラル導体１６Ｂは、その内周端から外周端に向かって第１のスパイラル導体１６Ａと同じ向きで周回し、外周端は引き出し導体２０を介して端子電極２４ａの電極部２４ａ_１に接続されている。また、第１のスパイラル導体１６Ａの外周端は、絶縁層１５ｂ上において第１のスパイラル導体１６Ａと一体的に形成された第３の引き出し導体２２を介して端子電極２４ｃの電極部２４ｃ_１に接続されている。

第２のスパイラル導体１７Ａの内周端は、絶縁層１５ｂ，１５ｃを貫通する第２のコンタクトホール導体１９を介して、第４のスパイラル導体１７Ｂの内周端に接続されており、第４のスパイラル導体１７Ｂは、その内周端から外周端に向かって第１〜第３のスパイラル導体１６Ａ，１６Ｂ，１７Ａと同じ向きで周回し、外周端は引き出し導体２１を介して端子電極２４ｃの電極部２４ｃ_１に接続されている。また、第２のスパイラル導体１７Ａの外周端は、絶縁層１５ａ上において第２のスパイラル導体１７Ａと一体的に形成された第４の引き出し導体２３を介して第４の端子電極２４ｄの電極部２４ｄ_１に接続されている。

第１の実施形態によるコイル部品１００では、第１及び第２の引き出し導体２０，２１を形成するためだけに絶縁層１５ｃを設ける必要があり、絶縁層１５ｃの面積を有効に利用することができなかった（図２参照）。しかし、本実施形態においては、引き出し導体のみが形成された絶縁層は無く、絶縁層を一層増やすだけで２つのコイルパターンの形成面積を約２倍に増やすことができる。これにより、全体のターン数を変えることなく一つの層に形成されるコイルのターン数を少なくし、その代わりにパターンの線幅を広くして直流抵抗Ｒ_ＤＣを低減することができ、コモンモードフィルタの特性を高めることができる。特に、絶縁層の総数を増やしたことにより、端子電極の厚みを大きくすることができ、表面実装時のフィレットの形成をさらに良好にすることができる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、それらも本発明に包含されるものであることは言うまでもない。

例えば、上記実施形態においては、薄膜コイル層１２の主面に複合フェライトからなる磁性樹脂層１４を形成しているが、磁性を有しない単なる絶縁樹脂層を形成してもよい。また、コイル部品として薄膜コモンモードフィルタを例に挙げたが、本発明はコイル導体層の上下を磁性基板で挟み込むタイプの各種コイル部品に適用可能である。

また、上記実施形態においては、磁性コア２６を設けているが、本発明において磁性コア２６は必須でない。ただし、磁性コア２６は磁性樹脂層１４と同一材料で形成することができるので、開口２５を形成しさえすれば、特別な工程を経由することなく、磁性コア２６と磁性樹脂層１４とを同時に形成することができる。

また、上記実施形態において、第１及び第２のスパイラル導体１６，１７は共に円形スパイラルであるが、矩形スパイラルであってもよい。矩形スパイラルであってもコモンモードフィルタを構成することができ、本発明による作用効果を奏することができる。

また、上記実施形態においては、ダイシング後にバレル研磨及びバンプ電極のめっき処理を行っているが、本発明においてこれらの工程は必須ではない。本発明ではドーナツ形のバンプ電極部材１３の周囲及び中空部に磁性ペーストを充填してセンター樹脂部及びコーナー樹脂部をそれぞれ形成することが重要であり、これによりバンプ電極のコーナー部に磁性樹脂層の一部が設けられたコイル部品を容易に製造することができる。

また、図１９に示すように、第４の実施形態においては、第２のスパイラル導体１７Ａ、第１のスパイラル導体１６Ａ、第４のスパイラル導体１７Ｂ、第３のスパイラル導体１６Ｂを下から順に積層しているが、スパイラル導体の積層の順番は特に限定されない。したがって、例えば、第２のスパイラル導体１７Ａ、第４のスパイラル導体１７Ｂ、第１のスパイラル導体１６Ａ、第３のスパイラル導体１６Ｂを下から順に積層してもよい。また、第１のスパイラル導体１６Ａ、第３のスパイラル導体１６Ｂ、第２のスパイラル導体１７Ａ、第４のスパイラル導体１７Ｂを下から順に積層してもよい。

また、上記実施形態による端子電極２４ａ〜２４ｄはいずれも積層体の２つの側面に露出面を有しているが、本発明はこのような構成に限定されるものではなく、積層体の少なくとも一方の側面に露出面を有していればよい。したがって、例えば、端子電極２４ａ〜２４ｄは、コイルの引き出し導体２０〜２３と直接接続された電極部２４ａ_１〜２４ｄ_１のみで構成されていてもよい。

１ コモンモードフィルタ
２ 薄膜コイル層
３，４ 磁性基板
５，６ コイル導体
７ａ-７ｄ 外部端子電極
１０ａ 積層体の上面
１０ｂ 積層体の底面
１０ｃ〜１０ｆ 積層体の側面
１１ 磁性基板
１２ 薄膜コイル層
１３，１３ａ〜１３ｄ バンプ電極
１３ｒ バンプ電極の切り欠き部
１４ 磁性樹脂層
１４ｍ センター樹脂部
１４ａ〜１４ｄ コーナー樹脂部
１４ｕ コーナー樹脂部の集合体
１５ａ〜１５ｅ 絶縁層
１６，１６Ａ，１６Ｂ，１７，１７Ａ，１７Ｂ スパイラル導体
１８，１９ コンタクトホール導体
２０〜２３ 引き出し導体
２４ａ〜２４ｄ 端子電極
２４ａ_１〜２４ｄ_１，２４ａ_２〜２４ｄ_２ 電極部
２５ａ_１〜２５ｄ_１，２５ａ_２〜２４ｄ_２ 開口パターン
２５ｆ〜２５ｉ 開口パターン
２５ｍ 開口パターン
２６ 磁性コア
３２ シートレジスト
３２ａ シートレジストの開口パターン
１００，２００，３００，４００ コイル部品

Claims (6)

1. 磁性セラミック材料からなる磁性基板と、
   前記磁性基板の一方の主面に形成されたコイル導体を含む薄膜コイル層と、
   前記薄膜コイル層の主面に形成された複数のバンプ電極と、
   前記バンプ電極の形成位置を除いた前記薄膜コイル層の前記主面に形成された絶縁樹脂層とを備え、
   各バンプ電極は、前記磁性基板、前記薄膜コイル層及び前記絶縁樹脂層からなる積層体の底面及び２つの側面に露出面を有し、
   前記薄膜コイル層は、前記コイル導体と電気的に接続される複数の端子電極を含み、
   前記複数の端子電極の各々は、前記コイル導体に直接接続された第１の電極部と、前記バンプ電極を介して前記コイル導体に接続された第２の電極部とを含み、
   前記第１の電極部が前記２つの側面の一方に露出面を有し、前記第２の電極部が前記２つの側面の他方に露出面を有することを特徴とするコイル部品。
2. 各バンプ電極のコーナー部には切り欠き部が設けられており、各切り欠き部には前記絶縁樹脂層のコーナー樹脂部が設けられており、前記コーナー樹脂部によって前記第１の電極部と前記第２の電極部とが分離されていることを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。
3. 前記薄膜コイル層は、
   第１及び第２の絶縁層を含む多層絶縁部材と、
   前記第１の絶縁層の表面に形成された第１のスパイラル導体と、
   前記第２の絶縁層の表面に形成された第２のスパイラル導体とを含み、
   前記コイル導体は、互いに磁気結合する前記第１及び第２のスパイラル導体を含むコモンモードフィルタであり、
   前記複数の端子電極の各々は、前記多層絶縁部材に埋め込まれて設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のコイル部品。
4. 前記薄膜コイル層は、
   第１乃至第４の絶縁層を含む多層絶縁部材と、
   前記第１の絶縁層の表面に形成された第１のスパイラル導体と、
   前記第２の絶縁層の表面に形成された第２のスパイラル導体と、
   前記第３の絶縁層の表面に形成され前記第１のスパイラル導体と直列接続された第３のスパイラル導体と、
   前記第４の絶縁層の表面に形成され前記第２のスパイラル導体と直列接続された第４のスパイラル導体とを含み、
   前記コイル導体は、互いに磁気結合する前記第１乃至第４のスパイラル導体を含むコモンモードフィルタであり、
   前記複数の端子電極の各々は、前記多層絶縁部材に埋め込まれて設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のコイル部品。
5. 磁性セラミック材料からなるウェハー上に複数のコイル部品を形成する工程と、
   複数のコイル部品をダイシングにより個片化する工程とを備え、
   前記複数のコイル部品を形成する工程は、
   前記ウェハーの一方の主面にコイル導体及び端子電極部材を含む薄膜コイル層を形成する工程と、
   前記薄膜コイル層の主面にバンプ電極部材をめっきにより形成する工程と、
   前記バンプ電極部材が形成された前記薄膜コイル層の前記主面に絶縁樹脂ペーストを充填し、前記絶縁樹脂ペーストを硬化させることにより、前記バンプ電極部材の周囲に絶縁樹脂層を形成する工程と、
   前記絶縁樹脂層の上面を研磨又は研削して前記バンプ電極部材の上面を露出させる工程とを含み、
   前記複数のコイル部品を個片化する工程は、
   前記ダイシングによって前記バンプ電極部材を分割することにより、底面及び２つの側面に露出面を有するバンプ電極を形成すると共に、前記薄膜コイル層に埋め込まれた前記端子電極部材を分割して、前記２つの側面の両方に露出面を有する前記コイル導体の複数の端子電極を形成する工程を含み、
   前記複数の端子電極の各々は、前記コイル導体に直接接続された第１の電極部と、前記バンプ電極を介して前記コイル導体に接続された第２の電極部とを含み、
   前記第１の電極部が前記２つの側面の一方に露出面を有し、前記第２の電極部が前記２つの側面の他方に露出面を有することを特徴とするコイル部品の製造方法。
6. 前記複数のコイル部品を個片化する工程は、
   前記バンプ電極のコーナー部に前記絶縁樹脂層のコーナー樹脂部を形成する工程をさらに含み、前記コーナー樹脂部によって前記第１の電極部と前記第２の電極部とが分離されていることを特徴とする請求項５に記載のコイル部品の製造方法。

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