JP3724405B2 - コモンモードチョークコイル - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、コイル部品に関し、詳しくは、コモンモードチョークコイルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のコイル部品として、例えば、図７(ａ)，(ｂ)に示すようなコイル部品（従来技術１）がある（特開平８−２０３７３７号）。このコイル部品は、面実装型で、高周波対応のコイル部品であり、積層体５１を構成する絶縁体中に、絶縁層を介して対向するように配置された２つのスパイラルコイル５２，５３を、磁性体基板５４，５５で挟持するとともに、２つのスパイラルコイル５２，５３と導通する外部電極（図７(ｂ)では、一方のスパイラルコイル５２と導通する外部電極５６，５７のみを示している）を配設した構造を有しており、小型、低背で、フェライト素体中にコイルを形成した積層型のものに比べてコイルの高周波特性が良好で、磁性体基板の比透磁率のばらつきのインダクタンスへの影響を抑制することが可能であるとともに、コモンモードチョークコイルにおいては良好なコイル間の結合が得られるというような特徴を有している。
【０００３】
また、特開平１１−５４３２６号には、図８に示すように、下側の磁性体基板５４上に、２つのスパイラルコイル５２，５３が内部に配設された環状の積層体（積層領域）５１を形成するとともに、比透磁率が１より大きな接着層（磁性層）５８を介して上側に磁性体基板５５を配設した構造を有するコイル部品（従来技術２）が開示されている。
【０００４】
このコイル部品においては、下側の磁性体基板５４上に形成された積層体５１の周囲が比透磁率が１より大きな接着層（磁性層）５８により覆われていることから、スパイラルコイル５２，５３で発生した磁力線が、図８に示すような閉磁路を形成し、また、コイルパターンの積層領域を取り囲む部分を除く絶縁層及び接着層５８に比透磁率が１より大きな材料が使用されていることから、２つのスパイラルコイル５２，５３の電磁結合度が向上するとともに、大きなインダクタンスが得られるという特徴を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特開平８−２０３７３７号に開示された従来技術１のコイル部品においては、対応できるインダクタンスの範囲が限られ、小型化を損なうことなく十分に大きなインダクタンスを得ることができないという問題点がある。
【０００６】
一方、特開平１１−５４３２６号に開示された従来技術２のコイル部品においては、下側の磁性体基板５４上に形成された積層体５１の周囲を覆うように比透磁率が１より大きな接着層５８を配設し、得られるインダクタンスの向上を図っているが、比透磁率が１より大きな接着層５８を得ようとすると、接着材料に磁性体を添加したものを用いることが必要となり、さらに大きな効果を得るには多量の磁性体を添加することが必要となる。しかし、接着力を確保しながら十分に大きな透磁率を確保することには限界が有り、それを超えて磁性体の添加量を増加させると接着力が低下して、製品の信頼性が低下するという問題点がある。
また、比透磁率が１より大きな接着層中にコイルの積層領域を配設しているので、磁性層の比透磁率が大きくなると、それに比例してインダクタンスも大きくなることから、磁性層の比透磁率のばらつきのインダクタンスへの影響が大きいという問題点がある。
【０００７】
本願発明は、上記問題点を解決するものであり、小型化を妨げることなく大きなインピーダンスを得ることが可能で、信頼性の高いコモンモードチョークコイルを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明（請求項１）のコモンモードチョークコイルは、
第１の磁性体基板と、
絶縁層とコイルパターンを積み重ねることにより形成され、絶縁体中に、絶縁層を介して互いに対向するように２つ以上のスパイラル形状のコイルが配設され、かつ、各コイルの主要部が、絶縁層を介して互いに重なり合うように配設された構造を有する積層体であって、前記第１の磁性体基板上に配設され、少なくとも前記コイルの内周側の略中央部には、上面側から前記第１の磁性体基板にまで到達する少なくとも１つの凹部が配設された積層体と、
前記積層体の上面を覆う磁性層であって、一部が前記積層体に配設された凹部に入り込み、少なくとも１つの凹部において第１の磁性体基板と接するように配設された磁性層と、
前記磁性層上に配設された非磁性で、厚みが１〜５μ m の接着層と、
前記第１の磁性体基板との間に前記積層体を挟持する第２の磁性体基板であって、前記接着層上に配設され、前記接着層を介して前記磁性層に接合された第２の磁性体基板と
を具備することを特徴としている。
【０００９】
積層体のコイルパターンが配設されていない部分に、上面側から第１の磁性体基板にまで到達する少なくとも１つの凹部を設けるとともに、積層体上に磁性層を形成し、磁性層の一部を、積層体に形成された凹部に入り込ませるようにしているので、製品の大型化を招くことなく、大きなインピーダンスを得ることが可能になるとともに、磁性層と第２の磁性体基板の間に配設された非磁性の接着層により良好な接着性が確保されるとともに、ごく僅かな厚みではあるが磁性層と第２の磁性体基板の間に非磁性のギャップ部が形成されるため、磁性層に接して第２の磁性体基板を配設した場合に比べて、さらに高周波領域にまでフラットなインダクタンス特性を得ることが可能になる。
【００１０】
なお、磁性体の比透磁率のばらつきは、通常±３０％以下に抑えることは困難であり、完全な閉磁路構造の場合、その影響が電気的特性のばらつきに大きく影響するが、本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、磁性体基板及び磁性層の比透磁率のばらつきによるインダクタンス値及びインピーダンス値の変動を抑制して、特性のばらつきの少ない高精度のコモンモードチョークコイルを得ることが可能になる。
【００１１】
また、積層体内に絶縁層を介して互いに対向するように２つ以上のコイルが配設され、かつ、各コイルの主要部（例えば、コイルの端子電極との接続部を除いた部分など）が、絶縁層を介して互いに重なり合うように配設された構造を有しているので、磁性体基板及び磁性層に磁束を集中させることが可能になるとともに、対向するコイルにおいて発生する共通磁束を強めることが可能になるため、従来のコモンモードチョークコイルに比べて、コイル間の結合度を大きくすることが可能になる。したがって、電気的特性としてディファレンシャルモードのインピーダンスを低く抑えることが可能になり、伝送される信号波形に及ぼす影響を低減することが可能になる。
【００１２】
また、本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、コイルをスパイラル形状のものとし、かつ、積層体の上面側から、第１の磁性体基板にまで到達する凹部を、スパイラル形状のコイルの内周側の略中央部に配設するようにしているので、磁性体が配設されたコイルの略中央部を通ってコイルの外周側に至り、再びコイルの内周側に戻る閉磁路が確実に形成される。したがって、本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、コイルの結合度を向上させることが可能になるとともに、大きなインピーダンスを得ることが可能になる。
【００１３】
なお、コイルパターン及び／又は絶縁層を、フォトリソグラフィー工法により形成するようにした場合、微細、高精度で、薄型のコイルを形成することが可能になり、効率よくインダクタンス及びインピーダンスを取得することが可能な小型高性能のコモンモードチョークコイルを得ることが可能になる。
【００１４】
また、本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、接着層の厚みを１〜５μ m の範囲としているが、これは、接着層の厚みが１μ m 未満になると、大きなインダクタンスを得ることはできるが、積層体及び磁性層の高さのばらつきを吸収することが困難で、接着不良が生じるおそれがあるばかりでなく、膜厚の変動による特性のばらつきへの影響が大きくなり、また、接着層の膜厚を５μ m より大きくすると、接着力は大きくなるが、インダクタンスが低下し、本願発明の構造により得られる効果が不十分になることによる。
【００１５】
また、請求項２のコモンモードチョークコイルは、前記第１及び第２の磁性体基板間に配設された磁性層が、比透磁率２〜７のものであることを特徴としている。
【００１６】
第１及び第２の磁性体基板間に配設される磁性層に、比透磁率２〜７のものを用いることにより、効率よく大きなインダクタンス及びインピーダンスを取得することが可能になる。
なお、比透磁率が２〜７の磁性層を用いることが好ましいのは、磁性層の比透磁率が２未満の場合、所望のインダクタンスを得ることが困難になるとともに、比透磁率のばらつきによるインダクタンスの変動が大きくなり、また、磁性層の比透磁率が７より大きい場合、インダクタンス増大の効果は得られるが、磁性体（磁性粉）の配合割合（例えば、樹脂への磁性体の添加割合）を著しく大きくすることが必要になり、密着力などの磁性層（膜）として必要な特性を確保することが困難になるためである。
【００１７】
また、請求項３のコモンモードチョークコイルは、前記第１及び第２の磁性体基板間の距離が７０μm以下であることを特徴としている。
【００１８】
本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、第１及び第２の磁性体基板間の距離を７０μm以下とすることが望ましいが、これは、第１及び第２の磁性体基板間の距離が７０μmを超えると、所望のインダクタンスを得ることが困難になることによる。
【００１９】
また、請求項４のコモンモードチョークコイルは、平面的にみた場合における、前記積層体の前記凹部が配設された領域に略対応する前記磁性層と前記接着層の間の領域に、空隙が配設されており、かつ、前記第１の磁性体基板の上面から前記接着層の下面（前記空隙が形成されていない領域の磁性層の上面）までの距離をＡとした場合に、空隙の深さＢが、０．２Ａ〜０．６Ａの範囲にあることを特徴としている。
【００２０】
上述のように、磁性層と接着層の間に空隙を設けることにより、積層体の周囲に占める磁性層の割合が減少し、磁性層の比透磁率のばらつきや、積層体の凹部への磁性層の充填状態のばらつきによるインダクタンス値のばらつきが小さくなり、所望のインダクタンス、インピーダンスを精度よく実現することが可能になる。
すなわち、上述のように磁性層と接着層の間に空隙を設けるようにした場合、磁性層を設けてインダクタンス値の増大を図りつつ、磁性層の比透磁率のばらつきや、積層体の凹部への磁性層の充填状態のばらつきのインダクタンス値への影響を空隙により抑制することが可能になり、所望のインダクタンス及びインピーダンスを精度よく確保することができるようになる。
【００２１】
また、第１の磁性体基板の上面から接着層の下面（空隙が形成されていない領域の磁性層の上面）までの距離をＡとした場合に、空隙の深さＢを、０．２Ａ〜０．６Ａの範囲とすることにより、インダクタンスの変化率を緩やかにして、ばらつきを低減することが可能になる。
なお、空隙の深さＢを、０．２Ａ〜０．６Ａの範囲とするのが好ましいのは、空隙の深さＢを、０．２Ａ未満とすると、加工のばらつきによるインダクタンスのばらつきが大きくなり、また、空隙の深さＢを０．６Ａよりも大きくすると、本願発明の構造による効率の良いインダクタンスの取得が困難となることによる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態を示して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２３】
［実施形態１］
図１は本願発明の一実施形態にかかるコモンモードチョークコイルを示す断面図であり、図２はその要部構成を示す分解斜視図である。
【００２４】
このコモンモードチョークコイルは、図１，２に示すように、第１の磁性体基板１と、第１の磁性体基板１上に配設された、絶縁体１１中に２つのスパイラル形のコイル１２，１３が絶縁層により電気的に絶縁された状態で配設された積層体１０と、積層体１０の上面を覆う磁性層２０と、磁性層２０上に配設された非磁性の接着層３０と、接着層３０を介して磁性層２０に接合され、接着層３０及び磁性層２０を介して、第１の磁性体基板１との間に積層体１０を挟持する第２の磁性体基板２とを備えている。
【００２５】
また、このコモンモードチョークコイルは、互いに対向する端面に配設された、コイル１２，１３の両端側の引出し電極１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂ（図２）と導通する端子電極（外部電極）３を備えている。なお、図２においては、手前側の端面に形成された端子電極３のみを示している。
【００２６】
第１の磁性体基板１上に配設された積層体１０は、絶縁層１１ａとコイルパターン１２ａ，１２ｂ，及び１３ａ，１３ｂを積み重ねることにより形成されており、絶縁体１１中に、２つコイルパターン１２ａ，１２ｂからなるスパイラル形のコイル１２と、２つのコイルパターン１３ａ，１３ｂからなるスパイラル形のコイル１３が配設されている。また、積層体１０のコイルパターン１２ａ，１２ｂ，及び１３ａ，１３ｂが配設されていない絶縁体部分（この実施形態１では、コイル１２，１３の内周側の略中央部に、上面側から第１の磁性体基板１にまで達する凹部（磁路形成用の穴）１４が形成されているとともに、コイル１２，１３の外周側の両端部にも上面側から第１の磁性体基板１にまで達する凹部（磁路形成用の穴）１５，１５が配設されている。これにより、図１に示すような閉磁路Ｍが形成される。
【００２７】
また、コイル１２を構成する２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂは、端子電極３との接続部を除いて、絶縁層１１ａを介して互いに重なり合うよう略同一のパターンを有しているとともに、コイル１３を構成する２層のコイルパターン１３ａ，１３ｂも、端子電極３との接続部を除いて、絶縁層１１ａを介して互いに重なり合うような略同一のパターンを有しており、さらに、コイルパターン１２ａ，１２ｂと、コイルパターン１３ａ，１３ｂも絶縁層１１ａを介して互いに重なり合うような略同一のパターンを有している。そして、コイルパターン１２ａ，１２ｂが、所定の位置に配設されたビアホール１６ａを介して接続されることにより、２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂが近接して並列接続された構造を有するコイル１２が形成され、コイルパターン１３ａ，１３ｂが、所定の位置に配設されたビアホール１６ｂを介して接続されることにより、２層のコイルパターン１３ａ，１３ｂが近接して並列接続された構造を有するコイル１３が形成されている。
【００２８】
これにより各コイル１２及び１３のコイルラインの断面積が２倍になり導体抵抗を低下させることが可能になる。さらに、上下２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂ、及び１３ａ，１３ｂの形状をほぼ同一とし重ね合わせることで、最上面の絶縁層高さがほぼ均一となり、第１及び第２の磁性体基板１，２の接着の際に、段差が無く、良好な接着を行うことが可能になる。
【００２９】
また、上下２層のコイルライン（コイルパターン）１２ａ，１２ｂ，及び１３ａ，１３ｂが近接配置されているため、上下２層のコイルライン１２ａ，１２ｂ，及び１３ａ，１３ｂが確実に結合し、インダクタンスの低下が抑制される。なお、上下２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂ、及び１３ａ，１３ｂの間の絶縁層１１ａの厚み、及びコイル１２，１３間の絶縁層１１ａの厚みは、１〜３μmとすることが望ましい。
また、各層間に配設される絶縁層１１ａの枚数に制約はなく、図２に示すように１枚としてもよく、複数枚としてもよい。また、各絶縁層１１ａの厚みは、異なっていてもよく、同一であってもよい。
また、コイル１２，１３を構成するコイルパターンは、２層以上のパターンで構成してもよく、また、１層のパターンで構成してもよい。
【００３０】
また、この実施形態１のコモンモードチョークコイルにおいて、積層体１０の上面を覆う磁性層２０は、その一部が積層体１０に配設された凹部１４，１５に入り込み、第１の磁性体基板１と接している。この実施形態１においては、良好な磁路を形成するために、スパイラル形のコイル１２，１３の内周側及び外周側の両方に磁路形成用の穴（凹部）１４，１５を設け、各凹部１４，１５に磁性層２０の一部を入り込ませるようにしているが、コイル１２，１３の内周側にのみ磁路形成用の穴（１４）を形成することによっても、実用上問題のない程度の良好な磁路を形成することが可能である。
【００３１】
なお、この実施形態１では、磁性層２０として、フェライト微粉６０〜７０vol％とポリイミド樹脂３０〜４０vol％を配合した磁性材料が用いられている。磁性材料として、ポリイミド樹脂とフェライト微粉を配合した材料を用いることにより、耐熱性に優れ、かつ、絶縁層１１ａとの密着性の良好な磁性層２０を形成することができる。
また、この実施形態１では、接着層３０を、磁性層２０と第２の磁性体基板２の対向面の略全面に設けるようにしているが、接着層３０を、磁性層２０と第２の磁性体基板２の対向面の全面に設けるのではなく、部分的に設ける（例えば、第２の磁性体基板２の周縁部に対応する領域のみに設けたり、斑点状に設けたりする）ことも可能である。
また、添加するフェライト微粉としては、積層体１０に損傷を与えないように、できるだけ微細なものを用いることが好ましく、最大粒径が３μm以下のものを用いることが望ましい。なお、磁性材料を構成する樹脂材料としては、ポリイミド樹脂に限らず、その他の種々の樹脂材料を用いることが可能であり、さらには、ガラスなどを用いることも可能である。
【００３２】
また、磁性層２０上に配設された非磁性の接着層３０は、磁性層２０と第２の磁性体板２を接着する機能を果たすとともに、磁性層２０と第２の磁性体基板２の間に配設された非磁性のギャップ部としての機能を果たすように構成されており、磁性層２０に接して第２の磁性体基板２を配設した場合に比べて、さらに高周波領域にまでフラットなインダクタンス特性が得られるように構成されている。なお、この実施形態１では、接着層３０に、熱可塑性のポリイミド樹脂が用いられている。
【００３３】
また、上記の第１の磁性体基板１及び第２の磁性体基板２は、内部に２つのコイル１２，１３が配設された積層体１０及び磁性層２０を挟持する機能を果たすものであり、この実施形態１では、第１及び第２の磁性体基板１，２として、高周波特性の良好なフェライト基板が用いられている。また、磁性体基板１，２としては、フォトリソグラフィー工法により、その上に絶縁層１１ａ、コイルパターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂなどを形成する際に支障がないように、表面粗さＲａが０．５μm以下になるように研磨されたものを用いることが望ましい。
【００３４】
また、コイルパターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ、及び引出し電極１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂの構成材料（電極材料）としては、導電性に優れたＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属あるいはこれらの合金を用いることが望ましい。なお、この実施形態１では、Ａｇ電極を使用している。
【００３５】
また、絶縁層１１ａとしては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などの種々の樹脂材料、あるいはＳｉＯ2などのガラス、ガラスセラミクスなどを用いることが可能である。また、フォトリソグラフィー工法を用いる場合には、各材料として感光性機能を付加した材料が用いられる。また、絶縁層１１ａの構成材料としては、その目的により複数材料を組み合わせたものを使用してもよい。なお、この実施形態１では、絶縁層１１ａを構成する絶縁材料として、感光性ポリイミド樹脂を使用している。
【００３６】
また、コイルパターンなどを構成する電極材料と、絶縁層を構成する絶縁材料の組合せは、加工性・密着性などを考慮して選択することが望ましい。
【００３７】
次に、上述のように構成されたコモンモードチョークコイルの製造方法について説明する。
なお、以下では、１つのコモンモードチョークコイルを製造する場合を例にとって説明するが、通常は、マザー基板上に多数個分の素子を形成した後、所定の位置で切断して、個々のコモンモードチョークコイルに分割することにより、多数個のコモンモードチョークコイルを同時に製造する方法が適用される。
【００３８】
(1)まず、第１の磁性体基板１上に所望のコイル（回路）１２，１３が得られるように絶縁層１１ａ及びスパイラル形状のコイルパターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ、引出し電極１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂなどからなる電極層を積層することにより積層体１０を形成する。
なお、各絶縁層１１ａには、第１の磁性体基板１と、後の工程で形成される磁性層２０とを接続して磁路を形成するための磁路形成用の穴（凹部）１４，１５を、フォトリソグラフィー工法により形成しておく。
また、所定の絶縁層１１ａには、コイル１２を構成する２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂを形成するとともに、コイル１３を構成する２層のコイルパターン１３ａ，１３ｂを電気的接続するためのビアホール１６ａ，１６ｂを形成しておく。なお、この実施形態１では、図２の下から２層目及び４層目の絶縁層１１ａに上下のコイルパターン１２ａ，１３ａを接続するためのビアホール１６ａ，１６ｂを形成している。
上述のように、２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂ，及び１３ａ，１３ｂをビアホール１６ａ，１６ｂを介して電気的接続することにより形成されたコイル１２，１３の外周側の一端は引出し電極１７ａ，１８ａに接続され、積層体１０の互いに対向する一端面に引き出されるとともに、スパイラル形のコイル１２，１３の内周側の略中央に位置する他端は、絶縁層１１ａのビアホール１６ａ，１６ｂを介して上層のコイルパターン１２ｂ及び１３ｂから引き出した引出し電極１７ｂ及び１８ｂに接続され、積層体１０の互いに対向する一端面に引き出される。
【００３９】
(2)次に、積層体１０の上面に、磁性層２０を形成するための磁性材料（ポリイミド樹脂にフェライト微粉を添加してなる、比透磁率が２〜７の範囲の材料）を印刷工法により塗布し、積層体１０の上面を覆うとともに、磁性層２０の一部を積層体１０に配設された凹部１４，１５に充填する。なお、磁性材料の凹部１４，１５への充填は、印刷と乾燥を２〜４回程度繰り返すことにより確実に行うことができる。これにより、積層体１０が、第１の磁性体基板１と磁性層２０により覆われ、かつ、凹部１４，１５に入り込んだ磁性層２０が、第１の磁性体基板１と接続した構造が形成される。
なお、磁性層２０を印刷工法によって塗布することにより、磁路形成用の穴（凹部）１４，１５に、確実に磁性層２０の一部（磁性材料）を充填することができる。
【００４０】
(3)上述のようにして磁性層２０を形成した後、第２の磁性体基板２の表面（接合後に下面となる面）に、精度よく所望の塗膜厚を得ることが可能なスピンコート工法により、厚み２〜３μm、ばらつき±１μmの条件で、接着材（熱可塑性のポリイミド樹脂）を塗布して接着層３０を形成する。そして、この接着層３０を介して、磁性層２０の上面に第２の磁性体基板２を接合する。これにより、積層体１０が、接着層３０及び磁性層２０を介して、第１及び第２の磁性体基板１，２によって挟持された構造を有する接合構造体が形成される。
なお、この実施形態１では、第２の磁性体基板２を接着層３０を介して磁性層２０に接合した後、不活性ガス雰囲気もしくは真空中にて加熱、加圧し、冷却後、圧力を解除することにより、第２の磁性体基板２を接着層３０を介して磁性層２０に固着させた。
また、第２の磁性体基板２を磁性層２０に接合するにあたっては、第２の磁性体基板２の表面（接合後に下面となる面）と磁性層２０の表面の両方に接着材を塗布するように構成することも可能である。
【００４１】
なお、マザー基板から、多数個の素子に分割する、いわゆる多数個取りの製造方法の場合には、この時点で、ダイシングなどの方法により、接合構造体を所定の位置で切断して、個々の素子に分割する。
【００４２】
(4)次いで、コイル１２，１３から引き出された引出し電極１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂと導通する端子電極（外部電極）３（図２）を素子の端面に形成することにより、図１，２に示すようなコモンモードチョークコイルが形成される。
【００４３】
上述のように構成されたコモンモードチョークコイルは、第１の磁性体基板１上に、フォトリソグラフィー工法により形成された、微細、高精度で、薄型のコイル回路（積層体）１０の周囲を、その上面側及び上記凹部１４，１５に配設された磁性層２０により覆い、かつ、磁性層２０上に接着層３０を介して第２の磁性体基板２を配設することにより、閉磁路Ｍ（図１）を形成するようにしているので、回路の磁気抵抗を低下させて、効率よくインダクタンス及びインピーダンスを取得することが可能になり、製品の小型化を図ることが可能になる。
【００４４】
また、この実施形態１のコモンモードチョークコイルにおいては、第１及び第２の磁性体基板１，２及び磁性層に磁束が集中し、対向するコイル１２，１３の発生する共通磁束が強まるため、従来のコモンモードチョークコイルに比べて、コイル間の結合度を向上させることが可能になる。そして、その結果、電気的特性として、ディファレンシャルモードのインピーダンスを低く抑えることが可能になり、伝送する信号波形に及ぼす影響を低減することが可能になる。
【００４５】
そして、この実施形態１のコモンモードチョークコイルでは、磁性層２０とその上面側に配設される第２の磁性体基板２の間に非磁性の接着層３０を設けるようにしているので、良好な接着性が確保されるとともに、ごく僅かではあるが非磁性のギャップ部が形成されることから、磁性体材料本来の周波数特性に比べ、高周波領域までフラットなインダクタンス特性を得ることが可能になる。さらに、第１及び第２の磁性体基板１，２、及び磁性層２０の比透磁率のばらつきによるインダクタンス値、及びインピーダンス値の変動が抑制され、さらに良好な特性を得ることが可能になる。
【００４６】
なお、図３に、接着層の膜厚とインダクタンスの変化率の関係を示す。なお、図３のインダクタンスの変化率は、接着層を設けていない場合（接着層の厚み＝０）を基準とした値である。
接着層の膜厚が１μm未満の場合、膜厚によるインダクタンス値の変化率が大きくなるため、接着層の膜厚は１μm以上であることが望ましい。また、接着層の膜厚が１μm未満になると、第２の磁性体基板の磁性層への接着力が不十分になるので、接着力の見地からも接着層の膜厚は１μm以上であることが望ましい。
また、接着層の膜厚とインダクタンス値の関係を調べたところ、接着層の膜厚が５μmより大きくなると、十分な接着力を得ることはできるものの、インダクタンス値が低下するので望ましくない。
【００４７】
また、図４に磁性層の比透磁率とインダクタンスの変化率の関係を示す。図４に示すように、磁性層の比透磁率が２未満の場合、インダクタンスの変化率が大きくなることから、磁性層の比透磁率は２以上であることが望ましい。また、磁性層の比透磁率が７より大きくなると、インダクタンスは大きくなるが、磁性体（磁性粉）の配合割合（例えば、磁性体の樹脂への添加割合）を著しく大きくすることが必要になり、密着力などの磁性層（膜）の特性が低下するため、好ましくない。
【００４８】
なお、この実施形態１の構造のコモンモードチョークコイルにおいては、図７(ａ)，(ｂ)に示すような構造の従来のコモンモードチョークコイル（従来技術１）に比べて、同一形状（平面形状１．６mm×１．６mmサイズ）で、約１．６倍のインダクタンスを取得できることが確認されている（ただし、磁性層の比透磁率＝５の場合）。
【００４９】
［実施形態２］
図５は、本願発明の他の実施形態（実施形態２）にかかるコモンモードチョークコイルを示す断面図である。
【００５０】
この実施形態２のコモンモードチョークコイルにおいては、積層体１０を平面的にみた場合における、積層体１０の上面側から第１の磁性体基板１にまで到達する凹部１４，１５が配設された領域の、磁性層２０と接着層３０の間に空隙４０が配設されている。
なお、この実施形態２のコモンモードチョークコイルの基本的構成は、上述の実施形態１のコモンモードチョークコイルの場合と同様であることから、重複を避けるため、ここではその説明を省略する。また、図５のコモンモードチョークコイルにおいて、図１及び２と同一符号を付した部分は、同一又は相当する部分を示している。
【００５１】
このコモンモードチョークコイルにおいては、磁性層２０と接着層３０の間に空隙４０を設けるようにしているので、積層体１０の周囲に占める磁性層２０の割合が減少し、磁性層２０の比透磁率のばらつきや、積層体１０の凹部１４への磁性層２０の充填状態のばらつきによるインダクタンスのばらつきが小さくなり、所望のインダクタンス、インピーダンスを精度よく実現することができる。
なお、この実施形態２のコモンモードチョークコイルは、上記実施形態１のコモンモードチョークコイルの場合と同様の方法により製造することが可能である。
この実施形態２でも、接着層３０を、磁性層２０と第２の磁性体基板２の対向面の略全面に設けるようにしているが、接着層３０を、磁性層２０と第２の磁性体基板２の対向面の略全面に設けるのではなく、例えば、磁性層２０と第２の磁性体基板２の間の、空隙４０の設けられていない領域に設けたり、空隙４０の内周面にのみ設けたりすることも可能である。また、接着層３０を、第２の磁性体基板２の周縁部に対応する領域のみに設けたり、あるいは斑点状に設けたりすることも可能である。
【００５２】
磁性層２０と接着層３０の間に空隙４０が確保されるようにするための方法としては、例えば、積層体１０の上面から磁性層２０を形成するための磁性材料を印刷工法により塗布する際に、積層体１０に配設された凹部１４に磁性材料が完全に充填されずに、磁性材料が塗布される他の領域よりも塗布表面が低くなる（くぼんだ状態になる）ように塗布しておき、表面（下面）に接着層３０を形成した第２の磁性体基板２を、接着層３０を介して、磁性層２０の上面に接合する方法などが例示される。
【００５３】
なお、磁性層２０と接着層３０の間の空隙の深さとインダクタンスの変化率の関係を図６に示す。
ただし、図６では、磁性層２０の厚み（第１の磁性体基板１の上面から接着層３０の下面（すなわち、空隙４０が形成されていない領域の磁性層２０の上面）までの距離）Ａに対する空隙４０の深さＢの比率（Ｂ／Ａ）とインダクタンスの変化率との関係を示している。
【００５４】
図６に示すように、磁性層２０の厚みＡに対する空隙４０の深さＢの比率（Ｂ／Ａ）が０．２未満になると、インダクタンスの変化率が大きくなり、好ましくないことがわかる。
なお、磁性層２０の厚みＡに対する空隙４０の深さＢの比率（Ｂ／Ａ）を０．６よりも大きくすると、本願発明の構造による効率の良いインダクタンスの取得が困難となる。
したがって、磁性層２０の厚みＡに対する空隙４０の深さＢの比率（Ｂ／Ａ）は０．２〜０．６の範囲とすることが望ましい。
【００５５】
本願発明は、さらにその他の点においても上記実施形態１，２に限定されるものではなく、第１及び第２の磁性体基板の構成材料や具体的な形状、絶縁層の構成材料や厚み、コイルパターンの具体的な形状や構成材料、コイルパターン及び絶縁層の積層数、コイルの引き出し位置、磁性層の構成材料、積層体及び積層体に形成された凹部の具体的な形状、配設位置、配設数、非磁性の接着層の構成材料や厚みなどに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００５６】
【発明の効果】
上述のように、本願発明（請求項１）のコモンモードチョークコイルは、積層体のコイルパターンが配設されていない部分に、上面側から第１の磁性体基板にまで到達する少なくとも１つの凹部を設けるとともに、積層体上に磁性層を形成し、磁性層の一部を、積層体に形成された凹部に入り込ませるようにしているので、製品の大型化を招くことなく、大きなインピーダンスを得ることが可能になるとともに、磁性層と第２の磁性体基板の間に配設された非磁性の接着層により良好な接着性が確保されるとともに、ごく僅かな厚みではあるが磁性層と第２の磁性体基板の間に非磁性のギャップ部が形成されるため、磁性層に接して第２の磁性体基板を配設した場合に比べて、さらに高周波領域にまでフラットなインダクタンス特性を得ることができる。
【００５７】
また、積層体内に絶縁層を介して互いに対向するように２つ以上のコイルが配設され、かつ、各コイルの主要部（例えば、コイルの端子電極との接続部を除いた部分など）が、絶縁層を介して互いに重なり合うように配設された構造を有しているので、磁性体基板及び磁性層に磁束を集中させることが可能になるとともに、対向するコイルにおいて発生する共通磁束を強めることが可能になるため、従来のコモンモードチョークコイルに比べて、コイル間の結合度を大きくすることが可能になる。したがって、電気的特性としてディファレンシャルモードのインピーダンスを低く抑えることが可能になり、伝送される信号波形に及ぼす影響を低減することができるようになる。
【００５８】
また、コイルをスパイラル形状のものとし、かつ、積層体の上面側から、第１の磁性体基板にまで到達する凹部を、スパイラル形状のコイルの内周側の略中央部に配設するようにしているので、磁性体が配設されたコイルの略中央部を通ってコイルの外周側に至り、再びコイルの内周側に戻る閉磁路が確実に形成される。したがって、本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、コイルの結合度を向上させることが可能になるとともに、大きなインピーダンスを得ることができるようになる。
【００５９】
また、接着層の厚みを１〜５μ m としているので、十分なインダクタンスを確保することが可能で、しかも十分な信頼性を備えたコモンモードチョークコイルを得ることが可能になる。
【００６０】
また、請求項２のコモンモードチョークコイルのように、第１及び第２の磁性体基板間に配設される磁性層に、比透磁率２〜７のものを用いるようにした場合、効率よく大きなインダクタンス及びインピーダンスを取得することが可能になる。
【００６１】
また、請求項３のコモンモードチョークコイルのように、第１の磁性体基板と第２の磁性体基板の間の距離を７０μm以下とすることにより、十分なインダクタンスを有するコモンモードチョークコイルを得ることが可能になる。
【００６２】
また、請求項４のコモンモードチョークコイルのように、磁性層と接着層の間の所定の領域に空隙を設けるようにした場合、積層体の周囲に占める磁性層の割合が減少し、磁性層の比透磁率のばらつきや、積層体の凹部への磁性層の充填状態のばらつきによるインダクタンス値のばらつきが小さくなり、所望のインダクタンス、インピーダンスを精度よく実現することができる。
すなわち、上述のように磁性層と接着層の間の所定の領域に空隙を設けるようにした場合、磁性層を設けてインダクタンス値の増大を図りつつ、磁性層の比透磁率のばらつきや、積層体の凹部への磁性層の充填状態のばらつきのインダクタンス値への影響を空隙により抑制することが可能になり、所望のインダクタンス及びインピーダンスを精度よく確保することができる。
【００６３】
また、第１の磁性体基板と磁性層の上面との距離をＡとした場合に、上記空隙の深さＢを、０．２Ａ〜０．６Ａの範囲とすることにより、インダクタンスの変化率を緩やかにして、ばらつきを低減することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかるコモンモードチョークコイルを示す断面図である。
【図２】 本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかるコモンモードチョークコイルの要部構成を示す分解斜視図である。
【図３】 本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかるコモンモードチョークコイルにおける接着層の膜厚とインダクタンスの変化率の関係を示す図である。
【図４】 本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかるコモンモードチョークコイルにおける磁性層の比透磁率とインダクタンスの変化率の関係を示す図である。
【図５】 本願発明の他の実施形態（実施形態２）にかかるコモンモードチョークコイルを示す断面図である。
【図６】 本願発明の他の実施形態（実施形態２）にかかるコモンモードチョークコイルにおける磁性層と接着層の間の空隙の深さとインダクタンスの変化率の関係を示す図である。
【図７】 従来のコイル部品（コモンモードチョークコイル）を示す図であり、(ａ)は要部構成を示す分解斜視図、(ｂ)は断面図である。
【図８】 従来の他のコイル部品（コモンモードチョークコイル）の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 第１の磁性体基板
２ 第２の磁性体基板
３ 端子電極（外部電極）
１０ 積層体
１１ 絶縁体
１１ａ 絶縁層
１２，１３ コイル
１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ コイルパターン
１４，１５ 凹部
１６ａ，１６ｂ ビアホール
１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂ 引出し電極
２０ 磁性層
３０ 接着層
４０ 空隙
Ａ 磁性層の厚み
Ｂ 空隙の深さ
Ｍ 閉磁路
【発明の属する技術分野】
本願発明は、コイル部品に関し、詳しくは、コモンモードチョークコイルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のコイル部品として、例えば、図７(ａ)，(ｂ)に示すようなコイル部品（従来技術１）がある（特開平８−２０３７３７号）。このコイル部品は、面実装型で、高周波対応のコイル部品であり、積層体５１を構成する絶縁体中に、絶縁層を介して対向するように配置された２つのスパイラルコイル５２，５３を、磁性体基板５４，５５で挟持するとともに、２つのスパイラルコイル５２，５３と導通する外部電極（図７(ｂ)では、一方のスパイラルコイル５２と導通する外部電極５６，５７のみを示している）を配設した構造を有しており、小型、低背で、フェライト素体中にコイルを形成した積層型のものに比べてコイルの高周波特性が良好で、磁性体基板の比透磁率のばらつきのインダクタンスへの影響を抑制することが可能であるとともに、コモンモードチョークコイルにおいては良好なコイル間の結合が得られるというような特徴を有している。
【０００３】
また、特開平１１−５４３２６号には、図８に示すように、下側の磁性体基板５４上に、２つのスパイラルコイル５２，５３が内部に配設された環状の積層体（積層領域）５１を形成するとともに、比透磁率が１より大きな接着層（磁性層）５８を介して上側に磁性体基板５５を配設した構造を有するコイル部品（従来技術２）が開示されている。
【０００４】
このコイル部品においては、下側の磁性体基板５４上に形成された積層体５１の周囲が比透磁率が１より大きな接着層（磁性層）５８により覆われていることから、スパイラルコイル５２，５３で発生した磁力線が、図８に示すような閉磁路を形成し、また、コイルパターンの積層領域を取り囲む部分を除く絶縁層及び接着層５８に比透磁率が１より大きな材料が使用されていることから、２つのスパイラルコイル５２，５３の電磁結合度が向上するとともに、大きなインダクタンスが得られるという特徴を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特開平８−２０３７３７号に開示された従来技術１のコイル部品においては、対応できるインダクタンスの範囲が限られ、小型化を損なうことなく十分に大きなインダクタンスを得ることができないという問題点がある。
【０００６】
一方、特開平１１−５４３２６号に開示された従来技術２のコイル部品においては、下側の磁性体基板５４上に形成された積層体５１の周囲を覆うように比透磁率が１より大きな接着層５８を配設し、得られるインダクタンスの向上を図っているが、比透磁率が１より大きな接着層５８を得ようとすると、接着材料に磁性体を添加したものを用いることが必要となり、さらに大きな効果を得るには多量の磁性体を添加することが必要となる。しかし、接着力を確保しながら十分に大きな透磁率を確保することには限界が有り、それを超えて磁性体の添加量を増加させると接着力が低下して、製品の信頼性が低下するという問題点がある。
また、比透磁率が１より大きな接着層中にコイルの積層領域を配設しているので、磁性層の比透磁率が大きくなると、それに比例してインダクタンスも大きくなることから、磁性層の比透磁率のばらつきのインダクタンスへの影響が大きいという問題点がある。
【０００７】
本願発明は、上記問題点を解決するものであり、小型化を妨げることなく大きなインピーダンスを得ることが可能で、信頼性の高いコモンモードチョークコイルを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明（請求項１）のコモンモードチョークコイルは、
第１の磁性体基板と、
絶縁層とコイルパターンを積み重ねることにより形成され、絶縁体中に、絶縁層を介して互いに対向するように２つ以上のスパイラル形状のコイルが配設され、かつ、各コイルの主要部が、絶縁層を介して互いに重なり合うように配設された構造を有する積層体であって、前記第１の磁性体基板上に配設され、少なくとも前記コイルの内周側の略中央部には、上面側から前記第１の磁性体基板にまで到達する少なくとも１つの凹部が配設された積層体と、
前記積層体の上面を覆う磁性層であって、一部が前記積層体に配設された凹部に入り込み、少なくとも１つの凹部において第１の磁性体基板と接するように配設された磁性層と、
前記磁性層上に配設された非磁性で、厚みが１〜５μ m の接着層と、
前記第１の磁性体基板との間に前記積層体を挟持する第２の磁性体基板であって、前記接着層上に配設され、前記接着層を介して前記磁性層に接合された第２の磁性体基板と
を具備することを特徴としている。
【０００９】
積層体のコイルパターンが配設されていない部分に、上面側から第１の磁性体基板にまで到達する少なくとも１つの凹部を設けるとともに、積層体上に磁性層を形成し、磁性層の一部を、積層体に形成された凹部に入り込ませるようにしているので、製品の大型化を招くことなく、大きなインピーダンスを得ることが可能になるとともに、磁性層と第２の磁性体基板の間に配設された非磁性の接着層により良好な接着性が確保されるとともに、ごく僅かな厚みではあるが磁性層と第２の磁性体基板の間に非磁性のギャップ部が形成されるため、磁性層に接して第２の磁性体基板を配設した場合に比べて、さらに高周波領域にまでフラットなインダクタンス特性を得ることが可能になる。
【００１０】
なお、磁性体の比透磁率のばらつきは、通常±３０％以下に抑えることは困難であり、完全な閉磁路構造の場合、その影響が電気的特性のばらつきに大きく影響するが、本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、磁性体基板及び磁性層の比透磁率のばらつきによるインダクタンス値及びインピーダンス値の変動を抑制して、特性のばらつきの少ない高精度のコモンモードチョークコイルを得ることが可能になる。
【００１１】
また、積層体内に絶縁層を介して互いに対向するように２つ以上のコイルが配設され、かつ、各コイルの主要部（例えば、コイルの端子電極との接続部を除いた部分など）が、絶縁層を介して互いに重なり合うように配設された構造を有しているので、磁性体基板及び磁性層に磁束を集中させることが可能になるとともに、対向するコイルにおいて発生する共通磁束を強めることが可能になるため、従来のコモンモードチョークコイルに比べて、コイル間の結合度を大きくすることが可能になる。したがって、電気的特性としてディファレンシャルモードのインピーダンスを低く抑えることが可能になり、伝送される信号波形に及ぼす影響を低減することが可能になる。
【００１２】
また、本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、コイルをスパイラル形状のものとし、かつ、積層体の上面側から、第１の磁性体基板にまで到達する凹部を、スパイラル形状のコイルの内周側の略中央部に配設するようにしているので、磁性体が配設されたコイルの略中央部を通ってコイルの外周側に至り、再びコイルの内周側に戻る閉磁路が確実に形成される。したがって、本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、コイルの結合度を向上させることが可能になるとともに、大きなインピーダンスを得ることが可能になる。
【００１３】
なお、コイルパターン及び／又は絶縁層を、フォトリソグラフィー工法により形成するようにした場合、微細、高精度で、薄型のコイルを形成することが可能になり、効率よくインダクタンス及びインピーダンスを取得することが可能な小型高性能のコモンモードチョークコイルを得ることが可能になる。
【００１４】
また、本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、接着層の厚みを１〜５μ m の範囲としているが、これは、接着層の厚みが１μ m 未満になると、大きなインダクタンスを得ることはできるが、積層体及び磁性層の高さのばらつきを吸収することが困難で、接着不良が生じるおそれがあるばかりでなく、膜厚の変動による特性のばらつきへの影響が大きくなり、また、接着層の膜厚を５μ m より大きくすると、接着力は大きくなるが、インダクタンスが低下し、本願発明の構造により得られる効果が不十分になることによる。
【００１５】
また、請求項２のコモンモードチョークコイルは、前記第１及び第２の磁性体基板間に配設された磁性層が、比透磁率２〜７のものであることを特徴としている。
【００１６】
第１及び第２の磁性体基板間に配設される磁性層に、比透磁率２〜７のものを用いることにより、効率よく大きなインダクタンス及びインピーダンスを取得することが可能になる。
なお、比透磁率が２〜７の磁性層を用いることが好ましいのは、磁性層の比透磁率が２未満の場合、所望のインダクタンスを得ることが困難になるとともに、比透磁率のばらつきによるインダクタンスの変動が大きくなり、また、磁性層の比透磁率が７より大きい場合、インダクタンス増大の効果は得られるが、磁性体（磁性粉）の配合割合（例えば、樹脂への磁性体の添加割合）を著しく大きくすることが必要になり、密着力などの磁性層（膜）として必要な特性を確保することが困難になるためである。
【００１７】
また、請求項３のコモンモードチョークコイルは、前記第１及び第２の磁性体基板間の距離が７０μm以下であることを特徴としている。
【００１８】
本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、第１及び第２の磁性体基板間の距離を７０μm以下とすることが望ましいが、これは、第１及び第２の磁性体基板間の距離が７０μmを超えると、所望のインダクタンスを得ることが困難になることによる。
【００１９】
また、請求項４のコモンモードチョークコイルは、平面的にみた場合における、前記積層体の前記凹部が配設された領域に略対応する前記磁性層と前記接着層の間の領域に、空隙が配設されており、かつ、前記第１の磁性体基板の上面から前記接着層の下面（前記空隙が形成されていない領域の磁性層の上面）までの距離をＡとした場合に、空隙の深さＢが、０．２Ａ〜０．６Ａの範囲にあることを特徴としている。
【００２０】
上述のように、磁性層と接着層の間に空隙を設けることにより、積層体の周囲に占める磁性層の割合が減少し、磁性層の比透磁率のばらつきや、積層体の凹部への磁性層の充填状態のばらつきによるインダクタンス値のばらつきが小さくなり、所望のインダクタンス、インピーダンスを精度よく実現することが可能になる。
すなわち、上述のように磁性層と接着層の間に空隙を設けるようにした場合、磁性層を設けてインダクタンス値の増大を図りつつ、磁性層の比透磁率のばらつきや、積層体の凹部への磁性層の充填状態のばらつきのインダクタンス値への影響を空隙により抑制することが可能になり、所望のインダクタンス及びインピーダンスを精度よく確保することができるようになる。
【００２１】
また、第１の磁性体基板の上面から接着層の下面（空隙が形成されていない領域の磁性層の上面）までの距離をＡとした場合に、空隙の深さＢを、０．２Ａ〜０．６Ａの範囲とすることにより、インダクタンスの変化率を緩やかにして、ばらつきを低減することが可能になる。
なお、空隙の深さＢを、０．２Ａ〜０．６Ａの範囲とするのが好ましいのは、空隙の深さＢを、０．２Ａ未満とすると、加工のばらつきによるインダクタンスのばらつきが大きくなり、また、空隙の深さＢを０．６Ａよりも大きくすると、本願発明の構造による効率の良いインダクタンスの取得が困難となることによる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態を示して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２３】
［実施形態１］
図１は本願発明の一実施形態にかかるコモンモードチョークコイルを示す断面図であり、図２はその要部構成を示す分解斜視図である。
【００２４】
このコモンモードチョークコイルは、図１，２に示すように、第１の磁性体基板１と、第１の磁性体基板１上に配設された、絶縁体１１中に２つのスパイラル形のコイル１２，１３が絶縁層により電気的に絶縁された状態で配設された積層体１０と、積層体１０の上面を覆う磁性層２０と、磁性層２０上に配設された非磁性の接着層３０と、接着層３０を介して磁性層２０に接合され、接着層３０及び磁性層２０を介して、第１の磁性体基板１との間に積層体１０を挟持する第２の磁性体基板２とを備えている。
【００２５】
また、このコモンモードチョークコイルは、互いに対向する端面に配設された、コイル１２，１３の両端側の引出し電極１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂ（図２）と導通する端子電極（外部電極）３を備えている。なお、図２においては、手前側の端面に形成された端子電極３のみを示している。
【００２６】
第１の磁性体基板１上に配設された積層体１０は、絶縁層１１ａとコイルパターン１２ａ，１２ｂ，及び１３ａ，１３ｂを積み重ねることにより形成されており、絶縁体１１中に、２つコイルパターン１２ａ，１２ｂからなるスパイラル形のコイル１２と、２つのコイルパターン１３ａ，１３ｂからなるスパイラル形のコイル１３が配設されている。また、積層体１０のコイルパターン１２ａ，１２ｂ，及び１３ａ，１３ｂが配設されていない絶縁体部分（この実施形態１では、コイル１２，１３の内周側の略中央部に、上面側から第１の磁性体基板１にまで達する凹部（磁路形成用の穴）１４が形成されているとともに、コイル１２，１３の外周側の両端部にも上面側から第１の磁性体基板１にまで達する凹部（磁路形成用の穴）１５，１５が配設されている。これにより、図１に示すような閉磁路Ｍが形成される。
【００２７】
また、コイル１２を構成する２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂは、端子電極３との接続部を除いて、絶縁層１１ａを介して互いに重なり合うよう略同一のパターンを有しているとともに、コイル１３を構成する２層のコイルパターン１３ａ，１３ｂも、端子電極３との接続部を除いて、絶縁層１１ａを介して互いに重なり合うような略同一のパターンを有しており、さらに、コイルパターン１２ａ，１２ｂと、コイルパターン１３ａ，１３ｂも絶縁層１１ａを介して互いに重なり合うような略同一のパターンを有している。そして、コイルパターン１２ａ，１２ｂが、所定の位置に配設されたビアホール１６ａを介して接続されることにより、２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂが近接して並列接続された構造を有するコイル１２が形成され、コイルパターン１３ａ，１３ｂが、所定の位置に配設されたビアホール１６ｂを介して接続されることにより、２層のコイルパターン１３ａ，１３ｂが近接して並列接続された構造を有するコイル１３が形成されている。
【００２８】
これにより各コイル１２及び１３のコイルラインの断面積が２倍になり導体抵抗を低下させることが可能になる。さらに、上下２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂ、及び１３ａ，１３ｂの形状をほぼ同一とし重ね合わせることで、最上面の絶縁層高さがほぼ均一となり、第１及び第２の磁性体基板１，２の接着の際に、段差が無く、良好な接着を行うことが可能になる。
【００２９】
また、上下２層のコイルライン（コイルパターン）１２ａ，１２ｂ，及び１３ａ，１３ｂが近接配置されているため、上下２層のコイルライン１２ａ，１２ｂ，及び１３ａ，１３ｂが確実に結合し、インダクタンスの低下が抑制される。なお、上下２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂ、及び１３ａ，１３ｂの間の絶縁層１１ａの厚み、及びコイル１２，１３間の絶縁層１１ａの厚みは、１〜３μmとすることが望ましい。
また、各層間に配設される絶縁層１１ａの枚数に制約はなく、図２に示すように１枚としてもよく、複数枚としてもよい。また、各絶縁層１１ａの厚みは、異なっていてもよく、同一であってもよい。
また、コイル１２，１３を構成するコイルパターンは、２層以上のパターンで構成してもよく、また、１層のパターンで構成してもよい。
【００３０】
また、この実施形態１のコモンモードチョークコイルにおいて、積層体１０の上面を覆う磁性層２０は、その一部が積層体１０に配設された凹部１４，１５に入り込み、第１の磁性体基板１と接している。この実施形態１においては、良好な磁路を形成するために、スパイラル形のコイル１２，１３の内周側及び外周側の両方に磁路形成用の穴（凹部）１４，１５を設け、各凹部１４，１５に磁性層２０の一部を入り込ませるようにしているが、コイル１２，１３の内周側にのみ磁路形成用の穴（１４）を形成することによっても、実用上問題のない程度の良好な磁路を形成することが可能である。
【００３１】
なお、この実施形態１では、磁性層２０として、フェライト微粉６０〜７０vol％とポリイミド樹脂３０〜４０vol％を配合した磁性材料が用いられている。磁性材料として、ポリイミド樹脂とフェライト微粉を配合した材料を用いることにより、耐熱性に優れ、かつ、絶縁層１１ａとの密着性の良好な磁性層２０を形成することができる。
また、この実施形態１では、接着層３０を、磁性層２０と第２の磁性体基板２の対向面の略全面に設けるようにしているが、接着層３０を、磁性層２０と第２の磁性体基板２の対向面の全面に設けるのではなく、部分的に設ける（例えば、第２の磁性体基板２の周縁部に対応する領域のみに設けたり、斑点状に設けたりする）ことも可能である。
また、添加するフェライト微粉としては、積層体１０に損傷を与えないように、できるだけ微細なものを用いることが好ましく、最大粒径が３μm以下のものを用いることが望ましい。なお、磁性材料を構成する樹脂材料としては、ポリイミド樹脂に限らず、その他の種々の樹脂材料を用いることが可能であり、さらには、ガラスなどを用いることも可能である。
【００３２】
また、磁性層２０上に配設された非磁性の接着層３０は、磁性層２０と第２の磁性体板２を接着する機能を果たすとともに、磁性層２０と第２の磁性体基板２の間に配設された非磁性のギャップ部としての機能を果たすように構成されており、磁性層２０に接して第２の磁性体基板２を配設した場合に比べて、さらに高周波領域にまでフラットなインダクタンス特性が得られるように構成されている。なお、この実施形態１では、接着層３０に、熱可塑性のポリイミド樹脂が用いられている。
【００３３】
また、上記の第１の磁性体基板１及び第２の磁性体基板２は、内部に２つのコイル１２，１３が配設された積層体１０及び磁性層２０を挟持する機能を果たすものであり、この実施形態１では、第１及び第２の磁性体基板１，２として、高周波特性の良好なフェライト基板が用いられている。また、磁性体基板１，２としては、フォトリソグラフィー工法により、その上に絶縁層１１ａ、コイルパターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂなどを形成する際に支障がないように、表面粗さＲａが０．５μm以下になるように研磨されたものを用いることが望ましい。
【００３４】
また、コイルパターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ、及び引出し電極１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂの構成材料（電極材料）としては、導電性に優れたＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属あるいはこれらの合金を用いることが望ましい。なお、この実施形態１では、Ａｇ電極を使用している。
【００３５】
また、絶縁層１１ａとしては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などの種々の樹脂材料、あるいはＳｉＯ2などのガラス、ガラスセラミクスなどを用いることが可能である。また、フォトリソグラフィー工法を用いる場合には、各材料として感光性機能を付加した材料が用いられる。また、絶縁層１１ａの構成材料としては、その目的により複数材料を組み合わせたものを使用してもよい。なお、この実施形態１では、絶縁層１１ａを構成する絶縁材料として、感光性ポリイミド樹脂を使用している。
【００３６】
また、コイルパターンなどを構成する電極材料と、絶縁層を構成する絶縁材料の組合せは、加工性・密着性などを考慮して選択することが望ましい。
【００３７】
次に、上述のように構成されたコモンモードチョークコイルの製造方法について説明する。
なお、以下では、１つのコモンモードチョークコイルを製造する場合を例にとって説明するが、通常は、マザー基板上に多数個分の素子を形成した後、所定の位置で切断して、個々のコモンモードチョークコイルに分割することにより、多数個のコモンモードチョークコイルを同時に製造する方法が適用される。
【００３８】
(1)まず、第１の磁性体基板１上に所望のコイル（回路）１２，１３が得られるように絶縁層１１ａ及びスパイラル形状のコイルパターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ、引出し電極１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂなどからなる電極層を積層することにより積層体１０を形成する。
なお、各絶縁層１１ａには、第１の磁性体基板１と、後の工程で形成される磁性層２０とを接続して磁路を形成するための磁路形成用の穴（凹部）１４，１５を、フォトリソグラフィー工法により形成しておく。
また、所定の絶縁層１１ａには、コイル１２を構成する２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂを形成するとともに、コイル１３を構成する２層のコイルパターン１３ａ，１３ｂを電気的接続するためのビアホール１６ａ，１６ｂを形成しておく。なお、この実施形態１では、図２の下から２層目及び４層目の絶縁層１１ａに上下のコイルパターン１２ａ，１３ａを接続するためのビアホール１６ａ，１６ｂを形成している。
上述のように、２層のコイルパターン１２ａ，１２ｂ，及び１３ａ，１３ｂをビアホール１６ａ，１６ｂを介して電気的接続することにより形成されたコイル１２，１３の外周側の一端は引出し電極１７ａ，１８ａに接続され、積層体１０の互いに対向する一端面に引き出されるとともに、スパイラル形のコイル１２，１３の内周側の略中央に位置する他端は、絶縁層１１ａのビアホール１６ａ，１６ｂを介して上層のコイルパターン１２ｂ及び１３ｂから引き出した引出し電極１７ｂ及び１８ｂに接続され、積層体１０の互いに対向する一端面に引き出される。
【００３９】
(2)次に、積層体１０の上面に、磁性層２０を形成するための磁性材料（ポリイミド樹脂にフェライト微粉を添加してなる、比透磁率が２〜７の範囲の材料）を印刷工法により塗布し、積層体１０の上面を覆うとともに、磁性層２０の一部を積層体１０に配設された凹部１４，１５に充填する。なお、磁性材料の凹部１４，１５への充填は、印刷と乾燥を２〜４回程度繰り返すことにより確実に行うことができる。これにより、積層体１０が、第１の磁性体基板１と磁性層２０により覆われ、かつ、凹部１４，１５に入り込んだ磁性層２０が、第１の磁性体基板１と接続した構造が形成される。
なお、磁性層２０を印刷工法によって塗布することにより、磁路形成用の穴（凹部）１４，１５に、確実に磁性層２０の一部（磁性材料）を充填することができる。
【００４０】
(3)上述のようにして磁性層２０を形成した後、第２の磁性体基板２の表面（接合後に下面となる面）に、精度よく所望の塗膜厚を得ることが可能なスピンコート工法により、厚み２〜３μm、ばらつき±１μmの条件で、接着材（熱可塑性のポリイミド樹脂）を塗布して接着層３０を形成する。そして、この接着層３０を介して、磁性層２０の上面に第２の磁性体基板２を接合する。これにより、積層体１０が、接着層３０及び磁性層２０を介して、第１及び第２の磁性体基板１，２によって挟持された構造を有する接合構造体が形成される。
なお、この実施形態１では、第２の磁性体基板２を接着層３０を介して磁性層２０に接合した後、不活性ガス雰囲気もしくは真空中にて加熱、加圧し、冷却後、圧力を解除することにより、第２の磁性体基板２を接着層３０を介して磁性層２０に固着させた。
また、第２の磁性体基板２を磁性層２０に接合するにあたっては、第２の磁性体基板２の表面（接合後に下面となる面）と磁性層２０の表面の両方に接着材を塗布するように構成することも可能である。
【００４１】
なお、マザー基板から、多数個の素子に分割する、いわゆる多数個取りの製造方法の場合には、この時点で、ダイシングなどの方法により、接合構造体を所定の位置で切断して、個々の素子に分割する。
【００４２】
(4)次いで、コイル１２，１３から引き出された引出し電極１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂと導通する端子電極（外部電極）３（図２）を素子の端面に形成することにより、図１，２に示すようなコモンモードチョークコイルが形成される。
【００４３】
上述のように構成されたコモンモードチョークコイルは、第１の磁性体基板１上に、フォトリソグラフィー工法により形成された、微細、高精度で、薄型のコイル回路（積層体）１０の周囲を、その上面側及び上記凹部１４，１５に配設された磁性層２０により覆い、かつ、磁性層２０上に接着層３０を介して第２の磁性体基板２を配設することにより、閉磁路Ｍ（図１）を形成するようにしているので、回路の磁気抵抗を低下させて、効率よくインダクタンス及びインピーダンスを取得することが可能になり、製品の小型化を図ることが可能になる。
【００４４】
また、この実施形態１のコモンモードチョークコイルにおいては、第１及び第２の磁性体基板１，２及び磁性層に磁束が集中し、対向するコイル１２，１３の発生する共通磁束が強まるため、従来のコモンモードチョークコイルに比べて、コイル間の結合度を向上させることが可能になる。そして、その結果、電気的特性として、ディファレンシャルモードのインピーダンスを低く抑えることが可能になり、伝送する信号波形に及ぼす影響を低減することが可能になる。
【００４５】
そして、この実施形態１のコモンモードチョークコイルでは、磁性層２０とその上面側に配設される第２の磁性体基板２の間に非磁性の接着層３０を設けるようにしているので、良好な接着性が確保されるとともに、ごく僅かではあるが非磁性のギャップ部が形成されることから、磁性体材料本来の周波数特性に比べ、高周波領域までフラットなインダクタンス特性を得ることが可能になる。さらに、第１及び第２の磁性体基板１，２、及び磁性層２０の比透磁率のばらつきによるインダクタンス値、及びインピーダンス値の変動が抑制され、さらに良好な特性を得ることが可能になる。
【００４６】
なお、図３に、接着層の膜厚とインダクタンスの変化率の関係を示す。なお、図３のインダクタンスの変化率は、接着層を設けていない場合（接着層の厚み＝０）を基準とした値である。
接着層の膜厚が１μm未満の場合、膜厚によるインダクタンス値の変化率が大きくなるため、接着層の膜厚は１μm以上であることが望ましい。また、接着層の膜厚が１μm未満になると、第２の磁性体基板の磁性層への接着力が不十分になるので、接着力の見地からも接着層の膜厚は１μm以上であることが望ましい。
また、接着層の膜厚とインダクタンス値の関係を調べたところ、接着層の膜厚が５μmより大きくなると、十分な接着力を得ることはできるものの、インダクタンス値が低下するので望ましくない。
【００４７】
また、図４に磁性層の比透磁率とインダクタンスの変化率の関係を示す。図４に示すように、磁性層の比透磁率が２未満の場合、インダクタンスの変化率が大きくなることから、磁性層の比透磁率は２以上であることが望ましい。また、磁性層の比透磁率が７より大きくなると、インダクタンスは大きくなるが、磁性体（磁性粉）の配合割合（例えば、磁性体の樹脂への添加割合）を著しく大きくすることが必要になり、密着力などの磁性層（膜）の特性が低下するため、好ましくない。
【００４８】
なお、この実施形態１の構造のコモンモードチョークコイルにおいては、図７(ａ)，(ｂ)に示すような構造の従来のコモンモードチョークコイル（従来技術１）に比べて、同一形状（平面形状１．６mm×１．６mmサイズ）で、約１．６倍のインダクタンスを取得できることが確認されている（ただし、磁性層の比透磁率＝５の場合）。
【００４９】
［実施形態２］
図５は、本願発明の他の実施形態（実施形態２）にかかるコモンモードチョークコイルを示す断面図である。
【００５０】
この実施形態２のコモンモードチョークコイルにおいては、積層体１０を平面的にみた場合における、積層体１０の上面側から第１の磁性体基板１にまで到達する凹部１４，１５が配設された領域の、磁性層２０と接着層３０の間に空隙４０が配設されている。
なお、この実施形態２のコモンモードチョークコイルの基本的構成は、上述の実施形態１のコモンモードチョークコイルの場合と同様であることから、重複を避けるため、ここではその説明を省略する。また、図５のコモンモードチョークコイルにおいて、図１及び２と同一符号を付した部分は、同一又は相当する部分を示している。
【００５１】
このコモンモードチョークコイルにおいては、磁性層２０と接着層３０の間に空隙４０を設けるようにしているので、積層体１０の周囲に占める磁性層２０の割合が減少し、磁性層２０の比透磁率のばらつきや、積層体１０の凹部１４への磁性層２０の充填状態のばらつきによるインダクタンスのばらつきが小さくなり、所望のインダクタンス、インピーダンスを精度よく実現することができる。
なお、この実施形態２のコモンモードチョークコイルは、上記実施形態１のコモンモードチョークコイルの場合と同様の方法により製造することが可能である。
この実施形態２でも、接着層３０を、磁性層２０と第２の磁性体基板２の対向面の略全面に設けるようにしているが、接着層３０を、磁性層２０と第２の磁性体基板２の対向面の略全面に設けるのではなく、例えば、磁性層２０と第２の磁性体基板２の間の、空隙４０の設けられていない領域に設けたり、空隙４０の内周面にのみ設けたりすることも可能である。また、接着層３０を、第２の磁性体基板２の周縁部に対応する領域のみに設けたり、あるいは斑点状に設けたりすることも可能である。
【００５２】
磁性層２０と接着層３０の間に空隙４０が確保されるようにするための方法としては、例えば、積層体１０の上面から磁性層２０を形成するための磁性材料を印刷工法により塗布する際に、積層体１０に配設された凹部１４に磁性材料が完全に充填されずに、磁性材料が塗布される他の領域よりも塗布表面が低くなる（くぼんだ状態になる）ように塗布しておき、表面（下面）に接着層３０を形成した第２の磁性体基板２を、接着層３０を介して、磁性層２０の上面に接合する方法などが例示される。
【００５３】
なお、磁性層２０と接着層３０の間の空隙の深さとインダクタンスの変化率の関係を図６に示す。
ただし、図６では、磁性層２０の厚み（第１の磁性体基板１の上面から接着層３０の下面（すなわち、空隙４０が形成されていない領域の磁性層２０の上面）までの距離）Ａに対する空隙４０の深さＢの比率（Ｂ／Ａ）とインダクタンスの変化率との関係を示している。
【００５４】
図６に示すように、磁性層２０の厚みＡに対する空隙４０の深さＢの比率（Ｂ／Ａ）が０．２未満になると、インダクタンスの変化率が大きくなり、好ましくないことがわかる。
なお、磁性層２０の厚みＡに対する空隙４０の深さＢの比率（Ｂ／Ａ）を０．６よりも大きくすると、本願発明の構造による効率の良いインダクタンスの取得が困難となる。
したがって、磁性層２０の厚みＡに対する空隙４０の深さＢの比率（Ｂ／Ａ）は０．２〜０．６の範囲とすることが望ましい。
【００５５】
本願発明は、さらにその他の点においても上記実施形態１，２に限定されるものではなく、第１及び第２の磁性体基板の構成材料や具体的な形状、絶縁層の構成材料や厚み、コイルパターンの具体的な形状や構成材料、コイルパターン及び絶縁層の積層数、コイルの引き出し位置、磁性層の構成材料、積層体及び積層体に形成された凹部の具体的な形状、配設位置、配設数、非磁性の接着層の構成材料や厚みなどに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００５６】
【発明の効果】
上述のように、本願発明（請求項１）のコモンモードチョークコイルは、積層体のコイルパターンが配設されていない部分に、上面側から第１の磁性体基板にまで到達する少なくとも１つの凹部を設けるとともに、積層体上に磁性層を形成し、磁性層の一部を、積層体に形成された凹部に入り込ませるようにしているので、製品の大型化を招くことなく、大きなインピーダンスを得ることが可能になるとともに、磁性層と第２の磁性体基板の間に配設された非磁性の接着層により良好な接着性が確保されるとともに、ごく僅かな厚みではあるが磁性層と第２の磁性体基板の間に非磁性のギャップ部が形成されるため、磁性層に接して第２の磁性体基板を配設した場合に比べて、さらに高周波領域にまでフラットなインダクタンス特性を得ることができる。
【００５７】
また、積層体内に絶縁層を介して互いに対向するように２つ以上のコイルが配設され、かつ、各コイルの主要部（例えば、コイルの端子電極との接続部を除いた部分など）が、絶縁層を介して互いに重なり合うように配設された構造を有しているので、磁性体基板及び磁性層に磁束を集中させることが可能になるとともに、対向するコイルにおいて発生する共通磁束を強めることが可能になるため、従来のコモンモードチョークコイルに比べて、コイル間の結合度を大きくすることが可能になる。したがって、電気的特性としてディファレンシャルモードのインピーダンスを低く抑えることが可能になり、伝送される信号波形に及ぼす影響を低減することができるようになる。
【００５８】
また、コイルをスパイラル形状のものとし、かつ、積層体の上面側から、第１の磁性体基板にまで到達する凹部を、スパイラル形状のコイルの内周側の略中央部に配設するようにしているので、磁性体が配設されたコイルの略中央部を通ってコイルの外周側に至り、再びコイルの内周側に戻る閉磁路が確実に形成される。したがって、本願発明のコモンモードチョークコイルにおいては、コイルの結合度を向上させることが可能になるとともに、大きなインピーダンスを得ることができるようになる。
【００５９】
また、接着層の厚みを１〜５μ m としているので、十分なインダクタンスを確保することが可能で、しかも十分な信頼性を備えたコモンモードチョークコイルを得ることが可能になる。
【００６０】
また、請求項２のコモンモードチョークコイルのように、第１及び第２の磁性体基板間に配設される磁性層に、比透磁率２〜７のものを用いるようにした場合、効率よく大きなインダクタンス及びインピーダンスを取得することが可能になる。
【００６１】
また、請求項３のコモンモードチョークコイルのように、第１の磁性体基板と第２の磁性体基板の間の距離を７０μm以下とすることにより、十分なインダクタンスを有するコモンモードチョークコイルを得ることが可能になる。
【００６２】
また、請求項４のコモンモードチョークコイルのように、磁性層と接着層の間の所定の領域に空隙を設けるようにした場合、積層体の周囲に占める磁性層の割合が減少し、磁性層の比透磁率のばらつきや、積層体の凹部への磁性層の充填状態のばらつきによるインダクタンス値のばらつきが小さくなり、所望のインダクタンス、インピーダンスを精度よく実現することができる。
すなわち、上述のように磁性層と接着層の間の所定の領域に空隙を設けるようにした場合、磁性層を設けてインダクタンス値の増大を図りつつ、磁性層の比透磁率のばらつきや、積層体の凹部への磁性層の充填状態のばらつきのインダクタンス値への影響を空隙により抑制することが可能になり、所望のインダクタンス及びインピーダンスを精度よく確保することができる。
【００６３】
また、第１の磁性体基板と磁性層の上面との距離をＡとした場合に、上記空隙の深さＢを、０．２Ａ〜０．６Ａの範囲とすることにより、インダクタンスの変化率を緩やかにして、ばらつきを低減することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかるコモンモードチョークコイルを示す断面図である。
【図２】 本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかるコモンモードチョークコイルの要部構成を示す分解斜視図である。
【図３】 本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかるコモンモードチョークコイルにおける接着層の膜厚とインダクタンスの変化率の関係を示す図である。
【図４】 本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかるコモンモードチョークコイルにおける磁性層の比透磁率とインダクタンスの変化率の関係を示す図である。
【図５】 本願発明の他の実施形態（実施形態２）にかかるコモンモードチョークコイルを示す断面図である。
【図６】 本願発明の他の実施形態（実施形態２）にかかるコモンモードチョークコイルにおける磁性層と接着層の間の空隙の深さとインダクタンスの変化率の関係を示す図である。
【図７】 従来のコイル部品（コモンモードチョークコイル）を示す図であり、(ａ)は要部構成を示す分解斜視図、(ｂ)は断面図である。
【図８】 従来の他のコイル部品（コモンモードチョークコイル）の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 第１の磁性体基板
２ 第２の磁性体基板
３ 端子電極（外部電極）
１０ 積層体
１１ 絶縁体
１１ａ 絶縁層
１２，１３ コイル
１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ コイルパターン
１４，１５ 凹部
１６ａ，１６ｂ ビアホール
１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂ 引出し電極
２０ 磁性層
３０ 接着層
４０ 空隙
Ａ 磁性層の厚み
Ｂ 空隙の深さ
Ｍ 閉磁路
Claims (4)
- 第１の磁性体基板と、
絶縁層とコイルパターンを積み重ねることにより形成され、絶縁体中に、絶縁層を介して互いに対向するように２つ以上のスパイラル形状のコイルが配設され、かつ、各コイルの主要部が、絶縁層を介して互いに重なり合うように配設された構造を有する積層体であって、前記第１の磁性体基板上に配設され、少なくとも前記コイルの内周側の略中央部には、上面側から前記第１の磁性体基板にまで到達する少なくとも１つの凹部が配設された積層体と、
前記積層体の上面を覆う磁性層であって、一部が前記積層体に配設された凹部に入り込み、少なくとも１つの凹部において第１の磁性体基板と接するように配設された磁性層と、
前記磁性層上に配設された非磁性で、厚みが１〜５μ m の接着層と、
前記第１の磁性体基板との間に前記積層体を挟持する第２の磁性体基板であって、前記接着層上に配設され、前記接着層を介して前記磁性層に接合された第２の磁性体基板と
を具備することを特徴とするコモンモードチョークコイル。 - 前記第１及び第２の磁性体基板間に配設された磁性層が、比透磁率２〜７のものであることを特徴とする請求項１記載のコモンモードチョークコイル。
- 前記第１及び第２の磁性体基板間の距離が７０μm以下であることを特徴とする請求項１または２記載のコモンモードチョークコイル。
- 平面的にみた場合における、前記積層体の前記凹部が配設された領域に略対応する前記磁性層と前記接着層の間の領域に、空隙が配設されており、かつ、前記第１の磁性体基板の上面から前記接着層の下面（前記空隙が形成されていない領域の磁性層の上面）までの距離をＡとした場合に、空隙の深さＢが、０．２Ａ〜０．６Ａの範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のコモンモードチョークコイル。
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